Como Funciona #09 PDF

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Como Funciona
Aparelhos, Circuitos e
Componentes Eletrônicos
Volume 9
Newton C. Braga
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São Paulo - Brasil - 2021
Instituto NCB
www.newtoncbraga.com.br
leitor@newtoncbraga.com.br
Diretor responsável: Newton C. Braga

Coordenação: Renato Paiotti
Impressão: AgBook – Clube de Autores
Nosso Podcast
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Como Funciona - Aparelhos, Circuitos e Componentes Eletrônicos - Volume 9
Autor: Newton C. Braga
São Paulo - Brasil - 2021
Palavras-chave: Eletrônica – aparelhos eletrônicos –
componentes – física – química – circuitos eletrônicos – como
funciona
Copyright by
INTITUTO NEWTON C BRAGA.
1ª edição
Todos os direitos reservados. Proibida a reprodução total ou parcial, por

qualquer meio ou processo, especialmente por sistemas gráficos, microfílmicos,
fotográficos, reprográficos, fonográficos, videográficos, atualmente existentes ou
que venham a ser inventados. Vedada a memorização e/ou a recuperação total ou
parcial em qualquer parte da obra em qualquer programa juscibernético
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Essas proibições aplicam-se também às características gráficas da obra e à sua
editoração. A violação dos direitos autorais é punível como crime (art. 184 e
parágrafos, do Código Penal, cf. Lei nº 6.895, de 17/12/80) com pena de prisão e
multa, conjuntamente com busca e apreensão e indenização diversas (artigos 122,
123, 124, 126 da Lei nº 5.988, de 14/12/73, Lei dos Direitos Autorais).
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Índice
APRESENTAÇÃO DA SÉRIE..........................................................8
APRESENTAÇÃO......................................................................10
ANTENAS – COMO FUNCIONAM.................................................11
DIPOLO DE MEIA ONDA...........................................................18
DIPOLO DOBRADO...................................................................18
YAGI........................................................................................19
HELICOIDAL.............................................................................19
PLANO-TERRA..........................................................................20
O TELÉGRAFO E O CÓDIGO MORSE...........................................22
TELEGRAFIA HOJE E O SOS.....................................................23
BAUD E BPS.............................................................................24
QUANDO BAUD E BPS SÃO DIFERENTES.................................25
A LEI DE MOORE......................................................................27
DO TRANSISTOR AO CIRCUITO INTEGRADO............................30
AS OBSERVAÇÕES DE GORDON MOORE..................................33
BARÔMETRO TECNOLÓGICO...................................................35
A IMPORTÂNCIA DOS COMPUTADORES...................................38
ATÉ QUANDO A LEI DE MOORE SERÁ VÁLIDA?........................38
CONCLUSÃO............................................................................40
COMPARADORES DE TENSÃO E DISCRIMINADORES DE JANELA...44
OS AMPLIFICADORES OPERACIONAIS......................................44
O 741......................................................................................46
COMPARADORES DE TENSÃO..................................................47
DISCRIMINADORES DE JANELA................................................50
A TECNOLOGIA DO CIRCUITO INTEGRADO.................................55
VOLTANDO UM POUCO NO TEMPO..........................................55
FABRICANDO UM CIRCUITO INTEGRADO.................................57
CONCLUSÃO............................................................................63
GERAÇÃO DE CALOR NOS CIRCUITOS ELETRÔNICOS E A LEI DE
JOULE.....................................................................................65
GERAÇÃO DE CALOR...............................................................65
a) contato...................................................................68
b) Convecção.............................................................69
c) Irradiação...............................................................70
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LEI DE JOULE...........................................................................71
SUPERCAPACITORES................................................................73
OS ELETROLÍTICOS DE ALUMÍNIO............................................74
CAPACITORES DE TÂNTALO.....................................................76
SUPER E HIPER CAPACITORES................................................76
CAPACITORES DE TÂNTALO......................................................81
INTRODUÇÃO..........................................................................81
O ELETROLÍTICO COMUM DE ALUMÍNIO...................................82
O CAPACITOR DE TÂNTALO.....................................................84
CÓDIGOS DE LEITURA.............................................................85
SENSORES DE IMAGENS...........................................................87
COMO ENTÃO TUDO ISSO FUNCIONA?....................................88
O Princípio de Funcionamento....................................88
Sensores de Imagem..................................................90
MULTIPLEXADORES/DEMULTIPLEXADORES DIGITAIS...............91
4051/4052/4053......................................................................91
PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO.................................93
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS....................................96
CIRCUITOS EQUIVALENTES......................................................97
TERMOPILHAS – FONTES ALTERNATIVAS DE ENERGIA..............100
TERMOPILHAS.......................................................................101
EQUIPAMENTO EEG ALIMENTADO POR TERMOPILHA.............103
O UTILÍSSIMO INJETOR DE SINAIS...........................................105
O INJETOR.............................................................................107
COMO USÁ-LOS.....................................................................108
ENCONTRANDO PROBLEMAS COM O INJETOR.......................112
CONCLUSÃO..........................................................................115
RUMO A IOP (INTERNET DAS PESSOAS)..................................116
CHAVES E ACOPLADORES ÓPTICOS.........................................120
ACOPLADORES ÓPTICOS.......................................................120
CIRCUITOS PRÁTICOS COM ACOPLADORES ÓPTICOS...........122
Circuito básico com optoacoplador:.........................122
Disparo de SCR.........................................................124
Excitando Amplificador Operacional.........................125
Acoplador de Alta Velocidade...................................126
Monoestável com Optoacoplador.............................127
Schmitt Trigger........................................................128
6
Flip-Flop R-S.............................................................128
Excitação de Triacs..................................................129
TIPOS COMUNS.....................................................................130
4N25/4N25A/4N26/4N27/4N28.................................131
MOC3009/MOC3010/MOC3011/MOC3012................132
MOC3020/MOC3021/MOC3022/MOC3023................133
CHAVES ÓPTICAS.................................................................135
CIRCUITOS PRÁTICOS...........................................................139
Chave Óptica para 10 mm........................................139
Chave Óptica Disparadora (Schmitt) para 15 mm....140
Interface Reconhecedora de Direção........................142
Contador Dependente da Direção............................143
Controle Digital de Rotação......................................144
HVT-JFET-POWERMOS-THY-GTO-IGBT.....................................146
VOCÊ CONHECE TODOS ESTES SEMICONDUTORES DE
POTÊNCIA?.................................................................................146
DISPOSITIVOS DE 3 CAMADAS...............................................147
TRANSISTOR DE ALTA TENSÃO (HVT).......................148
O JFET.......................................................................149
O TRANSISTOR MOS.................................................150
DISPOSITIVOS DE 4 CAMADAS..................................152
O TIRISTOR (THY).....................................................153
O GTO......................................................................154
O SITh......................................................................154
O IGBT......................................................................155
CONCLUSÃO..........................................................................157
OS ULTRASSONS...................................................................158
INTRODUÇÃO........................................................................158
APLICAÇÕES PRÁTICAS..........................................................166
CONCLUSÃO..........................................................................170
OUTROS MAIS DE 160 LIVROS DE ELETRÔNICA E TECNOLOGIA DO
INCB.....................................................................................171
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Como Funciona - Aparelhos, Circuitos e Componentes Eletrônicos
– Volume 9
APRESENTAÇÃO DA SÉRIE
Esta é uma série de livros que levamos aos nossos leitores
sob patrocínio da Mouser Electronics (www.mouser.com). Os
livros são baseados nos artigos que ao longo de nossa carreira
como escritor técnico publicamos em diversas revistas, livros e no
nosso site. São artigos que representam 50 anos de evolução das
tecnologias eletrônicas e, portanto, têm diversos graus de
atualidade. Os mais antigos foram analisados com eventuais
atualizações. Outros pela sua finalidade didática, tratando de
tecnologias antigas e mesmo de ciência não foram muito
alterados a não ser pela linguagem que sofreu modificações. Os
livros da série consistirão numa excelente fonte de informações
para nossos leitores.
Os artigos têm diversos níveis de abordagem, indo dos
mais simples que são indicados para os que gostam de
tecnologia, mas que não possuem uma fundamentação teórica
forte ou ainda não são do ramo. Neles abordamos o
funcionamento de aparelhos de uso comum como
eletroeletrônicos, não nos aprofundando em detalhes técnicos
que exijam conhecimento de teorias que são dadas nos cursos
técnicos ou de engenharia.
Outros tratam de componentes, ideais para os que
gostam de eletrônica e já possuem uma fundamentação quer seja
estudando ou praticando com as montagens que descrevemos
em nossos artigos. Estes já exigem um pequeno conhecimento
básico da eletrônica. Estes artigos também vão ser uma
excelente fonte de consulta para professores que desejam
preparar suas aulas.
Temos ainda os artigos teóricos que tratam de circuitos e
tecnologias de uma forma mais profunda com a abordagem de
instrumentação e exigindo uma fundamentação técnica mais alta.
São indicados aos técnicos com maior experiência, engenheiros e
professores.
Também lembramos que no formato virtual o livro conta
com links importantes, vídeos e até mesmo pode passar por
atualizações on-line que faremos sempre que julgarmos
necessário.
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NEWTON C. BRAGA
Trata-se de mais um livro que certamente será importante

na sua biblioteca de consulta, devendo ser carregado no seu
tablete, laptop ou celular para consulta imediata.
Os livros podem ser baixados gratuitamente no nosso site
e um link será dado para os que desejarem ter a versão impressa
pagando apenas pela impressão e frete.
Newton C. Braga
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– Volume 9
APRESENTAÇÃO
Saber como funcionam componentes, circuitos e
equipamentos eletrônicos é fundamental não apenas para os
profissionais da eletrônica que usam de forma prática a
tecnologia em seu dia a dia como também para aqueles que não
sendo técnicos, mas possuindo certo conhecimento, precisam
conhecer o funcionamento básico das coisas.
São os profissionais de outras áreas que, para usar melhor
equipamentos e tecnologias precisam ter um conhecimento
básico que os ajude.
Assim, tratando de conceitos básicos sobre componentes e
circuitos neste primeiro volume e depois de equipamentos
prontos num segundo, levamos ao leitor algo muito importante
que já se tornou relevante em recente estudo feito por
profissionais.
A maior parte dos acidentes que ocorrem com o uso de
equipamentos de novas tecnologias ocorre com pessoas que não
tem um mínimo de conhecimento sobre o seu princípio de
funcionamento.
A finalidade deste livro não é, portanto, ajudar apenas os
estudantes, professores e profissionais, mas também os que
usam tecnologia no dia a dia e desejam saber um pouco mais
para melhor aproveitá-la e não cometer erros que podem
comprometer a integridade de seus equipamentos e até causar
acidentes graves.
Nota importante: componentes

básicos como os resistores,
capacitores, indutores,
transformadores, diodos, transistores,
também têm a seu princípio de
funcionamento explicado na nossa
série de livros “Curso de Eletrônica”.
Neste livro, abordamos alguns
componentes que especificamente
têm explicações mais detalhadas do
que as encontradas naquelas
publicações.
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NEWTON C. BRAGA
ANTENAS – COMO FUNCIONAM

A antena é um elemento de interfaceamento que transfere
para o espaço, na forma de ondas eletromagnéticas os sinais
gerados pelo transmissor, ou então capta as ondas
eletromagnéticas, transferindo os sinais gerados para o circuito
receptor. No transmissor, a antena converte os sinais de altas
frequências gerados pelo transmissor em ondas de mesmas
características. No receptor, a antena gera correntes de altas
frequências quando intercepta as ondas eletromagnéticas.
O tipo mais comum de antena transmissora é o dipolo.
Quando aplicamos a esta antena um sinal, aparecem campos
elétricos e magnéticos. Se analisarmos o que ocorre nesta
antena, veremos que a corrente e tensão ao longo dos elementos
condutores que formam a antena se distribuem de maneiras
diferentes, conforme mostrado na figura 1.
Figura 1 – Tensão e corrente num dipolo.
Por esta figura vemos que se as dimensões da antena

corresponderem à metade do comprimento da onda (L/2), a
tensão será máxima na extremidade e a corrente mínima. Este
comportamento é justamente característico de um circuito
ressonante em que temos uma característica puramente resistiva
no centro da antena, sem componentes indutivas ou capacitivas,
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– Volume 9
pois a reatância capacitiva Xc e a reatância indutiva XL se
cancelam.
Esta característica resistiva pode ser calculada resultando
na impedância da antena que é de 73 ohms. No entanto, para
maior facilidade de utilização, o valor adotado nos cálculos é 75
ohms. Lembramos que a impedância de uma antena ou de
qualquer dispositivo que deva receber ou transmitir sinais é muito
importante em qualquer projeto. Só ocorre a máxima
transferência de energia de um transmissor para uma antena, por
exemplo, quando as suas impedâncias são iguais.
Como a finalidade de uma antena é transferir para o
espaço o máximo de energia quando utilizada num transmissor, a
sua construção deve ser tal que isso ocorra. Assim, os diversos
tipos de antena que existem visam não apenas esta característica
como também a possibilidade de concentrar energia com maior
intensidade numa determinada direção. Isso nos leva ao conceito
de ganho de uma antena.
Uma antena é um elemento passivo de um circuito de
transmissão ou de recepção de sinais, isto é, ela não amplifica os
sinais. Neste caso então, o conceito de ganho tem um significado
diferente. O termo ganho, para uma antena, é utilizado para
designar sua capacidade de transmitir ou receber com mais
facilidade os sinais numa determinada direção. Desta forma, se a
antena irradia os sinais com a mesma intensidade em todas as
direções, ou seja, ela é uma antena unidirecional (1), conforme
mostra a figura 2, podemos dizer que esta antena tem ganho
unitário e ela pode servir de referência para comparação com
antenas que podem concentrar os sinais em uma determinada
direção, se forem transmissoras, ou receber melhor os sinais que
venham de uma certa direção, se forem receptoras.
1 - Em algumas publicações técnicas antigas encontramos

o termo omnidirecional para este tipo de antena, onde omni em
latim significa todas.
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NEWTON C. BRAGA
Figura 2 – Uma antena unidirecional transmite (ou recebe) os sinais de

todas as direções com a mesma intensidade.
Se uma antena consegue concentrar duas vezes mais

energia numa determinada direção do que uma antena
onidirecional tomada como padrão, então esta antena tem um
ganho. Usando como referência o dB, a antena padrão teria um
ganho nulo (0 dB). Partindo então desta antena como referência
podemos escrever uma fórmula logarítmica para o ganho de uma
antena:
G(dB) = 10 log (P1/P2)
Onde:
G é o ganho da antena em dB
Log é o logaritmo na base 10
P1 é a potência da antena considerada em mW
P2 é a potência da antena padrão em mW
Podemos dar como exemplo uma antena que irradia 20 W

numa determinada direção enquanto a que a antena padrão
irradia 1 W na mesma direção. O ganho desta antena será:
G = 10 log (20/1) = 17 dB
Para uma antena receptora a comparação é feita entre a

intensidade que ela recebe o sinal de uma determinada direção e
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– Volume 9
a intensidade que a antena padrão recebe o mesmo sinal. Na
figura 3 mostramos o diagrama típico de diretividade de uma
antena onde podem ser observados na plotagem os ganhos em
diversas direções.
Figura 3 – Diagrama de ganhos de uma antena direcional.
Observe que este diagrama mostra alguns lóbulos

laterais que são comuns nas antenas reais. Na prática,
entretanto, algumas antenas produzem padrões bastante
complexos com lóbulos em diversas direções, atestando neste
caso a irradiação em direções nem sempre desejáveis.
Este diagrama e o próprio conceito de ganho nos permitem
falar em diretividade de uma antena como sua capacidade de
concentrar sinais em uma determinada direção. A diretividade de
uma antena é determinada pelo modo como ela é construída, ou
seja, pela disposição de seus elementos. O diagrama de ganhos é
também um diagrama de diretividade. Na figura 4 temos uma
outra maneira de se representar o ganho de uma antena.
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NEWTON C. BRAGA
Figura 4 – A diretividade de uma antena é a capacidade dela concentrar os

sinais numa determinada direção.
Observe que nesta representação não temos a indicação

do ganho na direção em que o sinal é concentrado.
Como as antenas reais não irradiam toda a sua energia na
direção desejada, mas também em outras direções, formando
lóbulos indesejáveis, como vimos na figura, em alguns casos é
conveniente termos uma ideia da quantidade de energia que é
irradiada na direção contrária à orientação da antena. Isso nos
leva a definir o que se denomina “relação frente/costa” de uma
antena. Trata-se da relação entre a intensidade dos sinais
irradiados na direção da orientação da antena (frente) e na
direção contrária (costas) ou A/B, conforme mostra a figura 5.
Figura 5 – Relação frente/costas de uma antena
15
– Volume 9
Uma outra característica importante de uma antena é a
sua polarização. Conforme vimos, uma onda eletromagnética
possui componentes magnética e elétrica que são
perpendiculares entre si. Quando esta onda é irradiada, o sinal
avança segundo uma certa orientação que depende da
construção da antena. Para receber de forma apropriada estes
sinais, a antena receptora deve ter uma disposição de elementos
que corresponda à orientação destes sinais.
Dizemos então que as antenas possuem polarizações que
devem ser observadas quando da sua instalação. Se uma antena
tem uma polarização vertical, por exemplo, a antena receptora
deve ter a mesma orientação, conforme mostra a figura 6.
Figura 6 – Polarização vertical de uma antena
Existem diversos tipos de polarização possíveis além da

horizontal e vertical que são as mais comuns. Por exemplo, é
possível gerar padrões de polarização na antena transmissora que
mudam constantemente, possibilitando o uso de antenas
receptoras com qualquer posicionamento. Isso ocorre, por
exemplo, com a denominada “polarização circular”.
O tipo mais simples de antena é aquela formada apenas
por elementos que irradiam ou recebem os sinais. Estas antenas
possuem alguns formatos básicos que determinam tanto a
polarização como sua diretividade. No entanto, podemos
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NEWTON C. BRAGA
melhorar o desempenho de uma antena, aumentando sua

diretividade ou ainda dotando-a de determinado tipo de
polarização, utilizando elementos adicionais.
Assim, de acordo com a disposição dos elementos,
quantidade dos elementos, padrões de irradiação, existem
diversos tipos de antenas. Nas antenas comuns encontramos
normalmente três tipos de elementos:
Os elementos irradiantes ou ativos são os que transferem
os sinais do transmissor para o espaço ou que interceptam os
sinais que devem ser recebidos. Os elementos refletores refletem
os sinais em direção aos elementos ativos ou os sinais dos
elementos ativos para uma determinada direção enquanto os
elementos diretores dirigem os sinais para os elementos ativos ou
ajudam a concentrar os sinais numa certa direção, conforme
mostra a figura 7.
Figura 7 – Os elementos de uma antena.
Na antena mostrada na figura 7 temos 4 elementos

diretores, um elemento refletor e um elemento irradiante ou
ativo.
Os tipos mais comuns de antenas são:
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– Volume 9
DIPOLO DE MEIA ONDA

Conforme já vimos, o dipolo de meia onda é formado por
dois condutores que, esticados cobrem um comprimento à
metade do comprimento da onda do sinal que deve ser
transmitido ou recebido. O diagrama de diretividade desta antena
é dado na figura 8.
Figura 8 – Diagrama de diretividade de um dipolo de meia onda.
Conforme podemos ver, ela irradia com a mesma

intensidade em direções opostas, apresentando, portanto ganho
nestas direções. A impedância do dipolo de meio onda é de 75
ohms.
DIPOLO DOBRADO
O dipolo dobrado é um tipo de antena cuja forma e
dimensões são mostradas na figura 9. O diagrama de diretividade
desta antena é bastante semelhante ao dipolo de meia onda e
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NEWTON C. BRAGA
sua impedância é de 300 ohms. Este tipo de antena é bastante

utilizada para a recepção de sinais de TV.
Figura 9 – Dipolo dobrado
A distância d que separa os elementos condutores

corresponde ao comprimento de onda dividido por 12,6.
YAGI
Nesta antena temos elementos ativos, um elemento
refletor e diversos elementos diretores. O número de diretores
determina sua diretividade e portanto seu ganho. A antena da
figura 10 é uma antena yagi. Sua impedância típica é de 50 ohms.
HELICOIDAL
Trata-se de um tipo de antena muito utilizado em sistemas
de comunicação por micro-ondas dadas as dimensões que o
elemento helicoidal deve ter. Na figura 11 temos um exemplo de
antena helicoidal.
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– Volume 9
Figura 12 – Antena helicoidal
O espaçamento entre as espiras (s) deve ser de ¼ do

comprimento de onda com que a antena trabalhar e a dimensão
D, diâmetro das espiras corresponde a 1/3 do comprimento de
onda. O Diâmetro do refletor é de 80% do comprimento de onda.
PLANO-TERRA
Um tipo de antena bastante empregada em sistemas de
telecomunicações é a plano-terra que possui uma impedância de
30 ohms, conforme mostra a figura 13.
Figura 13 – Uma antena básica plano-terra.
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NEWTON C. BRAGA
A altura (a) do elemento central corresponde a ¼ do

comprimento de onda com que a antena trabalha enquanto que
os elementos radiais (b) devem ter o mesmo comprimento da
onda do sinal recebido ou transmitido.
Conforme podemos observar as dimensões de uma antena
são tanto menores quanto maior for a frequência de uma
operação. Com a utilização crescente das faixas superiores do
espectro a tendência é de que as antenas sejam cada vez
menores. Na faixa dos gigahertz, por exemplo, as antenas se
tornam tão pequenas que já podem ser incorporadas nas placas
de circuito impresso. É o que ocorre em muitos casos de
comunicações sem fio portáteis como telefones, GPS, etc.
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– Volume 9
O TELÉGRAFO E O CÓDIGO MORSE

Nessa modalidade de transmissão, um manipulador
interrompia e estabelecia a transmissão periodicamente, gerando
assim pulsos de curta e longa duração, conforme mostra a figura
1.
Figura 1- Um transmissor de onda contínua (CW)
Na figura 2 mostramos um manipulador telegráfico.
Figura 2 - Manipulador telegráfico antigo.
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NEWTON C. BRAGA
Os primeiros tipos de transmissores sem fio e mesmo as

transmissões telegráficas através de fio se baseavam na emissão
de pulsos codificados, exatamente como fazem os modems
atuais, mas operados manualmente. O Código Morse completo é
dado a seguir;
A modalidade de transmissão que usa este tipo de

modulação é denominada CW ou onda continua (continuous
wave).
Alguns exames para profissionais de telecomunicações
exigem o conhecimento do Código Morse.
Uma característica importante das transmissões de rádio
em onda contínua (CW) é que a concentração da energia numa
faixa muito estreita do espectro, pois a portadora não sofre
variações de frequência possibilita a obtenção de maior alcance.
TELEGRAFIA HOJE E O SOS

