INSTITUTO MILITAR DE ENGENHARIA

VIVIENNE DENISE FALCO

FABRICAO DE CLULAS SOLARES DE CdS/CdTe




Dissertao de Mestrado apresentada ao Curso de
Mestrado em Cincia dos Materiais do Instituto
Militar de Engenharia, como requisito parcial para a
obteno do ttulo de Mestre em Cincias em
Cincia dos Materiais.

Orientao: Prof. Leila Rosa de Oliveira Cruz - D. C
Co-orientao: Prof. Carlos Luiz Ferreira - D. C.






t
Rio de Janeiro
2005
2
c2005

INSTITUTO MILITAR DE ENGENHARIA
Praa General Tibrcio, 80 Praia Vermelha.
Rio de Janeiro RJ CEP: 22290-270

Este exemplar de propriedade do Instituto Militar de Engenharia, que poder
inclu-lo em base de dados, armazenar em computador, microfilmar ou adotar
qualquer forma de arquivamento.

permitida a meno, reproduo parcial ou integral e a transmisso entre
bibliotecas deste trabalho, sem modificao de seu texto, em qualquer meio que
esteja ou venha a ser fixado, para pesquisa acadmica, comentrios e citaes,
desde que sem finalidade comercial e que seja feita a referncia bibliogrfica
completa.

Os conceitos expressos neste trabalho so de responsabilidade do autor e do
orientador.
















620.11846 Falco, Vivienne Denise.
F 178 f Fabricao de clulas solares de
CdS/CdTe / Vivienne Denise Falco. Rio de
Janeiro:Instituto Militar de Engenharia, 2005.
120 f. : il., tab.

Dissertao (mestrado) Instituto Militar
de Engenharia Rio de Janeiro, 2005.

1.Compostos qumicos. 2. Filmes finos -
CdS/CdTe. 3.Clulas Solares. I. Ttulo. II.
Instituto Militar de Engenharia.

CDD 620.11846
3
INSTITUTO MILITAR DE ENGENHARIA

VIVIENNE DENISE FALCO

FABRICAO DE CLULAS SOLARES DE CdS/CdTe

Dissertao de Mestrado apresentada ao Curso de Mestrado em Cincia dos
Materiais do Instituto Militar de Engenharia, como requisito parcial para a obteno
do ttulo de Mestre em Cincias em Cincia dos Materiais.
Orientadora: Leila Rosa de Oliveira Cruz - D. C.
Co-orientador: Carlos Luiz Ferreira - D. C.

Aprovada em 28 de fevereiro de 2005 pela seguinte Banca Examinadora:

_______________________________________________________________
Prof. Leila Rosa de Oliveira Cruz - D. C. do IME - Presidente

_______________________________________________________________
Prof. Carlos Luiz Ferreira - D. C. do IME

_______________________________________________________________
Prof. Jos Roberto Tavares Branco - Ph. D. do CETEC/MG

_______________________________________________________________
Prof. Ronaldo Srgio de Biasi - Ph. D. do IME





Rio de Janeiro
2005
4





















A Deus e minha famlia.










5
AGRADECIMENTOS

A Deus e a meus pais, em especial minha me Marlene Margarida Falco, a
quem tudo devo.
Prof. Leila Rosa de Oliveira Cruz pela orientao, ateno e apoio
imprescindveis.
Ao Prof. Carlos Luiz Ferreira pela co-orientao e ateno.
Ao Prof. Jos Luiz Aarestrup Alves, da Universidade Federal de So Joo del
Rei, responsvel por minha Iniciao Cientfica, com quem aprendi a gostar de
pesquisa, pela confiana e apoio e ao amigo Luiz Cludio de Carvalho pelo apoio e
amizade.
equipe do Laboratrio de Filmes Finos: pesquisadores Irani Guedes Mattoso,
Rosangela Maia Pinto Alves e em especial ao Capito Wagner, pela amizade,
ateno e colaborao.
A todos os professores e tcnicos, em especial aos funcionrios Joel e Carlos
Roberto, ao Capito Veltri e Elosa da Seo de Engenharia Mecnica e de
Materiais-SE/4, que contriburam para a realizao deste trabalho.
Ao Exrcito Brasileiro, atravs do Instituto Militar de Engenharia, que possibilitou
a realizao deste curso e as condies necessrias para execuo deste trabalho.
Ao CENPES/PETROBRS e ao Conselho Nacional de Desenvolvimento,
Cientfico e Tecnolgico (CNPq) pelo suporte financeiro.
Ao Engenheiro Ricardo Silva Aderne, do Ncleo de Catlise
(NUCAT/PEQ/COPPE/UFRJ), pelas caracterizaes pticas.
Ao Prof. Rodrigo Prioli, da Pontifcia Universidade Catlica do Rio de Janeiro
(PUC-RJ), pelas medidas de espessura dos filmes.
Aos pesquisadores Dr. Ramesh Dhere e Dr. Hlio Moutinho, do National
Renewable Energy Laboratory, pelas sugestes durante a fabricao das clulas,
pela caracterizao eltrica das mesmas e pelas anlises de microscopia de fora
atmica.
Ao Prof. Bernardo Ruegger Almeida Neves e sempre amiga Elisngela Silva
Pinto, ambos do Laboratrio de Nanoscopia da UFMG, pelas anlises de
microscopia de fora atmica.
6
Aos pesquisadores Alexandre Mello e Jos Thadeu P. Dantas Cavalcante do
Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas pela digitalizao dos dados de
caracterizao eltrica.
A toda minha famlia, em especial a Manoel, pelo carinho, apoio e compreenso
durante esta etapa to importante.
sempre amiga, de todas as horas, Cludia, por todos os momentos
compartilhados, pelo apoio e amizade incondicionais.
Aos amigos que aqui fiz: Cristiane, Fernando e Alberto pelos momentos que
juntos passamos, pelo carinho e amizade. Vocs foram verdadeiros presentes!
Aos colegas de turma Valter, Rodrigo, Marcelo, Renata, Luciano, Izabella,
Sheyla e Tenente Borges; aos colegas de curso Fernandinho, Fabiano, Vivian,
Paulo, Alisson, Diegles, Douglas, Marcos, Capito Souza Lima, Capito Ricardo,
Capito Naylor e aos amigos e companheiros de moradia Elaine, Solange, Gleicy,
Christian, Itamar e Tibrio por tudo que juntos passamos.













7































No, no pares! graa divina comear bem.
Graa maior persistir na caminhada certa, manter
o ritmo... Mas a graa das graas no desistir,
podendo ou no, embora aos pedaos chegar at
o fim!
DOM HELDER CMARA

8
SUMRIO


LISTA DE ILUSTRAES ....................................................................................... 12
LISTA DE TABELAS ................................................................................................ 16
LISTA DE ABREVIATURAS E SMBOLOS.............................................................. 17
LISTA DE SIGLAS.................................................................................................... 20

1 INTRODUO............................................................................................. 23

1.1 Posicionamento do Trabalho........................................................................ 23
1.2 Objetivo ........................................................................................................ 25

2 REVISO BIBLIOGRFICA........................................................................ 26

2.1 Breve Histrico da Tecnologia de Clulas Solares....................................... 26
2.2 Clulas Solares ............................................................................................ 27
2.3 Tipos de Clulas Solares.............................................................................. 29
2.4 Parmetros de Uma Clula Solar ................................................................. 32
2.5 A Clula CdS/CdTe ...................................................................................... 35
2.6 Fabricao de Clulas Solares de CdS/CdTe de Alta Eficincia.................. 40
2.6.1 Detalhes Importantes Quanto ao Projeto do Dispositivo .............................. 40
2.6.2 Tecnologia de Deposio: A Tcnica de Sublimao Em Espao
Reduzido.......................................................................................................... 41
9
2.6.3 Procedimento de Fabricao........................................................................ 44
2.6.3.1 Preparao do Substrato.............................................................................. 45
2.6.3.2 Obteno do Contato Frontal ....................................................................... 45
2.6.3.3 Deposio da Camada de CdS .................................................................... 48
2.6.3.4 Deposio da Camada de CdTe Por CSS.................................................... 50
2.6.3.5 Tratamento Trmico Qumico....................................................................... 53
2.6.3.6 Ataque Qumico Pr-Contato........................................................................ 56
2.6.3.7 Formao do Contato Traseiro..................................................................... 58
2.6.3.8 Finalizao do Contato Traseiro................................................................... 60

3 MATERIAIS E MTODOS ........................................................................... 61

3.1 Procedimento para Fabricao da Clula Solar de CdS/CdTe..................... 61
3.1.1 Preparao do Substrato.............................................................................. 62
3.1.2 Deposio do Camada de ITO..................................................................... 63
3.1.3 Deposio da Camada de CdS .................................................................... 64
3.1.4 Deposio da Camada de CdTe .................................................................. 67
3.1.5 Tratamento Trmico-Qumico....................................................................... 70
3.1.6 Ataque Pr-Contato...................................................................................... 71
3.1.7 Deposio do Contato Traseiro.................................................................... 71
3.2 Caracterizao dos Filmes Obtidos.............................................................. 73
3.2.1 Medidas de Espessura ................................................................................. 74
10
3.2.2 Anlise da Composio, Morfologia e da Microestrutura.............................. 74
3.2.3 Difrao de Raios X...................................................................................... 75
3.2..4 Caracterizao Eltrica................................................................................. 75
3.2.5 Caracterizao ptica .................................................................................. 78
3.2.6 Obteno dos Parmetros da Clula............................................................ 79

4 RESULTADOS............................................................................................. 81

4.1 Caracterizao das Camadas Individuais..................................................... 81
4.1.1 Camada de TCO .......................................................................................... 81
4.1.1.1 Espessura..................................................................................................... 81
4.1.1.2 Transmitncia ptica.................................................................................... 82
4.1.1.3 Caracterizao Eltrica................................................................................. 82
4.1.2 Camada de CdS........................................................................................... 83
4.1.2.1 Espessura..................................................................................................... 83
4.1.2.2 Transmitncia e Refletncia ......................................................................... 84
4.1.2.3 Morfologia..................................................................................................... 87
4.1.3 Camada de CdTe ......................................................................................... 89
4.1.3.1 Espessura..................................................................................................... 89
4.1.3.2 Morfologia..................................................................................................... 89
4.1.3.3 Composio.................................................................................................. 90
4.1.3.4 Transmitncia e Refletncia ......................................................................... 90
11
4.1.3.5 Efeito do Tratamento Trmico-Qumico com Cdcl
2
na Camada de CdTe..... 93
4.1.4 Efeito do Oxignio na Camada de CdTe ..................................................... 94
4.2 Caracterizao das Clulas Solares............................................................. 99
4.2.1 Parmetros Fotovoltaicos Medidos no IME.................................................. 99
4.2.2 Parmetros Fotovoltaicos Medidos no NREL..............................................105

5 DISCUSSO DOS RESULTADOS.............................................................107

6 CONCLUSES ...........................................................................................112

7 SUGESTES PARA TRABALHOS FUTUROS .........................................114

8 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS...........................................................115

12
LISTA DE ILUSTRAES



FIG. 2.1 Esquema bsico de uma clula fotovoltaica, mostrando o movimento dos
eltrons na juno. ............................................................................................. 28

FIG. 2.2 Circuito equivalente de uma clula solar. O diodo representa a clula solar
(juno p-n) no iluminada (SHAH et al, 1999).................................................... 32

FIG. 2.3 Curva densidade de corrente (J) em funo da tenso (V) para uma clula
solar no escuro e sob iluminao (SHAH et al, 1999). ......................................... 33

FIG. 2.4 Montagem experimental para obteno da curva I x V (adaptado de SMESTED
et al, 1998).......................................................................................................... 35

FIG. 2.5 Esquema de uma clula solar de CdS/CdTe (SEMICONDUCTORS AND
ELECTROCERAMICS, UNIVERSITY OF DURHAM, 2003). ............................................. 36

FIG. 2.6 Estrutura de bandas de energia do semicondutor CdTe mostrando a
transio de banda proibida direta (FALCO et al, 2002)................................ 39

FIG. 2.7 (a) Esquema da cmara de deposio de CSS do Laboratrio de
Filmes Finos do IME. (b) Local onde a deposio ocorre
(PINHEIRO, 2004) ................................................................................................. 43

FIG. 2.8 Curva I x V de duas clulas solares diferentes mostrando o rollover devido
presena de barreira Schottky no contato (Adaptada de POTLOG et al,
2003). ................................................................................................................. 59

FIG. 3.1 Esquema do dispositivo fabricado................................................................ 62

FIG. 3.2 Equipamento para deposio por pulverizao catdica assistida por campo
magntico constante do Laboratrio de Filmes Finos do IME. ........................... 63

13
FIG. 3.3 Aparato experimental montado no Laboratrio de Filmes Finos do IME para
deposio de filmes de CdS por CBD (a) esquema e (b) foto durante
deposio. .......................................................................................................... 67

FIG. 3.4 Fonte de CdTe preparada com pasta de CdTe e propilenoglicol aps
secagem. ............................................................................................................ 69

FIG. 3.5 Sistema CSS do Laboratrio de Filmes Finos do IME. ................................ 69

FIG 3.6 Blocos de grafite da fonte e do substrato, juntamente com os espaadores de
quartzo, na configurao pronta para recozimento. ........................................... 71

FIG. 3.7 Interior da cmara do sistema de deposio EDWARDS 19A. .................... 72

FIG. 3.8 Arranjo para medidas eltricas mostrando as permutaes entre os
contatos. ............................................................................................................. 76

FIG. 3.9 Formas tpicas de geometria para medidas eltricas usando o mtodo de van
der Pauw. ........................................................................................................... 77

FIG. 3.10 Montagem experimental para obteno da curva I x V. ............................. 80


FIG. 3.11 Curva potncia x tenso para obteno da potencia mxima.................... 80

FIG. 4.1 Espectro de transmitncia dos filmes de ITO (0,32 m) e SnO
2
:F/SnO
2

depositados sobre borossilicato. ........................................................................ 82

FIG. 4.2 Espectro de transmitncia dos filmes de CdS de uma camada depositados
sobre vidro/ITO(0,32 m) e sobre vidro/SnO
2
:F/SnO
2
........................................ 84

FIG. 4.3 Espectro de transmitncia dos filmes de CdS depositados sobre
vidro/ITO(0,32 m) com uma, duas e trs camadas........................................... 85

FIG. 4.4 Espectro de refletncia do filme de CdS com trs camadas (0,29 m)........ 86

FIG. 4.5 Coeficiente de absoro do filme de CdS com trs camadas (0,29 m)...... 86

FIG. 4.6 Energia da banda proibida do filme de CdS com trs camadas (0,29 m). . 87
14
FIG. 4.7 Imagem obtida no MFA da superfcie do filme de CdS com (a) uma camada
(0,09 m) e (b) trs camadas (0,29 m). ............................................................ 88

FIG. 4.8 Imagem obtida no MFA da superfcie do filme de CdTe depositado sobre
vidro/ITO/CdS sendo P= 1 Torr de Ar, T
fo
= 750C, T
sub
= 560C e
t
dep
= 10 min. ....................................................................................................... 90

FIG. 4.9 Espectro de transmitncia do filme de CdTe................................................ 91

FIG. 4.10 Espectro de refletncia do filme de CdTe. ................................................. 92

FIG. 4.11 Coeficiente de absoro do filme de CdTe. ............................................... 92

FIG. 4.12 Energia da banda proibida do filme de CdTe. ............................................ 93

FIG. 4.13 Imagens obtidas no MFA da superfcie de filmes de CdTe depositados com
P = 1 Torr de Ar puro, T
fo
= 750C, T
sub
= 560C: (a) como depositado e (b) aps
tratamento trmico-qumico em presena de CdCl
2
. .......................................... 94

FIG. 4.14 Micrografias obtidas no MEV de filmes de CdTe depositados com
T
fo
= 750
o
C, T
sub
= 600
o
C e P
mist
= 10 Torr: (a) 0% O
2
e (b) 10% O
2
. .................. 96

FIG. 4.15 Imagem obtida no MFA dos filmes de CdTe depositados com T
fo
= 750C,
T
sub
= 600C, P
mist
= 10 Torr e com diferentes percentuais de O
2
na mistura: (a)
0%; (b) 10% e (c) 20%........................................................................................ 97

FIG. 4.16 Espectro de difrao de raios X de filmes de CdTe depositados com
P
mis t
= 10 Torr, T
fo
= 750C e T
sub
= 600
o
C, com diferentes percentuais de O
2
. .. 98

FIG. 4.17 Curva I x V de uma clula vidro/ITO (0,70 m)/CdS/CdTe/Au. ..................100

FIG. 4.18 Curva I x V de uma clula vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au. ..................100

FIG. 4.19 Curva I x V de uma clula vidro/ITO(0,32 m)/CdS/CdTe/Au sem tratamento
trmico-qumico com CdCl
2
e sem ataque qumico NP pr-contato sendo a
camada de CdTe depositada em atmosfera inerte. ...........................................103

15
FIG. 4.20 Curva I x V de uma clula vidro/ITO(0,32 m)/CdS/CdTe/Au submetida ao
tratamento trmico-qumico com CdCl
2
e ao ataque qumico NP pr-contato
sendo a camada de CdTe depositada em atmosfera inerte. .............................103

FIG. 4.21 Curva I x V de uma clula vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au submetida ao
tratamento trmico-qumico com CdCl
2
e ao ataque qumico NP pr-contato
sendo a camada de CdTe depositada em atmosfera inerte. .............................104

FIG. 4.22 Curva I x V de uma clula vidro/ITO(0,32 m)/CdS/CdTe/Au submetida ao
tratamento trmico-qumico com CdCl
2
e ao ataque qumico NP pr-contato
sendo a camada de CdTe depositada em atmosfera contendo oxignio. .........104

16
LISTA DE TABELAS



TAB. 3.1 Concentrao, volume e funo das solues constituintes do banho
qumico para deposio do filme de CdS. .......................................................... 66

TAB. 4.1 Resistncia superficial dos filme de ITO depositados temperatura
ambiente, potncia de 40 W e presso de 3,8.10
-3
Torr, com diferentes
espessuras. ........................................................................................................ 83

TAB. 4.2 Espessura da camada de CdS.................................................................... 83

TAB. 4.3 Rugosidade e tamanho de gro dos filmes de CdS depositados sobre
vidro/ITO(3226 ). .............................................................................................. 88

TAB. 4.4 Composio do filme de CdTe depositado sobre vidro/ITO/CdS sendo
P= 1 Torr de Ar, T
fo
= 750C, T
sub
= 560C e t
dep
= 10 min. ................................. 90

TAB. 4.5 Taxa de deposio de filmes de CdTe depositados com P
mist
= 10 Torr,
T
fo
= 750C e T
sub
= 600C em funo do percentual de oxignio....................... 96

TAB. 4.6 Anlise composicional por EDS de filmes de CdTe depositados com
P
mist
=10 Torr,T
fo
= 750C e T
sub
= 600C, com diferentes percentuais de O
2
. .... 96

TAB. 4.7 Parmetros fotovoltaicos do primeiro conjunto de clulas fabricadas. .......101

TAB. 4.8 Parmetros fotovoltaicos do segundo conjunto de clulas fabricadas. ......105

TAB. 4.9 Comparao dos parmetros fotovoltaicos medidos no IME no NREL......106



17
LISTA DE ABREVIATURAS E SMBOLOS



ABREVIATURAS

AM Massa de ar
APCSS Sublimao em Espao Reduzido Presso Atmosfrica
APCVD Deposio Qumica a Vapor Presso Atmosfrica
BM Soluo de Bromo Metanol
CBD Deposio por Banho Qumico
CIGS Disseleneto de Cobre ndio Glio
CIS Disseleneto de Cobre ndio
CSS Sublimao em Espao Reduzido
CTO Estanato de Cdmio
DK Soluo de Dicromato de Potssio
EDS Espectroscopia de Energia Dispersiva
HT Alta Temperatura de Substrato
IT Temperatura de Substrato Intermediria
ITO xido de ndio-estanho
LPCVD Deposio Qumica a Vapor em Baixas Presses
LT Baixa Temperatura de Substrato
MEV Microscpio Eletrnico de Varredura
MFA Microscpio de Fora Atmica
MOCVD Deposio Qumica a Vapor por Organometlicos
NP Soluo de cido Ntrico e Fosfrico
TCO xido Transparente Condutivo
ZTO Estanato de Zinco


18
SMBOLOS

coeficiente de absoro
A fator de qualidade do diodo
eficincia de converso
freqncia dos ftons incidentes
E energia do fton
E
g
energia da banda proibida
FF fator de preenchimento
h constante de Planck
I
SC
corrente de curto circuito
J
L
densidade de corrente gerada pelo diodo sob iluminao
J
max
densidade de corrente mxima
J
SC
densidade de corrente de curto circuito
k constante de Boltzmann
n nmero de portadores
N densidade de estados na interface
mobilidade dos portadores
P presso
P
inc
potncia dos ftons incidentes
P
mist
presso da mistura
P
max
potncia mxima
19
q carga do eltron
R

resistncia superficial
R
s
resistncia em srie
R
sub
refletncia do substrato
R
sh
resistncia em paralelo
T temperatura em Kelvin
t espessura do filme
t
dep
tempo de deposio
T
fo
temperatura da fonte
T
fs
transmitncia filme-substrato
T
s
transmitncia do substrato
T
sub
temperatura do substrato
V tenso
V
D
tenso aplicada
V
OC
tenso de circuito aberto
barreira de potencial atravs da juno
velocidade dos portadores
20
LISTA DE SIGLAS



CBPF Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas
CETEC/MG Fundao Centro Tecnolgico de Minas Gerais
IME Instituto Militar de Engenharia
NREL National Renewable Energy Laboratory
PUC-RJ Pontifcia Universidade Catlica do Rio de Janeiro
UFMG Universidade Federal de Minas Gerais
UFRJ Universidade Federal do Rio de Janeiro

21
RESUMO

Clulas solares de filmes finos que utilizam o CdTe como camada absorvedora,
como as clulas de CdS/CdTe, vm se mostrando promissoras para gerao de
energia em grande escala. Eficincias de at 16,5% foram recentemente alcanadas
por estas clulas em laboratrio. Mdulos de 60 W
p
e 0,72 m
2
, com eficincia de 8%,
j so fabricados e comercializados na Europa e EUA. O Laboratrio de Filmes
Finos do Instituto Militar de Engenharia vem crescendo as camadas componentes
desta clula desde 1996. Atravs de projetos e de vrias dissertaes de mestrado
foi possvel controlar os processos de deposio e otimizar as propriedades de cada
camada. Isto motivou a escolha do tema do presente trabalho: a fabricao de uma
clula solar de CdS/CdTe.
O processo de fabricao envolveu a deposio seqencial de diferentes
camadas em um substrato de vidro. A configurao utilizada foi:
vidro/TCO/CdS/CdTe/Au. O TCO o contato frontal, um xido transparente e
condutor atravs do qual a luz solar transmitida. Dois TCOs foram utilizados: um
filme de In
2
O
3
:Sn (ITO), depositado sobre o vidro por pulverizao catdica, e uma
bicamada de SnO
2
:F/SnO
2
, tambm crescida sobre vidro e fornecida pelo National
Renewable Energy Laboratory - NREL. Sobre o TCO, o filme de CdS foi crescido
pelo mtodo de banho qumico. Em seguida, o filme de CdTe foi depositado pela
tcnica de sublimao em espao reduzido. O conjunto vidro/TCO/CdS/CdTe foi
submetido a tratamentos trmicos e qumicos e, finalmente, o ouro foi depositado
por evaporao trmica por feixe de eltrons.
A anlise das camadas individuais mostrou que os filmes produzidos
apresentam os requisitos mnimos necessrios para a obteno de dispositivos
eficientes. A introduo de oxignio na atmosfera gasosa durante o crescimento dos
filmes de CdTe e o uso de diferentes TCOs no alteraram a eficincia dos
dispositivos fabricados, provavelmente devido atuao de outros mecanismos de
perda mais importantes. O tratamento trmico em presena de CdCl
2
e o ataque
qumico NP pr-contato realizados sobre a camada de CdTe contriburam para
aumentar a eficincia dos dispositivos fabricados.
O processo de fabricao das clulas solares de filmes finos de CdS/CdTe foi
totalmente desenvolvido no Laboratrio de Filmes Finos do IME. O sistema
disponvel no laboratrio para obteno dos parmetros fotovoltaicos forneceu
valores bastante prximos aos medidos no NREL: V
oc
= 587 mV (IME) e
605,6 mV (NREL); J
sc
= 14 mA/cm
2
(IME) e 18 mA/cm
2
(NREL); FF= 40,8% (IME) e
39,9% (NREL); = 3,4% (IME) e 4,35% (NREL). A maior eficincia de converso
obtida, 4,35%, confirmada pelo NREL, foi baixa se comparada ao recorde mundial
de 16,5%, mas pode ser melhorada otimizando-se algumas etapas do processo de
fabricao, como a reduo da espessura da camada de CdS e da resistncia
hmica do contato para o CdTe.





