CÉLULAS SOLARES DE SILÍCIO

PARTE 1 – Princípios e modelagem

Adnei Melges de Andrade
março de 2022

1
 Fontes primárias de energia – 2014
ENERGIA PRIMÁRIA participação
crescente
A Energia exaurível – 78% Energia renovável – 22%

Energia Energia Solar Solar Geotérmica, oceânica

nuclear fóssil direta indireta e do ambiente
4% 74% 1% 21% 0,2%

Potência Carvão Gases Hydraulic, Geotérmica e

nuclear limpos ondas oceânica
< 260 anos <220 anos sem limite sem limite sem limite
4% 25% 0,01% 6% 0,1%

Petróleo Solar FV Biomassa Bombas de calor

60 anos? sem limite sem limite sem limite
32% 0,01% 14% 0,1%

Gás Solar Eólica

Solar FV
natural térmica sem limite 2020
2
60 anos? sem limite >5% (2018)
17% 1% 3,2%
Report ISE Fraunhofer Feb, 24, 2022
 Mudanças climáticas
Embora o efeito estufa seja importante para a vida na Terra, já que sem a atmosfera, a
temperatura média no planeta seria de – 18°C, o efeito do “aprisionamento” da radiação
solar na atmosfera devido aos GEE, entre os quais o CO2 e o CH4, é o aumento da temperatura
média do planeta.

Nos últimos 22 mil anos houve um razoável equilíbrio na concentração de CO2, em torno dos
200 a 250 ppm. A partir da industrialização, de maneira abrupta, a concentração vem subindo
e chegou em 2015 a um patamar de mais de 400ppm!

Torna-se necessária a utilização de fontes de energia ambientalmente amigáveis!

Concentração C02 (ppm)

hoje

ano 3
 A energia no futuro
Em 2050 a população mundial deverá ser de cerca de 10 bilhões. Haverá necessidade de maior
quantidade de energia do que em nossos dias. Some-se o fato de que há uma crescente
consciência ambiental. O suprimento de energia futuro não poderá contar apenas com as
fontes atuais. Fortes candidatas ao suprimento são as fontes ambientalmente amigáveis. A
energia de origem hidráulica tem limites ligados aos mananciais em exploração. Outras fontes
renováveis, como solar e biomassa deverão aumentar sua contribuição.

Cresce a conscientização da importância da geração e uso da energia ambientalmente

amigável. Esse mecanismo dá impulso ao uso crescente da energia solar fotovoltaica.

A concentração de CO2 na atmosfera é dependente da decomposição da biomassa. A queima

de madeira, carvão, petróleo ou gás natural introduz CO2 na atmosfera. A madeira e o etanol
automotivo, quando queimados, não representam crescimento líquido da concentração de
CO2, porque o dióxido de carbono é absorvido durante o crescimento de novas plantas. Não é o
que acontece com a queima dos combustíveis fósseis, que foram formados a milhões de anos,
e que vem sendo queimados nos últimos dois séculos.

Observa-se o dramático aumento da concentração de CO2 que inicia no começo da

industrialização no planeta. O equilíbrio existente nos últimos milhares de anos dá vez a um
dramático aumento, passando de 200-250 ppm de CO2 para cerca de 400 ppm. A importância

4
desse aumento resulta no aumento da temperatura global devido ao “efeito estufa”.
Renováveis dominarão o mix da geracão de
potência elétrica (cenário 1,5 C) o

IRENA WORLD ENERGY TRANSITIONS OUTLOOK – Global High-Level Forum on Energy Transition, Dubai, June, 30, 2021 5
Geração de eletricidade de fontes renováveis
evolução 2019-2021

Solar FV Eólica Hidráulica Bioenergia

23% 18% 12% 17% 3% 17% 3% 10%
145 TWh 275 TWh 140 TWh 72 TWh

2019-2020 2020-2021 2019-2020. 2020-2021. 2019-2020 2020-2021 2019-2020 2020-2021

Fonte: adaptado de IEA Global Energy Review 2021 – Renewable Analysis 6

 A energia contida nos fótons
Os fótons são caracterizados tanto por um comprimento de onda, λ,
como pela energia a eles associada, E.
A energia e o comprimento de onda se relacionam: E=hc/λ.
h é a constante de Planck e c é a velocidade da luz.
Sendo h = 6,626 × 10 -34 joule·s e c = 2,998 × 108 m/s, vem:

hc = 1,99 × 10-25 joules-m.