Se bem que o sistema de transmissão telegráfica via CW
esteja superado, ele ainda tem importância em casos de
emergência. Quando é possível ter apenas um meio de se
transmitir sinais, mas sem ser possível a modulação, ainda assim
é possível fazer com que ele transporte mensagens. Mas, foi com
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– Volume 9
a invenção da telegrafia sem fio (TSF) Marconi diante de
convenção inadequadas da época redigiu uma nota em que dizia
que o sinal a ser usado pelos navios em caso de perigo seria CQD.
Este sinal só poderia ser emitido por ordem do comandante. Em
Julho de 1908 o sinal CQD foi substituído por SOS segundo
decisão da Convenção Radio Telegráfica Internacional dado que
empregava uma sequência pouco usada. A primeira vez que o
sinal SOS foi usado foi no naufrágio do SS Arapahoe no Atlântico
Norte, em 1909, com o sinal sendo captado numa estação dos
Estados Unidos.
BAUD E BPS
Antigamente, o principal meio de se enviar dados através
de fios elétricos era o telégrafo. Um operador manipulava uma
chave produzindo pulsos elétricos que atuavam sobre uma
campainha ou receptor do outro lado da linha produzindo
estalidos ou toques. Um toque curto era interpretado como um
ponto e um toque longo como um traço. Traços e pontos (que
poderiam ser associados aos zeros e uns da comunicação digital)
formavam então as letras, números, e outros símbolos.
A recepção da mensagem dependia principalmente do
bom ouvido de quem deveria anotar os cliques curtos e longos
correspondentes aos pontos e traços.
O operador, por outro lado deveria ter a capacidade de
enviar estes impulsos com grande velocidade. Um francês
denominado J. M. Emile. Baudot foi o primeiro que criou uma
maneira de se medir a velocidade das transmissões telegráficas
dando origem a unidade denominada Baud e que inventou o
teletipo. Quando o telegrafista toca no manipulador ele produz
uma transição de sinal na linha em que a tensão passa de 0 a 12
Volts, por exemplo, tantas vezes quantas ele atue sobre o
manipulador.
Cada vez que ele aciona o manipulador dizemos que um
baud é transmitido. Indo além, e passando para a era digital em
que não transmitimos pontos e traços, mas zeros e uns para
formar os bytes, podemos associar uma tensão de -12 V ao bit 0 e
uma tensão de +12 V a um bit 1. Assim, se quisermos transmitir
uma sequência de dados na forma digital como 11001101 a
tensão no fio vai sofrer o mesmo número de transições quantos
sejam os bits transmitidos.
24
NEWTON C. BRAGA
Dizemos então que a quantidade de bits por segundo ou

bps que transmitimos neste caso é igual a velocidade de
transmissão em bauds.
QUANDO BAUD E BPS SÃO DIFERENTES

Tudo seria muito simples e haveria uma equivalência entre
o baud e o bps se as linhas telefônicas não tivessem uma séria
limitação de velocidade. A frequência máxima que uma linha
telefônica pode transmitir é da ordem de 3000 Hz, o que significa
que fica muito difícil tentarmos "empurrar" da forma indicada por
uma linha bits numa velocidade maior que isso.
Na prática, esta velocidade está limitada a 2400 bauds.
Para poder comprimir mais dados pela linha a solução usada é
muito engenhosa. Por que não usar a transição de -12 a +12 V
para transmitir não apenas os bits 0 ou 1 mas, para transmitir
mais bits. Podemos, por exemplo, associar ao valor -12 V o grupo
de bits 00, ao valor -6 V o grupo 01, ao valor +6 V o grupo 10 e
ao valor +12 o grupo 11, conforme mostra a tabela abaixo.
Tensão Dado
- 12 V 00
-6V 01
+6V 10
+ 12 V 11
Veja então que, com 2 bauds na verdade podemos

transmitir 4 bits diferentes, dobrando assim a velocidade. Assim,
uma velocidade de 2 400 bauds pode perfeitamente, usando esta
técnica transmitir 4 800 bps. Na prática é justamente isso que os
modems fazem. Mantendo a velocidade em bauds eles utilizam
diversos tipos de modulação do sinal de modo a poder "enfiar"
mais bits por transição.
Eles podem utilizar mais de 4 amplitudes do sinal para
multiplicar o número de bits, utilizar alterações de fase do sinal,
etc. Assim, um modem de 2 400 bauds que aproveite 6 estados
da transição do sinal, ou seja, pode enviar 6 bits por baud pode
ter uma velocidade de 14 400 bps.
Um modem de 28 800 bps pode ser obtida com um
modem de 3 200 bauds que utilize 9 bits por baud. Com exceção
dos modems de 56k os modems comuns operam em velocidades
de 2 400, 3 000 ou 3 200 bauds quando conectados às linhas
telefônicas. Os modems de 56 k podem usar velocidades maiores
25
– Volume 9
em bauds quando a linha admite, mas em geral eles "ajustam"
sua velocidade para valores menores dependendo das condições
locais da linha de modo a conseguir uma operação segura, sem
perdas de dados.
Existem ainda os moderms para a porta serial que operam
em velocidades maiores como 19,2, 28,8, 33,6, 57,6 e 115,2 k
bps e em alguns casos valores de 230,5 k bps são possíveis.
Jean Maurice Émile Baudot – 1845 - 1903
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NEWTON C. BRAGA
A LEI DE MOORE
Foi em 1965 que Gordon Moore observou que a eletrônica
dos semicondutores seguia um processo evolutivo regido por um
comportamento muito bem definido.
Esse comportamento, que foi posteriormente descrito em
pormenores por Moore num artigo técnico, acabou sendo
conhecido por "Lei de Moore" e hoje tem uma importância
fundamental na determinação de novos produtos que são
lançados continuamente com base nos semicondutores,
principalmente os computadores.
Como um "termômetro da indústria de semicondutores, a
Lei de Moore trata basicamente do aumento da densidade dos
dispositivos semicondutores nos chips influenciando diretamente
na estratégia de ação dos fabricantes de uma forma que ficará
mais clara com o artigo que estamos levando aos leitores.
O artigo original é de 2002, mas sua importância é grande,
pois alguns aspectos da Lei de Moore ainda são válidos e o
assunto ainda é centro de muitas discussões quando se fala nas
tendências da eletrônica dos próximos anos. Assim, atualizamos o
artigo no final, com informações de 2013 e para depois ainda
existe mais.
27
– Volume 9
Gordon More
Para tudo existe um limite. As curvas que tratam da

evolução de qualquer tipo de tecnologia sempre esbarram com
limites teóricos que normalmente significam a transição para
novas tecnologias.
Isso fica bem claro o livro "A Infoera" do Prof. João Antonio
Zuffo, onde ele analisa as durações das diversas eras
tecnológicas e as suas consequências, principalmente para quem
tem na eletrônica seu campo de atividades.
28
NEWTON C. BRAGA
A Infoera, livro em que o autor analisa as tendências da tecnologia para o

futuro
Para o caso da eletrônica dos semicondutores, base dos

computadores, a observação de que havia um limite para a
densidade de componentes que poderiam ser integrados numa
pastilha de silício, e de que modo isso influenciaria a evolução da
eletrônica veio com um artigo publicado numa revista técnica por
Gordon Moore em 1965.
Naquela época, os chips não continham mais do que
algumas dezenas de componentes, e os computadores ainda
eram limitados pelos componentes discretos e baixo grau de
integração. Moore afirmava que esse número de componentes,
dobrando a cada ano, acabaria por esbarrar em um limite que
definiria até onde a tecnologia do silício ou a integração poderia
ir.
A observação de Moore acabou por se comprovar, não só
pelos dez anos seguintes, prazo que Moore previa como de
validade para sua lei, mas por muito mais tempo. Conforme
mostra o gráfico da figura 2, em que temos a quantidade de
componentes por chip para os microprocessadores da Intel. A
validade das previsões de Moore fizeram com que ela se tornasse
uma Lei, conhecida por Lei de Moore.
29
– Volume 9
Figura 2 - gráfico mostrando a evolução da quantidade de componentes por

chip para os microprocessadores da Intel entre 1975 e 2000
DO TRANSISTOR AO CIRCUITO INTEGRADO

A nova era da eletrônica certamente começou com a
invenção do transistor em 1947.
O "transfer resistor" ou transistor foi criado nos
laboratórios da Bell e se baseava no conceito de que era possível
controlar o fluxo elétrico num material sólido como o silício. Daí o
nome de eletrônica "do estado sólido" para designar a nova
tecnologia que substituía (ou pelo menos pretendia) substituir a
tecnologia das válvulas onde o fluxo elétrico era controlado no
vácuo.
30
NEWTON C. BRAGA
Figura 3 - Foto do primeiro transistor - Cortesia Bell Labs
Foi a partir de 1950, entretanto, que ocorreu um

significativo progresso nas pesquisas na eletrônica de estado
sólido, com a criação de novos processos de projeto e fabricação
de dispositivos semicondutores. Podemos dizer que nessa época a
eletrônica dos semicondutores deixou de ser ciência para se
tornar muito mais tecnologia de produção.
É interessante observar, nesse ponto, que a cada dia
existe um prazo menor entre o momento em que uma descoberta
é ciência e se torna tecnologia. Em alguns casos, a descoberta,
mesmo eu baseada em ciência pura, já sai diretamente para uso
como uma forma de tecnologia.
Antes dessa época os poucos transistores disponíveis
comercialmente eram fabricados por processos rudimentares
manuais, com um elevado grau de rejeição, bem diferente dos
processos em série, em salas limpas, que temos hoje.
O que houve basicamente, a partir dessa época, foi um
refinamento das técnicas de produção, que culminou com a
invenção do circuito integrado por Jack Kilby em 1958.
31
– Volume 9
Figura 4 - Jack Kilby, inventor do circuito integrado - Foto Texas

Instruments
O advento do CI significou uma quebra de barreiras

tecnológicas com poucas implicações científicas. Talvez mais
importante que a própria invenção CI, em 1950, também foram as
inovações no processo de fabricação de dispositivos
semicondutores propostas pela Bell e General Electric. Nessa
época foram apresentados os processos de difusão e máscara de
óxido e o processo planar, que se tornaram base da produção
desde então.
O processo de difusão permitia ao fabricante difundir
impurezas ou dopantes, diretamente na superfície do
semicondutor, eliminando o trabalhoso processo de colocar e tirar
máscaras de material isolante nas diversas camadas sobre o
substrato.
Usando processos sofisticados era possível, a partir de
então, desenhar padrões intrincados de máscaras para os
materiais semicondutores, dopando apenas determinadas áreas.
Essas descobertas levaram a um aumento na precisão dos
dispositivos que passaram a ser muito mais confiáveis.
Mas, o grande mérito do processo planar estava na
possibilidade de se integrar circuitos no mesmo substrato. As
conexões elétricas entre os diversos elementos ou circuitos
poderiam ser internas ao chip, conforme reconheceu Robert
Noyce da Fairchild ao anunciar sua descoberta.
32
NEWTON C. BRAGA
O primeiro transistor planar apareceu em 1959, seguido

pelo primeiro circuito integrado planar, em 1961, lançados pela
Fairchild.
figura 6 - sequência de etapas no processo de fabricação de um transistor

planar - Fairchild
É claro que os processos evoluíram muito a partir de então

possibilitando um aumento constante da densidade de
componentes colocados num único chip.
O processo de "fotolitografia" evoluiu possibilitando a
integração de componentes cada vez menores.
AS OBSERVAÇÕES DE GORDON MOORE

Foi em 1965 que, num artigo de uma revista técnica
(Electronics), que Gordon Moore publicou o artigo "Cramming
more components onto integrated circuits", na ocasião assinando
como Diretor do Laboratório de Pesquisa e Desenvolvimento da
Fairchild.
No artigo, com menos de 4 páginas, ele levantava a
questão se era possível prever o que aconteceria na indústria de
semicondutores nos 10 anos seguintes, ou seja, até 1975. Ele
33
– Volume 9
especulava então, que em torno de 1975 seria possível
concentrar num único chip algo em torno de 65 000
componentes, ocupando uma área de 1/4 de polegada quadrada.
Na ocasião ele afirmava que:
"A complexidade para um mínimo custo de componentes
tem crescido numa taxa que se aproxima do fator dois por ano.
Certamente, a curto prazo, espera-se que essa taxa continue,
senão aumente. A longo prazo, a taxa de crescimento pode um
pouco mais incerta, apesar de que não há razão para acreditar
que ela permaneça constante por pelo menos 10 anos." (Moore,
1965)
Dez anos mais tarde, Moore reexaminava a taxa de
crescimento anual da densidade de componentes. Essa alteração
deveu-se ao aparecimento de novas tecnologias como os
dispositivos MOS e as memórias CCDs (charge-coupled devices).
No documento ele mostrava tendência em aceitar o
crescimento exponencial por diversos motivos, dentre eles:
a) O tamanho das pastilhas estava crescendo numa taxa

exponencial. Os chips estavam se tornando cada vez
maiores.
b) As dimensões dos componentes integrados estavam se
tornando cada vez menores numa taxa que se aproximava
da exponencial.
c) Melhoria das tecnologias internas usadas na integração,
como aumento da isolação, advento de novas tecnologias
como MOS, etc.
Com essa revisão, segundo Moore, a taxa de aumento da

densidade de componentes deveria ser tal que dobraria a cada 18
meses ou quadruplicaria a cada 3 anos.
Escrita na forma matemática ela fica:
(Circuitos por Chip) = 2(ano-1975)/1,5
Em 1995, Moore fez uma comparação de suas previsões

com duas categorias de dispositivos: memórias DRAM e
Microprocessadores. Os dois dispositivos tiveram um crescimento
bem próximo da curva prevista por Moore, com as DRAMs
alcançando uma leve vantagem na quantidade de dispositivos
integrados (densidade) no período que vai de 1970.
34
NEWTON C. BRAGA
As observações tinham se baseado na evolução dos

dispositivos semicondutores a partir de 1950 na sequência que
levou a média escala de integração (MSI) dos anos 1960, para a
larga escala de integração (LSI), dos anos 1970, e escala muito
alta de integração (VLSI) dos anos 1980, e a Escala Ultra Alta de
Integração (ULSI) dos anos 1990. Os chips com milhões de
componentes integrados já são comuns e já fala em chips de
gigabits e até terabits para as próximas décadas.
Figura 7 - detalhe de um chip VLSI (Very Large Scale of Integration)

contendo milhões de transistores
BARÔMETRO TECNOLÓGICO
Talvez a mais importante das implicações da Lei de Moore
é o fato de que ela funciona como um verdadeiro barômetro
tecnológico. Algumas publicações referem-se à Lei de Moore
como "benchmark", padrão ou mesmo regra, mas
definitivamente, podemos dizer que se trata de uma forma de se
"medir" a tendência de inovações de desenvolvimento da
indústria de semicondutores e, por tabela, dos computadores.
Um alto executivo de empresa fabricante de
semicondutores chegou a afirmar que a Lei de Moore: "é
importante porque é a única regra estável que temos hoje para
saber que os concorrentes vão fazer daqui a 18 meses e também
35
– Volume 9
aquilo que também temos de fazer para não sucumbir à
concorrência".
Se levarmos em conta que o custo tanto é medido pelo
tamanho como pela complexidade do chip, com a redução do
tamanho temos a redução do custo e como resultado final, os
chips vão se tornando cada vez mais acessíveis.
Hoje, temos uma infinidade de aplicativos em que eles são
usados, indo desde brinquedos, e aparelhos de uso doméstico,
até equipamento médico, satélites e armas. Isso significa que a
Lei de Moore também tem implicações sociais e econômicas que
devem ser levadas em conta. Mas, além de possibilitar uma
previsão do que vai acontecer no futuro, a Lei de Moore também
serve como uma espécie de alavanca que propulsiona os novos
desenvolvimentos, pois qualquer empresa sabe que, se não
seguir suas tendências, ela será abandonada.
Acompanhar a Lei de Moore, para as empresas
desenvolvedoras e fabricantes de semicondutores, não é
simplesmente uma curiosidade, para saber o que se deve fazer e
o que os outros estão fazendo; é uma questão absoluta de
sobrevivência. É importante notar que, além das variáveis físicas,
existem as varáveis não físicas que podem estar envolvidas na
validade da Lei de Moore.
Veja que, a Lei de Moore, em si não é somente baseada
nas propriedades físicas e químicas dos semicondutores assim
como nos seus processos de produção, mas também em fatores
não técnicos. Podemos colocar no rol desses fatores as influências
dos sistemas sociais e econômicos, como já afirmamos.
Podemos tomar como exemplo o que ocorre com os chips
dos computadores pessoais, como por exemplo, os
microprocessadores, sistema de software e memória. Enquanto
os microprocessadores, a partir do 8086/8088 até o Pentium IV se
tornaram mais rápidos, mais poderosos e proporcionalmente
menos caros escapando levemente da previsão pela Lei de
Moore, as memórias DRAM e suas formas derivadas, seguiram um
padrão mais regular.
Na figura 8 temos uma curva que mostra a evolução das
características das DRAMs, quando comparadas com uma curva
que mostra como deveria ser o crescimento se a sua capacidade
dobrasse a cada 21 meses (valor inicialmente previsto para esse
tipo de componente).
36
NEWTON C. BRAGA
figura 8 - Legenda: curva de evolução das características das DRAMs.
Na figura 9, por outro lado, temos a evolução do número

de transistores nos chips.
Figura 9 - curva de evolução dos transistores pode chip até o ano 2000.
Entretanto, existe um terceiro elemento do custo de um

PC, que é o software, e que revelou um comportamento não
técnico para a Lei de Moore.
37
– Volume 9
A IMPORTÂNCIA DOS COMPUTADORES
Quando falamos na Lei de Moore para os computadores
devemos incluir o software como elemento que pode influir na
sua aplicação. Hoje em dia a maior parte do consumo de chips é
representado pela indústria de computadores. Em segundo lugar
vem a indústria de telecomunicações e depois todo o restante.
Duas leis paralelas, que levam certo tom humorístico,
relacionam o desenvolvimento dos chips com o desenvolvimento
do software e são denominadas "Leis de Parkinson". Elas dizem
que "O software expande para preencher a memória disponível, e
o Software está se tornando mais lento na proporção direta que o
hardware se torna mais rápido". Na verdade, alguns chegam até a
dizer que todas as vezes que se aumenta a quantidade de
transistores disponíveis no chip de um microprocessador, Bill
Gates "arranja" um meio para seus softwares desperdiçá-los.
Outros vão além de definem a "Lei de Gates (Bill)" que diz que a
"velocidade dos softwares se reduz à metade a cada 18 meses".
ATÉ QUANDO A LEI DE MOORE SERÁ VÁLIDA?

Desde 1995 artigos diversos foram publicados, colocando
em discussão se a Lei de Moore ainda valeria por muito tempo.
Mas nenhum chega a uma conclusão definitiva sobre seu fim.
Figura 10 - circuito básico de uma célula (bit) de uma DRAM)
38
NEWTON C. BRAGA
Assim, no dia 10 de julho de 2002, Gordon Moore recebeu

do Governo dos Estados Unidos, a medalha Freedon. O presidente
Bush comandou a cerimônia. Naquela ocasião Moore afirmou que
a velocidade com que a densidade dos componentes num chip
dobra iria diminuir um pouco nos próximos anos, principalmente
dadas as próprias limitações da física.
A capacidade que os projetistas de semicondutores têm
para integrar cada vez mais componentes num chip está limitada
pelas leis da física que, começam a ter um efeito maior a cada
dia. Pelos processos tradicionais de desenvolvimento de chips
esperava-se que os projetistas teriam problemas quando as
dimensões encolhessem para 30 nanômetros.
No entanto, como falamos no início, sempre pode haver a
interferência de novas descobertas ou de novas tecnologias que
mudam as previsões. No caso, é a nanotecnologia que está
entrando em cena. Moore lembra-se de ter dito que o limite para
o encolhimento dos chips seria um mícron, dados os problemas
da litografia óptica, isso em 1990. No entanto, com a
nanotecnologia isso já não é válido e o próprio Moore já disse que
espera ver dispositivos com diversos bilhões de transistores
integrados.
Uma descoberta importante que pode aumentar a vida da
Lei de Moore, é a que se relaciona com o uso da luz ultravioleta
extrema ou Extreme Ultraviolet (EUV) aplicada à litografia. As
dimensões mínimas de um detalhe, que pode ter sua imagem
gravada num chip de silício dependem também do comprimento
de onda usado no processo. Se o objeto for menor que o
comprimento de onda, a onda passa através dele sem deixar
sombra.
Assim, não se pode gravar num chip um transistor ou um
detalhe de um componente cujas dimensões sejam menores do
que o comprimento da onda da luz usada no processo.
O limite atual estava justamente na capacidade dos
equipamentos usarem radiação de comprimento de onda cada
vez mais curto como, por exemplo, o ultravioleta. No entanto,
com o progresso da tecnologia de semicondutores, até mesmo o
ultravioleta está se tornando insuficiente para dar bons resultados
com os detalhes menores que se pretendia gravar.
39
– Volume 9
Assim, o uso da tecnologia EUV (Extreme Ultraviolet)
estende a validade da Lei de Moore, com a possibilidade de
criação de dispositivos que estão além dos limites que o próprio
Moore imaginava quando estabeleceu sua lei.
Na figura 11 mostramos o processo de gravação de um
chip usando a tecnologia do EUV.
Figura 11 - Próxima geração de litografia usada na produção de chips que

romperão a barreira de bilhões de componentes
CONCLUSÃO
A Lei de Moore, apesar de contestações, da colocação em
jogo de seu tempo de validade, tem permanecido firme nas
últimas décadas, apesar da aproximação teórica dos limites de
integração dados pelas leis da física. A criação de novas
tecnologias, vencendo barreiras colocadas pelas limitações físicas
tem mantido a sua validade e importância.
A principal importância da Lei de Moore se mantém, já que
se trata de um dos poucos parâmetros confiáveis e estáveis que a
indústria de semicondutores pode usar nas suas previsões. Como
40
NEWTON C. BRAGA
afirmamos, a Lei de Moore é o barômetro que indica o que a

