Captulo 2

Materiais Piezoeltricos
Jos Antonio Eiras

Grupo de Cermicas Ferroeltricas

Departamento de Fsica - Universidade Federal de So Carlos
CEP: 13.565-905 So Carlos / SP, Brasil
eiras@df.ufscar.br
 Contedo
2.1. INTRODUO .............................................................................................. 3
2.1.1. Fundamentos de piezoeletricidade.......................................................... 3
2.1.2. Equaes fundamentais........................................................................... 4
2.1.3. Monocristais vs. policristais (cermicas ou filmes finos)....................... 7
2.2. MATERIAIS PIEZOELTRICOS ................................................................. 9
2.2.1. Cristais .................................................................................................... 9
2.2.1.1. Quartzo (SiO2) .................................................................................... 9
2.2.1.2. Niobato de ltio (LiNbO3 - LN) e tantalato de ltio (LiTaO3-LT)..... 10
2.2.2. Semicondutores..................................................................................... 12
2.2.3. Cermicas.............................................................................................. 13
2.2.3.1. Perovskitas ((A1,A2)(B1,B2)O3) ........................................................ 14
2.2.4. Polmeros .............................................................................................. 16
2.2.5. Compsitos ........................................................................................... 18
2.2.6. Filmes finos........................................................................................... 21
2.3. CARACTERIZAO DE PROPRIEDADES DIELTRICAS E
PIEZOELTRICAS.......................................................................................................... 23
2.3.1. Introduo ............................................................................................. 23
2.3.2. Propriedades dieltricas ........................................................................ 23
2.3.3. Propriedades piezoeltricas................................................................... 25
2.3.3.1. O mtodo da ressonncia ................................................................. 26
2.3.3.2. Condies de caracterizao de elementos piezoeltricos................ 28
2.3.3.3. Modos de vibrao em piezoeltricos............................................. 31
2.4. REFERNCIAS............................................................................................ 33

2
 2.1. INTRODUO

O efeito piezoeltrico foi descoberto em 1880 em cristais de quartzo pelos irmos

Pierre e Jacques Curie [1]. Desde ento tem motivado inmeras investigaes para o
desenvolvimento de sistemas transdutores eletromecnicos.
O efeito consiste basicamente na converso de energia mecnica em eltrica (do
grego piezo presso). Posteriormente, em 1881, por anlises termodinmicas,
Lippman [2] previu a existncia do efeito piezoeltrico inverso, que consiste no
aparecimento de uma deformao do material quando submetido a um campo eltrico.
A primeira aplicao tecnolgica de um elemento piezoeltrico pode ser atribuda a
Langevin (1921) [3], que desenvolveu um sonar utilizando o quartzo como elemento
piezoeltrico. O descobrimento, por Roberts [4], que cermicas ferroelctricas de titanato
de brio (BaTiO3) polarizadas apresentam o efeito piezoeltrico marcou o incio da
gerao das piezocermicas.
Os estudos de solues slidas de PbZrO3- PbTiO3, por Jaffe [5,6] nos anos 50,
resultaram na obteno de cermicas de titanato zirconato de chumbo (PZT), que
passaram a ser objeto de freqentes investigaes para a otimizao de suas propriedades
ou como motivao para o desenvolvimento de novos compostos cermicos.
Na atualidade materiais piezoeltricos so utilizados como elementos sensores e/ou
atuadores em aplicaes tecnolgicas desde baixas (na faixa de Hz) at freqncias da
ordem de 109 Hz. As baixas freqncias so cobertas principalmente pelos materiais
policristalinos (cermicos, polmeros ou compsitos). Cristais e filmes finos, por sua vez,
so os mais utilizados em aplicaes de altas freqncias.
Neste captulo apresentaremos um resumo dos conceitos fundamentais da
piezoeletricidade e dos materiais e formas mais destacadas nas aplicaes de materiais
piezoeltricos.

2.1.1. Fundamentos de piezoeletricidade

De uma forma geral o efeito piezoeltrico pode ser definido como a converso de
energia mecnica em energia eltrica (direto) ou a converso de energia eltrica em
energia mecnica (inverso). Uma representao esquemtica apresentada na Figura 2.1.

3
 Direto
Energia Mecnica Inverso Energia Eltrica

Figura 2.1- Representao esquemtica da converso de energia no efeito

piezoeltrico.
Um sistema piezoeltrico constitudo de dois sistemas fsicos acoplados, o
mecnico e o eltrico.
O efeito piezoeltrico pode ser descrito de forma simplificada, desconsiderando a
simetria do material, pelas seguintes equaes:

D = dT + E (direto) (2.1)
S = sT + d E (inverso) (2.2)

D - vetor deslocamento eltrico T Tenso mecnica

E - campo eltrico S Deformao
permissividade dieltrica s coeficiente elstico
d coeficiente piezoeltrico

importante notar que o efeito piezoeltrico representa uma dependncia linear da

deformao com o campo eltrico aplicado. Portanto, se o sentido do campo eltrico
invertido, o sentido da deformao tambm ser invertido.

2.1.2. Equaes fundamentais

As equaes constitutivas para representar o efeito piezoeltrico em geral utilizam a
notao matricial. As equaes e unidades que sero apresentadas neste captulo so as
mesmas que se encontram nos IRE Standards on Piezoelectric Crystals ou Ceramics
[7,8,9].
A ausncia de um centro de simetria uma condio necessria para que um material
possa apresentar o fenmeno da piezoeletricidade, por isso todos os materiais
piezoeltricos so anisotrpicos. Para descrever as propriedades de todas as classes de
materiais anisotrpicos existem 18 coeficientes piezoeltricos, 21 coeficientes elsticos e
4
6 coeficientes dieltricos independentes. Na interao piezoeltrica, que resulta da
interao entre o sistema eltrico e o mecnico, dois conjuntos de coeficientes eltricos,
S ou T, e dois conjuntos de coeficientes elsticos, cE, sE ou cD, sD, so definidos
dependendo das condies em que se realizam suas medies, a T (tenso mecnica), S
(deformao mecnica), E (campo eltrico) ou D (vetor deslocamento eltrico)
constantes. Dependendo da simetria que apresente o material o nmero de coeficientes
no nulos pode diminuir. Quanto maior a simetria menor ser o nmero de coeficientes
diferentes de zero. A reduo por simetria do nmero de coeficientes independentes e a
transio da notao tensorial para a notao matricial discutida em detalhes no livro de
Nye [10].
Alguns cristais no centrossimtricos e cermicas ferroelctricas polarizadas
apresentam o efeito piezoeltrico. Considerando que os campos eltricos aplicados e as
temperaturas sejam baixas, comparadas s temperaturas de Curie Tc, as equaes
piezoeltricas lineares (como as Eq. 2.1 e 2.2) podem ser utilizadas para descrev-los.
Para descrever um material piezoeltrico as matrizes adequadas para representar os
coeficientes S ou T, cE, sE ou cD, sD e d, para serem utilizadas nas Eq. (2.1) e (2.2), se
obtm considerando sua simetria macroscpica [7-10]. Assim, por exemplo, para cristais
de quartzo tem-se que considerar as matrizes correspondentes simetria trigonal (32),
enquanto que para cermicas polarizadas as matrizes da simetria (6mm ou mm) [11]
devem ser utilizadas.
Considerando diferentes formas da energia de Gibbs e desprezando efeitos
magnticos e de variaes de entropia, possvel obter as seguintes relaes para
descrever o efeito piezoeltrico [10,11]:

