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7 Transdutores Piezoeltricos

Outro tipo bastante utilizado de transdutor passivo o transdutor piezoeltrico, que produz
um sinal eltrico de sada quando excitado mecanicamente. Alm disto estes transdutores so
recprocos o que significa que se for aplicada ao transdutor uma certa tenso eltrica eles so
capazes de produzir uma vibrao mecnica. Devido a esta caracterstica tais transdutores so muito
utilizados na rea biomdica como por exemplo em: a) microfones especficos para transduo de
sons cardacos; b) acelermetros para medio de tremores; c) sensores ultra-snicos para medio
de fluxo sanguneo; d) sensores ultra-snicos para imageamento; e) dispositivos ultra-snicos para
cirurgia.
A piezoeletricidade um fenmeno associado a gerao de cargas eltricas na superfcie de
um material quando a ele aplicada uma certa tenso mecnica capaz de deform-lo; ou a
correspondente mudana da forma do material quando uma certa tenso eltrica aplicada em
algumas de suas superfcies. A piezoeletricidade ento uma maneira de converter-se energia
mecnica em energia eltrica, ou vice-versa.
Os primeiros materiais piezoeltricos estudados foram o quartzo, a turmalina e os sais de
Rochelle. Antigamente todos os cristais eram considerados materiais piezoeltricos, mas a partir de
1940 certas cermicas (titanite de brio e titanite de zircnio, especialmente) tm sido
especialmente fabricadas como os materiais piezoeltricos mais usuais.
7.1 Anlise fenomenolgica
Considere o modelo abaixo como uma longa e fina barra de material piezoeltrico.
Fo,vo Fl,vl
x=0 x=l
(x,t)
camada condutor
+
v(t)
_
W
h
Consideremos que na face esquerda da barra seja aplicada uma fora F
0
(aplicada a partir de
algum meio externo) e que a tal fora est associada uma velocidade local V
0
. Na face direita uma
fora F
2
ser transmitida ao ei externo, com uma correspondente velocidade local vl. Consideremos
ainda que as perturbaes s se propagam na direo x, fazendo com que o material da barra se
desloque pontualmente de uma pequena distncia j .
Suponha agora que por meio das finas camadas de material condutor uma tenso v(t) seja
aplicada barra. Tal diferena de potencial resulta num campo eltrico uniforme com a distncia. A
densidade de corrente por sua vez uma funo da distncia e do tempo, uma vez que o campo
eltrico ir interagir com o deslocamento mecnico, sendo a corrente externa i(t) a integral de tal
densidade de corrente.
Uma vez que o campo eltrico faz um ngulo reto com o movimento mecnico, tal
configurao chamada de modo transversal. O modo direto seria aquele onde o campo eltrico
estivesse alinhado com a direo do movimento mecnico.
Suponha um distrbio mecnico senoidal viajando na barra na direo x
Nos picos do deslocamento a tenso e a deformao so nulas pois no h nem compresso
nem expanso.
Podemos escrever que
S=
j
x
A lei de Hooke estabelece que para um dado material:
T=Y
0
S
onde o mdulo de Young (mdulo de elasticidade) e T a fora sobre a rea..
O fenmeno de polarizao eltrica, por sua vez, pode ser expresso como
P
E
=E
onde o mdulo do vetor de polarizao, a susceptibilidade, e E o mdulo do campo
eltrico aplicado.
A susceptibilidade do material est relacionada com a constante dieltrica via
=e
0
( K1)
onde, para o vcuo, =0 e K=1 .
Como grande parte dos materiais piezoeltricos possui uma alta constante dieltrica
podemos aproximar
=e
0
K
e K=8,8510
12
Se o material piezoeltrico a lei de Hooke e a de polarizao devem ser alteradas uma vez
que h uma contribuio na deformao mecnica gerada pelo campo eltrico, assim como uma
contribuio no vetor de polarizao gerado pela tenso mecnica. Logo
S=
1
Y
0
T+dpE
P
E
=E+dpT
onde dp a constante piezoeltica.
Ilustremos tal caracterstica pelos seguintes casos
No primeiro caso caso uma tenso V aplicada e a barra piezoeltrica expandida.
+
V
_
l
+++++
- - - - -
Comprimento: l
Largura : W
Altura : h
Uma vez que a barra no est carregada mecanicamente a tenso T nula,
conseqentemente
dp=
S
E
=
Al / l
V / h
=
h
V

