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Vitória-ES
2020
Vinícius Secchin de Melo
Vitória-ES
2020
Ficha catalográfica disponibilizada pelo Sistema Integrado de
Bibliotecas - SIBI/UFES e elaborada pelo autor
Agradeço acima de tudo a Deus, por ter me abençoado e colocado pessoas em minha
jornada que foram importantíssimas para o desenvolvimento e conclusão deste trabalho.
Agradeço aos professores Domingos Sávio Lyrio Simonetti, Denizar Cruz Martins,
Gilberto Costa Drumond Sousa, José Luiz de Freitas Vieira e Cassiano Rech que aceitaram
participar da banca de minha defesa.
Agradeço ao senhor Cristiano Pless, que nos doou em nome da Hércules Motores
um motor de indução trifásico nas especificações particulares à pesquisa de doutorado. Ao
senhor Roman Troesch, gerente de marketing e vendas da Plexim, que cedeu a UFES uma
licença de servidor para até 50 usuários por um ano de forma gratuita o simulador de circuitos
eletrônicos PLECS® que foi fundamental para as análises do inversor investigado na pesquisa
de doutorado, e também à Brenda Barbosa e ao Magno Fernandes da STMicroelectronics,
que nos cederam gentilmente os módulos IGBTs para a construção do protótipo.
Agradeço também aos colegas do LEPAC que sempre me deram força e apoio nos
momentos em que precisei, e a todos aqueles que direta ou indiretamente contribuíram
para a conclusão deste trabalho.
"Não fui eu que lhe ordenei?
Seja forte e corajoso!
Não se apavore, nem se desanime,
pois o Senhor, o seu Deus, estará
com você por onde você andar."
Josué 1:9
Resumo
No cenário energético atual torna-se cada vez mais importante a utilização de fontes
auxiliares de energia que contribuam para o sistema elétrico. A pesquisa e o aperfeiçoamento
de novos inversores de potência são essenciais para garantir a viabilidade da utilização de
fontes renováveis de energia em sistemas de geração distribuida, bem como no emprego
destas em locais remotos como sistemas isolados. Neste ensejo, a eletrônica de potência é
fundamental, pois normalmente no caso de sistemas fotovoltaicos e isolados, as fontes de
energia elétrica fornecem tensões contínuas de valores baixos, que necessitam elevação
para assim poderem ser convertidas em tensão alternada para conexão à rede elétrica ou
acionar uma carga isolada com baixas distorções harmônicas. Muitas destas aplicações
utilizam dois conversores, um CC-CC elevador e outro CC-CA, ou seja o inversor propriamente
dito. A topologia estudada neste trabalho tem como objetivo fazer o interfaceamento
entre fonte e carga com apenas um único estágio, onde são realizadas as operações de
elevação e a inversão da tensão contínua em alternada nas amplitudes e frequências
desejadas. O inversor utiliza três células do tipo Buck-Boost, com referenciais senoidais
defasados de 120◦ um do outro. As tensões trifásicas são obtidas tomando-se as saídas
dos três conversores em forma diferencial. Todo o modelamento do inversor é realizado
utilizando-se o Modelo Médio Quase Instantâneo em Espaço de Estados, e por meio deste
analisado o comportamento dinâmico do inversor operando em diferentes cenários através
de simulações computacionais numéricas, e através de sofware dedicado à simulação de
circuitos em eletrônica de potência. Um modelo monofásico é apresentado e comparado seu
comportamento dinâmico com o modelo trifásico com carga resistiva operando com tensão
constante e variável na saída, bem como com variações de carga. Utilizando-se o modelo
monofásico, é apresentada uma metodologia para o cálculo dos indutores e capacitores do
inversor com base na resposta em frequência. São analisadas as influências da componente
de tensão contínua presente nos capacitores do inversor considerando esta constante e
proporcional à amplitude da componente senoidal nos capacitores. Para aplicações onde
é desejável que amplitude da tensão de saída seja variável, foi concluído que utilizando o
valor da componente da tensão contínua nos capacitores proporcional, obtêm-se redução
do stress de tensão nas chaves e dos valores médio e eficazes de correntes nas chaves
e nos indutores. Para validação de toda análise teórica e das simulações eletrônicas, um
protótipo com seis IGBTs chaveados na frequência de 20 kHz, com tensão de entrada de
48 V foi implementado. Resultados experimentais foram obtidos utilizando-se cargas em
estrela com potência de 200 W do tipo R, RL e RC, alimentadas com 50 V de tensão de linha
e frequência de 60 Hz.
1 INTRODUÇÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
1.1 Tipos de conexão de conversores à carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
1.1.1 Com isolação galvânica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
1.1.2 Sem isolação galvânica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
1.2 A proposta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
REFERÊNCIAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
APÊNDICES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
Tabela 1 – Valores médios, eficazes e THD das correntes e tensões de fase na carga -
Modelo trifásico com perdas e carga RL simulado no PLECS® . . . . . . . . . . 141
Tabela 2 – Valores médios e eficazes das correntes em cada elemento das chaves . . . 149
Tabela 3 – Perdas no indutor e chaves do braço 1 do inversor . . . . . . . . . . . . . . . . 152
Tabela 4 – Principais características do microcontrolador TM4C123GH6PM . . . . . . . . 156
Tabela 5 – Principais parâmetros do inversor: situação 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
Tabela 6 – Principais valores obtidos no experimento para as tensões de fase . . . . . . 162
Tabela 7 – Principais valores obtidos no experimento para as tensão e corrente de
cada fase. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
Tabela 8 – Principais valores obtidos no experimento para as tensões de fase . . . . . . 165
Tabela 9 – Valores de corrente nos indutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
Tabela 10 – Tensões e correntes de fase na carga e de entrada do inversor . . . . . . . . 169
Tabela 11 – Eficiência obtida nas simulaçãoes e nos resultados experimentais . . . . . . 169
Tabela 12 – Principais parâmetros do inversor: situação 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
Tabela 13 – Valores eficazes, médios e de pico-a-pico simulados para as tensões na
carga, nos capacitores e das correntes nos indutores: Carga R. . . . . . . . . 171
Tabela 14 – Comparações entre os resultados de simulação do modelo monofásico e os
resultados experimentais do modelo trifásico: Carga R. . . . . . . . . . . . . . 173
Tabela 15 – Valores eficazes, médios e de pico-a-pico simulados para as tensões na
carga, nos capacitores e das correntes nos indutores e na carga: carga RL. 174
Tabela 16 – Comparações entre os resultados de simulação do modelo monofásico e os
resultados experimentais do modelo trifásico: carga RL. . . . . . . . . . . . . . 176
Tabela 17 – Valores eficazes, médios e de pico-a-pico simulados para as tensões na
carga, nos capacitores e das correntes nos indutores e na carga: Carga RC. 177
Tabela 18 – Comparações entre os resultados de simulação do modelo monofásico e
resultados experimentais do modelo trifásico: Carga RC. . . . . . . . . . . . . 179
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
CA Corrente Alternada
CC Corrente Contínua
PI Proporcional-Integral
pu Por unidade
T1 − T6 Chaves do inversor
VE Veículo Elétrico
LISTA DE SÍMBOLOS
D Razão cíclica
j Número imaginário
k Braço do inversor
RY Resistência em estrela
RΔ Resistência em triângulo
t Grandeza temporal
Tƒ Função de transferência
U Vetor de entrada
Z Impedância
ZY Impedância em estrela
ZΔ Impedância em triângulo
ω Frequência angular
ξ Fator de amortecimento
λ Relação L sobre C
35
CAPÍTULO 1
INTRODUÇÃO
Esta topologia possui a vantagem de ser simples e utilizar apenas dois componentes
tradicionais (inversor e transformador trifásico), todavia, por utilizar um transformador de
baixa frequência, o custo e o peso do sistema são elevados.
Inversor 3Φ
Rede
Fonte CC
Transformador 3Φ
Fonte CC CC CC
Rede
Inversor 3Φ
(b) Utilizando transformador em alta frequência.
Fonte: Autor.
Neste tipo de conexão, não existe mais o elemento para se prover a isolação, ou seja,
o transformador. Uma simples topologia deste tipo de conexão pode ser obtida somente
com o interfaceamento da fonte CC com a carga CA ou rede utilizando um inversor de três
braços, conforme mostrado na figura 2. Esta topologia tem sido muito utilizada onde não se
requer um estágio elevador intermediário, ou seja, a tensão no barramento de entrada do
inversor é suficiente para produzir em sua saída a tensão senoidal requerida.
Figura 2 – Conexão sem transformador a uma carga isolada ou rede elétrica, utilizando apenas o
inversor.
Rede
Fonte CC ou
Carga CA
Fonte: Autor.
UPS, geração distribuída e veiculares [4]. A topologia utilizada nestas aplicações tem sido
o Inversor como Fonte de Tensão ou VSI, do inglês Voltage Source Inverter. Entre suas
características, está o fato de que a amplitude da tensão alternada em sua saída ser sempre
menor do que a tensão de entrada CC [5], por isso a necessidade de um estágio elevador
o preceder para utilização nas aplicações citadas. Na figura 3 está ilustrado o diagrama
elétrico desta topologia.
Rede
ou
Carga CA
Fonte: Autor.
Motor 3Φ
Fonte: Autor.
Algumas topologias têm sido propostas com o objetivo de reduzir o número de semi-
condutores, por conseguinte o volume e peso do conversor que são cruciais em aplicações
veiculares ou onde o volume e o peso do equipamento são uma restrição física. Também
deseja-se que com apenas um estágio seja possível a operação de elevação da tensão CC e
a conversão CC-CA. Várias propostas na versão monofásicas são apresentadas, dentre elas
uma das primeiras contribuições foram introduzidas na década de 90 em [10] e [11], onde
são utilizados dois conversores CC-CC na topologia Boost [12] com saída diferencial para se
produzir um inversor monofásico conforme mostrado no diagrama elétrico da figura 5. Na
mesma década em [13] foi feito um estudo e análise experimental de conversores CC-CA
elevadores monofásicos utilizando-se as topologias Boost e Buck-Boost [12]. Em [14] foi
proposto um controlador robusto para a topologia Buck-Boost inversora, porém foram feitas
apenas simulações computacionais para testar o desempenho do inversor com mudanças
abruptas de carga.
Vcarga
Carga
vC1 C1 C2 vC2
Fonte: Autor.
1.1. Tipos de conexão de conversores à carga 39
Na primeira década do ano 2000, em [15] foi apresentada uma nova estratégia de
controle, utilizando-se duas malhas linearizantes, uma interna de corrente e outra externa
de tensão, controlando assim a corrente no indutor e a tensão no capacitor do conversor de
um inversor Boost. Anos mais tarde, esta técnica foi reproduzida em uma topologia inversora
Buck-Boost, apresentada em [16] e em [17] sua versão experimental. O diagrama elétrico
desta topologia é apresentado na figura 6.
Vcarga
Carga
vC1 C1 C2 vC2
Fonte: Autor.
Em [29] foi proposta uma topologia monofásica com uma nova técnica PWM com o
objetivo de minimizar as perdas por chaveamento. Uma proposta de inversor monfásico para
conexão de painéis solares em aplicações domésticas foi apresentada com a implementação
de protótipo em [30]. Em [31] foi apresentada uma topologia multiporta baseada em
conversores CC-CC Buck-Boost, e em [32] uma estrutura sem capacitores eletrolíticos,
com quatro chaves ativas e um indutor de roda livre foi proposta, tendo como principal
vantagem o reduzido número de componentes. Com o objetivo aumentar a faixa de ganho
do inversor, em [33], foram utilizadas na estrutura monofásica indutores acoplados, tendo
como benefício a redução nas perdas por chaveamento. Em [34] foram utilizadas duas
células Buck-Boost para se realizar a elevação e conversão da tensão CC em CA com a
adição de uma filtro LC programável, podendo operar em diferentes condições de regime.
Em [35] foi introduzida a topologia trifásica conhecida como Z Source Inverter (ZSI).
Esta topologia foi projetada, incorporando em um mesmo estágio um conversor CC-CC
elevador e um inversor, com a capacidade de elevar a tensão e realizar o processo de
conversão CC-CA, embora o fator de elevação possua limitações. Varias modificações para o
Z Source Inverter foram propostas em [36–39]. Porém, todas estas topologias ainda posuem
um grande número de elementos passivos. As aplicações trifásicas aparecem de forma
mais tímida tomando como base 3 células Boost ou Buck-Boost, conforme mostrado na
figura 7, para se produzir uma saída trifásica. Cada célula sintetiza em sua saída uma
tensão alternada de mesma amplitude e frequência, deslocadas de um nível CC e defasadas
40 Capítulo 1. Introdução
de 120◦ . Como as saídas são tomadas de forma diferencial, os níveis CC são cancelados,
obtendo-se assim na carga tensões trifásicas.
Fonte: Autor.
Uma das primeiras análises feitas para uma versão trifásica do inversor Boost utili-
zando a topologia mostrada na figura 7a foi abordada em [40] no início da primeira década
de 2000, onde foi apresentado o modelo do conversor em espaço de estados, e uma análise
para determinação dos valores das indutâncias e capacitâncias do conversor. Ainda no
final desta década em [41], foram apresentadas simulações para cargas resistivas, e em
[42], com resultados experimentais acionando um motor CA. Concomitantemente, foram
implementados para a versão Boost trifásica a técnica de controle Slide Mode Control
apresentada pela primeira vez em [11] no caso monofásico. Anos mais tarde em [43] foram
feitas análises por simulações sobre a viabilidade do acionamento de um motor de indução
utilizando a topologia Boost inversora.
Ainda na segunda década de 2000 em [44] foram apresentadas simulações das topo-
logias apresentadas na figura 7, Boost inversora, utilizando a técnica de controle proposta
em [15], e Buck-Boost inversora utilizando a técnica de controle Slide Mode Control.
Uma pequena variante da topologia mostrada na figura 7b, foi proposta em [45].
Foi utilizada uma modulação por vetores espaciais adaptada, e o controle foi realizado
via transformada dq0 utilizando-se controladores do tipo PI. O conversor foi utilizado para
alimentar um carga a partir de um painel fotovoltaico. Foi também implementado um algorí-
timo de MPPT (Maximum Power Point Tracking). O diagrama elétrico da topologia Buck-Boost
proposta em [45] é mostrada na figura 8.
1.2. A proposta 41
Rede
ou
Carga CA
Fonte: Autor.
Em [46] foi apresentada uma topologia trifásica de elevado ganho, porém com a
necessidade de dois estágios. A diferença desta topologia em relação à tradicional foi a
modificação do estágio elevador com o acréscimo de semicondutores e elementos passivos
no estágio de elevação. Um inversor de único estágio e apenas quatro chaves, foi apresen-
tado em [47]. Porém esta estrutura apresenta grandes correntes nas chaves, e necessita
a utilização de uma fonte com tensões simétricas na entrada do inversor. Uma topologia
baseada em três conversores CC-CC Buck-Boost chamada de Y-Inverter foi apresentada em
[48] para aplicações veiculares com células combustíveis. Apesar de serem empregados três
conversores DC-DC Buck-Boost, a configuração exige quatros chaves por fase do inversor, o
que aumenta consideravelmente o número de semicondutores nesta proposta. Em [49] é
proposto um conversor utilizando cinco chaves do tipo IGBT com objetivo de se conectar um
painel fotovoltaico à rede elétrica. Recentemente, foi apresentada em [50] uma estrutura
abaixadora e elevadora trifásica utilizando um inversor de quatro braços, porém nesta
topologia foi introduzida uma isolação galvânica e utilização de mais de doze chaves.
1.2 A proposta
T1 T3 T5
L1 T2 L2 T4 L3 T6
Vg
C1 C2 C3
Fonte: Autor.
CAPÍTULO 2
O conversor Buck-Boost, cujo diagrama esquemático está ilustrado na figura 10, por
ser um conversor CC-CC, não é capaz produzir em sua saída uma tensão alternada. Porém,
definindo um ponto específico de operação e modulando a razão cíclica em torno deste
ponto, através de uma função modulação específica, a saída (carga R) pode apresentar um
comportamento senoidal deslocada de um nível CC, como apresentado na figura 11.
T1 T2
Vg L C R
Fonte: Autor.
1.5 Vpico
Nível CC
1.0
V(pu)
0.5
0.0
0 10 20 30
t(ms)
Fonte: Autor.
44 Capítulo 2. Inversor Buck-Boost de único estágio
Caso seja tomada a tensão diferencial entre dois conversores, cujo diagrama elétrico
da interligação é mostrado na figura 12, a tensão de saída será a diferença entre as tensões
produzidas por cada conversor, dada por:
V12 = V1 − V2
V12
+ +
Conversor 1 V1 V2 Conversor 2
_ _
Fonte: Autor.
Sendo VDC um nível CC constante e maior que Vm , a tensão de saída V12 será
puramente senoidal, pois
V12 = V1 − V2
V12 = VDC + Vm sen (ωt + θ1 ) − VDC − Vm sen (ωt + θ2 )
V12 = + Vm sen (ωt + θ1 ) − VDC
VDC
− Vm sen (ωt + θ2 )
Utilizando três conversores Buck-Boost conectados de acordo com a figura 13, pode-
se obter uma versão trifásica do inversor.
45
Conversor 1 V1
_
V12
V31
+
Conversor 2 V2
_
V23
Conversor 3 V3
_
Fonte: Autor.
V12 = V1 − V2
V23 = V2 − V3
V31 = V3 − V1
V12 = V1 − V2
V12 = VDC + Vm sin(ωt + 0◦ ) − VDC − Vm sin(ωt + 120◦ )
V12 = + Vm sin(ωt + 0◦ ) − VDC ◦
VDC − Vm sin(ωt + 120 )
p
V12 = 3Vm sin(ωt − 30◦ ) (2.1)
p
V23 = 3Vm sin(ωt + 90◦ ) (2.2)
p
V31 = 3Vm sin(ωt − 150◦ ) (2.3)
De acordo com as equações 2.1, 2.2 e 2.3 chega-se a conclusão que de fato as
tensões de linha V12 , V23 e V31 são tensões senoidais trifásicas com offset nulo.
T1 T3 T5
L1 T2 L2 T4 L3 T6
Vg
Saída
C1 C2 C3
Fonte: Autor.
Devido a relação não linear entre tensão de saída e entrada no conversor Buck-Boost,
conforme equação A2.14 apresentada no Apêndice A2, a saída não será capaz de seguir um
referencial senoidal para a razões cíclicas elevadas, tal qual em um inversor convencional.
Desta forma, para se obter a tensão de saída desejada, foi determinada uma função razão
cíclica com o objetivo de se produzir a modulação senoidal na saída do inversor em torno de
um ponto de equilíbrio para cada braço do inversor Buck-Boost.
Figura 15 – Razão cíclica para um dos braços do inversor Buck-Boost para se produzir uma tensão
senoidal em sua saída.
0.6
0.4
D (pu)
0.2
0 10 20 30
t(ms)
Fonte: Autor.
T1 T3 T5
R3 Lr2
L1 T2 L2 T4 L3 T6
Vg
Lr3 R2
R1 Lr1
C1 C2 C3
Fonte: Autor.
T1 T2
Vg L1 C1 VZ1
Z1
Fonte: Autor.
