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2012
Ao meu colega Marco Peres por todo o incentivo, apoio e ajuda na resolução
de problemas.
À minha família, nomeadamente os meus pais e meu irmão por toda a força,
apoio e incentivo incondicional. Aos meus amigos que sempre estiveram
presentes, Jorge Silva, Jorge Humberto, Xénon Dias, Carlos Figueira, Paula
Oliveira e Salete Queirós.
Rui Ramalhadeiro
Palavras-chave ZnO, MgO, RF-sputtering, filmes finos, raio-X, raman, fotoluminescência
Resumo Este trabalho tem como objetivo o estudo estrutural e ótico de filmes de óxido
de Zinco (ZnO) em substrato de óxido de Magnésio (MgO), em função das
condições de crescimento por RF-sputtering (pulverização catódica de
rádiofrequência). As condições de pressão parcial de O2 e temperatura do
substrato são variáveis que influenciam bastante o crescimento de filmes finos
de ZnO. A escolha do substrato cúbico de MgO, reside no facto deste material
além de ser um óxido, possuir arranjo atómico não polar que poderá favorecer
o crescimento de filmes finos de ZnO com orientações segundo o plano-m. Na
análise estrutural foi usado difração de raio-X, mapas de espaço recíproco,
figura de pólos por High Resolution X-Ray Difraction, “HRXRD” e
espetroscopia de Raman permitindo observar a orientação dos planos de
crescimento e a relação epitaxial entre o filme e o substrato. Na caracterização
ótica é apresentada medidas de fotoluminescência em que se observa
emissão excitónica para valores mais elevados de energia, assim como
bandas largas não estruturadas para valores inferiores.
keywords ZnO, MgO, RF-sputtering, Thin Films, X-ray diffraction, Raman,
Photoluminescence.
abstract The aim of this work is the structural and optical characterization of samples of
zinc oxide (ZnO) on substrates of magnesium oxide (MgO) in relation to growth
conditions by RF-sputtering. The conditions for O2 partial pressure and
substrate temperature are variables that influence the growth of ZnO thin films.
The choice of cubic MgO substrates, besides being an oxide, possesses
atomic non-polar arrangements that could favor the growth of ZnO thin films
with m-plane orientations. In structural analysis was used X-ray diffraction,
reciprocal space maps, pole figure by High Resolution X-Ray Diffraction,
"HRXRD" and Raman spectroscopy allowing to observe the orientation of
growth plans and the epitaxial relationship between film and substrate. In
optical analyses was used photoluminescence as technique and it is observed
for higher values of energy excitonic emission as well as unstructured broad
bands for lower energy values.
Conteúdo
1 Introdução 6
2 Propriedades do ZnO 8
2.1 Propriedades estruturais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.2.2 Pulverização . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3.2.2.3 Sputtering DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
4.2.3 Mapas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1
4.4.1 Fotoluminescência . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5 Considerações nais 43
5.1 Conclusão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2
Lista de Figuras
d. Adaptada da referência.[2] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4.8 Mapa de pólos obtido por HRXRD na direção do plano (101̄1) para um
3
4.9 Mapa de pólos obtido por HRXRD na direção do plano (101̄1) para um
4.11 Relação epitaxial (101̄0) ZnO || (001) MgO. Imagens obtidas pelo softwere
4.13 Espectros de Raman obtidos à T amb sob excitação com a linha 325 nm
de um laser He-Cd. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.14 Representação dos vetors próprios dos fonões óticos da estrutura do tipo
4
Lista de Tabelas
4.2 Valores dos modos de vibração e desvios de Raman das amostras consi-
−1
derando um erro experimental de 2 cm . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5
Capítulo 1
Introdução
com elevado hiato direto (∼3,4 eV) à temperatura ambiente. Uma das característi-
cas mais importantes deste material relaciona-se com o facto de possuir uma elevada
energia de ligação do excitão livre (∼60 meV) em comparação, por exemplo, com a do
GaN (∼26 meV), sendo por isso um material com vastas aplicações na optoeletrónica
e U.V.. Têm sido realizados vários estudos com o propósito de se obter este tipo de
dos planos a -(112̄0) e m -(11̄00), que são paralelos ao plano do substrato. Nestes casos,
o crescimento do material não evidencia os arranjos atómicos polares inerentes, pelo
que não são criados campos piezoelétricos espontâneos, o que afeta os processos de
2
emissão ótica. O crescimento epitaxial do ZnO dá-se para temperaturas na ordem
◦
dos 300 C . Contudo, a qualidade cristalina dos lmes melhora substancialmente para
◦
temperaturas até 800 C .