As células solares são feitas com materiais semicondutores e estes

utilizam o eV como unidade de energia. Um elétron.volt é a quantidade
de energia necessária para elevar um elétron por um volt. A energia de
um fóton com 1 eV, equivale a 1,602 × 10-19 J.
Reescrevendo hc = (1,99 × 10-25 joules-m) × (1ev/1,602 × 10-19
joules) = 1,24 × 10-6 eV-m
Expressando as unidades em µm (as unidades dos λ), chega-se a:
hc = (1,24 × 10-6 eV-m)×(106 µm/ m)= 1,24 eV-µm. Substituindo:

E=hc/λ ou E(eV)=1,24/λ(μm)

Fótons de energia elevada têm comprimentos

de onda menores do que os de menor energia.
7
 Materiais semicondutores
Este segmento da tabela periódica mostra (em azul) os elementos semicondutores
mais utilizados em células solares. O silício é o mais comum dos elementos em células
solares. Os materiais semicondutores podem ser elementares, como o Si ou o Ge,
compostos como o arseneto de gálio – AsGa, fosfeto de índio – InP, telureto de cádmio
- CdTe, ou também ligas, como a AlxGa(1-x)As e SixGe(1-x) ou podem ser semicondutores
orgânicos e estruturas complexas, como as perovskitas.

8
 Materiais semicondutores
coeficiente de absorção
• O coeficiente de absorção é referido à espessura de material penetrada pelos
fótons até de serem absorvidos. Camadas muito finas de material semicondutor
podem ser transparentes para fótons de determinada energia.
• Materiais com maior coeficiente de absorção absorvem mais intensamente fótons
do fluxo incidente criando pares elétrons-lacunas

9
 Eficiência de células solares e
módulos FV produzidos
Eficiência dos tipos de célula solar
III-V concentração 47,1%
Si-monocristalino 26,7%
Si-multicristalino 24,4%
CIGS 23,4%
CdTe 21,0% filmes finos
Perovskitas 25,5%
Módulos produzidos em 2020 ~ 150GWp

5%
80% (era 45% em 2018)
15%

ISE, Fraunhofer, February 24

2022 Report
10
 Princípio de funcionamento das CS

• Células solares utilizam materiais que absorvem luz, colocados entre dois
eletrodos.
• O material absorvedor pode ser um semicondutor ou um corante, inorgânico ou
orgânico, podendo ser ainda monocristalino, policristalino, nanocristalino ou
amorfo.
• O papel do absorvedor é coletar a luz solar e por isso tem que apresentar
energia de separação de bandas (Eg) coincidente, no possível, com fótons do
espectro solar.
• A separação de cargas em portadores de corrente e seu transporte pode ou não
ser realizada pelo material absorvedor.
• Os eletrodos são materiais condutores com funções de trabalho diferentes,
sendo que um deles deve ser transparente à luz incidente.

11
 Princípio de funcionamento das CS
A conversão fotovoltaica
• a) a absorção de luz provoca uma transição eletrônica no material
absorvedor da célula do estado fundamental para o estado excitado;
• b) o estado excitado produz um par de portadores de carga separados, um
negativo e outro positivo;
• c) os referidos portadores movem-se em direção aos contatos elétricos da
célula, o catodo e anodo;
• d) os elétrons percorrem o circuito externo da célula onde perdem a energia
adquirida executando trabalho útil (p.ex. alimentação de uma lâmpada ou
motor).
• e) Retornando à CS, os elétrons atingem o catodo recombinando com os
portadores de carga positiva, reconduzindo o material absorvedor ao estado
fundamental.

