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Universidade Federal de Campina Grande

Centro de Engenharia Elétrica e Informática


Departamento de Engenharia Elétrica

Carolyn Vieira Turnell

Projeto de um Potenciostato Microcontrolado

Campina Grande, Paraíba


Julho 2014
Carolyn Vieira Turnell

Projeto de um Potenciostato Microcontrolado

Trabalho de Conclusão de Curso submetido à


Unidade Acadêmica de Engenharia Elétrica
da Universidade Federal de Campina Grande
como parte dos requisitos necessários para a
obtenção do grau de Bacharel em Ciências no
Domínio da Engenharia Elétrica.

Área de Concentração: Instrumentação Eletrônica

Orientador: Marcos Ricardo Alcântara Morais, Dr.

Campina Grande, Paraíba


Julho 2014
Carolyn Vieira Turnell

Projeto de um Potenciostato Microcontrolado

Trabalho de Conclusão de Curso submetido à


Unidade Acadêmica de Engenharia Elétrica
da Universidade Federal de Campina Grande
como parte dos requisitos necessários para a
obtenção do grau de Bacharel em Ciências no
Domínio da Engenharia Elétrica.

Carolyn Vieira Turnell


Aluna

Marcos Ricardo Alcântara Morais, Dr.


Orientador

Alexandre Cunha Oliveira, Dr.


Convidado

Campina Grande, Paraíba


Julho 2014
Este trabalho é dedicado a todos que desejam fazer desse um mundo melhor.
Agradecimentos

Aos meus pais, irmãos e sobrinhos pelo carinho. A Jamilly, Renata, Luísa e a todos
os meus amigos do 2007.1. A Marcos Morais, meu orientador, pelas suas ideias e ajuda
dedicada à elaboração deste trabalho. Ao professor Gutemberg, por ter me incentivado a
gostar de eletrônica. A Simões, Eddy, Mônica, Manuella, Flávia e a todos os amigos que
conheci durante o intercâmbio. A Tina, Fênia, Ratatá e Hannah Mariana.
“Viva como se fosse morrer amanhã.
Aprenda como se fosse viver para sempre.”
- Mahatma Gandhi
Resumo
Existe uma grande variedade de técnicas eletroquímicas que, basicamente, se fundamen-
tam na medida da corrente ou tensão que se desenvolve, ao se submeter uma dada espécie
a uma varredura de potencial elétrico ou de corrente.

Estas técnicas requerem um gerador de função para produzir o sinal de excitação, um


potenciostato / galvanostato para aplicá-lo, um conversor corrente / tensão ou tensão /
corrente e um registrador. Os três primeiros componentes podem ser encontrados integra-
dos em um só equipamento e controlados por um microcontrolador.

O objetivo deste trabalho é construir um potenciostato / galvanostato de baixo custo,


baseado em ampliĄcadores operacionais e controlado por software, utilizando para tal,
um sistema de aquisição de dados através do microcontrolador STM32F4.

Palavras-chaves: Potenciostato, Galvanostato, Microcontrolador, AmpliĄcadores Ope-


racionais, STM32F4.
Abstract
A variety of Electrochemical techniques are based on the measurement of the resulting
current or voltage of a species submitted to an electric potential or current scan.

These techniques require a function generator to produce the excitation signal, one poten-
tiostat / galvanostat to apply it, a current to voltage converter and a recorder. The Ąrst
three components can be integrated in a single equipment, controlled by a microcontroller.

The main purpose of this project is to build a low-cost, software-controlled potentiostat /


galvanostat based on operational ampliĄers, using an STM32F4 microcontroller as a data
acquisition system.

Key-words: Potentiostat, Galvanostat, Microcontroller, Operational AmpliĄers, STM32F4.


Lista de ilustrações

Figura 1 Ű Técnicas de eletroquímica interfacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16


Figura 2 Ű Esquema eletrônico simpliĄcado de um potenciostato . . . . . . . . . . 17
Figura 3 Ű Escala de potencial de alguns eletrodos de referência comumente utili-
zados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Figura 4 Ű Vista esquemática da conĄguração com dois eletrodos . . . . . . . . . . 20
Figura 5 Ű Vista esquemática da conĄguração com três eletrodos . . . . . . . . . . 20
Figura 6 Ű Vista esquemática da conĄguração com quatro eletrodos . . . . . . . . 21
Figura 7 Ű Esquema eletrônico simpliĄcado de um potenciostato . . . . . . . . . . 22
Figura 8 Ű Método de medição de corrente usando-se um resistor shunt . . . . . . 24
Figura 9 Ű Método de medição de corrente usando-se um ampliĄcador de transim-
pedância . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Figura 10 Ű Sensoriamento de corrente a) Low-Side e b) High-Side . . . . . . . . . 25
Figura 11 Ű Curva de descarga de duas baterias de NiMH (8,4 V - 250 mAh) em
série, obtida com a varredura de corrente de 0 mA a 150 mA, com a
taxa de 1 mA/s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Figura 12 Ű Curva do potencial de carga / descarga no tempo de duas baterias de
NiMH (8,4 V - 250 mAh) em série (corrente de carga: 100 mA, linha
azul / corrente de descarga: -100 mA, linha vermelha . . . . . . . . . . 29
Figura 13 Ű Curva da corrente de carga / descarga no tempo de duas baterias de
NiMH (8,4 V - 250 mAh) em série (corrente de carga: 100 mA, linha
azul / corrente de descarga: -100 mA, linha vermelha . . . . . . . . . . 30
Figura 14 Ű Diagrama simpliĄcado do potenciostato/galvanostato . . . . . . . . . . 31
Figura 15 Ű Diagrama esquemático do ampliĄcador de controle usando o ampli-
Ącador operacional OPA561, realimentado com um dos três sinais:
ADC_Vcell (tensão da cela), ADC_LIcell (corrente da cela < 1 mA)
ou ADC_HIcell (corrente da cela > 1 mA) . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Figura 16 Ű Medição de correntes acima de 1 mA usando o ampliĄcador de instru-
mentação ISL28534 e um resistor shunt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Figura 17 Ű Resistor Shunt com Quatro Terminais Caddock . . . . . . . . . . . . . 38
Figura 18 Ű Medição de correntes abaixo de 1 mA usando o ampliĄcador de tran-
simpedância OPA381 com quatro conĄgurações de ganho . . . . . . . . 39
Figura 19 Ű Faixas de Corrente para as ConĄgurações de Ganho . . . . . . . . . . . 40
Figura 20 Ű Diagrama esquemático do eletrômetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Figura 21 Ű Diagrama Esquemático do buffer de entrada do conversor A/D . . . . . 45
Figura 22 Ű Diagrama Esquemático do buffer de saída do conversor D/A . . . . . . 46
Figura 23 Ű Legenda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Figura 24 Ű Método de medição de corrente usando-se um ampliĄcador de transim-
pedância . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Figura 25 Ű Janela 1 da Interface GráĄca EC-Lab . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Figura 26 Ű Janela 2 da Interface GráĄca EC-Lab . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Figura 27 Ű Janela 3 da Interface GráĄca EC-Lab . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Figura 28 Ű Janela 4 da Interface GráĄca EC-Lab . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Figura 29 Ű Lista de Materiais do Circuito do Potenciostato/Galvanostato . . . . . 64

Lista de tabelas

Tabela 1 Ű Tensões de saída do OPA561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34


Tabela 2 Ű Faixa de corrente medida em cada conĄguração do conversor I/V . . . 40
Tabela 3 Ű Sinais digitais do circuito do potenciostato/galvanostato . . . . . . . . 47
Lista de abreviaturas e siglas

UFCG Universidade Federal de Campina Grande

LBIO Laboratório de Bio-sensores

CI Circuito Integrado

RAM Random-access memory

USB Universal Serial Bus

OTG On-The-Go

ESD Electrostatic Discharge

PGIA AmpliĄcador de Instrumentação com Ganho Programável

SPST Single-Pole, Single-Throw

SPDT Single-Pole, Double-Throw

SP3T Single-Pole, Triple-Throw

BOM Bill of Materials

E/S Entradas/Saídas

PC Computador Pessoal

A/D Analógico/Digital

D/A Digital/Analógico

GPIO General Purpose Input Output

JTAG Joint Test Action Group


Sumário

1 INTRODUÇÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1 Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2 Especificações . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1 Introdução às Técnicas de Eletroquímica Interfacial . . . . . . . . . . 15
2.2 Instrumentação Eletroquímica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2.1 O Potenciostato/Galvanostato . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2.2 Tipos de Eletrodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.2.3 Configurações da cela . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.2.3.1 Configuração com 2 Eletrodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.2.3.2 Configuração com 3 Eletrodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2.3.3 Configuração com 4 Eletrodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.2.4 Circuito Simplificado do Potenciostato / Galvanostato . . . . . . . . . . . 21
2.2.4.1 Princípio de Funcionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.2.4.2 O Amplificador de Controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.2.4.3 O Eletrômetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.2.4.4 O Conversor I/V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.3 Caracterização de Baterias usando um Potenciostato / Galvanostato 26

3 DESIGN DO CIRCUITO POTENCIOSTÁTICO/GALVANOSTÁTICO 31


3.1 Teoria de Operação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.2 O Amplificador de Controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.3 O Conversor I/V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.3.1 Configuração Shunt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.3.1.1 Escolha do Resistor Shunt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.3.2 Configuração com Realimentação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.3.3 Faixa de Corrente Medida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3.3.1 Escolha do Sinal de Referência Vref . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.4 O Eletrômetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.5 Relés de Controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.5.1 Controlador dos Relés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.6 Conexões do Microcontrolador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.6.1 O Microcontrolador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.6.2 Interface Analógica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.6.2.1 Conversor A/D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
SUMÁRIO 12

3.6.2.2 Conversor D/A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45


3.6.3 Entradas e Saídas Digitais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.6.4 O Programador do Microcontrolador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.6.5 Interface USB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.7 A Fonte de Alimentação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

4 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS DE SOFTWARE E FIRMWARE . . 51


4.0.1 A Comunicação USB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.0.2 A Interface Gráfica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

5 CONCLUSÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.1 Considerações e Trabalhos Futuros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

Referências . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

APÊNDICES 57

APÊNDICE A – DIAGRAMA ESQUEMÁTICO DO POTENCIOS-


TATO/GALVANOSTATO . . . . . . . . . . . . . . 58

APÊNDICE B – LISTA DE MATERIAIS . . . . . . . . . . . . . . . 64


13

1 Introdução

Nos laboratórios modernos de eletroquímica e corrosão um equipamento de uso


indispensável na identiĄcação de processos que ocorrem numa interface é o potenciostato
/ galvanostato. Este equipamento permite, dentre outras coisas, obter as curvas caracte-
rísticas de carga e descarga de baterias (curva corrente-potencial) necessárias ao estudo
dos processos que ocorrem na interface eletrodo-eletrólito.
Até então, estes equipamentos eram necessariamente importados a um custo de
vários milhares de dólares. A aquisição recente de um potenciostato de baixa potência
não atende a todas as necessidades do Laboratório de Bio-sensores (LBIO) da UFCG.
Devido aos projetos atuais realizados em parceria com a empresa de baterias
Moura, o laboratório decidiu investir no projeto de um potenciostato / galvanostato su-
Ącientemente preciso e potente para permitir a realização de testes de caracterização em
baterias elétricas.
O instrumento deve seguir especiĄcações similares aos equipamentos produzidos
no exterior e deveria, dentro do possível, utilizar componentes facilmente encontráveis no
mercado.
Neste documento será descrito o circuito eletrônico do equipamento proposto, com
algumas sugestões de implementação para desenvolvimentos futuros.

1.1 Objetivos
O objetivo deste trabalho é construir um potenciostato/galvanostato usando-se o
microcontrolador STM32F4, de STMicroelectronics.
Em primeiro lugar, o circuito eletrônico do instrumento deverá ser confeccionado.
Este circuito permitirá a geração e aquisição dos sinais correspondentes na cela eletroquí-
mica.
Em segundo lugar, o microcontrolador deverá ser integrado ao sistema, funcio-
nando como um sistema de aquisição de dados. A programação do firmware deverá ser
realizada, estabelecendo-se um canal de comunicação entre o microcontrolador e o PC,
para que o usuário possa controlar o sinal gerado pela placa e também visualizar os
resultados obtidos.
Em último lugar, uma interface gráĄca (GUI, do inglês "Graphical Interface") de
fácil utilização deverá ser programada no PC, para que o usuário possa controlar os
parâmetros dos testes e visualizar os resultados obtidos.
Capítulo 1. Introdução 14

Algumas funções especiais poderão ser integradas na interface gráĄca, para auxiliar
o usuário na compreensão dos resultados (cálculos de máximo e mínimo das curvas, ajuste
de curvas, etc.).
Dentre estas etapas do projeto do instrumento, este trabalho objetivou desenvolver
o circuito do instrumento, a ser controlado pelo STM32F4.

1.2 Especificações
As especiĄcações para o circuito do potenciostato são:

• Faixa de tensão lida/aplicada à cela de 0 a 3 V;

• Resolução da tensão aplicada inferior a 10 mV;

• Faixa de corrente lida/aplica à cela de 1 µA a 1 A.

