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Prefcio
A medio eletrnica e o controle ocupam todos os recantos da cincia e da engenharia. A enorme fora e a versatilidade dos dispositivos eletrnicos e , consequentemente, sua vasta aplicao tornam imperativo que os estudantes de engenharia e cincias obtenham familiaridade no trato com a eletrnica. Esta familiaridade, entretanto,
no necessita ser to intensa quanto a conseguida no treinamento de engenheiros do
ramo eltrico.
Este livro foi escrito com o intuito de dqr aos estudantes no diplomados um
entendimento bsico dos dispositivos e circuitos eletrnicos, suficiente para capacit1os a avaliar a operao e as caracteristicas dos muitos instrumentos que usaro em
suas carreiras profissionais. E dada nfase a anlise dos circuitos, em vez de a seus
projetos, visto que, mesmo como profissionais, somente projetaro os circuitos mais
simples.
A base fsica dos circuitos foi acentuada, mas, deliberadamente, evitada nfase na
complexidade matemtica, o que tem o efeito de incrementar as aplicaes dos circuitos eletrnicos em medidas e instrumentos sem reduzir o nvel de sofisticao. Supese que os estudantes possuam um conhecimento geral de eletricidade e das propriedades eltricas dos materiais, ensinadas nos cursos iniciais de fsica. A teoria dos circuitos conduzida, todavia, a partir de correntes contnuas, de modo que partes dos
captulos iniciais podem ser usadas para recordao da matria.
Como este texto foi escrito sob o ponto de vista de um experimentador, altamente recomendada a experincia concomitante em laboratrio. Quase todos os circuitos analisados apresentam valores reais e podem facilmente servir de base para experincias apropriadas. No foi feita tentativa alguma para sugerir tais experimentos em
detalhes, por causa da diversidade de equipamentos que provavelmente sero encontrados nos laboratrios das diferentes universidades. Por outro lado, foram escolhidos
problemas que requerem respostas quantitativas e, portanto, podem substituir, de
algum modo, os trabalhos de laboratrio onde um curso separado com este fim no
seja possvel.
Esta terceira edio foi modificada em vrias reas, mas mantm a nfase e a
fora do texto original. O tratamento dos dispositivos semicondutores dirigido para a
compreenso e o uso dos circuitos integrados, uma vez que so muito versteis e
empregados na prtica. Os circuitos a vlvula so discutidos separadamente em apndice, porque muitos instrumentos eletrnicos ainda requerem um estudo de suas caractensticas. E dada bastante nfase eletrnica digital, tendo em vista o campo sempre
em expanso do controle e instrumentao digitais.
H muitos anos eu venho sentindo que a familiaridade no trabalho com a eletrnica contribui incomensuravelmente para a carreira profissional do engenheiro ou do
cientista. Se este texto tornar possvel a outros conseguirem tal familiaridade, ficarei
bastante satisfeito. Sou profundamente grato aos vrios colegas que, atravs de suas
publicaes, forneceram muito material para este livro. Devo, tambm, expressar
meus sinceros agradecimentos aqueles que gentilmente leram e criticaram o manuscrito e aos instrutores e estudantes que tm apresentado sugestes, resultados do uso
das edies anteriores. Finalmente, somente atravs da colaborao e encorajamento
de Muriel, minha esposa, este projeto pde ser terminado.
James J. Brophy
ndice
I C IR C U I T OS DE C O RR E N T E CONTNUA,
1
Conceitos Introdutrios, 2
Corrente, tenso e resistncialLei de OhmlLei de Joule
Elementos de Circuito, 4
Resistores/Baterius
Circuitos Simples, 9
Circuitos e m srielCircuitos em paralelolRede~
Anlise de Circuitos, 13
Leis de KirchhoffIPonte de WheatstonelCircuito potenciomtrico
Circuitos Equivalentes, 21
Teorema de Thvenin/Teorema de Norton/Mxima transjerncia de potncia
Medidas Eltricas, 25
O medidor de d'Arsonval/Ampermetros e voltmetros/Ohmmetros e multmetros
Sugestes para Leitura Complementar, 31
Exerccios, 31
2 CORRENTES ALTERNADAS, 35
Sinais Senoidais, 36
Frequncia, amplitude r fase/Valor eficaz/Fator de potncia
Capacitncia e Indutncia, 39
Reatncia capacitiva/Capacitores/Reatncia indutiva/lndutores
Circuitos Simples, 44
Filtro RL/Filtro RC/Circuitos integradores e dijerenciadores
Correntes Transitrias, 50
Constante de Tempo/Transitrios ca/Repique
Formas de Onda Complexas, 57
Srie de Fourier/Valor eficaz/Resposta a onda quadrada/Osciloscpio
Sugestes para Leitura Complementar, 68
Exerccios, 68
3 ANLISE DE C I R C U I T O S CA , 69
Impedncia, 70
Lei de Ohm para ca/lmpedncia complexa
Circuitos RLC, 73
Ressonncia srie/Ressonncia puralela/Fator Q
Circuitos em Ponte, 80
Pontes de indutncia e de capacitncia/Ponte de Wien/Circuitos e m ponte-T e
T-geminado
Transformadores, 88
Indutncia mtua/Relao de transformao/Transformadoresprticos
Sugestes para Leitura Complementar, 91
Exerccios, 91
4 CIRCUITOS COM DIODOS, 94
Componentes no Lineares, 95
Caractersticas tenso-corrente10 retificador ideal/O diodo de juno
Circuitos retificadores, 98
Retificador de meia-onda/Retificador de onda-completalRetificador em ponte1
Dobrador de tenso
Filtros, 101
Filtro capacifivo/Filtro e m LIFiltro em IT
Reguladores e Tenso, 106
Diodos zener/Retificadores controlados
Circuitos com Diodos, 112
Limitadores/Grampeadores/VoltimetroscalDetectores
Sugestes para Leitura Complementar, 118
Exerccios, 118
5 DI S P OS ITI V OS S E M I C O N D ~ T O R E S120
,
Semicondutores, 121
Bandas de energialEltrons e, buracos/Semicondutores extrnsecos
Diodos Semicondutores, 124
A juno pn/O diodo tnel/Injeo de portadores minoritrios
Transistores de Juno, 130 /
Caractersticas de coletor/Ret$icador controlado de silciol0 transistor unijuno/Fabricao de transistores
Transistores de Efeito de Campo, 139
Caractersticas de dreno/A caracterstica de transferncialIGFET e MOSFET
Circuitos Integrados, 146
Princhios dos circuitos integrados/Processos de fabricao/Circuitos prticos
Sugestes para Leitura Complementar, 150
Exerccios, 150
6 AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS, 152
O Ponto de Operao, 153
Retas de carga/Polarizao/Parmetros incrernentais
Amplificadores com FET, 161
Seguidor de fonte/Voltimetro a FET/Amplificador com MOSFET
Amplificador com Transistor de Juno, 165
Circuitos de polarizao/Circuito equivalente TIParmetros hbridos
Circuitos com Transistor de Juno, 172
Emissor comumlBnse comum/Seguidor de emissor/Ampl$icador diferencial
Amplificadores Especiais, 180
Simetria complementar/Configurao DarlingtonlMOSFET em circuito integrado
Sugesto para Leitura Complementar, 183
Exerccios, 183
7 CIRCUITOS AMPLIFICADORES, 186
Amplificadores de Tenso, 187
CascatalGanho em baixa freqncialGanho em alta freqncialDesacoplamento
Amplificadores de Potncia, 194
Acoplamento por transformador/Ampl$icador simtrico{Circuitos especiais
Amplificadores Sintonizados, 202
Acoplamento sintonizado/Neutralizao
Amplificadores de Pulso, 206
Tempo de subida/Decaimento
CIRCUITOS DE CORRENTE CO N TI N UA
CONCEITOS INTRODUTRIOS
Corrente, tenso e resistncia
O movimento de cargas eltricas (por exemplo, os eltrons num material condutor)
constitui uma corrente eltrica. Especificamente, a corrente I a razo instantnea
com a qual a carga Q passa por um determinado ponto, ou seja,
Em virtude de a diferena de potencial ser frequentemente utilizada na anlise de circuitos eltricos, o trabalho por unidade de carga chamado de volt (V), em reconhecimento a um dos pioneiros da eletricidade: Alessandro Volta.
A resistncia ao movimento de cada eltron livre devido as mltiplas colises num
condutor depende de uma propriedade do material denominada resistividade, p . As
resistividades tpicas de vrios metais e ligas, a temperatura ambiente, so mostradas
na Tabela 1.1. Alm da resistividade, a forma do condutor importante, de modo que
Tabela 1 .I Resistividade de ligas e metais
Material
Alumnio
Bronze
Carvo
Constantan (Cu 60, Ni 40)
Cobre
Manganin (Cu 84, Mn 12, Ni 4)
Nicromo
Prata
Tungstnio
Resistividade
R.m
2,6
6
3,5 x
50
1,7
44
100
1,5
5,6
De acordo com essa expresso, a resistncia de um fio longo e fino maior do que a
de um outro, de mesmo material, porm curto e grosso.
A unidade de resistncia foi denominada ohm aps Georg Simon Ohrn ter descoberto a relao entre corrente, tenso e resistncia, a ser discutida na prxima seo.
O smbolo adotado para a resistncia de um condutor em ohms a letra grega
mega,
Em geral, mais conveniente descrever a capacidade de conduo de corrente em termos de recproco da resistncia: a condutncia, que medida em recproco de ohms: mho ou siemens.
Lei de Ohm
necessrio mais energia - e da maior diferena de potencial - para manter uma
grande corrente do que uma pequena corrente num mesmo condutor. A constante de
proporcionalidade entre corrente e diferena de potencial , justamente, a resistncia
do condutor, ou
Esta equao conhecida como a lei de Ohm. De acordo com ela, quando passa uma
corrente I em um condutor de resistncia R , uma diferena de potencial, ou tenso V,
deve aparecer entre os terminais do condutor. Esta relao fundamental em anlise
de circuitos e usada repetidamente nas sees subseqentes.
Lei de Joule
A energia cintica dos eltrons, resultante da acelerao pelo campo eltrico, dissipada nas colises inelsticas dentro do condutor e convertida em energia trmica. Em
conseqncia, a ternperatura do condutor aumenta ligeiramente, ficando evidente que
a potncia gasta com a passagem da corrente atravs da resistncia do condutor.
A potncia P que deve ser fornecida ao condutor dada por
onde as definies de diferena de potencial, Eq. (1.2), e corrente, Eq. (1 .1), j foram
dadas. Esta expresso pode ser escrita em termos de resistncia do condutor,
utilizando-se a lei de Ohm. O resultado,
ficou conhecido como lei de Joule, depois que Sir James Prescott Joule descobriu
experimentalmente que a taxa de desenvolvimento de calor numa resistncia proporcional ao quadrado da corrente.
De acordo com a lei de Joule, dissipada potncia eltrica num condutor sempre que por ele circule corrente. Esse efeito empregado nas lmpadas incandescentes, onde um filamento metlico aquecido, at o calor branco, pela corrente; e tambm nos fusveis, condutores que se fundem quando a corrente excede um valor predeterminado. Por outro lado, o tamanho dos fios, e conseqentemente sua resistncia,
selecionado de modo que a perda de potncia seja pequena e , o aumento de temperatura, desprezvel quando a corrente menor que o mximo permitido em projeto. O
ELEMENTOS DE CIRCUITO
Resistores
Um componente eltrico usado com muita freqncia em circuitos eletrnicos o
resistor, que o elemento de circuito com um valor de resistncia especificado. Os
valores de resistncia comumente encontrados abrangem uma faixa desde uns poucos
ohms a milhares de ohms, ou quiloohms (abreviadamente
e, at, milhes de ohms,
ou megohms (abreviadamente M a ) . As resistncias concentradas que os resistores
introduzem no circuito so grandes, comparadas com as dos fios e contatos. De
acordo com a lei de Ohm, aparece uma diferena de potencial nos terminais do resistor, como resultado da corrente neste, e no local do circuito onde o resistor est inserido. O smbolo convencional para um resistor num diagrama de circuito uma linha
em ziguezague, como est ilustrado na Fig. 1.1.
Alguns resistores so construdos com um longo e fino fio enrolado num suporte
isolante. Os valores de resistncia podem ser aumentados com a diminuio da rea da
seo reta do fio e com o aumento em seu comprimento, como mostra a Eq. (1.3), e,
ainda, pela escolha de fios com material de alta resistividade (v. a Tabela 1.1). Esses
resistores de fio empregam normalmente fios de liga metlica com resistividades relativamente independentes da temperatura. Os materiais tpicos so o manganin e o constantan. Os resistores de fio so usados onde se fizer necessrio dissipar bastante calor
por efeito Joule, de modo que a temperatura no resistor se eleve de maneira significante. Suas resistncias podem ser determinadas com preciso pela escolha apropriada
do comprimento do fio, de modo que os resistores de fio so tambm utilizados nas
aplicaes em que se desejem valores precisos de resistncia.
Os resistores de pelcula fina so fabricados com a deposio de um filme fino de
metal num suporte cilndrico isolante. Valores altos de resistncia so conseguidos
com a pequena espessura dessa camada. Em virtude da dificuldade em produzir pelculas uniformes, no possvel o controle to preciso da resistncia, como no caso dos
resistores de fio. Entretanto, os resistores de filme fino so isentos dos problemas dos
efeitos indutivos comuns as unidades de fio (Cap. 2), o que importante em altasfreqncias. Resistores de pelcula fina fabricados com materiais no metlicos, particularmente carvo granulado, so tambm comuns. O carvo, por si s, tem uma
resistividade muito alta, aumentada pelos pontos de contato entre os gros. De fato,
possvel conseguir to altas resistncias com grnulos de carvo que, em muitas situaes, absolutamente desnecessrio o emprego de filmes finos, e o elemento de resistncia um simples tarugo de gros de carvo comprimidos. Essas unidades so conhecidas como resistores de composio.
Tanto os resistores de composio quanto os de pelcula fina so providos de
isolamento e de terminais de fio para facilitar sua insero nos circuitos. E comum
colocar marcas coloridas para indicar o valor da resistncia de cada unidade, de
acordo com um cdigo de cores de resistores universal. E mais, o tamanho fsico do
resistor uma indicao aproximada da mxima potncia que a unidade capaz de
dissipar sem aumento aprecivel na temperatura, causada pelo efeito Joule. Assim, por
exemplo, as mximas potncias nos resistores so, normalmente, 1 W, 112 W e 114 W,
embora outros valores sejam tambm utilizados. So mostrados, na Fig. 1.2, exemplos
tpicos de resistores de pelcula fina e de composio.
Frequentemente necessrio variar a resistncia de um resistor enquanto conectado ao circuito. Esses resistores variveis empregam um cursor mecnico ou brao
que desliza sobre um elemento resistivo, selecionando, assim, a extenso do elemento
includo no circuito. Os elementos de resistncia, tanto nos resistores de fio quanto
nos de composio, so normalmente circulares, de modo que a posio do cursor
pode ser ajustada por meio de um eixo. Os smbolos de circuito para os resistores
variveis so de dois tipos, como se v na Fig. 1 . l , dependendo d a existncia de dois
ou de trs terminais para conexes externas. Se um resistor deste tipo apresenta dois
terminais, denominado reostato, ao passo que o de trs terminais conhecido como
potencimetro. Obviamente, um potencimetro, com seus terminais em cada extremidade e o terceiro terminal ligado ao cursor, pode ser empregado como reostato se um
dos terminais da extremidade no for utilizado.
Baterias
De conformidade com a lei de Joule, qualquer condutor dissipa energia eltrica quando
por ele circula corrente. Nos circuitos simples cc, a fonte dessa energia, que deve ser
fornecida para manter a corrente, amide urna bateria qumica. Outros tipos sero
vistos num captulo posterior. Numa bateria, a energia qumica convertida em eltrica e as reaes qumicas mantm uma diferena de potencial entre seus terminais,
haja ou no corrente. Esta diferena de potencial chamada de fora eletromotriz,
abreviada fem, de modo a distingui-la da diferena de potencial que aparece numa
resistncia, de acordo com a lei de Ohm. A medida que a bateria continua a fornecer a
energia necessria para manter a corrente no circuito, os elementos qumicos constituintes eventualmente se esgotam, e diz-se que a bateria est descarregada. Dependendo da natureza qumica e particular da bateria, pode ser possvel carreg-la, isto ,
restaurar sua composio qumica original, atravessando-a por uma corrente no sentido oposto ao da fem interna. O smbolo utilizado para representar uma bateria num
diagrama de circuitos (Fig. 1.3) consiste em uma linha curta e grossa em paralelo com
uma outra mais longa e fina. Supe-se sempre, salvo indicao em contrrio, que a
linha longa representa o terminal mais elevado, ou positivo, da fem. Como esta uma
diferena de potencial, sua unidade o volt.
A bateria de carvo-zinco a mais comum e menos dispendiosa fonte de energia
eltrica. Embora seja convencionalmente chamada de elemento ou clula seca, ela
consiste, de fato, e m uma mistura de cloreto de zinco, cloreto de amnia e dixido de
mangans (denominada eletrlito) existente entre um eletrodo de zinco e u m de carvo, que servem de terminais. O funcionamento de um elemento desse tipo explicado sucintamente a seguir. No eletrodo de zinco, os tomos deste material so dissolvidos na soluo como ons de zinco duplamente carregados. O eletrodo de zinco
torna-se carregado mais negativamente porque cada tomo dissolvido deixa dois eltrons. No eletrodo de carvo, os ons de amnia, reagindo com o dixido de mangans, retiram eltrons do carvo, que fica carregado positivamente. Se o eletrodo negativo de zinco for ligado externamente ao eletrodo positivo de carvo por meio de um
circuito, haver um fluxo de eltrons entre eles para completar a reao qumica.
imersos num eletrlito de cido sulfrico com densidade especfica de 1,3 aproximadamente. Durante a descarga, o dixido transformado em sulfato de chumbo, que
pouco solvel e adere a placa positiva. Esta reao retira eltrons do eletrodo,
carregando-o positivamente. No eletrodo negativo, os ons de sulfato da soluo produzem sulfato de chumbo e liberam eltrons. Novamente o sulfato adere ao eletrodo e,
durante a descarga, ambos os eletrodos so quase que inteiramente transformados em
sulfato de chumbo. A perda de ons de sulfato pela soluo, durante a descarga, reduz
a densidade especfica para cerca de 1,16, de modo que o estado da bateria pode ser
determinado atravs da medio da densidade do eletrlito.
Tais reaes so facilmente reversveis, e a entrada de corrente pelo terminal
positivo age no sentido de restabelecer a composio qumica original do eletrodo. A
carga requer uma fonte externa que fornea energia eltrica, aps o que a bateria pode,
outra vez, fornecer energia durante a descarga. Em conseqncia, uma bateria desse
tipo armazena energia eltrica na forma qumica. Alm disto, tendo resistncia interna
muito baixa, a bateria chumbo-cido capaz de fornecer correntes de vrias centenas
de ampres por curtos espaos de tempo. Um elemento completamente carregado tem
uma fem de cerca de 2,1 V, existindo, comercialmente, baterias de 6, 12 e 24 V. E
importante manter uma tal bateria, quando em repouso, completamente carregada, sob
pena de os eletrodos se transformarem lentamente num sulfato impossvel de ser regenerado pela corrente de carga. Neste caso, a capacidade energtica da bateria fica
reduzida.
A resistncia interna da bateria de mercrio, recentemente desenvolvida, no
muda de maneira aprecivel durante a descarga. Isto significa que a tenso nos terminais permanece essencialmente constante durante seu tempo de vida til. Ela decresce
Elemento da
bateria seca
C
10
20
30
40
50
Fig. 1.5 Curva de descarga de um elemento carvo-zinco comparada com a da bateria de mercrio.
abruptamente quando a bateria est esgotada, como ilustrado na Fig. 1.5. A tenso
constante, caracterstica das baterias de mercrio, importante nas aplicaes eletrnicas, nas quais a operao correta do circuito depende, de modo crtico, da tenso da
bateria. Tais situaes no so incomuns nos circuitos transistorizados e valvulares
Alm disso, a caracterstica tenso constante significa que a bateria de mercrio pode
ser usada como padro de tenso em circuitos de medidas eltricas. Essa bateria tem
um eletrodo de amlgama de zinco e outro de xido de mercrio e carvo. Neles, as
reaes qumicas so um tanto semelhantes as da clula seca, e a diferena de potencial nos terminais de 1,35 V.
Tipos mais recentes incluem as baterias alcalinas e as de nquel-cdmio. A alcalina , quimicamente, bastante parecida com a bateria seca, mas tem um eletrlito
bsico muito forte. Isto, juntamente com uma estrutura modificada do eletrodo, diminui a resistncia interna, aumenta a capacidade energtica e a vida til. A de nquelcdmio pode ser recarregada repetidas vezes, como a de acumuladores, mas completamente selada, uma vez que o movimento do gs durante a carga atua como mecanismo auto-regulador, a fim de evitar o aparecimento de uma grande presso pelo
prprio gs. Esta caracterstica e o fato de no necessitar de eletrlito lquido compensam seu custo elevado. Baterias modernas tpicas so mostradas na Fig. 1.6.
CIRCUITOS SIMPLES
Circuitos em srie
Se vrios componentes eltricos, como os resistores, so conectados de forma que a
corrente seja a mesma em cada um, diz-se que eles formam um circuito em srie.
Consideremos o circuito em srie simples, constitudo pela bateria e pelos trs resistores, ilustrado na Fig. 1 . 7 ~A. corrente I' provoca uma diferena de potencial em cada
resistor, dada pela lei de Ohm; isto ,
A Eq. (1.8) constitui um exemplo simples de um princpio utilizado em circuitos eletrnicos e que ser considerado em maiores detalhes na prxima seo. Esta equao
mostra que a soma algbrica das diferenas de potencial em torno de qualquer circuito
completo igual a zero. Observe a distino de polaridade entre a diferena de potencial nos terminais de um resistor e a fem da fonte: o sentido da corrente para dentro
do terminal positivo da resistncia e para fora do terminal positivo da fonte. Alm
disto, como a tenso diminui no sentido da corrente atravs da resistncia, a diferena
de potencial geralmente chamada de queda de tenso RI no resistor.
Se as quedas de tenso da Fig. (1.7)forem substitudas na Eq. (1.8),o resultado
= IR,
Circuitos em paralelo
Uma outra maneira de ligar componentes eltricos, como os resistores, mostrada na
Fig. 1.9. Aqui, a diferena de potencial em cada resistor a mesma; esta forma de
conexo denominada de circuito ern paralelo. A corrente em cada resistor dada
pela lei de Ohm, e
Agora, a fim de determinar a resistncia equivalente aos resistores em paralelo, definimos R,,, usando a lei de Ohm, como
V = IR,,
(1.14)
De modo que
Redes
As conexes em rede de resistncias em srie e em paralelo podem ser analisadas com
a sucessiva aplicao das Eqs. (1.10) e (1.16). Consideremos, por exemplo, o circuito
da Fig. 1.10~1,com os valores de resistncia indicados no diagrama de circuito. A
combinao em paralelo de R, e R,, cada uma com 10 R , pode ser substituda por um
resistor de 5 a,
desde que, de acordo com a Eq. (1.16),
Em conseqncia, o circuito fica reduzido ao que mostrado na Fig. 1.10b. Em seguida, a combinao de R,, com R, (= 10 R ) , pela Eq. (1.10),
R,,= R,,
+ R4 = 5 + 10 = 15 C?
(1.18)
e o circuito completo da Fig. 1 . 1 0 ~pode, ento, ser substitudo pelo seu equivalente
mais simples da Fig. 1.10e, onde R, representa a resistncia total do circuito. A corrente na bateria , por conseguinte,
13
Suponhamos que se deseje determinar a corrente I, em R,. Isto conseguido, primeiro,calculando-se a diferena de potencial V, entre os pontos b e c do diagrama de
circuito. A queda de tenso atravs de R, IR, = 2 x 5 = 10V; o mesmo valor existe
em R,. De acordo com a Eq. (1.7).
Ento,
A corrente em R, , em conseqncia,
ANALISE DE CIRCUITOS
Leis de Kirchhoff
No possvel reduzir muitos dos importantes circuitos eletrnicos a simples
combinaes srie-paralelas, de modo que se torna necessrio usar mtodos analticos
mais poderosos. Duas extenses simples das Eqs. (1.8) e (1.12), conhecidas como leis
de Kirchhoff, so bastante teis neste caso. Consideremos inicialmente o circuito paralelo da Fig. 1.9, redesenhado na Fig. 1.11, para ilustrar a idia de interseo de ramos,
ou n, de um circuito. Um n o ponto no qual trs (ou mais) condutores se juntam.
A primeira lei de Kirchhoff diz que a soma algbrica das correntes em qualquer n
zero. Simbolicamente,
Um lao qualquer caminho fechado, como abcda na Fig. 1 .lOal. Outros exemplos de
laos no mesmo circuito so befgcb e daefgd. A Equao (1.26) conseqncia da
conservao da energia.
Quando se aplicam as leis de Kirchhoff a qualquer circuito, o primeiro passo
assinalar um sentido arbitrrio de corrente em cada resistncia. A polaridade da tenso
em cada resistor marcada, ento, no diagrama de circuito, usando-se a conveno j
citada de que a corrente entra pelo terminal positivo da resistncia. As polaridades das
'N. T. - Se o circuito for planar, o lao pode ser chamado de malha, desde que no contenha outro lao em
seu interior. (Se for possvel desenhar o diagrama de circuito numa superfcie plana, sem que haja cruzamento
de ramos, diz-se que ele planar.)
A Eq. (1.28) , claramente, o negativo da Eq. (1.27) e, por conseguinte, as duas relaes no so independentes. Ambas podem ser utilizadas para a soluo do circuito.
Consideremos agora a malhaabef. De acordo com a Eq. (1.26),
V+12R2=0
Fig. 1.12
Esta no uma relao independente, como pode ser mostrado subtraindo-se a Eq.
(1.29) da 11.30). O resultado a Eq. (1.31). Em vista disso, estas trs equaes de lao
no so independentes e quaisquer das duas podem ser usadas para resolver o circuito.
A escolha das Eqs. (1.27), (1.29) e (1.31), como as trs independentes, soluciona o
problema. A resoluo conseguida iniciando-se com a Eq. (1.29) para se obter I,:
A corrente I , ento,
De acordo com o sinal menos na Eq. (1.38), esta corrente est de fato no sentido
contrrio ao pressuposto na Fig. 1.12. Similarmente, a queda de tenso em R, tem
polaridade oposta a mostrada no diagrama de circuito.
Circuitos mais complicados requerem mais de trs equaes, e normalmente convm empregar o mtodo dos determinantes para resolver o conjunto de equaes simultneas. Esta tcnica, ilustrada na seo seguinte, oferece a considervel vantagem
de possibilitar obter a soluo apenas das correntes de interesse. Com freqncia,
somente uma ou duas das correntes num circuito so de interesse direto e, neste caso,
a soluo completa suprflua.
Ponte de Wheatstone
Nesta seo, usaremos as leis de Kirchhoff para analisar o circuito em ponte de
Wheatstone ilustrado na Fig. 1.13. Este circuito extremamente til foi desenvolvido,
em 1843, por Charles Wheatstone e amplamente usado em instrumentos eltricos
para a determinao dos valores de resistncias desconhecidas. O seu modo de emprego pode ser compreendido atravs da anlise do circuito. Aplicando-se a lei de
Kirchhoff aos ns a , b e d ,
Observe com cuidado as polaridades indicadas para as vrias quedas de tenso RI, ao
se percorrer cada lao. Uma vez que h seis correntes desconhecidas, so necessrias
6 - 4 + 1 = 3 equaes de malha, sendo redundantes quaisquer outras.
As Eqs. (1.39) e (1.40) formam um sistema de'seis equaes a seis incgnitas.
Assim, para se aplicar o mtodo dos determinantes a essas equaes, necessrio
resolver dois de sexta ordem para se determinar cada corrente. A soluo completa
envolve sete determinantes dessa ordem. Embora a resoluo de determinantes de
sexta ordem seja correta e existam mtodos comuns para a reduo de ordem antes do
resultado final, a soluo completa fica bastante trabalhosa. Por isso, ainda que a
princpio a resoluo do conjunto das Eqs. (1.39) e (1.40) seja correta, til procurar
mtodos alternativos.
A anlise de circuitos complexos pode, geralmente, ser simplificada com o uso
das correntes de malha. Esta tcnica ficou conhecida como mtodo de Maxwell, depois que James Clerk Maxwell aplicou, com efeito, simultaneamente, ambas as leis de
Kirchhoff, reduzindo, em conseqncia, o nmero de equaes simultneas necessrias. As correntes de malha so desenhadas em torno de qualquer delas, como as trs
ilustradas para o caso da ponte de Wheatstone na Fig. 1.14. Em seguida, as polaridades das quedas de tenso so indicadas de acordo com as direes das correntes, e
escrevem-se as equaes das tenses. Assim, em relao a Fig. 1.14,
R 3 ( I c - I,)
+ &(Ic
I,)
=O
Observe novamente, aqui, as polaridades das quedas de tenso e os sentidos das correntes. Rearranjando,
A soluo das Eqs. (1.42) para qualquer corrente, digamos, I,, usando-se determinantes encontrada formando-se uma relao, na qual o denominador o determinante dos coeficientes das correntes e o numerador um determinante similar, com os
coeficientes da corrente incgnita substitudos pelo membro direito da equao. Isto ,
a resoluo para I ,
Agora, a corrente em R,, que, na Fig. 1.14, est indicada como 15,
19
Circuito potenciomtrico
Uma maneira mais precisa de comparar duas diferenas de potencial a que utiliza o
circuito potenciomtrico, cuja verso simples est ilustrada na Fig. 1.15. Um potencimetrol de preciso ligado em srie com uma resistncia varivel e uma bateria. O
cursor do resistor de preciso conectado a um terminal externo, atravs de um medidor de corrente, sendo um dos seus terminais ligado ao outro terminal de sada.
Suponhamos que um valor especfico de corrente I = V / ( R + R J selecionado,
ajustando-se o resistor varivel R,. Assim, o potencial V' do cursor em R , simplesmente, IR', sendo R' a resistncia entre o terminal e o cursor do potencimetro. Como
I e R so conhecidas, a posio do cursor pode ser calibrada, em termos da diferena
de 'potencial, em volts. Se uma tenso desconhecida (por exemplo, uma bateria) for
ligada aos terminais de sada e o cursor ajustado de modo a ser zero a corrente indicada no medidor M, o valor dessa tenso e igual a IR'.