12
 Princípio de funcionamento das CS
mecanismos

• Os mecanismos de absorção de luz e da separação de cargas dependem da estrutura

eletrônica e da morfologia do absorvedor.
• Nas células solares convencionais de semicondutores inorgânicos, como o silício ou o
arseneto de gálio (GaAs), a absorção e a separação ocorrem apenas no material absorvedor. A
energia de separação de bandas nesses semicondutores (Si: 1,1 eV; GaAs: 1,42 eV) é
suficiente para coletar cerca de 70% da radiação solar incidente.
• Os fótons absorvidos promovem os elétrons para a banda de condução e produzem,
simultaneamente, um número equivalente de lacunas na banda de valência do material
absorvedor.
• Uma vez formados, os portadores de carga são separados numa região de junção do
semicondutor, formada na interface de regiões de dopagem tipo p e n (junção p-n), ou em
junções p e n com uma camada intrínseca, tipo p-i-n.
• Na região de junção fica estabelecido um potencial elétrico interno devido às diferenças de
afinidade eletrônica de cada região. Esse potencial é intenso o suficiente para separar os
portadores em espécies individuais, elétrons e lacunas.

13
 Estrutura das CS de Si
Nas células solares de silício cristalino, a junção p-n pode ser formada por um
processo de difusão térmica em que uma camada muito fina, cerca de alguns
décimos de micrometro, de tipo-n é produzida sobre substrato tipo-p. Podem
também serem feitas células com substrato tipo-n e difusão de boro.

Representação simplificada da rede

do silício monocristalino

14
Estrutura esquemática de
junção p-n em silício

15
Corte transversal de CS de Silício

+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -

Campo elétrico

16
 Campo elétrico interno
O campo elétrico na região da junção acelera os portadores
de carga gerados pelos fótons. Portadores minoritários se
movimentam em direção à região em que são majoritários.
A região em que existe o campo é a chamada de região de
carga espacial, ou região de depleção (não há portadores
livres).
Os elétrons gerados na região-p, que chegam à região de
depleção são conduzidos à região-n. As lacunas geradas na
região-n, ao atingir a região de depleção são conduzidas à
região-p. Estes mecanismos constituem a corrente gerada.

Si-n emissor

Si-p base
17
Absorção dos fótons e geração da fotocorrente

18
 Coleção e recombinação
A maioria dos pares gerados pela absorção dos fótons
ocorre na região de base das células. Os portadores de carga
se difundem aleatoriamente até chegar à região da junção e
serem coletados.

Os portadores que recombinam sem atingir a região da

junção não contribuem para a fotocorrente. A energia é
termalizada.

19
 Limitações no processo de conversão

A ENERGIA INCIDENTE NÃO É TOTALMENTE APROVEITADA:

reflexão, energia insuficiente dos fótons (<Eg), …
20
 Contatos coletores de corrente

A corrente fotogerada na CS é coletada por contatos metálicos

depositados nas faces das regiões n e p. Há possibilidade de que a
coleção seja auxiliada por uma camada transparente e condutiva
depositada na superfície da célula. Essa camada tem o efeito de reduzir
a reflexão.

!
21
 Circuito elétrico equivalente - 1
A fonte de corrente IL representa a corrente fotogerada; o diodo D1 a
característica do diodo ideal da célula solar no escuro (que considera só
a corrente de difusão, sem recombinação) e o diodo D2 o efeito da
recombinação.

Na célula ideal, a resistência Rp, em paralelo, é infinita. Nas células reais,

devido a defeitos na junção e imperfeições cristalinas, as correntes de
fuga resultam em uma Rp finita.
A resistência em série Rs é devida aos elementos resistivos no
semicondutor, à resistência de contatos da metalização e à resistência
devida à região da camada superficial difundida, de cerca de 0,3μm. 22
 Diagrama de bandas de energia

recombinação

Base: Si dopado com boro (tipo-p) fóton

Emissor: dopagem com P (tipo-n)
- Tensão elétrica na junção p-n
- Perdas por recombinação portadores
coletados
Campo na superfície
traseira (back surface field)
P+ fortemente dopada
reduz a recombinação
Junção
Tipo-n tipo-p tipo-p+
23
 Circuito elétrico equivalente – 2
No circuito:

IL = corrente fotogerada
I1 = I01 {exp[q(V+I.Rs)/ kT]-1}
I2 = I02 {exp[q(V+I.Rs)/ 2kT]-1}
Ip = (V+I.Rs)/ Rp
Rc = resistência de carga

A corrente I nos terminais da célula pode ser escrita como:

I = IL - ID1 - ID2 – Ip

A corrente I é proporcional à intensidade da iluminação incidente e é

dividida entre os ramos paralelos D1, D2, Rp e Rs+Rc.

