Disjuntores Pvo, Gvo e Outros

UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA
Desenvolvimento de Software para Medio dos Tempos de Operao Durante Ensaios em Disjuntores de Alta Tenso
Ricardo Tozzi de Lima
Itajub, abril de 2010
UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA
Ricardo Tozzi de Lima

Dissertao submetida ao Programa de PsGraduao em Engenharia Eltrica como parte dos requisitos para a obteno do Ttulo de Mestre em Cincias em Engenharia Eltrica. rea de concentrao: Sistemas Eltricos de Potncia Orientador: Prof. Dr. Manuel Lus Barreira Martinez
Abril de 2010, Itajub MG
Aos meus pais, Jos e Neuza pelos ensinamentos, dedicao, esforos e por tudo que me ensinaram e o quanto me incentivaram para que eu pudesse chegar at aqui. minha esposa Telma pelo apoio, compreenso e pacincia durante todo este tempo. Aos meus filhos Gabriel e Elias, presentes de Deus na minha vida. A Deus, pois sem ele nada seria possvel.
Agradecimentos
Ao Prof. Dr. Manuel Lus Barreira Martinez pelos ensinamentos e orientao; pela sua amizade e por tudo em que me ajudou, permitindo-me realizar um bom trabalho. Ao superintendente da EM.O, Eng Ricardo Medeiros, o qual possibilitou esta conquista, dando-me a oportunidade de cursar este mestrado. Ao Gerente do Departamento CTE.O, Eng Luiz Antonio Gouva de Albuquerque, que sempre me incentivou e acreditou no meu trabalho. Ao Gerente da Diviso LAME.O, Eng Juarez Neves Cardoso, pela compreenso em me liberar do Laboratrio todos estes dias em que estive presente na UNIFEI. Ao Me Laerte dos Santos, sem o qual esta conquista no teria sido possvel. Aos companheiros do setor de Metrologia Eng Luiz Henrique Pereira Junqueira, Marzano Carlos Lacerda, Walter Venturini da Silva, Maria do Carmo Faria e Ma Denize Azevedo da Silva. Aos companheiros do setor de Desenvolvimento Eng Walter Latt Junior, Eng Ulisses de Vasconcelos Ordones, Marco Antonio Abi Ramia, Roberto Obvioslo, Carlos Augusto Pardini e rica Patrcia de Oliveira Silveira. Ao Eng Adolfo Ribeiro Junior pelas informaes sempre fornecidas. Ao amigo Alisson Maria da Silva por todo apoio prestado. A todos os companheiros de trabalho que me prestaram grandes ajudas. Aos grandes amigos: Danilo Vaz Figueiredo, Gleisson Carlos da Silva, Marcelo Assis de Faria Ribeiro e Ailton de Lima Ribeiro pela amizade e companheirismo sempre presentes. Aos Engenheiros Jos Morvan Faria Brasileiro e Roberto Teixeira Siniscalchi, companheiros de jornada em FURNAS. Obrigado a todos aqueles que de forma direta ou indireta me ajudaram.
"Um pouco de cincia nos afasta de Deus. Muito nos aproxima." Louis Pasteur
Resumo
Os Disjuntores de Alta Tenso so equipamentos de proteo de extrema importncia nos circuitos eltricos de usinas, subestaes e indstrias. Na presena de falhas, estes devem operar no tempo devido protegendo equipamentos e linhas de transmisso, dentro da sua rea de atuao. Dentre os ensaios realizados periodicamente para garantir uma operao confivel destes equipamentos esto os ensaios de medio dos tempos de operao de abertura e fechamento dos seus contatos aps energizao das respectivas bobinas de acionamento. Este ensaio visa verificar se todos os contatos esto abrindo e fechando dentro do tempo estipulado pelo fabricante e se os dispositivos associados proteo do disjuntor (bobinas de abertura e fechamento e rels de proteo) esto operando corretamente. Para a realizao desta medida de tempo h no mercado alguns equipamentos projetados para esta tarefa. Seus custos so altos e a assistncia tcnica prestada pelos representantes muitas vezes no atende por completo as necessidades dos clientes. Pensando nisso, a empresa FURNAS Centrais Eltricas S.A, empresa de energia do Sistema ELETROBRAS, resolveu desenvolver seu prprio equipamento para realizar o ensaio de medio dos tempos de operao dos seus disjuntores. A este equipamento foi dado o nome de IMTD24 (Interface para Medir Tempos de Disjuntores 24 canais, onde 20 canais monitoram o estado dos contatos do disjuntor e 4 canais, o estado das bobinas de acionamento). Esta dissertao tem o propsito de apresentar os passos do desenvolvimento de um software para Microsoft Windows, capaz de se comunicar com a IMTD24 pela porta paralela do computador. Ser mostrado tambm o estado atual do hardware/software, e as novas implementaes que esto sendo desenvolvidas.
Palavras-chave: Disjuntores, Interface IMTD24, Microsoft Windows, tempos de operao de disjuntores, Alta Tenso, usinas, subestaes.
Abstract
The high voltage circuit breakers are protective devices of extreme importance in electrical circuits of power plants, substations and industries. In the presence of failures, they must operate in due time to protect equipment and transmission lines within its area of operation. Among the tests carried out periodically to ensure reliable operation of these equipments, are the measuring the operation times of opening and closing of its contacts after energization of their drive coils. This test is to verify that all contacts are opening and closing within the time stipulated by the manufacturer, and that the devices associated with the protection circuit is operating properly, such as coils of opening and closing and protective relays. For carrying out this test, there is some equipment on the market designed to accomplish this task. Their costs are high and technical assistance provided by representatives often does not meet customer needs. With this in mind, the company FURNAS Centrais Eltricas S.A, energy company of ELETROBRAS system, decided to develop its own equipment to perform these tests, measuring the times of operation of the its circuit breakers. This equipment received the name IMTD24 ("Interface para Medir Tempos de Disjuntores - 24 canais"). With 20 channels to monitor the state of the breaker's contacts, and 4 channels to monitor the state of the coil drive. This volume aims to present the steps of development of a software for Microsoft Windows, able to communicate with the IMTD24 through computer's parallel port. Will also be shown the current state of hardware and software, and the new implementations being developed.
Keywords: Circuit breakers, Interface IMTD24, Microsoft Windows, operating times of circuit breakers, high voltage, power plants, substations.
SUMRIO
NOMENCLATURAS E SIMBOLOGIAS .......................................................................... IV LISTA DE TABELAS ........................................................................................................... VI LISTA DE FIGURAS ........................................................................................................... VII 1. INTRODUO ................................................................................................................ 1 1.1 1.2 1.3 1.4 2. APRESENTAO ......................................................................................................... 1 HISTRIA DE FURNAS CENTRAIS ELTRICAS S.A ................................................. 2 HISTRICO DO DESENVOLVIMENTO DA APLICAO ................................................. 3 ESTRUTURA DA DISSERTAO ................................................................................... 5
DISJUNTORES DE ALTA TENSO ............................................................................ 8 2.1 2.2

2.2.1 2.2.2
INTRODUO AOS DISJUNTORES DE ALTA TENSO ................................................... 8 ASPECTOS BSICOS E CONSTRUTIVOS ..................................................................... 10
Introduo .................................................................................................................................... 10 Tcnicas de interrupo ............................................................................................................... 12
Histrico ................................................................................................................................................... 12
2.2.2.1
2.2.3
Disjuntores a leo ........................................................................................................................ 13

Disjuntores a Grande Volume de leo (GVO) ......................................................................................... 15 Disjuntores a Pequeno Volume de leo (PVO) ........................................................................................ 16
2.2.3.1 2.2.3.2
2.2.4 2.2.5
Disjuntores a Ar Comprimido .................................................................................................... 17 Disjuntores a SF6 .......................................................................................................................... 19

Histrico ................................................................................................................................................... 19 Propriedades do SF6.................................................................................................................................. 19 Disjuntores a SF6 de dupla presso ........................................................................................................... 21 Disjuntores a SF6 de presso nica ........................................................................................................... 22
2.2.5.1 2.2.5.2 2.2.5.3 2.2.5.4
2.2.6
Disjuntores a Vcuo ..................................................................................................................... 23

Histrico ................................................................................................................................................... 23 Aplicaes dos disjuntores a vcuo .......................................................................................................... 25
2.2.6.1 2.2.6.2
2.2.7
Concluses sobre as tcnicas de extino de arco na alta tenso ............................................. 26
2.3 2.4
2.4.1 2.4.2
RESISTORES DE ABERTURA E PR-INSERO EM DISJUNTORES DE ALTA TENSO 27 SINCRONIZADORES (CONTROLADORES) .................................................................. 31

Parmetros fixos ........................................................................................................................... 31 Parmetros dinmicos ................................................................................................................. 35
3.
ENSAIOS EM DISJUNTORES .................................................................................... 39 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

3.5.1
INTRODUO ............................................................................................................ 39 ENSAIOS DE TIPO ..................................................................................................... 39 ENSAIOS DE PROTTIPO .......................................................................................... 40 ENSAIOS DE ROTINA................................................................................................. 40 METODOLOGIA DE ALGUNS ENSAIOS EM DISJUNTORES .......................................... 41
Ensaio de isolao (medio do fator de potncia) .................................................................... 41
Montagem do ensaio utilizando Doble M2H de 10 kV ............................................................................. 43 Clculo do fator de potncia percentual utilizando Doble M2H ............................................................... 43
3.5.1.1 3.5.1.2
3.5.2
Ensaio nos capacitores ................................................................................................................. 44

Clculo da capacitncia de capacitores utilizando Doble M2H ................................................................ 45
3.5.2.1
3.5.3 3.5.4 3.5.5 3.5.6 3.5.7
Ensaio de resistncia de contatos ................................................................................................ 46 Ensaio de estanqueidade do SF6.................................................................................................. 48 Ensaio dos resistores dos contatos auxiliares ............................................................................. 49 Ensaios de Termografia Infravermelha e deteco de corona por UV.................................... 51 Ensaio de oscilografia .................................................................................................................. 53
4.
DESENVOLVIMENTO DA APLICAO ................................................................. 57 4.1 4.2

4.2.1
ASPECTOS MOTIVADORES PARA O DESENVOLVIMENTO ......................................... 57 FASES DO DESENVOLVIMENTO................................................................................. 57

Comunicao pela porta paralela ............................................................................................... 58
Modos de transmisso da porta paralela ................................................................................................... 58 Endereos da porta na memria ................................................................................................................ 59 Registradores da porta paralela ................................................................................................................. 60
4.2.1.1 4.2.1.2 4.2.1.3
II
4.2.1.4
Comunicao entre software e hardware IMTD24 atravs da porta paralela ............................................ 62
4.2.2
Desenvolvimento de um driver ("IMTD24.SYS") ..................................................................... 63

Acessando o espao de I/O pelo uso de um device driver......................................................................... 64
4.2.2.1
4.2.3
Escrita do cdigo do projeto........................................................................................................ 69

Comunicao com o driver via rotinas da API do Windows .................................................................. 70 Configurao da prioridade "Tempo Real" para o processo ..................................................................... 72 Escrita e leitura na porta ........................................................................................................................... 76
4.2.3.1 4.2.3.2 4.2.3.3
5.
METODOLOGIA DO ENSAIO USANDO A APLICAO DESENVOLVIDA ... 78 5.1 5.2 5.3

5.3.1 5.3.2 5.3.3 5.3.4 5.3.5
APRESENTAO ....................................................................................................... 78 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO .............................................................................. 79 TELAS PRINCIPAIS DO SOFTWARE............................................................................ 80