O potencimetro um dispositivo de medida por comparao que determina o
valor de uma diferena de potencial desconhecida em termos da tenso de uma
bateria-padro. Para saber como isto acontece, observe o circuito prtico da Fig. 1.16.
V, a fem de uma bateria-padro, a qual pode ser de mercrio ou, mais usualmente,
uma clula de Weston, que uma bateria especial de fem extremamente estvel. Su-
'N. T.: Potencimetro significa tanto o resistor varivel com um cursor central, e que pode servir como divisor
de tenso, quanto o instrumento para medir diferenas de potencial descrito nesta seo.
ponha, agora, que R, seja ajustada at que o medidor M , indique corrente nula. Isto
significa que
Neste circuito, a resistncia varivel de preciso composta de nove resistores idnticos em srie, de valor R , e uma resistncia varivel R'. A corrente no circuito de
sada, indicada por M,, ajustada em zero, com a fonte de tenso desconhecida V,
conectada aos terminais. Isto conseguido com a seleo adequada da posio d a
chave e do cursor. Quando a corrente em M , nula,
Tenso
desconhecida
I1
+
---r-'
Ajuste
v,
Tenso desconhecida
21
CIRCUITOS EQUIVALENTES
Teorema de Thvenin
Muitas vezes a anlise de circuitos eletrnicos fica facilitada com a substituio total
ou parcial destes circuitos por outro equivalente que, para certos propsitos, tem as
mesmas caractersticas do original. Um exemplo dessa possibilidade j foi abordado
em conexo com a combinao em srie e em paralelo de resistores. Assim, um circuito inteiro de resistncias foi substitudo por uma simples resistncia equivalente, a
fim de possibilitar o clculo da corrente. Em outras situaes, particularmente quando
se trata de circuitos transistorizados ou valvulares, os circuitos equivalentes podem ser
utilizados para representar o comportamento dos dispositivos eletrnicos.
a
Circuito
Observe tambm que R,, igual a resistncia de carga quando a queda de tenso
nesta metade de V,,. Isto se torna til nas situaes em que a corrente de curtocircuito no pode ser determinada facilmente. A forma do circuito equivalente Thvenin (Fig. 1.17b) tambm mostra que R,, a resistncia vista dos terminais de sada do
circuito, quando se considera V,, substituda por um curto-circuito. Esta maneira analtica de determinao de R,, til quando a configurao do circuito conhecida, uma
vez que, usualmente, envolve apenas simples redues de circuito. O emprego de um
ou outro desses mtodos de determinao da fem e da resistncia interna equivalentes
depende apenas da maior facilidade que possam apresentar em cada situao particular.
Consideremos, por exemplo, o equivalente Thvenin do circuito simples da Fig.
1.18. A fem equivalente
Fig. 1.18
Substituindo a bateria por um curto-circuito, a resistncia vista dos terminais o paralelo de R, e R,. Desta forma,
O membro da direita da Eq. (1.52) pode ser encontrado atravs da anlise direta da
Fig. 1.18.
Para ilustrar a fora do mtodo do circuito equivalente, consideremos o circuito
em ponte de Wheatstone da Fig. 1.19~.A corrente em R, analisada substituindo-se o
restante do circuito pelo seu equivalente Thvenin. Em seguida, a substituio da bateria por um curto-circuito pe R, em paralelo com R , e , esta combinao, em srie
com o paralelo de R, e R,, quando se olha dos terminais de sada, como ilustra a Fig.
1.196. Em conseqncia, R,, no circuito equivalente da Fig. 1.19~
23
A tenso de circuito-aberto nos terminais de sada simplesmente a diferena de potencial entre a juno de R, com R, e a juno de R, com R,. Esta diferena de
potencial encontrada subtraindo-se a queda de tenso em R, da queda em R,. Por
conseguinte, a fonte de tenso equivalente
Fig. 1.19 ( a ) Circuito em ponte de Wheatstone convencional; ( 6 ) aps a substituio da fonte por
um curto-circuitoa fim de se calcular R,,; ( c ) o equivalente Thvenin.
A facilidade e a rapidez com que este resultado foi obtido poderiam ser comparadas as
que so necessrias quando se aplicam as leis de Kirchhoff. Observe que a condio
de balanceamento [Eq. (1.46)] segue-se imediatamente das Eqs. (1.54) e (1.55), uma
vez que 1, = O, em equilbrio.
Teorema de Norton
\----
Uma segunda forma de circuito equivalente, til nas situaes em que as fontes de
corrente apresentam maior interesse que as de tenso, como, por exemplo, nos circuitos transistorizados, aquela dada pelo teorema de Norton. Este teorema estabelece
que qualquer circuito composto de baterias e resistores e que tenha um par de terminais de sada pode ser substitudo pela combinao em paralelo de uma fonte de corrente I,, e uma resistncia R,,. A fonte de corrente I,, a corrente de curto-circuito
nos terminais de sada, enquanto a resistncia R,, a mesma do teorema de Thvenin.
O circuito equivalente Norton mostrado na Fig. 1.20, onde o tringulo repre-
senta a fonte de corrente I,,. Nenhum componente eltrico simples atua como fonte de
corrente do modo como uma bateria atua como fonte de tenso. No obstante, a idia
de fonte de corrente , conceitualmente, muito til em anlise de circuitos.
J que possvel representar qualquer circuito tanto pelo equivalente Thvenin
quanto pelo Norton, deve ser possvel a converso de um circuito equivalente para o
outro. Com referncia as Figs. 1 . 2 1 ~e b, a corrente de curto-circuito na carga V,,/
R,, no equivalente Thvenin, e igual a I,, no Norton. Para que ambos os equivalentes representem o mesmo circuito, deve ser verdade que
Ento, simples a converso de um equivalente no outro. Representar um dado circuito por um outro equivalente questo; apenas, de escolha e convenincia.
Fig. 1.21 Relao entre os circuitos (a) equivalente Thvenin(b) equivalente Norton.
vel obter a mxima transferncia de potncia. Suponhamos que o circuito seja representado por seu equivalente Thvenin, mostrado na Fig. 1.22, e que a carga conectada
aos terminais de sada seja representada pela resistncia R,. Os ndices da fonte de
tenso e resistncia equivalentes foram eliminados por convenincia.
Segundo a lei de Joule, a potncia entregue a resistncia de carga
De acordo com a Eq. (1.55), a potncia na carga zero se a resistncia de carga for
muito pequena ou muito grande. Ento, deve haver uma resistncia de carga tima
para a qual a potncia em RLseja mxima.
Para se encontrar a condio de mxima transferncia de potncia, deriva-se a
Eq. (1.57) em relao a RLe iguala-se o resultado a zero,
de modo que
Isto significa que a mxima potncia entregue a carga quando a resistncia de carga
igual resistncia interna do circuito que est fornecendo a potncia. Quando isto
acontece, diz-se que a carga est casada ao circuito.
Como o circuito equivalente da Fig. 1.22 representa qualquer circuito, a resistncia aplicvel igualmente a todos eles. O emprego do conceito de circuito equivalente
tornou possvel, ento, provar esse resultado genrico com bastante facilidade.
Fig. 1.22 Circuito equivalente Thvenin usado para verificao da mxima potncia transferida a
resistnciade carga R,.
MEDIDAS ELTRICAS
O medidor de D'Arsonval
O dispositivo mais comum empregado nos instrumentos de medidas eltricas atravs
de corrente o medidor de dlArsonval, nome tomado ao seu inventor. Uma bobina
multiespiras, feita de um fio enrolado em torno de um quadro de alumnio, centrada
sobre um eixo entre os plos de um m permanente em forma de ferradura (Fig. 1.23).
Duas finas molas espirais servem para posicionar a bobina e para conduzir a corrente a
ser medida. Um ponteiro preso a bobina indica, numa escala, a intensidade da corrente
a medida que a bobina gira em resposta h interao entre a corrente que nela atua e o
campo magntico do m. Um pedao de ferro magneticamente mole fixado entre os
plos do m, de modo a movimentar a bobina em sentido ortogonal a um campo
direcionado radialmente.
Com essa construo, a deflexo do ponteiro diretamente proporcional a cor-
Molas de suspenso
Ampermetros e voltmetros
O medidor de d'Arsonval um dispositivo sensvel corrente ou amperrnetro. Quase
sempre, preciso alterar a corrente necessria para deflexo plena, de modo a aumentar a faixa de corrente para a qual o medidor til. Consegue-se isto pelo desvio de
parte da corrente do medidor atravs de uma resistncia em paralelo, como ilustrado
na Fig. 1.24. Observe que a resistncia interna da bobina do ampermetro, R,, est
explicitamente indicada. Segundo as leis de Kirchhoff, I = I , + I, e I, R, = I,R,, de
modo que a corrente a ser determinada
27
usando-se um ampermetro com resistncia interna R,. Conectando-se este ampermetro ao circuito, a corrente
R + R,, a corrente indicada pelo medidor ser diferente da corA menos que R ,
rente verdadeira. Por esta razo sempre prefervel que a resistncia interna de um
ampermetro seja pequena. Por outro lado, quando a resistncia interna no for comparvel as do circuito, possvel corrigir a influncia perturbadora da existncia do
medidor e , ento, determinar a verdadeira corrente.
Como a deflexo a plena escala de um ampenmetro pode ser atribuda a tenso V,
= R, I atravs da sua resistncia R,, um medidor de d'Arsonval tambm um voltmetro. Aqui, pode ser igualmente til alterar a faixa de qualquer voltmetro
introduzindo-se uma resistncia em srie com o medidor. Com referncia ao circuito
da Fig. 1.26, a tenso a ser medida
V = I,(R,
+ R,)
sendo bvio que a resistncia R, em srie aumenta a tenso mxima de fundo de escala
do medidor. Na prtica, costuma-se colocar vrias resistncias multiplicadoras em
srie, a fim de permitir a utilizao do medidor numa larga faixa de tenso.
Deve-se considerar o efeito da ligao do voltmetro ao circuito da mesma forma
que no caso do ampermetro. Isto ocorre por requerer o voltmetro uma pequena cor-
Fg,. 1.26
sene.
rente para defletir o ponteiro, devendo esta ser fornecida pelo circuito. Se a corrente
do medidor no for desprezvel em comparao com as correntes normais no circuito,
diz-se que o voltmetro est carregando o circuito, e deve-se corrigir a leitura indicada
pelo medidor a fim de se determinar a verdadeira tenso existente sem a influncia
perturbadora do medidor.
Os sensveis medidores de dlArsonval so teis como voltmetros, pois necessitam apenas de correntes muito pequenas para deflexo a plena escala. Costuma-se
especificar a sensibilidade de um voltmetro, em funo da resistncia interna para a
tenso de fundo de escala, em unidades de ohms por volt. Observe que, segundo a Eq.
(1.63), a razo entre R, + R, e a tenso necessria para deflexo plena simplesmente
a sensibilidade de corrente do medidor, e, em conseqncia, as duas especificaes se
equivalem. Por exemplo, um voltmetro que use um medidor de d'Arsonva1 com sensibilidade de 1 mA especificado como tendo 1/10-3 = 1000 RlV. Isto significa que o
voltmetro possui uma resistncia interna de 100 000 R na escala de 100 V, etc. Da
mesma forma, um voltmetro de 20 000 R/V (empregando um medidor de 50 pA) tem
uma resistncia de 2 megohms (Ma) na escala de 100 V.
Uma tcnica conveniente para determinar a resistncia de qualquer parte do circuito medir a corrente e a tenso e aplicar a lei de Ohm. Ha dois modos distintos de
conectar o medidor neste mtodo voltmetro-ampermetro (Figs. 1.27 a e b). A escolha
entre as duas opes depende dos valores relativos entre as resistncias dos medidores
e as do circuito, como pode ser mostrado a seguir. Consideremos, inicialmente, o
circuito da Fig. 1 . 2 7 ~Das
. leis de Kirchhoff,
que mostra ser a resistncia real menor que a razo VIA indicada.
De modo anlogo a corrente A, no circuito da Fig. 1.27b, divide-se entre RV e R , e
assim
Fig. 1.27 Dois modos de conectar o voltmetro e o ampenmetro para medida da resistnciaR.
De acordo com as Eqs. (1.65) e (1.67), o primeiro circuito mostra-se mais til quando a
resistncia do ampermetro pequena comparada com a desconhecida (ou com VIA),
enquanto o segundo se aplica quando a resistncia do voltmetro grande, se comparada a desconhecida. Em ambos os casos, a resistncia a determinar dada, simplesmente, pela razo VIA.
Ohmmetros e multmetros
Numa extenso simples, a configurao d o circuito anterior pode ser usada como ohmmetro, no qual a escala do medidor calibrada diretamente em ohms. No circuito
tpico da Fig. 1.28, o mesmo medidor utilizado sucessivamente para medir, a princpio, a tenso sobre o resistor desconhecido e , a seguir, a corrente neste resistor. O
modo pelo qual a escala calibrada em ohms pode ser compreendido atravs da seguinte anlise. Primeiramente, suponha que os terminais a e b d a Fig. 1.28 (os quais
so em geral conectados a pontas de prova para facilitar a ligao do ohmmetro ao
resistor desconhecido) sejam curto-circuitados. O voltmetro medir, ento, a tenso V
da bateria.
Em seguida, as pontas de prova so conectadas a resistncia que se pretende
conhecer. Se a tenso medida sobre R, for V R ,pela lei de Ohm
De acordo com a Eq. (1.69), a resistncia pode ser calculada diretamente das duas
leituras, mas mais til calibrar a escala diretamente em ohm do modo a seguir.
/Ajuste
de zero ohm
,.
R,
Pontas de prova
R"
+I,-
1'
Entrada
31
A. M. P. Brookes: "Basic Electric Circuits," The Macmillan Company, New York, 1963.
Leigh Page and Norman Ilsley Adams: " Principles of Electricity," D. Van Nostrand Company, Inc.,
Princeton, N.J., 1931.
M. E. Van Valkenburg: " Network Analysis," Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1955.
e 100 m de comprimento, calcule a corrente, a potncia entregue a carga, a potncia perdida nos
fios e a queda de tenso no resistor de carga.
Resp.: 1,07A; 5,7 W; 4,9 W; 5,4 V
1.5 Projete um divisor de tenso (Fig. 1.8) no qual sejam possveis tenses de sada de 1,0, 2,0,
5,O e 10,O V, se a bateria tem 10 V de tenso e no h corrente nos terminais de sada.
1.6 Quantos resistores idnticos de 1 W, e de que valor de resistncia, so necessrios para
formar um resistor equivalente de 1000 R 10 W? Obtenha duas solues diferentes.
Resp.: Dez resistores de 10 KR em paralelo; 10 resistores de 2,5 KR numa combinao
srie-paralela.
1.7 Determine a corrente em cada resistor da Fig. 1 . 1 0 ~ Verifique
.
que a perda total PR nos
resistores igual potncia fornecida pela bateria.
Resp.: 2 A e m R , e R g ; 1 A e m R , e R , l : 0 . 5 A e m R 5 e R ,
1.8 Determine a corrente total fornecida pela bateria na Fig. 1.30, se R, = 2CL, R, = 5 CL, R, =
2 R , R , = 5 N . R i = 1 0 n e V = IOV.
Resp.: 2,18 A
Fig. 1.30
1.9 Determine a resistncia do circuito da Fig. 1.31 vista dos terminais de entrada. Que tenso
aplicada entrada ocasiona uma corrente de 1 A no resistor de 4 CL?
Resp.: 8 R; 72 V
Entrada
(6
'
I Y V G - - I M , I - , I
2
Salda
O
Fig. 1.31
1.10 Com o auxlio das leis de Kirchhoff, determine a corrente no resistor de 4 R do circuito da
Fig. 1.32.
Resp.: 0,12 A
Fig. 1.32
f l
+,5V
Fig. 1.33
1.12 Observe que, com a ponte de Wheatstone (Fig. 1.13) balanceada, I, = O. Usando esta condio, compare as quedas de tenso nos braos da ponte e, em conseqncia, determine a condio de equilibrio, Eq. (1.46).
1.13 Resolva o circuito em ponte de Wheatstone da Fig. 1.14, desenhando as correntes de lao
de modo a haver somente uma corrente em R,. Use a expresso para esta corrente a fim de
determinar a condio de equilbrio.
1.14 No circuito em ponte de Wheatstone da Fig. 1.13, faa R, = R, = 100 a , R, = 100 a,V =
12 V e R, um resistor varivel calibrado. Faa um grfico da tenso no detetor, R, = 100 a, em
funo de R,, na regio prxima do balanceamento. Repita o procedimento para R, = R, =
1000 n. Que configurao mais sensvel?
Resp.: A primeira
1.15 Valores experimentais da corrente de carga e da tenso nos terminais do circuito desconhecido da Fig. 1.34 esto relacionados na Tabela 1.2. Determine o circuito equivalente Thvenin a
partir desses dados, se um voltmetro de 1000 O/V foi usado na escala de I V. Faa o grfico da
potncia VI na carga e da resistncia medida V/[, em funo de V, e compare a resistncia de
carga correspondente ao ponto de mxima potncia com R,,.
Resp.: 67 0 , 0 , 5 V, 65 0 , 5 5 Q
Tabela 1.2
I , - mA
O (R, = w)
1,o
2,o
3,O
48
5,O
6,O
6,4 (R, = O)
V, volts
1.16 Projete uma derivao Ayrton como a da Fig. 1.35 para um medidor de 50 y A com resistncia interna de 1000 R , se as faixas desejadas de corrente so 10 mA, 100 mA, 1 A e 10 A.
Resp.: 4,523 R ; 0,4523 R; 4,523 x 10-2 R; 5,025 x 10-3 Cl
Entrada
Fig. 1.35
CORRENTES ALTERNADAS
As correntes e tenses, na maioria dos circuitos eletrnicos prticos, no so constantes, mas variam com o tempo. Por exemplo, quando u m circuito usado para medir
alguina quantidade fsica, como a temperatura de uma reao qumica, a tenso ou
corrente que a representa pode variar de maneira significativa. Da mesma forma, a
deteco de desintegraes nucleares resulta numa srie de pulsos de tenso rpidos e
de durao muito pequena. Para se compreender esses efeitos, torna-se necessrio o
estudo das propriedades das correntes variantes no tempo.
A corrente variante no tempo mais simples alterna o sentido periodicamente,
sendo, por isso, denominada corrente alternada, abreviadumente ca. Obviamente u m
circuito ca caracterizado pela presenga de correntes ativas alternadas, podendo,
no obstante, existir tambm c.orrente.s contnuas. Em sua maior parte, os conceitos
desenvolvidos para circuitos cc no captulo anterior so vlidos para circuitos ca.
Doi5 novos elementos, alm da resistncia, mostram-se importantes nestes circuitos, e
so abordados no presente captulo.
SINAIS SENOIDAIS
Freqncia, amplitude e fase
A mais simples forma de onda alternada a tenso ou corrente senoidal, que varia
senoidalmente no tempo. Esta forma de onda gerada pela variao da componente
vertical de um vetor que gira no sentido anti-horrio com velocidade angular w, como
ilustrado na Fig. 2.1. Cada revoluo completa denominada ciclo, e o intervalo de
tempo necessrio a um ciclo o perodo T. O nmero de ciclos por segundo a
freqncia f , que o inverso do perodo. As freqncias encontradas em circuitos
eletrnicos atingem valores to pequenos quanto poucos ciclos por segundo, que so
chamados de herts (abreviadamente Hz) em homenagem a Heinrich Hertz, descobridor das ondas de rdi0.A faixa de frequncia estende-se at quilohertz (kHz, 103 Hz) e
megahertz (MHz, 106 Hz), subindo a gigahertz (GHz, 109 Hz).
Como h 2.rr radianos numa revoluo completa, que requer T segundos, a freqncia angular o 2z-f. Se o comprimento do vetor rotativo for V,, o valor instantneo em qualquer tempo t ser V , sen o t , onde V, a amplitude mxima ou de pico da
onda senoidal.
Os sinais senoidais de mesma frequncia mas que passam pelo zero em instantes
diferentes so ditos defasados, e o ngulo entre os dois vetores rotativos denominado ngulo de fase. Na Fig 2.2, a tenso v, est adiantada em relao tenso
senoidal v, porque passa primeiro pelo zero, e a diferena de fase o ngulo 4. Note
que s possvel especificar o ngulo de fase entre dois sinais senoidais se ambos tm
Fig. 2.1 Gerao da onda senoidal pela componente vertical do vetor rotativo.
Fig. 2.2 Ilustrao do ngulo de fase (defasagem) entre duas tenses senoidais.
CORRENTES ALTERNADAS
37
a mesma freqncia. Uma tenso senoidal fica completamente descrita por sua freqncia e amplitude, a menos que seja comparada com outro sinal de mesma freqncia. Neste caso, deve-se usar uma equao mais geral para a tenso, incluindo O ngulo de fase.
u=
6 sen ( o t + 4 )
(2.1)
Observe que so utilizadas letras minsculas para indicar as tenses (e correntes) variantes no tempo, enquanto as letras maisculas se referem a valores constantes ou a
quantidades cc.
Valor eficaz
Frequentemente se necessita comparar a amplitude de uma corrente senoidal com a de
uma contnua. Isto feito comparando-se a dissipao por efeito Joule provocada
pelas duas correntes num resistor; isto , o valor eficaz de uma corrente senoidal
igual a corrente contnua que produz a mesma dissipao da corrente alternada. Para
determinar este valor, o efeito do aquecimento de uma corrente alternada calculado
pela mdia das perdas RP num perodo completo; ou seja, a potncia mdia dada por
Como a potncia dissipada num resistor, devida a uma corrente contnua, RI2, O
valor eficaz I, da corrente alternada , simplesmente,
Fator de potncia
Suponhamos que a tenso e a corrente em alguma parte de um circuito sejam dadas
Por
onde o ngulo de fase foi introduzido para levar em conta a possibilidade de os sinais
no estarem em fase. A potncia instantnea p , ento,
+ q5)
(2.6)
De acordo com a Eq. (2.6), a potncia instantnea nessa parte do circuito varia com o
tempo e pode, at, tornar-se negativa, como mostram as formas de onda da Fig. 2.3. A
interpretao de potncia negativa na Eq. (2.6) que, durante um trecho do ciclo, essa
parte fornece potncia ao resto do circuito. Durante o restante do ciclo o circuito
que fornece potncia a essa parte que est sendo observada.
A potncia mdia determinada tirando-se a mdia da Eq. (2.6) num perodo
completo
Expandindo-se o fator dentro da segunda integral, com auxlio das identidades trigonomtricas,
P = -VP I P cos 4
2
P = VI cos
(2.10)
disso, possvel haver correntes e tenses grandes e, em conseqncia, potncia instantnea elevada, ainda que a potncia mdia seja zero. Por outro lado, quando corrente e tenso esto em fase, o fator de potncia unitrio e a potncia igual a
corrente vezes tenso, como num circuito cc.
CORRENTES ALTERNADAS
39
Reatncia capacitiva
Imagine duas placas metlicas paralelas separadas por um estreito intervalo e conectadas aos terminais de uma bateria. A diferena de potencial da bateria aparece entre as
placas, e a carga eltrica positiva da placa ligada ao terminal positivo atrada para a
carga negativa da placa ligada ao terminal negativo da bateria. A capacidade das duas
placas em manter carga eltrica proporcional a tenso, tal que
i= C
d
(V, sen o t ) = oCV, cos wt = wCVp sen
dt
capacitores
Os elementos de circuito que tm valores especificados de capacitncia so conhecidos por capacitores. A maioria dos capacitores usados em circuitos eletrnicos consiste em duas placas condutoras separadas por um pequeno intervalo, no qual pode
existir apenas ar ou uma fina camada de material isolante. A capacitncia desses capacitares de placas paralelas aumentada quando se faz a rea das placas grande ou, a
separao entre elas, pequena. A unidade de capacitncia o farad, em homenagem a
Michael Faraday. Na prtica, os valores dos capacitores utilizados nos circuitos eletrnicos variam de 10V farads (1 rnicrofarad, abreviado pF) at 10-'2 farads (1 picofarad, abreviado pF).
Acontece que o material isolante entre as placas aumenta a capacitncia do componente, porque o isolador, com efeito, permite uma carga maior nas placas para uma
mesma tenso aplicada. O aumento da capacitncia explicado pela constante dieltrica do isolador. Por exemplo, a constante dieltrica da mica cerca de 6 e , a do
papel, aproximadamente 2, de modo que as capacitncias dos capacitores fabricados
com estes materiais so maiores, pelos fatores de 6 e 2, respectivamente, do que um
capacitor de placas paralelas com ar entre elas.
Os capacitores convencionais so feitos de duas folhas metlicas delgadas separadas por um fino isolador ou dieltrico, como o papel e a mica. Este "sanduche"
ento enrolado ou dobrado, compactamente, e coberto com isolante. Um terminal
axial de fio ligado a cada folha. A fim de aumentar a capacitncia, o isolador deve ser
to fino quanto possvel. Isto s pode ser obtido as expensas do limite mximo da
tenso que pode ser aplicada antes da ruptura do isolador pelo intenso campo eltrico.
Outro importante fator a resistividade do isolador. Sua forma fina e de larga superfcie aumenta a corrente de fuga entre as placas, degradando, por isso, o capacitor. Os
capacitores de mica e de papel so obtenveis na faixa de 0,001 a 1 pF e podem ser
empregados nos circuitos cuja tenso mxima seja da ordem de centenas de volts.
Os capacitores de cermica ou plstico so tambm usados e, em geral, com placas de pelcula metlica depositadas diretamente no dieltrico. Os dieltncos plsticos
tm resistividade muito alta, o que significa corrente de fuga extremamente reduzida.
A grande constante dieltrica de muitos materiais cermicos possibilita valores elevados de capacitncia numa embalagem pequena.
Em vrias aplicaes, notadamente em circuitos transistorizados, desejam-se valores muito altos de capacitncia, sendo as resistncias de fuga de interesse secundrio. Os capacitores eletrolticos, fabricados com uma folha de metal oxidado
imersa numa pasta ou soluo condutora, so usados para se conseguir capacitncias
elevadas. A fina pelcula de xido o dieltrico entre a folha metlica e a soluo. Em
virtude de a pelcula ser extremamente delgada, a capacitncia bastante alta. Vrios
metais, entre eles o tntalo e o alumnio, podem ser utilizados na sua fabricao, e
obtm-se valores na faixa de 1 a 104 pF. As capacitncias maiores podem ser teis nos
aumenta com a taxa de variao desta, de acordo com a Eq. (2.15). Isto significa que a
indutncia do circuito impede que neste a corrente varie instantaneamente.
A indutncia dos circuitos mais simples muito pequena, de modo que a fem
induzida pode, normalmente, ser ignorada. Isto verdade, exceto em freqncias
muito altas, nas quais a taxa de variao da corrente se torna excessivamente alta. Os
circuitos usados nessas frequncias so montados to compactamente quanto possvel,
a fim de minimizar os efeitos indutivos. Em contraste, possvel produzir componentes eltricos de indutncia aprecivel, o que se mostra bastante til nos circuitos ca.
Consideremos o caso de uma corrente senoidal numa indutncia desse tipo. A fem
nela induzida tambm senoidal, pois, de acordo com a Eq. (2.15),
d
dt
( + 2)
(2.16)
o que mostra que a corrente ca numa indutncia aumenta com a tenso ca aplicada,
exatamente como nos casos do resistor e do capacitor. A quantidade wL chamada de
reatncia indutiva, sendo medida em ohms. Observe que sua amplitude aumenta com
a freqncia, em contraste com a da reatncia capacitiva.
Indutores
Os componentes eltricos com indutncia aprecivel so denominados indutores e, em
algumas aplicaes, chokes (palavra inglesa que significa obstruo).' Consistem em
vrias espiras de fio, enroladas umas as outras no mesmo suporte. Deste modo, cada
espira enlaa o fluxo magntico produzido pela corrente em todas as outras espiras, e
o fluxo total interceptado por todas as espiras juntas pode ser bem grande. A unidade
de indutncia denominada henry, homenagem a Joseph Henry, um americano pioneiro na investigao dos efeitos indutivos.
Circuitos eletrnicos de alta freqncia empregam bastante indutncias da ordem
de 10-'j henrys (microhenry, ou pH), que podem ser um enrolamento helicoidal de
poucas espiras num suporte de mais ou menos 1 cm de dimetro. Umas poucas dezenas de espiras produzem indutncias na faixa de 10-3 henrys (milihenry, ou mH). As
indutncias elevadas, para uso em baixas freqncias, so obtidas com o enrolamento
de muitas centenas de espiras de fio em torno de um ncleo de material ferromagntico
como o ferro. A propriedade magntica desses materiais so tais que o fluxo magntico aumentado de maneira aprecivel. Desta forma, obtm-se indutncias de vrias
centenas de henrys. Alguns indutores tpicos esto desenhados na Fig. 2.6.
Os indutores com ncleo de ferro tm estes laminados a fim de impedir as correntes induzidas neste metal pela variao do fluxo magntico. Isso reduz as perdas no
ferro ocasionadas pelas chamadas correntes de fuga. As lminas so empilhadas e
separadas com verniz isolante, para obteno de um ncleo do tamanho desejado. O
smbolo de circuito para o indutor um enrolamento helicoidal, conforme mostrado na
Fig. 2.7. As linhas paralelas ao longo do enrolamento, tambm ilustrado na mesma
figura, indica a existncia de ncleo magntico.
'N.T. So assim denominados os indutores utilizados num circuito.com a finalidade principal de evitar que
sinais de determinadas frequncias circulem por ele.
Fig. 2.6 Indutores tipicos utilizados em circuitos eletrnicos. (J. W . Miller Co. e Essex Intrrnarional, In<.)
h
--%
Fig. 2.7 Smbolos de circuito para ( a )indutor e ( b )indutor com ncleo de ferro.
---.
CIRCUITOS SIMPLES
Filtro RL
A associao em srie de um resistor e um indutor forma um circuito ca simples,
porm til. Suponhamos que estefiltro RL seja conectado a uma fonte de tenso senoidal, simbolizada no diagrama de circuito da Fig. 2.8 por um crculo contendo um
ciclo de onda senoidal em seu interior. A corrente e a tenso no circuito so determinadas da maneira descrita a seguir. De acordo com as leis de Kirchhoff, a soma das
-
--
4
!j
.. -
Fig. 2.8
tenses em torno da malha deve ser igual a zero em cada instante. Isto significa que a
fonte de tenso deve ser igual a tenso induzida no indutor mais a queda no resistor,
OU
i = I, sen wt
a derivada
di
-
dt
= ol, cos wt
Substituindo as Eqs. (2.19) e (2.20) na equao do circuito, Eq. (2.18), a tenso dada
Por
vi = RI, sen ot
+ oLI, cos wt
II
(2.21)
Esta expresso pode ser colocada numa forma mais ilustrativa, atravs da introduo
do ngulo de fase entre a tenso e a corrente, com a ajuda da Fig. 2.9. Expressando os
coeficientes de sen wt e cos wt em termos de cos 6 e sen 4, a Eq. (2.21) torna-se
r-
CORRENTES ALTERNADAS
oi = I,
45
Jw
(cos 4 sen o t + sen 4 cos o t )
onde
wL
4 = arctan R
(2.24)
Note que, de acordo com a Eq. (2.24), a corrente se atrasa em relao a tenso, como
foi observado anteriormente em conexo com a Eq. (2.16). Observe tambm que a
reatncia indutiva e a resistncia so ambas importantes na determinao da corrente
neste circuito ca.