S i = sijE T j + d mi Em S i = sijDT j + g mi Dm
Dn = d miTi + mn
T
Em E m = g miTi + mn
T
Dn
(2.3)
Ti = cijE S j emi Em Ti = cijD S j hmi Dm
Dn = emi S i + mn
S
Em E m = hmi S i + mn
S
Dn

i,j 1,2,...,6
n,m 1,2,3
5
 , - coef. dieltricos
d,g,e,h - coef. piezoeltricos
dmi coeficiente piezoeltrico
mn permissividade dieltrica
Dn vetor deslocamento eltrico
Em campo eltrico
T1, T2, T3 tenses de trao ou compresso
T4, T5, T6 tenses de cisalhamento
S1, S2, S3 deformaes puras
S4, S5, S6 deformaes de cisalhamento

E campo eltrico constante

Condies de Medida D polarizao constante
(Superescritos) T tenso mecnica constante
S deformao constante

onde,
E1 11 12 13 d11 d12 d13 d14 d15 d16

D, E = E 2 = 22 23 d, g = d 22 d 23 d 24 d 25 d 26
33 d 36
E3 d 33 d 34 d 35

s11 s12 s13 s14 s15 s16

S1
s 22 s 23 s24 s25 s 26
S2
S s33 s34 s35 s 36
S,T = 3 s, c =
S4 s 44 s 45 s 46
S
5 s55 s56
S
6 s 66

so as matrizes gerais, que representam as diferentes propriedades dieltricas,

mecnicas e piezoeltricas dos materiais piezoeltricos.
A escolha de quais equaes utilizar para descrever um determinado sistema depende
de que variveis eltricas, campo eltrico (E) ou vetor deslocamento eltrico (D), ou

6
mecnicas, tenso mecnica (T) ou deformao mecnica (S), devem ser escolhidas
como variveis independentes [9,10].

2.1.3. Monocristais vs. policristais (cermicas ou filmes finos)

Como mencionado anteriormente, embora as primeiras aplicaes de materiais
piezoeltricos tenham sido realizadas utilizando cristais, particularmente o quartzo, o
maior crescimento do nmero de aplicaes ocorreu a partir do descobrimento dos
piezoeltricos cermicos baseados em titanato zirconato de chumbo (PZT) nos anos 50
[5,6]. Desde ento as piezocermicas so utilizadas em inmeras aplicaes.
Entretanto, cristais piezoeltricos seguem sendo os mais utilizados para aplicaes
como osciladores estabilizados e componentes que funcionam com ondas acsticas de
superfcie. Como principais vantagens dos cristais, frente s piezocermicas, pode-se
destacar suas altas temperaturas de Curie, alta estabilidade trmica (pequenas alteraes
de suas propriedades piezoeltricas em funo da temperatura) e alto fator de qualidade
mecnico. Por sua vez, a obteno de cristais de alta qualidade requer processos ou muito
demorados, ou processos de crescimento muito caros, como os mtodos Czochralski ou
Bridgeman, por exemplo. Por serem anisotrpicos os cristais requerem todavia cortes em
orientaes especficas para que se possa utiliz-los de forma adequada.
Materiais cermicos (policristalinos), por sua vez, apresentam as seguintes
vantagens, frente aos cristais: processo de obteno mais barato, a possibilidade de serem
preparados em uma grande variedade de composies, o que permite controlar ou alterar
suas propriedades fsicas, e a possibilidade de serem produzidos numa maior variedade de
geometrias.
Os materiais piezocermicos pertencem classe dos materiais ferroeltricos1 e,
quando recm produzidos, so isotrpicos, no apresentando uma orientao
macroscpica da polarizao espontnea. Por isso requerem que, para que seja possvel
utiliz-los como elementos piezoeltricos, sejam polarizados sob a aplicao de altos
campos eltricos. Assim, durante o processo de polarizao, possvel escolher a direo

1
Materiais ferroeltricos, ou simplesmente ferroeltricos, caracterizam-se por apresentarem, em um
determinado intervalo de temperatura, polarizao espontnea que pode ser reorientada pela aplicao de
um campo eltrico (inferior ao campo de ruptura).

7
da polarizao macroscpica. O estado polarizado , por isso, metaestvel e pode variar
com o tempo, com o aumento da temperatura ou sob a aplicao de altos campos eltricos
(da ordem do campo de polarizao), com sentidos diferentes ao do campo de
polarizao.
Como desvantagens das piezocermicas, em comparao aos cristais, poder-se-ia
destacar a maior dependncia de suas propriedades eletromecnicas com a temperatura, a
formao de fases no desejadas durante sua produo, o que pode alterar suas
propriedades, e a variao de suas propriedades com o tempo (envelhecimento
aging).
Para selecionar um material piezoeltrico para aplicaes tecnolgicas procura-se,
em geral, conhecer suas propriedades dieltricas, elsticas e piezoeltricas, que
determinam sua eficincia como elemento piezoeltrico. Entretanto, para uma aplicao
especfica nem sempre necessrio determinar todas essas propriedades. Inicialmente
necessrio identificar que coeficientes (dieltricos, elsticos e piezoeltricos) ou modos
de vibrao so os mais importantes para a aplicao em que se deseja utiliz-los.
Os parmetros prticos mais importantes dos materiais piezoeltricos so: a
orientao do corte (para cristais) ou da polarizao macroscpica (para cermicas), as
constantes dieltricas T/o, S/o (o permissividade no vcuo), o fator de acoplamento
eletromecnico k, os coeficientes piezoeltricos d e g, a constante de freqncia N, a
velocidade do som no meio piezoeltrico v, o fator de qualidade mecnico Qm (para o
modo de vibrao que ser utilizado), a densidade , a impedncia acstica Z (=v) e o
coeficiente de temperatura CT (que caracteriza a variao de uma dessas propriedades
com a temperatura).
Buscando intensificar algumas dessas propriedades, para otimizar a performance do
material piezoeltrico numa determinada aplicao, tem-se buscado ainda preparar
materiais piezoeltricos na forma de filmes finos (para aplicaes com ondas de
superfcie ou microatuadores) ou na forma de compsitos (em aplicaes em que se busca
casar impedncia acstica a outro meio ou amplificar a deformao gerada pelo elemento
piezoeltrico, por exemplo).

8
 2.2. MATERIAIS PIEZOELTRICOS

Nesta seo so apresentados os materiais piezoeltricos mais utilizados na

atualidade em aplicaes tecnolgicas. Informaes mais detalhadas ou complementares
sobre outros materiais podero ser encontradas nos livros de Cady [12], Mason [13] e
Ikeda [11].

