2.

5 - Transistores como chaves

Ainda que os transistores sejam a espinha dorsal da eletrnica
moderna, com dezenas de tipos e centenas de utilizaes, vamos
nos limitar a analisar apenas uma funo destes componentes: a
de chave liga-desliga.
Pode parecer uma viso muito limitada de um componente to
verstil, mas a verdade que no o objetivo deste trabalho um
estudo terico de eletrnica, e difcil encontrar uma outra
funo para este componente que no seja melhor executada por
um circuito integrado com preo acessvel.

+
controle

Figura 2.5.1

Ainda dentro do universo dos transistores, apresentaremos aqui

apenas trs tipos: o bipolar tipo NPN, o bipolar tipo PNP e
MOSFET de potncia canal N (tipo de enriquecimento ou
enhanced).
Em todos eles, a corrente flui entre dois dos trs terminais do
transstor, controlada pelo sinal eltrico existente no terceiro,
como indica a figura 2.5.1.
Transistores bipolares
Estes transistores deixam passar a corrente entre dois terminais
chamados coletor e emissor quando se faz passar uma corrente
muito menor por um terminal chamado base.

O transistor, em muitos aspectos, se comporta como dois diodos

justapostos, e uma conseqncia disso que existe dentro deles a
mesma barreira de tenso dos diodos. Ou seja: a diferena de
tenso entre o emissor e o coletor deve ser maior que 0,6V ou o
transstor no conduzira mesmo com uma grande tenso na base.
E ainda, a tenso na base tem que ter uma diferena de pelo
menos 0,6V em relao ao emissor (+0,6V nos NPN e -0,6V nos
PNP) para que se inicie a conduo.
Uma vez que a corrente comece a fluir pela base, uma corrente
vrias vezes maior conseguir fluir entre o emissor e o coletor.
Quantas vezes maior? Este nmero dado pelo fabricante e tem

Os transistores bipolares se dividem em dois tipos, NPN e PNP

(fig.2.5.2). Essa diferena, na prtica, se reflete na polaridade
das ligaes, e resulta em que o NPN "ligado" por um sinal
positivo e o PNP "ligado" por um sinal negativo (aterramento).
Na verdade, na ausncia de um sinal, ou seja, como o pino de
base desconectado do circuito, os dois tipos ficam "desligados",
sem conduzir corrente.
A figura 2.5.3 apresenta as analogias hidrulicas simplificadas
de transistores bipolares. Para analisar as figuras, deve-se ter em
mente que a vlvula de base controla a vlvula maior, e no o
contrrio.

PNP

NPN
Figura 2.5.2

coletor

coletor
base

base

emissor

emissor

NPN

PNP

Figura 2.5.3

o nome de hFE. um nmero bastante instvel e varia

individualmente entre peas de um mesmo tipo. Felizmente, para
usar o transstor como chave liga e desliga, este valor no
crtico. Basta garantir que, quando o sinal aplicado base, uma
corrente prxima ao mximo admissvel flua por este terminal.
O valor desta corrente determinado por um resistor. Este
resistor no pode ter uma resistncia muito pequena para no
ultrapassar o valor limite de corrente na base, dado pelo
fabricante. Lembre que a base ligada ao emissor como que
atravs de um diodo, podendo haver um verdadeiro curtocircuito em caso de uma ligao direta alimentao (NPN) ou
ao terra (PNP). Este resistor tambm no pode ser muito grande,
pois fundamental ao funcionamento do transistor como chave
que a corrente de base provoque o mximo de conduo entre o
emissor e o coletor. Isto porque neste ponto, a queda de tenso
no transistor (entre o emissor e o coletor) ser penas os 0,6V
devidos barreira de tenso (diodo) e a potncia dissipada ser:

Potncia dissipada=0,6Corrente
C
B
E

Figura 2.5.4 - Transistor Darlington.

D (dreno)
G (porta)
S (fonte ou supridouro)

Figura 2.5.5 - Mosfet canal N.

