Conversão Fotovoltaica da

Energia Solar - MMD00575

Aula 03 – Modelo de 1 diodo de 5 parâmetros, aspectos do
design de células fotovoltaicas

PPGE3M
Prof. Fabiano Perin Gasparin
Curva I-V (corrente versus tensão)
 Parâmetros da Curva I-V
• Corrente de curto-circuito (Isc) depende:
1. Área da célula fotovoltaica. Para remover a dependência da área, é
comum utilizar a densidade de corrente (Jsc) (mA/cm2 ou A/m2)
Densidade de corrente típica de uma célula de 156 mm x 156 mm
Jsc~ 9000 mA / (15,6 x 15,6 cm) ~ 37 mA/cm2
2. Da irradiância (W/m2) incidente (fluxo de fótons incidentes)
3. Da distribuição espectral da irradiância incidente (o espectro padrão
é AM 1.5 da norma ASTM G-173 ou. IEC 60904, derivado de
simulações obtidas com o Código SMARTS (Simple Model of the
Atmospheric Radiative Transfer of Sunshine)
 Parâmetros da Curva I-V
• Corrente de curto-circuito (Isc) depende: 8

4. Propriedades ópticas da célula (absorção 7

G = 1000 W / m2

e reflexão).
6
G = 800 W / m2
5. Probabilidade de coleção de portadores
de carga na junção PN 5

Corrente (A)
G = 600 W / m2
4

3 G = 400 W / m2

Curvas características I-V de um módulo

2
fotovoltaico sob diferentes irradiâncias e
com temperatura constante. 1

0
Isc varia linearmente com a irradiância solar. 0 3 6 9 12 15 18 21 24
Tensão (V)
 Parâmetros da Curva I-V
• Tensão de circuito aberto (Voc) depende 8

linearmente da temperatura e varia com o G = 1000 W / m2

7
logaritmo da irradiância:
6
G = 800 W / m2
𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝐿 − 𝐼0 𝑒𝑥𝑝 −1 5

𝑛𝑘𝑇

Corrente (A)
G = 600 W / m2
4

𝑛𝑘𝑇 𝐼𝐿 3 G = 400 W / m2

𝑉𝑜𝑐 = ln +1
𝑞 𝐼0 2

Curvas características I-V de um módulo 0

fotovoltaico sob diferentes irradiâncias e 0 3 6 9 12

Tensão (V)
15 18 21 24

com temperatura constante.

 Resistência Característica
• Se a resistência da carga conectada à
célula for igual à resistência característica,
a célula / módulo irá operar no ponto de
máxima potência, transferindo a potência
máxima para a carga.
• Célula comercial 156 mm x 156 mm
• Imp ~9 A
• Vmp ~0,6 V
• Rch ~0,067 Ω
• Módulo FV 72 células:
𝑉𝑚𝑝 𝑉𝑜𝑐
Imp ~ 9A, Vmp ~ 37,5 V 𝑅𝑐ℎ = ≈
𝐼𝑚𝑝 𝐼𝑠𝑐
Rch ~ 0,25 Ω
 Resistências parasitas – modelo de 1 diodo
• Resistências parasitas reduzem a
eficiência da célula / módulo FV.
• Em geral são modeladas como um
parâmetro geral (lumped
parameter) e definidas como:
• Rp : resistência em paralelo
• Rs: resistência em série
 Resistência em série: Rs
6

• Resistência em série é decorrente

de diversos fatores, principalmente:
R s= 0 
1. Movimento dos portadores de 4

carga através da base e do Rs = 2 

Rs = 1 

Corrente (A)
emissor da célula
Rs = 0,5 
2. Resistência de contato entre o 2
Rs = 5 

silício e os contatos metálicos da

célula
3. Resistência dos contatos 0

superiores (dedos e barramentos) 0 5 10

Tensão (V)
15 20 25

e inferiores. Ver gráfico animado em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/series-resistance
 Resistência em série: Rs
6