2.2.1. Cristais

2.2.1.1. Quartzo (SiO2)

Cristais de quartzo apresentam a fase em temperaturas inferiores a 573oC, que
possui simetria trigonal e pertence ao grupo pontual 32. Os coeficientes piezoeltricos so
d11=-d12, d14=-d25, d26=-2d11, e11=-e12, e14=-e25 e e26=-e11 [7,10,11]. Como se pode
verificar o quartzo possui somente dois coeficientes piezoeltricos d ou e independentes.
Uma anlise da matriz dos coeficientes mostra claramente que no h resposta
piezoeltrica quando aplicamos um campo eltrico ou tenso mecnica na direo z do
cristal.
Em 573oC o quartzo- sofre uma transformao de fase , que pertence ao grupo
pontual 622, na qual o coeficiente d14=-d25 praticamente triplica. Para aplicaes
tecnolgicas, em geral, deseja-se ter modos de vibrao puros, alto fator de qualidade
mecnico Qm e baixo (ou nulo) coeficiente de temperatura CT. Visando alcanar essas
condies foram encontrados diversos cortes prticos para os cristais de quartzo,
conforme se apresenta na Figura 2.2.
Cristais de quartzo so encontrados na natureza (minerais de quartzo, que para
crescer naturalmente demoram muitos anos) ou podem ser crescidos artificialmente, por
exemplo, por processos hidrotrmicos. Alguns de seus coeficientes caractersticos so
apresentados na Tabela 2.1.

9
 Figura 2.2 Cortes caractersticos de cristais de quartzo para ressonadores [11].

Tabela 2.1 Coeficientes eletromecnicos caractersticos para cristais de quartzo.

Corte Modo c/co k d (p.C.N-1) e (C.m-2) N (Hz.m)
Quartzo 0oX TE 4,6 0,10 2,3 0,17 2850
0oX LE 4,6 0,10 -2,3 2750
-18,5oX LE 4,6 0,095 -2,3 2550
0oY TS 4,6 0,14 -4,6 -0,17 1925
AT TS 4,6 0,09 -3,4 -0,095 1660
AC TS 4,6 0,10 -3,7 -0,11 1650

2.2.1.2. Niobato de ltio (LiNbO3 - LN) e tantalato de ltio (LiTaO3-LT)

Niobato e tantalato de ltio so cristais isomorfos que apresentam simetria trigonal e
pertencem ao grupo pontual 3m na fase ferroeltrica, abaixo de suas temperaturas de
Curie Tc (Tc(LiNbO3)~1210oC e Tc(LiTaO3)~660oC). Na fase ferroeltrica apresentam a
polarizao espontnea paralela direo do eixo c. O niobato de ltio (LN) apresenta os
coeficientes piezoeltricos d33= 16 e d15= 74 pC/N. O tantalato de ltio LT, por sua vez,
apresenta menores valores de coeficientes piezoeltricos d33= 8 e d15= 26 pC/N e de

10
coeficiente de temperatura (CT), por isso preferido em aplicaes onde se deseja alta
estabilidade.
Os cortes mais importantes para aplicaes do LN esto apresentados na Figura 2.3.
Os cortes E rodados de 163o para o LN e de 165o para o LT so particularmente
interessantes pois apresentam coeficientes de acoplamento eletromecnico nulos para o
modo longitudinal, enquanto que para o modo transversal podem chegar a 0,60 (LN) e
0,41 (LT) [14].
LN e LT so largamente utilizados em aplicaes com ondas acsticas de superfcie
(SAW surface acoustic waves), como filtros eletromecnicos e detectores de
vibraes.
Cristais de LN ou LT podem ser crescidos do material fundido em composies
contendo entre 46 e 50% ou 44 e 54% atmico de Li para o LN ou LT, respectivamente.
A fuso congruente ocorre para concentrao de aproximadamente 48.6% at. de Li para o
LN e entre 48.8 e 49.2% at. de Li para o LT [15]. Para os dois cristais se observa um
aumento da temperatura de Curie quando se aumenta a concentrao de Li. Cristais
mistos de Li(Nb,Ta)O3 podem ser crescidos e apresentam propriedades intermedirias
entre as do LN e LT.

Figura 2.3 Cortes caractersticos de cristais de niobato ou tantalato de ltio [11].

11
 Na Tabela 2.2 so apresentados os coeficientes caractersticos para cristais de
niobato ou tantalato de ltio.

Tabela 2.2 Coeficientes eletromecnicos caractersticos para cristais de LN ou LT.

LiNbO3 LiTaO3 LiNbO3 LiTaO3
[10 kg.m ]
3 -3
4,7 5,3 d33[10-12 C.N-1] 6 8
11T/0 84 51 d31 -1 -2
33T/0 30 45 d22 21 7
c11E[1011 N.m-2] 2,03 2,33 d15 68 26
c33E 2,45 2,75 e33[C.m-2] 1,3 1,9
c12E 0,53 0,47 e31 0,2 0,0
c13E 0,75 0,80 e22 2,5 1,6
c14E 0,09 -0,11 e15 3,7 2,6
c55E 0,60 0,94 k33 0,17 0,19
c66E 0,75 0,93 k31 0,03 0,05
kt 0,16 0,18
k15 0,68 0,43

2.2.2. Semicondutores
Materiais semicondutores com estrutura do tipo wurzita, simetria 6mm, apresentam o
efeito piezoeltrico e valores de coeficientes adequados ou suficientes para aplicaes.
Entre esses materiais pode-se destacar o xido de zinco (ZnO), o sulfeto de cdmio (CdS)
e o nitreto de alumnio (AlN).
Para suas aplicaes mais importantes esses materiais tm sido preparados na forma
de filmes finos e servem como geradores ultra-snicos de alta freqncia. Na Tabela 2.3
so apresentados alguns coeficientes dos principais semicondutores piezoeltricos.
O ZnO o mais utilizado para aplicaes que envolvem gerao e/ou deteco de
ondas acsticas de superfcie (SAW). O AlN, em particular, se destaca por apresentar alta
velocidade de propagao do som.
Cristais de ZnO (com grandes dimenses) podem ser crescidos por processos
hidrotrmicos, enquanto que cristais de AlN so muito difceis de crescer.
Filmes finos de ZnO so obtidos por evaporao ou sputtering do material em
substratos de safira, apropriados para obter orientaes adequadas no filme. Embora o
filme seja policristalino possvel obter una orientao preferencial do eixo c
perpendicular superfcie do substrato.

12
 Tabela 2.3 Coeficientes dieltricos e piezoeltricos de semicondutores piezoeltricos.
BeO ZnO CdS CdSe AlN
[10 kg.m ]
3 -3
3,009 5,675 4,819 5,684 3,26
11T/0 8,50 9,35 9,70 9,0
33T/0 7,66 10,9 10,3 10,6 10,7
d33[10-12 C.N-1] 0,24 12,4 10,3 7,8 5
d31 -0,12 -5,0 -5,2 -3,9
d15 -8,3 -14,0 -10,5
e33[C.m-2] 1,57 0,44 0,35 1,55
e31 -0,36 -0,24 -0,16 -0,58
e15 -0,36 -0,21 -0,14 -0,48
c33E[1011 N.m-2] 2,11 0,94 0,84
c11E 2,10 0,91 0,74 3,95
c55E 0,43 0,15 0,13 3,45
c33D 2,29 0,96 0,85 1,18
c11D 2,15 0,91 0,74
c55D 0,47 0,16 0,13
v31 [km.s-1] >12 6,40 4,50 3,86 11,35
v1t 2,95 1,80 1,54
k33 0,019 0,48 0,262 0,194 0,31
k31 0,009 0,182 0,119 0,084 0,14
k3t 0,38 0,154 0,124 0,25
k15 0,196 0,188 0,130 0,15

A deposio de filmes finos de AlN feita, mais freqentemente por deposio de

vapor qumico (chemical vapour deposition CVD) ou por sputtering.