48 Capítulo 2. Inversor Buck-Boost de único estágio
1
V(pu)
1
0 60 120 180 240 300 360 (o )
Etapas A1+ e B1+ A1 e B1
1
V(pu)
1
0 60 120 180 240 300 360 (o )
Etapas A2 e B2 A2+ e B2+ A2 e B2
1
V(pu)
1
0 60 120 180 240 300 360 (o )
Etapas A3+ e B3+ A3 e B3 A3+ e B3+
Lr2
R3
Lr3 R2
C3
T1 T2 R1 Lr1
Vg L1 C1 C2
Fonte: Autor.
1. Etapa A+
1
: O diagrama elétrico desta etapa de operação é mostrado na figura 22. Nesta
etapa considera-se apenas o IGBT da chave T1 conduzindo, enquanto os semicondutores
da chave T2 permanecem bloqueados.
vR3 vLr2
Lr2
R3
vLr3 vR2
Lr3 R2
C3 vC3
iL1 iLr3 iLr2
R1 Lr1
iC3
iLr1 vR1 vLr1
Fonte: Autor.
• Indutor L1 :
L1 = Vg
dL1
L1 = Vg
dt
dL1 1
= Vg (2.4)
dt L1
50 Capítulo 2. Inversor Buck-Boost de único estágio
• Capacitor C1 :
dLr1 R1 1 1
=− Lr1 + C1 − C2 (2.6)
dt Lr1 Lr1 Lr1
Com as equações 2.4, 2.5 e 2.6, chega-se ao seguinte sistema de equações:
dL1 1
dt
= V
L1 g
dLr1 1 1
dt
= − LR1 Lr1 +
Lr1 C1
−
Lr1 C2
(2.7)
r1
dC1
= − C1 Lr1 + 1
dt
C1 Lr3
1
dL2 1
dt
= V
L2 g
dLr2 1 1
dt
= − LR2 Lr2 +
Lr2 C2
−
Lr2 C3
(2.8)
r2
dC2 1 1
=
dt
C2 Lr1
−
C2 Lr2
dL3 1
dt
= V
L3 g
dLr3 1 1
dt
= − LR3 Lr3 +
Lr3 C3
−
Lr1 C1
(2.9)
r3
dC3 1 1
=
dt
C3 Lr2
−
C3 Lr3
Com os sistemas de equações 2.7, 2.8 e 2.9, obtem-se as equações matriciais para os
braços 1, 2 e 3 do conversor respectivamente na primeira etapa de operação:
2.1. Modelamento por Equação de Espaço Estados - sem perdas e carga RL 51
Ẋ = A11 X + B11 U
L1
L2
L3 1
˙
L1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Lr1
L
1 1
R1
− L1
˙
= 0 0 0 − 0 0 0 Lr2 + 0 Vg (2.10)
Lr1 Lr1 Lr1 r1
0 0 0 − C1 1
˙C1 0 C1
0 0 0 Lr3
0
1
C1
C2
C3
Ẋ = A11 X + B11 U
L1
L2
L3
1
˙
L2 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Lr1
L
2
1 1
− LR2
˙
Lr2 =0 0 0 0
r2
0 0 Lr2
− L Lr2 + 0 Vg
r2
(2.11)
1
− C1
˙C2 0 0 0 C2
0 0 0 0 Lr3 0
2
C1
C2
C3
Ẋ = A11 X + B11 U
L1
L2
L3 1
˙
L3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Lr1
L
3
− LR3 − L1 1
˙
Lr3 =0 0 0 0 0
r3 r3
0 Lr3
Lr2 + 0 Vg (2.12)
1
− C1
˙C3 0 0 0 0 C3
0 0 0 Lr3
0
3
C1
C2
C3
2. Etapa B+
1
: O diagrama elétrico desta etapa de operação para o braço 1 do inversor é
mostrado na figura 23. Nesta etapa considera-se apenas o diodo da chave T2 condu-
zindo, enquanto os semicondutores da chave e chave T1 permanecem bloqueados.
52 Capítulo 2. Inversor Buck-Boost de único estágio
iL3
vR3 vLr2
Lr2
R3
vLr3 vR2
Lr3 R2
C3 vC3
iL1 iLr3 iLr2
R1 Lr1
iC3
iLr1 vR1 vLr1 iL2
Fonte: Autor.
• Indutor L1 :
+ L1 + C1 = 0
L1 = −C1
dL1
L1 = −C1
dt
dL1 1
=− C1 (2.13)
dt L1
• Capacitor C1 :
• Indutor Lr1 :
dLr1 R1 1 1
=− Lr1 + C1 − C2 (2.15)
dt Lr1 Lr1 Lr1
2.1. Modelamento por Equação de Espaço Estados - sem perdas e carga RL 53
dL1
dt
= − L1 C1 − 1
L1 D2
1
dLr1 1 1
dt
= − LR1 Lr1 +
Lr1 C1
−
Lr1 C2
(2.16)
r1
dC1 1 1 1
= +
dt
C1 L1
−
C1 Lr1
C1 Lr3
dL2
dt
= − L1 C2 − 1
L2 D4
2
dLr2 1 1
dt
= − LR2 Lr2 +
Lr2 C2
−
Lr2 C3
(2.17)
r2
dC2 1 1 1
= +
dt
C2 L2
C2 Lr1
−
C2 Lr2
dL3
dt
= − L1 C3 − 1
L3 D6
3
dLr3 1 1
dt
= − LR3 Lr3 +
Lr3 C3
−
Lr1 C1
(2.18)
r3
dC3 1 1 1
= +
dt
C3 L3
C3 Lr2
−
C3 Lr3
Com os sistemas de equações 2.16, 2.17 e 2.18, obtêm-se as equações matriciais para
os braços 1, 2 e 3 do conversor respectivamente na segunda etapa de operação:
Ẋ = A12 X + B12 U
L1
L2
L3
˙ − L1
L1 0 0 0 0 0 0
1
0 0 Lr1
0
1
− LR1 − L1
˙
=
Lr1 0 0 0 0 0 0 Lr2 + 0 Vg (2.19)
r1 Lr1 r1
1
− C1 1
˙C1 C1
0 0
1
0 C1
0 0 0 Lr3
0
C1
C2
C3
Ẋ = A22 X + B22 U
L1
L2
L3
˙
L2 0 0 0 0 0 0 0 − L1 0
Lr1
0
2
1 1
− LR2
˙
Lr2 =0 0 0 0 0 0 − L Lr2 + 0 Vg (2.20)
r2 Lr2 r2
− L1 1
− C1
˙C2 0
r2
0 C2 2
0 0 0 0 Lr3
0
C1
C2
C3
54 Capítulo 2. Inversor Buck-Boost de único estágio
Ẋ = A32 X + B32 U
L1
L2
L3
˙ − L1
L3 0 0 0 0 0 0 0 0
3 Lr1
0
− LR3 − L1 1
˙
Lr3 =0 0 0 0 0
r3 r3
0 Lr3 Lr2 + 0 Vg (2.21)
1 1
− C1
˙C3 0 0 C3
0 C3 3
0 0 0 Lr3
0
C1
C2
C3
3. Etapa A-1 : O diagrama elétrico desta etapa de operação é mostrado na figura 24. Nesta
etapa considera-se apenas o diodo da chave T1 conduzindo, enquanto os semiconduto-
res da chave e chave T2 permanecem bloqueados.
vR3 vLr2
Lr2
R3
vLr3 vR2
Lr3 R2
C3 vC3
iL1 iLr3 iLr2
R1 Lr1
iC3
iLr1 vR1 vLr1
Fonte: Autor.
4. Etapa B-1 : O diagrama elétrico desta etapa de operação para o braço 1 do inversor é
mostrado na figura 25. Nesta etapa considera-se apenas o diodo da chave T2 condu-
zindo, enquanto os semicondutores da chave e chave T1 permanecem bloqueados.
2.1. Modelamento por Equação de Espaço Estados - sem perdas e carga RL 55
iL3
vR3 vLr2
Lr2
R3
vLr3 vR2
Lr3 R2
C3 vC3
iL1 iLr3 iLr2
R1 Lr1
iC3
iLr1 vR1 vLr1 iL2
Fonte: Autor.
A11 d1 T + A12 (1 − d1 )T
A1 =
T
A21 d2 T + A22 (1 − d2 )T
A2 =
T
A31 d3 T + A32 (1 − d3 )T
A3 =
T
B11 d1 T + B12 (1 − d1 )T
B1 =
T
B21 d2 T + B22 (1 − d2 )T
B2 =
T
B31 d3 T + B32 (1 − d3 )T
B3 =
T
Desta forma:
T + A12 (1 − d1 )
A11 d1 T
A1 =
T
A1 = A11 d1 + A12 (1 − d1 )
0 0 0 0 0 0 0 0 0
1
− LR1 − L1
A1 =
0 0 0
r1
0 0 Lr1 r1
0
d1
0 0 0 − C1 0 1
C1
0 0 0
1
− L1
0 0 0 0 0 0 0 0
1
1
− LR1 − L1
+
0 0 0
r1
0 0 Lr1 r1 (1 − d1 )
0
1
C1
0 0 − C1 0 1
C1
0 0 0
1
(d1 −1)
0 0 0 0 0 0 L1
0 0
1
− LR1 − L1
A1 =
0 0 0
r1
0 0 Lr1 r1
0
(1−d1 )
C1
0 0 − C1 0 1
C1
0 0 0
1
T + B12 (1 − D)
B11 d1 T
B1 =
T
B1 = B11 d1 + B12 (1 − d1 )
1
L1 0
B1 = 0 d1 + 0 (1 − d1 )
0 0
d1
L1
B1 = 0
(d2 −1)
0 0 0 0 0 0 0 0
d2
L2 L2
1
− LR2 − L1
A2 =
0 0 0 0 0 0 e B2 = 0
r2 Lr1 r1
(1−d2 ) 1
0 C2
0 C2
− C1 0 0 0 0 0
2
(d3 −1)
0 0 −0 0 0 0 0 0
d3
L3 L3
− LR3 − L1 1
A3 =
0 0 0 0 0 0 e B3 = 0
r3 r3 Lr3
(1−d3 ) 1
0 0 C3
0 C3
− C1 0 0 0 0
3
Com as matrizes
A1 , A2 , A3 , B1 , B2 e B3 determinadas, obtem-se
as matrizes A e B
dadas por: A = A11 A21 A31 A12 A22 A32 A13 A23 A33 e
T
BT = B 11 B21 B 31 B 12 B22 B 32 B 13 B23 B 33 .
d1
˙
L1 (d1 −1) L1 L1
0 0 0 0 0 0 0 0
˙ L1 d2
L2 (d2 −1) L2
0 0 0 0 0 0 0 L2
0 L2
d3
˙
L3 0 (d3 −1)
L3
0 0 0 0 0 0 0
L3 L3
˙ 1
0 0 0 − LR1 0 0 − L1 0 Lr1 0
Lr1 r1 Lr1 r1
˙
Lr2 = − LR2 1
− L1 +
0 0 0 0 0 0 0 Vg
r2 Lr1 r1 Lr2
˙ − LR3 − L1 1
0 0 0 0 0 0
Lr3 r3 r3 Lr3 Lr3
0
(1−d1 )
− C1 1
˙ 0 0 0 0 0 0
C1
0
C1 C1
(1−d2 ) 1
1
C1
˙C2 0
0 − C1 0 0 0 0
C2
(1−d3 )
C2
1
2 C2 0
0 0 0 − C1 0 0 0
˙C3 C3 C3 3 C3 0
(2.22)
58 Capítulo 2. Inversor Buck-Boost de único estágio
i3 iL3
iR2
R3
R2
iR3 C3
i1 i2 iC3
T1 T2 R1
iR1 iL2
Vg iL1
L1 C1 iC1 C2 iC2
Fonte: Autor.
L1 d
˙
L1 (d1 −1)
1
L2
0 0 0 0 0 0 L1
0 0 L1
˙ d
0 L3 L2
(d2 −1) 2
L2 0
0 0 0 0 0 0
L2
˙ (d3 −1) R1 d3
L3
0 0 0 0 0 0 0 0
˙ = + Vg
L3
R2 L3
(1−d1 )
C1
C 0 0 − C1 0 1
C1
0 0 0 R3 0
01 1
(1−d2 ) 1
˙C2 0 − C1 0 0 0 0 0
C2 C2
(1−d3 ) 1
2
C1
˙C3 0 0 0 − C1 0 0 0 C2
C3 C3 3 0
C3
(2.23)
(1 − d1 ) R1 R3
˙C1 = L1 − +
C1 C1 C1
De acordo com a figura 26 pode-se definir 1 = R1 − R3 . Desta forma tem-se:
(1 − d1 ) 1
˙C1 = L1 − (2.24)
C1 C1
2.2. Modelamento por Equação de Espaço de Estados - sem perdas e carga R 59
(1 − d1 ) 1 1 1
˙C1 = L1 − 2C1 + C2 + C3 (2.28)
C1 RΔ C1 RΔ C1 RΔ C1
De forma análoga pode-se obter:
(1 − d2 ) 1 1 1
˙C2 = L2 + C1 − 2C2 + C3 (2.29)
C2 RΔ C1 RΔ C1 RΔ C1
(1 − d3 ) 1 1 1
˙C3 = L3 + C1 + C2 − 2C3 (2.30)
C3 RΔ C1 RΔ C1 RΔ C1
Ẋ = AX + BU
(d1 −1) d
0 0 0 L1
0 0 1
L
1
˙
L1 (d2 −1)
L1
d2
˙ 0 0 0 0 0
L2 L2
L2 L2
(d3 −1)
d3
˙ 0 0 0 0 0
L3 L3 L3 L3
˙ = (1−d1 )
+ V g
(2.31)
− R 2C 1 1
C1 C 0 0 RΔ C1
C1 0
RΔ C1
1 Δ 1
˙C2 C2
(1−d2 ) 1
0
C2
0 RΔ C2
− R 2C 1
RΔ C2
0
˙C3 Δ 2
C3
(1−d3 ) 1 1
0 0 C3 RΔ C3 RΔ C3
− R 2C 0
Δ 3
61
CAPÍTULO 3
ZΔ
Zy = (3.1)
3
T2 T4 T6
VN1
L1 L2 L3
Vg i1
1
i2 V12 VN2
V31
2
N
i3 V23
3 VN3
C1 C2 C3
VC1 VC2 VC3
G
VNG Fonte: Autor.
Conforme apresentado no capítulo anterior, para que se possa gerar tensões senoi-
dais na saída do inversor Buck-Boost, é necessário que cada braço seja chaveado de tal
62 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
Onde:
Substituindo as equações 3.2, 3.3 e 3.4 respectivamente em 3.8, 3.9 e 3.10, obtém-
se:
3NG + 3VDC + 0 − 0 = 0
3NG + 3VDC = 0
N1 = 1 (3.15)
N2 = 2 (3.16)
N3 = 3 (3.17)
T2 i1
T1 1
Vg Lk Ck VZY
ZY
iC1
G
1 = RY · 1 (3.19)
Conclui-se então, que a impedância Z pode ser substituída por um resistor em série
com uma fonte CC, conforme apresentado no circuito da figura 29. Este circuito representa
o circuito equivalente monofásico do inversor Buck-Boost trifásico.
64 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
T1 T2
RY
Vg Lk Ck
VDC
Este modelo é de grande utilidade, pois através dele pode-se simular o inversor
trifásico com apenas um inversor monofásico bastando alterar a fase das referências,
e analisar assim as correntes e tensões em cada conversor, bem como as perdas nos
semicondutores.
1. Etapa A+
1
: O diagrama esquemático desta etapa de operação é mostrado na figura
30. Nesta etapa considera-se apenas o IGBT da chave T1 conduzindo e os demais
semicondutores da chave T2 bloqueados. O índice k = 1, 2, 3, representa os braços do
inversor.
vCE iLk ik
rL vRL
RY VRY
Vg C vCk
L vLk
iCk VDC
Fonte: Autor.
3.1. Modelo monofásico em Equação de Espaço de Estados com perdas 65
• Indutor:
+ Vg − CE − rL Lk − Lk = 0
Lk = Vg − CE − rL Lk
dLk
L = −rL Lk + Vg − CE
dt
dLk rL 1 1
=− Lk + Vg − CE (3.21)
dt L L L
• Capacitor:
Ck + k = 0
Ck = −k (3.22)
(Ck −VDC )
Da figura 30, conclui-se-se que k = RY
. Substituindo então em 3.22 tem-se:
(Ck − VDC )
Ck = −
RY
dCk Ck VDC
C =− +
dt RY RY
dCk 1 1
=− Ck + VDC (3.23)
dt RY C RY C
dLk 1 1
dt
= − rLL Lk + V
L g
−
L CE
(3.24)
= − R1C Ck + 1
dCk
dt RY
V
C DC
Y
Com o sistema de equações 3.24, obtém-se a equação matricial para o modelo simplifi-
cado do conversor na etapa de operação A+
1
:
Ẋ = A+
1
X + B+
1
U
1 Vg
− rLL − 1L
˙
Lk 0 Lk 0
= + L
VDC (3.25)
1 1
˙Ck 0 −R Ck 0 0
YC RY C
CE
2. Etapa B+
1
: O diagrama esquemático desta etapa de operação é mostrado na figura
31. Nesta etapa considera-se apenas o diodo da chave T2 conduzindo e os demais
semicondutores da chave T1 bloqueados.
66 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
iLk vD vRD ik
rL vRL
RY VRY
Vg C vCk
L vLk
iCk VDC
Fonte: Autor.
