Fontes Chaveadas Cap.

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COMPONENTES SEMICONDUTORES RPIDOS DE POTNCIA

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COMPONENTES SEMICONDUTORES RPIDOS DE POTNCIA

Este captulo apresenta, de forma resumida, as principais caractersticas dos dispositivos semicontudores de maior uso na construo de fontes chaveadas: diodos de juno e Schottky, transistores MOSFET e IGBTs. No sero abordados os transistores bipolares de potncia pois os mesmos j no tm aplicao em fontes chaveadas. 13.1 Diodos de Potncia

Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A figura 13.1 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.
Juno metalrgica _ _ P+ + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ N ++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _ ++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _ ++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _ ++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _ + _ Difuso Anodo Catodo

0 1u

Potencial

Figura 13.1. Estrutura bsica de um diodo semicondutor Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores). Quando se polariza reversamente um diodo (ou seja, se aplica uma tenso negativa no anodo - regio P - e positiva no catodo - regio N) mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio aumenta, elevando a barreira de potencial. Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra na regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando, basicamente, com a temperatura. Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos

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portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que destri o componente. Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo. Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta regio permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o campo eltrico na regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de carga). Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e no semicondutor (como se ver adiante nos diodos Schottky). O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas). No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja carga aquela presente na prpria regio de transio. Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da regio N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado. O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura 13.2. Suponha-se que se aplica uma tenso vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns aspectos da forma de onda).
t3 t1 dif/dt
Anodo

trr

dir/dt i=Vr/R Qrr

iD

P+

10e19 cm-3

10 u

Vfp
_ 10e14 cm-3

Von

t4 t5 Vrp

vD
Depende da tenso

-Vr

t2 +Vr

vi
N+ 10e19cm-3 250 u substrato

vD iD R

-Vr

vi
Catodo

Figura 13.2. Estrutura tpica de diodo de potncia e formas de onda tpicas de comutao de diodo de potncia.

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Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um pico de tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a sobretenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de 1V. Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns. No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa. Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos. O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobre-tenses produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados. A figura 13.3 mostra resultados experimentais de um diodo de potncia lento (retificador) em um circuito como o da figura 13.2, no qual a indutncia desprezvel, como se nota na figura (a), pela inverso quase imediata da polaridade da corrente. A corrente reversa limitada pela resistncia presente no circuito. J na entrada em conduo, a tenso aplicada ao circuito aparece instantaneamente sobre o prprio diodo, o que contribui para limitar o crescimento da corrente. Quando esta tenso cai, a corrente vai assumindo seu valor de regime.

(a)

(b)

c) Figura 13.3 - Resultados experimentais das comutaes de diodos: (a) desligamento de diodo lento; (b) entrada em conduo de diodo lento; (c) desligamento de diodo rpido.

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Diodos Schottky

Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento hmico, ou seja, a resistncia do contato governa o fluxo da corrente. Quando este contato feito entre um metal e uma regio semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando a haver tambm um efeito retificador. Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato direto com um semicondutor, como indicado na figura 13.4. O metal usualmente depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte metlica ser o anodo e o semicondutor, o catodo. Numa deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo N migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno. Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto em trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma vez que no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N tem uma dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perdas de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V. A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas.
contato retificador SiO2 N+ Tipo N Substrato tipo P Al Al contato hmico

Figura 13.4 - Diodo Schottky construdo atravs de tcnica de CIs e formas de onda tpicas no desligamento.

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Transistor Bipolar de Potncia (TBP) Os transistores bipolares foram os primeiros dispositivos de estado slido criados. Inicialmente foram construdos em germnio, mas como tal elemento apresenta grande variao de parmetros com a temperatura, seu uso como componente de potncia no era possvel. Com a tecnologia de silcio foi possvel desenvolver os transistores bipolares de potncia (TBP), que, de certa forma, permitira a emergncia de toda tecnologia de fontes chaveadas. Com o surgimento dos transistores MOSFET e, posteriormente, dos IGBTs, no houve ulteriores desenvolvimentos nos TBPs, de modo que seu desempenho, atualmente, inferior aos dos outras transistores de potncia. No entanto, continua-se a utilizar tal dispositivo, principalmente em aplicaes que no exijam maiores desempenhos em termos de perdas e velocidade, o que se deve ao seu custo menor em relao ao outros dispositivos. 13.3.1 Princpio de funcionamento A figura 13.5 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.
Rc Vcc N+ C NJ2 P J1 C N+
Ic Vcc/R Ib regio ativa Vce R saturao quase-saturao

