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Semicondutores PDF
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o Eletricamente neutro.
o tomo tetravalente, isto , 4 eltrons na rbita de valncia.
o Ncleo e eltrons internos rbita de valncia so denominados mago
do tomo.
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NVEIS DE ENERGIA
Somente certas dimenses de rbita so permitidas (Figura 2.2 (a)).
Quanto maior a rbita do eltron, mais alto o seu nvel de energia potencial
em relao ao ncleo (Figura 2.2 (b)).
Se o tomo for bombardeado por energia externa (calor, luz ou outra radiao),
um dos eltrons pode ser elevado a um nvel de energia mais alto (rbita
maior).
O tomo est ento no estado de excitao.
Este estado no dura muito porque o eltron energizado logo volta ao seu nvel
de energia original, devolvendo a energia adquirida na forma de calor, luz ou
outra radiao.
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BANDAS DE ENERGIA
Quando os tomos de silcio se combinam para formar um cristal, a rbita de
um eltron sofre a influncia das cargas dos tomos adjacentes.
Como cada eltron tem uma posio diferente dentro do cristal, nenhum v
exatamente a mesma configurao de cargas vizinhas.
Assim a rbita de cada eltron modificada.
Os nveis de energia associados s rbitas formam nuvens ou bandas (Figura
2.4).
[Figura 2.5 (a) Circuito (b) Bandas de energia temperatura de zero absoluto.]
ZERO ABSOLUTO
No zero absoluto, todos os eltrons de valncia esto fortemente presos aos
tomos de silcio, a participar das ligaes covalentes entre os tomos.
A banda de conduo est vazia e no h corrente no silcio (Figura 2.5 (b)).
ACIMA DO ZERO ABSOLUTO
A energia trmica quebra algumas ligaes covalentes, isto , envia alguns
eltrons da banda de valncia para a banda de conduo.
Sob ao do campo eltrico, estes eltrons livres movem-se para a esquerda e
estabelecem uma corrente (Figura 2.6 (a)).
Cada vez que um eltron bombeado para a banda de conduo, cria-se uma
lacuna na banda de valncia.
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[Figura 2.6 (a) Fluxo de eltrons (b) Faixas de energia temperatura ambiente]
SILCIO VERSUS GERMNIO
O germnio, um outro elemento tetravalente, foi amplamente usado no incio
do estudo dos semicondutores.
temperatura ambiente, um cristal de silcio no possui praticamente eltrons
livres, quando comparado a um cristal de germnio sob as mesmas condies.
CORRENTE DE LACUNAS
Um semicondutor oferece dois trajetos para corrente, um associado a eltrons
na banda de conduo e outro associado a eltrons na banda de valncia.
Observe o mecanismo de conduo na banda de valncia ilustrado na figura
2.7 (a).
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[Figura 2.7 (a) Corrente de lacunas (b) Diagrama de energia para a corrente de
lacunas.]
PARES ELTRON-LACUNA
A aplicao de uma tenso externa ao cristal fora os eltrons a deslocarem-se.
Na figura 2.8 (a) h dois tipos de eltrons mveis, os eltrons da banda de
conduo e os eltrons da banda de valncia.
O movimento para a direita dos eltrons de valncia indica que as lacunas
esto a se deslocar para a esquerda.
Num semicondutor puro, a existncia de cada eltron na banda de conduo
garante a existncia de uma lacuna na rbita de valncia de algum tomo.
Pode-se dizer que a energia trmica produz pares eltrons-lacuna.
As lacunas agem como se fossem cargas positivas e por esta razo so
indicadas pelo sinal de mais na figura 2.8 (b).
O Efeito Hall confirma o comportamento das lacunas como cargas positivas.
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2.3. DOPAGEM
Um cristal de silcio puro um semicondutor intrnseco.
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Para a maioria das aplicaes, no h eltrons livres nem causas suficiente num
semicondutor intrnseco para produzir uma corrente utilizvel.
A dopagem significa introduzir tomos de impurezas num cristal de modo a
aumentar tanto o nmero de eltrons livres quanto o nmero de lacunas.
Com a dopagem, o cristal passa a se chamar semicondutor extrnseco.
SEMICONDUTOR TIPO-N
Para se conseguir eltrons da banda de valncia a mais, podem-se acrescentar
tomos pentavalentes.
O tomo pentavalente possui inicialmente 5 eltrons na rbita de valncia.
Depois de formar ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos, o tomo
pentavelente central possui um eltron a mais que sobra.
Como a rbita de valncia no pode conter mais de oito eltrons, o eltron que
sobra precisa percorrer uma rbita da banda de conduo.
Na figura 2.9 (b), h um grande nmero de eltrons da banda de conduo
produzido principalmente pela dopagem. H tambm algumas lacunas criadas
pela energia trmica.
O silcio dopado dessa forma denominado semicondutor tipo-n, onde n
significa negativo.
Num semicondutor tipo-n, os eltrons so denominados portadores
majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios.
Os tomos pentavalentes so denominados doadores, pois fornecem eltrons de
banda de conduo.
Exemplos: arsnio, antimnio e fsforo.
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TENSO DE RUPTURA
Se a tenso reversa for aumentada at certo ponto, atinge-se a tenso de ruptura
do diodo.
Para diodos retificadores, a tenso de ruptura geralmente maior que 50V.
Atingida a tenso de ruptura, o diodo passa a conduzir intensamente.
o A Figura 14 (a) mostra um eltron produzido termicamente, e uma
lacuna na camada de depleo.
o Devido polarizao reversa, o eltron livre empurrado para a direita,
ganhando velocidade.
o Quanto maior a polarizao reversa, mais rpido desloca-se o eltron.
o O eltron pode colidir com um eltron de valncia, e se estiver com
energia o suficiente, formam-se dois eltrons livres.
o Os dois eltrons livres podem se acelerar e desalojar outros eltrons de
valncia at ocorrer a maior avalanche possvel.
o Por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduz
intensamente.
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REFERNCIAS
Malvino, P. Eletrnica, volume 1, McGraw-Hill, So Paulo, 1986.
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