mento do lme, afetando diretamente as suas propriedades óticas. Podem ser utiliza-
dos vários métodos de crescimento de lmes nos, tais como Pulsed Laser Deposition
1 M. A. Peres, Caracterização Ótica de Amostras de ZnO , Departamento de Física da Universidade
de Aveiro, 2007.
2 Tanya Paskova, Nitrides With Nonpolar Surfaces , WILEY-VCH.
6
(PLD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), RF-sputtering (Pulverização Catódica de
Radiofrequência), entre outros. O estudo destes lmes requer a aplicação de várias
deste semicondutor.
Este trabalho inicia-se com uma breve descrição das propriedades estruturais e óti-
cas do ZnO. De seguida procede-se à descrição dos fatores que envolvem o crescimento
de lmes nos, bem como as técnicas de Molecular Beam Epitaxy (MBE), Pulsed Laser
Deposition (PLD) e RF-s puttering, sendo dado maior ênfase a esta última. No capí-
tulo 4 é apresentado a análise e interpretação dos resultados experimentais e por m a
7
Capítulo 2
Propriedades do ZnO
destes materiais possuírem um caráter iónico, nestas estruturas cada catião está ligado
Figura 2.1: Estruturas cristalinas nos materiais do II-VI. a) blenda de zinco, b) wurt-
zite. Imagens obtidas pelo softwere Carine Crystallography 3.1.
4
A estrutura wurtzite pertencente ao grupo espacial C6v possui uma célula unitária
hexagonal com duas subredes com empacotamento hexagonal compacto (hcp), em que
cada átomo das respetivas subredes se encontra deslocado de 3/8 da altura da célula,
segundo a direção do eixo-c. Cada subrede é constituída por quatro átomos por célula
unitária (grupo II) e cada átomo é coordenado por quatro átomos da outra espécie
8
relação a um átomo não são equivalentes, sendo a ligação paralela ao eixo-c distinta
q
c c
das outras em que a relação
a
e o parâmetro u se afastam do valor ideal (
a
= 83 e
c = 5, 103Å.
A blenda de Zinco é uma estrutura que pertence ao grupo de simetria F 4̄3m,
descrita como duas redes cúbicas de faces centradas (fcc) interpenetradas deslocadas
1
ao longo do eixo (111) por do parâmetro de rede a. A célula unitária é composta
4
por quatro átomos, cada um (grupo II - Zn) em coordenação tetraédrica com outros
quatro átomos da espécie diferente (grupo VI - S). Estas estruturas exibem polaridade
diferem dos (1̄1̄1̄) e (0001̄). Por convenção, o eixo (0001) corresponde à direção positiva
energia igual ou superior à separação entre as bandas através de um processo que con-
serva o momento, é criado uma lacuna na banda de valência, uma vez que o momento do
distância entre o eletrão e a lacuna é muito maior que o parâmetro de rede, a, e a ener-
gia de ligação é de (∼60meV), permitindo a este tipo de excitão mover-se livremente
9
os defeitos e concentração de dopantes, em que estados discretos de energia são criados
e absorção. Estes níveis de energia podem ser dadores ou aceitadores que servem de
para a rede através da emissão de fonões. Em materiais com banda proibida indireta,
as transições são acompanhadas por fonões, por forma a conservar o momento. Nestes
radiativos são elevados e a luminescência é de baixa eciência, sendo assim pouco úteis
[4]
para dispositivos emissores de luz.
[4]
Figura 2.3: Transições assistidas por fonões em materiais com BP direta e indireta.
10
de ligação de um excitão livre, se este estiver por exemplo, ligado a um aceitador neutro.
A energia de recombinação deste excitão ligado leva à emissão de um fotão com energia
igual a
ligacao
~w = Eg − Eexcitaolivre
Quando um excitão livre é capturado por um defeito neutro ou ionizado, irá recombinar-
ligacao
~w = Eg − Eexcitaolivre − Elocal.