D
G
S
Figura 2.5.6 - Analogia hidrulica de um
Mosfet de canal N.

Caso o transistor no esteja conduzindo completamente, a queda

de tenso ser maior que 0,6V e a potncia dissipada pode subir
perigosamente. A tabela 2.3 apresenta valores de resistores que
permitem a passagem pela base de 1/15 da corrente mxima de
coletor (corrente mxima do transistor). Este valor quase sempre
garante a saturao dos transistores de baixa e mdia potncia.
Transistores Darlington
Os transistores de potncia geralmente tm ganhos menores e
precisam correntes altas na base para a plena conduo. Por
exemplo, um transistor 2N3055 pode exigir 3A para controlar
uma corrente de 15A. Para solucionar este problema, existe um
tipo de transistor bipolar que se chama Darlington, e nada mais
do que dois transstores em um nico encapsulamento,
conforme mostra a figura 2.5.4. Neste caso, o valor de hFE
muito grande, e uma corrente bem pequena na base j leva o
transstor ao estado de plena conduo. O preo pago por esta
sensibilidade corrente o fato de que aqui a barreira de tenso
o dobro (dois diodos), e preciso que a tenso na base tenha
uma diferena de 1,2V em relao ao emissor para que comece a
ocorrer a conduo.
Mosfet de potncia canal N
Este outro tipo de transstor funciona de forma diferente dos
anteriores. Aqui a resistncia entre dois terminais, o dreno
(drain) e a fonte (source), determinada pela tenso aplicada a
um terceiro teminal, a porta (gate). O dreno ligado
alimentao positiva atravs da carga e a fonte ligado ao terra.
A fonte as vezes chamada de "supridouro".
Inicialmente a resistncia entre o dreno e a fonte um valor
muito alto, praticamente um circuito aberto, mas medida que a
tenso na porta aumenta, esta resistncia cai, chegando a um
valor que praticamente um circuito fechado. Geralmente esta

conduo comea quando a tenso na porta chega a cerca de trs

volts e atinge a menor resistncia possvel quando a tenso na
porta atinge cerca de 10 volts.
Aqui tambm importante que o transstor seja levado plena
conduo para que a potncia dissipada seja a menor possvel. O
valor da resistncia do MOSFET quando ele est no estado
"ligado" fornecida pelo fabricante nos datasheets. Como a
potncia dissipada o produto desta resistncia pelo quadrado da
corrente, aconselhvel escolher sempre o MOSFET que tiver a
menor resistncia de estado "ligado".

G
S

NO!

carga

carga

Figura 2.5.7 - A carga no deve ser ligada

nem ao emissor, nem fonte (s).

Notas sobre bipolares e mosfets

No servem para controlar correntes alternadas.

Os MOSFETS so mais caros que os transstores bipolares,
mas funcionam melhor como chaves.

+V

+V

carga

NO!

C
carga

O terminal de controle (base ou gate) tem sua tenso

comparada com a tenso no emissor ou na fonte, portanto,
no uma boa idia colocar a carga em srie com estes
terminais (figura 2.5.7).

Figura 2.5.8 - O acionamento no deve ser

feito por ligao direta sem resistor.
+12V

Lembre tambm que, entre o emissor e a base, o transstor se

comporta como um diodo e, portanto, no boa idia acionar
os transistores bipolares ligando sua base diretamente
tenso de alimentao ou ao terra. Isto equivale a um curtocircuito (figura 2.5.8).
Podemos considerar que os MOSFETS possuem uma
resistncia de entrada (impedncia) infinita. Isto significa que
no consomem corrente em sua porta, apenas aquela
necessria para "encher" o terminal, devido a uma pequena
capacitncia que deve ser levada em considerao nas altas
freqncias. Isto pode ser comprovado pela experincia
mostrada na figura 2.5.9. O MOSFET, uma vez "carregado"
com uma tenso positiva em sua porta, permanece
conduzindo mesmo depois da tenso ser desconectada.
preciso "descarregar" a porta no terra para parar a conduo.
Sempre se deve colocar um diodo em paralelo com uma
carga indutiva, como mostra a figura 2.5.10. Quando a
corrente flui normalmente, o diodo no conduz, mas quando
o fluxo de corrente cortado, o indutor gera uma tenso
inversa muito alta, que seria capaz de destruir o transistor se
no fosse dissipada pelo diodo.

corrente
zero

+12V

D
S

S
+9 volts

Figura 2.5.9 - O MOSFET retm a carga na

porta.