24
 Característica I x V das C.S.
A expressão que descreve a característica IxV da célula solar é:

I = IL - Io {exp [q(V + IRs)/ AokTc] - 1} – (V+IRs)/RP

A partir desta equação são definidos parâmetros importantes da

célula solar.

A tensão de circuito aberto (Voc) é a tensão nos terminais da célula

quando a resistência de carga é infinita. Nesta condição a fotocorrente é
dividida na condução direta dos diodos D1 e D2. Com a corrente zero,
chega-se à tensão de circuito aberto:
Ao kT ! I L $ Ao kT ! I L $
Voc = ln # +1& mas como IL>>Io , Voc = ln # &
q " Io % q " Io %
25
 Curva IxV característica de células solares
A figura mostra a tensão de circuito aberto Voc e a corrente de curto-
circuito Icc.

A potência fornecida à carga, em qualquer ponto de operação no

quarto quadrante do plano IxV, é igual à área do retângulo inscrito à
curva, como indicado na figura. O ponto de operação (Vm, Im) que
torna máxima a potência de saída (Pmax), corresponde graficamente à
maior área retangular possível de ser inscrita na curva I-V.
26
 Figuras de mérito das C.S.
O fator de preenchimento (‘Fill Factor”, FF) é um parâmetro que
descreve quantitativamente o quão “retangular” é a curva I-V.
Quanto mais “retangular”, maior será a potência de saída (Pmax),
para um dado Icc e Voc. Vm I m Pmax
FF = =
Voc I cc Voc Icc
A eficiência (h) de conversão de energia solar em elétrica é definida
como:
Pmax Voc Icc FF
η= =
Pin A Pin A
Pin é a potência total incidente por unidade de área (mW/ cm2) e A é a
área da célula (cm2).

27
Efeito da resistência em série (Rs) na característica IxV

28
Efeito da resistência em paralelo (Rp) na característica IxV

29
Efeito da irradiância na característica IxV

30
Efeito da temperatura na característica IxV

31
 Referências

1 – D.A. Horazak and J.S. Brushwood, “Renewables prospect in today’s conventional power generation
market, Renewable Energy World, Vol. 2, No. 4, July, 1999, p.36, apud www.pveducation.org - Solar
Cells
2 – K. Mertens, “Photovoltaics, fundamentals, technology and practice”, 2014, Wiley, UK.
3 – PV education, http://www.pveducation.org/pvcdrom/manufacturing/first-photovoltaic-devices

• O material aqui exposto tem origem em textos próprios, fotografias tomadas nos locais de produção
de silício grau metalúrgico e em pesquisa na web.

32
 Apêndice

Introdução aos Materiais

Semicondutores

33
 Estrutura atômica - Modelo de Bohr

O modelo para o átomo de hidrogênio é tratado com a matemática

dos sistemas planetários

O elétron do átomo de hidrogênio pode ocupar diferentes órbitas e

pode ser excitado para uma órbita externa se receber energia.
No retorno para órbitas menores (internas) a diferença de energia
corresponde à emissão de um fóton:

hν=E3 –E2

34
Emissão de luz em raias ( hn) discretas de uma ampola
contendo hidrogênio excitado eletricamente

35
No modelo de Bohr os elétrons podem estar em algumas
órbitas estáveis em torno do núcleo. Nesse modelo o
elétron orbitando não dá origem a radiação como prevê a
teoria eletromagnética clássica, já que não seria estável na
órbita mas teria um movimento espiralado, caindo em
direção ao núcleo devido à perda de energia por radiação.
No modelo de Bohr o elétron pode se deslocar de uma
órbita de maior ou menor energia, ganhando ou perdendo
energia igual à diferença entre os níveis de energia
(absorvendo ou emitindo fótons de energia hn). 36
 O momento angular pq do elétron em uma
órbita é sempre um múltiplo inteiro da
constante de Planck dividida por 2p (h/2p é
chamada de ћ). Isto significa que:
pq = nћ, com n= 1, 2, 3, 4 . . .