Tela inicial..................................................................................................................................... 80 Tela de configurao de novo teste ............................................................................................. 81 Tela de verificao das configuraes e estado dos canais ....................................................... 82 Tela para escolha do canal de disparo ........................................................................................ 83 Tela com o grfico do ensaio ....................................................................................................... 84
6. 7.
ENSAIOS REALIZADOS PARA VERIFICAR A EFICCIA DO SOFTWARE ... 87 NOVAS IMPLEMENTAES EM ANDAMENTO ................................................. 92 7.1 7.2 7.3 MUDANA DO MODO DE COMUNICAO ENTRE SOFTWARE/HARDWARE .............. 92 AQUISIO DAS LEITURAS VIA SISTEMA MICROCONTROLADO .............................. 92
CAPACIDADE DE MEDIR CONTATOS AUXILIARES SEM NECESSIDADE DE DESCONEXO DOS LINKS ...................................................................................................... 93 8. CONCLUSES ............................................................................................................... 97
BIBLIOGRAFIA .................................................................................................................. 100
III
Nomenclaturas e Simbologias
A API BIOS C CO Cos CPL CPU CS CTE.O DMA ECP EFLAGS EM.O EPP f F FIFO FP GDT GVO I/O IMTD IN IOPL IOPM LAME.O m MCC MSDN Corrente eltrica (Ampre) Application Programming Interface Basic Input Output System Capacitncia Close-Open Cosseno Current Privilege Level Computer Processor Unit Registrador Code Segment Centro Tcnico de Ensaios e Medies FURNAS Direct Access Memory Enhanced Capabilities Port Registrador de Status nos microprocessadores Intel 80x86 Superintendncia de Engenharia de Manuteno FURNAS Enhanced Parallel Port Freqncia em Hertz Faraday Algoritmo First In First Out (primeiro a entrar primeiro a sair) Fator de Potncia Global Descriptor Table Grande Volume de leo Entrada e sada Interface para Medir Tempos de Disjuntores Instruo de hardware (entrada) I/O Privilege Level I/O Permission bitMap Laboratrio de Medidas Eltricas e Eletrnicas FURNAS Mili Manuteno Centrada na Confiabilidade Microsoft Developer Network
IV
MSDOS MTC NT OUT PC PIC PPM PVO S Sen SF6 SO SPE SSP Tan TR TRT TSS UG UNIFEI UV V VA W WDK Xc
Microsoft Disk Operating System Manual Tcnico de Campo FURNAS New tecnology Instruo de hardware (sada) Personal Computer Programmable Interface Controller Parte Por Milho Pequeno Volume de leo Potncia aparente Seno Hexafluoreto de enxofre Sistema Operacional Sociedade de propsito especfico Standard Parallel Port Tangente Task Register Tenso de Restabelecimento Transitria Task State Segment Unidade Geradora Universidade Federal de Itajub Ultravioleta Volt Volt-Ampre Potncia em Watt Windows Driver Kit Reatncia Capacitiva Ohm Micro Phi Delta Pi
Lista de Tabelas
TABELA 2.1 APLICAES ESPECIAIS COM DISJUNTORES ...................................................................................... 11 TABELA 2.2 PRINCIPAIS VANTAGENS DO DISJUNTOR PVO SOBRE O GVO ........................................................... 17 TABELA 3.1 VALORES TPICOS DE RESISTNCIA DE CONTATOS DE DISJUNTORES DE ALTA TENSO...................... 47 TABELA 4.1 ENDEREOS DAS PORTAS PARALELAS .............................................................................................. 59 TABELA 4.2 REGISTRADOR DE DADOS DA PORTA PARALELA ............................................................................... 61 TABELA 4.3 REGISTRADOR DE STATUS DA PORTA PARALELA .............................................................................. 61 TABELA 4.4 REGISTRADOR DE CONTROLE DA PORTA PARALELA ......................................................................... 61 TABELA 4.5 TABELA DE PRIORIDADES DA PLATAFORMA NT ............................................................................... 74 TABELA 6.1 RESULTADOS DO ENSAIO COM TEMPO DE DURAO DE 2 CICLOS ..................................................... 87 TABELA 6.2 RESULTADOS DO ENSAIO COM TEMPO DE DURAO DE 5 CICLOS ..................................................... 87 TABELA 6.3 RESULTADOS DO ENSAIO COM TEMPO DE DURAO DE 10 CICLOS ................................................... 88 TABELA 6.4 RESULTADOS DO ENSAIO COM TEMPO DE DURAO DE 20 CICLOS ................................................... 88 TABELA 6.5 RESULTADOS DO ENSAIO COM TEMPO DE DURAO DE 30 CICLOS ................................................... 88 TABELA 6.6 RESULTADOS DO ENSAIO COM TEMPO DE DURAO DE 40 CICLOS ................................................... 89 TABELA 6.7 RESULTADOS DO ENSAIO COM TEMPO DE DURAO DE 50 CICLOS ................................................... 89 TABELA 6.8 RESULTADOS DO ENSAIO COM TEMPO DE DURAO DE 55 CICLOS ................................................... 89
VI
Lista de Figuras
FIGURA 1.1 OSCILGRAFO DE PAPEL YOKOGAWA MOD. 2932 .......................................................................... 4 FIGURA 2.1 CLASSIFICAO DOS DISJUNTORES ................................................................................................... 10 FIGURA 2.2 REPRESENTAO DE DISJUNTORES A LEO COM "LIVE TANK" E "DEAD TANK" ................................. 13 FIGURA 2.3 TIPOS DE DISJUNTORES A LEO MINERAL (LIVE TANK E DEAD TANK) ................................................ 14 FIGURA 2.4 TIPOS DE CMARAS DE EXTINO DE DISJUNTORES A LEO.............................................................. 14 FIGURA 2.5 CORTE DE UM PLO DE DISJUNTOR GVO GE FK 145/37000 (GENERAL ELECTRIC) ......................... 15 FIGURA 2.6 DISJUNTOR A PEQUENO VOLUME DE LEO ........................................................................................ 16 FIGURA 2.7 CORTE DISJUNTOR PVO ALTA TENSO ASEA HLC (ABB) ............................................................. 16 FIGURA 2.8 CMARA DE DISJUNTOR A AR COMPRIMIDO TIPO MONOBLAST .......................................................... 18 FIGURA 2.9 CMARA DE DISJUNTOR A AR COMPRIMIDO TIPO DUO-BLAST ........................................................... 18 FIGURA 2.10 COMPARAO DE RIGIDEZ DIELTRICA ENTRE LEO MINERAL, AR E GS SF6. .............................. 21 FIGURA 2.11 CORTE DA UNIDADE DE INTERRUPO DE UM DISJUNTOR SF6 DE PRESSO DUPLA (SIEMENS) ........ 22 FIGURA 2.12 DISJUNTOR SF6 DE PRESSO NICA - OPERAO DE ABERTURA E EXTINO DO ARCO (SIEMENS) . 23 FIGURA 2.13 CORTE DE UMA CMARA DE DISJUNTOR A VCUO .......................................................................... 25 FIGURA 2.14 CIRCUITO EQUIVALENTE COM RESISTOR DE ABERTURA PARA AMORTECIMENTO ............................ 27 FIGURA 2.15 EFEITO DO RESISTOR DE ABERTURA NO AMORTECIMENTO DA TRT FALTA TERMINAL ................. 29 FIGURA 2.16 EFEITO DO RESISTOR DE ABERTURA NA REDUO DA TRT - FALTA TERMINAL .............................. 29 FIGURA 2.17 INTERRUPO DE CORRENTE CAPACITIVA COM USO DE RESISTOR DE ABERTURA............................ 30 FIGURA 2.18 JANELA AUTORIZADA PARA ABERTURA DE BANCOS DE REATORES UTILIZANDO CONTROLADOR DE ABERTURA..................................................................................................................................................... 33 FIGURA 2.19 EXEMPLO MONOFSICO DE ABERTURA DE BANCO DE REATORES UTILIZANDO CONTROLADOR DE ABERTURA..................................................................................................................................................... 33 FIGURA 2.20 INSTANTE IDEAL PARA FECHAMENTO DE DISJUNTOR EM BANCOS DE CAPACITORES ........................ 34 FIGURA 2.21 EXEMPLO MONOFSICO DE FECHAMENTO DE BANCO DE CAPACITORES UTILIZANDO CONTROLADOR DE FECHAMENTO ........................................................................................................................................... 35 FIGURA 2.22 CONFIGURAO DOS PARMETROS DO CONTROLADOR .................................................................. 36 FIGURA 2.23 DEMONSTRAO DA OPERAO DO DISJUNTOR VIA COMANDO CONTROLADO................................ 37 FIGURA 3.1 REPRESENTAO DE UM SISTEMA DE ISOLAO REAL ...................................................................... 42
VII
FIGURA 3.2 ENSAIO DE ISOLAO EM CMARA DE DISJUNTOR DELLE PK4 UTILIZANDO DOBLE M2H DE 10 KV 43 FIGURA 3.3 ENSAIO DE CAPACITORES EM DISJUNTORES DE ALTA TENSO UTILIZANDO DOBLE M2H ................. 45 FIGURA 3.4 MEDIO DE RESISTNCIA DE CONTATOS EM DISJUNTORES DE ALTA TENSO .................................. 47 FIGURA 3.5 MEDIO DE ESTANQUEIDADE DE SF6 USANDO O MTODO DE ACUMULAO.................................. 48 FIGURA 3.6 MODELO DE DISJUNTOR SEM ACESSO AO CIRCUITO RESISTIVO .......................................................... 50 FIGURA 3.7 MODELO DE DISJUNTOR COM ACESSO AO CIRCUITO RESISTIVO ......................................................... 50 FIGURA 3.8 ESPECTRO ELETROMAGNTICO ......................................................................................................... 51 FIGURA 3.9 ENSAIO DE TERMOGRAFIA INFRAVERMELHA NA COLUNA DE ISOLADORES DO DISJUNTOR ANTES E DEPOIS DA LIMPEZA ....................................................................................................................................... 52 FIGURA 3.10 ENSAIO DE DETECO DE CORONA POR UV NA COLUNA DE ISOLADORES DO DISJUNTOR ANTES E DEPOIS DA LIMPEZA ....................................................................................................................................... 53 FIGURA 3.11 MODELO SIMPLIFICADO DO CIRCUITO MEDIDOR DE CONTATOS DO DISJUNTOR ............................... 54 FIGURA 3.12 MODELO SIMPLIFICADO DO CIRCUITO MEDIDOR DAS BOBINAS DO DISJUNTOR ................................ 55 FIGURA 4.1 ASSOCIAO ENTRE REGISTRADORES E PINOS DA PORTA PARALELA ................................................ 60 FIGURA 4.2 ENTRADAS E SADAS DA IMTD24 ..................................................................................................... 63 FIGURA 4.3 NVEIS DE PRIVILGIOS DA ARQUITETURA INTEL 80X86 ................................................................. 64 FIGURA 4.4 REGISTRADOR EFLAGS INTEL 80X86 ........................................................................................... 65 FIGURA 4.5 MODELO DE ENDEREAMENTO PARA A REA IOPM NO TSS ............................................................ 66 FIGURA 4.6 VISUALIZAO DA TSS ATRAVS DE UM DEBUGGER ........................................................................ 67 FIGURA 4.7 CHAVE DO SERVIO DO DRIVER ADICIONADA AO REGISTRO DO WINDOWS..................................... 71 FIGURA 4.8 ALGORITMO DE ESCALONAMENTO ROUND-ROBIN COM 4 CLASSES .................................................. 75 FIGURA 4.9 ESCALONAMENTO ROUND-ROBIN..................................................................................................... 76 FIGURA 5.1 INTERFACE PARA MEDIR TEMPOS DE DISJUNTORES DE 24 CANAIS (IMTD24) .................................. 78 FIGURA 5.2 FILOSOFIA DO ENSAIO UTILIZANDO A IMTD24 ................................................................................. 79 FIGURA 5.3 TELA INICIAL DO SOFTWARE ............................................................................................................. 80 FIGURA 5.4 TELA DE CONFIGURAO DE NOVO TESTE ......................................................................................... 81 FIGURA 5.5 TELA DE VERIFICAO ...................................................................................................................... 82 FIGURA 5.6 LEGENDAS DOS ESTADOS DOS CANAIS .............................................................................................. 82 FIGURA 5.7 TELA PARA ESCOLHA DO CANAL DE DISPARO DO ENSAIO .................................................................. 83
VIII
FIGURA 5.8 GRFICO DO ENSAIO ......................................................................................................................... 84 FIGURA 5.9 EXEMPLO DE UM RELATRIO COMPLETO DE ENSAIO DE MEDIO DE TEMPOS DE OPERAO DE DISJUNTORES ................................................................................................................................................. 85 FIGURA 7.1 PLACA MICROCONTROLADA POR PIC 16F877A PARA COMUNICAO COM A IMTD24 .................... 93 FIGURA 7.2 MODELO DO CIRCUITO DE MEDIO ORIGINAL DA IMTD24 ............................................................. 94 FIGURA 7.3 MODELO DO NOVO CIRCUITO DE MEDIO DA IMTD24 ................................................................... 95
IX
Universidade Federal de Itajub (Laboratrio de Alta Tenso) Ricardo Tozzi de Lima
1. Introduo
1.1 Apresentao
Este trabalho visa apresentar o desenvolvimento de um software para medio dos tempos de operao de disjuntores de alta tenso da empresa FURNAS Centrais Eltricas S.A, empresa de energia do grupo ELETROBRAS. O software foi escrito para se comunicar com a IMTD24 Interface para Medir Tempos de Disjuntores 24 canais. Esta Interface foi desenvolvida por FURNAS nos anos 90 para suprir a carncia de oscilgrafos da poca. A Interface IMTD24 possui 24 canais. Destes, 20 monitoram o estado dos contatos principais e auxiliares (abertura e/ou fechamento) e 4 monitoram a energizao e desenergizao das bobinas de comando do disjuntor. Este monitoramento realizado a cada 100 microssegundos para garantir uma boa exatido das leituras, uma vez que os tempos de operao de disjuntores de alta tenso so da ordem de milissegundos (1 ciclo 16,7 milissegundos). O software para se comunicar com a IMTD24 foi escrito em linguagem C, e se comunica com a Interface pela porta paralela em modo unidirecional (SSP Standard Parallel Port), enviando comandos porta e recebendo de volta as respostas contendo as leituras dos 24 canais. Nas plataformas Windows 9x e Me, a comunicao com a Interface realizada atravs do uso das instrues IN e OUT (funes _inp() e _outp() da linguagem C) em modo nativo. Nos sistemas operacionais Windows NT, 2000, XP e Vista, baseados na tecnologia NT (New Tecnology), doravante tratados simplesmente como plataformas NT, a execuo destas rotinas causa uma exceo "Privileged Instruction", informando a no autorizao do acesso porta. Isto acontece porque as plataformas NT trabalham com dois nveis de privilgio: 0 e 3. As aplicaes de usurio rodam, por definio, no nvel de privilgio mais baixo, nvel 3. Enquanto que para acessar as portas do computador a aplicao deve rodar no nvel de privilgio mais alto (nvel 0). Isto implementando pelo Sistema Operacional para aumentar a segurana e estabilidade.
Para permitir que o software desenvolvido possa ter privilgio suficiente para executar as instrues IN e OUT na porta paralela, foi desenvolvido um driver ("IMTD24.SYS") que carregado na memria para realizar a comutao entre os nveis de privilgio da aplicao, mudando do nvel 3 para 0. Como o software foi desenvolvido para suprir as necessidades de FURNAS Centrais Eltricas S.A, o tpico 1.2 mostra a histria da Empresa com seu papel scio-econmico no pas, e o tpico 1.3, o histrico do desenvolvimento da IMTD24 com o aplicativo apresentado neste trabalho. No tpico 1.4 demonstrada a estrutura da dissertao, mostrando a abrangncia de cada captulo.
1.2 Histria de FURNAS Centrais Eltricas S.A

FURNAS nasceu com o desafio de sanar a crise energtica que ameaava, em meados da dcada de 50, o abastecimento dos trs principais centros socioeconmicos brasileiros - So Paulo, Rio de Janeiro e Belo Horizonte. Com o objetivo de construir e operar no rio Grande a primeira usina hidreltrica de grande porte do Brasil, a Usina Hidreltrica de FURNAS, com capacidade de 1.216 MW foi criada em 28 de fevereiro de 1957, atravs do Decreto Federal n 41.066, a empresa "Central Eltrica de FURNAS". Efetivamente, comeou a funcionar em 1963, em Alpinpolis MG. Em 1 de junho de 1971, a sede foi transferida para o Rio de Janeiro e a Empresa ganhou um novo nome: "FURNAS Centrais Eltricas S.A.", que melhor expressa a proposta de construo de um conjunto de usinas. Hoje, FURNAS est presente no Distrito Federal e nos estados de So Paulo, Minas Gerais, Rio de Janeiro, Esprito Santo, Gois, Tocantins, Mato Grosso, Paran e Rondnia, onde funciona o Escritrio de Construo de Porto Velho. Conta com um complexo de doze usinas hidreltricas e duas termeltricas, totalizando uma potncia de 9.910 MW, o que representa aproximadamente 10% da gerao do pas, sendo 7.971 MW instalados em usinas prprias e 1.939 MW em parceria com a iniciativa privada ou em Sociedade de Propsito Especfico (SPE). Conta, ainda, com 19.277,5 km de linhas de transmisso e 49 subestaes,
garantindo o fornecimento de energia eltrica em uma regio onde esto situados 51% dos domiclios brasileiros, e que responde por 65% do PIB brasileiro.
1.3 Histrico do desenvolvimento da aplicao

Nos anos 60, quando FURNAS comeou atuar como empresa de energia no pas, os equipamentos utilizados na poca para realizar a medio dos tempos de operao de seus disjuntores eram equipamentos com princpios de funcionamento eletromagnticos que gravavam as leituras em papis fotossensveis, conforme mostrado na Figura 1.1. Esses oscilgrafos tinham alguns problemas, tais como: Equipamentos pesados e grandes, causando dificuldades para o manuseio; O fato de trabalhar com papel deixavam os ensaios com algumas restries: o O medidor deveria estar abrigado da luz solar, devido ao papel ser fotossensvel (o que nem sempre possvel em uma subestao); o Ambientes com altas umidades relativas poderiam causar danos ao papel. Ao final do teste, o tcnico utilizava uma rgua para medir o grfico gerado e calcular os tempos encontrados o que comprometia a exatido dos resultados obtidos. Algumas precaues para operao desses oscilgrafos eram tambm declaradas em seus manuais de operao [1]: "A lmpada de mercrio utilizada no instrumento para gravar o ensaio no papel emite raios ultravioletas muito intensos, nunca olhe diretamente luz"; "Existem tenses fatais no circuito da lmpada de mercrio, portanto nunca toque em nenhum ponto do circuito com o instrumento ligado"; "Operar o instrumento horizontalmente, pois a lmpada pode explodir caso fique energizada muito tempo em posio inclinada".
Figura 1.1 Oscilgrafo de papel YOKOGAWA Mod. 2932
Por causa dos problemas e restries mostrados acima, nos anos 90 foi desenvolvido no Laboratrio de Medidas Eletroeletrnicas LAME.O (centro tecnolgico de FURNAS Centrais Eltricas S.A) um equipamento moderno para realizar o ensaio de medio de tempos de operao de disjuntores, chamado IMTD24 ("Interface para Medir Tempos de Disjuntores 24 canais"). O equipamento realiza o ensaio no disjuntor e transfere em tempo real as leituras a um computador atravs da porta paralela. Na ocasio, foi desenvolvido um software, rodando em MSDOS, para tratar os dados obtidos e dar ao tcnico a possibilidade de verificar se os tempos encontrados estavam dentro do esperado. Em Sistemas Operacionais tais como Windows 95 e 98 a aplicao desenvolvida na poca funcionava corretamente. Quando a Empresa optou por utilizar Sistemas Operacionais da plataforma NT, o software desenvolvido em MSDOS j no funcionava corretamente devido s incompatibilidades entre os sistemas de processamentos. Para dar continuidade ao uso da IMTD24, foi necessrio dar incio ao desenvolvimento do cdigo de um novo programa que permitisse o uso da Interface nos novos sistemas operacionais da tecnologia NT. No ano de 2003, o cdigo foi testado e aprovado, e a empresa o disponibilizou para uso.
Esta dissertao descreve entre outros seu uso, validao e aplicaes.
1.4 Estrutura da dissertao

O captulo 2 descreve os vrios tipos de disjuntores de alta tenso, cobrindo os seguintes tpicos: Tcnicas de extino do arco eltrico; Aplicaes de cada tipo de disjuntor; Partes construtivas; A evoluo das tcnicas e novos estudos em andamento; Vantagens e desvantagens do uso de cada tcnica, comparando preos, eficincia, manuteno, etc. O captulo 3 descreve os principais ensaios realizados em disjuntores de alta tenso, demonstrando caractersticas dos ensaios de tipo, prottipo e rotina. Para os ensaios de rotina foi apresentada uma cobertura mais completa das metodologias usadas pelas empresas do setor eltrico, mostrando algumas particularidades adotadas por FURNAS. O captulo 4 apresenta os aspectos motivadores para o desenvolvimento do software. Sendo as fases do desenvolvimento do projeto detalhadas como segue: Apresentao do estudo das entradas e sadas da IMTD24; Definio do modo de trabalho da porta paralela de modo a garantir a melhor comunicao possvel entre software e hardware; Apresentao do desenvolvimento de um driver ("IMTD24.SYS") que garante ao software o acesso porta paralela nas plataformas NT. Uma vez que estas plataformas implementam um nvel de segurana maior e no permitem que um programa rodando em modo usurio execute instrues de hardware; Apresentao das fases principais da escrita do cdigo do aplicativo.
O captulo 5 mostra a metodologia do ensaio de medio de tempos operao de disjuntores de alta tenso usando o software aqui apresentado em conjunto com a IMTD24.
No captulo 6 so apresentados os resultados dos testes aos quais o programa foi submetido, de modo a declarar sua exatido. O captulo 7 trata das novas implementaes que esto sendo desenvolvidas para que o conjunto software/hardware se adqem s novas necessidades da Empresa no quesito "medio de tempos de operao de disjuntores de alta tenso". E por fim, no captulo 8 so levantadas algumas concluses sobre este trabalho.
"Nossas dvidas so traidoras e nos fazem perder o que, com freqncia, poderamos ganhar, por simples medo de arriscar" William Shakespeare
2. Disjuntores de alta tenso

2.1 Introduo aos disjuntores de alta tenso
Disjuntores so dispositivos utilizados nos circuitos eltricos com a finalidade de proteger equipamentos, linhas de transmisso e outros circuitos conectados jusante do ponto de sua instalao. Em condies normais, os disjuntores esto fechados, permitindo que a potncia necessria aos circuitos conectados a este flua normalmente. Com sua resistncia de contatos na ordem de , o disjuntor visto pelo circuito como um caminho livre e no representa uma carga ao sistema. Em condies de falta, atuam de modo a elimin-la, protegendo os equipamentos e as linhas de transmisso localizados dentro da sua rea de atuao. A tarefa mais crtica pela qual o disjuntor submetido a de interromper correntes de curto-circuito. Arcos eltricos gerados durante estas interrupes dissipam, por efeito joule, grandes quantidades de energia com temperaturas que podem atingir valores da ordem de 50000 C e presses na ordem de 100 MPa para um volume menor que um litro[2]. A severidade desta operao de interromper correntes de curto-circuito tem aumentado imensamente durante os ltimos anos, como resultado do crescimento das conexes das redes eltricas de distribuio primria e secundria. As tenses passaram de 132 a 750 kV durante as ltimas cinco dcadas[3], sendo que linhas de transmisso acima de 1000 kV j foram construdas em pases como Japo e Rssia. Enquanto os nveis de tenso aumentam, o tempo total gasto pelo disjuntor na interrupo de curtos-circuitos tem sido reduzido para adequar s necessidades da estabilidade do sistema. Os projetos mais antigos com extino a leo variavam de 10 a 20 ciclos em decorrncia da durao do arco. Com a introduo do conceito de extino a ar comprimido este tempo caiu para o patamar de 6 a 8 ciclos, e com o melhoramento das tcnicas de interrupo este tempo baixou para 2 ciclos [3]. Os aspectos construtivos, a capacidade de interrupo, o tipo de extino e a capacidade mxima de conduo so fatores importantssimos que devem ser levantados a partir das
caractersticas fsicas da rede onde so instalados. Um mau dimensionamento pode acarretar srios danos ao disjuntor e ao circuito protegido pelo mesmo. Com o crescimento da demanda da energia eltrica, associada idia de levar eletricidade a toda populao para que todos tenham acesso s tecnologias disponveis, os sistemas tendem a ficar cada vez mais complexos. Isso deve exigir um estudo mais profundo no momento do dimensionamento da mxima corrente de curto-circuito e menores tempos de abertura e fechamento dos contatos dos equipamentos a serem instalados em novas usinas e subestaes. Este crescimento tambm faz com que a maioria dos equipamentos instalados h mais tempo tenham que ser substitudos por outros que sejam adequados s necessidades do sistema. A idia de interconectar os sistemas eltricos faz com os nveis de corrente de curtocircuito aumentem consideravelmente. Linhas de transmisso muito longas e que conduzem nveis muito altos de potncia exigem nveis de tenso maiores para se obter menos perdas na transmisso, e com isso, disjuntores mais robustos e com capacidades de interrupo cada vez maiores. O desenvolvimento de tcnicas de limitao de corrente de curto e a exigncia de extino de falhas com tempos cada vez menores (em torno de 1 ciclo) so critrios importantes no desenvolvimento dos disjuntores no presente momento. O design dos disjuntores deve contemplar as funes de controlar a corrente que passa no circuito em regime permanente e em condies de falta. Em condies normais, deve ser visto pelo sistema como um canal livre para a conduo de corrente com uma impedncia da ordem de , e em condies de falta, deve interromper o circuito em um tempo dentro do seu ajuste, extinguir o arco desenvolvido e ter uma impedncia muito elevada para garantir a isolao do circuito. Os disjuntores podem ser classificados em relao tenso de trabalho, localizao, design externo e o meio de extino [4], como demonstrado na Figura 2.1.
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Figura 2.1 Classificao dos disjuntores
2.2 Aspectos bsicos e construtivos