Al
l
onde h a altura da barra.
No segundo caso uma fora F aplicada fazendo com que a barra se contraia (onde F e
Al / l so considerados negativos).
q
l
+++++
- - - - -
F
Comprimento: l
Largura : W
Altura : h
Se um curto-circuito feito na barra, o campo eltrico externo nulo, porm a fora F causa
o movimento de uma carga q, criando uma polarizao negativa, como mostrada. Neste caso
P
E
=dpT
q
Wl
=
dpF
Wh
q
Wl
=
dpF
Wh
q=
dpFl
h
No terceiro caso, tanto uma fora F, como uma tenso V, so aplicados simultaneamente.
+
V
_ +++++
- - - - -
Comprimento: l
Largura : W
Altura : h
F
As magnitudes so ajustadas de modo que a fora F negativa cancele exatamente uma
tenso positiva V, de tal modo que o comprimento da barra permanece o mesmo. Neste caso
1
Y
0
T=dpE
1
Y
0

F
Wh
=dp
V
h
F=dpWY
0
V
No quarto caso, embora uma fora F seja aplicada a transferncia de carga no pode ocorrer
em virtude do circuito aberto.
+
V
-
l
+++++
- - - - -
F
Comprimento: l
Largura : W
Altura : h
Neste caso uma tenso a circuito aberto (que ir decair com o tempo) poderia ser medida,
refletido o campo eltrico criado Neste caso
E=dpT

V
h
=dp
F
Wh
V =
dpF
W
Podemos definir a energia eltrica armazenada no primeiro e terceiro casos como iguais e
dadas com
1
2
CV
2
onde
C=
Wl
h
Obs.: Em baixas freqncias os elementos piezoeltricos tem comportamento
eminentemente capacitivo.
Nos casos onde ocorreu expanso da barra, podemos dizer que houve trabalho mecnico,
uma vez que uma fora F foi aplicada e houve um deslocamento Al . Consideremos agora uma
caracterstica do material que ser chamada de coeficiente de acoplamento K, definida como
K=
.
energia lquida de sada
energia de entrada armazenada
Pode ser demonstrado que
K=
dp
.

Y
0
K=dp
.
Y
0

As principais caractersticas de alguns materiais piezoeltricos pode ser vista abaixo. Note
que algumas constantes so negativas, significando neste caso que o material orientado de acordo
com o eixo cristalogrfico e que neste caso a aplicao de uma tenso V positiva causa uma
contrao ao invs de uma expanso do comprimento l.
Propriedades Unidades PZT-4A PZT-5A PZT-5H
K(1kHz) - 1400 1600 3400
tan() - 0,05 0,02 0,02
Ec KV/cm 14,4 11,8 5,5
PR C/cm
2
31,0 23,0 12,9
Psat C/cm
2
40,1 27,7 19,5
kef - 0,49 0,50 0,53
kp - 0,54 0,56 0,59
d
33
(x10
-12
) m/V 225 350 585
g
33
(x10
-3
) Vm/N 8,5 16,6 12,5
k
33
- 0,35 0,53 0,59
Propriedades Unidades PZT-4A PZT-5A PZT-5H
d
31
(x10
-12
) m/V -85 -190 -265
g
31
(x10
-3
) Vm/N -7,5 -13,7 -8,5
k
31
- 0,22 0,40 0,36
Densidade g/cm
3
7,6 7,7 7,4
K: Constante dieltrica; k: coeficiente de acoplamento; d
xx
: coeficiente piezoeltrico (na
direo xx); g
xx
: coeficiente de tenso eltrica piezoeltrica.
Uma vez que o transdutor piezoeltrico um dispositivo eletromecnico recproco, torna-se
conveniente analisarmos o seu desempenho do ponto de vista de um circuito eltrico. Em tal
abordagem as caractersticas mecnicas devem ser modeladas por seus respectivos anlogos
eltricos.
Seja o seguinte modelo para um transdutor piezoeltrico.
onde o transformador utilizado para acoplar as variveis mecnicas a variveis eltricas.
Neste modo de vibrao do modelo considera-se que a velocidade de propagao da onda
mecnica no dispositivo (velocidade de propagao do som) dada por
v
S
=
.
Y
0
j
D
assim como a sua impedncia caracterstica
Z
0
=
.
Y
0
j
D
=+
S
j
D
Supondo que a vibrao mecnica oscila numa freqncia angular
o
o comprimento fsico
do transdutor representa um certo ngulo mecnico associado ao perodo de oscilao, ou uma certa
frao do comprimento de onda.
2n-\
0-l
0=
2nl
\
=
2nl
+
S
f
0=
2nf l
+
S
=
ol
+
S
No modelo as reatncias X
L
e X
C
so definidas em funo de tal ngulo mecnico e so
dadas por
X
L
=
jhWY
0
+
S
tan
(
0
2
)
X
C
=
jhWY
0
+
S

