MONTAGEM DE UM ELETROSCPIO PARA FINS DIDTICOS.

Rafael Blangis: 002345 Orientador: Edson Correa da Silva Instituto de Fsica Gleb Wataghin Universidade Estadual de Campinas Unicamp, SP, Brasil.

Resumo Neste trabalho realizamos um estudo introdutrio da eletrosttica sua historia e importncia nos dias atuais, tanto para o desenvolvimento cientifico possibilitando assim um avano tecnolgico e industrial, por exemplo, o desenvolvimento de dispositivos semicondutores como os transistores, quanto no mbito educacional, possibilitando um melhor entendimento dos conceitos fsicos por trs do experimento. Para isso vamos montar um eletroscpio eletrnico detalhando os princpios de operao, seus componentes e sua construo. Abstract In this work we in such a way carry through an introductory study of electrostatics, its history and importance in the current days for the scientific development thus making possible a technological and industrial advance, for example, the development of semiconductor devices as transistors, and in the educational scope making possible one better agreement of the physical concepts for backwards of the experiment as well. For this we go to mount an electronic electroscope detailing the operation principles, its components and its construction.

1-Introduo. Qualquer corpo material composto de uma quantidade muito grande de tomos e, por conseqncia, por um nmero indeterminado de partculas subatmicas denominadas de prtons, eltrons e nutrons. Em virtude dessas partculas a matria normalmente apresenta-se eletricamente carregada, embora, numa escala macroscpica, isso no seja, na maioria das vezes, facilmente percebido. Na perda ou aquisio de cargas um tomo ou molcula em situao de neutralidade, isto , quando o nmero de prtons igual ao nmero de eltrons, pode tornar-se um on positivo ou negativo dependendo da quantidade de prtons ou de eltrons que passa a possuir em excesso. Como a responsabilidade disso fica a cargo dos eltrons, uma vez que so eles que podem se locomover de um tomo para outro, um corpo s fica eletrizado se ganhar ou

perder eltrons. A carga eltrica do corpo como um todo relaciona-se ao excesso de eltrons, quando carregado negativamente, ou ao excesso de prtons, quando carregado positivamente. O ramo da Fsica que estuda as propriedades e a ao mtua das cargas eltricas em repouso em relao a um sistema inercial de referencia a eletrosttica. Fenmenos referentes eletrosttica remontam Grcia Antiga. O filosofo grego Tales de Mileto (540-546 a. C) j tinha observado que ao atritar um pedao de mbar, esse atraia pequenos objetos tais como palhas e penas. Quando corpos se atraem ou se repelem, pelo fato de terem sido atritados, dizemos que possuem cargas eltricas ou que esto eletrizados (1). Para verificar a existncia de cargas eltricas podemos utilizar vrios mtodos, tais como atritar dois bastes em pedaos de seda e verificar a repulso dos mesmos, ou atritar um basto de vidro e aproximarmos de pequenos pedaos de papel, verificando que eles grudam no basto.Os mtodos descritos acima indicam a presena de cargas eltricas nos corpos, mas, existem outros mtodos mais precisos de identificao. Aparelhos utilizados para verificar se um corpo est ou no eletrizado so chamados eletroscpios. Podemos citar um eletroscpio muito simples que o pndulo eltrico e outro tipo que o eletroscpio de folhas. Existem tambm aparelhos eletrnicos muito sensveis que podem detectar a quantidade de carga presente no material. Estes dispositivos so conhecidos como eletrmetros, entre eles podemos citar, como exemplos, os de peruca e o de quadrante. Com o avano cientifico e o desenvolvimento dos materiais semicondutores pode-se construir eletroscpios e eletrmetros muito sensveis e precisos.