indústria deve fazer nos anos seguintes e assim direcionar a
criação dos seus produtos com boa chance de que eles não
cheguem ao mercado defasados ou ainda utilizando tecnologias
que já estejam superadas na época do lançamento.
A Lei de Moore ainda vale. Por quanto tempo? Não
sabemos, pois, nem mesmo Gordon Moore acreditava, de início,
que sua Lei pudesse durar tanto…
Há alguns anos a Lei de Moore começou a ser ameaçada
pelo que parecia ser o limite para a miniaturização dos
componentes que poderiam ser integrados num chip. A própria
litografia por ultravioleta (UV) estava chegando a um ponto em
que componentes menores e, portanto, em maior quantidade não
poderiam mais ser gravados no silício.
Da mesma forma o próprio tempo de trânsito dos
portadores de carga nos materiais semicondutores começava a
impor limites para o tamanho que um chip teria sem
comprometer seu desempenho. No entanto, em 2011 algumas
novas tecnologias apareceram dando mais certo tempo de fôlego
para a Lei de Moore.
Considerando que um componente como um transistor
tem uma estrutura bidimensional no chip os limites para sua
integração estavam basicamente determinados pelo que se
poderia fazer nestas dimensões.
Entretanto, uma parceria da IBM com a 3M possibilitou a
criação de novos adesivos que seriam utilizados na construção de
chips tridimensionais. Assim, em lugar de espalharmos os
transistores por uma superfície, seria possível espalhar
componentes por um volume. A ideia inicial é de que 100 chips
separados formariam camadas que resultariam num chip único
com 1000 vezes a velocidade do computador mais rápido que
temos e uma quantidade 100 vezes maior de transistores.
O gráfico da figura 12 mostra a situação da Lei de Moore
em 2011 com a possibilidade de ela seguir a curva prevista
aproximada por alguns anos ainda.
41
– Volume 9
Figura 12 – Lei de Moore até 2011.
Algumas outras leis apareceram nos últimos anos tentando

fazer previsões sobre o futuro dos semicondutores, mas a que
mais está tomando corpo é a que leva em consideração a
eficiência de um microcontrolador ou microprocessador.
De fato, para as aplicações modernas, muito mais do que a
quantidade de transistores de um chip ou sua velocidade de
operação, é o consumo de energia. A eficiência com que um
conjunto muito grande de componentes aproveita a energia é
hoje talvez um fator fundamental para a tecnologia.
No gráfico da figura 13 temos então a evolução da
eficiência dos chips dos computadores, numa curva bastante
semelhante àquela dada pela Lei de Moore.
42
NEWTON C. BRAGA
Figura 13 – A eficiência dos computadores desde sua criação.
Algumas fontes publicaram em 2005 estudos que

revelavam que a Lei de Moore valeria até 2015 a 2020. No
entanto, uma atualização do International Roadmap for
Semiconductors revelou que a curva de validade desta lei mudou
um pouco, e as densidades dos transistores nos chips devem
dobrar a cada 3 anos.
Nota: quando revisamos este artigo

para este livro, novas tecnologias já
estavam em estudos, como a
computação quântica que deve
mudar tudo, até mesmo acelerando a
lei de Moore de forma nunca antes
imaginada.
43
– Volume 9
COMPARADORES DE TENSÃO E
DISCRIMINADORES DE JANELA
Os amplificadores operacionais permitem o
desenvolvimento de uma infinidade de aplicativos. Dentre eles
focalizamos neste artigo os discriminadores de janela e os
comparadores de tensão. Dentre as inúmeras aplicações para
estes circuitos destacamos os controles industriais, termostatos,
alarmes de temperatura ou luz e outros circuitos de precisão em
que deva haver uma comutação rápida em um ou mais níveis de
sinais de um sensor ou de um circuito de processamento.
A base dos circuitos que analisamos é o 741 que, pelo seu
baixo custo e versatilidade, permite a implementação fácil de
qualquer projeto.
O que se pode fazer com um amplificador operacional? Na
verdade, não há limite para isso e tanto no caso da eletrônica
para amadores como para profissionais, podemos encontrar uma
infinidade de projetos. A maioria destes projetos leva por base o
mais conhecido de todos os amplificadores operacionais que é o
741.
Baseados também neste amplificador daremos neste
artigo alguma teoria sobre os chamados comparadores de tensão
e os discriminadores de janela, que são configurações com
aplicações muito importantes tanto na eletrônica profissional
como para amadores.
Completaremos o artigo com alguns diagramas imediatos
que, sem dúvida, poderão servir de base para projetos mais
complexos. Iniciamos nossas explicações com a análise do próprio
741.
OS AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Na figura 1 temos o símbolo adotado para representar um
amplificador operacional.
44
NEWTON C. BRAGA
Figura 1 – Símbolo do amplificador operacional
Conforme podemos ver, ele possui duas entradas: uma

inversora, marcada com (-), e uma não inversora, marcada com
(+). A saída é única e como elementos adicionais, temos os
terminais de alimentação e, eventualmente, os de compensação
externa e ajuste de corrente de fuga (offset).
Se aplicarmos um sinal na entrada não inversora, ele será
amplificada e aparecerá com a mesma fase na saída. Se o sinal
for aplicado na entrada inversora, ele será amplificado e
aparecerá na saída com a fase invertida.
Na figura 2 mostramos o que ocorre com um sinal
senoidal.
Figura 2 - Amplificando um sinal senoidal
O sinal também pode ser aplicado entre as entradas, o que

significa que aplicamos uma tensão diferencial que será
amplificada em função de sua polaridade. Isso significa que ele
amplifica a diferença de tensão entre as entradas.
Se esta diferença for positiva temos uma saída positiva e
se a diferença for negativa temos uma saída negativa (figura 3).
45
– Volume 9
Figura 3 – Diferença positiva e negativa
Um amplificador operacional ideal tem uma resistência de

entrada infinita, um ganho de tensão infinito e uma resistência de
saída nula. Na prática não chegamos a estes resultados: a
impedância de entrada é alta, da ordem de M ohms, a impedância
de saída é baixa, da ordem de dezenas de ohms, e o ganho pode
variar entre 5 000 e 200 000 para os tipos mais comuns.
Podemos controlar o ganho de um amplificador
operacional através de uma realimentação negativa, conforme
mostra a figura 4.
Figura 4 – Controlando o ganho
O 741
O 741 pode ser encontrado no comércio com designações
que dependem do fabricante tais como LM741, MC1741,
SN72741, uA741 etc., consistindo num amplificador operacional
dos mais populares e versáteis.
No nosso país ele pode ser encontrado com extrema
facilidade, pois é importado por muitas empresas distribuidoras.
46
NEWTON C. BRAGA
Na figura 5 temos o seu invólucro com a identificação dos

terminais e o circuito interno equivalente.
Figura 5 – O 741
As características deste integrado são:

- Tensão máxima de alimentação (simétrica):18 - 0 -18 V
- Potência máxima de dissipação: 670 mW
- Tensão de offset de entrada (tip.): 0,8mV
- Impedância de entrada (mín.): 1M ohms
- Faixa de operação (tip.): 1 MHz
- Ganho (tip.): 200 000
- CMRR (tip.): 95 dB
- Resistência de saída: 75 ohms
COMPARADORES DE TENSÃO
Uma das aplicações interessantes para os amplificadores
operacionais é o comparador de tensão. O primeiro tipo é
mostrado na figura 6, vemos a seguir o seu de funcionamento.
47
– Volume 9
Figura 6 – O comparador de tensão
Fixamos na entrada não inversora a tensão de referência
por meio de um diodo zener. No nosso caso, esta tensão é de 5,1
V dada por um zener de 400 mW. Assim, quando aplicamos uma
tensão na entrada, o amplificador operacional a amplifica,
comparando-a com a tensão de referência.
Como o ganho do amplificador é muito alto, bastará que a
diferença de tensão entre as duas entradas seja de alguns
milivolts para que tenhamos na saída a saturação, ou seja,
obtenhamos valores próximos de zero ou da tensão positiva de
alimentação.
Se então a tensão de entrada for menor que a tensão de
referência, temos sua amplificação com inversão de fase,
resultando assim numa tensão positiva próxima da tensão de
alimentação.
É o trecho 1 do gráfico mostrado na fig. 7
Figura 7 – Trecho do gráfico do comparador.
No entanto, quando a tensão de entrada superar a tensão

de referência, teremos uma diferença de valores positiva que,
após a amplificação com a fase invertida, leva a saída à
saturação, mas próximo do negativo da fonte, ou seja, 0 V. Temos
então o trecho 2 da curva mostrada na mesma figura.
Uma etapa de potência na saída deste circuito pode ser
usada para excitar um relé de "sobre indicação". Quando a tensão
48
NEWTON C. BRAGA
superasse certo valor determinado, ocorreria a comutação do

relé. Veja que é o zener que fixa o ponto de transição em que a
saída do amplificador operacional cai do máximo (saturação
positiva) para o mínimo (saturação negativa).
Outros valores podem ser usados e até mesmo um trimpot
para a fixação manual da tensão. É claro que o zener tem como
vantagem a precisão em que se pode estabelecer o ponto de
transição da saída. Um comportamento oposto pode ser obtido
com o circuito mostrado na figura 8.
Figura 8 - Comportamento oposto
O zener fixa a referência na entrada negativa. Assim,

quando a tensão na entrada está abaixo da tensão de /referência,
temos uma diferença negativa que será amplificada e saturará
em perto de 0 V a saída.
Quando a tensão de entrada ultrapassar o valor de
referência, teremos a saturação no valor positivo mais próximo da
tensão de alimentação. A curva da figura 9 mostra o que ocorre.
Este circuito pode ser usado para levar um nível 1 a uma
entrada lógica, ou a um circuito indicador, quando a tensão de
entrada ultrapassar um valor determinado.
49
– Volume 9
Figura 9 – Comportamento do circuito
DISCRIMINADORES DE JANELA
Combinando os dois circuitos comparadores de tensão
podemos elaborar uma configuração bastante interessante que é
o chamado discriminador de janela. Ele recebe esta denominação
porque deixa passar apenas uma estreita janela de valores de
tensão que são fixados pelos elementos de referência.
Assim, para o circuito da figura 10, a janela vai de 5,1 a
6,2V, quando então a saída vai à saturação perto de zero.
Para quaisquer outros valores da tensão de entrada, a
tensão de saída estará próxima da tensão de alimentação. Os
diodos D1 e D2 fixam os limites ou a “largura" da janela de
tensão. A curva correspondente é mostrada na figura 11.
50
NEWTON C. BRAGA
Figura 10 – Comparador de janela
Figura 11 – Curva do comparador
51
– Volume 9
Um comportamento inverso pode ser obtido com o circuito

da figura 12.
Figura 12 – Comportamento inverso
Para este circuito, temos a saída de tensão positiva

quando a entrada estiver dentro dos valores fixados pelos diodos
zener. A curva correspondente é mostrada na figura 13.
52
NEWTON C. BRAGA
Figura 13 – Curva obtida
O funcionamento destes circuitos é simples: o primeiro

comparador mantém a tensão em nível alto na saída até o ponto
em que a entrada supera a referência, quando então ela cai a
zero. A tensão de saída se manterá em zero até que o segundo
comparador entre em ação.
Neste momento, sua saída se eleva ao nível alto, assim
permanecendo para qualquer valor superior à referência.
Podemos fixar a “janela" para qualquer largura dentro da faixa de
alimentação dos integrados simplesmente escolhendo os diodos
zener apropriados.
A impedância de entrada do circuito é de10 k ohms, o que
possibilita a operação direta com diversos tipos de transdutores.
Na figura 14 damos dois circuitos de ativação de relés.
53
– Volume 9
Figura 14 – Acionamento de relés
O primeiro dos circuitos ativa o relé com os níveis altos de

tensão, ao mesmo tempo em que o segundo circuito ativa o relé
com níveis baixos de tensão. Observe que uma característica
importante destes circuitos é a não necessidade de fontes
simétricas para os amplificadores operacionais.
O consumo de corrente é bastante pequeno para cada
circuito, ficando no caso mais de 90% da corrente para o
acionamento do próprio relé.
54
NEWTON C. BRAGA
A TECNOLOGIA DO CIRCUITO
INTEGRADO
No artigo em que focalizamos a Lei de Moore, ficou claro
que toda a tecnologia moderna dos semicondutores está ligada a
dois fatores: o tamanho dos elementos que podem ser integrados
num chip e a sua quantidade máxima. Para entender como as
especificações tão comuns hoje de tecnologia de “tantos
mícrons”, usadas para indicar o processo de fabricação de chips,
funcionam é interessante fazermos uma breve revisão do modo
como são fabricados os circuitos integrados, ou seja, as
tecnologias usadas nos circuitos integrados.
Este artigo é de 2001. Novas

tecnologias foram desenvolvidas
possibilitando cada vez a integração
cada vez maior de componentes num
chip.
VOLTANDO UM POUCO NO TEMPO

Até 1950, qualquer equipamento eletrônico era formado
por componentes individuais (discretos) que deveriam ser
fabricados separadamente, cada qual com seu processo
específico, e depois montados e interligados numa placa ou
chassi comum para formar o circuito desejado.
Tudo isso mudou com a invenção do circuito integrado por
John Kilby em 1950, conforme narramos no artigo anterior. A ideia
básica de Kilby era de que em lugar de fabricarmos os
componentes de um circuito separadamente, para depois
interligá-los formando o circuito desejado, poderíamos usar um
processo único para fabricar todos os componentes interligados
sobre uma pastilha de silício, já formando o circuito desejado.
A ideia floresceu, e os "circuitos integrados" começaram a
aparecer.
55
– Volume 9
Partindo dos tipos mais simples, e evolução das

tecnologias foi possibilitando a colocação de cada vez maior
número de elementos numa pastilha de silício e a redução cada
vez mais acentuada das dimensões desses componentes.
A evolução das tecnologias eletrônicas foi justamente
associada à própria evolução do circuito integrado, conforme
vimos ao analisarmos a Lei de Moore.
Assim, quando falamos de eletrônica moderna e
pretendemos fazer qualquer tipo de previsão o futuro, analisando
que tipos de novos dispositivos podem aparecer, devemos
sempre estar levando em conta as tecnologias de fabricação dos
circuitos integrados.
Dependem justamente dessas tecnologias os novos
dispositivos que podem ser criados e a quantidade de
componentes que podem ser integrados num único chip. Para
especificar o grau de elaboração de um CI é comum a utilização
de dois parâmetros importantes que, na realidade, são
interdependentes: a quantidade de componentes que podem ser
integrados nos chips e as dimensões mínimas dos detalhes que
esses componentes podem ter.
56
NEWTON C. BRAGA
Para entendermos como isso funciona, vamos fazer uma

breve revisão dos processos de fabricação dos circuitos
integrados.
FABRICANDO UM CIRCUITO INTEGRADO

O processo de fabricação de um circuito integrado envolve
basicamente 5 etapas. O ponto de partida para a fabricação dos
circuitos integrados (assim como de outros dispositivos
semicondutores como transistores e diodos) é o wafer. Trata-se
de um disco de silício cristalino extremamente puro com uma
espessura de poucos milímetros.
O diâmetro dos wafers varia de acordo com a tecnologia
usada podendo partir de 100 mm (4 polegadas) e indo até 300
mm (12 polegadas). Num cristal, como o que forma os wafers, os
átomos são organizados com uma orientação bem definida. Essa
orientação precisa ser levada em conta no processo de
fabricação.
Assim, para os wafers de 100, 125 e 300 mm, é feito um
corte que serve para indicar o modo como o cristal está
orientado. Nos wafers de 200 e 300 mm a marca consiste num
pequeno rasgo, conforme mostra a figura 2.
57
– Volume 9
Basicamente existem três tipos de wafers: tipo puro que é
usado para a fabricação de CIs, Epitaxial (Epi) que é um wafer
formado por um cristal único com um filme depositado na sua
superfície e Silicon on Insulator (SOI) que consiste num filme de
cristal silício depositado num filme isolante sobre o wafer que
serve de base.
Quando se analisa as tecnologias usadas na fabricação de
circuitos integrados, as dimensões dos elementos são
extremamente pequenas. Com frequência estaremos falando de
mícron, nanômetros e dimensões até menores. Será importante
que o leitor tenha uma ideia dessas dimensões através da tabela
seguinte:
Unidade Símbolo Valor comparativo

Metro M -
Milímetro Mm mil milímetros resultam em um metro
Micrometro ou mícron Μm um milhão de mícron equivale um
metro; mil mícron equivale um milímetro
Nanômetro Nm um bilhão de nanômetros equivale a um
metro; mil nanômetros equivalem a um
micrometro
Uma ideia aproximada das dimensões de objetos

conhecidos pode ajudar o leitor entender quão pequenos podem
ser os componentes eletrônicos modernos. A tabela seguinte
mostra algumas dimensões:
Objeto Tamanho Aproximado
Grão de areia 100 a 1000 μm
Diâmetro de um fio de cabelo 30 a 200 μm
Bactéria 1 a 30 μm
Partícula de fumaça de cigarro 10 nm a 1 μm
Vírus 3 a 40 nm
Átomos 0,2 a 0,3 nm
O menor processo de fabricação usado atualmente para os

circuitos integrados consegue gravar detalhes de 130 nm (0,13
mícron). No entanto, alguns processos em estudos chegam a 70
nm (0,07 mícron). Podemos dizer que um detalhe com essa
ordem de tamanho está bem próximo ao de um vírus grande e é
bem menor que uma bactéria!
O passo seguinte é alterar as propriedades de regiões
específicas do wafer de modo que se formem os componentes
desejados e as trilhas de conexão entre eles.
58
NEWTON C. BRAGA
Esse processo envolve o uso da Fotolitografia.
Na fotolitografia, uma substância química sensível à luz,

denominada "photoresist" é espalhada pela superfície do wafer,
cobrindo-a na extensão em que se deseja gravar os componentes.
O processo de espalhar essa substância é feito de forma
rápida e controlada de modo a se formar um filme uniforme muito
fino. Na figura 4 mostramos como isso é conseguido girando-se
rapidamente o wafer.
59
– Volume 9
Depois disso, o wafer passa por um processo de cozimento

num forno, depois disso ele exposto à radiação ultravioleta
através de uma máscara que possui regiões opacas e
transparentes, formando justamente o desenho dos componentes
que devem ser gravados.
O uso da radiação ultravioleta é importante, como vimos
no artigo sobre a Lei de More, porque seu menor comprimento de
onda permite que detalhes com menores dimensões sejam
gravados. Depois de ser exposto à radiação, o wafer passa por
um processo de revelação onde as áreas expostas são removidas
e as cobertas permanecem. Diversas variações desse processo
podem ocorrer nesse ponto da fabricação, mas o importante é
que com a revelação, áreas condutoras e isolantes são gravadas
no padrão que vai corresponder ao circuito integrado, conforme
mostra a figura 5.
60
NEWTON C. BRAGA
Figura 5 - As etapas do processo de fotolitografia
De uma forma mais detalhada, podemos dividir o processo

de fotolitografia em seis fases:
 Cobrir o wafer com uma substância que facilite a adesão
do photoresist
 Cobrir o wafer com um líquido foto-sensível (photoresist).
 Cozer o wafer para secar o photoresist
 Expor o wafer a radiação ultravioleta através de uma
máscara em que o padrão a ser gravado esteja presente.
 Cozer novamente - alguns tipos de photoresist exigem que
após a exposição à radiação haja um cozimento para
completar as reações químicas que ocorrem.
 Revelar o photoresist removendo deixando expostas as
áreas que devem ter suas propriedades elétricas
alteradas, ou seja, onde devem ser formados
componentes.
 Recozer o photoresist para estabilizar suas propriedades
químicas
A fase seguinte no processo de fabricação é a implantação

de íons.
O que cada região sensibilizada vai ser depende das
propriedades elétricas que ela vai adquirir. No caso dos
semicondutores, isso significa dopar essa região de modo que ela
se torne um semicondutor N, P ou mesmo deixá-la sem dopagem
61
– Volume 9
para que ela se torne um fio ou uma interligação de componente
e até mesmo a armadura de um capacitor.
Essa implantação é feita numa câmara de vácuo. O wafer
é ligado a um eletrodo e os íons a serem implantados são
acelerados pela tensão do wafer de modo a penetrarem na
profundidade desejada, difundindo-se pelo material.
Um ponto importante no processo de fabricação está
justamente na possibilidade de se fazer os íons penetrarem
exatamente na profundidade desejada e no controle exato da
quantidade deles. As impurezas implantadas nesse processo não
penetram mais do que uns poucos mícrons de profundidade no
wafer.
Continuando com o processo de fabricação, além da
implantação de íons, diversas substâncias são depositadas na
superfície do wafer formando filmes muito finos. Esses filmes,
como nitreto de silício, são usados para preservar a camada
protegendo-a no final do processo de fabricação. Polisilicon é uma
outra substância usada para fabricação de transistores de
MOSFETs. Metais como alumínio e cobre também podem ser
depositados para formar interligações entre elementos do
circuito.
Meios químicos ou físicos são usados para depositar o
metal, dependendo da tecnologia e do tipo de componente que
está sendo fabricado.
Finalmente, o wafer passa por um banho químico. Diversas
tecnologias que vão do simples uso de líquidos até plasma foram
desenvolvidas, conforme o tipo de circuito integrado que está
sendo fabricado.
Uma forma de banho é feita a seco com o uso de ondas de
rádio, microondas de alta energia aplicadas a um gás de modo a
torná-lo reativo. Gases que podem ser ionizados resultando em
íons de cloro, bromo e flúor são usados em alguns processos.
No final de todas essas etapas, num único wafer podem
ser formados muitos circuitos integrados. A quantidade depende
justamente das dimensões de cada. Num wafer comum podem
ser fabricados mais de 200 circuitos integrados de uma vez.
Evidentemente, a presença de impurezas no próprio
material, falhas do processo, fazem que nem todos sejam
aproveitados. Assim, antes de se passar ao corte e
encapsulamento de cada um dos circuitos integrados, eles
passam por um teste de funcionamento.
62
NEWTON C. BRAGA
O resultado está na figura 6 em que o pequeno chip de

silício resultante é soldado aos terminais de ligação e encerrado
num invólucro que, ao mesmo tempo que o protege contra a ação
dos elementos externos, também serve para dissipar ou transferir
o calor gerado no seu processo de funcionamento.
CONCLUSÃO
As tecnologias de fabricação dos circuitos integrados têm
evoluído no sentido de se poder gravar cada vez detalhes
menores nas pastilhas de silício e assim aumentar a densidade
dos componentes que podem ser integrados. Essa capacidade é
especificada nas tecnologias existentes e normalmente expressa
na forma da medida do menor detalhe que pode ser integrado
com definição.
Assim, para a DRAM e para os microprocessadores que
representam os componentes que encabeçam toda a eletrônica
dos circuitos integrados, passamos de uma escala de integração
63
– Volume 9
de 100 mícron em 1970 para menos de 0,18 mícron em nossos
dias.
Na figura 7 temos o gráfico que mostra essa evolução das
tecnologias de integração.
Conforme já salientamos, saltos tecnológicos podem

transpor determinados obstáculos determinados pelas leis da
física, como por exemplo, a relação entre o comprimento de onda
da radiação usada no processo de litografia e o menor objeto que
pode ser integrado.
O uso de radiação ultravioleta de comprimentos de onda
cada vez menor pode nos levar a tecnologias muito menores do
que as dos 0,07 mícron previstas para os próximos anos, com
uma capacidade de integração de componentes que poderá
facilmente superar a escala dos terabits para as memórias.
O que precisamos aprender é que mesmo que as leis da
física sejam válidas, nunca podemos dar como definitiva qualquer
conclusão que chegamos, pois saltos tecnológicos e descobertas
não previstas podem mudar tudo.
64
NEWTON C. BRAGA
GERAÇÃO DE CALOR NOS CIRCUITOS