13.3

E Vb Rb

B E

Vcc

corte Vcc Vce

Figura 13.5 - Estrutura bsica de transistor bipolar tipo NPN, seu smbolo e caracterstica esttica com carga resistiva. A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada. No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cintica suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo, ento, atrados pelo potencial positivo do coletor. O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo. Na realidade, a estrutura interna dos TBPs diferente. Para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de bloqueio do componente. A mnima queda de tenso vce ocorre quando o transistor est na chamada regio de saturao (caracterizada pelo fato de ambas junes ficarem diretamente polarizadas). s baixas perdas de conduo nesta situao contrape-se o fato de que, no momento do desligamento do TBP haver um significativo atraso entre o comando de base e o efetivo aumento da tenso vce, decorrente da necessidade do desaparecimento dos portadores minoritrios da regio do coletor (lacunas injetadas pela base). Para minimizar tal atraso normalmente impede-se que o TBP entre na regio de saturao, atuando na assim chamada regio de quase-saturao, na qual a juno J2 no chega a ficar diretamente polarizada, minimizando a quantidade de portadores minoritrios no coletor. O TBP no sustenta tenso no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a 20V).

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O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente. 13.3.2 Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento Um ponto bsico utilizar uma corrente de base adequada, como mostra a figura 13.6. As transies devem ser rpidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado Ib1 permite uma reduo de tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP operar na regio de quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa, acelerando assim a retirada dos portadores armazenados. Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para evitar a saturao, como mostrado na figura 13.7. Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib desviado por D2. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.
Ib1 Ib2 dib/dt

dib/dt

Ibr

Figura 13.6 Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
D1 D2 D3

Figura 13.7 Arranjo de diodos para evitar saturao. 13.3.3 Conexo Darlington Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usualmente so utilizadas conexes Darlington (figura 13.8), que apresentam como principais caractersticas: - ganho de corrente = 1(2+1)+2 - T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada - tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga primeiro, fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo a corrente de base de T2.
T1 T2

Figura 13.8 Conexo Darlington. Os tempos totais de comutao dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as perdas de chaveamento.

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MOSFET

13.4.1 Princpio de funcionamento (canal N) O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um diodo entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre quando Vds>0. A figura 13.9 mostra a estrutura bsica do transistor. Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico) presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (Rds), permitindo o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva". A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N-. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente Id se mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A figura 13.10 mostra a caracterstica esttica do MOSFET,
Vdd Vgs

G +++++++++++++++
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - ---------------- - - - - - - -- - - --

N+ P NN+

-Id

-Id

Smbolo

D SiO2 metal

Figura 13.9 Estrutura bsica de transistor MOSFET. Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012 ohms. Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas. A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes. A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de volts, por causa da capacidade de isolao da camada de SiO2.
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Id
regio resistiva Vgs3 Vgs2 Vgs1 regio ativa

Vdso vgs3>Vgs2>Vgs1

Vds

Figura 13.10 Caracterstica esttica do MOSFET.

13.4.2 rea de Operao Segura A figura 13.11 mostra a AOS dos MOSFET. Para este componente no existe o fenmeno de segunda ruptura (tpico dos componentes bipolares), pois a um aumento de temperatura tem-se um aumento na resistncia do caminho condutor de corrente, o que tende a distribuir igualmente a corrente por toda rea condutora do dispositivo. Para baixas tenses tem-se a limitao da resistncia de conduo. A: Mxima corrente de dreno contnua B: Limite da regio de resistncia constante C: Mxima potncia (relacionada mxima temperatura de juno) D: Mxima tenso Vds

log Id Id pico Id cont B A C D

Vdso log Vds Figura 13.11 AOS para MOSFET. 13.4.3 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva a) Entrada em conduo (figura 13.12) Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo (Vth), aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg. Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno. A
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descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja descarregado. Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor (Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 13.13, as quais se relacionam com as capacitncias do componente por: Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curto-circuitada Crs = Cgd Coss ~ Cds + Cgd
V gg V+ Io V gs V th C gd Id Id=I V dd V+ Df

V ds V ds td C A R G A IN D U TIV A

Rg V gg V gs C gs

C ds V ds Id

Figura 13.12 Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva. b) Desligamento O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de entrada. Quando em conduo, os MOSFETs no apresentam cargas minoritrias estocadas, ou seja, no h acmulo de eltrons na regio P, nem de lacunas na regio N. A conduo feita toda com base na formao do canal, assim que o canal se desfaz, pela retirada da polarizao do gate, a conduo cessa.
C [nF] 4 3 2 1 0 0 10 20 30 40 Vds Cos 2 Crss 1 0 0 10 20 30 40 Vds C [nF] Ciss 4 3 Cds Cgd

Cgs

Figura 13.13 Capacitncias de transistor MOSFET. O principal problema dos MOSFET, especialmente os de alta tenso (centenas de Volts), o elevado valor da resistncia RDS, quando em conduo. Isto provoca uma queda de tenso significativa, levando a importantes perdas de conduo.