Suponhamos que a queda de tenso em R seja considerada como a tenso de sada
do circuito. Assim, usando a Eq. (2.19),
v,
= RI,
sen wt
(2.25)
A razo entre os valores eficazes das tenses de sada e de entrada , das Eqs. (2.23) e
(2.251,
Como a potncia de sada em R proporcional ao quadrado da tenso, f, denominada freqncia de meia-potncia. Com efeito, sinais de entrada acima desta frequn-.
cia
s
g
--so barrados pela indutncia; e
Filtro RC
II
r , = C, sen wr
1
I
(2.30)
= dQ/dt,
1
di
R + - i = w V p cosot
dt C
Para resolver esta equao diferencial, suponhamos que a corrente seja dada por
i = Ipsen(wt
onde I , e
C#J
+ 4)
di
dt
= w I p cos
(ot + 4)
(2.33)
47
CORRENTES ALTERNADAS
i-'-,
- , ----------
I
+4) t 2
sen (wt + 4 ) = Vpw cos wt
C
(2.35)
-(
-.
R(COSo t cos
'
4 - s e n wt sen 4)
1
(senwt cos
wc
--
4 + cos o t sen 4) =
I,
cos o t
(2.36)
-4
= 0; ento,
Rcos
-I
sen ot
4+--
wc
=Oe
sen4-
VP - 0
-
I"
(2.38)
II
O. Ento,
-.
cos
- -
wc
4 - Rsenqi = O
(2.39)
A fim de que a Eq. (2.37) se verifique para todos os valores de t. tanto a Eq. (2.38)
quanto a (2.39) devem ser satisfeitas. Esta ltima pode ser resolvida imediatamente em
relao a 4,
- cos
oc
tan
4 =Rsen4
1
en4
4 = s- = -tos 4
RoC
de modo que
4 = arctan
--
RwC
(2.40)
A soluo de usada na Eq. (2.38) para encontrar I,. Isto feito exatamente como
no caso do filtro RL, Eq. (2.21). A Eq. (2.38) torna-se
Assim, finalmente,
sen (wt
v~
,/R~ + ( I / O C ) ~
= --
+ 4)
(2.43)
onde
Observe que, de acordo com a Eq. (2.38), o ngulo de fase positivo. Isto significa que a corrente se adianta em relao a tenso, o que caractenstico do circuito
capacitivo. Quando I/oRC 4 O em altas frequncias, o ngulo de fase nulo e a
corrente est em fase com a tenso. Em frequncias muito baixas, o ngulo de fase se
aproxima de 7112.
A tenso de sada na resistncia
v,
= RI,
sen (wt + 4 )
-\
(2.44)
t
o que significa que a razo entre os valores eficazes das tenses de sada e de entrada,
encontradas das Eqs. (2.30), (2.42) e (2.44),
O grfico da Eq. (2.45), Fig. 2.12, indica que a tenso de sada V, muito pequena
em baixas frequncias e igual a de entrada em altas frequncias. Como s as baixas
I-
r'
CORRENTES ALTERNADAS
r-.
49
v,
V p o R Csen ( o t
V,oRC cos ot
+ z/2)
doi
dt
- = ovpcos o t
I-
2)I
*;
dv
u,, = RCdt
I---
f-
(2.49)
A interpretao da Eq. (2.49) que, quando wRC < 1 , o circuito do filtro RC executa a
operao de diferenciao; ou seja, a tenso de sada a derivada, em relao ao
tempo, da tenso de entrada. Esta propriedade til extensamente aplicada nos circuitos eletrnicos, mais notadamente nos computadores.
r-
,-C
c&
I\
Yt-
i; =
--.
wc
cor (wt
+ 4)
(2.50)
da/ i
Cc =
'$- cos wr
-RCo
,
,
P.
4./
L
i/----,
I
L< = -
,!,
'
'
"
>..
). r i dr
RC.
-\
CORRENTES TRANSITRIAS
Constante de tempo
I
I
I
I
I
I
Desde o estudo dos circuitos ca at este ponto, foi suposto, implicitamente, que os
valores eficazes das fem senoidais eram constantes. Os efeitos transitrios so associados com variaes rpidas nas tenses aplicadas aos circuitos, como, por exemplo,
ao se ligar a fonte de tenso. Essas correntes transitrias desaparecem rapidamente,
deixando no circuito apenas as correntes estacionrias, que permanecem enquanto a
fem ca est aplicada. Embora o interesse principal seja, com mais frequncia, pelas
correntes estacionrias, em muitos casos os efeitos transitrios so importantes tambm. Isto acontece sobretudo na determinao da resposta do circuito a pulsos de
tenso isolados.
Os transitrios so encontrados atravs da soluo da equao diferencial do circuito, levando-se em conta a amplitude da corrente no instante em que a tenso aplicada muda. A soma da corrente transitria com a estacionria a soluo completa da
equao diferencial. Geralmente, basta considerar os dois aspectos da anlise de circuito ca separadamente, porque, na maioria das vezes, o interesse pela resposta do
circuito est ligado apenas a fem estacionria ou aos efeitos transitrios, isoladamente.
Convm dar incio ao estudo das correntes transitrias pelo circuito srie RC mais
simples, ao qual foram incorporadas uma bateria e uma chave de duas posies, como
mostra a Fig. 2.14. Suponhamos que a chave seja subitamente conectada ao terminal
1. A equao diferencial do circuito , pela lei de Kirchhoff,
--.
CORRENTES ALTERNADAS
51
Os dois lados da igualdade da Eq. (2.55) so diferenciais comuns, de modo que, aps a
integrao,
'-
onde K uma constante a ser determinada das condies iniciais. Uma outra forma de
escrever a Eq. (2.56)
Fig. 2.14
V(1 - e-rIRC
(2.59)
O decaimento da corrente de carga e o crescimento da tenso no capacitor so simtricos, de acordo com as Eqs. (2.58) e (2.59) e como mostra a Fig. 2.15. Observe que a
tenso comea em zero e aumenta exponencialmente at a tenso da bateria. Aps o
intervalo de tempo correspondente a uma constante de tempo, a tenso igual a 1 e-' = 1 - 0,356 = 63 por cento do valor final. O tempo real necessrio para que essa
tenso seja atingida depende dos valores da resistncia e da capacitncia. Um tempo
longo necessrio se esses valores forem grandes, e vice-versa.
O crescimento da corrente aps a ligao da chave a posio 2, quando o capacitor se descarrega atravs do resistor, o mesmo daquele dado pela Eq. (2.58). Isto
pode ser visto escrevendo-se a equao da tenso no circuito para este caso
Derivando e rearranjando
que idntica a Eq. (2.54). Alm do mais, o potencial atravs do capacitor igual a V
ao estar completamente carregado, e isto significa que a corrente inicial VIR, exatamente como no caso da corrente de carga. A tenso no capacitor decresce exponencialmente a zero com a constante de tempo RC, como pode ser mostrado pelo clculo
da carga restante no capacitor em qualquer instante, usando-se um procedimento similar ao que nos levou Eq. (2.59).
O circuito indutivo simples anlogo ao caso RC, como vemos, baseados no
circuito da Fig. 2.16. A equao da tenso no circuito com a chave na posio 1
Esta equao resolvida exatamente como a Eq. (2.61), sendo a corrente dada por
Evidentemente, a corrente num circuito indutivo cresce exponencialmente com a constante de tempo LIR. Isto , valores pequenos de R e grandes de indutncia resultam
CORRENTES ALTERNADAS
53
Fig. 2.16
Transitrios CA
Os transitrios tambm aparecem quando se ligam fontes ca. Por exemplo, consideremos o circuito da Fig. 2.17, para o qual a equao diferencial
+ 8)
onde o ngulo de fase 0 foi introduzido para permitir escolher a amplitude da tenso de
entrada instantnea em t = O. Como a soluo completa da Eq. (2.67) consiste em uma
corrente transitria e uma estacionria de freqncia w , a corrente total
Esta equao pode ser resolvida se os dois termos entre parntesis forem iguais a zero.
Ae- 'I'
T/
+J
"P
(oC
R ~
)~
+ ( I ~ U Csen
onde
T =
<b
+8 + 4)
RC
arctan 1IRoC
e a constante A determinada da tenso de fonte no instante em que a chave fechada. Observe que a Eq. (2.71) consiste em uma parte transitria juntamente com um
termo estacionrio, como j visto anteriormente.
Fig. 2.17
Suponhamos que a tenso aplicada esteja em seu pico, isto , v = V,, quando a
chave fechada em t = O. Isto significa que escolhemos O = 742, de acordo com a Eq.
(2.68), e a corrente inicial V,/R. Assim, a Eq. (2.71) para t = O torna-se
L A +
R
c+ (E + 4 )
sen
V,
( l / ~ c ) ~
(2.72)
Resolvida esta equao para a constante A, que ento substituda na Eq. (2.71),
temos a soluo final
v,
. = p
I
R 1
e - 'I' +
+ (CORC)~
v,
sen wt
J R ~+ ( I I W C ) ~
+ 7c + 4
-
(2.73)
Para que o termo transitrio da Eq. (2.73) tenha uma amplitude aprecivel em comparao com o estacionrio, o denominador de seu coeficiente no deve ser muito
grande. Isto significa que ( W R C )<~ I , ou
55
CORRENTES ALTERNADAS
arrazoado demonstra por que a soluo do estado estacionrio, sozinha, suficientemente precisa para a maior parte dos casos.
Oscilao
Mudanas bruscas de tenso num circuito RLC podem ocasionar oscilao, quandouma co-ente ca-decresc te gerada na frequncia caracterstica do circuit~,dc-denominada freqUi",c.h rpssorza&.amPlitude
dessa corrente amortece exponencialmente
como nos circuitos no re$son$nq.
Por exemplo, aps o fechamento da chave no
circuito da Fig. 2.18, podeiser gerada-uma corrente ca, que decrescer com relativa
lentido. O fenmeno coqparvel a rchrberao de um sino golpeado secamente
"*
por um martelo, da a o r i g e l do termo.
_CL
-%.
Fig. 2.18
d2i + Rdi + - 1
dt2 Ldt LC
j = o
Para resolvermos esta equao diferencial, suporemos, baseados em anlises anteriores, que exista uma corrente ca cuja amplitude decaia exponencialmente com o tempo.
Em conseqncia, a corrente descrita por
i
Ae-"' sen ( o t
+4)
(2.77)
cos ( o t + 4 ) Ae-"'
=O
(2.78)
A fim de que a Eq. (2.77) seja soluo da Eq. (2.76), os coeficientes de ambos os
termos da Eq. (2.78) devem ser, separadamente, iguais a zero. Do coeficiente do
termo em co-seno,
Assim, a corrente neste circuito senoidal, de freqncia dada por (2.80), e tem amplitude que decresce com uma constante de tempo determinada por (2.79). Um esboo do
seu comportamento apresentado na Fig. 2.19.
E concebvel que os valores dos elementos de circuito sejam tais que
t
Fig. 2.19 A corrente transitria num circuitoRLC pode ser uma oscilao decrescente.
CORRENTES ALTERNADAS
Fig. 2.20 A soma de dois sinais senoidais uma forma de onda complexa.
---.
Por
zam as bordas e os cantos da onda quadrada. Um segundo exemplo a onda dentede-serra (Fig. 2.22), que representada por
Novamente aqui os termos de alta frequncia devem ser includos, de modo a se obter
as quinas do dente-de-serra.
De acordo com as Eqs. (2.83) e (2.84), formas de onda complexas, como a quadrada e a dente-de-serra, so compostas de um largo espectro de frequncias. Se
a forma de um dado sinal de entrada aplicado em qualquer circuito deve ser mantida na
sada, a atenuao introduzida pelo circuito deve ser independente da frequncia. Por
exemplo, uma onda quadrada aplicada a um filtro RC passa-altas s resultar num
sinal da mesma forma na sada se a sua freqncia fundamental for maior que a freqncia de corte do filtro. E igualmente importante que as fases relativas dos harmnicos permaneam constantes ao passarem pelo circuito, a fim de se preservar a forma
do sinal.
Por outro lado, a composio harmnica de uma onda frequentemente alterada
de propsito por um circuito, a fim de mudar a forma do sinal. Suponhamos que uma
onda quadrada seja aplicada a um diferenciador RC. O sinal de sada uma srie de
pulsos aguados, alternadamente positivos e negativos, como desenhado na Fig. 2.23b.
$ (senwt + -
Fig. 2.21 Muitas componentes de frequncia esto presentes numa onda quadrada. A fidelidade
da representao melhora com o aumento do nmero de harmnicos.
CORRENTES ALTERNADAS
59
Fig. 2.23 (a) Onda quadrada, (b) onda quadrada diferenciada, (c) onda quadrada integrada.
Valor eficaz
O valor eficaz de uma forma de onda complexa definido exatamente como no caso
do sinal senoidal j discutido. Consideremos, por exemplo, a onda quadrada de perodo T e valor mximo I , ilustrada na Fig. 2.24. A corrente eficaz
Isto significa que o valor eficaz da onda quadrada igual ao seu valor mximo. Como
a potncia dissipada num resistor depende do quadrado da corrente, o sentido desta
ltima no tem importncia, e a Eq. (2.85) corresponde ao esperado.
Consideremos agora a onda dente-de-serra triangular simples da Fig. 2.25. A corrente varia conforme
Uma outra forma de onda de interesse uma srie de meias-senides (Fig. 2.26).
O valor eficaz pode ser encontrado seguindo-se o procedimento adotado acima. Este
sinal tem, entretanto, uma componente cc, como pode ser visto calculando-se o seu
valor mdio:
41
41
I , s e n o t dt =>=o
o T 271
61
CORRENTES ALTERNADAS
1: = Irc
+ 1: + I: + 1: + ...
(2.89)
onde I,, o valor mdio e I,, I,, I,, . . . os valores eficazes de cada componente de
freqncia. Na maioria das vezes, basta considerar apenas a fundamental, uma vez
que ela predomina.
A srie de Fourier da forma de onda da Fig. 2.26
2
41
41
i = I , - -1cos 2wt - --2cos 4wt
3n
15n
n
-
Observe que o primeiro termo corresponde a Eq. (2.89), em conformidade com a definio de componente cc. O valor eficaz das componentes ca, apenas, , utilizando as
Eqs. (2.4) e (2.89),
Os resultados anteriores so utilizados no Cap. 4, em conexo com aplicaes adicionais de filtros indutivos e capacitivos.
Pd
Fig. 2.27 Sinal d e onda quadrada
aplicado entrada d o filtro passaaltas.
t
L
7=3T
*
t
v
Fig. 2.28 Uma onda quadrada (em cima) a entrada do filtro passa-altas produz diferentes formas
de sinal de sada, dependendo da relao entre o penodo e a constante de tempo do circuito.
CORRENTES ALTERNADAS
63
-T--,
Fig. 2.30 Uma onda quadrada na entrada do filtro passa-baixas produz diferentes formas de onda
na sada, dependendo da relao entre o perodo e a constante de tempo do circuito.
r,
Osciloscpio
I
I
Ii
CORRENTES ALTERNADAS
Tela
r.
Fig. 2.32 O osciloscpio, com uma tenso dente-de-serra de deflexo horizontal, mostra a forma
de onda da tenso aplicada nas placas verticais.
tado que o ponto traa o desenho d a onda senoidal na tela, como no grfico pontoa-ponto d a Fig. 2.32.
Quando a tenso dente-de-serra nas placas horizontais cai a zero, no fim do ciclo,
o ponto rapidamente retorna ao local de partida. O mesmo desenho traado a cada
ciclo subseqente. Na maioria das freqncias de interesse, o ponto se move com
rapidez demasiada para ser visto. e a figura na tela aparece como uma onda senoidal
estacionria, por causa da persistncia d a visao. A tenso dente-de-serra e o sinal
senoidal devem-se iniciar exatamente no mesmo instante a cada ciclo, pois, de outro
modo, o ponto no traa o mesmo desenho a cada vez. E m conseqncia, a tenso de
vaureduru sinc~uonizudu com o sinal das placas verticais por intermdio de circuitos
auxiliares associados com o osciloscpio. E prtica comum, tambm, apagar o feixe
durante o rpido retorno d o ponto ao incio, a fim de eliminar a linha de retrocesso d a
figura. A tenso de varredura pode ser feita, convenientemente, submltipla da freqncia do sinal. a fim de ser mostrado mais de um ciclo d a onda.
-0osciloscpio til tambm na medio d o ngulo de fase entre sinais senoidais.
Isto feito aplicando-se um dos sinais a s placas verticais e , o outro, as horizontais. A
figura resultante pode ser uma linha reta, uma elipse ou um crculo, dependendo de o
ngulo de fase ser 0, 45 ou 90, respectivamente, como indica a Fig. 2.33. O ngulo d e
fase calculado como se segue. Suponhamos que a tenso horizontal seja
vH = Vp senwt
v, = b sen (wt
+ 4)
(2.95)
Tirando o valor de 4
a
arcsen b
(2.97)
A relao alb pode ser determinada diretamente das dimenses da figura na tela, como
mostra a Fig. 2.34. Observe que o desenho deve estar centrado nas linhas de referncia horizontal e vertical, afim de que a Eq. (2.97) seja vlida.
>
Fig. 2.33 Figuras de Lissajous para diferenas de fase de 0, 4 5 O e 90 entre as tenses de deflexo horizontal e vertical.
CORRENTES ALTERNADAS
67
Os desenhos da Fig. 2.33 so exemplos especficos das chamadasfiguras de Lissajous, que so utilizadas para a determinao da relao entre as frequncias de dois
sinais senoidais. Uma onda senoidal aplicada nas placas de deflexo vertical e, a
outra, nas horizontais. Se a razo entre suas frequncias for alguma frao relacionando nmeros inteiros, como, por exemplo, 112, 114 e 213, a figura permanecer estacionria. Essa razo determinada pelo nmero de lbulos da figura que toca uma
linha vertical em sua borda. A razo disso que um nmero inteiro de senides
completado nas placas horizontais e , simultaneamente, nas placas verticais. Alguns
exemplos de figuras de Lissajous so dados na Fig. 2.35 para diferentes relaes de
freqncia. Estas figuras so encontradas da mesma maneira que a empregada nas
Figs. 2.32 e 2.33.
Fig. 2.34 O ngulo de fase (defasagem) entre tenses senoidais aplicadas nas placas verticais e
horizontais determinado pela relao alb.
68
ELETRONIGA BSICA
R. M. Kirchner and G. F. Corcoran: "Alternating Current Circuits," 4th ed., John Wiley & Sons, Inc.,
New York, 1960.
F. H. Mitchell and F. H. Mitchell, Jr.: "Essentials of Electronics," Addison-Wesley Publishing
Company, Inc., Reading, Mass., 1969.
Leigh Page and Norman Isley Adarns: "Principles of Electricity," D. Van Nostrand Company, Inc.,
Princeton, N.J., 1931.
2.1 Trace a curva de resposta de frequncia de um filtro RC passa-altas, utilizando a Eq. (2.45)
com R = 106fl e C = 0,01 yF. Cubra o intervalo correspondente a duas dcadas abaixo e duas
acima da frequncia de meia-potncia.
2.2 Desenvolva uma expresso anloga a Eq. (2.45) para o filtro R C passa-baixas. Esboce a
curva de resposta de freqncia para R = 106 0 e C = 100 pF.
2.3 Trace a curva de resposta de frequncia de um filtro RL passa-baixas, Eq. (2.27), com
L = 10 H e R = 100 0. Projete um circuito R C com as mesmas caractersticas de frequncia.
2.4 Mostre que a representao em srie de Fourier de uma onda dente-de-serra [Eq. (2.84)]
torna-se uma reproduao mais fiel deste sinal a medida que os harmnicos de ordem superior so
includos, somando dois, trs e quatro termos, como na Fig. 2.21.
2.5 Usando a representao em srie de Fourier da onda quadrada, determine o resultado da sua
integrao. Faa isto integrando a Eq. (2.83) termo a termo e traando a curva resultante da srie.
Compare a forma da onda com a esboada na Fig. 2.23.
2.6 Usando a representao em srie de Fourier para a onda dente-de-serra, determine o resultado de sua diferenciao. Faa isto diferenciando a Eq. (2.84) termo a termo e fazendo o grfico
resultante.
2.7 Mostre como o filtro RC passa-baixas integra a onda quadrada, determinando a amplitude e o
ngulo de fase dos trs primeiros termos da representao em srie de Fourier desse sinal [Eq.
(2.83)] a sada, sabendo-se que a frequncia fundamental igual a 10 vezes a frequncia de meiapotncia do filtro. Determine graficamente a forma de onda da sada, como na Fig. 2.21.
2.8 Repita o exerccio 2.7 considerando a frequncia fundamental da onda quadrada igual a metade da frequncia de meia-potncia do filtro.
2.9 Determine a forma da onda observada numa tela de osciloscpio, seguindo procedimento
anlogo ao usado na confeco da Fig. 2.32, sendo a freqncia da onda dente-de-serra horizontal
igual metade da frequncia da onda senoidal vertical.
2.10 Determine, atravs de procedimento anlogo ao empregado na confeco da Fig. 2.23, a
forma da onda observada numa tela de osciloscpio, se um sinal senoidal aplicado as placas
defletoras horizontais e verticais com uma defasagem de 30. Use a figura resultante para confirmar a Eq. (2.97).
Os princpios dos circuitos ca tratados no Cap. 2 podem ser utilizados para a determinao das correntes e m qualquer circuito. Entretanto, a soluo das equaes dijerenciais concernentes a maioria dos circuitos prticos enfadonha. Tcnicas mais
poderosas de anlise de circuitos ca permitem solues para as correntes com u m
trabalho muito menor. Essas tcnicas so baseadas, ~aturalmente,nas mesmas equaes diferenciais dos circuitos. O procedimento apenas ligeiramente mais complicado, e tanto a lei de Ohm quanto as de Kirchhoffso empregadas, embora numa
forma modificada. Todas as tcnicas da anlise cc tratadas no Cap 1 so, realmente,
aplicveis.
= I p ( c o s tot
+j
sencut) = I,ejL"'
(3.1)
onde j = -\r-7- O smbolo j , em vez de r , comumente utilizado na anlise de circuitos eletrnicos para significar C.,a fim de evitar confuso com o smbolo convencional de corrente. Com efeito, a representao por nmero complexo simplifica simultaneamente os termos em ~ e r zwt e cos w t , como indicam as Eqs. (3.1) e (3.2).
As equaes diferenciais do circuito podem ser resolvidas quase que diretamente
quando os sinais so representados por complexos. Consideremos, por exemplo, a
equao do circuito RL srie, Eq. (2.8):
r'
,
%
/-.
,,
ANLISE DE CIRCUITOS CA
71
Impedncia complexa
A Eq. (3.5) mostra que a parte real da impedncia est associada com a resistncia, ao
passo que a parte imaginria representa a reatncia. De acordo com a representao
grfica comumente adotada para nmero complexo (Fig. 3.1), a parte real indicada
no eixo horizontal e , a imaginria, no vertical. Em conseqncia, o ngulo da impedncia dado por
xL
4 = arctan R
(3.9)
..--.
Fig. 3.1 A impedncia complexa representada graficamente por uma componente resistiva e
uma reativa.
--
Z(cos $
+ j sen 4 )
--
- Z(cos
4+
:sen G,
+ sen2 6
devem ser observadas. Evidentemente, a soma e a subtrao so mais facilmente executadas na forma retangular, R + j X , ao passo que a multiplicao e a diviso so mais
facilmente efetuadas na forma polau, ZeJm.A Eq. (3.17) utilizada para se passar
diretamente de uma representao a outra, quando necessrio. Essas operaes, juntamente com a racionalizao, so de utilidade na determinao da impedncia equivalente de circuitos que contenham uma certa quantidade de impedncias individualizadas, como ser ilustrado na prxima seo. Observe tambm que um nmero complexo pode ser escrito em termos de suas partes real e imaginria, da seguinte maneira
Em particular, a magnitude igual a raiz quadrada da soma dos quadrados das componentes real e imaginria.
ANLISE DE CIRCUITOS CA
CIRCUITOS RLC
Ressonncia srie
Como primeiro exemplo de anlise de circuitos ca utilizando o mtodo da impedncia
complexa, consideremos o circuito RLC srie da Fig. 3.2. De acordo com a lei de
Kirchhoff,
Note que se trata de uma equao de segunda ordem e pode ser resolvida em relao a
-arrente no estado estacionrio i pelo processo usado no Cap. 2. O resultado
onde
-.
-
A Eq. (3.24) a soluo final, obtida em' somente duas etapas simples. A tenso V
usualmente dada em valor eficaz, de modo que-o valor de I , tambm, eficaz.
Para ilustrar mais claramente a correspondncia entre esta soluo e a dada por
(3.21) e (3.22), racionalizemos (3.24)
Com referncia ao diagrama da impedncia do circuito (Fig. 3.3), a Eq. (3.25) pode ser
escrita
(cos (b J R ~ (UL - I / W C ) ~
onde
(b = arctan
o L - l/wC
R
- -
A correspondncia exata entre a soluo da equao diferencial, Eq. (3.21), e o resultado do mtodo da impedncia, Eq. (3.26), evidente. Nas sees subsequentes, a
ltima tcnica usada exclusivamente por causa de sua simplicidade.
Consideremos a amplitude da corrente no circuito RLC como uma funo da frequncia da tenso aplicada. De acordo com a Eq. (3.26), a corrente muito pequena
em baixas frequncias (w + O), porque a reatncia capacitiva grande. Da mesma
a),porque a reatncia indutiva
forma, a corrente pequena em altas frequncias (w
se torna grande. Entre esses dois extremos, o ngulo de fase nulo quando
qTl,uc)
l/wC
Fig. 3.3 Impedncia de um circuito RLC.
ANLISE DE CIRCUITOS CA
75
---
Para ilustrar as propriedades do circuito ressonante srie, consideremos a variao de corrente no circuito especfico da Fig. 3.4. Depois de substituir os valores dos
componentes do diagrama na Eq. (3.26), verifica-se que a corrente varia com a freqncia, como mostra a Fig. 3.5. A corrente mxima 1 = 10/100 = 0,l A na freqncia de ressonncia
Fig. 3.4
..-
Ressonncia paralela
A ressonncia ocorre, tambm, em um circuito paralelo (Fig. 3.6). A corrente obtida
computando-se, inicialmente, a impedncia complexa total. Como a indutncia e a
reatncia esto ligadas em paralelo, a impedncia equivalente determinada com o
auxlio da Eq. (3.8),
ANLISE DE CIRCUITOS CA
De acordo com a Eq. (3.36), a impedncia muito grande, tornando-se infinita quando
Esta a mesma relao encontrada no caso da ressonncia srie [Eq. (3.30)]. Observe,
no entanto, que, na ressonncia srie, a impedncia mnima, de acordo com a Eq.
(3.23), ao passo que mxima na ressonncia paralela, como pode ser visto pela Eq.
(3.36).
A impedncia total do circuito inclui a associao em srie de R e Z,
Racionalizando,
A7
"-i
,-.
r-'
ANLISE DE CIRCUITOS CA
79
Todavia, a corrente total do circuito zero, de conformidade com a Eq. (3.39). Esta
outra situao na qual se deve considerar a defasagem entre as correntes. Como as
reatncias indutiva e capacitiva so iguais, as amplitudes das correntes na indutncia e
na capacitncia tambm so iguais. Seus ngulos de fase so tais que, digamos, no n
superior da Fig. 3.6 essas duas correntes se cancelam em cada instante, e nenhuma
outra circula pelo resistor; mas, dentro desta idia, h uma corrente circulando na
associao LC paralela, na ressonncia.
Fator Q
A resistncia de um circuito to importante na determinao da corrente na ressonncia quanto nas freqncias mais afastadas deste ponto. Esta uma considerao
importante, uma vez que, por exemplo, a resistncia dos enrolamentos est presente
em todos os indutores. O efeito semelhante nos dois tipos de ressonncia, mas o
caso da ressonncia srie matematicamente mais simples, podendo ser utilizado para
ilustrar todas as caractersticas importantes.
Consideremos a amplitude da corrente no circuito srie da Fig. 3.2, dada pela Eq.
(3.26):
Esta expresso, posta em grfico na Fig. 3.9 para valores representativos de Q,,
mostra que um alto (2, (isto , um pequeno valor de R) leva a uma curva-de ressonncia muito aguda. Nesta condio, a largura da banda do circuito ressonante, isto , o
intervalo (ou faixa) de frequncia entre os poptos de meia-potncia, muito pequena.
Valores de Q , entre 10 e 100 so comuns em circuitos eletrnicos, mostrando-se
teis nos circuitos sintonizados muito seletivos, como iIustram as duas curvas inferiores da Fig. 3.9. Componentes ressonantes especiais podem ter Q's da ordem de vrios
milhares, o que resulta, deveras, em seletividade de frequncia muito alta. Por outro
lado, necessrio, algumas vezes, alargar a resposta em frequncia de um circuito
ressonante, para que ele possa ser empregado numa faixa larga de freqncias em
ambos os lados da ressonante. Neste caso, um resistor includo, propositalmente,
para produzir um Q mais baixo do que o de um indutor isolado.
CIRCUITOS EM PONTE
A Fig. 3.10 mostra a verso ca da ponte de Wheatstone. Ela tem uma impedncia
complexa em cada brao e usa um gerador de sinais senoidais e um detector ca, que
pode ser um osciloscpio, por exemplo. A anlise deste circuito idntica a do caso cc
considerado no Cap. 1, exceto por envolver impedncias e correntes complexas. Somente a condio de balanceamento vai nos interessar aqui, e podemos obt-la da
maneira descrita a seguir. Em equilbrio, a tenso no detector nula, o que significa
que a corrente neste ramo zero e, em conseqncia, a corrente em Z, igual aquela
em Z,; a corrente em Z, tambm a mesma em Z,. Alm do mais, como a tenso no
detector nula, as quedas de tenso em Z, e Z, so iguais, da mesma forma que as
quedas em Z, e Z,.
