Mosfet Intensificao

Construo Basica: Uma camada grosa do material tipo p e formada a partir de uma base de silcio e chamado de substrato. Como no MOSFET tipo depleo, as vezes o substrato esta conectado internamente ao terminal de fonte e, em outras, temos um quarto terminal disponvel para o controle do potencial do substrato. Os terminais de fonte de dreno esto conectados novamente as regies dopadas tipo n por meio de contatos metlicos. No entanto, no existe um canal entre as duas regies dopadas tipo n. Essa diferena principal e que existe entre a construo do MOSFET tipo depleo e a do MOSFET tipo intensificao: a ausncia de um canal como componente do dispositivo. A camada de (SIO2) esta presente para isolar a plataforma metlica da porta da regio entre o dreno e a fonte, mas, nesse caso, e o substrato tipo n. Em suma, portanto, a construo de um MOSFET tipo intensificao e bem similar ao MOSFET tipo depleo, exceto pela ausncia de um canal entre os terminas de dreno e a fonte do tipo intensificao.

DATASHEET :

ele ta no livro do boylestad, Dispositivos eletrnicos, pag 195 *obs, no consegui achar na net