Fundamentos de Eletrônica PDF

SENAI – “Serviço Nacional de Aprendizagem
Industrial”
Centro de Formação Profissional
“AFONSO GRECO”
FUNDAMENTOS DE
ELETRÔNICA
Praça Expedicionário Assunção, 168 – Bairro Centro

Nova Lima – MG – CEP: 34.000-000
Telefone: (31) 3541-2666
Sumário
PRESIDENTE DA FIEMG ................................................................... ERRO! INDICADOR NÃO DEFINIDO.
APRESENTAÇÃO ..............................................................................................................................5
INTRODUÇÃO ....................................................................................................................................6
FÍSICA DOS SEMICONDUTORES ....................................................................................................7
ESTRUTURA ATÔMICA ........................................................................................................................7

CRISTAIS ..........................................................................................................................................8
DOPAGEM .........................................................................................................................................9
DIODOS ............................................................................................................................................12
POLARIZAÇÕES DO DIODO................................................................................................................12
COMPONENTES LINEARES ................................................................................................................13
CARACTERÍSTICAS DOS DIODOS .......................................................................................................13
LINHAS DE CARGA ...........................................................................................................................15
APROXIMAÇÕES DO DIODO...............................................................................................................15
TESTE ESTÁTICO DO DIODO..............................................................................................................16
CIRCUITOS COM DIODOS ..............................................................................................................17
LIMITADOR ......................................................................................................................................17
ASSOCIAÇÃO DE IIMITADORES ..........................................................................................................18
GRAMPEADOR DE CC ......................................................................................................................18
DETETOR DE PICO A PICO ................................................................................................................18
OUTROS TIPOS DE DIODOS ..........................................................................................................19
DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) ........................................................................................................19

INDICADOR DE SETE SEGMENTOS .....................................................................................................20
FOTODIODO ....................................................................................................................................20
OPTOACOPLADOR COM FOTODIODO .................................................................................................21
DIODO SCHOTTKY ...........................................................................................................................21
VARACTOR .....................................................................................................................................22
DIODOS DE CORRENTE CONSTANTE..................................................................................................23
DIODOS DE RECUPERAÇÃO EM DEGRAU ............................................................................................23
DIODOS DE RETAGUARDA ................................................................................................................24
DIODO TÚNEL ..................................................................................................................................25
VARISTORES ...................................................................................................................................25
LDR - LIGHT DEPENDENT RESISTOR (RESISTOR DEPENDENTE DE LUZ) ..............................................26
TERMISTORES .................................................................................................................................26
CIRCUITOS RETIFICADORES ........................................................................................................28
RETIFICADOR DE MEIA ONDA (RMO) ................................................................................................28

RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA(CONVENCIONAL ROC) .....................................................30
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE(RCOP) ......................................................................32
FILTROS EM FONTES DE ALIMENTAÇÃO .............................................................................................32
RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO .........................................................................................33
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM FILTRO A CAPACITOR. ...........................................................34
RETIFICADOR EM PONTE COM FILTRO A CAPACITOR ...........................................................................34
O DIODO ZENER .............................................................................................................................36
REGULAÇÃO DE TENSÃO ..................................................................................................................37

O REGULADOR ZENER .....................................................................................................................38
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) .................................................................................40
ESTRUTURA FÍSICA ..........................................................................................................................40

SÍMBOLOS DOS TRANSISTORES NPN E PNP.....................................................................................44
CONEXÕES DO TRANSISTOR BIPOLAR ...............................................................................................45
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DO TRANSISTOR .................................................................................48
ESPECIFICAÇÕES DE UM TBJ ...........................................................................................................51
O MODO DE OPERAÇÃO COMO CHAVE ...............................................................................................52
RETA DE CARGA CC PARA CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS ................................................................53
OUTROS TRANSISTORES ESPECIAIS..................................................................................................58
POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR BIPOLAR ...........................................................................................60
REGULADORES DE TENSÃO ........................................................................................................70
REGULADOR SHUNT OU PARALELO ...................................................................................................70

REGULADOR SÉRIE ..........................................................................................................................70
REGULADOR COM REALIMENTAÇÃO DA TENSÃO ................................................................................71
LIMITAÇÃO DE CORRENTE ................................................................................................................72
REGULAÇÃO DE TENSÃO ..................................................................................................................73
REGULADORES MONOLÍTICOS ..........................................................................................................73
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA EM ÁUDIO .............................................................................77
CLASSE A .......................................................................................................................................77
CLASSE B .......................................................................................................................................83
AMPLIFICADOR PUSH PUII ................................................................................................................84
AMPLIFICADOR PUSH PULL CLASSE B POLARIZADO OU CLASSE AB .....................................................86
DISSIPADORES DE CALOR ................................................................................................................89
TRANSISTOR DE JUNÇÃO POR EFEITO DE CAMPO (JFET OU FET) ......................................90
COMPARAÇÃO ENTRE FET E TRANSISTOR BIPOLAR ...........................................................................90

TIPOS DE FET ................................................................................................................................90
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO (JFET) .....................................................................90
APLICAÇÕES DO JFET COMO CHAVE ................................................................................................96
FET DE ÓXIDO METÁLICO (OU DE PORTA ISOLADA) - MOSFET DEFINIÇÕES ÚTEIS ..............................97
IGBT (!NSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR) .............................................................................105
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ..............................................................................................110

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Apresentação
“Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

conhecimento. “
Peter Drucker
O ingresso na sociedade da informação exige mudanças profundas em todos os

perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produção,
coleta, disseminação e uso da informação.
O SENAI, maior rede privada de educação profissional do país,sabe disso , e

,consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a égide do conceito
da competência:” formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resolução de problemas, com conhecimentos
técnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
consciência da necessidade de educação continuada.”
Vivemos numa sociedade da informação. O conhecimento , na sua área

tecnológica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualização se
faz necessária. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliográfico, da sua infovia,
da conexão de suas escolas à rede mundial de informações – internet- é tão
importante quanto zelar pela produção de material didático.
Isto porque, nos embates diários,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

laboratórios do SENAI, fazem com que as informações, contidas nos materiais
didáticos, tomem sentido e se concretizem em múltiplos conhecimentos.
O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didáticos, aguçar a sua
curiosidade, responder às suas demandas de informações e construir links entre
os diversos conhecimentos, tão importantes para sua formação continuada !
Gerência de Educação e Tecnologia
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Centro de Formação Profissional “Afonso Greco” 5/110
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Introdução
Este estudo tem como objetivo diferenciar alguns dos mais variados tipos de
componentes eletrônicos, concebidos a partir de semicondutores, apontando
características físicas e construtivas dos mesmos. Analisaremos também o
funcionamento eletroeletrônico destes, a fim de que possamos entender com mais
clareza e objetividade o funcionamento de diversos circuitos que empregam tais
componentes.
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Física dos semicondutores
Estrutura atômica
Sob o ponto de vista da física, sabemos que os corpos, constituídos de
diversos tipos de matéria, podem ser divididos em partes menores. A menor
porção da matéria é a molécula, que, por sua vez, pode ser dividida em partes
ainda menores, denominados átomos. A estrutura atômica de diversos tipos de
materiais pode ser estudada detalhadamente pela química, não constituindo,
entretanto, papel relevante em nosso estudo. Contudo, é de fundamental
importância entendermos a estrutura do átomo, que é mostrada abaixo pelo
modelo planificado de Bohr. Nela, podemos perceber claramente que o átomo é
formado por um núcleo, contendo prótons com carga positiva e nêutrons com
carga nula, e, girando em órbitas elípticas em torno desse núcleo, os elétrons com
carga negativa. (Fig. 1.1)
Níveis de energia
Cada camada ou órbita pode ser representada, em um gráfico, como
sendo níveis de energia, onde os elétrons distam do núcleo raios proporcionais
á força de interação mútua entre eles e o núcleo. A figura 1.2 ilustra o que foi
descrito.
Bandas de energia
As bandas de energia são órbitas controladas por cargas de átomos
adjacentes. A banda de energia mais externa do átomo é denominada banda de
valência, local onde ocorrem as reações químicas. Os átomos que têm quatro
(04) elétrons na última camada (de valência) são denominados semicondutores.
Podemos citar como exemplos os átomos de silício e germânio, que têm número
atômico igual a 14 e 32, respectivamente.
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Cristais
Os cristais são combinações de átomos iguais, por exemplo de silício, unidos
através de ligações covalentes, conforme a figura 1.4.
Lacuna
Denomina-se lacuna o “buraco” que fica quando um elétron de valência é
levado, por meio de uma energia externa, a um nível mais alto. Considerando
este fato, podemos afirmar que a lacuna age como uma carga positiva, pois
significa “ausência de elétron”.
Condução em cristais
Em uma rede cristalina, à temperatura zero absoluto (-2730C), não há fluxo de
corrente elétrica, pois os elétrons estão fortemente presos às ligações covalentes.
A figura 1 .5 ilustra o que foi descrito.
Acima do zero absoluto, a rede cristalina recebe energia térmica, ocorrendo

quebras de ligações covalentes. Elétrons da banda de valência passam para a
banda de condução, gerando pares elétrons - lacunas. Com o aumento da
temperatura tem-se mais elétrons na banda de condução. (Fig. 1 .6)
O silício não é isolante nem condutor; é, portanto, um semicondutor.

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Silicio x germânio
Na temperatura ambiente, o silício praticamente não tem eiétrons livres,
comparado com o germânio. Esta é a principal razão para que o si! ício tenha
maior aplicação na fabricação de dispositivos eletrônicos.
Corrente de lacunas
Um semicondutor oferece dois trajetos para a corrente: um, através da banda
de condução (elétrons); e outro, através da banda de valência (lacunas). Nos
condutores temos apenas corrente de elétrons, o que os diferencia dos
semicondutores. (Fig. 1.7)
Observação
Um elétron na banda de condução gera uma lacuna na banda de valência.
Aumentando-se o número de elétrons na banda de condução, garante-se o
aumento do número de lacunas na banda de valência (pares elétrons - lacunas).
Recombinação
A recombinação ocorre quando elétrons da banda de condução se dirigem
para a banda de valência, preenchendo uma lacuna, caso a banda de condução
intercepte a banda de valência de outro átomo. Assim a lacuna desaparece. O
tempo médio entre a criação e o desaparecimento de uma lacuna é de nano
segundos (ns) e microssegundos (~ts).
Dopagem
Uma rede formada por apenas um tipo de átomo semicondutor origina uma
estrutura cristalina denominada semicondutor intríseco ou cristal puro. O processo
pelo qual introduzimos átomos de impurezas num cristal, de modo a aumentar
tanto o número de elétrons livres quanto o de lacunas, denomina-se dopagem.
Dopagem tipo N
Significa aumentar o número de elétrons na banda de condução,
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acrescentando átomos pentavalentes (cinco elétrons na última camada).
Percebemos pela figura 1.9 que, com a dopagem N, obtém-se aumento no

número de elétrons na banda de condução, enquanto na banda de valência temos
apenas o surgimento de algumas lacunas, originadas pela energia térmica. Assim,
denominamos os elétrons como portadores majoritários, e as lacunas, portadores
minoritários. Podemos dizer, então, que temos um semicondutor do tipo N.
Exemplo de impurezas doadoras: fósforo, antimônio, arsênio.
Dopagem tipo P
Significa aumentar o número de lacunas na banda de valência, acrescentando
átomos trivalentes (três elétrons na última camada).
Percebemos pela figura 1.10 que, com a dopagem P, obtém-se um

aumento no número de lacunas na banda de valência em relação ao número de
elétrons na banda de condução. Assim, denominamos os elétrons portadores
minoritários, e as lacunas, portadores majoritários. Podemos dizer, então, que
temos um semicondutor do tipo R Exemplos de impurezas aceitadoras:
alumínio, boro, gálio.
Resistência de corpo
Resistência de corpo é a característica intrínseca do semicondutor dopado. Um
semicondutor levemente dopado tem resistência de corpo alta. Aumentando-se a
dopagem a resistência diminui.
Diodo não polarizado (junção PN)
Podemos observar a junção de dois semicondutores, um dopado ‘R’ e outro
dopado “N”, na figura 1.11. Próximo à região da junção ocorre o fenômeno da
recombinação, ou seja, elétrons da região “N” atravessam a junção, preenchendo
as lacunas próximas desta, originando um campo elétrico que diminui esse efeito
à medida que isso ocorre. Com isso, origina-se uma camada nas proximidades da
junção, que se comporta como uma barreira de potencial entre as duas regiões,
denominada zona ou camada de depleção, valendo aproximadamente 0,7V para
o silício e 0,3V para o germânio, à temperatura ambiente.
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DIODOS
Polarizações do diodo
Existem duas formas de se polarizar um diodo:
• polarização direta;
• polarização reversa.
Polarização direta
A partir do momento em que o valor da fonte supera a barreira de potencial, a
corrente se torna alta, tendo seu valor vinculado ao valor da fonte.
Polarização reversa
A camada de depleção se alarga à medida que aumenta a diferença de
potencial da fonte. Existe apenas uma pequena corrente de portadores
minoritários.
Corrente de saturação (Is) - Corrente de saturação é a corrente reversa

produzida por portadores minoritários. Esta tem seu valor dobrado para cada
1000 de aumento de temperatura.
Corrente de fuga superficial (IFs) - Origina-se devido a impurezas da superfície

criarem um caminho ôhmico para corrente.
Corrente reversa (IR) - Geralmente dada para uma determinada tensão reversa
(VR) e uma temperatura ambiente (Ta)•
I r  I FS  I s
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Exemplo
O diodo 1 N91 4 tem uma corrente reversa (IR) igual a 25nA, para uma tensão
reversa de 20V, a uma temperatura ambiente de 2500.
Tensão de ruptura (VR) - Nível de tensão reversa para a qual o diodo conduz.
Para retificadores, V R >50V.
Avalanche - Ocorre quando, na camada de depleção, um elétron deslocado
ganha velocidade, podendo desalojar um elétron de valência. O par de elétrons
deslocados continua ganhando velocidade, e quanto maior for a polarização
reversa, maior será a velocidade, desalojando mais elétrons de valência. Devido
ao elevado número de elétrons livres, o diodo conduzirá intensamente e será
danificado pelo excesso de potência dissipada.
Terminologias
A seguir temos algumas terminologias empregadas na determinação de
características elétricas de diodos, com seus respectivos significados.
VBR: Tensão de ruptura VRWM:Tensão reversa máxima de trabalho
PIV: Tensão de pico inversa PRV: Tensão reversa de pico
BV: Tensão de ruptura VRM: Tensão reversa máxima
Componentes lineares
Os componentes cujo gráfico tensão x corrente origina uma reta são de-
nominados componentes lineares. O gráfico 1 ilustra, com detalhes, o que foi
descrito.
Características dos diodos

Gráfico do diodo
Podemos distinguir duas regiões distintas no gráfico 2. No primeiro quadrante,
inicialmente não há corrente fluindo pelo diodo. Aumentando-se gradativamente a
polarização direta, atinge-se um ponto no qual o diodo inicia a condução. Para
diodos de silício, esta tensão de limiar é de aproximadamente 0,7V, denominada
tensão de joeiho. A partir daí, aumentos sucessivos na tensão de polarização
implicam grandes variações na corrente direta. No terceiro quadrante,
aumentando-se gradativamente a polarização reversa, obtém-se apenas o fluxo
de uma corrente inicialmente desprezível (corrente de fuga, da ordem de nano
ampéres). Caso esta tensão atinja o valor de ruptura (dado pelo fabricante - BV),
o diodo conduzirá intensamente e será destruído por causa da dissipação
excessiva de potência.
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Símbolo do diodo
A figura 2.3 ilustra o símbolo esquemático de um diodo retificador. O lado N é
chamado de cátodo e o lado P é o ânodo. A figura 2.4 ilustra o circuito com diodo.
Resistência de carregamento
Abaixo de 0,7V predomina a resistência não-linear da camada de depleção e,
em função disso, o aumento da tensão de polarização não provoca aumento na
corrente. Acima de 0,7V, a única oposição à corrente é a resistência linear das
regiões P e N.
Especificação de potência e de corrente
As folhas de dados dos fabricantes de diodos trazem, entre outras,
informações dos limites máximos de dissipação de calor (potência) e de condução
de corrente, sendo que, uma vez desrespeitados tais limites, pode-se danificar
irreparavelmente os mesmos. A seguir apresentamos dois exemplos de
especificação de potência e corrente de diodos:
• diodo 1 N91 4, potência máxima igual a 250mW;

• diodo 1 N4002, corrente máxima igual a lA.
Classes de diodos
Os diodos são classificados, de acordo com sua potência máxima, em diodos
de sinais, cuja potência é menor que meio Watt (1/2W), e retificadores, cuja
potência émaior que meio Watt (1/2W).
• Exemplos
• Diodo 1N914, pequeno sinal (0,25W).
• Diodo 1 N4003, retificador (1W).
Resístor limitador de corrente (R5)
Conforme visto anteriormente, elevando-se a tensão de polarização direta do
diodo acima da tensão de joelho ele conduz, e a única oposição à elevação desta
corrente éa resistência de corpo, ou seja, a resistência linear das regiões P e N.
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Isso originaria um valor alto de corrente, que destruiria o diodo. A fim de evitar
que isto ocorra, e inserido um resistor (R~) em série com o diodo, que tem como
função limitar a máxima corrente direta do mesmo.
Linhas de carga
Uma forma de determinar com exatidão os valores de tensão e corrente do diodo
é através da linha (reta) de carga. Dois pontos determinam a reta de carga, sendo
eles a saturação e o corte. Para a saturação consideramos o diodo como uma
chave fechada, isto é, com uma tensão direta (VD) igual a zero; e para o corte,
como uma chave aberta, ou seja, sem fluxo de corrente (1=0). A corrente de
trabalho (quiescente) é determinada levando-se em conta a queda de tensão da
barreira de potencial do diodo e a relação entre a fonte e o resistor limitador (R 5)
(Fig. 2.5). A interseção entre a curva do diodo e a reta de carga determina o ponto
de trabalho do circuito ou ponto quiescente (ponto Q). As coordenadas deste
ponto são os valores de tensão de trabalho (V0) e corrente de trabalho (IQ).
(Gráf3).
Aproximações do diodo
Para análise de circuitos eletrônicos, devemos lembrar que respostas
matematicamente exatas não têm muito sentido, do ponto de vista prático, se
considerarmos que dispositivos tais como resistores, diodos etc.., possuem
tolerância de valores. Énecessario, portanto conhecer tais variáveis, a fim de que
se possam aproximar ao máximo os valores teóricos dos práticos. A seguir
apresentaremos as aproximações, considerando diodos de silício.
Primeira aproximação - diodo ideal
Considera-se como diodo ideal, ou primeira aproximação, o fato do mesmo agir
como um condutor perfeito, isto é, queda de tensão zero quando polarizado
diretamente; e isolante perfeito, corrente zero, quando polarizado reversamente.
Segunda aproximação
Para que o diodo comece a conduzir, é necessário que a tensão de
polarização ultrapasse o valor da barreira de potencial. Em se tratando de diodos
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de silício, o limiar da condução situa-se próximo de 0,7V. A idéia é comparar o

diodo a uma chave ideal ligada em série com uma bateria de 0,7V, que se fecha
assim que a tensão de polarização direta ultrapassa este valor, e que se abre
toda vez que ela se torna menor que 0,7V ou reversa (negativa). A figura 2.7
ilustra com detalhes o que foi descrito.
Terceira aproximação
Como terceira aproximação do diodo, inclui-se ao circuito da segunda
aproximação uma resistência ligada em série com a bateria, que representa a
resistência linear das regiões P e N (resistência de corpo - RD).
A corrente direta, fluindo através desta resistência, origina uma queda de
tensão, que varia proporcionalmente ao aumento da corrente; isto é, quanto maior
a corrente, maior será a queda de tensão através de RD. A tensão total, através
do diodo (VF), é igual à soma da tensão de limiar (0,7V) com a queda de tensão
através da resistência de corpo ( R D )’ A figura 2.8 ilustra o que foi descrito.
VF  0,7V  ( I F .RD )
Observação
Geralmente, utiliza-se a segunda aproximação para resolução de circuitos
envolvendo diodos.
Resistência de corrente contínua (CC) de um diodo
Na polarização direta, a resistência CC do diodo diminui à medida que a
corrente aumenta; e na polarização reversa o mesmo acontece, à medida que a
tensão de polarização reversa se aproxima do valor da ruptura.
Teste estático do diodo
Utilizando o ohmímetro, podemos detectar se um diodo encontra-se em curto
ou aberto. Isto é possível através da relação entre as medidas de resistência
direta e reversa do mesmo. Um diodo será considerado em bom estado, pelo
teste estático se a relação entre as medidas de resistência direta pela reversa for
igual ou maior que 1/1000.
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Circuitos com Diodos
Limitador
Sua função é limitar sinais de tensão abaixo ou acima de um determinado
nível, variando assim a forma dos mesmos. Os imitadores podem ser positivos,
negativos e polarizados.
Limitador positivo
Também chamado ceifador, o circuito retira partes positivas do sinal. No
primeiro semiciclo do sinal de entrada (Ve), o diodo está polarizado diretamente e
conduz. Assim, a tensão de saída (“a) fica limitada ao valor de condução do diodo
(0,7V). Quando inverte o sinal de entrada, o diodo fica polarizado reversamente,
indo para o corte (chave aberta). Assim teremos, idealmente, todo o sinal de
entrada sobre a carga (na saída, V0). Fazendo uma relação entre a carga (RL) e o
resistor imitador (R) maior ou igual a 100, obtém-se sobre a carga praticamente
todo o sinal de entrada.
Limitador negativo
Invertendo-se a polaridade do diodo, obtém-se um imitador negativo.
Limitador polarizado
Consiste em ligar em série um gerador CC com o diodo, a fim de conseguir
ceifar o sinal em V + 0,7V para limitadores positivos e -v - 0,7V para limitadores
negativos, conforme as figuras 3.3 e 3.4.
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Associação de Iimitadores
Podemos, em algumas situações, necessitar de limitação do sinal de entrada
em ambos os semiciclos, ou seja, positivo e negativo. Para tal, utilizamos os
circuitos limitadores associados, de forma que possamos obter o efeito desejado,
de acordo com a figura 3.5.
Grampeador de CC
Sua função é somar uma tensão contínua ao sinal de entrada.
Grampeador positivo
No primeiro semiciclo negativo da tensão de entrada, o diodo está polarizado
diretamente e conduz, levando o capacitor a carregar até aproximadamente V P
Pouco depois do pico negativo, o diodo corta. Fazendo a constante RLC muito
maior que o período (T) do sinal de entrada, o capacítor permanece carregado
completamente durante todo o tempo em que o diodo estiver cortado.
Invertendo-se a polaridade do diodo, obtém-se um grampeador negativo.