22
ABSTRACT

CdTe thin film solar cells are considered as an attractive alternative for energy
generation in large scale. Conversion efficiencies of up to 16.5% have been recently
achieved in laboratory. Modules with 60 W
p
, 0.72 m
2
and 8% efficiency are currently
commercialized, in modest scale, in Europe and USA.
The elemental layers of this solar cell have been the subject of various research
projects at the Thin Film Laboratory of the Instituto Militar de Engenharia since 1996,
resulting in the development of deposition processes. The properties of these layers
were controlled and optimized. These previous studies motivated the present work
providing the conditions for the fabrication of a CdS/CdTe solar cell.
The fabrication procedure consisted of sequentially depositing different layers
onto a borosilicate glass substrate, configured as glass/TCO/CdS/CdTe/Au. The TCO
is the front contact, a transparent conducting oxide which is exposed to light. Two
TCOs were used: a In
2
O
3
:Sn (ITO) film deposited by RF magnetron sputtering and a
SnO
2
:F/SnO
2
bilayer also deposited onto glass and supplied by National Renewable
Energy Laboratory - NREL. The CdS film was deposited onto TCO by chemical bath
deposition, after what a CdTe thin film was grown by close spaced sublimation. The
glass/TCO/CdS/CdTe arrangement was submitted to thermo-chemical treatments
followed by the deposition of gold, which was carried out in an electron-beam
evaporation system.
Analysis of the individual layers showed that the films have the minimum
requirements necessary to obtain efficient devices. The introduction of oxygen in the
atmosphere during the growth of the CdTe films and the use of different TCOs did
not improve the efficiency of the devices, probably due to other more important loss
mechanisms. The CdCl
2
annealing and NP etch carried on the CdTe layer before
contact deposition contributed to increase the efficiency of the devices.
The manufacturing process of CdS/CdTe thin film solar cells was developed in
the Thin Film Laboratory of the Instituto Militar de Engenharia. The available system
in the laboratory for the measurement of photovoltaic parameters yielded values near
to the ones measured at NREL: V
oc
= 587 mV (IME) and 605.6 mV (NREL);
Jsc = 14 mA/cm
2
(IME) and 18 mA/cm
2
(NREL); FF= 40.8% (IME) and
39.9% (NREL); = 3.4% (IME) and 4.35% (NREL). The highest efficiency of 4.35%,
as measured at NREL, is low, compared with the world wide record of 16.5%, but it
can be improved by optimizing some stages of the manufacturing process such as
the reduction of the thickness of the CdS layer and the resistance of the ohmic
contact with CdTe.







23
1 INTRODUO



1.1 POSICIONAMENTO DO TRABALHO


Nos ltimos anos, tem sido crescente o interesse da sociedade por questes
ligadas proteo do ambiente, escassez dos recursos energticos e procura
por novos recursos alternativos, no poluentes, como por exemplo, a energia solar.
Existem vrias maneiras de transformar a radiao solar em energia para uso
final. Uma delas atravs das clulas solares. As clulas solares so sistemas de
converso direta de energia solar em energia eltrica por meio do efeito fotovoltaico.
Estes sistemas tm evoludo enormemente desde as suas primeiras utilizaes na
dcada de 50.
O fato de as clulas solares no terem grande utilizao na produo de
eletricidade para uso terrestre deve-se aos custos, ainda relativamente elevados,
desta energia comparados aos das formas mais estabelecidas de produo de
energia eltrica como a hidro-gerao e a termo-gerao. Recentemente, vrias
pesquisas realizadas na rea visam obteno de uma tcnica que possibilite
produzir clulas solares confiveis, utilizando pouco material semicondutor e em
larga escala, resultando em um dispositivo mais barato e, conseqentemente,
energia mais barata. Estes estudos tm se dirigido a diferentes materiais
semicondutores na forma de filmes finos e tcnicas de deposio dos mesmos.
Dentre os materiais na forma de filmes finos est o telureto de cdmio (CdTe) que,
juntamente com o sulfeto de cdmio (CdS), pode formar uma clula solar.
Clulas solares de CdS/CdTe mostram-se promissoras para gerao de energia
para aplicaes terrestres. Desde a fabricao da primeira clula solar de CdTe, por
CUSANO, em 1963, e do trabalho de BONNET, que em 1972 demonstrou a
possibilidade de fabricar uma clula solar baseada na juno CdS/CdTe, os
mecanismos para aumento de eficincia deste dispositivo tem sido amplamente
estudados. A eficincia mxima terica das clulas de CdS/CdTe 29,7% (DE VOS
et al, 1994). Entretanto, o recorde de eficincia para clulas de laboratrio 16,5%
24
(WU et al, 2001), que representa aproximadamente 56% do valor terico. Sendo
assim, so crescentes os esforos para otimizao do processo de fabricao
visando-se obter clulas com eficincias mais elevadas no s em escala
laboratorial como tambm para fabricao de mdulos em escala industrial.
A fim de se obter clulas de alta eficincia, vrias tcnicas de deposio de
filmes de CdTe e de CdS, tais como evaporao resistiva a vcuo, ablao a laser,
pulverizao catdica (sputtering), eletrodeposio, CBD (deposio por banho
qumico), pirlise com spray, APCVD (deposio qumica a vapor presso
atmosfrica), MOCVD (deposio qumica a vapor de organometlicos), CSS
(sublimao em espao reduzido) e filme espesso (screen printing), tm sido
utilizadas.
A tcnica de sublimao em espao reduzido (CSS) particularmente atrativa
para deposio de filmes de CdTe pelo fato de propiciar altas taxas de deposio,
por produzir filmes com gros maiores que aqueles depositados por outras tcnicas,
por poder ser facilmente reprodutvel para produo em larga escala e tambm por
no requerer equipamento muito elaborado, uma vez que dispensa o uso de alto
vcuo e opera em temperaturas no muito elevadas. caracterizada pela pequena
distncia entre a fonte e o substrato, em geral da ordem de milmetros. Alm disso, a
tcnica CSS pode ser empregada em outras etapas do processo de fabricao de
clulas solares de CdS/CdTe, como por exemplo, a fabricao da camada de CdS e
tambm em tratamentos trmico-qumicos, como o tratamento da camada de CdTe
e/ou CdS em presena de cloreto de cdmio (CdCl
2
), tratamento este que
essencial para obteno de dispositivos de alta eficincia. Clulas CdS/CdTe de alta
eficincia tm sido preparadas utilizando esta tcnica em vrias etapas do processo
de fabricao. Dessa forma, uma tcnica bastante promissora para a fabricao de
clulas solares de CdS/CdTe de baixo custo e alta eficincia, adequadas s
aplicaes terrestres.
O desenvolvimento de clulas solares de baixo custo e alta eficincia ter
grande aplicao no fornecimento de energia em lugares mais isolados do pas,
distantes da rede eltrica com as vantagens de no consumir combustvel, no
produzir poluio nem contaminao ambiental, ter longa vida til, ser resistente s
condies climticas extremas, no ter peas mveis exigindo pouca manuteno
(s a limpeza do painel) e por permitir o aumento da potncia instalada por meio da
25
incorporao de mdulos adicionais. Para tanto, a tecnologia de clulas solares
deve sobressair-se em trs reas principais: reduo do custo e aumento da
eficincia e da durabilidade.


1.2 OBJETIVO


Este trabalho teve por objetivo fabricar uma clula solar de CdS/CdTe. nfase foi
dada caracterizao da camada de CdTe depositada pela tcnica de sublimao
em espao reduzido (CSS). Uma vez fabricada a clula e depositados os contatos,
as curvas corrente x tenso foram plotadas e a eficincia dos dispositivos fabricados
foi estimada no prprio laboratrio.

26
2 REVISO BIBLIOGRFICA



2.1 BREVE HISTRICO DA TECNOLOGIA DE CLULAS SOLARES


Em 1839 o fsico francs BECQUEREL descobriu que certos materiais poderiam
produzir pequenas quantidades de corrente eltrica quando expostos luz. Este
fenmeno conhecido como efeito fotovoltaico. Anos mais tarde, em 1873, SMITH
demonstrou o fenmeno da fotocondutividade no selnio. Pesquisas sobre o efeito
fotovoltaico no selnio e em xidos de cobre levaram ao desenvolvimento de clulas
solares de selnio que em 1914 j apresentavam eficincia de 1 a 2%.
A era moderna da tecnologia de clulas solares iniciou-se nos anos 40 e 50 com
o desenvolvimento do processo Czochralski para produo de silcio cristalino de
alta pureza. Em 1954, CHAPIN e colaboradores, dos laboratrios Bell, reportaram
uma eficincia de 6% para clulas de silcio monocristalino. Desenvolvimentos
tecnolgicos permitiram alcanar para estas clulas eficincia de 14% j em 1958
(FAHRENBRUCH et al, 1983).
Apesar do pouco empenho nesta poca para tornar as clulas de silcio
comerciais, o programa espacial deu a esta tecnologia sua primeira e maior
aplicao. Em 1958, o satlite americano Vanguard levou ao espao mdulos de
pequena rea para fornecer energia ao seu sistema de comunicao.
Avanos na indstria de informtica, principalmente na tecnologia de transistores
semicondutores, contriburam muito para o desenvolvimento da tecnologia de
clulas solares, uma vez que ambos dispositivos so feitos de materiais similares e o
funcionamento dos mesmos baseado em princpios fsicos semelhantes.
A despeito dos avanos na tecnologia de clulas solares no incio dos anos 70, o
custo destes dispositivos ainda era bastante elevado para aplicaes terrestres.
Somente na metade dos anos 70, com o crescente aumento do custo de outras
fontes de energia, impulsionado pela crise do petrleo, que o interesse em tornar a
energia fotovoltaica mais acessvel foi retomado. Com isso, dispositivos baseados
no silcio cristalino tiveram grande avano.
27
Entretanto, vrios outros materiais tais como silcio amorfo, telureto de cdmio
(CdTe), disseleneto de cobre e ndio (CIS) e arseneto de glio (GaAs) surgiram
como materiais promissores com a grande vantagem de poderem ser utilizados na
forma de filmes finos, o que reduz a quantidade de material gasto e,
consequentemente, o custo.
A primeira clula solar de filme fino de CdTe eficiente foi apresentada por
CUSANO e apresentava eficincia prxima de 6%. Tratava-se de um dispositivo
constitudo por um filme de CdTe tipo n, crescido quimicamente, com uma fina
camada de Cu
2-x
Te sobre sua superfcie. Entretanto, tal clula apresentava a
desvantagem da baixa estabilidade da camada Cu
2-x
Te, em virtude da difuso do
cobre atravs da juno. A configurao CdS/CdTe surgiu como promissora, sendo
a primeira clula solar baseada na heterojuno CdS/CdTe fabricada por ADIROVIC e
colaboradores (1971). Em 1972 BONNET e RABENHORST obtiveram a primeira clula
CdS/CdTe eficiente, a qual apresentou eficincia de cerca de 6%. Eficincia de 10%
foi alcanada por TYAN e PEREZ-ALBUERNE em 1982 e posteriormente, em 1994,
FEREKIDES e colaboradores obtiveram eficincia de 15,8%. Contudo, at o momento,
o recorde em laboratrio de 16,5% reportado por um grupo do National Renewable
Energy Laboratory (WU et al, 2001) sendo crescentes os esforos para se obter
eficincias superiores.


2.2 CLULAS SOLARES


Uma clula solar um dispositivo que tem seu funcionamento fundamentado no
efeito fotovoltaico que consiste, essencialmente, na converso de energia luminosa
incidente sobre materiais semicondutores, convenientemente tratados, em
eletricidade. As clulas solares, ou fotovoltaicas, consistem basicamente de duas
camadas de material semicondutor, um tipo p e outro tipo n. A FIG. 2.1 mostra,
esquematicamente, o que ocorre numa clula fotovoltaica. Quando ftons atingem a
camada absorvedora de uma clula, pares eltron-buraco so gerados e separados
pelo campo eltrico embutido, ou seja, eltrons so arrastados para o lado n e
buracos so arrastados para o lado p. Assim, surge uma diferena de potencial nos
28
terminais da clula, a qual variar proporcionalmente conforme a intensidade da luz
incidente.


FIG. 2.1 Esquema bsico de uma clula fotovoltaica, mostrando o movimento dos
eltrons na juno.

Os ftons absorvidos devem ter energia (h) igual ou maior que a energia de
banda proibida do semicondutor utilizado como camada absorvedora. Entretanto, a
radiao solar no absorvida pelas camadas atmosfricas da Terra , em grande
parte, luz visvel. Assim, o que interessa para o funcionamento das clulas
fotovoltaicas so os ftons com comprimento de onda do visvel at ao infravermelho
prximo, o que corresponde a comprimentos de onda de cerca de 390 a 1100 nm
ou, em termos de energia, 1,1 a 3,1 eV. Dessa forma, materiais semicondutores que
apresentam energia de banda proibida dentro dessa faixa, como Si, GaAs, CdTe,
CuInSe
2
, entre outros, so os possveis candidatos para serem utilizados como
camada ativa nestes dispositivos. No entanto, dentro desta faixa, os materiais com
bandas menores podem absorver uma maior parte do espectro visvel, gerando
assim uma maior quantidade de portadores (maior corrente). Por outro lado, quanto
maior for a energia da banda proibida do material, maior ser a tenso de circuito
aberto da clula, pois a energia da banda est relacionada com a magnitude do
campo embutido da juno, o qual determina a mxima tenso que a clula pode
produzir. Assim, o melhor compromisso entre alta tenso e alta corrente obtido em
materiais cuja banda se situa entre 1 e 1,8 eV.
29
2.3 TIPOS DE CLULAS SOLARES


As clulas solares podem ser construdas com diferentes tipos de materiais. Os
mais utilizados so o silcio (Si), o arseneto de glio (GaAs), o disseleneto de cobre
e ndio (CuInSe
2
) e o telureto de cdmio (CdTe), todos materiais semicondutores. De
acordo com o processo de fabricao, so formadas estruturas atmicas
denominadas monocristalinas, policristalinas ou amorfas, dependendo do alcance da
uniformidade da distribuio dos tomos no material. As clulas solares mais
populares e disponveis comercialmente so as de silcio. Contudo, a segunda
gerao de clulas solares baseada na tecnologia de filmes finos. Esta tecnologia
baseia-se no uso de camadas muito finas de materiais semicondutores dos quais o
silcio amorfo o mais conhecido. Dispositivos de filmes finos, alm de requererem
pouca quantidade de material para fabricao, tm a vantagem de ser facilmente
depositados em grandes reas.
Clulas de silcio monocristalino: So fabricadas a partir do cristal de silcio.
Estas clulas so as mais eficientes, e tambm as mais caras, de todas as clulas
de silcio. O monocristal crescido a partir do silcio fundido de alta pureza
(Si = 99,99% a 99,9999%) em reatores sob atmosfera controlada e com velocidades
de crescimento do cristal extremamente lentas (da ordem de cm/hora), sendo este
processo de crescimento do silcio conhecido como mtodo Czochralski
(FAHRENBRUCH et al, 1983). Uma vez que as temperaturas envolvidas so da ordem
de 1400C, o consumo de energia neste processo extremamente intenso. Etapas
complementares ao crescimento do monocristal envolvem usinagem do tarugo, corte
de lminas (wafers) por serras diamantadas, lapidao, ataque qumico e polimento
destas lminas, processos estes em que ocorrem considerveis perdas de material,
processos de difuso/dopagem, deposio da mscara de contatos e, finalmente, a
interconexo de clulas em srie e em paralelo para a obteno do painel
fotovoltaico. Clulas de silcio monocristalino, de rea de 4,0 cm
2
apresentaram
eficincia de 24,7% em testes realizados nos laboratrios Sandia, em maro de
1999 (KAZMERSKI, 1999).
Clula de GaAs: O GaAs um material com vrias propriedades desejveis
aplicao em clulas solares tais como energia de banda proibida prxima ao valor
30
ideal, alto coeficiente de absoro, alm de poder formar ligas com vrios materiais.
Embora as clulas solares de GaAs apresentem elevada eficincia, elas no so
competitivas em termos de aplicaes terrestres devido aos altos custos envolvidos
em seu processo de fabricao. Clulas de GaAs com rea de 0,126 cm
2
tm
apresentado eficincia de 27,6% em laboratrio (KAZMERSKI, 1999).
Clulas de silcio policristalino: As clulas de silcio policristalino so menos
eficientes, mas tambm so mais baratas, j que a perfeio cristalina menor que
no caso do silcio monocristalino e o processamento mais simples. Elas consistem
de wafers de silcio policristalino tratado quimicamente. A espessura dos wafers
comerciais est entre 200 e 400 m, sendo coberto por uma grade metlica em
ambas as faces para formar o contato eltrico. O material de partida o mesmo que
para o silcio monocristalino, o qual fundido e posteriormente solidificado
direcionalmente, o que resulta num cristal com grande quantidade de gros, no
contorno dos quais se concentram os defeitos que tornam este material menos
eficiente do que o silcio monocristalino em termos de converso fotovoltaica. O
silcio policristalino a tecnologia fotovoltaica mais tradicional, mas o fato de fazer
uso de wafers representa uma maior limitao em termos de reduo de custos de
produo, tendo em vista a quantidade de material utilizado na fabricao das
clulas. Eficincias em torno de 19,8% tm sido demonstradas para clulas de reas
de 1,09 cm
2
em testes realizados nos laboratrios Sandia, em fevereiro de 1998
(KAZMERSKI, 1999).
Clulas de silcio amorfo: Estas clulas so menos eficientes que as clulas de
silcio policristalino, no entanto, podero vir a ser competitivas para produo em
grande escala. As clulas de silcio amorfo apareceram em 1983. Os processos de
produo de silcio amorfo ocorrem a temperaturas menores que 300C, em
processos a plasma, o que possibilita que estes filmes finos sejam depositados
sobre substratos de baixo custo, como vidro, ao inox e alguns plsticos. Desta
forma, foram desenvolvidos painis solares hoje disponveis no mercado que so
flexveis, inquebrveis, mais leves, semitransparentes, com superfcies curvas, que
esto ampliando o mercado fotovoltaico por sua maior versatilidade. Por sua
aparncia esttica mais atraente, o silcio amorfo tem encontrado aplicaes
arquitetnicas diversas, substituindo materiais de cobertura de telhados e fachadas
31
na construo civil. Eficincia estabilizada de 13% tem sido demonstrada para
clulas de pequena rea (SHAH et al, 1999).
Clulas de CdTe: O mais recente competidor do silcio amorfo e do silcio
policristalino no mercado fotovoltaico para gerao de energia o CdTe, tambm na
forma de filmes finos. Para aplicaes em calculadoras o CdTe j vem sendo usado
h quase uma dcada, mas nas assim chamadas aplicaes terrestres, somente
agora que comeam a ser comercializados painis solares de grandes reas.
Estes painis, normalmente sob a forma de placas de vidro num tom marrom/azul
escuro, tambm apresentam um atrativo esttico em comparao ao silcio
policristalino. Assim como no caso do silcio amorfo, os custos de produo do CdTe
so atrativamente baixos para produo em grande escala e esta tecnologia tem
timas chances de despontar como um srio competidor no mercado fotovoltaico
para a gerao de energia eltrica. A relativamente baixa abundncia dos elementos
envolvidos e sua toxicidade so aspectos que tm de ser levados em conta,
principalmente se esta tecnologia atingir quantidades significativas de produo. O
recorde de eficincia de clulas individuais de CdTe de rea 1,31 cm
2
em laboratrio
de 16,5% (WU et al, 2001) e mdulos tm apresentado eficincias superiores a
10% (MCCANDLESS et al, 2004).
Clula de CuInSe
2
: Outro srio competidor no mercado fotovoltaico so os
compostos baseados no disseleneto de cobre e ndio, CuInSe
2
, ou simplesmente
CIS, principalmente por seu potencial de atingir eficincias relativamente elevadas.
Painis solares de CIS apresentam, como o silcio amorfo e o CdTe, uma tima
aparncia esttica e devem surgir no mercado com grandes superfcies,
encontrando aplicaes arquitetnicas diversas. Assim como no caso do CdTe, a
pouca abundncia dos elementos envolvidos e sua toxicidade so aspectos que tm
de ser considerados se esta tecnologia atingir quantidades significativas de
produo. Atualmente, a liga CuIn
1-x
Ga
x
Se
2
surge como uma alternativa ao CIS.
Estas ligas, conhecidas como CIGS, mostram-se tambm promissoras para
fabricao em grande escala. Elas so estveis e resistentes no s quando
expostas radiao solar terrestre como tambm s condies de radiao no
espao. Eficincia de 19,2%, para clulas individuais de 1,04 cm
2
de rea, foi
reportada em testes realizados no NREL, em novembro de 2002
(http://www.nrel.gov/ncpv/hotline/11_02_ncpv.html).
32
2.4 PARMETROS DE UMA CLULA SOLAR


As clulas solares consistem de uma juno p-n e podem ser representadas
pelo circuito de diodos em paralelo. As caractersticas de densidade de corrente
tenso (J - V) sem iluminao de uma clula solar so obtidas atravs da equao
geral de um diodo, conforme o modelo de circuito equivalente de diodos em paralelo,
mostrado na FIG. 2.2. Nesta figura R
s
(resistncia em srie) e R
sh
(de shunt, em
paralelo) representam perdas eltricas. Como exemplos de R
s
e R
sh
tm-se as perdas
devido resistncia de contato e as perdas devido aos vazios atravs da clula,
respectivamente.


