Polarização FET

Professor Lucas Tenório de Souza Silva

1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Polarizar um circuito é determinar os resistores para que
o circuito possua o ponto quiescente escolhido.
 Análise do circuito significa encontra os valores de
corrente e tensão do ponto quiescente (IDq, VDSq,
VGSq e rd), que pode ser pelo método gráfico ou
matemático.
 Os tipos de polarizações comumente encontrada com o Jfet
são:
 Polarização com VGS constante (Fixa);
 Caso Especial: VGS=0V
 Autopolarização;
 Polarização por Divisor de Tensão;
 Porta Comum;
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 1.1 – Polarização com VGS constante ( P.Fixa):
 A análise ou polarização do circuito devem ser feita fazendo a
análise DC do circuito, ou seja com os capacitores abertos.
 Como não há passagem de corrente pelo terminal do gate, a queda
de tensão em RG é igual a zero, podendo redesenhar o circuito sem
a introdução do mesmo.
 A resistência RG assegura que o sinal vi apareça no gate do
transistor, influenciando na análise AC do circuito.
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Assim a polarização deste circuito dependerá da fonte VGG (fixa)
para obter o valor de corrente IDq.
 A relação entre IDq e VGG será dada pela curva de transcondutância
do componente:  V 
2

iG  0  VGS  VGG iDq  iDSS 1  GS 

 VPo 
 Sendo: IDss e Vpo determinados experimentalmente ou obtido no datasheet.
 # O Resistor RG não terá influência na polarização do circuito.
 O valor da Resistência RD, quando o transistor tiver o valor de
corrente Idq será:
VDD  VDSQ
RD 
I DQ
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 A análise gráfica é realizada através de duas curvas e a interseção
destas será o ponto quiescente do circuito. São elas:
 Equação do circuito: eq.1 : VGS  VGG
2
Equação da curva de transferência: eq.2 : i  V 

Dq  iDSS 1  GS 
 VPo 

 Determinando Idq, basta aplicar na equação para determinar RD ou

VDS:
VDSQ  VDD  RD I DQ
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 Exemplo (Polarização com VGS constante)
 Determine VGSq, IDq,VDS,VD,VG e VS do circuito abaixo:
 Identifique o circuito: Polarização com VGS constante (fixa), então:
VGS  VGG  2V VGS  2V
 Encontrar IDq, usando a equação:
2
 V   2
2

iD  iDSS 1  GS  iD  10mA1    5,625mA

 VP    8 
 Encontrar VDs, usando a equação:
VDSQ  VDD  RD I DQ VDSQ  16  2k  5,625mA  4,75V 2

 Tensões VD,VG e VS: 4

3
VS  0V (referência)
VDS  VD  VS  VD  VDS  VS  4,75V 1

VGS  VG  VS  VG  VGS  VS  2V

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 Exemplo (Polarização com VGS constante)
 Polarize o circuito no ponto quiescente em que VDD= 25V; VDSQ=15V;
VGSQ=-1V.
 Dados do transistor obtido de forma experimental:Vpo= -3,5V e IDSS=5mA.

2
 V 
iD  iDSS 1  GS 
 VP 
2
 1 
iD  51    2,55mA
  3,5 

 Calculo do RD:
VDD  VDSQ 25  15
RD  RD   3920
I DQ 0,00255
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Exemplo (Polarização com VGS constante)
 Polarize o JFET BF245A, alimentado por uma fonte VDD=25V, no
seguinte ponto quiescente: IDq=1mA, VDSq=15V e VGSq=-1V;

VDD  VDSQ 25  15
RD  RD   10 K
I DQ 1mA

 # Na prática, a simples colocação do resistor pode fazer com que a

corrente IDq não seja de 1mA quando VGG é de -1V. É necessário
determinar os valores de IDss e Vpo de forma experimental para
que tenha o valor mais exato.
2
 V 
iDq  iDSS 1  GG 
 VPo 
 1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Analisando as variações do ponto quiescente em função da faixa de IDss
(2 a 6,5mA) e Vpo (-0,5 a -8,0V) informada pelo fabricante pode obter
uma gama de valores para IDq=1mA ao aplicar VGSq=-1V. Observe os
gráficos: 2
 V 
iDSS  6,5mA iDq  iDSS 1  GG 
 VPo 
VPo  8V
25  15
RD   10 K
iDSS  4mA 1mA