• Rs
Não afeta a tensão de circuito aberto;
R s= 0 

Se manifesta na curva I-V como uma 4

Rs = 1 
redução da declividade na região de Rs = 2 

Corrente (A)
circuito aberto; Rs = 0,5 
2
Rs = 5 

𝜕𝑉
𝑅𝑠 ∝ 𝑅𝑠0 =−
𝜕𝐼 𝑉=𝑉𝑜𝑐 0

0 5 10 15 20 25
Tensão (V)

Ver gráfico animado em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/series-resistance
 Resistência em paralelo: Rp
• Resistência em paralelo decorrente de: 3

Rp = 
Caminho alternativo para a corrente Rp = 100 

fotogerada;
Rp = 50 
- Fuga de corrente por defeitos nas bordas
2

Corrente (A)
da célula, Rp = 10 

- Defeitos que promovem um desvio para 1

a corrente fotogerada
Rp não afeta a corrente de curto circuito.
0

0 5 10 15 20 25
𝜕𝑉 Tensão (V)
𝑅𝑝 = 𝑅𝑝0 =−
𝜕𝐼 𝐼=𝐼𝑠𝑐
Ver gráfico animado em:
https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/shunt-resistance
 Modelo de 1 diodo com 5 parâmetros
𝐼 = 𝐼𝑓𝑔 − 𝐼𝐷 − 𝐼𝑃

𝑒𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼0 exp −1
𝑛𝑘𝐵 𝑇𝑐

ID: corrente em uma junção PN, [A]

I0 : corrente de saturação reversa do diodo sem iluminação, [A]
V: tensão nos terminais do diodo, [V]
e : carga elementar, 1,602 x 10-19 C
n: fator de idealidade do diodo
kB: constante de Boltzman, 1,38066 x 10-23 J/K
Tc: temperatura absoluta da junção [K]
 Modelo de 1 diodo com 5 parâmetros
𝐼 = 𝐼𝑓𝑔 − 𝐼𝐷 − 𝐼𝑃

𝑒𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼0 exp −1
𝑛𝑘𝐵 𝑇𝑐

𝑒 𝑉 + 𝐼𝑅𝑠 𝑉 + 𝐼𝑅𝑠 Modelo de um diodo de 5

𝐼 = 𝐼𝑓𝑔 − 𝐼0 exp −1 −
𝑛𝑘𝐵 𝑇𝑐 𝑅𝑝 parâmetros (I0, Ifg, n, Rs, Rp)
para uma célula FV

𝑒 𝑉 + 𝐼𝑅𝑠 𝑉 + 𝐼𝑅𝑠 Para um módulo FV com Ns

𝐼 = 𝐼𝑓𝑔 − 𝐼0 exp −1 − células idênticas em série
𝑁𝑠 𝑛𝑘𝐵 𝑇𝑐 𝑅𝑝
 Modelo de 1 diodo não ideal
𝑒 𝑉 + 𝐼𝑅𝑠 𝑉 + 𝐼𝑅𝑠
𝐼 = 𝐼𝑓𝑔 − 𝐼0 exp −1 −
𝑁𝑠 𝑛𝑘𝐵 𝑇𝑐 𝑅𝑝

𝑁𝑠 𝑘𝐵 𝑇𝑐
𝑉𝑇 =
𝑒

Frequentemente o termo Vt (tensão térmica) é empregado no

modelo para reduzir o número de variáveis no modelo.
 Efeito da intensidade da irradiância
• Corrente de curto-circuito: varia linearmente com a irradiância
• Tensão de circuito aberto: varia com o logaritmo da irradiância
• Sendo X um fator de concentração e considerando Isc/I0 >> 1, e
aproximando Isc = Ifg
𝑛𝑘𝑇 𝐼𝐿
𝑉𝑜𝑐 = ln +1
𝑞 𝐼0

′
𝑛𝑘𝑇 𝑋𝐼𝐿 𝑛𝑘𝑇 𝐼𝐿 𝑛𝑘𝑇
𝑉𝑜𝑐 = ln = ln + ln(X) = 𝑉𝑜𝑐 + ln 𝑋
𝑞 𝐼0 𝑞 𝐼0 𝑞
Ver animação em:
https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/effect-of-light-intensity
 Efeito da temperatura
• O aumento da temperatura reduz a largura
6

da banda proibida (band gap). 5

T = 30 °C

• Menor energia é necessária para a produção 4

T = 56 °C

de pares elétrons-lacuna, já que os elétrons

tem maior energia térmica.