Detetor de pico a pico
Consiste em associar em cascata um grampeador de CC e um retificador de
pico (D2). Devemos fazer a constante RLC muito maior que o período do sinal de
entrada, a fim de obtermos uma tensão contínua de aproximadamente 2V P e uma
ondulação de saída pequena.
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Outros tipos de Diodos
Diodo emissor de luz (LED)

o LED difere dos diodos comuns pelo fato de que, quando polarizado
diretamente, irradia energia em forma de luz, enquanto nos diodos comuns ela é
irradiada em forma de calor.
Consiste em um cristal com junção PN. Quando ocorre polarização direta,
movem-se os elétrons da região N em direção às lacunas da região P. Desta
maneira há uma recombinação (elétrons livres + lacunas), ocasionando liberação
de energia, a qual se propaga em forma de luz. A figura 4.1 ilustra o funcio-
namento do LED.
Vantagens - Baixo consumo de potência, vida longa e chaveamento rápido

(liga/desliga).
Detalhes construtivos - São utilizados elementos tais como gálio, arsênio e o
fósforo, podendo irradiar-se no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou
infravermelho. A figura 4.2 ilustra a forma física de um LED.
Tensão e corrente no LED - A tensão do LED (VLED ) varia de aproximadamente

1,35 a 3V, e a corrente ( I LED ) máxima 1 3OmA, sendo considerados como
valores usuais VLED  2V e I LED  20mA
Símbolo do LED
A figura 4.3 ilustra o símbolo esquemático do LED
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Orientação para projeto - Utilizar fonte ( V S ) e resistor ( R S ) altos para obter brilho
aproximadamente constante com LED’s.
• Exemplo
Para o TIL 222 (verde)
VLED  1,8a3V
I LED  25mA
Utilizando uma fonte ( V S ) igual a 20V e um resistor ( R S ) de 750W, I LED igual
V  V LED 20V  2V
a: I LED  S   24mA
RS 750 R
Indicador de sete segmentos
Consiste de um arranjo com sete LED’s, cada um constituindo um segmento
de base numérica, cujo formato se assemelha ao número oito. Tal arranjo tem um
terminal comum, podendo ser tanto o cátodo quanto o ânodo. O indicador
apresentado na figura 4.5 é de ânodo comum, podendo ser também de cátodo
comum.
Fotodiodo
O fotodiodo é um dispositivo semicondutor que converte intensidade luminosa
em quantidade elétrica. Sua operação está limitada à região reversa. A figura 4.6
mostra um arranjo básico de sua construção.
Símbolo do fotodiodo
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Circuito
À medida que a luz se torna mais brilhante, a corrente reversa aumenta,
diminuindo a queda de tensão no diodo e aumentando a queda no resistor
imitador de corrente R5.
Optoacoplador com fotodiodo

O optoacoplador associa um LED e um fotodiodo em um só invólucro. Este
dispositivo é muito utilizado para interfaceamento de circuitos eletrônicos com
isolação, pois a conexão é através da luz.
Diodo Schottky
Para melhor compreendermos o funcionamento do diodo Schottky, devemos
esclarecer dois pontos de fundamental importância, que são o armazenamento de
cargas e o tempo de recuperação reversa.
Armazenamento de cargas
Denomina-se armazenamento de cargas o efeito causado pelo fato de elétrons
livres e lacunas perdurarem, por um breve espaço de tempo, em diferentes
bandas de energia próximas da junção, em um diodo diretamente polarizado.
Quanto maior a corrente direta, maior o armazenamento de cargas.
Tempo de recuperaçao reversa ( t RR )
O tempo de recuperação reversa (tRR) é o tempo que a corrente reversa,
originada pelo armazenamento de cargas, leva para desligar um diodo
diretamente polarizado. Tal efeito é mais acentuado em altas freqüências (MHz).
Efeito na retificação - O efeito causado pelo tempo de recuperação reversa em
circuitos retificadores de alta freqüência é ilustrado na figura 4.10, onde podemos
ver claramente que, no momento em que a tensão do sinal que está sendo
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retificado se torna negativa, polarizando reversamente o diodo, não acontece o

corte do mesmo, ou seja, ele continua conduzindo durante um pequeno espaço
de tempo ( t RR ). O diodo Schottky é a solução para esse problema.
Características físicas
Sabe-se que os metais não têm lacunas e os elétrons livres do lado N ocupam
órbitas menores. Quando o Schottky épolarizado diretamente, estes ganham
energia suficiente para ocupar órbitas maiores, atravessando a junção e
penetrando no metal, produzindo uma grande corrente direta. Como não há
lacunas nos metais, não há armazenamento de cargas nem tempo de
recuperação reversa ( t RR ).
Símbolo do diodo Schottky
Queda de tensão típica = 0,25V
Aplicação: Fontes de alimentação de baixa tensão; circuitos de alta freqüência.

Circuito retificador com Schottky
Varactor
Também conhecido por capacitância de tensão variável, epicap, varicap e
diodo de sintonia, o varactor é otimizado para sua capacitância variável. Tem
inúmeras aplicações em equipamentos de comunicação, dentre os quais
podemos citar receptores de televisão e FM.
Seu princípio de funcionamento baseia-se no controle da capacitância através
da tensão, quando reversamente polarizado. Se a tensão reversa e/ou a
freqüência aumentam, a capacitância de transição diminui.
Símbolo do varactor
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Circuito equivalente
Na figura 4.15 é apresentado o circuito equivalente de um diodo reversamente
polarizado com a respectiva curva da capacitância de transição x tensão:
Especificações do varactor
Valor de referência de capacitância medida a uma tensão reversa, tipicamente
iguala -4V.
• Exemplo
Diodo 1N5142,15pFem -4V.
Faixa de sintonia e faixa de tensão: para o 1N 5142, a faixa de sintonia é 3:1 e
a faixa de tensão, de -4V a - 60V.
• Exemplo
Ct  15 pF a 5 pF , quando V  4 a  60
Conectando-se um indutor em paralelo com o varactor, obtém-se um circuito
1
ressonante, cuja freqüência de ressonância dada por: f r 
2 LC
A largura da faixa de sintonia depende do nível de dopagem. Uma maior
concentração de cargas nas proximidades da junção leva a uma camada de
depleção mais estreita e, com isso, a uma capacitância maior.
Diodos de corrente constante
Estes dispositivos mantêm a corrente constante dentro de um determinado
intervalo de tensão.
Exemplo
1 N5305, corrente típica 2mA, faixa de tensão de 2 a 100V.
Compliance
Denomina-se compliance o alcance de tensão ao longo do qual o diodo pode
funcionar. Para o diodo 1 N5305, este valor é de 98V.
Diodos de recuperação em degrau
Os diodos de recuperação em degrau têm um perfil de dopagem, de modo que
a densidade de portadores diminui perto da junção, conforme o gráfico 4.
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Funcionamento
Durante o semiciclo positivo, o diodo conduz como qualquer outro diodo de
silício, mas durante o semiciclo negativo cria-se uma corrente reversa por um
breve instante, devido às cargas armazenadas; aí, subitamente, a corrente cai a
zero como se de repente o diodo se abrisse. A figura 4.16 ilustra o que foi dito,
bem como o símbolo do diodo. Sua aplicação se dá em circuitos multiplicadores
de freqüência, onde a freqüência de saída é um múltiplo da freqüência de
entrada, utilizando-se circuitos ressonantes para filtrar as harmônicas em relação
à freqüência fundamental (2f, 3f .... nf).
Diodos de Retaguarda
São diodos otimizados para condução melhor no sentido reverso do que no direto.
Analisando a curva característica I x V do diodo de retaguarda, vemos claramente
esse fato. Isso é conseguido aumentando-se o nível de dopagem do diodo zener.
Sua aplicação se dá na retificação de sinais fracos, cuja amplitude se situe entre
0,1 e 0,7V.
Símbolo e circuito
O seu símbolo se assemelha ao de um diodo zener e o circuito aplicativo é
mostrado na figura 4.17.
Na polarização direta, temos aproximadamente 0,5V sobre o diodo e a saída,

V0= 0. Na polarização reversa temos, aproximadamente, 0,1V sobre o diodo e,
portanto, 0,4V na saída, obtendo assim um retificador de meia onda (RMO).
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Diodo túnel
Constitui um diodo túnel um diodo de retaguarda fortemente dopado, de forma
a se obter a ruptura próxima de 0V. Esse aumento na dopagem faz com que a
curva direta seja distorcida, conforme o gráfico 6. Analisando este gráfico,
observamos a condução imediata na polarização direta. Quando a tensão atinge
um valor Vp (pico), a corrente atinge um valor máximo Ip, (pico). A partir dai, à
medida que a tensão aumenta, a corrente diminui. Quando a tensão atinge um
valor VV (tensão de vale), a corrente atinge um valor I V (corrente de vale). A
região compreendida entre Vp e VV é considerada região de resistência negativa,
pois a corrente diminui com o aumento da tensão. Isso é útil em circuitos de alta
freqüência, chamados osciladores, que são capazes de converter potência CC em
potência CA.
Símbolo do diodo túnel
Varistores
Também chamados supressores de transitório, têm por função filtrar a linha de
alimentação, eliminando os problemas causados pelos transitórios (descargas,
falha na linha de alimentação, chaveamento de carga reativa etc...). São
fabricados para diversos valores de tensão de ruptura e corrente de pico.
Varistores são resistências dependentes da tensão com uma curva
característica V x I simétrica, conforme o gráfico 7.
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No exemplo dado, a especificação 510V - 810K 150, fornecida pelo manual da

lcotron, significa:
• SIOV - varistor de óxido metálico
• S1OK - diâmetro nominal do disco (lOmm);
• 150-tensão eficaz nominal 150 Vef ou aproximadamente 2l2 Vmáx
Símbolos dos Varistores
LDR - Light Dependent Resistor (resistor dependente de luz)

Constituído de material semicondutor, caracteriza-se por possuir resistência
que varia em função da incidência de luz.
No escuro, a resistência do LDR é alta, e, à medida que aumenta a incidência
de luz, esta resistência sofre reduções que não são lineares, conforme o gráfico 8.
Os LDR’s podem ser do tipo sulfeto de cádmio, cuja curva espectral abrange
parte das radiações visíveis, ou sulfeto de chumbo, cuja curva espectral está fora
do alcance da visão humana (infravermelho).
Símbolos dos LDR
Aplicações
Utilizados principalmente em dispositivos sensores, como contagem de
objetos, controle automático de brilho, detecção de dispositivos pela cor, em
fotômetros para otimização de processos fotográficos etc.
Termistores
Os termistores são componentes semicondutores cuja resistência varia com a
temperatura. São utilizados como transdutores de temperatura em sinal elétrico.
Dependendo da forma como a resistência se altera em função da temperatura, os
termistores se classificam em PTC (Positive Temperature Coeficient) e NTC
(Negative Temperature Coeficient). Assim, temos que o PTC aumenta sua
resistência quando a temperatura aumenta, e o NTC diminui sua resistência
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quando a temperatura aumenta. A seguir, são ilustradas as curvas características

de resistência versus temperatura de cada um deles. (Gráf. 9)
Símbolos dos termistores
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Circuitos retificadores
Os retificadores são circuitos cuja função é converter uma tensão alternada em

contínua, visto que a maioria dos dispositivos eletrônicos precisam de tensão
contínua para seu funcionamento adequado. Os retificadores podem ser de meia
onda ou de onda completa.
Retificador de meia onda (RMO)
Funcionamento
Durante o semiciclo positivo, na entrada, o diodo está polarizado diretamente e
conduz. Então, o semiciclo positivo aparece na saída. Durante o semiciclo
negativo, na entrada, o diodo está polarizado reversamente e não conduz. Assim,
o semiciclo negativo não aparece na saída, ficando sobre o diodo.
Forma de onda de tensão na saída (V0)
O valor médio da tensão de saída ( VCC ) vale aproximadamente 31,8% do valor de

V
pico ou máximo ( V P ), dado por P  0,381V P ou seja, aproximadamente 45% da
P
tensão eficaz de entrada (0,45 Vef ).
Vmed  Vcc  0,45Vef
Devido ao fato da tensão contínua na saída ser pulsante, isto é, ainda conter
variações da componente alternada de entrada, é possível determinar o valor da
tensão eficaz na saída (Vac). Este valor, nos retificadores de meia onda,
corresponde à metade do valor de pico ou máximo (Vp), expresso
matematicamente por:
Vp
Vac 
2
A intensidade da corrente média no diodo ( I med ) é igual à corrente de carga ( I L ) e

V
vale: I méd  I L  CC
RL
A freqüência de saída do circuito (f0) é igual à freqüência de entrada (fe)’ visto

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que os períodos das formas de onda de tensão de entrada ( Vent ) e tensão de

saída (V0) são iguais.
FO  FE
O diodo deve ser especificado, respeitando-se o valor de corrente direta ( I F )
e tensão reversa ( V R ).
I F  I méd  I L
VR  PIV  Vmáx
Observação
PIV significa tensão de pico inversa.
Formas de onda de tensão de entrada (Ve) saída (lIa) e sobre o diodo (VD)
Fator de ripple (  )
Fator de ripple é a relação, na saída de um retificador, entre a tensão alternada
e a tensão contínua, dada em percentual.
V
  AC .100%
Vcc
Transformador
O transformador, dispositivo sem partes necessariamente em movimento,
utilizado para abaixar ou elevar a tensão alternada da rede elétrica. É constituído
basicamente por dois enrolamentos, sendo um primário e o outro secundário.
Relação de transformação ( Rt ou n ) - E a relação entre a tensão no primário (Vp
ou V1) e no secundário (Vs ou V2) ou entre o número de espiras do primário (Np) e
o número de espiras de secundário (Ns), expresso por:
VP N P

VS N S
Princípio de funcionamento - Baseia-se na indução mútua, ou seja, uma
corrente variável ao circular pelo enrolamento primário produz um campo
magnético variável.
As linhas de forças deste campo magnético variável cortam o enrolamento
secundário, induzindo no mesmo uma tensão. Quando N S<Np,Vs<Vp e quando
Ns>Np, Vs>Vp. O transformador não funciona com CC pura. Normalmente,
utiliza-se uma derivação central (center tape) no enrolamento secundário, a fim de
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se conseguir duas tensões iguais e opostas (simétricas). O enrolamento primário

também pode ser constituído de forma que possa proporcionar uma ligação bivolt,
isto é 110/220V.
As tensões V ac e Vbc estão defasadas de 180° entre si.

As correntes elétricas no transformador - A relação entre a corrente do
primário (Ip) e a do secundário (Is) é igual à relação entre o número de espiras do
enrolamento secundário (Ns) e do enrolamento primário (Np), expresso por:
IS NP

IP NS
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA(convencional ROC)
A tensão (Vcc) na carga é igual a:

2V
Vcc  Vo  Vméd  máx

A tensão eficaz (vac) na saída é igual a:
V
Vac  máx
2
Funcionamento
Sempre teremos um diodo conduzindo e outro cortado. Quando A for positivo,
B é negativo e teremos D1 conduzindo e D2 cortado. Quando A for negativo, B é
positivo e teremos D1 cortado e D2 conduzindo. Considerando a freqüência de
entrada igual a 60Hz, teremos cada diodo conduzindo 60 vezes por segundo, e na
saída, portanto, 120 pulsos por segundo. Conclui-se assim que a freqüência na
saída dobra, ou seja, é igual a 120Hz.
A corrente média na carga (IL) vale:
V
I L  cc
RL
A corrente média em cada diodo (Ia) vale:
I
I D!  I D 2  L
2
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A freqüência de saída (f0), conforme visto anteriormente, é igual ao dobro da

freqüência de entrada (fe)
O PIV nos diodos é igual ao dobro da tensão máxima de cada enrolamento
secundário, ou seja, 2 2Vac ou PIV = Vab 2
Fator de ripple (  ):
V
  AC .100%
Vcc
Assim sendo, o rendimento é da ordem de:   48%
Formas de onda de corrente nos diodos ( I d 1 e I d 2 ),corrente na carga ( I L ),
tensão na carga ( Vo ) e tensão nos diodos ( Vd1 e Vd 2 )
Observação
O valor da tensão máxima na saída è igual ao valor máximo de cada
enrolamento , desprezando-se a queda de tensão no diodo em condução.
V
Vac  máx
2
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Retificador de onda completa em ponte(RCOP)
A tensão Vcc na carga è igual a:

2V
Vcc  Vo  Vméd  máx

Funcionamento
O princípio de funcionamento è idêntico ao de onda completa convencional.
Diferi apenas no fato de ter dois diodos conduzindo e dois cortados por vez.
Filtros em fontes de alimentação
A tensão na saída dos retificadores apresenta uma ondulação (variação)
muito grande, o que a torna inadequada para alimentação de circuitos eletrônicos.
O filtro tem a função de tornar a forma de onda da saída (tensão de saída)
próxima de uma corrente contínua pura. Podemos dizer que o filtro reduz a
ondulação na saída.
O filtro mais utilizado é constituído de um capacitor (C) de alta capacitância ligado

em paralelo com a carga (RL).
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Retificador de meia onda com filtro
Funcionamento
Quando a tensão de entrada é positiva, o diodo conduz e o capacitor se
carrega com o valor da tensão máxima ( Vmáx ). Ao inverter a polaridade da entrada
o diodo está cortado e o capacitor se descarrega lentamente sobre a carga. O
capacitor será recarregado com uma freqüência igual à da rede de entrada. O
ângulo de condução de diodo diminui e é representado, no gráfico 14, pela área
hachurada. A tensão de saída não volta mais a zero.
Vond
VmáxVcc 
2
V
Vcc  Vmáx  ond
2
Cálculo da tensão de ondulação (Vond)
I V
Vond  sendo que Vcc  Vmáx  ond
f .c 2
Vmáx
Vcc 
1
1
2 RL. f .c
Cálculo de Vcc em função de Icc(quando RL não è dado)
I I cc
Vcc  v máx  cc e C
2 f .c 2 f (v máx  vcc )
Pode-se tomar como regra prática o dimensionamento do capacitor de filtro na

proporção de 1uF/mA.
A tensão de pico reversa sobre o diodo é igual ao dobro da tensão máxima, ou:
PIV=2vmáx
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Retificador de onda completa com filtro a capacitor.
Vond
Vcc  Vmáx 
2
Pelo gráfico 15 apresentado, podemos verificar que a freqüência de saída do
filtro é igual ao dobro da freqüência da rede de entrada, visto que cada diodo
conduz um semiciclo.
O capacitor será recarregado o dobro de vezes em relação ao circuito de meia
onda. Com isso, conclui-se que a tensão de ondulação (Vond) diminui.
Se retirarmos a carga (RL) obteremos, na saída, um sinal contínuo no valor de
Vmáx, conforme o gráfico 16.
Retificador em ponte com filtro a capacitor
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Considerações finais - Em se tratando de sinais de entrada pequenos,

considera-se a queda de tensão no diodo (0,7V) para RMO e ROC convencional e
1,4V para ROC em ponte na determinação da tensão máxima de saída, ou seja:
Vo( máx)  Ve( máx)  0,7 ou Vo( máx)  Ve( máx)  1,4
Como regra prática adota-se - Desprezar a queda de tensão no diodo para
RMO e ROC convencional quando o sinal de entrada for maior ou igual a 10V.
Desprezar a queda de tensão nos diodos para ROC em ponte quando o sinal
de entrada for maior ou igual a 20V.
Corrente de surto (‘a)
Considerando um retificador com filtro capacitivo de entrada, temos uma
condição crítica no momento em que o circuito é ligado. O capacitor está
inicialmente descarregado, daí a saída do retificador ser colocada
temporariamente em curto, visto que a alta corrente de carga inicial do capacitor
flui através do retificador e do secundário do transformador. Sabendo-se que as
únicas resistências que limitam esta corrente são as resistências de corpo do(s)
diodo(s) e do secundário do transformador, podemos obtê-la por:
Vp
Is 
(n.rb )  Rsec
Onde
Is -corrente de surto, em ampère n - n2 de diodos em condução

N – n° de diodos em condução
rb - resistência de corpo do diodo
R sec - resistência do secundário do transformador
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O diodo zener
O diodo zener é otimizado para trabalhar na região de ruptura. Ao contrário dos

diodos retificadores, os diodos zener trabalham melhor na região de ruptura. O
diodo zener tem um nível de dopagem superior ao do diodo retificador. Variando o
nível de dopagem, o fabricante pode produzir diodos com tensões de ruptura de 2
até 200V. Quando polarizado diretamente, o diodo zener se comporta como um
diodo retificador, conduzindo a aproximadamente 0,7V. Na região de polarização
reversa (entre o zero e a ruptura) ele apresenta apenas uma pequena fuga ou
corrente reversa. Quando o polarizamos reversamente e é atingida a ruptura, o
diodo zener conduz, mantendo a tensão reversa entre seus terminais
praticamente constante (Vz), com valores que podem variar de acordo com
especificações do fabricante, O diodo zener é a parte importante dos reguladores
de tensão, circuitos que mantêm a tensão na carga praticamente constante
mesmo que ocorram variações da linha ou da resistência de carga.
Símbolo do diodo zener
Curva característica I x V
Especificações
Vz- tensão zener
Izt - corrente zener de teste
Izm - corrente zener máxima especificada
Pzm - potência especificada
A potência dissipada num diodo zener é igual ao produto da sua tensão pela
corrente. Ou seja:
Pz = Vz x Iz
Um diodo zener de 10V, com potência especificada de 500mW, tem uma

corrente máxima especificada de:
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____________________________________________________________
500mW
I ZM  50mA
10V
No exemplo dado, o diodo zener funcionará sem se danificar se a corrente que
fluir por ele não ultrapassar o valor de 50mA.
Resistência zener
Quando um diodo zener trabalha na região de ruptura, se variamos a corrente
zener notamos uma ligeira variação na tensão zener (Vz). Isto indica que o diodo
zener tem uma pequena resistência de corpo. Os fabricantes especificam a
resistência zener para a mesma corrente de teste utilizada para medir Vz. A
resistência zener para esta corrente de teste é simbolizada por RzT (ou Zzt).
Regulação de tensão
O diodo zener é, as vezes, chamado de diodo regulador de tensão porque
mantém uma tensão de saída praticamente constante. Em funcionamento normal,
o diodo zener deve ser polarizado reversamente, e, para produzir a ruptura, a
tensão da fonte deve ser maior que a tensão zener Vz. Ao ligarmos o diodo zener,
sempre utilizamos um resistor conectado em série com a fonte a fim de limitar a
corrente máxima a um nível dentro da especificação do fabricante, pois, se a
potência dissipada no componente for superior à especificada, o diodo
provavelmente se danificará. A figura 7.2 mostra a forma de ligar o diodo zener
para trabalhar como regulador de tensão.
No circuito da figura 7.2, se fizermos Vz = 10V, Vs= 20V e Rs=1kohm,
podemos determinar o ponto de interseção vertical (ponto de saturação) fazendo
Vz igual a zero, e calculando o valor de Iz obteremos 2OmA. Da mesma maneira
podemos obter o ponto de interseção horizontal (ruptura) fazendo Iz igual a zero
(diodo zener aberto) e determinando o valor de Vz, que será de 20V. Para uma
fonte Vs = 30V, os valores de Iz e Vz serão respectivamente 3OmA e 30V. A
seguir, veremos duas retas de carga cujos extremos foram obtidos acima.
Podemos observar, no gráfico 19, que tivemos dois pontos de interseção na curva
do diodo (Q1 e Q2) para Vz = 20V e Vs = 30V. Comparando os pontos Q1 e Q2
notamos que a corrente sobre o diodo zener variou em 10mA, porém a tensão Vz
manteve-se praticamente inalterada (10V). Esta é a idéia básica de regulação de
tensão. A tensão de saída manteve-se praticamente inalterada, mesmo que a
tensão de entrada sofresse variações.
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O diodo zener ideal

Para algumas análises de defeito podemos considerar a região de ruptura
como um valor constante de tensão, mesmo que a corrente varie, o que
equivale a desconsiderar a resistência zener. Um diodo zener na região de
ruptura se comporta como uma bateria. Para análises podemos substituir o
diodo zener por fonte de tensão Vz. A figura 7.3 mostra a aproximação ideal
para um diodo zener.
Em uma segunda aproximação, considerando agora a resistência zener,

devemos analisar o diodo zener como uma fonte de tensão Vz em série com
uma resistência Rz. A figura 7.4 mostra-nos o diodo zener em uma segunda
aproximação.
A resistência zener é relativamente pequena e provoca uma queda de tensão

maior a cada aumento da tensão Vs. Isto quer dizer que, se a tensão Vs variar, a
corrente Iz irá variar também, fazendo com que a tensão zener Vz varie
ligeiramente. Este fato pode ser descrito em uma equação, que veremos a seguir.
O regulador zener
A figura 7.5 mostra o diodo zener utilizado para regular a tensão na resistência
de carga. Neste caso teremos duas malhas, sendo que a corrente Irs será igual à
soma da corrente no zener com a corrente na carga.
A corrente Iz jamais deve ultrapassar o valor de Izmáx determinado a partir da

potência máxima especificada pelo fabricante. Para que o diodo zener mantenha
constante a tensão entre seus terminais, é necessário que haja uma corrente
mínima que garanta a ruptura. Esta corrente mínima é determinada com 10% de
Izmáx.
Para verificarmos se teremos tensão suficiente para colocar o zener em
ruptura, devemos tirar o zener do circuito e calcular o divisor de tensão formado
entre Rs e a carga RL, como na figura 7.6.
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O valor da tensão VRL deverá se maior que a tensão Vz, pois, caso contrário,
o zener não entrará em condução, não havendo assim regulação de tensão.
Ondulação no resistor de carga
Um regulador, normalmente, é alimentado por um retificador com um filtro

capacitivo. A tensão de carga é mantida praticamente constante, apesar da
ondulação do retificador. O regulador zener reduz consideravelmente a
ondulação, mas não totalmente. Determinaremos agora o valor de ondulação
residual no regulador, considerando a segunda aproximação para o diodo zener.
Vimos, anteriormente, que a variação na tensão zener é determinada pelo

produto da variação da corrente zener pela resistência zener.
VZ  I Z .RZ
Da mesma forma, poderemos determinar a variação da tensão na fonte Vs

como sendo o produto da corrente pelo valor do resistor Rs.
VS  I S .RS
Considerando a relação entre as variações de entrada e de saída, teremos:
VZ I Z .RZ

VS I S .RS
Para uma resistência de carga constante, a variação na corrente zener é igual
à variação na corrente da fonte.
Com a primeira condição satisfeita, garantimos que o regulador sener tenha
variações menores que a variação da fonte(pelo menos de100 vezes). No caso da
segunda condição, o regulador zener comporta-se como fonte de tensão
estabilizada.
Coeficiente de temperatura
Da mesma forma que em todos os dispositivos semicondutores, variações
térmicas no ambiente causam variações na tensão zener. O efeito da temperatura
é apresentado nos manuais de fabricante como coeficiente de temperatura. É
importante saber que, para diodos zener com tensões de ruptura menores que
5V, o coeficiente de temperatura é negativo. Para os diodos zener com tensões
de ruptura maiores que 6V,o coeficiente de temperatura é positivo. Portanto, os
diodos Zener com tensões de ruptura entre 5 e 6V têm seu coeficiente de
temperatura variando do negativo para o positivo, permitindo-nos determinar um
ponto no qual o diodo zener tenha um coeficiente de temperatura nulo.
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Transistor bipolar de junção (TBJ)
Após o estudo do diodo de junção, que é o componente essencial de dois

terminais, vamos agora começar a abordar dispositivos semicondutores de três
terminais. Eles são muito mais utilizados e de funções mais complexas, que vão
desde amplificação de sinais até a lógica digital. O nome transistor bipolar reflete
o fato de o fluxo de corrente nestes elementos ser bidirecional, ou seja, uma parte
é formada por elétrons e outra por lacunas.
Outro fato curioso está no nome: o prefixo TRANS vem da palavra inglesa
TRANSFER e o sufixo ISTOR de RESISTOR. Combinando ambas, temos algo
semelhante a resistor de transferência. A medida que nos aprofundarmos no
estudo do dispositivo mostraremos esta característica fundamental.
Enfim, o transistor de junção (que fora desenvolvido no início da década de
50) revolucionou a tecnologia até alcançar o estágio atual. Para se ter uma idéia
do significado da invenção do transistor, historiadores da ciência referem-se à
nossa época como a Era do Transistor!
Estrutura física
Afigura 8.1, a seguir, mostra duas estruturas cristalinas: uma NPN e outra
PNP. Visualmente percebem-se três regiões: emissor, base e coletor. O emissor é
dopado fortemente, pois dele partem os elétrons para a outra região, a base. Na
base, que é fina e fracamente dopada, a maioria dos elétrons injetados pelo
emissor passa para o coletor. O coletor é a maior das três regiões, pois nele é
gerada uma quantidade de calor maior, e é assim designado pelo fato dos
elétrons da base convergirem para lá (diz-se que o coletor junta os elétrons da
base). O nível de dopagem do coletor é intermediário, está entre o da base e o do
emissor.
Modo de acomodação de cargas

Vimos, no estudo do diodo semicondutor, o que ocorre quando unimos um
material tipo P com outro tipo N. Quando a junção é feita, a repulsão interna entre
os elétrons livres no material N provoca a difusão desses através da junção,
originando o fenômeno da recombinação no lado P. Dessa maneira são formadas
duas camadas de depleção, uma em cada diodo. Veja que a camada situada no
diodo emissor é mais estreita que a do diodo coletor. O nível de dopagem é o
responsável direto destas dimensões, pois quanto mais portadores majoritários
uma região possuir (o emissor é densamente dopado), maior será a quantidade
de íons formados em uma região fronteiriça de menor dimensão. Isso justifica as
dimensões mostradas, mas os desenhos não são via de regra e, sim, uma
representação esquemática.
Faremos a abordagem dos transistores de silício pelos mesmos motivos que
nos levaram a fazer tal escolha para o diodo, objeto de nossos estudos anteriores.
Tais motivos eram as especificações de tensão/corrente mais altas e a menor
sensibilidade à temperatura. Lembre-se, também, que a 250C a barreira de
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potencial era aproximadamente 0,7V. Na figura 8.2 temos a ilustração da

estrutura cristalina NPN com as regiões sombreadas. Estudaremos a estrutura
PNP mais adiante.
Modos de operação - polarização

Observe, nas figuras anteriores, que existem duas junções nas estruturas
cristalinas: uma entre base-coletor e outra entre base-emissor. O diodo situado
entre base-emissor é denominado diodo emissor e o outro, entre base-coletor,
diodo coletor. Como são dois diodos, temos quatro hipóteses para polarização
simultânea de todos eles. Veja o quadro a seguir:
Denominação do modo de Diodo Diodo

polarização emissor coletor
Corte Reverso Reverso
Não se aplica Reverso Direto
Ativo Direto Reverso
Saturação Direto direto
Os modos de corte e saturação são aqueles em que o transistor é usado para

operar como chave eletrônica em circuitos lógicos (por exemplo, em
computadores). No modo ativo, o transistor opera como fonte de corrente e é
capaz de amplificar sinais. Vejamos, adiante, a descrição da operação em cada
um dos modos.
Modo ativo do transistor NPN - polarização direta-reversa - Esta situação está
ilustrada na figura 8.3. Duas fontes de tensão externas são usadas para
estabelecer as condições de operação. A tensão VBE faz com que a base tipo P
esteja em um potencial mais alto do que o emissor tipo N; portanto, se a d.d.p.
entre as duas regiões for aproximadamente 0,7V, este diodo está diretamente
polarizado. A tensão na junção base-coletor VCB faz com que o coletor tipo n
esteja em um potencial mais alto do que a base tipo P; portanto, este diodo está
reversamente polarizado.
O fluxo de corrente no TBJ NPN na polarização direta - reversa - Na

descrição que faremos do fluxo de corrente, no circuito da figura 8.3, serão
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considerados os componentes da corrente de difusão. A corrente de deriva,

devido aos portadores minoritários gerados termicamente, é muito pequena e
pode ser desprezada.
Se a fonte VBB for suficiente para garantir 0,7V em VBE, os elétrons livres do
emissor invadem a base em grande quantidade, devido à repulsão causada pelo
pólo negativo de VBB. Na região da base tipo P, poucos elétrons provenientes do
emissor recombinam-se com as lacunas (a base é fracamente dopada!) e os que
encontram lacuna são solvidos pelo positivo de VBB, descendo pelo terminal da
base. Contudo, a maior parte dos elétrons livres não encontra lacuna para se
recombinar e passa através da larga camada de depleção do coletor. Ao vencer a
barreira de íons negativos dentro da região-base, mas na fronteira do coletor, os
elétrons sofrem grande repulsão e entram, definitivamente, na região do coletor,
sendo atraídos para fora do transistor pelo potencial positivo de Vcc.
A base fina e fracamente dopada, essencialmente, determina a quantidade de
elétrons que formam a corrente de coletor. Observe que a corrente do coletor é a
maior parcela da corrente de emissor, visto que, pela base, a recombinação é
propositadamente pequena. A pequena corrente que escoa pelo terminal da base,
freqüentemente, é denominada corrente de recombinação, sendo constituída
pelos elétrons que encontraram lacuna nessa região. Por isso, alguns autores de
livros textos dizem que “a espessura da base dá a quase todos os elétrons livres
injetados pelo emissor vida média para se difundirem através da região do
coletor”.
Aqui, cabe frisar alguns aspectos do funcionamento do transistor. Para vencer
a camada de depleção do coletor, grande parte da energia dos elétrons é
dissipada em forma de calor, e o transistor deve ser capaz de trocá-la com o meio
ambiente o mais depressa possível. A primeira tentativa é dos fabricantes, que
fazem a região do coletor a maior de todas (quanto maior a área de um corpo,
mais calor ele troca com o meio circundante). Outra solução é o uso externo de
irradiadores para aumentar a transferência de calor, normalmente feito pelo
usuário.
Acompanhe passo a passo, na figura 8.4, a seqüência descrita através das
ilustrações:
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____________________________________________________________
Relação entre as correntes Ib, Ic e Ie - Você já tem conhecimento sobre a ordem

de grandeza entre as correntes que circulam no transístor polarizado direta e
reversamente. Esta relação depende do nível de dopagem entre as regiões
constituintes do transístor. Como foi mencionado, a base, o coletor e o emissor
são fraca, média e intensamente dopados, respectivamente. Na prática, os
transístores modernos de baixa potência têm corrente de coletor, que são cerca
de 99% da corrente de emissor. Portanto, resta à base 1 %.
Dados estes percentuais, é razoável admitir e relacioná-las por meio de
números adimensionais denominados  e . A relação  mede quão próxima a
corrente de coletor Ic está de Ie ou seja, é o quociente entre elas.  é a razão
entre Ic e Ib, e basicamente nos permite dizer o quanto os portadores majoritários
do emissor (os elétrons) fluem pelo coletor e qual a taxa que se recombina na
I I
base. Matematicamente, temos:   C e   C
IE IB
Observação
E freqüente o uso de h fe (índices maiúsculos) para representar o  envolvendo Ic

e Ib contínuos. Muitos se referem a ele como cc. O cc é representado por h fe
(índices minúsculos).
• Exemplo
Um transístor tem as seguintes correntes: Ie = 40,8mA, Ic= 4OmA Ib = 0,8mA.
Assim, podemos calcular  e  usando as relações anteriores:
I I
  C =0,98   C =50
IE IB
As bandas de energia no TBJ NPN
De maneira semelhante ao diodo, podemos analisar o funcionamento do
transistor bipolar usando diagramas de energia. Lembrando que usamos apenas
as bandas de valência e de condução - pois do ponto de vista da eletrônica é
onde ocorre a circulação de corrente - verificamos que existem duas regiões de
transição entre as bandas, uma devido ao diodo emissor e outra ao diodo coletor.
Observe-as:
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Foram colocadas as polaridades das fontes VBB e Vcc no lado esquerdo,

direito e no meio da região da base. O negativo do lado esquerdo refere-se às
duas fontes, o positivo na base à fonte VBB e o símbolo de mais positivo (++) à
fonte Vcc. O negativo repele os elétrons livres na região do emissor (se VBB>
0,7V) e esses atravessam a primeira camada de depleção; no esquema é o
primeiro desnível emissor-base. O diagrama mostra que a região da base está a
um nível de energia maior que o emissor; por isso os elétrons devem receber, no
mínimo, esse desnível para mudar de região. Na base, os elétrons são portadores
minoritários (a base é P), porém em maior quantidade. Alguns elétrons
interceptam as poucas órbitas vazias (lacunas) e se recombinam, sendo atraídos
pelo potencial positivo da base. A grande maioria segue o percurso da região do
coletor descendo pelo segundo desnível (base-coletor), que no esquema é o mais
acentuado, atraídos pelo potencial mais positivo de Vcc. A razão do desnível mais
acentuado é a maior dissipação de potência na região do coletor (diodo
reversamente polarizado), isso correspondendo claramente a uma queda no nível
de energia (observe que o emissor tem mais energia que o coletor).
Em suma, a análise acima é similar à feita utilizando-se as estruturas
cristalinas. No entanto, pelo diagrama de energia podemos discriminar onde os
processos ocorrem, enquanto para a estrutura cristalina não há esse nível de
compreensão.
Símbolos dos transistores NPN e PNP
Apesar de estarmos estudando a estrutura transistora tipo NPN, apresentamos
a seguir os símbolos de ambos os tipos.
Preste bastante atenção às setas nos transistores. Elas representam a região

do emissor e indicam o sentido convencional da corrente. Até agora temos
trabalhado com o sentido real, corrente entrando pelo emissor e saindo pela base
e pelo coletor. Mas, como de costume, usamos o sentido convencional e, para o
TBJ NPN, elas entram pela base ( I B )e pelo coletor ( I C ), saindo pelo emissor ( I E )
Observe o símbolo do transistor PNP: ele está de cabeça para baixo. É de
praxe desenhá-lo assim e o motivo será explicado futuramente.
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Conexões do transistor bipolar

