11-PROPRIEDADES ELTRICAS, TRMICAS, PTICAS E MAGNTICAS DOS MATERIAIS

PROPRIEDADES ELTRICAS CONDUTIVIDADE ELTRICA ()

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o movimento de cargas eltricas (eltrons ou ons) de uma posio para outra. = 1/= n.q.
= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1) = resistividade eltrica (ohm.cm) n= nmero de portadores de carga por cm3 q= carga carregada pelo portador (coulombs) [q do eltron= 1,6x10-19 coulombs] = mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s)

R = . l/A

PROPRIEDADES ELTRICAS SEMICONDUTORES

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Tem resistividade entre metais e isolantes

10-6-10-4 .cm 1010-1020 .cm A resistividade diminui com o aumento de temperatura (ao contrrio dos metais) A resistividade diminui com a adio de certas impurezas A resistividade aumenta com a presena de imperfeies nos cristais.
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PROPRIEDADES ELTRICAS
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
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Silcio, Germnio (Grupo IV da Tabela Peridica) GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela Peridica) PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela Peridica) 95% dos dispositivos eletrnicos so fabricados com
Silcio 65% dos dispositivos de semicondutores do grupo IIIV so para uso militar
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EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
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SO USADOS PARA A FABRICAO DOS SEGUINTES DISPOSITIVOS ELETRNICOS E OPTOELETRNICOS

Transistor Diodos Circuito integrado LEDS Detetores de infravermelho Clulas solares, etc.
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CAMPOS DE APLICAO DOS DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES

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Indstria de computadores (memrias, microprocessadores, etc.) Indstria aeroespacial Telecomunicaes Equipamentos de udio e vdeo Relgios Na robtica Sistemas industriais de medidas e controles Sistemas de segurana Automveis Equipamentos mdicos,...
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LIGAO QUMICA
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A- METAIS
Os eltrons de valncia no esto ligados a nenhum tomo especfico (esto livres) H atrao entre os eltrons livres (de valncia) e os ons positivos (ncleo mais eltrons de valncia) Os metais tm elevada condutividade eltrica devido os eltrons estarem livres para moverem-se (alta mobilidade). No entanto, a agitao trmica reduz o livre percurso mdio dos eltrons, a mobilidade dos mesmos e como conseqncia a condutividade.
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EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE

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EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE

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ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA

MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS

ALTA TEMPERATURA

MOVIMENTO DOS ELTRONS EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS

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LIGAO QUMICA
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B- SEMICONDUTORES Todos os semicondutores tm ligao covalente, com 4 eltrons de valncia. Os semicondutores compostos (grupos III-V e IIVI) tm 4 eltrons de valncia em mdia.
RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA PARA UM SEMICONDUTOR O aumento da temperatura fornece energia que liberta transportadores de cargas adicionais.

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BANDAS DE ENERGIA
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Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura eletrnica em bandas de energia. Os eltrons de valncia de dois tomos adjacentes interagem entre si quando so aproximados um do outro, como acontece em um slido cristalino. Isso faz com que novos nveis de energia sejam estabelecidos, originando ento bandas de energia (so nveis discretos de energia, mas com diferenas apenas infinitesimais) A banda de energia corresponde um nvel de energia de um tomo isolado As bandas de energia nem sempre se sobrepem Assim como orbitais, as bandas de energia podem comportar no mximo dois eltrons. 11

GAP DE ENERGIA (BANDA PROBIDA)

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o espao entre as bandas de energia

o que distingue um semicondutor de um condutor ou isolante.

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NVEL DE DE ENERGIA DE FERMI

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definido como o nvel de energia abaixo do qual todos os estados de energia esto ocupados a 0K.

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CONDUTOR
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Os eltrons no preenchem todos os estados possveis da banda de valncia e por isso a conduo ocorre na banda de valncia. Num metal o nvel de Fermi esta localizado na banda de valncia.

Nvel de Fermi

Banda de valncia incompleta

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ISOLANTES
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Os eltrons preenchem todos os estados possveis da banda de valncia e por isso a conduo NO ocorre na banda de valncia.
energia Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

BANDA DE CONDUO Nvel de fermi GAP DE ENERGIA

BANDA DE VALNCIA

Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de

Gap de um isolante maior

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SEMICONDUTOR
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BANDA Da mesma forma DE que nos isolantes, CONDUO os eltrons preenchem todos os Nvel de fermi GAP DE ENERGIA estados possveis da banda de BANDA DE valncia.
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de energia Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

VALNCIA

Gap de um isolante maior

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SEMICONDUTOR
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Num semicondutor, os eltrons podem ser excitados para a banda de conduo por energia eltrica, trmica ou ptica (fotoconduo)
Quando um eltron excitado para a banda de conduo deixa um buraco ou uma vacncia na banda de valncia que contribui tambm para a corrente. 17

CONDUO INTRNSECA (SEMICONDUTOR INTRNSECO)

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a conduo resultante dos movimentos eletrnicos nos materiais puros.

Um semicondutor pode ser tipo "p" ( conduo devido aos buracos) ou tipo "n" (conduo devidos aos eltrons) Este tipo de conduo se origina devido a presena de uma imperfeio eletrnica ou devido a presena de impurezas residuais.
CONDUO INTRNSECA
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CONDUO INTRNSECA (SEMICONDUTOR INTRNSECO)

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a conduo resultante dos movimentos eletrnicos nos materiais puros.

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CONDUO EXTRNSECA
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Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para proporcionar eltrons ou buracos extras. Os semicondutores extrnsecos podem ser: Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos
extras.