1
sen(0)
De modo anlogo a relao de espiras de um transformador (N) dada por
N=
1
Y
0
dpW
e a capacitncia C
0
por
C
0
=
elWY
0
h
onde
e=

Y
0
dp
2
e se o material no for piezoeltrico (dp=0), tal valor se reduz a expresso de um capacitor
de placas paralelas
C
0
*
=

Y
0
l
W
h
Y
0
C
0
*
=e
0
(e
r
1)
A
h
Em aplicaes biomdicas, normalmente as ressonncias mais baixas so as usualmente
utilizadas. Isto , aquelas onde o comprimento do transdutor corresponde a \/ 2 , ou seja, 0=n
(tambm chamada de modo 180). Ento a freqncia de ressonncia ser
o
r
=
0
r
+
r
l
=
n+
S
l
(ressonncia mecnica).
Para transdutores duplamente acoplados ao vcuo ou ar, a carga mecnica equivalente
vista como curto-circuito (velocidade qualquer e fora igual a zero). Isto faz com que os dois
indutores do modelo estejam conectados em paralelo. Embora a expresso de XL tenda para infinito
na ressonncia, pois
X
L
=
hW
+
S
Y
0
tan
(
p
2
)
podemos avali-la nas vizinhanas de tal freqncia, como
0=n+A , logo
tan
(
0
2
)
=tan
(
n+A
2
)
Como
tan(a+b)=
sen(a+b)
cos( a+b)
=
sen(a)cos(b)+sen(b)cos(a)
cos( a)cos(b)sen (a)sen(b)
ento
tan
(
n+A
2
)
=
sen
(
n
2
)
cos
(
A
2
)
+sen
(
A
2
)
cos
(
n
2
)
cos
(
n
2
)
cos
(
A
2
)
sen
(
n
2
)
sen
(
A
2
)
tan
(
n+A
2
)
=
sen
(
n
2
)
cos
(
A
2
)
sen
(
n
2
)
sen
(
A
2
)
tan
(
n+A
2
)
=cot
(
A
2
)
Porm tal funo ainda poderia ser expandida em sries de Taylor ( A-0 ) como
tan
(
0
2
)
=tan
(
n+A
2
)
=cot
(
A
2
)
=
2
A
+
A
6
+...
De modo anlogo pode ser demostrado que para 0=n+A
1
sen(0)
=
1
sen(n+A)
=csc(A)
1
A

A
6
+...
Em tal condio (transdutor duplamente conectado ao ar), o circuito equivalente pode ser
reduzido para:
onde
X
C
=
jhW
+
S
Y
0

(
1
A

A
6
)
X
C
=
jhW
+
S
Y
0

(
1
A
+
A
6
)
X
L
*
=
jhW
+
S
Y
0

(
2
A
+
A
6
)

1
2
X
L
*
=
jhW
+
S
Y
0

(
1
A

A
12
)
A reatncias total vista pelo secundrio do transformador ento
X
SEC
=X
C
+X
L
=
jhW
+
S
Y
0

(
1
A
+
A
6

1
A
+
A
12
)
X
SEC
=
jhW
+
S
Y
0

(
A
4
)
(comportamento indutivo)
Refletindo-se agora tal reatncia para o primrio, multiplicando-se por N
2
.
X
PRI
=X
SEC
N
2
X
PRI
=
jhW
+
S
Y
0

A
4

(
1
Y
0
dpW
)
2
X
PRI
=
jhW
+
S
Y
0

A
4

1
Y
0
2
dp
2
W
2
X
PRI
=
jhA
4+
S
Y
0
dp
2
W
(comportamento indutivos)
Ento, do ponto de vista eltrico, um transdutor piezoeltrico pode ser visto como o circuito
ressonante abaixo
onde
X
C0
=
j
oC
0
=
jh
eWlY
0
o
e, em
o=o
r
X
C0
=
jh
neWY
0
+
S
Embora na freqncia
o=o
r
, onde A=0 e 0=n , a indutncia do modelo devesse se
tornar um curto circuito, e a impedncia do circuito ir a zero, devido a perda, tal efeito no ocorre,
sendo tal impedncia limitada a um certo valor R
1
. Alm disso, tambm devido a fatores ligados a
perdas construtivas, na freqncia onde h a ressonncia do LC resultante (
o
a
) a impedncia do
circuito tambm no ser infinito. Tal freqncia de ressonncia pode ser definida com a freqncia
onde o denominador do paralelo fosse nula. Nesta condio teremos
h
neWY
0
+
S
=
hA
4Y
0
Wdp
2
+
S
ou seja
A=
4dp
2
ne
e conseqentemente
0
a
=n+A=n+
4dp
2
ne
o
a
=
0
2
+
S
l
=
n+
S
l
+
4dp
2
ne