VPo  2V

Ponto iDSS  2mA

Quiescente
Desejado VPo  0,5V
(-1V,1mA)
 #Conclusão: O circuito não garante um ponto quiescente
estável. Por conta da grande faixa de tolerância, o ponto quiescente
pode apresentar grandes variações com VGS constante.
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 1.2 – Autopolarização
 Esta polarização utiliza apenas uma fonte e a tensão VGS esta
relacionada com a queda de tensão no resistor Rs em série com o
terminal Source.
 Para a análise DC, os capacitores são descartados e o resistor RG,
por IG=0A, pode ser desconsiderado.
 O resistor RS age no circuito fazendo uma realimentação negativa,
ou seja: i  V  V  Canal Estreita  i 
D RS GS D

 # Observe que:
VGS  VG  VS  0  RS  I D
VGS   RS  I D
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 A relação entre IDq e VRS será dada pela curva de transcondutância
do componente:  VGS 
2

iDq  iDSS 1  

VGS   RS  I D  VPo 

 Umas vez identificador IDq, o resistor RD pode ser dimensionado

com a equação: VDD  VDSQ  VRS
RD 
I DQ

 A análise de forma gráfica utiliza as curvas representadas pelas

equações da curva de transcondutância e a reta de carga do circuito.
A interseção determinará o ponto quiescente do circuito:
 Equação do circuito: VGS   RS  I D
2
 V 
 Equação da curva de transferência: iDq  iDSS 1  GS 
 VPo 

 Equação do VDSq: VDSQ  VDD  ( RD  RS ) I DQ

1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Observe que:
 A reta autopolarização passa pela origem dos eixos.
 Mesmo com a grande faixa de tolerância do JFET, o ponto Quiescente
se mantem entre Q1 e Q2, fazendo com que a variação de IDq seja
menor, ou seja mais estável.
 Os resistores são determinados da seguinte forma:
 RS:  V  V VRs
GS Rs RS 
ID
VDD  VDSQ  VRS
 RD: RD   VGS  RS  I D
I DQ
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 Exemplo (Autopolarização)
 Determine VGSq, IDq,VDS,VD,VG e VS do circuito ao lado:
 Identifique o circuito: Autopolarização, então:
VGS   I D RS
 Encontrar IDq, usando a equação:
2
  1000 I D 
2
 V 
I D  I DSS 1  GS  I D  8mA1   
 VP    6 
132  90,600 I D1  13,91mA  I DSS (ñ)
I D1 , I D 2  
16000 I D 2  2,588mA  I DSS (ok )

 Encontrar VGSq, usando a equação:

VGS   I D RS  VGS  1000  2,588mA  2,588V
 Tensão VDSq: VDSQ  VDD  ( RD  RS ) I DQ  VDSQ  20  4300 I DQ  8,874V
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Tensões VD,VG e VS:
VDSQ  8,874V
VGS  2,588V
VRS  VS  Vref  VS  VRS  2,588V

VDS  VD  VS  VD  VDS  VS  11,462V

VGS  VG  VS  VG  2,588  2,588  0V

1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Exemplo (Autopolarização)
 Polarize o circuito no ponto quiescente em que VDD= 25V; VDSQ=15V;
VGSQ=-1V. Dados do transistor obtido de forma experimental: Vpo=-
3,5V e IDSS=5mA.

