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Ouro Preto – MG
2014
Renato Harley dos Santos
Dissertação apresentada ao
Curso de Mestrado em Ciências
– Física de Materiais como
requisito parcial para obtenção
do título de Mestre em Ciências.
Ouro Preto – MG
2014
DEDICATÓRIA
À minha esposa, Ana Paula, pelo apoio, por todo incentivo, por toda a ajuda, pela
fé depositada em mim e por todo o amor.
À minha família, uma peça fundamental na minha vida, na qual tive incentivo,
apoio e exemplo de vida.
Vimos que a simples deposição não afeta sua estrutura eletrônica e, assim, o
nitreto de boro hexagonal pode até servir como uma camada protetora em
situações em que a interação com espécies químicas do ambiente possa afetar as
propriedades de transporte das superfícies. Mas, com a aplicação de uma pressão
uniaxial na interface de nitreto de boro cúbico com o nitreto de boro hexagonal,
sua estrutura eletrônica pode ser afetada, alterando suas propriedades de
transporte, podendo, inclusive, tornar a interface semicondutora.
In this thesis, using methods based on density functional theory, we investigate the
structural and electronic properties of hexagonal boron nitride deposited on
hydrogenated cubic boron nitride. In addition, uniaxial pressure applied on these
materials and we note how structural and electronic properties would be affected.
We have seen that the simple deposition does not affect its electronic structure and
thus the hexagonal boron nitride can even serve as a protective layer in situations
where interaction with chemical species of the environment may affect the
transport properties of surfaces. But, by applying a uniaxial pressure in cubic boron
nitride interface with the hexagonal boron nitride, their electronic structure can be
affected by changing its transport properties and can even make semiconductor
interface.
We have seen, too, that the surface morphology of cubic boron nitride
hydrogenated (which can be completed in B-H or N-H) has a strong effect of
surface electronic properties of cubic Boron Nitride, which in turn affects the
electronic and structural properties of Boron Nitride interface of hexagonal boron
cubic-nitride.
INTRODUÇÃO .......................................................................................... 11
1 METODOLOGIA .................................................................................... 23
1.1 Método.................................................................................................. 23
CONCLUSÃO ............................................................................................ 57
REFERÊNCIAS .......................................................................................... 58
INTRODUÇÃO
Nitreto de Boro
O nitreto de boro (BN) está entre os materiais mais duros, entre aqueles que mais
se aproximam da natureza do diamante.
Trata-se de um composto em que o boro e o nitrogênio se unem somente através
de ligações covalentes, que podem ocorrer entre dois átomos de elementos
diferentes.
Decorrentes do nitreto de boro, têm-se o nitreto de boro cúbico (c-BN) e o nitreto
de boro hexagonal (h-BN), materiais artificiais extremamente duros.
Diante das previsões teóricas, em que o mesmo afirmava que era impossível a
existência de bidimensionais grandes a temperaturas finitas, percebe-se que essa
teoria não levou em conta a possibilidade de a rede cristalina vibrar e se deformar
na direção perpendicular ao plano do cristal, pelo fato da existência do grafeno [11
e 13].
A posição de todos os átomos de cor amarela pode ser obtida a partir da posição
de um dos átomos de uma célula unitária somados a vetores múltiplos dos vetores
→ →
a1 e a2 enquanto o mesmo se pode obter para os átomos de cor azul. Os vetores
→ →
a1 e a2 são dados por:
→ dCC
a1 = (3, 3)
2
→ dCC
a2 = (3, − 3)
2 ,
0
sendo que d CC 1.42 A e é a distância entre os átomos de carbono no grafeno.
Entende-se que a estrutura hexagonal formada pelos átomos de carbono implica
que a ligação química entre eles é aquela formada pela hibridização sp2 dos
orbitais s e p. E que os três elétrons de valência do átomo de carbono fazem parte
das três ligações do tipo sp2, e o elétron restante, que ocupa o orbital pz, por
exemplo, forma ligações chamadas de π − π , que são mais fracas do que as
outras. Portanto, este elétron do orbital p que se localiza em orbital perpendicular
ao plano do grafeno é o responsável pela maior parte das propriedades
eletrônicas do mesmo. E, em função de a célula unitária do grafeno possuir dois
átomos, a estrutura eletrônica forma duas sub-bandas, uma π e uma π * , que
constituem as bandas de valência e condução do grafeno, respectivamente.