2- Motivao Neste trabalho montaremos um eletroscpio de alta sensibilidade, aparelho esse que vai ser utilizado para detectar a presena de cargas tanto negativas quanto positivas presentes nos corpos eletrificados utilizando para isso um transistor de efeito de campo (FET) como sensor de carga. Com a montagem deste aparelho, pretendemos auxiliar alunos de ensino mdio, e tambm de nvel superior, no entendimento dos conceitos da eletrosttica bsica. fato que os alunos tem muita dificuldade no aprendizado da Fsica e, com a pratica experimental, pretendemos auxili-los no desenvolvimento do conceito e no apenas na repetio de contedos memorizados. 3- Conhecendo os Eletroscpios. 3.1 Um pouco sobre a historia da eletrosttica e aplicaes Os experimentos eletrostticos esto entre os mais utilizados em museus de cincias e demonstraes em salas de aulas, possuem aparncia simples e trazem junto de sim grande quantidade de conceitos a serem estudados. Os efeitos fantsticos relacionados induo eletrosttica, que podem ser demonstrados com o auxilio do eletroscpio, so de uma fonte inesgotvel de questionamentos a serem debatidos com os estudantes (Spenser, 1958). A maior parte dos instrumentos de medidas da eletricidade foi desenvolvida aps 1770. Destacavam-se as balanas, os eletroscpios e os eletrmetros.Para que possamos diferenciar os eletroscpios dos eletrmetros definiremos os eletroscpios como aparelhos 2

que detectavam a presena de carga eltrica, e os eletrmetros seriam eletroscpios graduados. Os principais motivos propulsores do desenvolvimento dos eletroscpios foram as investigaes da eletricidade. Aps a poca de Gilbert (1544-1603), a eletricidade havia sido produzida apenas pelo atrito de pedaos de mbar. Ainda no sculo XVII foi criado um novo mtodo de eletrizar os corpos, foram criadas as mquinas eletrostticas. Elas so geradores mecnicos de eletricidade em alta tenso. As mquinas de atrito foram as primeiras formas desenvolvidas para a gerao de eletricidade em quantidade significante e praticamente toda a pesquisa inicial sobre a eletricidade, nos sculos XVII e XVIII. Faremos, ent,o uma retrospectiva do desenvolvimento histrico destas mquinas e junto a este o desenvolvimento do conceito envolvido. O mais antigo eletroscpio foi o Versorium, de Gilbert, que consistia de uma agulha montada num piv.

Figura 1- Versorium de Gilbert A agulha do Versorium era feita inicialmente de um metal no magnetizado equilibrado em um piv colocado no ponto central da mesma. Ele permitiu a Gilbert a realizao de estudos muito mais sensveis comparados com seus antecessores. Guericke ainda no sculo XVII e Stephen Gray, j no sculo XVIII, utilizaram penas de aves para indicar as eletrizaes. Haukbee, em 1705, criou um mtodo rudimentar que consistia na utilizao de vrios pedaos de linhas suspensas lado a lado na extremidade de uma barra cilndrica de vidro de tal modo que as linhas ficavam penduradas para baixo com suas extremidades afastadas, aproximadamente, uma polegada do vidro. Quando o vidro era eletrizado por atrito as linhas reordenavam-se passando todas a apontar radialmente em direo ao mesmo. Stenhen Gray utilizou, j na dcada de 1740, um nico par de linhas de seda ou um par de penas, para avaliar, atravs da divergncia angular entre elas, as intensidades das eletrizaes produzidas. O conhecido eletroscpio pendular de bolinha de sabugueiro tem, portanto, sua origem nas linhas de Hauksbee em seus tubos e globos de vidro.

Figura 2 - Mquina de Hauksbee Mas para Gray ainda no parecia claro o que estava sendo medido com a deflexo angular entre as linhas de seda. Depois de estudos ele chegou concluso que a eletricidade no parecia preencher todo o corpo dos no eltricos (condutores), ento tomando dois cubos de carvalho de mesmas medidas, sendo uns cheios e outros ocos, carregados da mesma maneira, eles causavam deflexes idnticas nas linhas de seda. Olhando atravs de uma tica mais recente, Gray estava diante do que poderia ser interpretado atualmente como uma evidncia de que os potenciais eletrostticos dos dois cubos eram idnticos e de que, em ultima instncia, a informao fornecida pela deflexo das linhas pode, efetivamente, ser associado ao potencial. Entretanto, isto no foi observado por Gray. Du Fay, na mesma poca, utilizou o mesmo esquema de linhas indicadora de Gray nos seus experimentos, e isso o levou a formular idias de dois tipos diferentes de fluidos eltricos. Benjamin Franklin, por outro lado, em seus estudos, adotaria um sistema semelhante ao de Gray, porm, diferentemente de Du Fay, ele formulou um modelo formado por um nico fluido eltrico. Na Frana Le Roy se destacou na construo de uma mquina de atrito que era formada por um disco de vidro montado em um eixo isolante, atritado em um lado por uma dupla almofada de couro, com abas isolantes, e com coletores de carga na forma de anis com pontas voltadas para o disco do outro lado. Tenses positivas so coletadas nos coletores de carga, e negativas nas almofadas isoladas. Esta mquina procurava gerar as mais altas tenses possveis, afastando tanto quanto possvel as almofadas de atrito do coletor de carga.