ELETRÔNICOS E A LEI DE JOULE
Este importante artigo, que envolve mais física do que
eletrônica, é parte do livro Curso de Eletrônica – Eletrônica de
Potência. O artigo é uma preparação para análise do
funcionamento dos dissipadores de calor. Nele analisamos como o
calor é gerado nos circuitos eletrônicos e como pode ser calculado
através da aplicação da Lei de Joule. Os artigos seguintes
complementam o que discutimos aqui.
Nem sempre os dissipadores de calor são olhados com o
devido cuidado nos projetos que envolvem dispositivos de
potência e mesmo aqueles que, aparentemente, não geram uma
quantidade preocupante de calor.
No entanto, os problemas relacionados com a dissipação
de calor são muito mais importantes do que muitos pensam, e por
não estarem relacionados com o circuito em si, nem sempre são
devidamente tratados pelos desenvolvedores.
GERAÇÃO DE CALOR
A maioria dos componentes eletrônicos converte energia
elétrica em calor, em maior ou menor quantidade, dependendo
de suas características ou regime de operação. Se este calor não
for convenientemente transferido para o meio ambiente, o
componente se aquece além dos limites previstos e com isso
pode "queimar".
Os radiadores ou dissipadores de calor são os elementos
que ajudam a fazer esta transferência, sendo por isso, de enorme
importância nas montagens eletrônicas. Vamos analisar sua
função.
Quando uma corrente elétrica deve vencer uma resistência
para sua circulação, ou seja, encontra uma oposição, o resultado
do "esforço" de sua passagem é a produção de calor. Energia
elétrica se converte em calor e isso é válido para a maioria dos
componentes eletrônicos comuns.
O calor liberado neste processo tende a aquecer o
componente e em consequência da diferença de temperatura que
65
– Volume 9
se estabelece entre ele e o meio ambiente, tem início a uma
transferência de calor para esse meio ambiente, conforme mostra
a figura 1.
Figura 1 – Como o calor gerado é eliminado, no caso de um resistor
A diferença de temperatura entre o componente e o meio

ambiente determina a velocidade com que o calor gerado é
transferido. Assim, chega o instante em que o calor gerado e o
transferido se igualam quando então a temperatura do corpo que
o gera se estabiliza.
A transferência do calor gerado para o meio ambiente
depende de diversos fatores como a superfície de contato do
componente com o meio ambiente, a capacidade que ele tem de
conduzir o calor do ponto em que ele é gerado até o ponto de
contato com o meio ambiente e finalmente a diferença de
temperatura entre esses dois pontos.
Podemos comparar a diferença de temperatura entre o
ponto em que o calor é gerado (componente) e o meio ambiente
(ar que o circunda) como a diferença de potencial elétrico entre
os dois pontos. O fluxo de calor entre os dois pontos é feito por
um percurso de modo semelhante a uma corrente. Assim, temos
um circuito "térmico" em que existe uma "resistência" que deve
ser vencida pelo calor para chegar ao meio ambiente.
Se a resistência for elevada, ou seja, houver dificuldades
para o calor gerado numa pastilha de um componente, por
exemplo, um transistor ou um circuito integrado, chegar até o
meio ambiente, sua temperatura se eleva, pois deve haver "maior
tensão" para o calor sair, vencendo a oposição encontrada.
66
NEWTON C. BRAGA
Veja que, com o aumento da "tensão" que no caso é a

temperatura, temos maior "pressão" e com isso aumenta o fluxo
de calor, de modo que chega um instante em que ocorre o
equilíbrio da situação: a quantidade de calor gerado é igual à
quantidade de calor transferido para o meio ambiente.
Figura 2 – No equilíbrio térmico o fluxo de calor para o meio ambiente se

iguala à quantidade de calor gerado
Em eletrônica, devemos cuidar para que isso ocorra numa

temperatura que não comprometa a integridade do componente.
Por exemplo, o silício usado na maioria dos dispositivos
semicondutores como diodos, transistores e circuitos integrados
não pode se aquecer a uma temperatura maior que 125 graus
centígrados, chegando em alguns casos a 150º C. A maioria dos
componentes é dotada de recursos que facilitam a condução do
calor gerado para sua superfície e daí para o meio ambiente.
No entanto, muitos componentes têm dimensões
insuficientes para fazer isso sozinho, ou seja, possuem uma
superfície de contato insuficiente para que o calor gerado possa
ser transferido com facilidade. Isso ocorre porque um dos fatores
que influi na transferência do calor de um meio para outro é a
superfície de contato entre esses dois meios. Transistores e
circuitos integrados de potência consistem em exemplos disso.
Suas pequenas dimensões impedem que mais do que
algumas centenas de miliwatts e eventualmente alguns watts de
67
– Volume 9
energia seja convertida em calor e transferida (dissipada) para o
meio ambiente de modo eficiente.
Figura 3 – Fluxo de calor num dispositivo em invólucro metálico (SCR,

MOSFET ou Transistor)
Como conseguir que estes componentes transfiram para o

meio ambiente todo o calor gerado de modo que sua temperatura
não se eleve além dos limites permitidos?
Levando em conta que o calor gerado pode ser transferido
para o meio ambiente de três maneiras, irradiação, contato e
convecção, temos as seguintes possibilidades:
a) contato
Os metais são bons condutores de calor. Assim, a
montagem de componentes eletrônicos em contato com
superfícies maiores de metal, desde que não haja contato
elétrico, mas somente contato térmico ajuda na transferência do
calor.
Assim, para pequenos transistores, transistores de média
potência, MOSFETs, SCRs e mesmo circuitos integrados, uma
solução para o problema da transferência do calor é montá-los
68
NEWTON C. BRAGA
encostados numa superfície de metal maior, capaz de ajudar a

absorver e transferir para o meio ambiente o calor gerado.
Na figura 4 temos uma solução dotada para o caso de
transistores de média potência como os BD135 e TIP31 quando
eles não operam com sua potência máxima.
Figura 4 – Usando área cobreada de uma placa como dissipador de calor
Neste caso, montamos o transistor em contato com uma

área cobreada maior da placa de circuito impresso, a qual ajuda
absorver o calor gerado, e como tem uma superfície maior de
contato com o ar ela transfere esse calor para o meio ambiente.
Podemos dizer que a própria placa de circuito impresso pode ser
usada como radiador de calor neste caso.
b) Convecção
O componente aquecido transfere o calor para o ar
ambiente que então se aquece. O ar aquecido é mais leve que o
ar frio a sua volta e por isso tende a subir. Forma-se então uma
corrente de ar quente ascendente sobre o componente que "leva
o calor" para cima.
Nos aparelhos de alta potência é importante deixar
orifícios de ventilação para que esse ar quente seja expelido.
Temos então furos por baixo por onde entra o ar frio e furos por
cima por onde sai o ar quente.
69
– Volume 9
Figura 5 – Corrente de convecção em torno de um resistor aquecido
Podemos aumentar a capacidade de transferência de calor

para o meio ambiente forçando a ventilação, o que pode ser feito
com ajuda de um ventilador. Este recurso é bastante usado nos
equipamentos de alta potência e em fontes de alimentação de
computadores, ou mesmo nos microprocessadores de
computadores que possuem ventoinhas de refrigeração que
forçam a circulação de ar pelos componentes que se aquecem.
Existem até "micro-ventiladores" que podem ser
encaixados sobre circuitos integrados e componentes especiais
para ajudar a dissipar o calor que ele gera, conforme veremos
mais adiante.
c) Irradiação
Parte do calor gerado por qualquer corpo é irradiada na
forma de ondas eletromagnéticas. Uma boa parte desta radiação
está na faixa dos infravermelhos e para sua propagação não se
necessita de um meio material.
Verifica-se que os corpos negros irradiam muito melhor o
calor do que os corpos de outras cores. Por este motivo, os
componentes pintados de preto possuem uma capacidade maior
de irradiação de calor do que os equivalentes que tenham
invólucros de cores mais claras, conforme sugere a figura 6.
70
NEWTON C. BRAGA
Figura 6 – Corpos negros têm maior poder de emissão de calor
LEI DE JOULE
Todo dispositivo eletrônico, que não apresente uma
resistência nula, gera uma certa quantidade de calor ao ser
percorrido por uma corrente elétrica.
Para o caso de um resistor, a potência elétrica
desenvolvida que é convertida em calor é determinada pela Lei
de Joule. O que esta lei estabelece é que a quantidade de calor
gerado, ou potência dissipada (medida em watts), é proporcional
ao produto da corrente pela tensão no resistor, conforme a
fórmula:
P = V x I (1)
Onde:
P é a potência em watts (W)
V é a tensão em volts (V)
I é a corrente em ampères (A)
Levando em conta que pela Lei de Ohm que a corrente

num resistor é proporcional à tensão em seus terminais ou R =
V/I, também podemos escrever para a Lei de Joule que:
P = R x I2 (2)
P= V2/R (3)
Exemplo de cálculo:
Calcular a potência dissipada por um resistor de 10 ohms
quando ligado a um gerador de 12 volts.
71
– Volume 9
Resolução: como temos a tensão e a resistência, usamos a

fórmula (3).
P = (12 x 12) /10

P = 144/10
P = 14,4 watts
Como o dispositivo de resistência nula é ideal, não

existindo na prática, podemos dizer que todos os dispositivos
percorridos por corrente num circuito real geram calor.
Assim, os semicondutores de potência tais como
transistores bipolares, MOSFETs, IGBTs, SCRs, Triacs, etc., no
estado de condução geram calor.
Como eles não são perfeitos, sempre apresentando uma
certa resistência, a quantidade de calor gerado dependerá da
intensidade da corrente e dessa resistência.
Como essa resistência causa uma queda de tensão no
dispositivo, podemos dizer que a potência gerada é dada pelo
produto dessa queda de tensão pela intensidade da corrente
conduzida. O calor gerado pelos dispositivos precisa ser
dissipado, para que não causem elevações de temperatura
capazes de danificá-los.
Todos os componentes semicondutores possuem limites
de dissipação e temperaturas máximas em que podem operar.
Isso significa que esses dispositivos, em condições normais de
operação não conseguem dissipar o máximo de calor que o
fabricante prevê para uma aplicação típica.
Nesses casos, o dispositivo deve contar com recursos
adicionais para dissipar o calor gerado, ou seja, com dissipadores
de calor.
72
NEWTON C. BRAGA
SUPERCAPACITORES
A capacidade de armazenamento dos capacitores está
aumentando rapidamente rumo ao que denominamos
supercapacitores, hiper capacitores e ultra capacitores.
E, acompanhando essa evolução rumo a capacitores
menores e com maior capacitância, as aplicações práticas se
multiplicam, abrindo uma gama que até há pouco tempo não era
imaginada.
A Mouser Electronics (www.mouser.com), além de uma
linha de supercapacitores também oferece soluções para o
desenvolvimento de projetos que utilizam estes componentes.
Neste artigo trataremos do funcionamento desses componentes e
de suas novas aplicações práticas.
Nota: este texto é de 2013 –

Atualmente as capacitâncias
máximas alcançadas são muito
maiores com novas tecnologias sendo
criadas.
Aprendemos no curso de física que uma esfera condutora

pode armazenar cargas elétricas e, portanto, se comporta como
um capacitor (capacitor esférico). Também aprendemos que a
sua capacitância depende de seu diâmetro e alguns cálculos
simples nos mostram que para armazenar 1 farad, este capacitor
deveria ter o tamanho da terra!
73
– Volume 9
Figura 1- Um capacitor esférico de 1 farad teria o tamanho da terra
Durante muito tempo, trabalhando com eletrônica,

sabendo que 1 farad é um valor de capacitância muito alto, nos
acostumamos a trabalhar com capacitores muito menores, com
valores expressos em milionésimos (micro), blionésimos (nano) e
triolionésmos (pico) de farad.
No entanto, as tecnologias evoluíram rapidamente e as
capacitâncias foram aumentando. Um farad deixou de ser uma
capacitância impossível, e nos aproximamos rapidamente dela.
A chegada dos capacitores eletrolíticos foi o primeiro
avanço.
OS ELETROLÍTICOS DE ALUMÍNIO
Um capacitor é formado por duas armaduras (de materiais
condutores) separadas por um isolante (dielétrico).
74
NEWTON C. BRAGA
Figura 2 – Capacitor plano
Aprendemos de nosso curso de eletrônica que a

capacitância de um capacitor é diretamente proporcional à área
útil das armaduras e inversamente proporcional à distância que
as separa. Também sabemos que a capacitância depende da
constante dielétrica do material isolante, sendo tanto maior
quanto maior for essa constante.
Nos capacitores eletrolíticos o que temos são duas
armaduras condutoras (folhas de alumínio) separadas por uma
solução eletrolítica (folha poros condutora), daí o nome.
Eletrolítico de alumínio.
75
– Volume 9
Figura 3 – O eletrolítico de alumínio
O contato da solução com um dos eletrodos, num processo

de polarização na fabricação, cria uma fina capaz de isolante de
óxido de alumínio. Como essa camada é extremamente fina e
tem uma constante dielétrica razoável, é possível obter
capacitância elevadas.
É claro que a capa isolante não pode ser muito fina, pois
senão uma tensão baixa seria suficiente para provocar a sua
ruptura e o capacitor “entra em curto”. No entanto, com as
técnicas modernas conseguem capacitores de capacitâncias
elevadas com valores que chegam a dezenas de milhares de
microfarads (quase 1 farad!) e tensões de trabalho que vão de
alguns volts a centenas de volts.
CAPACITORES DE TÂNTALO
Usando o metal tântalo em lugar de alumínio podemos
também fazer capacitores usando a mesma tecnologia, com uma
vantagem: o óxido de tântalo tem uma constante dielétrica muito
maior do que a do óxido de alumínio. Isso significa que podemos
obter capacitores de valores muito maiores ocupando menos
espaço.
É o que ocorre hoje, onde se usa o capacitor de tântalo nas
aplicações em que o espaço é crítico. Mas, uma nova geração de
capacitores com capacitâncias gigantescas, permitem armazenar
1 Farad num espaço que cabe em sua mão.
São os super e os hiper capacitores de que trataremos no
próximo item.
SUPER E HIPER CAPACITORES

Capacitores armazenam energia em campos elétricos ao
mesmo tempo em que as baterias comuns armazenam energia
nos reagentes químicos em seu interior.
Essa diferença faz com que a operação dos dois seja
diferente quando fornecem energia a um circuito externo, mas no
final, ambos podem fornecer energia a este circuito. Assim, ao
mesmo tempo em que o ciclo de descarga de uma bateria comum
faz com que ela mantenha a tensão quase que constante num
76
NEWTON C. BRAGA
longo intervalo de tempo, a descarga de um capacitor se faz

segundo uma curva exponencial, conforme mostra a figura 4.
Figura 4 - Curvas de descarga de um capacitor e de uma bateria comum.
Veja, entretanto, que entre dois pontos da descarga, os

dois podem funcionar eficientemente como fontes de energia
alimentando dispositivos externos.
Até há pouco tempo os capacitores não eram empregados
como fonte de energia, a não ser em muito poucas aplicações,
por dois motivos. O primeiro é que não era possível obter
capacitores suficientemente grandes para armazenar uma boa
quantidade de energia.
Em segundo lugar, a maioria dos dispositivos que
deveriam ser alimentados tinha um consumo elevado demais
para poderem depender de um capacitor.
No entanto, nos tempos atuais tecnologias que permitem
obter capacitores com valores extremamente altos e dispositivos
eletrônicos de consumo muito baixo tornam viável a utilização de
capacitores como fontes de energia. Com a capacidade de
armazenar cargas extremamente elevadas que chegam a 2
Farads ou mesmo mais, estes capacitores se aproximam muito
das baterias porque podem alimentar dispositivos de baixo
consumo por horas, dias ou mesmo semanas.
Capacitores deste tipo são utilizados em telefones
celulares para manter dados na memória quando a bateria é
trocada ou retirada. Conforme o nome indica, “dupla camada
elétrica” em inglês, estes capacitores consistem em dois
eletrodos de carbono imerso num eletrólito orgânico, conforme
mostra a figura 5.
77
– Volume 9
Figura 5 - Estrutura de um ultracapacitor
Durante a carga, os íons carregados do eletrólito migram

para os eletrodos de polaridade oposta devido a presença de um
campo elétrico entre estes eletrodos; Este campo é criado pela
tensão aplicada. Desta forma, duas camadas de cargas separadas
são criadas, dando nome ao dispositivo.
Se bem que ele seja em funcionamento similar a uma
bateria, as cargas criadas dependem de uma ação eletrostática,
enquanto que numa bateria depende de ação química.
Apesar de terem uma grande densidade de potência, a
tensão que suportam é muito baixa, da ordem de 2,3 V. Acima
disso temos um efeito eletrolítico que destrói o componente.
Existem diversas tecnologias para a fabricação de
supercapacitores. Temos a tecnologia de dupla camada
eletrostática ou Helmotz em que duas placas são separadas por
uma camada isolante de aproximadamente 0,3 a 0,8 nm.
Outra técnica é a de Pseudo capacitância em que as
cargas são transferidas a partir de reações químicas num
processo farádico. Temos ainda a tecnologia hibrida que reúnem
numa estrutura assimétrica os dois tipos anteriores.
Ultra capacitores e supercapacitores já podem ser
encontrados em alguns fornecedores que operam pela Internet,
mas ainda têm uso limitado. Na figura 6 temos exemplo destes
capacitores.
78
NEWTON C. BRAGA
Figura 6 - ultra capacitores. – Observe: 350 Farads!
Na figura 7 vemos capacitores de 1,5 F no formato botão,

equivalente ao de uma pilha tipo botão. Capacitores deste tipo
podem ser usados para alimentar memórias de back-up.
Figura 7 – Supercapacitores de 1,5 F
Um capacitor deste tipo pode funcionar com uma bateria,

fornecendo energia por muito tempo a aparelhos de baixo
consumo ou mesmo, durante curtos intervalos de tempo a cargas
de maior consumo.
79
– Volume 9
Uma aplicação que já encontramos na prática é a
alimentação de pequenos helicópteros radio controlados, como o
da figura 7.
Figura 7 - Este brinquedo é alimentado por um supercapacitor
O nano-helicóptero da foto voa durante 5 minutos com

uma carga de 30 minutos. Outras aplicações incluem a partida de
motores de carro, substituindo a bateria. Uma bateria menor
carregaria um supercapacitor que então, pela sua altíssima
capacidade de corrente, poderia fornecer energia para a partida.
Nota: agora em 2019 já se estuda o

uso dos supercapacitores na
alimentação de carros elétricos.
80
NEWTON C. BRAGA
CAPACITORES DE TÂNTALO
Escrito em 2008 este artigo trata de
um dos tipos de capacitores que se
torna cada vez mais comum em todos
os equipamentos eletrônicos. Falamos
dos capacitores eletrolíticos de
tântalo, que por serem menores que
os equivalentes de alumínio, são
ideais para os equipamentos
miniaturizados que hoje tomam conta
do mercado. Recomendamos a leitura
deste artigo por todos os técnicos que
desejam se familiarizar com este tipo
de componente.
INTRODUÇÃO
Os capacitores de tântalo são cada vez mais utilizados em
lugar dos capacitores eletrolíticos de alumínio, pois eles têm a
vantagem de fornecerem uma capacitância muito maior por
unidade de volume. Dessa forma, os capacitores de tântalo são
muito menores do que os eletrolíticos de mesmo valor, o que é
muito importante para as aplicações em que o espaço é
importante.
Nas aplicações portáteis em que o espaço é muito
importante, é vantagem utilizar capacitores de tântalo em lugar
dos eletrolíticos tradicionais de alumínio.
Muito menores que os equivalentes, eles também são mais
estáveis, o que é uma característica de grande importância em
muitas aplicações. Na figura 1 comparamos os tamanhos de dois
capacitores eletrolíticos, sendo um de tântalo e outro de alumínio
de mesmo valor e mesma tensão de trabalho.
81
– Volume 9
O ELETROLÍTICO COMUM DE ALUMÍNIO

Os capacitores eletrolíticos de alumínio, aproveitam as
propriedades dielétricas do óxido de alumínio, numa construção
básica conforme mostra a figura 2.
Colocando uma solução condutora especial em contato
com uma armadura de alumínio, essa solução ataca
quimicamente o alumínio formando uma finíssima camada de
óxido isolante. Assim, o eletrolítico e a peça de alumínio passam a
formar a armadura do capacitor, ao mesmo tempo em que a
finíssima capa de óxido forma o dielétrico.
Como a camada de óxido é extremamente fina, e
capacitância obtida é muito grande, pois em um capacitor quando
menor a espessura do dielétrico, maior é a capacitância. Entra em
jogo também a constante dielétrica do óxido de alumínio que
também influi na capacitância final.
Na construção real do componente, para aumentar o
tamanho da armadura ela pode ser formada por uma folha de
alumínio enrolada, conforme mostra a figura 3.
Na prática obtemos capacitores eletrolíticos de alumínio de
menos de 1 uF a mais de 200 000 uF com certa facilidade,
conforme mostra a figura 4.
82
NEWTON C. BRAGA
Figura 4 - capacitores eletrolíticos de alumínio comerciais.
83
– Volume 9
O CAPACITOR DE TÂNTALO
O óxido de tântalo tem uma constante dielétrica muito
maior do que a do óxido de alumínio. Isso significa que, com a
mesma superfície efetiva e com a mesma espessura do dielétrico
podemos obter uma capacitância muito maior.
Da mesma forma, dois capacitores de mesmo valor, um
eletrolítico de alumínio e outro de tântalo, o de tântalo será muito
menor, conforme já comparamos no início do artigo.
Até há algum tempo, os eletrolíticos de tântalo eram pouco
usados tanto pelo seu custo mais elevado como pela própria
dificuldade de fabricação. Hoje, com tecnologias mais modernas e
com a necessidade de termos componentes cada vez menores,
pois o espaço se torna crítico, principalmente nas aplicações
portáteis, os eletrolíticos de tântalo são absolutamente comuns.
Na figura 5 temos a construção em corte de um capacitor
eletrolítico de tântalo.
O eletrodo de tântalo, que consiste numa das armaduras é

colocado numa posição mais interna. Cobrindo esse eletrodo
existe uma finíssima camada de pentóxido de tântalo que forma o
dielétrico.
A outra armadura é obtida com grafite, uma superfície
prateada e bióxido de manganês. Temos finalmente a carcaça
externa que possui ligação elétrica com essa armadura. Na
prática encontramos os capacitores de tântalo principalmente no
formato mostrado na figura 6.
84
NEWTON C. BRAGA
Esses capacitores pelas suas reduzidas dimensões são

marcados com um código especial, semelhante aos usados nos
resistores, cuja leitura todo profissional da eletrônica deve
conhecer.
As cores determinam tanto o valor (capacitância) como
também a tensão de trabalho, que da mesma forma que nos
demais capacitores é uma característica importante. Dentre as
principais características desse tipo de capacitor destacamos:
* Segurança
* Relação excelente entre a capacitância e o tamanho
* Corrente de fuga muito baixa, menor do que 1 uA
* Possibilidade de carga e descarga muito rápida, devido à
sua resistência em série muito baixa.
* faixa de temperaturas de operação ampla
* Boas tolerâncias
CÓDIGOS DE LEITURA
Da mesma forma que outros componentes de dimensões
muito pequenas, os capacitores de tântalo menores usam um
código de cores (faixas colorias e pintas) indicando seu valor e
tensão de trabalho.
Na figura 7 temos os dois códigos mais comuns usados
para esses componentes no invólucro epóxi.
85
– Volume 9
As principais características desses componentes são:
a) Tipos tubulares
Faixa de temperaturas: - 55º C a + 125º C
Tensões de trabalho: 6,3 V, 10 BV, 16 V, 25 V, 40 v, 63 V e
100 V
Faixa de capacitâncias: 100 nF a 470 uF
tolerância: +/-205 (Série de valores E6)
b) Tipos epóxi
Faixa de temperaturas: - 55º C a +125º C
Tensões de trabalho: 3 V a 50 V
Capacitâncias: 10 uF a 4 700 uF
Tolerância: +/- 20% (E6)
c) Tipos miniatura (gota)

Faixa de temperaturas: -55º C a 85º C
Tensões de trabalho: 3 a 50 V
Capacitâncias: 10 nF a 100 uF
Tolerância:+/- 20%
Obs.: os valores indicados podem

variar conforme os fabricantes
86
NEWTON C. BRAGA
SENSORES DE IMAGENS
Os sensores de imagem de contato são usados em
diversas aplicações modernas como, por exemplo Fax e Scanners
de computadores. Estes componentes se baseiam num princípio
simples, mas que exige precisão que é conseguida através de
tecnologia moderna. Diversos fabricantes disponibilizam sensores
de imagens como, por exemplo, a ROHM. Neste artigo damos
uma breve descrição de seu princípio de funcionamento e
focalizamos os tipos produzidos pela ROHM como exemplo.
A digitalização de uma imagem para envio através de uma
linha telefônica ou ainda pela porta serial para gravação em
disquetes ou no disco rígido de um computador é feita segundo
um princípio semelhante utilizado na transmissão de imagem de
televisão.
A imagem é dividida em linhas e as linhas em pontos que
são então enviados um a um em sequência, conforme sugere a
figura 1.
Para o caso da TV a leitura da imagem captada pela

câmera é feita com um sinal que varre a tela onde esta imagem é
projetada obtendo-se então o sinal que deve ser transmitido.
No caso de um fax ou ainda de uma imagem única que
deve ser escaneada não precisamos ter a mesma velocidade de
leitura que a de uma imagem que deve ser transmitida em tempo
real. Esta possibilidade de se transmitir a imagem e, portanto os
seus pontos mais lentamente é que torna possível a utilização de
uma tecnologia mais simples e até mais barata. Não é preciso
87
– Volume 9
posicionar uma câmera de TV completa sobre o documento para
se fazer a digitalização de uma imagem no caso de um fax ou de
um escaner de mesa ou mesmo de mão.
COMO ENTÃO TUDO ISSO FUNCIONA?