[2]
onde a Elocal é a energia de localização do excitão.
[5]
Haynes observou uma dependência linear entre a Elocal e a Eionizacao pela relação
Elocal = a + bEion
11
Bibliograa
12
Capítulo 3
nos lmes nos que não são criadas no material bulk. Um lme no é uma película
depositada num substrato cuja espessura é tipicamente na ordem dos 500 nm. As
propriedades resultantes dos efeitos de superfície são mais signicativas quando a ra-
zão entre a área da superfície e o volume do bulk é elevada. Um lme no evidencia
vantagens relacionadas com a contínua miniaturização dos dispositivos eletrónicos, que
induz a que os materiais incorporados sejam cada vez menores e com maior densidade.
vários processos que podem ser englobados em dois grupos principais: químicos e fí-
13
mente a condensação e também pulverização com a criação de plasma - um estado da
matéria altamente ionizado (gás), que é induzido a chocar contra o alvo pela aplicação
mica. No caso da pulverizaçao, podem ser usadas técnicas como Pulsed Laser Deposi-
tion (PLD) e sputtering, em que ambas envolvem a criação de plasma e são bastante
utilizados para depositar materiais policristalinos. A evaporação térmica é um processo
que utiliza alto vácuo, e o material a ser depositado é fundido até à sua evaporação ou
tos são depositados separadamente. Uma técnica bastante sosticada que utiliza este
o substrato existem obturadores (shutters ), que são controlados de forma precisa para
favorecer o crescimento uniforme, o controlo de espessura, a composição, a coincidência
de rede, entre outros, ao nível de uma camada atómica. Um fator que é importante
nesta técnica é que os gases com pressões na ordem mencionada acima, possuem um
3.2.2 Pulverização
3.2.2.1 Pulsed Laser Deposition - PLD
É um processo de remoção de material de um alvo pela irradiação de um feixe laser
pulsado de elevada energia. Quando a energia é absorvida pelo material do alvo, são
14
criação do plasma. Quando o equilíbrio térmico é atingido, o material ejetado condensa
[3][4]
e deposita-se na superfície do substrato.
(tais como, iões do gás árgon e eletrões secundários, provenientes da câmara e da sua
ā
S=
iinc
• o material do alvo;
na ordem dos 100 eV, S é proporcional a E. Os iões incidentes com esta ordem de
energia colidem com os átomos da superfície do alvo e o número de átomos arrancados
é proporcional à energia incidente. Para energias mais elevadas (10-100 KeV), os iões
penetram além da superfície, sendo que o sputtering criado pela dispersão dos iões
no interior do alvo diminui, devido à energia dissipada. O rendimento do sputtering
depende da energia de uma forma linear, Figura 3.1.
15
Figura 3.1: Produção de sputtering em função da energia do ião incidente em vários
[1]
materiais.
Este processo depende do ângulo de incidência dos iões, que é governado pela es-
energias mais baixas (100-1000 eV), os estudos efetuados revelaram que a distribuição
angular se comporta como uma função arco-coseno, ou seja, mais átomos são ejetados
superfície e internos:
• Efeitos de superfície:
Retrodispersão;
Emissão de raios-X;
Geração de fotões;
Adsorção;
• Efeitos internos:
16
Amorzação;
Implantação.
[2][7]
Figura 3.2: Processo de sputtering.
cátodo e o ânodo. Essa diferença de potencial irá fazer com que os eletrões provenientes
da câmara, dos materiais e do cátodo passem deste para o ânodo. Os eletrões quando
colidem com os átomos de árgon, estes ionizam-se, originando iões positivos e eletrões,
que irão contribuir para a produção de mais iões e eletrões, tornando o processo con-
tínuo. Este processo só é possível se a energia dos eletrões for superior à energia de
ionização do gás.
[2]
Figura 3.3: Processo de ionizaçao.
Como o alvo tem um potencial negativo, os iões criados irão bombardear a superfície
17
3.2.2.3 Sputtering DC
Este sistema é composto por dois elétrodos planos, cátodo (alvo) e o ânodo (substrato)
em que se aplica uma corrente DC. Um campo elétrico é aplicado entre os elétrodos
provocando a aceleração dos eletrões. Estes por sua vez, colidem com átomos neutros
ionizando-os gerando mais iões e eletrões. Os iões são acelerados em direção oposta
aos eletrões pelo campo elétrico aplicado bombardeando o alvo e por consequência,
rial vaporizado depende do uxo de iões que embatem no alvo e da sua energia. A
poucas colisões ao longo do livre percurso médio que não é mais que a distância entre
[1][2]
elétrodos.