2.2.3. Cermicas
Desde o descobrimento, por Roberts [4], de que cermicas de titanato de brio
(BaTiO3) podiam ser polarizadas e apresentar o efeito piezoeltrico, materiais cermicos
so os mais utilizados, at o presente, como elementos piezoeltricos na maioria das
aplicaes tecnolgicas. O descobrimento de Roberts marca assim o incio da era das
piezocermicas. As piezocermicas so materiais ferroeltricos que se obtm atravs de
mtodos de preparao de cermicas avanadas. Em seu estado no polarizado (e no
texturadas) so isotrpicas. Para sua utilizao como elementos piezoeltricos precisam
ser polarizadas sob a aplicao de um campo eltrico dc da ordem de alguns kilovolts por
milmetro (kV/mm). O fato de ser ferroeltricas permite que se reoriente a polarizao
espontnea, na direo do campo de polarizao. Cermicas piezoeltricas (ou
ferroeltricas polarizadas) apresentam simetria 6mm ou mm.
No se pretende neste captulo discutir todas as composies estudadas para produzir
piezocermicas, pois so muitas, mas apenas apresentar as mais destacadas. Em geral, as

13
piezocermicas comerciais possuem mais de um elemento dopante em suas composies
bsicas, que so incorporados para controlar ou intensificar determinadas propriedades
fsicas. As cermicas mais utilizadas como elementos piezoeltricos possuem estrutura
do tipo perovskita, por essa razo ser a nica estrutura apresentada neste captulo.

2.2.3.1. Perovskitas ((A1,A2)(B1,B2)O3)

Perovskita o nome originalmente designado estrutura do titanato de clcio
(CaTiO3). A maioria dos materiais piezoeltricos cermicos apresentam a estrutura
perovskita.
Estudos em cermicas da famlia das perovskitas tm sido centrados essencialmente
em algumas composies base como o titanato de brio (BaTiO3), solues slidas de
titanato zirconato de chumbo (Pb(Zr,Ti)O3 - PZT), (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PMN) [16] e
perovskitas complexas Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PbTiO3 (PMN-PT), Pb(Zn1/3Nb2/3)O3
PbTiO3 (PZN-PT), Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Pb(Zr,TiO3) (PMN-PZT) [17] entre outras. Na
estrutura perovskita, generalizada como ABO3, os stios A so ocupados por ctions
divalentes (Pb2+, Ba2+, Ca2+...) enquanto que os stios B, no centro do octaedro de
oxignio, so ocupados por ction Ti4+, Zr4+, Nb5+, Mg2+ ou Zn2+. Na Figura 2.4
apresenta-se uma representao esquemtica de uma clula unitria de uma estrutura
perovskita.

Figura 2.4 - Representao esquemtica de uma clula unitria com estrutura perovskita.
Os primeiros intentos para otimizar as propriedades eletromecnicas do titanato de
brio (BaTiO3 - BT) se basearam na substituio do Ba por Pb, Sr ou Ca e de Ti por Zr,
14
ou Sn. temperatura ambiente o BT apresenta uma estrutura tetragonal (4mm) e
temperatura de Curie Tc=120oC. Vrias solues slidas de (PbxBa1-x)TiO3 e (CaxBa1-
x)TiO3 foram desenvolvidas com propriedades adequadas para aplicaes tecnolgicas
[6].
Desde que foi constatado por Jaffe et. al [5,6] que solues slidas de (Pb(ZrxTi1-
x)O3 - PZT) apresentam excelentes propriedades piezoeltricas, ao redor do contorno de
fase morfotrpico (0.51 x 0.55), o PZT passou a ser mais utilizado que o BT em
transdutores piezoeltricos. O PZT tem estrutura perovskita com os ctions Zr4+ e Ti4+
distribudos de forma aleatria no sitio B.
A substituio progressiva do BT pelo PZT para a produo de piezocermicas
ocorreu porque, quando comparado ao BT, o PZT apresenta: 1) maiores coeficientes
eletromecnicos, 2) temperatura de Curie mais alta para a maioria das composies
prticas (Tc ~ 360oC), 3) mais fcil de ser polarizado e 4) possvel incorporar uma
grande variedade de dopantes, o que permite alterar de forma controlada muitas de suas
propriedades eletromecnicas. Desde o descobrimento do PZT muitos trabalhos de
investigao foram desenvolvidos com o objetivo de otimizar ou controlar suas
propriedades eletromecnicas, atravs da adio de xidos de ctions de bi- a
pentavalentes em substituio ao Pb, Zr ou Ti. Desse tipo de estudos resultou a srie
PZT4, -5, -6, -7 e -8 (patente da Clevite Corporation). Trabalhos de Takahashi et. al
[18,19] por sua vez determinaram a influncia da adio de ctions nas propriedades
ferroeltricas e eletromecnicas do PZT. Um resumo dos resultados mais importantes
[6,18,19] publicados mostram que:
1) Elementos aceitadores. A adio de elementos de menor valncia, elementos
aceitadores (Fe3+, Al3+ em substituio a Zr4+ o Ti4+) compensada pela formao de
vacncias de oxignio, que passam a formar um defeito complexo (com o Zr4+ ou Ti4+)
20. Sua incorporao causa um aumento do campo coercitivo, do fator de qualidade
mecnico e do envelhecimento (variao de suas propriedades com o tempo) e uma
diminuio da constante dieltrica, da polarizao remanente e das perdas dieltricas.
PZTs com essas caractersticas so utilizados como elementos piezoeltricos em
transdutores de alta potncia, como em sonares, soldadores e limpadores ultra-snicos.
2) Elementos doadores. A adio de ctions de maior valncia compensada pela
formao de vacncias de chumbo (para pequenas quantidades do aditivo). Elementos
doadores (Nb5+, W6+ em substituio ao Zr ou Ti, ou La3+ em substituio ao Pb2+)
15
diminuem o campo coercitivo, o fator de qualidade mecnico e o envelhecimento,
enquanto que aumentam a constante dieltrica, a polarizao remanente e o fator de
acoplamento eletromecnico .
Aplicaes tpicas de PZTs com essas caractersticas so os hidrofones, transdutores
ultra-snicos de diagnose (ensaios no destrutivos ou em medicina), em que atuam como
emissores e receptores, e em sensores.
3) Elementos isovalentes. Elementos isovalentes (Ba2+, Sr2+ em substituio ao Pb2+)
diminuem a dissipao dieltrica e aumentam o envelhecimento .
4) Cr3+ e Mn2+. Elementos como o mangans e o cromo atuam como estabilizadores
das propriedades.
Cermicas de titanato de chumbo (PbTiO3 - PT) com alta densidade so difceis de
obter, sem a adio de aditivos, devido alta deformao espontnea na transio de fase
para ferroeltrica (Tc=490OC). Na fase ferroeltrica o PT apresenta simetria tetragonal
com c/a ~1.061 [21]. Ikegami et. al [22] conseguiram sinterizar cermicas densas de PT
dopadas com La e Mn, com alta anisotropia piezoeltrica (kt/ k31 ~ 25) e baixa razo de
Poisson ( ~0.2 0.3), quando comparados a outros materiais (PZT - kt/ k31~1 e ~0.3
0.4). Estas caractersticas so particularmente importantes para aplicaes em
transdutores e filtros eletromecnicos, visto que promovem a supresso de ressonncias
esprias. Trabalhos posteriores [22] mostraram que composies de (Pb1-xMx)TiO3 + 0.2
mol% Mn (com M=La, Sm, Nd...) apresentam baixo coeficiente de temperatura e
propriedades adequadas para dispositivos SAW.
Valores tpicos dos coeficientes eletromecnicos para piezocermicas so mostrados
na Tabela 2.4.

