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Semicondutores PDF
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INTRODUO AOS SEMICONDUTORES
NVEIS DE ENERGIA
Somente certas dimenses de rbita so permitidas (Figura 2.2 (a)).
Quanto maior a rbita do eltron, mais alto o seu nvel de energia potencial
em relao ao ncleo (Figura 2.2 (b)).
Se o tomo for bombardeado por energia externa (calor, luz ou outra radiao),
um dos eltrons pode ser elevado a um nvel de energia mais alto (rbita
maior).
O tomo est ento no estado de excitao.
Este estado no dura muito porque o eltron energizado logo volta ao seu nvel
de energia original, devolvendo a energia adquirida na forma de calor, luz ou
outra radiao.
CRISTAIS
Um tomo de silcio isolado possui quatro eltrons na sua rbita de valncia,
porm para ser quimicamente estvel, precisa de oito eltrons.
Combina-se ento com outros tomos de forma a completar os outros eltrons
na sua rbita de valncia.
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LACUNAS
Quando a energia externa eleva o eltron de valncia a um nvel energtico
mais alto (rbita maior), o eltron que sai deixa uma vacncia na rbita mais
externa (Figura 2.3 (b)).
Esta vacncia denominada lacuna.
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BANDAS DE ENERGIA
Quando os tomos de silcio se combinam para formar um cristal, a rbita de
um eltron sofre a influncia das cargas dos tomos adjacentes.
Como cada eltron tem uma posio diferente dentro do cristal, nenhum v
exatamente a mesma configurao de cargas vizinhas.
Assim a rbita de cada eltron modificada.
Os nveis de energia associados s rbitas formam nuvens ou bandas (Figura
2.4).
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[Figura 2.5 (a) Circuito (b) Bandas de energia temperatura de zero absoluto.]
ZERO ABSOLUTO
No zero absoluto, todos os eltrons de valncia esto fortemente presos aos
tomos de silcio, a participar das ligaes covalentes entre os tomos.
A banda de conduo est vazia e no h corrente no silcio (Figura 2.5 (b)).
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[Figura 2.6 (a) Fluxo de eltrons (b) Faixas de energia temperatura ambiente]
CORRENTE DE LACUNAS
Um semicondutor oferece dois trajetos para corrente, um associado a eltrons
na banda de conduo e outro associado a eltrons na banda de valncia.
Observe o mecanismo de conduo na banda de valncia ilustrado na figura
2.7 (a).
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[Figura 2.7 (a) Corrente de lacunas (b) Diagrama de energia para a corrente de
lacunas.]
PARES ELTRON-LACUNA
A aplicao de uma tenso externa ao cristal fora os eltrons a deslocarem-se.
Na figura 2.8 (a) h dois tipos de eltrons mveis, os eltrons da banda de
conduo e os eltrons da banda de valncia.
O movimento para a direita dos eltrons de valncia indica que as lacunas
esto a se deslocar para a esquerda.
Num semicondutor puro, a existncia de cada eltron na banda de conduo
garante a existncia de uma lacuna na rbita de valncia de algum tomo.
Pode-se dizer que a energia trmica produz pares eltrons-lacuna.
As lacunas agem como se fossem cargas positivas e por esta razo so
indicadas pelo sinal de mais na figura 2.8 (b).
O Efeito Hall confirma o comportamento das lacunas como cargas positivas.
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RECOMBINAO
Na Figura 2.8 (b) ocasionalmente a rbita da banda de conduo de um tomo
pode interceptar a rbita da lacuna de um outro.
freqente ento que um eltron da banda de conduo passe para uma
lacuna.
Este desaparecimento de um eltron livre e de uma lacuna chamado
recombinao.
Quando ocorre a recombinao a lacuna desaparece.
A recombinao ocorre constantemente num semicondutor.
A energia trmica incidente mantm a produo de novas lacunas a elevar os
eltrons de valncia banda de conduo.
O tempo mdio entre a criao e o desaparecimento de um par eltron-lacuna
chamado meia vida, que varia de poucos nanosegundos at vrios
microsegundos, dependendo de quo perfeita a estrutura do cristal, dentre
outros fatores.
2.3. DOPAGEM
Um cristal de silcio puro um semicondutor intrnseco.
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Para a maioria das aplicaes, no h eltrons livres nem causas suficiente num
semicondutor intrnseco para produzir uma corrente utilizvel.
A dopagem significa introduzir tomos de impurezas num cristal de modo a
aumentar tanto o nmero de eltrons livres quanto o nmero de lacunas.
Com a dopagem, o cristal passa a se chamar semicondutor extrnseco.
SEMICONDUTOR TIPO-N
Para se conseguir eltrons da banda de valncia a mais, podem-se acrescentar
tomos pentavalentes.
O tomo pentavalente possui inicialmente 5 eltrons na rbita de valncia.
Depois de formar ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos, o tomo
pentavelente central possui um eltron a mais que sobra.