Igualmente as quedas de tenso nos braos correspondentes da ponte
ANLISE DE CIRCUITOS CA
Fig. 3.10 A ponte de Wheatstone ca usa gerador senoidal e detector ca, que pode ser um osciloscpio.
Fig. 3.11 A ponte de indutncia, usada para medio da resistncia e da indutncia de um indutor desconhecido.
R , R,
+ joR, L,,
R, R,
+ joR2L3
(3.54)
Depois de serem igualadas as partes reais e imaginrias, as duas condies de balanceamento podem ser escritas:
ANLISE DE CIRCUITOS CA
,-
83
o que mostra o modo pelo qual a razo R J R , atua como fator de multiplicao nas
componentes variveis R , e L, para dar a resistncia e a indutncia desconhecidas.
Isto sugere que tanto R , como L , deveriam ser variveis, mas, em virtude de ser difcil
a construo de indutores variveis, o procedimento seguinte mais satisfatrio. R, .ou
R , ajustado at que o balanceamento seja obtido com um determinado valor de L,;
em seguida R , ajustado para satisfazer a condio de equilbrio cc. Deste modo, a
indutncia desconhecida comparada com a indutncia conhecida L,, e os nicos
componentes variveis necessrios so as resistncias.
Uma caractenstica interessante das condies de balanceamento [Eqs. (3.56)]
serem elas independentes da freqncia, razo pela qual a freqncia do gerador pode
ter qualquer valor conveniente. Geralmente melhor escolher uma freqncia na qual
a reatncia indutiva seja aproximadamente igual as resistncias. O caso da ponte de
capacitncia (Fig. 3.12) anlogo a este e ser analisado no Exerccio 3.8. Como no
h caminho cc nos braos inferiores da ponte de capacitncia, os ajustes so feitos
com excitao ca (o que tambm pode ser feito na ponte de indutncia). Embora sejam
usados capacitores variveis calibrados, pode-se, igualmente, empregar um capacitorpadro fixo junto com resistores variveis. Isto particularmente conveniente, quando
o mesmo instrumento utilizado como ponte de indutncia e capacitncia, o que
feito substituindo-se o capacitor C, por uma indutncia L,. Como tambm possvel
empregar um resistor nesta posio, este instrumento fica bastante verstil, podendo
medir resistncia, capacitncia e indutncia.'
-
Ponte de Wien
A ponte que tem uma associao em paralelo num brao e uma em srie no brao
adjacente conhecida como ponte de Wien. Analisaremos um exemplo til, que emprega somente resistores e capacitores (Fig. 3.13), calculando inicialmente as impedncias Z, e Z,. Considerando-se primeiramente a associao em paralelo,
A associao em srie
L
Fig. 3.13 Ponte de Wien.
R,---R,l(l +joR3C3)
R2
R4 - j ( l / o c 4 )
,
,
,
'-'
ANALISE DE CIRCUITOS CA
85
ponte de Wien tem vantagens considerveis em muitas aplicaes. Isto particularmente verdadeiro para circuitos de baixa-freqncia, onde os valores elevados de indutncia necessrios so inconvenientes. Frequentemente os resistores e capacitores dos
ramos em srie e em paralelo so iguais, como na Fig. 3.14. Isto significa que a freqncia caracterstica do circuito , da Eq. (3.63),
As propriedades de seletividade em frequncia da ponte de Wien podem ser ilustradas calculando-se a tenso de sada do circuito em funo da frequncia da tenso
de entrada. A sada obtida subtraindo-se as tenses em Z, e R,. A queda em Z,
simplesmente a corrente neste brao vezes a impedncia,
onde foi suposta desprezvel a corrente no circuito de sada, mesmo com a ponte no
balanceada. Esta condio fica satisfeita, na prtica, com a conexo de uma carga de
alta impedncia aos terminais de sada. A relao entre as impedncias na Eq. (3.65)
calculada a partir das Eqs. (3.58) e (3.59), depois de fazer iguais todos os R's e C's.
Tambm, introduzindo-se w,,
Observe que, de acordo com a Eq. (3.66), o termo reativo se anula na frequncia
caracterstica, quando o = w,. Isto significa que o circuito puramente resistivo nesta
frequncia (e somente nesta) e que a tenso de sada est em fase com a de entrada,
exatamente como num circuito ressonante.
A quedaemR,
wlw,
A relao v,/v, entre a saida e a entrada pode ser determinada aps a racionalizao.
Dois grficos da Eq. (3.68) so apresentados na Fig. 3.15 para diferentes valores da
relao R,/R,. Claramente se v que a tenso de sada desce a um mnimo em o = w,,
situao bastante anloga a da ressonncia srie. O mnimo muito acentuado e matematicamente descontnuo no caso do equilibrio real R , = 2R,. Em conseqncia, a
seletividade em freqncia do circuito muito boa.
ANLISE DE CIRCUITOS CA
+ i, R ,
(3.69)
v. = vi - R , i,
vi -
oC2[R,(1
u i o R 2C ,
C,/C,) + R,] + j(w2R, C , R2C2 - 1)
que pode ser comparada com a expresso correspondente a da ponte de Wien [Eq.
(3.64)]. Aps a substituio de (3.73) em (3.72), a razo complexa da tenso de sada
para a de entrada pode ser escrita
A caracterstica da resposta em frequncia do filtro em ponte-T [Eq. (3.74)] semelhante da ponte de Wien, exceto por no ser o mnimo to agudo na freqncia
caracterstica. No obstante, sua relativa simplicidade e o fato de os terminais de entrada e sada terem um ponto comum tornam-no um circuito seletivo em freqncia
bastante til. As aplicaes especficas deste circuito sero consideradas num captulo
posterior.
Algo mais complicado que ele o filtro em T-geminado mostrado na Fig. 3.17, o
qual pode ser analisado pela tcnica empregada na seo anterior. Este filtro tem uma
caracterstica de resposta equivalente a da ponte de Wien, mas seu mnimo muito
mais agudo. Apresenta, tambm, a vantagem do terminal comum entre entrada e
sada. A escolha entre a ponte de Wien, a ponte-T e o T-geminado para uma determinada aplicao depende de certos fatores, como faixa de freqncia, desempenho desejado e complexidade; todos os trs circuitos so comumente utilizados.
Indutncia mtua
Suponhamos que o fluxo magnt?co varivel, resultante da corrente num circuito seja
interceptado por outro circuito. E induzida, ento, uma fem neste segundo circuito e a
indutncia mtua entre os circuitos 1 e 2 definida, por analogia com a Eq. (2.15),
como
v,
=M
di,
--
dt
Secundrio
(a)
(b)
mento. Como todo o fluxo interceptado pelo secundrio, a tenso v, nele induzida
depende, do mesmo modo, do nmero de suas espiras, isto ,
/'
ANLISE DE CIRCUITOS CA
Note que possvel obter tanto um transformador elevador como um abaixador, dependendo de que seja n , < n , ou n , > n,, e, assim, a tenso do secundrio maior ou
menor, respectivamente, que a do primrio.
Suponhamos, agora, que o secundrio esteja conectado a uma carga, por exemplo,
a um resistor. A corrente no circuito do secundrio resulta em perdas RI2 no resistor, e
esta potncia deve ser fornecida pelo primrio. Isto se processa da seguinte maneira:
ambas as correntes, no primrio e no secundrio, estabelecem fluxo magntico no
ncleo.0 fluxo causado pela corrente do secundrio age no sentido de se opor ao fluxo devido corrente no primrio. O fluxo magntico enfraquecido significa que a
tenso induzida neste enrolamento correspondentemente menor. Em conseqncia, a
fonte de tenso conectada a entrada aumenta a corrente at que a soma das quedas de
tenso no circuito do primrio seja novamente zero, como impem as leis de Kirchhoff. Assim, a corrente no enrolamento secundrio requer corrente no primrio, e o
pico de fluxo magntico permanece constante e em seu valor sem carga. O cancelamento dos fluxos significa, tambm, que as tenses induzidas so essencialmente independentes da freqncia. Como a taxa de variao da corrente aumenta com a freqncia, a Eq. (3.75) sugere que a tenso no secundrio deveria ter o mesmo comportamento. A tenso induzida no primrio aumenta de acordo com a freqncia, mas de
tal modo que a amplitude da corrente no mesmo enrolamento reduzida, permanecendo a tenso do secundrio independente da freqncia.
Observe que o fluxo magntico total no ncleo no varia com a corrente, porque
os fluxos devidos s correntes no primrio e no secundrio so iguais e de sentidos
opostos. t o m o as duas indutncias dependem do nmero de espiras, segue-se que
A corrente no primrio, dada pela Eq. (3.77), refere-se, de fato, apenas corrente
adicional que acompanha a carga no secundrio. No entanto, a corrente sob condies
sem carga , em geral, to pequena que pode ser desprezada.
Relao de transformao
A razo entre o nmero de espiras no secundrio e no primrio, denominada relao
de transformao, tem particular importncia quando a impedncia conectada ao secundrio comparada com a impedncia aparente no circuito do primrio. Consideremos a situao da Fig. 3.19, onde a carga do secundrio uma simples resistncia R.
Fig. 3.19 A resistncia aparente, vista dos terminais do primrio do transformador, difere da
11
"'2 'Jl
-
n1R
n2
Vista do lado do primrio, a corrente i, flui numa resistncia equivalente R,, tal que
LI1
11
R,,
Isto significa que o transformador pode ser utilizado para casar as resistncias
num circuito, a fim de se obter a mxima transferncia de potncia entre a fonte e uma
resistncia de carga fixa. Esta propriedade mostra-se til e pode ser aplicada, por
exemplo, no acoplamento entre a alta resistncia interna de um amplificador e a baixa
resistncia do alto-falante que serve de carga. As impedncias complexas so refletidas pelo transformador da mesma maneira que a resistncia na Eq. (3.81).
De acordo com esta equao, o transformador parece ser, do lado primrio, uma
resistncia pura. Em particular, a auto-indutncia do enrolamento primrio no evidente. A razo para isto que os fluxos causados pelas correntes nos enrolamentos do
primrio e do secundrio se cancelam mutuamente. Isto significa que o transformador
atua como um dispositivo que transfere a resistncia efetiva de um circuito para outro,
mas que no tem indutncia prpria. Observe, ainda, que os circuitos do primrio e do
secundrio no esto conectados eletricamente e, por isso, d o isolados para correntes
contnuas.
Transformadores prticos
Em sua maioria, os transformadores so construdos de maneira semelhante aos chokes de ncleo de ferro descritos em seo anterior, exceto, claro, pela existncia de
mais de um enrolamento. Para relaes de transformao alta, comum fazer o
enrolamento de baixa tenso e alta corrente com fio de grande calibre, para reduzir as
perdas neste enrolamento. O outro enrolamento constitudo de grande nmero de
espiras de fio fino, uma vez que conduzir pequena corrente. Utilizam-se, normalmente, ncleos laminados para reduzir as perdas por correntes de fuga, porm os
transformadores para emprego em freqncias acima de 100.000 Hz geralmente utilizam ncleos de ferrite de alta resistividade.
Empregam-se transformadores com um primrio e vrios secundrios separados
para fornecerem diferentes tenses de alimentao aos dispositivos valvulares e tran-
91
ANLISE DE CIRCUITOS CA
Transformador ideal
Fig. 3.20 Circuito equivalente do transformador prtico.
A. M. P. Brookes: "Basic Electric Circuits," The Macmillan Company, New York, 1963.
S. Fich and J. L. Potter: "Theory of AC Circuits," Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1959.
"The Radio Amateur's Handbook" (published annually by the American Radio Relay League, West
Hartford, Conn.).
3.1 Determine a corrente no circuito RC srie, usando a forma ca da lei de Ohm, e mostre que o
resultado idntico a soluo da equao diferencial no Cap. 2.
3.2 Calcule a impedncia equivalente do circuito mostrado na Fig. 3.21. O termo reativo indutivo ou capacitivo?
Resp.: Capacitivo
Fig. 3.21
3.3 Determine a corrente eficaz no resistor de 1000 Cl do circuito da Fig. 3.22. A corrente
indutiva ou capacitiva?
Resp.: 6,5 mA; capacitiva
Fig. 3.22
3.4 Calcule a impedncia equivalente do circuito da Fig. 3.23 na frequncia de 100 Hz. Repita
para 1000 Hz.
Resp.: 0,198 j2,63 x 106Cl;384 +,j2,47 x 109tl
Fig. 3.23
3.5 Determine a corrente e as tenses eficazes em cada componente do circuito da Fig. 3.4, na
frequncia de 900 Hz. Mostre que, considerando-se os ngulos de fase, a lei de Kirchhoff das
,--.
ANLISE' DE CIRCUITOS CA
tenses vlida.
Resp.: 2,75 x 10W e",29 A; 2,75 p1',29 V., 48 ,fje-'0,27 V ;38,8eJ2,87V
3.6 A impedncia de um circuito em paralelo na ressonncia limitada pela resistncia dos enrolamentos do indutor. Determine uma expresso para a impedncia do circuito da Fig. 3.24 e
calcule seu valor, na ressonncia, para os componentes dados no diagrama de circuito.
Resp.: 4 X 105
Fig. 3.24
3.7 Calcule as correntes nos componentes do circuito da Fig. 3.7 na ressonncia. Repita para a
freqncia o = 0 0 / 2 . Em ambos os casos, mostre que, considerando-se os ngulos de fase, a lei
de Kirchhoff das correntes vlida.
A; 3,16 X 10-, ei1sS7A;
Resp.: O A; 3,16 X 10-'
2 x 10-3 e-j0,04Z A; 2,67 10-3 e-j0,042 A.
6,67 X 10-4 ej3." A.
3.8 Determine as condies de equilibrio da ponte de capacitncia (Fig. 3.12).
Resp.:R&, = RlR,,R1/R2 = C,/C,
3.9 Trace as curvas caractersticas de fase e frequncia de um filtro em ponte-T usando a Eq.
(3.74). Escolha valores de componentes tais que a frequncia caracterstica seja 1 kHz, enquanto
R , = 1000R,,C, = C , e R , = 1 0 4 R .
3.10 Trace as curvas caractersticas de fase e frequncia do filtro em T-geminado (Fig. 3.17) para
as quais a caracterstica de resposta
quando R,C, = 4R2C2.Faa C , = 2C, e escolha valores de componentes apropriados para que a
freqncia caracterstica seja igual a 1 kHz.
COMPONENTES NO LINEARES
Caractersticas tenso-corrente
A descrio mais til das propriedades eltricas de um componente no linear a
relao entre a sua corrente e a tenso aplicada. Isto , de fato, anlogo a importncia
da lei de Ohm para os componentes lineares, pois esta lei constituiu a base de toda a
anlise e operao dos circuitos lineares. A referida relao apresentada, convencionalmente, em grfico denominado caracterstica tenso-corrente (ou V I ) do dispositivo. O desempenho de um elemento no linear em qualquer circuito pode ser analisado com auxlio da caracterstica tenso-corrente apropriada.
Existe uma grande variedade dessas caractersticas associadas com vrios componentes eltricos prticos, inclusive retificadores, que sero discutidos neste captulo e
em outros subsequentes. Em muitos casos, possvel entender a origem dessas relaes no lineares em termos dos princpios fsicos bsicos. Os movimentos dos eltrons no dispositivo, porexemplo, podem nos levar diretamente a variao da corrente
com a tenso aplicada. E o caso da lei de Ohm discutida no Cap. 1, onde o deslocamento de eltrons num condutor resulta em uma caracterstica V I linear. Enquanto a
compreenso dos princpios fsicos envolvidos , amide, importante no desenvolvimento dos projetos de novos dispositivos que tenham propriedades tenso-corrente
favorveis, tal entendimento no necessrio para a anlise do desempenho do componente e o funcionamento do circuito.
As caractersticas VI dos dispositivos no lineares prticos so, na realidade, determinadas por medidas empricas, e no por anlises tericas. Isto devido as complexidades inerentes as unidades prticas. As curvas caractersticas dos componentes
comerciais so apresentadas pelos fabricantes em compilaes e amplamente difundidas. Todos os princpios da anlise de circuito, em particular as leis de Kirchhoff, si50
aplicveis a circuitos com componentes no lineares. Na maioria das vezes, conveniente o emprego de tcnicas grficas nas anlises, em virtude de a caracterstica VI
no poder ser expressa sob forma matemtica manusevel.
O retificador ideal
aproximao para vrios tipos prticos de diodos e a base de muitos circuitos eletrnicos importantes. O diodo a vcuo, discutido no Apndice A, e o diodo de juno so
largamente usados, embora este ltimo j tenha quase substitudo o primeiro, exceto
em certas aplicaes especiais.
O diodo de juno
A adio de certos tomos diferentes a materiais semicondutores puros, como o germnio e o silcio, produz eltrons livres, responsveis pela conduo de corrente,
como ser mostrado no Cap. 5. U m cristal semicondutor que contenha esses tomos
de impurezas denominado cristal tipo n, por causa da carga negativa dos eltrons
portadores de corrente. Analogamente, com a adio de outros tipos de tomos, passa
o semicondutor a conduzir corrente por intermdio de portadores positivos. Este cristal denominado tipo p, porque os portadores tm carga positiva. E possvel mudar a
condutividade de um cristal de tipo n para tipo p , por meio de mudana brusca de um
tipo de impureza para o outro numa determinada regio do semicondutor. A juno
entre a regio tipo n e a tipo p, denominada juno pn, exibe caractersticas eltricas
no lineares distintas.
Tenso aplicada, V
97
A corrente reversa , temperatura ambiente, de vrios microampres nas junes pn de germnio e de apenas alguns picoampres nos diodos de silcio, diferena
tambm relacionada com as propriedades bsicas dos dois semicondutores. Esses valores F ~ Osuficientemente pequenos para que a caracterstica tenso-corrente se aproxime daquela do diodo ideal. A maior preocupao o fato de a corrente reversa
a u m r n x p o n e n c i a l m e n t e com a temperatura. Esse rpido crescimento significa que
s pode ser tolerada uma pequena e l e s 0 nitmperatura, e os diodos de silcio, por
exemplo, tornam-se quase inoperantes a cerca de 200C. As mudanas de temperatura
tambm influem na caracterstica direta, como pode ser observado na Fig. 4.3, onde o
potencial necessrio para conduo no sentido direto reduzido, nos diodos de silcio,
em mais de 0.1 V para uma elevao de apenas 20C na temperatura.
Os diodos de juno utilizados em circuitos com nveis de potncia acima de uns
poucos watts so refrigerados, com a finalidade de dissipar o calor causado pela corrente no dispositivo. E prtica comum unir firmemente os diodos a dissipadores metlicos com aletas irradiadoras, a fim de facilitar a conduo do calor para fora dos
diodos.
A despeito de sua sensibilidade a temperatura, caracterstica comum a maioria dos
dispositivos semicondudores, os diodos de juno so retificadores extremamente
bons. Os comerciais so feitos de silcio ou germnio, por processo similar ao descrito no Cap. 5 , e so encapsulados completamente para proteger de contaminao a
superfcie do semicondutor. Isto conseguido colocando-se o diodo numa cpsula
metlica com atmosfera inerte. ou embalando-o em ~lstico.Por suas caractersticas
eltricas superiores, os diodos de silcio e germnio suplantaram as formas mais antigas de retificadores de semicondutor feitos de xido de cobre ou selnio. E interessante observar que estes ltimos foram os primeiros dispositivos comercialmente teis.
O smbolo de circuito para todos os diodos semicondutores, dado na Fig. 4.4, tem uma
seta para indicar o sentido convencional da corrente direta no dispositivo.
Tenso aplicada, V
Fig. 4.3 Efeito da temperatura nas caractensticas tenso-corrente de um diodo de juno de silcio.
(9
'
CIRCUITOS RETIFICADORES
Retificador de meia-onda
Um circuito retificador elementar (Fig. 4.6) consiste em um diodo em srie com uma
fonte ca e uma carga resistiva. Quando a fonte polariza diretamente o diodo, este
conduz, permitindo a passagem de corrente para a carga. No meio ciclo inverso, o
diodo, polarizado reversamente, no conduz, e a corrente nula. Em conseqncia, a
corrente de sada uma sucesso de semiciclos de senides, como est indicado na
Fig. 4.6, e o circuito denominado retificador de meia-onda. O valor mdio dessa
onda no , evidentemente, zero, de modo que a corrente de sada tem uma compo-
,-
,..-
99
r.
Retificador de onda-completa
O retificador de meia-onda permanece inativo durante um semiciclo do sinal de entrada, no sendo, por isso, to eficiente quanto possvel. O arranjo de dois diodos
como mostrado na Fig. 4.7 possibilita que cada um conduza, alternadamente, durante
um semiciclo, resultando numa retificao de onda-completa. Isto obtido usando-se
um transformador com derivao central. Assim, o diodo D, conduz num semiciclo,
enquanto D, est reversamente polarizado. No semiciclo seguinte, as condies so
invertidas, de modo que a forma de onda da corrente de sada (Fig. 4.8) tem valores
nulos apenas instantneos, em contraste com o circuito de meia-onda.
Observe que cada diodo deve suportar a tenso total entre os extremos do transformador. Conseqentemente, a tenso de pico inversa mxima dos diodos deve ser,
pelo menos, o dobro do valor de pico da tenso de sada. Isto no se constitui, normalmente, em sria desvantagem, exceto nos circuitos projetados para operao em
tenses mais elevadas. A comparao entre as formas de onda na sada dos retificadores de meia-onda e de onda-completa (Figs. 4.6 e 4.8) revela que a frequncia fundamental igual a da fonte de tenso no primeiro retificador e duas vezes a freqlincia da
fonte no caso do circuito de onda-completa. Esta considerao importante nos circuitos das fontes de alimentao, como ser demonstrado em seo posterior. O transformador com derivao central fornece corrente em ambos os semiciclos, o que per-
,---
Retificador em ponte
A retificao de onda-completa sem o transformador com derivao central possvel
utilizando-se o retificador e m ponte (Fig. 4.9). O funcionamento deste circuito pode
ser entendido seguindo-se o caminho percorrido pela corrente em cada semiciclo alter-
central.
101
Dobrador de tenso
Consideremos o circuito da Fig. 4.10, no qual dois diodos esto conectados a mesma
fonte de tenso, mas em sentidos opostos. Durante o semiciclo em que o terminal
superior da fonte positivo, D, conduz e o capacitador C , se carrega ao valor de pico
da tenso de entrada. No semiciclo contrrio, D, conduz e C, tambm se carrega ao
mesmo valor da tenso de entrada. Entrementes, a carga em C , retida e o potencial
em D, est no sentido oposto. Assim, tanto C , como C, se carregam ao valor de pico
da fonte, e a tenso cc na sada igual ao dobro da tenso de pico da entrada. Por isso,
este circuito denominado dobrador de tenso.
A anlise acima se aplica ao caso em que no h corrente na carga. Quando uma
resistncia de carga conectada aos terminais de sada, a corrente fornecida pela
descarga dos capacitores. A cada semiciclo, os capacitores so subseqentemente recarregados. Isto implica, entretanto, em que a tenso de sada com carga no seja
apenas cc, mas tenha uma componente ca. Torna-se necessrio fazer as capacitncias
de C , e C, suficientemente grandes para minimizar essa variao na tenso de sada,
levando-se em conta o dreno de corrente e a freqncia da fonte. A ao de filtragem
dos capacitores nesse circuito ser tratada com maiores detalhes na prxima seo.
---\
Fig. 4.10 A tenso de sada cc do retificador dobrador de tenso o dobro do valor de pico do
sinal de entrada.
FILTROS
Normalmente necessrio reduzir a componente alternada do sinal retificado, a fim de
que a sada seja essencialmente uma tenso cc. Obtm-se isto pormgiodefilt-5 com.
postos de c
Um filtro de fonte de
alimentao
es alternadas da onda
Vef
=-
v,,
De acordo com essa definio, deve-se procurar diminuir o fator de ondulao tanto
quanto possvel. Embora a onda retificada contenha muitos harmnicos da frequncia
do sinal de entrada, geralmente satisfatno determinar o fator de ondulao apenas
na frequncia fundamental. Isto porque a fundamental predominante e tambm
devido aos harmnicos de ordem superior serem mais atenuados pelo filtro passabaixas do que ela.
Filtro capacitiwo
O circuito do filtro mais simples consiste em um capacitor conectado em paralelo com
a resistncia de carga, como na fonte de alimentao de baixa tenso com retificador
em ponte, tpica, mostrada na Fig. 4.11. Se a reatncia do capacitor na frequncia da
rede for pequena, comparada com a carga R,, a componente ca ser desviada, permanecendo apenas a corrente cc no resistor.
-
Fig. 4.11 Fonte de alimentao de baixa tenso prtica empregando filtro capacitivo.
--
mento exponencial da tenso no capacitor durante um perodo dado, aproximadamente, por V, x TIR, C. O valor eficaz de uma onda triangular est calculado no Cap.
2 [Eq. (2.87)], de modo que o fator de ondulao do filtro capacitivo
Carga
\
Descarga
/
rT-I
,-
/-
,.-
Corrente no diodo
,-
Fig. 4.12 A sada do filtro capacitivo uma tenso cc, com ondulao triangular pequena.
-.
A tenso de sada cc real d o filtro capacitivo igual tenso do capacitor menos a ondulao mdia:
onde, mais uma vez, a aproximao Icc = VJR, foi usada para simplicidade. De
acordo com a Eq. (4.3), a tenso de sada cc decresce linearmente a medida que a
corrente cc drenada pela carga aumenta. A constncia da tenso de sada com a solicitao de corrente denominada regulao da fonte de alimentao; a Eq. (4.3) mostra
que um valor grande de capacitncia do filtro melhora a regulao. Deve ser observado que o decrescimento da tenso d e sada, dado por esta equao se refere apenas
a variao que acompanha o aumento da componente de ondulao ca. As quedas R I
associadas com as resistncias do diodo e do enrolamento do transformador reduzem mais a tenso de sada com o aumento da corrente de carga.
Filtro em L
Vejamos a utilidade em adicionar um indutor em srie com o filtro capacitivo, como no
circuito da Fig. 4.13. A indutncia em srie neste filtro com seo em L , ou com
entrada indutiva, ope-se a rpidas variaes na corrente, contribuindo assim para a
filtragem. O fator de ondulao pode ser calculado, observando-se que as componentes de tenso ca do sinal retificado se dividem entre a indutncia e a impedncia Z da
associao capacitor-resistor, enquanto a tenso cc na sada simplesmente igual a
componente cc da onda retificada. Em conseqncia, o fator de ondulao do filtro em
L escrito
Substituindo-se os valores eficaz e cc apropriados ao sinal retificado em ondacompleta [Eqs. (2.92) e (2.88)],
fc
Para o retificador
'
I
I
I
I
7%
105
Seo em L
7%
Filtro em .ir
A combinao de um filtro capacitivo com um filtro em L, como indicado nodiagrama
da fonte de alimentao da Fig. 4.15, um circuito muito popular. A tenso de sada
deste filtro com seo em .rr aproximadamente igual a do filtro capacitivo, bem como
as caractersticas de regulao. A ondulao, no entanto, bastante reduzida pela
dupla filtragem. De fato, o fator de ondulao total , essencialmente, o produto do
fator de ondulao do filtro capacitivo vezes a relao de impedncia do filtro em L. A
despeito de suas propriedades inferiores de regulao, o filtro em .rr largamente utilizado em virtude de sua excelente ao de filtragem.
Outras associaes de tipos de filtro so tambm usadas. Os dois filtros em L da
Fig. 4.16a, por exemplo, possibilitam a boa regulao do filtro em L juntamente com a
ondulao muito baixa. O fator de ondulao em qualquer projeto de filtro calculado,
considerando-se cada filtro simples separadamente, como no caso do filtro em .rr descrito acima.
Uma variante til deste ltimo, particularmente em circuitos de baixa-corrente,
substitui a indutncia por um resistor (Fig. 4.166). Este circuito de utilidade somente
se a corrente for suficientemente pequena, de modo que a queda de tenso no resistor
no seja excessiva, e tambm se a regulao for de'interesse secundrio. Sujeito a
,
essas restries, o circuito possibilita melhor filtragem que um filtro capacitivo simples.
REGULADORES DE TENSAO
Frequentemente se deseja que a fonte de tenso permanea fixa, independente da corrente de carga. Embora a regulao do filtro com entrada indutiva seja boa, mesmo
neste circuito a sada diminui com o aumento da corrente, por causa das quedas de
tenso nas resistncias dos enrolamentos do transformador e do indutor do filtro. Outras variveis, tais como mudanas na tenso da linha e envelhecimento de componentes, podem tambm contribuir para vanaoes na tenso da fonte de alimentao. A fim
de manter a sada constante, dispositivos reguladores d e tenso so incorporados a
fonte. Estes dispositivos so circuitos eletrnicos cuidadosamente elaborados, quando
se necessita de regulao precisa, como ser discutido em captulo adiante. Em outros
casos, utilizam-se componentes especiais que mantm apenas uma modesta estabilidade de tenso.
Diodos zener
Em alguma tenso de polarizao reversa particular, a corrente numa juno p n aumenta muito rapidamente. Isto acontece quando eltrons so acelerados at altas velocidades pelo campo eltrico na juno e produzem outros eltrons livres por ionizao,
devido as colises com os tomos. Estes eltrons so acelerados da mesma forma pelo
campo e, por sua vez, causam outras ionizaes. Este processo de avalancha leva a
correntes muito altas, e diz-se que a juno sofreu ruptura. A ruptura no destrutiva,
entretanto, a menos que se permita que a dissipao de potncia eleve a temperatura a
ponto de a fuso local destruir o semicondutor. A tenso na juno permanece, quase
107
constante para uma ampla faixa de corrente na regio de ruptura. Este efeito pode ser
utilizado para estabilizar a sada de uma fonte de alimentao na tenso de ruptura.
As junes pn desse tipo so denominadas diodos zrner, em virtude de ter sido
Clarence Zener o primeiro a sugerir uma explicao para o rpido aumento da corrente
na ruptura. A curva tenso-corrente do diodo zener (Fig. 4.17) tem um potencial de
transio abrupto e uma regio plana de corrente acima da ruptura. Podem-se obter
diodos zener com tenses de ruptura numa faixa de cerca de dois volts a vrias centenas e com correntes mximas de uns poucos miliampres a muitos ampres.
LA maneira pela qual se emprega o diodo zener para regular a tenso de sada de
uma fonte encontra-se ilustrada na Fig. 4.18. A sada no regulada da fonte V, deve ser
maior que a tenso de zener do diodo. Assim, a queda em R,, provocada pela corrente
no diodo, mais o potencial de ruptura, somados so iguais ao potencial da fonte. A
medida que a corrente de carga aumenta, a do diodo diminui, de modo que a queda em
R, sempre a diferena entre a tenso da fonte e a de zener. Mesmo que a tenso da
fonte varie sob carga, a tenso de sada regulada permanece constante no potencial de
ruptura do diodo.