2.2.1 Introduo
As decises necessrias construo de disjuntores que sejam capazes de cumprir suas funes nas redes eltricas exigem uma srie de definies dos fabricantes. Em primeiro lugar, devem ser definidas as caractersticas nominais s quais o disjuntor deve atender. A mais importante dessas sua capacidade nominal de interrupo das correntes de curto-circuito. Em segundo plano, deve ser definido seu meio de extino, o meio isolante e o tipo de mecanismo de operao [5]. Aps ter passado pelo processo de fabricao, os disjuntores so submetidos a ensaios de tipo, executados geralmente em um laboratrio especfico seguindo as normas vigentes. O disjuntor ento colocado venda com a garantia de sua qualidade confirmada nos ensaios. At este ponto pode-se dizer que todos os fabricantes seguem o mesmo critrio normalizado para a fabricao de disjuntores. No entanto, seus valores-limite (sobretenses suportveis, corrente nominal, suportabilidade dinmica e trmica) diferem entre si pelas suas caractersticas construtivas.
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Na ocorrncia de um determinado cliente necessitar de um disjuntor para aplicaes especiais, com valores limites especficos, ou onde os ensaios no estejam ainda previstos pelas normas vigentes, os fabricantes devem decidir se: Pequenas alteraes no projeto bsico (parte ativa ou mecanismo de operao) permitem que o disjuntor possa operar com os novos valores especificados; necessrio acrescentar elementos ao equipamento para que este possa atuar devidamente quando instalado na rede; Um novo projeto de disjuntor deve ser desenvolvido para atender s exigncias do cliente, pois o projeto bsico no atende aos critrios da aplicao. A Tabela 2.1 demonstra alguns exemplos de aplicaes que requerem estudos especiais por parte do fabricante do disjuntor.
Aplicaes especiais com disjuntores 1 Aplicao em manobras de banco de capacitores: Abertura e fechamento de um nico banco de capacitores; Fechamento de banco de capacitores em paralelo com outro j energizado (back-to-back). 2 Manobra de motores; 3 Manobra de fornos eltricos; 4 Manobra de reatores.
Tabela 2.1 Aplicaes especiais com disjuntores
Para aplicaes especiais, o fabricante pode modificar o projeto, ou usar artifcios adicionais que permitam um funcionamento adequado nas condies exigidas [5]. Alguns exemplos dessas aplicaes so mostrados abaixo: Em projetos com energizao de bancos de capacitores em paralelo (back-to-back) o fabricante pode solicitar a colocao de impedncias indutivas em srie com o disjuntor para limitar a corrente e a freqncia de energizao transitria; Para aumentar a capacidade de interrupo no caso de faltas na linha pode ser necessrio adicionar um capacitor em paralelo ao contato principal; Para reduzir as sobretenses no momento das manobras, podem ser colocados contatos auxiliares de fechamento e/ou abertura com resistores de pr-insero. Isso reduz os esforos sofridos pelos contatos principais.
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Mais raramente, o fabricante pode aumentar as exigncias com relao quantidade de manobras entre uma manuteno e outra, ou reduzir a quantidade de manobras permitidas dentro da vida til do disjuntor [5].
2.2.2 Tcnicas de interrupo

2.2.2.1 Histrico Historicamente, os disjuntores com interrupo ao ar livre foram os primeiros dispositivos a serem utilizados. Porm, para atender o crescimento das potncias de interrupo, e elevao dos nveis de tenso dos circuitos eltricos, foram colocados no mercado os disjuntores a leo mineral isolante a Grande Volume de leo (GVO). Esta tcnica de isolao apresentou problemas srios com acidentes graves registrados na poca, provocados pela exploso e incndio dos disjuntores. Estudos foram realizados para melhorar esta tcnica, surgindo os disjuntores a Pequeno Volume de leo (PVO). Na dcada de 30, os disjuntores a ar comprimido apareceram como a melhor alternativa para extino de arco eltrico em sistemas de alta tenso. Em 1953 os Estados Unidos construram seu primeiro prottipo de disjuntor a SF6, e no incio dos anos 70, apareceram os primeiros disjuntores com extino a vcuo. Hoje as linhas de pesquisas sobre tcnicas de extino apontam para o uso de disjuntores a semicondutores, que j vem sendo testados em laboratrios. O uso destes disjuntores no futuro promissor, pois so os que mais se aproximam do ideal. No entanto, seu uso ainda est restrito a nveis baixos de tenso. As tcnicas de extino de arco eltrico mais comumente utilizadas em circuitos de alta tenso em vigor nos dias de hoje so as seguintes: Ar comprimido; Grande Volume de leo; Pequeno Volume de leo; Vcuo; SF6.
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Vale lembrar que a vida til dos disjuntores so de vrias dcadas, e assim, uma tcnica caracterizada como inferior em relao s tcnicas presentes no momento, pode continuar vigente por longos anos. Mesmo com os acidentes registrados pelo uso dos GVO's, no implica necessariamente que os equipamentos sero trocados, j que esta substituio demanda tempo, indisponibilidade do sistema e altos custos em adquirir um novo disjuntor. O que acontece muitas vezes um aumento da ateno com o equipamento no sentido de realizar manutenes peridicas mais freqentes de modo a evitar tais problemas.
2.2.3 Disjuntores a leo

Nos disjuntores a leo, os dispositivos de interrupo esto mergulhados em leo isolante. No momento da operao, gases como hidrognio so liberados devido s altas temperaturas desenvolvidas no meio, e esta liberao de gases d incio a um grande fluxo de leo que alonga o arco eltrico criado, resfriando os contatos e deionizando o dieltrico. H duas categorias consideradas: uma onde o recipiente contendo o leo metlico e aterrado ("dead tank"), e outra onde este recipiente isolado de terra ("live tank"). Veja na Figura 2.2.
Figura 2.2 Representao de disjuntores a leo com "live tank" e "dead tank"
Dependendo da classe de tenso na qual o disjuntor instalado, definem-se a quantidade de interruptores instalados no equipamento. A Figura 2.3 demonstra quatro tipos de disjuntores a leo: live tank com um nico interruptor, dead tank com dois interruptores, live tank com quatro interruptores e dead tank tambm com quatro interruptores, respectivamente.
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Figura 2.3 Tipos de disjuntores a leo mineral (live tank e dead tank)
Para extinguir o arco eltrico em disjuntores a leo, dois tipos de cmaras so empregadas: cmaras de sopro transversal (cross blast) e cmaras de sopro axial (axial blast), mostradas na Figura 2.4.
Figura 2.4 Tipos de cmaras de extino de disjuntores a leo
Tanto nas cmaras de sopro axial, quanto nas de sopro transversal, a presso dos gases gerados pelo arco provoca um fluxo de leo passante pelas paredes frias da cmara. Este fluxo retira os gases ionizados da regio entre os contatos, causando assim, o alongamento do arco at ser completamente extinto. A cmara de sopro axial foi desenvolvida como um upgrade da tcnica de sopro transversal para melhorar caractersticas como qualidade de extino e resfriamento dos contatos, sendo portanto, mais amplamente utilizadas [5].
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Existem dois tipos de disjuntores a leo: disjuntores a grande volume de leo e disjuntores a pequeno volume de leo. 2.2.3.1 Disjuntores a Grande Volume de leo (GVO) So disjuntores que possuem uma alta capacidade de interrupo, compostos basicamente por um grande tanque metlico conectado ao potencial de terra. Dentro deste tanque esto instalados os contatos principais, o mecanismo de acionamento e a cmara de extino. Disjuntores GVO de alta tenso possuem unidades individuais por fase, conectadas mecanicamente pelo mecanismo de operao de abertura e fechamento. Cada fase constituda por um tanque contendo duas buchas externas com a funo de isolar a parte metlica do potencial, duas cmaras de extino conectadas na parte inferior das buchas, os contatos mveis que fazem a ligao eltrica entre as cmaras, o mecanismo de acionamento dos contatos mveis, e quando necessrio, transformadores de corrente conectados na parte inferior das buchas. A Figura 2.5 esboa um corte de um plo de disjuntor GVO.
Figura 2.5 Corte de um plo de disjuntor GVO GE FK 145/37000 (General Electric)
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2.2.3.2 Disjuntores a Pequeno Volume de leo (PVO) A grande quantidade de leo utilizada nos disjuntores a GVO requer do tcnico uma manuteno peridica, realizando a filtragem devido carbonizao gerada durante as interrupes de corrente. Por causa disso, os fabricantes comearam a pesquisar uma forma de utilizar menos leo no equipamento. Essas pesquisas resultaram em avanos que trouxeram grandes modificaes, tais como: reduo da quantidade de leo utilizado, melhoramento das caractersticas dieltricas e melhoramento do desempenho desses novos disjuntores, chamados "disjuntores a Pequeno Volume de leo", Figura 2.6.
Figura 2.6 Disjuntor a pequeno volume de leo
Figura 2.7 Corte disjuntor PVO Alta tenso ASEA HLC (ABB)
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As principais vantagens dos disjuntores PVO em relao ao GVO so mostradas na Tabela 2.2.
Vantagens dos Disjuntores PVO em relao ao GVO Reduo da quantidade de leo isolante utilizado Necessita cerca de 20% do leo utilizado em um GVO O isolamento para a terra garantido por isoladores de porcelana So encontrados em todas as classes de tenso
Tabela 2.2 Principais vantagens do disjuntor PVO sobre o GVO
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2.2.4 Disjuntores a Ar Comprimido

Os disjuntores a ar comprimido utilizam o ar natural comprimido em reservatrios como elemento de extino do arco eltrico gerado durante a abertura e fechamento dos contatos. Esta tcnica est classificada como uma das mais limpas por utilizar o prprio ar que respiramos, porm comprimido em alta presso, necessitando sempre de grandes cuidados com a qualidade dos reservatrios. O princpio de funcionamento se faz da seguinte forma: ao comandar o disjuntor, suas vlvulas de sopro e exausto, localizadas na cmara de comando, se abrem permitindo a circulao do ar pelos contatos. A vlvula de sopro permite a injeo do ar comprimido a passar pelos contatos resfriando e alongando o arco desenvolvido, enquanto que a vlvula de exausto conduz este ar, que agora est ionizado, para a atmosfera, garantindo a isolao necessria entre os contatos mveis e fixos. A intensidade e a velocidade do fluxo de ar determinam a eficincia do disjuntor [6]. H duas tcnicas usuais empregadas para extinguir o arco eltrico por meio de ar comprimido: sopro de nica direo (mono-blast) e sopro de duas direes (duo-blast), sendo que a segunda tcnica mais eficiente e mais utilizada no momento. Nos disjuntores com sopro de nica direo, o fluxo de ar passa pelo centro do contato mvel somente. Nos disjuntores de sopro de duas direes, o fluxo passa pelo centro dos contatos mveis e fixos.
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A Figura 2.8 demonstra a tcnica de sopro de nica direo.
Figura 2.8 Cmara de disjuntor a ar comprimido tipo monoblast
Com o sistema mostrado na Figura 2.8 fica difcil alcanar os valores timos para extenso do arco, condies de fluxo de ar, dimetro das passagens, entre outros. Por isso, muitas vezes necessrio instalar resistores de abertura no equipamento para diminuir as taxas de crescimento da TRT (Tenso de Restabelecimento Transitria), para no exceder a suportabilidade dieltrica do equipamento. O melhoramento destes quesitos foi conseguido ao se desenvolver cmaras com sopro em duas direes (Figura 2.9), j que os gases ionizados so soprados agora em duas direes opostas para fora da regio dos contatos. O sopro em duas direes aumenta a suportabilidade dieltrica do disjuntor, de forma que muitas vezes possvel dispensar o uso dos resistores de abertura para a interrupo de faltas a longas distncias e outras faltas caracterizadas por altas taxas de crescimento de TRT [6].
Figura 2.9 Cmara de disjuntor a ar comprimido tipo duo-blast
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Para manter os reservatrios destes disjuntores pressurizados, utiliza-se muitas vezes, uma central de ar comprimido, onde alguns compressores se encarregam da tarefa de manter tanto os reservatrios centrais, quanto os reservatrios individuais de cada disjuntor com a presso nominal de trabalho. No entanto, algumas vezes encontra-se disjuntores possuindo seu prprio compressor. A grande desvantagem deste modelo que se este compressor apresentar problemas e tiver que ser parado para manuteno, o disjuntor fica limitado a operar algumas vezes at que o limite mnimo de ar do seu reservatrio seja atingido. Este limite, prtica usual exigida por muitos clientes, a capacidade do disjuntor realizar o ciclo completo O-CO-CO [6]. Ao utilizar um reservatrio central, este deve ser capaz de suprir ar para todos os reservatrios individuais aps uma operao O-CO simultnea, em um tempo geralmente estipulado em 2 minutos [6].
2.2.5 Disjuntores a SF6

2.2.5.1 Histrico A primeira aplicao de SF6 em um meio isolante data de 1940, coberta pela patente USA 2221671 [7], porm seu uso como meio extintor de arco eltrico foi iniciado por volta de 1952. A partir destes primeiros estudos, vrias patentes surgiram sobre as propriedades especiais do gs em pases da Europa, como Sucia, Alemanha, Frana e Sua. No entanto sua aplicabilidade em disjuntores surge um pouco mais tarde [3]. A aplicabilidade do SF6 como meio extintor e isolante possibilitou aumentar os nveis de tenso e corrente em disjuntores, j que suas propriedades qumicas garantem uma isolao bem mais alta em relao ao ar, no necessitando, portanto, usar artifcios como instalar vrios interruptores em srie, nem aumentar exageradamente as cmaras contendo o gs [3]. Assim, um disjuntor a gs SF6 pode ser construdo em tamanho bem reduzido em relao ao disjuntor a ar comprimido, possuindo as mesmas capacidades dieltricas. 2.2.5.2 Propriedades do SF6 As caractersticas fsicas e qumicas do SF6 o tornam um excelente meio isolante e extintor, garantindo sua aplicabilidade at os dias de hoje.
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O SF6 um gs no txico, no combustvel, inodoro e extremamente estvel e inerte at temperaturas em torno de 5000C devido sua estrutura molecular simtrica, comportando-se como um gs nobre. Este gs possui peso especfico de 6.14 g/l, em torno de cinco vezes mais pesado que o ar (1.2 g/l). Esta propriedade, ligada ao fato de ser inodoro e incolor, requer cuidados ao se trabalhar com grandes quantidades em instalaes fechadas, como por exemplo, subestaes blindadas. Caso ocorra vazamento num local assim, o gs se acomoda em frestas e lugares baixos, devido seu peso, causando o deslocamento de todo o ar oxignio, podendo causar acidentes fatais por asfixia. Outro aspecto importante a ser observado sua decomposio perante descargas eltricas. As descargas eltricas ocasionadas nos momentos das operaes tendem a decompor o gs SF6 em intensidades proporcionais s energias geradas.
(2.1)
Quando a temperatura comea abaixar, a reao se d opostamente causando a recomposio do gs. A recomposio no completa pelo fato de haver reaes secundrias entre o gs decomposto e metais vaporizados oriundos dos contatos e outras partes do disjuntor. Essas novas combinaes so geralmente fluoretos de cobre (CuF2), ou tungstnio (WF6), sendo estes compostos no condutores. Assim, a decomposio desses elementos nas paredes da cmara do disjuntor no causa problemas ao mesmo. Pode haver outras reaes liberando compostos secundrios de enxofre como SF4 e S2F2, tambm combinaes no condutoras. Se houver umidade no SF6, os produtos mencionados acima reagem com gua, liberando cido fluordrico, gs altamente corrosivo para materiais a base de silcio. + + + + (2.2) (2.3)
Nesses disjuntores a SF6, principalmente nos de presso nica, o gs encontra-se em um ambiente fechado e praticamente isolado de umidades por toda a vida til do disjuntor.
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Existindo tambm filtros com elementos desumidificadores para qualquer problema que venha ocorrer, garantindo que a umidade no gs praticamente inexista. As caractersticas isolantes do SF6 variam em funo da presso pela qual o gs est submetido, sendo bastante superior em relao aos meios extintores como leo mineral e ar comprimido, como mostrado na Figura 2.10.
Figura 2.10 Comparao de rigidez dieltrica entre leo mineral, ar e gs SF6.
2.2.5.3 Disjuntores a SF6 de dupla presso Estes fazem parte da 1 gerao de disjuntores a gs SF6. Incorporam em seu interior dois circuitos com presses distintas. Um circuito com alta presso (20 bar), e outro com baixa presso (2,5 bar). Esta diferena de presso necessria para que haja fluxo de gs do circuito de alta presso para o de baixa, passando por entre os contatos do disjuntor. Atravs das vlvulas de descarga, o gs injetado em um reservatrio intermedirio de presso, extinguindo o arco eltrico (Figura 2.11). Quem injeta o gs so os prprios mecanismos de transmisso do disjuntor que se movimentam no momento da operao. Aps a abertura dos contatos, o gs descarregado para o circuito de baixa presso, e assim, bombeado de volta ao circuito de alta presso por meio de um compressor.
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Neste tipo de disjuntores tambm so necessrios o uso de resistores de aquecimento em seus reservatrios de alta presso, com a finalidade de reduzir o risco de liquefao do gs quando submetidos a baixas temperaturas [5]. Por causa de sua construo complexa (dois circuitos de presso, o uso de compressor auxiliar e resistores de aquecimento), praticamente no so mais fabricados nos dias de hoje, dando lugar segunda gerao de disjuntores a SF6, os disjuntores de presso nica.
Figura 2.11 Corte da unidade de interrupo de um disjuntor SF6 de presso dupla (Siemens)
2.2.5.4 Disjuntores a SF6 de presso nica Esta a 2 gerao de disjuntores a SF6 e tiveram o incio do seu desenvolvimento em fins dos anos 60 com o intuito de simplificar o sistema de dupla presso. Nesses disjuntores o gs est pressurizado a uma presso nica dentro de um sistema fechado (6 a 8 bar) [8]. A diferena de presso, necessria para que ocorra o fluxo de gs conseguida criando-se uma sobrepresso transitria no momento da abertura dos contatos por meio de um pisto ligado haste do contato mvel, que ao movimentar-se, comprime o gs dentro de uma cmara [5]. O completo funcionamento da tcnica de extino descrito a seguir: Com o disjuntor na posio fechada, a corrente eltrica flui naturalmente pelas partes condutoras (Figura 2.12a). Ao comandar o disjuntor para abertura, o contato mvel e o cilindro comeam a se movimentarem, comprimindo o gs contra o mbolo fixo (Figura
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2.12b). A presso neste compartimento vai aumentando com a reduo do volume at o momento da separao dos contatos fixos e mveis. Neste momento h o aparecimento do arco eltrico e tambm a liberao da sobrepresso transitria sobre os contatos, extinguindose assim o arco (Figura 2.12c). E por fim, tem-se o disjuntor agora aberto, sendo isolado eletricamente pelo gs SF6 presso de trabalho (6 a 8 bar), como mostrado na Figura 2.12d. Com esta tcnica mais simples torna-se desnecessrio o uso de todos aqueles dispositivos do sistema de dupla presso: sistema de compressor, vlvulas, registros, mecanismos de vlvulas de sopro, reservatrios, resistores de aquecimento, etc.
Figura 2.12 Disjuntor SF6 de presso nica - Operao de abertura e extino do arco (Siemens)
2.2.6 Disjuntores a Vcuo