37
Forças de ligação e bandas de energia nos sólidos
Os elétrons nos átomos são restritos a níveis discretos de energia. Existem
grandes hiatos (“gaps”) na escala de energia nos quais não há estados
energéticos disponíveis para os elétrons.

Analogamente, nos sólidos os elétrons ficam restritos a certos valores de

energia e não ocorrem em outras energias.

A diferença entre o caso de elétrons em átomos isolados com elétrons em

um sólido é que nestes, os elétrons podem ficar em bandas ou faixas de
energia disponíveis. Isso acontece devido ao fato de que em um sólido, as
funções de onda dos elétrons em átomos vizinhos se superpõem e um
elétron não pertence, necessariamente, a um átomo em particular.
38
 Forças de ligação e bandas de energia nos
sólidos

Um elétron em uma órbita exterior de átomos sente a influência de

elétrons vizinhos.

A influência dos átomos vizinhos em níveis de energia de um átomo

particular resulta em perturbações que originam deslocamentos e
separações de estados de energia em bandas.

39
 Forças de ligação

A interação de elétrons com os átomos vizinhos tem a função de manter

junto o cristal. Por exemplo, o NaCl tem uma ligação iônica, Na rede do NaCl
cada átomo de sódio é circundado por seis átomos vizinhos de cloro e vice-
versa. O íon Na+ tem uma carga líquida positiva e o íon Cl- tem uma carga
líquida negativa pois ganhou um elétron. Cada íon Na+ exerce uma força
eletrostática nos seus seis vizinhos Cl- e vice-versa. As forças coulombianas
puxam a rede e um equilíbrio é alcançado com forças repulsivas. Na
estrutura do NaCl, todos os elétrons ficam fortemente presos a seus átomos.
Com as trocas de elétrons para formar os íons Na+ e Cl- feitas, as órbitas
externas ficam preenchidas. No cristal de NaCl, não há elétrons fracamente
ligados, disponíveis para participar de um fluxo de corrente. Todos os
elétrons estão ligados a átomos; como resultado, o NaCl cristalino é um bom
isolante.
(O NaCl em diluição aquosa é outra história!) 40
 Forças de ligação em metais

Nos metais a camada externa de elétrons é apenas parcialmente

preenchida, usualmente por não mais que três elétrons. Já vimos que
nos metais alcalinos (ex. o Na), só há um elétron na camada externa.
Este elétron é fracamente ligado e dá origem à formação de um íon.
Esta é a origem da forte atividade química dos metais alcalinos e,
também, de sua grande condutividade. No metal, a camada externa de
cada átomo de álcali contribui para o cristal como um todo, de modo
que o sólido é constituído de íons com “caroços” internos imersos em
um “mar” de elétrons livres. As forças que mantém a rede vêm da
interação dos “caroços” positivos com os elétrons livres que os
circundam. Este é um tipo de ligação metálica.

41
 Forças de ligação – ligações covalentes
Apesar de suas diferenças, os metais têm em comum o fato que os
elétrons podem se mover na estrutura sob a influência de campos
elétricos.

Um terceiro tipo de ligação é aquele exibido pelos semicondutores

com rede tipo diamante. Cada átomo no silício, germânio ou carbono é
circundado por quatro vizinhos, cada qual com quatro elétrons na
órbita exterior. Nestes cristais cada átomo partilha seus elétrons de
valência com seus quatro vizinhos.

As forças de ligação vêm da interação entre os elétrons partilhados.

Esta ligação tem o nome de ligação covalente. É irrelevante perguntar
a qual átomo pertence um particular elétron.