O nitreto de boro cúbico é uma forma alotrópica sintética do BN, obtida sob
condições de altas temperaturas e altas pressões, a partir do nitreto de boro
hexagonal (h-BN), composto obtido também de forma artificial.
Podemos observar, pela figura 5, que o nitreto de boro cúbico possui uma
estrutura cristalina, tendo duas redes cristalinas cúbicas de face centrada, sendo
que uma é composta de átomos de boro e a outra de átomos de nitrogênio,
semelhante à do diamante. Nessa estrutura, os átomos são ligados a quatro
vizinhos próximos de espécies alternadas através de ligações tetraédricas
3
σ ligando orbitais hibridizados sp [16].
•
Figura 5: Estrutura cristalina do nitreto de boro cúbico, sendo que ( ) são os átomos de
boro e ( o) são os átomos de hidrogênio.
1.1 Método
HΨ = EΨ
Sendo o o Hamiltoniano, a energia referente a esse operador e o estado
quântico.
onde
^ ^ ^ ^ ^ ^
H = Te + Tn + Vee + Ven + Vnn
onde cada termo desse hamiltoniano representa uma expressão das interações no
sistema. Segue, abaixo, o significado de cada termo da expressão anterior.
^ N
∇i 2
Te = ∑ −
i =1 2
^ m n
1
Vee = ∑∑ → →
i =1 j >i
ri − rj
n m
^ Zi
Ven = −∑∑ . → →
i =1 j >1
R j − ri
^ n m
ZiZj
Vnn = ∑∑ → →
i =1 j >i
Ri − R j
^
^ ^ ^ ^
^ ^ ^
H = Te + Vee + Ven + Vnn + Tn ≡ H e + Tn
^
Sendo que H e é o hamiltoniano eletrônico que depende das coordenadas dos
→ →
elétrons r e parametricamente da coordenada dos núcleos R ,
^ ^
→ →
He = He r , R
Logo
→ → → → →
H e = λ ( r , R) = Ee ( R)λ ( r , R)
→ → →
Onde λ ( r , R ) é a função de onda eletrônica, e Ee ( R ) a energia eletrônica
→
dependente de R .
→ →
Ressalta-seque a energia eletrônica Ee R depende de R . Variando as
posições nucleares em pequenos passos e, em cada passo resolvendo a equação
anterior, obtém-se Ee . Ee é uma superfície de potencial para o movimento dos
^ → → →
Tn + Ee R Φ R = E Φ R
→
→
Ee R é a superfície de potencial e R agora é uma variável.
N
1 → N M Z N M
1
H ele = −∑ ∇i2 − ∑∑ → a→ + ∑∑ → →
i −1 2 i −1 A=1
ri − rA i =1 j >1 ri − rj
→ → → → → → → → →
ψ r1 , r , r3 ... rn = Φ1 r1 .Φ 2 r2 .Φ 3 r3 ,...Φ rn sendo que Φ i ri é a solução da
2
equação :
→ →
h(i )Φ i ri = ε i Φ i ri .
i
Onde
2
→
Φ j r'
→ 1 →2 M Z
h ri = − ∇ i + ∑ → A→ + ∑ ∫ →
dr ' −1
2 A =1
→
ri − rA j ≠ i ri − r
'
→ → →
ϕ1 x1 ϕ1 x2 ϕ1 xn
→ → →
1 ϕ 2 x1 ϕ2 x2 ϕ2 xn
ψ0 =
n!
M M M
→ → →
ϕ 2 x1 ϕ2 x2 ϕ2 xn
→
Em que ϕ n xn são spin-orbitais.