2.2.6.1 Histrico Disjuntores a vcuo tm encantado seus projetistas por muitos anos por causa de suas grandes vantagens no quesito extino de arco eltrico. Dentre estas vantagens, as principais so demonstradas a seguir [3][9]: So completamente fechados e no necessitam de fontes externas de gs ou leo; No emitem gases, nem chamas; No requerem manuteno, e em muitos casos, sua vida til ser o prprio perodo pelo qual o disjuntor atenda aos critrios do circuito onde instalado; Podem ser usados na horizontal ou vertical;
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Dispensa o uso de capacitores e resistores de pr-insero para interromper faltas; Requerem uma baixa energia para o acionamento de seus comandos; So silenciosos em suas operaes.
A desvantagem desta tcnica est no alto custo no desenvolvimento do disjuntor, no entanto, com as tecnologias modernas este valor j comea a diminuir. O fato de ter uma manuteno praticamente inexistente faz com que o custo final possa ser comparado ao das outras tcnicas com o decorrer dos anos de trabalho dos equipamentos, j que muito dinheiro se gasta com horas trabalhadas e peas substitudas em disjuntores a leo, ar comprimido e gs SF6. A possibilidade de extinguir arcos eltricos no vcuo comeou a ser analisada j no sculo XIX, porm os primeiros estudos cientficos datam de 1923-26 por Sorensen e Mendenhall no Instituto de Tecnologia da Califrnia. Naquela poca eles conseguiram interromper uma corrente de 900A em 40 kV, mas este trabalho pioneiro no foi capaz de impulsionar o desenvolvimento de equipamentos a vcuo por causa da precariedade das tcnicas disponveis naquele momento. O critrio mais complicado de se atender nesta tcnica manter o vcuo em um ambiente totalmente fechado para no haver entrada de ar [3]. Aps este grande feito, vrios trabalhos e pesquisas foram realizados com o intuito de desenvolver equipamentos de extino a vcuo que tivessem uma boa confiabilidade. Nos anos 30 poucos equipamentos foram fabricados e conseguiam interromper baixas correntes a poucos quilovolts. At o final dos anos 40 havia muitas aplicaes utilizando a tcnica, mas ainda no aplicadas a disjuntores de potncia porque as correntes de falta tinham valores acima do suportado pelos interruptores, sendo aplicados geralmente em sistemas de transmissores de sinais de rdio, radares, etc. No incio dos anos 50 o conceito comeou a se concretizar quando Ross, colocando seis interruptores em srie conseguiu chavear uma carga em sistemas de 230 kV [10]. A companhia americana GE tambm estava trabalhando nesse processo, e em 1962 apresentou o desenvolvimento do primeiro disjuntor de potncia com extino a vcuo, com a capacidade de interrupo de 12,5 kA a 15,5 kV, trabalhando com corrente nominal de 600 A [3].
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2.2.6.2 Aplicaes dos disjuntores a vcuo Disjuntores a vcuo para baixa e mdia tenso so facilmente encontrados e seu uso est aumentando continuamente, porm para alta tenso sua aplicabilidade est limitada a 145 kV, e apenas um fabricante tem oferecido este equipamento [6]. Apresentam uma tendncia para aplicaes em mdia tenso at 38 kV [8]. As caractersticas que garantem a fora desta tendncia so: Por causa do reduzido curso dos contatos, pouca energia requerida para a operao do disjuntor, podendo-se assim ser construdo em tamanho reduzido, tornando-os bem apropriados para uso em cubculos; Por no usarem meios extintores gasosos ou lquidos, podem fazer religamentos automticos mltiplos (0-0,3s-CO-15s-CO-15s-CO-15s-CO). A Figura 2.13 demonstra uma cmara de disjuntor a vcuo.
Figura 2.13 Corte de uma cmara de disjuntor a vcuo
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2.2.7 Concluses sobre as tcnicas de extino de arco na alta tenso

Cada tcnica de extino de arco eltrico empregada em disjuntores tem suas vantagens e desvantagens, cabe ao responsvel pelo projeto de uma determinada obra fazer a correta escolha do equipamento que melhor se adapte ao circuito. Dentre os fatores a serem observados, esto: Escolher o equipamento correto de modo que oferea maior segurana ao pessoal e ao prprio equipamento; Escolher um equipamento que exija a menor manuteno possvel; O equipamento deve possuir uma margem de tolerncia em sua configurao de modo a suportar futuras ampliaes nas cargas a serem interrompidas pelo mesmo. Com relao s tcnicas de extino, as seguintes comparaes podem ser verificadas: Disjuntores a ar comprimido e leo mineral praticamente j no so mais fabricados por utilizarem tcnicas j ultrapassadas quando comparados aos disjuntores a SF6 e a vcuo, mas ainda esto em uso nas instalaes onde foram instalados no passado. Enquanto suas vidas teis estiverem vigentes e suas capacidades de interrupo dentro dos nveis de potncia presentes nos seus circuitos, provavelmente no devem ser substitudos, j que a troca desses equipamentos apresenta alto custo inicial; A tcnica que apresenta melhores resultados dentro da realidade dos circuitos de potncia de fato a extino a vcuo, porm os disjuntores so ainda muito caros, e os nveis de tenso de trabalho ainda esto limitados mdia tenso. Acredita-se que em um futuro prximo esta tcnica deva estar altamente difundida para nveis de alta tenso com custos competitivos, comparando aos custos da tcnica utilizando SF6; Os disjuntores a gs SF6 so os mais fabricados no momento, apresentando o melhor custo benefcio. Esta tcnica deve perdurar por longos anos por causa das boas propriedades fsicas do gs; Outras tcnicas como disjuntores a semicondutores esto sendo estudas em laboratrios e j possuem aplicaes em sistemas de potncia menores. Esta tcnica a que mais se aproxima de um disjuntor ideal, porm sua aplicao em sistemas
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maiores ainda no possvel, sendo um bom campo de pesquisa na rea de extino de arcos eltricos nos sistemas de alta potncia.
2.3 Resistores de abertura e pr-insero em disjuntores de alta tenso

Os resistores de abertura e pr-insero, instalados em cmaras auxiliares, so configurados em paralelo aos contatos principais dos disjuntores quando seu uso se faz necessrio pelas caractersticas do circuito. Sua utilizao determinada para casos especiais onde se necessite reduzir sobretenses oriundas do fechamento de linhas em vazio e chaveamento de bancos de capacitores (resistores de pr-insero), ou aumentar a capacidade de interrupo do arco atravs do controle das taxas de TRT e chaveamento do bancos de reatores (resistores de abertura) [11][12]. Aqui so descritas algumas aplicaes de resistores de abertura e pr-insero em disjuntores de alta tenso: 1. Resistores de abertura para reduo de TRT em faltas quilomtricas: Quando as taxas de TRT excedem o valor de suportabilidade do disjuntor, o fabricante pode escolher entre aumentar a quantidade de cmaras interruptoras, ou inserir resistores de abertura em paralelo s cmaras principais. O uso de resistores de abertura garante o aumento do amortecimento do circuito, com o efeito principal de reduzir a amplitude do primeiro pico e a subseqente taxa de crescimento da TRT. A Figura 2.14 demonstra um circuito equivalente com resistor de abertura associado ao disjuntor:
Figura 2.14 Circuito equivalente com resistor de abertura para amortecimento
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Trs equaes podem ser tiradas do circuito acima demonstrando a TRT que aparece atravs do disjuntor. A escolha da equao depende dos seguintes critrios: o valor de R (resistncia de abertura) ser maior, igual ou menor que o valor da resistncia de amortecimento crtico (Rd), dada pela equao 2.4 [3]: =

(2.4)
As equaes descrevendo as trs condies so dadas por Lackey (1951a). 1) Para R > Rd (underdamping) = Onde: =

(2.5)
2) Para R = Rd =

(2.6)
3) Para R < Rd (overdamping) =

(2.7)
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A Figura 2.15 demonstra a comparao entre o valor de R (resistor de abertura adicionado ao disjuntor) com Rd (resistncia que produziria o amortecimento crtico):
Figura 2.15 Efeito do resistor de abertura no amortecimento da TRT Falta terminal
A relao entre a taxa de crescimento da TRT no circuito com amortecimento e a taxa no circuito sem amortecimento demonstrada na Figura 2.16.
Figura 2.16 Efeito do resistor de abertura na reduo da TRT - Falta terminal
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Os cabos das linhas conectadas ao barramento em falta j so por si um fator importante no amortecimento, j que so considerados como resistncias no intervalo de tempo entre a abertura e a falta [6]. 2. Resistores de fechamento para chavear bancos de capacitores: Utilizados para limitar as correntes de alta freqncia decorrentes do fechamento de bancos de capacitores em manobra isolada, com valores tpicos de 100-200 [6]. 3. Resistores de abertura para reduo de TRT na abertura de correntes capacitivas: Para este tipo de aplicao, muitas vezes as concessionrias exigem do fabricante que seu disjuntor seja capaz de abrir circuitos de bancos de capacitores, ou linhas a vazio sem que haja reacendimento durante a ocorrncia de uma sobretenso da ordem de 1,5 pu [6]. Se o disjuntor no possuir capacidades equivalentes o fabricante pode optar por aumentar a quantidade de cmaras interruptoras, ou adicionar resistores de abertura ao equipamento, cujo valor tpico da ordem de 100 . Durante a insero dos resistores de abertura, o banco de capacitores ou linha a vazio descarrega parte da energia acumulada, garantindo a reduo da TRT, como mostra a Figura 2.17.
Figura 2.17 Interrupo de corrente capacitiva com uso de resistor de abertura
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2.4 Sincronizadores (controladores)

A utilizao de sincronizadores, hoje chamados de controladores, tem como objetivo controlar o disparo dos disjuntores, visando buscar a otimizao da operao dos mesmos pelo clculo do instante ideal de chaveamento (abertura e/ou fechamento) dos contatos. Devese considerar cada tipo de carga a ser chaveada, de modo a parametrizar corretamente o momento de operao do controlador. Os comandos so unipolares j que a idia operar cada fase do disjuntor no ponto ideal, dependendo da carga a ser chaveada. A parametrizao do controlador no algo simplrio. Vrios fatores influenciam nestes ajustes. Os parmetros do disjuntor, como tempo de abertura e fechamento dos contatos, e tambm parmetros do sistema, como temperatura, umidade, presso de comando, devem ser considerados para se obter a melhor configurao[13]. Basicamente dois tipos de parmetros so considerados: Fixos; Dinmicos.
2.4.1 Parmetros fixos

Os parmetros fixos, como o prprio nome indica, so parmetros que no so freqentemente modificados. Um exemplo disso so as configuraes dos instantes ideais de operao dos controladores em cada fase, onde, o tempo de abertura e fechamento dos contatos do disjuntor devero ser conhecidos e altamente confiveis, no podendo variar mais que 1 milissegundo. A configurao destes parmetros depende do tipo de carga chaveada, ou seja, em que momento o controlador deve emitir o sinal de comando ao disjuntor para que o mesmo feche ou abra. Dois exemplos de utilizao de controladores para chaveamentos especiais so demonstrados a seguir:
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a) Abertura controlada para bancos de reatores A possibilidade de ocorrncia de surtos de tenso em aberturas de bancos de reatores tem sido estudada exaustivamente nos ltimos anos por vrios grupos de estudos da rea. A ocorrncia de sobretenses pode ser causada tanto como resultado de excessivas correntes de chopping pelo disjuntor, quanto pelas reignies ocorridas durante a operao de abertura. Acredita-se que as sobretenses ocasionadas por corrente de chopping so significativamente menores em disjuntores a SF6 (provavelmente menor que 1,4 pu), no sendo to prejudiciais. As sobretenses por chopping podem conduzir a altas sobretenses devido s reignies, e estas reignies podem ocorrer em nveis altos de tenso como resultado de altas TRT's atravs do disjuntor. Assim, o chaveamento controlado resulta em um controlado tempo de arco de modo a no somente eliminar as reignies, mas tambm reduzir o tempo de arco para o mnimo necessrio para a interrupo, reduzindo-se assim, os nveis de chopping. A ocorrncia de reignio durante as manobras de circuitos no acontece para uma nica classe particular de dispositivos comutadores. Na verdade a reignio acontece sempre, variando somente o grau de amplitude, sendo alguns nveis esperados. A severidade da sobretenso, claro, depende da tenso na qual a reignio ocorreu e as caractersticas do circuito conectado em ambos os lados do disjuntor. Vrios estudos sugerem que a mxima tenso causada pela reignio no ultrapasse 2,0 pu, ou talvez 2,5 pu em dispositivos com tendncia para ocorrncia de correntes de chopping [14]. A Figura 2.18 demonstra a janela de tempo autorizada para abertura de bancos de reatores utilizando controlador de abertura. O espao denominado "Mnimo tempo de arco" um trecho no permitido para abertura, de modo que no haja reignies.
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Figura 2.18 Janela autorizada para abertura de bancos de reatores utilizando controlador de abertura
A Figura 2.19 demonstra um exemplo monofsico de abertura de banco de reatores utilizando controlador de abertura.
Figura 2.19 Exemplo monofsico de abertura de banco de reatores utilizando controlador de abertura
b) Fechamento controlado para bancos de capacitores O fechamento de banco de capacitores, de um modo geral, produz transitrios de corrente e tenso devido ao fato de que um banco descarregado ao ser colocado no circuito atua, nos primeiros instantes, como um curto-circuito. Estes transitrios vo se extinguindo com o carregamento do banco, passando a acompanhar a tenso do barramento.
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Teoricamente, o instante de fechamento ideal seria no zero da tenso pelo fato do banco de capacitores, descarregado, se comportar como um curto-circuito, mas para cada circuito deve-se realizar um estudo para descobrir o momento de fechamento que menos transitrios sejam gerados no sistema. A Figura 2.20 mostra o instante ideal do fechamento do disjuntor em bancos de capacitores. Isso vale para a maioria dos casos. Para disjuntores com contatos auxiliares de fechamento, estes devem ser fechados no zero da onda, e o fechamento do contato principal deve, em alguns casos, ser ajustado para pontos da onda que causam menos impactos no circuito chaveado.
Figura 2.20 Instante ideal para fechamento de disjuntor em bancos de capacitores
Na Figura 2.21 mostrado um exemplo monofsico de fechamento de banco de capacitores utilizando controlador de fechamento.
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Figura 2.21 Exemplo monofsico de fechamento de banco de capacitores utilizando controlador de fechamento
2.4.2 Parmetros dinmicos

