137m137m Ba

Departamento de Física
ESPETROSCOPIA DE RADIAÇÃO GAMA (T3)
Laboratórios II
Física Nuclear

13 de Novembro de 2020

Espetroscopia de Radiação Gama

Objetivo: Estudo de espetros da radiação gama ( ) registados com um detetor de cintilação composto
por um cintilador (N aI(T 1)) acoplado a um fotomultiplicador.
Palavras chave: Radiação gama; detetores de cintilação; interacção da radiação com a matéria;
espetros de radiação gama.
Objetivo
Estudo de espetros
1 Texto dedaapoio
radiação gama (γ) registados com um detetor de cintilação composto por um cintilador
(NaI(T1)) acoplado a um fotomultiplicador.
1.1 Detetor de cintilação
1Um detetor
Introdução
de cintilação é composto por um cintilador e um fotodetetor (vulgarmente um fotomultiplicador).
Na Fig. 1 está representado esquematicamente um detetor de cintilação composto por um cintilador e um
1.1 Cintiladores
fotomultiplicador.
Um cintilador é um material em que uma fração da energia nele depositada pela partícula primária, diretamente
1.1.1
ou Introdução
através de eletrões secundários, é convertida em luz do visível ou ultravioleta - luz de cintilação. Uma
fração dos fotões de cintilação é detetada por um fotodetetor (geralmente um fotomultiplicador), acoplado
Um cintilador é um material (sólido, líquido ou muito mais raramente um gás) em que uma fração da energia
opticamente ao cintilador, que fornece à saída um sinal elétrico cuja amplitude é proporcional ao número de
nele depositada pela partícula primária (diretamente ou através de eletrões secundários) é convertida em luz
fotões de cintilação que chega ao fotomultiplicador, que por sua vez é proporcional à energia depositada no
do visível ou ultravioleta que é designada por luz de cintilação. Estes fotões de cintilação são emitidos na
meio. Os detetores de cintilação são muito adequados para detetar raios-γ.
sequência da desexcitação de átomos ou moléculas do cintilador que foram excitados pela partícula incidente
(direta ou indiretamente através das partículas secundárias carregadas). Uma fração dos fotões de cintilação
☞ Qual
é detetada poré um
o mecanismo de (geralmente
fotodetetor produção deumluz fotomultiplicador),
num cintilador? acoplado opticamente ao cintilador, que
fornece à saída um sinal elétrico cuja amplitude é proporcional ao número de fotões de cintilação que chega
ao Resposta: Estes fotões
fotomultiplicador, que de
porcintilação
sua vez ésão emitidos na
proporcional sequência
à energia da desexcitação
depositada de átomos ou moléculas do
no meio.
cintilador que foram excitados pela partícula incidente (direta ou indiretamente através
Os detetores de cintilação são muito adequados para detetar raios- . O cintilador dasmais
partículas secun-
vulgarmente
dárias carregadas).
utilizado para detetar raios- é o cristal de iodeto de sódio contendo uma pequena concentração de tálio,
N aI(T l).

Figura
Figura 1: Representação esquemática
esquemática de
de um
um detetor
detetor de
de cintilação.
cintilação.
Laboratórios II
2O2 NUCLEAR DECAY AND RADIoACTIVITY

r20

r00 effect
Photoelectric I I Pair production
dominant I I dominant
(l)
-o
80
o
.J)
-o
(!
60
o
N o=x
40 Compton effect
dominant

20

0
0.01 0.05 0.1 0.5 1 5 10 50 100
E" (MeV)

Figure 7.8 The three y+ay interaction processes and their regions of domi-
Figura 2: Importâncianance.
relativa de cada um dos processos de interação da radiação γ com a matéria, em função
da energia do fotão incidente e do número atómico Z do material absorvedor. As linhas indicam os valores de
Z e Eγ para os quais os dois efeitos vizinhos são igualmente prováveis (pp. 202 em [2]).

O cintilador mais vulgarmente utilizado para detetar raios-γ é o cristal de iodeto de sódio, NaI(Tl), contendo
uma pequena concentração de tálio (processo de dopagem).

Figure 7.9 An experiment to measure absorption of radiation in a slab of material

1.2 Interacçãoofda radiação
thickness gama
f. A beam e deposição
of radiation de Senergia
from the source is collimatedno andcintilador
then is
scattered or absorbed by the material. The remaining intensity / reaches the
A interação de um raio γ com
detector D. energia Eγ no cintilador pode ocorrer por um dos três processos seguintes:

1. Efeito Fotoelétrico: raio γ é (o),

Comptono scattering and pairsendo
absorvido emitido
production (rc): um fotoeletrão com uma energia T = E − B ,
e γ e
onde Be é a energia de ligação do eletrão no átomo de onde saiu. O rearranjo (z.u) interno do átomo ionizado
pode resultar na emissão
The de raios-X
linear compton absorpt,"" :;;#::, ou de eletrões
caraterísticos retated toAuger. A secção
the calculated crosseficaz para a absorção
por efeito fotoelétrico aumenta
section per rapidamente
electron, com Z.according to
oc of Equation7.l7,

o: o"NZ (t.zo)
2. Efeito Compton where-Z o raio
and N again represent the atomic number of the scattering material and sendo a diferença de
γ transfere parte da sua energia para um eletrão livre,
energia transportada pelo of
the number fotão
atomsdisperso.
per unitAvolume.
energia
Allcinética
quantitiesdoineletrão depende
Equation 7.19 havedo ângulo de dispersão
do fotão disperso é dada por:
dimensions of (length)-1.
The fractional loss in intensity in crossing E γ thickness dx of material is
any
Te = me c2
, (1)
dI 1 +
: Eγ (1−cos θ)
-pdx (t.zt)
I
onde θ é o ângulo
andde dispersão do raio-γ.
thus
I: Ioe-P' (t.zz)
☞ Pergunta: O valor
in passing máximo
through de transferência
a thickness r. de energia corresponde ao bordo de Compton.
Qual é oFigure
valor7.10
máximo
shows dessa energia e a values
some representative que ângulo
for the de dispersão
energy corresponde?
dependence of the
attenuation coefficients.

3. Produção de Pares e+ e− se Eγ >1.02 MeV, a sua interação com o campo elétrico nuclear pode fazer
com que o fotão dê lugar a um eletrão e a um positrão (processo de produção de pares) com energia
cinética respetivamente T− e T+ , sendo:

Eγ = 2me c2 + T− + T+ . (2)

A importância relativa de processo depende da energia da radiação incidente e do número atómico do

absorvedor (ver fig. 2).
A fracção de fotões que sofre uma interacção ao atravessar uma distância x é dado por:

f = 1 − e−µx , (3)

em que µ é o coeficiente de atenuação linear.

☞ Pergunta: Quais são as dimensões físicas típicas de µ?

2
 ESPECTROSCOPIA DA RADIAÇÃO GAMA

em que µi (com i = ph, C, pp) é a probabilidade de um fotão ter uma interação por unidade de comprimento
de percurso devido apenas ao processo i.
A atenuação pode também ser parametrizada em termos do coeficiente mássico de atenuação µ/⇢, expresso
em cm2 /g, que é independente da densidade ou estado físico do meio.
Laboratórios II
Na Fig. 3 está representado o coeficiente de atenuação do N aI(T l) para cada um dos processos em função
da energia dos fotões.

Figura 3: Variação com

Figura a energia
3: Variação com a dos
energiacoeficientes
dos coeficientes de atenuação
de atenuação mássicos
mássicos dos fotões dos fotões
num cristal de Nnum
aI cristal de NaI
(⇢ = 3.67 g/cm3 ) dopado com 1% de tálio (curva obtida com o programa XCOM do NIST).
(ρ=3.67 g/cm ) dopado com 1% de tálio.
3

Em qualquer um dos processos de interação dos fotões com o cintilador acima mencionados, a totalidade
(ou parte) da energia do fotão incidente (ou fotão primário) é transferida para um eletrão (no caso do efeito
fotoelétrico), dois ou mais eletrões (no caso de um ou mais processos de dispersão Compton seguidos de
efeito fotoelétrico) ou um par eletrão-positrão (no caso da produção de pares). Esses eletrões secundários (e
µ é dado pela soma dos vão
o positrão) coeficientes de atenuação
por sua vez transferir linear
a sua energia cinéticapara
para ocada um dos
meio através de umprocessos
número muito deelevado
interacção relevantes.
A atenuação pode detambém serpróximas
colisões, muito parametrizada
umas das outras,independentemente
com os eletrões atómicos. da densidade
A energia transferidaou estado
nessas colisõesfísico do meio em
constitui a energia depositada no cintilador, Ed .
termos do coeficiente mássico de atenuação µ/ρ, onde ρ corresponde à densidade do material absorvedor. Na
A energia depositada no cintilador pode ser igual ou inferior à energia do fotão incidente. Por exemplo,
fig. 3 está representado
no casoµ/ρ do NaI(Tl)
da ocorrência de efeitopara
Compton,cada umdisperso
o fotão dos processos
pode escapar em funçãosem
do cintilador dainteracionar
energia nele.
dos fotões.
Nesse caso, a energia depositada no cintilador é inferior à energia do fotão primário, sendo igual à energia
Em qualquer um dos processos de interação dos fotões com o cintilador, a totalidade
do eletrão de Compton. Ou seja, a energia depositada, Ed , é igual à energia do fotão incidente, E , menos a
ou parte da energia é
transferida para umenergia
eletrão no que
do fotão caso dodoefeito
escapa fotoelétrico,
cintilador dois ou mais eletrões no caso de um ou mais processos
sem nele interagir:
de dispersão Compton seguidos de efeito fotoelétrico
Ed = E
ou um par eletrão-positrão no caso da(3)produção de pares.
energia do f otão disperso que escapa.
Esses eletrões secundários
No caso da produção de pares, o eletrão e o positrãotransferir
e o positrão vão por sua vez vão transferiraa sua
suaenergia
energiapara oscinética parada o meio através de
átomos através
um número muito interação
elevadocomdeeletrões
colisões,
atómicosmuito próximas
até pararem umas com
(tal como acontece dasosoutras, com
fotoeletrões os eletrões
e os eletrões atómicos. A energia
de Compton).
Quando a energia cinética do positrão se torna muito baixa, próxima de zero, este aniquila-se com um eletrão
transferida nessas colisões constitui a energia depositada no cintilador, E d .
atómico dando origem a dois fotões de 0.511 MeV cada um, que são emitidos segundo a mesma direção e
A energia depositada no cintilador
sentidos opostos. Um ou ambos pode serdeigual
os fotões ou (designados
0.511 MeV inferior àporenergia do fotãopodem
fotões de aniquilação) incidente.
escapar Por exemplo, no
caso da ocorrênciadodecintilador
efeitosem nele interagirem. Nesse caso, tem-se
Compton, o fotão disperso pode escapar do cintilador sem interagir nele. Nesse
Ed = E energia do(s) f otão(ões) de aniquilação que escapa(m).
caso, a energia depositada no cintilador é inferior à energia do fotão primário, sendo igual à energia do eletrão
de Compton. Ou seja: 3
Ed = Eγ − Eγ′ , (4)
onde Eγ′ corresponde à energia do fotão que escapou.
No caso da produção de pares, o eletrão e o positrão vão transferir a sua energia para os átomos através da
interação com eletrões atómicos até pararem (tal como acontece com os fotoeletrões e os eletrões de Compton).
Quando a energia cinética do positrão se torna muito baixa, próxima de zero, este aniquila-se com um eletrão
atómico dando origem a dois fotões de 511 keV cada um, que são emitidos segundo a mesma direção e sentidos
opostos. Um ou ambos os fotões de 511 keV (designados por fotões de aniquilação) podem escapar do cintilador
sem nele interagirem.
Generalizando, qualquer que seja o processo ou processos desencadeados pelo fotão incidente tem-se:
X
Ed = Eγ − Ei′ , (5)

em que o somatório inclui todos os fotões secundários, de energia Ei′ , produzidos na sequência da interação do
fotão primário que escaparem do cintilador (i.e., fotões dispersos de Compton, raios-X produzidos na sequência
de efeito fotoelétrico, fotões de aniquilação resultantes da aniquilação do positrão produzido pelo processo de
produção de pares no cintilador, fotões de radiação de travagem eventualmente produzidos pelos eletrões e
positrões no seu processo de paragem no cintilador).

1.3 Conversão da energia depositada no cintilador em luz de cintilação

Os eletrões secundários para os quais a radiação gama transferiu a sua energia (fotoeletrões, eletrões Auger,
eletrões de Compton ou pares eletrão-positrão) depositam a sua energia no cintilador por colisões com os
eletrões dos átomos, em resultado das quais se formam átomos excitados. Alguns dos estados excitados decaem
rapidamente com emissão de fotões da região do visível ou ultravioleta (designados por fotões de cintilação ou

3
 recombines. As a result the emission and absorption spectra will overlap and there will be
substantial self-absorption. As we have seen, however, the emission from an activated crys-
tal occurs at an activator site where the energy transition is less than that represented by
the creation of the electron-hole pair. As a result the emission spectrum is shifted to longer
wavelengths and will not be influenced by the optical absorption band of the bulk of the
crystal.
Laboratórios II The emission spectrum of the light produced by a number of inorganic scintillators is
shown in Fig. 8.7. To make full use of the scintillation light, the spectrum should fall near

WAVELENGTH (nm)

Figure 8.7 The emission spectra of several common inorganic scintilla-

Figura 4: Comparação dos espetros deshown
tors. Also emissão de vários
are the response cristais,
curves normalizados
for two widely used photocath- ao máximo de intensidade, com
odes. (Primarily from Scintillation Phosphor Catalog, The Harshaw
as curvas de sensibilidade espetral de dois fotocátodos típicos de fotomultiplicadores
Chemical Company. The emission spectrum for BGO is from Ref. 72.) [1].

luz de cintilação). Uma fração da energia cinética do eletrão secundário é, assim, convertida em luz que vai
incidir no fotocátodo do fotomultiplicador.
Cada material cintilador tem um espetro de emissão caraterístico, normalmente na zona do ultravioleta e/ou
visível, que não depende da natureza da radiação incidente.
O número médio de fotões de cintilação, n, produzidos num cintilador quando nele é depositada uma energia
Ed é dado por:
Ed Ed
n= rcint = , (6)
ε Ws
onde ε é a energia média dos fotões de cintilação, Ws é a energia média para produzir um desses fotões e rcint
é o rendimento de fluorescência (rcint = ε/Ws ). Portanto, o número de fotões de cintilação é proporcional à
energia depositada no detetor.

1.4 Propagação da luz de cintilação no cintilador

A fração da luz total de cintilação emitida pelo cristal que chega ao fotomultiplicador depende da transpa-
rência do cintilador a essa luz (os fotões de cintilação não devem ser absorvidos pelo cintilador) e também
da geometria e propriedaddes ópticas do sistema cintilador-fotomultiplicador. Estas dependem da forma do
cintilador, das propriedades difusoras da sua superfície e do acoplamento óptico entre o cintilador e o foto-
cátodo do fotomultiplicador. Os cristais utilizados têm normalmente a forma cilíndrica e a sua superfície, com
excepção da face adjacente ao fotocátodo é geralmente revestida dum bom difusor de luz, por exemplo, MgO
ou Al2 O3 . O acoplamento óptico faz-se por meio de uma silicione, líquido viscoso e transparente.
O número médio de fotões de cintilação que incide no fotocátodo após a interação de um raio-γ no cintilador
é então dado por:
nf = F n, (7)
em que F é a fração do número médio de fotões de cintilação que chega ao fotocátodo do fotomultiplicador.

1.5 Fotomultiplicador
Um fotomultiplicador (fig. 5) é constituído por um cátodo sensível à luz (fotocátodo), uma série de elétrodos
(dínodos) a potenciais sucessivamente mais elevados e por um elétrodo coletor (ânodo). Quando um feixe de
fotões de comprimento de onda na zona de sensibilidade do fotocátodo (geramente localizada na região do visível
e/ou do ultravioleta) incide sobre o fotocátodo arranca eletrões do fotocá- todo por efeito fotoelétrico, que se
designam geralmente por fotoeletrões. O número médio de fotoeletrões libertados, ne , é igual a:
ne = ηnf , (8)
em que η é a eficiência quântica do fotocátodo e nf é o número médio de fotões que incidem no fotocátodo. Os
valores máximos das eficiências quânticas dos fotocátodos são tipicamente da ordem dos 20–30%.
Os fotoeletrões são acelerados em direcção ao primeiro dínodo que se encontra a um potencial mais elevado
que o fotocátodo. Ao colidirem com o primeiro dínodo, os fotoeletrões produzem a emissão de eletrões secun-
dários que são arrancados ao dínodo. Sucessivas multiplicações do número de eletrões ocorrem na série de m

4
 seja, por cada valor de energia depositada no cintilador) pode ser obtido com um analisador multicanal (ver
Fig. 7).

1.3.1 Análise dos espetros de radiação gama

Laboratórios II
No caso de uma fonte de raios- monoenergéticos com energia inferior a 1.022 MeV e se não existissem
flutuações estatísticas nos processos que estão envolvidos na formação do sinal nem houvesse ruído eletrónico,
esperar-se-ia uma distribuição da amplitude dos sinais com origem nas interações dos raios- da fonte no
detetor semelhante à que está esquematicamente representada na Fig. 8a.
Os impulsos no fotopico (ou pico de absorção total) correspondem à absorção total da energia do fotão
incidente no cintilador (Ed = E ) e podem resultar dos seguintes processos:
1. Interacção do fotão incidente por efeito fotoelétrico, sendo absorvida no cintilador toda a energia não
só do fotoeletrão mas também da radiação-X ou dos eletrões Auger emitidos na sequência do processo
de efeito fotoelétrico.
2. Interacção do fotão incidente por efeito de Compton com absorção no cintilador não só da energia do
eletrão de Compton mas também do fotão disperso.
A distribuição contínua observada no espetro da Fig. 8a é designada por patamar de Compton (ou contínuo
de Compton). Corresponde a raios- que interagiram por efeito Compton no cintilador e o fotão disperso
escapou sem lá interagir. Nesse caso, a energia depositada por cada raio- que interage no cintilador é apenas
Figura 5: Princípio
a energia de do
cinética funcionamento de um
eletrão de Compton quefotomultiplicador
depende do ângulo ededivisor de (E
dispersão tensão
d = Tepara
com Taplicar a diferença
e dado pela Eq. de
1 em
potencial que ✓ varia
necessária continuamente
entre entredínodos
o fotocátodo, 0 e 180º. eAssim,
ânodoo de
patamar de Compton corresponde
um fotomultiplicador à distribuição
de modo de
aos fotoeletrões se
energia dos
multiplicarem nos eletrões
dinodosdee Compton dispersos no
serem recolhidos sob ânodo.
diferentes ângulos e que são absorvidos no cintilador, tendo
os correspondentes fotões dispersos escapado do cintilador sem serem absorvidos. Este é o caso descrito pela

Figura 6: Componentes
Figura principais
7: Componentes principaisde
de um sistemautilizado
um sistema utilizadoemem espetroscopia
espetroscopia gama.
gama.

7
dínodos do fotomultiplicador. Se a diferença de potencial entre dínodos consecutivos for sempre a mesma e o
factor de multiplicação em cada dínodo (ganho) se designar por A, o número médio de eletrões que chega ao
ânodo é igual a:
F ηAm
N e = Am n e = Ed , (9)
Ws
ou seja, o número médio de eletrões recolhidos no ânodo, que determina a amplitude do sinal observado no
ânodo do fotomultiplicador, é proporcional à energia depositada no cintilador pelo fotão incidente. O ganho
do fotomultiplicador é definido como G = N e /ne e é tipicamente da ordem de 106 –107 . Para se aplicarem as
diferenças de potencial entre os dínodos utiliza-se uma cadeia de resistências e ligam- se os extremos da cadeia
a uma fonte de alta tensão. A queda rápida de potencial que se produz na resistência de carga RL quando os
eletrões chegam ao ânodo, constitui um impulso elétrico negativo que é transmitido pelo condensador C (este
condensador elimina a parte contínua da tensão). O ganho do fotomultiplicador aumenta acentuadamente com
a diferença de potencial aplicada. É necessário utilizar uma fonte de alta tensão muito bem estabilizada para
que o detetor seja estável. Os condensadores em paralelo com as resistências entre dínodos nos últimos estágios
de multiplicação têm também como fim aumentar a estabilidade do detetor.

1.6 Eletrónica associada

O equipamento eletrónico geralmente associado a um detetor de cintilação está representado no diagrama da
fig. 6. Ela é composta por:

• Fonte de alta tensão: a fonte de alta tensão deve ser muito bem estabilizada, para não haver flutuações
de ganho do fotomultipli- cador.

• Amplificador linear: Um amplificador diz-se linear quando a amplitude do sinal à saída é diretamente
proporcional à amplitude do sinal à entrada. O amplificador tem a dupla função: i) amplificar o sinal de
um certo factor (ganho do amplificador), resultando num sinal à saída com amplitudes entre 0 e 10 V;
e ii) formatar os sinais, i.e., variar o tempo de subida e a duração do impulso. A formatação (shaping)
é feita através de uma cascata de circuitos CR (circuito diferenciador - filtro passa-alto) e RC (circuito
integrador - filtro passa-baixo), que estabelecem uma banda de passagem variável (conforme os valores
das respetivas constantes temporais). Obtém-se deste modo uma filtragem dos sinais, reduzindo o ruído
de alta frequência, e a redução das suas caudas evitando o empilhamento.

5
Laboratórios II
ESPECTROSCOPIA DA RADIAÇÃO GAMA

Figura 8: Espetros de radiação gama de uma fonte monoenergética: (a) se os processos envolvidos na formação
Figura 7: do
Espetros
sinal nãode radiação
sofressem gama de
flutuações; (b)uma fonte
espetro monoenergética:
medido (a) se os processos envolvidos na formação
experimentalmente.
do sinal não sofressem flutuações; (b) espetro medido experimentalmente.
Eq.3 em que a energia do fotão disperso que escapa varia entre E (correspondente ao ângulo de dispersão
do fotão ser igual a 0) e o valor mínimo da energia do fotão disperso (que corresponde ao fotão ser disperso
a 180º relativamente à direção do fotão incidente) que é igual a
• Analisador multicanal: É constituído por um ADC (Analog to Digital Converter) que converte a
amplitude dos sinais analógicos de entrada num 0 número
E (canal). A cada canal está associado um contador
Emin =
que conta o número de impulsos com uma dada amplitude. 2E
1 + mc2 Se o analisador multicanal for uma unidade
autónoma tem um écran onde se pode observar o gráfico do número de contagens em função do canal. O
Este último caso corresponde ao valor máximo da energia do eletrão de Compton e portanto à máxima energia
ADC tambémpor
depositada pode
uma estar
única acoplado
interação dea Compton
um computador
seguida deatravés
escape dodefotão
um disperso
interface, sendo oEsse
do detetor. histograma
valor então
obtido por software.
é designado por bordoOsdesinais
Comptonà entrada do ADC
e o seu valor é dadodevem
pela Eq.ter
2. amplitudes compreendidas entre 0 e 10 V e
tempos de subida da ordem das centenas de nanosegundos.
No entanto, a emissão de luz no cintilador, de fotoeletrões no fotocátodo e de eletrões secundários nos
dínodos são fenómenos aleatórios e portanto sujeitos a flutuações. No caso de absorção total da radiação
No sistema experimental a utilizar no trabalho laboratorial a realizar na aula, toda a eletrónica associada
incidente isso introduz flutuações na amplitude do sinal em torno de um valor médio, conduzindo a uma
está numadistribuição
placa interna de um
Gaussiana em computador à qual
vez de uma risca (ver se
Fig.liga
8). oOfotomultiplicador atrávés
caráter aleatório desses de dois
fenómenos e ocabos,
ruído um para
aplicação eletrónico
do potencial
fazem elétrico
também (HV)
com quee oo bordo
outrodepara o sinal
Compton do ânodo
apresente que vai para
um alargamento a entrada
tal como do amplificador
está represen-
(ver fig. 6).
tado na Fig. 8b. Os eventos/contagens correspondentes a energias entre o bordo de Compton e o fotopico
que aparecem no espetro obtido experimentalmente (Figura 8b) devem-se não só às flutuações estatísticas
inerentes ao detetor de cintilação, mas também a múltiplas interacções de Compton seguidas de escape do
1.7 Espetros
último fotãode radiação
disperso gamaa sua energia no cintilador. Eventos deste tipo podem depositar uma
que não deposita
energia variável que inclui a gama de energias entre o bordo de Compton e o fotopico.
Quando raios-γ monoenergéticos incidem no cintilador dum detetor de cintilação, os impulsos obtidos à saída do
fotomultiplicador têm uma distribuição de amplitudes resultante dos diferentes valores da energia depositada no
cintilador pelos fotões γ que nele interacionaram. A energia depositada depende da energia do fotão incidente
e dos processos pelos quais este interaciona no cintilador. Para cada valor da energia depositada, a amplitude
do sinal depende do cintilador, do ganho do fotomultiplicador (que depende do potencial elétrico aplicado) e
do ganho do amplificador ligado ao fotomultiplicador. O espetro da radiação γ, i.e., a distribuição do número
de impulsos por cada valor da amplitude (ou seja, por cada valor de energia depositada no cintilador) pode ser
obtido com um analisador multicanal.
No caso de uma fonte de raios-γ monoenergéticos com energia inferior a 1.022 MeV e se não existissem
flutuações estatísticas nos processos que estão envolvidos na formação do sinal nem houvesse ruído eletrónico,
esperar-se-ia uma distribuição da amplitude dos sinais com origem nas interações dos raios-γ da fonte no detetor
semelhante à que está esquematicamente representada na fig. 7 esquerda. Os impulsos no fotopico (ou pico de
absorção total) correspondem à absorção total da energia do fotão incidente no cintilador (Ed = Eγ ) e podem
resultar dos seguintes processos:
Figura 9: Espetro de uma fonte de 137
Cs obtido com um detetor de N aI(T l)
• Interacção do fotão incidente por efeito fotoelétrico, sendo absorvida no cintilador toda a energia não só
do fotoeletrão mas também da radiação-X ou dos eletrões Auger emitidos na sequência do processo de
efeito fotoelétrico. 8

• Interacção do fotão incidente por efeito de Compton com absorção no cintilador não só da energia do
eletrão de Compton mas também do fotão disperso.

A distribuição contínua observada no espetro da fig. 7 (esquerda) é designada por patamar de Compton
(ou contínuo de Compton). Corresponde a raios-γ que interagiram por efeito Compton no cintilador e o fotão
disperso escapou sem interagir no cintilador. Nesse caso, a energia depositada por cada raio-γ que interage no
cintilador é apenas a energia cinética do eletrão de Compton que depende do ângulo de dispersão θ. Assim, o
patamar de Compton corresponde à distribuição de energia dos eletrões de Compton dispersos sob diferentes
ângulos e que são absorvidos no cintilador, tendo os correspondentes fotões dispersos escapado do cintilador
sem serem absorvidos. Este é o caso descrito pela eq. 4 em que a energia do fotão disperso que escapa varia
entre Eγ (correspondente ao ângulo de dispersão do fotão ser igual a 0) e o valor mínimo da energia do fotão

6
tado na Fig. 8b. Os eventos/contagens correspondentes a energias entre o bordo de Compton e o fotopico
que aparecem no espetro obtido experimentalmente (Figura 8b) devem-se não só às flutuações estatísticas
inerentes ao detetor de cintilação, mas também a múltiplas interacções de Compton seguidas de escape do
último fotão disperso que não deposita a sua energia no cintilador. Eventos deste tipo podem depositarIIuma
Laboratórios
energia variável que inclui a gama de energias entre o bordo de Compton e o fotopico.

Figura 8: Espetro de uma fonte de

137 Cs obtido com um detetor de NaI(Tl).
137
Figura 9: Espetro de uma fonte de Cs obtido com um detetor de N aI(T l)

disperso (que corresponde ao fotão ser disperso a 180◦ relativamente à direção do fotão incidente) que é igual a:
8
′ Eγ
Emin = 2Eγ
. (10)
1+ mc2

Este último caso corresponde ao valor máximo da energia do eletrão de Compton e portanto à máxima energia
depositada por uma única interação de Compton seguida de escape do fotão disperso do detetor. Esse valor é
designado por bordo de Compton.
No entanto, a emissão de luz no cintilador, de fotoeletrões no fotocátodo e de eletrões secundários nos dínodos
são fenómenos aleatórios e portanto sujeitos a flutuações. No caso de absorção total da radiação incidente
isso introduz flutuações na amplitude do sinal em torno de um valor médio, conduzindo a uma distribuição
Gaussiana em vez de uma risca (ver fig. 7). O caráter aleatório desses fenómenos e o ruído eletrónico fazem
também com que o bordo de Compton apresente um alargamento tal como está representado na Fig. 8b.
Os eventos/contagens correspondentes a energias entre o bordo de Compton e o fotopico que aparecem no
espetro obtido experimentalmente (fig. 7 direita) devem-se não só às flutuações estatísticas inerentes ao detetor
de cintilação, mas também a múltiplas interacções de Compton seguidas de escape do último fotão disperso que
não deposita a sua energia no cintilador. Eventos deste tipo podem depositar uma energia variável que inclui a
gama de energias entre o bordo de Compton e o fotopico.
A fig. 8 mostra uma distribuição típica da amplitude dos impulsos obtida num cristal de NaI(Tl) para a
radiação monoenergética de 662 keV emitida por uma fonte de 137 Cs. Neste espetro pode ver-se claramente
o fotopico (ou pico de absorção total) e o patamar de Compton anteriormente discutidos. Sobreposto ao
patamar de Compton aparece um pico designado por pico de retrodifusão (backscattering), que é devido a
fotões provenientes da fonte radioativa que interacionam por efeito de Compton nos materiais circundantes,
principalmente no chumbo que rodeia o cintilador (fig. 9). Se esses fotões forem dispersos no chumbo segundo
ângulos próximos de 180◦ podem atingir o cintilador e serem nele absorvidos, originando um pico largo e
assimétrico cuja energia é aproximadamente dada pela equação eq. 10 e que constitui o pico de retrodifusão.
Também sobreposto ao patamar de Compton, observa-se um pico perto de 80 keV que tem origem na deteção
de raios-X da camada K do chumbo. Esses raios-X são produzidos na sequência da interação de fotões da
fonte no chumbo por efeito fotoelétrico envolvendo um eletrão da camada K de um átomo de Pb, que é seguido
da emissão de raios-X dessa camada. Esses raios-X que são produzidos no chumbo podem conseguir atingir o
cintilador e aí interagir com a deposição integral da sua energia.
No caso de uma fonte que emita fotões com mais do que uma energia, tal como a fonte de 60 Co, observa-se
um fotopico e um bordo de Compton para cada uma das energias dos raios-gama emitidos pela fonte (fig. 10).
Os picos de retrodifusão associados aos fotões de diferentes energias sobrepõem-se pois a energia dos fotões de
backscattering no chumbo depende muito pouco da energia do fotão primário que lhes deu origem.
No caso em que a fonte emita fotões com energia igual ou superior a 1022 keV, os fotões incidentes no
cintilador podem aí interagir também pelo processo de produção de pares (para além de interagirem pelos
processos de Compton e fotoelétrico). Nesse caso, o eletrão e o positrão formados depositam a sua energia no

7
 Source

Laboratórios II
0 Chapter 10 Radiation Spectroscopy with Scintillators

Photoelectric absorption

k k K-ray
i

Source
Annihilation
/4
---_ I
I

. .

-1 0.2
I
0.511 MeV
I I I
E

Figure 10.6 Influence of surrounding materials on detector response. In addition to

Figura 9: i Contribuições para o espetro de amplitudes
k k K-ray das interações
the expected spectrum dosline),
(shown as a dashed fotões γ no chumbo
the representative que
histories shown at rodeia o
cintilador [1]. the top lead to the indicated corresponding features in the response function.
ESPECTROSCOPIA DA RADIAÇÃO GAMA
Annihilation
/4
---_ I
I
materials are potential sources of secondary radiations that can be produced by interac-
tions of the primary gamma rays emitted by the source. If the secondary radiations reach
the detector, they can influence the shape of the recorded spectrum to a noticeable extent.
Some possibilities are illustrated in Fig. 10.6.
a. Backscattered Gamma Rays
1 I PulseI. height
. spectra from gamma-ray detectors often show a peak in the vicinity of
- 0.2 0.511 MeV
I I
0.2-0.25 MeV,Ecalled the backscatter peak. The peak is caused by gamma rays from the
source that have first interacted by Compton scattering in one of the materials surround-
Figure 10.6 Influence of surrounding materials on detector response.
ing theIn detector. Figure 10.7 shows the energy dependence of these scattered gamma rays
addition to
the expected spectrum (shown as a dashed line), the representative ashistories
a functionshown at scattering angle. From the shape of these curves, it can be seen that any
of the
the top lead to the indicated corresponding features in the response function.
scattering angle greater than about 110-120" results in scattered photons of nearly identi-
cal energy. Therefore, a monoenergetic source will give rise to many scattered gamma rays
whose energy is near this minimum value, and a peak will appear in the recorded spectrum.
materials are potential sources of secondary radiations that can Thebeenergy
produced by backscatter
of the interac- peak will correspond to Eq. (10.3):
tions of the primary gamma rays emitted by the source. If the secondary radiations reach
Figura 11: (b)
of Espetros teóricospectrum
(sem ter em
to aconta flutuações) e medido de uma fonte emissora de 2 fotões
Figura
the detector,10:
they (a) Espetros
can influence teórico
the shape
de energias
the(sem
recorded
diferentes ter
(< 1.02 em(c)conta
MeV); flutuações)
noticeable
Espetro teórico e medido deeradiação
extent. medido γ de uma com
monoenergética fonte emissora de 2 fotões
energia
Some possibilities are illustrated in Fig. 10.6.
de energias diferentessuperior
(<1.02
a 1.02 MeV);
MeV. (b) Espetro teórico e medido de radiação γ monoenergética com energia
a. Backscattered Gamma Rays
superior
Pulse height a 1.02from
spectra MeV.gamma-ray detectors often show a peak in the vicinity of
2. Se um ou os dois fotões de 511 keV da radiação de aniquilação escaparem do cristal sem aí interagirem,
0.2-0.25 MeV, called the backscatter peak. The
a energia peak isnocaused
depositada by pelo
cintilador gammafotãorays fromserá
incidente the igual respetivamente a E 0.511 MeV e
source that have first interacted by ECompton scattering
1.02 MeV. Então, in one of
surgem no the materials
espetro surround-
dois picos nestas energias que se denominam respetivamente
pico de escape simples e pico de escape duplo (Fig. 11b).
ing the detector. Figure 10.7 shows the energy dependence of these scattered gamma rays
as a function of the scattering angle. From the shape of these curves, it can be seen that any
cintilador e o positrão 3.aniquila-se com
Os raios- emitidos
scattering angle greater than about 110-120" results um
pela fonteeletrão
in scattered
podem ir atómico
interacionar no
photons of nearly identi-dando
chumbo origem a de
pelo processo dois fotões
produção de
de pares 511 keV. Pode então
e aí ocorrer a aniquilação do positrão com a emissão dos dois fotões de 511 keV em sentidos opostos.
ocorrer:
cal energy. Therefore, a monoenergeticUm source will give
destes fotões (masrise
nãotoosmany scattered
dois por gamma rayspode chegar ao detetor e aí ser absorvido.
razões geométricas)
whose energy is near this minimum value,
Eventosand a peak
destes, em will appear
que se dá uma in deposição
the recorded spectrum.
de energia no cintilador igual a 511 keV, dão origem a um
The energy of the backscatter peak pico
will nesta
correspond
energia to
queEq. (10.3):
é vulgarmente designado por pico de aniquilação (Fig. 10)1 .
• Os dois fotões resultantes da aniquilação são totalmente absorvidos no cintilador. Nesse caso, toda a
energia do fotão
1.3.2incidente
Resolução éemabsorvida
energia no cintilador e portanto este fotão dá origem a um sinal cuja
amplitude corresponde a energia
A resolução em Eγ sendo este fotão
de um espetrómetro contado éno
(o espetrómetro fotopico.
o conjunto do detetor e eletrónica associada
que permite observar o espetro) é dada em percentagem pela razão entre a largura a meia altura do pico de
absorção total (F W HM - Full Width at Half Maximum) e a energia total dos fotões- em causa, i.e.,
• Se um ou os dois fotões de 511 keV da radiação de aniquilação escaparem do cristal sem aí interagirem,
a energia depositada no cintilador pelo fotão R(%) = incidente
F W HM ⇥ 100/E será igual respetivamente a Eγ - 511 keV ou Eγ -
1022 keV. Então,Parasurgem
um dadop no espetro
conjunto dois picos anestas
cristal-fotomultiplicador resoluçãoenergias
intrínseca emque seé denominam
energia aproximadamente respetivamente
pro- pico de
porcional a 1/ E .
escape simples e pico de escape duplo (fig. 10). Os raios-γ emitidos pela fonte podem ir interacionar
no chumbo peloBibliografia
processo de produção de pares e aí ocorrer a aniquilação do positrão com a emissão dos
dois fotões de 511 keVdaem
[1] “Física sentidos
Radiação opostos.
em Biomedicina”, Um 2020.
M.I. Lopes, destes fotões (mas não os dois por razões geométricas)
pode chegar ao[2]detetor
“Radiation e aí serandabsorvido.
Detection Measurement”, G. Eventos
Knoll, 3 ed.destes,
(New York:em que2000.
Wiley), se dá uma deposição de energia no
cintilador igual a 511 keV, dão origem a um pico nesta energia que é vulgarmente designado por pico de
1
aniquilação (fig.fonte,
9).
No caso da fonte emitir para além de raios- , os positrões emitidos pela fonte vão-se aniquilar no próprio suporte da
+

no ar existente entre a fonte e o cintilador e no invólucro do cintilador. Nesse caso, um dos fotões de aniquilação (mas
não os dois devido à geometria) pode incidir no cintilador e pode aí depositar toda a sua energia, contribuindo para o pico de
aniquilação.

1.8 Resolução em energia

A resolução em energia de um espetrómetro (o espetrómetro é o conjunto do detetor e eletrónica associada que
10
permite observar o espetro) é dada em percentagem pela razão entre a largura a meia altura do pico de absorção
total (F W HM - Full Width at Half Maximum) e a energia total dos fotões-γ em causa.
Para um dado
p conjunto cristal-fotomultiplicador a resolução intrínseca em energia é aproximadamente pro-
porcional a 1/ Eγ .

2 Material
• Cintilador de NaI(Tl) acoplado a um fotomultiplicador;

8
 Laboratórios II

Figura 11: Esquemas de decaimento das fontes radioativas utilizadas nesta experiência.

• Fonte de alimentação do fotomultiplicador;

• Placa de interface para PC (inclui sistema de amplificação e analisador multicanal) e computador;
• Uma fonte de 137 Cs, T1/2 =30,018 a, 137 Cs se desintegra por emissão β− para o estado fundamental (5,39%)
e estados excitados (94,61%) do 137 Ba com com Q=1175,63 keV. O espectro dos γs é dominado pela linha
de 661,655 keV;
• Uma fonte de 60 Co, T1/2 =5,27 a: se desintegra por emissão β− para estados excitados do 60 Ni. A emissão
de raios γ é dominada pelas energias de 1173 keV e 1332 keV;
• Uma fonte de 22 Na, T1/2 =2,6029 a: 22
Na se desintegra por emissão β+ para o estado de 1275 keV do 22 Ne.

A tensão aplicada ao fotomultiplicador e o ganho do amplificador, assim como outros parâmetros da eletrónica
associada ao detetor de cintilação, são selecionados no software instalado no PC.

3 Método
1. Familiarize-se com os esquemas de decaimento das fontes que vai utilizar.
2. Coloque a fonte de 137
Cs em frente do detetor.
3. Aplique o potencial elétrico indicado ao fotomultiplicador (520 V).
4. Escolha um valor adequado para o ganho do amplificador e registe o espetro do 137
Cs com o analisador
multicanal.
5. Analise o espetro obtido.
6. Aumente o potencial elétrico do fotomultiplicador de 5 V e registe novo espetro do 137
Cs, mantendo o
mesmo ganho do sistema de amplificação.
7. Aumente ainda o potencial elétrico aplicado ao fotomultiplicador de mais 5 V e registe de novo o espetro
do 137 Cs, mantendo o mesmo ganho do sistema de amplificação. Comente os resultados.
8. Ajuste de novo o ganho do amplificador de forma a poder observar com o mesmo ganho os espetros do
137
Cs, 60 Co e 22 Na.
9. Faça o registo destes três espetros e determine, para cada caso, os canais correspondentes ao centróide dos
picos de absorção total.
10. Represente o número canais correspondentes aos picos de absorção total em função da energia dos fotões,
Eγ , a que correspondem. Trace a reta de calibração do sistema de deteção para o ganho utilizado.
11. Usando esta reta de calibração determine as energias correspondentes ao bordo de Compton e ao pico de
retrodifusão do espetro do 137 Cs. Compare com os valores previstos teoricamente e comente.
12. Determine a resolução em energia do NaI(Tl) em função da energia dos raios-γ.

9
Laboratórios II

Referências
[1] Glenn F Knoll. Radiation detection and measurement; 4th ed. Wiley, New York, NY, 2010.
[2] Kenneth S. Krane. Introductory Nuclear Physics; 4th ed. John Wiley and Sons, New York, NY, 1988.

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