Conversão Fotovoltaica da

Energia Solar - MMD00575

Aula 02 – Semicondutores, junção PN, célula fotovoltaica

PPGE3M
Prof. Fabiano Perin Gasparin
 Estruturas das bandas de energia nos sólidos
Diagrama esquemático dos elétrons em função da separação interatômica para
um agregado de 12 átomos. Conforme os átomos se aproximam, cada um dos
estados atômicos 1s e 2s se divide para formar uma banda de energia eletrônica
com 12 estados.
 Representação da estrutura de bandas

Energia eletrônica em função

Representação convencional
da estrutura de bandas de
energia eletrônica para um
material sólido na separação
interatômica de equilíbrio.
da separação interatômica
para um agregado de átomos,
ilustrando como é gerada a
estrutura da banda de
energia na separação de
equilíbrio.
 Condução & Transporte de Cargas
• Metais (Condutores):
-- estados de energia vagos adjacentes a estados preenchidos
banda parcialm. bandas sobrepostas
preenchida
-- energia térmica Energia Energia
excita os elétrons a níveis banda
vagos superiores na vazia
GAP banda
banda
vazia
-- dois tipos de banda
estruturas de banda parcialmente banda

filled states
preenchida

filled states
nos metais: preenchida
1.banda parcialmente
preenchida ex. Cu
banda banda
2. bandas sobrepostas
preenchida preenchida
ex. Mg

Chapter 18 - 10
Estrutura de Bandas de Energia Isolantes &
Semicondutores
Isolantes: Semicondutores
--largura da banda proibida (> 2 eV) -- largura da banda proibida (< 2 eV)
-- poucos elétrons excitados para -- mais elétrons excitados termicamente
banda de condução para a banda de condução
Energia banda de Energia banda de
cond. cond.
vazia vazia
GAP ?
GAP

banda de banda de

filled states
filled states
valência valência
preenchida preenchida

banda preenchida banda

preenchida
Chapter 18 - 11
 Estruturas de Bandas Eletrônicas

(a)Condutores (ex. cobre), com estados eletrônicos disponíveis adjacentes acima dos estados
preenchidos
(b)Condutores (ex. magnésio) onde existe sobreposição das bandas mais externas
(c)Isolantes, com espaçamento entre bandas (gap) relativamente grande (> 2 eV)
(d)Semicondutores, com espaçamento entre bandas (gap) relativamente estreito (< 2eV)
 Semicondutores Intrínsecos
• Materiais semicondutores puros,
ex. silício & germânio
– Materiais do grupo IVA
• Semicondutores compostos
– Compostos III-V
• Ex: GaAs, InSb, CIGS [Cu(In,Ga)Se2]
– Compostos II-VI
• Ex: CdS, ZnTe, CdTe
– Outros compostos
• CIGS [Cu(In,Ga)Se2]
– Quanto maior a diferença de
eletronegatividade entre os elementos,
maior será o gap de energia. Chapter 18 - 7
 Semicondução Intrínseca – movimento de
elétrons e lacunas
• Conceito de lacuna
valence electron hole electron hole
electron Si atom
pair creation pair migration

- * +

-
no applied applied applied
electric field electric field electric field
Adapted from Fig. 18.11,
• Condutividade elétrica do holes/m3
Callister & Rethwisch 9e.

semicondutor:
hole mobility
electrons/m3 electron mobility
https://www.pveducation.org/pvcdrom/conduction-in-semiconductors Chapter 18 - 8
 Portadores de Cargas em Isolantes e
Semicondutores
Fig. 18.6 (b), Callister &
Rethwisch 9e.
Dois tipos de portadores
de cargas
elétrons livres
– carga negativa
– banda de condução

lacunas
– carga positiva
– estado vago na banda de
valência

Movimento em diferentes velocidades- velocidade de deriva

https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/band-gap Chapter 18 - 14
 Portadores de carga
Condutividade intrínseca

• for intrinsic semiconductor n = p = ni

 σ = ni|e|(μe + μh)

• Ex: GaAs

For GaAs ni = 4.8 x 1024 m-3

For Si ni = 1.3 x 1016 m-3
Chapter 18 - 10
 Semicondutores Intrínsecos: Condutividade vs T
• Silício Puro
• -- σ aumenta com T
-- comportamento oposto aos metais

material band gap (eV)

Si 1.11
Ge 0.67
GaP 2.25
CdS 2.40
Selected values from Table 18.3,
Callister & Rethwisch 9e.