42
 Forças de ligação
No cristal de silício, as ligações entre átomos são do tipo covalente:

Elétrons compartilhados
Como no caso dos cristais iônicos, não há elétrons disponíveis para a
condução elétrica. Por esse arrazoado, o Si e o Ge seriam isolantes.
Esta suposição é feita pensando em uma temperatura de 0 K. Acima de
0 K os elétrons podem ser termicamente excitados e podem participar
do processo de condução. 43
 Bandas de Energia - 1
Quando átomos estão próximos em um sólido, várias interações
ocorrem entre os átomos vizinhos. As forças de interação e repulsão
entre átomos se equilibram para formar um cristal com espaçamento
interatômico adequado.
Ocorrem mudanças importantes nas configurações dos níveis de
energia dos elétrons . Tais mudanças são responsáveis pelas
propriedades elétricas dos sólidos.
O princípio de exclusão de Pauli torna-se importante quando os
átomos se aproximam, como ocorre num cristal. Átomos isolados
podem ter estruturas eletrônicas idênticas. O princípio de exclusão
impõe que dois elétrons em um sistema que interage não podem estar
em um mesmo estado quântico. Daí que deve haver uma separação
dos níveis de energia discretos dos átomos isolados em novos níveis
que pertencem ao par e não a átomos individuais.

44
 Bandas de Energia – 2
Num sólido os átomos estão muito próximos, de modo que a
separação de níveis de energia resulta em bandas contínuas de
energia. A figura mostra a formação imaginária de um cristal de
diamante a partir de átomos de carbono isolados.

três estados-p
Banda de
condução
um estado-n

Banda de
valência
três estados-p
um estado-n

Constante de rede Distância dos átomos a

do diamante
45
 Bandas de Energia – 3
Cada átomo isolado de carbono tem uma estrutura eletrônica 1s2 2s2
2p2 no estado fundamental. Cada átomo tem dois estados 1s, dois
estados 2s e seis estados 2p disponíveis. Se considerarmos N átomos,
haverá 2N, 2N e 6N estados dos tipos 1s, 2s e 2p, respectivamente.

Quando o espaçamento entre os átomos diminui, os níveis de energia

se separam em bandas, começando com a camada externa (n=2).
Quando as bandas “2s” e “2p” crescem, elas se fundem em uma banda
única composta de uma mistura dos níveis de energia.

46
 Bandas de Energia – 4
A banda de níveis “2s-2p” contém 8N estados disponíveis.

À medida que a distância entre os átomos se aproxima do equilíbrio de

espaçamento interatômico do diamante, a banda se separa em duas
com um hiato de energias Eg. A banda superior é chamada de banda
de condução e banda inferior é chamada de banda de valência, com
4N estados cada. Assim, excetuando os níveis “1s”, fortemente ligados,
o cristal de diamante tem duas bandas de níveis de energia disponíveis
separadas por um hiato de energia de valor Eg, que não contém níveis
de energia permitidos para elétrons. Esta é a chamada “banda
proibida” em que, num cristal perfeito, não há estados de energia para
elétrons. 47
 Metais, isolantes e semicondutores - 1

Cada sólido tem sua própria estrutura de energia de bandas. Isto faz
com que haja uma grande variedade de características elétricas. A
estrutura do diamante permite entender porque sua rede o torna um
bom isolante. Para chegar a tal conclusão, deve se considerar as
propriedades de bandas completamente cheias e bandas
completamente vazias nos processos de condução elétrica.

Para que elétrons possam se mover sob ação de um campo elétrico é

necessário que haja estados vazios disponíveis. A zero K, a estrutura
de um cristal, como o diamante, apresenta a banda de valência
completamente cheia e a banda de condução vazia. Não há transporte
de cargas pois não há estados disponíveis na banda de valência e a
banda de condução está vazia. Não há condução, o carbono
cristalizado como diamante tem a alta resistividade típica dos
isolantes.
48
 Metais, isolantes e semicondutores – 2
A zero kelvin os semicondutores têm a mesma estrutura dos
isolantes; uma banda de valência cheia e uma banda de
condução vazia separadas por uma banda proibida, muito menor
nos semicondutores do que nos isolantes. Por exemplo, o Si tem
Eg = 1,12 eV e o diamante tem o Eg= 5,0 eV.
Os Eg relativamente pequenos dos semicondutores permitem a
excitação de elétrons da banda mais baixa (valência) para uma
mais alta, a de condução. Isso pode acontecer por meios
térmicos ou pela absorção de um fóton.
49
 Metais, isolantes e semicondutores – 3
Num metal as bandas ou se superpõe ou ficam parcialmente
preenchidas. Elétrons e estados vazios de energia ficam misturados
dentro das bandas de modo que possam se mover sob ação de campos
elétricos. Por essa razão os metais apresentam elevada condutividade.
Energia dos elétrons