O Princípio de Funcionamento
A ideia básica envolvida no processo é simples. Utilizamos
uma fila de sensores ópticos e emissores que focalizam assim
apenas uma linha do documento, a qual deve ser digitalizada,
O número de sensores desta fila vai corresponder

justamente ao número de pontos de imagem por linha do
documento que vão ser digitalizado. Por um circuito apropriado,
os sensores e os emissores são excitados em sequência, o que
permite fazer a varredura.
Assim, quando o primeiro par sensor/emissor é ativado, o
sinal obtido na saída vai depender da reflexão de luz do papel que
estiver por baixo. Tomando como exemplo um sensor simples
monocromático (branco e preto) o sinal vai depender da
tonalidade do ponto de imagem que está no momento
imediatamente abaixo do sensor.
Para uma definição melhor da imagem, os pontos podem
ser digitalizados em diversos níveis de tonalidade. Se tivermos,
88
NEWTON C. BRAGA
por exemplo, 4 bits por ponto disponíveis, podemos transmitir a

tonalidade deste ponto com 16 valores diferentes ou uma
definição de 16 tonalidades, entre 0000 e 1111, conforme sugere
a figura 3.
Obtemos então, para cada linha da imagem digitalizada

uma sequência de bits que podem variar conforme a definição e
que podem ser enviados por uma linha telefônica ou pela porta
serial ou ainda gravados diretamente em disquetes ou outros
meios de armazenamento de dados.
Feita a leitura de uma linha da imagem, temos duas
possibilidades para ler a linha seguinte. Nos equipamentos de fax
é o papel que se move deslocando-se após a leitura de cada linha
o suficiente para que uma nova linha de imagem seja lida ou
escaneada, conforme mostra a figura 4.
Nos escâners de mesa a imagem é fixa (folha de papel) e

quem se move é o sensor, controlado por um motor de passo que
avança uma linha após cada varredura, conforme mostra a figura
5.
89
– Volume 9
Nos escâner "de mão" o movimento de varredura e de

deslocamento que permite registrar a imagem são sincronizados
pelo mesmo sistema usado pelos mouses, obtendo-se assim a
digitalização da imagem com certa facilidade.
Sensores de Imagem
A ROHM é um dos principais fornecedores de cabeças
sensoras de imagem usadas em fax e escâner. Na figura 6 temos
um exemplo de cabeça sensora colorida para escâners de alta
velocidade e copiadoras pessoais.
Esta cabeça, que tem a designação IG3006-FA10QA opera

com uma densidade de pixels de 300 dpi. Com uma largura de
216 mm ela possui um número total de pixels de 2584 operando
com um clock de 1 MHz. A velocidade de leitura em operação de
2,6 ms por linha.
90
NEWTON C. BRAGA
A faixa dinâmica é de 2,04 V (max) e a tensão de

alimentação é de 5 V.
Esta cabeça de leitura possui ainda amplificadores para os
sensores de imagem incluídos de modo a diminuir a sensibilidade
a ruídos externos. O circuito usa fonte de luz branca com filtros
nos sensores de modo a aumentar a velocidade de reposta em
relação aos tipos que usam fontes RGB de luz. Este recurso
permite que o dispositivo seja até 6 vezes mais rápido.
A fonte de luz é um emissor de catodo frio fluorescente
(CCFL) que minimiza
as variações de intensidade da luz focalizada em cada
ponto aumentando assim a fidelidade de reprodução. Para uso em
Fax e outros dispositivos de leituras de imagem a ROHM tem
ainda as cabeças monocromáticas de leitura com as designações
IA2008-MB10A, IA2010-MB10A e IA3006-MB10A com densidades
de pixels respectivamente de 210, 203 e 300 dpi.
Estes sensores têm larguras de leitura de 210, 262 e 210
mm operando todos com tensões de 5/24 volts. As velocidades de
clock são de 0,5 , 0,5 e 2,0 MHz respectivamente.
Nestes sensores também os amplificadores para os
sensores de imagem no próprio chip e a fonte emissora consiste
em LEDs montados no mesmo substrato do chip sensor de modo
a diminuir o tamanho do dispositivo.
Diversos outros tipos são disponíveis. O leitor pode
acessar informações sobre estes componentes no site da ROHM
na Internet em: http://www.rohm.com.jp
MULTIPLEXADORES/DEMULTIPLEXADORES
DIGITAIS
4051/4052/4053
Chaves que controlam sinais analógicos a partir de
comandos digitais, totalmente de estado sólido, podem ser
utilizadas numa infinidade de projetos. Os três componentes que
descrevemos neste artigo são muito versáteis, fáceis de obter e
podem ser usados numa ampla gama de aplicações, mas para
isso é preciso conhecer seu princípio de funcionamento e suas
91
– Volume 9
características. A finalidade deste artigo, que o leitor deve
guardar com carinho para consulta, é justamente esta.
Descrevemos neste artigo três circuitos integrados CMOS
que contém multiplexadores e demultiplexadores com as
seguintes características:
4051 - Um multiplexador/demultiplexador de 8 canais

4052 - Dois multiplexadores/demultiplexadores de 4 canais
4053 - Três multiplexadores/demultiplexadores de 2 canais
Os invólucros destes três componentes são mostrados na

figura 1.
Conforme o fabricante, estes componentes podem ter

algumas letras iniciais que o identificam, como por exemplo "MC"
para a Motorola que os apresenta como MC14051, MC14052,
MC14053, ou ainda "CD" para a National e SD para a SID
Microeletrônica.
92
NEWTON C. BRAGA
PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Vamos supor que tenhamos um multiplexador /
demultiplexador de 4 canais, conforme representado na figura 2.
Como este circuito funciona nos dois sentidos, será

interessante separar os modos de operação. Assim, quando ele
está funcionando como um multiplexador, temos 4 entradas e
93
– Volume 9
uma saída. Temos também entradas de controle digital, conforme
mostra a figura 3.
Nas entradas podemos sinais analógicos de baixa

intensidade como, por exemplo de um pré-amplificador de áudio.
Os níveis digitais aplicados nas entradas de controle vao
determinar qual será a entrada que vai ser conectada à saída.
Por exemplo, se a entrada de controle for 011, o que em
binário indica "3" os sinais da terceira entrada passarão para a
saída encontrando um percurso de baixa resistência. As demais
entradas estarão desligadas.
Para uma resistência de carga da ordem de 10 k ohms, a
resistência apresentada pelas chaves ligadas, ou seja, pela
conexão da entrada selecionada com a saída será da ordem de
120 ohms. Esta resistência varia tanto com a resistência de carga
como com a tensão de alimentação.
Na operação inversa, temos uma entrada e quatro saídas,
94
NEWTON C. BRAGA
Os níveis lógicos aplicados nas entradas de controle (A,B e

C) vão determinar para qual saída vai ser enviado o sinal presente
na entrada. Em outras palavras, o circuito funciona como um
"distribuidor" de sinais.
Dentre as aplicações possíveis para este circuito podemos
indicar um mixer-digital em que um sequencial muito rápido,
operando em torno de 100 kHz seria usado para selecionar as
entradas que apareceriam na saída em amostragens, conforme
mostra a figura 5.
95
– Volume 9
Um circuito de duas entradas e uma saída também poderia
ser usado para a multiplexação dos sinais de áudio de um
amplificador estéreo para que eles fossem aplicados num
transmissor de FM.
Inversamente, pode-se usar os componentes como
demultiplexadores (DEMUX) para dirigir sinais de uma fonte a
amplificadores determinados num sistema de som.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Para operar com sinais digitais os circuitos analisados
precisam de fonte simétrica. A tensão de alimentação pode variar
entre +5 e +15V para fonte não simétrica e deve ficar na faixa de
-5 a +5V para operação com sinais analógicos.
Temos então as seguintes características a destacar:
 Os sinais digitais podem ficar na faixa de 3 a 15V e os

analógicos podem ter até 15Vpp.
 A resistência ON das chaves para 15Vpp de sinal de
entrada e 15V de alimentação é da ordem de 80 ohms
(tip).
 A resistência das chaves na condição OFF é extremamente
elevada significando uma corrente máxima de fuga de
apenas 10 pA com uma tensão de alimentação de 10V.
 As chaves utilizadas são casadas, apresentando uma
diferença máxima de 5 ohms num mesmo circuito
integrado.
 A corrente quiescente do circuito é muito baixa, da ordem
de 1 uW com uma tensão de alimentação de 10V.
 Os circuitos integrados possuem decodificadores binários
"on chip" o que dispensa o uso de circuitos externos para
esta finalidade.
Na tabela a seguir temos as principais características

elétricas:
Resistência ON (5V,10k): 270 ohms (tip)

Faixa de tensões de operação: 0 a 15V digital
-7,5 à +7,5V analógico
Faixa de tensões de sinal de entrada: 15 Vpp
Dissipação máxima: 700 mW
96
NEWTON C. BRAGA
Frequência de resposta máxima: 40 MHz
CIRCUITOS EQUIVALENTES
Na figura 6 temos o diagrama de blocos equivalente ao
4041, observando-se que este possui uma entrada/saída e 8
saídas/entradas. Os terminais de programação são 4.
Quando todas as entradas de programação estão no nível

baixo, nenhuma entrada é conectada à saída.
Na figura 7 temos o diagrama de blocos correspondente ao
4052.
97
– Volume 9
Conforme podemos ver, as entradas de controle servem

para determinar que saída (ou entrada) vai ser conectada a uma
das quatro entradas (ou saídas) de cada MUX/DEMUX.
Veja então que estas chaves não são independentes, isto
é, não podemos ligar a saída de um à entrada sua entrada 3 e ao
mesmo a saída do outro à entrada 2. Para o circuito integrado
4053 temos o diagrama de blocos mostrado na figura 8.
98
NEWTON C. BRAGA
Observe que, neste caso também, temos o controle de

programação ou seleção comum à todas às entradas/saídas que
devem ter o mesmo endereçamento.
A tabela verdade que relaciona as entradas e saídas com a
programação é dada a seguir.
99
– Volume 9
TERMOPILHAS – FONTES ALTERNATIVAS

DE ENERGIA
Uma preocupação crescente em nossos dias é com as
fontes de energia, principalmente as não renováveis e as que
causem problemas de poluição do meio ambiente. Se bem que
boas alternativas tenham aparecido na geração de energia em
grande quantidade, existem soluções interessantes que devem
ser observadas para a produção de energia em pequenas
quantidades. É justamente de uma delas que tratamos nesse
artigo: as termopilhas.
Obs. Este artigo é de 2008
Pilhas comuns e outras fontes que se baseiam em reações

químicas possuem um inconveniente cuja importância cresce dia
a dia: envolvem substâncias tóxicas que eventualmente podem
ser lançadas no meio ambiente ou ainda resultarem em resíduos
difíceis de descartar.
No entanto, as pilhas comuns e recarregáveis consistem
na grande maioria das fontes atualmente usadas na alimentação
de pequenos aparelhos, principalmente os de uso portátil. Para
essas aplicações, entretanto, algumas formas de fontes de
energia começam a ser analisadas com mais cuidado, não pela
quantidade de energia que geram que é muito pequena, mas sim
pelas vantagens que trazem em termos de agressão ao meio
ambiente, autonomia etc.
Uma fonte interessante que tem sido usada em algumas
aplicações simples é o gerador manual que opera com a força
mecânica do usuário. Um exemplo que já aparece em muitas lojas
é a lanterna de LEDs que tem um gerador embutido que produz
energia elétrica quando apertamos um gatilho repetidas vezes,
100
NEWTON C. BRAGA
O consumo elevado dos LEDs, entretanto, faz com que

precisemos ficar constantemente pressionando o gatilho para que
ele se mantenha aceso. No entanto, existem versões para
alimentar baixo consumo onde um supercapacitor é carregado,
alimentando assim por muito tempo o aplicativo, mesmo depois
que deixemos de atuar sobre o gatilho ou manivela.
A Freeplay (www.freeplay.com), por exemplo, é uma
empresa que fabrica rádios, lanternas e outros aplicativos
alimentados por fontes alternativas de energia como solar, pilhas
recarregáveis e energia mecânica.
TERMOPILHAS
Outro tipo de fonte alternativa de energia, menos
poderosa e mais problemática, é a que aproveita o calor, quer
seja ele gerado por um processo de combustão, concentrado com
uma lente ou espelho a partir do sol, ou mesmo gerado pelo
próprio corpo humano.
Esse tipo de gerador, denominado termoelétrico, não
encontra muitas aplicações práticas pelo seu baixo rendimento.
Quantidades muito pequenas de energia são obtidas a partir de
dispositivos relativamente caros.
Ocorre, entretanto, que uma das características da
eletrônica moderna é justamente desenvolver circuitos
eletrônicos cujo consumo seja cada vez menor. Assim, temos
microcontroladores e mesmo microcircuitos transmissores de
rádio que não operam com potências de miliwatts (o que era
típico há alguns anos), mas que se enquadram na faixa dos
microwatts e mesmo nanowatts.
Para esses dispositivos, uma quantidade mínima de
energia, como a obtida do próprio corpo humano através de um
101
– Volume 9
transdutor apropriado é suficiente para colocá-los em
funcionamento e é isso que já está ocorrendo em algumas
aplicações práticas interessantes.
Uma termopilha aproveita o Efeito Seebeck mostrado na
figura 2.
Quando dois metais formam uma função e entre eles

existe uma diferença de temperatura, aparece entre esses
materiais uma diferença de potencial que pode produzir uma
corrente num circuito externo, transferindo a energia resultante
do processo, para uma carga externa.
Veja que esse efeito é o inverso do Efeito Peltier, onde
uma corrente elétrica que circule pela junção de dois metais faz
com que seja produzida uma diferença de temperatura entre eles,
Em suma pelo efeito Seebeck geramos energia elétrica a

partir do calor e pelo efeito Peltier, geramos frio ou calor a partir
da energia elétrica.
A quantidade de energia elétrica gerada por um dispositivo
Seebeck é muito pequena, da ordem de milésimos de watt, no
102
NEWTON C. BRAGA
entanto, para uma aplicação de baixo consumo ela é mais do que

suficiente.
EQUIPAMENTO EEG ALIMENTADO POR

TERMOPILHA
Na Bélgica, o IMEC, um centro independente de pesquisa
em nanoeletrônica e nanotecnologia, desenvolveu um aparelho
de Eletroencefalograma de dois canais, sem fio, alimentado por
um gerador termoelétrico.
O gerador aproveita o calor dissipado naturalmente pela
cabeça do paciente para alimentar um equipamento completo de
eletroencefalógrafo sem fio que exige apenas 0,8 mW de
potência.
O aparelho monitora a atividade cerebral dos dois lados do
cérebro, enviando sinais sem fio a um PC através de um link de
2,4 GHz. A leitura dos biopotenciais é feita por um ASIC de ultra-
baixa potência. Na figura 4 temos o aspecto do equipamento
desenvolvido pelo IMEC.
(figura 4 - foto cortesia do IMEC)
103
– Volume 9
O equipamento converte o fluxo de calor da cabeça para o

meio ambiente em eletricidade usando 10 unidades
termoelétricas. Na temperatura ambiente é gerada uma potência
entre 2 e 2,5 mW o que corresponde a 0,03 mW/cm2 que é o
limite teórico para o caso da pele humana.
Se mais energia for gerada, ela será conseguida pela
extração de calor do corpo, como ocorre quando o nosso corpo
molhado seca ao ar livre, causando assim uma incômoda
sensação de frio.
IMEC
O IMEC (www.imec.be) é um centro

independente de pesquisa em
nanotecnologia e nano eletrônica na
Bélgica (Flandres) tendo por
finalidade preencher o vazio que
existe entre as universidades e o
desenvolvimento de tecnologias
aplicáveis à indústria.
104
NEWTON C. BRAGA
O UTILÍSSIMO INJETOR DE SINAIS

O injetor de sinais é um instrumento extremamente
simples, tanto que poucos são os técnicos e praticantes de
eletrônica que lhe dão a devida importância. No entanto, se usado
em todas as suas possibilidades, o injetor de sinais revela sua
enorme importância na oficina, podendo ser facilmente
enquadrado no rol dos indispensáveis.
Neste artigo, mais uma vez, voltamos a falar do injetor de
sinais, especialmente para os estudantes, para os técnicos
reparadores e para os “hobistas” em geral que não o conhecem
muito bem.
A maioria dos aparelhos eletrônicos funciona com sinais:
são sinais que são amplificados, gerados, trabalhados,
transmitidos ou recebidos, e isso segundo formas bem
determinadas.
Um amplificador, por exemplo, é dotado de certo número
de etapas amplificadoras de sinais de áudio, conforme sugere a
figura 1.
Figura 1 – Etapas de um amplificador
Já um radio-receptor é formado por etapas que devem

receber sinais de rádio, devem detectá-los obtendo-se sinais de
áudio que, por sua vez, devem ser amplificados por outras
etapas, conforme sugere a figura 2.
105
– Volume 9
Figura 2 – Etapas de um rádio
Um transceptor tem tanto etapas de um receptor de sinais

como de transmissão. Um intercomunicador é formado por etapas
amplificadoras funcionando de modo análogo aos amplificadores
em relação aos sinais de áudio.
Todos os circuitos que processam sinais em rádios,
amplificadores, pré-amplificadores, gravadores etc. são formados
por determinado número de componentes que devem funcionar
harmonicamente.
Quando um ou mais componentes de uma etapa não
funcionam segundo o modo esperado, o sinal que deve passar por
ela não é processado convenientemente e o resultado é a
anormalidade: o aparelho não funciona, distorce ou apresenta
outros problemas. Enfim, podemos facilmente analisar qualquer
aparelho que tenha problemas levando em conta que os sinais
processados de áudio ou RF devem passar pelas etapas em
sequência bem definida.
Observamos que os sinais de áudio são aqueles formados
por correntes de baixas frequências (BF) normalmente entre 15
Hz e 15 000 Hz, ao mesmo tempo em que os sinais de RF são
aqueles formados por correntes de frequências muito mais altas
como, por exemplo, as que estão entre 100 000 Hz e 150 000 000
Hz (100 kHz a 150 MHz) encontradas em equipamentos comuns e
até mais em televisores de VHF e UHF por exemplo.
Qual é a melhor maneira de se encontrar a etapa
deficiente de um aparelho?
Um procedimento que leva a bons resultados, mas nem
sempre é o mais rápido consiste em se testar e medir todos os
106
NEWTON C. BRAGA
componentes do aparelho. Evidentemente, se tivermos um

televisor com milhares de peças, ou um rádio com centenas, este
não é o melhor caminho.
Não seria muito melhor se pudéssemos isolar apenas a
etapa que temos componentes com problemas das demais e com
isso reduzir os componentes a serem verificados a um número
menor? O injetor de sinais permite que isso seja feito.
O INJETOR
O injetor consiste simplesmente em um oscilador de prova
com características especiais. Normalmente utiliza-se no circuito
do injetor um multivibrador astável que tem a configuração
mostrada na figura 3.
Figura 3 – O multivibrador astável
Este multivibrador gera um sinal cuja forma de onda é

retangular, com frequência em torno de 1 kHz. Esta frequência
corresponde a um sinal de áudio, que se for aplicado à entrada de
um amplificador e reproduzido num alto-falante resulta num apito
facilmente audível.
No entanto, a forma de onda retangular se caracteriza por
apresentar grande quantidade de harmônicas, ou seja, o sinal
retangular de 1 kHz pode ser analisado como composto de uma
infinidade de sinais senoidais de frequências múltiplas, conforme
mostra a figura 4.
107
– Volume 9
Figura 4 – Decompondo o sinal retangular
As frequências múltiplas, no caso do multivibrador astável,

se estendem até além de10 MHz, o que leva o aparelho a cobrir
também a faixa das radiofrequências.
Isso permite que ele seja usado também como produtor de
sinais de radiofrequências na prova de rádios e
intercomunicadores sem fio. Em suma, o injetor é um simples
oscilador cuja finalidade é produzir sinais que possam cobrir todas
as faixas com que operam os aparelhos comuns.
COMO USÁ-LOS
Para facilitar o uso do injetor sua montagem é feita do
modo mais prático possível. Assim, para o caso do injetor da
figura 5, a alimentação consiste numa única pilha, existe uma
ponta de aplicação direta e um fio de ligação à terra (nem sempre
necessário) e pelo simples pressionar com os dedos da alça,
ligamos a alimentação.
108
NEWTON C. BRAGA
Figura 5 – Um injetor comum
A ideia de uso de injetor é muito simples de ser entendida.