https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/intrinsic-
Adapted from Fig. 18.16, carrier-concentration
Callister & Rethwisch 9e. Chapter 18 - 11
 Condução Intrínseca e Extrínseca

• Semicondutor Intrínseco:
-- caso do Si puro
-- # elétrons = # lacunas (n = p)
• Semicondutor Extrínseco:
-- o comportamento elétrico é determinado pela presença de impurezas que introduzem
elétrons em excesso ou lacunas
-- n ≠ p

Chapter 18 - 19
 Semicondutores Extrínsecos tipo N e tipo P

• n-type Extrinsic: (n >> p) • p-type Extrinsic: (p >> n)

Phosphorus atom Boron atom
hole
4+ 4+ 4+ 4+ conduction 4+ 4+ 4+ 4+
electron
4+ 5 + 4+ 4+ 4+ 3+ 4+ 4+
valence
4+ 4+ 4+ 4+ electron 4+ 4+ 4+ 4+
no applied Si atom no applied
Adapted from Figs. 18.12(a)
& 18.14(a), Callister & electric field electric field
Rethwisch 9e. Chapter 18 - 19
Tipo N Tipo P
Dopante Grupo V (ex. Fósforo) Grupo III (ex. Boro)
Ligações Excesso de elétrons Falta de elétrons (lacunas)
Portadores majoritários Elétrons Lacunas
Portadores minoritários Lacunas Elétrons

https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/doping
 Concentração de portadores
1.Os semicondutores contêm portadores majoritários e minoritários. Os portadores de
carga mais abundantes são os portadores majoritários; os menos abundantes são os
portadores minoritários.
2.A concentração de equilíbrio do portador pode ser aumentada por meio de dopagem.
3.O número total de portadores na banda de condução e valência é chamado de
concentração de equilíbrio de portadores.
4.O produto da densidade de portadores majoritários e minoritários é uma constante.

2 ND: densidade de átomos doadores

Lei de ação das 𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖 O dopante pentavalente introduz elétrons
massas: na banda de condução, sendo que a
𝑛𝑖2 concentração de elétrons pode ser
Concentração de 𝑛0 = 𝑁𝐷 , 𝑝0 = aproximada pela densidade de átomos de
portadores tipo N 𝑁𝐷 impureza
NA: densidade de átomos aceitadores
2
Concentração de 𝑛𝑖 O dopante trivalente introduz níveis

portadores tipo P 𝑝0 = 𝑁𝐴 , 𝑛0 = aceitadores (lacunas) na banda de

𝑁𝐴 valência no semicondutor tipo P
https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/equilibrium-carrier-concentration
 Semicondutores extrínseco: Condutividade vs. Temperatura

• Silício dopado:
-- dopagem aumenta σ doped
undoped
-- razão:
Sítios de imperfeições (impurezas) tem baixa 3

concentration (1021/m3)
energia de ativação para produzir elétrons

Conduction electron
livres na banda de condução.

freeze-out
2

extrinsic

intrinsic
• Comparação: intrínseco vs extrínseco 1
-- extrinsic doping level: 1021/m3 of a n-
type donor impurity (such as P).
0
-- for T < 100 K: "freeze-out“, thermal energy
insufficient to excite electrons. 0 200 400 600 T (K)
-- for 150 K < T < 450 K: "extrinsic"
Adapted from Fig. 18.17, Callister & Rethwisch
-- for T >> 450 K: "intrinsic" 9e. (From S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics
and Technology. Copyright © 1985 by Bell Telephone
Laboratories, Inc. Reprinted by permission of John Wiley
& Sons, Inc.)

Chapter 18 - 15
 Junção PN – diodo retificador
• Permite o fluxo de elétrons em apenas uma direção.
• Processamento: difusão de P em um dos lados de um cristal já dopado com
boro.

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/pnjun.html
 Junção PN – diodo retificador
-- Processos que ocorrem na formação da junção PN
1. Ao juntar um material semicondutor do tipo N com o material tipo P, os elétrons em excesso na
banda de condução difundem-se para o lado P e as lacunas difundem-se do lado P para o lado N.
2. O movimento dos elétrons para o lado P deixa íon positivos no lado N e o movimento de lacunas
para o lado N deixa íons negativos no lado P, resultando em um campo elétrico na junção e formação
de uma região de depleção (região sem portadores de carga).
3. Um potencial resulta do campo elétrico formado na junção, que impede a continuação indefinida da
difusão.

https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/pnjun.html -junctions/formation-of-a-pn-junction
 Polarização de uma junção PN

-- Sem potencial aplicado. Corrente * p-type+ -n-type

- Adapted from
+ Fig. 18.21,
líquida é zero. * + - - Callister &
Rethwisch
9e.
-- Polarização direta: portadores de carga -
p-type + - n-type
fluem através das regiões, + + -
recombinando na junção. Há circulação ++- - -
+-
de corrente elétrica.