Nossa avaliação do funcionamento do transistor tem sido realizada sob o
circuito montado com a estrutura cristalina NPN. Existem configurações típicas
elaboradas com o TBJ e é essencial aprender a reconhecê-las apenas com um
olhar lançado sobre um circuito transistorizado. São três as configurações com
terminal em comum: base, emissor e coletor. Observe-as:
Observação
Se você retornar à ilustração da estrutura cristalina NPN em funcionamento, verá
que se trata de uma configuração em base comum, pois este terminal é comum a
VBB e Vcc.
Análise na configuração Emissor-Comum (EC)

Entre as três configurações do TBJ, a mais utilizada, na prática, é a em
emissor comum, requerendo assim uma análise mais cuidadosa. Faremos o
emprego da estrutura cristalina do TBJ NPN pela última vez, pois daqui para
frente sempre empregaremos o símbolo em nossas análises.
Para analisar a ligação Ec, primeiramente colocamos o transistor na vertical,
com o emissor em baixo. Cuidamos para que esse terminal seja realmente
comum às duas fontes, ligando os negativos nele. Dois resistores Rb e Rc limitam
a corrente na base e no coletor, nessa ordem. Veja a ilustração da figura 8.8.
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Achamos mais conveniente apresentar as três etapas de funcionamento

acompanhadas de ilustrações apropriadas. Vamos omitir as fontes e os resistores
para simplificar, mas admita que Vcc » VBB, com VBB > 0,7V, e que utilizaremos
o sentido real para as correntes.
1° Etapa - injeção de portadores no emissor - Nesta etapa, a polarização

correta do diodo emissor permite às fontes injetarem elétrons no interior do
emissor pela repulsão mútua entre elétrons das fontes e os livres e em excesso
pertencentes a essa região.
2° Etapa - entrada dos elétrons na base e recombinação com as lacunas -

Nesta etapa, os elétrons do emissor têm energia suficiente para vencer a barreira
de potencial do diodo emissor e penetrar na base. Lá, poucos elétrons livres
encontram lacuna em sua trajetória, mas os que conseguem se recombinam e
formam a corrente da base. A grande maioria mantém a trajetória em direção ao
coletor pela repulsão contínua provocada pelo campo elétrico das fontes.
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3° Etapa - elétrons atravessando o diodo coletor e formando a corrente -

Aqui, os elétrons livres do emissor, que não conseguiram se recombinar na base,
atravessam a grande região de depleção do coletor (diodo reverso) deixando boa
parte da energia adquirida das fontes e sendo atraídos pelo forte potencial
positivo de Vcc.
Leis de Kirchhoff no TBJ na configuração EC - As leis de kirchhoff aplicadas ao

transistor na última das etapas anteriores fornece:
IE = IB +Ic e Vce= VBE + VCB
Onde
IE - corrente do emissor
IB- corrente da base
IC- corrente do coletor
VCE - tensão de coletor relativa ao emissor
VBE - tensão de base relativa ao emissor
VOB - tensão de coletor relativa à baseC
• Exemplo
Um estudante testa um circuito transistorizado. Ele mede uma IB =6OmA e um

VCB =24,3V. Sabe, também, que o transistor que está analisando tem um  =100.
Se o transistor é de silício e está polarizado no modo ativo, qual o valor de IC,IE e
VCE ele deve ter obtido?
Resolução
Usando a definição de  e as leis de Kirchhoff, temos:
IC=.IB • IC=6mA IE=IB+IC IE=6,06mA
Se o transistor está no modo ativo, o valor de VBE deve, necessariamente,

ser 0,7V. Então,
VCE= VCB + VBE:. VCE=25V
Resumo da operação no modo ativo - Vamos sintetizar o funcionamento do
transistor na região ativa, visto que os amplificadores transistorizados operam
nessa região. Resumindo, temos as seguintes condições para operação ativa
(linear):
• diodo emissor diretamente polarizado;
• diodo coletor reversamente polarizado;
• como sabemos do estudo dos diodos, tensões reversas suficientemente
grandes podem provocar a destruição da junção PN. Como o diodo coletor deve
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ser polarizado reversamente, pode ocorrer avalanche térmica se a tensão exceder

a especificação do fabricante. Dessa maneira, devemos estar certos de que a
tensão sobre o diodo coletor seja menor que a de ruptura.
Modelo equivalente Ebers-MoIl

Definimos anteriormente a relação , que exprimia quão próxima a corrente
IC estava de IE. Podemos dizer, também, que  aponta a porcentagem dos
elétrons injetados pelo emissor que seguem o caminho do coletor. Então, na
região ativa, é plausível assumir que o transistor em circuitos lineares é uma fonte
de corrente de valor .IE em série com o diodo emissor. Esse é o modelo Ebers-
Moll e será muito útil na análise de amplificadores. Veja-o a seguir:
Segundo o grande didata e autor de livros Albert Paul Malvino, devemos:

1. Fazer VBE igual a 0,7V para os transístores de silício.
2. Tratar IC como igual a IE, porque a aproxima-se da unidade.
3. Aproximar IB a IE/, porque IC é praticamente igual a IE.
4.
Corrente controlando corrente - No modelo Ebers-Moll, o coletor é uma fonte
de corrente de valor  X IE. Se, ao invés de considerarmos que a fonte de
corrente de coletor é controlada pela corrente de emissor, admitirmos que a
relação IC=.IB seja uma relação de controle, passaremos a assumir que um
transistor bipolar é um dispositivo eletrônico no qual corrente controla corrente. A
corrente de controle é a corrente da base, e a corrente controlada, a do coletor.
Concluindo o estudo quantitativo do transistor no modo ativo, relembramos
que, pela lei de Kirchhoff, IE=IC+IB e que ICIE. Portanto, a corrente de base na
maioria dos casos é uma corrente desprezível.
Características elétricas do transistor
O transistor bipolar tem muito mais correntes e tensões que um diodo. Por isso
temos muito mais curvas e parâmetros elétricos a analisar. Nosso circuito teste
será o seguinte:
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As curvas de base
Pelo fato da junção base-emissor ser um diodo é de se esperar que a curva de
base seja a curva de um diodo. De fato é o que obtemos quando plotamos
IB x VBE no transistor. Porém, como dissemos no início, o transistor tem muito
mais variáveis elétricas que o diodo. Assim, a curva de base no transistor torna-se
em: as curvas de base, uma para cada valor de VCE. A questão é a seguinte:
quanto maior a tensão reversa no diodo coletor, maior é a região de depleção
dentro da base, estreitando ainda mais a região, que de fábrica já é fina. Com a
região diminuída, a probabilidade de encontrar lacunas nesse espaço diminui
abruptamente e, como a corrente de base é formada pela recombinação dos
elétrons livres injetados pelo emissor com as lacunas da base, a corrente de base
tem que diminuir. Ocorre, entretanto, algo extraordinário com a tensão VBE: ela
aumenta! Isso significa deslocar a curva de base para a direita. A justificativa
técnica para esse fenômeno é complexa e preferimos omiti-la. Porém, o estudante
interessado pode consultar algumas das bibliografias citadas no final. O
fenômeno, conhecido como efeito Early, normalmente é desprezível na análise
casual dos circuitos transistorizados, exceto nas situações em que são requeridos
tratamentos minuciosos. Veja, a seguir, as curvas de base:
As curvas de coletor
O circuito precedente também serve como referencial para construção das cur-
vas de coletor. A idéia é fixar a corrente na base através de VBB e variar Vcc,
anotando os valores de IC e VCE. Se tentássemos desenhar gráficos envolvendo
as três grandezas variando simultaneamente, teríamos gráficos tridimensionais,
que são sempre difíceis de interpretar. Quando desenhamos IC x VCE com IB
fixo, o resultado é a curva mostrada a seguir:
Podem-se observar três regiões de particular interesse na curva: a que se

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estende de O até VCESAT, a de VcEsAT até BVCEO e a região além de BVCEO.
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A região compreendida entre O e VCESAT é chamada região de saturação,

pois nela os transistores funcionam como chave eletrônica. O funcionamento na
região de saturação será feito um pouco mais à frente em nosso estudo. Por ora
dizemos que, nela, a relação IC=.IB não mais é válida, pois a corrente de coletor
passa a depender muito mais da fonte Vcc e Rc do que da própria corrente de
base, O nome saturação tem o sentido de cheio, repleto, farto e estagnado, e
caracteriza a “perda de controle” da corrente da base na de coletor. Essa perda é
de proporcionalidade IC passa a não aumentar com respectivos aumentos em IB.
Aspecto interessante: a região saturação está vinculada à polarização reversa do
diodo coletor! Discutiremos mais acerca disso.
A região situada entre Vcesat e BVceo é a região ativa. Ela é caracterizada
pela polarização reversa do diodo coletor e por obtermos praticamente os
mesmos valores de IC para qualquer valor de Vce pertencente a esta faixa.
A região acima de BVceo é a região de ruptura. Lá o transistor está prestes ou
na iminência de ser destruído. O diodo coletor polarizado reversamente é o
responsável por ela. Isso não chega a ser um infortúnio, pois a faixa de Vce dos
transistores comerciais é ampla e escolhida pelo usuário.
A seguir temos o resultado de várias correntes de base fixadas e de medições
sucessivas de Ic e de Vce: a família de curvas do coletor.
Especificações de um TBJ
Pretendemos, aqui, apresentar algumas especificações úteis do transistor bipolar.
Deixamos claro que o uso do manual do fabricante ou Databook é de vital
importância e que o aluno não deve se contentar em saber apenas as
especificações que apresentaremos. O quadro abaixo apresenta as principais
características de um TBJ com a descrição de cada uma.
Descrição (o fabricante pode fornecer valores mínimos, típicos

Parâmetro ou parâmetro máximos)
IB Corrente de base
IC Corrente de coletor
IE Corrente de emissor
PD Potência dissipada
Vceo Tensão de coletor ao emissor com a base aberta
Vcbo Tensão de coletor à base com emissor aberto
Vebo Tensão de emissor à base com o coletor aberto
P Fator de degradação
Rthj Resistência térmica da junção
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As três primeiras especificações são óbvias. Especificar a potência PD é

importante para evitar o inconveniente de destruir o transistor por excessiva
dissipação de calor. Matematicamente, podemos encontrá-la por:
PD=VCE.IC
Esta não é toda a potência que o transistor dissipa, mas está próxima dela,
pois as componentes da potência dissipada nos diodos emissor e coletor são
desprezíveis em comparação com ela.
As três tensões: Vceo, Vcbo e Vebo são importantes na escolha do transistor.
Vceo e Vebo são boas aproximações para as tensões de ruptura dos diodos
coletor e emissor, respectivamente.
Todas as especificações de componentes eletrônicos são feitas a
determinadas temperaturas. P mede o fator de degradação da especificação de
potência à medida que nos distanciamos das temperaturas ideais de
funcionamento.
O último parâmetro é importante para a escolha do irradiador de calor,
visto que, em algumas circunstâncias, a quantidade de calor gerada na junção
não é trocada com o meio ambiente. Nestas circunstâncias, o irradiador de calor
bem dimensionado muitas vezes resolve o problema.
O modo de operação como chave
Outra aplicação fantástica do transistor é a capacidade de operar como chave
eletrônica. Isso é feito imprimindo-se duas polarizações iguais aos diodos,
emissor e coletor. Estamos falando, então, dos modos de polarização direto-direto
e reverso-reverso. A seguir temos a apresentação das duas polarizações da
estrutura cristalina NPN:
Na polarização direta-direta, ambos os diodos conduzem forçados pela

polarização das duas fontes. Vcc e VBB polarizam diretamente os diodos coletor e
emissor, respectivamente. As correntes ICe IE somam-se formando a corrente de
base (o sentido mostrado já é o convencional). O resultado mais expressivo pode
ser visualizado acima na analogia feita com diodos: a tensão VCE é 0V, o que
corresponde a uma chave fechada entre os dois terminais, coletor (C) e emissor
(E).
Na polarização reversa, a barreira de potencial dos dois diodos (coletor e
emissor) assume o valor de Vcc e VBB nessa ordem. A corrente circulante, em
qualquer um dos terminais, é 0 A e a tensão resultante entre coletor e emissor é a
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diferença entre Vcc e VBB. Essa situação equivale a uma chave aberta entre (C) e
(E).
Convém dizer aqui que as definições de  e  não se aplicam na configuração
chave, pois perdemos o controle sobre as correntes de coletor e de emissor, que
passaram a depender mais das fontes Vcc / VBB e dos resistores externos do que
propriamente dessas relações.
Reta de carga CC para circuitos transistorizados
Durante o estudo do diodo, tivemos o primeiro contato com a reta de carga.
Ela consiste, basicamente, de um meio geométrico para localizar o ponto de
operação de um circuito contendo algum componente eletrônico.
A via de regra, aqui, é primeiro escrever a equação das tensões para malha
de coletor e, em seguida, usar a idéia da chave eletrônica entre coletor-emissor,
ou seja, fazer Vce = 0V (chave fechada) e encontrar a corrente IC que circula.
Esta será a corrente Icsat. Depois fazer IC=0 (chave aberta) e encontrar a tensão
Vce. Esta será a tensão de corte VceCORTE. Com VceCORTE e ICSAT somos
capazes de traçar uma semi-reta sobre as curvas de coletor, interceptando-as.
Em alguma curva do coletor está localizado o ponto de operação.
Para plotar o ponto de operação na reta de carga usamos a malha da base.
Lá, escrevemos a equação das tensões e a manipulamos para encontrar alguma
corrente de operação; ou a da base IB ou a do emissor IE (lembre-se que IC=IE).
Com a corrente de operação IC, calculamos a tensão Vce de operação.
Se no circuito genérico passado Vcc= 18V; VBB= 4,7V; Rb=100k; Rc=4k e

 = 50, vamos traçar a reta de carga .
A reta de carga permite tirar algumas conclusões imediatas. Em um circuito

transistorizado, qualquer corrente de operação normal sempre é menor que a
corrente de saturação. Assim, se você sabe que um circuito satura com uma IC =
10mA e ao tentar calcular a corrente de operação normal achar 15mA, descarte-a,
pois a maior corrente admissível neste circuito é 10rnA. A corrente ICSAT é a
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maior que pode circular no coletor do circuito a transistor em questão e não a

máxima corrente que o transistor pode suportar. A primeira, quem define é o
usuário, e a segunda, o fabricante.
Uso do terra em circuitos
Em esquemas eletrônicos é usual desenharmos circuitos com o símbolo do
terra para simplificá-los. A regra é aterrar o ponto em comum entre as fontes e
componentes, simbolizando o outro pólo que resta por um círculo ou triângulo. O
circuito anterior poderia ter sido apresentado como:
Observe que foram mostrados os pólos positivos de VBB e Vcc. Deve ser
assimilado que os pólos não mostrados no esquema encontram-se ligados ao
terra. Em termos elétricos, nada é alterado, pois o terra continua sendo mais
negativo que os pontos de aplicação das tensões VBB e Vcc. Então, as correntes
continuam tendo os mesmos sentidos e a magnitude do esquema tradicional.
Sempre que possível usaremos o recurso do terra, visto que é rotina analisarmos
esquemas comerciais e/ou industriais empregando-o.
O transistor como chave

O primeiro circuito que estudamos com o transistor é a configuração típica de
uma chave. Com um projeto consistente, o transistor opera apenas no modo de
saturação e corte. Esta aplicação é o cerne do funcionamento dos computadores
e circuitos digitais. Estude-a com atenção e perspicácia, pois futuramente você
entrará em contato direto com os circuitos digitais e a base da operação destes
será vista aqui.
Esquema do circuito - A chave eletrônica com o transistor é feita usando-se o
terminal da base como controle e a saída é retirada no coletor, ambos relativos ao
terra. Veja a figura 8.18:
O controle é, tipicamente, um sinal quadrado que varia de O a um nível fixo, que é

5V para circuitos denominados TTL (Transistor - Transistor Lógico). Quando o
sinal de controle está em 0V, a malha da base está submetida a 0V de d.d.p.;
portanto, não há corrente na base e, por conseguinte, no coletor também não.
Como Ic=0A ,a queda de tensão em Rc é nula e, para que a lei de Kirchhoff das
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tensões continue válida, VCE tem de assumir o valor da fonte Vcc, chave aberta.
No instante em que o pulso sobe para o nível alto - nível fixo de tensão - há
corrente na base e, se esta corrente for suficientemente alta, o transistor entra na
região de saturação tornando Vce próximo à 0V. A corrente circulante no coletor é
ICSAT e, de coletor para emissor, o transistor se assemelha a uma chave
fechada. Novamente para a lei de Kirchhoff permanecer inalterada, o resistor de
coletor Rc tem entre seus terminais a tensão da fonte Vcc.
Como pode ser notado na figura 8.18, o sinal quadrado de saída é exatamente
o oposto ao do controle. Isto é devido às condições em que ocorrem os
chaveamentos. Quando controle 0V, a saída = Vcc. Caso contrário, se controle =
VBB’ a saída = 0V. Por isso, os sinais são recíprocos.
Condição suficiente para o funcionamento da chave eletrônica - A condição
necessária e essencial é que a corrente IB seja grande o suficiente para levar IC à
saturação. Os profissionais que projetam chaves a transistor usam uma regra
super-dimensionada para escolha dos resistores RB e Rc. Eles adotam um = 10.
Este  praticamente não se encontra, mesmo em transistores de potência que são
conhecidos por terem betas pequenos. Dessa maneira dividimos o projeto em três
etapas:
1° etapa - O resistor Rc normalmente é a carga que se deseja acionar. É
imprescindível conhecer sua resistência elétrica ou a corrente de funcionamento.
Esta corrente deverá ser tida como ICSAT.
2° etapa - Podemos calcular IB usando um beta crítico igual a 10. Portanto,
IB=ICSAT/10
3° etapa - Encontramos o valor de RB usando a lei de Ohm, já que sabemos que
a tensão nos terminais dele deve ser VBB – 0,7V e IB acabamos de encontrar:
RB=(VBB -0,7V) / IB.
Durante a montagem do circuito, na prática, o beta provavelmente será maior
que 10. Isto é um fator benéfico, porque IB é a mesma corrente especificada no
projeto, já que ela depende apenas de VBB e de RB (IB=[VBB-0,7V] /RB).Se lB é
a mesma e o beta aumentou, significa que teríamos no coletor uma IC ainda
maior (IC=.IB). Sabemos que essa situação não existirá, já que o circuito do
coletor satura no mesmo valor de ICSAT que estipulamos.
Reta de carga no modo chave - Como desejamos que o transistor atue como
chave, a reta de carga para o circuito deve ter o ponto de operação Q oscilando
entre a saturação e o corte. Quaisquer outros pontos que não sejam as
extremidades da reta estão proibidos de ocorrer quando adotamos a regra de
projeto acima estudada.
Acionando cargas com o transistor - No estudo feito acima, buscamos
especificar um resistor de base para que o transistor saturasse
irremediavelmente. Na prática, a chave é muito usada para acionar relés, motores
CC de pequena capacidade, lâmpadas de baixa potência, LED’s indicadores etc.
Veja alguns exemplos destas aplicações:
Acionando LED e lâmpadas incandescentes de baixa potência.
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Usando relés para ligar (ou desligar) cargas CA
Observação 1
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas é necessário acrescentar um
diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto porque quando a
carga está sendo acionada (transistor saturado) a indutância da carga recebe
energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para o corte) ocorre a
inversão da tensão nos terminais da carga (lei de Lenz) para manter a corrente
circulando no mesmo sentido. Essa tensão pode ser suficientemente alta e
destruir o diodo coletor. O diodo D1 faz o retorno da corrente e dissipa a energia
armazenada na indutância da carga, protegendo o transistor.
Observação 2
As especificações Vebo (tensão reversa no diodo emissor) são relativamente
pequenas, se comparadas com o diodo coletor Tipicamente, situam-se na faixa de
4 a 10V O diodo D2 limita a tensão reversa no diodo emissor em - 0,7V já que ele
está em antiparalelo com a junção base emissor.
 Motor CC de baixa potência
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Observação
O motor CC é uma carga RLE (resistência -indutância - tensão gerada).
O transistor como fonte de corrente
Fizemos o estudo do transistor como chave e constatamos que o ponto de
operação Q podia situar-se apenas nas extremidades da reta. A outra vasta
aplicação do transistor - fonte de corrente - requer o ponto Q em algum lugar
entre as extremidades, ou seja, no interior da reta. A forma de conseguir isso é
polarizar o transistor na região ativa, como fizemos durante o estudo das retas de
carga.
A razão de usar o transistor como fonte de corrente está no fato de que, nesta
configuração, o transistor é capaz de amplificar sinais CA! Veremos um pouco a
frente, em nossos estudos, como polarizar circuitos transistorizados na região
ativa e prepará-los para a amplificação. Por ora, vamos apenas estabelecer os cri-
térios de funcionalidade da fonte de corrente. Veja a configuração típica do
circuito:
Aplicando a lei de Kirchhoff nas malhas da base e do coletor (como já fizemos