O regulador de tenso a diodo zener analisado traando-se a caracterstica
tenso-corrente pertinente a R, no mesmo plano que a do diodo. A lei de Kirchhoff
aplicada ao circuito da Fig. 4.18
v,-IR,-V=0
- =
Resolvendo em relao a 1,
I = - v,
--I/ 1
R,
R,
(4.6)
f
C-
.,
(4r3
c
Fig. 4.18
I L --v
RL
7C -t
-, i
<
,
(4.8)
na Fig. 4.17. A corrente de carga dada pela interseo da Eq. (4.8) com a caracterstica do diodo (ponto B). Observe que esta corrente deve ser menor do que a corrente
e m R,, pois, de outro modo, a queda e m R, ser muito grande para manter V , no diodo
e a ao de regulao cessa. Enquanto o ponto B estiver numa corrente menor que A ,
o circuito funcionar adequadamente.
Os diodos zener tambm possibilitam alguma filtragem, j que mantm a tenso de
sada constante apesar das variaes na tenso da fonte, incluindo a ondulao. Por
este motivo, normalmente possvel empregar apenas o filtro capacitivo rudimentar
associado aos reguladores de tenso.
Retificadores controlados
Frequentemente, h necessidade de controlar a potncia entregue a alguma carga, seja
um motor eltrico, seja um elemento aquecedor de um forno. Resistncias em srie ou
potencimetros dissipam potncia, o que uma sria desvantagem nos circuitos de alta
potncia. J se desenvolveram retificadores controlados capazes de controlar a potncia transmitida com pouca perda.
O mais satisfatrio o retificador controlado de silcio ou SCR (do ingls silicon
controlled rectifier). Este componente contm quatro junes pn e m paralelo e ser
descrito com detalhes no Cap. 5. Para os nossos propsitos atuais, suficiente notar
que ele similar a um retificador de juno no qual a conduo direta comandada
pela corrente num eletrodo de controle denominado porta. A incluso desta mostrada no smbolo do S C R ( F i g . 4.19).
A caracterstica tenso-corrente de um S C R tpico (Fig. 4.20) idntica do
retificador de juno no sentido inverso. No sentido direto existem dois estados: um
"ligado", equivalente conduo normal neste sentido no diodo de juno, e outro
"desligado", de baixa corrente. Enquanto o potencial direto anodo-catodo permanecer
abaixo de um determinado valor crtico (na realidade, a corrente correspondente que
crtica), a corrente direta ser pequena. Acima deste valor, o S C R est na condio
ligado de baixa-tenso e alta-corrente. A corrente crtica suprida pela porta, o que
significa que o S C R pode ser comutado para a posio ligado por uma pequena corrente (to baixa quanto 100 pA) fornecida aquele terminal. Se o S C R estiver conduzindo, no h necessidade de manter a corrente de porta, pois ele permanecer nesta
Catodo
--.
1
Estado ligado
*--.
""-.
Estado desligado
I,= o
Polarizao inversa
Polarizao direta
%t
Fig. 4.20 Caracterstica tenso-corrente do SCR. Este pode ser comutado para o estado ligado
pela corrente da porta. Aqui, neste exemplo, I,, > I,, > 0.
<
"
I,,
+.-
I
"
(1 + cos a )
2n
De acordo com a Eq. (4.10), a corrente no motor pode ser ajustada entre um1mximo
(a = 0) e zero ( a = r),simplesmente alterando-se o ngulo de fase dos pulsos na
Fig. 4.21 Circuito simples com SCR para controlar a velocidade de um motor cc.
porta. Existem circuitos simples que geram tais pulsos, como ser descrito em captulo
posterior.
No necessrio usar pulsos no circuito da porta, embora se deva tomar cuidado
em manter o limite da potncia dissipada pelo eletrodo de controle abaixo do valor que
poderia danificar o SCR. Consideremos o circuito de controle por desvio de .fase da
Fig. 4.23, no qual a corrente de porta est defasada em relao a tenso de anodo.
Como a tenso de porta a soma da tenso v, do secundrio e da queda em R , tem-se,
ento,
Fig. 4.22 A forma da corrente de sada depende do ngulo de fase entre a tenso do transformador e o pulso de corrrente da porta.
Fig. 4.24 Formas de onda no circuito de controle por deslocamento de fase com SCR.
Esta equao pode ser resolvida facilmente em relao ao ngulo de fase entre as
tenses de porta e de anodo, que tem a mesma fase que v,. O resultado
&, = arctan
2RoC
= - 2 arctan RoC
( R W C )-~ 1
mostra que a tenso de porta pode ser posta em fase com o potencial de anodo ( R = 0)
ou defasada de aproximadamente 180 (R = E).
As formas de onda da Fig. 4.24 mostram como a variao de 4, altera o instante
em que o diodo conduz em cada ciclo, a medida que a tenso na porta se torna maior
que o valor crtico. Observe que o sinal de porta permanece mesmo durante o semiciclo inverso, embora isto no tenha efeito sobre a caracterstica reversa. O propsito do
resistor R , e do diodo D, no circuito (Fig. 4.23) limitar a corrente de porta a valores
seguros e nela evitar corrente reversa, o que seria deletrio para o SCR.
Limitadores
Consideremos o circuito limitador a diodo da Fig. 4.25, no qual dois diodos so conectados em paralelo com a fonte de tenso ca. As baterias V , e V , polarizam-os reversamente. Quando o sinal de entrada maior que V , , o diodo D , conduz e causa uma
queda de tenso no resistor em srie R. Da mesma forma, cada vez que a entrada se
torna mais negativa que V,, o diodo D, conduz. Assim, o sinal de sada limitado ou
trijudo nos valores ditados pelas tenses reversas V , e V,. A ao de ceifamento
mais eficiente quando a resistncia em srie muito maior que a impedncia de carga.
Os circuitos limitadores produzem ondas quadradas a partir de um gerador de
ondas senoidais, como pode ser visto na ilustrao da Fig. 4.26. Se V , = V , e a amplitude do sinal de entrada consideravelmente maior que as tenses de polarizao, a
forma da sada muito prxima a da onda quadrada. Note que se, digamos, V , = O, a
sada nunca poder ter excurso negativa, de modo que a sua forma a de um trem de
pulsos quadrados positivos. O ceifamento ocorre em qualquer sinal de entrada e pode
ser ajustado alterando-se as tenses de polarizao reversa V , e V,.
O circuito ceifador , alm disso, um dispositivo de proteo til que limita as
tenses de entrada a valores seguros ditados pela tenso de polarizao. Utilizam-se
frequentemente os limitadores em circuitos de rdio-recepo, a fim de reduzir o efeito
dos pulsos de rudo fortes, limitando suas amplitudes a do sinal desejado. A forma de
onda do sinal transmitida sem distoro enquanto a amplitude instantnea permanecer menor que as tenses de polarizao.
Fig. 4.26 As amplitudes mximas do sinal de sada do ceifador so limitadas aos valores das
tenses de polarizao.
Grampeadores
O circuito grampeador a diodo est mostrado na Fig. 4.27. Consideremos, inicialmente, a situao em que a tenso de polarizao V-seja igual a zero. O diodo conduz
em cada ciclo negativo do sinal de entrada e carrega o capacitor a tenso igual ao valor
O, no circuito
de pico negativo deste sinal. Se a corrente de carga nula, o capacitor retm sua carga
durante o semiciclo positivo, uma vez que a tenso no'diodo est no sentido reverso.
Assim. a sada
onde V, o valor de pico negativo da tenso de entrada. De acordo com a Eq. (4.13),
a forma da sada segue a do sinal de entrada a menos de um deslocamento igual a
tenso cc no capacitor.
Voltmetros CA
A ao retificadora dos diodos torna possvel a medio de tenses ca com um voltmetro cc do tipo do medidor de d'Arsonval discutido no Cap. I . Duas maneiras em
que isso realizado nos medidores VOM esto ilustradas na Fig. 4.29. Na Fig. 4.29~1,
o diodo D , um retificador de meia-onda e a componnte cc da onda retificada
registrada no voltmetro cc. O diodo D , foi includo para retificar o ciclo negativo do
sinal de entrada. Embora nenhuma corrente de medio resulte da ao de D,, ele est
includo, de modo que as duas metades da tenso ca so retificadas. Isto assegura ao
voltmetro carregar igualmente o circuito em ambos os semiciclos e evita possveis
distores na forma do sinal. O circuito em ponte da Fig. 4.29b tem maior sensibilidade que o de meia-onda porque um retificador de onda completa.
A deflexo do medidor de d'Arsonval proporcional corrente mdia, de modo
que os voltmetros da Fig. 4.29 medem o valor mdio da tenso ca. A escala do medidor , no entanto, normalmente calibrada para indicar valores eficazes, a fim de facilitar a comparao com os valores cc. Esta calibrao supe que a onda seja senoidal e ,
115
Detectores
As propriedades no lineares do diodo so teis de outras maneiras, no se limitando
apenas aquelas relativas exatamente a retificao. Suponhamos que as amplitudes das
-.
--.
k ~ r a r n p e a d o r L ~ i l t r o - 4
tenses ca aplicadas sejam muito pequenas, de modo que a caracterstica tensocorrente do diodo possa ser representada pela expresso
= a,
V, sen w , t
+ a, V2 s e n o 2 t + a, V: sen2 w, t
+ a, V: sen2 o, t + 2a2 V, V, sen o, r sen o, t
(4.16)
instrutivo colocar a Eq. (4.16) na forma de uma expresso do tipo srie de Fourier,
na qual cada termo representa uma determinada freqncia da forma de onda completa. Isto obtido substituindo-se as expresses trigonomtricas de sen2 e sen w,t sen
w2te reagrupando,
a2
i = - (V:
2
+ V i ) + al(V, sen o, t +
-
a2 (V? cos 2 0 , t
2
sen o, t )
+ v: cos 2 0 , t )
117
O primeiro termo da Eq. (4.17) uma corrente contnua, enquanto o segundo corresponde as tenses de entrada. Os dois ltimos esto em freqncias que no existem
nas entradas originais. Suponhamos que o, e o, no sejam muito diferentes: o termo
relativo a o, - w, , ento, uma frequncia comparativamente baixa.
No circuito misturador da Fig. 4.32, o circuito de sada L,C, sintonizado na
freqncia o, - o,; assim, apenas esta componente tem amplitude aprecivel nos terminais de sada. Com efeito, um sinal de entrada de frequncia o , misturado com
uma onda senoidal de amplitude constante e frequncia o,, sendo convertido numa
freqncia o, - o, na sada. Este processo denominado heterodinagem, e de considervel importncia em receptores de rdio, por exemplo. O sinal de alta frequncia
convertido num de baixa frequncia, que mais fcil de amplificar. Alm do mais,
variando-se o,, faz-se com que o receptor seja sintonizado em outra w , , de modo que
w , - o, constante. Isto importante porque a amplificao do sinal w , - w, feita
com circuitos sintonizados fixos, que so baratos e fceis de serem mantidos ajustados, embora o receptor possa ser sintonizado em diferentes frequncias de entrada.
Usado desta maneira, o circuito da Fig. 4.32 denominado primeiro detector, porque
afreqncia do sinal modificada nos primeiros estgios do receptor.
Este circuito tem outro importante emprego, que pode ser ilustrado com um novo
reagrupamento da Eq. (4.17) e utilizando-se a equivalncia trigonomtrica 2 sen a sen
b = cos (a-)-cos (a+b)
a
1
i = A ( v : + V z ) + a , V 2 s e n o 2 t - - (V: c o s 2 w 1 t + V: c o s 2 u 2 t )
2
2
Suponhamos que o, seja muito menor que o, e que o circuito de sada L,C, seja sintonizado na frequncia w,. Ento, somente os dois ltimos termos da Eq. (4.18) tm
amplitude aprecivel na sada. O primeiro deles simplesmente a corrente resultante
da tenso de entrada na frequncia w,. Uma inspeo cuidadosa do ltimo termo mostra que uma onda senoidal de frequncia w,, mas cuja amplitude varia senoidalmente
na frequncia correspondente a o,.
A forma de onda deste termo, mostrada na Fig. 4.33, revela como a amplitude
varia. Diz-se que a freqiincia o, est modulada pela o,. Esta a base da comunicao
por rdio e televiso, onde uma portadora o, de alta frequncia modulada por um
sinal o, de baixa frequncia, correspondente ao som ou a imagem a ser transmitida. A
tenso de alta frequncia irradiada de uma estao transmissora para um receptor,
onde a forma de onda do sinal recuperada.
O sinal recuperado por demodulao, efetuada num detector de pico, que um
A+
Fig. 4.34 Diodo detector de pico usado para demodular um sinal modulado.
Paul M. Chirlian and Armen H. Zemanian: "Electronics," McGraw-Hill Book Company, New York,
1961.
W. Ryland Hill: "Electronics in Engineering," McGraw-Hill Book Company, New York, 1961.
Jacob Millman and Samuel Seely: "Electronics," McGraw-Hill Book Company, New York, 1951.
-.
119
citivo simples de 8 p F numa corrente de carga de 50 mA, bem como na de 150 mA, supondo uma
sada de 50 V.
Resp.: 0,0104; 0,300; 0,900
4.6 No regulador de tenso a diodo zener da Fig. 4.18, determine a faixa de resistncia de carga
na qual o circuito de utilidade, se R, = 1.500 R e a fonte de tenso V = 150 V ; a tenso de
ruptura do diodo 100 V e a corrente mxima 100 mA. Para um valor fixo de R, = 10.000 O ,
em que faixa de tenso de entrada o circuito regula?
Resp.: Maior que 3 kn; 115 a 265 V
4.7 Esboce a tenso de sada cc do regulador de tenso a diodo zener da Fig. 4.18 em funo da
corrente de carga, desde 0 a 75 mA. Em que faixa de corrente h regulao efetiva?
Resp.: 0 a 50 mA
4.8 Usando o circuito retificador controlado por deslocamento de fase (Fig. 4.231, esboce a corrente de carga cc em funo da resistncia de controle R , se a tenso do secundrio do transformador 100 V eficazes, a resistncia de carga 10 R e C = 0,1 pF. Suponha que o SCR conduza sempre que a tenso de porta apresentar-se positiva em relao ao catodo.
4.9 Analise o circuito do voltmetro pico-a-pico (Fig. 4.361, esboando as formas de onda de
tenso nos pontos A, B e C, supondo que a tenso de entrada em A seja senoidal. Observe que o
circuito um grampeador a diodo seguido por um detector de pico.
Fig. 4.36
4.10 A leitura da sada no voltmetro pico-a-pico da Fig. 4.36, medindo uma onda dente-de-serra,
1,4 V. Qual a tenso do sinal?
Resp .: 1,15 V (4 V pico-a-pico)
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
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A versatilidade inerente aos componentes eletrnicos no lineares realada incomensuravelmente pela capacidade de variao da corrente do dispositivo, de acordo
com os sinais injetados num eletrodo de controle. Tanto o antigo triodo a vcuo (assim chamado por causa do terceiro eletrodo) como o moderno transistor apresentam
essa caracterstica. Eles so considerados elementos ativos, ao invs de componentes
passivos, porque o eletrodo de controle permite interao ativa com as correntes de
sinal no dispositivo.
A s propriedades eltricas desses dispositivos so descritas pelas caractersticas
tenso-corrente, do mesmo modo que para outros componentes no lineares. Com
freqncia h utilidade em se desenvolver uma apreciao destas caractersticas em
termos de processos fisicos bsicos. Desta forma, possvel otimizar o desempenho
do elemento no linear em qualquer aplicao e, tambm, projetar componentes melhorados que tenham as caractersticas eltricas desejadas. As caractersticas
tenso-corrente dos dispositivos eletrnicos dependem basicamente dos movimentos
dos eltrons livres nestes dispositivos.
As funes eletrnicas dos transistores acontecem dentro de materiais slidos
denominados semicondutores. Em concordncia com isto, as propriedades dos transistores e de outros componentes, como o diodo de juno, por exemplo, dependem
diretamente do comportamento dos eltrons nos cristais. Uma grande variedade desses dispositivos tem sido desenvolvida desde a descoberta do transistor, e s possvel devido a versatilidade dos materiais semicondutores.
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
SEMICONDUTORES
Bandas de energia
As propriedades de qualquer material slido, inclusive semicondutores, dependem da
natureza dos tomos que os constituem e do modo pelo qual tais tomos so agrupados, ou seja, so funo tanto da estrutura atmica como da estrutura cristalina do
slido. As experincias tm mostrado que um tomo consiste em um ncleo carregado
positivamente, cercado por eltrons localizados em rbitas discretas. Na realidade, os
eltrons podem permanecer em rbitas estveis nas vizinhanas do ncleo mas em
certos valores discretos de energia denominados nveis de energia do tomo.
As energias que os eltrons de um tomo podem apresentar so representadas por
linhas horizontais num diagrama de nveis de energia (Fig. 5 . 1 ~ ) .As linhas curvas
representam a energia potencial de um eltron prximo ao ncleo. Em consequncia
do princi'pio de excluso de Pauli, somente um certo nmero mximo de eltrons pode
ocupar um determinado nvel de energia, o que resulta no fato de que, em qualquer
tomo, os eltrons ocupam por completo, inicialmente, os nveis mais baixos possveis.
Quando os tomos se agrupam para formar um cristal slido, os eltrons dos nveis superiores dos tomos adjacentes interagem para lig-los entre si. Em virtude da
forte interao desses eltrons exteriores ou de valncia, os nveis superiores de energia so alterados drasticamente. Isto pode ser ilustrado por um diagrama de nveis de
energia do cristal inteiro. Consideremos, primeiramente, dois tomos isolados, cada
qual com um diagrama concernente aos eltrons exteriores, como ilustrado na Fig.
5 . 1 ~ .Quando colocado juntos (Fig. 5.lb), os eltrons de valncia so atrados por
ambos os ncleos, ocasionando a reduo da energia necessria para afastar o eltron
de um ncleo e coloc-lo no outro. Isto significa que o eltron exterior est igualmente
apto a ser colocado perto de qualquer um dos ncleos. O diagrama apropriado para a
combinao de dois tomos tem dois nveis de energia prximos do centro de cada
tomo. Os mais altos, desocupados, esto divididos da mesma forma, indicando que
podem tambm conter dois eltrons em cada um. Quando so trs os tomos grupados (Fig. 5.1b), os eltrons exteriores de todos eles podem ser associados com qualquer dos trs ncleos. Conseqentemente, dispe-se de trs nveis de energia.
At o mais delgado cristal contm muitas centenas de milhes de tomos, de
modo que muitos nveis de energia so associados com cada ncleo, e o diagrama
apropriado para o cristal inteiro uma banda de nveis. A mais baixa banda de energia,
denominada banda de valncia (Fig. 5.1c), est completamente preenchida, de modo
que h um eltron para cada nvel de energia disponvel. Reciprocamente, a banda
superior est vazia porque corresponde aos nveis mais altos desocupados no tomo
isolado. Ela denominada banda de conduo, pelas razes expostas abaixo. A regio
de energia entre as bandas de valncia e de conduo chamada de intervalo de energia proibida, j que no existem eltrons com essas energias no cristal. Este intervalo
corresponde regio existente entre os nveis de energia do tomo isolado, como pode
ser visto comparando-se os diagramas da Fig. 5.1.
Este desenho dos nveis de energia eletrnica num cristal conhecido como mode10 de bandas de energia. A determinao das propriedades eltricas de qualquer
slido muito til, uma vez que mostra como os eltrons se movem no cristal. Embora
as caractensticas gerais do modelo de bandas de energia de qualquer slido sejam
como as descritas, muitos detalhes importantes dependem das estruturas especficas
do tomo e do cristal; particularmente, as diferenas entre metais, semicondutores e
isolantes so refletidas nos seus modelos.
As estruturas atmica e cristalina dos metais so tais que as bandas de valncia e
de conduo se superpem, como indicado no modelo convencional da Fig. 5 . 2 ~ .
--
-- -
Fig. 5.1 Diagrama de nveis de energia para ( a ) tomo isolado, ( b ) dois e trs tomos juntos e ( c )
Como no existe intervalo de energia proibida num metal, quaisquer dos eltrons de
valncia esto livres para vaguear atravs do slido e movimentar-se em resposta a um
campo eltrico. Em conseqncia, os metais so excelentes condutores eltricos.
Um cristal isolante tem um largo intervalo de energia proibida (Fig. 5 2 ) . A
banda de valncia completamente preenchida pelos eltrons e , a de conduo, completamente vazia. Obviamente, a banda superior no pode contribuir para a condutividade eltrica, j que no existem eltrons para agir como portadores. De incio pode
parecer paradoxal, mas os eltrons de uma banda de valncia completa tambm no
podem conduzir eletricidade. Quando um eltron se move em resposta a um campo
eltrico, deve faz-lo ligeiramente mais rpido do que antes. Em conseqncia, possui
maior energia e deve encontrar um nvel vazio de energia ligeiramente maior. Cada
nvel adjacente est, no entanto, preenchido, de modo que impossvel qualquer el-
(a)
(b)
(C)
Fig. 5.2 Modelos de banda de energia do ( a ) metal, (b) semicondutor e (c) isolante
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Nome
8"' Silcio
Germnio
Arsenieto de glio
Antimonieto de ndio
Sulfeto de cdmio
Oxido de zinco
Smbolo qumico
Intervalos de energia
proibida, eV
Si
Ge
GaAs
InSb
CdS
ZnO
tron de uma banda de valncia completa ser acelerado pelo campo eltrico e, por isso,
o cristal isolante.
O modelo de bandas de energia de um semicondutor (Fig. 5.2b) similar ao do
isolante, exceto por ser comparativamente estreito o intervalo de energia proibida.
Uns poucos eltrons podem, atravs desse intervalo, ser promovidos da banda de
valncia para a de conduo, em virtude da energia trmica do cristal a temperatura
ambiente. Os eltrons promovidos podem conduzir eletricidade. As lacunas correspondentes a estes eltrons, na banda de valncia, possibilitam que eltrons desta
banda contribuam, da mesma forma, para a condutividade. Como a quantidade de
portadores muito menor que no caso dos metais, os semicondutores so piores condutores que estes, mas melhores que os isolantes.
A largura do intervalo de energia proibida dos semicondutores da ordem de 1
eltron-volt, como est indicado na Tabela 5.1 para diversos cristais semicondutores
tpicos. O eltron-volt, abreviado por eV, igual ener$ia cintica ganha por um
eltron ao transpor uma diferena de potencial de 1 V. E uma unidade de energia
conveniente no estudo dos semicondutores. Em geral, os materiais que tm grande
intervalo de energia proibida so desejveis como dispositivos semicondutores. O nmero de eltrons levados a banda de conduo em altas temperaturas pequeno, e a
variao nas caractersticas do dispositivo com a temperatura menos severa quando
o intervalo grande. Por esta razo, os cristais de silcio so mais utilizados que os de
germnio.
Eltrons e buracos
De acordo com a discusso anterior, a corrente lquida resultante dos eltrons numa
, eltrons da banda de valncia de um
banda de valncia completa nula. E n t r e t a ~ t oos
semicondutor podem conduzir corrente temperatura ambiente por causa dos poucos
nveis de lacunas deixados pelos eltrons excitados para a banda de conduo. As
lacunas da banda de valncia so denominadas buracos e podem ser tratadas como
portadoras de carga positiva de maneira inteiramente anloga aos eltrons carregados
negativamente na banda de conduo.
O modelo de bandas de energia (Fig. 5 2 ) refere-se a uma estrutura perfeita de
cristal, que no contenha impurezas qumicas e na qual no haja tomos fora de seus
devidos lugares. As propriedades do slido so, portanto, caractersticas de uma estrutura ideal, e o cristal denominado semicondutor intrnseco. Embora no seja possvel
obter estruturas perfeitas em cristais reais, pode-se aproximar desse ideal e ser observado um comportamento intrnseco experimentalmente.
Semicondutores extrnsecos
As propriedades eltricas de um semicondutor so drasticamente alteradas quando
tomos estranhos ou impurezas so incorporados ao cristal. Como as propriedades
agora dependem fortemente do contedo de impurezas, o slido denominado semicondutor extrnseco. Consideremos, por exemplo, um nico cristal de importante material semicondutor que o silcio. Cada tomo de silcio possui quatro eltrons de
valncia que participam da banda de valncia completa do cristal. Suponhamos agora
que um tomo pentavalente, como o de fsforo, arsnico ou antimnio, substitua um
de silcio no cristal. Quatro dos eltrons do tomo de impureza fazem o mesmo papel
dos quatro eltrons de valncia do tomo de silcio substitudo, tornando-se parte integrante da banda de valncia. O quinto facilmente libertado por energia trmica, e
move-se livremente na banda de conduo.
Os tomos das impurezas doam os eltrons para a banda de conduo, sendo por
isso chamados de impureza doadoras. Existe um eltron nessa banda para cada tomo
doador no cristal; observe que no h uma quantidade equivalente de buracos na
banda de valncia. O cristal conduz eletricidade sobretudo em virtude dos eltrons
tipo--n (de-- semicondutor
..
existentes na banda de conduo, sendo assim denominado
vido a carga negativa dos portadores de corrente).
Por comparao, um tomo trivalente, como o de boro, alumnio, glio ou ndio,
produz, ao substituir um tomo de silcio, um buraco na banda de valncia. Como
existem apenas trs eltrons, um dos pertencentes a um tomo adjacente de silcio se
transfere para o de impureza. Diz-se, ento, que o tomo estranho aceitou um eltron
de valncia, e assim essas impurezas so denominadas aceitadoras. Os aceitadores
criam buracos na banda de valncia, no cristal, e produzem um semicondutor tipo p,
devido a carga positiva efetiva de cada buraco.
Um cristal que contenha impurezas doadoras e aceitadoras pode ser tipo n ou tipo
p, dependendo da concentrao de impurezas que for maior, porque eltrons dos tomos doadores completam todos os nveis aceitadores existentes. Cristais intrnsecos
podem ser produzidos, incluindo-se concentraes iguais de doadores e aceitadores;
esses cristais so ditos compensados.
Observe que existem poucos buracos na banda de valncia de um cristal tipo n,
uma vez que alguns eltrons so excitados e transpem o intervalo de energia proibida.
Estes buracos so chamados de portadores minoritrios e , os eltrons, de majoritrios, em virtude de suas concentraes relativas. Reciprocamente, os buracos so portadores majoritrios no semicondutor tipop, enquanto os eltrons, na banda de conduo, so minoritrios. A introduo intencional de tomos de impurezas em semicondutores para a obteno de uma desejada concentrao de portadores majoritrios
denominada dopagem.
DIODOS SEMICONDUTORES
A junopn
A juno entre uma regio tipo p e uma tipo n no mesmo cristal semicondutor, que
uma estrutura bsica em muitos dispositivos, denominada juno pn. Diversas tcnicas diferentes para produzir junes pn sero descritas numa seo posterior. Todas
resultam na transio de impurezas aceitadoras para doadoras num determinado lugar
do cristal. Os eltrons da regio n tendem a se difundir para a regio p atravs da
juno. Em equilbrio, isto compensado por um fluxo idntico de eltrons no sentido
inverso. No entanto, a concentrao de eltrons muito maior no material n , e a
corrente eletrnica originria desta regio seria maior, se no fosse uma elevao do
potencial na juno que a reduz. Argumento idntico aplica-se as correntes de buracos
que se difundem atravs da juno. A magnitude e a polaridade do potencial interno
resultante na juno igualam as duas correntes, e esta barreira de potencial proporciona
excelentes propriedades de retificao a juno pn, como j foi observado no Cap. 4.
Note que a polaridade da barreira de potencial mostrada no modelo de bandas de
,--.
-.
_I
energia de uma junopn (Fig. 5.3) tende a mdnter os eltrons na regio n e os buracos
na regio p, como visto anteriormente. A altura da barreira, V,, depende da quantidade de eltrons dos doadores, na juno, que se transferem para os aceitadores vizinhos, isto , depende das concentraes de impurezas, sendo aproximadamente igual
ao intervalo de energia proibida. A largura d da regio da juno est relacionada a
concentrao de impurezas e a tenso na juno,
( a ) Equilbrio
(C)
Polarizao direta
' ~ i 5.4
~ . ( a ) A corrente na juno p n depende da altura da barreira de potencial na juno que,
em (b), foi aumentada pela polarizao reversa e, em ( c ) , diminuda pela polarizao direta.
elevada. Mais uma vez a corrente eletrnica I,, do tipo p para o tipo n, permanecer
inalterada. A corrente lquida, neste caso, ser grande e corresponder ao sentido
direto.
Na determinao da caracterstica tenso-corrente do diodo de juno, as mesmas
consideraes se aplicam a corrente devida aos buracos, bem como a de eltrons, e a
corrente total a soma das duas. Focalizando a ateno nos eltrons, inicialmente, a
corrente eletrnica da regio n para a regio p controlada pela elevao do potencial
na juno, de acordo com a lei de Boltzmann,
Uma expresso similar se aplica s correntes de buracos, o que significa que a corrente total na juno
>-
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
.-
Fig. 5.5 Caracterstica tenso-corrente da juno pn, de acordo com a equao do retificador.
A polaridade do potencial aplicado tal que a regio p positiva para a polarizao direta. De acordo com a Eq. (5.4), a corrente aumenta exponencialmente no sentido direto. Em contraste, a corrente inversa essencialmente igual a l o e independente
de potenciais reversos maiores que uns poucos dcimos de volt. Um grfico da equao do retificador para pequenos valores de tenso aplicada mostrado na Fig. 5.5. As
- caractersticas tenso-corrente experimentais dos diodos de juno prticos (Fig. 4.2)
concordam bastante com essa equao.
O diodo tnel
Um efeito til ocorre nas junes pn em que as concentraes de impurezas em ambos
os lados p -e n so muito grandes. O modelo de bandas de ene7EiTm ju@ao
dessas mostrado na Fig. 5 . 6 ~para o caso de polarizao nula aplicada.
Concentraes muito grandes significam juno muito estreita, de acordo com a
Eq. (5.1). Larguras da ordem de 10 a 100 dimetros atmicos so facilmente encontra- das nos diodos de germnio e dispositivos similares. Nesta situao, possvel que um
eltron da banda de conduo no lado n pule para a banda de valncia no lado p por
um processo denominado efeito tnel. Este efeito acontece sem variao na energia do
-. eltron. A capacidade de um eltron em atravessar a barreira de potencial da juno
efeito tnel resultado da sua natureza ondulante, e a probabilidade deste eltron
- por
em penetrar na barreira pode ser calculada a partir dos princpios da mecnica quntica. A corrente de tnel depende da largura da juno, do nmero de eltrons capazes
de penetrar no tnel e da quantidade de nveis de energia vazios para os quais possam
- se transferir. Em equilibrio (Fig. 5.6a), as correntes de tnel que atravessam a juno
nos dois sentidos so iguais, e , assim, a corrente lquida nula.