FIG. 2.2 Circuito equivalente de uma clula solar. O diodo representa a clula solar
(juno p-n) no iluminada (SHAH et al, 1999).

Para uma juno ideal, a corrente que circula atravs da juno dada pela
equao do diodo, conforme EQ. 2.1:
(
(

=
|
.
|

\
|
1
0
kT
qV
D
e J J
(2.1)
Sob iluminao, a EQ. 2.1 fica:
L
kT
qV
J e J J
D

(
(

=
|
.
|

\
|
1
0 (2.2)
em que: J a densidade de corrente do diodo; J
O
a densidade de corrente
inversa de saturao; q a carga do eltron; V
D
a tenso aplicada sendo positiva
para tenso direta e negativa para tenso reversa; k a constante de Boltzmann; T
a temperatura e J
L
a densidade de corrente gerada pelo diodo sob iluminao.
33
A FIG. 2.3 mostra as curvas densidade de corrente (J) x tenso (V)
caractersticas de uma clula solar sem iluminao (escuro) e com iluminao
(claro), as quais so representadas pelas EQS. 2.1 e 2.2, respectivamente.


FIG. 2.3 Curva densidade de corrente (J) em funo da tenso (V) para uma clula
solar no escuro e sob iluminao (SHAH et al, 1999).

Da curva J x V sob condio de iluminao, definem-se trs parmetros
fundamentais para o estudo de uma clula solar: a tenso de circuito aberto (V
oc
), a
densidade de corrente de curto circuito (J
sc
) e o fator de preenchimento (FF).
A densidade de corrente de curto circuito representa a densidade corrente que
circula pela clula quando a tenso aplicada nula.
A tenso de circuito aberto (V
oc
) a tenso nos terminais da clula quando a
corrente nula e dada pela EQ. 2.3:
)
`

=
sc
oc
J
N q
kT
q
A
V

ln ) (
(2.3)
em que: J
sc
a densidade de corrente de curto-circuito; velocidade dos
portadores; N a densidade de estados na interface, barreira de potencial
atravs da juno; k a constante de Boltzmann, T a temperatura em Kelvin, q a
carga do eltron e A fator de qualidade do diodo. Os mecanismos de injeo de
eltrons, recombinao na regio de carga espacial e recombinao na interface so
34
definidos pelos parmetros , N, e A, denominados parmetros efetivos (BIRKMIRE
et al, 1997).
O fator de preenchimento (FF), dado pela EQ. 2.4, relaciona a potncia mxima
fornecida pela clula, P
max
, ao produto V
oc
. J
sc
:
sc oc
J V
P
FF
max
=
(2.4)
em que P
max
dada pelo produto de V
max
. J
sc
.
A eficincia de converso (), a qual corresponde poro de energia solar
convertida em energia eltrica, dada pela EQ. 2.5:
inc
oc sc
P
V J FF
=
(2.5)
em que P
inc
a potncia incidente dos ftons que atingem a clula. Dessa forma, a
eficincia funo da potncia da radiao que atinge a clula, o que depender do
lugar, posio do sol e condies atmosfricas.
Em geral, os valores dos parmetros descritos anteriormente para a maioria das
clulas solares policristalinas so: V
oc
= 0,5 - 0,8 V; J
sc
= 10 - 40 mA/cm
2
;
FF = 60 - 80% e = 6 - 20%. Considerando-se o valor para a eficincia mxima
terica para clulas que possuem CdTe como camada absorvedora (DE VOS et al,
1994), os valores dos parmetros correspondentes so: V
oc
= 1,1 V;
J
sc
= 28 mA/cm
2
; FF = 89% e = 29,7%.
Uma vez que a eficincia depende das condies atmosfricas, necessrio
considerar o efeito da atmosfera terrestre sobre a luz solar que atinge a superfcie da
Terra (Sze, 1981). Define-se ento, o termo massa de ar - AM (massa de ar), que
expressa a relao entre o caminho percorrido pela luz do Sol na atmosfera e o
caminho mnimo, que exatamente quando o Sol est a pino, dado pela secante do
ngulo entre a posio do Sol e o znite. Os valores mais utilizados so o AM0 para
aplicaes espaciais, que corresponde situao de uso da clula fora da atmosfera
terrestre, e AM1,5 para a maioria das aplicaes terrestres, que corresponde
situao do Sol a 45
o
acima do horizonte.
Para obter a eficincia de uma clula solar a partir da EQ. 2.5 necessrio
levantar a curva I x V do dispositivo sob iluminao. Nos institutos credenciados para
35
medidas da eficincia solar fundamental o uso de simuladores solares que
atendam s normas padronizadas de medida para clulas terrestres: espectro solar
AM 1,5, temperatura de 25
o
C, potncia incidente de 1 KW/m
2
. No laboratrio,
entretanto, a potncia de iluminao de 1 KW/m
2
pode ser obtida usando-se uma
lmpada alimentada por um variador de tenso e uma clula solar padro. A curva
I x V pode ser obtida por meio de um circuito simples com o mostrado na FIG. 2.4.


FIG. 2.4 Montagem experimental para obteno da curva I x V (adaptado de
SMESTED et al, 1998).


2.5 A CLULA CdS/CdTe


Nas clulas solares de CdS/CdTe o telureto de cdmio e o sulfeto de cdmio
formam uma estrutura denominada heterojuno (juno p-n de semicondutores
diferentes). Nestas clulas, o CdTe o semicondutor tipo p e o CdS o material tipo
n mais utilizado, o qual juntamente com o vidro e o xido transparente condutivo
atua como janela para a radiao incidente.
A estrutura tpica e mais bem sucedida para fabricao de clulas solares de
CdS/CdTe de baixo custo e alta eficincia baseada numa estrutura na qual as
partes ativas da clula so depositadas sobre um substrato de vidro, conhecida com
estrutura de superestrato, o que significa que a luz incide atravs do substrato de
36
vidro. Na FIG. 2.5 so mostradas as quatro camadas, alm do substrato de vidro,
que constituem esta clula solar. A seguir so descritas tais camadas.


FIG. 2.5 Esquema de uma clula solar de CdS/CdTe (SEMICONDUCTORS AND
ELECTROCERAMICS, UNIVERSITY OF DURHAM, 2003).

Substrato de vidro: O vidro tem por funo dar resistncia mecnica clula e,
em geral, apresenta espessura de 2 a 4 mm. Existem vrios tipos de vidro que
podem ser utilizados como substrato tais como o sodalime, o borossilicato alm do
quartzo. O mais indicado seria o borossilicato por no permitir a difuso de
impurezas. Devido ao baixo custo, o sodalime mais conveniente para produo
industrial. Contudo, este tipo de vidro contm sdio, o qual pode difundir-se durante
a deposio de outras camadas, quando as tcnicas de deposio das mesmas
envolvem altas temperaturas, e/ou quando so realizados tratamentos trmicos ps-
deposio. Para evitar este problema, pode-se depositar uma camada passivadora
de alumina (Al
2
O
3
) ou slica (SiO
2
) sobre o vidro antes da deposio do TCO.
Entretanto, alguns autores (ROMEO et al, 2000) depositam uma camada de xido de
estanho (SnO
2
)

sobre a camada de xido transparente condutivo (ITO) para
controlar a difuso do sdio. Uma outra desvantagem do sodalime o fato de o
mesmo apresentar propriedades pticas piores que as do borossilicato, o que pode
resultar em perdas na corrente de curto circuito (I
sc
) o que contribui para diminuir a
eficincia das clulas (FEREKIDES et al, 2000).
37
xido transparente condutivo (TCO): A funo da camada de xido
transparente condutivo, depositado sobre o substrato de vidro, formar um contato
frontal altamente transparente e eficiente com a subseqente camada de CdS. A
estrutura vidro/TCO/CdS denominada janela de absoro. Para ser usado como
contato frontal, o TCO deve ter as seguintes caractersticas (ROMEO et al, 2004):
alta transparncia, acima de 85%, na regio de comprimento de onda de
interesse (400 a 860 nm), ou seja, deve apresentar elevada transmitncia ptica;
baixa resistividade, da ordem de 2. 10
-2
.m ou uma resistncia superficial
menor que 10 /;
boa estabilidade temperatura mxima na qual a camada subseqente ser
depositada. Isto significa que no deve haver difuso dos elementos do TCO para as
camadas depositadas posteriormente.
Vrios tipos de TCOs tm sido usados e testados para clulas solares de
CdS/CdTe:
xido de ndio-estanho (In
2
O
3
:Sn): Conhecido como ITO um material que
apresenta baixa resistividade, cerca de 2,5 .10
-2
.m, e energia de banda proibida
de aproximadamente 3,5 eV. Contudo, em alguns casos, quando a deposio das
camadas posteriores envolve altas temperaturas, pode haver difuso do ndio (In)
para a camada de CdS e/ou CdTe. Para evitar este problema costuma-se usar uma
camada de SnO
2
como barreira para difuso do ndio (VISOLY-FISCHER et al, 2003).
HERRERO e colaboradores (2004) propem melhorar as propriedades dos filmes de
ITO introduzindo uma camada buffer de ZnO, depositado por pulverizao catdica
antes da deposio do filme de ITO. Filmes de ITO depositados sobre ZnO so mais
cristalinos apresentam menor resistividade e propriedades pticas similares s dos
filmes depositados diretamente sobre o substrato de vidro.
xido de estanho dopado com flor (SnO
2
:F): um material bastante estvel e
que apresenta resistncia superficial de 10 / ou mais, podendo este valor no ser
baixo o suficiente para este tipo de clula. Uma desvantagem do SnO
2
:F em relao
ao ITO o fato de sua resistividade ser 3 a 4 vezes maior, o que significa que para
se obter filmes de SnO
2
:F com a mesma resistncia superficial dos filmes de ITO
so necessrias espessuras 3 a 4 vezes maiores, o que pode levar a perdas na
transparncia. Este material geralmente no usado sozinho como TCO, sendo
38
usado juntamente com uma camada buffer de SnO
2
no dopado (ROMEO et al,
2003).
estanato de cdmio (Cd
2
SnO
4
): Usualmente denominado CTO um material
que possui alta transparncia (cerca de 90%) e baixa resistncia superficial
(aproximadamente 10 /), mas apresenta a desvantagem de ser bastante
higroscpico, o que dificulta seu manuseio. Entretanto, WU e colaboradores (1996)
tm fabricado CTO de boa qualidade o qual foi utilizado na fabricao da clula de
eficincia recorde. Melhores propriedades pticas, baixa resistividade e superfcie
mais suave so as principais vantagens do CTO sobre o SnO
2
.
xido de ndio dopado com flor (In
2
O
3
:F): um novo material que vm sendo
desenvolvido por ROMEO e colaboradores (2003) e que apresenta todas as
caractersticas necessrias a um bom TCO: resistividade de 2 .10
-2
.m, uma
transparncia maior que 90% para comprimentos de onda entre 400 e 800 nm e
bastante estvel temperatura de 500C.
Sulfeto de cdmio (CdS): O CdS um material semicondutor do grupo II-VI
que apresenta energia de banda proibida direta igual a 2,42 eV temperatura
ambiente (MADELUNG, 1996), o que o torna um material com alta transmitncia tica
alm de ser quimicamente estvel. considerado o melhor material para atuar como
janela em clulas solares de CdTe e CuInSe
2
(ENRQUEZ et al, 2003). Filmes finos
de CdS tm sido bastante usados como material para formar heterojunes com
CdTe e CuInSe
2
em clulas solares de alta eficincia. o semicondutor tipo n da
juno e deve apresentar espessura da ordem de 0,01 m (BIRKMIRE et al, 1997).
necessrio que a camada de CdS seja fina o suficiente, para permitir alta
transmitncia ptica, e uniforme para evitar curto circuito. Pelo fato de ser um
material transparente aos comprimentos maiores que 515 nm o CdS denominado
janela transparente.
Telureto de cdmio (CdTe): O telureto de cdmio tambm um semicondutor
do grupo II-VI e tem sido considerado um material promissor para a fabricao de
clulas solares de baixo custo, alta eficincia e produo em grande escala.
Apresenta energia de banda proibida de cerca de 1,5 eV temperatura ambiente
(MADELUNG, 1996), valor muito prximo ao terico para converso mxima de
energia solar. Alm disso, sua transio de banda proibida direta. A FIG. 2.6
mostra o diagrama de bandas de energia do CdTe calculado teoricamente utilizando
39
o Mtodo de Ondas Planas Aumentadas Linearizado (LAPW) e o cdigo
computacional o WIEN97 (FALCO et al, 2002) no qual se pode observar a energia
de banda proibida direta deste semicondutor.


FIG. 2.6 Estrutura de bandas de energia do semicondutor CdTe mostrando a
transio de banda proibida direta (FALCO et al, 2002).

Por apresentar energia de banda proibida direta, o CdTe apresenta alto
coeficiente de absoro, maior que 10
4
cm
-1
(ZANIO, 1978). Isto significa que filmes
com espessuras de apenas poucos micrmetros so necessrios para absoro de
toda luz incidente. O CdTe absorve mais de 90% dos ftons disponveis (h>1,5 eV)
numa espessura de 1 m, de modo que filmes com espessuras de 1 a 3 m so
suficientes para aplicao em clulas solares (FEREKIDES et al, 1994). Embora em
apenas 1 m de espessura haja 99% de absoro da luz incidente, a espessura
comumente usada de 5 a 10 m para garantir a absoro total, uma vez que em
40
1 m de espessura o filme pode no ser to uniforme contendo algumas falhas alm
do fato de poder haver reduo na espessura do CdTe nas etapas posteriores do
processo de fabricao da clula.
Juntamente com o CdS, o CdTe forma uma heterojuno onde ocorre a gerao
e coleo de portadores. Para isso deve ser tipo p, formando a juno p-n com o
CdS, pois assim os portadores minoritrios, neste caso os eltrons, apresentam
maior mobilidade e maior tempo de vida, aumentando a corrente foto-gerada.
Contato traseiro: Para completar o dispositivo necessrio formar um contato
hmico de baixa resistncia com o CdTe para transportar a fotocorrente gerada. a
etapa mais crtica do processo de fabricao da clula devido dificuldade de se
obter um contato hmico para o CdTe tipo p.
Os materiais mais comumente usados como contato traseiro para clulas de
CdS/CdTe so:
9 telureto de zinco (ZnTe) dopado com cobre recoberto por ouro ou nquel;
9 ouro puro;
9 liga cobre-molibdnio;
9 pasta de grafite misturada com cobre sobre uma superfcie rica em telrio
(SARLUND et al, 1996);
9 telureto de antimnio (Sb
2
Te
3
) depositado por pulverizao catdica
(ROMEO et al, 2000);
9 camada de filme de ouro sobre filme de cobre (CHOU et al, 1995).


2.6 FABRICAO DE CLULAS SOLARES DE CdS/CdTe DE ALTA EFICINCIA


2.6.1 DETALHES IMPORTANTES QUANTO AO PROJETO DO DISPOSITIVO


Independentemente da tcnica de fabricao dos filmes que constituiro a
estrutura da clula, para se obter eficincias superiores a 10% alguns detalhes
quanto ao projeto do dispositivo no que diz respeito s camadas janelas e aos
contatos hmicos devem ser seguidos (BASOL, 1992):
41
9 a clula deve apresentar configurao do tipo superstrato, na qual o filme
de CdTe seja depositado sobre um substrato transparente de
vidro/TCO/CdS, sendo o SnO
2
o TCO preferencial, devido a sua maior
estabilidade;
9 a espessura da camada de CdS deve ser minimizada (abaixo de 0,2 m)
para aumentar a resposta da clula a comprimentos de onda curtos;
9 a camada de CdTe deve ser tratada quimicamente antes de receber o
material que formar o contato, a fim de reduzir a resistividade do CdTe
tipo p por meio de ataques qumicos que a tornem rica em telrio;
9 tratamentos trmicos em presena de cloreto de cdmio (CdCl
2
) e de
oxignio tambm devem ser includos no processo de fabricao.


2.6.2 TECNOLOGIA DE DEPOSIO: A TCNICA DE SUBLIMAO EM
ESPAO REDUZIDO


A variedade de tecnologias de deposio disponveis para fabricao de clulas
solares de CdTe de alta eficincia demonstra a flexibilidade no que diz respeito ao
mtodo de fabricao. Clulas solares CdS/CdTe com eficincias superiores a 10%
tm sido fabricadas com filmes depositados por diversas tcnicas: pulverizao
catdica (ROMEO et al, 2004), eletrodeposio (JOHNSON, 2000), CBD (deposio por
banho qumico, MOUTINHO et al, 2003), CSS (sublimao em espao reduzido,
FEREKIDES et al, 2000; ROMEO et al, 2000; WU et al, 2001), LPCVD (deposio
qumica a vapor em baixas presses, ROSE et al, 1999), cada uma com seus
prprios mritos e vantagens. Este captulo descreve somente a tcnica CSS, a qual
foi utilizada no presente trabalho para crescer as camadas de CdTe. As demais
tcnicas envolvidas no processo de fabricao da clula, utilizadas neste trabalho
para deposio das outras camadas, sero descritas brevemente no prximo
captulo.
A tcnica CSS uma das vrias tecnologias disponveis com potencial para
fabricao em larga escala. Na fabricao de uma clula solar de CdS/CdTe, tanto o
CdTe como o CdS podem ser depositados por CSS. Alm disso, o CdCl
2
tambm
42
pode ser transportado por CSS, seja no recozimento in situ, seja em um tratamento
ps-deposio do CdTe (PAULSON et al, 2000 e MOUTINHO et al, 2000). Dessa forma,
possvel realizar todas essas operaes sem retirar o substrato do sistema de
deposio, o que diminui os riscos de contaminao aumentando a eficincia da
clula solar de CdS/CdTe e tambm facilita a insero do processo em uma linha de
produo industrial. H ainda a possibilidade de depositar o contato traseiro no
prprio sistema CSS: GOYAL e colaboradores (1997) propem a deposio de ZnTe
como contato traseiro para o CdTe tambm por CSS.
J na dcada de 60 esta tcnica comeou a ser utilizada por Nicoll para o
crescimento heteroepitaxial de arseneto de glio (GaAs) sobre germnio (Ge). A
partir de ento, tem sido utilizada para deposio de diversos materiais
semicondutores como CdS, CdSe, CdTe, Ge, GaP, GaAs
x
P
1-x
, GaAs, Hg
1-x
Cd
x
Te,
InP, Si, Zn
3
P
2
, ZnS, ZnSe e ZnTe, no s para uso em clulas solares como tambm
para diversos fins (ANTHONY et al, 1984). Na dcada de 70, BONNET e RABENHORST
utilizaram a tcnica CSS para fabricao da primeira clula CdS/CdTe eficiente.
Na tcnica CSS, a fonte e o substrato so mantidos a uma pequena distncia
por meio de espaadores de quartzo. Dois blocos de grafite servem para suporte da
fonte e dos substratos e para homogeneizar a temperatura. O aquecimento de
ambos feito por meio de lmpadas de luz visvel ou infravermelho. A temperatura
dos blocos de grafite monitorada por um conjunto de termopares. A diferena de
temperatura entre a fonte e o substrato influencia a transferncia de material entre
ambos. Esta diferena facilita o mecanismo de transporte controlado por difuso
(ANTHONY et al, 1984). A deposio dos filmes realizada em vcuo e pode ocorrer
em ambiente inerte ou na presena de gases reativos, geralmente hidrognio ou
oxignio. A FIG. 2.7 mostra um esquema da cmara de deposio utilizada na
tcnica CSS. Este equipamento foi construdo no Laboratrio de Filmes Finos do
IME e utilizado em dissertao anterior (PINHEIRO, 2004).
O processo de deposio envolve o aquecimento do material da fonte at
temperaturas altas o suficiente para estabelecer uma substancial quantidade de
vapor. Tal vapor difunde-se e ento se condensa sobre a superfcie do substrato
mantido a uma temperatura menor que a temperatura da fonte. o nico processo
que permite o uso de temperatura de substrato substancialmente mais alta que
outros processos a vcuo e que permite o uso de dopantes na fase gasosa durante
43
o processo de deposio, fatores cruciais na fabricao de clulas solares eficientes
(TYAN, 1988).