2 2
 V   1 
iD  iDSS 1  GS   iD  51    2,55mA
 VP    3,5 

VDD  VDSQ  VRS 25  15  1

RD   RD   3529
I DQ 0,00255

 VGSQ  (1)
RS   RS   392
I DQ 0,00255
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Outra forma para determinar RS, sem a curva de
transcondutância, é utilizando os valores de máximo e mínimo
dos valores de IDss e de Vpo, ou seja:
 VP max  VP min
RS max  RS min 
I Dss max I Dss min

 Um RS intermediário [Rsmin, Rsmax] garante que o ponto

quiescente próximo ao da parábola com valores típicos.
 Exemplo: faixa de IDss (2 a 6,5mA) e Vpo (-0,5 a -8,0V)
 (8)
RS max   1230
6,5mA
 (0,5)
RS min   250
2mA
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 1.3 – Polarização Por Divisor de Tensão
 É uma polarização idêntica à Polarização do BJT e pode ser
considerada com uma polarização mista das polarizações
anteriores.
 Perceba que a queda de tensão do resistor R2 age como uma fonte
VGG, e o resistor RS agirá da mesma forma que na configuração de
autopolarização.
 Analisando as malhas:
R2
VR 2  VG   VDD
R2  R1

VGS  VG  VRS
 Como VGS deve ser negativo, então:
VGS  VG  VRS  0 VRS  VG
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 O dimensionamento de RD e RS tendo os valores do ponto
quiescente ID, VDS e VGS é dado pelas formulas:
VDD  VDSq  VRS VR 2  VGSq
RD  RS 
I Dq I Dq

 A análise de forma gráfica é feita com a curva de

transcondutância e a reta de carga do circuito. A interseção
determinará o ponto quiescente do circuito:
 Equações do circuito:
VGS  VG  RS I D 0 R V
VG  2 DD
R2  R1
 Equação da curva de transferência:
2
 V 
iDq  iDSS 1  GS 
 VPo 
 Equação do VDSq:
VDSQ  VDD  ( RD  RS ) I DQ
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Exemplo (Polarização Por Divisor de Tensão)
 Determine VGSq, IDq,VDS,VD,VG e VS do circuito ao lado:
 Identifique o circuito: Divisor de Tensão, então:
VGS  VG  RS I D 0
 Encontrar VG, usando a equação:
R V 270k 16
VG  2 DD  VG   1,82V
R2  R1 270k  2,1M
 Encontrar IDq, usando a equação:
2
 V   1,82  1500 I D 
2
I D  I DSS 1  GS  I D  8mA1   
 VP    4 

19460,0  8593,0 I D1  6,234mA  I DSS (ok );VGS  7,531V  VPO (ñ)

I D1 , I D 2  
4500000,0 I D 2  2,415mA  I DSS (ok );VGS  1,803V  VPO (ok )

 Assim: I D 2,415mA VGS  1,82  1500  0,002415  1,803V

1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Tensão VDSq:
VDSQ  VDD  ( RD  RS ) I DQ

VDSQ  16  3900  0,002415  6,582V

 Tensões VD,VG e VS:
VDSQ  6,582V VS  VRS  VG  VGS  3,623V
VGS  1,803V VD  VDS  VS  10,205V
VG  1,82V VDG  VD  VG  10,205  1,823  8,382V
 Usando o Gráfico, para achar ID usa dois pontos:
 ID=0A VGS  VG  1,823V
VG
 VGS=0V ID   1,215mA
RS
 Traça a reta e encontra a interseção.
5 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Exemplo (Divisor de Tensão)
 Polarize o circuito (RG1, RG2, RS, RD) no ponto quiescente em que
VDD= 25V; IDq= 1mA;VDSq=15V; VGSq=-1V.
 VGS=-1, então adotando que VRG2=0,5V e RG2=10k teremos:
RG 2
VRG 2  VDD
RG1  RG 2
10k
VRG 2  0,5V  25V  RG1  490k
RG1  10k

 Para calcular RS e RD aplica-se a formula:

VRG 2  VGSq 0,5  (1)
RS   RS   1,5k
I Dq 1mA

VDD  VDSq  VRS 25  15  1,5

RD   RD   8,5k
I Dq 1mA
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 1.4 – Polarização Porta Comum
 É uma polarização idêntica à Polarização de Configuração
Base Comum do BJT.
 Perceba que a queda de tensão do resistor RS agirá junto com a
fontes VSS da mesma forma comoocorreu na configuração de
autopolarização.
 Analisando as malhas:
VGS  VRS  VSS  0
VGS  VSS  VRS  0
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 O dimensionamento de RD e RS tendo os valores do ponto
quiescente ID, VDS e VGS é dado pelas formulas:
VDD  VDSq  VRS  VSS
RD 
I Dq

