SEL0610 – Laboratório de Circuitos Eletrônicos

2º Semestre de 2023

Nome – Aluno 1:Beatriz Lomes da Silva Num. USP:12548038

Nome – Aluno 2:Pedro Oliveira Torrente Num. USP:11798853

Relatório – Projeto final - projetando um amplificador mosfet FC com degeneração

PARTE 1)
Encontrando divisor de tensão para polarização do circuito
Inicialmente escolheu-se como tensão de alimentação 𝑉𝐷𝐷 = 15𝑉 de forma
arbitrária.
Com a tensão de alimentação definida, por meio do orçamento de potência
calculou-se a corrente máxima esperada para o ramo de alimentação:
𝑃𝑀𝐴𝑋 = 20𝑚𝑊 = 𝑉𝐷𝐷 · 𝐼 (01)
20𝑚
𝐼 = 15
= 1, 34𝑚𝐴 (02)

Tendo essa corrente é possível calcular a resistência equivalente mínima

nesse ramo:
𝑉𝐷𝐷 15
𝑅𝐸𝑄 = 𝐼𝑀𝐴𝑋
= 1,34𝑚
= 11, 25𝑘Ω (03)

Dessa forma, sabe-se que 𝑅1 + 𝑅2 ≥ 11, 25𝑘Ω.

Além disso, é necessário que 𝑉𝐺 seja maior que 3,5V e menor que 7,5V, logo:
𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺 = 𝑅1+𝑅2
· 𝑅2 (04)

Supondo o valor de 𝑅1 de forma arbitrária para 10𝑘Ω, encontra-se 𝑅2.

Espera-se um Vg próximo do valor limite inferior, ou seja 𝑉𝐺 ≈ 3, 5𝑉.
Substituindo na equação 04 obtém-se:
15
3, 5 = 10𝑘+𝑅2
· 𝑅2 → 𝑅2 = 2. 5𝑘Ω (05)

Por disponibilidade do laboratório escolhemos para 𝑅2 o valor de 3, 3𝑘Ω .

Encontrando resistores para ganho

𝑅3
Para o ganho pode-se utilizar a relação entre 𝑅3𝑒 𝑅4, 𝑅4
. Para conseguir uma
banda maior de operação escolhe-se um 𝑅4 pequeno, pelos disponíveis no
laboratório optou-se por um de 120Ω. Sendo assim, para obter um ganho
próximo de 5, 𝑅3 = 5 · 𝑅4 = 600Ω, o resistor mais próximo então é o de 560Ω.
 𝑅4 = 120Ω

𝑅3 = 560Ω

Encontrando capacitâncias de acoplamento

Pela fórmula de capacitâncias:
1
𝐶 ≥ 2 π 𝑓 0,1 𝑅𝑡ℎ
(06)

Na etrada:
𝑅𝑡ℎ = 𝑅1// 𝑅2 = 3, 589𝑘Ω
1
𝐶 ≥ 2π·1𝑘·0,1·3,589𝑘
= 0, 44µ𝐹

Na saída:
𝑅𝑡ℎ = 𝑅 // 𝑅4
3
1
𝐶 ≥ 2π·1𝑘·0,1·98,8
= 16, 1µ𝐹

Dessa forma existe a possibilidade de colocar capacitores de 47µ𝐹 ou 100µ𝐹.

Para obter uma banda de operação maior escolhe-se 100µ𝐹.

Conclusão
Respeitando os valores do orçamento de potência e do intervalo de tensão
na porta, obteve-se um os seguintes resistores de polarização 𝑅1 = 10𝑘Ω e
𝑅1 = 3, 3𝑘Ω.

Ao fixar um ganho desejado de aproximadamente 5, levou-se em

consideração que para ter um banda de operação grande era necessário uma
resistência pequena em 𝑅4 , foi escolhido o menor valor possível sem que obtivesse
um ganho maior que 20, dentre os valores existente no laboratório, que era
𝑅4 = 120Ω. Dessa forma, obteve-se 𝑅3 = 560Ω.

O ganho teórico foi aferido, desconsiderando a trânscondutância, fazendo um

equivalente entre as resistências 𝑅3𝑒 𝑅4, resultando em 4,7. Já ao simular o circuito,
no falstad.com, colocando uma tensão de entrada de 100mv pico a pico, obteve-se
uma tensão de saída igual a 337,4mv, resultando em um ganho de
aproximadamente 3,4. Na prática o ganho obtido foi próximo de 4,2 para uma carga
𝑅𝐿 = 10𝑘Ω, enquanto que para uma carga menor, de 𝑅𝐿 = 100Ω o ganho foi de
aproximadamente ½. A diferença de ganho do valor teórico foi obtida por
desconsiderar a transcondutância.