FIG. 2.7 (a) Esquema da cmara de deposio de CSS do Laboratrio de Filmes
Finos do IME.
(b) Local onde a deposio ocorre (PINHEIRO, 2004).

44
Embora a tcnica CSS seja em princpio simples, existem alguns parmetros
importantes envolvidos no processo como temperatura da fonte e do substrato,
distncia fonte-substrato, presso do sistema e gases presentes no sistema. Tais
parmetros tm significativa influncia nas propriedades dos filmes produzidos e na
taxa de deposio dos mesmos.
As condies tpicas de deposio por CSS so: presso de 1 a 50 Torr;
temperatura da fonte de 620 a 750C, temperatura do substrato de 400 a 630C e
espaamento fonte-substrato de 2 a 5 mm (FEREKIDES et al, 2000). H ainda
aplicaes da tcnica CSS em presses mais elevadas, inclusive presso
atmosfrica. Esta tcnica conhecida como APCSS (Sublimao em Espao
Reduzido Presso Atmosfrica) e tem como caracterstica permitir que grande
quantidade de material da fonte seja vaporizada e depositada. Apesar disso, esta
tcnica apresenta a desvantagem de requerer altas temperaturas de deposio
tornando necessrio o uso de substratos bastante resistentes temperatura, os
quais so mais caros, alm de o tempo de deposio ser mais longo que nos
sistemas CSS convencionais (ARAMOTO et al, 2003).


2.6.3 PROCEDIMENTO DE FABRICAO


A boa qualidade de uma clula solar de filme fino fortemente dependente das
propriedades e da interao entre as diferentes camadas que constituem o
dispositivo. O procedimento de fabricao de clulas solares de CdS/CdTe consiste
basicamente de oito etapas: preparao do substrato, obteno do contato frontal,
deposio da camada de CdS, deposio da camada de CdTe, tratamento trmico
em presena de CdCl
2
, ataque qumico pr-contato, deposio do contato e
finalizao do contato. A seguir, sero descritas estas etapas e, em cada uma,
comentado o procedimento adotado pelos diferentes grupos que j obtiveram clulas
com eficincia acima de 12%.


45
2.6.3.1 PREPARAO DO SUBSTRATO


O substrato, em geral de vidro, deve apresentar superfcie bem limpa, livre de
qualquer tipo de contaminante. A escolha entre sodalime ou borossilicato depender
das temperaturas envolvidas na deposio das camadas posteriores. Conforme j
mencionado, o sodalime, devido ao seu baixo custo, tem sido preferido por alguns
autores. Entretanto, alm da desvantagem de apresentar maior quantidade de
impurezas e piores propriedades pticas, este vidro tem baixo ponto de
amolecimento no resistindo a altas temperaturas.
O procedimento de limpeza varia entre os diferentes grupos. Para o vidro
borossilicato FEREKIDES e colaboradores (2000) prope aplicao de soluo de
cido fluordrico (HF) 10% por 1 minuto, seguida de lavagem em gua deionizada
em banho ultra-snico. Para o mesmo substrato, ROSE e colaboradores (1999)
realizam limpeza em banho ultrassnico numa soluo 1% de detergente em gua
deionizada aquecida, seguida de cinco enxges em gua deionizada, dos quais
pelo menos dois devem ser feitos utilizando-se gua deionizada aquecida. Quando o
vidro o sodalime, este pode ser lavado com soluo de detergente neutro e
enxaguado em gua deionizada, sendo novamente enxaguado em acetona e
submetido a banho ultrassnico em 2-propanol (ROMEO et al, 2000).


2.6.3.2 OBTENO DO CONTATO FRONTAL


Para formar o contato frontal dever ser depositada sobre o vidro uma camada
de xido transparente condutivo, o qual deve apresentar as caractersticas j
mencionadas na seo 2.5. A escolha por um dos diferentes tipos de TCO, tambm
j apresentados na seo 2.5, depender principalmente das temperaturas
envolvidas na deposio das camadas seguintes e/ou tratamentos trmicos aos
quais as mesmas sero submetidas. Em geral, opta-se pelo SnO
2
devido a sua
maior estabilidade.
46
O SnO
2
pode ser utilizado dopado com flor (SnO
2
:F) ou no. Tanto o SnO
2
:F
quanto o SnO
2
, podem ser depositados pela tcnica de deposio qumica a vapor
por organometlicos (MOCVD) ou por deposio qumica a vapor em baixas
presses (LPCVD). O SnO
2
pode ainda ser depositado por pulverizao catdica
assistida por radiofreqncia.
Para o caso do ITO, a tcnica geralmente utilizada a pulverizao catdica
com radiofreqncia, devido maior facilidade de fabricao e menores
temperaturas envolvidas.
As estruturas mais usadas atualmente para formao do contato frontal so:
borossilicato/SnO
2
:F/SnO
2
: FEREKIDES e colaboradores (2000) utilizam esta
estrutura sendo o SnO
2
:F e SnO
2
depositados por deposio qumica a vapor por
organometlicos (MOCVD), estando o substrato submetido a uma temperatura
superior a 450
o
C e utilizando-se como materiais precursores tetrametilestanho,
oxignio e halocarbono 13B1, este ltimo funcionando como fonte de flor. A
espessura dos filmes 0,7 a 1,0 m e a resistncia superficial de 8 a 10 /.
ROSE e colaboradores (1999) utilizam esta mesma configurao sendo o SnO
2
:F,
depositado por deposio qumica a vapor em baixas presses (LPCVD), presso
total de 60 Torr e estando o substrato temperatura de 550
o
C. A espessura desta
camada de 0,45 m e sua resistncia superficial de 8 /. Utiliza-se
tetrametilestanho como material precursor de estanho e bromotrifluormetano (CBrF
3
)
como fonte de flor. A camada de SnO
2
no dopado depositada com uma
espessura de aproximadamente 0,25 m, em condies idnticas s da deposio
da camada anterior, com exceo do uso de CBrF
3
para dopagem com flor e
apresenta resistividade de 1 .cm.
sodalime/ITO/SnO
2
: Esta configurao usada por ROMEO e colaboradores
(2000). O SnO
2
usado para evitar difuso do sdio. Uma camada de ITO de 1 m
de espessura e resistncia superficial de 1 / depositada por pulverizao
catdica com radiofreqncia assistida por campo magntico, presso de
7,5.10
-3
Torr, estando o substrato temperatura de 450C. Esta camada recebe um
tratamento com CdCl
2
ao ar, a 500C, para remover cristais de NaCl da superfcie do
ITO formados em virtude da difuso do sdio do vidro. Em seguida, sobre a camada
de ITO tratada, depositada uma camada de SnO
2
a uma presso parcial de
1,5. 10
-4
Torr de O
2
tambm por pulverizao catdica com radiofreqncia assistida
47
por campo magntico constante, mantendo-se os mesmos parmetros de deposio
da camada de ITO. A camada de SnO
2
tem espessura de 0,1 m e resistncia
superficial de 10 /.
sodalime/In
2
O
3
:F: ROMEO e colaboradores (2003) tm proposto utilizar xido de
ndio dopado com flor como TCO. Este material depositado por pulverizao
catdica, estando o substrato, a 500C, usando um alvo de In
2
O
3
puro, sendo a
dopagem realizada introduzindo-se na cmara de deposio uma mistura de argnio
contendo aproximadamente 5% de trifluormetano (CHF
3
). A resistividade deste
material de 2.10
-2
.m.
borossilicato/CTO/ZTO: Wu e colaboradores (2001) propem a utilizao do
estanato de cdmio (CTO) como TCO e uma camada buffer de estanato de zinco
(Zn
2
SO
4
). Usualmente conhecido como ZTO, o estanato de zinco um material de
baixa resistividade, alta estabilidade qumica e elevada transmitncia ptica que vem
sendo utilizado como camada buffer, depositado sobre o CTO em clulas
CdS/CdTe.
O uso de uma camada buffer de alta resistncia entre o TCO e CdS tem se
mostrado favorvel para a obteno de clulas solares de alta eficincia,
principalmente para dispositivos que utilizam CdS de espessura reduzida (FEREKIDES
et al, 2004). O filme de CTO depositado por pulverizao catdica com
radiofreqncia assistida por campo magntico constante, usando-se alvo comercial
de estanato de cdmio, estando o substrato temperatura ambiente e em atmosfera
de oxignio. Os filmes de CTO apresentam resistividade de aproximadamente
1,5. 10
-4
.cm e espessura de 0,51 m. Sobre o CTO depositada uma camada de
ZTO, com espessura de 0,1 a 0,3 m, tambm por pulverizao catdica com
radiofreqncia assistida por campo magntico constante. O filme de ZTO como
crescido apresenta alta resistividade. ento realizado um tratamento trmico a
altas temperaturas (540 a 620C) por 3 a 5 minutos, o que reduz a resistividade e
melhora as propriedades pticas. Esta camada resistente ao ataque com cido
ntrico fosfrico (NP) realizado na camada de CdTe antes da deposio do contato,
reduzindo problemas de curto circuito.


48
2.6.3.3 DEPOSIO DA CAMADA DE CdS


A deposio da camada de CdS sobre a estrutura vidro/TCO formar a estrutura
conhecida como janela de absoro da clula. O CdS pode ser depositado por
diversas tcnicas, tais como eletrodeposio, deposio fsica a vapor (PVD),
deposio qumica a vapor (CVD), pulverizao catdica, deposio por banho
qumico (CBD) e sublimao em espao reduzido (CSS) (OLIVA et al, 2001). Todas
estas tcnicas so adequadas para deposio de filmes de CdS e quando usadas
na fabricao clulas CdS/CdTe levam a eficincias superiores a 10%. Entretanto,
as maiores eficincias at hoje reportadas (FEREKIDES et al, 1994 e WU et al, 2001)
foram alcanadas depositando-se a camada de CdS por meio da tcnica CBD.
A opo pela tcnica CBD deve-se provavelmente ao fato de esta tcnica
permitir a obteno de filmes bastante compactos, que cobrem de maneira bem
uniforme a superfcie da estrutura vidro/TCO (BIRKMIRE et al, 1997). Alm disso,
filmes depositados por CBD contm oxignio incorporado, cujo papel nas
propriedades do filme ser descrito adiante. Contudo, a tcnica CBD no muito
adequada para produo em larga escala uma vez que d origem a uma grande
quantidade de resduos, provenientes das solues utilizadas, os quais devem ser
cuidadosamente descartados.
Filmes depositados por CSS, devido s altas temperaturas de substrato
envolvidas, apresentam melhor cristalinidade e gros maiores que aqueles
depositados por CBD (MOUTINHO et al, 2003).
Embora as tcnicas CSS e CBD sejam as mais utilizadas e, em particular a
deposio por CBD tenha possibilitado a obteno de clulas com as mais altas
eficincias, ROMEO e colaboradores (2004) tm conseguido clulas de elevada
eficincia depositando CdS por pulverizao catdica. A deposio realizada em
atmosfera de argnio (Ar) contendo 3% de trifluormetano (CHF
3
). A presena de
flor leva formao de CdF
2
o qual se segrega na superfcie e nos contornos de
gro. O CdF
2
segregado nos contornos de gro til na passivao dos mesmos
enquanto que o formado na superfcie deve ser removido. Para remover o CdF
2
segregado na superfcie permitindo a formao de uma boa juno entre o CdS e a
posterior camada de CdTe realizado um tratamento trmico temperatura de
49
400C por 20 minutos em atmosfera de argnio (Ar) contendo 20% de hidrognio
(H
2
).
WU (2004) tem fabricado clulas de alta eficincia utilizando CdS nanocristalino
dopado com oxignio (CdS:O). Este novo material depositado por pulverizao
catdica com radiofreqncia assistida por campo magntico constante,
temperatura ambiente em atmosfera de argnio e oxignio. Os filmes de CdS:O tm
energia de banda proibida mais alta que o CdS cristalino depositado por outras
tcnicas e maior quantidade de oxignio que aquele depositado por CBD (WU et al
2002).
O oxignio desempenha papel importante na obteno de dispositivos de alta
eficincia. Na camada de CdS, o papel do oxignio controlar a interdifuso atravs
da juno CdS/CdTe limitando a formao da liga CdS
1-x
Te
x
. A interdifuso na
juno CdS/CdTe importante, entretanto, se for excessiva, diminui a eficincia das
clulas solares. Sem a presena de oxignio a interdifuso pode ser substancial
resultando no aparecimento de buracos na superfcie do CdS e tambm na
formao de regies da liga CdS
1-x
Te
x,
com alta concentrao de telrio, que tm
energia de banda proibida muito mais baixa que o CdS, resultando em baixa
eficincia quntica para regies de comprimento de onda curto, o que provoca
reduo na corrente de curto circuito (I
sc
) da clula (YAN et al, 2001). Alm disso,
como esta difuso heterognea, ocorrendo principalmente pelos contornos de
gro, h ainda uma diminuio da tenso de circuito aberto (V
oc
). Quando presente
no sistema CSS durante a deposio o oxignio leva a um decrscimo na taxa de
deposio e influencia o tamanho de gro. Filmes depositados em presena de
oxignio apresentam gros menores que os depositados em ambiente inerte
(FEREKIDES et al, 2000).
A camada de CdS, como j mencionado, deve ser bem fina, com espessura da
ordem de 100 nm. Como o processo de coleo de portadores no CdS ineficiente
e essencialmente todos os portadores fotogerados so perdidos, a camada de CdS
deve ser fina o suficiente para aumentar o nmero de ftons incidentes que
alcanam a camada de CdTe para serem absorvidos, aumentando a corrente de
curto circuito e, portanto, a eficincia da clula (FEREKIDES et al, 2000). Em clulas
CdS/CdTe, a luz penetra na camada de CdS e absorvida no semicondutor tipo p,
neste caso o CdTe, prximo juno p-n. Contudo, devido alta energia de banda
50
proibida, h absoro na regio de comprimentos de onda curtos, o que leva a um
decrscimo da eficincia quntica na regio do azul no espectro (MOUTINHO et al,
2003). Para minimizar esta absoro, costuma-se reduzir a espessura do filme de
CdS para cerca de 80 nm. No entanto, isto pode provocar curto circuito devido
formao de junes CdTe/TCO em virtude da no uniformidade do filme de CdS
em espessuras to reduzidas.


2.6.3.4 DEPOSIO DA CAMADA DE CdTe POR CSS


Da mesma forma que o CdS, o CdTe, semicondutor tipo p da juno, pode ser
depositado por diversas tcnicas, tais como evaporao a vcuo (ROMEO et al,
2000), eletrodeposio (JOHNSON, 2000), CSS (FEREKIDES et al, 1994 e ROMEO et al,
2000), dentre outras. Entretanto a mais utilizada e a que tem levado a obteno de
clulas de maior eficincia a tcnica CSS (FEREKIDES et al, 1994 e WU et al, 2001).
A tcnica CSS um dos mtodos mais populares para fabricao de filmes finos
de CdTe. Alm das vantagens j mencionadas quanto s taxas de deposio e
facilidade para produo em larga escala, os filmes produzidos apresentam alta
qualidade.
O processo de fabricao de filmes de CdTe por CSS baseado na dissociao
reversvel do CdTe a altas temperaturas:
2 CdTe
(s)
2 Cd
(g)
+ Te
2
(g)
Como j mencionado, a fonte e o substrato so separados por uma pequena
distncia sendo que a fonte mantida a uma temperatura superior do substrato. O
CdTe da fonte se dissocia em seus dois elementos, os quais reagem novamente na
superfcie do substrato formando o filme. Uma vez que o processo envolve a
combinao direta dos elementos, CHU (1988) considera a tcnica CSS como um
processo CVD.
Em geral, filmes de CdTe depositados por CSS podem ser classificados de
acordo com a temperatura do substrato, da seguinte maneira (MOUTINHO et al, 2000):
51
9 filmes HT (high temperature): temperaturas de substrato entre 580 e
620
o
C;
9 filmes IT (intermediate temperature): temperaturas de substrato entre 480
e 580
o
C;
9 filmes LT (low temperature): temperaturas de substrato de at 480
o
C.
Filmes HT, embora apresentem melhores propriedades, necessitam de
substratos mais caros (FEREKIDES et al, 2000). Sendo assim, so crescentes os
estudos visando melhorar as propriedades dos filmes LT (BONNET et al, 1994) que
podem ser produzidos em substratos de menor custo e, portanto, mais interessantes
industrialmente. Alm disso, utilizando-se menores temperaturas, h um menor
consumo de energia.
As altas temperaturas envolvidas na deposio por CSS so de grande
importncia na obteno de elevadas eficincias. Em virtude das altas temperaturas
de substrato, h interdifuso de S e Te formando a liga CdS
1-x
Te
x
com x 0, 07, uma
vez que apenas 7% do CdS pode difundir-se para a matriz do CdTe (LANE et al,
2003). Esta interdifuso na interface CdS/CdTe de grande importncia para se
obter uma juno de boa qualidade e, consequentemente, clulas de alta eficincia.
Filmes de CdTe podem ser depositados por CSS em atmosfera inerte, quando
os gases utilizados no sistema CSS so o argnio (Ar) ou hlio (He), ou reativa,
quando os gases presentes so o hidrognio (H
2
) ou oxignio (O
2
). Em geral utiliza-
se uma mistura de gs inerte, normalmente He, com um reativo, em geral O
2
(FEREKIDES et al, 2000 e ROSE et al, 1999). Embora a presena de gases reativos
leve a uma diminuio no transporte das espcies para o substrato, reduzindo a taxa
de deposio, tanto H
2
como O
2
tm sido utilizados em deposies por CSS.
ROMEO e colaboradores (2000) utilizam hidrognio para realizar uma limpeza na
camada de CdS, processo conhecido como limpeza in situ ou ataque trmico. O
hidrognio usado antes das deposies estando as temperaturas da fonte e do
substrato entre 350 e 400
o
C e sendo a presso de 0,1 a 1 Torr, durante 10 a 20 min.
Este procedimento alm de formar uma atmosfera redutora, permite a vaporizao
de uma fina camada (0,02 a 0,03 m) do CdS, minimizando os estados interfaciais
extrnsecos (CHU et al, 1988). Isso tambm melhora a caracterstica epitaxial do
filme, pois causa um aumento de gro do CdS, alm da limpeza superficial,
produzindo filmes pseudo-epitaxiais de CdTe. Alm disso, este procedimento
52
remove impurezas adsorvidas na superfcie do sistema de deposio, tais como
gua ou xidos.
O oxignio essencial para obteno de dispositivos de alta eficincia e tem
sido bastante utilizado no s na deposio de filmes de CdTe como tambm na
deposio de filmes de CdS por CSS. Contudo o papel deste gs nas propriedades
de filmes de CdTe ainda no bem compreendido. Geralmente o oxignio
utilizado em pequena proporo, normalmente 10% da presso total de deposio,
junto com um gs inerte.
O oxignio age como aceitador em semicondutores II-VI (como CdTe e CdS),
melhorando as caractersticas tipo-p, atravs da formao de xidos de cdmio
(CdO). A formao de xido de cdmio dificulta a interdifuso de enxofre e telrio
pelos contornos de gro, resultando em um aumento da tenso de circuito aberto e,
conseqente, da eficincia da clula. Alm disso, como o oxignio reage
preferencialmente com o cdmio durante a deposio, os filmes de CdTe formados
no so estequiomtricos apresentando menor quantidade de cdmio. Isso resulta
na formao de vacncias de Cd (V
Cd
), que atuam como aceitadoras, aumentando a
condutividade tipo p do filme (CHUNG et al, 1995). GORDILLO e colaboradores (1995),
ao contrrio de grande parte da literatura, acreditam que o uso de pequenas
quantidades de oxignio reduz a resistividade dos filmes de CdTe depositados por
CSS devido reao deste gs com o telrio produzindo TeO
2
e favorecendo o
crescimento de filmes ricos em cdmio. Entretanto esta funo do oxignio ainda
no bem compreendida, havendo alguns autores que afirmam que ele no se
comporta como um dopante tipo p, mas apenas aumenta a densidade de
aceitadores no CdTe (CONTRERAS-PUENTE et al, 2001).
Outra funo atribuda ao oxignio diminuio do tamanho de gro do filme e a
formao de filmes mais densos. O oxignio aumenta a taxa de nucleao atravs
da formao de xidos, que atuam como stios de nucleao. Um filme mais denso
estar menos sujeito ao desvio de corrente devido a impurezas que se difundem
(FEREKIDES et al, 2000).
O oxignio tem ainda a funo de controlar e homogeneizar a formao da
camada de CdS
1-x
Te
x
, como j mencionado para o caso dos filmes de CdS, que
resultante da interdifuso de enxofre e telrio (YAN et al, 2001).