 A análise de forma gráfica é feita com a curva de

transcondutância e a reta de carga do circuito. A interseção
determinará o ponto quiescente do circuito:
 Equações do circuito:
VGS  VSS  RS I D  0
 Equação da curva de transferência:
2
 V 
iDq  iDSS 1  GS 
 VPo 
 Equação do VDSq:
VDSQ  VDD  VSS  ( RD  RS ) I DQ
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Exemplo (Polarização Porta Comum)
 Determine VGSq, IDq,VDS,VD,VG e VS do circuito ao lado:
 Identifique o circuito: Porta Comum, então:
VGS  VSS  RS I D  0
 Encontrar IDq, usando a equação:
2
 VGS   10  1500 I 
2
I D  I DSS 1   I D  9mA1  D
 
 VP   3 
40000,0  8888,2 I D1  10,863mA  I DSS (ok )
I D1 , I D 2  
4500000,0 I D 2  6,914mA  I DSS (ok )
 Assim:
I D 6,914mA VGS  10  1500  6,914mA  0,371V

 Tensão VDSq:
VDSQ  VDD  VSS  ( RD  RS ) I DQ

VDSQ  20  10  3300  0,006914  7,184V

1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 Tensões VD,VG e VS:
VDSQ  7,184V VS  VG  VGS  0,371V
VGS  0,371V VD  VDS  VS  7,555V
VG  0V VDG  VD  VG  7,555V

 Usando o Gráfico, para achar ID usa dois pontos:

 ID=0A VGS  VSS  10V
VSS
 I
VGS=0V D   6,667 mA
RS
 Traça a reta e encontra a interseção.
1 - POLARIZAÇÃPO DO J - FET
 1.5 – Polarização VGS=0 (Caso Especial: VGG=0V)
 É um caso especial da Polarização com VGS constante (fixa), com
VGG igual a zero.
 Perceba que para qualquer condição, o valor de VGS será zero e a
corrente ID será sempre IDss, com o resistor RD permitindo a
passagem de no mínimo IDss.
 Analisando as malhas:
2
 V 
VGS  0  I D  I DSS 1  GS   I D  I DSS
 VP 
 RD será dado por:
VDD  VDSq
RD 
I Dss
2 – POL. DO MOSFET - DEPLEÇÃO
2 - POLARIZAÇÃO DO MOSFET - DEPLEÇÃO
 A polarização pode ser feita da mesma forma que foi feita para
o J-FET:
 Polarização com VGS constante (Fixa)
 Caso Especial:VGS=0V
 Autopolarização
 Polarização com Divisor de Tensão:
 Polarização Porta Comum
 A única diferença é que o Mosfet de Depleção pode
apresentar valores de VGS positivos e valores de corrente
ID maior que IDss.
2 – POL. DO MOSFET - DEPLEÇÃO
 Exemplo (Polarização Por Divisor de Tensão)
 Determine VGSq, IDq, e VDS do circuito ao lado:
 Identifique o circuito: Divisor de Tensão, então:
VGS  VG  RS I D
 Encontrar VG, usando a equação:
R V 10 M 18
VG  2 DD  VG   1,5V
R2  R1 110M  10 M
 Encontrar IDq, usando a equação:
2
 V   1,5  750 I D 
2
I D  I DSS 1  GS  I D  6mA1   
 VP    3 
8250,0  4743,42 I D1  11,550mA ;VGS  7,163V  VPO (ñ)
I D1 , I D 2  
1125000,0 I D 2  3,117 mA ;VGS  0,838V  VPO (ok )

 Assim: I D 3,117mA VGS  1,5  750  0,003117  0,838V

2 – POL. DO MOSFET - DEPLEÇÃO
 Tensão VDSq:
VDSQ  VDD  ( RD  RS ) I DQ

VDSQ  18  2550  0,003117  10,052V

 Usando o Gráfico, para achar ID usa dois pontos:

 ID=0A VGS  VG  1,500V
VG
 VGS=0V I D   2,000mA
RS
 Traça a reta e encontra a interseção.