−→ →
−
Fm = q →
−
v ⊗B
18
−→ →
−
onde Fm é ortogonal ao campo B e à velocidade do eletrão, o que resulta num mo-
uxo de iões.
Este método utilizado no crescimento de lmes é bastante útil, uma vez que desen-
volve uma auto polarização no alvo (cátodo), pois possui um acoplamento capacitivo
iões (Ar), estes últimos são mais pesados e não respondem às oscilações rápidas do
campo elétrico (13,56 Mhz) ao contrário dos eletrões, que devido à sua grande mobili-
dade podem compensar o meio ciclo positivo. O meio ciclo negativo não é compensado
pelos iões e o campo elétrico médio criado no alvo é negativo. Este é o efeito reti-
pressão parcial de oxigénio e árgon por forma a criar o ambiente que mais favorece o
transporte de massa.
19
3.2.4 Crescimento de lmes
O crescimento dos lmes obedece a fatores tais como:
aglomerado;
ilhas);
ilha - numa fase condensada, os pequenos aglomerados sofrem uma nucleação direta na
camada - neste modo os átomos estão mais fortemente ligados ao substrato do que
entre si; aqui os primeiros átomos condensam, formando uma monocamada que
misto - após a formação das primeiras monocamadas, poderão formar-se ilhas devido
20
[1]
Figura 3.6: Modos de crescimento de lmes nos.
mente baixa, devido à rápida re-evaporação dos átomos do material depositado que
estão mais fortemente ligados entre sí do que com o substrato, sendo necessário um
No caso em que temos crescimento misto, o potencial químico é nulo para deter-
[1]
Figura 3.7: Processo e característica da energia de nucleação e crescimento.
cristalina do lme.
21
A polarização espontânea é uma propriedade física inerente dos semicondutores com
crescimento com ligações iónicas. A utilização de substratos cúbicos que não possuem
permitindo boa transmissão desde o U.V. até ao infravermelho e possui uma estrutura
não polar com uma desadaptação de rede relativamente baixa em relação ao ZnO e de
22
Bibliograa
blications, 1991.
[6] R. Feres, G. Yablonsky, Knudsen's cosine law and random billiards, CES 59,
1541-1556 (2004).
[7] http://www.pvd-coatings.co.uk/theory-of-pvd-coatings-magnetron-
sputtering.htm, 03/11/2011.
[9] http://www.engineerlive.com/Design-Engineer/Materials_Processes/Magnetron_sputtering_c
(2012).
[11] Suzuki R., Kawaharazuka A., Horikoshi Y., Eect of the MgO substrate on the
23
[12] Ryotaro Suzuki, Atsushi Kawaharazuk, Yoshiji Horikoshia, MBE growth of GaN
24
Capítulo 4
A deposição do ZnO foi realizada a partir de um alvo comercial com 99,9% de pu-
reza. Para o crescimento dos lmes foram utilizados substratos de MgO, que foram
mento apresentada na Tabela 4.1, durante deposição das amostras ZnO16c e ZnO17c
idêntica e para a amostra ZnO17c, sete minutos iniciais sem O2 , minuto a minuto
On/O, dois minutos sem Ar e por m dois minutos sem O2 . Nas amostras ZnO5c e
Zn8c não houve introdução de O2 , tendo sido fornecido O2 só nos dez minutos iniciais.
25
Tabela 4.1: Condições de crescimento das amostras de ZnO em MgO
entre o feixe incidente e difratado, θi e θd , para uma distância reticular dhkl , onde hkl
26
Figura 4.2: Difração de Bragg numa família de planos espaçados de uma distância d.
[2]
Adaptada da referência.