53
2.6.3.5 TRATAMENTO TRMICO QUMICO


Tambm conhecido como tratamento de ativao uma etapa que tem sido
considerada fundamental na fabricao de clulas solares de CdS/CdTe de alta
eficincia. Tal tratamento consiste de um recozimento da camada de CdTe antes da
deposio do contato traseiro e/ou da camada de CdS na presena de cloreto de
cdmio (FEREKIDES et al 2000 e ROMEO et al, 2004). Esse tratamento tem resultado
em um aumento de eficincia da clula, por promover recristalizao e crescimento
de gro do CdTe e do CdS (DUROSE et al, 1999). Alm disso, promove interdifuso
na interface CdS/CdTe, resultando na formao da camada de CdTe
x
S
1-x
, o que leva
reduo da densidade de estado interfacial entre CdS e CdTe, gerado pela
diferena entre parmetros de rede de cerca de 10% (DHERE et al, 2000). Promove
ainda a passivao dos contornos de gro. Como conseqncia, h uma diminuio
da recombinao de portadores de carga, fenmeno comum em filmes finos
policristalinos e que leva reduo na eficincia (SITES et al, 1998). O CdCl
2

funciona como agente sinterizante para o CdTe, diminuindo sua temperatura de
recristalizao. Entretanto, para temperaturas de recozimento superiores a 490
o
C,
h evaporao do CdCl
2
no se observando os efeitos desejados (LEE et al, 1998).
Este tratamento pode ser realizado de duas maneiras: in situ ou ps-deposio.
O tratamento ps-deposio pode ser realizado de vrias formas:
Por imerso em soluo de CdCl
2
saturada: Este o tratamento mais usado,
sendo utilizado desde a dcada de 80. Consiste em imergir a amostra, por 15
minutos, em uma soluo de CdCl
2
em metanol preparada com grau de saturao
que pode variar de 50 a 100% para os filmes HT ou LT, mantida a uma temperatura
de aproximadamente 50
o
C (MOUTINHO et al, 1999). A amostra ento recozida por
cerca de 20 minutos em atmosfera contendo He e O
2
numa temperatura entre
420 - 430
o
C. Esses valores de tempo e temperatura de recozimento, em geral, tm
resultado nas melhores propriedades dos filmes. Entretanto, este mtodo apresenta
as seguintes desvantagens:
9 ser pouco reprodutvel, devido dificuldade de manter a temperatura e a
concentrao da soluo em virtude da evaporao do metanol;
9 levar degradao devido umidade envolvida no processamento;
54
9 propiciar pouca recristalizao em virtude da pouca quantidade de CdCl
2

que permanece sobre o filme.
Por causa destas desvantagens tm sido feitas diversas tentativas para
substituir este mtodo objetivando-se maior reprodutibilidade para a aplicao
industrial.
Tratamento por gotejamento (ou spray): Consiste em gotejar sobre o filme
uma soluo idntica anterior. A seguir, realiza-se o tratamento de recozimento por
cerca de 20 minutos a 430
o
C, que correspondem ao tempo e temperatura mais
eficientes. Esse tratamento resulta em recristalizao mais efetiva do CdTe em
relao ao anterior, porm gera uma quantidade maior de resduo de CdCl
2
devido
formao de oxicloretos, insolveis em gua e metanol, que permanecem na
superfcie do filme de CdTe e causam problemas na formao do contato. Ataque
com cido ntrico-fosfrico (NP), que ser detalhado mais adiante, pode remover
esse resduo (WOODS et al, 1998 e WATERS et al, 1998).
Tratamento por deposio fsica a vapor (PVD) de CdCl
2
: Este mtodo
consiste na formao um filme de CdCl
2
sobre a superfcie do CdTe, sendo o
recozimento realizado em forno nas mesmas condies do mtodo anterior.
Diversas formas de PVD, como

ablao a laser ou evaporao resistiva, tm sido
utilizadas para formar um filme de CdCl
2
sobre a superfcie do CdTe. Dessa forma,
esse mtodo evoluiu para o que ser descrito a seguir.
Tratamento na presena de vapor de CdCl
2
: Consiste em realizar um
tratamento de recozimento, no prprio sistema CSS, na presena de vapor de CdCl
2
,
a partir de uma placa-fonte de CdCl
2
. O tempo e temperatura de recozimentos mais
efetivos at o momento so, respectivamente, 5 minutos e 400 a 430
o
C (MOUTINHO
et al, 2000). Esse tratamento tem apresentado resultados de recristalizao mais
efetivos que o mtodo de imerso, devido ao contnuo fornecimento de CdCl
2
para o
CdTe. Alm da vantagem de menor tempo de tratamento em relao s duas
tcnicas anteriores, o uso deste tipo de tratamento diminuiria o nmero de etapas
envolvidas na fabricao da clula, uma vez que seria conduzido no mesmo sistema
dentro de uma linha de produo. Numa linha de produo, o uso de processos
midos deve ser evitado no s para no interromper o processo, como tambm por
questes de segurana. Por isso, este tipo de tratamento vem sendo amplamente
usado e estudado.
55
Tratamento com vapor de cloro (Cl
2
): O vapor de cloro gerado a partir de
cido clordrico (HCl). A amostra aquecida na presena de gs nitrognio (N
2
) e a
seguir submetida a uma soluo de HCl. Este mtodo apresenta a vantagem de
propiciar uma menor degradao. Entretanto, tem como desvantagem a dificuldade
de se controlar a concentrao de HCl (DUROSE et al, 1999).
O tratamento in situ, por sua vez, tem sido realizado adicionando-se CdCl
2
5%
em peso, ao material da fonte a ser utilizada no sistema CSS. O substrato
aquecido a temperaturas de 250 a 500C e a fonte mantida a uma temperatura de
675C. Uma vez que o CdCl
2
tem presso de vapor muito alta na temperatura de
sublimao do CdTe, a deposio ocorre em presena de vapor de CdCl
2
(PAULSON
et al, 2000). A principal vantagem a reduo do nmero de etapas no
processamento do filme, o que resulta em uma diminuio do custo. Este processo
de ativao no tem influncia significativa nas propriedades do filme de CdS,
entretanto as mudanas nas propriedades eletrnicas so devido interdifuso do
CdS e do CdTe (FRITSCHE et al, 2003).
Embora o tratamento de ativao melhore as propriedades do filme, o mesmo
pode levar a degradao da clula em virtude da interdifuso excessiva na interface
CdS/CdTe. O problema da interdifuso pode ser resolvido com o recozimento em
presena de O
2
, em uma concentrao de cerca de 20% em uma atmosfera com
outro gs inerte como He ou Ar, e presso total de 760 Torr (MOUTINHO et al, 1999).
O papel do oxignio neste tratamento aumentar o carter tipo p do CdTe, mas sem
afetar a estrutura de defeitos no CdTe (KOMIN et al, 2003).
Um problema bastante discutido a ocorrncia de recristalizao. Filmes LT
depositados por CSS, a temperaturas de substrato menores que 480C, mostram-se
completamente recristalizados aps o tratamento apresentando novos gros nos
contornos de gro. J filmes HT, depositados a temperaturas de substrato maior que
580C no apresentam recristalizao passando apenas por um processo de
recuperao de defeitos, uma vez que no se observa surgimento de novos gros e
nem um aumento de tamanho dos mesmos. Isto pode ser explicado com base em
duas hipteses: ou o tratamento com CdCl
2
diminui a temperatura de recristalizao,
atuando como fundente ou fluxante, ou h um aumento da energia de deformao
da rede e, conseqentemente, um aumento da fora motriz para recristalizao,
criando defeitos adicionais, principalmente nos contornos de gro, provavelmente
56
devido difuso de Cl para a rede de CdTe. H evidencias de que a nucleao dos
gros recristalizados ocorre principalmente nos contornos de gro, o que bem
verificado em filmes LT, depositados atravs de tcnicas nas quais as temperaturas
de crescimento do filme so baixas, como CSS, PVD e eletrodeposio. Contudo,
em filmes HT obtidos por CSS, observa-se apenas uma suavizao dos contornos,
no se verificando um crescimento significativo ou nenhum crescimento, uma vez
que fora motriz no suficiente para recristalizar os gros, mas somente para
causar uma recuperao (MOUTINHO et al, 1998). No entanto, de acordo com
COUSINS e colaboradores (2000), h um aumento de cerca de 5 vezes no dimetro
do gro do CdTe prximo interface com CdS, o que indica a ocorrncia de
recristalizao nesta regio. Alm disso, tem-se verificado que o tratamento reduz a
densidade de defeitos planares em filmes HT e leva substituio da alta densidade
de discordncias por defeitos planares em filmes LT (AL-JASSIM et al, 2001).


2.6.3.6 ATAQUE QUMICO PR-CONTATO


Antes da deposio do contato traseiro, necessrio preparar o filme de CdTe
para receber o mesmo. A superfcie do filme de CdTe deve estar livre de impurezas,
sobretudo de xidos e oxicloretos que se formam principalmente durante o
tratamento trmico qumico com CdCl
2
. Estas impurezas podem causar aumento da
resistncia, prejudicando a passagem de corrente e, conseqentemente, a eficincia
da clula. Alm disso, a superfcie do CdTe deve ser mais dopada que seu volume
para facilitar a formao do contato hmico. Para promover estas caractersticas,
diversos ataques tm sido propostos e os principais so:
NP (Soluo de cido ntrico e fosfrico): A soluo de ataque padro
consiste de uma mistura de H
3
PO
4
,

HNO
3
, e H
2
O (deionizada) em uma razo de
volume de 88:1:35, com um tempo de ataque de 30 a 50 segundos ou at se
desprenderem bolhas da superfcie do filme, o que indica formao de subprodutos
gasosos ou que houve transio para o comportamento hidrofbico, aps a
formao de uma camada de Te (ROSE et al, 1999). Este tipo de ataque leva
formao de uma superfcie rica em telrio e ocorre basicamente em trs etapas:
57
dissoluo do CdTe oxidado, oxidao do on Te
2-
do CdTe para Te, acompanhada
da dissoluo do Cd
2+
e finalmente cristalizao de Te, o que causa um decrscimo
na resistncia superficial. O HNO
3
age como oxidante enquanto o papel do H
3
PO
4

tornar o meio cido para favorecer a reao de dissoluo do TeO
2
, visto que a
solubilidade deste composto aumenta com a diminuio do pH (SARLUND et al,
1996);
BM (Soluo de bromo-metanol): A soluo de ataque padro consiste de
uma mistura de Br
2
-CH
3
OH em gua deionizada numa razo de volume de 0,1:99,9;
com um tempo de ataque de 10 segundos ou at se desprenderem bolhas (DANAHER
et al, 1985);
DK (Soluo de dicromato de potssio): A soluo de ataque padro consiste
de uma mistura de K
2
Cr
2
O
7
aquoso 25%, H
2
SO
4
concentrado 50% e 25% de H
2
O,
com um tempo de ataque de 5 segundos ou tambm at se desprenderem bolhas
(DANAHER et al, 1985).
Aps o ataque, importante lavar as amostras com gua deionizada, sec-las
imediatamente com um fluxo de N
2
e, logo a seguir, depositar o contato eltrico
traseiro antes que a superfcie do Cdte se oxide.
Para os trs tipos de ataque mencionados, h a formao de uma camada
superficial rica de Te envolvendo os gros mais externos, que pode penetrar at
alguns micrmetros, dependendo do tipo, da concentrao e do tempo de ataque.
Isso bastante facilitado, devido presena dos contornos de gros nos filmes
policristalinos.
A formao de uma superfcie rica em Te de grande importncia para
obteno de dispositivos de alta eficincia, pois leva a uma reduo da largura da
barreira entre o Te e o Cdte tipo p diminuindo significativamente a resistncia do
contato. Alm disso, a superfcie rica em Te reduz a corrente de recombinao nos
contornos de gro resultando num aumento do V
oc
e R
sh
da clula (LI et al, 1999).
O tempo de ataque tambm de grande importncia. Embora o tempo de
ataque varie em funo do estado da superfcie do CdTe, deve-se tomar o cuidado
de no exceder muito mais que 60 segundos, pois o ataque diminui a espessura da
camada de CdTe o que pode levar formao de buracos na mesma e prejudicar a
eficincia do dispositivo. O tempo timo de ataque de alguns segundos aps a
formao de bolhas na superfcie do CdTe (SARLUND et al, 1996).
58
Dos tipos de ataque mencionados o NP o que tem apresentado melhores
resultados. O ataque DK pode levar formao de uma camada de TeO
2
que pode
prejudicar a formao de um contato de baixa resistncia com o CdTe. O ataque BM
por sua vez pode causar penetrao de Br para a camada de CdTe, o qual se
acumula na interface CdS/CdTe e no contato frontal (LI et al, 1999).


2.6.3.7 FORMAO DO CONTATO TRASEIRO


A etapa de formao do contato traseiro uma das mais crticas na fabricao
de uma clula solar de CdS/CdTe. Como o CdTe tipo p possui alta funo trabalho,
a juno inevitavelmente apresentar caractersticas de retificao. Para reduzir a
resistncia, o contato traseiro, da mesma forma que o contato frontal, fica em
contato com toda a rea da camada de CdTe. O CdTe possui uma elevada funo
trabalho, = 5,9 eV (JANIK, 1983) e, teoricamente, para se obter um contato livre de
retificao para um semicondutor tipo p necessrio o uso de um metal com funo
trabalho mais alta que a do semicondutor (ALNAJJAR et al, 2002). Entretanto, nenhum
metal possui funo trabalho maior ou to alta quanto do CdTe e desse modo os
contatos de fundo em clulas de CdS/CdTe apresentam um comportamento
retificador na anlise de suas curvas I x V. Tal comportamento retificador atribudo
a uma barreira Schottky no contato, que atua como um diodo aumentando a
resistncia do contato e reduzindo a eficincia da clula fazendo com que a curva I x
V apresente um sinal de saturao caracterstico chamado rollover (POTLOG et al,
2003), principalmente se o contato de Au. A FIG. 2.8 mostra a curva I x V de duas
diferentes clulas solares de CdS/CdTe, no escuro e sob iluminao, das quais uma
apresenta rollover devido formao de barreira Schottky no contato.

59

FIG. 2.8 Curva I x V de duas clulas solares diferentes mostrando o rollover devido
presena de barreira Schottky no contato (Adaptada de POTLOG et al, 2003).

O cobre (Cu) tem sido bastante utilizado, porm clulas solares com contatos
que utilizam cobre no apresentam estabilidade, devido deteriorao das
propriedades causada pela difuso deste elemento de pequeno raio atmico atravs
da juno CdS/CdTe (DOBSON et al, 2000). ROMEO e colaboradores (2000) tm
substitudo Cu por antimnio, Sb, o qual apresenta maior raio atmico produzindo
contatos mais estveis e de boa qualidade.
Uma alternativa a diminuio da largura da barreira usando um semicondutor
de alta funo trabalho. Os materiais mais pesquisados so HgTe e ZnTe
depositados atravs de tcnicas de deposio fsica a vapor (PVD) e Sb
2
Te
3

depositado atravs de pulverizao catdica (ROMEO et al, 2000). Outra opo a
diminuio da largura da barreira, para que ocorra tunelamento dos portadores
atravs da mesma, utilizando-se camadas superficiais, altamente dopadas, ricas em
Te, atravs de ataques qumicos anteriormente descritos, ou pasta de grafite dopada
com sais de ouro, cobre ou mercrio. O contato pode ainda ser formado
depositando-se uma fina camada de Cu, de aproximadamente 0,1 m, seguida de
uma camada de ouro, de cerca de 0,4 m (CHOU et al, 1995). O contato ideal para o
CdTe fruto de atuais pesquisas.


60
2.6.3.8 FINALIZAO DO CONTATO TRASEIRO


Em geral, o contato finalizado com cola prata. O dispositivo ento recozido
em forno a temperaturas entre 100 e 250C por cerca de 1 hora. A funo deste
recozimento curar a cola prata. Para os contatos base de cobre, a funo do
recozimento permitir uma difuso limitada do mesmo na superfcie do CdTe e
eliminar o rollover. A difuso do cobre atravs da camada de CdTe leva formao
de uma liga Cu
2-x
Te na interface, o que permite a formao de um melhor contato
hmico. O cobre difundido pela camada absorvedora age como um aceitador e a
aumenta a densidade de portadores. Atravs desta interdifuso e dopagem, a
barreira formada no contato diminuda e o rollover praticamente desaparece aps
o recozimento. Entretanto, este recozimento pode no ser necessrio caso o contato
traseiro no contenha cobre, pois no se observa melhora nos parmetros aps o
recozimento ps-contato. Embora a difuso do cobre pela juno seja benfica no
sentido de formar um contato hmico com o CdTe, tal difuso leva a maior
degradao do dispositivo em virtude do acmulo de tomos de cobre nos contornos
de gro ricos em Te abaixo da juno (BTZNER et al, 2004).












61
3 MATERIAIS E MTODOS



3.1 PROCEDIMENTO PARA FABRICAO DA CLULA SOLAR DE CdS/CdTe


A fabricao da clula CdS/CdTe seguiu basicamente os procedimentos
adotados pelo National Renewable Energy Laboratory (NREL), descritos por ROSE e
colaboradores (1999). Contudo, os parmetros de deposio utilizados neste
trabalho foram obtidos das dissertaes anteriores realizadas no Laboratrio de
Filmes Finos (LFF) do IME.
O dispositivo fabricado neste trabalho apresenta configurao
vidro/TCO/CdS/CdTe como mostrado no esquema da FIG. 3.1. Para efeito de
comparao, dois TCOs foram utilizados: filmes de ITO, com espessuras de 0,32
m e 0,70 m, depositados sobre borossilicato pela tcnica de pulverizao catdica
e tambm filmes de SnO
2
:F/SnO
2
com espessuras de 0,45 m e 0,15 m,
respectivamente, depositados sobre substratos de borossilicato, doados pelo NREL.
Os parmetros utilizados na deposio do ITO foram otimizados em uma dissertao
anterior (LEGNANI, 2000). Conforme mencionado no captulo 2, a camada de ITO
ou SnO
2
:F/ SnO
2
forma o contato transparente da clula que funciona como coletor
de corrente na parte dianteira do dispositivo. As camadas de CdS e de CdTe foram
depositadas pelas tcnicas CBD e CSS, respectivamente. Os parmetros utilizados
na deposio do CdS foram levantados neste trabalho, utilizando-se o processo
experimental desenvolvido na dissertao de SILVA (2001). J os parmetros
utilizados na deposio do CdTe foram otimizados em uma dissertao anterior
(PINHEIRO, 2004), mas foram adaptados ao presente trabalho para permitir a
introduo de oxignio durante o crescimento dos filmes. Uma camada de ouro,
depositada por evaporao por feixe de eltrons, foi usada para formar contato
hmico com o CdTe. Os procedimentos que foram adotados neste trabalho so
detalhados a seguir.

62

FIG. 3.1 Esquema do dispositivo fabricado.


3.1.1 PREPARAO DO SUBSTRATO


Os substratos utilizados neste trabalho foram vidros, do tipo borossilicato, com
dimenses de 0,9 x 1,4 cm e espessura de 1 mm. A escolha por este tipo de vidro foi
devido ao seu maior ponto de amolecimento (cerca de 820
o
C) quando comparado ao
vidro sodalime (696
o
C). O vidro utilizado foi doado pelo NREL/EUA.
Os substratos cortados nas dimenses desejadas foram submetidos ao seguinte
procedimento de limpeza:
9 remoo de gordura da superfcie com ter de petrleo;
9 remoo do ter de petrleo por meio de lavagem em soluo 5% de
detergente neutro em gua deionizada, aquecida at fervura;
9 limpeza com ultra-som por 10 minutos em soluo 5% de detergente;
9 lavagem em gua destilada at retirar todo detergente;
63
9 fervura em gua destilada por 5 minutos;
9 fervura em gua deionizada por 5 minutos;
9 secagem dos substratos em estufa sob luz infravermelha.


3.1.2 DEPOSIO DA CAMADA DE ITO


Uma vez limpos os substratos, foi depositado o filme de ITO, por meio da tcnica
de pulverizao catdica com radiofreqncia assistida por campo magntico
constante. A FIG. 3.2 mostra o sistema construdo no prprio laboratrio e utilizado
nas deposies.


FIG. 3.2 Equipamento para deposio por pulverizao catdica assistida por
campo magntico constante do Laboratrio de Filmes Finos do IME.



64
O processo de pulverizao catdica consiste na ejeo de tomos de um alvo,
atravs do bombardeamento de ons. Este processo ocorre dentro de uma cmara
em presses da ordem de 1x10
-3
Torr. A pulverizao inicia-se com a introduo do
gs base do plasma, geralmente um gs inerte com elevado nmero de massa,
como por exemplo, o argnio, para tornar a pulverizao mais eficaz. O plasma
formado quando se aplica um potencial negativo ao alvo, devido ionizao dos
tomos de argnio. Estes tomos ionizados so acelerados na direo do alvo
atravs de um campo assimtrico variado com radiofreqncia. A radiofreqncia
aplicada para reduzir efeitos de carga eltrica acumulada em alvos isolantes. Um
im permanente colocado com a finalidade de gerar um campo magntico esttico
na regio do plasma e tem a funo de aumentar a eficincia da ionizao devido ao
aumento do livre caminho mdio dos eltrons. Este campo concentra os ons e,
principalmente, eltrons na regio central do alvo. Estes ons so atrados em
direo ao alvo e iro desbast-lo, causando a sua pulverizao. Os tomos
ejetados que possurem momento linear suficiente atingiro o substrato formando
um filme sobre o mesmo.
Neste trabalho foi utilizado um alvo de ITO (90% In
2
O
3
+ 10% SnO
2
) fabricado
pela Kurtt J. Lesker Company com 3 de dimetro e 0,125 de espessura. Os filmes
foram depositados temperatura ambiente. A potncia utilizada foi de 40 W, a
presso de trabalho foi de 3,8. 10
-3
Torr, de acordo com procedimento descrito na
dissertao de LEGNANI (2002).