 Modificando Rs de 750  para 150:

 Encontrar IDq, usando a equação:

 1,5  150 I D 
2

VGS  1,5  150 I D I D  6mA1  

  3 
I D1  119,111mA ;VGS  16,366V  VPO (ñ)
I D 2  7,556mA ;VGS  0,367V  VPO (ok )
2 – POL. DO MOSFET - DEPLEÇÃO
 Tensão VDSq:
VDSQ  VDD  ( RD  RS ) I DQ

VDSQ  18  1950  0,007556  3,266V

 Usando o Gráfico, para achar ID usa dois pontos:

 ID=0A VGS  VG  1,500V
VG
 VGS=0V I D   10,00mA
RS
 Traça a reta e encontra a interseção.
3 – P. DO MOSFET - INTENSIFICAÇÃO
3 – POL. DO MOSFET – INTENSIFICAÇÃO
 A polarização para o MOSFET de Intensificação pode utilizar
os mesmo circuitos do J-FET, exceto o de autopolarização,
tomando cuidado para aplicar a polaridade correta de VGS e
suficiente ( VGS > VT(VGS(th))).
 Polarização com VGS constante
 Polarização com Divisor de Tensão:
 Polarização por realimentação de dreno.
 É necessário também lembrar que a corrente é dada pela
equação: I D  K VGS  VT 
2

 Sendo K, calculado através dos dados do fabricante.

I D (ligado)
K .
V
GS ( ligado)  VT 
2
3 – P. DO MOSFET - INTENSIFICAÇÃO
 3.1 - Polarização por Realimentação de dreno
 Esta polarização provoca uma realimentação através de RG. O
valor deste resistor não influenciará na análise DC, já que IG=0A e
assim VRG= 0V.
 A analise da malhas de indicam que:
I RG  0 A  VGS  VDS

I D  VRD  VDS  VGS  força : I D 

 Como VGS=VDS, então:

VGS  VDD  RD I D

I D  K VGS  VT 
2
3 – P. DO MOSFET - INTENSIFICAÇÃO
 O dimensionamento de RD tendo os valores do ponto quiescente
ID, VDS e VGS é dado pela fórmula:
VDD  VDSq
RD 
I Dq

 A análise de forma gráfica é feita com a curva de

transcondutância e a reta de carga do circuito. A interseção
determinará o ponto quiescente do circuito:
 Equações do circuito: VGS  VDD  RD I D
 ID=0A: VGS  VDD

 VGS=0: VDD
ID 
RD
 Equação da curva de transferência:
I D  K VGS  VT 
2

 Equação do VDSq:
VDSQ  VGS
3 – P. DO MOSFET - INTENSIFICAÇÃO
 Exemplo (Polarização Realimentação de Dreno)
 Determine VGSq, IDq, e VDS do circuito ao lado:
 Identifique o circuito: Realimentação de Dreno, então:
VGS  VDS VGS  VDD  RD I D
 Encontrar K, usando a equação:
I D (ligado ) 6mA
K K   0,240mA / V 2
V
GS ( ligado )  VT 
2
8  32

 Encontrar IDq, usando a equação:

I D  K VGS  VT   I D  0,0002412  2000 I D  3
2 2

I D1  7,248mA ;VGS  2,496V  VTh (ñ)

I D 2  2,794mA ;VGS  6,412V  VTh (ok )
 Assim:

I D 2,794mA VGS  12  2000  0,002794  6,412V

3 – POL. DO MOSFET - DEPLEÇÃO
Tensão VDSq:
VDSQ  VGS  6,412V

 Usando o Gráfico, para achar ID usa dois pontos:

 ID=0A VGS  VDD  12,00V
VDD
 VGS=0V ID   6,00mA
RD

 Traça a reta e encontra a interseção.