Figura 3- Mquina de Le Roy ou de Winter O assistente de Du Fay, o abade Nollet, adotou um sistema muito semelhante ao de Gray, que consistia em dois fios suspensos a partir de um mesmo ponto e que formavam entre si um determinado ngulo ao serem carregados. Acrescentando uma escala circular e um sistema tico de projeo, produziu-se, assim, o primeiro eletrmetro do qual se tem idia. Beccaria repetiu o experimento da pipa, realizado anteriormente por Franklin, inventando, em conexo, um novo instrumento de medida. Seu aparelho consistia em dois fios pontiagudos, um deles ligado extremidade inferior de um alto condutor metlico mantido na vertical, enquanto o outro era aterrado ao cho. No espaamento entre as extremidades pontiagudas dos fios eram produzidas centelhas. Neste espao eram colocados tiras de papel movidas por um mecanismo de relgio. Assim eram obtidas as distncias entre os furos tal como a freqncia dos mesmos. Era ento possvel um registro grfico da atmosfera eltrica. No ano de 1770 em Londres, Tibrio Cavallo construiu um eletroscpio de fios de prata pendurado em uma haste metlica, adicionando bolinhas de sabugueiro nos seus terminais e encerrando o conjunto num vaso de vidro com finas folhas metlicas envolvendo as paredes. Em 1772 Willian Henty criou o eletrmetro de quadrante que foi largamente utilizado na poca. Em 1787 Abraham Bennet criaria duas grandes invenes, uma delas seria o eletroscpio de folhas de ouro, e a outra o duplicador eltrico. A idia original era usar o duplicador para medir pequenas quantidades de carga, mas logo se observou que as cargas no colocadas propositalmente, mas presentes em toda parte, eram ampliadas (Cavallo, 1788). Este duplicador foi inspirado em um aparelho criado por Volta em 1775: o eletrforo. Era utilizado para produzir grandes eletrizaes acumuladas, em Garrafas de Leyden . Essas garrafas foram criadas por Musschenbroek e, em Leyden, eram capacitores de alta tenso formados por garrafas revestidas por placas metlicas interna e externamente, formando os terminais do capacitor.

Figura 4- Garrafas de Leyden No final do sculo XVIII vrios outros eletroscpios e eletrmetros foram desenvolvidos. Chegando ao final do nosso estudo histrico encontramos o estudioso Wommelsdorf (1902-1920). Ele possua um dispositivo rotativo com uma serie de botes metlicos colados, que tocavam escovas metlicas na barra neutralizadora e nos contatos que carregavam os indutores, que permitiam a auto-excitao da mquina.

Figura 5 - Mquina Wommelsdorf. Possua ainda indutores finos dos dois lados do disco rotativo para maior excitao.

Existiu tambm a mquina de Wehrsen (1907) que pode ser vista na foto abaixo.

Figura 6- Mquina de Wehrsen A era das mquinas eletrostticas de discos chegou ao fim, ao menos para objetivos prticos, com o desenvolvimento do gerador de Van de Graff, primeiramente descrito em 1931. Consiste basicamente de uma correia isolante que transporta cargas at o interior de um terminal esfrico, onde a carga extrada e se move para a superfcie exterior do terminal. O carregamento da mquina feito na sua base por um sistema que provoca uma descarga corona de pontas para a superfcie da correia que sobe. Isso pode ser feito utilizando uma fonte eletrnica de alta tenso ligada entre as pontas e a polia inferior da correia, com um dos lados aterrados ou usando o atrito de rolamento entre a correia e uma polia de material tambm isolante, diferente do material da correia, com o pente de pontas aterrado.