No caso de um amplificador, para ver se ele funciona precisamos
ter à disposição na sua entrada um sinal para ser amplificado,
como por exemplo vindo de um toca-discos ou sintonizador.
Num rádio é preciso sintonizar uma estação. No entanto,
nem sempre isto é disponível, e o que é pior, se o equipamento
está com problema, o sinal só pode ser aplicado a partir da
entrada (entrada do amplificador ou antena do rádio).
Com o injetor podemos aplicar o sinal em qualquer etapa e
verificar seu funcionamento. Não dependemos então de
programas ou outras fontes para fazer a nossa pesquisa. E, onde
injetamos os sinais?
Existe um procedimento lógico para o uso do injetor. De
nada adianta injetar sinais na fonte de alimentação ou no emissor
de um transistor que amplifica na configuração de emissor
comum, pois neste ponto não entra nem sai sinal algum.
Para usar o injetor precisamos conhecer o princípio de
funcionamento básico dos aparelhos analisados e das etapas,
mas isso não é difícil de um modo geral. Temos algumas
configurações básicas bastante comuns que servem de base para
você que deseja aprender. A primeira é a da figura 6 que aparece
na maioria dos rádios e amplificadores que usam transistores.
109
– Volume 9
Figura 6 – Etapa típica de rádios e amplificadores
Esta configuração, denominada de emissor comum, pode

ser usada para ampliar sinais de áudio ou de radiofrequência. O
sinal é aplicado na base do transistor e, se for convenientemente
amplificado, aparece em seu coletor. Numa etapa deste tipo,
basta então injetar o sinal na base do transistor e verificar se ele
aparece amplificado.
Se aplicarmos no coletor, e tudo estiver bem, o sinal passa
para a etapa seguinte. E se o sinal não passar?
Neste caso estamos diante de um problema como, por
exemplo, um transistor “queimado” ou outros componentes que
devem ser testados, agora com um multímetro ou outro
instrumento. Uma segunda configuração é a da figura 7,
denominada de Coletor Comum ou Seguidor de Emissor.
110
NEWTON C. BRAGA
Figura 7 – Configuração de coletor comum
Nesta o sinal é aplicado à base do transistor e retirado do

seu emissor. Se aplicarmos o sinal do injetor na base ele deve
aparecer amplificado no emissor.
Finalmente temos a configuração de base comum
Figura 8 – Configuração de base comum
Nesta, encontrada normalmente em circuitos de alta

frequência, o sinal é aplicado no emissor e retirado do coletor. É
claro que não temos meios de saber na própria etapa se o sinal
foi ou não amplificado, daí existir então um procedimento final
111
– Volume 9
com mais lógica para o uso do multímetro e que veremos a
seguir.
Tomamos como exemplo para isso um receptor de rádio
completo, do tipo "super-heteródino" que é o mais comum. Este
procedimento serve para reparar todos os rádios deste tipo tanto
AM como FM.
ENCONTRANDO PROBLEMAS COM O INJETOR

Na figura 9 temos um diagrama típico de um receptor de
rádio comercial transistorizado.
Figura 9 – Rádio transistorizado comum
Para analisar eventuais problemas de funcionamento deste

receptor com o injetor procedemos do seguinte modo:
Em primeiro lugar ligamos o receptor. Partindo então da
possibilidade de não haver som algum no alto-falante, verificamos
com o multímetro se as etapas recebem tensão. Para isso
medimos as tensões nos coletores de todos os transistores. Se
tudo estiver em ordem, partimos então para o uso do injetor. Se
não, já podemos chegar a alguma conclusão: fonte inoperante,
etapa sem tensão com problemas.
O primeiro ponto de injeção de sinal é controle de volume.
Com este procedimento, separamos de imediato o receptor em
dois setores, facilitando assim a análise pois reduzimos à metade
as etapas que devem ser analisadas.
112
NEWTON C. BRAGA
A injeção é feita encostando-se a ponta do injetor no local

do circuito visado. O fio terra deve ser ligado ao negativo da fonte
do receptor, normalmente o polo negativo das pilhas.
Para isso, ele é dotado de uma chapinha que pode ser
encaixada no próprio suporte, entre o polo negativo da pilha e a
mola. (figura10).
Figura 10 – Conexão ao terra através de chapinha
Se houver sinal reproduzido no alto-falante então temos

certeza de que a etapa de áudio está boa (do controle de volume
em direção ao alto-falante) e que o problema procurado
certamente está nos Circuitos de RF (do controle de volume para
a antena).
Se não houver reprodução alguma de som, então o
problema certamente estará na etapa amplificadora de áudio. É
claro que nada impede que o mesmo aparelho tenha mais de um
problema, mas com este procedimento já estaremos na pista do
primeiro.
Para a análise da etapa de áudio (amplificador de áudio)
injetamos então sucessivamente o sinal nas bases e coletores dos
transistores em direção ao alto-falante, observando a reprodução.
Chegará o momento em que teremos a reprodução. Neste
instante estaremos na primeira etapa que está funcionando,
ficando a anterior como responsável pelo problema.
Esta etapa poderá então ser analisada com o multímetro
ou provadores de componentes. Faremos o teste de seus
transistores, resistores, capacitores e outros componentes. (figura
11)
113
– Volume 9
Figura 11 – Sequência de testes
Veja que à medida que nos aproximamos do alto-falante,

como temos menos etapas de ampliação do sinal, ele deve ir se
tornando cada vez mais fraco, num rádio ou amplificador em boas
condições. Como um amplificador de áudio tem a mesma
estrutura das etapas de som de um rádio, o procedimento para
sua análise é o mesmo que descrevemos acima.
Para análise das etapas de RF partimos então do controle
de volume em direção à antena. Vamos injetando os sinais antes
e depois de cada transistor (base e coletor) e também antes e
depois do diodo detector e antes e depois dos transformadores de
FI.
Se o sinal estiver presente depois de um transformador,
mas não antes isso pode indicar que os enrolamentos deste
transformador estão interrompidos ou então o transistor da etapa
anterior não está bom. Passamos então à análise dos
componentes.
Veja que em todos estes procedimentos o sinal deve estar
presente em cada etapa com maior intensidade em sua entrada e
depois menor quando injetamos em sua saída, pois na saída ele
não passa pela amplificação.
Você vai notar também que no trabalho de injeção dos
sinais nas etapas de RF o tom do som obtido no alto-falante se
modifica. O que ocorre é que neste caso temos uma detecção no
diodo, que demodula o sinal harmônico de alta frequência,
114
NEWTON C. BRAGA
separando o fundamental de áudio de1 kHz aproximadamente,

com uma pequena deformação.
Isso faz com que em lugar de tom puro tenhamos na
verdade um tom acompanhado de algum chiado. Este fato não
deve ser considerado como anormalidade na etapa analisada.
Como anormalidade temos as distorções, as perdas
excessivas de volume e a ausência de sinal.
CONCLUSÃO
Enfim, sempre que tivermos um equipamento qualquer
que amplifique sinais de áudio ou RF tais como rádios,
transceptores, amplificadores, gravadores, walkman etc. a
utilização do injetor de sinais facilita a localização de falhas.
O técnico deve então determinar a etapa inoperante com a
ajuda do injetor e depois com a ajuda de um instrumento de
medida (multímetro) chegar aos componentes defeituosos. Com o
tempo o técnico adquire prática suficiente para saber pelos tipos
de sinais de que falhas podem lhe dar origem e ir direto aos
componentes, mais isso vai requerer paciência e muita
observação.
Na verdade, é sempre importante que o bom técnico faça
um fichário de seus trabalhos, do tipo que mostramos na Seção
Service do site ou em nossos livros Como testar Componentes e
Conserte Tudo.
Anotando o aparelho, o defeito e a peça culpada, isso pode
ser de ajuda nos futuros trabalhos. Outro ponto importante para o
trabalho com o injetor é ter sempre à disposição o diagrama do
aparelho analisado. É através dele que determinamos os pontos
de aplicação dos sinais.
115
– Volume 9
RUMO A IOP (INTERNET DAS PESSOAS)

Depois da Internet das coisas (IoT) e da Internet do Espaço
(IoS), estamos agora nos aproximando da IoP ou Internet of
People (Internet das Pessoas) com a integração de chips em
pessoas, fazendo conexão com outros chips e com a internet.
Mais do que isso, podemos pensar em internet dos viventes ou
seres vivos, que poderíamos chamar de IoB (Internet of Beings),
também muito próxima. Veja neste artigo o que nos oferecerá
mais um passo dessa revolução tecnológica.
Em outros artigos deste site, tratando de novas
tecnologias (NT) e de internet das coisas (IoT) já tratamos das
inovações que estão levando o acesso a internet não apenas aos
objetos (IoT) e ao espaço (IoS), numa escala macro, como
também numa escala micro, entrando no nosso corpo e atingido
também dispositivos quânticos como de envio de mensagens
criptografadas e eventualmente até numa velocidade maior do
que a da luz.
Mas, o que nos chama a atenção é que em artigo antigo já
mostrávamos que a tecnologia tendia a um avanço em todas as
direções, do macro ao micro, indo do espaço ao interior de nosso
corpo, com uma interação cada vez maior que o ser vivo,
principalmente o ser humano.
Em nossas palestras exploramos por diversas vezes este
tema, falando numa possível integração no futuro entre o ser
humano (de carbono) com o ser de silício, no que já há muitos
anos se cunha de “vida artificial”.
Já se noticiou recentemente que os médicos já estão
pensando em breve no primeiro transplante de cabeça (humana)
para os próximos decênios, mas as implicações éticas de tal
procedimento ainda devem embaraçar muito sua execução
prática. O importante é que cada vez mais o silício na forma de
chips e outros dispositivos eletrônicos estarão presentes em
nosso corpo.
Em evidentemente, muitos desses chips terão recursos de
comunicação sem fio (wireless) tanto com outros dispositivos
como servidores que levarão as informações à internet. Partindo
das aplicações mais simples, que envolveriam a internet dos
seres vivos ou IoB, podemos pensar em recursos práticos já
116
NEWTON C. BRAGA
envolvendo animais domésticos, e muito mais do a simples

etiqueta de identificação RFID que já aplica em cães, gatos, gado
etc. Uma ideia em estudo é o estímulo de certas regiões do
cérebro de animais que poderiam levar a comportamentos
controlados, o que pode ser altamente desejado no caso de
animais agressivos, por exemplo. Uma ideia é a implantação de
um chip com comunicação pela internet no cérebro de um
cãozinho, justamente na área que inibe seu latido.
Se o cãozinho começar a incomodar com latidos
constantes à noite, basta pegar o celular, acessar o aplicativo e
com um toque emitir o sinal que inibe os latidos. Bastante útil
para quem tem vizinhança com cães barulhentos...
Mas, entrando agora organismo humano, temos muitas
aplicações possíveis começando com coisas simples, como a
eliminação de vícios até algumas que já começam a tomar forma
prática como a liberação de medicamentos ou monitoria de nosso
estado. No futuro, ao fazer seu plano de saúde, você vai receber
uma “injeção” em que um nano robô dotado de sensores e
comunicação wireless com seu celular ou com o servidor mais
próximos monitorarão sua saúde.
Navegando pela sua corrente sanguínea como no filme
“Viagem Fantástica” ele medirá constantemente sua glicemia,
colesterol, temperatura e pressão além de detectar eventuais
obstruções que possam lhe ameaçar com um infarto.
“Viagem fantástica” baseado em conto de Isaac Asimov
117
– Volume 9
Em caso de qualquer anormalidade ele enviará um alerta

para seu celular ou rede que repassará para um centro de
atendimento.
Nanorrobô manuseando células do seu sangue – Imagem Yale Scientific
Até imaginamos uma cena “do futuro” em que você está

andando tranquilamente pela rua, quando seu nano robô
detectará que você está prestes a ter um infarto. Uma placa de
gordura no seu sistema circulatório está prestes a se desprender
causando uma obstrução.
Imediatamente, ele entra em contato com o centro de
atendimento enviando o alerta e dando sua localização pelo GPS.
O centro de atendimento convoca seu médico e despacha uma
ambulância para onde você está.
E, você caminhando tranquilamente leva aquele assusto!
Para uma ambulância com a sirene ligada ao seu lado; descem
dois enfermeiros “parrudos”, lhe agarram, jogam você numa
maca e o levam... Você só tem tempo de perguntar o que está
acontecendo e eles lhe informam:
118
NEWTON C. BRAGA
- Você vai ter um enfarto em meia hora. Teu médico já

está lhe esperando no hospital para o pronto atendimento...
Outras aplicações que já estão estudo mostra que nesta
fase da tecnologia, a eletrônica (silício) está entrando no nosso
corpo para nos auxiliar. Na próxima fase talvez para substituir
nossos órgãos.
Uma outra aplicação em estudo é na correção do mal de
Parkinson. Estudos já revelaram que estímulos em certas partes
do cérebro podem inibir os tremores. Chips implantados nesses
locais corrigiriam o problema, exatamente como a inibição do
latido de que já falamos.
Futuro? Não. A cada dia que passa as novidades da IoT,
agora passando para a IoP e IoB se tornam parte da nossa vida.
O celular já se tornou parte de nós, mas por enquanto está fora
de nosso corpo. Até quando não sabemos, mas certamente um
dia ele estará dentro de nós.
O futuro é linkar nosso corpo e nosso cérebro com o
mundo. Logo passaremos de uma nova fase da humanidade em
que pouco restará de nós como indivíduos, pois faremos parte de
uma unidade universal, uma mente única “nas nuvens”. Será bom
isso? Não sabemos, mas as implicações éticas são enormes. É
hora de começar a pensar nisso.
119
– Volume 9
CHAVES E ACOPLADORES ÓPTICOS

O controle óptico de máquinas e automatismos ou ainda a
transferência de sinais de controle e sensoriamento por meios
ópticos ocupa um espaço cada vez maior na eletrônica industrial
e mesmo telecomunicações. Neste controle, dispositivos que
trabalham tanto com sinais elétricos como luz estão presentes em
grande quantidade e dentre eles destacamos as chaves e os
acopladores ópticos.
Optoeletrônica é o nome da ciência que analisa o princípio
de funcionamento e as aplicações dis dispositivos que trabalham
tanto com sinais elétricos como sinais ópticos (luz).
As fibras ópticas e o desenvolvimento cada vez maior de
sensores e emissores de luz como os LEDs têm levado a uma
ampliação das aplicações possíveis para a optoeletrônica tanto
em telecomunicações como na eletrônica industrial. Nas
telecomunicações são as fibras ópticas que conduzem sinais por
longos percursos na forma de luz, mas que devem na sua origem
e na sua chegada ter formatos elétricos.
Na industria existem muitos dispositivos que utilizam a luz
como elemento básico de seu funcionamento. O posicionamento
de peças, controle de movimento, envio de sinais de sensores
pode ser feito utilizando-se dispositivos optoeletrônicos.
Em especial, nestas aplicações destacamos os dispositivos
que trabalham simultaneamente com sinais elétricos e ópticos
como as chaves ópticas e os acopladores ópticos que serão
justamente abordados neste artigo.
As chaves ópticas podem ser usadas para controles de
posição, rotação, medida de velocidade, acionamento de
circuitos, sensoriamento de posição e muitas outras aplicações.
Os acopladores ópticos podem ser usados para transferir sinais de
controle e sensoriamento com alto grau de isolamento em
máquinas industriais de todos os tipos e em sistemas de
comunicação.
ACOPLADORES ÓPTICOS
Os acopladores ópticos são dispositivos optoeletrônicos
formados por um emissor de luz (que pode ser visível ou
120
NEWTON C. BRAGA
infravermelha) e um fotossensor num mesmo invólucro. O tipo

mais comum é o que faz uso de um LED emissor de luz e um
fototransistor em um invólucro DIL de 6 ou 8 pinos como o
mostrado na figura 1.
Quando o LED é excitado ele emite luz que atua sobre o

fototransistor. Isso significa que aplicando um sinal ao LED
podemos transferi-lo para o fototransistor através da luz. Como
não existe um contacto elétrico entre o emissor e o receptor (LED
e fototransistor) o isolamento entre os dois circuitos é enorme.
De fato, os fabricantes dos optoacopladores costumam
especificar o isolamento entre os dois em termos de milhares de
volts ou kV. Se bem que na maioria dos casos o foto-emissor seja
um LED, o receptor admite muitas opções conforme a aplicação
do dispositivo.
Assim, conforme mostra a figura 2, podemos ter os mais
diversos tipos de fotossensores num acoplador óptico.
Podemos ter um fotodiodo para dispositivos rápidos, um

foto-disparador lógico para acoplamento direto com lógica digital,
um foto-Darlington para se obter maior sensibilidade ou ainda um
opto-diac para controle direto de um TRIAC.
121
– Volume 9
As aplicações para este dispositivo são facilmente
percebidas: podemos controlar algum dispositivo a partir de um
sinal aplicado ao LED sem ter conexão elétrica com o circuito de
controle, ou seja, podemos ter um isolamento total entre os dois,
Podemos também transferir um sinal de um circuito para

outro com total isolamento entre ambos. Vamos analisar algumas
aplicações típicas.
CIRCUITOS PRÁTICOS COM ACOPLADORES

ÓPTICOS
A grande variedade de tipos de acopladores ópticos
disponível no mercado possibilita ao projetista escolher
facilmente uma configuração que se adapte exatamente a sua
aplicação sem muito trabalho. Os circuitos básicos que damos a
seguir foram sugeridos em dois manuais de optoeletrônica
bastante conhecidos: Optoeletctronics Device Data da Motorola e
Optoelectronics da Texas Instruments.
Circuito básico com optoacoplador:

Na configuração básica os optoacopladores podem operar
tanto no modo linear como pulsado. Na figura 4 mostramos os
dois circuitos típicos.
122
NEWTON C. BRAGA
Os valores dos resistores dependem no primeiro caso (R1)

da corrente necessária a excitação do LED o que é fornecido pelo
fabricante do dispositivo usado. O segundo resistor (RL) depende
da tensão de alimentação e da corrente no circuito para o sinal de
saída com a intensidade desejada.
Observe que nos dois circuitos a base do transistor
permanece desconectada. No entanto, a base também pode ser
usada como eletrodo de saída assim como se obter o sinal
também do coletor, conforme mostra a figura 5.
123
– Volume 9
Disparo de SCR
Na figura 6 mostramos o circuito básico para se usar um
optoacoplador 4N26 no disparo de um SCR da série 106 como por
exemplo o MCR106 ou TIC106.
124
NEWTON C. BRAGA
O optoacoplador usado é o 4N26 que pode ser encontrado

na linha de produtos de diversos fabricantes. A corrente no LED
vai determinar o valor do resistor em série para uma correta
excitação.
Este circuito pode ser usado para se isolar uma saída de
controle lógica (TTL ou CMOS) de um circuito de potência
alimentado pela rede de energia, como por exemplo um relé de
alta tensão, um motor ou ainda uma carga resistiva de alta
potência como um elemento de aquecimento de um forno.
Observamos que o diodo em paralelo com a carga só é
necessário se ela for indutiva. O SCR é disparado quando o LED
acende, mas nada impede que um inversor seja acrescentado na
entrada de controle do LED para um acionamento por um nível
lógico zero ou ainda outra configuração apropriada como a
Excitando Amplificador Operacional

Uma outra aplicação importante para um acoplador óptico
como o 4N26, que é bastante comum neste tipo de aplicação é
125
– Volume 9
Neste circuito o acoplador transfere o sinal opara um

amplificador operacional com ganho 10 de tensão. Neste caso
temos a transferência de sinais modulados ou sinal AC que passa
de um circuito a outro com total isolamento.
O sinal AC pode ser da saída de um conversor
tensão/frequência de um sensor de uma máquina e que deve ser
enviado à distância, sem perdas e com total isolamento para
maior segurança. Observe que o amplificador operacional é
acoplado capacitivamente ao acoplador óptico de modo que a
componente DC no emissor não aparece no sinal.
Acoplador de Alta Velocidade

Uma maneira de se obter maior velocidade para a
transferência dos sinais num acoplador óptico é aproveitando a
junção base-coletor do transistor sensor que então passa a
funcionar como um fotodiodo. No circuito mostrado na figura 9,
por exemplo, pode-se transferir pulsos de até 1 us de largura
utilizando-se um amplificador operacional de alta velocidade e um
acoplador óptico comum como o 4N26.
126
NEWTON C. BRAGA
Observe que neste circuito a saída é feita pela base do

fototransistor permanecendo o seu emissor aberto.
Monoestável com Optoacoplador

O circuito mostrado na figura 10 é uma outra aplicação
importante para os acopladores ópticos na indústria pois pode ser
usado para transmissão de sinais de controle ou de sensores com
maior precisão.
Este circuito produz um pulso com duração constante dada

por 0,7 x R x C no circuito quando um pulso de duração variável
menor que a de saída é aplicado ao LED de controle. O retardo e
o atraso na transmissão do pulso também dependem da tensão
de alimentação e das características do transistor usado.
127
– Volume 9
Schmitt Trigger
Os disparadores de Schmitt são elementos importantes
dos projetos pois fornecem uma saída retangular de qualidade
mesmo quando a entrada não seja um pulso perfeitamente
retangular. O circuito mostrado na figura 11 é sugerido pela
Motorola e tem por base o acoplador óptico 4N26 além de um
transistor comutador de alta velocidade que pode ser substituído
por equivalente.
Este circuito é alimentado por 12 V na parte de saída e sua

entrada é para pulsos que gerem uma corrente de pelo menos 30
mA no LED emissor do acoplador óptico.
Flip-Flop R-S
Na figura 12 temos um flip-flop R-S sugerido pela Motorola
para fazer uso do acoplador óptico 4N26.
128
NEWTON C. BRAGA
Os próprios transistores dos dois optoacopladores são

usados no circuito de realimentação, sendo polarizados por
resistores de 10 k ohms. Observe que a intensidade do sinal de
saída é de 4,5 V quando o circuito é alimentado com 5 V e que
para as entradas lógicas precisamos de níveis lógicos de apenas 2
V.
Excitação de Triacs
Para excitação de Triacs podemos usar optoacopladores
como o MOC3010 e MOC3020 (110 V e 220 V) que possuem em
seu interior como elemento sensível à luz um opto-diac. Assim,
temos na figura 13 uma aplicação típica do MOC3010 para a rede
de 110 V (120 VAC 60 Hz) excitando um triac a partir de saídas
lógicas.
129
– Volume 9
Para o MOC 3020, indicado para a rede de 220 V ou 240 V

temos o circuito de aplicação mostrado na figura 14.
Nos dois casos os triacs disparam quando o LED excitador