O difractograma mostra o padrão de difração de raios - x dos lmes nos de ZnO 5c,
8d, 16c e 17c de espessuras 500, 550, 310 e 390 nm respetivamente, crescidos em MgO
27
(2 0 0). Os picos de maior intensidade representam o ângulo 2θ nas direções [200] do
MgO, [100] plano - m, [001] plano - c e [101] do ZnO. Para determinar a orientação
de crescimento dos lmes de ZnO no substrato de MgO com orientação [2 0 0], foram
4.2.3 Mapas
Os mapas dos espaços real e recíproco são obtidos apartir de uma geometria de difração
→
− →
−
simétrica através dos ângulos ω e 2θ−ω , em que os feixes incidente ( k0 ) e difratado (kh )
fazem ângulos apropriados em relação à superfície do cristal. Diferentes áreas do espaço
→
−
recíproco podem ser estudadas alterando o comprimento do vetor disperso ( S = k~h −
k~0 ) com a variação dos ângulos 2θ e ω pela relação Sz = λ1 {sin ω + sin (2θ − ω)}A−1[6] .
No difratograma acima apresentado, Figura 4.3, pode ser observado a orientação de
crescimento num varrimento θ − 2θ. Esta análise não permite saber a orientação dos
planos do cristal na sua totalidade. Assim, são apresentadas a seguir as Figuras 4.4,
4.5, 4.6 e 4.7 que correspondem aos mapas das amostras em estudo. É observado
para a amostra ZnO5c duas orientações de crescimento (100) e (001) o que é esperado
dos planos (100) do ZnO, indicando que estes são paralelos ao plano do substrato.
A interferência que corresponde aos planos (001) do ZnO apresenta menor dispersão
o que indica uma menor contribuição destes planos na difração. A amostra ZnO 8d,
apresenta duas orientações segundo a análise θ −2θ, (101) e (001). Observa-se no mapa
que pode indicar que o crescimento do lme é mais predominante nesta direção. Estes
padrões, indicam que o lme cresce nas direções [101] e [101]. Os planos (001) do ZnO
28
Figura 4.4: Mapas de espaço real e recíproco da amostra ZnO5c 002_100.
29
O mapa de espaço real da amostra ZnO16c apresenta uma intensidade da difração
superior para os planos (001) mostrando que, o plano basal do ZnO é paralelo ao plano
intensidade podendo indicar uma contribuição inferior destes planos em relação aos
(001).
O mapa da Figura 4.7, exibe um único padrão de difração segundo a direção [100]
30
do ZnO, o que indica que este plano é paralelo ao plano (200) do MgO. A desadaptação
na camada epitaxial durante o crescimento, defeitos estes que podem ser de nuclea-
ção, falhas de empilhamento, entre outros. Estes defeitos estão relacionados com as
Figura 4.8: Mapa de pólos obtido por HRXRD na direção do plano (101̄1) para um
ângulo 2θ = 36, 21◦ do ZnO, mostrando a epitaxia do plano-m do lme no substrato
de MgO da amostra ZnO17c.
31
Figura 4.9: Mapa de pólos obtido por HRXRD na direção do plano (101̄1) para um
◦
ângulo 2θ = 36, 21 da amostra ZnO19b, mostrando a epitaxia do plano-m do lme no
substrato de MgO e imagem de AFM indicando os dois domínios de planos do ZnO na
direção [110] do MgO .
32
Os mapas de pólos mostram uma análise azimutal das orientações dos planos da
amostra, onde se xa o ângulo 2θ e faz-se variar os ângulos φ e χ[1][6] . High Resolution
X-Ray Difraction (HRXRD) revela as texturas das amostras ZnO17c e ZnO19b obtidas
segundo a direção do plano (101̄1) do ZnO para um 2θ = 36, 21◦ , onde surgem reexões
para um ângulo χ próximo de 30◦ . Esta direção permite visualizar planos que não são
do lme, que para as amostras ZnO17c e ZnO19b se realiza segundo o plano-m do ZnO
(101̄0)|| MgO (001). A gura de pólos mostra mais informação adicional em relação
à epitaxia entre o lme e o substrato. Na Figura 4.8 e 4.9, observam-se oito reexões
que correspondem a dois domínios de planos do ZnO nas direções [110] e [11̄0] do MgO
rodadas de 90◦ e com uma rotação de 13◦ entre o lme e o substrato. A gura seguinte
Ds − Df
εsf =
Ds
33
onde Df e Ds correspondem aos valores das diagonais do lme e do substrato
→
− → − 1 →
− → −
representadas por af + cf = [101̄1] e as + cs = [110], sendo os parâmetros de rede do
5, 92 − 6, 02
εsf = = −1, 5%
5, 92
O sinal (-) indica que a estrutura do lme se encontra comprimido sobre o substrato.