O instrumento será usado para caracterização de celas eletroquímicas de uso geral,


incluindo baterias (fabricadas pela empresa Moura).
O instrumento deverá ser capaz de aplicar as técnicas de eletroquímica interfacial
essenciais à cela (potenciometria, amperometria e voltametria cíclica). Além disso, deverá
ser capaz de realizar a técnica de medição de impedância.
O projeto foi desenvolvido usando-se o microcontrolador STM32F4, da STMicro-
electronics.
Os fornecedores dos componentes eletrônicos serão limitados aos fornecedores na-
cionais e o (NEWARK, 2014), EUA.
O orçamento para a compra do material eletrônico necessário à construção do
instrumento foi limitado a $1000 (dólares americanos).
15

2 Fundamentação Teórica

2.1 Introdução às Técnicas de Eletroquímica Interfacial


Os métodos eletroanalíticos fazem uso de propriedades elétricas mensuráveis (cor-
rente elétrica, diferenças de potencial, acúmulo interfacial de carga, entre outros) a partir
de fenômenos nos quais uma espécie redox interage física e/ou quimicamente com demais
componentes do meio, ou mesmo com interfaces. Tais interações são observadas quando
se aplicam perturbações controladas ao sistema, como, por exemplo, uma diferença de
potencial entre eletrodos de uma cela eletroquímica. Essas medidas (chamadas de sinais
eletroanalíticos) podem, então, ser relacionadas com algum parâmetro químico intrínseco
da espécie. (PACHECO et al., 2013) Uma gama variada de técnicas eletroanalíticas tem
sido utilizada para várias aplicações, entre elas o monitoramento ambiental, o controle de
qualidade de produtos e processos industriais e as análises biomédicas.
As técnicas de Eletroquímica Interfacial fornecem uma visão detalhada das ca-
racterísticas elétricas da interface eletrodo/solução, e estas informações são de grande
interesse na eletroquímica aplicada ou básica. Estas técnicas são de caracterização elé-
trica, e permitem estudar o comportamento geral de um sistema quando um número
grande de processos inter-relacionados ocorre em diferentes velocidades. Atualmente, elas
são utilizadas em ampla gama de estudos, abrangendo desde o transporte eletrônico em
dispositivos semicondutores até o estudo de processos cinéticos eletroquímicos das mais
diferentes naturezas. Processos que ocorrem em baterias de íons lítio, celas fotovoltaicas,
sistemas de corrosão e/ou processos eletrocatalíticos se encaixam nesta categoria.
Frequentemente, a escolha da técnica depende dos objetivos experimentais, seja
para estabelecer um mecanismo de reação (i.e., testar um modelo) ou para determinar os
parâmetros cinéticos de um mecanismo previamente estabelecido ou conhecido.
Na Figura 1 é ilustrada uma versão da árvore de família destacando as condições
experimentais, os sinais analíticos e as técnicas eletroquímicas correspondentes. Dentre
as condições experimentais que estão sob controle do usuário estão a aplicação de um
potencial ou corrente, e a escolha de se utilizar ou não um misturador.
No primeiro nível, as técnicas eletroquímicas interfaciais são classiĄcadas em téc-
nicas estáticas e técnicas dinâmicas. Na técnica estática não é permitida a passagem de
corrente na solução analítica. A potenciometria, em que o potencial de uma cela ele-
troquímica em condições estáticas é medido, constitui um dos métodos eletroquímicos
quantitativos mais importantes.
Nas técnicas dinâmicas, por outro lado, é permitido que uma corrente circule
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 16

Figura 1 Ű Técnicas de eletroquímica interfacial

Fonte: David Harvey (HARVEY, 2014)

através da solução analítica. Estas compreendem o maior grupo de técnicas eletroquímicas


interfaciais. A coulometria mede a corrente como uma função do tempo, e a amperometria
e voltametria medem a corrente em função de um potencial Ąxo ou variável.
A voltametria é uma técnica eletroanalítica que se baseia nos fenômenos que ocor-
rem na interface entre a superfície do eletrodo de trabalho e a camada Ąna de solução
adjacente a essa superfície. Essa técnica é classiĄcada como dinâmica, pois a cela ele-
troquímica é operada na presença de corrente elétrica (i > 0) que, por sua vez, é medida
em função da aplicação controlada de um potencial (PACHECO et al., 2013). Assim, nessa
técnica, as informações sobre o analito são obtidas por meio da medição da magnitude da
corrente elétrica que surge entre o eletrodo de trabalho e o eletrodo auxiliar ao se aplicar
uma diferença de potencial entre o eletrodo de trabalho e o eletrodo de referência.
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 17

2.2 Instrumentação Eletroquímica


2.2.1 O Potenciostato/Galvanostato
Um potenciostato Figura 2 é um dispositivo eletrônico que controla a diferença
de potencial elétrico entre o eletrodo de trabalho e o eletrodo de referência presentes em
uma célula eletroquímica.
Uma célula eletroquímica é um dispositivo usado para criar uma força electromo-
triz em um condutor que separa duas reações. A corrente é provocada por reações que
libertam e aceitam elétrons nas extremidades do condutor. O exemplo mais comum de
célula eletroquímica é uma simples pilha de 1,5 volts.
Ao realizar este controle, o potenciostato atua como um catalisador ou inibidor de
reações eletroquímicas, ou seja, com um equipamento destes é possível controlar, através
do potencial elétrico, estas reações.

Figura 2 Ű Esquema eletrônico simpliĄcado de um potenciostato

Fonte: (POTENCIOSTATO, 2014)

Para controlar reações eletroquímicas o potenciostato deve controlar o potencial


elétrico do eletrodo de trabalho em relação ao eletrodo de referência. O equipamento
mantém o potencial estável controlando a corrente elétrica que circula através da cela
eletroquímica, entre o eletrodo de trabalho e um eletrodo auxiliar, conhecido como contra-
eletrodo.
O potenciostato pode também ser utilizado como galvanostato (sistema que con-
trola Ćuxo de cargas eléctricas ou correntes). Neste caso ao invés de aplicar um potencial
ao electrodo de trabalho, tem-se um potencial resultante da passagem de uma corrente
controlada na cela.
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 18

2.2.2 Tipos de Eletrodos


O contra-eletrodo (CE), também conhecido como eletrodo auxiliar, é um eletrodo
que é utilizado para fechar o circuito da corrente na cela eletroquímica. Geralmente é
feito de um material inerte (por exemplo, Pt, Au, graĄte, carbono vítreo) e no geral não
participa da reação eletroquímica. Como a corrente Ćui entre os eletrodos WE e CE, a área
de superfície total do CE, usada como fonte ou dreno de eléctrons, deve ser maior do que
a área do WE para que não seja um fator limitante na cinética do processo eletroquímico
sob investigação.
O eletrodo de trabalho (WE, do inglês "Working Electrode") é o eletrodo de um
sistema eletroquímico onde ocorre a reação de interesse. Eletrodos de trabalho são co-
mumente feitos de materiais inertes, tais como Au, Ag, Pt, carbono vítreo, Ąlmes de Hg,
etc. Para aplicações de corrosão, o material do eletrodo de trabalho é o próprio material
sob investigação, que corrói durante o experimento. O tamanho e a forma do eletrodo de
trabalho também varia e depende da aplicação (AUTOLAB. . . , 2011).
O eletrodo de referência (RE) é um eletrodo que apresenta um potencial estável
e conhecido, e é utilizado como um ponto de referência na cela eletroquímica para o
controle e a medição do potencial. A estabilidade elevada do potencial do eletrodo de
referência é geralmente obtida empregando-se um sistema redox (reações de redução-
oxidação ou oxirredução), com concentrações constantes (isoladas ou saturadas) de cada
um dos participantes da reação redox. Além disso, o Ćuxo de corrente através do eletrodo
de referência é mantido perto de zero, sendo igual a zero, no caso ideal. Isto é conseguido
através da utilização do eletrodo CE para fechar o circuito de corrente na cela, juntamente
com a alta impedância de entrada do electrômetro (> 100 GOhm).
Na Figura 3 é ilustrada uma escala contendo o potencial elétrico de alguns mate-
riais comumente utilizados para fabricar eletrodos de referência.
Na teoria, qualquer material condutor pode ser utilizado como um eletrodo de
referência, mas na medida em que as medições são reportadas para serem comparadas
com outros sistemas, a utilização de um referencial não padronizado exige experimentação
e explicação adicional.

2.2.3 Configurações da cela


As celas eletroquímicas utilizadas em voltametria podem ser compostas por dois,
três ou mesmo quatro eletrodos. Nesta seção serão apresentados os três tipos de conĄgu-
ração utilizados na eletroquímica e suas aplicações.
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 19

Figura 3 Ű Escala de potencial de alguns eletrodos de referência comumente utilizados

Fonte: (AUTOLAB. . . , 2011)

2.2.3.1 Configuração com 2 Eletrodos

Em uma conĄguração de cela com dois eletrodos (ver Figura 4), CE e RE são
curto-circuitados em um dos eléctrodos, enquanto WE e S (Sense) são curto-circuitados
no eletrodo oposto. Nesta conĄguração, mede-se o potencial através da cela inteira. Isto in-
clui as contribuições da interface CE/eletrólito e o próprio eletrólito. Logo, a conĄguração
de dois eletrodos pode ser utilizada sempre que o controle preciso da interface eletroquí-
mica do WE não é crítico e o comportamento da cela inteira está sob investigação. Esta
conĄguração é tipicamente utilizada com dispositivos de conversão ou armazenamento
de energia, como baterias, celas de combustível, painéis fotovoltaicos etc ... É também
usada em medições de processos com dinâmica ultra-rápida ou ainda em medições de
impedância eletroquímica a frequências elevadas (> 100 kHz).
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 20

Figura 4 Ű Vista esquemática da conĄguração com dois eletrodos

Fonte: (AUTOLAB. . . , 2011)

2.2.3.2 Configuração com 3 Eletrodos

A conĄguração da cela com três eletrodos (ver Figura 5) é a mais comumente


utilizada. Neste caso, a corrente Ćui entre o CE e o WE. A diferença de potencial é
controlada entre o CE e o WE, e medida entre o S e o RE (mantido próximo do WE).
Como o WE é ligado com S e o WE é ligado a um "pseudo terra"(potencial Ąxo e estável),
a diferença de potencial entre o RE e o WE é controlada continuamente, controlando-se
a polarização do CE.

Figura 5 Ű Vista esquemática da conĄguração com três eletrodos

Fonte: (AUTOLAB. . . , 2011)

Em geral, a diferença de potencial entre o WE e o CE não é medida. Esta tensão é


aplicada pelo ampliĄcador de controle e é limitada pela compliance voltage do instrumento.
Esta última é ajustada de modo que a diferença de potencial entre o RE e WE seja igual à
diferença de potencial especiĄcada pelo usuário. Esta conĄguração permite que o potencial
através da interface eletroquímica no WE seja controlado em relação ao RE.
Para diminuir as perdas ôhmicas devido à existência de uma solução residual entre
o RE e o WE (chamada de resistência descompensada), um capilar denominado Luggin-
Haber (ou apenas Luggin) pode ser utilizado para trazer a extremidade do RE tão próxima
quanto possível da superfície do WE (ver Figura 5). Como a corrente de fuga que Ćui pelo
eletrodo de referência é muito pequena (tipicamente da ordem de alguns pA), a queda de
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 21

tensão através do capilar é muito pequena, garantindo que a sua extremidade esteja a um
potencial muito próximo do potencial do RE.

2.2.3.3 Configuração com 4 Eletrodos

A conĄguração da cela com quatro eletrodos (ver Figura 6) é usada para aplicações
nas quais deve-se medir a diferença de potencial entre RE e S, causada pela passagem
de uma corrente através de uma interface bem deĄnida (entre WE e CE). Este tipo de
conĄguração experimental não é muito comum em eletroquímica e é geralmente usada
para medir potenciais de junção através de uma membrana, dando a possibilidade de
calcular a resistência da interface e a condutividade da membrana (AUTOLAB. . . , 2011).

Figura 6 Ű Vista esquemática da conĄguração com quatro eletrodos

Fonte: (AUTOLAB. . . , 2011)

2.2.4 Circuito Simplificado do Potenciostato / Galvanostato


Nesta seção será descrito o princípio de funcionamento do potenciostato, assim
como os blocos funcionais do circuito do instrumento.

2.2.4.1 Princípio de Funcionamento

Para melhor compreensão, o circuito do potenciostato pode ser subdividido em


três blocos funcionais, como descrito em (GAMRY. . . , 2014):

• AmpliĄcador de Controle

• Eletrômetro

• Conversor I/V

Estes blocos são ilustrados na Figura 7 e serão descritos nas seções a seguir.
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 22

Figura 7 Ű Esquema eletrônico simpliĄcado de um potenciostato

Fonte: (GAMRY. . . , 2014)

2.2.4.2 O Amplificador de Controle

O ampliĄcador de controle é um ampliĄcador servo. Ele compara o valor medido da


tensão com a tensão de entrada desejada e controla a corrente através da cela de maneira
a igualar estas tensões.
A tensão medida é conectada à entrada negativa do ampliĄcador de controle.
Uma perturbação positiva na tensão medida cria uma saída de controle negativa. Esta
saída negativa equilibra a perturbação inicial. Esta lógica de controle é conhecida como
realimentação negativa.
O sinal de realimentação do potenciostato é igual à medida da tensão da cela,
extraído da saída do eletrômetro. No caso do galvanostato, em que se deseja controlar a
corrente da cela ao invés da tensão, a entrada negativa é conectada à saída do amperímetro.
Em condições normais de operação, a tensão da cela é controlada de forma a
igualar à tensão de entrada.
A capacidade (tensão e corrente) da saída do ampliĄcador de controle é limitada
e determina a potência máxima fornecida à cela.

2.2.4.3 O Eletrômetro

Mede a tensão entre o eletrodo de referência e o eletrodo de trabalho. A sua saída


realiza duas funções: fornece o sinal de realimentação para o circuito do potenciostato e
a leitura da tensão da cela quando desejado.
Um eletrômetro ideal possui corrente de entrada nula e impedância de entrada
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 23

inĄnita. Se existir uma corrente circulante através do eletrodo de referência, seu potencial
será modiĄcado. Na prática, todos os eletrodos modernos possuem correntes de entrada
muito próximas de zero, de forma que seu efeito pode ser desprezado.
Duas características importantes do eletrômetro são sua largura de banda e sua
capacitância de entrada. A capacitância de entrada do eletrômetro e a resistência do
eletrodo de referência formam um Ąltro RC. Se a constante de tempo deste Ąltro for muito
grande, ele pode limitar a largura de banda efetiva do eletrômetro e causar instabilidades
no sistema. Uma capacitância de entrada reduzida resulta em uma maior estabilidade de
operação e uma tolerância maior para eletrodos de referência com maior impedância.