Corrente (A)
3

• O parâmetro mais afetado é a tensão de 2 Irradiância = 1000 W / m2

circuito aberto.
1

• A corrente de curto-circuito aumenta

ligeiramente com a temperatura ~0,05% °C-1 0

0 5 10 15 20 25
Tensão (V)
-1
 Efeito da temperatura
• A tensão de circuito aberto diminui com a temperatura por causa da forte
dependência de I0 com a temperatura.
𝐷 𝑛𝑖2
𝐼0 = 𝑞𝐴
𝐿 𝑁𝐷
𝐸𝐺0
𝐼0 = 𝐾 𝑇𝐶3 ex p −
𝑘𝐵 𝑇𝐶
𝐸𝑔0 𝛾𝑘𝑇
𝑑 𝑉𝑜𝑐 −𝑉𝑜𝑐 +
𝑞 𝑞
= − ≈ -2,2 mV /°C para silício
𝑑𝑇 𝑇

Ver dedução completa em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/effect-of-temperature
 Coeficientes Térmicos
• Coeficiente térmico genérico (CT): 1 𝜕𝑍
𝐶𝑇(1൘°𝐶) = ቤ
variação de um parâmetro com a 𝑍 𝜕𝑇 𝑇
𝑛
temperatura

• Variação da corrente de curto-circuito com

a temperatura
1 𝜕𝐼𝑠𝑐
• ~0,05 a 0,06% °C-1 para silício 𝛼= ቤ
𝐼𝑠𝑐 𝜕𝑇 𝑇
• Aumento da temperatura diminui o band 𝑛
gap, necessitando menor energia para
geração de pares elétrons lacuna
• Pouca importância energética
 Coeficientes Térmicos
• Variação da tensão de circuito aberto com a temperatura
• ~0,29 a 0,33 %/°C-1 (células com maiores Voc tem 1 𝜕𝑉𝑜𝑐
coeficientes β menores), logo nas células mais modernas 𝛽= ቤ
e mais eficientes o valor é ligeiramente menor do que em 𝑉𝑜𝑐 𝜕𝑇 𝑇
𝑛
células mais antigas.

• Variação da máxima potência com a temperatura

• ~0,37 a 0,45 %/°C-1 1 𝜕𝑃𝑚
γ= ቤ
• Decorre majoritariamente da redução de Voc, logo 𝑃𝑚 𝜕𝑇 𝑇
𝑛
segue a mesma lógica em relação ao valor de Voc.
 Coeficientes Térmicos
Canadian Solar CS1U-400 (4XX)
Eficiência ~19,4 %

Yingli
Yl 245 P – 29b
Eficiência ~15 %
 Design de Células Fotovoltaicas

• Princípios básicos para maximizar o desempenho das células FV:

- aumentar a quantidade de luz coletada pela célula que se transforma
em portadores;
- aumentar a coleção de portadores fotogerados na junção p-n;
- minimizar a corrente escura de polarização direta;
- extraindo a corrente da célula sem perdas resistivas.
 Propriedade Ópticas - Perdas
• Perdas ópticas reduzem a corrente fotogerada e consequentemente a
corrente de curto-circuito: Ifg ≈ Isc
• Perdas ópticas consistem em fótons que foram refletidos na
superfície da célula ou que não foram absorvidos pelo material
 Redução de perdas ópticas
• A cobertura de contato superior da superfície da célula pode ser
minimizada (embora isso possa resultar em maior resistência em série).
• Revestimentos anti-reflexo podem ser usados na superfície superior da
célula.
• A reflexão pode ser reduzida pela texturização da superfície.
• A célula solar pode ser tornada mais espessa para aumentar a absorção
(embora a luz que é absorvida mais do que um comprimento de difusão
da junção tenha uma probabilidade de coleta baixa e não contribua para
a corrente de curto-circuito).
• O comprimento do caminho óptico na célula solar pode ser aumentado
por uma combinação de texturização de superfície e captura de luz.
 Reflexão do silício
• A refletividade do silício depende do comprimento de onda, porém é
sempre superior a 30 %.
2
• Equação de Fresnel: 𝑛0 − 𝑛𝑆𝑖
𝑅=
Ex. nSi (500 nm) = 4,293 𝑛0 + 𝑛𝑆𝑖
nvidro = 1,5
R junção silício-vidro @ 500 nm: 0,23 (sem revestimento anti-reflexo)
 Revestimento anti-reflexo
• Objetivo: produzir interferência
destrutiva na luz refletida.
• Filme fino com espessura de ¼ de λ
• Se a luz viaja ½ λ (duas espessuras)
dentro do filme, ira causar interferência
destrutiva 𝜆0
𝑑1 =
4 𝑛1
• A reflexão é minimizada se o índice n1
for dado pela média geométrica:
𝑛1 = 𝑛0 𝑛2
 Revestimento anti-reflexo
A reflexão pode ser reduzida a zero em apenas um
comprimento de onda.
No caso das células de silício a escolha é minimizar
as reflexões em 600 nm (próximo ao pico do
espectro da irradiância solar)

Há um conjunto de equações para calcular a

reflexão do conjunto de interfaces ar, revestimento
e silício, ver em:
https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-of-
silicon-cells/anti-reflection-coatings

Para cálculos com revestimento duplo ver:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-of-
silicon-cells/double-layer-anti-reflection-coatings
 Texturização da superfície da célula

A texturização da superfície do silício reduz a

reflexão.

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-
of-silicon-cells/surface-texturing
Espessura para maximizar absorção da luz

A absorção da maior parcela da luz no material é essencial para o funcionamento da

célula fotovoltaica.
A absorção depende do caminho óptico e do coeficiente de absorção.

Para o silício com espessura acima de 10 mm toda a luz com energia maior do que o
band gap é absorvida. Na prática, com “light traping”, ou múltiplas reflexões a espessura
de 100 μm já seria ideal, porém por motivos práticos (manuseio das frágeis lâminas) a
espessura situa-se entre 150 e 500 μm.

Para uma lâmina com 10 μm, somente 30 % da luz seria absorvida.

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-of-silicon-cells/material-thickness
Múltiplas reflexões internas – light trapping

A texturização da superfície não apenas reduz a reflexão, mas impõe um ângulo para a
luz que entra na célula.

Para detalhes das equações, visitar a página:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-of-silicon-cells/light-trapping

Qualitativamente, se a luz entrar refletir internamente no material com ângulo maior do

que o ângulo crítico, haverá reflexão interna total e consequentemente aprisionamento
da luz.
Ela irá sofrer múltiplas reflexões, aumentando a probabilidade de ser absorvida e gerar
pares elétrons-lacuna.
 Refletor posterior Lambertiano
- Reflexão em direção aleatória na interface posterior da célula FV.
- Potencializa a reflexão interna total, maximizando a absorção da luz.
- O caminho óptico aumenta em 50 X
- A densidade de corrente é aumentada
 Perdas por recombinação
- As perdas por recombinação afetam:
1. a corrente de curto-circuito (pares elétron-lacuna não coletados)
2. Corrente de polarização da junção (provoca a tensão)

Recombinação de superfície
Recombinação no interior do material

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/recombination-losses
 Perdas por recombinação
- o portador deve ser gerado dentro de um comprimento de difusão da junção,
de modo que seja capaz de se difundir para a junção antes de recombinar;

- no caso de um local de alta recombinação localizado (como em uma

superfície não passivada ou em um limite de grão em dispositivos
multicristalinos), o portador deve ser gerado mais próximo da junção do que
do local de recombinação.

- Para locais de recombinação localizada menos severos (como uma superfície

passivada), os portadores podem ser gerados mais perto do local de
recombinação, embora ainda sejam capazes de se difundir para a junção e
serem coletados sem recombinar.
Perdas por recombinação e eficiência
quântica
 Perdas de tensão por recombinação
• A tensão de uma célula fotovoltaica é necessária para entregar
potência à carga externa.
• Ela surge a partir da separação das cargas, gerando uma corrente de
diodo de polarização direta.
• A tensão produz injeção e recombinação de portadores, que na
célula solar atuam com perdas de recombinação e são dependentes
da tensão.
 Recombinação de superfície
• Recombinação de superfície pode ter alto impacto, uma vez que os
fótons de maior energia são absorvidos próximo à superfície da célula
FV.
• A redução da recombinação de superfície é atingida com uma camada
de passivação de ligações pendentes do material (camada de dióxido
de silício ou nitreto de silício)
• O dióxido de silício é isolante elétrico, então abaixo dos contatos
metálicos não pode haver esta camada.
 Recombinação de superfície
BSF: back surface field
Região com dopagem alta na
parte posterior da célula.
Esta interface atua como
uma junção PN fraca,
evitando que os portadores
minoritários fotogerados
atinjam a superfície e se
recombinem

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-of-silicon-cells/surface-recombination
 Design dos contatos superiores

• Compromisso entre redução da resistência em série sem

comprometer a absorção da luz.
• A resistência em paralelo não é ajustável pelo design. É proveniente
de defeitos.
 Componentes da resistência em série
• Resistência da base
• Resistência dos dedos
• Resistência dos barramentos

• Resistência de contato
• Resistência do emissor
 Componentes da resistência em série
Otimização de todos componentes da resistência em série:
• Resistência da base
• Resistência dos dedos
• Resistência dos barramentos
• Resistência de contato
• Resistência do emissor

Ver gráfico animado em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-of-silicon-cells/optimization-of-finger-spacing
 Otimização dos contatos elétricos
Design do contato superior:
- Além de minimizar resistência dos dedos e do barramento, minimizar a
resistência global associada ao contato superior, incluindo
- Resistência do emissor
- Resistência no contato
- Sombreamento devido aos contatos
 Design de contatos superiores
Alteração do número de barramentos para otimização da resistência em série e eficiência
das células FV.

Evolução da aparência do lado frontal

da célula, da esquerda para a direita:
2 barramentos, 3 barramentos, 6
barramentos e SWCT (Meyer Burger
SMARTWIRE CONNECTION
TECHNOLOGY)
 Design de contatos superiores

9BB Multibusbar 166mm Monocrystalline Solar Cell

https://www.dsneg.com/solar-cell/p-type/9bb-multibusbar-
166mm-monocrystalline-solar.html

Meyer Burger
SMARTWIRE CONNECTION TECHNOLOGY (SWCT)

https://www.meyerburger.com/user_upload/dashboard_news
_bundle/376409e022f7d2ae6f6e29318f8055410774c7fd.pdf
 Resumo dos parâmetros de uma célula (Si)

• Substrato (silício)
• Espessura da célula (100 a 500
μm)
• Emissor tipo N e base tipo P são
mais comuns (parte superior é o
polo negativo)
• Controle de reflexão:
texturização e aplicação de
revestimentos antireflexivos
 Resumo dos parâmetros de uma célula (Si)

• Dopagem da base (1 Ω.cm)

• Dopagem do emissor (100 Ω.cm)
• Espessura do emissor ( < 1 μm)
• Padrão dos contatos superiores
Dedos com 20 a 200 μm, espaçados 1 a 5
mm.
Número de barramentos variável
Diversos tipos de design
• Contatos posteriores (pouco importante
em células convencionais). Em geral uma
grade recobre toda a superfície.