N
δ Ψ 0 H Ψ 0 − ∑ ε k Φi Φi = 0
i
i =1
→' →'
→
ϕ *j x ϕi x →'
O termo ∑ ϕi x ∫ → →'
d x surge da assimetria da função de onda Ψ 0 e é
j
r− r
Ψ i = C0 Ψ 0 + ∑ Car Ψ as + ∑ rs
Cab Ψ ab
rs
+ ∑ rst
Cabc Ψ rst
abc + ...,
ra a <b , r < s a <b <c ,r < s <t
Ψ ra
em que é o
determinante no qual o orbital Ψ a foi substituído pelo orbital Ψ r . Ressalta-se
que a função de onda acima descrita trata-se de uma série infinita.
O método de Hartree sugere que a função de onda total seja o produto de todas
as funções de ondas individuais dos elétrons [34].
f A = H A + VAtroca
Um objeto físico, a densidade eletrônica, poderia ser usado como variável básica
ao invés da função de onda [17]. Tal formalismo é conhecido como Teoria do
Funcional da Densidade, que tem como vantagem maior a redução do número de
variáveis: de 3N da função de onda para 3 da densidade (exceto spin), sendo N o
número de partículas.
Para mostrar que dois potenciaisexternos Vext . e V 'est ., diferentes a menos de uma
Ψ '0 faz-se:
H = T + V + Vext
elétron – elétron.
(T + V + Vext ) Ψ 0 = ε0 Ψ0
É possível provar a primeira parte do teorema por absurdo. Supõe que Ψ 0 seja
igual a Ψ '0 e, fazendo:
Em que ε 0 e ε '0 são números naturais. Isto quer dizer que Vext e V 'ext são diferentes
por uma constante, caso contrário Ψ 0 ≠ Ψ '0 .Outra vez, por absurdo, mostra-se
→
ε 0 = Ψ 0 H Ψ 0 < Ψ '0 H Ψ '0 = Ψ '0 H '+ Vext − V 'ext Ψ '0 = ε '0 + ∫ n0' [Vext − V 'ext ]d r
→
ε '0 = Ψ '0 H ' Ψ '0 < Ψ 0 H ' Ψ 0 = Ψ 0 H + V 'ext − Vext Ψ 0 = ε 0 + ∫ n0 [V 'ext − Vext ]d r
→ →
Supondo que n0 r = n '0 r e, somando-se as equações anteriores, tem-se:
→ →
Conclui-se, assim que n0 r ≠ n '0 r para Vext ≠ V 'est e que, portanto ε 0 é o
funcional único da densidade eletrônica do estado fundamental.
→ → → →
Ε n r = T n r + V n r + Vest n r
.
Pegamos a expressão anterior e, somando e subtraindo o funcional da energia
cinética do sistema não-interagente e o termo direto, ou de Hartree, temos
→ → → →
→ n r n r ' → → n r n r ' → →
→ → → e2 d r d r ' + e
2
→ → →
Ε n r = Ts n r + T n r + V
n r −
2
∫∫ → → ∫ ∫ → → d r d r ' + ∫ n r Vext r d r
r−r' 2 r−r'
→ →
n r n r ' → →
e → 2
→ → → →
≡ Ts n r + ∫ ∫ → → d r d r ' + ∫ n r Vext r d r + E xc n r
2 r−r'
2 →
L [ n] = E [ n] − ∑ ε i ∫ Φ → d r − N
i r
δ L [n]
E fazendo = 0 temos:
δn
→ →
h2∇ 2 n r d r ' → →
− + e2 ∫ → → + Vext + Vxc Φ i r = ε i Φ i r
2m r−r'
δ Exc
Onde Vxc =
δn
→ →
Ε xc = ∫ ε xc n r d r
→
E xc n r a energia de troca-correlação. Nessa primeira aproximação assumimos
que a densidade varia lentamente de forma que a densidade do sistema não-
homogêneo seja igual a do sistema homogêneo. Em cálculos incluindo spin, a
energia de Exchange-correlação é frequentemente separada em um termo de
troca e outro de correlação. Esse termo de troca é obtido na aproximação de
Hartree-Fock para um gás homogêneo, e uma aproximação bastante usada para a
energia de correlação é baseada em cálculos de Monte Carlo [10].