Os parmetros dinmicos so aqueles levados em conta a cada comando: Presso do comando hidrulico do disjuntor; Tenso de comando nas bobinas; Tempos mdios de comandos ou ltimos tempos de operao; Temperatura.
Esses parmetros afetam a velocidade da operao do disjuntor, portanto devem ser configurados criteriosamente. A Figura 2.22 uma tela do software de um determinado controlador. Nesta tela possvel analisar os parmetros dinmicos comentados acima. Alguns parmetros so obtidos por sensores instalados no disjuntor, outros so configurados manualmente.
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Figura 2.22 Configurao dos parmetros do controlador
1) Ajustes da presso de comando hidrulico Este parmetro considerado em cada manobra do disjuntor, j que se a presso estiver alta, o disjuntor opera mais rpido e vice-versa. Para que o controlador corrija o tempo de operao perante este parmetro, a tabela de compensao deve ser configurada corretamente, conforme mostrado na tela acima. 2) Correo da temperatura Em locais onde h grande variao de temperatura, pode ser necessrio compensar os tempos de comando do controlador. Para isso, sensores instalados no disjuntor coletam esta informao e os valores medidos so avaliados pelo software do equipamento. 3) Tenso nas bobinas do disjuntor Nos comandos executados pelo controlador tambm so consideradas as tenses nas bobinas do disjuntor. Os nveis de tenso afetam a velocidade de operao do disjuntor. Nveis de tenso mais altos aceleram o comando, enquanto que nveis baixos o tornam mais lento. Assim, a tabela de configurao do software do controlador contm a
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informao desses nveis para efetuar a correo devida para que o disparo seja efetuado no momento correto. Outro fator que tambm interfere na velocidade do disjuntor seu envelhecimento. Para isso, o controlador possui o critrio de avaliar a mdia dos tempos de operao, ou se basear no ltimo comando realizado. Quando feita a troca ou instalao de um novo equipamento controlador de disparo, pode ser necessria a realizao de ensaios de oscilografia para verificar os tempos mdios do disjuntor em questo. A Figura 2.23 mostra a operao de um disjuntor via comando controlado:
Figura 2.23 Demonstrao da operao do disjuntor via comando controlado
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"Nenhuma grande descoberta foi feita jamais sem um palpite ousado" Isaac Newton
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3. Ensaios em disjuntores
3.1 Introduo
Ensaios realizados em disjuntores so determinados como "Ensaios de Tipo", "Ensaios de Rotina" e "Ensaios de Prottipo", sendo melhor classificados como a seguir: Ensaios de Tipo - Escolhe-se uma unidade especfica sobre cada lote de disjuntores idnticos para a realizao de ensaios de qualidade. Isto na verdade realizar ensaios por amostragem de lote; Ensaios de Prottipo - Este tipo de ensaio realizado pelo fabricante em unidades de prottipo, ou seja, so unidades que no so comercializadas. A finalidade deste ensaio demonstrar a eficincia e qualidade dos equipamentos a serem vendidos, baseando-se nos resultados obtidos nas unidades utilizadas para este fim; Ensaios de Rotina - So ensaios realizados periodicamente em todas as unidades adquiridas. Normas como IEC 56-4 e ANSI C37.09-1969 determinam alguns ensaios de rotina, sendo que a periodicidade muitas vezes determinada pelo prprio cliente.
3.2 Ensaios de Tipo

Os seguintes ensaios de tipo so especificados pela norma IEC-56-4 e seus suplementos [6]. Ensaios mecnicos; Ensaios dieltricos: o Ensaios de aplicao de impulsos atmosfricos; o Ensaios de aplicao de impulsos de manobra; o Ensaios de poluio artificial; o Ensaios de descarga parcial. Ensaios de interrupo e estabelecimento de correntes de curto; Ensaio de corrente crtica; Ensaio de interrupo de curto monofsico; Ensaio de interrupo de falta quilomtrica; Ensaio de abertura em discordncia de fases;
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Ensaio de suportabilidade corrente de curta durao admissvel; Ensaio de abertura em linhas a vazio; Ensaio de manobra (abertura e fechamento de bancos de capacitores).
3.3 Ensaios de Prottipo

Os ensaios de prottipo so realizados em unidades prototpicas, unidades essas que no so vendidas aos clientes, mas demonstram a eficcia e garantia dos equipamentos desenvolvidos pelo fabricante. A priori, os relatrios dos ensaios nessas unidades podem ser aceitos pelo cliente, desde que os resultados obtidos em testes atendam s especificaes. Os ensaios contemplados aqui so: Ensaio de interrupo de faltas envolventes; Ensaio de interrupo de faltas com operao de disjuntores em paralelo; Ensaio de abertura de transformador a vazio; Ensaio de abertura de corrente de falta.
3.4 Ensaios de Rotina

Os seguintes ensaios de rotina so especificados pela norma ANSI C37.09-1969 e seu suplemento C37.09a-1970: Ensaios de suportabilidade dos componentes isolantes principais tenso de freqncia industrial; Ensaios de isolao e capacitncia; Ensaios de presso; Ensaios nos reservatrios de ar comprimido; Ensaios de estanqueidade; Ensaios nos resistores, aquecedores e bobinas; Ensaios nos circuitos auxiliares e de controle; Ensaios de operao mecnica; Ensaios dos sistemas de armazenagem de energia; Ensaios de resistncia de contatos; Ensaios de emisso de corona;
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Ensaios dos tempos de operao no fechamento e abertura (sendo este o foco principal deste trabalho).
3.5 Metodologia de alguns ensaios em disjuntores

Alguns ensaios de rotina aplicados a disjuntores de alta tenso so demonstrados nos tpicos seguintes.
3.5.1 Ensaio de isolao (medio do fator de potncia)

O objetivo deste ensaio verificar a qualidade da isolao dieltrica do disjuntor, analisando suas perdas em joule ocasionadas por correntes de fuga nas porcelanas e varetas de acionamento (quando presentes). Agentes como umidade, impurezas, sujeiras, efeito corona, entre outros, contribuem para o aumento da corrente de fuga, causando assim, a reduo da rigidez dieltrica do equipamento. As caractersticas que podem ser levantadas neste ensaio so: Perdas totais em mVA; Perdas ativas em mW; Fator de potncia; ngulo das perdas dieltricas; Capacitncia entre elementos condutores; Capacitncia entre condutores e terra.
Um sistema de isolao ideal comporta-se como um capacitor sem perdas, onde ligado a uma fonte alternada percorrido por uma corrente de carga IC adiantada da tenso em 90, no havendo a presena de correntes resistivas IR. Por outro lado, em um sistema de isolao real, a corrente resistiva tambm est presente. Esta corrente est em fase com a tenso aplicada, originando fuga de potncia e causando assim, aquecimento pelo efeito joule. O sistema demonstrado na Figura 3.1 a representao de um sistema real, submetido a uma tenso alternada. Em condies ideais de isolao, IR seria nulo e conseqentemente a relao IR/IC = 0. Na prtica, IR no nulo, portanto a relao IR/IC aparece em diferentes valores de acordo com a qualidade da isolao. Esta grandeza IR/IC denominada "Fator de Perdas Dieltricas" ou "Fator de Dissipao" [15].
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Figura 3.1 Representao de um sistema de isolao real
Da representao acima observamos: =

(3.1)
= ngulo entre tenso e corrente = = = (3.2) (3.3)
Considerando que um ngulo trigonometricamente pequeno, podemos dizer que sen tan . Isto quer dizer que o fator de potncia do isolamento equivale ao fator de perdas da isolao. Com isso, alm de se poder verificar a qualidade da isolao, pode-se tambm acompanhar o desempenho do equipamento durante sua vida til, atravs das variaes ocorridas em sua isolao. A considerao de equivalncia entre fator de perdas e fator de potncia vlida para um ngulo at 5 [15], onde os valores de sen tan so equivalentes: sen 5 = 0,0872 e tan 5 = 0,0875. Tendo em vista estes valores, pode-se dizer que para fatores de perdas percentuais de at 8,7%, perfeitamente aceitvel a utilizao do princpio de medio das perdas pela determinao de tan ou cos .
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3.5.1.1 Montagem do ensaio utilizando Doble M2H de 10 kV O circuito de medio de isolao de disjuntores de alta tenso utilizando o ensaiador Doble de 10 kV demonstrado na Figura 3.2.
Figura 3.2 Ensaio de isolao em cmara de disjuntor Delle PK4 utilizando Doble M2H de 10 kV
Este modelo M2H da Doble informa as amplitudes da corrente que circulou pelo circuito (A ou mA) e da potncia em Watt dissipada. O clculo do fator de potncia da isolao demonstrado abaixo, j que este modelo no fornece esta informao pronta. Vale lembrar que os valores aceitveis para o fator de potncia encontrado nos ensaios de isolao devem estar abaixo de 1% [15]. 3.5.1.2 Clculo do fator de potncia percentual utilizando Doble M2H % = = . % =
.
(3.4) (3.5)
(3.6)
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Onde: V = 10 kV e I = A ou mA Como a corrente mostrada no M2H em A ou mA, tem-se duas novas equaes para o clculo do fator de potncia percentual: Para I em mA tem-se: % = % =

(3.7) (3.8)
Para I em A tem-se: % = % =

(3.9) (3.10)
3.5.2 Ensaio nos capacitores

Este ensaio visa verificar se os valores de capacitncia dos capacitores instalados no disjuntor esto corretos. O objetivo medir o valor do capacitor perante ensaio e comparar com o valor especificado pelo fabricante, ou com os ltimos valores encontrados. A Figura 3.3 demonstra um exemplo deste ensaio utilizando o equipamento Doble M2H. Este equipamento no mostra o valor de capacitncia encontrado, mas fornece o valor de corrente que circulou pelo capacitor sob ensaio. Atravs do valor da corrente e do valor da tenso aplicada (10 kV), pode-se calcular o valor do capacitor.
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Figura 3.3 Ensaio de capacitores em disjuntores de alta tenso utilizando Doble M2H
Para calcular o valor de capacitncia do capacitor sob ensaio, deve-se levar em considerao que a corrente encontrada pelo Doble M2H pode ser encontrada em A ou mA. 3.5.2.1 Clculo da capacitncia de capacitores utilizando Doble M2H = =

(3.11)
(3.12)
Onde: V = 10 kV, I = A ou mA, f = 60 Hz e C = pF Para I em mA tem-se: =

(3.13)
= =
(3.14) (3.15)
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Para I em A tem-se: =

(3.16)
= = ,
(3.17) (3.18)
3.5.3 Ensaio de resistncia de contatos

Este ensaio realizado com o disjuntor fechado, desenergizado e isolado de outros circuitos. O propsito do ensaio verificar se as resistncias de cada contato, cmara, link e a resistncia total por fase esto dentro dos limites especificados pelo fabricante. Para disjuntores com muitos contatos, muitas vezes os tcnicos envolvidos no ensaio realizam uma medio por cmara, ao invs de realiz-la por contato, de modo a reduzir o tempo total gasto na medio. Se o valor encontrado no teste estiver dentro dos limites esperados para a cmara, pode-se dizer que as resistncias dos contatos individualmente atendem aos valores esperados. Havendo uma variao grande, realiza-se o ensaio em cada contato dessa cmara individualmente. Os valores de resistncias de contatos de disjuntores de alta tenso variam entre modelos, mas so esperados geralmente em . A Tabela 3.1 demonstra valores tpicos de resistncias de contatos de alguns modelos de disjuntores[16][17][18][19][20]. Os valores demonstrados so esperados para cada contato individualmente. Para se obter o valor total por fase, deve ser levada em conta a somatria das resistncias de todos os contatos, associadas s resistncias dos links de interligao dos plos.
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Valores tpicos de resistncia de contatos de disjuntores de Alta Tenso Fabricante Extino Modelo Valores esperados por contato Ar comprimido ATB-345 70-100 GE SF6 300-SFM-50 30-40 Mitsubishi Ar comprimido DHVF 20-25 Brown Boveri Ar comprimido DCVF 20-25 Brown Boveri Ar comprimido PK4 75 Delle Alsthom Ar comprimido PK6 75 Delle Alsthom Ar comprimido PK8 75 Delle Alsthom SF6 550-SFA-40 50 Westinghouse
Tabela 3.1 Valores tpicos de resistncia de contatos de disjuntores de alta tenso
Para se medir a resistncia dos contatos de um disjuntor, utiliza-se equipamentos trabalhando com o princpio da Lei de Ohm, onde injetando uma corrente eltrica conhecida, mede-se a queda de tenso em cima do contato do disjuntor. A resistncia pode ento ser encontrada atravs de um clculo simples, = .
Figura 3.4 Medio de resistncia de contatos em disjuntores de alta tenso
O exemplo demonstrado na Figura 3.4 utiliza um Microommetro aplicando 300 A. Com a queda de tenso medida sobre o contato do disjuntor, calcula-se a resistncia hmica em . Supondo V = 0,0225 Volts, tem-se: =

(3.19)
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(3.20) (3.21)
3.5.4 Ensaio de estanqueidade do SF6

Estanqueidade um neologismo que significa estanque, hermtico, "sem vazamento", ou seja, a definio dada a um produto que est isento de furos, trincas ou porosidades que possam deixar sair ou entrar parte de seu contedo. O ensaio de estanqueidade aplicado a disjuntores de alta tenso realizado para detectar vazamentos no circuito do gs SF6 com ndices superiores aos de estanqueidade que garantem reenchimentos apenas uma vez por ano dos plos do disjuntor. Detectam-se com este teste os pontos de fuga para que se possam trocar as juntas defeituosas. Para detectar vazamento de SF6 no campo, deve-se utilizar o mtodo de acumulao, o qual consiste em coletar fugas de um volume conhecido, no qual se mede o aumento da concentrao, devendo o equipamento estar sob presso nominal pelo menos 24 horas antes de serem medidos os nveis de estanqueidade [21].
Figura 3.5 Medio de Estanqueidade de SF6 usando o mtodo de acumulao
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3.5.5 Ensaio dos resistores dos contatos auxiliares

Neste captulo, o foco principal est nos ensaios de rotina aplicados a disjuntores de alta tenso, porm o ensaio de medio dos valores de resistncia dos resistores contidos nos circuitos dos contatos auxiliares do disjuntor no pode deixar de ser comentado, devido seu imenso valor no diagnstico peridico do equipamento. Quando o fabricante dimensiona certo tipo de disjuntor a ser aplicado em determinado circuito, ele tambm especifica os resistores do circuito auxiliar, quando necessrios no projeto, de modo a realizar tarefas como reduzir as taxas de TRT. A alterao do valor desses resistores pode comprometer o perfeito funcionamento do disjuntor no circuito. Assim, devese verificar, via medio, quais so os valores das pastilhas que compem cada resistor. Alguns disjuntores, como por exemplo os modelos DCVF e DHVF da Brown Boveri, permitem acesso direto ao circuito resistivo para a medio dos resistores sem a necessidade de desmontar o equipamento, enquanto que em outros modelos, somente se consegue medir o valor desses resistores quando o disjuntor estiver aberto para manuteno. A Figura 3.6 demonstra um modelo de disjuntor cujas resistncias do circuito dos contatos auxiliares no podem ser medidas sem desmontar a cmara do circuito de comando auxiliar. O fato dos contatos auxiliares sempre estarem abertos (somente so fechados no momento dos comandos, voltando a serem abertos logo aps) no permite acesso s extremidades das resistncias. Na Figura 3.7 demonstrado um modelo de disjuntor onde possvel medir estas resistncias sem a necessidade de desmontar partes do equipamento.
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Figura 3.6 Modelo de disjuntor sem acesso ao circuito resistivo
Figura 3.7 Modelo de disjuntor com acesso ao circuito resistivo
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3.5.6 Ensaios de Termografia Infravermelha e deteco de corona por UV

Os ensaios de Termografia Infravermelha e deteco de corona por UV possibilitam uma inspeo dos equipamentos a uma distncia segura, sem haver necessidade de contato com o equipamento. Estes ensaios nos permitem ver, alm do espectro eletromagntico visvel, os problemas de aquecimento (pontos quentes) e a quantidade de emisso de corona do equipamento sem a necessidade de retirar o equipamento de trabalho. A diferena bsica entre as tcnicas est na faixa de comprimento de onda da radiao em que elas operam: A Deteco de Corona por Ultravioleta, opera na faixa do ultravioleta do espectro eletromagntico e com comprimentos de onda mais curtos que a faixa visvel; A Termografia Infravermelha opera na faixa do infravermelho, com comprimentos de onda mais longos que a radiao visvel; Ambas formam, respectivamente, o limite inferior e superior da faixa visvel ao olho humano. O espectro visvel a poro do espectro eletromagntico composto por ftons, cuja radiao pode ser percebida na forma de luz pelo olho humano. Esta faixa situa-se entre a radiao Infravermelha e Ultravioleta, no comprimento de onda entre 400 e 750 nm, conforme mostrado na Figura 3.8.
Figura 3.8 Espectro eletromagntico
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Breves consideraes sobre as duas tcnicas so relatadas aqui: A Termografia Infravermelha est em uso no Sistema Eltrico h mais de trs dcadas; A deteco de corona por Ultravioleta uma tcnica relativamente nova e seus resultados no setor eltrico vm crescendo com o aumento de estudos e pesquisas, demonstrando suas possibilidades; O uso combinado dessas duas tecnologias possibilita estender o espectro da viso humana e visualizar fenmenos, indicativos de defeito, que antes no podiam ser percebidos a olho nu; Amplia-se, assim, a gama dos defeitos que podem ser detectados e, por conseqncia, aumenta-se a confiabilidade do Sistema.
Abaixo so demonstrados, respectivamente, os ensaios reais de Termografia Infravermelha e deteco de corona por Ultravioleta em um disjuntor Delle da subestao de Campos (FURNAS Centrais Eltricas S.A), antes e depois da limpeza das colunas isoladoras do equipamento.
Figura 3.9 Ensaio de Termografia Infravermelha na coluna de isoladores do disjuntor antes e depois da limpeza
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Figura 3.10 Ensaio de deteco de corona por UV na coluna de isoladores do disjuntor antes e depois da limpeza
3.5.7 Ensaio de oscilografia