3.1.3 DEPOSIO DA CAMADA DE CdS


Sobre as estruturas vidro/ITO e vidro/ SnO
2
:F/ SnO
2
foi depositada a camada de
CdS pela tcnica CBD, formando assim a estrutura conhecida como janela de
absoro da clula.
A tcnica CBD bastante simples e envolve uma reao qumica em uma
soluo aquosa, contendo diversos reagentes. Em geral, utiliza-se um sal de cdmio
como fonte de ons de cdmio, tiouria (CS(NH
2
)
2
) como fonte de ons de enxofre e
amnia, que atua como complexante e auxilia no ajuste do pH da soluo.
65
O mtodo mais comum de deposio de filmes de CdS, alm dos reagentes
citados, envolve a adio de uma soluo que atua como soluo buffer. Neste
mtodo adiciona-se uma soluo de cloreto de amnia (NH
4
Cl) soluo de
deposio, quando se utiliza o cloreto de cdmio (CdCl
2
) como fonte de ons de
cdmio, e acetato de amnia (NH
4
CH
3
COO) quando se utiliza o acetato de cdmio
(Cd(CH
3
COO)
2
), como fonte destes mesmos ons. Essa soluo buffer reduz a
velocidade da reao, impedindo a formao de uma grande quantidade de Cd(OH)
2

na soluo. Assim, possvel produzir filmes finos uniformes de alta qualidade, com
espessura variando na faixa de 0,07 m a 0,2 m, dependendo dos tipos de
reagentes, da temperatura do banho, do tempo de deposio e do pH da soluo
(RAMANATHAN et al, 1992).
No presente trabalho foram utilizados como reagentes o acetato de cdmio, o
acetato de amnia, a tiouria e a amnia. O processo de crescimento foi realizado
com o pH em torno de 9. As concentraes das solues precursoras, a funo das
mesmas no processo de deposio e os volumes utilizados neste trabalho esto
resumidos na TAB. 3.1.
Antes da deposio, os substratos de ITO foram submetidos limpeza com
gua deionizada aquecida em banho ultrassnico por 2 minutos. J os substratos de
SnO
2
:F/SnO
2
foram limpos com lcool isoproplico, tambm em banho ultrassnico
por 2 minutos.
A deposio dos filmes foi realizada de acordo com os seguintes procedimentos:
137,5 mL de gua destilada e bi-deionizada foram aquecidos at 87C, sob
agitao magntica, em banho-maria de leo de silicone. As temperaturas da
soluo e do banho foram respectivamente controladas por um termmetro de
mercrio e um termopar de chromel-alumel;
9 os substratos foram ento mergulhados na gua j aquecida;
9 a seguir, foram adicionados 2,0 mL de acetato de cdmio e 1,2 mL de
acetato de amnia;
9 aps quatro minutos, adicionaram-se lentamente 3,7 mL de amnia;
9 a cada 10 minutos adicionou-se 0,5 mL de tiouria, totalizando 2 mL;
9 aps a ltima adio de tiouria, os substratos foram mantidos no banho
por mais 8 minutos totalizando 38 minutos de deposio;
66
9 os substratos foram ento retirados do banho e submetidos a trs
limpezas consecutivas em banho ultrassnico em gua deionizada
aquecida com durao de 2 minutos cada.
O procedimento descrito anteriormente foi realizado por trs vezes, a fim de se
obter trs camadas de CdS. Ao final da deposio das 3 camadas, o filme formado
na parte traseira do substrato foi removido usando-se um cotonete umedecido em
soluo 50:50 de HCl em gua deionizada.

TAB. 3.1 Concentrao, volume e funo das solues constituintes do banho
qumico para deposio do filme de CdS.
Composto Volume (mL) Concentrao Funo
gua 137,5 ____ diluente
Acetato de Cdmio 2 0,033 M fonte cdmio
Acetato de Amnia 1,2 1,0 M buffer
Amnia 3,7 3,7 M complexante
Tiouria 2 0,067 M fonte de enxofre

A FIG. 3.3 mostra em (a) um esquema e em (b) uma foto do aparato
experimental montado no Laboratrio de Filmes Finos do IME. Todo o procedimento
foi realizado em capela e o bquer contendo a soluo foi mantido coberto com uma
tampa de teflon para evitar variaes de temperatura. Tal tampa possui orifcios para
introduo do termmetro, do medidor de pH e do funil de vidro usado para adicionar
as solues, como pode ser observado FIG. 3.3. O leo de silicone foi utilizado
como banho em virtude de seu alto ponto de ebulio, o que permitiu atingir a
temperatura desejada na soluo, evitando-se a vaporizao que ocorria, por
exemplo, quando gua era utilizada, dificultando o controle da temperatura da
soluo.






67


FIG. 3.3 Aparato experimental montado no Laboratrio de Filmes Finos do IME para
deposio de filmes de CdS por CBD (a) esquema e (b) foto durante deposio.


3.1.4 DEPOSIO DA CAMADA DE CdTe


O filme de CdTe foi depositado pela tcnica CSS, descrita anteriormente na
seo 2.6.2. A deposio foi realizada diretamente sobre a camada de CdS.
Como fonte de CdTe foi utilizada uma pasta de p de CdTe e propilenoglicol
aplicada diretamente sobre o bloco de grafite do sistema mostrado no esquema da
FIG. 2.7, com o auxlio de uma esptula e submetida secagem a 120C, por 1 h,
(b)
(a)
68
antes das deposies. A FIG. 3.4 mostra a placa fonte preparada para as
deposies. Fonte e substrato ficaram separados por uma distncia de 2,7 mm por
meio de dois espaadores de quartzo.
Foram realizadas deposies na presena de um gs inerte (Ar) e de uma
mistura de um gs inerte com um reativo (Ar + O
2
) a fim de se verificar a influncia
do oxignio dos mesmos nas propriedades dos filmes e na eficincia dos
dispositivos.
Para o estudo do efeito do oxignio na camada de CdTe, os filmes de CdTe
foram depositados sobre vidro/ITO com os seguintes parmetros:
9 presso total da mistura (argnio + oxignio) igual a 10 Torr sendo o
percentual de oxignio na mistura variado de 0 a 100%,
9 temperatura da fonte de 750C ,
9 temperatura do substrato igual a 600C,
9 tempo de deposio de 15 minutos.
A presso total de 10 Torr foi utilizada para facilitar a variao do percentual de
oxignio.
A camada de CdTe utilizada na fabricao das clulas solares foi depositada
sobre as estruturas vidro/ITO/CdS e vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS em presena de Ar
puro e em atmosfera contendo uma mistura de 90% de Ar e 10% de O
2
com os
seguintes parmetros:
9 presso total de 1 Torr,
9 temperatura da fonte de 750C ,
9 temperatura do substrato igual a 560C,
9 tempo de deposio de 10 minutos para as deposies em atmosfera
contendo argnio puro e 30 minutos para as deposies em atmosfera
contendo argnio + oxignio.
Foi necessrio triplicar o tempo de deposio para as deposies feitas em
atmosfera contendo O
2
para se obter a mesma espessura de 6 m.
A FIG. 3.5 mostra o sistema CSS construdo no Laboratrio de Filmes Finos do
IME, utilizado nas deposies.



69


FIG. 3.4 Fonte de CdTe preparada com pasta de CdTe e propilenoglicol aps
secagem.




FIG. 3.5 Sistema CSS do Laboratrio de Filmes Finos do IME.


70
3.1.5 TRATAMENTO TRMICO-QUMICO



Sobre a camada de CdTe, foi realizado um tratamento trmico em presena de
CdCl
2
por imerso, como descrito a seguir:
9 preparou-se uma soluo 75% saturada de CdCl
2
dissolvendo-se 1,2 g de
p de CdCl
2
anidro em 100mL de metanol;
9 aqueceu-se inicialmente a soluo em um bquer at aproximadamente
50C;
9 transferiu-se parte da soluo j aquecida para uma placa de Petri;
9 as estruturas vidro/ITO/CdS/CdTe e vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe foram
mergulhadas na soluo contida na placa de Petri cobrindo-se a mesma
com o auxlio de outra placa;
9 manteve-se o conjunto coberto e sob aquecimento temperatura de 55 a
60C por 15 minutos;
9 as estruturas vidro/ITO/CdS/CdTe e vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe foram
retiradas da soluo e submetidas ao recozimento no sistema CSS a uma
temperatura de 420C, durante 40 min, em duas atmosferas diferentes: ao
ar, apenas selando-se o sistema e tambm em presena de cerca de
aproximadamente 80 Torr de O
2
e 320 Torr de Ar;
9 aps resfriamento at 50C, as amostras foram lavadas em gua
deionizada para retirar o excesso de CdCl
2
e submetidas secagem com
fluxo de ar comprimido filtrado e seco.
Para recozimento no sistema CSS, foi utilizado o conjunto de blocos de grafite
juntamente com os espaadores de quartzo, tal como se usado para as deposies,
para garantir temperatura uniforme durante o recozimento como mostrado na FIG.
3.6.

71

FIG 3.6 Blocos de grafite da fonte e do substrato, juntamente com os espaadores
de quartzo, na configurao pronta para recozimento.


3.1.6 ATAQUE PR-CONTATO


Aps o tratamento trmico qumico com CdCl
2
foi realizado um ataque NP sobre
a superfcie do filme de CdTe para remover xidos e formar uma superfcie rica em
Te.
A soluo de ataque padro consistiu de uma mistura de H
3
PO
4
, HNO
3
e H
2
O
em uma razo de volume de 88:1:35. Sobre cada estrutura vidro/ITO/CdS/CdTe e
vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe foi aplicada uma gota de soluo, de modo a cobrir
toda superfcie do filme de CdTe. O tempo total de ataque foi de aproximadamente
50 segundos, at que se desprendessem bolhas da superfcie do filme. Em seguida,
foi realizado enxge em gua deionizada e secagem com fluxo de ar comprimido
filtrado e seco.


3.1.7 DEPOSIO DO CONTATO TRASEIRO


Aps o ataque NP, delimitou-se uma rea de aproximadamente 0,25 cm
2
em
cada clula e depositou-se uma camada de 0,1 m de Au, pela tcnica de
72
evaporao por feixe de eltrons formando assim o contato traseiro. O equipamento
utilizado para a produo do contato de Au foi a evaporadora EDWARDS 19A. A FIG
3.7 mostra o interior deste sistema de evaporao.


FIG. 3.7 Interior da cmara do sistema de deposio EDWARDS 19A.

Na tcnica de evaporao por feixe de eltrons, um feixe de eltrons de alta
energia (5 a 30 keV), extrado de um nodo e direcionado por um campo magntico,
bombardeia o material a ser evaporado. Os sistemas de feixe de eltrons
disponveis podem fundir e evaporar qualquer material desde que consiga suprir
energia suficiente. O material fonte colocado em um cadinho resfriado com gua.
Como o feixe de eltrons focalizado e varrido de maneira controlada sobre o alvo,
apenas o material fonte fundido, permitindo a obteno de filmes de alta pureza.






73
3.2 CARACTERIZAO DOS FILMES OBTIDOS


As anlises dos filmes foram baseadas na necessidade de se verificar os
requisitos mnimos de cada camada para se obter uma clula solar de eficincia
aceitvel, por exemplo, sabe-se que a camada de ITO deve ser transparente e
condutora. Tal camada deve apresentar espessura de at 1 m, baixa resistncia
superficial (menor que 10 /) e elevada transmitncia ptica (maior que 80% na
regio do visvel). Dessa forma, aps a deposio do filme de ITO foram realizadas
medidas de espessura, anlises de transmitncia e refletncia, com objetivo de
verificar se a luz visvel era transmitida para posterior camada de CdS e tambm
anlise da resistncia superficial.
A camada de CdS, para garantir clulas de alta eficincia, deve apresentar
espessura em torno de 0,08 m. Sabe-se que espessuras da ordem de 0,06 m
fornecem dispositivos com baixas voltagens de circuito aberto, em especial se o
CdTe for depositado em condies que causem perdas de CdS. Dispositivos com
espessura da camada de CdS superior a 0,1 m tm fotocorrente reduzida devido
absoro de luz pelo CdS e tambm baixas voltagens de circuito aberto devido
qualidade inferior do filme de CdS obtido nas ltimas etapas do crescimento do
mesmo por CBD. Assim, uma vez depositada a camada de CdS, foram feitas
medidas de espessura e de transmisso tica, para verificar a quantidade de luz
visvel que chegava camada de CdTe.
A camada de CdTe, que a camada absorvedora, deve apresentar alto
coeficiente de absoro, maior que 10
4
cm
-1
. Dessa forma, para os filmes de CdTe
foram feitas medidas do coeficiente de absoro, da energia de banda proibida, da
espessura e anlises da microestrutura. Alm disso, para filmes depositados em
presena de O
2
foram realizadas anlises por difrao de raios X.





74
3.2.1 MEDIDAS DE ESPESSURA


Para as medidas de espessura dos filmes de ITO e CdS, foi utilizado o
interfermetro -Scope Multiple Beam Interferometer, modelo 980-4000 da marca
Varian do Laboratrio de Filmes Finos do IME. Este equipamento utiliza padres de
interferncia e o fenmeno de interferncia construtiva para medidas de espessura.
A fim de medir a espessura do filme necessrio produzir um degrau na superfcie
do mesmo, a qual deve ser totalmente coberta com uma camada altamente refletora.
A amostra colocada sob um plano ptico padro de alta refletncia e baixa
absoro denominado placa Fizeau. Este plano em contato com o filme forma uma
pelcula de ar que iluminada por uma lmpada de vapor de sdio (=5892 ) gera
padres de franjas de interferncia. A presena do degrau fabricado
intencionalmente no filme provoca um deslocamento lateral das franjas de
interferncia o qual proporcional espessura do filme depositado.
A espessura dos filmes de CdTe foi medida utilizando-se o perfilmetro Dektak 3
da Veeco, disponvel no Laboratrio van der Graaff do Departamento de Fsica da
PUC-RJ.


3.2.2 ANLISE DA COMPOSIO, MORFOLOGIA E DA MICROESTRUTURA


A superfcie e a morfologia dos filmes foram analisadas empregando-se
Microscopia Eletrnica de Varredura e Microscopia de Fora Atmica. Tais anlises
permitiram a observao da morfologia das amostras bem como obteno da
rugosidade da superfcie e do tamanho de gro das mesmas. Alm disso, foram
realizadas anlises elementares semiquantitativas por meio de Espectroscopia de
Energia Dispersiva (EDS).
As imagens por microscopia eletrnica e os espectros de EDS foram obtidos
utilizando-se o Microscpio Eletrnico de Varredura fabricado pela JEOL, modelo
JSM 5800LV, com acessrio para espectroscopia de energia dispersiva (EDS)
75
fabricado pela NORAN, modelo 688A-1SSS, do Laboratrio de Microscopia
Eletrnica do IME.
As anlises por microscopia de fora atmica foram realizadas no Laboratrio de
Nanoscopia do Departamento de Fsica da UFMG, utilizando-se o equipamento de
microscopia de varredura por sonda SPM (Scanning Probe Microscopy) Nanoscope
IV Multi Mode, da marca Veeco e tambm no National Renewable Energy
Laboratory por meio de um microscpio de fora atmica (MFA) da Park Scientific
Instruments Autoprobe LS.


3.2.3 DIFRAO DE RAIOS X


A anlise estrutural dos filmes foi feita por difrao de raios X com ngulo de
incidncia rasante. Neste mtodo, o ngulo de incidncia () desacoplado do
ngulo percorrido pelo detector (2) e permanece fixo em valores pequenos (~1).
Assim, possvel garantir uma baixa profundidade de penetrao e um grande
volume irradiado. No mtodo convencional de difrao de raios X com ngulos
acoplados, chamado de Bragg-Bretano, o feixe incidente atingiria o substrato,
dificultando a obteno de informaes de amostras muito delgadas.
O equipamento usado nas anlises foi o difratmetro Siemens modelo D5000
disponvel no Laboratrio de Difrao de Raios X da PUC-RJ. Foram empregados
radiao K
Cu
(=1,5406 ), passo de 0,02, tempo de leitura de 1 segundo em cada
passo e ngulo de incidncia fixo em 1.


3.2..4 CARACTERIZAO ELTRICA


Para a caracterizao eltrica dos filmes, foram realizadas medidas de
resistividade eltrica, mobilidade eletrnica e densidade de portadores. O
equipamento utilizado foi o BioRad HL5500 do Laboratrio de Filmes Finos do IME,
o qual emprega o mtodo de van der Pauw. Tal mtodo utiliza uma amostra
76
quadrada, com contatos nos quatro vrtices. Aplica-se uma corrente em dois
vrtices adjacentes e mede-se a tenso nos outros dois repetindo-se o procedimento
para os outros dois vrtices conforme arranjo mostrado na FIG. 3.8.


FIG. 3.8 Arranjo para medidas eltricas mostrando as permutaes entre os
contatos.

A resistncia superficial ento dada pela EQ 3.1:
) (
2 ln
14
23
12
43
Q F
I
V
I
V
R
|
|
.
|

\
|
+ =

(3.1)
em que: V
43
e V
23
so os potenciais entre os vrtices 4-3 e 2-3; I
12
e
14
so as
correntes aplicadas entre os vrtices 1-2 e 1-4, respectivamente. Q o fator de
simetria dado pela EQ 3.2 e F o fator de correo dado pela EQ. 3.3.
O fator de simetria Q a razo entre os valores de voltagens para dois pares
com um contato comum, como mostra a EQ 3.2. Para amostras bem preparadas,
geralmente tem-se um valor de Q menor que 1,2. Contudo, valores de Q at 1,5 so
tolerveis. Valores de Q maiores que 1,5 resultam de padres mal definidos,
contatos no hmicos ou amostras anisotrpicas.
23 12
14 43
V I
I V
Q = (3.2)

2
09236 , 0 346757 , 0 1 A A F = (3.3)

O valor de A dado pela EQ. 3.4:

77
|
|
.
|

\
|
+

=
|
|
|
|
|
.
|

\
|
+

=
1
1
14
23
12
43
14
23
12
43
Q
Q
I
V
I
V
I
V
I
V
A
(3.4)

No mtodo de van der Pauw, as amostras a serem analisadas devem ter
espessura uniforme e, preferencialmente, um dos padres mostrados na FIG.3.9,
sendo o mais recomendado aquele em formato de trevo de quatro folhas.


FIG. 3.9 Formas tpicas de geometria para medidas eltricas usando o mtodo de
van der Pauw.

O equipamento HL5500 PC permite a determinao do coeficiente e da
mobilidade Hall. Tal equipamento dispe de um software que verifica os contatos,
plota a curva I x V, mede a resistividade e realiza medidas Hall. A verificao dos
contatos feita por meio da medida da resistncia para todas as permutaes
possveis de contatos, utilizando a corrente selecionada, com objetivo de checar se
os contatos obedecem lei de Ohm. Aps a verificao dos contatos, plotada uma
curva I x V, a qual fornecer linhas retas e inclinaes iguais se os contatos forem
todos hmicos. Inclinaes diferentes indicam uma resistncia maior para um par de
contatos, mas so aceitveis desde que o fator de simetria Q seja menor que 1,5.
Para as medidas Hall, as voltagens so medidas para ambas as direes de
corrente e suas mdias so mostradas.



78
3.2.5 CARACTERIZAO PTICA


A caracterizao ptica dos filmes foi feita utilizando-se um espectrofotmetro
tico UV-VIS-IV, modelo Cary 5, da Varian, disponvel no Ncleo de Catlise do
Departamento de Engenharia Qumica da UFRJ (NUCAT/DEP/COPPE/UFRJ).
As anlises dos espectros de transmitncia e de refletncia obtidos na regio de
absoro do filme permitiram a obteno do coeficiente de absoro e da energia da
banda proibida.
A partir de valores de transmitncia e refletncia do filme e do substrato,
determinou-se o coeficiente de absoro () de acordo com a EQ. 3.5 (MATHEW et
al, 2001):
(
(

=
) 1 (
) 1 (
ln
1
f s
sub fs
R T
R T
t
(3.5)
em que t a espessura do filme, T
fs
a transmitncia filme/substrato; T
s
a
transmitncia do substrato e, R
sub
e R
f
so as refletncias do substrato e do filme,
respectivamente.
A energia do fton foi determinada pela EQ 3.6:
h E = (3.6)
em que: h a constante de Planck e a freqncia da radiao incidente.
Para transies diretas o coeficiente de absoro e a energia do fton
incidente esto relacionados de acordo com a EQ. 3.7:
2 / 1
] [
g
E h c =
(3.7)
Assim, atravs do grfico do quadrado do coeficiente de absoro (
2
) versus
energia do fton (E) foi possvel obter a energia da banda proibida (E
g
) de cada filme
a partir da extrapolao da regio linear do grfico at o valor de ordenada zero
(MATHEW et al, 2001).




79
3.2.6 OBTENO DOS PARMETROS DA CLULA


As clulas fabricadas foram presas por um par de garras e conectadas a um
circuito como o mostrado na FIG. 3.10. Uma lmpada halgena de potncia de 300
W foi usada para simular a potncia de incidncia solar de 100 mW/cm
2
. Isto foi feito
com o auxlio de uma clula solar padro ajustando-se simultaneamente a distncia
entre a clula padro e a fonte de iluminao e a tenso aplicada lmpada.
Quando a luz incide sobre a clula, gerada uma tenso, denominada tenso de
circuito aberto, medida por meio de um multmetro diretamente nos terminais da
clula. A corrente gerada pela clula passa atravs de uma resistncia padro de
1. Com o multmetro conectado em paralelo a esta resistncia, a tenso medida
fornece a corrente de curto circuito. Para obteno da curva I x V, a tenso fornecida
por um conjunto de pilhas foi variada entre -3,6 e 3,6 V por meio de um
potencimetro. medida que a tenso fornecida pelas pilhas variada os valores de
corrente e tenso em cada ponto so enviados para um registrador que plota a
curva I x V em papel milimetrado.
As curvas foram ento digitalizadas por meio de um programa computacional
desenvolvido no Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas (CBPF) e os parmetros,
fator de preenchimento (FF) e eficincia (), foram calculados de acordo com as
equaes descritas na seo 2.5.
A potncia mxima, correspondente mxima potncia fornecida pela clula, foi
obtida por meio de uma curva potncia x tenso como a mostrada na FIG. 3.11 e
dada pelo produto da tenso mxima, V
max
,pela corrente mxima, I
max
, as quais
correspondem, respectivamente, tenso e corrente na mxima potncia.
80

FIG. 3.10 Montagem experimental para obteno da curva I x V.



FIG. 3.11 Curva potncia x tenso para obteno da potencia mxima.
81
4 RESULTADOS



4.1 CARACTERIZAO DAS CAMADAS INDIVIDUAIS


Nesta seo sero apresentados os resultados referentes s anlises realizadas
em cada camada da clula solar. Estas anlises objetivaram verificar se as camadas
fabricadas atendiam aos requisitos mnimos para se obter uma clula solar eficiente.