Tipo n: com impurezas que proporcionam eltrons

extras Os processos utilizados para dopagem so difuso e

implantao inica

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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)

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.Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para CRIAR buracos extras.

Impurezas tipo "p" ou aceitadores proporcionam buracos extras

Exemplo: Dopagem do Si (valncia 4) com Boro (valncia 3)

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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)

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BORO UM DOPANTE TIPO P PARA O SILCIO PORQUE PROPORCIONA BURACOS EXTRA

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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)

NVEL DE FERM I
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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)

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Impurezas tipo "n" ou doadores. proporcionam eltrons extra

Exemplo: Dopagem do Si (valncia 4) com Fsforo (valncia 5)

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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N) NVEL DE FERMI

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CONDUO EXTRNSECA CONSIDERAES GERAIS

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Os eltrons tem maior mobilidade que os buracos. A presena de impurezas pode alterar o tamanho do gap de energia do semicondutor.

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OPERAO DO DIODO (JUNO P-N)

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Dispositivos eletrnicos como transistors, circuitos integrados, chips, etc... usam a combinao de semicondutores extrnsecos tipo p e tipo n .

DIODO um dispositivo que permite a corrente fluir em um sentido e no em outro. construdo juntando um semicondutor tipo n e tipo p.
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JUNO P-N
Eleani Maria da Costa - DEM/PUCRS -Quando uma voltagem aplicada
como no esquema abaixo, os dois tipos de cargas se movero em direo juno onde se recombinaro. A corrente eltrica ir fluir. -Como no esquema abaixo, a voltagem causar o movimento de cargas para longe da juno. A corrente no ir fluir no dispositivo.

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PROPRIEDADES MAGNTICAS

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PROPRIEDADES MAGNTICAS
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A maioria dos elementos e materiais no exibem propriedades magnticas. Materiais que exibem propriedades magnticas: Ferro, Nquel, Cobalto, Gadolneo, algumas ligas (SmCo5, Nd2Fe14B, ...)
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Ferromagnetismo
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a propriedade de concentrar as linhas de fora magntica, caracterizada pela permeabilidade magntica.

Ferromagnticos- permeabilidade magntica >1 (subst. Paramagnticas) - eltrons desemparelhados Ferro, Cobalto, Nquel e Gadolnio Outros metais-permeabilidade magntica <1 (subst. Diamagnticas) - eltrons emparelhados
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PERMEABILIDADE MAGNTICA
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Permeabilidade Magntica ()est relacionada com a intensidade de magnetizao. A intensidade de magnetizao varia em funo da intensidade do campo aplicado. caracterstica do material

= tg B/H
dada em Gauss/Oersted
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Domnios magnticos
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So regies da estrutura do material onde todos os tomos cooperam magneticamente, ou seja, so zonas de magnetizao espontnea (<0,05mm). Quando um campo magntico aplicado, os domnios magnticos tendem a se alinhar com o campo e, ento, o material exibe propriedades magnticas.
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Ponto de Curie
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a temperatura na qual os domnios magnticos so destrudos.

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Curva de magnetizao ou de histerese

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Induo residual (Br) - a induo magntica que se conserva no corpo magnetizado, depois de anulada a intensidade do campo. dada em Gauss Fora coercitiva (Hc)- a intensidade de campo que tem de ser aplicado para desmagnetizar. dado em Oersted Material com elevado Hc = consome energia para alinhar os domnios magnticos, de uma direo para outra. A quantidade de energia necessria para magnetizar proporcional a rea do ciclo de histerese. Permeabilidade Magntica ()- a intensidade de magnetizao. A intensidade de magnetizao varia em funo da intensidade do campo. caracterstica do material = tg B/H dada em Gauss/Oersted

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Classificao das ligas magnticas

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A classificao feita de acordo com a forma da curva de histerese. O nome esta relacionado com as propriedades mecnicas/metalrgicas da liga:
Ligas

Magnticas Duras Ligas Magnticas Macias

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Ligas magnticas duras

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- Se caracterizam pelo grande valor de Hc e alto Br - So ligas endurecidas com estruturas desiquilibradas, dispersas - So utilizadas na fabricao de ims permanentes

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Ligas magnticas macias

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- Apresentam Hc de baixo valor e pequenas perdas de histerese e baixo Br. - So ligas organizadas. Geralmente metais puros com boa qualidade estrutural. - So empregadas como ligas a serem submetidas magnetizao alternada (ncleos de transformadores)
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CURVA HISTERTICA PARA LIGAS MAG. DURAS E MACIAS

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Papel dos elementos de liga

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Aumentam a fora coercitiva ou dureza magntica

Diminuem o tamanho de gro A formao de uma segunda fase, pela adio de elementos de liga (acima do limite de solubilidade), contribui para o aumento do Hc. Quanto mais elevada a disperso da segunda fase maior o Hc. O endurecimento causado pela transformaes de fase ou pela diminuio do tamanho de gro aumentam o Hc, porque evitam a redistribuio ao acaso dos domnios magnticos.
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INFORMAES ADICIONAIS
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No xerox encontram-se tabelas com exemplos de materiais magnticos moles e duros

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ESTUDAR (XEROX)
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ASSUNTOS: SUPERCONDUTIVIDADE (Van Vlack) EFEITO PIEZOELTRICO (CALLISTER) PROPRIEDADES PTICAS: OPACIDADE, TRANSPARNCIA E LUMINESCNCIA, LASER (Van Vlack)

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