Curso de Engenharia Elétrica

Laboratório de Eletrônica Analógica II

POLARIZAÇÃO DC DO TRANSISTOR BJT NA CONFIGURAÇÃO EC

Nome: Marcus Alberto Teixeira Viera Matrícula: 2115090075

Nome: Ryan Pontes de Assis Matrícula: 2115090050.

OBJETIVOS

➢ Familiarização com instrumentos de medida e material de laboratório;

➢ Conhecer os parâmetros de transistores BJT;
➢ Implementar experimentalmente a polarização de um transistor na
configuração emissor comum;
➢ Comprovar experimentalmente a influência dos parâmetros na polarização DC.

MATERIAL UTILIZADO

➢ 01 Transistor BC547B;
➢ 01 Fonte CC regulada variável;
➢ 01 Multímetro Digital;
➢ Aplicativo de medição de intensidade luminosa;
➢ 01 Placa de contatos (protoboard);
➢ Resistores de valores diversos;
➢ Ferramentas e jumpers.

PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS

Primeiramente, verificou-se visualmente os terminais do BJT BC547B a fim de

analisar a posição do Coletor, da Base e do Emissor:

Figura 1 - Transistor BC547B.

Fonte: (STMicroelectronics, 2002)

 Curso de Engenharia Elétrica

Laboratório de Eletrônica Analógica II

Verificou-se então os terminais como sendo: 1-Coletor, 2-Base, 3-Emissor.

Tendo isso feito, iniciou-se os cálculos para realizar a polarização do transistor.

Tendo antes observado os dados do experimento:

Tabela 01 - Dados do experimento.

VCC VCE VRE ic VBE β

10 V 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 20 mA 0,7 V 200

=5V =1V
2 10
Fonte: Autoria própria.

Calculou-se, primeiramente, os valores da corrente de Base, de Emissor e a

resistência do Emissor.

𝑖𝐶 𝑉𝑅𝐸
Sabendo que 𝑖𝐵 = 𝛽 , 𝑖𝐸 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝐵 e 𝑅𝐸 = , substituiu-se os valores dos
𝑖𝐸

dados da tabela e, então, obteve-se os resultados:

𝑖𝐶 20𝑚
𝑖𝐵 = = = 100 𝜇𝐴
𝛽 200

𝑖𝐸 = 20𝑚 + 100𝜇 = 20,1 𝑚𝐴

1
𝑅𝐸 = = 49,75𝛺
20,1𝑚

usou-se um resistor de 50 𝛺 em seu lugar.

𝑅2
Em seguida, calculou-se os valores de R1 e R2, onde 𝑉𝑅2 = 𝑅1+𝑅2 𝑉𝐶𝐶 e 𝑖𝐵 =
𝑉𝑅2−𝑉𝐵𝐸
. O valor de VCC é conhecido e descobriu-se que 𝑉𝑅2 = 𝑉𝑅𝐸 + 𝑉𝐵𝐸
𝑅1//𝑅2+(𝛽+1)𝑅𝐸

através da lei de Kirchhoff das tensões, então como R2 e R1 são desconhecidos

isolou-se uma das duas resistências (optou-se pelo R1) para, em seguida, calcular o
próximo resistor:

𝑅2 𝑅2 1,7 𝑅2
𝑉𝑅2 = 𝑅1+𝑅2 𝑉𝐶𝐶 → 𝑉𝑅𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅1+𝑅2 10 = 1 + 0,7 → = 𝑅1+𝑅2 = 0,17.
10

Note que, ao multiplicar ambos os lados da equação, obtém-se o paralelo dos

resistores R1 e R2:
 Curso de Engenharia Elétrica

Laboratório de Eletrônica Analógica II

𝑅2 𝑅2⋅𝑅1
= 0,17 × (𝑅1) = 𝑅1+𝑅2 = 0,17𝑅1.
𝑅1+𝑅2

Com essa equação obtida, é possível substituí-la na equação de iB, onde os

valores são conhecidos, e, dessa maneira, encontrar o valor de R1:

𝑉𝑅2 − 𝑉𝐵𝐸 1,7 − 0,7 1

𝑖𝐵 = → 100𝜇 = =
𝑅1//𝑅2 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 0,17𝑅1 + (200 + 1)47 0,17𝑅1 + 9,447𝑘
→ 100𝜇(0,17𝑅1 + 9,447) = 1

1 10𝑘 553
0,17𝑅1 + 9,447𝑘 = = 10𝑘 → 0,17𝑅1 = = 553 → 𝑅1 = = 3,252 𝑘𝛺
100𝜇 9,44𝑘 0,17

Utilizou-se o valor comercial de 3k3 𝛺 para R1.

Com o valor de R1 obtido, foi possível calcular, então, o valor da resistência

R2:

𝑅2⋅3,3𝑘
0,17 ⋅ 3,3𝑘 = 3,3𝑘+𝑅2 = 561(𝑅2 + 3,3𝑘) = 3,3𝑘𝑅2 → 562𝑅2 + 1,851𝑀 = 3,3𝑘𝑅2

2,739𝑘
2,739𝑘𝑅2 = 1,851𝑀 → 𝑅2 = = 675,7𝛺
1,851𝑀

Com valor comercial de 680 𝛺.

Em seguida, calculou-se o valor de RC. Pela lei de Kirchhoff das tensões:

4
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 → 10 = 𝑖𝐶 ⋅ 𝑅𝐶 + 5 + 1 → 20𝑚 = 𝑅𝐶 = 200 𝛺.

Feito isso, anotou-se no gráfico da curva característica do transistor os valores

de iBQ, iCQ e VCEQ quiescente e traçou-se a reta de carga:
 Curso de Engenharia Elétrica

Laboratório de Eletrônica Analógica II

Figura 2 - Curva característica do transistor BC547B.

Fonte: (Prof° Eng° Victor Vermehren Valenzuela, D, SC.)

Como todas resistências calculadas e com o auxílio da placa de contatos

(protoboard), deu-se início a montagem do circuito da figura 03 abaixo:

Figura 3 - Configuração de polarização por divisor de tensão.

Fonte: Autoria própria.

 Curso de Engenharia Elétrica

Laboratório de Eletrônica Analógica II

Figura 04 - Circuito montado no protoboard.

Fonte: Autoria própria.

Ligou-se a fonte de tensão regulada e ajustou-se o valor de saída para 10 V.

Em seguida, essa tensão foi aplicada no circuito.

Com o auxílio do multímetro, mediu-se os valores de iB, iC, iE, VBE, VB, e VCE
e os resultados foram anotados na tabela 02.

Tabela 02: Medição de valores.

iB iC iE VB VBE VCE

69 𝜇A 20,8 mA 21 mA 1,72 V 0,69 V 4,98 V

Fonte: Autoria própria.

 Curso de Engenharia Elétrica

Laboratório de Eletrônica Analógica II

RESULTADOS EXPERIMENTAIS

É possível, ao fazer a análise e comparação de ambos os processos medidos

e organizados, determinar que existe uma diferença devido a quesitos internos de
operações e internos no circuito, que fazem com que os valores sejam próximos, mas
destintos. O aquecimento do transistor, causa o ganho estático de corrente do
mesmo, que sofre alterações nesses processos. Esse processo causa a mudança de
beta, que acaba causando essa diferença dos valores.

Figura 05 – Curva de carga transistor.

Fonte: Autoria própria.

Na analise das curvas de carga do transistor, é perceptível a diferença entre

os valores de beta medidos e calculados quando comparados. Os valores que
localizam o ponto quiscientes nem sempre serão 100% precisos, devido a detritos
encontrados nas protobards, aquecimento natural do transistor em suas operações.
A fim de inibir esses problemas, adotamos o ajuste dos parâmetros de polarização,
evitando assim a proximidade do quisciente do ponto de corte ou da região de
saturação, se mantendo numa espécie de “equilíbrio”.