• Indutor:
dLk (rL + rD ) 1 1
=− Lk − Ck − D (3.26)
dt L L L
• Capacitor C1 :
Lk = Ck + k
(Ck − VDC )
Da equação 3.23 tem-se que k =
RY
(Ck − VDC )
Lk = Ck +
RY
(Ck − VDC )
Ck = Lk −
RY
dCk Ck VDC
C = Lk − +
dt RY RY
dCk 1 1 1
= Lk − Ck + VDC (3.27)
dt C RY C RY C
dLk (rL +rD ) 1 1
dt
=− L
Lk −
L Ck
−
L D
(3.28)
dCk 1 1 1
= +
dt
C Lk
− RY C Ck RY
V
C DC
3.1. Modelo monofásico em Equação de Espaço de Estados com perdas 67
Com o sistema de equações 3.28, obtém-se a equação matricial para o modelo simplifi-
cado do conversor na etapa de operação B+
1
:
Ẋ = A+
2
X + B+
2
U
(rL +rD ) 1 Vg
− 1L
˙
Lk − Lk 0 0 −L
= L + VDC (3.29)
1 1 1
˙Ck C
−R Ck 0 RY C
0
YC D
Nas etapas de operação descritas para o semiciclo positivo da tensão de saída, percebe-
se elementos diferentes nas matrizes B+ +
1 e B2 , sendo assim necessário a adequação
destas matrizes. As equações matriciais para a primeira e segunda etapas de operação
podem ser reescritas respectivamente como:
V
1 g
− rLL − 1L
˙
Lk 0 Lk 0 0 VDC
= 1 + L
1 (3.30)
−R
˙Ck 0 Ck 0 0 0 CE
YC RY C
D
Vg
(r +r )
− 1L − 1L
˙
Lk − LL D Lk 0 0 0 VDC
= 1 + 1 (3.31)
− R 1C
˙Ck C
Ck 0 RY C
0 0 CE
Y
D
A+ +
1 dk T + A2 (1 − dk )T
A+ =
T
Desta forma:
T + A2 (1 − dk )
A1 dk T
A+ =
T
+
A = A+ d
1 k
+ A+
2
(1 − dk )
(rL +rD )
− rLL − 1L
+ 0 −
A = dk + L (1 − dk )
0 − R 1C 1
C
− R 1C
Y Y
(rL +rD )
− rLL dk − 1L (1 − dk )
+ 0 − (1 − dk )
A = + L
0 − R 1C d k 1
C
(1 − dk ) − R1C (1 − dk )
Y Y
68 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
(rL + rD ) rL + rD (1 − dk )
rL
A+ = − × dk − × (1 − dk ) = −
11
L L1 L1
(d
+
1 k − 1)
A12 = 0 × dk + − × (1 − dk ) = −
L L1
A+ ⇒
1 (1 − d k )
A+
= 0 × dk + × (1 − dk ) =
21 C C
1 1 1
A +
= − × + − × (1 − ) = −
22
d k d k
RY C RY C RY C
C
− R 1C
Y
T + B2 (1 − D)
B1 dk T
B+ =
T
+
B = B1 dk + B2 (1 − dk )
1
− 1L − 1L
+ L1
0 0 0 0 0
B = 1 dk + 1 (1 − dk )
0 RY C
0 0 0 RY C
0 0
1
− 1L dk − 1L (1 − dk )
+ d
L1 k
0 0 0 0 0
B = 1 + 1
0 d
RY C k
0 0 0 RY C
(1 − dk ) 0 0
1 dk
B+ = dk + 0 × (1 − dk ) =
11 L1 L1
B+
= 0 × dk + 0 × (1 − dk ) = 0
12
+
1 dk
=− dk + 0(1 − dk ) = −
B13
L1 L1
(1 − dk )
+
1
+
B ⇒ B14 = 0dk + − (1 − dk ) = −
L1 L1
B+
= 0 × dk + 0 × (1 − dk ) = 0
21
1 1 1
B+
= × dk + × (1 − dk ) =
22 RY C RY C RY C
B+ = 0 × dk + 0 × (1 − dk ) = 0
23
+
B24 = 0 × dk + 0 × (1 − dk ) = 0
(1−dk )
d
− dL k
k
+ 0 −
B = L1
1
1 L1
0 RY C
0 0
Ẋ = A+ X + B+ U
r +r (1−d ) (dk −1)
d (1−d )
Vg
− dLk
− L DL k k
0 − Lk
˙L L L L
VDC
= + (3.32)
˙C (1−dk ) C 1 CE
C
− R 1C 0 RY C
0 0
Y
D
1. Etapa A-1 : O diagrama esquemático desta etapa de operação é mostrado na figura 32.
Nesta etapa considera-se apenas o diodo da chave T1 conduzindo e os semicondutores
da chave T2 bloqueados.
vD vRD iLk ik
rL vRL
RY VRY
Vg C vCk
L vLk
iCk VDC
Fonte: Autor.
• Indutor L:
+ Vg − rD Lk + D − rL Lk − Lk = 0
Lk = Vg + D − (rL + rD )Lk
dLk
L = −(rL + rD )Lk + Vg + D
dt
dLk (rL + rD ) 1 1
=− Lk + Vg + D (3.33)
dt L L L
• Capacitor C:
Ck + k = 0
Ck = −k (3.34)
70 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
(Ck −VDC )
Da figura 30, conclui-se-se que k = RY
. Substituindo então em 3.34 tem-se:
(Ck − VDC )
Ck = −
RY
dCk Ck VDC
C =− +
dt RY RY
dCk 1 1
=− Ck + VDC (3.35)
dt RY C RY C
dLk (rL +rD ) 1 1
dt
=− L
Lk + V
L g
+
L D
(3.36)
= − R1C Ck + 1
dCk
dt RY
V
C DC
Y
Com o sistema de equações 3.36, obtém-se a equação matricial para o modelo simplifi-
cado do conversor na etapa de operação A- : 1
Ẋ = A-1 X + B-1 U
(r +r )
1 1
Vg
˙
Lk − LL D 0 Lk 0
= + L L
VDC (3.37)
1
˙Ck 0 − R 1C Ck 0 RY C
0
Y D
2. Etapa B-1 : O diagrama esquemático desta etapa de operação é mostrado na figura 33.
Nesta etapa considera-se apenas o IGBT da chave T2 conduzindo e os semicondutores
da chave T1 bloqueados.
iLk vCE ik
rL vRL
RY VReq
Vg C vCk
L vLk
iCk VDC
Fonte: Autor.
3.1. Modelo monofásico em Equação de Espaço de Estados com perdas 71
• Indutor L:
dLk rL 1 1
=− Lk − Ck + CE (3.38)
dt L L L
• Capacitor C:
Lk = Ck + k
(Ck − VDC )
Da equação 3.23 tem-se que k =
RY
(Ck − VDC )
Lk = Ck +
RY
(Ck − VDC )
Ck = Lk −
RY
dCk Ck VDC
C = Lk − +
dt RY RY
dCk 1 1 1
= Lk − Ck + VDC (3.39)
dt C RY C RY C
dLk 1 1
dt
= − rLL Lk −
L Ck
+
L CE
(3.40)
dCk 1 1 1
= Ck +
dt
C Lk
− RY C RY C
VDC
Com o sistema de equações 3.40, obtém-se a equação matricial para o modelo simplifi-
cado do conversor na etapa de operação B+
1
:
Ẋ = A-2 X + B-2 U
Vg
− rLL − 1L 1
˙
Lk Lk 0 0
= + L
VDC (3.41)
1
˙Ck C
− R 1C Ck 0 1
RY C
0
Y CE
Vg
(r +r ) 1 1
˙
Lk − LL D 0 Lk 0 0 VDC
= + L
1
L (3.42)
− R 1C
˙Ck 0 Ck 0 RY C
0 0 CE
Y
D
72 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
V
g
− rL − 1L 1
˙
Lk Lk 0 0 0 VDC
= 1L + L (3.43)
− R 1C 1
˙Ck C Ck 0 RY C
0 0 CE
Y
D
A- = A-1 dk + A-2 (1 − dk )
Obtendo então:
B- = B-1 dk + B-2 (1 − dk )
(1−dk )
d dk
k
L
0 L L
B- =
1
0 RY C
0 0
Ẋ = A- X + B- U
(r +r d ) (dk −1)
d (1−dk )
Vg
dk
˙
− L LD k k
0
Lk L Lk L L L
VDC
= + (3.44)
˙Ck (1−dk ) Ck 1 CE
C
− R 1C 0 RY C
0 0
Y
D
Conclui-se então que para a solução mais realista, será necessário encontrar a
solução de duas equações matriciais, uma para o semiciclo positivo (equação 3.32), e outra
para o semiciclo negativo (equação 3.44).
3.1. Modelo monofásico em Equação de Espaço de Estados com perdas 73
Ẋ = A+ X + B+ U
(dk −1)
− rLL
d
k
0
˙L L L L1 Vg
= + (3.45)
˙C (1−dk ) C 1 VDC
C
− R 1C 0 RY C
Y
Ẋ = A- X + B- U
(dk −1)
− rLL
d
k
˙
0
Lk L Lk L Vg
= + (3.46)
˙Ck (1−dk ) 1 Ck 0 1 VDC
C
− R C RY C
Y
(dk −1)
− rLL
d
k
˙
0
Lk L Lk L Vg
= + (3.47)
˙Ck (1−dk ) Ck 1 VDC
C
− R 1C 0 RY C
Y
(d1 −1)
− rLL
d
L
0 0 0 0
1
L1
0
˙
L1 (1−d )
1 1
L1
1
C −R 0 0 0 0
0
YC RY C
˙C1 C1
(d2 −1)
˙ 0 0 − rLL 0 0 L2 dL 2 0 Vg
L2 L 2
˙ = +
(1−d2 ) 1 V
C2 0 0 C
− R 1C 0 0 C2 0 DC
RY C
˙ Y
L3 L3 d3
(d3 −1)
− rLL
0 0 0 0 0
˙C3 L C3 L3
(1−d3 ) 1
0 0 0 0 C
− R 1C 0 RY C
Y
(3.48)
A equação 3.48 apresentada para o modelo trifásico não apresenta mais em sua
matriz de coeficientes o acoplamento entre as variáveis de estado de cada braço do
inversor, ao contrário da equação 2.31. Este desacoplamento torna-se interessante para a
determinação do modelo de pequenos sinais, obtendo-se as plantas de tensão e corrente
em função da razão cíclica, tomando-se como base o modelo monofásico.
74 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
Nesta seção é aplicada como base equação matricial 3.47 para se obter as plantas
do conversor. As plantas não serão obtidas perante a variações de dois sinais de entrada,
ou seja, variando a razão cíclica e a tensão de entrada ao mesmo tempo. Desta forma,
para as plantas que dependem da razão cíclica, as variações da tensão de entrada serão
consideradas zero, e para as plantas onde se busca o comportamento do conversor perante
a variação da tensão de entrada, as variações na razão cíclica serão consideradas zero.
(t) = X + ̂(t)
(t) = U + ̂(t)
d(t) = D + d̂(t) (3.50)
Onde ̂(t) e d̂(t) são pequenas variações no vetor de entrada e na razão cíclica
respectivamente. O vetor ̂(t) é o resultado das pequenas variações nas variáveis de estado
do sistema, de tal forma que:
˙
Ẋ + ̂(t) =[A1 (D + d̂(t)) + A2 (1 − D − d̂(t))](X + ̂(t))
+ [B1 (D + d̂(t)) + B2 (1 − D − d̂(t))](U + ̂(t))
3.2. Plantas do inversor por fase 75
Como Ẋ = 0, tem-se:
˙
̂(t) =[A1 (D + d̂(t)) + A2 (1 − D − d̂(t))](X + ̂(t))
+[B1 (D + d̂(t)) + B2 (1 − D − d̂(t))](U + ̂(t))
˙
̂(t) =[A1 D + A1 d̂(t) + A2 (1 − D) − A2 d̂(t)](X + ̂(t))
+[B1 D + B1 d̂(t) + B2 (1 − D) − B2 d̂(t)](U + ̂(t))
˙
̂(t) =(A1 D + A2 (1 − D))X + (A1 d̂(t) − A2 d̂(t))X
+(A1 D + A2 (1 − D))̂(t) + (A1 d̂(t) − A2 d̂(t))̂(t)
+(B1 D + B2 (1 − D))U + (B1 d̂(t) − B2 d̂(t))U
+(B1 D + B2 (1 − D))̂(t) + (B1 d̂(t) − B2 d̂(t))̂(t)
˙
̂(t) = |AX {z
+ BU} + Â(t) + B̂(t) + [ (A1 − A2 )X + (B1 − B2 )U] d̂(t)
| {z }
termos CC termos de 1a ordem
˙
̂(t) = Â(t) + [ (A1 − A2 )X + (B1 − B2 )U] d̂(t) (3.52)
˙
̂(t) = Â(t) + Bd d̂(t) (3.53)
˙
̂(t) = Â(t) + Bd d̂(t)
(3.55)
ŷ(t) = Ĉ(t)
Sendo:
(D1 −1)
0 Lk
A=
(1−D1 ) 3
Ck
− RC
k
1ª etapa de operação:
1
− rLL
0 L1
0
A1 = e B1 = .
0 − R 1C 0 1
RY Ck
Y k
2ª etapa de operação:
− rLL − L1
0 0
A2 = 1
k e B2 = 1 .
Ck
− R 1C 0 RY Ck
Y k
Lk
X=
VCk
Vg
U=
VDC
− rLL − rLL − L1 1
0 Lk L1
0 0 0 Vg
Bd = − k + −
0 − R 1C 1
Ck
− R 1C VCk 0 1
RY Ck
0 1
RY Ck VDC
Y k Y k
1 1
0 Lk Lk 0 Vg
Bd = + L1
− C1 0 VCk 0 0 VDC
k
VCk Vg
Lk
Bd = + Lk
− CLk 0
k
VCk +Vg
Bd = Lk
− CLk
k
ˆCk (s)
Planta : Para se determinar a planta da tensão no capacitor em relação à
d̂(s)
variação na razão cíclica do sistema representado pela equação 3.55, basta resolver a
seguinte equação derivada das técnicas de controle de sistemas [51]:
ˆCk (s)
= C(s − A)−1 Bd (3.57)
d̂(s)
Substituindo-se as matrizes A, Bd , e C = 0 1 na equação 3.57 obtém-se a seguinte
relação entre a variação da tensão de saída em função da variação da razão cíclica:
Lk (V +Vg )
ˆCk (s) Ck
s + Ck
Lk Ck
(1 − Dk )
= (3.58)
(1−Dk )2
1
d̂(s) s2 + r L + RY Ck
s+ Lk Ck
3.2. Plantas do inversor por fase 77
ˆ (s)
Lk
Planta : No caso da relação entre a corrente e a variação na razão cíclica, esta
d̂(s)
pode ser obtida através da seguinte equação:
ˆ (s)
L1
= C(s − A)−1 Bd (3.59)
d̂(s)
Substituindo-se as matrizes A, Bd , e C = 1 0 na equação 3.57 obtém-se a seguinte
relação entre a variação da corrente no indutor em função da variação da razão cíclica:
Ck (s)
Planta Vg (s)
: Para se determinar a planta da tensão no capacitor em relação à
variação na razão cíclica do sistema representado pela equação 3.55, basta resolver a
seguinte equação derivada das técnicas de controle de sistemas [51]:
Ck (s)
= C(s − A)−1 B (3.61)
Vg (s)
Substituindo-se as matrizes A, B, e C = 0 1 na equação 3.61 obtém-se a seguinte
relação entre a variação da tensão de saída em função da variação da razão cíclica:
1
Ck (s) D (1 −
rL Lk Ck k
Dk )
= (3.62)
Vg (s) (1−Dk )2
1
s2 + r L + RY Ck
s+ Lk Ck
Lk (s)
Planta Vg (s)
: Para se determinar a planta da tensão no capacitor em relação à
variação na razão cíclica do sistema representado pela equação 3.55, basta resolver a
seguinte equação derivada das técnicas de controle de sistemas [51]:
Lk (s)
= C(s − A)−1 B (3.63)
Vg (s)
Substituindo-se as matrizes A, B, e C = 1 0 na equação 3.63 obtém-se a seguinte
relação entre a variação da tensão de saída em função da variação da razão cíclica:
Dk 1
Lk (s) rL Lk
s+ RY Ck
= (3.64)
Vg (s) (1−Dk )2
1
s2 + r L + RY Ck
s+ Lk Ck
Ck (s)
Planta Lk (s)
: Para se determinar esta planta, basta encontrar a relação entres as
Ck (s) Lk (s)
plantas Vg (s)
e V (s) , utilizando as equações 3.62 e 3.64 com se segue:
g
78 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
Ck (s)
Ck (s) Vg (s)
= Lk (s)
Lk (s)
Vg (s)
1
Dk (1−Dk )
rL Lk Ck
( 2
((((1−D (( k)
Ck (s) s2 + rL + R 1C
(((( s+ Lk Ck
=
Y k
Lk (s) Dk 1
rL Lk s+ RY Ck
1 (((1−D((( )2
s2 +
(r( L +( (
R C s+ L Ck
( Y k k k
1
Ck (s) D(1 −
Lk Ck k
rL
Dk )
=
Lk (s)
D 1
k
rL
Lk
s+ RY Ck
1
Ck (s) C
(1 − Dk )
= k (3.65)
Lk (s)
s + R 1C
Y k
rL + rD (1 − dk ) (dk − 1) dk dk (1 − dk )
0=− Lk + Ck + Vg −
D CE −
L
L
L
L
L
0 = −(rL + rD (1 − dk ))Lk + (dk − 1)Ck + dk Vg − dk CE − (1 − dk )D (3.66)
(1 − dk ) 1 1
0= Lk + − VDC Ck +
C RY C RY C
(1 − dk ) 1 1
0= Lk − Ck + VDC
C
C
RY C
RY
Ck VDC
0 = (1 − dk )Lk − +
RY RY
Ck VDC
(1 − dk )Lk = −
RY RY
Ck VDC
Lk = − (3.67)
RY (1 − dk ) RY (1 − dk )
Ck VDC
0 = − (rL + rD (1 − dk )) − + (dk − 1)Ck + dk Vg
RY (1 − dk ) RY (1 − dk )
− dk CE − (1 − dk )D
rL rL rD (1 − dk ) rD (1 − dk )
0=− Ck + VDC − Ck + VDC
RY (1 − dk ) RY (1 − dk ) RY (1 − dk ) RY (1 − dk )
+ (dk − 1)Ck + dk Vg − dk CE − (1 − dk )D
0 = −Ck (1 − dk )2 + Vg dk
(1
−dk )
0 = −Ck (1 − dk ) + Vg dk
0 = −Ck + Ck dk + Vg dk
dk (Ck + Vg ) = Ck
Ck
dk = (3.69)
Ck + Vg
Analisando as equações 3.68 e 3.70, observa-se que as mesmas são do tipo dk 2 +
bdk + c, ou seja, equações do segundo grau. Para se determinar os valores da razão cíclica
dentro de um período da tensão de saída, e obter a função de referência para o chaveamento
dos semicondutores, faz-se necessária a solução destas equações para cada período de
chaveamento, realizada numericamente.
Nas soluções das equações do segundo grau, suas raízes podem assumir os seguintes
tipos:
• Reais: Neste caso pelo menos umas das raízes deve representar uma solução realizável,
ou seja, seu valor deve compreender o intervalo fechado entre 0 e 1. Caso sejam raízes
iguais e duplas, a mesma condição deverá ser obedecida para que o sistema seja
realizável.
• Complexas conjugadas: Neste caso o sistema não será realizável com os valores
propostos no projeto.
De acordo com as equações 3.68 e 3.70, o valor instantâneo da razão cíclica depende
dos valores instantâneos da tensão de saída (Ck ), da tensão de entrada (Vg ) e as não
idealidades consideradas: resistência do enrolamento dos indutores, e parâmetros das
chaves. Estas duas, apesar de influenciarem, podem ser consideradas constantes para um
determinado projeto. Os termos que necessitam de uma maior análise são a tensão de
entrada e o nível de offset da tensão no capacitor (VDC ), lembrando-se que este deve possuir
um valor mínimo para que garantir que a tensão no capacitor seja sempre contínua, pois
Ck = VDC + Vm sen(ωt + θ). A tensão de entrada idealmente poderia assumir qualquer
valor, porém isto não ocorre quando se consideram as não idealidades, pois deverá existir
um valor mínimo para a tensão de entrada que seja suficiente para compensar as quedas de
tensão nas chaves e nas resistências do indutor e diodo. Na próxima seção será analisada a
influência do nível de tensão CC presente nos capacitores do inversor com mais detalhes.
1. VDC constante:
Para que o mínimo valor de Ck seja maior ou igual a 0,1 p, deve-se considerar a
situação em que a tensão de saída possua amplitude máxima, ou seja, 1 pu. Definindo
o Vp m como o valor de pico da componente senoidal de Ck , tem-se:
2. VDC variável:
Neste caso, deve-se também garantir um mínimo valor para a tensão Ck , cujo valor
adotado também foi de 0,1 p. Porém, o valor de VDC não é mais constante, sendo
calculado da forma que se segue:
Desta forma Ck m depende não somente do valor de pico da máxima amplitude da
componente senoidal de saída Vp m , mas também do valor de pico da componente
senoidal da tensão de saída requerida, ou seja Vp .