2.2.4. Polmeros
O descobrimento da piezoeletricidade em polmeros se deve a Kawai [23], que
observou que o polyvinylidene fuoride (PVDF o PVF2) tracionado e polarizado em altos
campos eltricos (~300 kVcm-1) apresenta coeficientes piezoeltricos superiores aos do
quartzo.

16
 Tabela 2.4 Coeficientes eletromecnicos caractersticos para cermicas piezoeltricas [11].

PVDF um polmero que apresenta una cristalinidade de 40-50% e pode ser obtido
nas fases: I ou (que piezoeltrica) e II ou .
Na Tabela 2.5 so apresentados valores tpicos para coeficientes eletromecnicos de
alguns polmeros piezoeltricos.

Tabela 2.5. Valores tpicos para coeficientes eletromecnicos de polmeros piezoeltricos [11].

17
2.2.5. Compsitos
A motivao para o desenvolvimento de materiais piezoeltricos compsitos resultou
da necessidade de alcanar propriedades especficas num material, que no podem ser
encontradas em materiais com uma nica fase. Por exemplo, para aumentar a
sensibilidade piezoeltrica de transdutores eletromecnicos, para obter um melhor
casamento acstico com a gua, se necessita diminuir a densidade do elemento
piezoeltrico ou, por outro lado, para obter elementos mecanicamente flexveis, para
poder acopl-los a superfcies curvas. Essas propriedades podem ser muito difceis de
obter em materiais monofsicos. Logo, um material compsito um material que possui
dois ou mais componentes e que apresenta propriedades fsicas e qumicas que resultam
da soma, de uma combinao ou do produto das propriedades de seus componentes.
As primeiras investigaes com compsitos piezoeltricos foram realizadas para
obter hidrofones, para aplicaes submarinas [24,25,26]. Um hidrofone um transdutor
ou microfone utilizado para detectar ondas acsticas na gua. A sensibilidade de um
hidrofone determinada pela voltagem produzida por uma onda de presso hidrosttica,
que est associada ao coeficiente de voltagem hidrosttico gh. O coeficiente hidrosttico
de deformao dh (dh=gh/o, o-permissividade do vcuo e K- constante dieltrica), que
relaciona a voltagem que resulta de uma presso hidrosttica, tambm um coeficiente
utilizado para avaliar um hidrofone. Uma figura de mrito prtica para caracterizar um
hidrofone o produto dhgh.
Cermicas como o PZT so muito utilizadas em transdutores porque possuem altos
coeficientes piezoeltricos. Entretanto, para a utilizao em hidrofones o PZT apresenta
algumas desvantagens, pois possui altos coeficientes d33 e d31 (que tem o sinal contrrio
ao d33, ou seja, negativo, se d33 considerado positivo). Por isso seu coeficiente
hidrosttico dh=(d33+2d31) pequeno ou quase nulo. Alm disso, o PZT tem alta
constante dieltrica K (>1000) e alta densidade (=7,9 kg/m3, comparada da gua), o
que resulta num baixo coeficiente gh e maior dificuldade em conseguir um casamento
acstico com a gua.
Polmeros como o PVDF oferecem vrias vantagens, como baixa constante
dieltrica, baixa densidade e flexibilidade, para aplicaes em hidrofones. Por isso,
embora tenham baixos coeficientes d33 e dh, quando comparados ao PZT, seu coeficiente
gh grande devido a sua baixa constante dieltrica. Por outro lado, polmeros apresentam

18
desvantagens, como a dificuldade de serem polarizados e baixa constante dieltrica (e,
em geral, pequena espessura), o que dificulta a construo de circuitos de deteco
(devido sua baixa capacitncia).
Buscando minimizar essas desvantagens apresentadas pelos polmeros e cermicas
foram desenvolvidos os compsitos piezoeltricos.
A maneira em que os materiais componentes se encontram interconectados em um
compsito denomina-se conectividade [27]. Para compsitos compostos de dois
componentes existem 10 conectividades: 0-0, 1-0, 2-0, 3-0, 1-1, 2-1, 3-1, 2-2, 3-2 e 3-3.
Os nmeros 1 a 3 se referem aos trs eixos ortogonais, que indicam as direes em que
cada componente est interconectado ou contnuo. Compsitos piezoeltricos, em geral,
so compostos de cermicas e polmero ou vidro. Por conveno, o primeiro nmero se
refere conectividade da cermica, enquanto que o segundo ao polmero ou vidro. Uma
representao esquemtica das 10 conectividades mostrada na Figura 2.5.

Figura 2.5. Formas de conectividade para compsitos de dois componentes. As setas indicam a
direo em que cada componente est conectado [11].
Entre os compsitos piezoeltricos aqueles com conectividade 1-3 (palitos de PZT /
polmero) e 0-3 (partculas de PZT dispersas em polmero), pela maior facilidade de
19
obteno, so os mais estudados para a construo de elementos eletromecnicos. As
principais vantagens desses compsitos so a baixa impedncia acstica (que possibilita
um melhor casamento com meios que tm impedncia acstica menor que a da
cermica), alta flexibilidade mecnica e baixo fator de qualidade mecnico (o que
permite deteco num largo espectro de freqncias). Os compsitos 1-3 possuem alto
fator de acoplamento eletromecnico de espessura (kt), aproximadamente igual ao fator
de acoplamento eletromecnico k33 da cermica. A Figura 2.6 apresenta a variao da
impedncia acstica (Figura 2.6a) e do fator de acoplamento eletromecnico (Figura
2.6b), para compsitos piezoeltricos polmero (poliuretano)-cermica (PZT) 3-1, em
funo da concentrao volumtrica de cermica no elemento.

(a) (b)
Figura 2.6. - Variao da impedncia acstica (a) e do fator de acoplamento
eletromecnico (b), para compsitos piezoeltricos polmero (poliuretano)-cermica
(PZT) 3 -1, em funo do volume fracionrio de PZT.

Na Tabela 2.6, a seguir, so apresentados alguns resultados caractersticos obtidos

em compsitos piezoeltricos para diferentes conectividades. Uma descrio detalhada
dos resultados mais importantes obtidos em compsitos piezoeltricos pode ser
encontrada no livro de Levinson [28].