antes), obtemos os seguintes resultados:
VCC
I CSAT 
RC  R E
VCECORTE  VCC
V  0,7
I CQ  BB
RE
VCEQ  VCC  I CQ ( RC  RE )
Observe a equação da corrente ICQ e veja que ela depende apenas de VBB e
RE. Se garantirmos a estabilidade destas duas grandezas, temos que a corrente
ICQ será fixa e independente do beta. Independente porque o beta não aparece
explicitamente na equação da corrente, mas se fizermos IB= o é claro que IC
também o será.
Aqui temos uma situação diferente da encontrada quando estudamos o
transistor chave. Lá houve a necessidade de fixarmos um beta mínimo igual a 10
para assegurar o funcionamento do circuito. Agora, o beta apenas define corrente
de base que circula à medida que escolhemos diferentes valores de VBB e RE.
Lembre-se, porém, que a corrente de operação ICQ necessariamente, é menor
que ICSAT, Caso contrário, a fonte de corrente estará comprometida.
Volte a observar a equação para ICQ. Nela não aparece RC. É por isso que o
circuito é chamado fonte de corrente, pois para qualquer valor de RC no coletor a
corrente no resistor seria a mesma. E claro que isso não acontece na prática, mas
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se a escolha de R0 for adequada - para garantir que o transistor não sature - a

corrente no coletor do transistor não dependerá do valor do resistor RC.
Reta de Carga e o Ponto Q - Uma fonte de corrente tem o ponto Q em algum
lugar da reta, diferente dos dois pontos extremos. Por razões que ficarão óbvias
no estudo dos amplificadores, a melhor localização do ponto O está no centro
geométrico da reta de carga. Veja o gráfico 26:
Condições suficientes para o funcionamento da fonte de corrente - Vamos

apresentar uma boa técnica para garantir que o ponto Q esteja localizado no
centro da reta de carga. Considerando o circuito da fonte de corrente visto, as
regras são as seguintes:
• 1° regra - faça VCEQ a metade da fonte Vcc. Matematicamente: VCEQ =
Vcc / 2.
• 2° regra - faça Vrc = 0,4Vcc.
• 3° regra - faça VRE = 0,1Vcc.
• 4° regra - escolha a corrente de saturação ICSAT de modo que ela seja o
dobro do valor desejado para ICQ.
• 5°regra - calcule os resistores Rc e RE para o funcionamento correto da
fonte de corrente.
Outros transistores especiais
Fototransistor - É um transistor otimizado para operar a partir da luz. Existe urna
janela transparente para incidência de luz (fótons). A luz converge para a junção
base-coletor reversa, diodo reverso, e quebra ligações covalentes na banda de
valência. Os elétrons são elevados à banda de condução e podem circular lá
como elétrons livres. A quantidade de elétrons na banda de condução é
proporcional à intensidade da luz adequada ao funcionamento do dispositivo,
aquela que possui o comprimento de onda certo e pode ser visível ou não.
Em um circuito com transistor, se abrimos o terminal do emissor (IE = 0A) e
usarmos a relação IC=.IB devemos achar IC=0A (com o diodo coletor polarizado
reversamente). Se, no entanto, montarmos o circuito na prática e usarmos um
instrumento sensível a correntes na faixa dos nA, iremos medir uma Ic e,
baseados na equação anterior, não teremos como explicar o surgimento desta. A
resposta para essa questão está nos portadores criados terrnicamente. Essa
corrente que circula recebe a designação de Icbo (corrente de coletor para base
com o emissor aberto).
Os fótons da radiação luminosa dão origem a uma corrente denominada ‘CEO
quando aplicados à janela, porque na maior parte das aplicações o terminal da
base permanece aberto. A relação desta com a ICBO é:
I CQ   .I CBO
Como ICBO é a corrente reversa no diodo coletor e ela é a mesma que circula
no fotodiodo, concluímos que o fototransistor produz beta vezes mais corrente
que o precursor a diodo.
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Veja na figura 8.23 o símbolo e as analogias funcionais para facilitar a

compreensão do componente. O terceiro esquema mostra uma forma de controle
de sensibilidade à luz do circuito, através do resistor variável RB. Todavia, a
maneira mais empregada na prática é com a base aberta.
Optoacoplador com fototransistor - Como o fototransistor é um receptor de luz

e atua somente na presença dela, os fabricantes oferecem um pequeno Cl que
incorpora o par emissor-receptor. Este par é bastante aplicado na isolação elétrica
entre circuitos eletrônicos. Veja a figura 8.24.
Transistor multiemissor e multicoletor - Este não é um novo transistor, apenas

uma conexão de vários TBJs, conforme o esquema a seguir:
Observação
No caso do transistor multiemissor, basta que um dos transístores tenha o
emissor colocado, por exemplo, no terra para que todas as bases estejam em
0,7V De forma equivalente, se no símbolo um dos emissores vai ao terra, a base
assume 0,7V de potencial e circulam as correntes e IB correspondentes à
quantidade de emissores em condução. No caso do multicoletor é necessário que
pelo menos um dos transístores tenha o coletor em VCC através de Rc, para
existir IB e IE.
Transistor Darlington
Consiste em uma conexão de dois transistores. O emissor do primeiro vai à base
do segundo; os coletores são ligados juntos e à base do primeiro. O emissor do
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segundo e a conexão em comum dos coletores são: a base, o emissor e o coletor

do Darlington, respectivamente. A razão principal da conexão é a obtenção de um
transistor cujo beta é o produto de 1 e 
2•
Observação
Note que o VBE, para este transistor, vale 1,4V
Polarização do transistor bipolar
Esta seção apresenta algumas formas de polarizar um transistor para que ele
funcione linearmente (na região ativa), o que significa estabelecer o ponto Q
próximo ao meio da reta de carga. Os amplificadores de pequeno sinal e os da
classe A exigem o ponto O nesta localização. Vamos mostrar, por fim, algumas
formas de polarização que não fixam o ponto Q no centro da reta de carga, úteis
em amplificadores da classe B.
Todos os circuitos vistos anteriormente usavam duas ou mais fontes. Agora
iremos estudar condições de polarização para circuitos transistorizados a partir de
uma fonte de tensão e redes resistivas. Começaremos analisando o pior deles,
avaliando os aspectos que o tornam ruim, e evoluiremos até chegar a excelentes
circuitos polarizadores do TBJ.
As técnicas de análise de circuitos polarizadores são as leis de Kirchhoff, de

Ohm e a relação entre Ic e Ib () no transistor, quando necessária. Poderíamos
descrevêlas em etapas genéricas, assim:
1° etapa - aplique a lei de kirchhoff para tensões em uma malha que tenha
pontos em comum da base com o coletor e/ou emissor.
2° etapa - na relação obtida aparecerão IB, IC e IE (eventualmente) como
incógnitas. Faça Ic = IE quando necessário, e use Ic=.IB para lidar com apenas
uma variável desconhecida. Escolha a que melhor lhe convém.
3° etapa - trace a reta de carga e marque o ponto Q para verificar a
localização do mesmo. Isto evita possíveis transtornos com o ponto indo à
saturação ou ao corte.
Polarização da base
Use a configuração transistor como chave, mas evite polarizar o transistor no
corte ou na saturação. A fonte VBB foi eliminada através da conexão do resistor
RB à fonte VCC. Desta maneira, a corrente iB provém da fonte VCC e alimenta a
base. A junção base-emissor é polarizada diretamente, com a base 0,7V acima do
terra. Necessita-se, então, providenciar uma corrente Ic - e conseqüentemente
uma IB - que torne a tensão Vc maior 0,7V, visando reverter a polarização do
diodo coletor. Avalie a configuração ilustrada na figura 8.27.
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Polarização por realimentação do coletor

Também chamada autopolarização, constitui avanço significativo em relação
àpolarização da base. Esta forma é alternativa útil quando o requisito economia
prevalece. A estrutura contém um mínimo de componentes (dois resistores
apenas) e tem uma resposta não estável, mas satisfatória. Observe-a:
Ação da realimentação - Realimentar, em eletrônica, significa ter a saída, ou

parte dela (como é mais usual), conduzida de volta à entrada. È uma das idéias
mais profundas e notáveis da eletrônica. Aqui vamos apenas mostrar a ação da
realimentação para estabilizar a polarização do transistor. Os conceitos
fundamentais da reaiimentação serão desenvolvidos no futuro.
Admita que a temperatura se eleve, aumentando o valor da corrente Ic do
transistor. Tão logo a corrente aumente, a queda de tensão em Rc também
aumenta, tornando Vce menor. Como Vce é a tensão aplicada à malha da base,
temos que Ib também diminui. Se Ib diminui, Ic volta a diminuir, compensando o
aumento do beta.
Na prática, a compensação não é perfeita, pois a proporção em que Ic
aumenta não é a mesma em que Ib diminui. Isto explica a mudança no ponto Q
quando ocorrem variações no beta ou na corrente do coletor / base.
Polarização por divisor de tensão (ou polarização universal)
É a polarização com fonte simples mais usada em circuitos lineares. O
esquema a seguir ilustra a configuração. Observe que, basicamente, temos a
fonte de corrente anteriormente estudada, com a fonte VBB substituída por um
divisor de tensão.
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Aplicando o teorema de Thevenin na base

Abra o terminal da base e aplique o teorema de Thevenin no divisor de tensão.
O resultado é o circuito vislumbrado na figura 8.30:
Sendo VTH e RTH dados por:
RTH= R1.R2 VTH= Vec.R2

R1+R2 R,+R2
Somando as tensões ao longo da malha da base da figura acima, resulta:
VTH – IB x RTH – IE x RE - VBE =0
Como IcIe, então IbIe/cc
Se RE for muito maior, por exemplo 100 vezes, do que RTH / cc então o
segundo termo poderá ser abolido e a equação ficará simplificada:
V  0,7
I E  I C  CC
RE
Um circuito de polarização por divisor de tensão estabilizado é aquele que
satisfaz a condição:
RTH  0,01cc .RE

O divisor de tensão firme é menos rígido e constitui-se em uma segunda
opção, pois às vezes um projeto estabilizado resulta em valores tão pequenos de
R1 e R2 que surgem outros problemas, como consumo excessivo. Neste caso,
muitos projetos são ajustados utilizando-se esta regra:
RTH  0,1cc .RE
Esta regra deve ser satisfeita para o cc mínimo encontrado sob quaisquer
condições. Por exemplo, se um transistor tiver um cc que varie de 80 até 400,
use o valor menor.
Existe uma outra interpretação para a equação completa da corrente de
coletor
Tensões úteis do transistor na polarização universal - É conveniente medir
algumas tensões dos transistores com relação ao terra. As tensões Vc, Ve e Vb
são, respectivam ente:
Vc= Vcc – ICQ.Rc
Ve=ICQ.Re=Vth-Vbe
Vb=Vth
Polarização do emissor
Outra excelente maneira de polarizar um transistor é usar a polarização do
emissor. A diferença essencial é que o emissor é polarizado negativamente em
relação à base, que normalmente fica no terra através de um resistor. Esta é uma
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excelente configuração de polarização quando se dispõe de uma fonte simétrica.

Observe o esquema da figura 8.31:
(V EE )  V BE
I CQ  I E 
Re
Polarização por espelho de corrente
Suponha, no circuito a seguir, que Ib seja muito menor que Ir e Id de forma
que Ib=IR. Note que o diodo D está em paralelo com a junção base-emissor.
Se a curva do diodo D for idêntica à curva do diodo emissor, a corrente do
emissor será igual à corrente no diodo D. Como IcIe verifica-se que Ic é
praticamente a mesma corrente que circula no diodo D.
A noção de espelho vem do último comentário anterior; a corrente no coletor é

o “reflexo” da corrente do diodo D.
Esta idéia é bastante empregada em circuitos integrados lineares, pois
durante a integração é fácil casar a curva do diodo D com a do diodo emissor.
Abaixo temos uma ilustração sobre o que foi dito:
Se existe diferença na sobreposição das curvas, as correntes deixam de ser

iguais; e se o desvio for favorável à Ic (deslocamento da curva do diodo emissor
para a esquerda), pode ocorrer dissipação de potência excessiva no transistor, o
que faz a temperatura aumentar. A temperatura do transistor aumentando
acarreta novo aumento em Ic (pois a curva do diodo emissor desloca-se mais à
esquerda), que, por conseguinte, eleva mais ainda a temperatura do transistor.
Esse processo é conhecido como deriva térmica e, se não for contido, pode ser
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destrutivo para o transistor. Atente ao gráfico a seguir:
Observação
As folhas de dados dos fabricantes especificam o quanto VBE varia com a
temperatura. Na falta do dado correto, uma boa aproximação é que VBE diminui
2mV a cada grau Celsius de aumento na temperatura. Por exemplo: se um diodo
emissor tem uma queda de 0, 7V a 250C, a 1000C a tensão cai para 0,55V
Polarização do par diferencial
A figura 8.33 mostra a configuração básica do par diferencial com TBJ. Ela
consiste de dois “transistores casados”, Q1 e Q2 cujos emissores estão
conectados juntos e polarizados por uma fonte de corrente. Essa fonte é
usualmente implementada com transistor como fonte de corrente ou por meio de
um resistor RE usando a polarização de emissor. Embora cada coletor esteja
conectado ao positivo da fonte Vcc através de resistores Rc, essa conexão não é
essencial ao funcionamento do par e, em algumas aplicações, podem ser
conectados a outros transistores em vez de cargas resistivas. A saída do circuito
é tomada estrategicamente entre os coletores de Q1 e Q2 sendo denominada
equilibrada ou desequilibrada. As entradas são normalmente conectadas no modo
diferencial, ou seja, a diferença entre elas é que faz o ponto Q deslizar sobre a
reta de carga. Observe o circuito:
(V EE )  V BE
I E  I CQ 
2RE
Aplicando uma tensão diferencial na entrada
Para entender como o par diferencial funciona, considere primeiro o caso em que
as duas bases estão conectadas juntas e ligadas a uma tensão VCM (VCM  0V),
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chamada tensão em modo comum. Isto é, conforme indicado na figura a seguir,

VIN1 = VIN2 = VCM.
Como Q1 e Q2 estão casados, implica divisão da corrente do resistor RE

igualmente entre os dois transistores, como verificamos anteriormente. Assim, a
tensão no emissor é dada por:
VE = VCM - VBE
A tensão Vc será Vcc-ICQ. Rc em cada coletor e a diferença de potencial
entre V01 e V02 continua sendo 0V. Concluímos que o valor em modo comum entre
as entradas VIN1 e VIN2 é rejeitado. Essa é uma importante característica do par
diferencial quando ele é usado em CI’s para construção do amplificador
diferencial.
Façamos nova investigação do circuito. Ajustamos agora VIN2 para 0V e VIN1
para +1V. Afigura 8.35 indica essa nova situação:
Com um pouco de análise pode ser observado que Q1 estará conduzindo toda
a corrente IE e que Q2 estará em corte. Devido à condução de Q1, o emissor dos
transistores terá 0,3V, que mantém à junção base-emissor de Q2 reversamente
polarizada. As tensões de coletor serão Vc1 = Vcc - ICQ.Rc e Vc2 = Vcc. Portanto,
VO=ICQ.RC.
Seja, agora, VIN2 para 0V e VIN1 para -1V, como ilustra a figura 8.36.
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Outra vez pode ser observado que Q1 estará em corte e Q2 conduzirá toda a
corrente Ie• O emissor dos transistores terá - 0,7V, implicando polarização reversa
da junção base-emissor de Q1 em 0,3V. As tensões de coletor serão Vc1 = Vcc e
Vc2 = vcc – ICQ.Rc. Portanto, Vo=ICQ.Rc
Pelos resultados obtidos, notamos que o par diferencial certamente responde
no modo de diferença ou modo diferencial. Realmente, com diferenças de
potenciais relativamente pequenas, somos capazes de controlar a corrente de
polarização total de um lado do par para o outro. Essa propriedade permite usá-lo
até em circuitos lógicos, embora quase todas as aplicações sejam circuitos
lineares integrados.
Para o par com saída desequilibrada, todos os valores das correntes
permanecem os mesmos e a análise matemática é inteiramente análoga. A
diferença essencial é que sempre a saída V0 é retirada do resistor Rc de Q2•
Transistores PNP
Temos dado preferência gratuita ao transistor NPN sem nenhuma justificativa
plausível. A questão da utilização prática não influenciou nossa decisão, pois
ambos (NPN e PNP) são igualmente empregados. Até mesmo os autores de
livros fazem o estudo de um transistor e depois introduzem o outro como
extensão natural. Nosso caminho será o mesmo.
Polarização do transistor PNP
Lembre-se que nosso interesse primordial é operar o transistor na região ativa
ou linear, porque estamos prontos para introduzir os circuitos amplificadores.
Nessa região a junção base-coletor deve ser polarizada diretamente, enquanto a
junção baseemissor deve estar reversamente polarizada. Como no transistor PNP
mudam-se todas as polaridades em relação ao NPN, a base deve estar 0,7V mais
negativa que o emissor e positiva em relação ao coletor, ou seja, o coletor deve
estar mais negativo que a base para reverter a polarização do diodo coletor. A
seguir temos uma ilustração mostrando os dois transistores. Sugerimos que você
memorize uma polarização e, sempre que precisar, inverta todas as polaridades
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Observação
Não estranhe o desenho do transistor PNP de cabeça para baixo. Em esquemas
eletrônicos ele normalmente aparece assim. A razão da inversão do transistor
PNP será dada ainda nesta seção.
Outro detalhe que devemos avaliar é o sentido convencional das correntes no
transistor PNP. Obviamente, são todas ao revés das correntes do transistor NPN.
Observe as figuras mostrando todos os sentidos nos dois transistores:
Diodo a partir do transistor

Para construir diodos a partir de transistores bipolares basta conectar a base
ao coletor e usar o diodo emissor como um diodo comum. Essa técnica é
bastante empregada em espelhos de corrente em CI’s, pois é mais fácil ajustar as
curvas do diodo emissor se os transistores forem idênticos. Veja as conexões:
Deslocando o terra
Não há misticismo envolvendo o símbolo de terra em esquemas de circuitos
eletrônicos. Ele é apenas um referencial no qual são ligadas muitas conexões em
comum, normalmente pólos de fontes (mais comumente o negativo). Desde que
um e apenas um dos pólos de uma fonte seja conectado ao terra, podemos
deslocá-lo de um lado para o outro sem comprometer o funcionamento do circuito
(se se conectam os dois pólos de uma mesma fonte ao terra, fica caracterizado
um curto-circuito). Vamos elucidar essa questão com exemplos.
• Exemplo
Redesenhar a polarização universal com o positivo da fonte V 00 ligado ao terra,
em vez do negativo.
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Não fizemos absolutamente nada ao circuito original acima. Inicialmente, o nó

1 estava Vcc volts mais positivo que o terra (onde criamos o nó 2). No circuito
redesenhado, continuamos tendo o nó 1 Vcc volts mais positivo que o nó 2, mas
agora o terra está ligado nele. As correntes permanecem circulando com os
mesmos sentidos e valores originais. A única diferença significativa é que o
circuito redesenhado está em uma forma não muito convencional de desenhar e
parece estranho aos olhos da maioria dos profissionais da eletrônica. Alguém
poderia perguntar: “Mas já que a alteração não afeta em nada as correntes e
tensões, por que tivemos o trabalho de redesenhar o circuito?” Nossa resposta é:
“Pretendemos usar a idéia, não muito proveitosa aqui, para tornar as polarizações
de transistores PNP aprazíveis aos olhos”.
A seguir observa-se algo que jamais deve ser feito na prática: o uso de dois
terras em referenciais diferentes.
Observação
Na etapa 1, desenha-se o circuito mostrando a fonte e qual pólo está ligado ao
terra. Na etapa seguinte, desloca-se o terra para o outro pólo, deixando sem
referencial o pólo que possuía o terra. Por último, mostra-se o novo referencial
aterrado, omite-se o pólo onde está ligado o terra e troca-se o sinal da fonte de
tensao.
Circuitos polarizadores com transistor PNP
Abaixo temos exemplos de duas polarizações envolvendo transistor PNP.