2.2.4.4 O Conversor I/V

O conversor I/V no esquemático da Figura 8 mede a corrente da cela. Ele força


a corrente a circular através de um resistor shunt Rm. A queda de tensão neste resistor
fornece a medida para a corrente da cela.
Em alguns experimentos, a corrente da cela não varia muito. Em outros, como o
experimento de corrosão, a corrente pode variar em até sete ordens de grandeza. A corrente
não pode ser medida em toda a sua faixa de operação com um único resistor Ąxo. Uma
quantidade variável de resistores Rm pode ser chaveada no circuito do conversor I/V,
controlado por um PC. Isto permite a medição de correntes variáveis, com cada faixa de
medição usando um valor de resistência apropriado.
A largura de banda do conversor I/V depende fortemente de sua sensibilidade.
A medição de pequenas correntes exige um Rm com resistência elevada. A capacitância
parasita do conversor I/V juntamente com o resistor Rm formam um Ąltro RC, que limita
a largura de banda do conversor. Nenhum potenciostato pode realizar medidas na faixa de
10 nA a 100 kHz com precisão, pois a largura de banda nesta faixa de frequência é muito
pequena para se medir uma frequência de 100 kHz. Este efeito torna-se muito importante
nas medições de impedância.
Existem várias conĄgurações possíveis para medição de baixas correntes. A maioria
das aplicações de instrumentação atualmente usa um dos dois métodos conhecidos: a
medição via utilização de um shunt ou a medição de corrente com realimentação, usando-
se um ampliĄcador de transimpedância (SCHREIER, 2011).
O sensoriamento de corrente com shunt (ver Figura 8) faz medições de tensão
através de um resistor shunt de resistência conhecida.
Neste método, usa-se valores de ��ℎ��� para minimizar a queda de tensão através do
resistor. Apesar desta queda de tensão ser pequena, ela pode causar um impacto negativo
no circuito sob teste.
Esta queda de tensão é denominada tensão burden e o erro gerado é o produto da
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 24

Figura 8 Ű Método de medição de corrente usando-se um resistor shunt

Fonte: (SCHREIER, 2011)

corrente pelo valor da resistência usada. Se a resistência do shunt for grande em relação à
resistência do circuito medido, a tensão de burden causa erros de medição consideráveis.
A corrente medida é calculada usando-se a Equação 2.1:

(�carga − �burden )
�carga,shunt = (2.1)
�carga

O erro de medição é igual a:

�burden
�% = 100 × (2.2)
�carga

A medição usando o método de transimpedância (ver Figura 9) usa um resistor


na realimentação de um ampliĄcador operacional para converter a corrente de entrada
em uma tensão. O valor da tensão de saída é igual ao inverso da corrente de entrada
multiplicada pelo valor da resistência de realimentação, expressa na Equação 2.3:

�saída = −�realimentação × �carga (2.3)

A tensão de burden na conĄguração de transimpedância é bem menor que no


método shunt, sendo igual à tensão de ofset de entrada do ampliĄcador, geralmente na
faixa de 0,2 a 2 mV (SCHREIER, 2011). O erro resultante desta queda de tensão é menor
nesta conĄguração.
A capacitância de entrada do instrumento, multiplicada pelo valor da resistência
de entrada, resulta em uma constante de tempo RC. O tempo que cada medição leva para
ser efetuada é proporcional ao valor desta constante. No caso do medidor com transim-
pedância, a resistência de entrada é igual à resistência de realimentação, dividida pelo
ganho A do ampliĄcador. Como a tensão de burden na conĄguração de transimpedância
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 25

Figura 9 Ű Método de medição de corrente usando-se um ampliĄcador de transimpedân-


cia

Fonte: (SCHREIER, 2011)

é menor,o capacitor de entrada é carregado em menos tempo, e a tensão de leitura se


estabiliza em um tempo menor. Por esta razão esta conĄguração é mais rápida que o
método shunt.
Outro aspecto construtivo classiĄca a conĄguração do sensoriamento de corrente
com shunt em high-side (Figura 10-a) ou low-side (Figura 10-b).

Figura 10 Ű Sensoriamento de corrente a) Low-Side e b) High-Side

Fonte: (EVANCZUK, 2014)

No sensoriamento low-side, o conversor I/V é posicionado entre a carga e o terra. Já


no sensoriamento high-side, o conversor é posicionado ao lado da alimentação de controle
do circuito. O sensoriamento do lado do terra é mais simples, mas faz com que a carga
não tenha mais um de seus lados aterrados, o que pode causar problemas de segurança
além do que é mais sensível ao ruído capturado pela resistência shunt. O sensoriamento
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 26

do lado positivo da fonte (high-side) normalmente exige que o ampliĄcador diferencial


possua faixa de tensões em modo comum dentro da faixa de tensões de alimentação.
De acordo com (SCHREIER, 2011), o ampliĄcador de transimpedância deve ser
usado para medir correntes nas faixas de �, �� e ��. Para correntes maiores (acima de 10
mA), o método shunt apresenta vantagens em relação ao ampliĄcador de transimpedância.
O ampliĄcador de transimpedância é geralmente projetado para medir correntes
de até 10 mA. A partir deste valor, o método shunt pode usar resistências pequenas o
suĄciente para que o tempo de medição seja menor, se tornando a opção mais adequada,
segundo (SCHREIER, 2011).
No projeto do potenciostato realizado, os dois métodos foram empregados, de
forma a medir uma ampla faixa de correntes (de 50 nA até 1 A). O circuito de medição
de corrente será detalhado na seção 3.3.

2.3 Caracterização de Baterias usando um Potenciostato / Galva-


nostato
Uma bateria é constituída de dois metais diferentes, que são colocados em um meio
de transporte de íons (solução eletrolítica) entre eles, e cujos terminais são conectados fora
da solução.
Com a demanda crescente por energia portátil, as baterias estão se tornando cada
vez mais importantes. O aumento das exigências quanto ao desempenho das baterias
resulta na demanda por sistemas de teste com maior desempenho.
A tecnologia de baterias avançou muito rapidamente, especialmente nas duas úl-
timas décadas, mas estes dispositivos continuam sendo de natureza puramente eletroquí-
mica. Estudos eletroquímicos e potenciostatos são, portanto, fundamentais para a inves-
tigação das baterias.
Engenheiros de bateria são encarregados de produzir baterias com maior densidade
de energia a preços mais baixos, enquanto se concentram em questões de segurança. Além
disso, baterias recarregáveis acrescentam novos requisitos e testes adicionais de ciclo de
vida.
As pesquisas e testes de baterias são classiĄcadas em duas áreas distintas: a área
de desenvolvimento de materiais e a área de testes da cela completa. O desenvolvimento
de materiais usa técnicas químicas e analíticas próprias, incluindo técnicas eletroquímicas
como voltametria cíclica, para determinar quais materiais são mais adequados para a
construção das baterias. Os teste da cela completa, que inclui ciclos de carga / descarga
e espectroscopia de impedância, determinam quão bem os materiais trabalham juntos
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 27

(AUTOLAB. . . , 2011).
É de extrema importância saber as especiĄcações exatas ao se testar baterias ou
qualquer outro dispositivo de armazenamento de energia. Muitos parâmetros afetam a
capacidade de uma bateria, como o eletrólito, os materiais do eletrodo, e a temperatura.
Durante a sua fase de desenvolvimento, as baterias têm que passar por diferentes
testes de capacidade, janela de tensão, corrente nominal, impedância interna, corrente de
fuga, ciclo de vida, faixa de temperatura operacional, assim como vários testes de impacto
(GAMRY. . . , 2014).
Uma das etapas de caracterização de baterias consiste no levantamento das curvas
dos ciclos de carga e descarga. Estas medições podem ser realizadas de forma potencios-
tática ou galvanostática.
Três curvas características de uma associação de duas baterias de NiMH obtidas
com a utilização de um potenciostato / galvanostato (modelo PGSTAT302N) são ilustra-
das nas Figuras 11, 12 e 13. Na Figura 11 é ilustrada a curva característica de carga e
descarga, obtida com o instrumento no modo galvanostático. Este mesmo instrumento foi
utilizado para caracterizar os ciclos de carga e descarga da bateria, em modo potencios-
tático (Figura 12) e galvanostático (Figura 13).
Capítulo 2. Fundamentação Teórica 28

Figura 11 Ű Curva de descarga de duas baterias de NiMH (8,4 V - 250 mAh) em série,
obtida com a varredura de corrente de 0 mA a 150 mA, com a taxa de 1
mA/s

Fonte: (AUTOLAB. . . , 2011)


Capítulo 2. Fundamentação Teórica 29

Figura 12 Ű Curva do potencial de carga / descarga no tempo de duas baterias de NiMH


(8,4 V - 250 mAh) em série (corrente de carga: 100 mA, linha azul / corrente
de descarga: -100 mA, linha vermelha

Fonte: (AUTOLAB. . . , 2011)


Capítulo 2. Fundamentação Teórica 30

Figura 13 Ű Curva da corrente de carga / descarga no tempo de duas baterias de NiMH


(8,4 V - 250 mAh) em série (corrente de carga: 100 mA, linha azul / corrente
de descarga: -100 mA, linha vermelha

Fonte: (AUTOLAB. . . , 2011)


31

3 Design do Circuito Potenciostático/Galva-


nostático

No presente capítulo será descrito o circuito eletrônico projetado para o instru-


mento, cujo esquemático encontra-se em Apêndice A.

3.1 Teoria de Operação


O diagrama simpliĄcado do circuito do potenciostato/galvanostato é mostrado na
Figura 14.

Figura 14 Ű Diagrama simpliĄcado do potenciostato/galvanostato

No modo potenciostático, o instrumento irá controlar o potencial do eletrodo au-


xiliar (CE) em relação ao eletrodo de trabalho (WE) de tal forma que a diferença de
potencial entre o eletrodo de trabalho e o eletrodo de referência (RE) seja bem deĄnida,
e igual ao valor especiĄcado pelo usuário.
No modo galvanostático, a corrente que Ćui do eletrodo auxiliar para o eletrodo de
trabalho é controlada. A diferença de potencial entre os eletrodos RE e WE e a corrente
que Ćui de CE a WE é monitorada.
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 32

O valor especiĄcado pelo usuário (tensão ou corrente) é controlado de forma pre-


cisa no circuito, a qualquer instante, usando-se o mecanismo de realimentação negativa
apresentado no capítulo anterior.
Como pode ser visto no diagrama, o eletrodo CE é conectado à saída de um
ampliĄcador de controle. Este ampliĄcador força a passagem de uma corrente através da
cela. O valor desta corrente é medida usando-se um shunt ou um seguidor de corrente,
para correntes grandes e pequenas, respectivamente.
A diferença de potencial é medida por um ampliĄcador de instrumentação entre
os eletrodos WE e RE (Amp. Inst.).
As chaves SW1..SW3 selecionam o modo de operação do circuito. A chave SW1
conĄgura o circuito para o modo potenciostático. As chaves SW2 e SW3 conĄguram o
circuito para o modo galvanostático, com corrente inferior a 1 mA e superior a 1 mA,
respectivamente.
O sinal de realimentação e o sinal ��������� gerado pelo conversor D/A alimentam
o ponto de soma (Σ), que por sua vez alimenta a entrada negativa do ampliĄcador de
controle.
O desempenho do instrumento depende dos componentes utilizados no circuito,
principalmente dos ampliĄcadores operacionais. A maior parte deste trabalho foi dedicada
à escolha correta dos componentes eletrônicos, respeitando os critérios operacionais, de
custo, e em função da disponibilidade no revendedor (NEWARK, 2014).
O diagrama esquemático do circuito proposto encontra-se no Apêndice A e a lista
de materiais encontra-se no Apêndice B.

3.2 O Amplificador de Controle


Este ampliĄcador controla a corrente de saída (que circula na cela), de forma a
igualar o sinal de realimentação ao sinal de controle (ver Figura 15).
O ampliĄcador escolhido foi o (OPA561, 2014), da Texas Instruments. Esta escolha
deu-se pela sua capacidade de corrente de saída (até 1,2 A) e pela disponibilidade do CI
no laboratório.
Algumas das características do OPA561 são:

• Ganho de malha aberta (��� ) igual a 100 dB (100.000)

• Resistência de entrada de 1, 8 · 1011 Ω

• Fator de rejeição de modo comum (CMRR) mínimo de 70 dB, para tensão de modo
comum na faixa ��� = (�⊗ ) − 0.1� a (�+ ) − 3�
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 33

Figura 15 Ű Diagrama esquemático do ampliĄcador de controle usando o ampliĄcador


operacional OPA561, realimentado com um dos três sinais: ADC_Vcell (ten-
são da cela), ADC_LIcell (corrente da cela < 1 mA) ou ADC_HIcell (corrente
da cela > 1 mA)

• Controle para desativar a saída

• Limite de corrente ajustável

O alto ganho de malha aberta deste ampliĄcador é responsável pela ampliĄcação


principal do circuito. A resistência de entrada elevada é necessária pois a entrada do
ampliĄcador será usada como ponto de soma do sinal de realimentação e do sinal de
controle. Quanto maior a resistência de entrada, menor é o erro devido à carga resistiva
da fonte da tensão de controle (saída analógica do microcontrolador).
O fator CMRR deĄne a habilidade que o ampliĄcador tem de rejeitar os sinais
aplicados em modo comum nas duas entradas. O efeito da CMRR no sinal de saída do
ampliĄcador é dado por:

�cm
�saída = (�+ − �⊗ ) · �OL ± CM RR (3.1)
10 20

Onde ��� representa a tensão de modo comum nas entradas, igual a (V+ + V-)/2.
Neste caso, se a tensão de modo comum for igual a 9 V, o erro máximo na saída
será de:
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 34

9
�err,saída = ± 70 (3.2)
10 20
= ±2, 84�� (3.3)

A compliance voltage de um potenciostato é a tensão máxima que pode ser aplicada


ao contra-eletrodo, para que a tensão da cela eletroquímica possa ser controlada para o
valor desejado. Esta tensão é geralmente medida entre o contra-eletrodo e o eletrodo de
trabalho, e é especiĄcada pelos fabricantes na datasheet dos produtos.
Esta tensão depende da corrente e da tensão de saída do OPA561, que é especiĄ-
cada na Tabela 1 (extraído da datasheet (OPA561, 2014)):

Tabela 1 Ű Tensões de saída do OPA561

Características elétricas do OPA561 (datasheet, p.3)


Parâmetro Condição Min (V) Typ (V)
Tensão de saída positiva Io = 0,5 A (V+) - 1 (V+) - 0.7
Tensão de saída negativa Io = -0,5 A (V-) + 2 (V-) + 0.7
Tensão de saída positiva Io = 1 A (V+) - 1,5 (V+) - 1,2
Tensão de saída negativa Io = -1 A (V-) + 1,5 (V-) + 1,2

Da Tabela 1, obtém-se a compliance voltage resultante de > ±11� @ ± 0, 5� e de


> ±10, 5� @ ± 1� (V+ e V- são as tensões de alimentação do circuito, que valem +7,5
e -7,5 V).
Um resistor de 200�Ω entre o pino 4 (�� �� ) e (V-) limita a corrente de saída do
ampliĄcador a ±1�, para proteger o relé K5 (HE721A1210, 2014) contra sobrecorrentes,
cuja corrente nos contatos deve ser limitada a 1,2 A.
O estado do pino 8 (E/S: Enable/Status) será monitorado para determinar se o CI
entrou em modo de desligamento térmico, e será forçado para o nível baixo para desabilitar
a saída, desligando o potenciostato.
O pino de desligamento do OPA561 tem como referência a tensão de alimentação
negativa (V-), que vale -7,5 V. Para desligar o CI, o sinal lógico é ajustado usando-se um
acoplador ótico 4N38 para mudar a referência para o terra para que possa ser controlado
pelo microcontrolador.