4 – APLICAÇÕES - FET
4.1 – APLICAÇÕES COM J - FET
 4.1.1 - Resistor controlado por Tensão
 Esta aplicação é conseguida com valores VDS baixo, na região de
triodo (linear) .
 Observe que quanto menor VGS, mais horizontal a reta e assim
maior a resistência, ou seja:
 VGS=0V 0,4
rDS   100
 Menos Horizontal 4mA
 Menor Resistência =100
 VGS=-2,5V 0,4
rDS   3,3k
 Mais Horizontal 0,12mA
 Maior Resistência =3,3
4 – APLICAÇÕES - FET
 Como foi mostrado anteriormente, o valor de resistência do J-FET
pode ser aproximada para: r 
r0
 ro = resistência com VGS = 0 V
d
1  (VGS VPO ) 
2

 rd = resistência específica para um certo VGS.

 Exemplo: para VDS=0,4V, ro(VGS=0) = 100;

Vpo=-3V; calcule rd para VGS=-1,5V
100
rd   400
1  (1,5  3) 2
4 – APLICAÇÕES - FET
 O ganho do amplificador de malha fechada é controlado pela malha
externa de resistores, assim uma forma para manter o volume
estável, mesmo com a instabilidade de tensão de alimentação, seria
optar por um JFET como resistor variável.

 Rf 
VCC  VGS  0V  rd  A  1    Volume _ const.
 rd 
4 – APLICAÇÕES - FET
 4.1.2 – Circuito Temporizador com J-FET
 É um circuito simples que temporiza o tempo de acendimento de
uma lâmpada.
 1º) Capacitor carregado (-9V), J-FET e Lâmpada desligados.
 2º) Aperta a chave; descarrega Capacitor, J-FET atinge IDss; e Lâmpada acende;
 3ª) Capacitor Carrega; Atinge –Vpo; desliga J-FET e Lâmpada.
 Temporização (Tempo de Carregamento de C):

  R C  VDD 
t (VPO )  RC ln 
 VDD  VPO 
4 – APLICAÇÕES - FET
 4.1.3 – Circuito de Chaveamento com J-FET
 É um circuito que funciona como chave eletrônica (on-off) mas que
necessita alimentar VGS com tensão negativa:
4 – APLICAÇÕES - FET
 4.1.4 – Chave de Sinal Com J-FET
 Para o JFET funcionar como chave, ele deve funcionar nas regiões de
corte e triodo (equivalente a saturação do BJT).
 O corte do transistor obtém-se quando:
VGS  VPO  VGS off  ID  0A VDS  VDD VS  0V
 Região de Triodo, colocando VGS =0V e R>> RDS(on):
 VGS=0, maior inclinação, menor RDS(on).
 R>>RDS(on), maior queda em R; ID<Idss.
VGS  0; VR  VDS (on ) VDD  VDS ( on )  VR  VR
 Quando configurado para chave de sinal,
qualquer sinal aplicado por VDD, o sinal será
apresentado na saída Vs sempre que VGS=0V.
R  RDS (on)  VR  VDS (on)
4 – APLICAÇÕES - FET
 4.1.4 – Multiplex Analógico
 É um circuito que permite conectar vários sinais ao mesmo tempo
para que seja transmitido individualmente por um único meio, após
selecionado no terminal VG1,VG2,VG3e VG4.
4 – APLICAÇÕES - FET
4.2 – APLICAÇÕES COM MOSFET
 4.2.1 – Circuitos Digitais.
 Os MOSFETs são bastante utilizados na fabricação de Circuitos
Integrados (Portas Lógicas, Registradores, Memória, e outros)
 Uma aplicação é o chaveamento, que pode ser visto como uma chave
inversora. Com os resistores ocupam muito espaço no CI, em vez
desse, utiliza-se um MOSFET com resistor.
4 – APLICAÇÕES - FET
 O circuito ao lado é uma porta NAND:

 O circuito a baixo é um inversor usando MOSFETs

Complementares, ou CMOS.
 Observe a posição da Source,
 São dois MOSFET de canais diferentes
4 – APLICAÇÕES - FET
 4.1.4 – Multiplex Analógico
 É um circuito que permite conectar vários sinais ao mesmo tempo
para que seja transmitido individualmente por um único meio, após
selecionado no terminal VG1,VG2,VG3e VG4.
EXERCÍCIO
EXERCÍCIOS:
 Capítulo 7: 20 exercícios:
 Pelo menos 2 questões de cada seção: 7.2 a 7.13