Observe que apenas retiramos o transistor NPN e invertemos a fonte em cada
caso. Em seguida usamos o deslocamento do terra para redesenhar os circuitos
com o transistor de cabeça para baixo:
• polarização por divisor de tensão;
• polarização da base.
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Da penúltima para a última etapas, faz-se uma rotação de maneira que traga o
positivo da fonte Vcc para cima e o terra para baixo, como é de costume. Isto põe
o transistor PNP com o emissor em cima ou de cabeça para baixo.
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Reguladores de tensão
Reguladores de tensão são circuitos eletrônicos que mantém, em sua saída,

uma tensão elétrica constante, mesmo que os valores de carga e da tensão de
entrada variem, logicamente, dentro de uma faixa máxima de variação prefixada.
A forma básica de um regulador de tensão é o regulador shunt ou regulador
paralelo.
Regulador shunt ou paralelo
Um regulador shunt fica localizado em paralelo com a carga RL. O regulador
shunt básico é construído empregando-se um diodo zener, sendo que a tensão de
entrada V para este e para os outros circuitos reguladores é habitualmente a
saída de um retificador de onda completa, que utiliza um filtro capacitivo. A figura
9.1 mostra um circuito regulador shunt com diodo zener.
As equações que podem ser usadas para este circuito são:

IL= Ii - Iz
VL=VÍ - IÍ.Rl
A seguir mostraremos um regulador shunt utilizando transistor em conjunto

com o diodo zener. A tensão em cima da carga é a soma da tensão zener V~ com
a queda de tensão VBE do transistor.
VL = Vz + VBE
Regulador série
As características de uma regulador de tensão podem ser melhoradas
consideravelmente, usando-se dispositivos ativos tais como o transistor. Na figura
9.3 temos o regulador de tensão tipo série a transistor mais simples possível.
Nesta configuração podemos dizer que o transistor se comporta como um resistor
variável cuja resistência é determinada pelas condições de operação.
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Para uma carga RL decrescendo ou crescendo, RI deve mudar da mesma

maneira e na mesma proporção a fim de manter a mesma divisão de tensão.
Devemos lembrar que a regulação de tensão é determinada a partir das
variações na tensão dos terminais, em função da demanda da corrente de carga.
Para o circuito acima, uma demanda de corrente crescente associada a um RL
decrescente resultará em uma tendência de VL diminuir. Aplicando a lei de tensão
de Kirchhoff à malha de saída, teremos:
VL = Vz + VBE
Uma diminuição em VL (sabendo que Vz é uma tensão fixa) resultará em
aumento em VBE. Como conseqüência, este efeito produzirá aumento no nível de
condução do transistor, resultando em diminuição na resistência em seus
terminais (coletor-emissor). Este efeito faz com que a tensão VL se mantenha
constante.
Regulador com realimentação da tensão
O coeficiente de temperatura de um diodo zener varia de negativo a positivo
entre 5V e 6V. Desta forma, os diodos zener com tensões de ruptura nesta área
terão coeficientes de temperatura de aproximadamente zero. Em aplicações
críticas, as tensões zener próximas de 6V são utilizadas porque se mantêm
praticamente constantes quando a temperatura varia ao longo de uma grande
faixa. Esta estabilidade da tensão zener, às vezes chamada de tensão de
referência, pode ser amplificada através de um amplificador com realimentação
negativa, obtendo-se, desta forma, uma tensão de saída com valores mais
elevados e com a mesma estabilidade de temperatura que a tensão de referência.
A figura 9.4 mostra um regulador com realimentação da tensão discreto. O
transistor Q2 é chamado de transistor de passagem, pois toda a corrente de carga
passa por ele. Na saída temos um divisor de tensão que amostra o valor da
tensão na carga e emite uma tensão de realimentação VF para a base de Q1. A
tensão de realimentação VF controla a corrente do coletor de Q1, que, por sua
vez, controla a corrente de emissor de Q2 o qual controla a tensão de saída.
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A tensão de entrada V é proveniente de um retificador com filtro capacitivo com

ondulação típica de pico a pico (ripple) de aproximadamente 10% da tensão CC.
A tensão de saída VL praticamente não tem ondulação, sendo quase
perfeitamente constante, mesmo que a tensão de entrada e a corrente de carga
possam variar. Isso ocorre porque qualquer variação na tensão de saída produz
uma tensão de erro que compensa automaticamente a variação tendida.
Por exemplo: se a tensão de saída tende a aumentar, o sinal VF também
aumenta, proporcionando uma corrente de coletor maior para 01, fazendo com
que a corrente de base de Q2 diminua, provocando diminuição da tensão de
saída.
Equações
VF = Vz + VBE
R1  R 2
VL  .V F
R2
O transistor de passagem está em série com a carga. É por isso que o circuito
échamado de regulador série. A principal desvantagem de um regulador série é a
dissipação de potência no transistor de passagem.
PD  VCE .I C
Quando a corrente de carga é intensa, o transistor de passagem precisa
dissipar muita potência. Isto implica maiores dissipadores de calor e uma fonte de
alimentação mais potente.
Limitação de corrente
A figura 9.5 mostra uma forma simples de limitar a corrente de carga em valores
seguros, mesmo que a saída seja curto-circuitada. O resistor R4 é um sensor de
corrente. Esse resistor produz uma tensão que é aplicada aos terminais base-
emissor do transistor Q3. Se a corrente de carga IL for menor que VBE/R4, a
tensão VR4 será menor que VBE de Q3. Nesse caso, Q3 está em corte e o
regulador funciona normalmente. Quando a corrente de carga IL for maior que
VBE/R4, a tensão sobre o resistor R4 será maior que VBE de Q3, fazendo, com
que este transistor entre em condução. A corrente de coletor de 03 circula através
de R3, diminuindo a tensão na base de Q2• Isto faz com que haja diminuição de
tensão na carga. Na realidade temos uma realimentação negativa, pois o
aumento inicial de corrente na carga produz diminuição na tensão de carga. Essa
realimentação negativa se torna mais intensa para uma queda em R 4 entre 0,6 e
0,7V.
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Regulação de tensão
A qualidade dos circuitos reguladores depende basicamente da tensão de
carga, corrente de carga, regulação de carga e de linha, ondulação e outros
fatores. Veremos agora duas características muito importantes: regulação de
carga e regulação de linha.
Regulação de carga
Um regulador tem boa regulação de carga quando o valor da tensão de saída
sem carga é o mais próximo possível do valor da tensão de saída com carga
máxima. A regulação de carga pode ser expressa em porcentagem e calculada
conforme a equação:
%LR = VNL — VFL .100%

VFL
Onde
LR - regulação de carga
VNL - tensão de carga sem corrente de carga
VFL- tensão de carga com corrente de carga máxima
Regulação de linha
A tensão da rede elétrica tem valor nominal em torno de 127V para alguns
locais e 220V para outros. Dependendo da demanda de energia, essa tensão da
rede pode assumir valores diferentes de 127V ou 220V. Variações na tensão de
rede de até +/- 10% são admissíveis, pois isto está previsto em contrato com a
concessionária de energia. A tensão de rede alimenta normalmente um
transformador, que, por sua vez, alimenta um retificador de onda completa. A
saída filtrada deste retificador tem seu valor de tensão proporcional ao valor de
tensão da rede e será ligada à entrada do regulador. Se houver alguma variação
na tensão de rede, provavelmente haverá variação na tensão de entrada do
regulador, o que poderá ocasionar variação na tensão de saída do regulador de
tensão. Quando houver variações na tensão de rede e a tensão de saída regulada
permanecer praticamente inalterada, o regulador de tensão terá boa regulação de
linha. A regulação de linha pode ser calculada a partir da equação:
%SR VHL - VLL .100%

Vnom
Onde
SR - regulação de linha
VHL - tensão de carga com tensão de linha alta
VLL - tensão de carga com tensão de linha baixa
Vnom - tens ão de carga nominal
Reguladores monolíticos
Os reguladores monolíticos são reguladores de tensão sob a forma de circuitos
integrados disponíveis em invólucros de três terminais. O circuito interno
incorpora uma fonte de tensão de referência com compensação de temperatura,
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um circuito amplificador de erro, um circuito imitador de corrente e estabilizador

térmico, e finalmente um transistor de passagem. Estes dispositivos podem
fornecer correntes de carga de 100mA a 5A, e têm grandes vantagens como
baixo custo e facilidade de utilização. A figura abaixo mostra o diagrama em
blocos de um regulador monolítico. Notemos, no diagrama em blocos, a indicação
de uma corrente IQ, corrente quiescente que flui pelo ponto comum do regulador.
Esta corrente quiescente é de aproximadamente 8mA, e é um dado do fabricante
do regulador.
As séries 78XX e 79XX

As séries 78XX e 79XX são séries de reguladores positivos no caso da 78XX e
negativos no caso da 79XX. Tanto a série 78XX quanto a 79XX têm valores
variados de tensão de saída. A identificação da tensão de saída de cada
regulador é feita da seguinte forma: no lugar de xx é descrito o valor da tensão
para a qual o regulador foi projetado para operar. Por exemplo: o Cl 7805 é um
regulador para tensão positiva de saída igual a 5V. Outro exemplo: o 7912 é um
regulador para tensão negativa de saída de -12V. Os valores para tensão fixa
regulada de saída mais comuns, tanto para a série 78XX como para a série 79XX,
são: 5V e - 5V, 6V e - 6V, 12V e -12V, 15V e -15V, e finalmente 24V e -24V. Os
reguladores das séries 78XX e 79XX são disponíveis em encapsulamentos do
tipo 10 92 e 10220.
Ligando o regulador - A figura 9.7 mostra a forma na qual devemos conectar os
terminais dos reguladores da série 78XX e também a disposição dos pinos para o
encapsulamento do tipo TO220. Os capacitores de desvio C1 e C2 têm a função de
minimizar os efeitos de indutâncias produzidas por fios condutores e melhorar a
resposta a transientes da tensão de saída regulada.
Utilizando regulador fixo para obter tensão ajustável - Apesar dos reguladores
das séries 78XX serem reguladores de tensão fixos, há uma forma de obtermos
tensão de saída ajustável dentro de uma faixa que é sempre acima da tensão fixa
estabelecida pelo fabricante. Acrescentando dois resistores externos R 1 e R2,
poderemos mudar o valor da tensão fixa de saída do regulador. Os reguladores
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de tensão da série 78XX têm sua tensão de saída fixa em relação ao terminal
comum do mesmo. Se o terminal comum de um 7805 estiver conectado ao 0V,
teremos 5V em relação à referência zero volt, mas se aplicarmos uma referência
diferente de zero volt ao terminal comum teremos uma tensão de saída que será
a soma da tensão fixa com a tensão de referência aplicada, isto em relação ao
zero volt. A figura 9.8 nos mostra a forma como devemos ligar o regulador para
obtermos tensões diferentes do valor fixado pelo fabricante e a equação para
calculo da tensão de saída V0.
Vreg
VO  Vreg  ( I Q  ).R2
R1
Onde
Vo - tensão de saída
Vreg - tensão de saída fixa do regulador (dado do fabricante,)
IQ- corrente quiescente (dado do fabricante, aproximadamente 8mA)
Reforçadores de corrente para reguladores monolíticos
Os reguladores de tensão de três terminais têm uma corrente máxima de
carga que eles são capazes de fornecer antes que o desligamento térmico ocorra.
Se necessitarmos de correntes mais elevadas nos reguladores, uma forma
eficiente de conseguir este acréscimo é mostrada na figura 9.9. Veja que a
corrente de carga é a soma da corrente do regulador com a corrente do coletor de
Q1.
A corrente máxima que irá circular pelo regulador é determinada por R~, pois
quando a queda de tensão em Rs for de 0,6V o transistor Q1 entrará em
condução, suprindo corrente extra para a carga. A equação para calcular Rs é
demonstrada logo em seguida.
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Io = Is + Isc
VRS = VBE
VBE = Rs.IRs
Rs= VBE
IRS
Com a opção de colocar um transistor reforçador de corrente, perdemos a
característica de limitação de corrente máxima do regulador. Afigura 9.10 mostra
uma forma de termos um limitador de corrente para proteção do circuito
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Amplificadores de potência em áudio
Os estágios amplificadores, estudados até este ponto, tratam da amplificação

de sinais com maior ênfase no ponto de vista de tensão. Porém, para que
possamos aplicar estes sinais à carga, que geralmente têm valor de resistência
baixo, alguns poucos Ohms, é necessário que eles sofram também uma
amplificação de corrente. Do exposto, entende-se claramente que os sinais a
serem amplificados passam por estágios amplificadores de tensão e corrente, isto
é, são amplificados em potência para acionar a carga. Os transistores do estágio
final de amplificação (potência) dissipam grande quantidade de calor, visto que,
neste, a potência do sinal é elevada (acima de 0,5W). Deve-se tomar o cuidado
de montá-los em irradiadores de calor (dissipadores), a fim de que possam trocar
de calor com o meio externo, evitando a sua destruição por dissipação excessiva
de potência. Os transistores dos estágios iniciais são de potência inferior (abaixo
de 0,5W) e não necessitam de dissipadores. Estes estágios recebem a
denominação de pré-amplificadores.
Os amplificadores de potência que discutiremos operam em três classes
distintas, que são: A, B e AB.
Classe A
Na operação classe A, o transistor é polarizado na região linear ou ativa, isto é,
não entrará em corte ou saturação durante todo o ciclo do sinal de entrada.
O ponto Q deve situar-se aproximadamente no meio da linha de carga CC.
Analisaremos, a seguir, parâmetros importantes dos amplificadores EC, a fim de
que possamos entender melhor o funcionamento em classe A.
Linha de carga CC
Vimos que, fazendo os capacitores análogos a chaves abertas, o circuito
anterior é reduzido ao seu equivalente CC, de onde podemos obter as equações
dos pontos de saturação e corte da linha de carga CC. A figura 10.2 ilustra o que
foi descrito.
____________________________________________________________
____________________________________________________________
VCC
I CSAt  (Saturação)
Rc  Re
Vce  Vcc (corte)
O ponto de trabalho ou quiescente (Q) encontra-se plotado na linha de carga
CC, evidenciando a corrente quiescente de coletor (ICQ) e a tensão quiescente
de coletor
(VCEQ).
Linha de carga CA
Do ponto de vista da corrente alternada, fazemos os capacitores análogos a
chaves fechadas e a fonte (Vcc) em curto, obtendo assim o circuito equivalente
CA, mostrado na figura 10.3, de onde equacionamos e traçamos a linha de carga
CA.
Para a saturação, VCE = 0, a corrente ICSAT é dada por:

VCEQ
I CSAT  I CQ 
rc
E no corte Ic = 0, a tensão CA de coletor é dada por:
VCECORTE  VCEQ  iCQ .rC
Sendo
ICSAT - corrente CA de saturação
ICQ - corrente contínua do coletor
VCEQ - tensão CC do coletor-emissor
rc -resistência CA vista pelo coletor (Rc// RL)
O gráfico 34 ilustra as duas linhas de carga (CC e CA) sobrepostas em um
único gráfico, a fim de que se possa visualizar o quanto podemos deslocar o
ponto quiescente (Q) sem distorção do sinal (ceifamento).
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Compliance CA de saída (PP)

Compliance CA é o máximo valor de tensão pico a pico na saída de um
amplificador sem ceifamento, ou seja, é quanto o ponto Q pode se deslocar ao
longo da linha de carga CA sem atingir os pontos de corte e saturação. O gráfico
35 ilustra o que foi descrito.
Sabendo-se que a tensão CA de corte é igual VCEQ + ICQ. rc, a maior

excursão positiva do sinal partindo do ponto Q será VCEQ + ICQ.rc - VCEQ,
portanto igual a ICQ.rc
Analogamente, considerando a tensão CA de saturação idealmente zero, a
máxima excursão negativa partindo do ponto Q será 0 - VCEQ, portanto igual a
-VCEQ.
A compliance CA de saída de um amplificador EC é dada pelo menor destes
dois valores aproximados:
PP = 2ICQ.rc ou 2VCEQ
Sendo a linha de carga CA o recurso mais importante para o cálculo da
compliance CA de saída, passaremos a analisar a linha de carga de outros
amplificadores.
Coletor comum ou seguidor de emissor
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Sabendo que o sinal de saída é retirado no emissor do transistor, a resistência

CA vista neste ponto (re) é igual a:
re =Re //RL
A corrente CA de saturação e a tensão VCE de corte são obtidas por meio de
deduções matemáticas idênticas às que foram apresentadas para o amplificador
EC, sendo seus respectivos valores iguais a:
VCEQ
I CSAT  I CQ  e VCEcorte  VCEQ  I CQ .re
re
A compliance CA de saída é menor que:
•PP=2ICQ.re ouPP=2VCEQ
Base comum
As análises feitas para o amplificador EC são válidas para o amplificador em

base comum, considerando-se a grande aproximação entre eles. Assim sendo, a
compliance de saída é aproximadamente a mesma. Então, temos:
rc= Rc// RL
PP =2ICQ.rC ou PP =2VCEQ
Amplificador Linearizado (com realimentação parcial) no emissor
Serão, mais uma vez, omitidas as deduções matemáticas para a linha de

carga CA, visto que são idênticas às já apresentadas. Portanto, temos que a
corrente de saturação é igual a:
VCEQ
I CSAT  I CQ  e VCEcorte  VCEQ  I CQ .(re  Re 1)
re  Re 1
A compliance CA de saída é igual a:
____________________________________________________________
____________________________________________________________
rc
PP =2ICQ.rC ou PP =2VCEQ
rc  Re 1
Compliance máxima de saída
Em se tratando de amplificador para grande sinal, a localização do ponto Q éde
fundamental importância para obtermos, na saída, a máxima compliance.
Conforme visto anteriormente, com o ponto Q no meio da reta de carga CC, não
podemos ter excursões iguais positivas e negativas do sinal, uma vez que o des-
locamento do ponto Q ao longo da linha de carga CA é maior em direção à
saturação do que em direção ao corte. O gráfico 36 ilustra o que foi descrito.
Assim, devemos satisfazer as seguintes relações para cada amplificador

básico, a fim de obtermos a máxima excursão positiva e negativa do sinal ao
longo da linha de carga CC:
ICQ . rc = VCEQ, para estágio em emissor comum;
ICQ . re = VCEQ, para estágio em coletor comum;
rc
ICQ . rC = VCEQ ,para estágio com realimentação parcial de
rc  Re 1
emissor.
Analisaremos, a seguir, alguns parâmetros importantes do amplificador classe A
mostrado na figura 10.7.
Ganho de tensão (Au)

Conforme já estudado, o ganho de tensão é a relação entre a tensão de saída e a
tensão de entrada. Usando um pouco de álgebra podemos determinar, por uma
relação direta, o ganho de tensão sem carga e com carga, conforme mostrado a
seguir:
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Rc
Av   (sem carga)
r' e
Como rc= Rc II RL, tem-se:
rc
Av   (com carga)
r' e
Ganho de corrente (Ap)
O ganho de corrente é a relação entre as correntes CA’s de coletor e de base,

podendo ser aproximada ao  com erro desprezível.
ic
Ai   
ib
Ganho de potência (Ar)
O ganho de potência é a relação entre a potência de saída (P 0) e a potência
de entrada (Pin) de um amplificador, expresso matematícamente por:
• Ap= P0 / Pin,
Sendo
P0 =-V0.ic e Pin= Vin.ib, temos:
Ap   Av. Ai
Onde
Ap - ganho de potência
Av- ganho de tensão
Ai - ganho de corrente
Vo - tensão de saída
Ic-- corrente de coletor
Vin- tensão de entrada
Ib- corrente de base
Potência na carga (PL)

Corresponde ao valor de potência CA na saída do amplificador, isto é, sobre a
carga.
Considerando os valores de tensão eficaz e de resistência de carga, a potência
(PL) é dada por:
V L2
PL 
RL
sendo VL=0,707Vmáx e Vmáx=Vpp / 2,tem-se:
0,707Vpp
VL 
2
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Então, substituindo na equação da potência na carga, tem-se:
V 2 pp
PL 
8RL
Considerando que o maior valor de tensão pico a pico não ceifado na saída de
um amplificador é igual à compliance do mesmo (PP), podemos rescrever a
equação anterior para a máxima potência na carga (Plmáx) Assim, teremos:
PP 2
PLMÁX 
8RL
Potência de dissipação do transistor (PD)

Deve-se tomar o cuidado de especificar a potência nominal do transistor como
sendo maior que a potência quiescente (PDo) visto que a condição crítica de
dissipação de potência ocorre quando não há sinal na entrada do mesmo, ou
seja, PD diminui à medida que a tensão pico a pico na carga aumenta. Assim,
conclui-se que:
PDO= VCEQ. ICQ
P D(máx)PDO
Sendo
PDO - potência de dissipação quiescente
VCEQ - tensão entre coletor-emissor quiescente
ICQ-corrente de coletor quiescente
PD(máx) - potência de dissipação máxima
Rendimento ou eficiência do amplificador em porcentagem (‘r~%)
Corresponde à relação entre a potência CA em RL com a potência entregue
pela fonte Vcc.
P
  L .100%
Pcc
Sendo
PL- potência CA em RL
Pcc- potência da fonte V~0
O rendimento máximo da classe A com acoplamento RC é de 25%.