Diodo

Carga indutiva
(indutor, rel,
transformador etc.)
Chave eletrnica
(transistor bipolar,
MOSFET, SCR etc.)

Figura 2.5.10 - Sempre se deve colocar um

diodo em paralelo com cargas indutivas.

+12V

QUENTE !
corrente
zero

+3 volts

D
S

Figura 2.5.11

luz
fraca

Quando utilizados como chave, com uma corrente ou

tenso que garanta a plena conduo, tanto os
transistores bipolares como os MOSFETS dissipam
pouca potncia, pois a queda de tenso entre seus
terminais pequena. Ainda assim, para correntes muito
altas, pode ser necessrio o uso de um dissipador para
garantir o bom funcionamento do componente.
Entretanto, quando no so levados ao estado de plena
conduo, dissipam muito mais energia, com o
conseqente aquecimento (fig. 2.5.11).

+0,6V* a +30V

+6V
BC548

cada mA que
entra na base
provoca um
aumento de
100 a 800mA
no emissor
(hfe= ganho =
100 a 800)

E B C

mximo de 100 mA

carga

+6V

+6V
B
lmpada
pequena
de 6V

E
Emissor
ligado
ao terra (-)

desligado

ligado

Figura 2.5.12 - Funcionamento de um transistor NPN de pequena potncia atuando como chave.

+0,6V* a +30V

+6V

E B C

cada mA que
sai da base
provoca um
aumento de
75 a 475mA
no emissor
(hfe= ganho =
100 a 800)

mximo de 100 mA

BC558

C
carga

+6V

+6V
Emissor
ligado
ao +V
B

B
C

desligado

ligado

Figura 2.5.13 - Funcionamento de um transistor PNP de pequena potncia atuando como chave.

+12V

max. 200V

IRF640

S
Comea a
conduzir com
uma tenso
de 2 a 4V
no Gate.
Conduz 100%
com 10V ou mais.

mximo de 18 A

D S

lmpada de
farol

carga
D

+12V

re sistncia
que pode ser
desde
muito baixa
(curto) at
muito alta
(megaohms)

D
S

desligado

resistncia
que pode ser
desde
muito baixa
(curto) at
muito alta
(megaohms)

D
G

ligado

Figura 2.5.14 - Funcionamento de um MOSFET canal N de potncia atuando como chave.

Tabela 2.3: Caratersticas de transistores comuns:

Baixa potncia e uso geral - srie BC

BC337
BC338
BC546
BC547
BC548
BC549
BC327
BC557
BC558

NPN

E B C

PNP

Imax (A)
0,5
0,5
0,1
0,1
0,1
0,1

Vmax (V)
45
25
65
45
30
30

hFE
100-800
100-800
110-450
110-800
110-800
200-800

0,5
0,1
0,1

45
45
30

100-800
75-475
75-475

Baixa potncia - diversos

Imax (A)
2N2222

Vmax (V)

hFE

Pot max(W)
Obs.
0,8
0,8
Transistores de baixa potncia e uso
0,5
geral. O mais popular o BC548.
0,5
0,5
0,5
Igual ao 548, mas com menos rudo.
0,8
0,5
0,5

Pot max(W)

30
NPN

E B C

0,8

2N2222A

40-300

0,5

65-220

0,3

40
C B E

BF494

NPN

0,03

20

Complementar do BC337.
Complementar do BC547.
Complementar do BC548.