Para um pequeno potencial de polarizao direta, os eltrons, por efeito tnel, vo
(b) Pequena
polarizao
direta
I
(c) Maior
polarizao
direta
Fig. 5.6 Modelo de bandas de energia do diodo tnel (a) em equilbrio, (b) sob pequena polarizao direta e ( c ) sob maior polarizao direta. Observe que a corrente maior em (b) que em ( c )
por causa do efeito tnel.
--
--
--
129
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Caracterstica -L/
direta normal
-- -
02
0.1
Polarizao direta, V
Fig. 5.7 Caracterstica tenso-corrente experimental do diodo tnel. Existe uma regio de resistncia negativa entre as correntes de pico e de vale.
-.
,
Distancia, x
ELETRONICA BSICA
130
TRANSISTORES DE JUNAO
Caractersticas de coletor
O transistor de juno consiste em duas junes pn, paralelas, justapostas no mesmo
cristal. Existem dois tipos possveis: o transistor pnp e o npn, dependendo do tipo de
condutividade da regio comum. O funcionamento dos dois conceitualmente idntico, exceto pela troca do tipo de portadores majoritrios e minoritrios e pelos sentidos de polarizao, de modo que suficiente a discusso do transistorpnp. Exemplos
de estruturas com esta disposio de juno dupla sero analisados na seo seguinte.
O modelo de bandas de energia de uma estrutura pnp sem tenso de polarizao
aplicada (Fig. 5.9a) simplesmente a de duas junes colocadas em oposio. Em
funcionamento, uma juno, denominada do emissor, polarizada diretamente e, a
outra, a do coletor, reversamente, como na Fig. 5.9b. Os buracos injetados na regio
p Junao do
\emikor
Juno do
co~etor
Fig. 5.9 ( a ) Diagrama de bandas de energia do transistor p n p em equilbrio e (b) sob polarizao
para operao; ( c ) concentrao de buracos no caso (b).
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
131
,---.
Fig. 5.10 Correntes no transistor pnp expressas em termos da corrente de emissor e do fator
ganho de corrente.
O ganho de corrente coletor base aumentado quando a tende para a unidade. Os valores tpicos de ,3, na prtica, situam-se na faixa de 20 a 103.
Os portadores minoritnos injetados na base deslocam-se para o coletor por difuso, e o tempo finito que levam para cruzar a base limita a utilizao dos transistores
em altas freqncias. Atravs de tcnicas de fabricao engenhosas possvel obter
bases muito estreitas (- 5 x 10-7 m) e, assim, amplificao em frequncias de 109Hz.
E tambm necessrio reduzir a rea das junes nos transistores de alta-freqncia, a
fim de minimizar os efeitos adversos das capacitncias dessas junes.
Uma maneira conveniente de representar as caractersticas tenso-corrente de um
transistor atravs da caractenstica de coletor (Fig. 5.11), para diferentes valores da
corrente de emissor.' Quando I, = O, a caractenstica simplesmente a curva de saturao reversa da juno do coletor. A corrente de emissor translada a curva ao longo
do eixo das correntes, ou seja, I, um parmetro. Estas caractersticas procedem
diretamente da discusso anterior e referem-se a configurao de circuito base comum,
j considerada na Fig. 5.10. Nesta configurao, o terminal de base comum aos
circuitos de entrada e de sada. Como ser visto com maiores detalhes no prximo
captulo, a configurao emissor comum, na qual o eletrodo emissor comum aos
circuitos de entrada e sada, apresenta propriedades mais favorveis.
A qualidade dos transistores , na prtica, to satisfatria, que o ganho de corrente de base comum a muito prximo da unidade e a corrente de fuga reversa na
juno do coletor desprezvel para todos os efeitos. Conseqentemente, as caractersticas de coletor em base comum so bastante planas, retas e uniformemente espaadas. Na verdade, essas curvas apresentam pouquissima informao, de modo que
quase nunca so medidas. As caractersticas de coletor em emissor comum (Fig. 5.12)
Corrente de emissor, mA
2 1 J i
I-fn_
OO
12
16
Potencial de coletor, V
'N.T. As caractersticas que relacionam a tenso e a corrente na sada, tendo como parmetro a corrente (ou
tenso) na entrada, so denominadascaractersticas de sada.
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Fig. 5.12 Caractensticas de coletor em emissor comum do transistor de silcio npn 2N3521.
I,
a,l,
= a l I 1 i-
I 2 = I p + II
(5.8)
onde I , a corrente entrando no terminal da porta. Substituindo-se o valor de I , na Eq.
(5.7) e resolvendo em relao aI,, d
Porta
Fig. 5.14 ( a ) Esboo do SCR e (h) sua interpretao em termos de transistor pnp acoplado a
transistor npn.
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
135
De acordo com a Eq. (5.9), se a soma dos ganhos de corrente a , + a, for quase
unitaria, a corrente I , poder ser muito grande, ainda que a corrente de porta seja
pequena. De fato, se a , + a, = 1 , a corrente elevada e limitada apenas pela resistncia hmica do semicondutor, embora no haja corrente na porta.
As caractersticas tenso-corrente do SCR (Fig. 4.20) so interpretadas da seguinte maneira: quando I , nula, o transistor pnp da Fig. 5.14b no tem polarizao
entre base e emissor e , conseqentemente, no conduz. Numa determinada tenso
critica, a ruptura por avalancha na juno do coletor provoca o aumento da corrente, e
isto faz com que ambos os transistores conduzam. Este estado atingido, em baixos
valores de tenso aplicada, aumentando-se I , para forar o transistorpnp a conduo,
o que, por sua vez, polariza o transistor npn de modo a conduzir. Uma vez levado
conduo, a corrente de porta pode ser reduzida a zero, j que a do dispositivo, por si
s, mantm a corrente de polarizao em ambos os transistores.
As caractersticas tenso-corrente do SCR indicam propriedades de resistncia
negativa, pois a diminuio da tenso ocasiona um aumento na corrente, quando da
transio do estado desligado para o ligado. Este efeito de resistncia negativa diferente daquele do diodo tnel da Fig. 5.7. A diferena entre os dois pode ser identificada, observando-se que uma reta paralela ao eixo das tenses, traada na regio de
resistncia negativa da Fig. 5.7, intercepta a curva caracterstica em outro ponto. Ao
contrrio, na Fig. 4.20, a reta deve ser paralela ao eixo das correntes, para que possa
interceptar a curva outra vez. A forma da curva do diodo tnel frequentemente
chamada de caracterstica de resistncia negativa tipo N e , a do SCR, tipo S, por
causa das formas relativas dos dois tipos.
O transistor unijuno
Uma caracterstica de resistncia negativa tipo S algo similar a do SCR produzida .
pelo transistor unijuno. O smbolo de circuito deste transistor (Fig. 5.15) mostra,
esquematicamente, que o dispositivo consiste em uma barra semicondutora com dois
contatos hmicos e uma nica juno pn de emissor, de pequena rea, posicionada
entre eles. No existindo corrente de emissor, uma parcela da tenso V , aplicada entre
os contatos de base aparece na juno de emissor, devido a ao de divisor de tenso
da barra. Enquanto a tenso de emissor for menor que essa paicela, haver apenas
corrente reversa no mesmo e a juno estar polarizada inversamente. Se, entretanto,
a tenso V , na juno for aumentada, de modo que o emissor se torne polarizado
diretamente, a corrente no mesmo tambm aumentar, e haver injeo de portadores
na regio entre o emissor e 3,. A resistncia desta regio diminui e a atuao do
divisor de tenso reduz a parcela de V, na juno. Assim, a corrente no emissor aumenta, mesmo que a tenso a diminua. Isto resulta numa caracterstica de resistncia
2N492
4-
1O
15
20
v,,v
Fig. 5.16 Caractensticas.tenso-correntedo transistor u~juno2N492.
Fabricao de transistores
Dentre os vrios modos de produzir cristais semicondutores contendo duas junes
pn, quatro se tornaram mais populares: as tcnicas planar, mesa difundida, liga e cultura (Fig 5.17). Muitas modificaes desses quatro tipos foram idealizadas, mas diferem das citadas somente em pequenos detalhes. O transistor de juno cultivada foi,
historicamente, o primeiro tipo de juno fabricada e j foi suplantado. E preparado
durante a recristalizao, aps fuso, alterando-se o contedo de impurezas do material fundido. O cristal tpico pode ter 1 a 2 cm de dimetro, ao passo que o transistor
tem apenas cerca de 1 mm2, sendo que, assim, vrios transistores podem ser obtidos
cortando-se o cristal original. Soldam-se conexes as regies do emissor, base e coletor. A solda contm uma pequena quantidade de impurezas correspondentes ao tipo de
condutividade do material soldado, a fim de se obterem bons contatos eltricos. Assim, coloca-se ndio na solda dos contatos ligados as regiesp e antimnio na de base.
Isto se torna particularmente importante ao se fazer a ligao a bases muito estreitas,
por.que a impureza tipo n faz bom contato eltrico com a base, que de mesma natureza; mas, ao mesmo tempo, forma uma juno pn com as regies tipo p. Logo, o
contato soldado base fica de fato isolado eletricamente do emissor e do coletor,
mesmo que se estenda alm dessa fina regio.
O transistor de juno de ligapnp, hoje em dia tambm largamente suplantado por
outros processos, produzido a partir de uma fina pastilha d e cristal tipo n, na qual se
colocam pelotas de ndio nas faces opostas e se aquecem. A medida que o ndio se
funde, dissolve o germnio sob si. Durante o resfriamento subseqente, o germnio
derretido se recristaliza no cristal bsico, incorporando muitos tomos de ndio em sua
estrutura. O material recristalizado , portanto, tipo p, e est formada, assim, a estrutura do transistor. E conveniente fazer a pelota do coletor maior que a do emissor,
pois, deste modo, os portadores injetados na juno do emissor so coletados mais
eficientemente. Desta forma, a juno de liga , inerentemente, uma geometria de
transistor mais satisfatria do que a forma juno cultivada.
Como vimos anteriormente, necessrio que as regies do transistor sejam to
- -
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
0,01 rnrn
+-
I
1 mm
t
ld
( d ) Planar
pequenas quanto possvel, a fim de que haja desempenho satisfatrio em altafreqncia. Isto difcil de ser obtido no caso do transistor de juno de liga, embora
muitas variaes engenhosas deste processo tenham sido desenvolvidas para se conseguir esse objetivo. A tcnica de mesa difundida (Fig. 5.17c), entretanto, muito mais
adaptvel aos transistores de alta-freqnciaporque o processo de fabricao da juno pode ser controlado. A juno do coletor formada coin a colocao de uma
pastilha de cristal tipo p em vapor contendo impurezas de, digamos, antirnnio. A
medida que a pastilha aquecida, os tomos de antimnio se difundem para o interior
do cristal, numa profundidade de aproximadamente 10-3 mm. Este , em seguida, encoberto e quimicamente corrodo, a fim de se obter uma regio pequena e elevada (a
mesa) com cerca de 2 rnm de dimetro. O topo da mesa , ento, convenientemente
coberto com uma mscara, de modo que fiquem expostas duas regies de 0,3 rnm de
dimetro onde so depositados metais apropriados por evaporao em alto vcuo. A
139
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Caractersticas do dreno
rA
L: I
.-i
,1
*-
>k
j
.
--
'N.T. Abreviatura do ingl. field-effect transistor, aqui mantida por ser de uso corrente, como o a do SCR.
Este procedimento adotado ao longo de todo o livro.
Dreno,
+ t
Porta,
Fonte
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
onde I,, uma constante que depende basicamente da geometria do FET. evidente
que a corrente de dreno no depena? da tenso de dreno acima do estrangulamento.
As Eqs. (5.10) e (5.11) constituem uma boa representao das caractersticas de dreno
dos F E T prticos, como est ilustrado na Fig. 5.21 para o caso do transistor canal p.
A tenso dreno-fonte mxima limitada pela ruptura na juno da porta.
A caracterstica de transferncia
As variaes na corrente de dreno correspondentes as variaes da tenso no eletrodo
da porta, descritas pela Eq. (5.11), so mais claramente observadas num grfico da
corrente de dreno em funo da tenso de porta, denominado caracterstica de transferncia, porque relaciona variaes no circuito de sada provocadas pelo sinal de
entrada. A caracterstica tpica da Fig. 5.22 mostra a dependncia, segundo a lei quadrtica, dada pela Eq. (5. l l).
Esta caractersfica uma alternativa na descrio das propriedades eltricas no
lineares do FET. E um complemento das caractersticas de dreno e mostra diretamente a variao da corrente de dreno por variao unitria da tenso de porta. Esta
relao uma medida da capacidade de controle do dispositivo, sendo que valores
grandes indicam propriedades de amplificao favorveis. Deve-se notar que as caractersticas de controle do FET so fundamentalmente diferentes das do transistor de
juno, pois o sinal de entrada tenso, em vez de corrente. As conseqncias desta
diferena so exploradas de vrias maneiras nos captulos subseqentes. Na realidade,
os dois tipos de controle proporcionam ao amplificadora bastante eficaz, mas as
configuraes de circuito e as propriedades de operao do F E T diferem daquelas do
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Fig. 5.23 Caractersticas de transferncia do FET canal p 2N5267 em trs temperaturas diferen-
c~
-
--
,i
tes.
transistor de juno.
Como o fluxo de corrente no F E T devido aos portadores majoritrios, ao contrrio do transistor de juno, suas propriedades eltricas tendem a ser menos sensveis a temperatura. No obstante, a mudana na caracterstica de transferncia com a
temperatura, ilustrada na Fig. 5.23, kostra que o efeito no desprezvel. Configuraes de circuito adequadas foram i&&lizadas para minimizar as variaes de desempenho com a temperatura, de modo q& os dois tipos de transistores so operveis nas
faixas prticas de temperatura. 5 -1 r ;r
possvel um controle bem parecidksobre os portadores de corrente num semicondude porta metlico apropriado, isolado do
ter, sem junopn, utilizando-se um
campo de porta isolada so conhecidos
semicondutor. Esses transistores de
como'ZGFET. Os melhores so os fei'bs de silcio,-que empregam uma fina camada de
xido de silcio como isolante. A te? inologia descritiva do transistor de efeito de
campo de metal-xido-sernicondutor OSFET.
O MOSFET ilustrado na Fig. 5 . 2 4 ~tem as regies de fonte e dreno tipo n assentadas no interior de um cristal tipo p. O eletrodo metlico da porta depositado em
cima de uma fina camada de xido na superfcie. Normalmente, o substrato p conectado fonte e, um potencial negativo, aplicado a porta.
Este potencial negativo repele os eltrons do canal tipo n, e forma-se uma camada
Porta
Dreno
Fonte
Porta
Dreno
Camada
de 6xidoh
Na realidade, um MOSFET de depleo pode operar tambm no modo de reforamento, uma vez que o canal pode ser dilatado ou reduzido pelo potencial de porta.
Uma comparao conveniente entre os diversos tipos de F E T possveis dada por
suas caractersticas de transferncia (Fig. 5.25). O FET de juno emprega o modo de
depleo (Fig. 5.25a), j que a juno pn da porta no pode ser polarizada diretamente.
O MOSFET de depleo pode ser usado com qualquer polaridade de porta (Fig.
5.25b), enquanto o de reforamento requer polarizao positiva (Fig. 5 . 2 5 ~ ) .Observese, entretanto, que, a no ser por um deslocamento lateral, todas as trs caractersticas
de transferncia so muito semelhantes. Na prtica, as caractersticas de dreno do
MOSFET so bem parecidas com as do FET de juno, como se observa na Fig.
5.26, exceto por serem operativas tanto a tenso de porta positiva quanto a negativa.
O smbolo de circuito para o MOSFET de canal n (Fig. 5.27) lembra a estrutura
de porta isolada. Os MOSFET de canalp so indicados, invertendo-se a ponta da seta
indicativa do sentido convencional da corrente no canal. Maior evidncia da versatilidade desse transistor o MOSFET de dupla-porta, que tem dois eletrodos de porta
dispostos ao longo do canal. Uma grande regio tipo n similar a fonte colocada entre
as duas portas, mas no conectada externamente. -A porta mais prxima do dreno
isola-o da porta de controle, reduzindo a capacitncia dreno-porta. Obtm-se, assim,
melhor desempenho em altas freqncias.
Fig.
CIRCUITOS INTEGRADOS
Princpios dos circuitos integrados
fl"
Processos de fabricao
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
v,
o
(b) Depleo-reforamento
(a) Depleo
(c) Reforamento
i
"
2 (c) reforpmento.
<
.i
.
.
&
Pelcula de xido
Camada epitaxial tt
( a ) Cultura epitaxial
( b )Difuso do isolamento
(C)
Difuso da base
( d ) Difuso do emissor
Resitor
Terra a+b+c
Diodos
Transistor
( e ) Metalizao
Resistor
?+
b
Terra
( f ) Diagrama de clrcuito
Fig. 5.28 As etapas de ( a ) a ( e ) do processo de fabricao resultam no circuito integrado completo V).
dimenses microscpicas. Isto significa, tambm, que vrios C1 podem ser fabricados
simultaneamente na mesma pastilha de silcio, simplesmente construindo-se uma mscara que tenha o circuito desejado repetidas vezes. Aps a ltima difuso de impurezas, deposita-se uma fina camada metlica (tambm atravs de uma camada de fotopoImero) a fim de interligar os vrios componentes e prover os terminais para as conexes externas.
Este processo mais bem entendido seguindo-se as etapas da fabricao de um
circuito simples (Fig. 5.28). De incio, uma barra de cristal tipo p exposta a vapor de
silcio, contendo tomos de impurezas tipo n . O resultado (Fig. 5 . 2 8 ~ ) uma camada
epitaxial tipo n. Epitaxial significa que a camada tipo n tem a mesma estrutura do
cristal, como o substrato tipo p . A superfcie oxidada, mascarada e demarcada, e
uma difuso tipo p isola as vrias regies n (Fig. 5.28b). Estas etapas esto nas Figs.
5 . 2 8 ~e 5.28. Finalmente, as interligaes so acrescentadas (Fig. 5.28e).
Este processo resulta no circuito cujo diagrama est na Fig. 5.28f, o que pode ser
observado atravs da comparao cuidadosa com a Fig. 5.28e. Observe, particularmente, como os resistores e diodos so isolados do substrato tipo p, em cada modelo,
pela juno p n . Veja tambm que o smbolo de circuito convencional do transistor npn
utilizado no diagrama de circuito. O circuito deste exemplo denominado porta
NAO-E (ou NE) DTL,' que ser estudada em detalhe no Cap. 11.
Fig. 5.29 Circuito integrado do amplificador diferencial da Fig. 5.30. (Motorola Semiconductor
Products, Znc.)
'N.T. DTL significa lgica diodo-transistor (abrevituara do ingl. diode transistor logic).
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
149
Circuitos prticos
E possvel reconhecer os diversos componentes na micrografia de um circuito integrado prtico (Fig. 5.29). O circuito desta figura, denominado amplificador diferencial,
est representado na Fig. 5 . 3 0 ~e~ser analisado no prximo captulo. Observe que as
interligaes metlicas aparecem mais claras na micrografia e que, frequentemente,
necessrio fazer ziguezagues com os resistores, a fim de se obter a resistncia desejada. Embora esse circuito seja relativamente simples, digno de nota o fato de todos
os 12 componentes estarem contidos num pequeno invlucro do tamanho aproximado
de um simples transistor (Fig. 5.30b).
Existem circuitos muito mais complicados sob a forma de CI, que sero discutidos nas sees subseqentes. Cada circuito desses pode ser, normalmente, empregado
de vrias maneiras. inclusive associado com outros circuitos integrados para desempenhar funes bastante complexas. E m algumas ocasies, notadamente e m computadores digitais, a associao de vrios circuitos integrados pode s e r feita num nico C I .
Tal processo, denominado integrao e m larga escala, ou LSI,' miniaturiza ainda
mais o s circuitos eletrnicos e proporciona a vantagem adicional d e ser muito rpida
a propagao d o sinal atravs d o circuito. Existe possibilidade d e fabricao d e circuitos L S I contendo mais d e 1000 transistores.
A s vantagens d o L S I so mais prontamente conseguidas nos circuitos integrados
com M O S F E T , e m virtude de os processos'de fabricao serem mais fceis que no
caso d e C1 baseados e m transistores d e juno. Isto se deve estrutura mais simples
d o M O S F E T , comparada a desse transistor, e por causa d a versatilidade inerente a s
referidas estruturas. E m particular, a simetria complementar d o s C1 com M O S F E T
mostram-se muito vantajosas nas aplicaes e m L S I d a eletrnica digital, como ser
visto nos captulos seguintes.
SUGESTESPARA LEITURA COMPLEMENTAR
Leonid V. Azaroff and James J. Brophy: "Electronic Processes in Materials," McGraw-Hill Book
Company, New York, 1963.
James J. Brophy: "Semiconductor Devices," McGraw-Hill Book Company, New York, 1964.
Edwin R. Jones: " Solid-State Electronics," Intext Educational Publishers, Scranton, Penn., 1974.
Rodney Bruce Sorkin: "Electronics," McGraw-Hill Book Company, New York, 1970.
5.1 Trace as curvas caractensticas ,diretas das junes pn de germnio e silcio at a corrente de
10 mA. UJilize a equao do retificador e faa I , = 10-% para o germnio e I , = 10-l2 A para O
silcio. Que polarizao direta a mais necessria no caso do diodo de silcio para atingir a
corrente de 10 mA? Repita para 1 mA.
Resp.: 0,4 V; 0,4 V
5.2 Por diferenciao da equao do retificador de diodo de juno, Eq. (5.4), determine uma
expresso para a resistncia da juno R = (dI/dV)-'. Se e/kT = 38 V-' na temperatura ambiente,
calcule a relao de retificao no potencial de 1 V.
Resp.:
5.3 Desenhe o modelo de bandas de energia de um transistor npn em equilbrio e polarizado
convenientemente para operao como transistor.
5.4 Calcule e trace as curvas caractersticas de dreno do FET 2N2499, utilizando as Eqs. (5.10) e
(5.11). Faa-o calculando I,, e V, a partir da curva V, = O da Fig. 5.21. Compare com a Fig.
5.21.
Resp.: 9 mA; 6,6 V
5.5 Calcule e trace as curvas caractensticas de coletor em base comum de um transistor de silcio
na temperatura ambiente e para potenciais de coletor at o mximo de 0,5 V. Suponha que O
ganho de corrente seja unitrio e que I , = 1 p A .
5.6 Repita o Exerccio 5.5 para.a temperatura de 150C. Suponha que I , aumente de acordo com
aEq. (5.5) efaaV, = 0,7 V.
5.7 Calcule a caracterstica de transferncia do FET 2N2499, utilizando a Eq. (5.11). Faa-o
usando os valores de I,,, e V, do Exerccio 5.4. Compare com a curva experimental deduzida da
Fig. 5.21 com potencial de dreno de 15 V.
5.8 Trace as curvas caractersticas de transferncia experimentais de todos os transistores cujas
caractensticas tenso-corrente so dadas nas Figs. 5.11, 5.12, 5.13, 5.21, 5.26, 6.14, 6.28, 7.12 e
7.13. Observe as faixas de tenso e corrente mostradas nesses dados. .
-
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
151
5.9 Para cada dispositivo do Exerccio 5.8, calcule a relao entre a variao na corrente de sada
e a variao no sinal de entrada, nas proximidades do meio da faixa. Observe o compromisso da
variao da magnitude dessa razo em relao capacidade de fornecer potncia.
Resp.: Menor para potncias maiores.
5.10 Compare a razo entre a variao na corrente de sada e a variao na tenso de entrada
para o transistor de juno da Fig. 5.12 e para o FET da Fig. 5.21. Faa-o, dividindo o ganho de
corrente do transistor de juno pela resistncia da juno de emissor, para converter a corrente
de entrada em tenso.
Resp.: 41 S; 2,6 + l O P S
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
T
&\.
R [
:,c,,
-c-cq7\
e-
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
Retas de carga
O funcionamento do FET como amplificador pode ser examinado mais facilmente com
auxlio do circuito amplificador elementar, empregando um F E T canal p, mostrado na
Fig. 6.1. Nele, o dreno mantido em um potencial negatiGe'iiiTel50 fonte pela
bateria V d d ,ao passo que a porta polarizada positivamente pela bateria V,,. As
variaes na tenso da porta, resultantes de um sinal de entrada AV,, produzem variaes na corrente de dreno, que so observadas como uma tenso de sinal AV, no
resistor de carga R,.
O circuito analisado utilizando-se as leis de Kirchhoff de maneira normal, exceto
que, em virtude de as propriedades tenso-corrente do F E T no serem lineares, a
soluo deve ser obtida graficamente. A equao da tenso no circuito de sada
A Eq. (6.2) determina uma linha reta nas caractersticas de dreno do FET a qual
intercepta o eixo das tenses em V d f= V d de O das correntes em I, = Vdd/RI,.
Ela , de
fato, a caracterstica tenso-corrente de R , , e denominada retu de cargu.'
A reta de carga, juntamente com as caractersticas de dreno, representa duas relaes a duas incgnitas: V, e I , Superpondo-se a reta de carga as caractersticas, como
na Fig. 6.2, a corrente de dreno relativa a cada tenso de porta dada pela interseo
da reta com a curva correspondente.
-Q
~.
. . . 4 ~ ~ 4 cat-,k
-ti
-,
-
- l/R,.
A &,CL
Cxs
I
~ I=&--~As,
Reta de carga
-n,
02
,#
to ae; \
I I
. ,.
Fig. 6.2 O ponto de operao a interseo da reta de carga com a curva de poiarizao de
porta.
O p o n t o de operao a interseo da reta de carga com curva caracterstica correspondente a tenso de polarizao de porta. A medida que a tenso de porta varia,
acompanhando o sinal de entrada aplicado, observa-se uma excurso para cima e para
baixo, ao longo da reta de carga, ocasionando uma variao na corrente I, e na tenso
V, de modo que a Eq. (6.2) satisfeita a cada instante. Na Fig. 6.2, por exemplo, um
sinal de entrada de 0,4 V provoca uma variao de aproximadamente 0,6 mA na corrente de dreno, o que resulta num sinal de cerca de 6 V na sada, isto , o circuito
Polarizao
O uso de uma bateria para polarizar a porta economicamente impraticvel na maioria
dos circuitos. Em vez disso, pode-se obter o mesmo efeito por intermdio de um resistor R, em srie com a fonte (Fig. 6.3), sendo o potencial da porta dado pelo divisor
resistivo conectado a fonte de tenso Vdd.Assim, a corrente no resistor R, provoca
uma queda de tenso com amplitude e polaridade apropriadas para polarizar reversamente a juno da porta, que mantida a um potencial negativo. Uma das caractersticas deste circuito que, por exemplo, se uma mudana na temperatura ambiente aumentar a corrente de dreno, a queda de tenso sobre o resistor de fonte aumenta a
polarizao de porta, que tende a fazer a corrente de dreno retornar ao seu valor
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
Fig. 6.3 Amplificador prtico com FET de canal n , usando polarizao de fonte.
V,,
I d R L- V d f- Id R,
=O
(6.3)
Uma vez, entretanto, que a tenso de polarizao de porta no conhecida, ao contrrio do circuito mais simples analisado anteriormente, necessria uma outra relao,
que pode ser encontrada equacionando-se as quedas de tenso no circuito de entrada,
As duas equaes acima podem ser postas sob as mesma forma. A reta de carga , da
Eq. (6.31,
Observe que a Eq. (6.5) similar a (6.2) e que a Eq. (6.6) tem a mesma forma. Estas
expresses, juntamente com as caractersticas de dreno, representam trs relaes a
trs incgnitas ( V d f ,Id e V P f )e so resolvidas graficamente.
A reta de polanzao dada pela Eq. (6.6), superposta a caracterstica de transferncia (Fig. 6.4), determina imediatamente a corrente de dreno e a tenso de porta. A
tenso de dreno , ento, encontrada da interseo da curva de polarizao de porta
com a reta de carga. Assim, o ponto de operao fica completamente determinado.
Um sinal de entrada aplicado porta acarreta variaes correspondentes na corrente de dreno, conforme indica a curva de transferncia da Fig. 6.4. Do mesmo modo
que no circuito anterior, essa corrente, atravs do resistor de carga, produz um sinal
na sada. Isto est ilustrado graficamente na Fig. 6.4, onde foi traada a reta de carga
ca sobre as caractersticas de dreno. Esta reta simplesmente a reta de carga cc da
Eq. (6.5) com o resistor de fonte igual a zero, para que seja levada em considerao a
ao de curto-circuito do capacitor de desvio nas freqncias do sinal.
Observe que um sinal de entrada senoidal resulta em um sinal de sada tambm
senoidal e de amplitude maior. A forma deste sinal no exatamente a rplica amplificada da entrada, por causa da curvatura na caracterstica de transferncia. Esta distoro pode ser minimizada por um projeto adequado do circuito e pela escolha apropriada do ponto de operao. Note tambm, na Fig. 6.4, que um acrscimo na tenso
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
Parmetros incrementais
As amplitudes dos sinais aplicados aos amplificadores com F E T so frequentemente
pequenas, em comparao com a faixa total de tenso abrangida pelas caractersticas
de dreno. Neste caso, a anlise grfica do desempenho do F E T no precisa, pois as
caractensticas citadas no so apresentadas com exatido suficiente. Um procedimento mais satisfatrio substituir o transistor por um circuito equivalente, que pode
ser estudado por meio da anlise de circuito convencional. Aps a determinao grfica do ponto de operao, os pequenos desvios ao seu redor, provocados pelos sinais,
so tratados como lineares. De acordo com as caractensticas de sada, a corrente de
dreno depende tanto da tenso de porta como da tenso de dreno. Uma pequena
variao AI, na corrente, em torno do ponto de operao, pode, portanto, ser escrita
como
onde AVpf e AVdf so pequenas variaes nos potenciais dos eletrodos, e k, e k,, constantes.
A relao AId/Av, pode ser interpretada como a recproca de uma resistncia
equivalente denominada resistncia de dreno,
Da mesma forma, a relao hld/AV,, d a variao na corrente de dreno em decorrncia de uma variao da tenso no circuito da porta; tem a dimenso de condutncia,
sendo por isto denominada transcondutncia mtua,
158
ELETRONICA BSICA
Considerando-se, agora, que esses pequenos desvios em torno do ponto de operao sejam sinais ca, a Eq. (6.10) torna-se
g.-v
id
v.