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13.5

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em conduo devido a uma mudana na estrutura do componente. 13.5.1 Princpio de funcionamento A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 13.14. Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio Ntem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar. O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.
G a te E m is s o r N+ P J2 NE N+ P+ C o le to r J1 J3 N+ C B

S iO 2 m e ta l

Figura 13.14 Estrutura bsica de IGBT. 13.5.2 Caractersticas de chaveamento A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+. Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.

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13.6

Alguns Critrios de Seleo Um primeiro critrio o dos limites de tenso e de corrente. Os MOSFETs possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A. J os TBP e IGBT atingem potncias mais elevadas, indo at 1200V/500A. Tais limites, especialmente para os IGBTs tm se ampliado rapidamente em funo do intenso trabalho de desenvolvimento que tem sido realizado. Como o acionamento do IGBT muito mais fcil do que o do TBP, seu uso tem sido crescente, em detrimento dos TBP. Outro importante critrio para a seleo refere-se s perdas de potncia no componente. Assim, em aplicaes em alta freqncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. Em freqncias mais baixas, qualquer dos 3 componentes pode responder satisfatoriamente. No entanto, as perdas em conduo dos TBPs e dos IGBTs so sensivelmente menores que as dos MOSFET. Como regras bsicas: em alta freqncia e baixa potncia: MOSFET em baixa tenso: MOSFET em alta potncia: IGBT em baixa freqncia: IGBT custo mnimo, sem maiores exigncias de desempenho: TBP 13.7 Circuitos amaciadores (ou de ajuda comutao) - "snubber" O papel dos circuitos amaciadores garantir a operao do transsitor dentro da AOS, especialmente durante o chaveamento de cargas indutivas, de forma a minimizar a potncia dissipada sobre o componente.

13.7.1 Desligamento Objetivo: atrasar o crescimento de Vce (figura 13.15) Quando Vce comea a crescer, o capacitor Cs comea a se carregar (via Ds), desviando parcialmente a corrente, reduzindo Ic. Df s conduzir quando Vce>Vcc. Quando o transistor ligar o capacitor se descarregar por ele, com a corrente limitada por Rs. A energia acumulada em Cs ser, ento, dissipada sobre Rs. Sejam as formas de onda mostradas na figura 13.16. Considerando que Ic caia linearmente e que IL constante, a corrente por Cs cresce linearmente. Fazendo-se com que Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de potncia se reduzir a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador. 13.7.2 Dimensionamento simplificado de circuito amaciador de desligamento Considerando que Io constante, a tenso por Cs cresce linearmente, durante um tempo tr, especificado pelo projetista para um valor prximo do tempo de crescimento da tenso sem o amaciador. O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo ligado do transistor e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possvel. Os valores da capacitncia e da resistncia (e sua potncia) so dados, respectivamente por: Io t r Cs = (13.1) Vcc Vcc min (13.2) Rs Id pico 3 fs Cs

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Io log Lcarg Df Io Cs R carg Vcc Ic Cs Vce Ds Vcs Vcc log sem

Rs

Figura 13.15 Circuito amaciador de desligamento e trajetrias na AOS

Io Vce

Ic

Vcc

Ic Vce

Vcc

Io.Vcc P P

tfi

Figura 13.16 Formas de onda no desligamento sem e com o circuito amaciador. Cs Vcc 2 PRs = fs (13.2) 2 fs a freqncia de chaveamento, Idpico a mxima corrente de pico repetitiva suportvel pelo transistor min o mnimo ciclo de trabalho especificado para o conversor (tipicamente alguns %, para fontes de tenso ajustvel). As figuras a seguir mostram o efeito da incluso de um snubber de desligamento em um conversor buck..

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Figura 13.17 De cima para baixo:Tenso VDS, corrente ID (invertida) e potncia instantnea no transistor (invertida).