Obs.
Transistor NPN de uso geral, com
capacidade de corrente um pouco
maior. Encontrado em encapsulamento
metlico (2N2222) ou plstico
(2N2222A). Particularmente popular
nos Estados Unidos.

Para freqncias at 100MHz.

Resistncia em srie com a base para

uma tenso de acionamento de:**
5V
9V
12V
470

1000

1200

680

1200

1800

470

1000

1200

680

1200

1800

Resistncia em srie com a base para

uma tenso de acionamento de:**
5V
9V
12V

100

150

220

1000

1800

2400

B E C

Mdia potncia e uso geral - srie BD

BD135
BD137
BD139
BD136
BD138
BD140

Imax (A)
NPN

PNP

1,5

EC B

metal
atrs

Vmax (V)
45
60
80
45
60
80

1,5

hFE

25-250

25-250

Alta potncia - srie TIP

Imax (A)

Vmax (V)

hFE

Pot max(W)

1,25 a 12,5* Transistores de mdia potncia e uso

geral.
1,25 a 12,5*

Pot max(W)

TIP31C
TIP32C

NPN
PNP

100

10-50

2 a 40*

TIP41C
TIP42C

NPN
PNP

100

15-75

2 a 65*

TIP122
TIP127

NPN-Darlington
PNP-Darlington

100

1000 (min.)

2 a 65*

TIP142
TIP147

NPN-Darlington
PNP-Darlington

10

100

1000 (min.)

max. 125*

100

5 70

max. 90*

TIP3055
TIP2955

NPN
PNP

15

Alta potncia - diversos.

Imax (A)
2N3055
2N2955

NPN

Vmax (V)

hFE

Obs.

Pot max(W)

Complementar ao BD135
Complementar ao BD137
Complementar ao BD139

Obs.
Pares complementares de transistores
de uso geral e alta potncia. A letra C
no final indica que a voltagem mxima
entre emissor e coletor de 100V. A
indicaria 60V e B 80V.

Resistncia em srie com a base para

uma tenso de acionamento de:**
5V
9V
12V

47

82

120

Resistncia em srie com a base para

uma tenso de acionamento de:**
5V
9V
12V
22

47

56

10

18

24

470

1000

1200

220

470

560

1,5***

2,7***

3,9***

Pares complementares de transistores

Darlington de uso geral e alta potncia.

Par complementar clssico de alta

potncia em ecapsulamento TO-220.

Obs.

Resistncia em srie com a base para

uma tenso de acionamento de:
5V
9V
12V

Par complementar clssico de alta

1,5***
2,7***
potncia em ecapsulamento metlico.
PNP
15
100
5 70
max. 90*
* Depende da temperatura em que mantido o coletor. Dissipadores e refrigerao aumentam a potncia mxima.
** Valores de resistores comerciais que deixam passar uma corrente na base de aproximadamente 1/15 da corrente mxima do transistor (Imax).

3,9***

*** Valores calculados considerando o ganho (hFE) mnimo do transistor. Para manter a corrente de base em um valor pequeno que garanta a plena conduo, este valor deve ser
calculado de acordo com as caractersticas do circuito, pois possvel que correntes menores garantam a saturao (plena conduo). Considere tambm a possibilidade de
substituir o transistor por outro do tipo darlington, como o TIP142 ou TIP147.

MOSFETs de potncia - canal N

IRFZ34
IRFZ44
IRFZ44N
IRFZ46
IRFZ46N
IRF640
IRF840
6N60

CANAL N
(enhanced)

Imax (A)
30
50
49
50
53
18
8
6,2

Vmax (V)
60
60
55
50
55
200
500
600

Resistncia Tenso para

quando est comear a
Pot max (W) ligado () conduzir (V)
88*
0,050
150*
0,028
94*
0,018
150*
0,024
2a4
107*
0,017
125*
0,18
125*
0,85
62,5*
1,5

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Tenso para
deixar
ligado(V)

10