banda de condução

banda de valência
superposição

Metal Semicondutor Isolante

50
 Portadores de carga em semicondutores

No caso dos metais é fácil visualizar o mecanismo de condução; os

átomos do metal ficam “mergulhados” em um mar de elétrons que se
movem facilmente sob ação de campos elétricos.
Nos semicondutores, entretanto, a 0 K a banda de valência está cheia e
a banda condução está vazia. A excitação térmica, porém, promove, devido
aos valores modestos da energia da banda proibida, elétrons da banda de
valência para a banda de condução quando a temperatura é aumentada.
Além disso, os estados que são deixados vazios na banda de valência
também contribuem para a condução.
A introdução de dopantes tem um efeito importante na estrutura de
bandas e na disponibilidade de portadores de carga. Há bastante
flexibilidade no controle das propriedades elétricas dos semicondutores.
51
 Elétrons e lacunas
À medida que a temperatura aumenta de 0 K, elétrons da banda
de valência recebem suficiente energia térmica para serem excitados
através da banda proibida para a banda de condução. O resultado é
que alguns elétrons passam a ocupar a antes vazia banda de condução
e surgem estados vazios na banda de valência. Estes estados vazios são
as lacunas, com carga positiva, também sensíveis ao campo elétrico.
O processo de excitação energética cria pares de portadores de carga.

Banda de condução

Banda proibida

Banda de valência

52
 Semicondutores intrínsecos e dopados - 1
Semicondutor intrínseco é o nome dado a um cristal sem impurezas ou
defeitos de rede. Tal estrutura cristalina não exibe condução à 0 K. À
medida em que a temperatura é elevada, pares elétron-lacuna são
criados e a condutividade aumenta. No material intrínseco, os pares
gerados termicamente são os únicos portadores de carga. O número
de pares formados é de ni = 1,45 x 1010 /cm3 à temperatura ambiente e
n = p = ni. Se considerarmos que o silício tem 5 x 22 at/cm3, vemos que
o material é bastante resistivo. “n” é a notação de elétrons, “p” é a
notação de lacunas e “ni” é o número de pares termicamente criados .
Energia dos elétrons

Ec - banda de condução
Eg banda proibida ED nível doador EA nível aceitador
Ev - banda de valência

Semicondutor Semicondutor Semicondutor

intrínseco dopado tipo-n dopado tipo-p 53
 Semicondutores intrínsecos e dopados - 2
Os semicondutores podem ser dopados (extrínsecos) pela introdução
intencional de dopantes, que permite modificar a condutividade dos
semicondutores. Sendo dopado, o cristal pode conduzir predominantemente
por elétrons ou predominantemente por lacunas.
O processo de dopagem introduz níveis adicionais de energia na
estrutura de bandas do semicondutor, usualmente dentro da banda proibida.
No caso do silício, da coluna IV da tabela periódica, os dopantes são átomos
das colunas III (Al, B) ou V (P, As, Sb).
Os níveis energéticos introduzidos ficam próximos das bandas de
valência ou de condução, mesmo em temperaturas relativamente baixas,
implicando que todos os átomos de dopante estejam ionizados, com a
correspondente contribuição de portadores.

54
 Semicondutores extrínsecos
Cristais tipo-p ou tipo-n são produzidos quando dopados com átomos de
dopantes aceitadores (valência 3) ou doadores (valência 5). À temperatura
pouco acima do 0 K, os átomos dopantes já estão ionizados (~ 25 meV).

0K >0K

Dopagem com doadores 55