Como a rbita de valncia no pode conter mais de oito eltrons, o eltron que
sobra precisa percorrer uma rbita da banda de conduo.
Na figura 2.9 (b), h um grande nmero de eltrons da banda de conduo
produzido principalmente pela dopagem. H tambm algumas lacunas criadas
pela energia trmica.
O silcio dopado dessa forma denominado semicondutor tipo-n, onde n
significa negativo.
Num semicondutor tipo-n, os eltrons so denominados portadores
majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios.
Os tomos pentavalentes so denominados doadores, pois fornecem eltrons de
banda de conduo.
Exemplos: arsnio, antimnio e fsforo.
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SEMICONDUTOR TIPO-P
Ao se utilizar uma impureza trivalente (3 eltrons na camada de valncia),
apenas 7 eltrons se encontraro nas suas rbitas de valncia, e aparece uma
lacuna em cada tomo trivalente.
Um semicondutor dopado com uma impureza trivalente conhecido como
semicondutor do tipo-p, onde a letra p significa positivo.
Na figura 2.10 (b), as lacunas de um semicondutor tipo-p excedem de longe os
eltrons da banda de conduo.
Num semicondutor do tipo-p, as lacunas so os portadores majoritrios
enquanto que os eltrons da banda de conduo so os portadores minoritrios.
tomos trivalentes so tambm conhecidos como tomos aceitadores porque
cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um eltron durante a
recombinao.
Exemplos: Alumnio, boro e glio.
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RESISTNCIA DE CORPO
Um semicondutor dopado ainda possui resistncia eltrica, denominada
resistncia de corpo.
Quando levemente dopado, possui resistncia de corpo alta, a medida que a
dopagem aumenta, a resistncia de corpo diminui.
A resistncia de corpo tambm chamada resistncia hmica, uma vez que
obedece a lei de Ohm.
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CAMADA DE DEPLEO
Devido repulso mtua, os eltrons livres no lado n difundem-se (espalham-
se) em todas as direes, sendo que alguns atravessam a juno.
Quando um eltron livre sai da regio n, a sua sada cria um tomo carregado
positivamente (um on positivo) na regio n.
O eltron, como um portador minoritrio na regio p, possui uma vida mdia
curta. Logo aps penetrar na regio preenche uma lacuna.
Quando isso acontece, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se
carregado negativamente (um on negativo).
Cada vez que um eltron difunde-se atravs da juno, ele cria um par de ons
(Figura 11 (b)).
Os ons esto fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente e no
podem se deslocar livremente como os eltrons livres e as lacunas.
medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima a juno fica
totalmente esgotada de eltrons livres ou lacunas.
A regio criada na juno chama-se camada de depleo.
BARREIRA DE POTENCIAL
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira a impedir o
prosseguimento da difuso de eltrons livres atravs da juno.
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BANDAS DE ENERGIA
A Figura 12 (b) mostra como visualizar o fluxo em termos de bandas de
energia.
A barreira de potencial d s bandas p um pouco mais de energia do que para
as bandas n.
Um fluxo estvel de eltrons de banda de conduo desloca-se em direo
juno e preenche as lacunas prximas juno.
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CAMADA DE DEPLEO
A polarizao reversa fora que os eltrons livres da regio n se afastem da
juno em direo ao terminal positivo da fonte, as lacunas da regio p tambm
se deslocam da juno para o terminal negativo.
O afastamento dos eltrons e das lacunas deixam mais ons positivos e
negativos prximos juno, respectivamente. Portanto, a camada de depleo
fica mais larga.
Quanto maior a polarizao reversa, maior torna-se a camada de depleo.
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CORRENTE REVERSA
Os datasheets dos fabricantes de diodos costumam englobar IS e IFS numa
nica corrente reversa IR, geralmente especificada para um dado valor de
tenso reversa VR e de temperatura ambiente TA.
Exemplo: para o Diodo 1N914 IR = 25nA para VR = 20V e TA=25C.
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TENSO DE RUPTURA
Se a tenso reversa for aumentada at certo ponto, atinge-se a tenso de ruptura
do diodo.
Para diodos retificadores, a tenso de ruptura geralmente maior que 50V.
Atingida a tenso de ruptura, o diodo passa a conduzir intensamente.
o A Figura 14 (a) mostra um eltron produzido termicamente, e uma
lacuna na camada de depleo.
o Devido polarizao reversa, o eltron livre empurrado para a direita,
ganhando velocidade.
o Quanto maior a polarizao reversa, mais rpido desloca-se o eltron.
o O eltron pode colidir com um eltron de valncia, e se estiver com
energia o suficiente, formam-se dois eltrons livres.
o Os dois eltrons livres podem se acelerar e desalojar outros eltrons de
valncia at ocorrer a maior avalanche possvel.
o Por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduz
intensamente.
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REFERNCIAS
Malvino, P. Eletrnica, volume 1, McGraw-Hill, So Paulo, 1986.
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