20
 Tabela 2.6 Coeficientes dieltrico e piezoeltricos de compsitos piezoeltricos
cermica / polmero com conectividade 1-3.
__ __ __ __ __ __ ______
Compsito d 33 g 33 dh dh dh gh
K 33
(Kg/m3) (pC/N) (10-3Vm/N) (pC/N) (10-3Vm/N) (10-15m2/N)
PZT palitos Spurrs 1370 54 150 313 27 56 1536
epoxy [24]
PZT palitos 1430 40 170 480 20 56 1120
Poliuretano [29]
PZT palitos 930 41 180 495 73 210 15330
Poliuretano [29]

2.2.6. Filmes finos

Filmes finos no constituem propriamente uma classe de materiais piezoeltricos,
mas sim uma outra geometria. Entretanto, pela crescente importncia que tm atualmente
os filmes finos para o desenvolvimento de sensores e atuadores, consideramos importante
acrescentar esta seo.
Na realidade filmes finos piezoeltricos so produzidos com os mesmos materiais
que se utilizam na forma de cristais ou cermicas piezoeltricas. Na maioria dos casos
tm sido preparados com as mesmas composies que os elementos cermicos.
Conforme mencionado anteriormente, aplicaes que envolvem ondas acsticas de
superfcie (SAW Surface Acoustic Waves) so as que apresentam maior potencial para
utilizao em filmes finos piezoeltricos. As ondas superficiais so ondas de Rayleigh e,
conseqentemente, o transporte de energia encontra-se confinado prximo superfcie.
As principais aplicaes consistem em ressonadores, filtros ou linhas de atraso. Um
diagrama esquemtico de um transdutor de SAW apresentado na Figura 2.7.

Figura 2.7. Diagrama esquemtico de um transdutor de SAW.

21
 Os parmetros mais importantes para a seleo de um material para aplicaes SAW
so a velocidade da onda superficial (Vsup), o coeficiente de temperatura (CT), o
coeficiente de acoplamento eletromecnico (ksup) e a atenuao de onda acstica durante
a propagao.
Cristais de LiNbO3 e LiTaO3 so os mais utilizados em altas freqncias (> 500
MHz).
xido de zinco (ZnO) e nitreto de alumnio (AlN), que possuem estrutura wurzita,
so materiais que podem ser depositados, com orientao c, por sputtering em
substratos (de safira ou vidro, por exemplo). A performance do ZnO limitada por seu
baixo coeficiente de acoplamento eletromecnico .
Filmes finos de materiais cermicos como os PZTs, os titanatos de brio (BT) ou de
chumbo (PT) vm despertando grande interesse para aplicaes como microatuadores.
Para aplicaes como filtros esses materiais apresentam as limitaes de possuir baixo
fator de qualidade mecnico e alto coeficiente de temperatura, quando comparados aos
cristais.
Na Tabela 2.7 so apresentados os coeficientes caractersticos de materiais, cristais
ou cermicos, mais utilizados como componentes baseados em ondas acsticas de
superfcie.

Tabela 2.7. Coeficientes eletromecnicos caractersticos (fator de acoplamento (k), coeficiente de

temperatura (TCD), velocidade da onda de superfcie (vo) e constante dieltrica relativa (r) para os
materiais mais usados em dispositivos baseados em ondas acsticas de superfcie).

22
 2.3. CARACTERIZAO DE PROPRIEDADES DIELTRICAS E
PIEZOELTRICAS

2.3.1. Introduo
A caracterizao completa de um material que se deseja utilizar como transdutor
(atuador ou sensor) requer, na maioria dos casos, a determinao de diferentes
propriedades fsicas. Materiais ferroeltricos por que apresentam propriedades dieltricas
e piezoeltricas destacadas frente a outros materiais, entre outras, so os mais utilizados
e destacados para aplicaes em sensores e atuadores.
A determinao das propriedades dieltricas, em funo da freqncia, temperatura
ou voltagem constitui a primeira e principal caracterizao de um material ferroeltrico .
Por isso deve ser executada antes de se efetuar uma caracterizao mais detalhada das
propriedades piezoeltricas.
As propriedades piezoeltricas de um material so definidas, por sua vez, pelos
coeficientes dieltricos, elsticos e piezoeltricos. Todos esses coeficientes dependem da
amplitude do sinal de medio (de campo eltrico ou tenso mecnica) e, em caso de
materiais ferroeltricos, dependem do estado de polarizao . Em geral a determinao
desses coeficientes feita na regio linear (baixos campos).
Neste capitulo so apresentados os fundamentos de tcnicas dinmicas de
caracterizao que se utilizam para determinar as propriedades dieltricas e piezoeltricas
de materiais ferroeltricos. Para a caracterizao de cristais as tcnicas so exatamente as
mesmas, com a exceo de que o elemento piezoeltrico deve ter seus cortes efetuados
segundo orientaes cristalogrficas definidas, conforme mostrado anteriormente.

2.3.2. Propriedades dieltricas

A permissividade dieltrica geral varia com a freqncia de medida e, por isso,
conveniente defini-la como uma funo complexa, * = + i ( parte real e
parte imaginria) [30].
A determinao da permissividade dieltrica ou da constante dieltrica (=/o, o
a permissividade do vcuo) e do fator de dissipao D (=/o), a baixos campos (<1

23
V/mm, regio linear), uma das caracterizaes mais importantes nos materiais
ferroeltricos.
Em geral, esses parmetros so determinados em amostras em forma de discos ou
placas, que possuem eletrodos em suas faces, de forma que possam ser analisadas como
capacitores plano-paralelos preenchidos com um dieltrico (o material que se deseja
caracterizar). Os eletrodos so depositados nas faces por evaporao, sputtering ou
pintura (com prata, grafite ou outro material condutor), de forma que fiquem aderidos ao
material. Dessa maneira, a medio consiste basicamente em uma medida da capacitncia
de um capacitor.
Existem varias tcnicas que podem ser utilizadas para medir a capacitncia de um
capacitor, cada uma com vantagens e desvantagens frente s demais. Consideraes
como intervalo de freqncia, valores de capacitncia, preciso e facilidade de operao
determinam a opo por uma determinada tcnica. Considerando o intervalo de
freqncia como critrio, so recomendados os circuitos ponte (ponte de Shering, por
exemplo), circuitos ressonantes e medidas de I V (I-corrente eltrica e V-voltagem)
desde ~10 Hz at ~100 MHz (analisadores de impedncia); medidas de RF I V entre
100 MHz e ~3 GHz (analisadores de impedncia) e analisadores de rede para freqncias
superiores a 3 GHz. Por conveno, medies standard so realizadas na
freqncia de 1 kHz. Na Figura 2.8 se apresenta um diagrama esquemtico de um
sistema para medir a constante dieltrica de uma amostra.

Figura 2.8. Diagrama esquemtico de um sistema para medir a constante dieltrica

de uma amostra em funo da freqncia e/ou temperatura.

24
 Uma vez determinada a capacitncia C (=C + iC) do capacitor que representa a
amostra, a constante dieltrica () e o fator de dissipao (D) so calculados com as
seguintes relaes :
d d
k = C' D = C" (2.4)
A A
o o
onde d a espessura da amostra e A a rea do eletrodo.
Para materiais isolantes e cermicas ferroelctricas no polarizadas a constante
dieltrica praticamente no varia at ~400 MHz. Em freqncias superiores alguns
materiais ferroeltricos, como o titanato de brio e o titanato zirconato de chumbo podem
apresentar uma relaxao provavelmente associada aos domnios ferroeltricos. Em
baixas freqncias mecanismos de polarizao interfacial e de conduo afetam as
medidas de constante dieltrica em amostras cermicas.
Em cermicas ferroelctricas polarizadas a impedncia de uma amostra, na forma de
um capacitor plano-paralelo, pode apresentar forte dependncia com a freqncia devido
ao efeito piezoeltrico, como ser mostrado a seguir (em propriedades piezoeltricas).

