Pedro Henrique Carvalho Magaldi – Matrícula: 13270091

Atividade de Eletrônica III

Professora: Bruna Tavares

Vídeo da atividade: https://youtu.be/uB64Z0TSz3Q

44 –

a) Descreva, com suas próprias palavras, por que o VMOS FET pode
suportar uma corrente e uma potência maiores do que os
dispositivos de construção convencionais.

O fato decorre de o MOSFET VMOS possuir um projeto vertical. Em razão

disso, tem um comprimento de canal muito menor do que o MOSFET de
estrutura planar, tendo também sua área de contato entre o canal e a região n
muito aumentada. Além disto há também dois caminhos de condução entre o
dreno e a fonte.

a) Por que o VMOS FET apresenta valores de resistência de canal

reduzidos?

Ele apresenta valores de resistência de canal reduzidos em razão de ter sua

construção vertical, o que faz ter sua área de contato ente o canal e a região n
ser bastante aumentada. Isso faz com que seja reduzido seu valor de
resistência.

b) Por que é desejável um coeficiente de temperatura positivo?

É desejável se ter o coeficiente de temperatura positivo, pois evita a

possibilidade de uma deriva térmica.
Deste modo, se a temperatura do dispositivo fosse elevada em razão das
condições externas, os valores de resistência iriam aumentar, o que geraria
uma redução na corrente de dreno, de modo contrário do que ocorre num
dispositivo convencional.

45 - Quais são as vantagens relativas da tecnologia UMOS em relação à

VMOS?

Esse dispositivo tem o valor da Resistência “ligada” mais baixa, capacitância

parasita menor e um desempenho aprimorado de comutação
46-
a) Descreva, com suas próprias palavras, a operação do circuito da
Figura 6.45 com Vi = 0 V.
Com um sinal de entrada de 0V na entrada, teremos como saída um valor de
5V, já que o inversor CMOS, inverte o sinal aplicado na entrada. O canal n se
fecha e o canal p se abre o que permite a circulação de 5V de VSS em Vo.

b) Se o MOSFET “ligado” da Figura 6.45 (com Vi = 0V) possui uma

corrente de dreno de 4 mA, com VDS = 0,1 V, qual é o valor
aproximado de resistência do dispositivo? Se ID = 0,5 A para o
transistor “desligado”, qual é o valor aproximado de resistência do
dispositivo? Os valores de resistência resultantes sugerem que o
valor desejado de tensão de saída será obtido?

Infere-se da questão que a corrente de dreno (ID) do MOSFET é de 4 mA

quando a tensão de dreno-fonte (VDS) é de 0,1 V. Além disto que a tensão de
entrada (Vi) é 0 V (ou seja, o MOSFET está ligado). Logo, é possível que
usemos a equação:

R = VDS ¿ ID
R = 0,1 V / 4 mA
R = 25 Ω

Quando o MOSFET está ligado, temos que a resistência do dispositivo

é de 25Ω.
Para calcular a resistência Quando o MOSFET está desligado, é
possível calcular sua resistência por meio da corrente de fuga (IDSS) do
MOSFET, que é de 0,5 μA. Nesse caso, a equação para a resistência é:

R = VDS / IDSS
R = 0,1 V / 0,5 μA
R = 200 kΩ

Por consequência, quando o MOSFET está desligado, a resistência do

dispositivo é de 200 kΩ.
Em relação a última pergunta, esta questão depende da configuração do
circuito e da especificação de tensão de saída desejada. Se temos que a
tensão de saída desejada seja maior que a tensão de alimentação (VDD), por
exemplo, o circuito não poderá produzir a tensão de saída desejada,
independentemente dos valores de resistência do MOSFET. É de grande
relevância que consideremos que resistência do MOSFET é apenas um dos
inúumeros fatores que afetam a saída do circuito..