é aceso. A corrente neste LED vai depender do optoacoplador
(opto-diac) usado. Veja na parte de tipos comuns estas
características.
Estes circuitos são muito interessantes para o controle de
motores e outras cargas de potência a partir de lógica digital e
mesmo microcontroladores com total segurança devido ao
isolamento que proporcionam.
De fato, o circuito de controle fica totalmente isolado do
circuito controlado que é alimentado pela rede de energia. Um
isolamento de alguns milhares de volts é obtido facilmente nesta
aplicação. Por outro lado, o uso de opto-diacs garante uma
precisão de disparo no ângulo de condução certo, quando esta
característica é importante no projeto.
TIPOS COMUNS
Existem diversos tipos de optoacopladores que se
tornaram populares e por isso podem ser encontrados com a
marca de diversos fabricantes. Sempre é interessante fazer
projetos com tais componentes pois sabemos que na falta de um
deles de uma marca podemos substituí-lo com facilidade pelo
mesmo tipo de outro fabricante.
130
NEWTON C. BRAGA
Damos a seguir as características de alguns acopladores

ópticos que podem ser encontrados com facilidade e por isso
servem de base para inúmeros projetos.
4N25/4N25A/4N26/4N27/4N28
Estes acopladores fazem parte de uma ampla família com
características bastante próximas utilizando como emissor um
LED infravermelho e como receptor um fototransistor. Na figura
15 temos o invólucro e a pinagem comum a todos estes tipos
As características destes comuns componentes são:
LED de entrada (máximos):

Característica Símbolo Valor Unidade
Tensão Inversa VR 3 V
Corrente direta IF 60 mA
Dissipação Pd 120 mW
Transistor de saída (máximos)

Tensão coletor/emissor VCEO 30 V
Tensão coletor/base VCBO 70 V
Corrente de coletor IC 150 mA
Dissipação Pd 150 mW
131
– Volume 9
Para o componente total (máximos)
Dissipação Total Pd 250 mW
Tensão de Isolação Viso 7500 V
Características Elétricas:
Característica Símbolo Min. Tip. Max. Unidade
Corrente de saída (coletor) 4N25,25 A,26
4N27, 4N28 Ic 2 7 - mA
1 5 - mA
Capacitância de isolação Ciso - 0,2 - pF
Mais informações sobre este componente podem ser

obtidas no site da ON Semiconductor (que agora incorpora a linha
de produtos Motorola – http://www.onsemi.com.
MOC3009/MOC3010/MOC3011/MOC3012
Os componentes desta série consistem em
optoacopladores com LED emissor infravermelho e um optodiac
como receptor. Este componente se destina ao controle de Triacs
na rede de 110V (117/125V). Na figura 16 temos a pinagem e o
invólucro dos componentes desta série.
Na mesma família temos diversos componentes que por

diferença têm apenas as correntes de disparo que devem ser
aplicadas ao LED conforme a seguinte tabela:
132
NEWTON C. BRAGA
Corrente no LED Símbolo Min Tip Max Unidade

para o disparo
MOC3009 IFT - 15 30 mA
MOC3010 IFT - 8 15 mA
MOC3011 IFT - 5 10 mA
MOC3012 IFT - 3 5 mA
Outras características para este componente:

Tensão inversa VR 3 V
Potência de dissipação PD 100 mW
Driver de Saída (máximos)

Tensão no terminal de saída no estado VRRM 250 V
off
Corrente de pico (repetitiva) ITSM 1 A
Dispositivo total (máximos):

Tensão de isolação Viso 7500 V
Potência de dissipacão PD 330 mW
MOC3020/MOC3021/MOC3022/MOC3023
Estes dispositivos consistem em optoacopladores com LED
emissores infravermelhos e na parte receptora, optodiacs. O que
diferencia os dispositivos desta família dos anteriores é que estes
são destinados à rede de 220 (240 V).
Na figura 17 temos a pinagem e o invólucro dos
componentes desta série.
133
– Volume 9
O que diferencia basicamente os diversos componentes

desta série é a corrente que deve ser aplicada ao LED emissor
para o disparo dada pela seguinte tabela.
Corrente no LED:
Corrente no LED Símbolo Min Tip Max Unidade
para o disparo
MOC3009 IFT - 15 30 mA
MOC3010 IFT - 8 15 mA
MOC3011 IFT - 5 10 mA
MOC3012 IFT - 3 5 mA
Outras características:

Tensão inversa VR 3 V
Driver de Saída (máximos)

Tensão no terminal de saída no VRRM 400 V
estado off
Corrente de pico (repetitiva) ITSM 1 A
Dispositivo total (máximos):

Tensão de isolação Viso 7500 V
134
NEWTON C. BRAGA
CHAVES ÓPTICAS
As chaves ópticas têm o mesmo princípio de
funcionamento dos acopladores: são formadas por um LED
emissor (tanto visível como infravermelho) e um sensor que
normalmente é um fototransistor.
A diferença está no fato de que existe uma fenda que
permite interromper com um objeto a luz que é emitida pelo LED
e que incide no sensor, conforme mostra a figura 18.
O formato com fenda das optoswitches como também são

chamadas permite que elas sejam usadas no controle de diversos
tipos de dispositivos.
Na figura 19 temos algumas aplicações para estas chaves
ópticas:
135
– Volume 9
Em (a) mostramos como uma chave deste tipo pode ser

usada para detectar o fim de curso de uma peça móvel numa
máquina industrial.
Em (b) temos um exemplo em que a passagem de uma
fenda numa peça giratória permite produzir um pulso de controle
para determinar o instante de acionamento de outra parte da
máquina ou mesmo contar o número de revoluções desta parte
móvel.
A mesma figura em (c) mostra uma roda dentada que
passa pelo acoplador de modo que para cada dente é produzido
um pulso elétrico que pode ser utilizado com as mais diversas
finalidades, como por exemplo controle de velocidade ou medida
de rotação.
Na figura 20 temos uma outra aplicação em que uma
chave óptica é usada para detectar a inserção de um cartão numa
máquina e assim ativar algum tipo de dispositivo de leitura.
136
NEWTON C. BRAGA
Finalmente, na figura 21 temos uma aplicação interessante

em que um conjunto de acopladores é usado para ler um código
num cartão o qual é determinado pelas fendas na sua parte
lateral.
Somente se a combinação de fendas corresponder ao

código é que o circuito de ativação será acionado. Pode-se usar o
mesmo sistema para identificar o cartão inserido numa máquina e
assim liberar ou não algum tipo de acesso ou de informação.
Conforme o leitor pode perceber as chaves ópticas são
usadas de uma forma um pouco diferente do que os acopladores.
Elas não visam propriamente o isolamento de dois circuitos na
transferência de sinais ou no controle, mas são usadas como
elementos acionados pela presença de algum tipo de objeto na
sua fenda.
Por este motivo, as chaves que podem ser encontradas no
mercado já possuem invólucros com formatos que permitem este
137
– Volume 9
tipo de aplicação. Na figura 22 temos os invólucros típicos que
possibilitam sua montagem de diversas maneiras.
Um tipo de chave que deve ser considerada em algumas

aplicações é a refletiva que não tem a fenda, mas os elementos
emissor e sensor montados lado a lado, conforme mostra a figura
23.
Neste tipo de chave o receptor (sensor) recebe a luz

quando na frente da chave passa algum tipo de objeto que pode
refletir a radiação emitida pelo sensor. Na prática existem
circuitos para todas as aplicações.
Selecionamos alguns circuitos práticos de manuais de
fabricantes destas chaves e que podem ser de utilidade para o
leitor que faz projetos, principalmente visando aplicações
industriais. Alguns dos projetos que descrevemos não são para as
chaves prontas, mas permitem que o próprio projetista elabore
uma chave com componentes discretos, quando a separação
entre o sensor e o emissor deve ser maior do que a disponível nos
componentes padronizados.
138
NEWTON C. BRAGA
CIRCUITOS PRÁTICOS
Para os circuitos que usam fototransistores sugerimos o
emprego de tipos comuns como os da série TIL da Texas
Instruments que inclusive podem ser encontrados em versões
Darlington de alto ganho.
Chave Óptica para 10 mm

Nosso primeiro circuito, sugerido pela Texas Instruments
permite a elaboração de um opto-relé com uma fenda de
acionamento de 10 mm usando uma lâmpada comum como
emissor e um fototransistor como receptor. Este circuito é
mostrado na figura 24.
Este circuito não possui ajustes e evidentemente deve ser

cuidado para que apenas a luz do sensor incida no fototransistor,
o que pode ser conseguido com recursos ópticos simples.
O relé tem uma bobina de 50 ohms, mas tipos mais
sensíveis conforme a tensão usada, podem ser empregados.

Um circuito mais sensível que o anterior, também sugerido
pela Texas Instruments é mostrado na figura 25.
139
– Volume 9
Neste circuito o emissor que é uma lâmpada de 3 W para

12 V (250 mA) pode ficar até 15 mm longe do sensor. Transistores
equivalentes aos indicados podem ser experimentados. O relé
deve ter uma bobina de pelo menos 50 ohms. Neste circuito, o
resistor de 47 k ohms na base do primeiro transistor determina a
sensibilidade ao disparo podendo eventualmente ser substituído
por um trimpot de ajuste (100 k ohms em série com um resistor
10 k ohms, por exemplo)
Chave Óptica Disparadora (Schmitt) para 15 mm

Uma chave com características de disparo rápido pode ser
obtida com a configuração mostrada na figura 26.
140
NEWTON C. BRAGA
Este circuito também é sugerido pela Texas Instruments e

faz uso de um relé sensível com uma resistência de bobina de
pelo menos 50 ohms. A separação máxima entre o sensor e a
lâmpada é de 15 mm. O sistema deve ser dotado de recursos
ópticos para evitar a influência da luz ambiente no sensor.

O circuito mostrado na figura 27 é de uma chave óptica
em que o sensor e o emissor podem ficar separados por uma
distância de até 30 mm.
Neste caso o emissor é uma lâmpada de 250 mA e como

carga é usado um relé sensível com uma resistência de bobina de
141
– Volume 9
pelo menos 50 ohms. O fototransistor pode ser substituído por
equivalentes.
Interface Reconhecedora de Direção

Uma aplicação importante das chaves ópticas na indústria
é aquela em que além de se detectar a passagem de um objeto
em movimento é preciso também enviar ao circuito de controle a
informação sobre o sentido de seu movimento.
Isso ocorre, por exemplo, no controle do movimento de fita
ou da rotação de um volante em que é preciso saber se a fita se
move para esquerda ou direita ou se o volante gira num ou
noutro sentido, conforme mostra a figura 28.
Um circuito que tem esta capacidade e que pode ser

usado em muitos projetos de controle de máquinas é mostrado na
figura 29.
142
NEWTON C. BRAGA
Este circuito tem uma saída compatível com lógica TTL e

pode servir de base para contadores de objetos e dispositivos de
controle com a opção de sentido de movimento. A passagem num
sentido produz numa das saídas um pulso negativo (transição de
1 para 0) e no sentido oposto o mesmo tipo de transição na outra
saída do circuito.
O circuito é baseado no funcionamento de flip-flops que
memorizam o disparo de um dos sensores e habilitam o seguinte
de modo a se obter uma indicação do sentido.
Usando as mesmas funções CMOS o leitor pode facilmente
adaptar este circuito para operar com esta tecnologia.
Contador Dependente da Direção

Um outro circuito que pode ser de grande utilidade na
contagem de objetos que passam diante de chaves ópticas ou de
sensores, com aplicações industriais ilimitadas é o mostrado na
figura 30.
143
– Volume 9
Este circuito aciona diretamente um contador do qual

mostramos apenas uma etapa (unidades) mas que pode ser
expandido indefinidamente conforme a aplicação.
O circuito é sugerido pela Texas Instruments em seu
manual de optoeletrônica e emprega circuitos integrados de
tecnologia TTL. No entanto, como no caso anterior ele pode ser
convertido facilmente para empregar as mesmas funções em
tecnologia CMOS inclusive o contador.
Na verdade, este contador pode ser facilmente
implementado também empregando-se microprocessadores como
o PIC ou COP8. Até mesmo as funções lógicas podem ser
implementadas com estes circuitos.
Uma das aplicações para este circuito é a medida do
comprimento de uma fita que tenha marcas de contagem e que
passa diante dos sensores. Com adaptações, utilizando-se um
contador programável o circuito pode ser adaptado para ir até um
determinado ponto de uma fita.
Controle Digital de Rotação

O circuito mostrado na figura 31 é uma outra aplicação
bastante interessante de chaves ópticas no controle de máquina.
O que este circuito faz é criar um ponto de ajuste para a
velocidade de passagem dos objetos que devem ser contados, o
que é diferente das aplicações puramente digitais.
144
NEWTON C. BRAGA
Desta forma, o circuito conta os objetos apenas quando

eles passam diante dos sensores numa determinada frequência.
Quando a frequência muda, eles são ignorados. A velocidade de
contagem é dada por um oscilador que determina o “clock” da
contagem.
Trata-se de um circuito ideal para uma linha de
montagem, pois ele pode determinar o ritmo da produção ao
mesmo tempo que conta os produtos.
145
– Volume 9
HVT-JFET-POWERMOS-THY-GTO-IGBT
VOCÊ CONHECE TODOS ESTES

SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA?
Novos dispositivos semicondutores tornam os projetos de
circuitos de alta potência mais simples além de apresentarem
maior rendimento que levam a menor consumo de energia e
menores necessidades de ventilação. Diversos destes dispositivos
ainda são pouco conhecidos de nossos leitores. Neste artigo
daremos uma visão destes novos dispositivos com a comparação
de suas características e orientação para projetos.
Os circuitos que operam com mais potência nos
equipamentos eletrônicos modernos são as suas fontes de
alimentação. Na maioria dos casos essas fontes são do tipo
chaveado (comutado) que exigem o emprego de dispositivos
semicondutores com características especiais.
Estes dispositivos devem ser capazes de operar com
correntes elevadas quando em condução, suportar tensões
elevadas quando no corte e ainda ter tempos de comutação
suficientemente pequenos para não levar o dispositivo a sua
região intermediária por um tempo longo o suficiente para causar
perdas pela geração de calor.
O dispositivo comutador ideal para estas aplicações deve
ter uma característica de comutação como mostra a figura 1 em
sua linha pontilhada quando na realidade os dispositivos práticos
possuem características que correspondem à linha contínua.
146
NEWTON C. BRAGA
Os aperfeiçoamentos que os dispositivos semicondutores

tradicionais passam como transistores bipolares e tiristores fazem
que as características ideais fiquem cada vez mais próximas, mas
ao mesmo tempo são criados novos dispositivos que se mostram
até melhores em determinados momentos para as aplicações
indicadas.
Diversos têm sido os dispositivos novos criados e que
começam agora se tornar populares aparecendo em fontes
chaveadas, inversores de potência, controle de solenoides e
motores de passo e em muitas outras aplicações semelhantes.
DISPOSITIVOS DE 3 CAMADAS
A ideia básica para a criação de novos dispositivos
semicondutores é a da utilização de 3 camadas de materiais
semicondutores com estruturas diferentes. estas estruturas vão
determinar as características básicas de tais dispositivos que são
mostrados na figura 2.
Uma característica importante que deve ser levada em

conta nestas estruturas em primeiro lugar é que elas são do tipo
vertical com regiões intermediárias do tipo N grandes para que o
dispositivo possa operar com tensões elevadas. As três camadas
de materiais semicondutores podem ser usadas de diversas
maneiras conforme podemos ver pelos dispositivos citados como
exemplos.
No transistor de alta tensão (HVT) a corrente entre os
terminais principais (emissor e coletor) é proporcional à corrente
147
– Volume 9
que flui pelo terminal de controle (base). seu funcionamento é,
portanto, semelhante ao de qualquer transistor bipolar comum.
No segundo caso existe uma abertura na segunda camada
(P) pode onde pode fluir a corrente principal que passa a ser
controlada pela tensão aplicada ao terminal de comporta (gate).
Neste caso temos um transistor de efeito de campo de junção ou
JFET.
Outra denominação para este dispositivo é SIT ou Static
Induction Transistor já que a intensidade da corrente entre os
eletrodos principais (fonte e dreno) é determinada pela
intensidade de um campo estático na região do canal por onde
passa a corrente.
Finalmente temos a terceira possibilidade que consiste em
se colocar o eletrodo de controle (gate) muito perto da região P
mas sem tocá-la (é isolado por uma capa de material isolante que
lhe dá nome). Uma tensão no eletrodo de comporta atrai os
portadores de carga da região N e com isso controla o fluxo de
corrente entre os eletrodos principal. Este dispositivo é conhecido
como Transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor).
Analisemos separadamente estes dispositivos.
TRANSISTOR DE ALTA TENSÃO (HVT)

Neste dispositivo uma corrente de base controla a corrente
entre o coletor e o emissor. Para trabalhar com altas potências, a
base deve ser feita tão fina que os elétrons possam fluir
imediatamente entre o coletor e o emissor. Outras características
construtivas devem ser levadas em conta de modo a se conseguir
uma boa velocidade de comutação aliada a uma grande
capacidade de corrente.
Uma limitação série que ocorre nos transistores deste tipo
é o fenômeno denominado "second breakdown" ou segunda
ruptura durante a comutação.
A corrente tende a se concentrar no meio da região do
emissor com um aumento da sua densidade a ponto de levar o
dispositivo a um dano. Os dispositivos deste tipo possuem então
uma curva característica que mostra uma região de operação em
que ele deve ser mantido de modo a se evitar este fenômeno.
Existe então o que se denomina de RBSOAR (Reverse Bias
Safe Operating Area Region) conforme mostra a figura 3 onde o
dispositivo pode operar de modo seguro.
148
NEWTON C. BRAGA
Uma proteção para evitar que estas características sejam

violadas com dano para o dispositivo consiste no uso de um
"snubber". Trata-se de uma rede que tem por finalidade reduzir a
velocidade com que a intensidade da corrente aumenta no
dispositivo na comutação, ou seja, uma rede dV/dt com valor
apropriado).
Um problema que deve ser considerado no uso do snubber
é que seu custo é da mesma ordem do que o do próprio transistor
se bem que, com cargas indutivas a ressonância delas possa ser
utilizada para reduzir a taxa de crescimento da tensão na carga
(dV/dt).
O JFET
Uma vantagem deste dispositivo é que existe uma
resistência ôhmica pura entre os terminais pelos quais deve
circular a corrente principal. Isso significa uma capacidade maior
de corrente já que não existem junções a serem percorridas.
Como a corrente principal é controlada por uma tensão, o
controle exige uma potência muito menor. Como o que se tem de
fazer neste controle é simplesmente carregar e descarregar os
149
– Volume 9
diodos formados pelas junções, o que pode ser feito de forma
muito rápida, os dispositivos deste tipo são capazes de comutar
com velocidades muito maiores do que os equivalentes bipolares.
Uma dificuldade construtiva para este dispositivo está no
fato de que os eletrodos de controle (gate) devem ser colocados
em aberturas próximas dos eletrodos de fonte e a
capacidade/velocidade do dispositivo vai depender de sua
quantidade. Assim, quanto mais regiões alternadas forem
colocadas conforme mostra a figura 4, maior será a velocidade e
a capacidade de corrente do dispositivo.
Na prática, entretanto, este procedimento leva à

necessidade de se utilizar tensões negativas elevadas para se
obter a comutação. É comum que dispositivos deste tipo sejam
especificados para ter uma comutação com até 25 volts de
tensão negativa aplicada à comporta.
O TRANSISTOR MOS
Quando uma tensão positiva é aplicada ao eletrodo de
comporta este dispositivo é polarizado no sentido de haver a
condução de uma corrente entre a fonte e o dreno.
Para se obter uma capacidade de corrente elevada o
dispositivo deve ter a estrutura mostrada na figura 4 onde o
eletrodo de controle (gate) é colocado praticamente junto do
eletrodo de fonte na grande região N que caracteriza os
dispositivos de potência, conforme falamos na introdução.
150
NEWTON C. BRAGA
Esta estrutura, denominada planar, permite a fabricação

destes dispositivos com grandes capacidades de corrente e com
características bastante semelhantes aos JFETs exceto pelo fato
de que a comporta é isolada do material por uma fina camada de
óxido metálico.
A comutação é feita carregando-se e descarregando-se o
capacitor formado pela região de comporta e o material
semicondutor. Como o controle de correntes elevadas exige
também áreas maiores deste capacitor, existe uma corrente de
carga e descarga a ser considerada.
O dispositivo não comuta, portanto, apenas com tensão,
mas exige também uma certa corrente. Deve-se notar que este
dispositivo não precisa de tensões negativas para comutar, mas a
aplicação de uma tensão negativa quando ele precise ser
desligado pode tornar esta operação mais rápida.
As características de velocidade e elevada capacidade de
corrente deste tipo de dispositivo tem tornado este dispositivo o
preferido nos projetos atuais de circuitos comutadores de
potência. Além disso, deve-se considerar a disponibilidade destes
dispositivos a custo acessível numa variedade muito grande de
tipos.
151
– Volume 9
DISPOSITIVOS DE 4 CAMADAS
Os dispositivos que vimos são de três camadas, ou seja,
equivalentes a transistores. No entanto, estes dispositivos ainda
possuem certas limitações que podem ser melhoradas com
aperfeiçoamentos na sua estrutura.
Uma possibilidade importante e que é utilizada na criação
de novos dispositivos é a adoção de estruturas de quatro
camadas.
Isso implica na criação de um transistor NPN virtual numa
estrutura de três camadas que corresponde na verdade a um
transistor NPN, conforme mostra a figura 6.
O resultado disso é que este transistor pode ser usado

para "acelerar" o funcionamento do dispositivo, servindo ele como
elemento comutador.
A própria maneira como este transistor adicional aparece
na estrutura forma um circuito regenerativo que dá ao dispositivo
uma nova característica que é a de travamento ou "latching",
152
NEWTON C. BRAGA
No entanto, deve-se considerar que nestes dispositivos a

