Projetos de Circuitos

Integrados.
Tecnologia I
 Processo de Fabricação

Introdução

• O conhecimento do processo de fabricação permite ao

projetista:
– otimizar o projeto;
– propor idéias inovadoras usando as características do
processo;
– inferir sobre o efeito do layout no desempenho do circuito.
 Etapas do Processo de Fabricação
de um Circuito integrado

• Preparação do Cristal - o substrato dos circuitos

integrados bipolares ou MOS são lâminas de silício
cristalino com diâmetro de 4 a 8 polegadas de diâmetro
e espessura de 250u a 400u.
• Máscaras - são fotografias positiva ou negativa de alto
contraste. Elas são usadas para delinear as partes onde
incidirá (ou não incidirá) luz no fotoresiste. Há
basicamente 3 formas de gerá-las:
– técnicas fotográficas;
– feixe de laser;
– feixe de elétrons.
• Processo Fotolitográfico- Este processo consiste na
aplicação do fotoresiste sobre a superfície da lâmina.
Quando submetido exposição de luz o fotoresiste muda
suas características físicas podendo ser removido de
forma seletiva
 Etapas de Fabricação
• Fotolitografia
• Oxidação
• Etching (Corrosão)
• Dopagem
• Epitaxia
 Fotolitografia

• Os passos a serem seguidos na litografia são os seguintes:

– a) Desenho dos padrões utilizando um editor de leiaute;
– b) Produzir máscaras individuais para cada camada;
– c) Transferir os padrões das máscaras para o wafer;
– d) Usar técnicas de processamento para atuar em cada wafer
utilizando os padrões definidos previamente.
 Fotolitografia

• Os passos a serem seguidos na litografia são os seguintes:

– a) Desenho dos padrões utilizando um editor de leiaute;
– b) Produzir máscaras individuais para cada camada;
– c) Transferir os padrões das máscaras para o wafer;
– d) Usar técnicas de processamento para atuar em cada wafer
utilizando os padrões definidos previamente.
 Litografia e Transferência de Padrões

• Os passos a serem seguidos na litografia são os seguintes:

– a) Desenho dos padrões utilizando um editor de leiaute;
– b) Produzir máscaras individuais para cada camada;
– c) Transferir os padrões das máscaras para o wafer;
– d) Usar técnicas de processamento para atuar em cada wafer
utilizando os padrões definidos previamente.
 Litografia e Transferência de Padrões

• Os passos a serem seguidos na litografia são os seguintes:

– a) Desenho dos padrões utilizando um editor de leiaute;
– b) Produzir máscaras individuais para cada camada;
– c) Transferir os padrões das máscaras para o wafer;
– d) Usar técnicas de processamento para atuar em cada wafer
utilizando os padrões definidos previamente.
• Deposição - Filmes de vários materiais precisam ser
aplicados durante a fabricação de um circuito integrado.
Estes filmes produzem isoladores, resistores,
condutores, dielétricos e dopantes. A deposição pode
usar uma das seguintes técnicas:
– evaporação;
– sputtering;
– deposição por vapor químico (CDV)
• Etching - Designa a remoção seletiva de material não
desejado.
– Etching úmido;
– Etching seco
• sputtering
• feixe de íons;
• plasma.
• Difusão - refere-se a migração controlada de
impurezas no substrato. Este processo é
controlado através da temperatura e do tempo. A
difusão é um processo cujo controle da direção
com precisão é difícil. Outra técnica usada para
inserir impurezas é a implantação iônica.
• Condutor e Resistor - O alumínio ou outro
metal podem ser usados como condutores
na interconexão entre componentes do
circuito integrado. O polissilício, um
condutor não metálico é usado nas portas
dos transistores MOS, como resistor e como
eletrodos de um capacitor.
• Oxidação - processo onde o oxigênio combina com o
substrato ou outros materiais para formar um óxido.
– SiO2 - serve como um bom isolante e também pode ser
usado como material dielétrico em capacitores. Quando
crescido sobre o substrato consome parte do silício. O
crescimento de x microns de SiO2 consome 0.47x
microns de silício do substrato.
– Si3N4 (nitrido) - é usado como dielétrico pois sua
constante dielétrica é 4 vezes maior que a do SiO2.
• Epitaxia - o crescimento epitaxial é geralmente feito
por deposição por vapor químico (CVD). Este processo
é usado na tecnologia bipolar criando uma camada de
silício cristalino.
• Testes e Encapsulamento - Após a sua fabricação os
circuitos integrados precisam ser testados. O projetista
precisa prever os pontos de testes para identificar
possíveis falhas de projeto ou de mau funcionamento.
Quanto a tecnologia de encapsulamento houve poucos
avanços desde a década de 70. Trata-se de uma área que
necessita novas tecnologias.
 Processo de Fabricação dos
Circuitos Integrados
• Existem três processos básicos de fabricação de
circuitos integrados monolíticos: NMOS, CMOS e
bipolar. Cada um destes processos serão descritos a
seguir.
• Antes será introduzida uma nomenclatura comum na
descrição de processos de fabricação.
– n+ indica região fortemente dopada e n- região fracamente
dopada. Quando a região for denominada de n indica uma
dopagem intermediária entre n+ e n-. A mesma denominação
se aplica a p.
• Resistividade - em um material homogêneo
é uma medida volumétrica da característica
resistiva do material.
• Resistivadade de Folha - em processo de
fabricação de circuito integrado a
resistividade do material é definida por
 Processo MOS
• Inicialmente será feita uma breve discussão sobre
o princípio de operação do transistor MOS.
 Simbologia
• Há uma grande variedade de símbolos usados para
representar os transistores MOS sendo os mais usuais
os seguintes:
 Processo NMOS
• No processo NMOS os seguintes dispositivos
estão disponíveis:
– MOSFET canal n de enriquecimento;
– MOSFET canal n de depleção;
– capacitores; e
– resistores.
 Processo NMOS
• Passos do processo NMOS
– 1) Limpeza da lâmina
– 2) CRESCIMENTO DE ÓXIDO FINO
– 3) Deposição do Si3N4
– 4) Aplicação de uma camada de fotoresiste
– 5) DETERMINAÇÃO DA ÁREA ATIVA (MOAT) (Máscara #1)
• 6) Revele o fotoresiste
• 7) Corrosão do Si3N4
• 8) IMPLANTAÇÃO DO CAMPO
• 9) Remoção do fotoresiste
• 10 CRESCIMENTO DO ÓXIDO DE CAMPO
• 11) Remoção do Si3N4
• 12) Remoção do óxido fino
• 13) CRESCIMENTO DO ÓXIDO FINO
• 14) Implantação do canal (opcional)
• 15) Aplicação do fotoresiste
• 16) DEFINIÇÃO DO CANAL DE DEPLEÇÃO DO TRANSISTOR (Máscara #2)
• 17) Revelação do fotoresiste
• 18) IMPLANTAÇÃO DA DEPLEÇÃO
• 19) Remoção do fotoresiste
• 20) Remoção do óxido fino
• 21) CRESCIMENTO DO ÓXIDO FINO
• 22) DEPOSIÇÃO DO POLISSILÍCIO (POLY I)
• 23) Aplicação do fotoresiste
• 24) DEFINIÇÃO DO POLY I (Máscara #3)
• 25) Revelação do fotoresiste
• 26) Corrosão do POLY I
• 27) Remoção do fotoresiste
– Segunda camada de polissilício opcional
– B.1 Remoção do óxido fino
– B.2 CRESCIMENTO DO ÓXIDO FINO
– B.3 DEPOSIÇÃO DO POLISSILÍCIO (POLY II)
– B.4 Aplicação do fotoresiste
– B.5 DEFINIÇÃO DO POLY II (Máscara #B)
– B.6 Revelação do fotoresiste
– B.7 CORROSÃO DO POLY II
– B.8 Remoção do fotoresiste
– B.9 Remoção do óxido fino
• 28) DIFUSÃO DO CANAL
• 29) Crescimento do óxido
• 30) Aplicação do fotoresiste
• 31) ABERTURA DOS CONTATOS (Máscara #4)
• 32) Revelação do fotoresiste
• 33) CORROSÃO DO ÓXIDO
• 34) Remoção do fotoresiste
• 35) DEPOSIÇÃO DO METAL
• 36) Aplicação do fotoresiste
• 37) DEFINIÇÃO DO METAL (máscara #5)
• 38) Revelação do fotoresiste
• 39) CORROSÃO DO METAL
• 40) Remoção do fotoresiste
• 41) APLICAÇÃO DA PASSIVAÇÃO
• 42) Aplicação do fotoresiste
• 43) DEFINIÇÃO DA ABERTURA DOS PADs (Máscara #6)
• 44)Revelação do fotoresiste
• 45) Corrosão da passivação
• 46) Remoção do fotoresiste
• 47) ENCAPSULAMENTO E TESTE