4.1.1 CAMADA DE TCO


4.1.1.1 ESPESSURA


A espessura dos filmes de ITO depositados sobre vidro foi de 0,32 m, de
acordo com leitura fornecida pelo cristal de quartzo disponvel no equipamento de
deposio. Este valor foi confirmado por medidas feitas por interferometria ptica e
mostrou-se bem prximo (0,33 m), o que indica que o cristal de quartzo oferece
uma medida de espessura confivel. Foram tambm depositados filmes de ITO com
espessura de 0,70 m, valor fornecido pelo cristal de quartzo.
A espessura total dos filmes de SnO
2
:F/SnO
2,
tambm depositados sobre vidro,
foi de 0,60 m, sendo 0,15 m de SnO
2
e 0,45 m de SnO
2
:F, valores fornecidos
pelo NREL.





82
4.1.1.2 TRANSMITNCIA PTICA


Os espectros de transmitncia dos filmes de ITO com espessura de 0,32 m e
de SnO
2
:F/SnO
2
em funo do comprimento de onda so mostrados na FIG. 4.1.
Observa-se que ambos os filmes apresentam elevada transmitncia ptica, acima de
90%, na regio de comprimento de onda do visvel at o infravermelho prximo,
como desejado para um TCO.


FIG. 4.1 Espectro de transmitncia dos filmes de ITO (0,32 m) e SnO
2
:F/SnO
2

depositados sobre borossilicato.


4.1.1.3 CARACTERIZAO ELTRICA


A resistncia superficial dos filmes de ITO com espessuras iguais a 0,32 m e
0,70 m so mostradas na TAB. 4.1. Para ambos os filmes o valor da resistncia
superficial (R

) encontrado est bem acima dos valores relatados na literatura, os

quais se encontram na faixa de 10 / (ROMEO et al, 2004).
83
TAB. 4.1 Resistncia superficial dos filmes de ITO depositados temperatura
ambiente, potncia de 40 W e presso de 3,8. 10
-3
Torr, com diferentes espessuras.
Espessura (m) R

(/)
0,32 67,8
0,70 61,0

A resistncia superficial do filme de SnO
2
:F/SnO
2
encontra-se entre 10 e 15 /,
valor fornecido pelo NREL.


4.1.2 CAMADA DE CdS


4.1.2.1 ESPESSURA


A camada de CdS, como descrito no captulo anterior, foi obtida por meio de trs
deposies consecutivas. Aps cada deposio foi medida a espessura da camada
formada e os valores encontrados so mostrados na TAB 4.2.
Optou-se por fabricar as clulas com o filme de CdS com maior espessura para
garantir uma cobertura uniforme sobre a camada vidro/TCO. O objetivo era evitar
possvel curto circuito da clula, devido formao de junes CdTe/TCO em
regies onde o filme de CdS no estivesse contnuo em virtude da espessura
reduzida.

TAB. 4.2 Espessura da camada de CdS.
Nmero de camadas Espessura total (m)
1 0,09
2 0,19
3 0,29

84
Observa-se que a espessura obtida para trs camadas aproximadamente igual
ao triplo da espessura da primeira camada, o que demonstra a reprodutibilidade do
procedimento de deposio adotado.


4.1.2.2 TRANSMITNCIA E REFLETNCIA


A FIG. 4.2 mostra os espectros de transmitncia ptica dos filmes de CdS com
uma camada (0,09 m), depositados sobre vidro/ITO(0,32 m) e sobre
vidro/SnO
2
:F/SnO
2
. Na FIG. 4.3 so mostrados os espectros de transmitncia de
filmes de CdS com uma, duas e trs camadas, depositados sobre
vidro/ITO(0,32 m). Estas medidas foram realizadas inserindo-se, no feixe de
referncia do espectrofotmetro, os substratos vidro/ITO ou vidro/SnO
2
:F/SnO
2

sobre os quais os filmes de CdS foram depositados. Desta forma, os dados
apresentados nas FIGs. 4.2 e 4.3 se referem somente ao filme de CdS.


FIG. 4.2 Espectro de transmitncia dos filmes de CdS de uma camada depositados
sobre vidro/ITO(0,32 m) e sobre vidro/SnO
2
:F/SnO
2
.

85
Observa-se que a transmitncia dos filmes depositados sobre vidro/ITO
ligeiramente superior dos filmes depositados sobre vidro/SnO
2
:F/SnO
2
. Em relao
ao efeito da espessura, verifica-se que a transmitncia do filme de CdS crescido
com duas camadas ligeiramente menor que a do filme crescido com uma camada,
mostrando um pequeno efeito do aumento da espessura. O fato de os filmes de CdS
crescidos com uma e duas camadas apresentarem transmitncias semelhantes
pode ser indicativo de que o coeficiente de absoro nos dois filmes no seja o
mesmo. No entanto verifica-se uma grande reduo na transmitncia do filme de
CdS crescido com trs camadas. Para este filme, foi medida tambm a refletncia,
cujo espectro obtido mostrado na FIG. 4.4. Observa-se uma refletncia mdia em
torno de 17% para a regio do visvel.


FIG. 4.3 Espectro de transmitncia dos filmes de CdS depositados sobre
vidro/ITO(0,32 m) com uma, duas e trs camadas.

A partir dos dados de transmitncia e refletncia foi calculado o valor do
coeficiente de absoro, , do filme de CdS. A FIG. 4.5 mostra os resultados obtidos
em funo do comprimento de onda. A partir deste grfico, obteve-se o grfico
apresentado na FIG. 4.6 no qual a energia da banda proibida do filme foi calculada
de acordo com o mtodo descrito na seo 3.2.1.5. O valor da energia da banda
86
proibida obtido, 2,32 eV, bem prximo do valor terico (2,42 eV) previsto para o
CdS (MADELUNG, 1996).


FIG. 4.4 Espectro de refletncia do filme de CdS com trs camadas (0,29 m).



FIG. 4.5 Coeficiente de absoro do filme de CdS com trs camadas (0,29 m).



87



FIG. 4.6 Energia da banda proibida do filme de CdS com trs camadas (0,29 m).


4.1.2.3 MORFOLOGIA


A FIG. 4.7 mostra as imagens obtidas no MFA da superfcie do filme de CdS
depositado sobre vidro/ITO (0,32 m) com (a) uma camada (0,09 m) e (b) com trs
camadas (0,29 m). A rugosidade e o tamanho de gro obtidos no MFA so
mostrados na TAB. 4.3. Observa-se que, para ambas as espessuras, o filme
apresenta gros bem pequenos, da ordem de nanmetros. Houve uma diminuio
da rugosidade e um aumento do tamanho de gro com o aumento da espessura.


88


FIG. 4.7 Imagem obtida no MFA da superfcie do filme de CdS com
(a) uma camada (0,09 m) e (b) trs camadas (0,29 m).


TAB. 4.3 Rugosidade e tamanho de gro dos filmes de CdS depositados sobre
vidro/ITO(3226 ).
Espessura (m) Rugosidade (nm) Tamanho de gro (nm)
0,09 10,681 49,701
0,29 8,940 70,86




a
b
89
4.1.3 CAMADA DE CdTe


A camada de CdTe utilizada na fabricao das clulas solares desta dissertao
foi depositada sobre as estruturas vidro/ITO/CdS e vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS com os
seguintes parmetros:
9 atmosfera: argnio puro ou mistura de 90% Ar + 10% O
2
;
9 presso total: 1 Torr,
9 temperatura da fonte: 750C ,
9 temperatura do substrato: 560C,
9 tempo de deposio: 10 minutos para as deposies em atmosfera inerte
e 30 minutos para as deposies em atmosfera contendo oxignio.


4.1.3.1 ESPESSURA


As espessuras dos filmes de CdTe depositados sobre as estruturas
vidro/ITO/CdS e vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS foram de cerca de 6 m.


4.1.3.2 MORFOLOGIA


A morfologia do filme de CdTe depositado sobre vidro/ITO/CdS mostrada na
FIG. 4.8. Observa-se que o filme apresenta gros facetados e com tamanho da
ordem de 1m, como esperado para filmes depositados pela tcnica CSS.

90

FIG. 4.8 Imagem obtida no MFA da superfcie do filme de CdTe depositado sobre
vidro/ITO/CdS sendo P= 1 Torr de Ar, T
fo
= 750C, T
sub
= 560C e t
dep
= 10 min.


4.1.3.3 COMPOSIO


A composio do filme, determinada por meio de anlise semiquantitativa por
EDS mostrada na TAB 4.4. Verifica-se que o filme fabricado nas condies
descritas levemente rico em telrio.

TAB. 4.4 Composio do filme de CdTe depositado sobre vidro/ITO/CdS sendo
P= 1 Torr de Ar, T
fo
= 750C, T
sub
= 560C e t
dep
= 10 min.
% at. Cd %at. Te
47,08 52,92


4.1.3.4 TRANSMITNCIA E REFLETNCIA


Os espectros de transmitncia e refletncia do filme de CdTe so mostrados,
respectivamente, nas FIGs. 4.9 e 4.10. Uma estrutura vidro/CdTe foi preparada
91
especialmente para esta anlise sendo a espessura do filme de CdTe igual a 6 m.
Como amostra de referncia foi utilizado vidro borossilicato. Em virtude da elevada
espessura do filme, a transmitncia do mesmo baixa, como pode ser observado na
FIG. 4.9. A partir dos dados de transmitncia e refletncia, assim como feito
anteriormente para a camada de CdS, foi calculado o valor do coeficiente de
absoro, , do filme e a energia de banda proibida. As FIGs. 4.11 e 4.12 mostram,
respectivamente, os resultados obtidos para o coeficiente de absoro em funo do
comprimento de onda e o quadrado do coeficiente de absoro em funo do
comprimento de onda utilizado na determinao da energia da banda proibida do
filme. O valor da energia da banda proibida obtido, 1,46 eV, bem prximo do valor
terico de 1,5 eV, previsto para o CdTe (MADELUNG, 1996).


FIG. 4.9 Espectro de transmitncia do filme de CdTe.



92

FIG. 4.10 Espectro de refletncia do filme de CdTe.





FIG. 4.11 Coeficiente de absoro do filme de CdTe.



93

FIG. 4.12 Energia da banda proibida do filme de CdTe.


4.1.3.5 EFEITO DO TRATAMENTO TRMICO-QUMICO COM CdCl
2
NA CAMADA
DE CdTe


O tratamento trmico-qumico em presena de CdCl
2
, como j mencionado, de
grande importncia na obteno de clulas solares de elevada eficincia. O efeito
deste tratamento em filmes de CdTe depositados por CSS foi extensamente
estudado em dissertao anterior (LIMA, 2000). Foram observados efeitos
importantes na microestrutura como, por exemplo, decrscimo das tenses no
homogneas, e na densidade de defeitos no interior da banda proibida, evidenciado
pelas anlises de catodoluminescncia. Neste trabalho, apenas a camada de CdTe
foi submetida ao recozimento em presena de CdCl
2
como descrito no captulo
anterior.
A FIG. 4.13 mostra a morfologia do filme de CdTe depositado sobre a estrutura
vidro/ITO/CdS (a) antes do tratamento trmico-qumico em presena de CdCl
2
e (b)
aps o tratamento. Observa-se que houve um pequeno decrscimo no tamanho de
gro.

94


FIG. 4.13 Imagens obtidas no MFA da superfcie de filmes de CdTe depositados
com P = 1 Torr de Ar puro, T
fo
= 750C, T
sub
= 560C: (a) como depositado e (b) aps
tratamento trmico-qumico em presena de CdCl
2
.


4.1.4 EFEITO DO OXIGNIO NA CAMADA DE CdTe


Conforme mencionado anteriormente na seo 2.6.3.4, a presena de oxignio
no processo de fabricao de clulas solares de alta eficincia de grande
importncia. Neste trabalho, o efeito do oxignio sobre as propriedades dos filmes
de CdTe foi investigado, misturando-se este gs com o argnio durante a deposio
a
b
95
por CSS. Para este estudo, os filmes de CdTe foram depositados sobre vidro/ITO
com os seguintes parmetros:
9 atmosfera: mistura de Ar+O
2
com vrios percentuais de O
2
;
9 presso total da mistura: 10 Torr;
9 temperatura da fonte: 750C;
9 temperatura do substrato: 600C;
9 tempo de deposio: 15 minutos.
A quantidade de oxignio na mistura foi variada entre 0 e 100%. O valor de 10
Torr foi adotado para a presso total da mistura para facilitar a variao do
percentual de oxignio em virtude da dificuldade de controlar esse percentual para
presso total de 1 Torr, devido a limitaes no equipamento.
O efeito da adio de oxignio na atmosfera gasosa sobre o crescimento dos
filmes pode ser visto na TAB. 4.5, a qual mostra a taxa de deposio de filmes de
CdTe crescidos com diferentes percentuais de oxignio na mistura (% O
2
), e com
presso total da mistura (P
mist
) igual a 10 Torr. Para adies de at 10% de oxignio,
no se verifica uma variao significativa na taxa de deposio. Adies maiores
levam a um decrscimo da taxa, sendo que para filmes depositados em presena de
oxignio puro, a taxa de deposio decresce drasticamente.
A composio dos filmes de CdTe depositados com presso total da mistura
igual a 10 Torr e com diferentes percentuais de oxignio na mistura so mostradas
na TAB. 4.6. Verifica-se que os filmes ficam mais ricos em Te (conseqentemente
deficientes de Cd) medida que o percentual de oxignio na mistura gasosa
aumenta. O resultado indica que a introduo de O
2
resulta em uma maior
concentrao de vacncias de cdmio (V
Cd
), levando a filmes com excesso de
telrio, o que aumentaria o carter tipo p dos filmes de CdTe.
A FIG. 4.14 mostra as micrografias obtidas no MEV de filmes de CdTe
depositados com presso da mistura igual a 10 Torr e com percentuais de oxignio
respectivamente iguais a (a) 0% (10 Torr de Ar) e (b) 10% (1 Torr de O
2
e 9 Torr de
Ar). Imagens da superfcie destes filmes obtidas por MFA so mostradas na FIG.
4.15 para diferentes percentuais de oxignio: (a) 0% (10 Torr de Ar), (b) 10% (1 Torr
de O
2
e 9 Torr de Ar) e (c) 20% (2 Torr de O
2
e 8 Torr de Ar).

96
TAB. 4.5 Taxa de deposio de filmes de CdTe depositados com P
mist
= 10 Torr,
T
fo
= 750C e T
sub
= 600C em funo do percentual de oxignio.


TAB. 4.6 Anlise composicional por EDS de filmes de CdTe depositados com
P
mist
= 10 Torr,T
fo
= 750C e T
sub
= 600C, com diferentes percentuais de O
2
.
% O
2
Cd (% at.) Te (% at.)
0 48,34 51,66
10 46,71 53,29
20 44,20 55,80


FIG. 4.14 Micrografias obtidas no MEV de filmes de CdTe depositados com
T
fo
= 750
o
C, T
sub
= 600
o
C e P
mist
= 10 Torr: (a) 0% O
2
e (b) 10% O
2
.

Estas figuras permitem observar regies de diferentes extenses do filme,
respectivamente 18 m para as imagens obtidas no MEV e 50 m para as imagens
obtidas no MFA. Em ambas as figuras, pode-se observar que a presena de O
2
na
mistura ocasionou uma diminuio do tamanho de gro. O decrscimo tambm foi
observado para maiores adies de O
2
. Assim, apesar de a introduo de O
2
causar
um decrscimo na taxa de deposio (ver TAB. 4.5), isso no contribuiu para um
aumento no tamanho de gro como, a princpio, poderia ser esperado. Ao contrrio,
adies de O
2
na atmosfera gasosa levam a uma reduo no tamanho de gro.
%O
2
0 10 20 100
Taxa de deposio (m/min) 0,20 0,19 0,15 0,08
a b
97



FIG. 4.15 Imagem obtida no MFA dos filmes de CdTe depositados com T
fo
= 750C,
T
sub
= 600C, P
mist
= 10 Torr e com diferentes percentuais de O
2
na mistura: (a) 0%;
(b) 10% e (c) 20%.
b
a
c
98
Os espectros de difrao de raios X de filmes de CdTe depositados com presso
total da mistura igual a 10 Torr e com diferentes percentuais de oxignio na mistura
so mostrados na FIG. 4.16. As anlises foram feitas na geometria de incidncia
rasante, com ngulo de incidncia de 1 para todas as amostras, o que significa que
o volume iluminado pelos raios X foi o mesmo. Todas as reflexes pertencem fase
cbica do CdTe, exceto a do substrato de ITO, identificada nos espectros. A
despeito da presena de oxignio na atmosfera gasosa, no se verifica a formao
de fases de xidos, o que significa que os mesmos ou no esto presentes, ou esto
presentes em pequena quantidade ou esto na forma amorfa. Verifica-se tambm
que os filmes crescem orientados na direo [111], sendo que aquele depositado
com 10% de oxignio na mistura gasosa foi o que apresentou um maior grau de
orientao. Isto favoreceria um aumento da mobilidade dos portadores de carga,
comparado a um filme depositado em concentraes maiores de oxignio.


FIG. 4.16 Espectro de difrao de raios X de filmes de CdTe depositados com
P
mis t
= 10 Torr, T
fo
= 750C e T
sub
= 600
o
C, com diferentes percentuais de O
2
.



99
4.2 CARACTERIZAO DAS CLULAS SOLARES


Nesta seo sero apresentados os parmetros medidos e as curvas I x V das
clulas fabricadas no Laboratrio de Filmes Finos do IME. Estes parmetros foram
medidos no prprio laboratrio, de acordo com o procedimento descrito
anteriormente na seo 3.2.1.6, e tambm no NREL, para efeitos de comparao.


4.2.1 PARMETROS FOTOVOLTAICOS MEDIDOS NO IME


As FIG. 4.17 e 4.18 mostram as curvas I x V sob iluminao de um primeiro
conjunto de clulas solares fabricado seguindo-se todas as etapas do procedimento
de fabricao descrito na seo 3.1. Neste primeiro conjunto dois TCOs foram
utilizados: o filme de ITO com espessura de 0,70 m e a estrutura SnO
2
:F/SnO
2
. O
tratamento trmico qumico em presena de CdCl
2
foi realizado ao ar, apenas
selando-se o sistema CSS, e adotando-se uma configurao para o recozimento que
exclua o bloco de grafite superior e os espaadores de quartzo.
Na FIG. 4.17 mostrada a curva I x V sob iluminao de uma clula solar com
estrutura vidro/ITO(0,70 m)/CdS/CdTe/Au. A curva I x V de uma clula com
estrutura vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au mostrada na FIG. 4.18. Observa-se
que, embora os TCOs utilizados na fabricao destas clulas sejam diferentes, os
valores de eficincia so prximos. Entretanto, o valor do FF menor para a clula
cujo TCO o SnO
2
:F/SnO
2.
Verifica-se ainda que a curva I x V de ambas as clulas
apresenta o sinal caracterstico de saturao conhecido como rollover.
Na TAB. 4.7 so mostrados os valores dos parmetros fotovoltaicos das clulas
apresentadas nas FIGs 4.17 e 4.18. As reas iluminadas so diferentes pelo fato de
no ter sido possvel delimitar, utilizando-se fita de teflon, reas idnticas para
deposio do contato. Os valores da densidade de corrente, J
sc
, foram determinados
dividindo-se o valor medido da corrente de curto-circuito, I
sc
, pela rea da clula.


100


FIG. 4.17 Curva I x V de uma clula vidro/ITO (0,70 m)/CdS/CdTe/Au.




FIG. 4.18 Curva I x V de uma clula vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au.




101
TAB. 4.7 Parmetros fotovoltaicos do primeiro conjunto de clulas fabricadas.

vidro/ITO(0,70 m)/CdS/CdTe/Au


vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au

V
oc
(mV) 587 542
I
sc
(mA) 3,6 4,8
V
max
(mV) 339,6 292,6
I
max
(mA) 2,54 2,34
J
sc
(mA/cm
2
) 14,4 22,8
P
max
(mW) 0,86 0,68
FF (%) 40,8 26,3
(%) 3,4 3,3
rea (cm
2
) 0,25 0,21

As FIGs. 4.19 a 4.22 mostram curvas I x V sob iluminao de um segundo
conjunto de clulas fabricado. Para este segundo conjunto procurou-se verificar o
efeito dos tratamentos qumicos ps-deposio e da introduo de oxignio na
atmosfera gasosa durante a deposio da camada de CdTe na eficincia das
clulas. Foi utilizado o filme de ITO com espessura de 0,32 m. O tratamento
trmico qumico em presena de CdCl
2,
diferentemente do primeiro conjunto, foi
realizado em uma mistura de Ar e O
2
, com presso de 320 Torr de Ar e 80 Torr de
oxignio, adotando-se uma configurao para o recozimento no sistema CSS tal
como mostrado na FIG. 3.6, incluindo-se o bloco superior e os espaadores de
quartzo. Tal procedimento visava um melhor controle da temperatura durante o
recozimento por meio de um termopar inserido no bloco de grafite superior.
O efeito dos tratamentos ps-deposio pode ser observado nas FIGs. 4.19 e
4.20. Na FIG. 4.19 mostrada a curva I x V da clula solar com estrutura
vidro/ITO (0,32 m)/CdS/CdTe/Au, fabricada segundo os procedimentos descritos na
seo 3.1, excetuando-se as etapas dos tratamentos qumicos ps-deposio; ou
seja, nesta clula, a camada de CdTe no foi submetida nem ao tratamento trmico-
qumico em presena de CdCl
2
e nem ao ataque qumico NP pr-contato, alm de
ter sido depositada em atmosfera inerte. O objetivo era verificar a importncia destas
etapas de processo na eficincia do dispositivo. Na FIG. 4.20 mostrada a
102
curva I x V desta mesma estrutura, agora submetida aos tratamentos ps-deposio
descritos na seo 3.1. Verifica-se que a clula fabricada sem os tratamentos
apresenta baixos valores de V
oc
, J
sc
, e FF, o que demonstra a importncia da
incluso destes procedimentos no processo de fabricao para melhorar a eficincia
das clulas como sugerido por Basol (1992). Verifica-se ainda que a curva I x V de
ambas as clulas no apresenta o sinal caracterstico de saturao conhecido como
rollover.
A curva I x V da FIG 4.21 refere-se clula com estrutura
vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au obtida seguindo-se todas as etapas do
procedimento de fabricao descrito na seo 3.1, sendo a camada de CdTe
depositada em atmosfera inerte. Esta clula difere da mostrada na FIG. 4.20 apenas
pelo TCO utilizado. Uma comparao com a FIG. 4.20 mostra que o TCO
praticamente no influenciou os parmetros fotovoltaicos. Verifica-se tambm que a
presena do sinal rollover.
A curva da FIG. 4.22 refere-se clula com estrutura
vidro/ITO(0,32 m)/CdS/CdTe/Au, obtida seguindo-se todas as etapas do
procedimento de fabricao, mas cuja camada de CdTe foi depositada em presena
de oxignio nas seguintes condies: P
mist
= 1Torr (0,1 Torr de O
2
+ 0,9 Torr de Ar),
T
fo
= 750 C, T
sub
= 560 C e t
dep
= 30 min. O maior tempo de deposio foi
necessrio para garantir a espessura desejada, uma vez que, nestas condies de
deposio, a presena de oxignio na atmosfera gasosa dimunui drasticamente a
taxa de deposio. Uma comparao desta figura com a FIG 4.20 mostra que, ao
contrrio do que reportado na literatura, a presena de oxignio na atmosfera
gasosa durante a deposio do CdTe no contribuiu para aumentar a eficincia da
clula. Assim, embora a presena deste gs tenha afetado as propriedades
microestruturais dos filmes de CdTe, como foi mostrado na seo 4.1.4, no houve
variao significativa dos parmetros fotovoltaicos. Para esta clula, verifica-se
tambm o sinal rollover

103

FIG. 4.19 Curva I x V de uma clula vidro/ITO(0,32 m)/CdS/CdTe/Au sem
tratamento trmico-qumico com CdCl
2
e sem ataque qumico NP pr-contato sendo
a camada de CdTe depositada em atmosfera inerte.