Como Vp (p) pode assumir valores entre 0 e 1 p, pode-se afirmar que VDC não é mais
constante, e sim variável.
Na figura 34 são ilustradas as aplicações das equações 3.73 e 3.76, para a obtenção
de dois ciclos da tensão Ck com amplitudes da componente senoidal iguais a 1 e 0,2 p
respectivamente. A figura 35 apresenta os valores máximos e mínimos da tensão Ck , bem
como os valores de VDC , com a amplitude da componente senoidal da tensão Ck variando
de zero a 1 p para VDC constante e variável respectivamente.
3.4. Influências do nível de offset de tensão nos capacitores do inversor 83
1.5 VDC
V (pu)
1.0
Vpicocomponente senoidal
= 1 pu
0.5
Vpicocomponente senoidal
= 0,2 pu
0.0
0 5 10 15 20 25 30
1.5 VDC1
Vpicocomponente = 1 pu
V (Pu)
senoidal
0.0
0 5 10 15 20 25 30
t (ms)
Fonte: Autor.
V (Pu)
1.0 1.0
0.5 0.5
0.0 0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Vpicocomponente senoidal (pu) Vpicocomponente senoidal (pu)
Fonte: Autor.
Tomando a equação 3.69, e substituindo-se Ck = VDC + Vm sen(ωt + θ), obtém-se
a seguinte equação para a função razão cíclica considerando a fase 1 do inversor:
Figura 36 – Razão Cíclica para VDC constante e variável (caso ideal) com Vg = 1,17 p.
(a) Razão Cíclica (Vdc Constante) (b) Razão Cíclica (Vdc Variável)
Dmax
0.6 0.6
DVdc
0.5 0.5 Dmin
0.4 0.4
D
0.3 0.3
Dmax
0.2 DVdc 0.2
Dmin
0.1 0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Tensão eficaz de fase na carga (pu) Tensão eficaz de fase na carga (pu)
Fonte: Autor.
Outro fato que justifica a escolha do método utilizado, VDC constante ou variável, está
relacionado à tensão de comutação nas chaves durante as etapas de operação representadas
esquematicamente na figura 37.
T1 T2 T1 T2
vD vCE
Vg L C vCk Vg L C vCk
Fonte: Autor.
Utilizando as leis das malhas para ambos os circuitos das figuras 37a e 37b, obtém-se:
+ Vg − D + Ck = 0
D = Vg + Ck (3.80)
+ Vg − CE + Ck = 0
CE = Vg + Ck (3.81)
3.4. Influências do nível de offset de tensão nos capacitores do inversor 85
Observa-se que ambas as chaves estão sujeitas aos mesmos valores de tensão de
comutação, atingindo seu máximo na situação em que Ck atinge também seu máximo valor.
Analisando ainda as equações 3.80 e 3.81 em função das curvas da figura 35, observa-se
que se for escolhida a condição em que o valor de VDC é variável, a tensão máxima de
comutação nas chaves é sempre menores que na condição de VDC constante. A exceção
ocorre na condição em que a amplitude da componente da tensão senoidal no capacitor
atinge seu valor máximo de 1 p conforme mostrado no gráfico da figura 38.
Figura 38 – Comparação entre as tensões de bloqueio nas chaves com nível de offset constante e
variável com Vg = 1,17 p.
VDC Constante
3.0
VDC Variável
VBloqueio (Pu)
2.5
2.0
1.5
Fonte: Autor.
Conclui-se então que devido a tensão de comutação ser menor nas situações em que
a tensão de saída é menor que a máxima possível utilizando-se o VDC variável, as chaves
sofrem menos stress e também apresentam menos perdas por chaveamento em tensões
nominais, visto que esta também depende da tensão de comutação na chave.
4 Valor médio:
1
Lmed = (3.82)
RY (1 − D1 )
Substituindo as equações das razões cíclicas 3.78 e 3.79 encontradas para os casos
de VDC variável e fixo em 3.82, e 1 = Vp (p) sen(ωt) , tem-se respectivamente:
Vp (p) sen(ωt)
LmedF = (3.83)
1,1+Vp (p) sen(ωt)
RY 1 − (1,1+Vp (p) sen(ωt)+1,17)
Vp (p) sen(ωt)
LmedV = (3.84)
0,1+Vp (p) +Vp (p) sen(ωt)
RY 1 − (0,1+Vp (p) +Vp (p) sen(ωt)+1,17)
86 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
Vp (p)
LmedF (p) = (3.85)
2,1+Vp (p) sen(ωt)
RY 1 − (1,1+Vp (p) sen(ωt)+1,17)
Vp (p)
LmedV (p) = (3.86)
0,1+Vp (p) +Vp (p) sen(ωt)
RY 1 − (0,1+Vp (p) +Vp (p) sen(ωt)+1,17)
Vp (p)
LmedF (p) = (3.87)
2,1+Vp (p)
RY 1 − (2,27+Vp (p) )
Vp (p)
LmedV (p) = (3.88)
0,1+2Vp (p)
RY 1 − (1,27+2Vp (p) )
A partir da solução gráfica das equações 3.87 e 3.88 considerando RY = 6Ω, chegam-
se aos gráficos apresentados na figura 39 que representam o comportamento dos valores
médios das correntes para o período de chaveamento em que são máximos, em função
do valor eficaz da tensão de fase na carga variando de 0 a 1 pu. Pode-se concluir que os
valores médios quase instantâneos das correntes no caso em que o offset de tensão nos
capacitores é variável, são sempre menores do que no caso constante.
Figura 39 – Comparação entre os valores médios máximos das correntes nos indutores com nível de
offset constante e variável.
4
VDC variável
3 VDC constante
iLmédio (pu)
2
1
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Tensão eficaz de fase na carga (pu)
Fonte: Autor.
4 Valor eficaz:
Conforme descrito no Anexo A4, o valor eficaz da corrente nos indutores pode ser
dada por:
3.4. Influências do nível de offset de tensão nos capacitores do inversor 87
v
ΔL 2
u
t
2
Lrms = Lmed + (3.89)
12
Substituindo a valor médio máximo, dado pela equação 3.82, e a equação A4.7
apresentada no Anexo A4 em 3.89, tem-se que:
v
u V 2
2 g
u
1 L
DTs
Lrms = +
t
(3.90)
RY (1 − D) 12
Substituindo as equações das razões cíclicas 3.78 e 3.79 encontradas para os casos
de VDC variável e fixo em 3.90, tem-se respectivamente:
v
u 2 § ª2
u Vg 1,1+Vp (p) sen(ωt)
u
u Vp (p)
L (2,27+Vp (p) sen(ωt))
Ts
LrmsF (p) =u + (3.91)
t 2,1+Vp (p) sen(ωt) 12
RY 1 −
(2,27+Vp (p) sen(ωt))
v
2 ª2
0,1+Vp (p) +Vp (p) sen(ωt)
u §
u Vg
u
u Vp (p)
L (1,27+Vp (p) +Vp (p) sen(ωt))
Ts
LrmsV (p) =u +
0,1+Vp (p) +Vp (p) sen(ωt)
t
RY 1 − 12
(1,27+Vp (p) +Vp (p) sen(ωt))
(3.92)
π
O valor máximo de Lrms ocorrerá quando ωt = 2
, obtendo:
v
u 2 § 1,1+V ª2
u Vg p (p)
u
Vp (p)
L 2,27+Vp (p)
Ts
=u +
u
LrmsF (p) (3.93)
t 2,1+Vp (p) 12
RY 1 −
2,27+Vp (p)
v
u 2 § 0,1+2V ª2
u Vg p (p)
u
u Vp (p)
L 1,27+2Vp (p)
Ts
LrmsV (p) =t
u + (3.94)
0,1+2Vp (p) 12
RY 1 −
1,27+2Vp (p)
Figura 40 – Comparação entre os valores eficazes máximos das correntes nos indutores com nível de
offset constante e variável.
4 VDC variável
VDC constante
iLrms (pu) 3
2
1
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Tensão eficaz de fase na carga (pu)
Fonte: Autor.
3.4.4 Conclusões
As analises realizadas até aqui demostram que dependendo da técnica utilizada para
a determinação do nível de offset de tensão nos capacitores (VDC ), as tensões de bloqueio
e correntes nas chaves e indutores assumem valores diferentes para um mesmo valor de
amplitude da tensão de saída. Em virtude das perdas por chaveamento serem proporcionais
ao produto da tensão de bloqueio pela corrente na chave no instante da comutação, pode-se
concluir que utilizando-se a técnica do VDC variável, as perdas médias por chaveamento são
menores para um determinado valor de tensão de saída entre 0 e 1 pu.
Em se tratando das perdas por condução, pode-se chegar à mesma conclusão pois
elas dependem da tensão de polarização direta da chave e seu valor médio de corrente.
Como esta é sempre menor trabalhando-se com a técnica do VDC variável, as perdas por
condução serão também menores com esta técnica.
Com relação aos indutores as perdas em seus enrolamentos por efeito Joule são
diretamente proporcionais ao quadrado do valor eficaz da corrente, fazendo com que
este seja um dos elementos que mais possam contribuir com as perdas no inversor em
questão. Verifica-se que, devido ao fato de o inversor realizar duas funções (elevação
e inversão da tensão), os valores eficazes das correntes nos indutores possuem valores
maiores comparados aos conversores CC-CC do tipo Buck-Boost. Em se tratando do inversor
Buck-Boost proposto, de acordo com a figura 40, verifica-se que, mesmo que a amplitude
da tensão de saída seja zero, ainda existe um valor eficaz considerável de corrente nos
indutores para a técnica do VDC fixo se comparada com o variável. Sendo assim, concluí-se
que utilizando-se a técnica do VDC variável, as perdas médias nos indutores podem ser
minimizadas para uma mesma potência de saída.
4 Caso ideal:
3.5. Cálculo do ganho do inversor - modelo monofásico com perdas 89
Ck
dk =
Ck + Vg
dk (Ck + Vg ) = Ck
dk Ck + dk Vg = Ck (3.95)
Ck Vg Ck
dk + dk =
Vg Vg Vg
Ck Ck
− dk = dk
Vg Vg
Ck
(1 − dk ) = dk
Vg
Ck dk
= (3.96)
Vg (1 − dk )
200
150
Ganho
100
50
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
D1
Fonte: Autor.
4 Caso real:
90 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
Devido os conversores reais possuírem não idealidades, tais como perdas nos semi-
condutores e indutores, é de suma importância determinar o ganho do conversor, pois estas
não idealidades afetam no ganho real do conversor, limitando-o a um valor máximo.
Para se determinar a equação do ganho para o caso real, serão levados em conside-
ração os ganhos para cada semiciclo da tensão de saída:
Ck VDC
(RY (1 − dk )2 + rL + rD ) = RY (1 − dk )dk + (rL + rD )
Vg Vg
CE
2 D
− RY (1 − dk )dk − RY (1 − dk )
Vg Vg
Ck R (1
−dk ) dk dk
Y
= =
(3.98)
Vg (Y (1 − dk ) )
R 2 (1 − dk )
De forma análoga feita para o caso positivo, tem-se para o caso negativo a seguinte
equação de ganho:
Através de uma analise gráfica das equações 3.97 e 3.99, os seguintes resultados
são obtidos para as situações que seguem:
1. Considerando apenas a queda de tensão nos IGBTs das chaves, ou seja, CE :
Neste caso as equações 3.97 e 3.99 se reduzem respectivamente a:
CE
Ck dk (1 − Vg
)
= (3.100)
Vg (1 − dk )
3.5. Cálculo do ganho do inversor - modelo monofásico com perdas 91
Ck dk + (1 − dk ) VCE
g
= (3.101)
Vg (1 − dk )
CE
Plotando o gráfico para alguns valores distintos de Vg
, chega-se às seguintes curvas
mostradas nas figuras 42a e 42b:
20 20
vCE = 0 vCE = 0
Vg Vg
15 vCE = 0.04 15 vCE = 0.04
Vg Vg
Ganho
Ganho
vCE = 0.20 vCE = 0.20
10 Vg 10 Vg
vCE = 0.50 vCE = 0.50
Vg Vg
5 5
0 0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Razão Ciclica Razão Ciclica
Observa-se que, de acordo com a figura 42, as curvas de ganho para as duas situações
possui seus valores atenuados para todos os valores de razões cíclicas, com exceção
CE
para dk = 0 e dk = 1. Para pequenos valores de Vg
as curvas de ganho se aproximam
da curva ideal. A influência dos IGBTs no ganho são mais perceptíveis no semiciclo
positivo da tensão de saída.
Ck dk − (1 − dk ) VD
g
= (3.102)
Vg (1 − dk )
D
Ck dk (1 + D
)
= (3.103)
Vg (1 − dk )
D
Plotando o gráfico para alguns valores distintos de Vg
, chega-se às seguintes curvas
mostradas nas figuras 43a e 43b:
92 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
20 20
vD2 = 0 vD2 = 0
Vg Vg
15 vD2 = 0.04 15 vD2 = 0.04
Vg Vg
Ganho
Ganho
vD2 = 0.20 vD2 = 0.20
10 Vg 10 Vg
vD2 = 0.50 vD2 = 0.50
Vg Vg
5 5
0 0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Razão Ciclica Razão Ciclica
Observa-se que, de acordo com a figura 45, as curvas de ganho para as duas situações
possuem seus valores atenuados para todos os valores de razões cíclicas, com exceção
D
para dk = 0 e dk = 1. Para pequenos valores de Vg
as curvas de ganho se aproximam
da curva ideal. A influência dos diodos no ganho são mais perceptíveis no semiciclo
negativo da tensão de saída.
Ck RY (1 − dk )dk
= (3.104)
Vg (RY (1 − dk )2 + rL + rD )
D
Ck dk (1 + D
)
= (3.105)
Vg (1 − dk )
rL rD
Plotando o gráfico para alguns valores distintos de RY
e RY
, chega-se às seguintes
curvas mostradas nas figuras 44a e 44b:
3.5. Cálculo do ganho do inversor - modelo monofásico com perdas 93
20 20
rL rD rL rD
RY = RY = 0 RY = RY = 0
15 rL rD
RY = RY = 0.001
15 rL rD
RY = RY = 0.001
rL rD rL rD
RY = RY = 0.005 RY = RY = 0.005
Ganho
Ganho
10 rL rD
10 rL rD
RY = RY = 0.01 RY = RY = 0.01
5 5
0 0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Razão Ciclica Razão Ciclica
rL
Neste caso observa-se claramente uma limitação no valor do ganho para valores de RY
rD
e RY
diferentes de zero. Esta relação é de fundamental importância, pois de acordo com
um projeto específico, as resistências dos indutores e chaves devem ser minimizadas
de tal forma que o maior ganho desenvolvido pelo conversor seja inferior ao ganho
máximo real do conversor.
Utilizando as equações 3.97 e 3.99 chega-se aos seguintes gráficos mostrados nas
figuras 45a e 45b:
20 20
Ganho Real Ganho Real
15 Ganho Ideal 15 Ganho Ideal
Ganho
Ganho
De acordo com o gráfico, observa-se que o máximo ganho permitido é de 4,20 e 4,37
para os semiciclos positivos e negativos respectivamente, com uma razão cíclica má-
xima de 0,91 considerando os valores base em p adotados. Porém, como a situação de
94 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
maior ganho exigido pelo inversor é durante o ponto de máximo do semiciclo positivo,
o ganho máximo real do inversor será de 4,20.
iL iR
RY vR
Vg L vL C vC
iC VDC
Fonte: Autor.
• Indutor: • Capacitor:
+ g − L = 0 C = −R
L = Vg (3.106) R
C = −
RY (3.107)
iL iR
RY vR
Vg L vL C vC
iC VDC
Fonte: Autor.
• Indutor: • Capacitor:
L + C = 0 C + R = L
C = L − R
L = −C (3.108)
R
C = L − (3.109)
RY
3.6.1 Indutores
Como a tensão nos indutores durante os intervalos de tempo DTs e (1 − D)Ts são
constantes, ΔL pode ser calculado como:
ΔL VL
=
Δt L
VL
ΔL = Δt
L
Vg
ΔL = DTs
L
Ck
Substituindo D por Ck +Vg
(equação A2.15), tem-se:
Ts Ck
ΔL = · Vg (3.110)
L (Ck + Vg )
96 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
vL
Vg Vg
DTs (1-D)Ts
-vC -vC
Ts Ts
iL
iLméd ΔiL
DTs (1-D)Ts
Ts Ts
Fonte: Autor.
Vg Ck
Observa-se que na equação 3.110 o valor de ΔL depende da relação (Ck +Vg )
que é
variante no tempo, devido a tensão Ck possuir uma componente senoidal. Para o cálculo
do indutor é considerado então um ΔL parametrizado dado por:
ΔL L Ck
ΔLpr = = Vg (3.111)
Ts (Ck + Vg )
Ts
L = máx(ΔLpr ) · (3.114)
ΔL
Para se calcular o ângulo em que ocorre o máximo valor de ΔLpr , basta derivar
a equação 3.113 em relação ao ângulo θ1 para os valores de Ck e Vg especificados
em projeto, e igualar a zero. Uma outra alternativa, consiste-se em plotar o gráfico de
Vm
ΔLpr−m em função de diversos valores de interesse para Vg
, conforme ilustrado na
Vm
figura 49. Definindo-se então a relação Vg
requerida, determina-se o correspondente valor
máximo de ΔLpr .
Vm
Figura 49 – Máximos valores de ΔLpr emm função de Vg
variando de 0 a 2.
40
35
30
25
iL par-max
20
15
10
3.6.2 Capacitores
ΔQ
Sabendo-se que C = ΔC
e ΔQ1 = DTs · R , tem-se:
DTs R
C=
ΔC
R DTs
C= (3.115)
RY ΔC
iC
ΔiL
ΔQ t
_i
carga
DTs (1-D)Ts
Ts Ts
vC
ΔvC
DTs (1-D)Ts
Ts Ts
Fonte: Autor.
Ck
Substituindo D por Ck +Vg
(equação A2.15), obtém-se a equação para a determinação
do valor da capacitância do capacitor para o conversor proposto:
R +V
C
Ts
C g
C= (3.116)
RY ΔC
senoidal, e a tensão 1 ser puramente senoidal. Para o cálculo do capacitor será considerado
então um ΔC parametrizado dado por:
RY CΔC C
ΔCpr = = R (3.117)
Ts C + Vg
Ts
C = máx(ΔCpr ) · (3.120)
RY ΔC
Vm
De forma semelhante realizada para o indutor, para valores de interesse de Vg
Vm
plota-se o gráfico com os valores máximos de ΔCpr em função de Vg
. De posse dos
valores de projeto para Vm e Vg determina-se a relação entre eles, e através do gráfico
mostrado na figura 51, encontra-se o valor de ΔCpr correspondente. De posse deste valor,
substitui-se o mesmo na equação 3.120, e calcula-se então a capacitância do capacitor do
braço 1 do conversor. Os demais capacitores C2 e C3 , devido as simetrias do conversor,
terão o mesmo valor de capacitância do capacitor C.
100 Capítulo 3. Modelo monofásico equivalente
Vm
Figura 51 – Máximo valor de ΔCpr para valores de Vg
variando de 0 a 2.