Figura 4.11: Relação epitaxial (101̄0) ZnO || (001) MgO. Imagens obtidas pelo softwere
Carine Crystallography 3.1.
dispersão não elástica provocada por um campo eletromagnético, que possui frequências
34
alteração da frequência do feixe incidente ν0 . O campo eletromagnético é descrito pela
[7]
expressão simplicada, adaptada da referência
~ = E~0 cos(2πν0 t)
E
Este campo eletromagnético induz uma polarização com a mesma frequência (υ0 )
−
→
e vetor de onda do feixe incidente (Ki ), representada por
P~ = αE
~ = αE
~ 0 cos(2πν0 t)
nm de um laser HeCd.
35
Figura 4.13: Espectros de Raman obtidos à T amb sob excitação com a linha 325 nm de
um laser He-Cd.
Tabela 4.2: Valores dos modos de vibração e desvios de Raman das amostras conside-
−1
rando um erro experimental de 2 cm
−1 −1
E2h cm A1 (LO) cm E1 (LO) ∆νE2 ∆νA1 (LO) ∆νE1 (LO)
ZnObulk 437 574 589 N/A N/A N/A
ZnO5c 444 574 N/A +7 s/desvio N/A
ZnO8d N/A 579 N/A N/A +5 N/A
ZnO16c 440 574 N/A +3 s/desvio N/A
ZnO17c N/A N/A 589 N/A N/A s/desvio
De acordo com a Figura 4.13, podem observar-se duas zonas espetrais de interesse,
referentes aos modos de vibração permitidos em raman pelas regras de seleção (são
∂α
permitidas as vibrações que alteram o tensor de polarizabilidade,
∂q
6= 0, onde q
regra de seleção. Assim torna-se necessário introduzir a notação de Portok̂i (eˆi eˆs )kˆs .[9]
Uma vez que o feixe incidente é normal à superfície, apenas os modos A1 LO , E2 − high
36
e E1 LO são observados, sendo os restantes proibidos. O modo E2 é não polar e os
ligação. Esta interação é denominada por potencial de deformação. Através dos desvios
calculados para as amostras Zn5c e Zn16c, pode obter-se o valor das componentes do
aexp bulk
f ilme − af ilme
εxx =
abulk
f ilme
cexp bulk
f ilme − cf ilme
εzz =
cbulk
f ilme
4νj = mεzz
onde m corresponde ao declive m = 527±28 cm−1 dado pela literatura.[10] Então, para
o modo E2 das amostras Zn5c e Zn16c obtém-se uma estimativa para εzz = 13, 3×10−3
e εzz = 5, 7 × 10−3 , respetivamente.
A partir da análise de raios-x, pode determinar-se o parâmetro c do lme[7]
2π
q⊥ =
d00l
2πl
c=
q⊥
onde q⊥ é a projeção perpendicular do vetor recíproco ~q.
−3
Obtêm-se assim, os valores experimentais: cZn5c
exp = 5, 2171Å e εexp
zz = 1, 92 × 10 ;
−3
cZn16c
exp = 5, 2244Åe εexp
zz = 3, 33 × 10 . Tendo em conta os valores da literatura
−1 −1[10]
para os potenciais de deformação a= -690 cm e b= -940 cm , o desvio em E2
uma vez que o desvio 4νE2 , para valores superiores, conduziria a um valor mais elevado
de εexp
zz o que não se verica. Assim, sería de esperar um valor de cexp
Zn5c
superior a
37
cZn16c
exp . Note-se que m é o valor experimental obtido da literatura. A intensidade
direção Z e, neste caso, coincide com os valores esperados para o ZnObulk , o que será
sugere que o desvio observado no E2h das duas amostras não possa ser explicado pela
o modo A1 LO, o que sugere um valor de c mais elevado que o valor de ZnObulk . Por
último e igualmente relevante, a amostra Zn17c apresenta o modo E1 LO. A teoria de
4 [7]
grupos prevê para um cristal do grupo C6ν (P 63 mc) a representação irredutível:
Figura 4.14: Representação dos vetors próprios dos fonões óticos da estrutura do tipo
wurtzite no centro de zona de Brillouin (Γ). ( l ) e ( h ) identicam os fonões de baixa
[11]
e alta frequência, respetivamente. Figura adaptada da referência.