--
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
2N5484
2N5268
2N3797
3N157
/-.
e
2.000
1.700
2.300
50.000
15.000
40.000
2.000
17.000
suficientemente baixas para que sua reatncia possa ser desprezada. Este assunto ser
tratado mais exaustivamente no Cap. 7.
Da mesma forma, normalmente se supe que as reatncias dos capacitores de
acoplamento e do capacitor de desacoplamento da fonte sejam desprezveis nas freqncias do sinal de interesse. O circuito equivalente mais simples da Fig. 6.7b
baseado nessas suposies. A despeito das aproximaes feitas, mostra-se um modelo
til do amplificador real para muitas finalidades.
i,, mA
:
Fig. 6.6 Variao dos parmetr&sincrementais do FET de canalp tipo 2N5268 com
dreno.
corrente de
Fig. 6.7 (a) Circuito equivalente ca do amplificador com FET da Fig. 6.3 e (b) versa0 simplificada, supondo as reatncias capacitivas desprezveis.
Caso a resistncia de dreno seja muito maior que o resistor de carga, o que acontece
com muita freqncia, a Eq. (6.13) se reduz a
De acordo com a Tabela 6.1, pode-se esperar um ganho de 7.000 x 2.000 x 10-6
=14, aproximadamente. O valor mais preciso calculado aps determinao da
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
161
transcondutncia mtua no ponto de operao. O sinal negativo na Eq. (6.14) representa a defasagem de 180 entre os sinais de entrada e de sada, como j foi discutido
anteriormente. Uma caracterstica importante do amplificador com F E T a elevada
impedncia de entrada, que, na Fig. 6.7b, essencialmente igual a R,,. E tambm de
interesse a impedncia de sada, que igual ao resistor de carga se a resistncia de
dreno for grande, como suposto na deduo da Eq. (6.14).
Fig. 6.9 (a) Circuito equivalente do amplificador seguidor de fonte e (b) o mesmo circuito em
outra disposio.
--~
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
163
sinal, a impedncia de entrada efetiva muito grande; muito maior que, digamos, R,.
Acontece, tambm, que a impedncia de sada muito baixa; muito menor que R, +
R,. Assim, o seguidor de fonte um amplificador casador de impedncia, com alta
impedncia de entrada e baixa impedncia de sada, e, por este motivo, bastante til,
tanto na entrada como na sada dos circuitos amplificadores multiestgios. Este aspecto ser explorado quantitativamente no Cap. 8. Alm disso, a Eq. (6.17) mostra
que o desempenho do circuito relativamente insensvel a variaes em seus parmetros ou nos incrementais do FET, contanto que a resistncia de dreno e a transcondutncia mtua sejam suficientemente grandes para que as aproximaes permaneam
vlidas.
Voltmetro a FET
A amplificao e a elevada impedncia de entrada do F E T resultam em um voltmetro
eletrnico sensvel, quando usado com um miliampermetro de dlArsonval comum. O
seguidor de catodo balanceado, com o medidor conectado entre os terminais de
fonte, mostrado na Fig. 6.10, um circuito bastante empregado. A tenso a ser medida
aplicada em uma das portas, enquanto a outra, no utilizada, aterrada. Observe
que esto sendo usados FET canal p, embora seja igualmente possvel a utilizao de
transistores canal n. Em Grtude de o seguidor de fonte apresentar alta impedncia na
entrada e baixa na sada, este circuito particularmente til como voltmetro.
-. quiescente
-
,i
--
FET ou nos outros componentes. O circuito balanceado ajustando-se R, para corrente zero no medidor, com tenso nula na porta.
Nos instrumentos comerciais, a porta de entrada conectada a resistores multiplicadores, a fim de se obter desempenho em faixas mltiplas, como no caso do V O M .
No entanto, os resistores so de maior valor nos instrumentos eletrnicos, por causa
da maior sensibilidade destes. Uma caracterstica de interesse a mais que a corrente
mxima no medidor, que ocorre quando um dos FET est completamente cortado, no
danifica o instrumento. Em conseqncia, o movimento do medidor no prejudicado,
mesmo que a entrada seja inadvertidamente conectada a fontes de tenso muito maiores que o valor de fundo de escala.
Os instrumentos comuns possibilitam medio ca, com a incluso de um circuito
retificador a diodo, discutido em captulo anterior. A alta impedncia de entrada do
seguidor de fonte ideal para medir a sada do retificador. Alm de tenses ca e cc, a
maioria dos instrumentos tambm mede resistncia com u m circuito de ohmmetro
similar ao discutido no Cap. 1 . Mais uma vez, o voltmetro a FET utilizado como
indicador, permitindo uma faixa de operao bastante ampla. Por exemplo, instrumentos razoavelmente baratos so capazes de medir resistncias de 1 a 100 M a . A verso
anterior deste circuito, empregando um duplo triodo, denominada voltmetro a
vlvula ou VTVM.'
I-
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
E,
Entrada
Sada
v
7
v,,= 12:
,,
I,
2N338
Sada
,-
Fig. 6.13 ( a ) Circuito prtico de polarizao de transistor. Note que est sendo usado o transistor
npn tipo 2N338. O circuito aplica-se igualmente ao tipo pnp se a polaridade de V,, for invertida.
(b) Circuito equivalente cc usado para a determinao do ponto de operao.
Na determinao das Eqs. (6.18) e (6.19), foi suposto, por simplicidade, que I, = I,.
Traando-se a reta de polarizao sobre a caracterstica de transferncia, o ponto de
operao fica determinado, pois, como no FET, a interseo delas. Na realidade, as
caracteristicas de transferncia do transistor de juno so to lineares que mais fcil
usar uma expresso analtica simples para a sua obteno,
/-
/-
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
167
onde h,,, denominado gunho de corrente cc, geralmente especificado pelo fabricante, mas, em todo caso, pode ser estimado diretamente das caractersticas de coletor. Substituindo-se a Eq. (6.20) na (6.19) e resolvendo-se a expresso em relao
corrente de base.
I,
T/eq
R,,
&e
+~FERE
Conhecendo-se I, e I,., o valor de V,, pode, ento, ser calculado a partir da Eq. (6.18),
ficando o ponto de operao completamente determinado. Observe que V,, pode ser
considerado constante e igual a 0,2 V para os transistores de germnio e igual a 0,6 V
para os de silcio, como pode ser observado nas caractersticas diretas das junes p n
da Fig. 4.2. O ponto de operao do amplificador em emissor comum da Fig. 6.13,
determinado atravs deste processo, est indicado nas caractersticas da Fig. 6.14.
Fig. 6.14 Ponto de opera@-o do circuito da Fig. 6.13, usando as caractersticas de coletor de
emissor comum.
\.
Para se projetar um circuito abjificador transistorizado, como,o da Fig. 6.13,
necessrio, inicialmente, escolher o pxto de operao desejado. E melhor faz-lo
aps consulta as folhas de especificaes
para ekcolha do tipo de transisobter o ganho necessrio (v. a
tor. Em seguida, o valor de RL
anlise na prxima seo) e atender as considera s sobre a impedncia de sada.
Para o divisor resistivo de R, e R, no reduzir s e r i a 3 t e a amplificao, R,, deve ser
maior que a impedncia de entrada do transistor por ur$ Tator de 5 ou 10. O resistor de
emissor deve ser escolhido de modo gua R, = R,,/5, Ia'ara assegurar estabilidade satisfatria ao ponto de operao. Portanto, ai'fsn~e_k,fk'nso cc necessria V,, = Ic(RL
R,) + V,,. O valor de R,, escolhido acima, juntamente com as Eqs. (6.18) e (6.19),
d um conjunto de equaes simultneas que permitem a obteno de R, e R,, o que
completa o projeto. Deve ter ficado claro, aps esta descrio sucinta, que o projeto
de um circuito com transistor no fica completamente determinado pelas necessidades
usuais especificadas adiante. Por este motivo, foram desenvolvidos muitos circuitos
diferentes, cada um para otimizar uma determinada necessidade caracterstica: ganho,
corrente mnima, estabilidade do ponto de operao etc.
Circuito equivalente T
As caractersticas eltricas do transistor de juno podem ser representadas por um
circuito equivalente T (Fig. 6.15), que corresponde a configurao base comum j ilustrada na Fig. 5.10. Neste equivalente, o gerador de corrente constante ai, est em
paralelo com a resistncia da juno de coletor r,, que o inverso da inclinao das
curvas caractersticas de coletor e , na prtica, da ordem de 1 a 10 M a . A resistncia
de emissor r, a resistncia direta da juno, que igual a 26 0, para corrente de
polarizao de 1 mA. A resistncia de base devida a duas fontes: a resistncia hmica da regio de base (que pode ser aprecivel, j que a base bastante fina) e ao
efeito de realimentao entre coletor e base. A origem deste efeito a diminuio da
regio de base com o alargamento da juno de coletor, devido a tenso neste ltimo.
O valor tpico para essa resistncia 500 a.
O equivalente T dos transistores utilizado em anlise de circuito de maneira
anloga a do equivalente ca do FET. O equivalente T particularmente apropriado em
virtude de seus parmetros serem diretamente relacionados com a estrutura fsica
bsica do transistor. Observe que ele envolve uma ligao direta, entre os terminais de
entrada e de sada, que difere do FET, podendo ser ilustrado explicitamente a o se
resolver o circuito da Fig. 6.15 em relao as vrias tenses e correntes. Aplicando-se
as leis de Kirchhoff,
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
u,b = [ r ,
169
r4
Parmetros hbridos
Embora o circuito equivalente T seja um modelo satisfatrio para o transistor, um
pouco difcil a determinao dos diversos parmetros-resistncia por meio de medidas
diretas nos transistores reais. Por esta razo, o circuito equivalente formado com parmetros hbridos mais comumente utilizado em anlise de circuitos. Esta representao pode ser ilustrada escrevendo-se as Eqs. (6.23)e (6.24)na forma
onde os diversos h so os parmetros hbridos. O significado dos ndices nos parmetros h o seguinte: as letras i, r, f'e o referem-se, respectivamente, aos termos entrada
(input), reverso, direto ( f o r ~ 7 a r d e) sada ( o u t p u t ) , e podem ser compreendidas
examinando-se o significado de cada coeficiente nas Eqs. (6.25) e (6.26). A letra b
indica a configurao base comum, para a qual estas equaes foram desenvolvidas.
Esta designao distingue esses parmetros, discutidos abaixo, dos referentes a emissor e coletor comuns. A Tabela 6.2 apresenta um sumrio dessas notaes.
Tabela 6.2 Notao dos ndices
dos parmetros h
ndice
I
f
o
e
b
C
Significado
Parrnetro de entrada
Parrnetro inverso
Parmetro direto
Parmetro de sada
Emissor comum
Base comum
Coletor comum
De acordo com a Eq. (6.26), possvel determinar h,, da relao entre a tenso
emissor-base e a corrente de emissor, ~ , , / i , ,com o coletor em curto para a terra, de
modo que v,, L O. Da mesma forma. utilizando-se a Eq. (6.25), a relao entre as
correntes de coletor e de emissor, i,/&, com o coletor em curto, d h,. Quando o
u ~ i~c / ~ e bOb.
emissor est em circuito-aberto, i, = O, de modo que h,, = u ~ ~ eI ho6=
serve que as condies v,, = O e i, = O se referem a sinais ca; os potenciais cc so
mantidos, a fim de polarizarem adequadamente o transistor. Em virtude da pequena
resistncia de emissor e da elevada resistncia de coletor do transistor, fcil conseguir um emissor em circuito-aberto ou um coletor em curto-circuito para sinais ca,
enquanto se mantm as tenses cc desejadas. Deste modo, os parmetros incrementais
h podem ser medidos usando-se pontes ca. A grande virtude dos parmetros hbridos
o fato de poderem ser medidos diretamente com relativa facilidade.
O circuito equivalente hbrido, representando a confgurao base comum, est
mostrado na Fig. 6.16 e foi construdo a partir da inspeo das Eqs. (6.25) e (6.26).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff a malha de entrada, obtm-se diretamente a Eq. (6.26).
O equacionamento da malha de sada d
.
Resolvendo-se em relao a i,, a Eq. (6.25) obtida. Em conseqncia, este circuito
equivalente modela a operao do transistor de acordo com as Eqs. (6.25) e (6.26), que
so, por sua vez, baseadas nos processos fundamentais associados com as junes p n
na estrutura dos transistores.
C
__
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
Tabela 6.3 podem ser usadas para determinar os outros parmetros, se necessrio.
Alm do mais, a variao destes com o ponto de operao tambm, usualmente,
especificada, de modo que podem ser feitas as correes devidas.
Tabela 6.3 Relaes entre os parmetros dos transistores
Emissor
comum
Emissor
comum
Base
comum
Coletor
comum
Equivalente T
hn, =
1400 ohms
3 , 4 x 10-4
44
27 x 10W siemens
h,bl(l + h ~ h )
hib h,b/(l + h,b) - hrb
- hJh/(l + hJh)
h o b / ( l+ hfb)
h,,
1 - hrr
- ( I + hJc)
h,,
rh + r e / ( l - a )
r , / ( l - 47,
a/(l - a )
l / ( l - a)rc
h,, =
h,, =
h z e i ( l+ h,?)
h,,ho,/(i +h,,)
31
- h,,lhfi
h,c - - h , c h o c / h ~ c
- (1 + hJC)ihfc
- hec/hJc
re + (1 - u)rb
rh/rc
-a
l/r,
1400 ohms
1,o
-45
27 x 1 0 F siemens
rb + T A
-a)
I - rJ(1 - a)rc
-l/(l - a )
l / ( l - a)rc
h,, =
h,? =
I , =
Base
comum
L
Coletar
-- comum
h,< =
h,, =
h,, =
L
Equivalente T
r, =
=
ohms
10-~
-0,98
h O e l ( l+ h,<)
0,6 x 10P
h,,
I - hre
- (1
!iJe)
hCh/(l+ llJh)
1
- b ( 1 + hlh)
' ~ h / ( '+
h ~ ~ /+( h,')
l
(hle + l ) / h o e
h,C lho,
hic - hre(l + hle)/hOe
- hfb
a =
r, =
?h
- h,,
siemens
(1 + hfC)/hfc
-hfi/h,,
hib - ( I + h ~ h ) ~ ~ b (1
l ~ -~ hrz)/hoc
b
hCc h,(l
- h,,)/h,,
h,blhoh
-'~h)/~~h
0,98
1,7 x 106 ohms
13 ohms
830 ohms
.I
<
.->
\\
.$
i
Fig. 6.18 Amplificador prtico de emissor comum, usando o transistor npn tipo 2N930.
Supondo-se que a reatncia de todos os trs seja desprezvel, o modelo incremental, para o circuito da Fig. 6.18, utilizando-se os parmetros hbridos, o da Fig. 6.19.
Observe que tem a mesma forma que o da configurao base comum da Fig. 6.16. As
relaes entre os parmetros h desta configurao e os de emissor comum podem ser
desenvolvidas escrevendo-se, inicialmente, as equaes de circuito referentes a Fig.
6.19,
173
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
i,
= h f eib
Obe = hie
+ h,, v,,
+ + vcb= 0
i, + i, + i, = O
(6.30)
V,,
(6.31)
!
L
Ube =
-h,b .
I,+
I+h,,
hob
1+h,,
-
'c r
h,,
+ h,, i, + (
hrb)vce
Na determinao dessas duas equaes, foi feita a suposio de que hTbe hObfossem
pequenos. Comparando-as com as Eqs. (6.28) e (6.29), pode-se verificar a validade do
circuito equivalente da Fig. 6.19 e , tambm, obter as relaes entre os parmetros h de
emissor comum e os de base comum, que esto condensadas na Tabela 6.3
O desempenho do amplificador pode ser examinado analisando-se o modelo incremental. A tenso de sada obtida diretamente, pois a queda devida a corrente na
associao em paralelo de llh,, e R,
v, = h;, ib
+ h,, v,
Resolvendo-se esta equao em relao a i,, e substituindo-se este valor na Eq. (6.34),
obtm-se o ganho de tenso
Mais uma vez, aqui, hOrRL 1 ;assim, o ganho aproximado justamente h,.
A resistncia de entrada a relao entre a tenso e a corrente nos terminais de
entrada,
Para se chegar Eq. (6.40), usou-se a Eq. (6.35), e , novamente, o efeito de R,, foi
desprezado; mas, se necessrio, pode ser considerado, calculando-se sua associao
em paralelo com R,. O segundo termo da Eq. (6.40) , normalmente, desprezvel, de
modo que a resistncia de entrada aproximadamente h,,. Note, entretanto. que o seu
valor exato depende da carga R,. Isto mostra o acoplamento entre os terminais de
entrada e sada, inerente aos transistores.
Devido a este acoplamento, a resistncia de sada do amplificador inclui a resis-
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
175
tncia interna da fonte (gerador) de sinais. A resistncia interna efetiva do amplificador, vista dos terminais de sada, pode ser determinada usando-se o circuito equivalente Thvenin. A resistncia interna equivalente neste circuito a relao entre a
tenso de circuito aberto (RL = m) e a corrente de curto-circuito (RL = O). Assim,'
--
Configurao
de circuito
Ganho de
tenso
Ganho de
corrente
-
Emissor comum
Base comum
Coletor comum
*Usando a Fig. 6.17 com I,
280
280
1
=
2 mA; R,
47
0,98
48
=
Resistncia de
entrada, R
-
Resistncia de
sada, R
1.700
35
5 x lo5
4 x lo4
1,9 x 106
22
104 R.
Base comum
i
A Fig. 6.20 mostra um circuito amplificador de base comum tpico, utilizando transistor npn. A comparao cuidadosa desta configurao com a de emissor comum (Fig.
6.18) revela que a topologia de polarizao idntica. Em conseqncia, as considera'N.T. A fim de se evitar confuso, sero mantidos os smbolos oc (do ingl. open-circuit) e sc (do ingl. shortcircuit) para circuito-aberto e curto-circuito, respectivamente.
es sobre a polarizao e as tcnicas de determinao do ponto de operao anteriores tambm se aplicam aqui.
O capacitor C, desacopla o resistor de base R,, e a baixa impedncia da bateria
desvia os sinais ca do resistor R,. Conseqentemente, estes resistores no so representados no circuito incremental, no qual deve ser empregado o modelo da Fig. 6.16.
As propriedades deste circuito podem ser obtidas diretamente por comparao da Fig.
6.16 com o equivalente hbrido de emissor comum da Fig. 6.19. Os dois so idnticos
em forma, de modo que os resultados encontrados anteriormente para os ganhos de
tenso e corrente [Eqs. (6.36) e (6.39)] e para as resistncias de entrada e de sada
[Eqs. (6.40) e (6.43)] so aplicveis, bastando substituir os parmetros h pelos de base
comum. Observe, tambm, que R, e i, devem substituir, respectivamente, R,, e i, na
converso daquelas equaes para as da configurao base comum.
Fig. 6.20 Amplificador de base comum. Observe que o circuito de polarizao idntico ao de
emissor comum.
Seguidor de emissor
O amplificador de coletor comum da Fig. 6.21 mais frequenteme-e chamado de
seguidor de emissor, em virtude da sua semelhana com o seguidor de fonte. Aqui,
tambm, as consideraes sobre polarizao so idnticas as discutidas anteriormente,
e o modelo incremental tem a mesma forma dos circuitos equivalentes hbridos de
emissor e base comuns. As relaes entre os parmetros h de coletor comum e os das
outras configuraes so encontradas atravs de anlise de circuito idntica a usada
acima e esto compiladas na Tabela 6.3.
As propriedades do circuito so obtidas diretamente das relaes anteriores, aps
as substituies devidas. Os valores dos parmetros hbridos de coletor comum so
tais que o ganho de tenso unitrio. Alm do mais, o sinal de sada est em fase com
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
177
--
.-
Fig. 6.21 Amplificador dk coletor comum. Este circuito tambm denominado seguidor de emis-
--
sor.
Amplificador diferencial
-
*
.
i,, R,
+ (i,,
h f e i b l )- + &(icl
h,,
+ ic2)= O
Observe que, para se chegar a Eq. (6.44), foi suposto, por simplicidade, que as correntes de emissor e de coletor fossem iguais em cada transistor, isto , as correntes de
base so desprezveis em comparao com as de coletor. Em particular, isto significa
que a corrente no resistor de emissor exatamentei., + i,,.
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
- ib2hi,- h , , ~ , , ~- R,(icl
+ i,,)
+ i,,)
=O
=O
Note que o sinal de sada a soma das tenses nos resistores de carga,
v,
= - RL(icl -
i,,)
(6.46)
O sinal d e sada pode ser expresso tambm como a diferena entre a s tenses
emissor-coletor. pois os emissores esto conectados entre si,
= ---
U2
.
.
-VI
Esta equao, resolvida juntamente com as Eqs. (6.45) e (6.46), determina o sinal de
sada semelhante ao da Eq. (6.51):
Para se chegar Eq. (6.54), foi suposto que h,, e h,, no so diferentes muito do valor
nominal h,. Suponhamos agora que v, = v, = vi;ento
denominada razo de rejeio de modo comum. O valor desta relao, e da a capacidade do amplificador diferencial em rejeitar sinais de modo comum, aumentada
AMPLIFICADORES ESPECIAIS
Simetria complementar
Uma das mais intrigantes aplicaes de circuitos transistorizados baseada na associao de transistores npn epnp, com as polaridades de suas fontes de sinal e polarizao simetricamente invertidas. Consideremos, por exemplo, o circuito de simetria
complementar da Fig. 6.24, empregando amplificadores de emissor comum npn e pnp
e tendo conexes de entrada e sada comuns. A tenso na base dos dois transistores
nula, de modo que, na ausncia de sinal, eles estaro cortados. Portando, neles existe
corrente s quando o sinal de entrada polariza diretamente as junes de emissor. Isto
acontece nos semiciclos alternados da tenso de entrada, em virtude das polaridades
opostas dos dois transistores. Assim, o npn entrega corrente a carga quando opnp est
cortado, e vice-versa. O sinal de sada tem a mesma forma que o de entrada, embora
cada transistor funcione apenas durante metade de cada ciclo.
Este circuito particularmente simples um eficiente amplificador de potncia,
-.
-
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
181
uma vez que a corrente q u i e z g e nula e cada transistor opera em toda a extenso
de suas caractersticas. AEm disso, as perdas so pequenas porque a corrente cc no
resistor de carga nula durante todo o tempo. Infelizmente, no fcil fabricar transistores npn e pnp com caractersticas idnticas, e usar uma fonte de alimentao de
coletor com derivao central e sem terminal aterrado complicado e desastroso. No
Cap. 7 ser analisado um amplificador prtico com simetria complementar.
Configurao Darlington
A associao de dois transistores semelhantes na denominada configurao Darlington mostrada na Fig. 6.25 tem muitas propriedades favorveis. Observe que Q , est
diretamente ligado a Q , e que o potencial entre base e coletor de Q , a tenso
emissor-coletor de Q , . Alm disso, a corrente de emissor na sada de Q , a corrente
de base de Q,.
Entrada
Sada
O circuito pode ser encarado como um seguidor de emissor (Q,) seguido por um
sor comum e a alta impedncia de entrada do seguidor de emissor, que so caractersticas desejveis.
Para a maioria das finalidades, esta combinao pode ser considerada um nico
dispositivo. Em verdade, existem, comercialmente, a venda, unidades contendo os
De acordo com a Eq. (6.58), a tenso de sada funo linerar do sinal de entrada e o
ganho dado por
I?
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
183
O ganho pode exceder a unidade, fabricando-se Q , com um canal mais !argo que o de
de modo que I,,,, seja maior que Zdssl.
Observe que a Eq. (6.58) linear numa faixa que , essencialmente, a de operao
do MOSFET, isto , a linearidade entre os sinais de entrada e de sada no est
restrita a pequenos sinais. Esta propriedade til resultado da compensao das no
linearidades no amplificador com MOSFET e no MOSFET que serve de resistncia
de carga. Os amplificadores em circuito integrado desta configurao so particularmente adequados em aplicaes na eletrnica digital, como ser visto no Cap. 11.
Q2,
E. J. Angelo, Jr.: "Electronics: BJT's, FET's, and Microcircuits." McGraw-Hill Book Company, New
York, 1969.
"General Electric Transistor Manual," latest edition, General Electric Company, Semiconductor Products Department. Syracuse, N.Y.
Joseph A. Walston and John R Miller (eds.): "Transistor Cucuit Design," McGraw-Hill Book
Companq. New York, 1963.
6.1 Determipe o ponto de operao do amplificador de fonte comum da Fig. 6.27. Utilize as
caractensticas de dreno dadas na Fig. 5.21.
Resp.: -6 V ;4,5 mA; 1,8 V
Y
O
10
15
20
25
v,,, v
Fig. 6.28
6.4 Determine o ponto de operao do amplificador de emissor comum npn da Fig. 6.13, usando
o transistor 2N338, se R , = 470 R , R , = 16.000 R , R , = 6.200 R R , = 700 R e V,, = 12 V . Utilize
as curvas caractersticas da Fig. 6.14.
Resp.: 75 p A , 4 mA
6.5 Determine o ponto de operao do amplificador de emissor comum com transistor 2N930
da Fig. 6.18. As curvas caractersticas deste transistor esto na Fig. 6.28.
Resp.: 4 p A , 4 mA
6.6 Calcule os ganhos de tenso e de corrente e as impedncias de entrada e de sada do amplificador do Exerccio 6.5. Os parmetros h so h,, = 3600 R , h , = 3 X 10-3, h , = 150 e h,, = 1,4 X
10-4 S. Suponha que as reatncias de todos os capacitores do circuito sejam desprezveis e que a
resistncia da fonte seja 1000 R . Compare os valores calculados com as aproximaes introduzidas no texto.
Resp.: 362,416; 62,4, 150; 1700R, 3600 R ; 2,4 x 104R,7,1 x 103R
6.7 Determine o ponto de operao d o amplificador de base comum com transistor 2N930 da
Fig. 6.20. Supondo os mesmos parmetros hbridos dados no Exerccio 6.6, calcule os ganhos de
tenso e de corrente e a impedncia de entrada deste circuito. Compare-os com as aproximaes
do texto. FaaR, = 100 R .
Resp.: 200,413; 0,99,0,994; 27,5 R , 24 R
6.8 Determine o ponto de operao do amplificador seguidor de emissor com transistor 2N930
da Fig. 6.21. Utilizando os parmetros h do Exerccio 6.6, calcule os ganhos de tenso e de
corrente e as impedncias de entrada e de sada deste circuito. Compare estes resultados com as
aproximaes introduzidas no texto. A resistncia da fonte 10.000 a.
Resp.:l,1;63,151;6,3x 10jR,1,5x 106R;90R
6.9 Determine o ponto de operao do amplificador de emissor comum, usando o transistor
2N3521, se R , = 90 k R , R , = 45 k f l , R , = 10 k R , R , = 6 k R e V,, = 36 V . Utilize as caractersticas de coletor do 2N3521 dadas na Fig. 5.12. Repita para a temperatura ambiente de 12SC,
utilizando as caractersticas da Fig. 5.13. Calcule o ganho de tenso em ambos os casos. Este
circuito est estabilizado contra variaes na temperatura?
Resp.: 5,9 V , 1,9 mA; 5,9 V , 1,9 mA; 750,750; sim
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
185
6.10 Arranje o circuito do Exerccio 6.9 na configurao seguidor de emissor e calcule as impedncias de entrada e sada. Suponha que o transistor 2N930 tenha sido inadvertidamente usado
neste circuito. Determine o ponto de operao utilizando as caractersticas de coletor da Fig. 6.28
e calcule as impedncias de entrada e de sada. O desempenho deste circuito sensvel a mudanas nos transistores?
-% e i b C
Resp.:7,2 x 106R, 13 R;5,5 V, 1,9mA; 5,l X 106R, 18R;no
-
-.
(
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3,s:
L<L (, :,.:i .
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r$&,
r\$
li,
i---.
i '
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
AMPLIFICADORES DE TENSO
Cascata
Os circuitos transistorizados discutidos nos captulos anteriores so adequados para
amplificar tenses com um mnimo de distoro na forma de onda. Ganhos maiores
que os possveis com o amplificador de um estgio so obtidos acoplando-se diversos
estgios em cascata, ou seja, a sada de um estgio amplificada pelo seguinte at que
se atinja o nvel de tenso desejado.
Consideremos, por exemplo, o amplificador transistorizado de duplo estgio em
cascata da Fig. 7.1. no qual dois circuitos, semelhantes aos discutidos no Cap. 6, esto
conectados atravs do capacitor de acopiamento C,.,. Este capacitor permite a passagem do sinal ca amplificado por Q, para a base de (2,. Ao mesmo tempo, impede que a
tenso cc no coletor de Q , chegue a base do segundo transistor. Da mesma forma, os
capacitores C,, e C,., isolam os circuitos de entrada e de sada quanto a potenciais cc.
Os amplificadores de tenso transistorizados em cascata normalmente so realizados na configurao emissor comum, devido combinao dos ganhos de tenso e de
corrente desse circuito. Nem a configurao base comum nem a seguidor de emissor
conseguem amplificao total de tenso to elevada quando associadas em cascata, em
conseqncia do grande descasamento de impedncia entre a sada de um estgio e a
entrada do seguinte. Observe que os resistores de polarizao do segundo estgio da
Fig. 7.1 so diferentes daqueles do primeiro, embora os dois transistores sejam idnticos. Os pontos de operao esto localizados em lugares diferentes, a fim de serem
obtidos valores mais favorveis para os parmetros h em cada estgio.
O circuito equivalente ca completo desse amplificador pode ser desenhado,
usando-se os princpios discutidos no Cap. 6; o desempenho do sistema determinado
atravs da anlise de circuito ca. Na realidade, este procedimento impraticvel em
virtude do nmero de laos no circuito e raramente tentado. Em vez disso, a anlise
feita em vrias etapas distintas. cada uma com o mnimo de complexidade matemtica, o que oferece a vantagem adicional de os efeitos importantes poderem ser isolados e mais claramente examinados.