O ensaio de oscilografia em disjuntores tem por finalidade verificar a velocidade das operaes de abertura e fechamento de seus contatos principais e auxiliares aps energizao das respectivas bobinas de acionamento. Quando uma empresa compra um determinado tipo de disjuntor, adquire juntamente ao equipamento um manual com as caractersticas declaradas pelo fabricante, sendo estes dados pertinentes a cada modelo especfico. Dentre as caractersticas, esto os valores dos tempos de operao com suas tolerncias. Veja este exemplo: Tempo de fechamento dos contatos principais = 33,3 ms 5 ms; Tempo de fechamento dos contatos auxiliares = 28,0 ms 3 ms.
Cabe empresa realizar manutenes peridicas no disjuntor para verificar se estes tempos esto ocorrendo dentro do esperado, utilizando para isso, equipamentos capazes de realizar uma medio confivel. A periodicidade do ensaio geralmente estipulada pela empresa cliente. No caso de FURNAS, esta possui documentos como o Manual Tcnico de Campo (MTC) com critrios de Manuteno Centrada na Confiabilidade (MCC) para estipular quando um disjuntor deve ser ensaiado, ou seja, dois disjuntores exatamente iguais tero periodicidades diferentes dependendo do local de sua instalao e importncia no sistema.
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Basicamente, os equipamentos medidores destes tempos possuem canais sensveis s mudanas de nveis de tenso para monitorar a energizao e desenergizao das bobinas de comando, e canais de contatos secos para monitorar a mudana de estado dos contatos dos disjuntores. Os circuitos internos simplificados dos oscilgrafos so demonstrados na Figura 3.11 e Figura 3.12, demonstrando a filosofia do circuito medidor de contatos e bobinas, respectivamente. Os pontos principais a ressaltar so: Os circuitos de entrada e sada devem ser isolados opticamente para garantir que problemas ocorridos da entrada no venham a causar danos na sada, que geralmente esto conectados a uma porta do computador, ou conectados a controladores lgicos; No circuito que monitora a mudana de estado dos contatos do disjuntor h uma fonte de tenso ou corrente para haver sensibilizao na sada, onde o responsvel pela mudana de estado o prprio contato do disjuntor; No circuito que monitora as bobinas, a sada sensibilizada pelas tenses presentes nas prprias bobinas do disjuntor.
Figura 3.11 Modelo simplificado do circuito medidor de contatos do disjuntor
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Figura 3.12 Modelo simplificado do circuito medidor das bobinas do disjuntor
H no mercado alguns equipamentos ("oscilgrafos") de determinados fabricantes com a finalidade de medir os tempos de operao de disjuntores. Seus custos so geralmente altos, e na maioria das vezes, possuem poucos canais. O fato de que a compra de novos oscilgrafos gera altos custos para a Empresa, muitas vezes no atende por completo suas necessidades, associados ao fato de uma assistncia tcnica que algumas vezes no satisfazem o real desejo da Empresa, levou FURNAS a desenvolver seu prprio equipamento para esta finalidade, cujo software desenvolvido o tema deste trabalho. No prximo captulo so demonstrados todos os aspectos motivadores para a elaborao do projeto, bem como o desenvolvimento da aplicao propriamente dita.
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"A coragem a primeira das qualidades humanas porque garante todas as outras" Aristteles
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4. Desenvolvimento da aplicao
4.1 Aspectos motivadores para o desenvolvimento
O foco principal deste trabalho demonstrar que possvel desenvolver o hardware e software de um equipamento capaz de realizar o ensaio de oscilografia em disjuntores de alta tenso com 100% de eficincia nos resultados, com um custo em torno de 10 a 20% do valor dos oscilgrafos disponveis no mercado. A grande vantagem em desenvolver a prpria tecnologia est no fato de no ficar amarrado ao suporte externo, o qual muitas vezes no atendem por completo as necessidades da empresa. Com isso, pode-se inserir modificaes e melhorias futuras, bem como realizar manutenes dentro da prpria empresa. importante ressaltar que a abrangncia desta dissertao est em apresentar o desenvolvimento de um software para ser utilizado com um hardware (IMTD24) j implementado. No entanto, o conhecimento completo do circuito eletrnico da IMTD24 necessrio para se obter a comunicao entre as partes, e por isso, muitas vezes algumas caractersticas deste equipamento so demonstradas. Dentre os principais aspectos motivadores para o desenvolvimento da aplicao esto: Tecnologia prpria; Manuteno local; Possibilidade de implementar novas funcionalidades; Custos em torno de 10 a 20% em relao a outros equipamentos disponveis no mercado.
4.2 Fases do desenvolvimento

Tendo em vista que o hardware da aplicao j estava pronto, este item do projeto pouco discutido neste trabalho, sendo o foco principal o desenvolvimento de um aplicativo para se comunicar com a IMTD24. As fases principais do desenvolvimento do aplicativo so: Estudo das entradas e sadas da IMTD24 para comunicao com o software atravs da porta paralela;
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Desenvolvimento de um driver ("IMTD24.SYS") para permitir o programa se comunicar com a IMTD24 (critrio necessrio nas plataformas NT para ganhar acesso s portas rodando aplicativos em modo usurio);
Escrita do cdigo do projeto; Testes realizados para verificar a eficcia do software (descrito no captulo 6).
4.2.1 Comunicao pela porta paralela

A porta paralela presente nos computadores uma interface de comunicao entre o PC e dispositivos externos. Neste trabalho, a comunicao entre o aplicativo desenvolvido e a IMTD24 realizada atravs desta porta, pois a Interface foi originalmente implementada para comunicao por esta via. A porta paralela possui diferentes modos de trabalho, podendo ser configurada para transmisso uni ou bidirecional, possui endereos na BIOS e no espao de I/O, permitindo a manipulao de seus registradores. Estes conceitos so comentados nos tpicos a seguir. 4.2.1.1 Modos de transmisso da porta paralela Quanto aos modos de transmisso, a porta paralela pode ser configurada para transmisso unidirecional e bidirecional [22]. Transmisso unidirecional A porta configurada como SPP (Standard Parallel Port) com uma taxa mxima de transmisso de 150kB/s; A comunicao com o processador feita por 8 bits, sendo que entre perifricos so transmitidos 4 bits por vez. Transmisso bidirecional Para este modo de transmisso h duas tecnologias empregadas: No modo EPP (Enhanced Parallel Port), ou porta paralela aprimorada, a transmisso conseguida com taxas bem mais elevadas, podendo chegar a 2 MB/s,
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no entanto, um cabo especial necessrio. A comunicao entre a porta e o processador via 32 bits, e a comunicao entre perifricos de 8 bits; No modo ECP (Enhanced Capabilities Port) a porta trabalha com as mesmas caractersticas da EPP, porm, utilizando DMA (Direct Memory Access). Para tal, existe um buffer FIFO de 16 bytes. 4.2.1.2 Endereos da porta na memria Os endereos das portas paralelas presentes no computador no so fixos, na verdade, a BIOS tem um conjunto de instrues gravadas internamente para verificar a presena destas, descobrir seus endereos fsicos e gravar estas informaes em sua memria de dados [22]. Quando o PC ligado, uma rotina da BIOS verifica a existncia das portas nos endereos 0x3BC, 0x378 e 0x278, respectivamente. Para determinar a existncia destas, a BIOS escreve um certo dado nestes endereos e tenta ler um valor de retorno. Se obtiver sucesso na leitura, a porta existe. No necessrio que haja algum dispositivo conectado porta para a realizao desta verificao, pois na verdade, a BIOS simplesmente l o valor no seu buffer interno. Os endereos das portas encontradas sero armazenados numa seco de memria destinada a armazenar informaes do sistema, chamada BIOS Data Area, a partir do endereo 0x0408, comeando pela LPT1. Cada endereo usa dois bytes, necessrios para mapear todas as 65536 portas possveis (lgicas ou fsicas). O endereo 0x3BC era utilizado antigamente por placas de vdeo conectadas porta paralela. Nos computadores modernos que possuem portas paralelas, a LPT1 est conectada no endereo 0x378 e LPT2 (quando presente) em 0x278. A Tabela 4.1 demonstra os endereos associados s portas paralelas LPT1 e LPT2.
Nome da porta LPT1 LPT2 Endereo na memria 0000:0408 0000:040A Endereo fsico 0x378 0x278 Descrio Endereo base Endereo base
Tabela 4.1 Endereos das portas paralelas
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4.2.1.3 Registradores da porta paralela Os registradores utilizados para controlar a entrada e sada de dados das portas paralelas so: Registrador de dados (Data Register); Registrador de Status (Status Register); Registrador de Controle (Control Register).
Estes registradores so um elo para transformar um comando lgico em fsico, ou seja, ao emitir um comando de controle, por exemplo, primeiro este comando alcana o registrador alvo, para depois ser colocado fisicamente nos pinos da porta. A Figura 4.1 apresenta o conector DB25 da porta paralela com a associao de cada pino aos seus bits dentro dos registradores citados. Esta a configurao da porta no modo SPP. Nos modos EPP e ECP, os bits de dados tem configurao bidirecional, sendo o bit 5 do registrador de controle o responsvel pela direo. Se este bit for configurado em 0, o registrador de dados funciona como sada, e vice-versa.
Figura 4.1 Associao entre registradores e pinos da porta paralela
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As tabelas a seguir mostram a funo de cada bit nos registradores acima citados, relacionando estes com os pinos da porta, quando presentes.
Offset Nome IN/OUT Pino porta 2 3 4 5 6 7 8 9 Bit 0 1 2 3 4 5 6 7 Funo do bit Dado Dado Dado Dado Dado Dado Dado Dado
Base
Registrador de Dados
OUT (SPP) IN/OUT (EPP) IN/OUT (ECP)
Tabela 4.2 Registrador de dados da porta paralela
Offset
Nome
IN/OUT
Pino porta
Bit 0 1 2 3 4 5 6 7
Funo do bit Reservado Reservado IRQ Error Select In Paper Out Ack Busy
Base + 1
Registrador de Status
IN
15 10 11 12 13
Tabela 4.3 Registrador de Status da porta paralela
Offset
Nome
IN/OUT
Pino porta 1 14 16 17
Bit 0 1 2 3 4 5 6 7
Funo do bit Strobe Auto Linefeed Inicializa impressora Seleciona impressora Habilita IRQ via Ack Line Habilita modo bidirecional No usado No usado
Base + 2
Registrador de Controle
OUT
Tabela 4.4 Registrador de Controle da porta paralela
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4.2.1.4 Comunicao entre software e hardware IMTD24 atravs da porta paralela A comunicao entre o software e o hardware realizada pela porta paralela no modo SPP (Standard Parallel Port). A porta no endereo 0x378 foi utilizada para habilitar os canais da IMTD24 em que deseja-se realizar a leitura, e em 0x379 receber a condio do estado de cada canal habilitado. A Figura 4.2 demonstra o circuito simplificado das entradas e sadas da IMTD24. A filosofia de funcionamento da IMTD24 se d da seguinte maneira: Uma base de tempo de 10 kHz conectada ao pino 15 da porta para a realizao da verificao do estado dos 24 canais a cada 100 microssegundos. Os pinos D0-D5 da porta 0x378 habilitam um grupo de quatro canais por vez, de modo a verificar seu estado no momento desejado. Por exemplo: configurar o pino 2 (D0) em 0, habilita os canais 01, 02, 03 e 04, o pino 3 (D1) em 0 habilita 05, 06, 07 e 08, e assim por diante. Para desabilitar os outros grupos de canais, coloca-se 1 no pino correspondente. As entradas marcadas como "Canal xx" esto conectadas fisicamente aos contatos e bobinas do disjuntor. Os canais 01 a 20 monitoram a condio dos contatos do disjuntor e os canais 21 a 24 monitoram os estados das bobinas de acionamento. Contatos fechados e bobinas energizadas colocam as sadas referentes em nvel baixo. Ao habilitar um grupo de canais, possvel capturar seus estados nos pinos S4-S7 da porta 0x379.
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Figura 4.2 Entradas e sadas da IMTD24
4.2.2 Desenvolvimento de um driver ("IMTD24.SYS")

Instrues de I/O permitem todos os processadores 80x86 se comunicarem com outros dispositivos de hardware no sistema. O controle direto desses dispositivos realizado atravs das instrues C _inp() e _out() (implementadas para executar as instrues IN e OUT dos CPU's 80x86). Nas plataformas NT o uso destas instrues devolve ao programa rodando em modo usurio uma exceo "Privileged Instruction". Isto no um "bug", na verdade a tecnologia das plataformas NT foi desenvolvida com o propsito de restringir o acesso de programas rodando em modo usurio de acessar o hardware diretamente. Com acesso irrestrito, programas maliciosos, ou em "bug", poderiam tomar o controle do sistema, acessar toda a memria para escrita e leitura e causar pane geral no sistema. Esta restrio boa e ruim ao mesmo tempo. O lado bom que o sistema fica bastante estvel e dificilmente trava. Geralmente possvel terminar o processo de um aplicativo
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inconsistente sem prejudicar a execuo de outros aplicativos que esto rodando paralelamente. Vrias aplicaes podem rodar concorrentemente sem afetar outras. Por outro lado, esta proteo no permite que o hardware seja acessado direta e rapidamente, na verdade, a aplicao passa a necessitar de um device driver para executar estas instrues protegidas, e estas chamadas ao driver gastam vrios ciclos de processamento, em torno de 30 ciclos, contra 10 no acesso direto [23]. 4.2.2.1 Acessando o espao de I/O pelo uso de um device driver Para acessar o espao de memria reservado para os endereos de I/O deve-se entender como funciona o mecanismo de proteo das plataformas NT. Primeiramente a arquitetura Intel 80x86 define quatro nveis de privilgio: 0 a 3, sendo 0 o nvel com maior privilgio e 3, com o menor. A CPU trabalha no nvel 0 e as demais aplicaes nos nveis devidos para suas necessidades. Os Sistemas Operacionais da Microsoft que rodam sob tecnologia NT utilizam somente os nveis 0 e 3. Aplicaes que podem ser executadas em nvel 0 so tratadas como "aplicaes kernel-mode", e aplicaes no nvel mais baixo de privilgio so tratadas como "aplicaes user-mode". A Figura 4.3 mostra os nveis de privilgios definidos na arquitetura Intel 80x86. Os nveis mais internos possuem maior privilgio.
Figura 4.3 Nveis de privilgios da arquitetura Intel 80x86
Para entender como um programa rodando em user-mode ganha acesso s portas fsicas do computador necessrio entender como a proteo de I/O implementada nas plataformas NT. O que determina se um processo roda em kernel-mode ou user-mode seu nvel de
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privilgio corrente (CPL) armazenado nos dois bits menos significativos do registrador de segmento (CS) [23]. A CPU define o nvel de privilgio para acesso a I/O (IOPL) que comparado ao valor do CPL para determinar se o processo pode ou no acessar as entradas e sadas do computador. O IOPL armazenado nos bits 12 e 13 do registrador EFLAGS, conforme ilustrado na Figura 4.4 [24]. Se um processo possuir seu CPL maior que IOPL ele no pode executar as instrues de I/O. Nas plataformas NT, o valor do IOPL configurado em 0 e o CPL de cada processo inicialmente igual a 3. Assim, para um processo ter acesso s instrues de baixo nvel, seu CPL deve ser configurado em 0.
Figura 4.4 Registrador EFLAGS Intel 80x86
H ainda uma segunda proteo implementada pelo SO que determina quais portas esto liberadas para processos com CPL = 0. Na arquitetura Intel 80x86 existem 65536 portas de 8 bits, sendo cada porta mapeada por 1 bit contido em um array de 8192 posies de 8 bits (8192 x 8 = 65536 portas). Cada bit com valor igual a 0 d ao processo corrente o acesso porta correspondente. A este array dado o nome de I/O Permission bitMap (IOPM).
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Este mapa de bits armazenado no Task State Segment (TSS) na memria principal. O registro Segment Selector contido no Task Register (TR) do processador contm o endereo de um descritor localizado no Global Descriptor Table (GDT), que por sua vez contm o endereo e o tamanho da TSS. A localizao do IOPM dentro do TSS flexvel, sendo seu offset (IOPM Offset) armazenado nas posies 0x66 e 0x67. Veja Figura 4.5:
Figura 4.5 Modelo de endereamento para a rea IOPM no TSS
A arquitetura Intel 80x86 foi implementada de modo que cada tarefa possa ter sua prpria TSS. No entanto, o TR que aponta para o descritor de segmento da TSS nunca modificado nas plataformas NT. Assim, todos os processos utilizam a mesma cpia do IOPM carregado [23]. Nos SO's baseados na tecnologia NT, o IOPM Offset original aponta para alm do final da rea da TSS, e isto, efetivamente nega o acesso a todas as portas para as aplicaes rodando em modo usurio. Para garantir o acesso para estes processos deve-se modificar o IOPM Offset para apontar para dentro da TSS, ou estender a TSS para conter a rea ocupada pela IOPM. Simplesmente estender a TSS para que a estrutura IOPM seja includa no uma boa idia, j que isto permite acesso livre ao espao de I/O para qualquer aplicao rodando, perdendose assim a filosofia da proteo implementada pela tecnologia NT.
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Em NT, a rea reservada para o IOPM vai do endereo 0x88 at 0x2088. Modificar o offset para apontar para a posio 0x88 no resolve, pois o offset real carregado da estrutura do processo que ganha o controle. Utilizando um debugger possvel verificar um bloco contendo 0xFF's desde 0x88 at o final da TSS e verificar o valor do IOPM Offset, conforme Figura 4.6. Estes valores de 0xFF's demonstram inicialmente que o acesso a todas as portas esto negadas ao processo corrente.
Figura 4.6 Visualizao da TSS atravs de um debugger
A maneira de resolver este problema utilizar algumas funes de device drivers que se encarregam do trabalho de fazer com que o IOPM offset aponte para o endereo 0x88, e carregar um array de bits representando o mapeamento das portas. Ke386SetIoAccessMap(); Ke386QueryIoAccessMap(); Ke386IoSetAccessProcess().
Ke386SetIoAccessMap() faz a cpia do array de bits que representam as 65536 portas para o offset 0x88 da TSS.
BOOL Ke386SetIoAccessMap ( Int nFunction, LPVOID lpBuffer );
// Deve ser 1, 0 preenche todo IOPM com 1, negando o acesso // Ponteiro para o mapa de bits
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Ke386QueryIoAccessMap() copia o IOPM atual da TSS para um buffer passado como parmetro.
BOOL Ke386QueryIoAccessMap ( Int nFunction, // Deve ser 1, 0 preenche todo IOPM com 1, negando o acesso LPVOID lpBuffer // Ponteiro para o buffer que receber os dados );
Ke386IoSetAccessProcess() habilita ou desabilita um processo de utilizar as portas. Se o parmetro nAccessRights for 0, o IOPM Offset aponta para alm do final da TSS, desabilitando o uso dos valores copiados do array. Sendo 1, o offset aponta para 0x88 e os direitos de acesso so obedecidos.
BOOL Ke386SetIoAccessProcess ( PEPROCESS pCurrentProcess, int nAccessRights );
// Ponteiro para o processo corrente retornado pela funo PsGetCurrentProcess() // 1 garante acesso, 0 nega o direito de acesso
Assim, estas trs funes para uso em device drivers so um meio de se modificar a proteo implementada pelas plataformas NT e permitir que um processo rodando em modo usurio tenha direitos de acesso ao hardware da mquina. O papel do driver fazer com que estas rotinas sejam executadas, liberando assim, o acesso ao programa que o chamou. Uma vez que o ponteiro para o incio do IOPM foi configurado a apontar para 0x88 e o mapa de bits foi carregado corretamente, o driver pode ser finalizado e o programa que o carregou continua tendo seu acesso liberado s instrues de baixo nvel que rodam em kernel-mode. Outras duas rotinas importantes que so implementadas no driver so DriverEntry() e CreateDispatch (), as quais so explicadas [25]: DriverEntry() uma rotina que chamada aps o carregamento do driver na memria para alocar tudo que necessrio operao do mesmo. Seu papel dentro do driver IMTD24.SYS alocar memria para o array IOPM e criar um handle que pode ser acessado por aplicaes rodando em modo usurio, permitindo a estas aplicaes acessar o driver por meio da notao \\.\IMTD24. CreateDispatch() cria um handle para a chamada CreateFile() implementada no programa rodando em user-mode. Tudo que o processo em modo usurio deve fazer invocar
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CreateFile(). Dentro de CreateDispatch() so implementadas as rotinas "Ke386xxx" que mudam o nvel de acesso ao processo corrente de 3 para 0. Para desenvolver o driver "IMTD24.SYS", trs arquivos foram necessrios: Imtd24.c MAKEFILE - Arquivo C contendo todas as rotinas necessrias ao driver. - Arquivo que contm a linha nica "!INCLUDE
$(NTMAKEENV)\makefile.def". Esta linha invoca o arquivo makefile.def necessrio criao de qualquer device driver. SOURCES - Arquivo que inclui todas as bibliotecas e arquivos necessrios
compilao do driver. A configurao mnima deste arquivo mostrada abaixo: o TARGETNAME=IMTD24 o TARGETPATH=. o TARGETTYPE=DRIVER DRIVER GDI_DRIVER MINIPORT LIBRARY DYNLINK para DLL's Inclui o caminho das bibliotecas - Nome do driver - Diretrio onde o driver criado - Tipo do produto final, podendo ser:
o INCLUDES=c:\winddk\inc\ddk o SOURCES=IMTD24.C necessrias ao driver.
necessrias, neste caso, foi necessria a biblioteca "ntddk.h". - Arquivo fonte contendo todas as rotinas
Para compilar o driver, a Microsoft disponibiliza gratuitamente um pacote completo contendo todas as ferramentas e bibliotecas necessrias compilao. O pacote utilizado neste trabalho foi o Windows Driver Kit (WDK) verso 7.0.0, disponibilizado para download no site da Microsoft.
4.2.3 Escrita do cdigo do projeto

Uma vez conhecidas as entradas e sadas da IMTD24, definido o modo de trabalho da porta paralela e ter desenvolvido o device driver "IMTD24.SYS", o prximo passo foi escrever o cdigo do aplicativo em si.
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O software foi escrito em linguagem C de modo a obter uma maior eficincia na aquisio dos dados. Em C, as chamadas s funes contidas na API do Windows so nativas, e isto d uma maior agilidade e confiabilidade ao processo. Os trechos do cdigo a destacar so: Comunicao com o driver via funes da API do Windows; Configurao da prioridade "Tempo Real" para o processo; Escrita e leitura na porta.
4.2.3.1 Comunicao com o driver via rotinas da API do Windows Uma vez compilado o arquivo "IMTD24.SYS", necessrio carreg-lo na memria para que o mesmo configure o CPL do processo do aplicativo para 0. As rotinas de manipulao do driver so mostradas a seguir [26]. Informaes completas sobre estas rotinas podem ser encontradas no MSDN da Microsoft. CreateFile() uma funo utilizada para manipular dispositivos de I/O (criar ou abrir), sejam eles arquivos, diretrios, pipes, drivers, etc. A funo retorna um handle para acessar o dispositivo, que neste caso o arquivo "IMTD24.SYS".
HANDLE CreateFile ( LPCTSTR lpFileName, DWORD dwDesiredAccess, DWORD dwSharedMod, LPSECURITY_ATTRIBUTES lpSecurityAttributess, DWORD dwCreationDisposition, DWORD dwFlagsAndAttributes, HANDLE hTemplateFile );
// Nome do driver // Leitura, escrita, ou ambos // Compartilhamento // Atributos de segurana // Modo de criao/abertura // Atributos do arquivo (oculto, sistema, etc) // Atributos adicionais
OpenSCManager() (Open Service Control Manager) Estabelece a conexo com o gerenciador de controle de servios da mquina. Se a funo tiver sucesso retorna um handle para a funo CreateService() e OpenService() para cria e abrir o servio do driver "IMTD24.SYS".
SC_HANDLE OpenSCManager ( LPCTSTR lpMachineName, LPCTSTR lpDatabaseName, DWORD dwDesiredAccess );
// Ponteiro para o nome da mquina (NULL = local) // NULL = Database Default // Tipo de acesso desejado
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CreateService() cria o objeto de servio e o adiciona no banco de dados do "gerenciador de controle de servios". Uma chave com o nome do servio adicionada no registro do Windows no caminho "HKEY_LOCAL_MACHINE\System\CurrentControlSet\Services", conforme mostra a Figura 4.7
Figura 4.7 Chave do servio do driver adicionada ao Registro do Windows

SC_HANDLE CreateService ( SC_HANDLE hSCManager, LPCTSTR lpServiceName, LPCTSTR lpDisplayName, DWORD dwDesiredAccess, DWORD dwServiceType, DWORD dwStartType, DWORD dwErrorControl, LPCTSTR lpBinaryPathName, LPCTSTR lpLoadOrderGroup, LPCTSTR lpdwTagId, LPCTSTR lpDependencies, LPCTSTR lpServiceStartName, LPCTSTR lpPassword );
//Ponteiro para o handle retornado pela funo OpenSCManager() // Nome do servio "IMTD24" // Nome a ser mostrado // Tipo de acesso desejado // Tipo do servio // Tipo inicializao (IMTD24 Inicia com o Windows) // Tipo de controle de erro // Caminho do arquivo ".SYS" // Grupo em que o servio faz parte // Tag's // Dependncias // Nome da conta do servio // Senha para acessar o servio
OpenService() abre um servio existente, que neste caso o servio do driver. Se a funo tiver sucesso ir retornar um handle para StartService().
SC_HANDLE OpenService ( SC_HANDLE hSCManager, LPCTSTR lpServiceName, DWORD dwDesiredAccess );
// Ponteiro para o handle retornado pela funo OpenSCManager() // Nome do servio "IMTD24" // Tipo de acesso desejado
StartService() inicia o servio "IMTD24".

BOOL StartService ( SC_HANDLE hService, DWORD dwNumServiceArgs, LPCTSTR *lpServiceArgVectors );
// Ponteiro para o servio aberto por OpenService() // Nmero de argumentos // Ponteiro para argumentos
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4.2.3.2 Configurao da prioridade "Tempo Real" para o processo Nas plataformas NT, um thread programado para rodar sob uma "scheduling priority". O SO associa a cada thread um nvel de prioridade que vai de 0 a 31, onde 0 o nvel de menor privilgio e 31 o de maior. O sistema trata, de modo igual, todos os threads que possuem o mesmo nvel de prioridade, associando "Time Slices" (fatias de tempo) em um escalonamento Round-Robin, o qual demonstrado mais a frente. Enquanto os threads de mais altas prioridades estiverem sendo executados pelo processador, os de prioridades inferiores ficam aguardando sua vez. Quando um thread de nvel de prioridade mais alta fica disponvel para rodar, o SO suspende as tarefas atuais do processador e associa uma fatia de tempo completa para este, colocando-o em execuo. Os nveis de prioridades so determinados pelos dois critrios seguintes: A classe de prioridade do processo O nvel de prioridade do thread
4.2.3.2.1 Classe de prioridade

Cada processo pertence a uma das seguintes classes de prioridades dentro do sistema [27]: IDLE_PRIORITY_CLASS BELOW_NORMAL_PRIORITY_CLASS NORMAL_PRIORITY_CLASS ABOVE_NORMAL_PRIORITY_CLASS HIGH_PRIORITY_CLASS REALTIME_PRIORITY_CLASS
Por padro, o sistema associa a classe NORMAL_PRIORITY_CLASS aos processos. A funo SetPriorityClass() permite modificar o nvel de prioridade da classe de um determinado processo. Processos que realizam rotinas peridicas, tais como protetores de tela, ou aplicaes que periodicamente atualizam o display devem usar nveis baixos da classe, de modo a no prejudicar o desempenho de outros que necessitam de mais tempo de processamento.
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O uso de HIGH_PRIORITY_CLASS deve ser implementado com cuidado, pois se um thread estiver rodando neste nvel por muito tempo, impede que outros threads de nvel mais baixo ganhem seu tempo de processamento. A classe de prioridade
HIGH_PRIORITY_CLASS deve ser reservada para tarefas de tempos crticos por tempos curtos, de modo a no atrapalhar a estabilidade do sistema. A classe de prioridade REALTIME_PRIORITY_CLASS praticamente no deve ser utilizada, j que interrompe threads que gerenciam mouse, teclado e flushing de disco. Esta classe, no entanto, apropriada para aplicaes que falam diretamente ao hardware e realizam tarefas rpidas.
4.2.3.2.2 Nvel de prioridade

Os nveis de prioridade possveis dentro das classes de prioridade so: THREAD_PRIORITY_IDLE THREAD_PRIORITY_LOWEST THREAD_PRIORITY_BELOW_NORMAL THREAD_PRIORITY_NORMAL THREAD_PRIORITY_ABOVE_NORMAL THREAD_PRIORITY_HIGHEST THREAD_PRIORITY_TIME_CRITICAL os threads so criados usando o nvel de prioridade
Todos
THREAD_PRIORITY_NORMAL [28]. Aps criar um thread possvel modificar seu nvel de prioridade utilizando a funo SetThreadPriority().
4.2.3.2.3 Prioridade base

A classe de prioridades do processo e o nvel de prioridade do thread so combinados para formar a "prioridade base" de cada thread. A Tabela 4.5 lista todas as prioridades bases possveis de serem implementadas no NT.
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Classe de prioridades do processo
Nvel de prioridade do thread THREAD_PRIORITY_IDLE THREAD_PRIORITY_LOWEST THREAD_PRIORITY_BELOW_NORMAL THREAD_PRIORITY_NORMAL THREAD_PRIORITY_ABOVE_NORMAL THREAD_PRIORITY_HIGHEST THREAD_PRIORITY_TIME_CRITICAL THREAD_PRIORITY_IDLE THREAD_PRIORITY_LOWEST THREAD_PRIORITY_BELOW_NORMAL THREAD_PRIORITY_NORMAL THREAD_PRIORITY_ABOVE_NORMAL THREAD_PRIORITY_HIGHEST THREAD_PRIORITY_TIME_CRITICAL THREAD_PRIORITY_IDLE THREAD_PRIORITY_LOWEST THREAD_PRIORITY_BELOW_NORMAL THREAD_PRIORITY_NORMAL THREAD_PRIORITY_ABOVE_NORMAL THREAD_PRIORITY_HIGHEST THREAD_PRIORITY_TIME_CRITICAL THREAD_PRIORITY_IDLE THREAD_PRIORITY_LOWEST THREAD_PRIORITY_BELOW_NORMAL THREAD_PRIORITY_NORMAL THREAD_PRIORITY_ABOVE_NORMAL THREAD_PRIORITY_HIGHEST THREAD_PRIORITY_TIME_CRITICAL THREAD_PRIORITY_IDLE THREAD_PRIORITY_LOWEST THREAD_PRIORITY_BELOW_NORMAL THREAD_PRIORITY_NORMAL THREAD_PRIORITY_ABOVE_NORMAL THREAD_PRIORITY_HIGHEST THREAD_PRIORITY_TIME_CRITICAL THREAD_PRIORITY_IDLE THREAD_PRIORITY_LOWEST THREAD_PRIORITY_BELOW_NORMAL THREAD_PRIORITY_NORMAL THREAD_PRIORITY_ABOVE_NORMAL THREAD_PRIORITY_HIGHEST THREAD_PRIORITY_TIME_CRITICAL
IDLE_PRIORITY_CLASS
BELOW_NORMAL_PRIORITY_CLASS
NORMAL_PRIORITY_CLASS
ABOVE_NORMAL_PRIORITY_CLASS
HIGH_PRIORITY_CLASS
REALTIME_PRIORITY_CLASS
Prioridade base 1 2 3 4 5 6 15 1 4 5 6 7 8 15 1 6 7 8 9 10 15 1 8 9 10 11 12 15 1 11 12 13 14 15 15 16 22 23 24 25 26 31
Tabela 4.5 Tabela de prioridades da plataforma NT
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No software desenvolvido, aqui apresentado, utilizou-se o nvel de maior prioridade (REALTIME_PRIORITY_CLASS + THREAD_PRIORITY_TIME_CRITICAL = 31) no momento do ensaio no disjuntor, de modo a garantir a melhor exatido possvel na obteno das leituras.
4.2.3.2.4 Escalonamento Round-Robin

O escalonamento Round-Robin possui um algoritmo implementado para agendar o uso do CPU a cada processo que aguarda na fila de execuo. um dos algoritmos mais simples, antigos, fceis de implementar e mais amplamente utilizados. A cada processo atribudo um intervalo de tempo chamado de time slice ou quantum, tempo este em que o processo estar sendo executado pelo processador. Terminado o quantum, h uma preempo do processo atual para que o prximo da fila ganhe o processador, e este processo suspenso vai para o final da fila, aguardando sua prxima vez de ganhar o processamento [29]. O escalonamento Round-Robin implicitamente supe que todo processo igualmente importante, mas os Sistemas Operacionais definem prioridades diferentes dependendo da importncia de cada tarefa, agrupando vrios tipos de processamentos em classes de prioridades, conforme mostrado na Figura 4.8. Por exemplo: aplicativos que gerenciam dados de I/O devem ser tratados com uma prioridade maior do que um gerenciador de email que pode realizar seu trabalho em segundo plano.
Figura 4.8 Algoritmo de escalonamento Round-Robin com 4 classes
No exemplo mostrado acima, os processos da classe de prioridade 3 ganham o tempo de processamento somente quando os processos da classe 4 forem terminados, e assim sucessivamente.
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A Figura 4.9 demonstra o modo de implementao do escalonamento Round-Robin. Quando o quantum de P0 terminar, P1 ganha o controle, depois P2, at que todos os processos sejam executados. Aps um ciclo de processamento, P0 volta a ganhar o processador caso ainda no tenha sido terminado.
Figura 4.9 Escalonamento Round-Robin
4.2.3.3 Escrita e leitura na porta Aps escrever o driver "IMTD24.SYS", o qual garante o acesso do aplicativo s instrues de I/O, e dar ao processo a prioridade mxima no sistema, a escrita e leitura na porta paralela podem agora ser realizadas com sucesso. O captulo 5 apresenta a metodologia do ensaio de medio de tempos de operao dos disjuntores de alta tenso pelo uso da aplicao desenvolvida.
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"A mente que se abre a uma nova idia jamais voltar ao seu tamanho original" Albert Einstein
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5. Metodologia do ensaio usando a aplicao desenvolvida

Este captulo apresenta a metodologia da medio dos tempos de operao dos disjuntores de alta tenso atravs do uso do software desenvolvido para se comunicar com a interface IMTD24.
5.1 Apresentao
A Interface para Medir Tempos de Disjuntores 24 canais (IMTD24) mostrada na Figura 5.1.
Figura 5.1 Interface para Medir Tempos de Disjuntores de 24 canais (IMTD24)
Conforme mostrado, este equipamento tem a capacidade de ensaiar 20 contatos, principais e auxiliares (fechamento e/ou abertura), e 4 bobinas ou rels auxiliares. A Figura 5.2 demonstra a filosofia do ensaio utilizando o programa desenvolvido para a IMTD24.
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Figura 5.2 Filosofia do ensaio utilizando a IMTD24
5.2 Princpio de funcionamento

Os canais da interface IMTD24 que monitoram o estado dos contatos do disjuntor sensibilizam uma sada correspondente quando o circuito conectado aos mesmos for fechado, enquanto que os canais que monitoram as bobinas de comando do disjuntor so sensibilizados pela presena de uma tenso de 28 a 140 Vcc. Partindo do princpio de que o tempo de operao de abertura ou fechamento do disjuntor inicia-se quando a bobina de comando correspondente for energizada, o software dispara o ensaio somente quando o devido canal de tenso for sensibilizado (canais 21, 22, 23 ou 24). O ensaio realizado durante 1 segundo, verificando a condio dos 24 canais da Interface a cada 100 microssegundos. Quem determina este perodo um clock de 10 kHz conectado ao pino 15 da porta paralela. A cada subida deste clock o software recebe a condio de todos os canais e salva estes dados em uma matriz de valores que ser utilizada para montar o grfico do ensaio ao final do teste. 1 segundo um tempo suficiente para ensaiar a grande maioria dos disjuntores de alta tenso, os quais abrem ou fecham seus contatos em alguns ciclos. O tpico 5.3 demonstra as principais telas do software:
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5.3 Telas principais do software

5.3.1 Tela inicial
As funes principais contidas na tela principal so: Verificar a conexo software/hardware antes do incio de um novo teste; Abrir um teste anteriormente realizado; Iniciar um novo teste; Acessar as informaes do sistema; Acessar o arquivo de ajuda do programa.
Figura 5.3 Tela inicial do software
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5.3.2 Tela de configurao de novo teste

Nesta tela o usurio informa as caractersticas do disjuntor, tais como: Local onde o disjuntor est instalado (usina de Furnas, usina de Marimbondo, etc); Localizao do equipamento (UG 05, barramento de interligao); Fabricante do disjuntor; Nmero de srie para identificar o equipamento; Tipo (modelo do disjuntor); Identificao dos contatos principais e/ou auxiliares que devem ser ensaiados; Identificao das bobinas de comando e/ou rels auxiliares.
Figura 5.4 Tela de configurao de novo teste
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5.3.3 Tela de verificao das configuraes e estado dos canais

Esta tela permite que o usurio verifique os dados entrados no programa, assim como verificar as condies dos 24 canais. Pela cor mostrada no circulo de cada canal possvel verificar a existncia de falhas, a condio do contato (aberto, fechado, energizado ou desenergizado) e tambm verificar uma possvel falha na conexo.
Figura 5.5 Tela de verificao
O boto "Legenda" mostra uma tela com a explicao de cada cor.
Figura 5.6 Legendas dos estados dos canais
83
5.3.4 Tela para escolha do canal de disparo

Nesta tela o usurio escolhe o canal que ser utilizado para dar o sinal de incio do ensaio de oscilografia no disjuntor. Os canais que monitoram o estado das bobinas de comando so: 21, 22, 23 e 24. Somente so habilitados para escolha os canais configurados na tela de configurao do ensaio. Isto reduz a possibilidade de possveis perdas de disparos.
Figura 5.7 Tela para escolha do canal de disparo do ensaio
Pressionando o boto "Efetuar teste!", o programa entra em um loop para aguardar a energizao do devido canal de disparo. Havendo a sensibilizao do canal, o software realiza o teste (durante 1 segundo) e monta um grfico com as leituras obtidas.
84
5.3.5 Tela com o grfico do ensaio

Aps o ensaio de operao do disjuntor, montado um grfico com as leituras dos canais configurados para o teste. Neste grfico possvel verificar os tempos de operao do disjuntor, durao da energizao das bobinas, discrepncia entre contatos, tempo de CloseOpen (CO), etc.
Figura 5.8 Grfico do ensaio
Caso o usurio queira, possvel tanto salvar o ensaio em arquivos, quanto imprimir o relatrio do mesmo para guardar na pasta do equipamento como histrico da manuteno. A Figura 5.9 mostra o relatrio completo do ensaio do disjuntor com valores fictcios.
85
Figura 5.9 Exemplo de um relatrio completo de ensaio de medio de tempos de operao de disjuntores
86
"A matemtica o alfabeto com o qual Deus escreveu o universo" Galileu Galilei
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6. Ensaios realizados para verificar a eficcia do software

Para verificar a eficcia do software em medir os tempos de operao de disjuntores de alta tenso, o sistema microprocessado Doble mod. F2253 foi utilizado para gerar nveis de tenso durante intervalos precisos de tempos. O sistema Doble F2253 possui uma exatido de 5 ppm (5 partes por milho) na sua funo de gerao de intervalos de tempos. Isto garante a confiabilidade em ensaiar a aplicao desenvolvida e garantir sua eficcia. Para ensaiar o conjunto software/hardware, o Doble F2253 gerou 125 Vcc durante 2, 5, 10, 20, 30, 40, 50 e 55 ciclos, aplicando este nvel no canal 21 da Interface. Estes tempos foram medidos pelo software. Os valores esperados e reais obtidos so apresentados nas tabelas a seguir:
Durao do ensaio (ciclos) Leitura 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Tempo esperado (ms) 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 Tempo medido (ms) 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3 33,3
Tabela 6.1 Resultados do ensaio com tempo de durao de 2 ciclos
Durao do ensaio (ciclos)
Leitura 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Tempo esperado (ms) 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3
Tempo medido (ms) 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3 83,3
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10
Leitura 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Tempo medido (ms) 166,7 166,7 166,7 166,7 166,7 166,7 166,7 166,7 166,7 166,7
20
Leitura 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Tempo medido (ms) 333,3 333,3 333,3 333,3 333,3 333,3 333,3 333,3 333,3 333,3
30
Leitura 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Tempo medido (ms) 500,0 500,0 500,0 500,0 500,0 500,0 500,0 500,0 500,0 500,0
89
40
Leitura 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Tempo medido (ms) 666,7 666,8 666,8 666,7 666,7 666,7 666,7 666,8 666,8 666,7
50
Leitura 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Tempo medido (ms) 833,4 833,4 833,4 833,5 833,3 833,5 833,4 833,5 833,4 833,4
55
Leitura 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Tempo medido (ms) 916,9 916,9 916,9 916,9 916,9 916,8 916,9 916,9 916,9 916,9
Os valores aqui demonstrados foram obtidos pelo aplicativo rodando em um computador com processador Intel Core 2 Duo de 2,54 GHz e memria RAM de 2 GB. Em computadores com 1 ncleo apenas, as leituras tiveram valores bem prximos a estes.
90
A declarao real da exatido do software no possvel devido a dois fatores principais: Mesmo que um processo rode com a mxima prioridade, o algoritmo de escalonamento pode interromp-lo para garantir a integridade do sistema [29], evitando que um processo ganhe o processador por tempo infinito. Assim, no garantido que o processo seja executado no devido momento de escrever ou ler na porta, podendo assim, perder leituras; Se outro processo de mesma prioridade estiver rodando em paralelo com o software aqui apresentado, o algoritmo de escalonamento do processador deve trat-los de forma igual, executando cada um durante seu quantum permitido, colocando-o depois no final da fila, de modo a processar o prximo. Mesmo com estes dois problemas, possvel notar nas leituras obtidas que o erro mximo foi de 200 microssegundos. Este erro muito pequeno quando comparado com as tolerncias dos tempos de operao dos disjuntores, no gerando incertezas no ensaio. importante observar que at 30 ciclos no houve nenhuma variao nas leituras, e geralmente os tempos de operao dos disjuntores de alta tenso esto bem abaixo de 30 ciclos. Na verdade, os tempos de abertura e fechamento da maioria dos disjuntores esto abaixo de 100 milissegundos. Uma tima alternativa para colher as leituras com 100% de eficincia implementar um hardware com sistema microcontrolado dedicado a esta tarefa. Como o processamento dos microcontroladores monotarefa, possvel fazer com que as instrues de leitura e escrita sejam realizadas exatamente quando necessrias. O captulo 7 demonstra esta alternativa, e tambm outras novas implementaes que esto sendo desenvolvidas para melhorar o modo de medir tempos de operao dos disjuntores de FURNAS Centrais Eltricas S.A.
91
"Aquele que persegue duas coisas de uma s vez no alcana uma delas e deixa a outra escapar" Benjamin Franklin
92
7. Novas implementaes em andamento

Este captulo aborda 3 novas implementaes que esto sendo desenvolvidas para atender as necessidades de FURNAS Centrais Eltricas S.A. So elas: Mudana do modo de comunicao entre software/hardware; Aquisio das leituras via sistema microcontrolado; Capacidade de medir contatos auxiliares sem necessidade de desconexo dos links.
7.1 Mudana do modo de comunicao entre software/hardware

A IMTD24 foi desenvolvida inicialmente para se comunicar com o PC via porta paralela e este modo de comunicao atendeu e atende muito bem at hoje, mas um inconveniente o fato de que a maioria dos computadores no possui mais esta porta implementada fisicamente. Por isso, a comunicao deve ser alterada para o modo serial. Neste novo modo o computador no precisa, necessariamente, possuir uma porta serial, pois possvel utilizar adaptadores USB/Serial, facilmente encontrados no mercado.
7.2 Aquisio das leituras via sistema microcontrolado

A dificuldade de implementar e gerenciar com preciso sistemas de tempo real utilizando processamento multitarefa pode ser contornada pelo uso de sistemas microcontrolados. Um sistema microcontrolado planejado e bem implementado pode ser a garantia da eficincia de projetos que tratam eventos com tempos crticos. A aquisio das leituras da IMTD24 realizada a cada 100 microssegundos. Garantir que o software obtenha estas leituras num sistema multitarefa, com preciso, no algo trivial. Vrios fatores influenciam no gerenciamento deste tipo de processador, tais como: Quantos processos rodam com prioridade mxima; Qual o quantum de tempo para cada processo; Velocidade do processador; Pedidos de interrupo podem pausar a execuo do processo corrente; O escalonador pode interromper um processo quando for necessrio.
93
Por estes e outros motivos, uma placa microcontrolada foi desenvolvida para aquisitar as leituras da Interface. Nesta placa h um microcontrolador PIC16F877A programado para enviar as instrues IMTD24, receber as leituras dos canais e salv-las numa memria RAM esttica WS62256 (32kB), Figura 7.1. Aps o ensaio, o PIC copia os dados da RAM e envia ao PC, via porta serial, para que o software monte o grfico do teste. Com este novo projeto a aquisio tem eficincia comprovada de 100%, j que o sistema consegue realizar todas as suas tarefas necessrias para cada leitura em 84 microssegundos, ficando ocioso por 16 microssegundos at o prximo evento. Estes tempos foram medidos utilizando o osciloscpio Fluke mod. 199C.
Figura 7.1 Placa microcontrolada por PIC 16F877A para comunicao com a IMTD24
7.3 Capacidade de medir contatos auxiliares sem necessidade de desconexo dos links
Quando a IMTD24 foi desenvolvida inicialmente, no foi implementada nesta a capacidade de medir os tempos de operao dos contatos auxiliares (fechamento e/ou abertura) sem a necessidade de desconectar os links que os interligam aos contatos principais do disjuntor. Levando em considerao que a desconexo e re-conexo destes links para o ensaio gastam em torno de 50% do tempo da manuteno, e isto associado aplicao da Parcela Varivel por indisponibilidade do equipamento [30], um novo circuito est sendo desenvolvido para dar
94
IMTD24 a capacidade de medir contatos auxiliares e principais sem a necessidade da desconexo de ambos. No modo de construo original da IMTD24, a sada dos canais que medem contatos sensibilizada tanto para o fechamento dos contatos auxiliares, quanto para o fechamento dos contatos principais, ou seja, mesmo havendo uma resistncia no circuito auxiliar, a corrente que circula por este circuito capaz de sensibilizar a sada correspondente, veja Figura 7.2.
Figura 7.2 Modelo do circuito de medio original da IMTD24
Como as intensidades das correntes I1 e I2 so diferentes, j que h no circuito auxiliar resistncias de insero e o contato principal possui uma resistncia de contato baixssima, possvel tratar as duas correntes (I1 e I2) com circuitos comparadores e colocar duas sadas distintas, conforme Figura 7.3.
95
Figura 7.3 Modelo do novo circuito de medio da IMTD24
Com esta melhoria no modo de medio, a IMTD24 passa a apresentar a capacidade de medir um contato principal e seu(s) contato(s) auxiliar(s) (quando houver) em um nico canal, ou seja, 20 canais da Interface que monitoram o estado dos contatos do disjuntor tm agora a capacidade mxima de medir 60 contatos do disjuntor (20 contatos principais + 20 contatos auxiliares de fechamento + 20 contatos auxiliares de abertura).
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"Um aspecto essencial da criatividade no ter medo de fracassar" Dr. Edwin Land
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8. Concluses
Para realizar o ensaio de medio dos tempos de operao dos disjuntores de alta tenso, as empresas do setor eltrico, na maioria das vezes, compram equipamentos de determinados fabricantes para esta finalidade. Estes equipamentos geralmente so caros, a interface grfica do software , muitas vezes confusa, e em alguns casos o conjunto software/hardware no atende por completo as necessidades totais da empresa cliente. O propsito desta dissertao foi demonstrar o desenvolvimento de um aplicativo com a finalidade de medir, com eficincia, tempos de operao de disjuntores de alta tenso. Este aplicativo utiliza a IMTD24 (Interface para Medir Tempos de Disjuntores 24 canais) como meio de conexo para os contatos e bobinas dos disjuntores. A IMTD24 foi desenvolvida pela empresa de energia eltrica FURNAS Centrais Eltricas S.A nos anos 90 de modo a suprir a carncia por bons oscilgrafos da poca. No modo original, o software se comunica com a IMTD24 via porta paralela. Nas plataformas NT o acesso ao hardware negado para aplicaes rodando em modo usurio (mostrado no tpico 4.2.2.1), por isso, foi escrito um driver "IMTD24.SYS" para dar ao aplicativo o direito de executar as instrues IN e OUT (funes _inp() e _outp() da linguagem C) na porta. Uma vez que o software ganhou acesso porta paralela, implementou-se um nvel de prioridade "Tempo Real" ao seu processo para que as instrues IN e OUT pudessem ser executadas no momento exato em que o programa necessitasse. Depois, a aplicao foi submetida a ensaios de modo a verificar sua eficcia em medir tempos de operao de disjuntores. Para o ensaio, utilizou-se o sistema microprocessado Doble mod. F2253 para gerar nveis de tenso durante intervalos de tempos precisos. Os resultados obtidos nos ensaios podem ser visualizados no captulo 6. A dificuldade de implementar sistemas de tempo real nos sistemas operacionais Windows deu incio ao desenvolvimento de um novo circuito medidor para a IMTD24. Neste circuito, um microcontrolador PIC16F877A realiza o ensaio, grava as leituras em uma memria RAM esttica e somente depois do ensaio envia os dados ao PC para que o software monte o grfico do teste e permita ao usurio verificar a condio dos contatos do disjuntor ensaiado.
98
Outro circuito foi desenvolvido para permitir a medio dos tempos de operao de contatos auxiliares sem que haja a necessidade de desconexo dos links que os interligam aos contatos principais do disjuntor. Com esta nova metodologia, o tempo total gasto para realizar o ensaio fica bastante reduzido quando comparado ao projeto original. O projeto final do desenvolvimento da aplicao apresentada neste trabalho, juntamente com as novas implementaes que esto sendo desenvolvidas, tem um valor real em torno de 10 a 20% do custo dos equipamentos similares disponveis no mercado. Tomando por base que a empresa FURNAS possui hoje 46 subestaes e 14 usinas, e cada uma destas entidades necessita de pelo menos 1 ensaiador de tempos de disjuntores, a economia real fica em torno de 3,5 milhes de reais. Este valor comea a aumentar quando levarmos em conta os custos com suporte tcnico, compras de peas e manutenes. Como concluso: Este trabalho mostrou que possvel desenvolver, com tecnologia nacional, equipamentos de qualidade e com custos reduzidos. Quando se desenvolve a prpria tecnologia fica-se livre para realizar melhorias futuras que se adqem s necessidades da empresa. Com o suporte e manuteno realizados internamente, dispensa-se a contratao de servio de outras empresas, agilizando o processo e reduzindo os custos.
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"A felicidade no depende do que nos falta, mas do bom uso que fazemos do que temos" Thomas Handy
100
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300-SFM-50A. [17] Furnas Centrais Eltricas S.A. Manual Tcnico de Campo - Disjuntor MITSUBISHI a SF6 Tipos 120-SFL-20 e 120-SFM-40. [18] Furnas Centrais Eltricas S.A. Manual Tcnico de Campo - Disjuntor a ar comprimido Brown Boveri Tipos DHVF E DCVF. [19] Furnas Centrais Eltricas S.A. Manual Tcnico de Campo - Disjuntor a ar comprimido GE-ATB 345 kV. [20] Furnas Centrais Eltricas S.A. Manual Tcnico de Campo - Disjuntores a ar comprimido Delle PK4, PK6 e PK8. [21] Furnas Centrais Eltricas S.A. (2002) Manual Tcnico de Campo - Disjuntores a SF6 Merlin Gerin Tipo FA. [22] Jan Axelson, Parallel Port Complete - Programming, Interfacing & Using PC's Parallel Printer Port., 2000. [23] Dale Roberts, "Direct Port I/O and Windows NT," 1996. [24] Intel, 80x86 Programmer's Reference Manual. [25] Art Baker & Jerry Lozano, The Windows 200 Device Driver Book - A guide for programmers, Second Edition ed.: Microsoft. [26] Microsoft Corporation. Service Functions. [Online]. http://msdn.microsoft.com/enus/library/ms685942(VS.85).aspx [27] Microsoft Corporation. Process and Thread Functions. [Online]. http://msdn.microsoft.com/en-us/library/ms684847(VS.85).aspx [28] Microsoft Corporation. Scheduling Priorities. [Online]. http://msdn.microsoft.com/enus/library/ms685100(VS.85).aspx [29] Andrew S. Tanenbaum & Albert S. Woodhull, Operating Systems: Design and Implementation, 2nd ed. [30] ANEEL - Agncia Nacional de Energia Eltrica. (2006, Maro) Qualidade do Servio Pblico de Transmisso de Energia Eltrica - Regulamentao da Parcela Varivel.

Disjuntores Pvo, Gvo e Outros

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

Ricardo Tozzi de Lima

Itajub, abril de 2010

UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB

Ricardo Tozzi de Lima

Abril de 2010, Itajub MG

DISJUNTORES DE ALTA TENSO ............................................................................ 8 2.1 2.2

Disjuntores a leo ........................................................................................................................ 13

Disjuntores a Ar Comprimido .................................................................................................... 17 Disjuntores a SF6 .......................................................................................................................... 19

2.2.5.1 2.2.5.2 2.2.5.3 2.2.5.4

Disjuntores a Vcuo ..................................................................................................................... 23

Concluses sobre as tcnicas de extino de arco na alta tenso ............................................. 26

RESISTORES DE ABERTURA E PR-INSERO EM DISJUNTORES DE ALTA TENSO 27 SINCRONIZADORES (CONTROLADORES) .................................................................. 31

ENSAIOS EM DISJUNTORES .................................................................................... 39 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

Ensaio nos capacitores ................................................................................................................. 44

3.5.3 3.5.4 3.5.5 3.5.6 3.5.7

DESENVOLVIMENTO DA APLICAO ................................................................. 57 4.1 4.2

ASPECTOS MOTIVADORES PARA O DESENVOLVIMENTO ......................................... 57 FASES DO DESENVOLVIMENTO................................................................................. 57

4.2.1.1 4.2.1.2 4.2.1.3

Comunicao entre software e hardware IMTD24 atravs da porta paralela ............................................ 62

Desenvolvimento de um driver ("IMTD24.SYS") ..................................................................... 63

Escrita do cdigo do projeto........................................................................................................ 69

4.2.3.1 4.2.3.2 4.2.3.3

METODOLOGIA DO ENSAIO USANDO A APLICAO DESENVOLVIDA ... 78 5.1 5.2 5.3

BIBLIOGRAFIA .................................................................................................................. 100

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1.2 Histria de FURNAS Centrais Eltricas S.A

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1.3 Histrico do desenvolvimento da aplicao

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Figura 1.1 Oscilgrafo de papel YOKOGAWA Mod. 2932

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Esta dissertao descreve entre outros seu uso, validao e aplicaes.

1.4 Estrutura da dissertao

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2. Disjuntores de alta tenso

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Figura 2.1 Classificao dos disjuntores

2.2 Aspectos bsicos e construtivos

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2.2.2 Tcnicas de interrupo

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2.2.3 Disjuntores a leo

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Figura 2.4 Tipos de cmaras de extino de disjuntores a leo

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Figura 2.5 Corte de um plo de disjuntor GVO GE FK 145/37000 (General Electric)

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Figura 2.6 Disjuntor a pequeno volume de leo

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2.2.4 Disjuntores a Ar Comprimido

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A Figura 2.8 demonstra a tcnica de sopro de nica direo.

Figura 2.8 Cmara de disjuntor a ar comprimido tipo monoblast

Figura 2.9 Cmara de disjuntor a ar comprimido tipo duo-blast

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2.2.5 Disjuntores a SF6