Os modos polares A1 e E1 são óticos, sendo o modo E2 não polar e todos são ativos
interage com os eletrões, criando uma dispersão adicional. Esta interação denomina-se
não pode ser desprezada, daí que a intensidade dos fonões (LO) seja mais elevada em
relação aos fonões ativos por potencial de deformação. Na Tabela 4.3 são indicados os
[12][13]
tensores de Raman para a dispersão deste tipo de interação.
38
Tabela 4.3: Tensores de Raman para a dispersão do tipo Interação de Frölich do grupo
4 [7]
pontual C6ν . Adaptado da referência.
fotão incidente tiver o vetor de onda k̂i paralelo ao eixo xx ou yy, Z̄ (XX)Z ou
Z̄ (Y Y )Z . Pode então concluir-se que o lme de ZnO da amostra Zn17c cresceu com
peraturas numa gama que vai do ultravioleta ao infravermelho próximo obtidos por
excitação banda a banda. Em todas as amostras é visível para altas energias, a emis-
valores de energia entre 3,3 e 3,4 (eV). A existência dos excitões ligados a dadores, deve-
permite observar emissões de baixas energias que estão relacionadas com defeitos pro-
fundos oticamente ativos. Estes defeitos originam bandas largas de luminescência nas
amostra Zn8d e azul/violeta entre os 3,0 e 3,1 eV para as amostras Zn5c e Zn17c. Têm
sido feitos estudos no intuito de identicar a origem destes defeitos havendo grande con-
trovérsia quanto ao aparecimentos das bandas largas em especial a banda azul, tendo
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Figura 4.15: Espectros de fotoluminescência a 30K dos lmes nos de ZnO/MgO cres-
cidos por RF-sputtering, obtidos por excitação banda a banda.
40
Bibliograa
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malous shifts of blue and yellow luminescence bands in MBE-grown ZnO lms,
42
Capítulo 5
Considerações nais
5.1 Conclusão
Nesta tese, foram analisadas quatro amostras de lmes nos de ZnO/MgO crescidos por
a amostra ZnO8d (001) e (101) e com uma direção a amostra ZnO17c (100), que é um
padrões de difração de planos na direção [101] e [1̄01]. A amostra ZnO17c tem um único
padrão segundo a direção do plano (100) o que indica ser paralelo ao plano (200) do
substrato de MgO. A gura de pólos desta amostra apresenta dois domínios de planos
do ZnO nas direções [110] e [11̄0] do MgO rodadas de 90◦ e com uma rotação de 13◦
entre o lme e o substrato exibindo uma relação epitaxial (101̄0) ZnO || (001) MgO,
→
−
af + →
−
cf = [1 0 1̄ 1] e
→
−
as + →
−
cs = [1 1 0] com uma desadaptação de rede εsf = −1, 5%,
dando a indicação que o lme estará sobre alguma compressão.
sofrer alguma tensão tênsil, pois apresentam o modo E 2T O que pode ser resultado da
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para o modo A1 LO superior ao ZnObulk indicando que o valor de c poderá ser mais
elevado e possivelmente estar sob uma tensão tênsil. A amostra ZnO17c apresenta o
modo E 1 LO, indicando que o lme de ZnO cresceu com o eixo c paralelo à interface
lme/substrato.
processo de crescimento e pela presença de bandas largas, que eventualmente são devi-
das a defeitos intrínsecos do ZnO. Em suma, as amostras estudadas aparentam ter boa
que possui arranjos atómicos não polares o que indica, que as condições de crescimento
desta amostra são as mais favoráveis à obtenção de lmes nos com baixos ou ne-
crescimento, por forma a atingir lmes com maior qualidade cristalina. O estudo
estrutural destes lmes em diferentes substratos é uma área importante para se atingir o
minimizem o efeito dos campos de polarização inerentes deste material que afetam os
natureza química dos defeitos que estão na origem das bandas largas não estruturadas,
uma vez que ainda não existe grande concenso quanto ao tipo de defeito que origina
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