Classe B
Na operação em classe B, o transistor é polarizado de modo a operar no corte;
o mesmo só conduzirá quando for aplicado o sinal.
Para o transistor conduzir, deve-se ter uma tensão VBE acima de 0,5V (limiar
da condução dos transistores de silício).
Como não há polarização CC de base, tem-se que o transistor só irá conduzir
____________________________________________________________
____________________________________________________________
quando o sinal Vg ultrapassar 0,5V. Isto ocasiona, na saída, uma deformação no

sinal denominada distorção de cruzamento (crossover). O gráfico 37 ilustra o que
foi descrito.
Abaixo são mostradas a curva Ic x VBE e a linha de carga CA do circuito

apresentado.
ICQ=0
VCEQ=Vcc
Eficiência ou rendimento do estágio (ii)

É a relação entre a potência na saída e a potência contínua, dada em
percentual e expressa matematicamente por:
P
  L .100%
Pcc
Amplificador push puII
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Linhas de carga CC e CA - Pelo fato dos transistores estarem polarizados no

corte, a linha de carga CC é vertical, representando risco de surgimento de
correntes elevadas, visto que uma redução significativa no VBE, com a variação
da temperatura, pode deslocar o ponto O para cima na reta de carga CC, uma vez
que o resistor de coletor não existe. No entanto, aceitaremos por ora que o ponto
Q é firme no corte, afastando assim esta hipótese. Para a linha de carga CA,
considerando ICQ=0 VCEQ = Vcc/2 e re = RL, temos:
ICSAT =ICQ+ VCEQ
re
ICECORTE= VCEQ + ICQ.re
então:
Vcc
I CSAT  e
Vcc
I CECORTE 
2 RL 2
O gráfico 39 ilustra o que foi descrito.
Funcionamento
• Quando o sinal de entrada (Vg) for positivo, temos somente Q1 conduzindo.
• Quando Vg for negativo, temos somente Q2 conduzindo.
• A tensão de saída está em fase com Vg.
• A fonte (Vcc) só fornecerá corrente quando o transistor (Q1) conduzir.
• Os transistores Q1 e Q2 estão na configuração seguidor de emissor (coletor

comum) e, com isso, temos:
rb
Zsaida  r ' e 

Sendo rb a resultante da associação paralela das resistências conectadas à
base dos transistores.
• Alta impedância de entrada (na base).
Zent (base) = (RL + r’e)
• Alto ganho de corrente (Ai).
A1=
____________________________________________________________
____________________________________________________________
• Ganho de tensão unitário (A~).
RL
Av = 1
RL  r ' e
Menor distorção não-linear, visto que os dois semiciclos têm a mesma forma.
A compliance CA na sarda de um amplificador push-pull classe B é maior do que
no amplificador classe A, visto que o transistor que estiver conduzindo pode
deslocar o ponto Q até o extremo da linha de carga (saturação ou corte). Este
valor pode, então, ser expresso matematicamente por:
PP  Vcc
A potência CA da carga é dada por:
V 2 pp
PL 
8RL
Considerando a máxima potência na carga, temos:
PP 2
PLMÁX 
8RL
Potência de dissipação no transistor - Quando não existe sinal aplicado à

entrada do amplificador push pull, praticamente não flui corrente pelos
transistores, ocasionando uma potência dissipada extremamente baixa.
Entretanto, com sinal, os transistores têm grandes excursões de corrente, o que
caracteriza grande dissipação de potência.
A potência máxima dissipada pelo transistor em condução pode ser
determinada por:
PP 2
PDMÁX 
40 RL
Rendimento ou eficiência do estágio (I) - A classe B tem rendimento maior
que a classe A, visto que produz uma potência de saída mais alta, com menor
potência contínua. Conforme dito anteriormente, o rendimento máximo em classe
P
B é dado por:   L .100%
Pcc
Amplificador push pull classe B polarizado ou classe AB
O método consiste em associar as características da classe A e da classe B.
O transistor é polarizado no limiar da condução, isto é, próximo do corte. Proce-
dendo assim, a distorção crossover é praticamente eliminada.
A forma mais simples de polarizar um push pull é com divisor de tensão, conforme
ilustrado na figura 10.11.
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Foi acrescentado o resistor R3, de modo a prefixar as tensões VBE de Q1 e Q2.

A queda de tensão sobre R3 será:
VR3  VBE1  VBE 2
Deve-se ter uma compensação térmica para os transistores Q 1 e Q2, visto que,
aumentando a temperatura, aumenta a corrente de fuga. Também há um
deslocamento da característica Ic x VBE, ou seja, VBE diminui de
aproximadamente 2mV para cada grau Celsius de aumento de temperatura
(-2mV/0C). Como o potencial de R3 é fixo, pode-se desenvolver uma corrente cada
vez maior de coletor, levando o transistor à destruição (região de dissipação
excessiva).
Para evitar que isto ocorra, pode-se adotar o método de polarização por
diodos, aplicando a técnica de espelho de corrente, bastando fazer “casar” as
curvas VBE dos transistores com os diodos. Assim, qualquer aumento na
temperatura irá reduzir a tensão de polarização, imposta pelos diodos
compensadores (D1 e D2). Pode-se melhorar ainda mais a compensação térmica,
inserindo no terminal de emissor dos transistores dois resistores de fio (R4 e R5) a
fim de se limitar o valor da corrente máxima de coletor (ICQ).
Assim, se ICQ tende a aumentar com a elevação da temperatura, e
considerando que os diodos estabilizam a tensão em aproximadamente 1,2V, o
seu valor será limitado a:
1,2  2V BE
I CQMÁX 
R 4  R5
A fim de que não haja perda de energia significativa nos resistores (R 4 e R5),
devese fazer:
RL
R 4  R5 
10
Afigura 10.12 ilustraoque foi descrito:
____________________________________________________________
____________________________________________________________
A fim de tornar mais fácil e preciso o casamento das curvas VBE dos
transistores com as dos diodos de compensação térmica, pode-se utilizar
transistores iguais a Q1 e Q2 de tal forma que se comportem como diodos, ou
seja, com os terminais de base ecoletorem curto, conforme ilustrado na figura
10.13.
Outra maneira de fazer a compensação térmica é utilizando termistor NTC

entre os terminais de base dos transistores Q1 e Q2• Aumentando a temperatura,
a resistência do NTC diminui, o que faz diminuir a tensão entre as bases, não
deixando Q1 e Q2 conduzir intensamente. A figura 10.14 ilustra o que foi descrito.
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Para aumentar a sensibilidade do NTC, utiliza-se o mesmo juntamente com

um transistor, conforme mostrado na figura 10.15.
Aumentando a temperatura, a tensão entre os pontos A e B (VAB) diminui,

devido ao fato de a resistência do NTC diminuir.
Em altas potências, deve-se utilizar transistores Darlington no lugar de 01 e
(Fig. 10.16). Neste caso temos:
• impedância de saída (Zo) muito baixa

• alto ganho de corrente (Ai);
• impedância de base maior (Zbase).
Dissipadores de calor
A potência desenvolvida sob forma de calor no coletor dos transistores de saída
émuito alta, fazendo valer algumas considerações importantes. Por exemplo, à
temperatura ambiente (250C), a troca de calor entre o meio ambiente e a cápsula
(invólucro) do transistor, que poderá ser metálica ou plástica, pode ser suficiente
para uma determinada condição de funcionamento do equipamento. Porém, com
o aumento desta temperatura, esta troca de calor para a mesma condição anterior
de trabalho poderá não sertão eficiente, fazendo com que os transistores
permaneçam quentes por uma faixa de tempo, tendo como conseqüência o
surgimento de uma corrente reversa nos terminais de coletor. Esta corrente,
somada ao nível quiescente, faz com que a dissipação de potência nos
transistores seja ainda maior. Este efeito é cumulativo e termina por levar os
transistores à destruição. A este fenômeno denominamos deriva térmica.
Uma forma de minimizar este efeito é fazer com que a área da superfície do
encapsulamento do transistor seja aumentada. Para isso utilizamos os
dissipadores de calor, que são massas metálicas (chapas de metal) de modelos
variados, podendo ou não ser alteradas, com o propósito de melhorar a
transferência de calor do encapsulamento para o meio ambiente. Em alguns
casos, o terminal de coletor é conectado a uma placa metálica ou à carcaça do
encapsulamento, a fim de facilitar a conexão com o dissipador e melhorar a
dissipação de calor. Quando isso acontece, é necessário, às vezes, isolar o
terminal de coletor do terra do circuito. Para isso, são utilizados isoladores de
mica, por se tratar de um material que é bom isolante elétrico e condutor térmico.
Outros acessórios são amplamente utilizados, como, por exemplo, isoladores
plásticos (buchas) para isolar terminais e/ou parafusos de fixação, pasta térmica
para reduzir a resistência térmica entre o dissipador e o encapsulamento, entre
outros.
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Transistor de junção por efeito de campo (JFET ou FET)
É um dispositivo semicondutor que requer um campo elétrico para o controle

de sua corrente de operação. E, também, conhecido como transistor unipolar, por
possuir apenas um tipo de portador de corrente (elétrons ou lacunas).
JFET = Junction Field Effect Transistor
Comparação entre FET e transistor bipolar
• O FET tem impedância de entrada muitas vezes maior.
• O FET tem comutação mais rápida.
• O FET apresenta elevada sensibilidade térmica.
• O FET quase não gera ruídos.
• O FET tem ganhos e potências de trabalho menores.
Tipos de FET
Classificação da família FET

De junção (FEl) Tipo depleção Canal tipo N e tipo P
Tipo depleção Canal tipo N e tipo P
Tipo
Canal tipo N e tipo P
De porta isolada intensificação/Indução
(MOSFET ou IGFET) VMOS! DMOS ! TMOS Canal tipo N e tipo P
Híbrido com TBJ
(IGBT)
De arsenieto de gálio - GaAs Tipo depleção
Canal N
GaAsFET ou MESFET
Transistor de efeito de campo de junção (JFET)

A figura 11.1 mostra a seção em corte de um JFET canal N. A região
denominada substrato é feita de material do tipo P, no qual está incrustado o
material do tipo N para produzir o canal. Os terminais nas extremidades do canal
são conhecidos como dreno (D - drain) e fonte (S - source). No centro do material
tipo N existe outra região tipo P, denominada porta (G - gate).
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Polarização de um JFET
As ilustrações mostram as formas corretas de polarização da junção porta-
canal para os dois tipos de JFET de depleção existentes.
Normalmente o substrato é conectado internamente no terminal de porta.

Como veremos, isso aumenta o controle sobre o canal.
Note que não há necessidade de resistência na porta, pois em ambos os
casos a junção porta-canal deve estar reversamente polarizada. A polarização
direta na porta-canal não tem significado, em termos de controle da corrente IDS
e deve ser evitada para manutenção das características do JFET.
Princípio de funcionamento
Junção porta-canal com polarização reversa VGS =0V - Circulará uma
corrente no canal (IDs) que será diretamente proporcional ao valor de VDS
aplicado. O canal comporta-se como um resistor e, devido ao sentido da corrente,
o potencial no dreno (D) será mais positivo que na fonte (S), para o JFET canal
tipo N. Se o JFET for canal do tipo P, o potencial em (D) será mais negativo que
em (S).
Fazer VGS= 0V significa conectar a porta à fonte eletricamente. A corrente IDS
provoca, internamente, quedas de tensão bem distribuídas e isto reverte a
polarização da junção porta-canal de forma variada. A camada de depleção será
esticada em direção ao dreno e estreitada na fonte (para o JFET canal N).
Esta polarização produz uma região de depleção no canal que limita a corrente
através dele. Quanto maior a queda de tensão no canal (VDS maior), mais larga é
a região de depleção que se forma e mais reduzida será a corrente. Estes dois
efeitos se opõem e, a partir de uma determinada tensão VDS, eles estarão em
equilíbrio e a corrente ‘DS permanecerá constante. Esta tensão é conhecida como
tensão de pinçamento (pinch-off) e simbolizada por Vp. A tal corrente
remanescente é denominada corrente máxima do dreno IDSS’ especificada para
VDS  Vp e VGS = 0V. Perceba os detalhes na figura 11.3
____________________________________________________________
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Junção porta-canal com polarização reversa VGS<O - Nestas condições, a

camada de depleção se alargará devido à polarização reversa adicional imprimida
pela fonte VGS. O campo elétrico formado pela camada de depleção provocará o
estreitamento do canal e, conseqüentemente, um aumento na sua resistência e
diminuição na corrente IDS. Assim, variações na tensão entre a porta e a fonte
refletem-se em variações na corrente do canal. Outra vez, devido à queda de
tensão interna no canal, a camada de depleção será mais “esticada” em direção
ao dreno.
Se continuarmos a aumentar (negativamente) VGS, será atingido um valor no
qual a região de depleção ocupará todo o canal. Com esse valor de VGS o canal
fica completamente deplecionado de portadores de carga - elétrons no canal N e
lacunas no canal P-; o canal em efeito desaparece. Essa tensão VGS é
denominada tensão de corte VGs(CORTE) ou VGS(OFF), a qual obviamente é
negativa para o JFET canal N e positiva para o canal P.
Observe as ilustrações alusivas à condição anterior.
Polarização direta da junção porta-canal Vgs0- O JFET não foi otimizado

para funcionar neste modo. Esta polarização produz corrente pelo canal, o que
pode danificalo. Ademais, a junção porta-canal Não pode exceder a 0,7v, já que
ela basicamente é um diodo.
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Observação
‘No JFET simétrico, a fonte e o dreno podem ser usados indistintamente, ou seja,
pode-se trocálos de posição e o funcionamento permanecerá inalterado.
Exemplos de JFET simétrico:
2SK30A, 2SK68A, 2SK72A etc.
No JFET assimétrico a ordem dreno-fonte deve ser preserva da, sob pena de
incorrer no funcionamento inadequado do componente. Exemplos de JFET
assimétrico: 2N5457, BF244, J11O, J2N3955, MPF38 19, B5R58 etc.
Curvas de dreno
 JFET tem curvas características para o dreno bastante semelhantes àquelas
estudadas para o coletor do transistor bipolar. Observe-as:
Região ôhmica ou de triodo - O JFET comporta-se como um resistor de dreno

para fonte cuja resistência depende da tensão VGS. Nestas aplicações tomam-se
valores baixos de VDS (tipicamente menores que 100mV) para aproveitar a
linearidade das curvas de dreno. Se nessa região a corrente varia linearmente
com a tensão, a lei de Ohm (Rds = VDS/ IDS)pode ser aplicada em toda a sua
simplicidade. Observe que nos referimos a um trecho reduzido da curva.
Localmente o JFET é ôhmico, mas globalmente não. Nessas situações
encontramos um sem-número de aplicações do JFET denominadas VDR
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____________________________________________________________
(Resistência Variável com a Tensão). Observe:
A denominação triodo traz-nos reminiscências da era em que as válvulas

eletrônicas de gás a baixa pressão dominaram. De fato, os JFET’s e os
MOSFET’s são a versão atual das válvulas.
Região de amplificação - O valor de VDS é maior que o da tensão Vp. A
corrente permanece praticamente constante para as variações de VDS, sendo
controlada apenas por VGS. E nesta região que devemos polarizar um JFET
quando desejamos operá-lo como amplificador.
Região de corte - O valor de VGS é maior (em módulo) que VGs(OFF). Não há
praticamente corrente e circula uma corrente reversa na junção porta-canal
(IGSS) desprezível, situada entre nA e pA.
Região de ruptura - O valor de VDS é maior que BVDSS e existe o perigo de

destruir o componente.
Algumas terminologias importantes
IDSS - corrente máxima que um JFET pode conduzir. Dada para um

determinado valor de VDS e VGS= 0V.
IGSS - corrente reversa na junção porta-canal.
VGS(CORTE) = VGS(OFF) - valor de tensão reversa na junção porta-canal,

que fecha completamente o canal e torna ID= 0A.
Vp - tensão de pinch-off, pinçamento ou constrição. Valor de tensão VDS a

partir da qual a corrente ID torna-se constante.
BVGsS - máxima tensão que pode ser aplicada à junção porta-canal.
BVDSs - máxima tensão que pode ser aplicada entre dreno e fonte.
Curva de transcondutância
Gráfico da corrente ID em função da tensão VGS, para VDs maior que Vp.
Em eletrônica, o prefixo TRANS relaciona uma variedade de saídas por uma
variedade de entradas. Observe que, tivessemos dividido a corrente da porta
IGSS pela tensão VGS, obteríamos uma condutância. Porém, estamos avaliando
o comportamento de ID (saída) quando VGS (entrada) varia. O gráfico da
transcondutância é um arco de parábola descrito por:
____________________________________________________________
____________________________________________________________
2
 VGS 
I D  I DSS 1  
 VGS OFF  
Observe que iD é função apenas de VGS, pois IDSS e VGS(0FF) são

constantes para cada JFET.
Circuitos polarizadores do JFET

Ao contrário do que fizemos para o transistor bipolar, vamos abordar apenas a
polarização por divisor de tensão, porque há outras aplicações diferentes e
importantes que iremos ressaltar. Você pode estudar outras olhando as
referências bibliográficas que citamos no final.
Para a polarização de um JFET é necessário estabelecer a tensão VGS que
resulte na corrente de dreno desejada. A corrente de dreno ID não pode
ultrapassar IDSS. A eficiência do circuito polarizador é medida em relação à
permanência ID constante, apesar de possíveis variações em IDSS e VGs.
Polarização universal ou por divisor de tensão

O esquema da polarização é o mesmo que havíamos estudado para o transistor.
Observe-o:
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Aplicações do JFET como chave

Dentre as aplicações mais importantes e populares do JFET, encontramos
algumas que realmente são bastante distintas das encontradas para o transistor
bipolar.
Novamente, se queremos operar um componente como chave devemos
trabalhar com apenas dois pontos da reta de carga dele. Aqui é bastante fácil
fazê-lo operar assim. Se VGS =0V, o canal está completamente aberto, de forma
que, de dreno para a fonte, o JFET assemelha-se a um chave fechada. Se o VGs
= VGS(0FF), o canal estará fechado e o JFET assemelha-se a um chave aberta.
A chave série e paralela
Se desejarmos chavear uma pequena tensão CA (menor que 100mV) através
de uma carga, uma boa escolha é usar as configurações série e paralela de
chave a J FET.
Na chave série, os terminais dreno-fonte são colocados em série com a carga.
Fazendo VGS = 0V ou VGS = VGS(OFF), controla-se a permanência ou não do
sinal na saída, respectivamente. Deve-se considerar a resistência rdS(ON) e usar
a regra do divisor de tensão para achar a tensão na carga. Observe o esquema
Na chave paralela, os terminais dreno-fonte estão em paralelo com a carga.