→ →
GGA →
∇ ∫
= n; ∇ n .
3
E xc n; n d r f
→ →
A escolha de f n; ∇ n depende do comportamento de E xc n r em situações
particulares.
É uma aproximação muito útil, quando se trata de elementos químicos com muitos
elétrons ou quando se tem um amplo sistema. Esta aproximação revela que os
elétrons de caroço não são relevantes na descrição de ligações químicas, uma
vez que apenas os elétrons de valência são responsáveis por esses efeitos.
Fr = rR( r ) = r l +1 f ( r )
ou uma exponencial:
f ( r ) = exp α r 4 + β r 3 + γ r 2 .
rc 2 rc
∫ RlPs ( r ) r 2 dr = ∫ Rl (r ) r 2 dr
2
0 0
l (l + 1) 1 d2
V Ps ( r ) = ε l − − F (r )
2r 2 F (r ) dr 2
Para que se possa utilizar o pseudo – potencial em diferentes ambientes químicos,
deve-se remover a blindagem dos elétrons de valência.
n
Ψ i = ∑ Ciµ Φ µ
µ
n n
H ∑ Ciµ Φ µ = ε i ∑ Ciµ Φ µ
µ µ
∑µ H µ µ C µ = ε ∑µ Sµ µ C µ
' i i ' i
[ H − ε i S ] Ci = 0 e,
O problema possui solução quando,
det [ H − ε S ] = 0
[ H − ε i S ] Ci = 0
Para tornar mais fácil a implantação do hamiltoniano, basta usar diversas técnicas
de maneira conveniente para cada termo. Define-se, de início, a densidade de
carga do átomo neutro:
n0 (r ) ≡ ∑ niNA ( r − Ri )
i
seguida, δ n (r ) :
δ n (r ) = n(r ) − n0 (r )
∂H µν
0
∂S µν ∂U ii −ee ∂φµ δ ∂φµ δ
Fi = ∑ ρ µν + ∑ Eµν − + 2∑ ρ µ0 V0 φµ − 2∑ ρ µν V0 + Vxc φν
µν ∂Ri µν ∂Ri ∂Ri µ ∂Ri µν ∂Ri
e2 Zl Zl ' e2
U ii − ee =
2
∑ R −R
ll '
−
2 ∫ VH0 (r )n0 (r )
l l'
O primeiro termo é tido como a interação entre núcleos com cargas Z l Z l ' , e
o segundo termo é a energia eletrostática da carga do átomo neutro n0 (r ) .As
(S µν = φµ φν ).
2 RESULTADOS
Figura 9: Possíveis deposições do h-BN sobre o c-BN. Painel superior esquerdo: Bcentro.
Painel superior direito: Ncentro. Painel central esquerdo: NH. Painel central direito: BH.
Painéis inferiores mostram duas geometrias possíveis que não foram investigadas neste
trabalho.
Como discutido na seção 2.1, a falta ou o excesso de carga nas superfícies é que
dá origem ao comportamento metálico observado. E as superfícies se tornam
semicondutoras à medida em que as cargas são trocadas entre superfícies BH e
NH [23]. Naquele caso, a distância entre superfícies era o fator determinante para
o tamanho do gap. Então, é natural pensar que, com a pressão (que faz com que
a distância entre nitreto de boro hexagonal e as superfícies hidrogenadas
diminua), a superposição entre orbitais aumente favorecendo a transferência de
carga. Embora razoável, tal explicação não condiz com o resultado numérico.
Como é possível ver na figura abaixo (15), praticamente não há variação da
carga com a diminuição da distância entre nitreto de boro hexagonal e cúbico
(observe que a escala do gráfico varia entre 7.9 e 8.1).
Figura 15: Variação da carga com a diminuição da distância (Å) entre nitreto de boro
hexagonal e cúbico.
REFERÊNCIAS
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