80
70
60
50
vC par-max
40
30
20
10
Fonte: Autor.
3.7 Conclusão
CAPÍTULO 4
Python
O Python [52] possui várias estruturas de alto nível e módulo prontos para o uso, além
de bibliotecas de terceiros que podem ser adicionadas, tais como Matplotlib, Numpy, Scipy,
utilizadas neste trabalho, entre outras. Devido a linguagem ser interpretada, e executada
através da máquina virtual Python, torna o código portável e passível de ser rodado em
outros sistemas operacionais ou ser executado direto do código fonte.
PLECS®
das por um dissipador virtual e acoplado através de uma resistência térmica ao ambiente
com temperatura de 25◦ C. O transformador foi representado por um circuito magnético
equivalente em função da curva de saturação B-H do núcleo do material que o compõe.
Fonte: https://www.plexim.com/plecs.
Para simulações iniciais foi utilizado o modelo representado pela equação matri-
cial 2.31 desprezando-se as perdas. Para os cálculos das indutâncias e capacitâncias do
conversor foram utilizadas as metodologias apresentadas nas subseções 3.6.1 e 3.6.2.
• Tensão de entrada = 48 V
• Tensão de linha na Carga = 50 Vrms
• Resistência de carga (estrela) = 6,02 Ω
• Frequência da tensão de saída = 60 Hz
• Frequência de chaveamento = 20 kHz
• ΔL = 1 A
• ΔC = 2 V
4 Cálculo do indutor:
p
2
Utilizando a equação 3.113, e substituindo Vm por p VLNHArms , determina-se
3
graficamente o máximo valor para ΔLpr :
4.1. Modelo matematico para simulação 103
p p
1, 1 p2 VLNHArms + 2
p VLNHArms senθ1
3 3
ΔLpr = Vg p p
(1, 1 p VLNHArms + p2 VLNHArms senθ1
2
+ Vg )
3 3
p p
2 2
1, 1 p 50 + p 50senθ1
3 3
ΔLpr = 48 p p
2 2
(1, 1 p 50 + p 50senθ1 + 48)
3 3
Plotando o gráfico de ΔLpr para dois ciclos da tensão de saída, tem-se a curva
mostrada na figura 53:
30
25
20 iL1par = 30.77 A
iL1par
15
10
5
0.000 0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030
t (s)
Fonte: Autor.
Substituindo o valor máximo para ΔLpr , encontrado no gráfico da figura 53, com a
equação 3.114 pode-se determinar o valor da indutância de L1 .
1
L1 = 30,77
(20 × 103 × 1)
L1 = 769,27 μH
4 Cálculo da capacitância:
p
2
Utilizando a equação 3.119, e substituindo Vm por p VLNHArms , determina-se
3
graficamente o máximo valor para ΔCpr :
104 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
p
p 2
p VLNHArms
2
p VLNHArms 3
Vg
· senθ1 (1, 1 + senθ1 )
3
ΔCpr = p
2
p VLNHArms
3
Vg
(1, 1 + senθ1 ) + 1
p
p 2
p 50
2
p 50 3
48
· senθ1 (1, 1 + senθ1 )
3
ΔCpr = p
2
p 50
48
3
(1, 1 + senθ1 ) + 1
Plotando o gráfico de ΔCpr para dois ciclos da tensão de saída, tem-se a curva
mostrada na figura 54:
20
vC1par = 26.17 V
vC1par
10
1
C1 = 26,17
20 × 103 × 6,02 × 2
C1 = 326,05 μF
0.6
Razão Cíclica
D1
0.4 D2
D3
0.2
0 5 10 15 20 25 30
t (ms)
Fonte: Autor.
Figura 56 – Tensões e correntes de linha para L1,2,3 = 769,27 μH e C1,2,3 = 326,05 μF.
Correntes de linha
10
0
i (A)
I1
I2
10 I3
0 20 40 60 80 100
Tensões de linha
100
0
V (V)
V12
V23
100 V31
0 20 40 60 80 100
t (ms)
Fonte: Autor.
50
0
V (V)
50
100 V12conv
V12ref
0 20 40 60 80 100
t (ms)
Fonte: Autor.
Tensão vC1
100 vC1Conversor
vC1Referência
V (V)
50
0
0 20 40 60 80 100
Tensão vC2
100
V (V)
vC2Conversor
0
vC2Referência
0 20 40 60 80 100
Tensão vC3
vC3Conversor
V (V)
50
vC3Referência
0
0 20 40 60 80 100
t(ms)
Fonte: Autor.
derivada das técnicas de controle de sistemas [51], do modelo monofásico será dada pela
equação 4.1:
C
= C(S − A)−1 B (4.1)
Vg
Onde:
(D−1)
D
0 L L
0
A= , B = eC= 0 1
(1−D) 1
C
− R 1C 0 RY C
Y
1
C LC
D(1 − D)
= (4.2)
(1−D)2
Vg s2 + R1C s + LC
Y
s2 + 2ξω0 s + ω0 2 (4.3)
Onde:
ω0 → Frequência natural de oscilação
ξ → Fator de amortecimento
(1 − D)2
ω0 2 =
LC
(1 − D)
ω0 = p (4.4)
LC
1
2ξω0 =
RY C
(1 − D) 1
2ξ p =
LC RY C
p
1 1 LC
ξ=
2 RY C (1 − D)
v
1 1 tL
u
ξ= (4.5)
2 RY (1 − D) C
De acordo com a equação 4.4, pode-se observar que a frequência natural de oscilação
depende dos valores da indutância e capacitância calculados para o conversor. Além disto, do
108 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
valor instantâneo da razão cíclica, visto que a razão cíclica imposta ao conversor apresenta
o perfil mostrado na figura 55, tendo como valores mínimo e máximo 0,078 e 0,641
respectivamente.
0
Magnitude (dB)
25
50
75
100
50
100
150
Fonte: Autor.
25
Magnitude (dB)
50
75
100
125
100 101 102 103 104 105
0
Fase (graus)
50
100
150
Fonte: Autor.
Com base na observação dos gráficos de Bode apresentados nas figuras 59 e 60,
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 109
Observa-se, de acordo com a equação 4.4, que o valor mínimo para a frequência de
ressonância sempre ocorrerá na situação em que a razão cíclica for máxima, sendo esta
situação limitante. Satisfazendo a condição de razão cíclica máxima, garante-se que para
todos os outros valores de razão cíclica a frequência de ressonância será maior.
L
=λ (4.6)
C
2. Obedecendo a condição de que tanto o ganho quanto a fase da função de transferência
permaneçam quase constantes para a faixa de frequência desejada, as seguintes
condições devem ser observadas:
2.1. Ganho quase constante:
Para se determinar o módulo do ganho da função de transferência apresentada na
equação 4.2, basta substituir s por jω, e calcular o módulo do número complexo
na frequência desejada.
110 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
1
C LC
D(1 − D)
=
(1−D)2
Vg s2 + R1C s + LC
Y
1
LC
D(1 − D)
|G(jω)| =
(1−D)2
jω2 + R1C jω + LC
Y
D(1 − D)
|G(jω)| = L
LC(jω)2 + RY
jω + (1 − D)2
D(1 − D)
|G(jω)| = L
−LCω2 + RY
jω + (1 − D)2
D(1 − D)
|G(jω)| = s (4.7)
L2 ω2
[ (1 − D)2 − LCω2 ] 2 +
R2Y
D(1 − D)
|G(jω)| = s
L2 ω2
[(1 − D)2 − L λL ω2 ] 2 +
R2Y
D(1 − D)
|G(jω)| = s
L2 2 2 L2 ω2
[(1 − D)2 − ω ] +
λ R2Y
D(1 − D)
|G(jω)| = s
2L2 ω2 L4 ω4 L2 ω2
(1 − D)4 − (1 − D)2 + λ2
+
λ R2Y
D(1 − D)
|G(jω)| = s (4.8)
ω4 ω2 2ω2
λ2
L4 + − (1 − D)2 L2 + (1 − D)4
R2
Y
λ
D(1 − D)
|G(jω)|CC = s
04 4 02 2×02
λ2
L + − (1 − D)2 L2 + (1 − D)4
R2
Y
λ
D(1 − D)
|G(jω)|CC = Æ
[(1 − D)4
(1
D − D)
|G(jω)|CC =
(1 − D)2
D
|G(jω)|CC = (4.9)
(1 − D)
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 111
Para que a condição de ganho seja satisfeita, o seu valor na maior frequência de
operação, deve estar em torno do valor na menor frequência de operação, que no
caso é considerado o ganho CC. Dependendo do valor de ξ [51], esta diferença
pode ser positiva ou negativa. Desta forma o cálculo da indutância é dividido em
duas condições:
i. ξ < 0,707:
Nesta condição, devido a presença do pico de ressonância no gráfico de Bode, o
ganho da função de transferência cresce a medida em que a frequência da ten-
são de saída aumenta. Desta forma, se estabelece uma tolerância máxima de
ganho para a frequência desejada em relação ao ganho CC. Matematicamente,
tem-se:
ii. ξ ≥ 0,707:
Neste caso, não haverá o pico de ressonância, e o ganho da função de transfe-
rência decresce a medida em que a frequência da tensão de saída aumenta.
Sendo assim, uma tolerância mínima de ganho deve ser estabelecida para a
frequência desejada em relação ao ganho CC. Obtém-se então:
D
|G(jωm )| = m (4.11)
(1 − D)
(
m = (1 + Δ) para ξ < 0,707
Onde ⇒
m = (1 − Δ) para ξ ≥ 0,707
D D(1 − D)
m =s
(1 − D) ω4 4 ω2 2ω2
λ2
L + − (1 − D)2 L2 + (1 − D)4
R2
Y
λ
D D (1 − D)
m =s
(1 − D) ω4 ω2 2ω2
λ2
L4 + − (1 − D)2 L2 + (1 − D)4
R2
Y
λ
1 (1 − D)
m =s
(1 − D) ω4 4 ω2 2ω2
λ2
L + − (1 − D)2 L2 + (1 − D)4
R2
Y
λ
(1 − D)2
m= s
ω4 4 ω2 2ω2
λ2
L + − (1 − D)2 L2 + (1 − D)4
R2
Y
λ
(1 − D)4
m2 =
ω4 4 ω2 2ω2
λ2
L + − (1 − D)2 L2 + (1 − D)4
R2
Y
λ
ω4 4 ω2 2ω2
+ m2 L2 + m2 (1 − D)4 = (1 − D)4
m2 L − (1 − D)2
λ2 R2Y λ
ω4 4 ω2 2ω2
+ m2 L2 + (m2 − 1)(1 − D)4 = 0
m2 L − (1 − D)2
λ2 R2Y λ
ω4 4 ω2 2ω2
+ m2 L2 + (m2 − 1)(1 − D)4 = 0
m2 L − (1 − D)2 (4.12)
λ2 R2Y λ
Observa-se que a equação 4.12 é de 4o grau, entretento, esta pode ser reduzida a
uma equação do 2o grau.
Parte ImgnmG(jω)
tg(ϕnmG(jω) ) =
Parte RealnmG(jω)
0
tg(ϕnmG(jω) ) =
D(1 − D)
tg(ϕnmG(jω) ) = 0
ϕnmG(jω) = arctg 0
ϕnmG(jω) = 0 (4.14)
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 113
ϕ(G(jω)) = 0 − ϕdenG(jω)
Parte Imgden
tg(ϕdenG(jω) ) =
Parte Realden
L
RY
ω
tg(ϕdenG(jω) ) = (4.16)
(1 − D)2 − LCω2
L
Substituindo ϕdenG(jω) por −ϕ(ω) (equação 4.15) e C por λ
, a equação 4.16 torna-se:
L
RY
ω
tg(−ϕ(G(jω))) = (4.17)
(1 − D)2 − L λL ω2
L
RY
ω
tg(−ϕ(G(jω))) =
L2 2
(1 − D)2 − λ
ω
L2 L
(1 − D)2 tg(−ϕ(G(jω)) − ω2 tg(−ϕ(G(jω))) = ω
λ RY
ω2 tg(−ϕ(G(jω))) ω
− L2 − L + (1 − D)2 tg(−ϕ(G(jω))) = 0 (4.18)
λ RY
Como pode ser observado, a equação 4.18 é de segunda ordem, tendo como
variável a indutância L. Desta forma, a solução apresenta dois valores para a
indutância e somente tem significado físico se pelo menos uma das raízes for
positiva. Caso possuam duas raízes positivas, por conveniência escolhe-se a de
maior valor, pois de acordo com a equação 3.110, quanto menor o valor da
indutância, maior a ondulação de corrente no mesmo. Deve-se entretanto, estipular
o valor máximo para o defasamento da tensão de saída para a máxima frequência
desejada.
λ = 0,747
ω = 2πƒ
ω = 2π60
ω = 377 rad/s
m = (1 + Δ)
m = (1 + 0,01)
m = 1,01
0 = 1,235 × 10−6
2
L0 = 1,235 × 10−6
Æ
L0 = 1,235 × 10−6
L0 = 1,11 mH
2
L00 = 7,273 × 10−6
Æ
L00 = 7,273 × 10−6
L00 = 85,28 μH
Substituindo cada valor de indutância calculado na equação 4.6, com λ = 0,747 en-
contrado no passo 2 desta metodologia, determina-se os correspondentes valores
das capacitâncias:
L0 1,11 × 10−3
C0 = = = 1488,08 μF
λ 0,747
C 1,33 × 105
L 0 e C 0 ⇒ f1 = =
Vg s2 + 111,33s + 7,79 × 104
00 00
C 2,36 × 107
L eC ⇒ f2 = =
Vg s2 + 1452,96s + 1,32 × 107
0
|G(j )| (dB)
50
100
0
20
|G(j )| (dB)
40
60
80
100 101 102 103 104 105
f (Hz)
Fonte: Autor.
q
ωR = ω0 1 − 2ξ2 (4.19)
(1 − D) q
ωR = p 1 − 2ξ2 (4.20)
LC
Substituíndo os respectivos pares de indutância/capacitância, obtém-se:
(1 − D) q
ωR1 = p 1 − 2ξ2
L1 C1
(1 − 0,641) q
ωR1 = p 1 − 2 × 0,7472
1,11 × 10−3 × 1488,08 × 10−3
(1 − D) q
ωR2 = p 1 − 2ξ2
L2 C2
(1 − 0,641) q
ωR2 = p 1 − 2 × 0,7472
85,28 × 10−6 × 114,32 × 10−6
L0 = −8,51 × 10−3
Adota-se como solução a indutância de 106,31 μH, pois é o único valor que possui
significado físico.
Da mesma forma realizada no passo anterior, calcula-se a capacitância correspondente
através da equação 4.6:
Com os valores de indutância e capacitância calculados neste passo, bem como com os
demais parâmetros da função de transferência da equação 4.2, obtêm-se a seguintes
função de transferência:
C 1,52 × 107
Tf3 = =
Vg s2 + 1,52 × 103 s + 8,5 × 106
Para validação da solução, pode-se plotar o gráfico de Bode para a fase da referida
função, neste caso, apresentado na figura 63. Observa-se que a fase da função mantêm-
se quase constante para a faixa de frequências desejada.
118 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
G(j )( ) 50
100
150
2
G(j )( )
Fonte: Autor.
2,36 × 107
f2 =
jω2 + 1452,96jω + 1,32 × 107
2,36 × 107
f2 =
j3772 + 1452,96 × j377 + 132 × 105
2,36 × 107
f2 =
−1,42 × 105 + j5,48 × 105 + 132 × 107
2,36 × 107
f2 =
130,58 × 105 + j5,48 × 105
2,36 × 107 0◦
f2 =
130,7 × 105 2,4◦
f2 = 1,8 -2,4◦
Pode-se oberservar que a fase de f2 é maior que −3◦ , o que significa que esta
função satisfaz tanto a condição de ganho quanto a de fase.
3.2. Cálculo do ganho da função f3 :
De forma análoga, substituindo s por jω em f3 , tem-se:
1,52 × 107
f3 =
jω2 + 1,52 × 103 jω + 8,5 × 106
1,52 × 107
f3 =
j3772 + 1,52 × 103 × j377 + 8,5 × 106
1,52 × 107
f3 =
−1,42 × 105 + j5,73 × 105 + 85 × 105
1,52 × 107
f3 =
83,58 × 105 + j5,73 × 105
Em sua forma polar:
152 × 105 0◦
f3 =
83,77 × 105 3◦
f3 = 1,814 -3◦
odeint do pacote Scipy da liguagem Python. Desta froma, obtém-se a seguinte forma de
onda para a tensão C1 apresentada na figura 65, comparada com sua referência dada por:
p
2
Vp = Vnhrms p
3
Como neste caso a tensão da saída possui sua máxima amplitude possível, Vp m =
Vp , obtém-se:
p p
2 2
C1Reƒ = 1,1Vnhrms p + Vnhrms p sen (ωt)
3 3
(4.22)
p
2
C1Reƒ = 1,1Vnhrms p (1 + sen (ωt))
3
Substituindo o valor eficaz da tensão de linha requerida na saída, tem-se para C1 :
p
2
C1Reƒ = 1,150 p (1 + sen (ωt))
3 (4.23)
80
60
vC1Conversor
V (V)
40 vC1Referência
20
0
0 20 40 60 80 100
t (ms)
Fonte: Autor.
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 121
Com suas formas de onda plotadas na figura 66, com suas respectivas referências:
Figura 66 – Tensões C2 e C3 no modelo monofásico com carga resisitiva para os valores de indutância
e capacitância propostos.
Tensão vC2
80
60
vC2Conversor
V (V)
40 vC2Referência
20
0
0 20 40 60 80 100
Tensão vC3
80
60
vC3Conversor
V (V)
40 vC3Referência
20
0
0 20 40 60 80 100
t (ms)
Fonte: Autor.
122 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
• Tensão de entrada = 48 V
• Tensão de linha na carga = 50 Vrms
• Resistência de carga = 18,0 (triângulo) Ω
• Frequência da tensão de saída = 60 Hz
• Frequência de chaveamento = 20 kHz
• L = L2 = L3 = 85,28 μH
• C = C2 = C3 = 114,32 μF
Figura 67 – Tensões C1 , C2 e C3 para o modelo trifásico com carga resisitva.
Tensão vC1
100
vC1Conversor
V (V)
50 vC1Referência
0
0 20 40 60 80 100
Tensão vC2
100
V (V)
50 vC2Conversor
vC2Referência
0
0 20 40 60 80 100
Tensão vC3
100
vC3Conversor
V (V)
50
vC3Referência
0
0 20 40 60 80 100
t(ms)
Fonte: Autor.
A única restrição deste modelo, é o fato de que o valor das variáveis de estado
são baseados em seus valores médios quase instantâneos. Este modelo não é capaz de
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 123
representar as variações de corrente nos indutores e tensão nos capacitores. Estas variações
serão nalisadas a posteriori, com o auxilio de um software dedicado a simulação de circuitos
eletrônicos, voltado para aplicações em eletrônica de potência, e comparados com o valores
calculados através das equações 3.114 e 3.120.