+
S
l
(ressonncia eltrica)
ou seja
o
a
=o
r
+
4dp
2
+
S
nel
Devido ao fato do circuito equivalente anterior apresentar uma indutncia varivel (funo
de A ) ele normalmente substitudo por um outro que utiliza parmetros fixos, sendo que o mais
utilizado :
onde C
0
=
2WlY
0
h
L
1
=
hl
8Y
0
Wdp
2
+
S
2
C
1
=
8dp
2
lWY
0
n
2
h
onde
o
r
=
1
.
L
1
C
1
o
a
=
1
.
l
1

C
1
C
0
C
0
+C
1
O valor de
R
1
deve ser obtido experimentalmente, uma vez que a modelagem realizada no
inclui o efeito de perdas internas
7.2 Transdutor piezoeltrico no modo direto e com carga
O modo transversal anteriormente estudada no o modo normalmente usado em ultra-som.
Em tais aplicaes o transdutor est normalmente carregado e opera no chamado modo direto
Fo,vo Fl,vl
x=0 x=l
+v(t)-
O modelo eltrico para este caso
A comparao com o modelo do modo transversal nos mostra que houve o aparecimento de
mais uma reatncia indutivo que depende tanto das propriedades mecnica, como das propriedades
piezoeltricas do transdutor.
Em tal modelo temos
0=
ol
+
S
(como no caso anterior)
C
0
=
AeY
0
l
(diferente do caso anterior, onde agora A a rea da camada condutora
metlica)
X
L1
=
jA
e+
S
tan
(
0
2
)
X
L2
=
jAdp
2
Y
0
e+
S
0
X
C1
=
jA
e+
S
sen(0)
N=
l
AY
0
dp
Embora tais transdutores operem normalmente na ressonncia, para obteno da mxima
eficincia mecnica em termos de movimento nem sempre tal fato se d para uma sintonia em meio
comprimento de onda. Conseqentemente no podemos utilizar as aproximaes para 0 ,
tan (0/ 2) e sen
1
(0) , anteriormente demonstrada. Neste casos a soluo deve ser obtida por
tentativa e erro , ou algum mtodo numrico.
Para vrios casos prticos de interesse o circuito equivalente anterior pode ser modificado,
combinando-se as indutncias
L
1
em uma nica indutncia
L
1
/ 2
e substituindo-se a carga por um
equivalente resistivo Req.
Se tal modelo considerado vlido, ento a srie
X
C1
+X
L1/ 2
resulta em:
X
1
=X
C1
+C
L1/ 2
=
jA
e+
S

1
sen (0)
+
jA
2e+
S
tan
(
0
2
)
X
1
=
jA
2e+
S

|
tan
(
0
2
)

2
sen(0)

Mas como
sen(0)=
2tan
(
0
2
)
1+tan
2
(
0
2
)
ento
X
1
=
jA
2e+
S

tan
(
0
2
)

2
|
1+tan
2
(
0
2
)

2tan
(
0
2
)

Logo
X
1
=
jA
2e+
S

1
tan
(
0
2
)
(reatncia capacitiva)
Ento o modelo poderia ser redesenhado como:
A reatncia total vista pelo secundrio do transformador ento
X
SEC
=X
1
+X
L2
=
jA
2e+
S
tan
(
0
2
)
+
jAdp
2
Y
0
e+
S
0
X
SEC
=
jA
e+
S

|
dp
2
Y
0
0


2tan
(
0
2
)

Como a ressonncia ocorre quando


X
SEC
=0
isto implica em
dp
2
Y
0
0
r
=

2tan
(
0
2
)
0
r
=2tan
(
0
r
2
)
dp
2
Y
0
Tal equao no linear s pode ser resolvida por mtodos numricos e fornece a freqncia
de ressonncia transdutor atravs de
o
r
=0
r

+
S
l