corrente tem de atravessar uma junção a mais e isso afeta tanto
a velocidade de comutação como as próprias perdas que ocorrem
por comutação. De fato, as tensões que aparecem entre os
eletrodos principais quando estes dispositivos estão em plena
condução são muito maiores do que a dos demais dispositivos
que vimos até agora.
O TIRISTOR (THY)
Um exemplo de dispositivo desta família é o SCR ou Silicon
Controlled Rectifier que consiste basicamente num transistor de
alta tensão (HVT) com uma camada adicional do tipo P.
Assim, basta polarizar o transistor NPN para que ele sature
para que, por realimentação ele sature o PNP, provocando o
disparo do dispositivo que se mantém neste estado mesmo
depois que a corrente inicial de comutação desaparece.
Se bem que estes dispositivos sejam construídos com a
capacidade de comutar correntes elevadas, sua velocidade é
pequena. Isso limita bastante seu dV/dt. Uma característica nem
sempre desejável do SCR é que ele precisa ter a corrente entre o
anodo e o catodo reduzida a zero por um instante para que ele
desligue.
153
– Volume 9
O GTO
Uma variação do SCR que pode ser desligada por um sinal
elétrico é o GTO ou Gate Turn Off Thyristor que tem a estrutura
Trata-se de um tipo especial de tiristor em que a estrutura

foi dimensionada para fornecer maiores velocidade de comutação
e ao mesmo tempo a inclusão de um recurso que permite reduzir
o ganho de um dos transistores de realimentação por meios
externos. Desta forma, aplicando-se uma tensão negativa à base
do transistor PNP é possível interromper a corrente de
realimentação e desta forma desligar o dispositivo.
Infelizmente os GTOs ainda não são feitos para controlar
grandes potências sendo, portanto, indicados para circuitos de
potência não elevadas especialmente em sistemas ressonantes já
que as perdas por desligamento que ele apresenta são
praticamente nulas.
O SITh
O Static Induction Thyristor é um tipo de tiristor que
também é chamado de FCT (Field Controlled Thyristor) e que
consiste basicamente num JFET com uma camada adicional do
tipo P conforme mostra a figura 9.
154
NEWTON C. BRAGA
Infelizmente para obter as características que levam ao

uso prático deste dispositivo ainda existem certas dificuldades
industriais que o tornam ainda indisponível no mercado.
O IGBT
IGBT significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou
Transistor Bipolar de comporta isolada. Sua estrutura e símbolo
são mostrados na figura 10 e conforme podemos ver ele consiste
num "misto" de transistor bipolar com FET daí, apenas de ser um
componente que possui "emissor" e "coletor" o eletrodo de
controle não é uma base, mas sim um "gate" (comporta).
155
– Volume 9
Na operação normal, uma tensão positiva é aplicada ao
seu anodo (A) em relação ao catodo (CK). Quando a comporta (G)
se encontra com tensão nula em relação ao catodo, não circula
nenhuma corrente pelo anodo desde que a tensão aplicada esteja
abaixo do limite suportado pelo componente.
Quando a tensão de comporta atinge certo valor mínimo
os elétrons passam pela região n da base do transistor PNP
fazendo com que o transistor seja polarizado no sentido de
conduzir. Isso faz com que lacunas sejam injetadas do substrato
para a região n- do dispositivo. O excesso de elétrons e lacunas
modula a condutividade da região n- de alta condutividade, que
rapidamente reduz a sua resistência no sentido de fazer o
dispositivo conduzir intensamente a corrente.
Na operação normal o resistor de derivação (shunt Rs)
mantém a corrente de emissor do transistor NPN muito baixa e
com isso o ganho deste transistor também baixo. No entanto,
para correntes de anodo suficientemente intensas, uma injeção
de corrente suficientemente intensa pode ocorrer no transistor
NPN fazendo com seu ganho alfa aumente. Neste caso, o
dispositivo de quatro camadas trava ocorrendo então uma perda
de seu controle pela porta MOS. Neste caso, o dispositivo deve
ser desligado por uma diminuição da corrente de anodo para um
valor que esteja abaixo do denominado valor de manutenção,
como num tiristor típico.
Na figura 11 mostramos as curvas características de um
MOSFET e de um IGBT para que o leitor possa fazer comparações.
156
NEWTON C. BRAGA
Observe que a no IGBT temos também a tensão de offset

de 0,7 volt a partir do ponto de origem a partir de onde a curva
mostra um aumento da corrente intenso. Esta tensão se deve
justamente à presença da junção entre a camada p+ e o a
camada n- do substrato.
A curva do IGBT mostrada na figura é de um dispositivo
que opera com uma tensão de comporta de 20 volts e que mostra
que a resistência em plena condução, com uma corrente de 20
ampères é de apenas 0,084 ohms.
Esta característica de baixa resistência de condução, da
ordem de 0,1 ohm para correntes de 20 A é comum aos
dispositivos típicos que usam pastilhas de 3 x 3 mm. Veja que
estes valores aproximam as características destes dispositivos à
dos MOS-FETs de potências comuns.
CONCLUSÃO
Estes novos dispositivos (alguns nem tanto) devem
aparecer com frequência cada vez maior em projetos que
envolvam comutação de cargas de potências elevadas como
fontes chaveadas, controles de solenoides e motores de passo.
Os técnicos e engenheiros devem estar aptos não só a
reconhecer estes novos dispositivos como também avaliar suas
características quando necessitarem fazer novos projetos, service
ou simplesmente procurarem um tipo de reposição.
157
– Volume 9
OS ULTRASSONS
Este artigo foi publicado em 2008,
mas versões anteriores já haviam
sido publicadas muitas outras vezes,
algumas antes de 1980. É claro que à
medida que o tempo passou o artigo
teve melhorias e atualizações, como
esta que é uma das últimas. Os
ultrassons são importantes tanto em
aplicações eletrônicas como para a
física, assim o artigo serve também
como base para uma apostila dos
cursos fundamental e médio que
tratam do assunto, como para a
própria iniciação tecnológica e em
cursos técnicos. Recomendamos este
artigo também para professores que
desejam saber um pouco mais sobre
o assunto, principalmente as ligações
dos ultrassons com a tecnologia.
INTRODUÇÃO
Utilizamos os ultrassons numa grande quantidade de
aplicações eletrônicas importantes. Podemos citar como
exemplos, o sensoriamento de objetos, medida de distâncias,
controles remotos, limpeza de objetos, aplicações médicas e até
mesmo na transmissão de informações, essas vibrações
inaudíveis ocupam lugar de destaque no amplo espectro das
vibrações mecânicas.
Como gerar ultrassons e como utilizá-los? Essas são
algumas das questões que procuraremos abordar neste artigo.
Respondendo a essas perguntas, levaremos nossos leitores a uma
dimensão maravilhosa, que nossos sentidos não podem alcançar,
mas que podem explorar com a ajuda da eletrônica.
158
NEWTON C. BRAGA
Nossos ouvidos são estruturas sensíveis que se adaptam

perfeitamente aos tipos de vibrações que são mais comuns na
natureza e no próprio meio em que vivemos. Assim, milhões de
anos de evolução, determinaram a faixa bem definida de
frequências que podemos ouvir e que denominamos "sons".
Uma experiência imaginária nos permite entender melhor
o que é o som, e outras vibrações de mesma natureza, que se
situam além do alcance de nossos ouvidos os infrassons e os
ultrassons, sendo este último o assunto chave deste nosso artigo.
Se prendermos uma barra de metal numa morsa, podemos
fazer com que uma de suas extremidades entre em vibração,
conforme mostra a figura 1. Para nossa experiência não importa
exatamente como fazer isso, mas sim as consequências dessas
vibrações.
Figura 1 – Barra de metal presa a uma morsa
As vibrações desta barra de metal vão comprimir e

distender o ar em sua volta de modo regular, criando assim
”ondas" onde localizamos regiões maior ou menor densidade de
partículas, ou seja, ondas de compressão e descompressão,
159
– Volume 9
Figura 2 – Barra vibrando
Estas ondas longitudinais se propagam pelo ar numa

velocidade que depende da pressão, umidade, temperatura e
alguns outros fatores adicionais.
Para o ar ambiente, em condições normais de temperatura
e pressão, ou seja, a 20 graus centígrados no nível do mar, a
velocidade de propagação é da ordem de 333 metros por
segundo. No entanto, para maior facilidade de cálculos é comum
fazermos a aproximação para 340 metros por segundo.
Encontrando algum tipo de obstáculo, essas vibrações
podem forçá-lo a vibrar na mesma frequência, transferindo-lhe
assim energia. Em outras palavras, estas ondas transportam
energia que podem entregar a objetos que encontrem em seu
percurso.
Se as vibrações ocorrerem numa velocidade relativamente
pequena, algumas vibrações por segundo apenas, mesmo
incidindo na membrana sensível de nossos ouvidos, que é o
tímpano, elas não conseguem excitá-lo a ponto de haver a
transmissão de um sinal ao nosso cérebro. Isso significa que
essas vibrações estão numa frequência abaixo do que podemos
ouvir.
Essas vibrações, pela sua frequência, são denominadas
infrassons. A posição dessas vibrações no espectro é mostrada na
figura 3.
160
NEWTON C. BRAGA
Figura 3 – O espectro sonoro
Conforme vimos, essas vibrações transportam energia e

por isso, possuem certo poder de destruição. Num terremoto, as
vibrações desta faixa de frequências causam grande destruição
podendo ser sentidas, mas não ouvidas.
O ponto em que as vibrações começam a ser ouvidas está
em torno de 15 Hertz. É preciso que a nossa barra de metal
imaginária vibre pelo menos 15 vezes por segundo para que as
ondas de compressão e descompressão que cheguem aos nossos
ouvidos o estimulem. A sensação transmitida ao cérebro será a
de um som contínuo muito grave, um zumbido.
Aumentando gradualmente a frequência das vibrações, ou
seja, fazendo com que a barra vibre cada vez mais rapidamente,
vamos modificar a altura do som (a altura é a característica
relativa à frequência que não deve ser confundida com o volume
ou intensidade), tornando o som médio quando chegamos a
aproximadamente 500 Hz e depois agudo quando ultrapassamos
os 2 000 Hz, conforme mostra o diagrama da figura 4.
Figura 4 – O espectro audível
Aumentando mais e mais as vibrações, entretanto, vamos

verificar que as pessoas, segundo suas idades, características
161
– Volume 9
pessoais e até mesmo eventuais doenças, vão deixando de ouvir
o som que está sendo emitido.
O limite exato em que deixamos de ouvir as vibrações,

varia bastante de pessoa para pessoa, mas na média está em
torno de 15 000 Hz (15 000 vibrações por segundo). Teremos
então percorrido todo o espectro audível, ou seja, a faixa de
frequências que corresponde às vibrações que podemos ouvir,
Figura 5 – O espectro sonoro completo
No entanto, passando dos 15 000 Hz a barra de metal

ainda pode vibrar.
Estas vibrações já não serão mais audíveis, pois estão
além de nossa capacidade de percepção. A barra estará
produzindo então ultrassons.
Não existe limite conhecido para até onde a barra de metal
pode vibrar. Existem dispositivos que podem gerar ultrassons de
milhões de hertz, ou seja, muitas oitavas acima do nosso limite
auditivo e que, portanto, não podem ser ouvidos por ninguém.
Mas, o interessante é que no mundo animal existem
espécies que podem ter ouvidos capazes de alcançar frequências
que o ouvido humano não consegue, conforme mostra a figura 6.
162
NEWTON C. BRAGA
Figura 6 – Alcance auditivo de alguns animais
Assim, o que o ultrassom para nós, pode não ser para

algumas espécies animais. Podemos citar como exemplo os cães
que, em alguns casos, podem ouvir vibrações de até 25 000 Hz,
alcançando assim frequências que nós não podemos perceber.
Quantas vezes seu cãozinho levantou as orelhas
sobressaltado percebendo alguma espécie de som que você não
ouviu? Animais como os morcegos e até mesmos os golfinhos,
podem usar os ultrassons com finalidades muito mais complexas
do que a simples comunicação.
O morcego, por exemplo, possui um sistema de audição
tão elaborado que pode captar e interpretar os ecos ou reflexões
das vibrações que ele mesmo emite em frequências ultrassônicas.
Em outras palavras, ele possui um verdadeiro sistema de "radar",
que no caso, por operar com sons, recebe a denominação de
"sonar".
Ele emite um som de frequência muito alta (que não
podemos ouvir) que chega aos 40 000 Hz, e se existir algum tipo
de obstáculo para sua propagação como, por exemplo, outros
animais, insetos ou os galhos de uma árvore, ele recebe o eco e o
interpreta, determinando a distância do obstáculo, seu tamanho e
posição, evitando-o ou atacando-o.
À medida que as vibrações aumentam de frequência, a
distância entre os pontos de maior compressão e menor
compressão diminui, ou seja, diminui o comprimento de onda.
Isso significa que estas ondas passam a ser sensíveis a obstáculos
cada vez menores.
Podemos fazer uma interessante experiência com os
morcegos (que é bem conhecida dos que moram no interior):
provocando a vibração de uma vara, eles se desorientam
163
– Volume 9
podendo se chocar contra ela. O que ocorre é que a vara em
vibração provoca um fenômeno denominado "Efeito Doppler".
Quando uma vibração sonora reflete num objeto que se
move em relação à fonte que emite o som, na reflexão ocorre
uma alteração da frequência. Se o objeto estiver se
movimentando em direção à fonte, a alteração é no sentido de
haver uma diminuição do comprimento de onda e, portanto, um
aumento da frequência.
Efeito inverso ocorre se o objeto estiver se afastando. Tudo
isso é mostrado na figura 7.
Figura 7 – O efeito Doppler
Você pode perceber este fenômeno observando o que

ocorre quando um carro passa em alta velocidade por você com a
buzina acionada. Na aproximação o som da buzina parece mais
agudo, e quando ele se afasta, o som torna-se mais grave.
A transição do som de agudo para grave é bastante nítida
no instante exato em que ele passa por você. Ora, no caso do
morcego, a vibração da vara altera a frequência do eco que o
animal espera e isso o confunde, de modo que ele não consegue
interpretá-lo, desorientando-o completamente em voo.
Na natureza existem muitos animais que emitem e/ou
recebem ultrassons, de modo que a possibilidade se "escutarmos"
ultrassons abre um campo muito interessante de pesquisa usando
recursos eletrônicos. Existem grilos, pequenos mamíferos e até
mesmo peixes que emitem ultrassons do mesmo modo que
164
NEWTON C. BRAGA
existem diversos fenômenos naturais que são acompanhados da

emissão dessas vibrações.
Na verdade, emissões fortes de ultrassons podem
"perturbar" certos animais, daí a utilização de aparelhos que
emitem tais vibrações em grande intensidade.
Existem "espantalhos eletrônicos" que afastam cães de
latas de lixo ou ratos de depósitos de cereais ou mesmo
despensas que nada mais são do que potentes osciladores de
ultrassons ligados diretamente a um pequeno alto-falante. Como
os humanos não podem ouvir tais vibrações elas não nos causam
qualquer tipo de inconveniente.
Na verdade, mesmo sem ouvir (perceber), foi comprovado
que ultrassons em grande intensidade tem um efeito nocivo sobre
a audição humana. Assim, recomenda-se que humanos não
permaneçam por muito tempo em locais em repelentes
ultrassônicos sejam usados.
Para os leitores que desejarem fazer experiências com
ultrassons, temos na figura 8 o diagrama de um potente emissor
que pode ser usado como espantalho ou ainda para experiências
diversas que envolvam este tipo de vibração.
Figura 8 – Um emissor ultrassônico
Este circuito produz ultrassons na faixa de 20 a 30 kHz e o

transdutor nada mais é do que um tweeter do tipo piezoelétrico
165
– Volume 9
que apresenta rendimento bom nesta faixa, para a aplicação
visada.
APLICAÇÕES PRÁTICAS
Aparelhos que emitam ou recebam ultrassons não são
simples curiosidades. Na indústria, na medicina, ou mesmo no lar
encontramos diversos dispositivos que operam com ultrassons.
Na indústria, por exemplo, os ultrassons podem ser usados para
detectar falhas de materiais como, por exemplo peças usadas em
aviões ou ainda estruturas especiais.
Um transdutor aplica os ultrassons de altíssima frequência
no material. Se existirem cavidades interna, falhas ou rachaduras
ocorrem reflexões que mudam o padrão do sinal captado por
outro transdutor e visualizado num osciloscópio, conforme mostra
a figura 9.
Figura 9 – Detecção de falhas em materiais
Outra aplicação interessante é na limpeza de peças de

metal. Se colocarmos joias ou outras peças delicadas num
recipiente metálico contendo um solvente especial e aplicarmos
um ultrassom de alta potência ocorre um fenômeno de grande
utilidade. As vibrações ultrassônicas fazem aparecer bolhas
microscópicas nas cavidades em que se acumula a sujeira,
expulsando-a com facilidade.
166
NEWTON C. BRAGA
Este fenômeno, denominado "cavitação", possibilita a

realização de limpezas profundas em peças de pequenas
dimensões ou muito delicadas. Para essa finalidade existem
aparelhos especiais que usam esta tecnologia, como o mostrado
na figura 10 e que podem ser encontrados em oficinas
especializadas.
Figura 10 – Limpeza ultrassônica
Na medicina temos equipamentos que são capazes de

formar uma imagem de órgãos de nosso corpo, com a diferença
de que os ultrassons não causam dano algum aos tecidos, o que
não ocorre com os raios X.
Citamos também os estetoscópios ultrassônicos que nada
mais são do que aparelhos que convertem vibrações de
frequências mais altas em vibrações de mesmo padrão, mas de
frequência mais baixa. Desta forma, os batimentos cardíacos do
feto, que ocorrem em frequências inaudíveis para nós, se tornam
perfeitamente audíveis com um aparelho deste tipo, conforme
mostra a figura 11.
167
– Volume 9
Figura 11 – Ultrassom de uso médico
Um conversor deste tipo, de grande sensibilidade pode

servir ao explorador da natureza para ouvir insetos e animais
maiores que produzam sinais na faixa que não podemos ouvir
normalmente, convertendo-os para uma frequência mais baixa.
Este mesmo tipo de aparelho também pode ser usado por um
técnico para detectar vibrações anormais numa máquina que não
esteja funcionando corretamente.
Também podemos citar sistemas de alarmes que detectam
a passagem de pessoas pela interrupção de uma emissão
ultrassônica. Uma aplicação muito importante, que imita os
animais, no caso o morcego, é o Sonar.
Operando numa frequência acima de 40 kHz, o sonar
emite ultrassons usando um transdutor especial. Estes ultrassons
se propagam pela água e refletem tanto no fundo como em
objetos e animais (peixes, por exemplo). O resultado disso é a
produção de um ou mais ecos, conforme mostra a figura 12.
168
NEWTON C. BRAGA
Figura 12 – O sonar ou ecobatímetro
Nos aparelhos mais simples, apenas o eco mais forte que

corresponde ao fundo é considerado e há a indicação da
profundidade pelo tempo que o ultrassom demora para ir e voltar.
Nos aparelhos mais sofisticados é formada uma imagem
que considera todos os ecos e assim pode ser visualizada a
presença de um cardume. Os barcos de pescas mais bem
equipados possuem tais sonares que são capazes de detectar
onde está o cardume que se visa capturar, conforme mostra a
figura 13.
169
– Volume 9
Figura 13 – Detecção de cardumes
CONCLUSÃO
As aplicações que vimos são apenas algumas das muitas
possíveis para os ultrassons. Em nosso site temos projetos com
este tipo de vibração como por exemplo detectores, alarmes,
aparelhos para escutar o inaudível, emissores com a finalidade de
espantar animais etc. O importante para o leitor é saber o que é o
ultrassom e como ele pode ser usado.
170
NEWTON C. BRAGA
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Trata-se de mais um livro que certamente será importante

Nota importante: componentes

ANTENAS – COMO FUNCIONAM

Figura 1 – Tensão e corrente num dipolo.

Por esta figura vemos que se as dimensões da antena

1 - Em algumas publicações técnicas antigas encontramos

Figura 2 – Uma antena unidirecional transmite (ou recebe) os sinais de

Se uma antena consegue concentrar duas vezes mais

G(dB) = 10 log (P1/P2)

Podemos dar como exemplo uma antena que irradia 20 W

Para uma antena receptora a comparação é feita entre a

Figura 3 – Diagrama de ganhos de uma antena direcional.

Observe que este diagrama mostra alguns lóbulos

Figura 4 – A diretividade de uma antena é a capacidade dela concentrar os

Observe que nesta representação não temos a indicação

Figura 5 – Relação frente/costas de uma antena

Figura 6 – Polarização vertical de uma antena

Existem diversos tipos de polarização possíveis além da

melhorar o desempenho de uma antena, aumentando sua

Figura 7 – Os elementos de uma antena.

Na antena mostrada na figura 7 temos 4 elementos

DIPOLO DE MEIA ONDA

Figura 8 – Diagrama de diretividade de um dipolo de meia onda.

Conforme podemos ver, ela irradia com a mesma

sua impedância é de 300 ohms. Este tipo de antena é bastante

Figura 9 – Dipolo dobrado

A distância d que separa os elementos condutores

Figura 12 – Antena helicoidal

O espaçamento entre as espiras (s) deve ser de ¼ do

Figura 13 – Uma antena básica plano-terra.

A altura (a) do elemento central corresponde a ¼ do

O TELÉGRAFO E O CÓDIGO MORSE

Figura 1- Um transmissor de onda contínua (CW)

Na figura 2 mostramos um manipulador telegráfico.

Figura 2 - Manipulador telegráfico antigo.

Os primeiros tipos de transmissores sem fio e mesmo as

A modalidade de transmissão que usa este tipo de

TELEGRAFIA HOJE E O SOS

Dizemos então que a quantidade de bits por segundo ou

QUANDO BAUD E BPS SÃO DIFERENTES

Veja então que, com 2 bauds na verdade podemos

Jean Maurice Émile Baudot – 1845 - 1903

Para tudo existe um limite. As curvas que tratam da

A Infoera, livro em que o autor analisa as tendências da tecnologia para o

Para o caso da eletrônica dos semicondutores, base dos

Figura 2 - gráfico mostrando a evolução da quantidade de componentes por

DO TRANSISTOR AO CIRCUITO INTEGRADO

Figura 3 - Foto do primeiro transistor - Cortesia Bell Labs

Foi a partir de 1950, entretanto, que ocorreu um

Figura 4 - Jack Kilby, inventor do circuito integrado - Foto Texas

O advento do CI significou uma quebra de barreiras

O primeiro transistor planar apareceu em 1959, seguido

figura 6 - sequência de etapas no processo de fabricação de um transistor

É claro que os processos evoluíram muito a partir de então

AS OBSERVAÇÕES DE GORDON MOORE

a) O tamanho das pastilhas estava crescendo numa taxa

Com essa revisão, segundo Moore, a taxa de aumento da

(Circuitos por Chip) = 2(ano-1975)/1,5

Em 1995, Moore fez uma comparação de suas previsões

As observações tinham se baseado na evolução dos