Com base nos parâmetros adotados no início desta seção, pode-se obter as seguintes
funções de transferência para os modelos monofásico e trifásico, considerandos os casos de
razão cíclica máxima e mínima na fase 1 do conversor:
• Modelo monofásico:
De acordo com a equação matricial 3.47, e substitundo os parâmetros citados
chega-se à seguinte função de 2a ordem:
2,36 × 107
f1Dm =
s2 + 1452,96s + 1,32 × 107
• Modelo trifásico:
De acordo com a equação matricial 2.31, e substitundo os parâmetros citados
abtém-se a seguinte função de 6a ordem:
2,36 × 107 s4 + 6,79 × 1010 s3 + 2,17 × 1015 s2 + 3,05 × 1018 s + 4,77 × 1022
f3Dm =
s6 + 2,69 × 103 s5 + 1,05 × 108 s4 + 1,99 × 1011 s3 + 3,28 × 1015 s2 + 3,11 × 1018 s + 2,67 × 1022
Figura 68 – Diagrama de Bode para o modelo monofásico com carga resistiva e D1m = 0,648.
Magnitude (dB)
50
100
Figura 69 – Diagrama de Bode para o modelo trifásico com carga resistiva e D1 = 0,648.
Magnitude (dB)
0
50
100
200
100 101 102 103 104 105
f (Hz)
Fonte: Autor.
Figura 70 – Diagrama de Bode para o modelos monofásico e trifásico com carga resisitiva e D1m =
0,648, sobrepostos.
20
Modelo 1
0 Modelo 3
Magnitude (dB)
20
40
60
80
100
150
200
100 101 102 103 104 105
f (Hz)
Fonte: Autor.
Observa-se, que para o caso de máxima razão cíclica na fase 1, em regime permanente,
o modelo monofásico coincide tanto em magnitude quanto em fase dentro da faixa de
frequência desejada, ou seja de 0 a 60 Hz.
• Modelo monofásico:
De acordo com a equação matricial 3.47, e substituindo os parâmetros obtém-se a
seguinte função de 2a ordem:
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 125
7,41 × 107
f1Dmn =
s2 + 1452,96s + 8,71 × 107
• Modelo trifásico:
De acordo com a equação matricial 2.31, e substituindo os parâmetros obtém-se a
seguinte função de 6a ordem:
7,38 × 106 s4 + 3,85 × 1010 s3 + 3,11 × 1014 s2 + 7,07 × 1017 s + 2,48 × 1021
f3Dmn =
s6 + 2,91 × 103 s5 + 1,26 × 108 s4 + 2,40 × 1011 s3 + 3,62 × 1015 s2 + 3,43 × 1018 s + 2,93 × 1022
Figura 71 – Diagrama de Bode para o modelo monofásico com carga resistiva e D1 = 0,078.
Magnitude (dB)
25
50
75
100 101 102 103 104 105
0
Fase (graus)
100
Figura 72 – Diagrama de Bode para o modelo trifásico com carga resistiva e D1mn = 0,078.
0
Magnitude (dB)
50
0
Fase (graus)
100
Figura 73 – Diagrama de Bode para o modelos monofásico e trifásico com carga resisitiva e D1mn =
0,078 sobrepostos.
0
Modelo 1
Modelo 3
Magnitude (dB)
20
40
60
80
50
100
150
Fonte: Autor.
Assim como no caso anterior, para a mínima razão cíclica na fase 1, o modelo monofá-
sico coincide em magnitude, porém em fase apresenta uma ligeira diferença dentro da
faixa de frequência desejada. Entretanto a forma de onda da tensão de saída não é
comprometida, conforme apresentado na figura 67.
Figura 74 – Correntes de linha sobrepostas dos modelos monofásico e trifásico sem perdas com carga
resistiva.
i (A)
i (A)
0 3 3
0
5 5 5
Fonte: Autor.
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 127
4 Corrente nos indutores e tensão nos capacitores: Figura 75. Observa-se que apenas
durante o transitório as formas de onda não coincidem. Após atingir o regime permanente,
os valores instantâneos das variáveis de estado dos modelos se igualam.
Figura 75 – Formas de onda das variáveis de estado sobrepostas dos modelos monofásico e trifásico
sem perdas com carga resistiva.
Corrente em L1 Tensão em C1
50 1 100 1
3 3
V (V)
i (A)
0 50
0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Corrente em L2 Tensão em C2
1 100 1
50 3 3
V (V)
i (A)
0
50 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Corrente em L3 Tensão em C3
20
0 50 1
V (V)
i (A)
1 3
3
20 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
t (ms) t (ms)
Fonte: Autor.
Figura 76 – Variação das tensões e frequências de referências das tensões nos capacitores para os
modelos monofásico e trifásico sem perdas com carga resistiva.
1.0 Vp (V)
0.8 f (Hz)
0.6
(pu)
0.4
0.2
0.0
0.000 0.025 0.050 0.075 0.100 0.125 0.150 0.175 0.200
t (ms)
Fonte: Autor.
As formas de onda para as razões cíclicas, as correntes nos indutores e tensão nos
capacitores do conversor, com suas respectivas referências, bem como as tensões de fase
na carga são mostradas nas figuras 77, 78, e 79, respectivamente. Observa-se que somente
nos períodos de transitórios a formas de onda não coincidem.
128 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
Figura 77 – Razões cíclicas com referenciais de tensão variáveis aplicadas aos modelos monofásico e
trifásico sem perdas com carga resistiva.
0.6 D1
Razão cíclica D2
D3
0.4
0.2
Figura 78 – Forma de onda das variáveis de estado com referenciais de tensão variáveis dos modelos
monofásico e trifásico sem perdas com carga resistiva.
Corrente em L1 Tensão em C1
20
1 1
3 50 3
V (V)
i (A)
0
0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Corrente em L2 Tensão em C2
20 1 1
3 50 3
V (V)
i (A)
0
0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Corrente em L3 Tensão em C3
20
1 1
3 50 3
V (V)
i (A)
0
0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
t (ms) t (ms)
Fonte: Autor.
Figura 79 – Correntes de linha com referenciais variáveis dos modelos monofásico e trifásico sem
perdas com carga resisitiva.
0 0 0
i (A)
i (A)
i (A)
1 1 1
5 3 5 3 5 3
0 25 50 75 100 0 25 50 75 100 0 25 50 75 100
t (ms)
Fonte: Autor.
Figura 80 – Variação da carga para os modelos monofásico e trifásico sem perdas com carga resistiva.
18
16
14
(pu) 12
10
0 20 40 60 80 100
t (ms)
Fonte: Autor.
Figura 81 – Forma de onda das variáveis de estado com variação de carga nos modelos monofásico e
trifásico sem perdas com carga resistiva.
Corrente em L1 Tensão em C1
50 1 100 1
3 3
V (V)
i (A)
0 50
0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Corrente em L2 Tensão em C2
1 100 1
50 3 3
V (V)
i (A)
0
50 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Corrente em L3 Tensão em C3
25 1
3 50 1
V (V)
i (A)
0 3
25 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
t (ms) t (ms)
Fonte: Autor.
Figura 82 – Correntes de linha com variação de carga nos modelos monofásico e trifásico sem perdas
com carga resisitiva.
i (A)
i (A)
3 0 3
10 10 10
0 25 50 75 100 0 25 50 75 100 0 25 50 75 100
t (ms)
Fonte: Autor.
130 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
D2b D2b
50 Vp
D3 D3 I1
I2
Vinha RMS D3a D3a
I3
D3b D3b
V12
V23 Carga
PWM Generator
V31
D1a D1b
Buck-boost converter1 i1
A
IGBTD IGBTD1 Cap I1
D2a D2b
Buck-boost converter2 i2
A
IGBTD6 IGBTD3 Cap I2
iL2 w ESR1
V: 48
V23 V V23
L: 85.28e-6 V Vc2
R: 18.06
Vc2
D3a D3b
Buck-boost converter3 i3
A
IGBTD4 IGBTD5 Cap I3
iL3 w ESR2
V31 V V31
L: 85.28e-6 V Vc3
R: 18.06
Vc3
Fonte: Autor.
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 131
Figura 84 – Diagrama esquemático do módulo PWM Generator do modelo trifásico sem perdas com
carga resistiva simulado no PLECS® .
Scope
*
/
Sine Wave1 D1
Dt1
+ +
+
-
D1a
Comparator1
Vg * <
C
/
D1b
Constant1 Relational
K K Divide1 Triangular Wave1
Operator
Vlinha RMS
Gain Gain1
*
/
Sine Wave2 D2
Dt2
+ +
+
-
D2a
Comparator2
* <
C
/
D2b
Constant2 Relational
Divide3 Triangular Wave2
Operator1
*
Sine Wave3 /
D3
Dt3
+ +
+
-
D3a
Comparator3
* <
C
/
D3b
Constant3 Relational
Divide5 Triangular Wave3
Operator2
Fonte: Autor.
Figura 85 – Razões cíclicas geradas pelo módulo PWM Generator do modelo trifásico sem perdas com
carga resistiva simulado no PLECS® .
Fonte: Autor.
132 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
Figura 86 – Tensões e correntes de linha do modelo trifásico sem perdas com carga resistiva simulado
no PLECS® .
Fonte: Autor.
Os dados de cada curva podem ser salvos no formato .csv, gerando vetores que
podem ser manipulados e plotados em outros programas. Dentre estes, pode-se citar:
planilhas eletrônicas, ou programas científicos específicos, como MATLAB® , Scilab, Octave,
ou utilizando o biblioteca Matplotlib da linguagem Python.
4.2. Simulação do modelo sem perdas nas chaves e indutores com carga R 133
Figura 87 – Correntes nos indutores e tensões nos capacitores do modelo trifásico simulado no PLECS® .
Fonte: Autor.
De acordo com a figura 87, observa-se que existe uma ondulação no valor médio
instantâneo da corrente no indutor, bem como na tensão do capacitor. Estas ondulações são
mostradas em detalhe na figura 88.
Com o objetivo de validar as equações 3.114 e 3.120, para o cálculo das indutâncias
e capacitâncias do conversor, determinam-se as respectivas ondulações através dos valores
de ΔL1pr e ΔC1pr . Tais valores são encontrados por meio da solução gráfica com base
nas figuras 53 e 54, respectivamente. Desta forma, tem-se:
30,77
ΔL1 =
85,28 × 10−6 × 20000
ΔL1 = 18,04 A
26,17
ΔC1 = 3 ×
18,06 × 114,32 × 10−6 × 20000
ΔC1 = 1,9 V
134 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
Consequentemente:
Figura 88 – Detalhe das correntes nos indutores e tensões nos capacitores do modelo trifásico simulado
no PLECS® .
30
20
10
Correntes de linha 37.00 37.05 37.10 37.15 37.20
30
iL 1 iL 2 iL 3 I1
25 I2
I3
iL (A)
20 17,91 A
15
10
30.0 32.5 35.0 37.5 40.0 42.5 45.0 47.5
87
tempo(s)
86
85
1,92 V
85.5
85.0
84.5
30.0 32.5 35.0 37.5 40.0 42.5 45.0 47.5
t (s)
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 135
Figura 89 – Modelos do Indutor, IGBT e Diodo utilizados no circuito do conversor com perdas e carga R
no PLECS®
vCE vD
L rL rD
Fonte: Autor.
D1
D2
D1 D1
D3
D1a D1a
Razao Ciclica
D1b D1b
iL1
iL2
iL3
D2 D2 Vc1
Vc2
D2a D2a Conversor
Vc3
D2b D2b
I1
I2
I3
D3 D3
V1
D3a D3a V2
Carga
V3
D3b D3b
Gerador PWM
Scope
Fase 1 Fase 1
+
Fase 2 Fase 2
V: Vg
- Fase 3 Fase 3
P total
P total
P ent 0.00
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 137
Figura 91 – Diagrama interno do bloco PWM Generator do modelo trifásico com perdas e carga RL
simulado no PLECS® .
Vg Vg
Vc1_ref
Vg1
Vc D
Vlinha_max K K Vp_max D1
Constant
Gain Gain1
rl rL Triangular Wave1
<
C
rL1 D1b
rd rD Constant1 Relational
Operator
rD1
vce vCE Vc2_ref
Vc D
vCE1
vd vD D2
vD1 Calc D2 +
3*R R_tri -
D2a
R_triangule Comparator2
Vp_max 0.2 +
+
Vdc
Triangular Wave2
Gain6 <
Vp C
D2b
Constant2 Relational
* Operator1
+ Vc1_ref
* +
Vc3_ref
Sine Wave4
Product
Vc D
Vp
Vdc D3
Calc D3 +
* + Vc2_ref
-
* + D3a
Comparator3
Sine Wave
Product1
Vp
Vdc
Triangular Wave3
* <
+
+
Vc3_ref C
*
D3b
Sine Wave5 Constant3 Relational
Product2
Operator2
Vp
Vdc
Fonte: Autor.
138 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
Figura 92 – Diagrama interno do bloco de cálculo da razão cíclica D1 do modelo trifásico com perdas e
carga RL simulado no PLECS® .
Vc
Vg −
−
*
+ 2 /
*
vCE − *
Product5 Gain11 D
Divide
vD
R_tri
−+
2
Gain4
Vg +
+
* 2
− + u + sqrt
* + −
vCE +
Gain5 Gain10
4
*
+
* *
−
Vdc *
Product9
Product4
rD 3
Gain7
−
*
− +
vD *
−
−
Product6
R_tri
+
*
−
Vdc *
Product7
rL 3
Gain8
+
*
−
Vdc *
Product8
rD 3
Gain9
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 139
D1a D1b
Buck-boost converter1
Fase 1
B
C E C E
IGBT1 A IGBT2
R: rl Cap
iL1 w ESR
L: L Vc1 V Vc1
D2a D2b
Buck-boost converter2
Fase 2
B
B
C E C E
IGBT3 A IGBT4
R: rl Cap
+ iL2 w ESR1
L: L V Vc2
Vc2
-
D3a D3b
C E C E
IGBT5 A IGBT6
R: rl Cap
iL3 w ESR2
L: L V Vc3
Vc3
Fonte: Autor.
Fase 1 i1
I1
R: R V12 V V1
L: Lr
Fase 2 i2
I2
R: R
V23 V V2
L: Lr
Fase 3 i3
I3
V31 V V3
R: R
L: Lr
Fonte: Autor.
140 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
O gráfico das funções razão cíclica, calculadas de acordo com o bloco Calc Dn (Figura
92) está apresentado na Figura 95.
0.6
0.5 d1
0.4 d2
D
d3
0.3
0.2
0 10 20 30 40 50 60
t (ms)
Fonte: Autor.
As formas de onda das correntes nos indutores e tensões nos capacitores são
apresentadas na figura 96.
Figura 96 – Correntes nos indutores e tensões nos capacitores do conversor do modelo trifásico com
perdas e carga RL simulado no PLECS® .
50
0 10 20 30 40 50
50
0
0 10 20 30 40 50
t (ms)
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 141
Figura 97 – Correntes e tensões de fase na carga - Modelo trifásico com perdas e carga RL simulado
no PLECS® .
Correntes de linha
2
iL (A)
0
I1
I2
2
I3
0 10 20 30 40 50
50
0 10 20 30 40 50
t (ms)
Fonte: Autor.
Tabela 1 – Valores médios, eficazes e THD das correntes e tensões de fase na carga - Modelo
trifásico com perdas e carga RL simulado no PLECS® .
Fonte: Autor.
De acordo com os dados da tabela 1, observa-se que os valores médios das tensões
142 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
de fase representam 0,04 % dos respectivos valores de pico. Quanto ao valor eficaz da
tensão de linha, percebe-se uma diferença de 0,15 V em relação ao valor esperado, o que
representa uma diferença percertual de 0,5%.
Figura 98 – Serie de Fourrier para as tensões de fase - Modelo com perdas e carga RL simulado no
PLECS®
(a) Série de Fourrier até o 10o harmônico. (b) Detalhe das amplitudes dos harmônicos
2.0
V12 V12
60
V23 1.5 V23
Amplitude (V)
Amplitude (V)
V31 V31
40 1.0
20 0.5
0.0
0
0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600
Frequência (Hz) Frequência (Hz)
Fonte: Autor.
Figura 99 – Serie de Fourrier extendida para a frequência de chaveamento para as tensões de linha na
saída do conversor com perdas e carga R simulado no PLECS®
(a) Série de Fourrier para frequências superiores à de (b) Detalhe das amplitudes dos harmônicos em torno
chaveamento. da frequência de chaveamento.
Amplitude (V)
0.4
V31 VC3
40 0.3
0.2
20
0.1
0 0.0
0 5000 10000 15000 20000 19.86 19.92 19.98 20.04 20.10 20.16 20.22
Frequência (Hz) Frequência (KHz)
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 143
(a)
100
0
0 10 20 30 40 50 60
10
0
0 10 20 30 40 50 60
100
0 10 20 30 40 50 60
10
0
0 10 20 30 40 50 60
t (ms)
(b)
100
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
10
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
100
10
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
t (ms)
Fonte: Autor.
144 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
(a)
0
0 10 20 30 40 50 60
Corrente de coletor do IGBT - Chave T3
20
iC1 (A)
10
0
0 10 20 30 40 50 60
Tensão no Diodo - Chave T4
0
vd (V)
100
0 10 20 30 40 50 60
Corrente do Diodo - Chave T4
20
10
id (A)
0
0 10 20 30 40 50 60
t (ms)
(b)
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da corrente de coletor do IGBT - Chave T3
20
iC1 (A)
10
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da tensão no Diodo - Chave T4
0
vd (V)
100
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da corrente do Diodo - Chave T4
20
10
id (A)
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
t (ms)
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 145
(a)
0
0 10 20 30 40 50 60
Corrente de coletor do IGBT - Chave T5
iC1 (A)
10
0
0 10 20 30 40 50 60
Tensão no Diodo - Chave T6
0
vd (V)
100
0 10 20 30 40 50 60
Corrente do Diodo - Chave T6
10
id (A)
0
0 10 20 30 40 50 60
t (ms)
(b)
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da corrente de coletor do IGBT - Chave T5
iC1 (A)
10
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da tensão no Diodo - Chave T6
0
vd (V)
100
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da corrente do Diodo - Chave T6
10
id (A)
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
t (ms)
Fonte: Autor.
146 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
(a)
100
0
0 10 20 30 40 50 60
0
0 10 20 30 40 50 60
100
0 10 20 30 40 50 60
0
0 10 20 30 40 50 60
t (ms)
(b)
100
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
100
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
t (ms)
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 147
(a)
0
0 10 20 30 40 50 60
Corrente de coletor do IGBT - Chave T4
10
iC1 (A)
0
0 10 20 30 40 50 60
Tensão no Diodo - Chave T3
0
vd (V)
100
0 10 20 30 40 50 60
Corrente do Diodo - Chave T3
10
id (A)
0
0 10 20 30 40 50 60
t (ms)
(b)
100
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
100
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
t (ms)
Fonte: Autor.
148 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
(a)
0
0 10 20 30 40 50 60
Corrente de coletor do IGBT - Chave T6
iC1 (A)
5
0
0 10 20 30 40 50 60
Tensão no Diodo - Chave T5
0
vd (V)
100
0 10 20 30 40 50 60
Corrente do Diodo - Chave T5
5
id (A)
0
0 10 20 30 40 50 60
t (ms)
(b)
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da corrente de coletor do IGBT - Chave T6
iC1 (A)
5
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da tensão no Diodo - Chave T5
0
vd (V)
100
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
Detalhe da corrente do Diodo - Chave T5
5
id (A)
0
21.200 21.225 21.250 21.275 21.300 21.325 21.350 21.375 21.400
t (ms)
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 149
Tabela 2 – Valores médios e eficazes das correntes em cada elemento das chaves
Fonte: Autor.
Para determinação das perdas nas chaves e indutores do conversor, foram utilizadas
facilidades do simulador PLECS, que mede em tempo real a potência de elementos passivos,
bem como determina através de look-up tables, as perdas por condução e chaveamento
nos semicondutores. A Figura 106 mostra os elementos utilizados no bloco "Calculo Perdas"
apresentado no diagrama da Figura 90 para a determinação das perdas no braço 1 do
inversor.
As funções look-up tables utilizadas nos cálculos das perdas dos semicondutores
estão apresentadas na figura 107 para os IGBTs e na figura 108 para os diodos.
150 Capítulo 4. Simulações Computacionais com cargas resistiva e RL
Inductor_loss
Probe
L1
Periodic Average 6
Cd_loss_IGBT1
+
Probe Periodic Average 1
+
IGBT1
Sw_loss_IGBT1
Cd_loss_diode1
+
Probe Periodic Average 2
+
Diode1 +
+
Sw_loss_diode1
+ 3
Periodic Impulse Average 2 + P total
+
Gain
Cd_loss_IGBT2
Probe
+
Probe Periodic Average 4 Source Power
+
Periodic Average 3
IGBT2
Sw_loss_IGBT2
+
Probe Periodic Average 5
+
Diode2
Sw_loss_diode2
Fonte: Autor.
4.3. Simulação do modelo com perdas nas chaves e indutores com carga RL 151
Figura 107 – Funções utilizadas no PLECS para determinação das perdas nos IGBTs
(a) Perdas por chaveamento na ativação do (b) Perdas por chaveamento no bloqueio do
IGBT IGBT
10 10
8 8
6
E (mJ)
E (mJ)
Temperatura: Temperatura:
4 25o 4 25o
175o 175o
2 2
400 400
Vbloqueio (V) 120 120
60 Vbloqueio (V) 60
0 7.5 30 IC (A) 0 7.5 30 IC (A)
4
Temperatura:
vCE (V)
3 25o
175o
2
0 3 15 30 60 120
iC (A)
Fonte: Autor.
Figura 108 – Funções utilizadas no PLECS para determinação das perdas nos diodos
1,4 3,0i
1,2 2,5
1,0
2,0 Temperatura:
0,8
E (mJ)
vD (V)
25o
0,6 1,5 175o
Temperatura:
0,4 25o
175o 1,0
0,2
0,5
-400
120 0 3 15 30 60 120
Vbloqueio (V) 60 i D (A)
0 7,5 IC (A)
Fonte: Autor.
Perdas
Indutor 1,26 W
Condução 1,89 W
GBT1
Chaveamento 1,59 W
Condução 0,61 w
Dodo1
Chaveamento 0,038 W
Condução 0,95 W
GBT2
Chaveamento 1,07 W
Condução 1,27 W
Dodo2
Chaveamento 0,015 W
Considerando-se todos os braços do inversor idênticos, e com base nos dados apre-
sentados na Tabela 3, pode-se determinar a potência total dissipada (PTD ) pelo conversor,
sendo dada por:
PTD = 3 × PTD1
PTD = 3 × 9,7
PTD = 29,1 W
4.3.5.1 Eficiência
A eficência é obtida pela razão entre a potência saída (PS ) e a potência entrada (PE ),
desta forma, tem-se que:
PS
η= (4.26)
PE
A potência de saída é obtida a partir dos dados apresentados na Tabela 1, dada por:
PS = V1 × 1 + V2 × 2 + V3 × 3
PS = 28,74 × 2,15 + 28,75 × 2,15 + 28,74 × 2,15
PS = 185,37 W
PE = PS + PTD
PE = 185,37 + 29,1
PE = 214,47 W
PE = Vg × g
PE = 48 + 4,48
PE = 215,04 W
185,37
η=
215,04
η = 86,2 %
155
CAPÍTULO 5
PROTÓTIPO IMPLEMENTADO
Inversor
Gate Carga
Microcontrolador Buck-Boost
Drivers RL
Trifásico
Fonte: Autor.
A seguir, é feita uma descrição simplificada de cada bloco do protótipo que foi
implementado:
1- Bloco Microcontrolador:
Este bloco é o responsável por gerar as razões cíclicas necessárias para cada braço
do inversor, de forma a gerar as tensões de saída desejadas. Ele também é responsável
por monitorar as correntes e tensões na carga, nos indutores e capacitores para atuação
da proteção, a qual atua na ocorrência de sobrecarga ou comportamento inadequado do
conversor.
Para realizar esta tarefa foi utilizada a placa de desenvolvimento TIVA-C da Texas
Instruments, que utiliza o microcontrolador TM4C123GH6PM [56], cujas principais caracterís-
ticas são descritas na tabela 4:
156 Capítulo 5. Protótipo Implementado
Memória SRAM 32 KB
UART 8 módulos
I2C 4 módulos
CAN 2 módulos
Emulador On-board
para programação
e debugação
Chave de Reset
LED RGB
Conector USB
para conectar
dispositivos
40 pinos de GPIO
Microcontrolador
Fonte: Autor.
O diagrama esquemático de um braço deste bloco está ilustrado na figura 112. Este
apresenta três entradas digitais:
• PWM - IGBT1 e PWM - IGBT2: São os sinais PWMs complementares, com tempo
morta, gerados pelo microcontrolador para o controle das chaves IGBT1 e IGBT2,
respectivamente.
• Desabilita - PWM: É utilizado para desabilitar o sinais PWMs, caso ocorra alguma
falha ou mesmo, devido a intervenção do usuário.
158 Capítulo 5. Protótipo Implementado
Estes sinais são enviados ao circuito integrado IR2110D. Este CI é o responsável por
adequar os sinais do microcontrolador para os níveis de tensão e corrente necessários para
o acionamento dos IGBTs.
VCC1
R4
PWM - IGBT1
D1 T1
R1 VCC1
VCC1
R5
D7
D2
R2
T2 Hin
SD
Hout
Vcc2
Vs
D4
R7
D8
D5
Base
Emissor
} IGBT1
}
VCC1 Lin
Lout Base
R8
GND COM IGBT2
R6 D6
IR2110D Emissor
PWM - IGBT2
D3 T3
VCC2
R3
Fonte: Autor.
Fonte: Autor.
159
O bloco inversor foi descrito no Capítulo 2 (figura 14), no qual foram utilizados os
IGBTs MGY40N60D da Motorola. Na figura 114 é mostrada uma fotografia da placa de circuito
impresso de um dos braços que compõe este bloco.
Figura 114 – Fotografia da placa de circuito impresso de um dos braços que compõe o inversor.
Fonte: Autor.
Este bloco é composto por uma carga RL série em ligação estrela, de potência 250
W e impedância Z = 12,0 + j6,75Ω, e fator de potência de 0,86. A figura 115 mostra a foto
da carga utilizada.
Fonte: Autor.
Por fim, na figura 116 é mostrada a foto de todo o conjunto de placas que formam o
inversor alimentando a carga RL.
160 Capítulo 5. Protótipo Implementado
Fonte: Autor.
161
CAPÍTULO 6
RESULTADOS EXPERIMENTAIS
Neste Capítulo são apresentados os resultados experimentais do inversor Buck-Boost
trifásico alimentando uma carga RL em estrela com tensão nominal de 50 V de linha, a partir
de uma tensão na entrada do conversor de 48 V. Também serão apresentados resultados
simplificados para cargas R, RL e RC com tensão de entrada do conversor igual a 36 V.
Tensão de entrada 48 V
L1 , L2 e L3 85 μH
C1 , C2 e C3 100 μF
v1 v2 v3 v1 v2 v3
Fonte: Autor.
2 – 28,7 V – 123º
3 – 28,7 V – -121º
v1 i1 v1 i1
Fonte: Autor.
v2 i2 v2 i2
Fonte: Autor.
v3 i3 v3 i3
Fonte: Autor.
Os principais valores obtidos para cada fase partir das medições efetuadas com o
osciloscópio estão descritas na Tabela 7.
Tabela 7 – Principais valores obtidos no experimento para as tensão e corrente de cada fase.
C2 – – 50,5 V
C3 – – 50,5 V
Corrente nos indutores: Na Figura 122a são apresentadas as formas onda das
correntes nos indutores. Cabe destacar, que a escala de corrente foi de 25A/V. Pode-se
observar, que a Tabela 9 apresenta os valores absolutos de pico-a-pico (Pk-Pk), médio (Mean)
e eficaz (RMS) para a corrente no indutor da fase 1 (CH1) do inversor, bem como os valores
eficazes (RMS) das correntes nos indutores das fases 2 (CH2) e 3 (CH3) respectivamente. Os
detalhes das correntes nos indutores são apresentados na Figura 122b.
i L1 i L2 i L3 i L1 i L2 i L3
Fonte: Autor.
166 Capítulo 6. Resultados Experimentais
Na Figura 123 são apresentados os detalhes das tensões e correntes nos indutores
de casa fase do inversor.
(c) Fase 3
iL3 vL3
Fonte: Autor.
(a) Chaves T1 e T2
T1
T2
(b) Chaves T3 e T4
T3
T4
(c) Chaves T5 e T6
T5
T6
Fonte: Autor.
(a) Tensão coletor-emissor e corrente nas chaves T1 e (b) Detalhe da tensão coletor-emissor e corrente nas
T2 chaves T1 e T2
vCE1 vCE1
iT1 iT1
vCE2 vCE2
iT2 iT2
(c) Tensão coletor-emissor e corrente nas chaves T3 e (d) Detalhe da tensão coletor-emissor e corrente nas
T4 chaves T3 e T4
vCE3 vCE3
iT3
iT3
vCE4 vCE4
iT4 iT4
(e) Tensão coletor-emissor e corrente nas chaves T5 e (f) Detalhe da tensão coletor-emissor e corrente nas
T6 chaves T5 e T6
vCE5 vCE5
iT5 iT5
vCE6
vCE6
iT6 iT6
Fonte: Autor.
6.2. Resultados experimentais com outros tipos de cargas 169
6.1.4 Eficiência
PS
η=
PE
(28,6 × 2,14 + 28,8 × 2,21 + 28,6 × 2,20)
η=
48 × 4,61
η = 84,86%
Eficiência calculada
86,2 % 84,86 %
Tensão de entrada 36 V
L1 , L2 e L3 85 μH
C1 , C2 e C3 100 μF
6.2.1 Carga R
Resultados de simulação
Neste caso, uma carga puramente resistiva de 18 Ω foi utilizada. As principais formas
de onda do inversor trifásico em regime permanente e as respectivas comparações com
o modelo monofásico estão apresentadas nas figuras 126, 127 e 128. Na tabela 13 estão
descritos os valores eficazes, médios e de pico-a-pico para as correntes e tensões na carga,
nos capacitores e indutores.
10
0
11.10 11.15 11.20 11.25
IL1
IL2
10
IL3
10
i (A)
i (A)
0
0
10 iL1(1 )
iL1(3 )
0 10 20 30 40 50 10
t (ms) 0 10 20 30 40 50
t (ms)
6.2. Resultados experimentais com outros tipos de cargas 171
94
100 12.25 12.50 12.75 13.00
100
80
VC1 80
60
V (V)
VC2
60
V (V)
VC3
40
40
20 vC1(1 )
20 vC1(3 )
0 10 20 30 40 50
t (ms) 0 10 20 30 40 50
t (ms)
41
40
40 VRC(1 )
20
V1 VRC(3 )
20
V (V)
0 V2 Vref
V (V)
V3 0
20
20
40
0 10 20 30 40 50 40
t (ms) 0 10 20 30 40 50
t (ms)
Como pode ser observado, os valores das correntes nos indutores e das tensões nos
capacitores para ambos os modelos são muito próximos, bem como os valores instantâneos
da tensão de fase em ambos os modelos. Os resultados apresentados comprovam que o mo-
delo monofásico pode ser utilizado com de forma adequada para avaliar o comportamento
dinâmico do inversor trifásico.
172 Capítulo 6. Resultados Experimentais
Resultados Experimentais
Os principais resultados experimentais são mostrados nas figuras 129 e 130 com
o inversor conectado, em sua saída, uma carga resistiva constante de 18Ω. Na tabela 14
estão apresentadas as comparações entre os valores eficazes e de pico-a-pico obtidos, nas
simulações do modelo monofásico e os resultados experimentais, para a tensão de fase na
carga, tensão nos capacitores e corrente nos indutores.
(a) Corrente nos indutores (25A/V). (b) Detalhe das correntes nos indutores (25A/V).
Figura 130 – Forma de onda das tensões de fase na carga e nos capacitores: Carga R.
Neste caso, uma carga RL formada por um resistor de 12 Ω em série com um indutor
de 22.1 mH, cuja impedância em 60 Hz é igual a 12 + j8.26 Ω, foi utilizada nas simulações e
resultados experimentais, apresentados nesta subseção.
Resultados de simulação
10
0
13.00 13.05 13.10 13.15 13.20
15 IL1
IL2 15
10 IL3 10
i (A)
i (A)
5
5
0
0
5 iL1 1
5 iL1 3
0 10 20 30 40 50
t (ms) 0 10 20 30 40 50
t (ms)
174 Capítulo 6. Resultados Experimentais
94
92
80 80
VC1
60 60
V (V)
V (V)
VC2
40 VC3
40
20 vC1 (1 )
20 vC1 (3 )
0 10 20 30 40 50
t (ms) 0 10 20 30 40 50
t (ms)
41
40
20.7 20.8 20.9 21.0
40
40
VRL(1 )
20 VRL(3 )
V1 20
Vref
V (V)
0 V2
V (V)
0
V3
20
20
40
40
0 10 20 30 40 50
0 10 20 30 40 50
t (ms)
t (ms)
Como pode ser observado, os valores das correntes nos indutores e das tensões
nos capacitores são muito próximos, bem como os valores instantâneos da tensão de fase
6.2. Resultados experimentais com outros tipos de cargas 175
Resultados Experimentais
Figura 134 – Forma de onda das correntes nos indutores: caso RL.
(a) Corrente nos indutores (25A/V). (b) Detalhe das correntes nos indutores (25A/V).
Figura 135 – Forma de onda das tensões de fase na carga e nos capacitores: caso RL.
6.2.3 Carga RC
Neste caso, uma carga RC formada por um resistor de 6 Ω em série com um capacitor
de 235 μF, cuja impedância em 60 Hz é igual a 6 − j11.29 Ω, foi utilizada nas simulações e
resultados experimentais apresentados nesta subseção.
Resultados de simulação
20
10
20 IL1
20
IL2
10 IL3
10
i (A)
i (A)
0
0
10
10 i L1 (1 )
20 i L1 (3 )
0 10 20 30 40 50 20
t (ms) 0 10 20 30 40 50
t (ms)
6.2. Resultados experimentais com outros tipos de cargas 177
96
95
80
80
VC1
V (V)
60
V (V)
VC2 60
VC3
40
40
vC1 (1 )
20
20 vC1 (3 )
0 10 20 30 40 50
0 10 20 30 40 50
t (ms)
t (ms)
41.0
40.5
20.7 20.8 20.9 21.0
40
40
20
V1 20
V (V)
0 V2
V (V)
0
V3
VRC(1 )
20
20 VRC(3 )
40 Vref
40
0 10 20 30 40 50
0 10 20 30 40 50
t (ms)
t (ms)
Como pode ser observado, os valores das correntes nos indutores e das tensões nos
capacitores para ambos os modelos são muito próximos, bem como os valores instantâneos
178 Capítulo 6. Resultados Experimentais
Resultados Experimentais
Figura 139 – Forma de onda das correntes nos indutores: Carga RC.
(a) Corrente nos indutores (25A/V). (b) Detalhe das correntes nos indutores (25A/V).
Figura 140 – Forma de onda das tensões de fase na carga e nos capacitores: Carga RC.
simulação, que assumiu capacitores ideais e os experimentais. Porém, estas diferenças não
anulam a aplicabilidade do modelo monofásico para representar cargas capacitivas, pois
estas não idealidades não foram introduzidas no modelo. O máximo ganho estático obtido
Cm
neste caso ( Vg
) foi de 2,64.
6.3 Conclusão
CAPÍTULO 7
Foi obtido o circuito equivalente monofásico do inversor para o caso de uma carga
trifásica equilibrada, e também seu modelo em espaço de estados, crucial para a análise
por fase do comportamento dinâmico do inversor, e para a determinação das perdas.
Foram realizadas simulações computacionais utilizando scripts na linguagem Python para a
solução dos modelos monofásico e trifásico em espaço de estados. Os resultados obtidos
comprovaram a adequação do modelo monofásico proposto, o qual foi utilizado para o
projeto dos indutores e capacitores do inversor, bem como para o cálculo das perdas. Foi
verificado que em situações quando a amplitude da tensão da saída do inversor possa
ser ajustada entre zero e seu valor nominal, a componente da tensão contínua, presente
nos capacitores de saída do inversor, torma-se proporcional à amplitude da componente
senoidal da tensão de saída. Isto minimiza as perdas nos semicondutores e nas resistências
dos fios dos indutores.
O conversor foi modelado por valores médios quase instantâneos, o que facilita a
determinação de uma regra linear de controle. Desta forma, pode-se utilizar as equações do
conversor para aplicar um controle preditivo. Pode-se inferir que o controle da tensão de
saida e da corrente no indutor, possa reduzir o THD da tensão, tornar mais rápida a resposta
a um degrau de carga, reduzir as variações parametricas e oscilações da tensão de saida.
Para a obtenção dos valores das indutâncias e capacitâncias do inversor, foi introdu-
zida uma metodologia que utiliza como base o diagrama de Bode, a qual possibilita adequar
182 Capítulo 7. Considerações e conclusões finais
Com o inversor gerando a mesma tensão nominal de linha, foram também obtidos
resultados experimentais com cargas, R, RL e RC entregando uma potência de 200W com
distorção harmônica máxima de 5% para a tensão de saída. Tais resultados se mostraram
bastante adequados quando comparados com os obtidos por simulação, o que comprova
a efetividade do modelo proposto. Devido o comportamento apresentado para cargas RL,
o inversor Buck-Boost torna-se um forte candidato para os acionamentos de motores de
indução trifásicos. Podendo ser inclusive nos casos onde se existe a possibilidade de controle
de velocidade e recuperação de energia, devido a bidirecionalidade do sentido de corrente
nas chaves do inversor.
Através das equações para o modelo de pequeno sinais, tomando como referência o
modelo monofásico, são relacionadas a corrente no indutor e tensão no capacitor com a
razão cíclica, bem como a relação entre a tensão no capacitor e a corrente no indutor. Estas
equações são de suma importância para a análise de resposta em frequência do inversor e
para o projeto de controladores quando operando em malha fechada.
tâncias do inversor;
REFERÊNCIAS
[4] A. Khaligh and Z. Li, “Battery, ultracapacitor, fuel cell, and hybrid energy storage
systems for electric, hybrid electric, fuel cell, and plug-in hybrid electric vehicles: State
of the art,” IEEE Transactions on Vehicular Technology, vol. 59, pp. 2806 – 2814, April
2010.
[5] L. Tsorng-Juu, S. Jueni-Lung, and C. Jiann-Fuh, “A novel dc/ac boost inverter,” Energy
Conversion Engineering Conference - IECEC 37th Intersociety, pp. 29–31, July 2004.
[6] E. C. dos Santos and M. Darabi, “Novel bidirectional dc-dc-ac three-phase power
converter,” in 2013 IEEE Power and Energy Conference at Illinois (PECI), pp. 169–174,
Feb 2013.
[7] O. Hegazy, J. V. Mierlo, and P. Lataire, “Design and control of bidirectional dc/ac and
dc/dc converters for plug-in hybrid electric vehicles,” in 2011 International Conference
on Power Engineering, Energy and Electrical Drives, pp. 1–7, May 2011.
[8] L. Zhu, H. Wu, T. Mu, F. Yang, and X. Ma, “An asymmetrical three-level dual-input
bidirectional dc/ac converter with improved conversion efficiency for vehicle-to-grid
application,” in 2017 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC),
pp. 2062–2067, March 2017.
[9] X. Jia, H. Wang, B. Wang, X. Guo, and X. Wang, “A novel boost four-leg converter for
electric vehicle applications,” Chinese Journal of Electrical Engineering, vol. 3, no. 1,
pp. 79–83, 2017.
186 Referências
[10] R. Caceres and I. Barbi, “A boost dc-ac converter: operation, analysis, control and
experimentation,” in Proceedings of IECON ’95 - 21st Annual Conference on IEEE
Industrial Electronics, vol. 1, pp. 546–551 vol.1, Nov 1995.
[11] R. O. Caceres and I. Barbi, “A boost dc-ac converter: analysis, design, and experimenta-
tion,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 14, pp. 134–141, Jan 1999.
[12] R. W. Erickson and D. Maksimovic, Fundamentals of Power Electronics. Springer, 2ed ed.,
2004.
[13] N. Vazquez, J. Almazan, J. Alvarez, C. Aguilar, and J. Arau, “Analysis and experimental
study of the buck, boost and buck-boost inverters,” in 30th Annual IEEE Power Electro-
nics Specialists Conference. Record. (Cat. No.99CH36321), vol. 2, pp. 801–806 vol.2,
July 1999.
[14] R. Caceres, R. Rojas, and O. Camacho, “Robust pid control of a buck-boost dc-ac conver-
ter,” in INTELEC. Twenty-Second International Telecommunications Energy Conference
(Cat. No.00CH37131), pp. 180–185, Sept 2000.
[16] P. Sanchis, A. Ursua, E. Gubia, and L. Marroyo, “Buck-boost dc-ac inverter: proposal
for a new control strategy,” in 2004 IEEE 35th Annual Power Electronics Specialists
Conference (IEEE Cat. No.04CH37551), vol. 5, pp. 3994–3998 Vol.5, June 2004.
[17] P. Sanchis, A. Ursua, E. Gubia, and L. Marroyo, “Design and experimental operation of a
control strategy for the buck-boost dc-ac inverter,” IEE Proceedings - Electric Power
Applications, vol. 152, pp. 660–668, May 2005.
[18] A. A. Gandomi, K. Varesi, and S. H. Hosseini, “Dc-ac buck and buck-boost inverters for re-
newable energy applications,” in The 6th Power Electronics, Drive Systems Technologies
Conference (PEDSTC2015), pp. 77–82, Feb 2015.
[19] E. Hofreiter and A. M. Bazzi, “Single-stage boost inverter reliability in solar photovoltaic
applications,” in 2012 IEEE Power and Energy Conference at Illinois, pp. 1–4, Feb 2012.
[21] W. D. P. Vallejos, “Standalone photovoltaic system, using a single stage boost dc/ac
power inverter controlled by a double loop control,” in 2017 IEEE PES Innovative Smart
Grid Technologies Conference - Latin America (ISGT Latin America), pp. 1–6, Sept 2017.
[25] C. Chang, C. Cheng, and H. Cheng, “An interleaved buck-cascaded buck-boost inverter
for pv grid-connection applications,” in 2018 International Power Electronics Conference
(IPEC-Niigata 2018 -ECCE Asia), pp. 2860–2865, 2018.
[28] J. . Park and U. A. Khan, “Full-bridge single-inductor based buck-boost inverters,” IEEE
Transactions on Power Electronics, pp. 1–1, 2020.
[29] A. A. Khan, H. Cha, F. Akbar, K. Kisu, and J. Lai, “Dual buck-boost inverter,” in 2017 IEEE
Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), pp. 709–716, 2017.
[30] S. S. Yadav, V. S. Chauhan, S. Murugesan, and V. Murali, “Solar powered buck boost
inverter based inverter topologies for domestic applications,” in 2018 IEEE International
Conference on Power Electronics, Drives and Energy Systems (PEDES), pp. 1–5, 2018.
[31] J. Jiang, Z. Li, and D. Chen, “A quasi single stage isolated buck-boost mode multi-input
inverter,” in 2019 10th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia
(ICPE 2019 - ECCE Asia), pp. 1–6, 2019.
[33] S. Sithara Fairooz and K. T. Haneesh Babu, “A single phase coupled inductor based buck
boost inverter,” in 2019 1st International Conference on Innovations in Information and
Communication Technology (ICIICT), pp. 1–5, 2019.
[34] C. N. M. Ho and K. K. Man Siu, “Manitoba inverter — single phase single-stage buck-
boost vsi topology,” in 2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE),
pp. 4576–4581, 2017.
[35] Fang Zheng Peng, “Z-source inverter,” IEEE Transactions on Industry Applications,
vol. 39, no. 2, pp. 504–510, 2003.
[36] Fang Zheng Peng, Miaosen Shen, and Zhaoming Qian, “Maximum boost control of the
z-source inverter,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 20, no. 4, pp. 833–838,
2005.
188 Referências
[37] Y. Tang, S. Xie, C. Zhang, and Z. Xu, “Improved z-source inverter with reduced z-
source capacitor voltage stress and soft-start capability,” IEEE Transactions on Power
Electronics, vol. 24, no. 2, pp. 409–415, 2009.
[40] C. Cecati, A. Dell’Aquila, and M. Liserre, “Analysis and control of a three-phase dc-ac
step-up converter,” IEEE, pp. 155–162, 2002.
[41] B. Koushki, H. Khalilinia, J. Ghaisari, and M. S. Nejad, “A new three-phase boost inverter:
Topology and controller,” in 2008 Canadian Conference on Electrical and Computer
Engineering, pp. 000757–000760, May 2008.
[42] P. dos Santos Garcia Giacomini, L. C. de Souza Marques, and M. Mezaroba, “Digital
sliding mode controlled three-phase boost inverter implemented in a dsc,” Revista
Eletrônica de Potência - SOBRAEP, vol. 13, pp. 155–162, Agosto 2008.
[43] T. Sürgevil, “Modeling and simulation of a boost dc/ac inverter fed induction motor
drive,” in International Aegean Conference on Electrical Machines and Power Electronics
and Electromotion, Joint Conference, pp. 567–571, Sept 2011.
[44] X. Li, Z. Yan, Y. Gao, and H. Qi, “The research of three-phase boost-buck-boost dc-ac
inverter,” Energy and Power Engineering, vol. 5, pp. 906–913, July 2013.
[46] Y. Zhang, J. Liu, Z. Dong, Y. Jia, C. Nie, S. Zhou, and Y. Liu, “Maximum boost control of
diode-assisted buck–boost voltage-source inverter with minimum switching frequency,”
IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 32, no. 2, pp. 1533–1547, 2017.
[49] E. Abdeen, M. A. Gaafar, and M. Orabi, “Performance analysis for single-stage buck-
boost inverter,” in 2019 International Conference on Innovative Trends in Computer
Engineering (ITCE), pp. 587–592, 2019.
[51] B. C. Kuo, Automatic Control Systems (6th Ed.). Upper Saddle River, NJ, USA: Prentice-
Hall, Inc., 1991.
APÊNDICES
193
APÊNDICE A1
VT
rT
iT
Fonte: Autor.
Para a determinação das perdas em cada IGBT das chaves será utilizado o valor
médio da corrente nos IGBTs, devido o IBGT ser modelado apenas por uma queda de tensão.
Para a determinação das perdas em cada diodo das chaves, deve-se calcular a perda
para se vencer a barreira de potencial, e a perda na resistência de junção, conforme modelo
apresentado na figura 141. Estes dois valores somados produzirão a perda total no referido
diodo.
Figura 142 – Formas de onda da tensão e corrente no IGBT durante a entrada em condução e corte.
IC von
tf tt
tON
tOFF
EON EOFF
Fonte: Autor.
Os diodos reais não são capazes de comutar do estado de condução para o corte
instantaneamente. Isto ocorre devido ao fato de que os portadores minoritários devem se
totalmente removidos para que o diodo consiga então realizar a comutação. Esta remoção
ocorre através da recombinação dos elétrons livres no interior do semicondutor. As perdas
por chaveamento no diodo são ocasionadas por esta razão e pela corrente de recuperação
reversa (rrm ), cujo comportamento é apresentado na figura 143.
196 Apêndice A1. Determinação das perdas
trr
ID
ta tb
VD von
Irrm
voff
EOFF
Fonte: Autor.
VD
EOFF = D × × tb
6
trr
Sendo tb = 2
, tem-se:
VD trr
EOFF = D × × (A1.10)
6 2
197
APÊNDICE A2
MODELAMENTO DO CONVERSOR
BUCK-BOOST IDEAL
T1 T2
Vg L C R
iL T1 T2 iR
iC
Vg vL L vC C VR R
• Indutor:
+ Vg − L = 0
L = Vg (A2.1)
Substituindo L por L d
dt
L
, tem-se:
dL
L = Vg
dt
dL 1
= Vg
dt L (A2.2)
• Capacitor:
C + R = 0
C = −R (A2.3)
C
Como R e C estão em paralelo, R = C . Substituindo R por R
, tem-se:
C
C = −
R (A2.4)
dC C
C =−
dt R
dC C
=− (A2.5)
dt RC
As equações diferenciais A2.2 e A2.5 representam a dinâmica do circuito na
primeira etapa de operação dando origem ao seguinte sistema:
dL
dt
= 1L Vg
dC C
(A2.6)
dt
= − RC
199
0 0 1L
A1 = B1 =
1
0 − RC 0
L
X = U = Vg
C
Ẋ = A1 X + B1 U
˙L 0 0 L 1L
= + Vg
1
˙C 0 − RC C1 0
T1 T2 iL iR
iC
Vg vL L vC C VR R
• Indutor:
L + C = 0
L = −C (A2.7)
200 Apêndice A2. Modelamento do conversor Buck-Boost ideal
Substituindo L por L d
dt
L
, tem-se:
dL
L = −C
dt
dL 1
= − C (A2.8)
dt L
• Capacitor:
C = L − R
1
C = L − C (A2.9)
R
dC C
C = L −
dt R
dC 1 1
= L − C (A2.10)
dt C RC
dL
dt
= − 1L C
dC 1 1
(A2.11)
dt
=C L − RC C
− rLL − 1L 1L 0 − 1L
A2 = B2 =
1 1
C
− RC 0 0 0
Vg
L
X= U = CE1
C
CE2
Ẋ = A2 X + B2 U
˙L 0 − 1L L 0
= + Vg
1 1
˙C C
− RC C 0
A1 DT + A2 (1 − D)T
A=
T
B1 DT + B2 (1 − D)T
B=
T
Desta forma:
T + A2 (1 − D)
A 1 D T
A=
T
A = A1 D + A2 (1 − D)
0 0 0 − 1L
A= D + (1 − D)
1 1 1
0 − RC C
− RC
0 0 0 − 1L (1 −D)
A= +
1 1 1
0 − RC D C
(1 − D) − RC (1 − D)
A11 = 0
(1 − D) (1 − D)
A12 = 0 · D − =−
L L
(1 − D) (1 − D)
A21 = 0 · D + =
C C
1 1 1 1 1 1
A22 = − D+− (1 − D) = − D− + D =−
RC RC RC RC RC RC
(1−D)
0 − L
A=
(1−D)
1
C
− RC
T + B2 (1 − D)
B 1 D T
B=
T
B = B1 D + B2 (1 − D)
1L 0
B = D + (1 − D)
0 0
1L D 0
B= +
0 0
1 1 1 1 1 1
B11 = D+ (1 − D) = D + − D =
L L L L L L
B21 =0
D
L
B=
0
Ẋ = AX + BU
(1−D)
˙L 0 −
L L
D
L
= + (A2.12)
Vg
(1−D)
1
˙C C
− RC C 0
A2.1. Ganho do Conversor 203
(1−D)
0 0 − L L D
L
= + (A2.13)
Vg
(1−D)
1
0 C
− RC C 0
C D
= (A2.14)
Vg (1 − D)
Para de determinar a razão cíclica D, basta isolar esta variável na equação A2.14
como se segue.
D
C = Vg
(1 − D)
C − C D = Vg D
D(C + Vg ) = C
C
D= (A2.15)
(C + Vg )
205
APÊNDICE A3
Os indutores utilizados no projeto foram com o núcleo de ferrite do tipo E-E conforme
apresentado na figura 147
Ac
D Aw
C A
Fonte: Autor.
Os seguintes cálculos foram baseados nas referências [12] e [59], sendo realizados
os seguintes passos:
1- Determinação do produto Ac · A
L · m · rms
Ac · A = (A3.1)
K · Bm · J
206 Apêndice A3. Projeto dos Indutores
• L1 = L2 = L3 = 85,28 μH
• m = 30 A
• rms = 11 A
• K = 0,35 (fator de preenchimento da janela A )
• Bm = 0,2 T (máxima densidade de fluxo do núcleo)
• J = = 3 A/mm2 (densidade de corrente nos condutores)
85,28 × 10−6 × 30 × 11
Ac · A =
0,35 × 0,2 × 3
Ac · A = 133571,4 mm4
L · m
N= × 106 (A3.2)
Bm · Ac
85,28 × 10−6 × 30
N=
0,2 × 266
N = 48 espiras
μ0 · N · Ac
g = (A3.3)
2·L
4π × 10−7 × 48 × 266
g =
2 · 85,28 × 10−6
g = 4,53 mm
rms
≥ (A3.4)
J
11
≥
3
≥ 3,67 mm2
Para se diminuir o efeito pelicular devido a alta frequência das correntes nos indu-
tores, foram utilizados condutores de menor bitola me paralelo. O diâmetro máximo dos
condutores em paralelo não poderá ser superior à seguinte relação:
15
dm ≤ (A3.5)
ƒ
15
dm ≤
20000
Por questões de disponibilidade, foi adotada a bitola 21 AWG para construção dos
condutores dos indutores.
208 Apêndice A3. Projeto dos Indutores
n=
1
3,67
n=
0,41
n = 8, 95 ⇒ 9 condutores em paralelo
ρ · N · MLT
r= (A3.6)
n · 1
De acordo com os dados do núcleo apresentado na figura 148, tem-se que MLT =
147 mm.
r = 32,5 × 10−3 Ω
Pr = r · rms 2
Pr = 32,5 × 10−3 × 112
Pr = 3,94 W
2- Perdas no núcleo
Com base nas informaçôes apresentadas nas figuras 148 e 149, tem-se que:
Pn = 30 × 97,7 × 2 × 10−3
Pn = 5,86 W
-0,37
Ac · C · D
ΔT = (Pr + Pn ) · 23
10000
-0,37
266 · 10 · 40
ΔT = (0,394 + 5,86) · 23
10000
ΔT = 59,98 K
211
APÊNDICE A4
vL
Vg Vg
DTs (1-D)Ts
-vC -vC
Ts Ts
iL
iLméd ΔiL
DTs (1-D)Ts
Ts Ts
Fonte: Autor.
1- Valor médio:
DTs (1−D)Ts
Z
1 ΔL ΔL
Z
Lmed = t + Lmn dt + − t + Lm dt
Ts 0 DTs 0 (1 − D)Ts
DTs (1−D)Ts
1 ΔL t2 ΔL t2
Lmed = + Lmn t + − + Lm t
Ts DTs 2 0
(1 − D)Ts 2 0
ΔL D2 Ts 2 (1 − D)2 Ts 2
1 ΔL
Lmed = + Lmn DTs − + Lm (1 − D)Ts
Ts DTs 2 (1 − D)Ts 2
1 Ts
Lmed = 2Lmn + ΔL D + 2Lmn + ΔL (1 − D)
Ts 2
1 Ts
Lmed = 2Lmn + ΔL D + 2Lmn + ΔL − 2Lmn + ΔL D
Ts 2
1 Ts
Lmed = 2Lmn + ΔL
Ts 2
ΔL
Lmed = Lmn + (A4.1)
2
213
2- Valor eficaz:
DTs 2 (1−D)Ts 2
1 ΔL ΔL
Z Z
2
L rms = t + Lmn dt + − t + Lm dt
Ts 0 DTs 0 (1 − D)Ts
DTs
ΔL 2
Z
2
1 ΔL
L rms = t +2 2
Lmn t + dt . . . L 2mn
Ts 0 D2 Ts 2 DTs
Z (1−D)Ts
ΔL 2
2
ΔL 2
+ t −2 Lm t + L m dt
0 (1 − D)2 Ts 2 (1 − D)Ts
DTs
2
1 ΔL 2 t 3 ΔL t2
L rms = +2 Lmn + L 2mn t ...
Ts D2 Ts 2 3 DTs 2 0
(1−D)Ts
ΔL 2 t3 ΔL t2
+ −2 Lm + L 2m t
(1 − D)2 Ts 2 3 (1 − D)Ts 2 0
ΔL 2 ΔL 2
2 2 2
L rms = D + ΔL Lmn D + L mn D + (1 − D) − ΔL Lm (1 − D) + L m (1 − D)
3 3
ΔL 2
2 2 2
L rms = + ΔL Lmn D + L mn D − ΔL Lm (1 − D) + L m (1 − D)
3
ΔL 2
2 2 2 2
L rms = + ΔL Lmn D + L mn D − ΔL Lm + ΔL Lm D + L m − L m D
3
ΔL 2
2
L rms = + ΔL Lmn D + L 2 mn D − ΔL (Lmn + ΔL ) + ΔL (Lmn + ΔL )D . . .
3
+(Lmn + ΔL )2 − (Lmn + ΔL )2 D
ΔL 2
2
L rms = + ΔL Lmn D + L 2 mn D − ΔL Lmn − ΔL 2 + ΔL Lmn D + ΔL 2 D . . .
3
+L 2 mn + 2Lmn ΔL + ΔL 2 − L 2 mn D − 2Lmn ΔL D − ΔL 2 D
v
t ΔL 2
u
Lrms = + ΔL Lmn + L 2 mn (A4.2)
3
ΔL
Lmn = Lmed − (A4.3)
2
v
t ΔL 2
2
ΔL ΔL
u
Lrms = + ΔL Lmed − + Lmed −
3 2 2
v
t ΔL 2 ΔL 2 ΔL ΔL 2
u
Lrms = + Lmed ΔL − + Lmed 2 − 2Lmed +
3 2 2 4
v
ΔL 2
u
t
Lrms = Lmed 2 + (A4.4)
12
Vg
ΔL = DTs (A4.5)
L
C
Substituindo-se D = (C +Vg )
e C = DC + Vp sin(ωt) na equação (A4.5), tem-se:
Vg DC + Vp sin(ωt)
ΔL = Ts (A4.6)
L (DC + Vp sin(ωt) + Vg )
215
Vg DC + Vp
ΔLm = Ts (A4.7)
L (DC + Vp + Vg )