3.3 O Conversor I/V


Para que o instrumento possa ser utilizado para as diversas aplicações desenvol-
vidas no LBIO, este deverá ser capaz de medir com precisão as correntes na faixa de
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 35

nanoamperes (aplicações de bio-sensores) até correntes elevadas, até 1 A (testes de bate-


rias).
Para conciliar a medição de várias décadas de corrente em um só aparelho, duas
conĄgurações foram implementadas no circuito.
As correntes acima de 1 mA serão medidas usando a conĄguração shunt e as
correntes abaixo de 1 mA serão medidas usando-se a conĄguração com realimentação,
usando um ampliĄcador de transimpedância.
Os componentes (OPA381, 2014) e (ISL28534, 2014) foram escolhidos para realizar
as leituras das correntes.
O OPA381 é um CI ampliĄcador de transimpedância de alta precisão e alta velo-
cidade, com capacidade de leitura de correntes em cinco décadas (de 10 nA a 1 mA).
O ISL28534 é um CI ampliĄcador de instrumentação com ganho programável
(PGIA) de CMRR elevado, ruído baixo, e erro de ganho pequeno. Este CI é indicado
para medições de corrente usando resistências shunt pequenas. O CI possui três pinos
para seleção de nove ganhos, variando de 1 a 1000.
O usuário deĄnirá a conĄguração que será utilizada em cada teste. O microcon-
trolador se encarregará de ajustar a escala correspondente de cada conĄguração.
A tensão de modo comum do ampliĄcador de instrumentação ISL28534 deve estar
contida na faixa (�⊗ + 0, 1�, �+ − 0, 1� ). A tensão de saída do OPA561 pode variar de
0 a 12 Vpp, ultrapassando os limites de tensão de modo comum do ISL28534. Logo este
ampliĄcador não pode ser conectado ao eletrodo CE e o sensoriamento de corrente deverá
ser feito usando-se a conĄguração low-side.
Quando o sensoriamento é feito usando-se um shunt em modo low-side, o potencial
do eletrodo de trabalho varia em função da corrente da cela e o circuito torna-se mais
sensível ao ruído, se comparado à conĄguração de transimpedância, em que o eletrodo é
aterrado. Deve-se compensar a presença do ruído aumentando-se a taxa de amostragem
dos conversores A/D (seguido de uma possível Ąltragem, que é possível com o módulo
DSP embarcado no STM32F4).
A faixa da corrente medida pelos dois ampliĄcadores é determinada pelos fatores:

• Valor do resistor de realimentação, no modo de ampliĄcador de transimpedância;

• Valor do resistor shunt e fator de ampliĄcação (ganho programado no ISL28534),


no modo shunt;

• Faixa da tensão de entrada (máximo de 0 a 3,3 V na entrada do conversor A/D)1


1
A tensão de entrada do conversor A/D do STM32F4xx não deve ultrapassar a tensão de alimentação
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 36

Como a faixa dinâmica é de [0 - 3,3 V] e o conversor A/D possui 12 bits, a menor


amplitude que pode ser resolvida é dada pela equação (3.4):

3, 3
��� = = 806� (3.4)
212
O menor valor de tensão de entrada para garantir um erro de conversão inferior a
1 % é de:

���� = 100 × 806Û� = 80, 6�� (3.5)

Além disto, valores de tensão muito próximos ao máximo permitido (Vdd) podem
ser prejudiciais ao microcontrolador. Logo, escolheu-se o valor máximo para a tensão
efetiva, igual a:

���� = 3, 0� (3.6)

3.3.1 Configuração Shunt


Nesta conĄguração, usou-se o CI ampliĄcador de instrumentação ISL28534 para
medir a corrente da cela através da leitura da queda de tensão no resistor shunt de 0,1 Ω
(ver Figura 16).

Figura 16 Ű Medição de correntes acima de 1 mA usando o ampliĄcador de instrumen-


tação ISL28534 e um resistor shunt

O ISL28534 pode ter o seu ganho ajustado de G = 1 a 1000, de acordo com o sinal
aplicado aos pinos G0 e G1.
do microcontrolador (pinos Vref e Vdd). A tensão máxima de 3,3 V pode ser obtida aplicando-se este
valor ao pino Vdd.
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 37

Como mostrado na Figura 10a, a tensão de saída é igual à queda de tensão no


resistor shunt. Desta forma, as correntes mínima e máxima que podem ser medidas pelo
sistema na conĄguração shunt são:

1 ����
���� = × (3.7)
���� ��ℎ���

1 ����
���� = × (3.8)
���� ��ℎ���
Como ��ℎ��� = 0.1Ω, e a partir das relações (3.5) e (3.6), obtém-se:

1 80, 6��
���� = × = 806Û� (3.9)
� 0, 1Ω
1000( )

1 1, 5�
���� = × = 15� (3.10)
� 0, 1Ω
1( )

A corrente que circula na cela é fornecida pela saída do ampliĄcador de controle,
e esta foi limitada a ±1 A com o resistor de 1 �Ω no pino ���� . Logo, esta conĄgura-

ção de ganho (� = 1 ) não será usada. O menor ganho utilizado no ampliĄcador de

instrumentação será igual a:

1 1, 5� �
�′��� = × = 15 (3.11)
1, 0� 0, 1Ω �

O ganho do ampliĄcador de instrumentação (ISL28534, 2014) pode ter o seu ganho


ajustado para um dos valores especiĄcados na datasheet (G = 1, 2, 10, 50, 100, 200, 300,
500, 1000). Logo, o menor ganho utilizado será igual a ���� = 10.

3.3.1.1 Escolha do Resistor Shunt

A queda de tensão nos terminais do shunt é denominada tensão de burden, cujo


valor deve ser mínimo para reduzir o erro e o tempo de medição da corrente (ver subse-
ção 2.2.4.4).
O resistor shunt é um componente crítico e precisa ser escolhido com cuidado. O va-
lor de resistência de um resistor está sujeito a mudanças de temperatura. Esta temperatura
não é apenas a temperatura ambiente, mas também aquela gerada pelo auto-aquecimento
do componente (efeito Joule).
Para reduzir o auto-aquecimento do resistor shunt, a sua capacidade de dissipação
de potência deve ser superdimensionada. A dissipação de energia especiĄcada deve ser
aproximadamente 10 vezes maior do que a dissipação máxima esperada.
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 38

A máxima potência dissipada pelo resistor shunt no circuito do potenciostato é:

��ℎ���,��� = ��ℎ��� × � 2 (3.12)


= 0, 1 × 1, 02 (3.13)
= 0, 1� (3.14)

de modo que um tipo de 1 W é adequado. O resistor recomendado para o shunt é


o SR20-0.10-1%, da Caddock (Figura 17). Este resistor possui quatro terminais, dos quais
um par é utilizado para condução da corrente e o outro par é utilizado para leitura da
tensão de burden.
O resistor escolhido possui coeĄciente de temperatura que varia de -50 ppm/℃ a
100 ppm/℃. Se a tolerância desejada for de 0,5 % sobre a medição de corrente, a variação
0.005
de temperatura de = 50/℃ será permitida.
100⊗6

Figura 17 Ű Resistor Shunt com Quatro Terminais Caddock

Fonte: (CADDOCK, 2014)

3.3.2 Configuração com Realimentação


Nesta conĄguração, usou-se o CI ampliĄcador de transimpedância OPA381 para
medir a corrente da cela (ver Figura 18).
O (OPA381, 2014) é apropriado para a conversão de correntes na ordem de 10 nA
até 1 mA, em um único estágio de ampliĄcação (informação extraída da datasheet).
Como a conĄguração shunt converte correntes até 806 Û� (ver equação (3.9)), o
ampliĄcador de transimpedância deverá converter correntes abaixo deste valor. DeĄniu-se
o valor máximo de corrente neste ampliĄcador como sendo igual a 1 mA.
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 39

Figura 18 Ű Medição de correntes abaixo de 1 mA usando o ampliĄcador de transimpe-


dância OPA381 com quatro conĄgurações de ganho

O valor da resistência de realimentação pode ser obtido da Equação 2.3 e vale:

���� 1, 5�
�� �� = = = 1, 5�٠(3.15)
����� 1��
De acordo com a relação (3.5), a menor corrente que poderá ser medida usando-
se este valor para o �� �� é igual a 80,6��
1,5�æ
= ±53, 7Û�. Para medir correntes menores,
deve-se aumentar a resistência de realimentação. Para isto, usou-se quatro resistores de
ganho diferentes, com um CI multiplexador DG9252 para que o microcontrolador possa
selecionar um dos quatro resistores.

3.3.3 Faixa de Corrente Medida


Na Tabela 2 são resumidas as faixas de corrente medidas em cada conĄguração e
o ganho correspondente, para cada conĄguração usada (shunt e transimpedância).
*ConĄgurações não utilizadas.
Como pode-se ver na Ągura Figura 19, o instrumento projetado deverá ser capaz
de medir sete décadas de corrente, variando desde ±1� até ±52, 7��.

3.3.3.1 Escolha do Sinal de Referência Vref

As entradas e saídas analógicas do microcontrolador STM32F4xx são positivas e


possuem amplitude limitada entre 0 e 3,3 V.
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 40

Tabela 2 Ű Faixa de corrente medida em cada conĄguração do conversor I/V

ConĄguração Ganho Imin (A) Imax (A)


Shunt* 1 806 mA 1A
Shunt* 2 403 mA 1A
Shunt 10 80,6 mA 1A
Shunt 50 16,1 mA 300 mA
Shunt 100 8,06 mA 150 mA
Shunt 200 4,03 mA 75 mA
Shunt 300 2,69 mA 50 mA
Shunt 500 1,61 mA 30 mA
Shunt 1000 806 uA 15 mA
TIA 1500 53,7 uA 1 mA
TIA 15000 5,37 uA 100 uA
TIA 150000 537 nA 10uA
TIA 1500000 52,7 nA 1 uA

Figura 19 Ű Faixas de Corrente para as ConĄgurações de Ganho

Para que o circuito consiga medir tanto correntes positivas quanto negativas, a
tensão de referência ���� dos conversores I/V deve ser igual à metade do valor máximo
da tensão de entrada (neste caso, igual a 1,5 V).

3.4 O Eletrômetro
O eletrômetro deve ser capaz de medir a tensão da cela entre o eletrodo de trabalho
e o eletrodo de referência. O sinal medido será em seguida alimentado no conversor A/D,
e, se o instrumento estiver operando no modo potenciostático, ele também irá alimentar
a entrada do ampliĄcador de controle.
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 41

Quando o conversor I/V estiver operando no modo shunt, o potencial do eletrodo


de trabalho irá variar em proporção à corrente da cela (�WE = �shunt × �cell ).2 . Logo, a
tensão da cela deve ser medida usando-se um ampliĄcador de diferença.
Optou-se pelo uso do ampliĄcador de instrumentação JFET (AD8220, 2014), que
possui saídas rail-to-rail, alto índice CMRR (80 dB com ganho unitário) e corrente bias
de entrada inferior a 10 pA, ilustrado na Figura 20.

Figura 20 Ű Diagrama esquemático do eletrômetro

Este último parâmetro é uma especiĄcação crítica do circuito potenciostático. A


corrente que circula no eletrodo de referência deve ser a menor possível (idealmente, zero)
para que não haja queda de tensão signiĄcativa no eletrodo e o seu potencial seja mantido
a um valor constante.
O ampliĄcador de instrumentação será operado com ganho unitário, com pinos
Rg Ćutuando. O CI foi alimentado com a tensão simétrica de ±12� para possibilitar a
medição de tensões (da cela) também simétricas e contidas nesta faixa. Os capacitores de
desacoplamento foram adicionados aos pinos de alimentação, seguindo-se as recomenda-
ções da datasheet.
A saída do ampliĄcador fornece um sinal contido na faixa (-12 V, +12 V). Este
sinal deve ter a sua escala ajustada para a faixa suportada pela entrada do conversor A/D.
A escala será ajustada para (80,6 mV, 3,0 V), igual aos valores deĄnidos na Equação 3.5
e na Equação 3.6.
O ajuste de escala é feito com o uso de três resistores: �101 (pull-up para +3,3 V),
�102 e �103 (pull-up para 0 V). O cálculo dos três resistores é feito Ąxando-se o valor de um
dos três resistores (�102 , neste caso) e resolvendo-se um sistema linear de duas equações
2
Na configuração de amplificador de transimpedância, o potencial do eletrodo é fixo e igual ao potencial
aplicado à entrada não inversora do amplificador (sinal DACV ref controlado pelo conversor D/A)
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 42

com duas variáveis (�101 e �103 ), obtido aplicando-se a Lei dos Nós ao nó situado entre
os três resistores:


��ó = 0 (3.16)
�+ − ��ó ���� − ��ó �⊗ − ��ó
+ + + �����,��8615 = 0 (3.17)
�101 �102 �103

Para que o sistema transforme a tensão de -12 V em 80,6 mV e a tensão de +12


V em 3,0 V, os valores de R101 e R103 são calculados:

3, 3 − ��ó ���� − ��ó 0 − ��ó


+ + + �����,��8615 = 0 (3.18)
�101 �102 �103
Ąxando-se o valor de R102 a 30 �Ω,
3, 3 − ��ó ���� − ��ó 0 − ��ó
+ + + �����,��8615 = 0 (3.19)
�101 30� �103
desprezando-se �����,��8615 (1 pA), obtém-se o sistema de duas equações:
3, 3 − 0, 0806 −12 − 0, 0806 0 − 0, 0806
+ + =0 (3.20)
�101 30� �103
3, 3 − 3, 0 −12 − 3, 0 0 − 3, 0
+ + =0 (3.21)
�101 30� �103
resolvendo para �101 e �103 , obtém-se as seguintes resistências, aproximadas para valores
comerciais (tolerância de ±1%):

�101 = 7, 5�Ω (3.22)


�103 = 10�Ω (3.23)

O seguidor de tensão usando o ampliĄcador AD8615 é conectado ao nó para isolar


a tensão medida para que esta possa ser alimentada à entrada inversora do ampliĄcador
de controle.

3.5 Relés de Controle


Os relés de controle no circuito são usados pelo microcontrolador para seleção 1)
do modo de funcionamento do circuito (potenciostato ou galvanostato) e 2) da escala da
corrente (acima ou abaixo de 1 mA).
Optou-se pelo uso de relés reed para realizar este chaveamento, devido às suas
características de rapidez de operação, longo tempo de vida e consistência de desempenho
dos contatos. As chaves analógicas, embora mais rápidas, perturbam o sinal com uma
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 43

injeção de carga, além de possuírem resistência de contato elevada (de 10 a 100 Ω, contra
0,15 Ω do relé HE721A1210).
O uso do relé reed (ao invés de uma chave CMOS) em K5 permite que a resistência
série shunt-relé seja pequena (0,25 Ω) e consequentemente que o potencial do eletrodo de
trabalho esteja próximo ao do terra (≤ 0, 25� ).
Escolheu-se o modelo (HE721A1210, 2014), da HAMLIN, de tipo SPST (Single
Pole, Single Throw), cuja corrente máxima nos contatos é de 1,2 A, e cuja tensão e
resistência de bobina valem 12 V e 1 kΩ , respectivamente.
Alternativamente, pode-se trocar os relés SPST K4 e K5 por um relé SPDT (Sin-
gle Pole, Double Throw), e os relés SPST K1, K2 e K3 por um único relé SP3T(Single
Pole, Triple Throw), desde que sejam do tipo Interrupção antes do fechamento (IAF), do
inglês, break before make (BBM), que descreve a operação em que os contatos normal-
mente fechados abrem antes dos contatos normalmente abertos fecharem, evitando assim
a ocorrência de curto-circuitos. Além disso, o relé SPDT deverá suportar correntes de, no
mínimo, 1 A em seus terminais.

3.5.1 Controlador dos Relés


O relé é formado por um eletroímã (uma bobina enrolada sobre um núcleo de
material ferromagnético) que quando acionado, através da atração eletromagnética, fecha
os contatos de um interruptor.
A bobina do relé é acionada por uma tensão contínua de 12 V (8 V min.), espe-
ciĄcada de acordo com o fabricante. A corrente necessária para acionar a bobina deve
ser:

������� 12�
������. = = = 12�� (3.24)
������� 1�Ω
O microcontrolador não consegue fornecer correntes elevadas para a carga, e suas
E/S digitais devem ser usadas apenas como sinais de controle.
O microcontrolador pode controlar este relé usando-se um circuito de interface
com transistor Darlington. É costume colocar-se um diodo invertido em paralelo com o
dispositivo controlado (diodo de roda-livre). Isto é essencial para cargas indutivas, como
são o caso de motores e relés. Sempre que se desliga um destes dispositivos indutivos,
cria-se uma sobretensão que pode vir a destruir o transistor. Um diodo 1N4001 pode ser
usado para evitar este efeito.
Como são cinco unidades ao todo, optou-se pelo uso do CI controlador ULN2003
Darlington, que contém 7 transístores Darlington e ainda os díodos de roda-livre em um
único invólucro.
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 44

3.6 Conexões do Microcontrolador


3.6.1 O Microcontrolador
O microcontrolador STM32F407 (32bit, core ARM Cortex-M4F, memória Flash
de 1MB, 192kB de RAM) realiza as conexões ao mundo externo por meio de quatro portas
de 16 bits (PA, PB, PD e PE) e uma porta de 14 bits (PC).
Ele exige uma fonte de alimentação de +3,3 V para os circuitos digitais e uma
fonte de +3,3 V separada para os circuitos analógicos. A fonte de alimentação digital é
conectada a vários pinos digitais do circuito, e cada um deve ser desacoplado usando-se
um capacitor de cerâmica de 100 nF ligado ao terra por meio de um Ąo com o menor
comprimento possível.
Dois circuitos osciladores são demandados pelo chip e foram adicionados aos pinos
correspondentes (8 MHz e 32,768 kHz).
O microcontrolador normalmente recebe um sinal de reset através do barramento
SWD ("Serial Wire Debug"). Um botão de RESET foi adicionado ao circuito.

3.6.2 Interface Analógica


3.6.2.1 Conversor A/D

Três entradas analógicas do STM32F4 serão usadas pelo potenciostato, para 1)


leitura da tensão da cela 2)leitura da corrente usando o ampliĄcador de transimpedância
e 3) leitura da corrente usando o método shunt.
O microcontrolador STM32F4 possui 3 conversores A/D independentes de 12 bits
cada, e 24 pinos que podem ser conĄgurados como entradas analógicas. A taxa máxima
de amostragem dos conversores é de 2,4 MS/s, e é suĄciente para a aplicação do potenci-
ostato, cuja frequência do sinal de controle não deve ultrapassar 10 kHz. Se uma taxa de
amostragem maior for desejada, pode-se conectar o sinal de entrada aos três canais A/D
e fazer leituras multiplexadas no tempo, obtendo a taxa de amostragem de 7,2 MS/s.
Além das três entradas analógicas, utilizou-se um quarto pino para conexão de um
sinal suplementar, caso venha a ser necessário para a aplicação. Os quatro canais foram
conectados aos pinos PA00..03 do STM32F4, e poderão ser lidos por qualquer um dos três
conversores A/D.
O intervalo permitido para os sinais de entrada do conversor é de 0 V a 3,3 V,
deĄnido pela fonte de alimentação analógica do microcontrolador.
Um ampliĄcador operacional é usado na entrada do conversor A/D para isolar o
sinal de entrada e proporcionar uma baixa impedância de entrada, necessária para uma
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 45

alta resolução de conversão. O diagrama esquemático do buffer de entrada para um único


canal (ADC123_IN1) é ilustrado na Figura 21.

Figura 21 Ű Diagrama Esquemático do buffer de entrada do conversor A/D

O ampliĄcador operacional usado é o (OPA4354, 2014) (sugerido por (PONIK-


VAR, 2014)). Este ampliĄcador é do tipo CMOS dual, rápido e possui entradas e saídas
rail-to-rail que oscilam a 100 mV da tensão de alimentação. Isto signiĄca que o ampliĄca-
dor consegue medir corretamente tensões na faixa (0.1 V - 3.2 V). Como o ampliĄcador
possui ganho unitário, a largura de banda obtida é superior a 10 MHz.
Este ampliĄcador é alimentado com GND e +3,3 V, protegendo as entradas do
conversor contra sobretensões. O pino de alimentação do ampliĄcador é desacoplado com
um capacitor de 100 nF, como sugerido pela datasheet.
A combinação do resistor R300 com o capacitor C301 forma um Ąltro RC passa-
baixa com frequência de corte igual a 330 kHz. A saída do buffer é conectada ao pino
de entrada do conversor A/D. O capacitor C302 é necessário para carregar a entrada do
conversor com a carga necessária para evitar erros durante a conversão. O resistor R301
é adicionado em série para reduzir a carga capacitivo do AmpOp, evitando oscilações.
O capacitor C302 deve ser posicionado o mais próximo possível do pino de entrada do
conversor.
Quatro buffers como este são implementados, um para cada entrada do conversor
A/D.

3.6.2.2 Conversor D/A

Os dois canais do conversor D/A serão usados para 1) geração do sinal de controle
e 2) geração do sinal de referência dos conversores I/V do potenciostato.
O STM32F4 possui 2 conversores D/A independentes de 12 bits, que podem ser
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 46

conectados aos pinos PA04 e PA05. Estes conversores são inicializados com a corrente
máxima de 700 uA. Isto permite uma taxa de atualização máxima de 1 MHz por canal,
com valores no intervalo de 0 a 0x3FF. Estima-se que esta taxa seja superior àquela
necessária para a aplicação.
Um buffer foi acrescentado ao circuito para proteger o microcontrolador e aumen-
tar a corrente de saída do conversor D/A.
O sinal de saída do conversor D/A varia no intervalo de 0 V a +3,3 V. Este sinal é
aplicado a um Ąltro passa-baixa, formado por R320 e C320. Os valores destes componentes
foram selecionados para se obter uma frequência de corte de aproximadamente 1 MHz.
O sinal Ąltrado é aplicado ao ampliĄcador operacional (AD8646, 2014) (sugerido por
(PONIKVAR, 2014)). O diagrama esquemático do buffer de saída para um único canal
(DAC1_OUT) é ilustrado na Figura 22.

Figura 22 Ű Diagrama Esquemático do buffer de saída do conversor D/A

O sinal de saída do ampliĄcador operacional alimenta um segundo Ąltro RC passa-


baixa, formado por R323 e C323. Estes valores foram selecionados para obter-se uma
frequência de corte de aproximadamente 10 MHz. Dois buffers como este são implemen-
tados, sendo um para cada saída do conversor D/A.
Os pinos PA00..05 devem ser conĄgurados para o modo analógico antes de serem
utilizados pelo conversor.

3.6.3 Entradas e Saídas Digitais


O circuito do potenciostato possui 11 sinais digitais, conĄgurados como pinos de
entrada (E), saída(S), alta impedância (Z), ou não informado (X) como indicado na
Tabela 3.
Estes sinais são conectados às linhas GPIO do STM32F4. Além destes, dois pinos
suplementares (GPIO_1 e GPIO_2) foram acrescentados, e poderão vir a ser utilizados
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 47

Tabela 3 Ű Sinais digitais do circuito do potenciostato/galvanostato

Nº Sinal ConĄguração
1 Pot_Mode S
2 Galv_LCR S
3 Galv_LCR S
4 LCR S
5 HCR S
6 CellON/OFF E/S
7 CLS E
8 LCR_G0 S
9 LCR_G1 S
10 HCR_G0 S/Z
11 HCR_G1 S/Z
12 GPIO_1 X
13 GPIO_2 X

pelo circuito.
Os sinais 6 a 13 são conectados aos pinos PE08 a PE15, e os sinais 1 a 5 para
comando dos relés são conectados aos pinos PD0 a PD5.
As linhas digitais possuem uma tolerância de 0 a 5 V. À cada linha foram acres-
centados diodos de proteção contra sobretensões e um resistor para limitar a corrente nos
pinos, caso uma tensão fora desta faixa venha a ser aplicada. O valor dos resistores foi
obtido de (PONIKVAR, 2014).
O conector P4 (ver ??) de 16 pinos foi adicionado ao circuito para que o usuário
tenha acesso aos 13 pinos digitais, além de um pino para a alimentação digital (+3.3 V).

3.6.4 O Programador do Microcontrolador


Uma vez que o código contendo o programa do usuário é desenvolvido no PC,
o usuário deve carregá-lo na memória do processador. Vários métodos para o carga do
firmware no STM32 são disponíveis.
A maioria dos programadores universais usa a arquitetura JTAG para carrega-
mento do programa. A empresa ST introduziu um outro método denominado SWD (do
inglês, Serial Wire Debug, ou depuração serial por Ąos), que usa menos linhas que o
método JTAG.
A interface SWD é implementada na placa demo STM32F4DISCOVERY (cus-
tando menos de US$ 11 (NEWARK, 2014)), e esta placa pode ser usada para carregar
o firmware em qualquer placa contendo um microcontrolador ST32F4xx. Além disso, a
empresa ST oferece o programador denominado ST-LINK / 2, que suporta os métodos
JTAG e SWD e custa cerca de US$ 21 (NEWARK, 2014), e foi adicionado à lista de
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 48

materiais (Apêndice B).


O conector P5 (ver ??) de seis pinos foi adicionado à placa do potenciostato, para
que o processador possa ser programado via interface SWD. Na Figura 23 é ilustrado
o esquema de conexão entre a placa do potenciostato (Target Board) e a placa demo
(STM32F4DISCOVERY) e entre a placa do potenciostato e o programador ST-LINK /
2.
Figura 23 Ű Legenda

Fonte: (PONIKVAR, 2014)

3.6.5 Interface USB


A interface USB do microcontrolador será usada para se comunicar com o PC,
para receber os comandos das conĄgurações e enviar os dados de medições para exibição
na GUI.
O microcontrolador implementa o barramento USB OTG ("On-The-Go"). A im-
plementação foi copiada da placa demo DISCOVERY.
Os quatro pinos do conector USB micro foram conectados aos pinos PA09 a PA12
do microcontrolador, através de resistores para limitar a corrente. Como o cabo USB
pode ser inserido ou removido "a quente", os pinos estão sujeitos a descargas eletrostáticas
(ESD, do inglês "Electrostatic Discharge"). Para proteger os pinos do microcontrolador, o
CI SN75240 foi inserido na entrada do conector, como usado em (PONIKVAR, 2014).

3.7 A Fonte de Alimentação


A placa necessita de uma fonte de alimentação de 3,3 V para o microcontrolador
e ± 12 V para alguns periféricos (do circuito do potenciostato).
O consumo do microcontrolador varia em função de suas conĄgurações (frequência
do relógio, periféricos em uso, etc..). A placa DISCOVERY contém um microcontrolador
STM32F4 embarcado e seu consumo de corrente é limitado a 500 mA, fornecido pelo
USB.
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 49

Como a corrente da cela pode chegar a 1 A, a fonte de alimentação deve ser capaz
de fornecer uma corrente elevada (de 0,5 até 1,5 A) sem sobreaquecer, e mantendo os
níveis de tensão a um valor constante, independentemente da corrente de carga exigida.
Algumas fontes de alimentação à venda atendem a estes critérios, mas a um custo
elevado (a partir de US$ 40 (NEWARK, 2014)).
Para reduzir os custos de projeto, optou-se pela confecção da fonte de alimenta-
ção. Os projetos de fontes simétricas são facilmente encontrados na literatura atual. O
esquemático da fonte foi construído com base no projeto descrito em (12V. . . , 2014) (ver
Figura 24) com a substituição dos componentes para atender à capacidade de 1,5 A (ao
invés de 1 A).

Figura 24 Ű Circuito de uma fonte de tensão simétrica de ±12�

Fonte: (12V. . . , 2014)

O circuito de alimentação fornece todas as tensões necessárias ao circuito e é


alimentado com a tensão de linha (110 ou 220 V).
O transformador é do tipo Bobbin com derivação central e capacidade de corrente
de 1,86 A, com tensões no secundário de 14-0-14 V. Esta saída alimenta uma ponte
retiĄcadora e é Ąltrada por dois capacitores. Os reguladores de tensão positiva (7812) e
negativa (7912) fornecem +12 e -12 V, respectivamente.
As tensões de alimentação do OPA561 (±7, 5� ) deverão ser geradas pela fonte
de alimentação. Estes sinais poderão ser gerados com o uso de reguladores de tensão
Capítulo 3. Design do Circuito Potenciostático/Galvanostático 50

ajustáveis. Este CI poderá ser alimentado usando-se (±5� ), mas a um custo que é a
diminuição da tensão de compliance do aparelho.
Um protótipo deste circuito foi construído (ver Figura ??). Devido ao tempo limi-
tado do projeto, os testes deste circuito não foram concluídos e não constam no texto.
No próximo capítulo serão descritas algumas especiĄcações do software do PC e
do microcontrolador.
51

4 Especificações técnicas de Software e


Firmware

Neste projeto de construção do potenciostato / galvanostato, apenas o esquemático


do circuito eletrônico do instrumento foi confeccionado no prazo disponível à realização
deste trabalho.
A simulação e o teste do circuito não foram concluídos a tempo, logo os resultados
não serão apresentados neste texto.
As etapas seguintes do projeto do potenciostato são o desenvolvimento de dois
programas de naturezas diferentes: a programação do hardware e a programação do soft-
ware.
A programação do hardware consistirá no desenvolvimento do código que será
executado pelo microcontrolador, que deverá realizar as seguintes tarefas:

• Recepção das conĄgurações do teste enviadas pelo PC, antes de ser executado;

• Geração do sinal analógico de controle, no conversor D/A;

• Leitura dos sinais da cela (tensão e corrente);

• Controle dos sinais digitais dos pinos GPIO;

• Envio dos sinais medidos ao PC.

Este último item exige a programação da comunicação com o PC. A comunicação


do microcontrolador com o PC deverá ser feita usando-se o canal USB como meio físico.

4.0.1 A Comunicação USB


O padrão USB possui três modos de operação: Interrupt (Interrupção), Bulk
(Grandes Volumes) e Isochronous (Isocrônico). O Interrupt é um modo de alta priori-
dade, na qual é reservado parte da banda disponível para dispositivos de entrada, como
teclados e mouses, mantendo assim, sempre um canal descongestionado. O modo Iso-
chronous é destinado a transmitir uma quantidade relativamente pequena de dados que
necessitam de certa prioridade. Caixas de som com conexão USB são um bom exemplo
de utilização desse modo. No modo Bulk são trafegados grandes pacotes de dados e com
baixa prioridade. Um exemplo de utilização são os discos rígidos externos. A banda dis-
ponível para esse modo é a banda restante dos canais dos outros dois modos, pois os
anteriores têm prioridade.
Capítulo 4. Especificações técnicas de Software e Firmware 52

A especiĄcação USB (USB-IF) deĄne classes de comunicação para os mais variados


tipos de comunicação (interrupção, transferência em massa, etc.). Dentre essas classes
de comunicação que o padrão USB deĄne, duas classes poderão ser consideradas para
desenvolver dois tipos de comunicação USB: CDC e HID.
A classe de comunicação CDC (Connected Device Configuration), se enquadra em
uma série de classes que deĄnem transferências genéricas de dados, como transferência
de sinais de controle e dados em modems, cabos Ethernet e, para o caso deste trabalho,
transferências que emulam a transmissão de dados através da comunicação serial RS232.
A especiĄcação CDC descreve a subclasse Abstract Control Model (IARSYSTEMS)
para a emulação serial através do USB.Basicamente, para que a emulação RS232 possa ser
realizada duas interfaces (classes) USB são necessárias: Communication Interface Class e
Data Interface Class. A primeira interface encarrega-se de notiĄcar ao host Űneste caso
uma estação de controle, um computador pessoal Űdo status da conexão USB-RS232
oriunda do dispositivo. A segunda interface deĄne a forma como os dados serão enviados
(OUT bulk endpoint e one IN bulk endpoint já que, no padrão RS 232, os dados são
enviados em sua forma bruta (raw data), sem qualquer formatação.
A classe de comunicação HID (acrônimo em inglês, Human Interface Device )con-
siste, primariamente, na deĄnição da comunicação entre computadores e dispositivos que
são usados por humanos para controlar funções em sistemas de computadores. Os exem-
plos mais conhecidos são os teclados, mouses e Ćash drives ou, menos convencionais, tais
como painéis de controle, leitores de código de barras,etc. Dispositivos que se adéquam aos
requisitos de hardware para serem dispositivos HID são reconhecidos automaticamente
pelos atuais e alguns antigos sistemas operacionais. Ou seja, não há necessidade de insta-
lação de driver ou software extra para que os dispositivos funcionem nos computadores,
por exemplo, diferentemente do que acontece com os dispositivos inclusos nas deĄnições
das classes CDC (SUASSUNA, 2009).

4.0.2 A Interface Gráfica


A interface gráĄca poderá ser programada em qualquer plataforma. A escolha da
plataforma e da linguagem de desenvolvimento Ąca a critério do desenvolvedor. O uso do
LabVIEW é recomendado, devido à facilidade de criação de interfaces gráĄcas de forma
rápida.
A interface gráĄca do EC-Lab, da empresa Bio-Logics, foi desenvolvida em Lab-
VIEW e serve como exemplo ilustrativo de uma interface. Um programa executável de-
monstrativo é fornecido pela empresa gratuitamente e serve como exemplo ilustrativo
para o desenvolvimento da interface deste projeto1 .
1
Programa demo disponível para download em http://www.bio-logic.info/potentiostat-
electrochemistry-ec-lab/software/ec-lab-software/.
Capítulo 4. Especificações técnicas de Software e Firmware 53

Figura 25 Ű Janela 1 da Interface GráĄca Figura 26 Ű Janela 2 da Interface GráĄca


EC-Lab EC-Lab

Figura 27 Ű Janela 3 da Interface GráĄca Figura 28 Ű Janela 4 da Interface GráĄca


EC-Lab EC-Lab

As etapas descritas neste capítulo serão desenvolvidas por outros membros da


equipe do projeto.
54

5 Conclusão

5.1 Considerações e Trabalhos Futuros


Este trabalho apresentou o projeto do circuito de um potenciostato/galvanostato
controlado pelo microcontrolador STM32F4. O circuito proposto será utilizado pela equipe
do LBIO para confecção do instrumento.
Devido ao tempo disponível para a realização deste projeto de conclusão de curso,
as etapas de implementação seguintes não puderam ser implementadas.
A etapa atualmente em andamento no projeto consiste na aquisição dos compo-
nentes listados na BOM (Apêndice B) e na confecção da placa PCB do circuito. O projeto
de confecção da placa deverá levar em conta a condução de correntes elevadas (1 A) e as
possíveis interferências eletromagnéticas geradas pelos relés de controle.
Em seguida, será programado o firmware do STM32F4 para que este se comunique
com o PC e controle as entradas e saídas analógicas do potenciostato.
A técnica de medição de impedância da cela poderá ser realizada com o instru-
mento projetado, bastando para isto realizar-se uma varredura na frequência do sinal
aplicado e a leitura da corrente resultante para cada iteração de frequência. Este algo-
ritmo deve ser desenvolvido no programa do STM32F4, o qual receberá os parâmetros de
teste do PC (frequência de início e Ąm, passo, tensão aplicada, etc.) e executará a função
de maneira automática.
Finalmente, a última etapa do projeto consistirá no desenvolvimento de uma in-
terface gráĄca para que o usuário possa controlar o circuito e visualizar os resultados (que
serão enviados pelo microcontrolador). Esta interface deverá incluir algumas ferramen-
tas de tratamento de dados, como a Ąltragem de ruídos e cálculo de máximo e mínimo,
regressão e integração das curvas obtidas.
O desenvolvimento deste projeto interdisciplinar que aborda conceitos de eletroquí-
mica, técnicas de circuitos eletrônicos e programação de hardware e software, contribuiu
para a formação técnica na área de instrumentação eletrônica.
55

Referências

12V DC Dual Power Supply Circuit with IC 7812&7912. DIY Magazine, 2014.
Disponível em: <http://www.diyelectronicsprojects.com/2012/09/12v-dc-dual-
power-supply-circuit-diagram.html>. Acesso em: 27 jun. 2014. Citado na página
49.

AD8220. Analog Devices, 2014. Disponível em: <http://www.analog.com/en/


specialty-ampliĄers/instrumentation-ampliĄers/ad8220/products/product.html/>.
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AD8646. Analog Devices, 2014. Disponível em: <http://www.analog.com/en/


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SUASSUNA, R. A. Interface microcontrolada para automação de experimentos. Feira de


Santana-Bahia, 2009. Citado na página 52.
Apêndices
1 2 3 4

ANALOG INTERFACE
A A

COR320
R320 COR323 COU320
U320
PIR32002 PIR32001 +INA OUT APIR32302R323PIR32301
PA04 PIC320 2 PIC32302 DAC_Ctrl
1K 56 +3.3V
COC320
C320 COC323
C323 8
PIU32008 V+
PIC320 1 150pF PIC32301 220pF 4
PIU32004 V- OUT B
7 OUT
PIU32007
NLOUT BB

NL0INA
+INA 3
PIU32003 +IN A
OUT A 2
PIU32002
COR325
R325 R328 -IN A
PIR32502 PIR32501
+INB OUT B PIR32802COR328 PIR32801
PA05 DAC_Vref NL0INB
1K PIC32502 56 PIC32802 +INB 5
PIU32005 +IN B OUT A
1 OUT
PIU32001
NLOUTAA
COC325
C325 COC328
C328 OUT B 6
PIU32006 -IN B
PIC32501 150pF PIC32801 220pF

AD8646ARZ

B B

COR300
R300 INA+ OUTA COR302
R302
ADC_Vcell PIR30002 PIR30001 PIR30202 PIR30201 PA00
10K PIC30 1 22 PIC302 COU300
U300
COC300
C300 COC302
C302
PIC30 02 47pF PIC30201 1nF NLOUTA
OUTA 1PIU30001
14 OUTD
PIU300014
NLOUTD
OUTA OUTD
2
PIU30002
13
PIU300013
INA- IND-
+3.3V INA+ 3
NLINA0 PIU30003 12 IND+
PIU300012
NLIND0
INA+ IND+
4
PIU30004
11
PIU300011
COR305
R305 COR307
R307 V+ V- NLINC0
PIR30502 PIR30501
INB+ OUTB PIR30702 PIR30701
INB+ 5
NLINB0 PIU30005 10 INC+
PIU300010
ADC_Icell-L PA01 INB+ INC+
10K PIC30502 22 PIC30702 6
PIU30006
9
PIU30009
COC305
C305 COC307
C307 INB- INC- NLOUTC
OUTB 7
NLOUTB PIU30007 8
PIU30008
OUTC
OUTB OUTC
PIC30501 47pF PIC30701 1nF

C OPA4354_PW_14 C
COR310
R310 INC+ OUTC COR312
R312
ADC_Icell-H PIR31002 PIR31001 PIR31202 PIR31201 PA02
10K PIC310 2 22 PIC31202
COC310
C310 COC312
C312
PIC310 1 47pF PIC31201 1nF
+3.3V +3.3V

COR315
R315 COR317
R317
PIC31802 PIC31902
IND+ OUTD COC318
C318 COC319
C319
ADC_4 PIR31502 PIR31501 PIR31702 PIR31701 PA03
10K PIC31502 22 PIC31702 PIC31801 100nF PIC31901 100nF
COC315
C315 COC317
C317
PIC31501 47pF PIC31701 1nF
Potenciostato/Galvanostato

Title
D D
Notes: Analog Interface
- C302, C307, C321, C317 must be close to STM32F4
PA00...PA03 pins Size Number Revision
- C318, C319 must be close to U300's and U320's V+ pins
A4
Date: 7/9/2014 Sheet of
File: D:\Accounts\..\Analog_IF.SchDoc Drawn By: Turnell, C.
1 2 3 4
APÊNDICE A – Diagrama Esquemático do
58
1 2 3 4

COIC?D
IC?D COIC?E
IC?E
NLN1
N1 PIR102 PIR101 81
220 PIIC?081 97
PIIC?097
Pot_Mode NLN2 PD0 ( FSMC_D2/CAN1_RX ) PE0 ( TIM4_ETR / FSMC_NBL0 / DCMI_D2 )
MCU N2 PIR102
220
PIR101 PIIC?082
82 98
PIIC?098
Galv_LCR NLN3 PD1 ( FSMC_D3 / CAN1_TX ) PE1 ( FSMC_NBL1 / DCMI_D3 )
N3 PIR102 PIR101 83
220 PIIC?083 1
PIIC?01
Galv_HCR NLN4 PD2 ( TIM3_ETR/UART5_RX SDIO_CMD / DCMI_D11 ) PE2 ( TRACECLK/ FSMC_A23 / ETH_MII_TXD3 )
N4 PIR102 PIR101 84
220 PIIC?084 2
PIIC?02
COIC?F
IC?F LCR NLN5 PD3 ( FSMC_CLK/USART2_CTS ) PE3 ( TRACED0/FSMC_A19 )
N5 PIR102
220
PIR101 PIIC?085
85 3
PIIC?03
HCR PD4 ( FSMC_NOE/USART2_RTS ) PE4 ( TRACED1/FSMC_A20 / DCMI_D4 )
14
PIIC?014 86
PIIC?086 4
PIIC?04
A NRST NRST PD5 ( FSMC_NWE/USART2_TX ) PE5 ( TRACED2 / FSMC_A21 / TIM9_CH1 / DCMI_D6 ) A
94
PIIC?094 87
PIIC?087 5
PIIC?05
BOOT0 ( VPP ) PD6 ( FSMC_NWAIT/USART2_RX ) PE6 ( TRACED3 / FSMC_A22 / TIM9_CH2 / DCMI_D7 )
99
PIIC?099 PIIC?088
88 38
PIIC?038
PDR_ON PD7 ( USART2_CK/FSMC_NE1/FSMC_NCE2 ) PE7 ( FSMC_D4/TIM1_ETR )
21
VREF+PIIC?021 55
PIIC?055 N6
NLN6 PIR102 PIR101 39
220 PIIC?039
VREF+ PD8 ( FSMC_D13 / USART3_TX ) CellON/OFF PE8 ( FSMC_D5/ TIM1_CH1N )
PIIC?056
56 N7
NLN7 PIR102 220 40
PIR101 PIIC?040
+3V3 PD9 ( FSMC_D14 / USART3_RX ) CLS-12V PE9 ( FSMC_D6/TIM1_CH1 )
6
PIIC?06 57
PIIC?057 N8
NLN8 PIR102 PIR101 41
220 PIIC?041
VBAT PD10 ( FSMC_D15 / USART3_CK ) LCR_G0 PE10 ( FSMC_D7/TIM1_CH2N )
22
VDDA PIIC?022 58
PIIC?058 N9
NLN9 PIR102 PIR101 42
220 PIIC?042
VDDA PD11 ( FSMC_A16/USART3_CTS ) LCR_G1 PE11 ( FSMC_D8/TIM1_CH2 )
20
PIIC?020 VSSA PIIC?059
59 N10
NLN10 PIR102 220 43
PIR101 PIIC?043
PD12 ( FSMC_A17/TIM4_CH1 / USART3_RTS ) HCR_G0 PE12 ( FSMC_D9/TIM1_CH3N )
60
PIIC?060 N11
NLN11 PIR102 PIR101 44
220 PIIC?044
PD13 ( FSMC_A18/TIM4_CH2 ) HCR_G1 PE13 ( FSMC_D10/TIM1_CH3 )
100
PIIC?0100
61
PIIC?061
N12
NLN12 PIR102 220 45
PIR101 PIIC?045
+3.3V VDD PD14 ( FSMC_D0/TIM4_CH3 ) GPIO_1 COR1 PE14 ( FSMC_D11/TIM1_CH4 )
75
PIIC?075
62
PIIC?062
N13
NLN13 PIR102 220
PIR101
46
PIIC?046
VDD PD15 ( FSMC_D1/TIM4_CH4 ) GPIO_2 PE15 ( FSMC_D12/TIM1_BKIN )
50
PIIC?050 VDD
28
PIIC?028 STM32F40x-VG (LQFP100) STM32F40x-VG (LQFP100)
VDD COIC?A
IC?A
19
PIIC?019 VDD
11
PIIC?011
23
PIIC?023
VDD PA00 PA0-WKUP ( USART2_CTS/ USART4_TX/ ETH_MII_CRS / TIM2_CH1_ETR/ TIM5_CH1 / TIM8_ETR/ADC123_IN0/WKUP )
27
PIIC?027
24
VSS_4 PA01 PIIC?024 PA1 ( USART2_RTS / USART4_RX/ ETH_RMII_REF_CLK / ETH_MII_RX_CLK / TIM5_CH2 / TIMM2_CH2/ADC123_IN1 )
74
PIIC?074 COL? 25
PIIC?025
VSS NLVREF0 PA02 PA2 ( USART2_TX/TIM5_CH3 / TIM9_CH1 / TIM2_CH3 / ETH_MDIO/ADC123_IN2 )
10
PIIC?010 PIL?01
R1
PIL?02PIR102
47
PIR101
VREF+ 26
VSS +3V3 PA03 PIIC?026 PA3 ( USART2_RX/TIM5_CH4 / TIM9_CH2 / TIM2_CH4 / OTG_HS_ULPI_D0 / ETH_MII_COL/ADC123_IN3 )
2.2uF C2
PIC202 PIC201
10mH 29
PA04 PIIC?029 PA4 ( SPI1_NSS / SPI3_NSS / USART2_CK / DCMI_HSYNC / OTG_HS_SOF/ I2S3_WS/ADC12_IN4 /DAC1_OUT )
73
PIIC?073 PIC?01 1uF PIC100nF
102 30
PIIC?030
B COC2 VCAP_2 C1 PA05 PA5 ( SPI1_SCK/ OTG_HS_ULPI_CK / / TIM2_CH1_ETR/ TIM8_CHIN/ADC12_IN5/DAC2_OUT ) B
2.2uF C2
PIC202 PIC201
49
PIIC?049
31
VCAP_1 PIIC?031 PA6 ( SPI1_MISO / TIM8_BKIN/TIM13_CH1 / DCMI_PIXCLK / TIM3_CH1 / TIM1_BKIN/ADC12_IN6 )
PIC?02 PIC101 32
PIIC?032 PA7 ( SPI1_MOSI/ TIM8_CH1N / TIM14_CH1 TIM3_CH2/ ETH_MII_RX_DV / TIM1_CH1N / RMII_CRS_DV/ADC12_IN7 )
13 PIIC?013
67
PH1-OSC_OUT ( OSC_OUT ) PIIC?067 PA8 ( MCO1 / USART1_CK/ TIM1_CH1/ I2C3_SCL/ OTG_FS_SOF )
CO8MHz 12
8MHz PIIC?012 PH0-OSC_IN ( OSC_IN )
?02
PIC1uF 102
PIC100nF PA09
68
PIIC?068 PA9 ( USART1_TX/ TIM1_CH2 / I2C3_SMBA / DCMI_D0/OTG_FS_VBUS )
1
PI8MHz01 2
PI8MHz02
COC? COC1
C1 69
NLVDDA PA10 PIIC?069 PA10 ( USART1_RX/ TIM1_CH3/ OTG_FS_ID/DCMI_D1 )
C1 PIC102 PIC202 C2 STM32F40x-VG (LQFP100) PIC?01 PIC101 VDDA
PA11
70
PIIC?070 PA11 ( USART1_CTS / CAN1_RX / TIM1_CH4 / OTG_FS_DM )
20pF 20pF 71
PA12 PIIC?071 PA12 ( USART1_RTS / CAN1_TX/ TIM1_ETR/ OTG_FS_DP )
PIC101 PIC201 72
PIIC?072 PA13 ( JTMS-SWDIO )
76
PIIC?076 PA14 ( JTCK-SWCLK )
77
PIIC?077 PA15 ( JTDI/ SPI3_NSS/ I2S3_WS/TIM2_CH1_ETR / SPI1_NSS )

STM32F40x-VG (LQFP100)
COIC?C
IC?C COIC?B
IC?B
15
PIIC?015
35
PIIC?035
PC0 ( OTG_HS_ULPI_STP/ADC123_IN10 ) PB0 ( TIM3_CH3 / TIM8_CH2N/ OTG_HS_ULPI_D1/ ETH_MII_RXD2 / TIM1_CH2N/ADC12_IN8 )
16
PIIC?016 PC1 ( ETH_MDC/ADC123_IN11 )
36
PIIC?036 PB1 ( TIM3_CH4 / TIM8_CH3N/ OTG_HS_ULPI_D2/ ETH_MII_RXD3 / OTG_HS_INTN / TIM1_CH3N/ADC12_IN9 )
17
PIIC?017 PC2 ( SPI2_MISO / OTG_HS_ULPI_DIR / TH_MII_TXD2 /I2S2ext_SD/ADC123_IN12 )
37
PIIC?037 PB2
18
PIIC?018 PC3 ( SPI2_MOSI / I2S2_SD / OTG_HS_ULPI_NXT / ETH_MII_TX_CLK/ADC123_IN13 )
89
PIIC?089 PB3 ( JTDO/ TRACESWO/ SPI3_SCK / I2S3_CK / TIM2_CH2 / SPI1_SCK )
33
PIIC?033 PC4 ( ETH_RMII_RX_D0 / ETH_MII_RX_D0/ ADC12_IN14 )
90
PIIC?090 PB4 ( NJTRST/ SPI3_MISO / TIM3_CH1 / SPI1_MISO / I2S3ext_SD )
34 91
C PIIC?034 PC5 ( ETH_RMII_RX_D1 / ETH_MII_RX_D1/ ADC12_IN15 ) PIIC?091 PB5 ( I2C1_SMBA/ CAN2_RX / OTG_HS_ULPI_D7 / ETH_PPS_OUT/TIM3_CH2 / SPI1_MOSI/ SPI3_MOSI / DCMI_D10 / I2S3_SD ) C
63
PIIC?063 PC6 ( I2S2_MCK / TIM8_CH1/SDIO_D6 / USART6_TX / DCMI_D0/TIM3_CH1 )
92
PIIC?092 PB6 ( I2C1_SCL/ TIM4_CH1 / CAN2_TX /OTG_FS_INTN / DCMI_D5/USART1_TX )
64
PIIC?064 PC7 ( I2S3_MCK / TIM8_CH2/SDIO_D7 / USART6_RX / DCMI_D1/TIM3_CH2 )
93
PIIC?093 PB7 ( I2C1_SDA / FSMC_NL / DCMI_VSYNC / USART1_RX/ TIM4_CH2 )
65
PIIC?065 PC8 ( TIM8_CH3/SDIO_D0 /TIM3_CH3/ USART6_CK / DCMI_D2 )
95
PIIC?095 PB8 ( TIM4_CH3/SDIO_D4/ TIM10_CH1 / DCMI_D6 / OTG_FS_SCL/ ETH_MII_TXD3 / I2C1_SCL/ CAN1_RX )
66
PIIC?066 PC9 ( I2S_CKIN/ MCO2 / TIM8_CH4/SDIO_D1 / /I2C3_SDA / DCMI_D3 / TIM3_CH4 )
96
PIIC?096 PB9 ( SPI2_NSS/ I2S2_WS / TIM4_CH4/ TIM11_CH1/ OTG_FS_SDA/ SDIO_D5 / DCMI_D7 / I2C1_SDA / CAN1_TX )
78
PIIC?078 PC10 ( SPI3_SCK / I2S3_CK/ UART4_TX/SDIO_D2 / DCMI_D8 / USART3_TX )
47
PIIC?047 PB10 ( SPI2_SCK / I2S2_CK / I2C2_SCL/ USART3_TX / OTG_HS_ULPI_D3 / ETH_MII_RX_ER / OTG_HS_SCL / TIM2_CH3 )
79
PIIC?079 PC11 ( UART4_RX/ SPI3_MISO / SDIO_D3 / DCMI_D4/USART3_RX / I2S3ext_SD )
48
PIIC?048 PB11 ( I2C2_SDA/USART3_RX/ OTG_HS_ULPI_D4 / ETH_RMII_TX_EN/ ETH_MII_TX_EN / OTG_HS_SDA / TIM2_CH4 )
80 51
PIIC?080 PC12 ( UART5_TX/SDIO_CK / DCMI_D9 / SPI3_MOSI / I2S3_SD / USART3_CK ) PIIC?051 PB12 ( SPI2_NSS / I2S2_WS / I2C2_SMBA/ USART3_CK/ TIM1_BKIN / CAN2_RX / OTG_HS_ULPI_D5/ ETH_RMII_TXD0 / ETH_MII_TXD0/ OTG_HS_ID )
APÊNDICE A. Diagrama Esquemático do Potenciostato/Galvanostato

7
PIIC?07 PC13 ( RTC_AF1 )
52
PIIC?052 PB13 ( SPI2_SCK / I2S2_CK / USART3_CTS/ TIM1_CH1N /CAN2_TX / OTG_HS_ULPI_D6 / ETH_RMII_TXD1 / ETH_MII_TXD1/ OTG_HS_VBUS )
8
PIIC?08 PC14-OSC32_IN ( OSC32_IN )
53
PIIC?053 PB14 ( SPI2_MISO/ TIM1_CH2N / TIM12_CH1 / OTG_HS_DMUSART3_RTS / TIM8_CH2N/I2S2ext_SD )
9
PIIC?09 PC15-OSC32_OUT ( OSC32_OUT )
54
PIIC?054 PB15 ( SPI2_MOSI / I2S2_SD/ TIM1_CH3N / TIM8_CH3N / TIM12_CH2 / OTG_HS_DP )

STM32F40x-VG (LQFP100) STM32F40x-VG (LQFP100)


+3.3V
PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02
N1 PID?01 N2 PID?01 N3 PID?01 N4 PID?01 N5 PID?01 N6 PID?01 N7 PID?01 N8 PID?01 N9 PID?01 N10 PID?01 N11 PID?01 N12 PID?01 N13 PID?01
Title
D PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 PID?02 D
STM32F4
COD?
Size Number Revision
PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 PID?01 A4
Date: 7/9/2014 Sheet of
File: D:\Accounts\..\MCU.SchDoc Drawn By: Turnell, C.
1 2 3 4
59
1 2 3 4

DECOUPLING
RELAY DRV RESET +3.3V CONNECTORS
COP1
P1
+3.3V PIR102 +12V PIP101 1
IN1
PIULN20030IN1 OUT1
PIULN20030OUT1 R1 PIP102
A PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 Pot_Mode Relay1 -12V 2 A
IN2
PIULN20030IN2 OUT2
PIULN20030OUT2 100K PIP103
C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1 COC1
C1 Galv_LCR Relay2 +3V3A 3
Galv_HCR
IN3
PIULN20030IN3
OUT3
PIULN20030OUT3
Relay3
PIR101 NRST +3V3 PIP104
4
PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF
LCR
IN4
PIULN20030IN4 OUT4
PIULN20030OUT4 Relay4 PIP105 5
IN5
PIULN20030IN5
OUT5
PIULN20030OUT5
HCR Relay5
PIS102COS1
IN6
PIULN20030IN6 OUT6
PIULN20030OUT6
S1 PIC302 SUPPLY
IN7 OUT7 +12V COC3
C3
PIULN20030IN7 PIULN20030OUT7
GND
PIULN20030GND
COM
PIULN20030COM
PIC301 100nF COP2
P2
COM
+VAN -VAN +3V3A PIP201
COULN2003 PIS10 CE 1
ULN2003 PIP202
WE 2
PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 PIC102 RE PIP203 3
C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1
PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 PIC101
100nF 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF PIC101 100nF ELECTRODES

COP3
P3
PIP301 1
ADC_Vcell PIP302 2
ADC_Icell-L PIP303 3
ADC_Icell-H PIP304 4
B +3V3A PIP305 5 B
LEDS USB OTG +3.3V LVL SHIFTER PIP306
DAC_Ctrl 6
DAC_Vref PIP307 7
PIR101 HCR_Vcm PIP308 8
PIR101 PIR102
PILED4 Yellow01 PILED4 Yellow02
COLED4 Yellow
LED4 Yellow 56 PIR102 PIP309
Relay1 COR1 9
R Pot_Mode
PIR102 ANALOG
Relay2 PIR101 PIR102
PILED5 Yellow01 PILED5 Yellow02
COLED5 Yellow
LED5 Yellow PILED9Orange01 Orange
+3.3V PIR101
R LCR_Mode LED9
COLED9Orange COP4
P4
USB_ON PIR102 PILED2Gren01 Green PIP401 1
PIR101 PIR102
PILED6 Yellow01 PILED6 Yellow02
COLED6 Yellow
LED6 Yellow PILED9Orange02 LED2
COLED2Green PIP402
Relay3 Cell_ON CellON/OFF 2
R LCR_Mode 220, 1/8W COU500
U500 PIP403
PIQ10 PILED2Gren02 CLS 3
R101
PIPIU50001 PIU50004 E/S Pot_Mode PIP404 4
PIR101 PIR102
PILED7 Yellow01 PILED7 Yellow02
COLED7 Yellow
LED7 Yellow PIQ102
COQ1
Q1 PIP405
Relay4 Galv_LCR 5
R LCR_Mode PIR101 NPN
CellON/OFF PIU50002 PIU50003 -12V Galv_HCR PIP406 6
R1
Optoisolator 4N38 GPIO_1 PIP407 7
PIR101 PIR102
PILED8 Yellow01 PILED8 Yellow02
COLED8 Yellow
LED8 Yellow 47k PIQ103 PIP408
Relay5 +3V3 8
R LCR_Mode PIR102 +3.3V
GPIO_2 PIP409 9
LCR PIP4010 10
COM COUSB PIR102 PIP4011
C HCR 11 C
VBUS
PIUSB0VBUS
R1
PIR102
22
PIR101 PIP4012
PA09 LCR_G0 12
DM
PIUSB0DM
R1
PIR102
22
PIR101 PIP4013
COLED1 Blue PA10 LCR_G1 13
+3.3V PIR101 PIR102
PILED1 Blue01 PILED1 Blue02
LED1 Blue DP
PIUSB0DP
R1
PIR102
22
PIR101 PA11 CLS-12V
PIR101 HCR_G0 PIP4014 14
R PWR ID
PIUSB0ID
R1
PIR102
22
PIR101 PA12 PIR102 PILED3Red01 LED3 Red
COLED3Red HCR_G1 PIP4015 15

USB
GND
PIUSB0GND PIP4016
OverCurrent 16
390, 1/4W COU501
U501
PISN75240PWR0A A GND_A PISN75240PWR0GND0A
R101
PIPIU50101 PILED3Red02
PIU50104 CLS
DIGITAL
APÊNDICE A. Diagrama Esquemático do Potenciostato/Galvanostato

PIUSB0HIELD PISN75240PWR0B B GND_B PISN75240PWR0GND0B


PISN75240PWR0C C GND_C PISN75240PWR0GND0C -12V PIU50102 PIU50103
COP5
P5

SHIELD
PISN75240PWR0D PISN75240PWR0GND0D
R1
PIR102 PIR101
22PIP501
D GND_D Optoisolator 4N38 +3.3V 1
R1
PIR102 PIR101
22PIP502
PA14 2
COSN75240PWR
SN75240PWR
PIP503 3
R1
PIR102 PIR101
22PIP504
PA13 4
R1
PIR102 PIR101
22PIP505
NRST 5
R1 22
PB03 PIR102 PIR101
PIP506 6

SWD

Title
D D
Peripherals & Extras

Size Number Revision


A4
Date: 7/9/2014 Sheet of
File: D:\Accounts\..\Misc.SchDoc Drawn By: Turnell, C.
1 2 3 4
60
1 2 3 4

Notes:
- If Icell < 1mA, use LCR mode.
POTENTIOSTAT - GALVANOSTAT - Vref = 1.5V for Icell < 0.
- (Optional) Place capacitor (100pF-1uF) in JP1 if Vcell
A A
oscillates (no good for impedance experiments).
PIC102
560pF
PIC101
+12V
PIK101 PIK102 PIR102
1.3M
PIR101
ADC_Vcell
47uF
PIC102 PIC101
5.6nF
PIC102 PIC101
PIK103 PIK104
0.1uF
PIC102 PIC101
Relay1 COM
PIR102 140k
PIR101
CLS-12V

V+
Relay-SPST PIC102
56nF
PIC101

CLS
COK1
K1 2
PIOPA56102
PIOA5610V PIOA5610CLS
+
7
PIOPA56107 PIR102
14k
PIR101
PIK201 PIK202 PIR102 PIR101 3
PIOPA56103
ADC_LIcell - COOPA561
10K OPA561 1.2uF
PIC102 PIC101

E/S
Ilm
V-
PIK203 PIK204 PIR102 PIR101 PIR102 1.4k
PIR101
Relay2 COM DAC_Ctrl
10K
PIOA5610V PPIIORA516100I1lm PIOA5610ES
2k
47uF E/S
PIC102 PIC101
B Relay-SPST B
COK2
K2 PIC102
0.1uF
PIC101
PIR102 +3.3V
1uF
PIC102 PIC101 Y0
PIDG92520Y0 X0
PIDG92520X0
PIK301 PIK302
-12V Y1
PIDG92520Y1
X1
PIDG92520X1
ADC_HIcell
Y2 X2

8
PIOA3810 PIDG92520Y2 PIDG92520X2
2
PIOPA38102 Y3
PIDG92520Y3 X3
PIDG92520X3
- NLLCR
PIK303 PIK304
6
PIOPA38106
Y
PIDG92520Y
X
PIDG92520XPPIR102
IR102 PIR101
LCR
Relay3 COM ADC_LIcell
COJP1
JP1 Relay-SPST PIOPA38103
3 1k PIC101
COK4
K4 DAC_Vref + COOPA381
PIJP102 PIC102 OPA381 ENABLE
PIDG92520ENABLE

4
2 Logic
Relay-SPST NLCE
CE Relay4 COM CODG9252
DG9252 102
PIC150pF
1 PIJP101 PIOA38104
COK3
K3 PIK403 PIK404
PIC101 0.1uF
B
A

CAP
Vee
Vcc
GND

+12V
NLRE
RE
PIDG9250Ve PIDG9250ND PIDG9250Vc PIDG9250A PIDG9250B
PIK401 PIK402
+3.3V PIC101 PIC102
0.1uF NLWE
WE +12V
+3.3V LCR_G0
PIR10 1 PIC101 PIC102
10uF
COR101 LCR_G1
R101 PIC101 2.2pF PIK501 PIK502
7.5K NLVA0
VA+
PIR102 PIR101 PIR102
NLVA0
VA-
PIR101

4
PIR10102 PIC102 Relay5 COM COU1
U1
PIR102 PIR101
C
PIAmpO04 3 COAmpOp 10k 10k C

+Vs
- PIAmpOp03 PIAD820 Vs +IN
PIAD822000IN 10k PIK503 PIK504
+3.3V
1
PIAmpOp01
HCR_Vcm
ADC_Vcell R102 Rg
+ PIAD82200Rg 1
PIU101
14
PIU1014
2 PIR10201
COR102 Vout
PIR10202
PIAD82200Vout
HCR_G0 G0 V+
+ PIAmpOp02 Rg
PIAD82200Rg
2
PIU102
13
PIU1013
HCR_G1 G1 + DNC COR1

8
30K -IN
- PIAD822000IN COK5
K5 VA- 3
PIU103 VA- OUTA
12
PIU1012 PIR102 PIR101
NLHCR
HCR
ADC_HIcell
PIAmpO08 AD8615 PIR102 PIR101
Relay-SPST 4
PIU104 - 11
PIU1011 1k PIC101

REF
INA+ REF

-Vs
PIR10301 COAD8220
AD8220 PIC101 PIR102 5 10 COC1
10k PIU105 PIU1010
COR103
R103
PIAD820REF PIAD820 Vs VA+6
INA- OUT
9 PIC150pF
102
PIU106 VA+ - IN- PIU109
APÊNDICE A. Diagrama Esquemático do Potenciostato/Galvanostato

10K PIC102 2.2pF 0.1 7 + 8


PIU107 V- IN+ PIU108 DAC_Vref
PIR10302 PIC101 PIC102
10uF Shunt PIR101 PIC102
0.1uF ISL28534 PIC101 0.1uF
PIC101 PIC102

-12V

Title
D D
Potentiostat/Galvanostat

Size Number Revision


A4
Date: 7/9/2014 Sheet of
File: D:\Accounts\..\Potentiostat.SchDoc Drawn By: Turnell, C.
1 2 3 4
61
1 2 3 4

A
POWER SUPPLY A

7812
COVR1
VR1 +12V
PIVR101 Vin Vout PIVR103

2
1
PID102 PID10 GND
COD1
D1

V+
PIVR102

AC
Bridge2
PIC?01 C?
PIC102 PIC102 PIC?01 C?

AC
V-
COF1
F1 Cap Pol2 Cap Pol2
Line PIF101 PIF102 PIT101 PIT103
PIC?02 PIC101 1uF PIC101 1uF PIC?02
COS1 2200uF 1000uF
S1

4
3
P1 Fuse 1 PID104 PID103
2
PIP102 PIS101 PIS102
3
PIP103 PIT104
1
PIP101 PIS103 PIS104

Plug AC Male SW-DPST


Neutral PIT102 PIT105
Trans CT PIC?01 PIC102 PIC102 PIC?01
B COT1 C? COC1 COC?
C? B
T1
Cap Pol2 1uF 1uF Cap Pol2
PIC?02 2200uF
PIC101 PIC101 PIC?02 1000uF
PIVR20
GND -12V
PIVR201 Vin Vout PIVR203

COVR2
VR2
7912

COP1
P1 Notes:
+12V +3V3A +12V +3V3 PIP101
- Vsupply = 115 or 220V
+12V 1
PILM108603030IN IN
LM1086-3.3 LM1086-3.3 PIP102
OUTPILM108603030OUT PILM108603030ININ OUT PILM108603030OUT -12V 2
+3V3A PIP103 3
PIC102 GND PIC102 PIC102 GND PIC102
C +3V3 PIP104 4 C
PIP105 5
PIC101 10uF PIC101 10uF PIC101 10uF PIC101 10uF
PILM10863 GND PILM10863 GND SUPPLY
COLM10860303
APÊNDICE A. Diagrama Esquemático do Potenciostato/Galvanostato

Title
D D
Power Supply

Size Number Revision


A4
Date: 7/9/2014 Sheet of
File: D:\Accounts\..\Supply.SchDoc Drawn By: Turnell, C.
1 2 3 4
62
1 2 3 4

POTENTIOSTAT - GALVANOSTAT (TESTER)

Notes:
- AD623: Vsup(dual) = +/-2.5 a +/-6 V,
A A
Vsup(single) =+3 a +12 V

- R1 = (12k/Ilim) - 10k
+15V
-Pot(tia)= 1.4k a 1.3M ohm
-Pot(ad623) = 1 a 1k ohm

V+
CLS
2
PIOPA56102
PIOA5610V PIOA5610CLS
+
7
PIOPA56107
PIR102 PIR101
3
PIOPA56103
Vin - COOPA561
10K OPA561
COS?

E/S
Ilm
1 S?

V-
Vcell PIS?01
PIS?02
2 PIR102 PIR101

Icell
3
PIS?03 10K
PIOA5610V PPIIORA516100I1lm PPIIORA516100E1S
2k
SW-SPDT R1 COR1402k

PIR102 PIR102
RPot
-15V +15V 1M
B B
PIR?01 PIR?02

PIR?03 R?
COC1
PIC102 PIC101
NLCE
CE

+15V
NLRE
RE

NLWE
WE

8
PITL07402
2
-
PITL0748 6
+5V PITL07406
PITL07403
3
+
COTL074
TL074

+Vs
PIAD6230Vs +
+IN
PIAD62300IN
Rg
PITL074
Vout PIAD6230Rg
Vcell PIAD6230Vout Rg -15V 1 S?
C PIAD6230Rg PIS?01 C
-IN
- PIAD62300IN S? 3 2
PIS?03 PIS?02 Icell
2
PIS?02
3
PIS?03

REF
-Vs
PIAD6230REF AD623 1
PIS?01 SW-SPDT
SW-SPDT
+5V

-5V
+Vs
APÊNDICE A. Diagrama Esquemático do Potenciostato/Galvanostato

+IN
PIAD62300IN
PIAD6230Vs
Rg +
PIAD6230Rg Vout
PIAD6230Vout
PIR?02 Rg
PIAD6230Rg
PIR102 COR?
R?
PIR?03
-IN -
PIAD62300IN
COAD623
AD623
REF
-Vs

0.1 PIR1K
?01 PIAD6230Vs PIAD6230REF
Shunt PIR101 RPot

-5V

Title
D D
Potentiostat/Galvanostat Test Circuit

Size Number Revision


A4
Date: 7/9/2014 Sheet of
File: D:\Accounts\..\TestCircuit.SchDoc Drawn By: Turnell, C.
1 2 3 4
63
64

APÊNDICE B – Lista de Materiais

Figura 29 Ű Lista de Materiais do Circuito do Potenciostato/Galvanostato

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