Figura 7- Gerador de Van Der Graaff

Existem outros geradores de Van der Graaff modernos como o Pelletron e o Laddertron. Eles usam cadeia de portadores metlicos isolados entre si em vez de uma correia continua. Os geradores eltricos de Felici funcionam no mesmo principio, mas usando um cilindro rotativo.

Figura 8 - Gerador de Felici Nos dias atuais a eletrosttica tem importncia vital em aplicaes industriais, tais como a pintura eletrosttica, os precipitadores de cinza em suspenso, impressoras e copiadoras eletrostticas. 4- Arquitetura do Sistema O eletroscpio eletrnico, o qual vamos construir, constitudo de um transistor de efeito de campo (2N3819), um transistor comum (BC337), um LED, um resistor de 2200 Ohms outro de 220 Ohms, duas pilhas de 1,5 volt cada uma, uma antena de mais ou menos 10 cm de comprimento e uma chave para abrir e fechar o circuito. Ele obedecer ao circuito apresentado abaixo. Vamos estudar os principais componentes eletrnicos deste aparelho para melhor entender o seu funcionamento.

Figura 9 Figura retratando o circuito do eletroscpio

Sero estudados os funcionamentos do LED (Diodo Emissor de Luz), do transistor de efeito de campo (FET) e da antena. 5- Detalhamento do material. 5.1- Transistores-Conceitos 5.1. I Semicondutores Para que possamos entender o funcionamento de nosso eletroscpio teremos que fazer um pequeno estudo introdutrio das caractersticas dos semicondutores, seu funcionamento e importncia. . As propriedades eltricas desses dispositivos so descritas pelas caractersticas tenso-corrente. As caractersticas tenso-corrente dependem basicamente dos movimentos dos eltrons livres nestes dispositivos. Nos semicondutores a banda preenchida mais elevada a chamada banda de valncia, porque os eltrons que a ocupam so os eltrons de valncia dos tomos isolados. Os semicondutores tm importncia vital para o funcionamento de componentes eletrnicos como os transistores, diodos, triodos etc, dependendo assim diretamente dos movimentos dos eltrons livres nestes dispositivos. 5.1. II-Bandas de energia. O modelo de bandas de energia de um semicondutor tem um estreito intervalo de energia proibida, a banda de valncia completamente preenchida pelos eltrons e, a de conduo, completamente vazia.

Figura 10- Banda de Valncia do Semicondutor. Uns poucos eltrons podem, atravs desse intervalo, ser promovidos da banda de valncia para a de conduo em virtude da energia trmica do cristal temperatura ambiente. Os eltrons promovidos podem conduzir eletricidade.