Figura 13.18 Detalhe do desligamento (esq.) e entrada em conduo (dir), sem snubber.

Figura 13.19 Detalhe do desligamento (esq.) e entrada em conduo (dir), com snubber.
13.7.3 Entrada em conduo Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 13.20) No circuito sem amaciador, aps a entrada em conduo do transistor, Ic cresce, mas Vce s se reduz quando Df deixar de conduzir. A colocao de Ls provoca uma reduo de Vce, alm de reduzir a taxa de crescimento de Ic. Normalmente no se utiliza este tipo de circuito, considerando que os tempos associados entrada em conduo so bem menores do que aqueles de desligamento. A prpria indutncia parasita do circuito realiza, parcialmente, o papel de retardar o crescimento da corrente e diminuir a tenso Vce. Inevitavelmente, tal indutncia ir produzir alguma sobre-tenso no momento do desligamento, alm de ressoar com as capacitncias do circuito.

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Df Vcc carga

Ds

Rs

Ls

Figura 13.20 Circuito amaciador para entrada em conduo. Esta mesma anlise vlida para os TBP e MOSFET.
13.8 Referncias Bibliogrficas

N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, Inc., Second Ed., 1995 Tsuneto Sekiya, S. Furuhata, H. Shigekane, S. Kobayashi e S. Kobayashi: Advancing Power Transistors and Their Applications to Electronic Power Converters, Fuji Electric Co., Ltd., 1981 Edwin S. Oxner: MOSPOWER Semiconductor, Power Conversion Junho/Julho/Agosto/Setembro 1982, Artigo Tcnico Siliconix TA82-2 International,

B. Jayant Baliga: Evolution of MOS-Bipolar Power Semiconductos Technology, Proceedings of the IEEE, vol 76, no. 4, Abril 1988, pp. 409-418 Bimal K. Bose Power Electronics - A Technology Review, Proceedings of the IEEE, vol 80, no. 8, August 1992, pp. 1303-1334. C. G. Steyn; J. D. van Wyk: Ultra Low-loss Non-linear Turn-off Snubbers for Power Electronics Switches. I European Conference on Power Electronics and Applications, 1985.

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13.9

Exerccios

1) Considere o circuito mostrado abaixo, relativo ao acionamento de um IGBT.

Utilizando o PSpice, (verso Evaluation ou Profissional ver.8.0) (anlise Transient), simule o circuito nas seguintes abaixo. A fonte V2 produz um pulso que varia de 10V a +10V, com tempo de subida de 10ns, tempo alto de 10us e perodo de 20us, Rcarga=2. Simule 50 us. a) b) c) d) Lg=0, Rg=100, sem o capacitor Lg=0,Rg=10, sem o capacitor Lg=0, Cg=20nF,Rg=100 Lg=1nH, Cg=20nF, Rg=100

Verifique e analise as formas de onda da tenso de coletor do IGBT, da corrente da carga, da tenso entre gate e emissor, e a tenso da fonte V2. Analise tambm a potncia instantnea sobre o transistor (Vce x Ic). Analise com se alteram os resultados em funo dos diferentes circuitos de acionamento. A verso Evaluation do Pspice pode ser obtida em: http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/ee831.html

2) Os circuitos abaixo utilizam o diodo reverso presente no MOSFET, de modo que se comportam como o circuito equivalente indicado na seqncia. Simule em Pspice. Analise e comente o comportamento da corrente e da tenso sobre este diodo em ambos circuitos, especialmente no desligamento. A tenso Vi um pulso quadrado que varia de -10 V a +10V, numa freqncia de 25kHz. Os tempos de subida e de descida devem ser de 1ns. A modelagem do dispositivo pode no representar perfeitamente o que acontece num componente real, devido, principalmente, aos fenmenos no-lineares presentes num dispositivo e que no so facilmente implementados no modelo. Um bom modelo deve, no entanto, ser capaz de reproduzir as principais caractersticas do componente.

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Fontes Chaveadas Cap. 13

COMPONENTES SEMICONDUTORES RPIDOS DE POTNCIA

J. A. Pomilio

2 ohms

Vi L

3) Considere o circuito abaixo e a forma de onda da corrente pelo transistor. Esboce, indicando os valores pertinentes, as formas de onda das tenses vd, vo e da corrente pelo diodo. Considere que o diodo se comporta como uma chave que no apresenta queda de tenso quando conduz e que muda de estado instantaneamente.
iT 100nH vd 20V 0,1uH vo 30A
0 1us 200ns t iT 50A

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