-- Polarização reversa: portadores de carga n-type

* p-type -
+ +
saem da região da junção que ficam sem - - +
portadores. Há apenas uma circulação de
-
corrente reversa devido à passagem de
+ + - -
portadores por efeito térmico.

https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/bias-of-pn-junctions
Chapter 18 - 18
Propriedades de uma junção retificadora

Fig. 18.22, Callister & Rethwisch 9e. Fig. 18.23, Callister & Rethwisch 9e.
Chapter 18 - 19
 Equação do diodo retificador
𝑒𝑉 Diodo ideal
𝐼𝐷 = 𝐼0 exp −1
𝑘𝐵 𝑇𝑐

𝑒𝑉 Diodo não ideal

𝐼𝐷 = 𝐼0 exp −1
𝑛𝑘𝐵 𝑇𝑐

ID: corrente em uma junção PN, [A]

I0 : corrente de saturação reversa do diodo sem iluminação, [A]
V: tensão nos terminais do diodo, [V]
e : carga elementar, 1,602 x 10-19 C
n: fator de idealidade do diodo
kB: constante de Boltzman, 1,38066 x 10-23 J/K
Tc: temperatura absoluta da junção [K] Ver curvas no pveducation.
https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/diode-equation
 Geração de pares elétrons-lacuna I
Absorção da luz:

1. Quando a energia do fóton incidente é igual ou maior do que a largura

da banda proibida (band gap do material), o fóton é absorvido pelo
material, excitando um elétron para a banda de condução.

2. Um par elétron lacuna é formado, isto é, um portador majoritário e um

minoritário é gerado.

3. A geração de portadores de carga (pares elétrons-lacuna) é a base do

funcionamento das células fotovoltaicas.
 Geração de pares elétrons-lacuna II

•Eph < EG: fótons com energia Eph menor do que o band gap EG interagem
somente fracamente com o semiconductor, passando pelo material como
se fosse transparente.

•Eph = EG : tem energia justamente suficiente para criar um par elétron-

lacuna e são eficientemente absorvidos.

•Eph > EG : Fótons com energia muito maior do que o band gap são
fortemente absorvidos. Entretanto, para aplicações fotovoltaicas, a energia
maior do que o band gap é desperdiçada por termalização dos elétrons.

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/absorption-of-light
 Absorção dos fótons pelo semicondutor

1. O coeficiente de absorção varia

com o semiconductor.

2. Materiais com coeficientes

maiores absorvem eficientemente os
fótons, excitando elétrons para a
banda de condução.

3.O coeficiente de absorção

determina até que ponto a luz de um
material de um determinado
comprimento de onda pode penetrar
antes de ser absorvida.
 Profundidade de absorção
1. A profundidade de absorção é dada pelo inverso do coeficiente de
absorção e descreve a profundidade da penetração da luz em um
semicondutor antes de ser absorvida.

2. Os fótons com energia mais alta tem um comprimento de onda mais curto
e uma profundidade de absorção menor do que a luz de energia mais baixa,
que não é tão prontamente absorvida e tem uma profundidade de absorção
maior.

3. A profundidade de absorção afeta aspectos do projeto da célula solar,

como a espessura do material semicondutor.

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/absorption-depth
 Recombinação de pares elétrons-lacuna
1. Eventualmente, os elétrons perdem energia e retornam à banda de
valência, recombinando com uma lacuna.

2. Existem três tipos de recombinação:

Radiativa, Shockley-Read-Hall e Auger.

3. A recombinação Auger e Shockley-Read-Hall dominam as células solares

à base de silício.

4. Entre outros fatores, a recombinação está associada ao tempo de vida dos

portadores de carga do material e, portanto, da célula solar.
 Recombinação radiativa
Na recombinação radiativa, um elétron da banda de condução se combina
diretamente com um buraco na banda de valência e libera um fóton.

O fóton emitido tem uma energia semelhante ao intervalo da banda e,

portanto, é apenas fracamente absorvido, de modo que pode sair do
pedaço de semicondutor.

Tipo de recombinação
predominante em
semicondutores de banda
proibida direta (direct band
gap).
Recombinação por meio de defeitos Shockley-Read-Hall
Um elétron (ou lacuna) é capturado por um estado de energia na região
proibida que é introduzido por defeitos na rede cristalina. Esses defeitos
podem ser introduzidos não intencionalmente ou deliberadamente
adicionados ao material, por exemplo, na dopagem do material;

Se uma lacuna (ou um elétron) se mover para o mesmo estado de energia

antes de o elétron ser reemitido termicamente na banda de condução, ele
se recombina.
 Recombinação Auger
A recombinação Auger envolve três portadores.

Um elétron e uma lacuna se recombinam, mas em vez de emitir a energia

como calor ou fóton, a energia é dada a um terceiro portador, um elétron na
banda de condução.

Esse elétron então se termaliza de volta para a borda da banda de

condução.

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/pn-junctions/types-of-recombination
 Tempo de vida dos portadores de carga
- O tempo de vida dos portadores de carga de um semicondutor depende
da taxa de recombinação, que depende da concentração de portadores
minoritários.

- O tempo de vida do material leva em consideração os diferentes tipos de

recombinação.

- O tempo de vida é um indicador da eficiência de uma célula solar e,

portanto, é uma consideração importante na escolha de materiais para
células solares.
 Comprimento de difusão
O comprimento de difusão é o comprimento médio que um portador se
move entre a geração e a recombinação.

Materiais semicondutores fortemente dopados apresentam taxas de

recombinação maiores e, conseqüentemente, comprimentos de difusão
mais curtos.

Comprimentos de difusão
mais altos são indicativos de
materiais com tempo de vida
mais longo e são, portanto,
uma qualidade importante a
se considerar com materiais
semicondutores.
https://semilab.com/category/products/minority-carrier-
diffusion-length-measurement
 Recombinação na superfície
Em áreas com defeitos na rede cristalina, como na superfície das células
solares onde a rede é interrompida, a recombinação é muito alta.

A recombinação da superfície é alta em células solares, mas pode ser

limitada.

Compreender os impactos e as maneiras de limitar a recombinação da

superfície leva a designs de células solares melhores e mais robustas.
 Estrutura de uma célula fotovoltaica
As etapas básicas na operação de uma célula
solar são:

1. geração de portadores de carga (pares

elétrons-lacuna) por absorção da energia do
fóton;
2. separação dos portadores de carga pelo
campo elétrico da região de depleção
fotogerados para produzir uma corrente elétrica;
3. estabelecimento de uma diferença de
potencial na célula
4. dissipação de potência na carga externa e
nas resistências parasitas.
 Corrente fotogerada

1. Absorção dos fótons incidentes criando

pares elétrons-lacuna

2. Coleta e separação do par elétron-lacuna

pela junção PN antes da recombinação.

https://electricalacademia.com/renewable-energy/photovoltaic-pv-cell-
working-characteristics/attachment/process-of-photon-generation-in-solar-
cell/

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/light-generated-current
Probabilidade de coleta do par elétron-lacuna
A "probabilidade de coleta" descreve a probabilidade de que um portador
gerado pela absorção de luz em uma determinada região do dispositivo
seja coletado pela junção pn e, portanto, contribua para a corrente
fotogerada.

A probabilidade depende da distância que uma portador fotogerado deve

viajar em comparação com o comprimento de difusão.
 Eficiência quântica
Razão entre o número de portadores coletados pela célula solar e o número de
fótons incidentes de uma determinada energia.

Pode ser dada como uma função do comprimento de onda ou como energia.

Se todos os fótons de um determinado comprimento de onda forem absorvidos e os

portadores minoritários resultantes forem coletados, a eficiência quântica nesse
comprimento de onda específico será unitária.

A eficiência quântica para fótons com energia abaixo do gap é zero.

Existem dois tipos de eficiência quântica: interna e externa.

A eficiência quântica externa (EQE) inclui as perdas de reflexão da célula solar.
A eficiência quântica interna (EQI) é corrigida para as perdas ópticas devido à
reflexão na frente da célula solar.
Eficiência quântica
 Resposta Espectral
Eficiência Quântica: Número de elétrons produzidos pela célula solar em
comparação com o número de fótons incidentes no dispositivo

Resposta Espectral: a razão entre a corrente gerada pela célula solar e a

energia incidente nela.

Lembrar que um fóton com maior energia

produz apenas um par elétron-lacuna.

Silício é um semicondutor de gap indireto,

portanto, não há um corte abrupto no
comprimento de onda correspondente ao
gap (Ex = 1,12 eV).
 Resposta Espectral

𝑞𝜆
𝑆𝑅 = 𝑄𝐸
ℎ𝑐
𝑄𝐸 . 𝜆
𝑆𝑅 =
1239.8 (𝑛𝑚)

1𝑒 1 𝐴
𝑆𝑅 = [ ] = =[ ]
𝑒𝑉 𝑉 𝑊
 Resposta Espectral de Dispositivos FV

https://www.researchgate.net/post/How_does_a_thin
_film_solar_module_perform_well_under_low_radiatio https://pvpmc.sandia.gov/modeling-steps/2-dc-module-
n_diffused_radiation iv/effective-irradiance/spectral-response/
 O efeito fotovoltaico

- Somente a coleta de portadores de carga não gera potência elétrica.

- Para uma célula fotovoltaica produzir potência elétrica, é necessária

corrente elétrica e tensão elétrica.

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-
operation/the-photovoltaic-effect
Curva I-V de uma célula fotovoltaica ideal

Ver animação em:

https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/iv-curve
Curva I-V de uma célula fotovoltaica ideal

𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝐿 − 𝐼0 𝑒𝑥𝑝 −1
𝑛𝑘𝑇
 Curva I-V de um dispositivo fotovoltaico
5
80

- Voc (tensão de circuito aberto Isc Pm

70
4 Imp
- Isc (corrente de curto-circuito 60
Curva I - V
Curva P - V
- Imp (corrente do ponto de máxima 3 50

Corrente (A)

Potência (W)
potência) 40

2
- Vmp (tensão do ponto de máxima 30

potência). 1
20

Vmp Voc 10
- Produto ImpVmp é o ponto Pm
0 0
(ponto de máxima potência) da 0 4 8 12 16 20 24

Tensão (V) -10

curva de potência;
Curva I-V de um módulo FV com 36 células em série
 Fator de Forma (FF)

𝐼𝑚𝑝 𝑉𝑚𝑝
𝐹𝐹 =
𝐼𝑠𝑐 𝑉𝑜𝑐

Parâmetro que indica a qualidade do

dispositivo.
Ex. ~ 0,78 (Canadian solar 400 W )
 Eficiência de conversão
Eficiência é determinada em condições de teste padrão:
Irradiância solar de 1000 W/m2
Temperatura da célula: 25 °C Módulos FV premium:
Sun Power X22 360 W: 22,2 %
Espectro padrão AM 1.5
LG 365 W NeON R: 21.1 %

Panasonic HIT: 19.1 %

𝑃𝑚 𝑃𝑚
𝜂= = Silício policristalino: 17,5 – 18 %
𝑃𝑖𝑛 𝐴𝐺
CdTe First Solar Series 6 : 17 %

𝐹𝐹 𝐼𝑠𝑐 𝑉𝑜𝑐 CIGS 14 – 15 %

𝜂=
𝑃𝑖𝑛 IMPORTANTE: exemplos de eficiências comercias. Há
novidades com frequência.
 Balanço detalhado - Limite de Shockley Queisser

- Um par elétron lacuna

gerado por fóton incidente
- Há relaxação térmica da
energia do fóton que
excede o band gap
- Irradiância sem
concentração
- Espectro solar
- Uma única junção PN

W. Shockley and Queisser, H. J., “Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells”, Journal of Applied
Physics, vol. 32, pp. 510-519, 1961.
 Balanço detalhado - Limite de Shockley Queisser

Limite de eficiência da célula solar em

função do bandgap do material para
iluminação de um sol (1000 W/m2).

Os cálculos assumem que a única

recombinação é radiativa.

Em dispositivos reais, as eficiências

são menores devido a outros
mecanismos de recombinação e
perdas nas resistências parasitas.
 Células Tandem e Multijunção

Otimização de cada junção

para uma parte do espectro
solar.

https://www.pveducation.org/pvcdrom/tandem-cells
 Células Tandem e Multijunção
Eficiência máxima para um
tandem de duas junções sob
o espectro AM1.5G.
Limite sem concentração é de
47%.

Na eficiência de pico, a célula

superior tem um bandgap de
1,63 eV e a célula inferior tem
um bandgap de 0,96 eV.

https://www.pveducation.org/pvcdrom/tandem-cells