Fazendo VGS VGs(OFF) ou VGS = 0V, permite-se ou não a presença de tensão
na saída, respectivamente. Se a chave estiver ligada, a resistência rdS(ON) é
colocada em paralelo com RL e o equivalente (RL II rdS(ON)) é usado na regra do
divisor com para encontrar VS. Caso a chave esteja aberta, apenas RL entra no
cálculo da tensão de saída, usando a regra do divisor de tensão. Observe a figura
11.11.
____________________________________________________________
____________________________________________________________
Multiplexação analógica
Uma aplicação bastante interessante é útil é a multiplexação de sinais no
tempo. A idéia consiste em transmitir vários sinais elétricos analógicos em um
mesmo fio, mas em tempos diferentes.
Vamos analisar um “Mux” de três canais (entradas) com JFET. Na verdade são
três chaves série com um terminal em comum. Através dos terminais de controle
VGs1,VGS2 e VGS3 permitimos ou não a passagem dos sinais pelos JFETs.
Lembramos que os sinais devem ter amplitudes menores que 100mV.
Observação
Um sinal analógico é aquele que tem infinitos valores num intervalo de tempo
determinado.
FET de óxido metálico (ou de porta isolada) - MOSFET Definições úteis

• MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
• IGFET - lnsulated Gate Field Effect Transistor.
• MESFET - Gallium Arseneide (GaAs) Devices - The Mesfet.
• IGBT - lnsulated Gate Bipolar Transistor.
• NMOS = N - Channel Metal Oxide Semiconductor.
• PMOS P - Channel Metal Oxide Semiconductor.
MOSFET tipo depleção

A grosso modo, o MOSFET tipo depleção é um JFET com a possibilidade de
aplicação de tensões VGS positivas. Observe que se há aplicação de tensão na
porta-fonte o canal está aberto. Por esta razão é comum nos referirmos a ele
como dispositivo normalmente ligado. Veja também que o substrato está
supostamente ligado à fonte (S), conexão que é feita na fábrica. É possível
encontrarmos o MOSFET sem esta ligação. Nesse caso, o controle da corrente
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no canal pode ser feito por VGS e por uma tensão negativa -VSuB (no caso do
MOSFET canal N) que torna o controle refinado.
Junção porta-canal em curto (Vgs =0) - Circulará uma corrente IDS através do
canal, diretamente proporcional à tensão VDS aplicada. Como num JFET, esta
corrente provoca quedas de tensão ao longo do canal, entre dreno (D) e fonte (S),
forma um campo elétrico do canal para a porta (G) e ocorre a carga do “capacitor”
formado no Canal-Sio2-Metal (o capacitor real consiste em Metal-isolante-Metal),
com negativo dentro do canal. Para tensões VDS maiores que a tensão de pinch-
off, a corrente estabiliza-se em IDSS Observe os esquemas para os dois
MOSFETs: Tipo-P e Tipo-N. (Fig. 11.14)
Porta-canal com polarização reversa- VGS <0 (canal N) ou VGS >0 (canal P)
Se o canal for do tipo N, a tensão reversa aplicada de porta a fonte deve ser
negativa, conforme a figura 11.15. Este potencial negativo, por indução, irá repelir
os elétrons livres do canal N, diminuindo o número de portadores majoritários e,
conseqüentemente, reduzindo a corrente no canal. Existe um valor de Vgs
reverso que obstrui o canal completa e irremediavelmente, chamado VGSOFF.
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Junção porta-canal com polarização direta

Suponha ainda o canal do tipo N. Aplicando-se um potencial positivo na porta,
será provocado, por indução, um aumento no número de elétrons livres no canal,
elevando a condutividade e a corrente IDS para valores maiores que IDSS.
Podemos perceber duas vantagens do MOSFET tipo depleção sobre o JFET:

• a junção porta-canal suporta tensões positivas;
• em quaisquer condições, a resistência de entrada da porta (G) é muito
elevada, uma vez que a circulação de corrente está praticamente descartada
(devido ao isolante Si02).
Uma desvantagem de todos os MOSFETs é que a camada de dióxido de
silício deve ser suficientemente fina a fim de permitir o controle da largura do
canal pela tensão VGS. O fato é que a camada de Si0 2 torna-se susceptível a
destruição por descargas ou eletricidade estática, caso haja acumulação
excessiva na região da porta-canal. É essa razão que leva os fabricantes de
MOSFETs a normalmente protegerem os dispositivos, acrescentando diodos
zener da porta à fonte ou da porta ao substrato. Outro detalhe é que usualmente
encontramos esses componentes com os terminais em contato através de es-
ponjas condutoras.
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É freqüente a denominação da região da porta-canal, onde ficam armazenadas

cargas, de capacitância parasita. Esta capacitância é a chave do funcionamento
das memórias RAMs dinâmicas, que conseguem armazenar muita informação em
pequeno volume.
Curva característica de dreno - As curvas de dreno aqui são semelhantes
àquelas estudadas. Entretanto, existem curvas além da VGS= 0V, VGS > 0V,
casos impossíveis para o JFET, pois ele não admite polarização direta na porta.
Curva de transcondutância
As definições para Vp, IDSS e rd desenvolvidas para JFET aplicam-se sem
restrições ao MOSFET tipo depleção, com uma ressalva: a parte do primeiro
quadrante da curva ID x VDS é permitida para este dispositivo. Portanto, a
equação da curva de transcondutância permanece válida:
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Circuitos polarizadores do MOSFET tipo depleção

Os MOSFETs tipo depleção podem ser polarizados pelos mesmos circuitos já
descritos para os JFTEs: polarização da porta; autopolarização; polarização por
divisor de tensão; polarização da fonte e polarização por fonte de corrente a TBJ.
Além destas, pelo fato de poderem operar com VGS = 0V, os MOSFETs tipo
depleção admitem ainda a denominada polarização zero. O circuito desta
polarização encontra-se a seguir:
MOSFETs intensificação
 MOS FEl tipo depleção era conhecido como MOSFET normalmente ligado
pelo fato do canal apresentar-se aberto para VGS=0V. Aqui, as coisas são
bastante diferentes. Observe a estrutura física de um MOSFET
intensificação:
Observe que, independentemente da polaridade de uma suposta fonte VDD,

apenas uma das junções PN (J1 ou J2) estará polarizada diretamente. Portanto,
quando VGS=0V, a corrente IDS é nula. Por isso, ele é conhecido como MOSFET
normalmente desligado.
Antes de explorarmos um pouco mais acerca deste dispositivo, é conveniente
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fazer uma breve divagação.

As aplicações nas áreas de potência dos MOSFETs têm crescido
consideravelmente. Sua melhor característica é ter velocidade de chaveamento
superior a qualquer outro tipo de dispositivo de alta potência. A razão para isto é o
fluxo de corrente unidirecional, que não causa armazenamento de cargas e, por
conseguinte, sem acomodação das mesmas. Na verdade, a velocidade depende
da carga e descarga da Porta-Fonte - efeito capacitivo -, mas bons circuitos
externos podem propiciar resultados excelentes durante o chaveamento. Diversos
fabricantes colocaram MOSFETs de potência no mercado, usando designações
diferentes; a Motorola usa TMOS, a Internacional Rectifier (IR) adotou HEXFET, a
Siemens colocou o seu MQS com canal em V como SIPMOS, VMOS e DM0S
também são de uso fluente. Aqui abordaremos os MOSFETs de uma forma geral,
centralizando o nosso foco no VMOS, que, apesar de ter sido o primeiro, ainda
não encontrou concorrente em altas freqüências.
Estrutura convencional de um MOSFET tipo intensificação - Em termos de
semi-condutor, a estrutura do MOSFET é bastante singular. Afigura 11.21 ilustra a
mais simples das configurações de um MOSFET intensificação.
Junção porta-canal em curto (VGS = 0V) - Como não existe corrente elétrica
entre o dreno e a fonte, não há circulação de corrente IDS e o MOSFET está em
corte.
Junção porta-canal polarizada diretamente (VGs> 0V - canal N)
Se um potencial positivo é aplicado à porta, por indução os elétrons livres do
substrato se deslocarão para a região próxima à camada de Si0 2, entre dreno e a
fonte. Em um determinado valor de potencial positivo aplicado (VT), o acúmulo de
elétrons será suficiente para formar um canal tipo N (camada de inversão) entre o
dreno e a fonte. A partir daí, fluirá corrente do dreno para a fonte (IDs)’ cuja
intensidade será proporcional ao quadrado da diferença entre VGS e VT. Para o
canal tipo Po processo é semelhante. Haverá um valor de VGS negativo, que
atrairá lacunas o suficiente para formar um canal tipo P. (Fig. 11.22)
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Junção Porta-Canal reversamente polarizada (VGs <0V - canal N) -

Praticamente não haverá corrente circulando no MOSFET, senão uma
desprezível corrente de fuga na porta da ordem de pA.
Símbolos do MOSFET tipo intensificação - Na figura 11.23 apresentamos os
símbolos destes dispositivos.
VMOS (Vertical MOS) - MOSFET tipo intensificação com canal em forma de um

sulco em V. Sua geometria interna o habilita a conduzir altas correntes na vertical,
contornando alguns dos problemas dos MOSFETs convencionais. A estrutura
semicondutora, a seguir, mostra o VMOS internamente:
A camada n- entre as regiões p e n+ eleva a tensão de ruptura de dreno-fonte,

visto seu nível de dopagem ser menor, portanto, sua rigidez dielétrica maior.
Outra vantagem (que não pode ser percebida no esquema) é a ausência de
deriva térmica. O TBJ é sensível à temperatura devido a ela, quando aumentos
em Ic refletem-se em respectivos aumentos na dissipação de potência e,
obviamente, na temperatura. Isto não acontece com VMOS, porque seu
coeficiente de temperatura é negativo. Significa que a cada incremento na
temperatura ocorre redução na corrente, inexistindo, portanto, a deriva térmica.
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Funcionamento - Por ser do tipo intensificação, somente haverá circulação de

corrente quando a porta for convenientemente polarizada em relação à fonte. No
caso do VMOS canal n, uma tensão positiva atrai elétrons livres da fonte e da
região n- em direção à camada p em sulco, que se encontra sem elétrons (seus
portadores minoritários). Quando o valor de VGS de limiar for atingido, por
indução eles entrarão na região p, “interligando” as regiões n+ e n-. Assim, um
fluxo de elétrons desce na vertical da fonte ao dreno.
A camada de inversão criada na vertical pode conduzir altas correntes, em
velocidade superior aos demais dispositivos da família MOS e outros dispositivos
de alta potência. A ilustração detalha o funcionamento explicado anteriormente.
(Fig. 11 .25)
Observação
Os símbolos dos MOSFETs canal n e p são os mesmos adotados para o
convencional.
Equação da corrente de dreno - A física dos semicondutores prova que os
MOSFETs são dispositivos que obedecem a uma lei quadrática. Se é quadrática,
a função de ID x VGS é uma parábola (ou um trecho) cujo vértice situa-se em
VGSLLIMIAR Sem mais delongas, podemos escrevê-la como:
ID=K(VGS - VGSLMAR)2
Onde
K - constante que depende da largura e do comprimento do canal e de
constantes cujo produto é mCox e dado em ampère por volt ao quadrado.
V GSLIMIÃR - menor tensão que cria a camada de inversão definitiva.
VGS - tensão em que se deseja conhecer a corrente de dreno.
Notoriamente, VGS deve ser maior do que ou igual a VGSLMAR, pois senão a
corrente de dreno cai num trecho da parábola fora das características reais do
dispositivo. Observe a curva de transcondutância do VMOS:
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Essa curva é muito útil em aplicações lineares com o MOSFET, mas no caso
chaveamento é interessante conhecermos VGSLIMIAR e os valores de VGSMáx
e IDMÁX.
Recomendamos o estudo do DMOS, referência que pode ser obtida no livro
texto:
SEDRA/SMITH, MICROELETRONICA.
IGBT (!nsulated Gate Bipolar Transistor)

O IGBT surgiu da elisão das tecnologia BIPOLAR-MOS e promete revolucionar
o segmento de potência da eletrônica. A priori, podemos citar suas características
mostrando o que foi herdado de cada dispositivo:
1. Do MOSFET:
• controle da corrente através da tensão;

• capacitânoia de gate que deve ser carregada e descarregada durante o
chaveamento;
• perigo de destruição por descarga eletrostática.
2. Do TBJ:
• tempo de acomodação dos portadores minoritários, que resulta numa

corrente restante durante o chaveamento indesejável;
• tensão de saturação no estado de condução depende pouco da corrente de
coletor, ocasionando baixas perdas nesse estado.
Observação
Outras características se enquadram na comparação, porém são menos
influentes, não comprometendo nossa análise.
A seguir, apresentamos a estrutura semicondutora do IGBT:
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Por meio da estrutura interna verificamos que o controle da corrente se
processa pela tensão porta-emissor. Aplicando-se tensão negativa da porta ao
emissor, induzimos nos cantos superiores próximos à porta; e vindos da região p,
cargas positivas entre as regiões n e n-, inibindo qualquer fluxo de corrente de
coletor ao emissor. Observe a ilustração:
O campo elétrico é mais intenso próximo às regiões p, onde possui lacunas em

excesso, seus portadores majoritários. Na região n-, as lacunas em pequena
quantidade são atraídas na direção do potencial negativo da Porta. Outro fato
notório é que a porta está “mergulhada” na camada de dióxido de silicio,
completamente isolada.
Quando a polarização da porta ao emissor for positiva e maior que o limiar,
elétrons das regiões n e n- serão atraídos para o extremo superior do dispositivo.
A região p será inundada por elétrons provenientes das duas regiões, e uma
camada de inversão se formará, dando vazão aos elétrons do emissor.
Adentrando em n-, novamente os elétrons tornam-se majoritários. Saindo da
região do canal eles penetram numa junção NP fortemente dopada, que
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possibilita a condução em massa da corrente por uma região de baixa resistência

e perda, reduzindo os níveis de dissipação de potência do dispositivo. Esta junção
NP gera um SCR (um dispositivo de quatro camadas usado em circuitos de
potência) parasita adicional, formado de coletor ao emissor. As vezes a
comutação do IGBT é contida pela realimentação desse tiristor, inibindo o
desligamento pelo gatilho. A ilustração elucida os comentários tecidos:
Símbolo
Analogia do IGBT (TBJ - MOSFET)
A analogia é verdadeiramente váiida no estudo e na compreensão do

funcionamento interno do IGBT. As características mais acentuadas foram
colocadas no modelo:
Dentre os detalhes possíveis de observar, está a estrutura tiristora parasita

formada pelo par complementar de transistores. No projeto, os ganhos de
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____________________________________________________________
corrente dos transistores são otimizados em busca do não-travamento, mesmo

em correntes diretas e dv/dt mais elevados.
Para chaveá-lo, basta carregar e descarregar as capacitâncias CCG e CGE

através de circuitos com baixas constantes de tempo RC. A conexão auxiliar E’
minimiza as realimentações negativas de emissor e as oscilações parasitas
devidas às indutâncias dos fios, que no caso são as mais curtas possíveis, O
circuito que segue é um amplificador de gatilho para o IGBT, que assegura baixos
valores das constantes RCs de porta.
Quando o pulso estiver em nível alto, o transistor NPN irá saturar, carregando
a capacitância C GE através de Ron, ligando o IGBT. O IGBT desligará no instante
em que o pulso retornar a zero, pois o transistor PNP saturará descarregando
C GE por R0ff E’, comutando-o.
O capacitor de Vcc para E’ filtra ondulações da fonte e reduz dv/dt originado
pelo chaveamento de altas cargas indutivas. O par de diodos protege contra
realimentação das capacitâncias CCG e CGE , ocorridas quando altas taxas de dv/dt
tentam carregar ou descarregar as capacitâncias parasitas. Se a realimentação
for de tensão positiva, o diodo superior a conduz rapidamente para Ron e Vcc,
pelo valor reduzido de Ron. Caso a tensão realimentada seja negativa, R0ff e o
diodo inferior desviam-na, protegendo o gate.
Por falar em amplificador, os DATABOOKS não recomendavam o uso de
IGBT’s na região linear. Segundo dados, a transcondutância gfs crescia
linearmente com a temperatura de junção, o que resultava no crescimento da
corrente de coletor para uma mesma tensão de gate.
Entretanto, recentemente, foram publicados vários circuitos amplificadores de
potências superiores a 1kW (é isso mesmo!) cujos dispositivos de saída eram
IGBT’s e que funcionavam perfeitamente bem.
____________________________________________________________
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Referências Bibliográficas
BOYLESTAD, Robert; Nasheísky Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos, Prentice-HalI, Englewood Cliffs, N.J. 1984.
CUTLER, Phillip. Circuitos Eletrônicos Lineares, McGraw-HiII, São Paulo, 1977.
LURCH, E. Norman. Fundamentos de Eletrônica. Livros Técnicos e Científicos,

Rio de Janeiro, 1984.
MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. McGraw-Hill, São Paulo, 1987.
NATIONAL Semiconductor. General Purpose Linear Devices, Santa Clara,

Califórnia, 1989.
SEDRA, Adel 5.; SMITH, kenneth C. Microelectronics Circuits, CBS College

Publishing, New York, 1987.
TEXAS Instruments. Linear Circuits Data Book. Dallas - Texas, 1989.
____________________________________________________________

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SENAI – “Serviço Nacional de Aprendizagem

Centro de Formação Profissional

Praça Expedicionário Assunção, 168 – Bairro Centro

PRESIDENTE DA FIEMG ................................................................... ERRO! INDICADOR NÃO DEFINIDO.

FÍSICA DOS SEMICONDUTORES ....................................................................................................7

ESTRUTURA ATÔMICA ........................................................................................................................7

CIRCUITOS COM DIODOS ..............................................................................................................17

OUTROS TIPOS DE DIODOS ..........................................................................................................19

DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) ........................................................................................................19

RETIFICADOR DE MEIA ONDA (RMO) ................................................................................................28

O DIODO ZENER .............................................................................................................................36

REGULAÇÃO DE TENSÃO ..................................................................................................................37

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) .................................................................................40

ESTRUTURA FÍSICA ..........................................................................................................................40

REGULADORES DE TENSÃO ........................................................................................................70

REGULADOR SHUNT OU PARALELO ...................................................................................................70

AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA EM ÁUDIO .............................................................................77

TRANSISTOR DE JUNÇÃO POR EFEITO DE CAMPO (JFET OU FET) ......................................90

COMPARAÇÃO ENTRE FET E TRANSISTOR BIPOLAR ...........................................................................90

REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ..............................................................................................110

“Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

O ingresso na sociedade da informação exige mudanças profundas em todos os

O SENAI, maior rede privada de educação profissional do país,sabe disso , e

Vivemos numa sociedade da informação. O conhecimento , na sua área

Isto porque, nos embates diários,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

Gerência de Educação e Tecnologia

Física dos semicondutores

Acima do zero absoluto, a rede cristalina recebe energia térmica, ocorrendo

O silício não é isolante nem condutor; é, portanto, um semicondutor.

acrescentando átomos pentavalentes (cinco elétrons na última camada).

Percebemos pela figura 1.9 que, com a dopagem N, obtém-se aumento no

Percebemos pela figura 1.10 que, com a dopagem P, obtém-se um

Existem duas formas de se polarizar um diodo:

Corrente de saturação (Is) - Corrente de saturação é a corrente reversa

Corrente de fuga superficial (IFs) - Origina-se devido a impurezas da superfície

Características dos diodos

• diodo 1 N91 4, potência máxima igual a 250mW;

de silício, o limiar da condução situa-se próximo de 0,7V. A idéia é comparar o

Circuitos com Diodos

Invertendo-se a polaridade do diodo, obtém-se um grampeador negativo.

Outros tipos de Diodos

Diodo emissor de luz (LED)

Vantagens - Baixo consumo de potência, vida longa e chaveamento rápido

Tensão e corrente no LED - A tensão do LED (VLED ) varia de aproximadamente

Optoacoplador com fotodiodo

retificado se torna negativa, polarizando reversamente o diodo, não acontece o

Símbolo do diodo Schottky

Queda de tensão típica = 0,25V

Aplicação: Fontes de alimentação de baixa tensão; circuitos de alta freqüência.

Na polarização direta, temos aproximadamente 0,5V sobre o diodo e a saída,

Símbolo do diodo túnel

No exemplo dado, a especificação 510V - 810K 150, fornecida pelo manual da

LDR - Light Dependent Resistor (resistor dependente de luz)

quando a temperatura aumenta. A seguir, são ilustradas as curvas características

Símbolos dos termistores

Os retificadores são circuitos cuja função é converter uma tensão alternada em

O valor médio da tensão de saída ( VCC ) vale aproximadamente 31,8% do valor de

A intensidade da corrente média no diodo ( I med ) é igual à corrente de carga ( I L ) e

A freqüência de saída do circuito (f0) é igual à freqüência de entrada (fe)’ visto

que os períodos das formas de onda de tensão de entrada ( Vent ) e tensão de

se conseguir duas tensões iguais e opostas (simétricas). O enrolamento primário

As tensões V ac e Vbc estão defasadas de 180° entre si.

A tensão (Vcc) na carga é igual a: