Escola Politécnica - USP

PSI 2325 Laboratório de Eletrônica I

Exp 4: Polarização de Transistores JFET
Equipe: -

Turma:

Profs: -
-
Data de Realização do Experimento: Nota:

Bancada:

2002
B–66 Laboratório de Eletrônica I – Exp. 4

1. Introdução

O experimento Transistor TECJ, tem como principais objetivos:

• desenver projetos utilizando este componente, comparando os resultados da

metodologia destes projetos com os resultados práticos.
• coleta de dados através de curvas características.
• verificar experimentalmente o funcionamento do TECJ.
• verificar as diferenças entre os projetos onde são realizadas aproximações
matemáticas, os modelos computacionais e as montagens. Introduzir a noção de
confiabilidade para os modelos teóricos e de simulação face ao observado na
prática.

2. Projeto (a ser realizado ANTES da aula experimental)

Atenção: Anexe a este relatório uma cópia das curvas características do BF245C

Atenção: Utilize resistores da série E12 (10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82)

acrescidos dos resistores 910Ω , 1,3kΩ e resistores acima de 1MΩ da série E24.

2.1 A partir da equação 2 da apostila, reproduzida abaixo, deduza a expressão de gm.

Note que: gm=δID/δV GS.
2
 V 
I D = I DSS 1− GS  ( eq. 2 )
 VP 
 Exp. 4 – Polarização de Transistores de Efeito de Campo (FET) B–67

2.2 Projetar um amplificador tipo fonte seguidora como na figura 1, utilizando para
isto a fórmula de g m do item 2.1, seguindo as especificações abaixo (utilize as
curvas características do BF245C). Recalcular as tensões e correntes solicitadas
para os valores nominais dos resistores. Coloque esses valores na tabela 4.1. (Não
esqueça de colocar os valores de IDSS , V P e gm esperados).

Especificações:
Fonte de 12 V
Alimentação:
Ganho CA freq. 0,8
Médias:
Impedância de Ent. 1 MΩ
(R1//R2):
Transistor: BF 245C
Resistores: Série E12
Corrente Quiescente ID=3,5 mA
de Dreno:

Figura 1: Circuito de um Amplificador

Fonte Seguidora.

Valores R1 R2 RS VDS VGS VRS ID

Esperados
Cálculo Inicial

Nominal
B–68 Laboratório de Eletrônica I – Exp. 4

2.2.0 Para um Ve = 100mV, calcule o valor esperado de Av e Vs. Preencha a tab. 4.1.

2.2.1 Utilizando a curva característica ID x V DS do BF245C abaixo, desenhe a reta de

carga e o ponto de operação. Prever o máximo valor da excursão de saída (em relação
ao PQ), e discutir se nesta situação ocorre distorção apreciável do sinal amplificado.
 Exp. 4 – Polarização de Transistores de Efeito de Campo (FET) B–69

2.2.2 Calcular as impedâncias de entrada e saída em frequências médias. Preencha

a tabela 4.1.

ZE ZS

2.2.3 Simule o circuito projetado (com valores nominais) no Pspice Eval6.3A, obtendo o
ponto quiescente de polarização, para assim preencher os dados solicitados na tabela
4.1, e trace também o gráfico V S x V E, especificando nele o ponto quiescente de
polarização e os limites Eg1 (onde o amplificador deixa de ser linear - é um valor até
certo ponto subjetivo) e Eg2 (onde o amplificador satura). Anexe o diagrama
esquemático e a curva VS x VE .
Vs

Eg2
Eg1

Ve
–Eg1
–Eg2
B–70 Laboratório de Eletrônica I – Exp. 4

2.3 Projetar um amplificador tipo fonte seguidora com fonte de corrente como
indicado na figura 2, seguindo as especificações abaixo. Recalcular as tensões e
correntes solicitadas para os valores nominais dos resistores. (use o versos se
necessário). Coloque esses valores na tabela 4.1.

Especificações:
Fonte de 12V
Alimentação:
Ganho CA freq. Qual o ganho
Médias: esperado?
Impedância de Ent. 500KΩ
(R1//R2): Ve
Transistor: BF254C
Resistores: Série E12
Corrente Quiescente ID= 3,5 mA
de Dreno:
Tensão Coletor- VCE = 2V
Emissor:
Corrente do Zener Iz=54mA
Tensão de Zener: Vz = 3,9V

Figura 2: Circuito Amplificador com

Fonte de Corrente Constante

Valores R1 R2 RE R3 VDS VGS VCE VRE ID

Esperados
Cálculo
Inicial
Nominal
 Exp. 4 – Polarização de Transistores de Efeito de Campo (FET) B–71

2.3.0 Para um Ve = 100mV, calcule o valor esperado de Av e Vs. Preencha a tab. 4.1.

2.3.1 Utilizando a curva característica ID x V DS do BF245C abaixo, desenhe a reta de

carga e o ponto de operação. Prever o máximo valor da excursão de saída. O valor
resultante da excursão é maior ou menor que aquele obtido no item 2.2.1 para o
amplificador tipo fonte seguidora sem fonte de corrente? Por quê?
B–72 Laboratório de Eletrônica I – Exp. 4

2.3.2 Calcular as impedâncias de entrada e saída em frequências médias.

ZE ZS

2.3.3 Simule o circuito projetado ( com valores nominais) no Pspice Eval6.3A, obtendo o
ponto quiescente de polarização, para assim preencher os dados solicitados na tabela
4.1, e trace também o gráfico V S x V E, especificando nele o ponto quiescente de
polarização e os limites Eg1 e Eg2 (definidos no item 2.2.3). Anexe o diagrama
esquemático e a curva VS x VE .

Sugestões Para Simulação: Ler a apostila teórica e o Exercício com Spice, de

Circuitos Eletricos II - PSI 312.
 Exp. 4 – Polarização de Transistores de Efeito de Campo (FET) B–73

3. Procedimento Experimental

3.1 Análise dos parâmetros experimentais do TECJ

Atenção: este item pode ser feito ao longo do experimento. Vá fazendo os

itens subsequentes, aguardando até o traçador de curvas estar livre.

3.1.1 Utilizando o traçador de curvas, obtenha a curva IDS(ma)xV DS(V) de acordo

com as instruções disponíveis no próprio traçador. Obtenha os valores reais de I DSS ,
V p e gm (ID=3.5mA) para o seu transistor. Anexe as curvas obtidas a seguir.

IDSS Vp gm

3.1.2 A partir das curvas do item anterior, monte uma tabela que permita obter a
curva I DS(ma)xV GS(V). Utilizando o programa PLOTE, obtenha esta curva. Ainda no
programa PLOTE, verifique qual das expressões abaixo (apresentadas na apostila)
de IDSxV GS melhor se ajusta à curva experimental. Discuta o resultado obtido. As
expressões apresentadas de I DSxV GS são:

Tabela ____________ V DS = ______

 V 
2  V  V 
3/2 
I D = I DSS 1− GS  ( eq. 2 ) e ID = I DSS 1− 3 GS  + 2 GS   ( eq. 1 )
 VP   VP   VP 
 

3.1.3 Compare os valores típicos de IDS, V P e gm (I D=3.5mA) empregados no projeto

com os valores experimentais obtidos.
B–74 Laboratório de Eletrônica I – Exp. 4

3.2 Amplificador tipo Fonte Seguidora sem Fonte de Corrente

3.2.1 Selecionar os componentes necessários e anotar seus valores nominais,

preenchendo a tabela 4.1.

3.2.2 Utilizando a placa para montagem (figura 3), montar o amplificador tipo fonte
seguidora projetado no item 2.2. (figura 1). Note a existência de um capacitor C (=
10nF) que tem por finalidade desviar ruídos de altas freqüências da porta (G) para a
fonte de alimentação.

OBS: Não colocar o resistor R3.

Colocar o estrape.
Coloque o resistor RS no local apropriado da placa.

Figura 3: a) Circuito a ser montado; b) Circuito da Placa de Montagem

3.2.3 Medir com o multímetro as tensões pertinentes, calculando a corrente ID, e

preenchendo com estes a tabela 4.1. Cuidado para utilizar o multímetro com
impedância maior que 1 GΩ. Qual a razão para se tomar esse cuidado?

3.2.4 Conectar a entrada do circuito da figura 1 o gerador senoidal na frequência de

1KHz, com amplitude VE =100mVpp. Meça VS , calcule o ganho de tensão e preencha
a tabela 4.1 (VE , V S e Av). Note que neste caso RL = ∞ .

Obs.: Em geral, o AUTOSETUP não vai funcionar e você deve fazer o ajuste do
osciloscópio manualmente. Eventualmente utilize o sincronismo externo.
 Exp. 4 – Polarização de Transistores de Efeito de Campo (FET) B–75

3.2.5 Medir indiretamente a Impedância de Saída do Circuito (ZS). Para isto, deve-se
conectar a caixa de resistências à saída do circuito e variar a resistência até que o
valor da tensão V S seja metade do valor em aberto medido no item 3.2.4. Nesta
situação o valor indicado na caixa será a impedância do circuito. Explique porque.
Anote o valor da impedância de saída na tabela 4.1.

3.2.6 Meça a curva de transferência VS x V E com o osciloscópio. Para isto siga o

procedimento abaixo:

1. Se estiver usando sincronismo externo, desconecte o cabo (este

procedimento é necessário devido a um problema do osciloscópio quando
no modo XY);
2. Mude o disparo (trigger) para canal 1 (CH1), modo NORMAL (não AVERAGE );
3. Mude o osciloscópio para o modo XY;
4. Posicione o ponto de referência (0,0) no centro da tela do osciloscópio;
5. Coloque os Canais 1 e 2 no modo DC (medindo VE ;e V S respectivamente)

Inicie com VE de 100 mVpp e vá aumentando progressivamente seu valor até

que o gráfico mostrado deixe de ser uma reta. Neste ponto começam as
distorções. Anote o valor desta tensão em EG1, da tabela 4.1

Continue aumentando o valor da tensão, até que se atinja os limites de

saturação do componente, anote o valor desta tensão em EG2 da tabela 4.1.

3.2.7 Imprimir para uma tensão maior que EG2, a curva mostrada pelo osciloscópio
indicando EG1 e EG2 .
B–76 Laboratório de Eletrônica I – Exp. 4

3.3 Amplificador Fonte Seguidora com Fonte de Corrente

3.3.1 Selecionar os componentes necessários e anotar seus valores nominais,

preenchendo a tabela 4.1.

3.3.2 Utilizando a placa para montagem (figura 4), monte o amplificador seguidor com
fonte de corrente constante projetado no item 2.3. (figura 2)

OBS: Não esqueça de retirar o estrape e de colocar o resistor RE no lugar de RS.

Figura 4: Circuito da Placa de Montagem

Repita os itens 3.2.3 a 3.2.7 para este circuito:

3.3.3 Medir com o multímetro as tensões pertinentes, calculando a corrente ID, e

preenchendo com estes a tabela 4.1. Certifique-se que a impedância de entrada do
multímetro é adequada.

3.3.4 Conectar a entrada do circuito da figura 1 o gerador senoidal na frequência de

1KHz, com amplitude VE =100mVpp. Meça VS , calcule o ganho de tensão e preencha
a tabela 4.1 (V E , V S e Av). Note que neste caso RL = ∞ . Certifique-se que a
impedância de entrada do multímetro é adequada.
 Exp. 4 – Polarização de Transistores de Efeito de Campo (FET) B–77

3.3.5 Medir indiretamente a Impedância de Saída do Circuito (ZS). Para isto, deve-se
conectar a caixa de resistências à saída do circuito e variar a resistência até que o
valor da tensão V S seja metade do valor em aberto medido no item 3.2.4. Nesta
situação o valor indicado na caixa será a impedância do circuito. Explique porque.
Anote o valor da impedância de saída na tabela 4.1.

3.3.6 Meça a curva de transferência VS x V E com o osciloscópio. Para isto siga o

procedimento abaixo:

1. Se estiver utilizando o sincronismo externo, desconecte-o.

2. Mude o disparo (trigger) para canal 1 (CH1), modo NORMAL (não AVERAGE );
3. Mude o osciloscópio para o modo XY;
4. Posicione o ponto de referência (0,0) no centro da tela do osciloscópio;
5. Coloque os Canais 1 e 2 no modo DC (medindo VE ;e V S respectivamente)

Inicie com VE de 100 mVpp e vá aumentando progressivamente seu valor até

que o gráfico mostrado deixe de ser uma reta. Neste ponto começam as
distorções. Anote o valor desta tensão em EG1, da tabela 4.1

Continue aumentando o valor da tensão, até que se atinja os limites de

saturação do componente, anote o valor desta tensão em EG2 da tabela 4.1.

3.3.7 Imprimir para uma tensão maior que EG2, a curva mostrada pelo osciloscópio
indicando EG1 e EG2 .
B–78 Laboratório de Eletrônica I – Exp. 4

4. Análise de Dados

Item 4.1:

Tabela 4.1

Fonte Seguidora sem Fonte Seguidora com

Fonte de Corrente Fonte de Corrente
Valor Cálculo Inicial Nominal Experimental Cálculo Inicial Nominal Experimental
IDSS
VP
gm
R1
R2
RE --- --- ---
RS --- --- ---
R3 --- --- ---
Valor Esperado Simulado Medido Desvio Esperado Simulado Medido Desvi
o

VDD
VR1
VR2
VDS
VGS
VRS --- --- --- ---
VCE --- --- --- ---
VRE --- --- --- ---
ID
VE 100mV 100mV 100mV 100mV
VS
Av
ZE --- --- --- ---
ZS --- ---
EG1
EG2

Simulado - Medido
OBS: Desvio = × 100%
Simulado
 Exp. 4 – Polarização de Transistores de Efeito de Campo (FET) B–79

4.2 Faça uma comparação qualitativa entre os dois tipos de montagens destacando
vantagens e desvantagens de ambas montagens.

4. Conclusões