2.3.3. Propriedades piezoeltricas

Conforme mencionado anteriormente a caracterizao completa das propriedades
piezoeltricas ou eletromecnicas de um material requer a determinao de seus
coeficientes elsticos, dieltricos e piezoeltricos. O nmero desses coeficientes, para a
um determinado material, depende da simetria macroscpica do material. Assim, por
exemplo, para cristais de quartzo tem-se que considerar a simetria trigonal (32), enquanto
que para cermicas polarizadas a simetria (mm) [11] deve ser considerada.
Muitas vezes no necessria a determinao de todos os coeficientes elsticos,
dieltricos e piezoeltricos, mas somente de alguns deles, para avaliar o potencial de
aplicao do material como elemento piezoeltrico. fundamental, porm, que se saiba
exatamente que coeficiente se est medindo.
Um sistema piezoeltrico constitudo de dois sistemas acoplados, o mecnico e o
eltrico, conforme apresentado anteriormente.
A determinao dos coeficientes piezoeltricos de um material pode ser realizada
atravs de tcnicas estticas ou quasi-estticas e dinmicas (ressonantes).

25
 As tcnicas estticas ou quasi-estticas consistem em aplicar uma tenso mecnica
ou uma voltagem (campo eltrico) a uma amostra do material e medir a carga eltrica em
eletrodos, que se depositam nas faces (efeito piezoeltrico direto) ou a deformao do
material (efeito piezoeltrico inverso), respectivamente.
As tcnicas ressonantes consistem em excitar a amostra com uma freqncia em
torno da freqncia fundamental de ressonncia mecnica, de um de seus modos de
vibrao caracterstico. Assim, por exemplo, uma amostra em forma de disco pode ser
excitada para vibrar no modo de vibrao radial ou planar e no modo de espessura.
As tcnicas ressonantes so mais precisas e permitem a determinao de um nmero
maior de coeficientes eletromecnicos e de alguns coeficientes elsticos. Alm disso, as
tcnicas ressonantes fornecem os valores dos coeficientes em regime dinmico, condio
em que os elementos piezoeltricos so mais comumente utilizados.
A seguir apresentado o mtodo da ressonncia, com os coeficientes que podem ser
determinados, dependendo dos modos caractersticos de vibrao de cermicas
polarizadas.

2.3.3.1. O mtodo da ressonncia

O mtodo da ressonncia para caracterizar elementos piezoeltricos, assim como as
equaes e unidades, encontram-se discutidas em detalhes nos IRE Standards on
Piezoelectric Crystals ou Ceramics [31].
Ressonadores piezoeltricos consistem de amostras de um material piezoeltrico, em
forma de disco, barra ou anis, com eletrodos depositados de forma a poder excitar
isoladamente um de seus modos de vibrao. Em geral, se considera que a freqncia de
ressonncia do modo em anlise situa-se distante daquela de outro modo de vibrao do
ressonador.
A representao mais simples do comportamento de um ressonador piezoeltrico,
forado a oscilar em torno de uma ressonncia, dada por um circuito equivalente como
o da Figura 2.9.
As ressonncias mecnicas do ressonador so representadas, na Figura 2.9, pelos
componentes L, C, R1 e R2. A capacitncia Co e a resistncia Ro reapresentam o capacitor
formado pelo material e seus eletrodos.

26
 Figura 2.9. Circuito equivalente de um ressonador piezoeltrico .
No mtodo da ressonncia a admitncia do ressonador, o mdulo ou suas partes
real e imaginria, so determinados em funo da freqncia. Um arranjo experimental
para a realizao das medidas pelo mtodo da ressonncia pode ser o mesmo utilizado
para a caracterizao dieltrica (Figura 2.8), desde que o intervalo de freqncias permita
cobrir as freqncias de ressonncia desejadas. Na Figura 2.10 se apresenta como varia a
admitncia com a freqncia de excitao em freqncias prximas de uma ressonncia .

3,5 4,0
Mdulo da Admitncia (mS)

FR 3,5 Real
3,0
3,0 FR Im aginario
2,5 2,5
2,0
G , B (mS)

2,0
1,5 f-1/2 f1/2
1,5 1,0
0,5
1,0 FA 0,0

0,5
-0,5 FR FA
-1,0
0,0 -1,5
50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 70 80 90 100 110 120 130
Frequncia (kHz) Frequncia (kHz)

(a) (b)
Figura 2.10. Admitncia, a) modulo y b) partes real e imaginaria, em funo da freqncia
de um ressonador piezoeltrico ao redor de uma ressonncia .
Nas Figuras 2.10a e 2.10b FR e FA correspondem s freqncias de ressonncia e
anti-ressonncia do piezoeltrico, respectivamente. Observa-se que na freqncia de
ressonncia FR a admitncia mxima, que corresponde ressonncia do ramo R1R2LC-
srie do circuito da Figura 2.9. Na freqncia de anti-ressonncia FA a admitncia
mnima e corresponde ressonncia do ramo formado pelo ramo R1R2LC-srie em
paralelo com Co.
Caracterizando as freqncias de ressonncia e anti-ressonncia para os diferentes
modos de vibrao de um ressonador piezoeltrico possvel determinar seus
27
coeficientes eletromecnicos. Para caracterizar completamente um material piezoeltrico
necessrio preparar amostras com diferentes geometrias ou orientaes (no caso de
cristais), de forma a poder excitar diferentes modos puros de vibrao, como veremos
adiante.
Para a determinao das freqncias de ressonncia e anti-ressonncia um ressonador
pode ser forado a vibrar em, essencialmente, duas condies: vibrao (ou acoplamento)
transversal e vibrao (ou acoplamento) longitudinal, que sero apresentadas a seguir.

2.3.3.2. Condies de caracterizao de elementos piezoeltricos

Materiais elsticos podem apresentar um grande nmero de ressonncias mecnicas,
a fundamental e os respectivos harmnicos de cada modo de vibrao. As mais
pronunciadas so aquelas em que a dimenso das amostras, na direo da deformao em
anlise, corresponde aproximadamente metade do comprimento de onda de uma onda
elstica estacionria.
Para caracterizar as propriedades piezoeltricas de um material se utiliza o efeito
piezoeltrico para excitar uma onda estacionria em uma determinada direo da amostra.
Para uma caracterizao precisa de um determinado modo de vibrao procura-se
desacoplar o modo de interesse dos demais, ou seja, isolar a freqncia fundamental de
ressonncia do modo em anlise de qualquer ressonncia de outros modos. A forma
prtica de obter essa condio preparar a amostra com dimenses, comprimento,
dimetro ou espessura, adequados para que se desacoplem os modos, como veremos a
seguir.
Consideremos uma amostra piezoeltrica em forma de uma placa de espessura
t,comprimento L e largura w, com eletrodos nas faces e excitada por uma tenso alternada
V na direo 3, conforme mostra a Figura 2.11.