5.1. III-Eltrons e Buracos. Por aumento da temperatura possvel ocorrer transio de alguns eltrons da banda de valncia para a de conduo, tornando o material ligeiramente condutor ou semicondutor. Os eltrons que abandonam a banda de valncia deixam nesta uma lacuna ou buraco, que corresponde a uma carga positiva. Quando outro eltron ocupar este nvel, isso corresponde a uma deslocao da carga positiva. Um semicondutor puro, com as caractersticas indicadas, chama-se semicondutor intrnseco. Existem semicondutores chamados extrnsecos, que resultam de semicondutores intrnsecos dopados com tomos de outras substncias (chamadas impurezas), que alteram o seu comportamento eltrico e so a base dos componentes eletrnicos semicondutores. 5.1. IV-Dopagem. As propriedades eltricas de um semicondutor so drasticamente alteradas quando tomos estranhos ou impurezas so incorporados ao cristal. Os tomos das impurezas doam os eltrons para a banda de conduo, sendo por isso chamados de impurezas doadoras. Existe um eltron nessa banda para cada tomo doador no cristal; observe que no h uma quantidade equivalente de buracos na banda de valncia. O cristal conduz eletricidade, sobretudo em virtude dos eltrons existentes na banda de conduo, sendo assim denominado semicondutor tipo n (devido carga negativa dos portadores de corrente). Quando os eltrons do tomo do cristal doam eltrons para a impureza, diz-se que a impureza aceitadora. Os aceitadores criam buracos na banda de valncia no cristal e produz um semicondutor tipo p, devido carga positiva efetiva de cada buraco.Observamos que existem poucos buracos na banda de valncia de um cristal tipo n. Esses buracos so chamados portadores minoritrios, e os eltrons de majoritrios, em virtude de suas concentraes relativas. Da mesma forma os buracos so portadores majoritrios nos semicondutores tipo p, enquanto os eltrons na banda de conduo so minoritrios. O processo pelo qual introduzimos impurezas em um semicondutor para alterar a concentrao de portadores majoritrios chamado de dopagem. 5.1.V-Juno pn A juno entre uma regio tipo p e uma tipo n no mesmo cristal semicondutor, que uma estrutura bsica dos transistores os quais pretendemos estudar, denominada juno pn. Os eltrons da regio n tendem a se difundir para a regio p atravs da juno, em equilbrio, isto sendo compensado por um fluxo idntico de eltrons no sentido inverso. No entanto, a concentrao de eltrons muito maior no material n, e a corrente eltrica originria desta regio seria maior, se no fosse uma elevao do potencial na juno que a reduz. Argumento idntico se aplica a correntes que se deslocam atravs da juno.Quando a juno pn est em equilbrio a corrente resultante de eltrons que se difundem do lado n igual corrente ocasionada pelos eltrons que deixam o lado p.

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Supomos agora que um potencial externo seja aplicado juno, de modo a aumentar a barreira interna. O nmero de eltrons que se difundem atravs da juno muito reduzido uma vez que poucos eltrons tm energia suficiente para vencer a barreira de potencial maior. Por outro lado, a quantidade que se move do lado p para o lado n no afetada porque estes no encontram barreira. Assim, existe uma corrente liquida, mas esta limitada pelo pequeno nmero de eltrons na regio p. Se a polaridade do potencial externo for invertida, a barreira ser reduzida e a corrente que se difunde do lado n para o p ser grande, em virtude da quantidade de eltrons na regio n ser muito elevada.

Figura 12- Polarizao Inversa Mais uma vez a corrente eltrica ocasionada pelos eltrons que deixam o lado p para o lado n permanecer inalterada. A corrente liquida, neste caso, ser grande e corresponder ao sentido direto. 5.1.VI-Injeo de portadores minoritrios. A barreira de potencial interna em uma juno pn reduzida quando a juno polarizada diretamente. A corrente direta conseqncia de buracos originrios do lado tipo p e de eltrons do lado tipo n se difundindo atravs da juno. O resultado que so injetados buracos na regio n e eltrons na p, onde, em cada caso, so portadores minoritrios. Se a regio n for fracamente dopada e a regio p fortemente, a corrente direta ser devida, sobretudo aos buracos e, em conseqncia, uma grande concentrao de buracos em excesso ser injetada na regio n. Invertendo-se a dopagem a situao contrria ser verdadeira, ou seja, eltrons sero injetados na regio p. Os buracos injetados se difundem afastando-se da juno em virtude do gradiente de concentrao. medida que se difundem recombinam-se com portadores majoritrios (eltrons) de modo que, longe da juno, a concentrao de buracos a caracterstica do semicondutor tipo n em equilbrio. 5.1.VII-Transistores de Efeito de campo ( FET- field- effect transistor) Fizemos acima um estudo inicial dos princpios bsico dos semicondutores. A pesquisa que levou descoberta do transistor buscava um substituto para as vlvulas eletrnicas. Ele mais eficiente, mais barato, menor e gasta muito menos energia do que sua antecessora. A funo do transistor controlar a corrente que flui atravs do 11

dispositivo, a partir do terminal D (Dreno) para o terminal S (Fonte), variando o potencial do terminal G (Porta).

Figura 13- Figura Representando um FET Com base nestes conhecimentos vamos agora comear o nosso estudo dos transistores, em particular o transistor de efeito de campo ou FET (Abreviatura do ingls Field-Effect Transistor), no qual o fluxo de portadores majoritrios controlado por tenses de sinal aplicadas a uma juno pn polarizada reversamente. Consideremos a barra semicondutora tipo n que possui um contato hmico, a fonte, em uma extremidade, e um contato similar, o dreno, na outra. Os eltrons que se movem da fonte para o dreno, em virtude da tenso de dreno, passam atravs de um canal entre duas regies p. Esta juno pn denominada porta, porque sua largura quando polarizada reversamente determina a largura do canal e, conseqncia, a amplitude da corrente da fonte para o dreno.

Figura 14 - FET Polarizado Reversamente. O FET , de fato, um transistor controlado pelos campos magnticos associados s junes pn. Pouca potncia despendida pelo sinal em virtude da pequena corrente reversa na juno. A descrio acima corresponde s caractersticas de um FET de canal n, o qual vamos utilizar em nosso experimento. 6- LED O LED um diodo que emite luz visvel quando energizado devido ao fato de que em qualquer juno pn diretamente polarizada h, diretamente dentro da estrutura e prximo juno, uma recombinao de lacunas e eltrons. Essa recombinao exige que a energia possuda pelo eltron livre seja transferida para um outro estado. Em todas as junes pn semicondutoras uma parte desta energia ser emitida na forma de calor e tambm uma parte na forma de ftons. 12

Figura 15- LED O processo de emisso de luz por aplicao de uma fonte eltrica de energia chamado eletroluminescncia. LEDs so encontrados nas cores vermelho, verde, amarelo, laranja ou branco.

Figura 16 Simbologia do LED Em geral, operam com nveis de tenso de 1,7 a 3,3V, com potncias de 10 a 150mW e tempo de vida de 100.000 horas ou mais.

7-ANTENA As antenas so dispositivos destinados a transmitir ou receber sinais. Quando ligadas a um transmissor (de rdio, TV, radar, etc.) convertem os sinais eltricos em ondas eletromagnticas.

Figura 17- Antena Recebendo Sinal.

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Quando ligadas a um receptor captam essas ondas e as convertem em sinais eltricos, que so amplificados e decodificados pelo aparelho receptor (de rdio, televiso, radar, etc). 9-MONTAGEM DO APARELHO Foram reunidas todas as peas componentes do aparelho presentes no circuito da figura 9.

Figura 18- Material utilizado na construo do circuito. O primeiro procedimento a ser feito foi descobrir quais eram as sadas dos transistores. Isto foi feito utilizando um guia de eletrnica que nos fornecia o nome das sadas do FET e do transistor BC337. Foi necessrio tambm identificar quais sadas eram o catodo e o anodo do LED. O prximo passo ser conectar os componentes e isto ser feito soldando as partes na placa padro.A porta do FET foi soldada antena.

Figura 19- Soldagem da antena.

A sada do dreno foi soldada ao resistor de 2200 O, e este foi soldado ao catodo do LED. A sada da fonte foi soldada sada E do transistor BC337 e ao plo negativo de

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tenso de trs volts. A sada B do transistor BC 337 foi soldada ao resistor de 270 O e este resistor soldado ao anodo do LED.

Figura 20- Soldagem do Anodo ao Resistor de 270 hm

A sada C do transistor BC337 foi soldada ao dreno do transistor FET. O plo positivo da tenso de trs volts foi conectado chave que liga o circuito e esta chave fecha o circuito conectando-se ao catodo do LED. Com esta ltima soldagem nos fixaremos placa na base de um controle remoto de porto eletrnico. As pilhas que daro as tenses necessrias foram fixadas ao controle atravs de um suporte de carrinho eletrnico.