FIG. 4.20 Curva I x V de uma clula vidro/ITO(0,32 m)/CdS/CdTe/Au submetida ao
tratamento trmico-qumico com CdCl
2
e ao ataque qumico NP pr-contato sendo a
camada de CdTe depositada em atmosfera inerte.
104

FIG. 4.21 Curva I x V de uma clula vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au submetida ao
tratamento trmico-qumico com CdCl
2
e ao ataque qumico NP pr-contato sendo a
camada de CdTe depositada em atmosfera inerte.


FIG. 4.22 Curva I x V de uma clula vidro/ITO(0,32 m)/CdS/CdTe/Au submetida ao
tratamento trmico-qumico com CdCl
2
e ao ataque qumico NP pr-contato sendo a
camada de CdTe depositada em atmosfera contendo oxignio.


105
Os parmetros fotovoltaicos medidos para as clulas das FIG. 4.19 a 4.22 so
resumidos na TAB. 4.8.

TAB. 4.8 Parmetros fotovoltaicos do segundo conjunto de clulas fabricadas.


vidro/ITO/CdS/CdTe/Au
sem tratamentos
CdTe atmosfera inerte
(ITO 0,32m)

vidro/ITO/CdS/CdTe/Au
com tratamentos
CdTe atmosfera inerte
(ITO 0,32m)

vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au
com tratamentos
CdTe atmosfera inerte


vidro/ITO/CdS/CdTe/Au
com tratamentos
CdTe atmosfera c/ O
2
(ITO 0,32m)
V
oc
(mV)
378 479 467 525
I
sc
(mA)
0,3 2 2 1,8
V
max
(mV)
236 254,2 195,1 254,4
I
max
(mA)
0,15 1,03 1,1 0,93
J
sc
(mA/cm
2
)
1,5 10 10 9
P
max
(mW)
0,03 0,26 0,21 0,23
FF (%)
3,1 27,3 22,9 25,1
(%)
0,1 1,3 1,1 1,2
rea (cm
2
)
0,23 0,20 0,20 0,21


4.2.2 PARMETROS FOTOVOLTAICOS MEDIDOS NO NREL


Para efeito de comparao, os parmetros fotovoltaicos de algumas clulas
selecionadas tambm foram medidos no National Renewable Energy Laboratory -
NREL. Foram escolhidas as clulas: vidro/ITO(0,70 m)/CdS/CdTe/Au, do primeiro
conjunto fabricado (mostrada na 1
a
coluna da TAB. 4.7) e as clulas
vidro/ITO(0,32 m )/CdS/CdTe/Au e vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au, do segundo
conjunto (mostradas, respectivamente, nas 2
a
e 3
a
colunas da TAB. 4.8). Os
parmetros das clulas mencionadas anteriormente, medidos no IME e no NREL,
so comparados na TAB. 4.9. Alguns parmetros tais como resistncia em srie (R
s
)
e resistncia em paralelo (R
sh
) no foram medidos no IME. Observa-se que os
parmetros medidos utilizando-se o sistema de medidas disponvel no Laboratrio
de Filmes Finos do IME esto ligeiramente abaixo daqueles medidos no NREL.
106
A clula com estrutura vidro/ITO(0,70 m)/CdS/CdTe foi a que apresentou
melhores parmetros. Verifica-se que as clulas fabricadas neste trabalho
apresentam baixos valores de resistncia em paralelo.

TAB. 4.9 Comparao dos parmetros fotovoltaicos medidos no IME e no
NREL.


vidro/ITO/CdS/CdTe/Au
(ITO 07 m)

vidro/SnO
2
:F/SnO
2
/CdS/CdTe/Au

vidro/ITO/CdS/CdTe/Au
(ITO 0,32 m)
IME NREL IME NREL IME NREL
V
oc
(mV) 587 605,56 467 562,95 479 450,44
I
sc
(mA) 3,6 5,14 2 2,89 2 3,85
V
max
(mV) 339,6 340 195,1 320 254,2 240
I
max
(mA) 2,54 3,66 1,1 1,77 1,03 2,28
J
sc
(mA/cm
2
) 14,4 18 10 13,31 10 13,33
P
max
(mW) 0,86 1,24 0,21 0,57 0,26 0,55
FF (%) 40,8 39,92 22,9 34,79 27,3 31,59
(%) 3,4 4,35 1,1 2,61 1,3 1,9
rea (cm
2
) 0,25 0,29 0,20 0,22 0,20 0,29
R
s
() ___ 67,32 ___ 22,16 ___ 21,16
R
sh
(/cm
2
) ___ 665,91 ___ 489,67 ___ 297,55



107
5 DISCUSSO DOS RESULTADOS



As anlises das camadas individuais das clulas fabricadas mostraram que os
filmes produzidos apresentam os requisitos mnimos necessrios para a obteno
de dispositivos eficientes, visto que as propriedades obtidas, tais como
transparncia, absoro, espessura, resistncia e valor de banda proibida, ficaram
prximas aos valores tericos e aos divulgados na literatura.
O filme de ITO utilizado como TCO apresentou elevada transmitncia ptica
(FIG. 4.1). Entretanto, a resistncia superficial dos filmes, em torno de 65 /, ficou
bem acima do valor de 10 /, desejvel para um TCO, de acordo com ROMEO e
colaboradores (2004). A resistncia superficial dos filmes de ITO obtidos neste
trabalho no deve ter sido o principal fator limitador da eficincia das clulas, uma
vez que a clula solar fabricada utilizando-se o TCO SnO
2
:F/SnO
2
, fornecido pelo
NREL e com resistncia de 10 /, apresentou eficincia prxima da clula na
qual o TCO utilizado foi ITO. Sobre a influncia do TCO na eficincia das clulas, a
literatura destaca ainda as diferenas de estabilidade qumica entre os diversos
TCOs, em funo das altas temperaturas envolvidas na deposio do filme de CdTe
por CSS. Segundo VISOLY-FISHER e colaboradores (2003), filmes de ITO no so
estveis a temperaturas to elevadas podendo haver difuso do In para o CdTe e/ou
CdS. Sob este aspecto, o SnO
2
:F um TCO mais estvel que o ITO, sendo que a
estrutura SnO
2
:F/SnO
2
ainda melhor, pois a camada de SnO
2
funciona como um
buffer entre a camada condutora e a camada de CdS, minimizando o curto-circuito
(shunt) entre o CdS e o TCO, principalmente quando a camada de CdS muito fina.
No entanto, neste trabalho no foram observadas diferenas significativas na
eficincia dos dispositivos fabricados com ITO e com SnO
2
:F/SnO
2
. Isto indica que
os principais mecanismos que limitaram a eficincia dos dispositivos fabricados
devem estar atuando nas camadas ou interfaces subseqentes.
A camada de CdS obtida por CBD apresentou transmitncia um pouco abaixo de
80%, o que pode ter comprometido o seu papel de atuar como janela da clula. O
TCO utilizado no teve grande influncia na transmitncia dos filmes de CdS (FIG.
4.2), a qual foi bastante afetada pela espessura. A espessura de 0,29 m dos filmes
108
de CdS utilizados na fabricao das clulas, bem maior que os 0,1 m
recomendados na literatura por BIRKMIRE e colaboradores (1997), pode ter sido um
dos fatores responsveis pelas baixas eficincias encontradas. A espessura de
0,29 m foi utilizada para garantir uma cobertura mais uniforme do CdS, evitando
possvel curto-circuito da clula em virtude da formao de junes CdTe/TCO. No
entanto, este procedimento levou a uma grande reduo da transmitncia da luz
incidente atravs da janela da clula. Sabe-se que quanto maior a espessura do
CdS, mais ftons com energia acima da banda (na regio do azul) so absorvidos.
MOUTINHO e colaboradores, 2003, verificaram que o aumento da espessura da
camada de CdS aumenta a absoro na regio de comprimentos de onda curtos,
reduzindo a eficincia quntica na regio do azul no espectro o que diminui o I
sc
e,
conseqentemente, a eficincia da clula.
Os valores obtidos para o coeficiente de absoro e para a banda proibida dos
filmes de CdTe depositados por CSS, assim como a anlise de sua microestrutura,
permitem concluir que os mesmos apresentam propriedades adequadas para atuar
como camada absorvedora da clula solar. Quanto ao papel do tratamento trmico-
qumico em presena de CdCl
2
no se observou crescimento significativo dos gros
o que est de acordo com a literatura. Segundo MOUTINHO e colaboradores (1999)
para filmes de CdTe depositados por CSS com temperaturas de substrato elevadas,
como as utilizadas neste trabalho, no se observa crescimento dos gros uma vez
que a fora motriz no suficiente para causar recristalizao dos gros levando
apenas a uma recuperao. Entretanto, a literatura mostra que este tratamento
fundamental para o aumento da eficincia da clula, o que tambm foi constatado
nesta dissertao, como mostrado nas FIGs. 4.19 e 4.20.
Em relao ao efeito do oxignio na camada de CdTe, os resultados obtidos
esto de acordo com a literatura. O decrscimo da taxa de deposio, mostrado na
TAB 4.5, deve-se possivelmente s reaes das molculas de telrio e cdmio com
as de oxignio, durante o transporte das molculas em direo ao substrato, o que
tambm tem sido observado por CONTRERAS-PUENTE e colaboradores (2001) e
tambm por CHUNG e colaboradores (1995). O aumento da quantidade de Te com o
aumento do percentual de oxignio, mostrado na TAB. 4.6, deve-se provavelmente
formao preferencial do xido de cdmio, uma vez que de acordo com CHUNG
colaboradores (1995) a variao de energia livre da reao de oxidao do cdmio
109
mais negativa que a do telrio. O decrscimo do tamanho de gro observado nas
FIGs. 4.14 e 4.15 tambm foi observado por FEREKIDES e colaboradores (2000) e por
ROMEO e colaboradores (2000). Segundo esses autores o oxignio afeta o processo
de nucleao, resultando num aumento do nmero de stios de nucleao ou
tornando mais lento o crescimento do CdTe, o que por fim, resulta em filmes mais
densos e, portanto, em uma melhor cobertura. O papel do oxignio nas propriedades
fsicas e microestruturais dos filmes de CdTe bastante discutido na literatura. Os
resultados deste trabalho indicam que a introduo de O
2
na atmosfera gasosa
favoreceu a gerao de vacncias de cdmio, provavelmente atravs da formao
de xidos de cdmio, os quais no apareceram nas anlises de difrao de raios X
mostradas na FIG. 4.16 ou porque so amorfos ou porque esto em pouca
quantidade.
Embora a microestrutura dos filmes de CdTe tenha sido bastante afetada pela
presena do oxignio durante a deposio, a eficincia dos dispositivos fabricados
com estes filmes no aumentou, conforme verificado nas FIGs. 4.20 e 4.22. Isto
indica que h outros fatores que esto limitando a eficincia das clulas de modo to
significativo a ponto de compensar o aumento na eficincia esperado em virtude da
adio de oxignio. Dentre estes fatores podem estar a elevada espessura da
camada de CdS, estados na interface CdS/CdTe e alta resistncia do contato
traseiro Au/CdTe.
As eficincias encontradas neste trabalho foram baixas quando comparadas ao
recorde mundial atual (16,5%). A maior eficincia obtida foi de 4,35%, apresentada
pela clula vidro/ITO(0,70 m)/CdS/CdTe/Au, pertencente ao primeiro conjunto
fabricado. O fato de esta ter sido a clula com mais elevada eficincia pode estar
relacionado no s maior espessura do filme de ITO como tambm forma pela
qual o tratamento trmico qumico em presena de CdCl
2
realizado neste dispositivo.
Embora o filme de ITO com 0,70 m de espessura apresente resistividade prxima
do filme com 0,32 m, o filme mais espesso pode ser mais uniforme o que reduziria
as perdas devido a descontinuidades do contato. O tratamento trmico qumico em
presena de CdCl
2
a que foi submetido o primeiro conjunto de clulas, mostrado nas
FIGs. 4.17 e 4.18 e na TAB. 4.7, foi realizado ao ar. Alm disso, a configurao do
sistema CSS utilizada para este tratamento no inclua o bloco de grafite superior.
Em virtude disto, o recozimento pode ter ocorrido em uma atmosfera mais rica em
110
oxignio que no caso do segundo conjunto (FIGs. 4.19 a 4.22), o que pode ter sido
benfico para a clula. No segundo conjunto, a configurao utilizada no tratamento
inclua o bloco de grafite superior, o que pode ter contribudo para limitar a
quantidade de oxignio. A presena de oxignio durante o tratamento com CdCl
2

de grande importncia agindo no controle da extenso da interdifuso do CdS e do
CdTe, durante a formao da liga CdS
1-x
Te
x
, o que afeta as propriedades da juno
CdS/CdTe. Deve-se ainda levar em conta que ambos os tratamentos trmico
qumicos foram realizados por imerso, um mtodo que apresenta as desvantagens
de ser pouco reprodutvel, em virtude da dificuldade de se manter a temperatura e a
concentrao da soluo causada pela da evaporao do metanol, alm de poder
levar degradao devido umidade envolvida no processamento.
As curvas I x V obtidas apresentam comportamento exponencial, caracterstico
de uma clula solar e a maioria delas apresenta tambm o sinal caracterstico de
saturao, conhecido como rollover. Este sinal devido formao de uma
barreira Schottky no contato de Au, em virtude da alta resistividade do CdTe tipo p.
Esta barreira atua como um diodo aumentando a resistncia do contato e reduzindo
a eficincia da clula como observado por POTLOG e colaboradores (2003).
Os parmetros fotovoltaicos medidos no IME so prximos ao medidos no NREL
(TAB. 4.9). Isto mostra que o sistema para obteno dos parmetros fotovoltaicos
disponvel no IME fornece medidas confiveis. As diferenas encontradas podem ser
devido impreciso na medida da rea das clulas e tambm na potncia incidente
simulada. A potncia incidente simulada por meio de uma lmpada halgena e
ajustada por meio de uma clula solar padro pode no estar correspondendo
exatamente potncia de incidncia solar de 100 mW/cm
2
.
Os baixos valores de resistncia em paralelo (R
sh
) medidos no NREL (TAB. 4.9)
explicam os baixos valores encontrados para o V
oc
e para o FF. Uma das maiores
contribuies existncia de uma baixa resistncia em paralelo em junes
fotovoltaicas de filmes finos advm dos shunt paths, ou seja, caminhos alternativos
de transporte de corrente, os quais podem levar a curtos-circuitos entre a camada de
CdTe e a do TCO. A principal conseqncia o decrscimo do FF. A hiptese mais
provvel a existncia de micro-buracos nos filmes. O valor da resistncia em
paralelo, R
sh
, deve ser o mais alto possvel para evitar perdas por meio dos shunt
111
paths e aumentar o FF . Para uma clula solar ideal o valor de R
sh
infinito. De fato,
a clula com maior eficincia obtida foi a que apresentou R
sh
mais elevado.
Embora a eficincia dos dispositivos fabricados tenha sido principalmente
limitada pelos mecanismos acima relatados, h que se considerar ainda as perdas
devido cristalinidade. Para clulas solares policristalinas, como as de CdS/CdTe, a
estrutura policristalina por si apresenta maior nmero de contornos de gro, maior
densidade de defeitos e maior rugosidade o que tem grande influncia nas
propriedades eletrnicas do dispositivo. Entretanto, os mecanismos de perda ainda
no so bem compreendidos. Segundo SITES e colaboradores (1998) estas perdas
reduzem principalmente o V
oc
e a fotocorrente. Os baixos valores encontrados para o
V
oc
e tambm para o FF podem ser devido a perdas resultantes do excesso de
corrente reversa de recombinao. Este tipo de perda claramente devido
policristalinidade e particularmente grande em clulas de CdTe, sendo atribudo
recombinao de eltrons e buracos em estados de trapping na regio de depleo
do diodo. H ainda as perdas que levam ao decrscimo na fotocorrente em virtude
da reflexo e tambm da absoro na janela da clula. As perdas por reflexo so
conseqncia direta da policristalinidade e se originam da reflexo ocorrida no
substrato de vidro. J a absoro na janela da clula um tipo de perda atribudo
indiretamente policristalinidade. Em clulas policristalinas de filmes finos, a janela
da clula, formada pelo TCO e pelo semicondutor tipo n, nesse caso o CdS, absorve
uma frao mensurvel dos fotos incidentes reduzindo a fotocorrente, principalmente
se a camada de CdS no muito fina, como a utilizada neste trabalho. Embora
estas perdas no tenham sido quantificadas neste trabalho, todas elas contribuem
para as baixas eficincias encontradas.

112
6 CONCLUSES



9 O processo de fabricao das clulas solares de filmes finos de CdS/CdTe
foi totalmente desenvolvido no Laboratrio de Filmes Finos do IME.

9 A melhor eficincia de converso obtida foi de 4,35%, valor confirmado pelo
NREL.

9 O tratamento trmico em presena de CdCl
2
, ao qual os filmes de CdTe so
submetidos aps a deposio, aumenta a eficincia do dispositivo.

9 Os resultados deste trabalho indicam que a introduo de oxignio na
atmosfera gasosa durante o crescimento dos filmes de CdTe favorece a
formao de filmes mais ricos em telrio, o que, a princpio, levaria a
dispositivos mais eficientes. No entanto, a eficincia dos dispositivos
fabricados com estes filmes no foi alterada, provavelmente devido
atuao de outros mecanismos de perda mais dominantes.

9 A utilizao de um TCO de baixssima resistncia (10 /) com uma
camada buffer o SnO
2
:F/SnO
2
no contribuiu para aumentar a
eficincia da clula; ou seja, estas clulas possuem eficincias semelhantes
quelas fabricadas com ITO de maior resistncia (65 /) e sem camada
buffer. Isto permite concluir que os fatores que limitaram a eficincia das
clulas atuam nas camadas ou interfaces subseqentes.

9 Os mecanismos de perda de eficincia dominantes so devido:
elevada resistncia em srie, R
s
, observada nos dispositivos,
provavelmente resultante da interface Au/CdTe, visto que vrias curvas
I x V apresentaram o sinal rollover;
113
baixa resistncia em paralelo, R
sh
, observada nos dispositivos,
resultante dos curto-circuitos (shunts) possivelmente existentes entre o
CdTe/TCO;
elevada espessura da camada de CdS, visto que a transmitncia foi
relativamente baixa.

9 Embora os filmes componentes da clula tenham individualmente
apresentado os requisitos mnimos necessrios para a obteno de
dispositivos eficientes, as eficincias obtidas foram baixas, se comparadas
ao recorde mundial de 16,5%, mas podem ser melhoradas otimizando-se
algumas etapas do processo tais como: reduo da camada de CdS e
fabricao de um contato metlico hmico e de baixa resistncia para o
CdTe.

9 O sistema disponvel no Laboratrio de Filmes Finos do IME para obteno
dos parmetros fotovoltaicos forneceu valores bastante prximos aos
medidos no NREL.


114
7 SUGESTES PARA TRABALHOS FUTUROS



9 Diminuir a espessura da camada de CdS para 800 1000 , a fim de
reduzir a absoro na regio de comprimentos de onda curtos. Para isso,
ser necessrio otimizar o processo de deposio para se obter filmes
finos, uniformes e contnuos. Testar tratamentos trmicos em presena de
CdCl
2
tambm nesta camada, uma vez que a literatura reporta uma
melhora na interface do dispositivo.

9 Testar contatos hmicos alternativos para o CdTe, uma vez que o ouro
muito caro. Uma alternativa seria pasta de grafite dopada com Cu. O
recozimento deste tipo de contato importante, e sendo assim, um
estudo do perfil de difuso do Cu no filme de CdTe fundamental para
controlar a temperatura e tempo de recozimento a fim de se evitar difuso
excessiva do Cu.

9 Reduzir a temperatura do substrato durante as deposies de CdTe por
CSS a fim de se utilizar vidro do tipo sodalime como substrato, que mais
barato.

9 Testar outras formas de tratamentos trmico-qumicos em presena de
CdCl
2
, como por exemplo, o tratamento em presena de vapor de CdCl
2

no prprio sistema CSS.

115
8 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS



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