28
 3

w
V t
2

L 1

Figura 2.11. Reapresentao esquemtica do arranjo experimental para

caracterizao de uma amostra piezoeltrica pelo mtodo da ressonncia .
Conforme mencionado anteriormente, a caracterizao de materiais piezoeltricos
feita essencialmente em duas condies: 1) anlise da deformao ou vibrao em uma
direo perpendicular excitao eltrica aplicada acoplamento transversal ou 2)
anlise da deformao ou vibrao na direo paralela excitao eltrica aplicada
acoplamento longitudinal.

2.3.3.2.1. Acoplamento transversal (vibrao transversal)

Para a anlise do acoplamento transversal, utilizando a Figura 2.11, considera-se a
vibrao da amostra na direo do comprimento L. Para obter o desacoplamento dos
modos de vibrao se requer que as dimenses das amostras satisfaam a seguinte
condio : L > w >> t.
As condies de contorno eltricas e mecnicas so:

Mecnicas Eltricas

Ti 0 exceto T2 Ei = E3
T2 = 0 p/ y = L/2 dE/dy = 0 (campo uniforme)
onde Ti so as tenses mecnicas e Ei o campo eltrico (=V/L).
Quando se varia a freqncia da tenso eltrica V na ressonncia a mais baixa
freqncia, na curva de admitncia (Figura 2.10), pela condio L > w >>t, ocorrer em
uma freqncia fR dada por:

29
 1 1 1
f R2 = fR = = L = /2 (2.5)
4 L ( s 11E )
2
2L 2L s11E

onde v a velocidade da onda mecnica extensional, a densidade do material, s11E a

constante elstica a campo eltrico constante e o comprimento de onda.

Quando se registra a curva da admitncia da amostra em funo da freqncia f da
tenso eltrica externa aplicada, se obtm as curvas como as das Figuras 2.10a ou 2.10b.
A partir das freqncias de ressonncia fR e anti-ressonncia fA, que se obtm das curvas
de admitncia, possvel calcular a constante elstica s11E e o fator de acoplamento
eletromecnico k31 para o modo de vibrao transversal com a relao abaixo [8,9]:
2
k 31 fA fA fR
= tg ( )
1 2
k 31 2 fR 2 fR
(2.6)
A notao com o sufixo 31 corresponde utilizada em piezoeltricos cermicos,
onde o sufixo 3 se refere direo de aplicao do campo e o sufixo 1 direo da
deformao.

2.3.3.2.2. Acoplamento Longitudinal (Vibrao de Espessura)

Para a anlise da vibrao de espessura (acoplamento longitudinal) se considera a
deformao na direo do campo eltrico aplicado. As condies de contorno eltricas e
mecnicas so:

Mecnicas Eltricas

Sij 0 exceto S3 Ei = E3
dD/dz= 0 (pol. uniforme)
onde Si a deformao relativa (strain) e D o vetor deslocamento eltrico.
A condio L > w >>t implica que as ressonncias do modo de vibrao de
espessura ocorrem em freqncias superiores s dos modos transversais e seus
harmnicos. Na prtica, para isolar a freqncia fundamental do modo de espessura
dos harmnicos dos modos transversais, as dimenses da amostra devem ser tais que L e
w 20-25 t.

30
 Para o modo de vibrao de espessura a condio t = /2 ocorre na freqncia
de anti-ressonncia fA, dada por:

1 c33D c33D
fA = = fA = t = /2 (2.7)
2t 2t 4t 2

onde v a velocidade da onda mecnica, a densidade do material, c33D a constante

elstica stiffness a deslocamento eltrico constante e o comprimento de onda.

Determinando as freqncias de ressonncia fR e anti-ressonncia fA das curvas de
admitncia, pode-se calcular o fator de acoplamento para o modo de espessura ou
longitudinal kt com a seguinte equao :
fR fA fR
kt2 = tg( )
2 fA 2 fR (2.8)

2.3.3.3. Modos de vibrao em piezoeltricos

As condies de caracterizao apresentadas anteriormente quando utilizadas para
determinar todos os coeficientes eletromecnicos (elsticos, eltricos e piezoeltricos)
requerem que amostras sejam preparadas com orientaes ou geometrias diferentes, cada
uma adequada para obter determinados coeficientes.
Para o caso de cristais necessrio cort-los segundo orientaes especficas
escolhidas de tal forma a poder excitar modos de vibrao puros. As orientaes dos
cortes dependem da simetria do cristal, como foi mostrado anteriormente para o quartzo,
niobato de ltio e tantalato de ltio.
Para materiais cermicos, por sua vez, tem-se que considerar que no estado
polarizado sua simetria macroscpica sempre mm. Assim, para determinar suas
propriedades piezoeltricas necessrio preparar as amostras com geometrias e
diferentes direes de polarizao. A Tabela 2.8, apresenta as geometrias mais comuns
utilizadas em transdutores piezoeltricos, as condies de contorno e quais coeficientes
podem ser determinados nesse tipo de amostra. As letras (T) ou (L) se referem ao
acoplamento transversal ou longitudinal, respectivamente. A flecha () indica a direo
da vibrao correspondente ao modo que ser excitado.

31
 Tabela 2.8 Modos de vibraes em cermicas piezoeltricas.
Geometria do Condio de contorno Fator de Acoplamento Constante
ressonador (k2) Elstica
Elstica Eltrica
E3 d312 1
1 T1=T3 0 =0 k312 =
(T) x2 s
E
11
T
33
s11E
Transversal
D3 d 332 1
2 T1=T2 0 =0 k332 =
(L) x2 s33E 33
T
s33D
Longitudinal
E3 2 d312
=0
(a)
3 T3 0 k p2 = (b)
(T) r (1 - ) s11E 33
T cefE .
Radial/Extensional
E3 2 2
e31
=0
(c)
4 S3 0 k p' 2 = c11E
(T) r (1 + ' ) E ~ T
Radial/Dilatacional c11 33
S2 0 E3 '2
e31
=0
(d)
5 T3 0 k =
'2
(b)
(T) x1 31
cefE efT cefE .

S3 0 E3 '" 2
e31
=0
(e)
6 T2 0 k =
"2
(ff)
(T) x1 31
cef' E ef" T cef' E.

S1 0 D3 2
e33
7 S2 0 =0 k =
2
c33D
(L) x3 t
c33D 33S
Espessura (1)
S2 0 E3 2
e31
8 S3 0 =0 kte2 = c11E
(L) x1 c11E 33S
Espessura (2)
D1 e152
9 S4 0 =0 k =
2
c55D
(L) x1 15
c55D 11S
Cisalhamento (1)
E1 e152
10 S6 0 =0 k15' 2 = c55E
(T) x1 c55E 11S
Cisalhamento (2)
d h2 (g)
11 k =
2

shE 33
h T

Hidrosttico

32
 f) cef' E = c11E - (c12E ) 2 / c11E
E
a) = - s12 E
- razo de Poisson.
s 11

b) cefE = 1 / s11E (1 2 ) = c11E - (c13E ) 2 / c33E . g) d h = 2d 31 + d 33 ;

; ~33T = 33 shE = 2( s11E + s12E ) + 4 s13E + s33E

E T
c) = - c12 E
(1 - k 332 ) .
c 11

'
d) e31 = e31 - e33c13E / c33E ; efT = 33T (1 - k 312 ) .
"
e) e31 = e31 (1 - c13E / c11E ) .

2.4. REFERNCIAS

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34