Figura 22- Prottipo Montado 15

A juno da porta inversamente polarizada, o que resulta em corrente quase nula pela mesma, mas o campo eltrico forma um canal na barra que controla a passagem dos portadores. Assim, a tenso aplicada na porta controla a corrente entre fonte e dreno. Como a porta polarizada inversamente a sua resistncia de entrada bastante alta. 10-DETEO DE CARGAS Para a deteco das cargas negativas vamos primeiramente atritar um basto de vidro em um pedao de l. Os corpos esto inicialmente neutros, o atrito o agente que causa a passagem dos eltrons de um corpo para outro. Aquele que recebe eltrons fica com excesso destes e, portanto, eletrizado negativamente e o outro, que cedeu, passa a acusar um excesso de prtons, ficando eletrizado positivamente. 10.1- CARGAS NEGATIVAS O funcionamento do eletroscpio bastante simples. Quando aproximamos o corpo eletrificado negativamente para perto da antena do eletroscpio, o sinal gerado pelas cargas captado pela antena levando o mesmo para a porta do transistor. Isto faz com que o FET entre em estado de corte e o transistor BC337 entre em estado de conduo fazendo que uma corrente flua pelo LED (Diodo Emissor de Luz) acendendo o mesmo. Isso nos indicar a presena de cargas negativas no corpo. 10.2 CARGAS POSITIVAS Ao aproximarmos o aparelho do corpo eletrizado positivamente o sinal no ser mais captado pela antena fazendo com que o FET entre em estado de conduo e o transistor BC337 em estado de corte. Isso faz com que a corrente que passa pelo LED cesse apagando a lmpada.

11-A IMPORTNCIA DO EXPERIMENTO PARA UM MELHOR APRENDIZADO Trabalhos recentes tm evidenciado que atividades experimentais com eletroscpios e eletrmetros podem contribuir decisivamente para que os estudantes explorem de forma construtiva os conceitos de induo eletrosttica ( Stewart & Gallai, 1998). O desenvolvimento de estratgias de ensino, convenientemente relacionadas s demonstraes com eletroscpios em sala de aula, pode, por outro lado, propiciar a discusso de idias sobre a prpria natureza da observao, colocando as descobertas nos seus contextos histricos respectivos e auxiliando a relacionar o conhecimento cientifico com as suas aplicaes prticas (Engelmann, 1983). 12-CONCLUSO Ao montar um aparelho capaz de detectar a presena de cargas no meio, pretendi explicar fenmenos eletrostticos de forma interessante e ao mesmo tempo estimular o desenvolvimento da prtica da pesquisa pelo aluno e com isso o aprendizado do conceito fsico por trs do aparelho. 16

13-REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS. 1. Wataghin Gleb-Eletromagnetismo e tica - Editora Unicamp 2. Brophy James-Eletrnica Bsica para Cientistas Editora Guanabara. 3. Halliday David, Resnick Robert-Fsica 3- Editora LTC 3 Edio. 4. Halliday David, Resnick Robert-Fsica 4- Editora LTC 2 Edio. 5. Junior, Francisco Ramalho-Santos, Jos Ivan Cardoso dos-Ferraro, Nicolau Gilberto-Soares, Paulo Antonio de Toledo-Os Fundamentos. da Fsica 3- Eletricidade- Editora Moderna -3a edio 6. Pauli, Ronald Ulysses-Mauad, Farid Cardoso-Heilmann, Hans PeterFsica 4- Eletricidade, Magnetismo, Fsica moderna, Analise. Dimensional-Editora EPU 7. Cipelli, Engo Antonio Marco Vicari- Sandrini, Engo Waldir JooTeoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos.Editora rica 13a Edio. 8. A History of the Theories of Aether and Electricity: The Classical Theories, de Edmund Whittaker, Thomas Nelson and Sons Ltd., 1951.

Sites: http://www.sparkmuseum.com/BOOK_GRAY.HTM http://www.coe.ufrj.br/~acmq/eletrostatica.html http://www.sparkmuseum.com/ELECTROSCOPE.HTM

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ANEXOS ANEXO 1 FOTOS DA MONTAGEM DO APARELHO.

Figura 23 Material Utilizado.

Figura 24 LED

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Figura 25 Chave Abre/ Fecha

Figura 26 FET 2N3819

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Figura 27 Transistor BC337

Figura 28 Resistor de 220 Ohm

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Figura 29 Resistor de 2200 Ohm

Figura 30 Placa Padro

Figura 31 Soldador.

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ANEXO 2 FOTOS HISTORICAS DE ELETROSCPIOS.

Figura 32 Maquina de Otto Von Guericke

Figura 33 Utilizao da maquina de Guericke

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Figura 34 Utilizao da Maquina de Hauksbee

Figura 35 Maquina de Bohnenberger

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Figura 36 Maquina de Schwedoff

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