Por exemplo, as reatncias dos capacitores de emissor so supostas suficientemente pequenas, podendo ser desprezadas. e , assim, estes componentes no so representados no circuito incremental do amplificador (Fig. 7.2). Da mesma forma, as
Primeiro estgioS
o"
estdgio
-i
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
Fig. 7.3
,-
"
ser analisado, considerando-se o circuito RC simples que inclui o capacitor e a impedncia de entrada do amplificador. Esta parte mostrada separadamente na Fig. 7.3
para maior clareza. R, simplesmente o resistor de porta no caso de amplificador com
FET, mas inclui, nos estgios com transistor de juno, a impedncia de entrada
deste. Em todo caso, a Fig. 7.3 um filtro RC passa-altas j estudado no Cap. 2. O
ganho deste estgio, incluindo-se o efeito do filtro, dado por
'
- (2.45)],e f, a frequncia de meia potncia. Note que o ganho fica reduzido em rela-
'
O ganho de qualquer amplificador em alta freqncia reduzido pelos efeitos capacitivos parasitrios, que nSo so colocados de propsito no circuito. Com relao ao
amplificador da Fig. 7.4, estes efeitos so as capacitncias porta-fonte ( C , ) , portadreno (C,) e dreno-fonte (C,) do FET. Em C , e C, incluem-se as capacitncias parasitas entre os fios e componentes ligados aos terminais da porta e do dreno. Todas essas
trs capacitncias desviam o sinal nas frequncias suficientemente altas para que as
reatncias se tornem pequenas.
O efeito da capacitncia porta-dreno particularmente importante. Consideremos
o circuito equivalente da Fig. 7.5, no qual C , est conectado entre porta e dreno e , as
outras capacitncias, ignoradas. A impedncia de entrada do estgio amplificador pode
ser calculada supondo-se que a reatncia de C , seja o fator dominante:
,.
Fig. 7.5
a ( f ) =u " =au'
=vi
vi
Jw
,--
-r-
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
Fig. 7.6
r -0'v,-fie
AL$p-e-usLi-
w n
&
. T u t M ~ i L
dB = 20 log a ( f )
dB
20 log L"
(7.7)
A vantagem desta unidade que o ganho total de vrios estgios, em dB, simplesmente a soma dos ganhos de cada um, tambm especificados em decibis. Note que,
de acordo com a Ey. (7.7), o ganho do amplificador est, nos pontos de meia-potncia,
3 dB abaixo do seu valor mximo.
As caractersticas de desvio de fase de um amplificador monoestgio esta0 ilustradas na Fig. 7.7b. O sinal de sada adianta-se, em relao ao de entrada, nas freqncias abaixo da de corte inferior, e atrasa-se naquelas acima da de corte superior.
As caractersticas de fase do amplificador so determinadas somando-se as contribuies de cada estgio.
A fim de minimizar a distoro na forma do sinal, deve-se usar um amplificador de
banda larga, e, para isso, so necessrias algumas pequenas alteraes no circuito. Por
exemplo, os capacitores de desvio de emissor ou de fonte devem ser propositalmente
a O,I
0,Ol
4
1o
Faixa de
passagem do
a
1
amplificador
Freqncia
~reqncia4
de corte
de corte
,
inferior
superior
1 ,o
folf
0,l
(a)
0,l
\\
,o
10
f/fo--
pequenos, de modo que suas reatncias sejam desprezveis apenas nas frequncias
prximas de corte superior. Isto reduz o ganho na faixa mdia, mas aumenta o das
freqncias altas, onde as reatncias se tornam pequenas. O resultado lquido a ampliao da resposta nestas frequncias, embora s expensas de menor ganho total. Se
necessrio, esta perda pode ser recuperada adicionando-se outro estgio.
A segunda maneira de estender a resposta em altas frequncias incluir uma
pequena indutncia na carga (Fig. 7.8). A impedncia de carga aumenta aquelas freqncias e o ganho fica maior, de acordo com a Eq. (6.14). Esta tcnica denominada
compensao com crista, pois as caractersticas da resposta em frequncia tendem a
ser superelevadas no extremo das altas frequncias.
Consegue-se melhor resposta em baixa frequncia, acrescentando-se um capacitor
e um resistor em srie ao circuito de sada (R, e C, na Fig. 7.9). O ganho, nas freqncias em que a reatncia de C , pequena, inclui o efeito de R , na carga ca. Nas freqncias baixas, medida que a reatncia do capacitor aumenta, R, retirado do
circuito, e o ganho cresce. O resultado a expanso da resposta em baixas freqncias, s expensas do ganho na faixa mdia.
-r-.
.
/
-,
-,
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
Fig. 7.8 A pequena indutncia melhora a resposta em alta-freqncia, porque o ganho aumentado pela impedncia de carga maior.
Desacoplamento
Quando h trs ou mais estgios em cascata, a fonte de alimentao do estgio de
entrada deve ser desacoplada do restante do amplificador. O motivo disto que a
tenso da fonte varia com a corrente, por causa da sua impedncia interna efetiva, e
qualquer variao, mesmo pequena, altera a polarizao do primeiro estgio, que amplifica esta variao da mesma forma que o faz com um sinal de entrada. Se a alterao
na polarizao provoca aumento da corrente, no estgio inicial, a corrente, no segundo, diminuda, em virtude da defasagem de 180 e, semelhantemente, aumentada
no terceiro. Devido ao ganho do amplificador, a variao no terceiro estgio muito
maior que o distrbio original. Esta carga adicional provoca um decrscimo na tenso
Fig. 7.10 O filtro RC simples elimina a instabilidade no amplificador pela reduo do efeito de
realimentao resultante da fonte de alimentao comum.
da fonte que, por sua vez, altera mais ainda a polarizao do primeiro estgio, num
processo cumulativo. As mudanas continuaro at que um transistor seja levado ao
corte ou a saturao, o que reduz o ganho a zero, fazendo com que a tenso da fonte
retorne ao seu valor normal e o processo se repita. O resultado dessa realimentao da
sada para a entrada que o amplificador oscila rapidamente do corte para a saturao
numa taxa que funo dos componentes do circuito.
Um filtro passa-baixas, inserido entre a fonte de alimentao e o primeiro estgio
(Fig. 7.10), evita este problema. A constante de tempo deste filtro de desacoplamento
deve ser selecionada de modo que as variaes na tenso sejam suficientemente atenuadas e , a realimentao, eliminada. Na realidade, a freqncia caracterstica do filtro deve estar abaixo da freqncia de corte inferior do amplificador, onde o ganho
insuficiente para manter as oscilaes devidas a realimentao.
AMPLIFICADORES DE POTNCIA
Acoplamento por transformador
Quando os amplificadores esto fornecendo potncias mais elevadas, no possvel a
utilizao de resistores no circuito do coletor, pois as perdas RI2 se tornam significati-
-1ovo-,
Relao de
transformao
10 : 1
Fig. 7.11 Os amplificadores de potncia usam transformadores para acoplamento entre transistor
e carga, a fim de reduzir a perda de potncia cc na resistncia.
195
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
vas, em virtude das altas correntes associadas a essas potncias. Em vez disso, o
acoplamento entre o circuito e a carga feito por meio de um transformador, como
indica a Fig. 7-1 1. A corrente cc de coletor introduz perdas pequenas na resistncia do
enrolamento, sendo que a resistncia refletida de R, para o circuito do primrio proporciona a impedncia de carga ca para o amplificador. Alm do mais, a impedncia de
sada deste casada com a carga por intermdio do transformador, podendo, ento, a
resistncia de carga real ter o valor conveniente.
A reta de carga cc, traada sobre as curvas caractersticas do coletor, essencialmente vertical (Fig. 7.12), pois a resistncia do enrolamento primrio do transformador pequena. O ponto de operao quiescente determinado exatamente como foi
preconizado no Cap. 6. A reta de carga ca, correspondente a resistncia de carga
refletida R;, vista do primrio, passa no ponto de operao e tem inclinao -1/Rt,
como mostra a Fig. 7.12.
O ponto de operao de um amplificador de potncia escolhido de modo a maximizar a eficincia deste e minimizar a possibilidade do aquecimento cumulativo. A
dissipao de potncia no transistor, devida a corrente, limitada pela elevao de
temperatura permitida na juno do coletor. A faixa de operao permissvel para a
tenso e a corrente de coletor a regio a esquerda da hiprbole de potncia mxzma
(Fig. 7.13). Os transistores de potncia so montados, frequentemente, num bom dissipador de calor, objetivando afastar a hiprbole da origem e permitir estender a faixa
de operao da tenso e da corrente. Alm disso, os dissipadores so providos de
aletas para maximizar a conduo de calor para fora do transistor.
O ponto de operao localizado de modo que se possa obter os maiores sinais ca
possveis, a fim de maximizar a potncia de sada, sem distoro. O potencial instantneo mximo do coletor limitado pela ruptura inversa na juno deste. Analoga-
50
40
<
30
20
10
15
10
"C,'
20
Fig. 7.12 Localizao do ponto de operao e das retas de carga cc e ca do amplificador da Fig.
7.11.
10
Saturao do coletor
10
20
30
v,, v
I
Excurso da tenso
-
de pico de coletor
40
50
mente, a corrente instantnea mxima do transistor corresponde saturao do coletor, e nesta situao ela no aumenta mais com a corrente da juno de emissor. A
forma de onda, na sada, distorcida gravemente, quando qualquer desses limites for
ultrapassado, porque os picos do sinal so cortados. A posio tima do ponto de
operao , portanto, no centro do retngulo limitado pelos estados do coletor: ruptura, saturao e tenso e corrente nulas (Fig. 7.13). Neste caso, as excurses da
corrente e da tenso de coletor em torno do ponto quiescente so maximizadas sem
distoro.
A eficincia de um amplificador igual a razo entre a potncia do sinal e a
~ o t n c i amdia ou cc da fonte de alimentao. A potncia mdia simplesmente o
produto dos valores quiescentes da corrente versus tenso de coletor, I,V,, que so os
valores de pico da corrente e da tenso do sinal de sada, com o ponto de operao
localizado na posio tima. Conseqentemente, a eficincia mxima deste amplificador de potncia de 50 por cento. Na prtica, os amplificadores transistorizados
aproximam-se bastante do ideal, conseguindo-se eficincias da ordem de 48 por cento,
embora, para distoro mnima, as excurses do sinal devam ser algo menores que no
caso ideal.
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
....
--.
"r-
*-.
Amplificador simtrico
Na Fig. 7.15, o amplificador simtrico com dois transistores apresenta, em relao ao
circuito com apenas um transistor, potncia de sada e eficincia maiores, e menor
distoro. O transformador com derivao central a kntrada alimenta cada um dos
transistores com sinais defasados de 180, da o nome do circuito. As correntes de
coletor, amplificadas, combinam-se no transformador com derivao central a sada,
produzindo uma forma de onda de corrente de carga que rplica do sinal de entrada.
O transformador de sada tambm casa o estgio excitador com a impedncia de entrada do amplificador.
O aumento na eficincia acontece quando o amplificador simtrico polarizado
10 k!!
2N408
I,
~,
w'
*+
e"
i>
5,6
S.--
+- -
2N408
+
1
L-,
10 k'!
L---.
-Excurso da tenso
de pico de coletor
Fig. 7.16 O ponto quiescente para operao simtrica em classe B permite a mxima excurso da
tenso sobre as caractensticas de coletor.
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
199
prximo ao corte, passando a operar, ento, em clussr B. Este nome tem a finalidade
de distinguir o funcionamento do presente circuito daquele descrito anteriormente, em
que existe corrente no transistor durante todo o ciclo do sinal de entrada. Em virtude
de cada transistor estar polarizado nas proximidades do corte, a corrente quiescente
muito pequena, de modo que as excurses do sinal podem ser iguais ao mximo permitido a corrente e a tenso de coletor (Fig. 7.16). Cada elemento ativo fornece metade
do sinal senoidal ao transformador de sada, de maneira que a forma de onda preservada, mesmo com as correntes em cada transistor representando apenas metade do
sinal de entrada. Esta ao j foi vista no amplificador simtrico complementar estudado no Cap. 6. Na operao simtrica, a tenso de pico na sada pode ser igual ao
potencial mximo de coletor, que o mesmo da tenso cc no coletor (v. Fig. 7.16). Da
mesma forma, o pico de corrente de sinal igual a corrente mxima de coletor. A
potncia mdia do estgio a potncia da semi-senide, pois somente um transistor
conduz de cada vez. A eficincia mxima do amplificador simtrico em classe B de
78 por cento, uma considervel melhora em relao ao estgio com um transistor.
A pequena corrente de polarizao quiescente de base minimiza a distoro de
cruzamento resultante da no linearidade das caractersticas de transferncia dos transistores em pequenas correntes. Isto est ilustrado na Fig. 7.17, onde as caractersticas
Transistor
Caracterstica
de transferncia
composta
k//
Circuitos especiais
A resposta em freqiincia dos amplificadores de potncia seriamente limitada pelas
caractersticas d o transformador. Em particular, uma boa resposta em baixa freqncia
requer transformadores grandes (e dispendiosos), implicando em operao falha em
altas freqncias, por causa das inevitveis capacitncias de fuga. A pequena impedncia de sada d a configurao seguidor de emissor pode ser utilizada, com freqncia e vantajosamente, para eliminar o transformador e atingir desempenho satisfatrio
numa ampla faixa d e frequncias. O circuito tpico d a Fig. 7.18 ilustra a flexibilidade
inerente aos projetos com transistores.
O transistor Q, o estgio de entrada de emissor comum e est acoplado diretaEste par est polarizado para operamente ao par de simetria complementar Q, e
co em classe B. e. assim. a sada d e cada transistor uma metade alternada do sinal
de entrada. como j foi visto anteriormente, por ocasio d a discuss2o da Fig. 6.24.
Na realidade, Q, e Q, tm polarizao quiescente pequena para minimizar a distoro de criizamento, que dada pela queda de tenso no diodo de silcio 1 N536
diretamente polarizado. A resistncia de emissor de um transistor diminui significati-
s,.
201
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
vamente com o aumento da temperatura, e isto que acontece com a resistncia direta
do diodo, reduzindo a polarizao de base de Q , e Q, quando a temperatura aumenta.
A corrente quiescente nestes transistores est, portanto, compensada para variaes
na temperatura.
--
i-,
Fig. 7.19 (a) Diagrama eltrico do amplificador em circuito integrado tipo CA3020 e (b) amplificador de potncia prtico.
AMPLIFICADORES SINTONIZADOS
Acoplamento sintonizado
Quando se deseja amplificar apenas uma frequncia ou uma estreita faixa de frequncias, o acoplamento entre a sada de um estgio e a entrada do seguinte feito por
intermdio de circuitos ressonantes. A impedncia destes circuitos em paralelo muito
grande na ressonncia, como j vimos no Cap. 3. Em conseqncia, o ganho conseguido nesta situao, quando o circuito sirztonizado a impedncia de carga do amplificador, aprecivel. O amplificador sintonizado tambm atenua sinais afastados da
freqncia de ressonncia, o que representa uma vantagem considervel. Alm do
mais, as capacitncias parasitas do circuito so acrescidas ao circuito ressonante, dei-
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
*I
100 k!
xando de atenuar o sinal em altas freqncias. Na Fig. 7.20, o amplificador sintonizado elementar de duplo estgio utiliza circuitos ressonantes paralelos na,entrada e
como carga de cada transistor. O capacitor de acoplamento C,. acopla o sinal entre os
estgios. O ponto de operao de cada transistor determinado segundo o procedimento usual. E prtica comum utilizar, para C , , C,, C , e C,, capacitores ajustveis, de
modo que cada circuito possa ser sintonizado na mesma freqncia, incluindo o efeito
de todas as capacitncias parasitas de cada estgio. Os circuitos ressonantes so puramente resistivos na ressonncia, o que significa que o amplificador pode ser analisado pelos mtodos desenvolvidos anteriormente. As capacitncias parasitas podem
ser ignoradas, devendo-se usar os valores apropriados dos parmetros h na freqncia
de interesse. A anlise em outras freqncias mais complicada, em virtude dos efeitos das reatncias, mas pode ser perfeitamente realizada usando-se os circuitos equivalentes ca.
Se todos os quatro circuitos ressonantes forem sintonizados na mesma freqncia,
a caracterstica de resposta ser bastante aguada, e isto empregado quando se deseja amplificar apenas uma freqncia especfica de sinal. Por outro lado, pode-se
sintonizar cada circuito numa freqncia ligeiramente diferente (Fig. 7.21), de modo
que a curva de resposta se torna plana no topo, permitindo amplificao numa faixa de
freqncias, tal como para a onda senoidal modulada estudada no Cap. 4. O ganho
deste amplificador de sintonia escalonada na faixa de interesse menor do que o do
anterior, pois a amplificao mxima de cada estgio ocorre em freqncias diferentes.
Se L , e L, forem enrolados no mesmo ncleo, a curva de resposta pode ter um
pico duplo e aproximar-se da resposta plana da Fig. 7.21, embora os enrolamentos
primrio e secundrio estejam sintonizados na freqncia central. Isto se deve a indutncik mtua entre os enrolamentos, que so, por conseguinte, ditos superacoplados.
A indutncia mtua alterada pela variao da distncia entre os dois indutores, e,
desta forma, a curva da resposta em freqncia tanto pode ser aguada como relativamente plana. O superacoplamento til sobretudo porque a curva sobe muito mais na
vertical, demodo que o circuito rejeita as freqncias imediatamente fora da faixa de
passagem. Observe que o capacitador de acoplamento no mais necessrio, pois o
sinal acoplado, de um estgio para o seguinte, pela indutncia mtua. A associao
L, C, e L, C , encarada, de fato, como um transformador sintonizado.
1'
Resposta global
-,
Fig. 7.21 O amplificador com sintonia escalonada tem caracterstica de resposta com o topo rela-
tivamente plano.
Neutralizao
A capacitncia da juno do coletor de muitos transistores suficientemente grande
para provocar realimentao indesejvel entre coletor e base. Em altas frequncias, a
reatncia capacitiva torna-se pequena e o amplificador oscila, porque o sinal amplificado no coletor realimentado para a entrada, onde novamente amplificado etc.
Quando isto ocorre, o circuito deixa de ser um amplificador. O efeito da capacitncia
do coletor pode ser n~utralizadoalimentando-se a base com um sinal de mesma amplitude que o produzido pela capacitncia de realimentao, mas defasado de 180, de
modo que os dois sinais se cancelem mutuamente. A Fig. 7.22 ilustra uma tcnica para
isto, na qual uma parte do sinal de sada levada de volta para a entrada pelo capacitor
de neutralizao C,l. A amplitude deste sinal determinada pelos valores relativos d a
pequena indutncia em srie L , e do capacitor C,, bem como por C,. O sinal de retorno est defasado de 180 em relao ao da capacitncia do coletor, em virtude do
deslocamento de fase introduzido pela indutncia em srie. Outras configuraes de
circuito so tambm utilizadas. Todo esforo feito, no projeto de fabricao do transistor, para minimizar a capacitncia de coletor, de modo que seja desnecessrio neutralizao.
Efeito anlogo ocorre nos transistores de efeito de campo, devido capacitncia
entre porta e dreno. Pode-se reduzir acentuadamente o seu valor, nos MOSFET,
interpondo-se uma segunda porta entre a de controle e o dreno (Fig. 7.23), de modo
que se torna desnecessria a neutralizao. A segunda porta aterrada para os sinais
ca, afim de possibilitar o efeito de blindagem.
A realimentao nos amplificadores com transistor pode ser evitada empregandose a configurao base comum, como na Fig. 7.24, onde a capacitncia de coletor para
emissor to pequena que no h necessidade de neutralizao. Alm do mais, os
parmetros h de base comum so relativamente independentes d a frequncia, podendo
ser, o transistor, um amplificador de utilidade mesmo nas freqncias muito prximas
a de corte a . A baixa impedncia de entrada desse estgio pode ser casada com a
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
Fig. 7.22 O efeito da capacitncia coletor-base neutralizado pelo retorno do sinal do circuito de
sada atravs de C,.
AMPLIFICADORES DE PULSO
Os sinais que consistem de uma srie de transies rpidas de um nvel de tenso para
outro (ondas quadradas, por exemplo) mostram-se to importantes quanto os senoidais. Embora essas ondas em forma de pulsos possam ser tratadas, em termos de suas
componentes harmnicas senoidais, com a utilizao da anlise de Fourier, mais
conveniente, na prtica, consider-las como pulsos em si. O amplificador de pulso
ideal no introduz modificao alguma na forma do sinal, a no ser aumentar sua
amplitude; os circuitos reais podem chegar muito perto deste desempenho.
Tempo de subida
As caractersticas importantes dos amplificadores de pulso (ganho, resposta em frequncia, estabilidade e distoro) so semelhantes aquelas j discutidas quando do
estudo dos amplificadores convencionais. Para ilustrar sobretudo a importncia da
resposta em frequncia, consideremos o pulso quadrado ideal da Fig. 7.25 e a forma
no ideal resultante de sua passagem por um amplificador prtico. Note que o pulso
amplificado no sobe instantaneamente para o seu valor mximo. Isto decorre da frequncia de corte superior do circuito, determinada pela capacitncia em paralelo. Consideremos o caso do amplificador de um estgio, transistorizado ou valvular, que pode
ser representado, para efeito desta anlise, pelo circuito de entrada da Fig. 7.26, no
qual C, representa a capacitncia total em paralelo (compare com a Fig. 7.6), R, a
impedncia de entrada e R,, a de sada do estgio anterior. A forma de onda do pulso
de sada v,, devida ao pulso quadrado de tenso v , comeando em t =O, determinada
pela tcnica de anlise de circuito de transitrio descrita no Cap. 2. De acordo com a
Eq. (2.54), o sinal de sada aumenta exponencialmente numa taxa dada pela constante
de tempo do circuito.
r
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
--.Fig. 7.25 Comparao entre o pulso de tenso quadrado ideal e o pulso no ideal amplificado.
Fig. 7.26
117)
De acordo com a Eq. (7.10), para que o tempo de subida seja pequeno, o amplificador
deve apresentar uma boa resposta em frequncia. Por exemplo, se o tempo de subida
do pulso for de 1 p s , a faixa de passagem deve se estender at 370 kHz. E bom
lembrar que a faixa de passagem de um amplificador multiestgio sempre menor que
a de qualquer de seus estgios.
Decaimento
A segunda forma de distoro do pulso, denominada decaimento, o afastamento do
seu topo de um valor constante, como mostra a Fig. 7.25. Essa distoro resulta da
frequncia de corte inferior do amplificador. O comprimento do pulso representa, com
efeito, um sinal cc de curta durao, e, portanto, o circuito equivalente de um estgio
(Fig. 7.27) inclui o capacitor de acoplamento interestgio C,, como na Fig. 7.3. Este
circuito um filtro passa-altas e, o transitrio, uma exponencial caracterizada pela
constante de tempo
Obviamente, a constante de tempo r do circuito deve ser grande para que a queda de
tenso de sada durante o pulso seja mnima, isto , o valor de C, tambm deve ser
grande.
O decaimento pequeno na maioria das situaes prticas, de modo que a exponencial pode ser aproximada pelos dois termos iniciais da expanso em srie,
O decaimento percentual P
= Av,/v, ao trmino
,
-
Note que um pulso longo requer um amplificador com excelente resposta em baixa
frequncia. Por exemplo, suponhamos que o decaimento deva ser menor que 1 por
cento. Neste caso, a frequncia de corte inferior de um amplificador de pulsos at 1 ms
deve ser menor que 1,6 Hz.
Fig. 7.27
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
209
AMPLIFICADORES CC
b-
Acoplamento direto
Todos os amplificadores discutidos at agora tm ganho nulo para sinais cc, em virA amplifitude da reatncia infinita dos circuitos de acoplamento na frequncicao de sinais cc ou que variem muito lentamente conseguida eliminando-se inteiramente esses circuitos. Alm da resposta cc, o desempenho em alta frequncia do
amplificador de acoplamento direto melhorado tambm. Isto acontece porque as
capacitncias parasitas associadas com os circuitos de acoplamento so eliminadas
juntamente com eles.
--vR2
R,
+ R2
RL L
- v,,
- 1 -R- b
~
i Rz
I-
,-,
\
,,
r..
-.
21 1
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
modo que o primeiro termo da Eq. (7.15) seja muito maior que o segundo, V , ser
constante e, o amplificador, estabilizado. Aps o clculo de V , por meio da Eq. (7.15),
podem-se determinar as correntes de cada transistor a partir das suas caractersticas,
bem como o ponto quiescente do amplificador.
Note, entretanto, que, obtendo-se estabilidade contra deriva, o amplificador no
responde a sinais cc. Se o segundo termo da Eq. (7.15) for desprezvel, um sinal de
entrada I , no causa qualquer variao em V,; da, o sinal de sada zero. Isto no
acontece para sinais ca, pois o capacitor de 100 g F , no emissor, elimina V,, e, assim,
nenhum sinal realimentado para a entrada, de modo que o circuito efetivamente um
amplificador ca.
A deriva causada pelas variaes nas caractersticas dos dispositivos semicondutores e nas tenses de alimentao minimizada, usando-se um amplificador diferencial balanceado (Fig. 7.30). As variaes, num lado do circuito, tendem a ser compensadas por variaes semelhantes no outro. Alm disso, os terminais de sada ficam no
mesmo potencial quando o sinal de entrada zero. Observe a semelhana entre as
Figs. 7.30,5.29a e 6.22.
A finalidade do transistor Q 3 servir como fonte de corrente constante para o
amplificador diferencial, a fim de reduzir as tendncias a deriva. Alm disso, a impedncia ca de coletor de Q , muito elevada, essencialmente igual a llh,,, o que, de
acordo com a Eq. (6.56), reduz enormemente o efeito da assimetna do circuito. Esta
soluo mais conveniente do que um grande resistor de emissor, uma vez que a
queda de tenso em Q3 muito menor do que a associada com uma resistncia igual a
Sada
1
{ 1
"rI
Entrada
loo
100 R
Ilh,,. Note que os resistores de polarizao de base de Q, e Q, esto ligados a coletores opostos. Isto tende a estabilizar o ponto de operao sem reduzir o ganho, pois os
potenciais dos coletores variam em sentidos opostos, em resposta a um sinal de entrada.
O sinal de sada deste amplificador , usando-se a Eq. (6.51),
dl
"
= 2=
dE
dl
dK
cie
2= -1
kT
eeVe'kT
cie
=-
k~ Ie
uo = --I,R,(v,
2kT
39
8,2 kl
FIMQ
- v,)
8,2 k l
' T ''
3,3 kR
1 Ml
3,3 kl
3,D kl
-7,
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
213
De acordo com a Eq. (7.18), o ganho do amplificador dado pela corrente em Q,, que,
por sua vez, determinada pela polarizao na base deste transistor e pode ser ajustada para atender s necessidades de ganho.
A estabilidade e o balanceamento do amplificador diferencial so tais que vrios
estgios podem ser conectados em cascata para a obteno de valores elevados de
amplificao, como ser visto no prximo captulo. Um til amplificador de dois estgios e que tambm um prtico milivoltmetro encontra-se ilustrado na Fig. 7.31. Um
'-, estgio com F E T seguido por um estgio com transistor de juno em emissor comum. O amplificador com F E T possibilita elevada impedncia de entrada e estabili- ., zado contra variaes de tenso no emissor do transistor 2N726 e no diodo zener
651-C4, e tambm contra variaes na temperatura, em virtude do diodo 1N461 no
circuito de polarizao de base. O ganho total do amplificador tal que a deflexo de
--, plena escala do medidor obtida com um sinal de entrada de 50 x lO-, V, de modo
que a sensibilidade equivalente 40 MOIV. Por outro lado, o circuito pode ser considerado um microampermetro com corrente de (50 x l0-,)/(2 x 106) = 25 nA para a
deflexo de plena escala.
r-.
--_
-
rl
--
--
Aglificadores
conversores
- ..----
--
Fig. 7.32 Amplificador conversor usando chave comandada eletromagneticamente para conver-
chave, significa que mesmo os mais tnues sinais de entrada podem se superpor ao:
efeitos do rudo dos contatos.
Em muitas aplicaes, o conversor deve refletir precisamente as variaes no
sinal de entrada. Como regra prtica, a freqncia limite superior cerca de um quarto
da de chaveamento. Os vibradores mecnicos so limitados em 60 Hz, embora ocasionalmente sejam usados componentes de 400 Hz. Para a obteno de freqncias de
chaveamento mais elevadas, utilizam-se, em vrios circuitos, vibradores no mecnicos que empregam diodos, transistores, fotocondutores etc.
E possvel, por exemplo, substituir o vibrador da Fig. 7.32 por um MOSFET
levado alternadamente ao corte ou saturao por uma onda quadrada. Tcnica mais
satisfatria utiliza o vibrador em circuito integrado da Fig. 7.33, onde Q , e Q , so dois
elementos do divisor de tenso a entrada. A finalidade de Q , introduzir uma defasagem de 180 no sinal de chaveamento aplicado a Q , , de modo que, quando Q , est
conduzindo, Q , est cortado, e vice-versa. Em consequncia, pois, de ambos os ramos
do divisor de tenso serem trocados simultaneamente, a ao de chaveamento melhorada.
A maior vantagem dos amplificadores conversores o nvel muito baixo de rudo
interno, o que significa que mesmo sinais pequenssimos podem ser amplificados.
Como ser discutido no Cap. 10, a interferncia causada por rudos aleatrios proporcional a faixa de passagem do amplificador, de modo que vantajoso o emprego
das menores faixas possveis, No caso do amplificador objeto da presente seo, a
faixa de passagem efetiva determinada pela frequncia caracterstica do filtro RC do
voltmetro de leitura de pico na sada. A largura total da banda passante, . efetiva~ Se. por exemmente, igual ao intervalo de frequncias desde cc (zero Hz) a 1 / 2 RC.
plo, a constante de tempo RC for 10 s, a banda efetiva ser 0,016 Hz, um valor
realmente pequeno. Naturalmente, quando a constante de tempo tem esse valor,
necessrio um intervalo de tempo de quase 30 s para que o sinal de sada atinja seu
valor final. Assim, o amplificador responde muito lentamente a variaes no sinal de
entrada. Essa reciprocidade entre faixa de passagem e tempo de resposta uma propriedade geral de todos os sistemas de medida.
Sinal de
chaveamento
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
(e)
Fig. 7.35 Formas de onda no conversor sncrono.
Amplificador amarrado
Os princpios do amplificador conversor sncrono so empregados em um circuito eletrnico amplamente utilizado em sistemas de instrumentao. A verso ilustrada na
Fig. 7.36 usa um modulador a diodo para converter o sinal de entrada numa forma
adequada para o amplificador e , um demodulador, para recuperar o sinal amplificado.
Para generalizar, consideremos o sinal de entrada como um sinal varivel lentamente;
se os sinais cc forem importantes, pode-se substituir o transformador de entrada por
um divisor resistivo de razo 112.
Podemos analisar o circuito de entrada, utilizando as tcnicas discutidas no Cap.
4. Supondo-se que a caracterstica do diodo possa ser representada por uma expresso
quadrtica, a corrente em D , ser, de acordo com a Eq. (4.16),
i,
= a,
c(t)
+ a , V, sen o, t + a , r 2 ( t )
+ a , I;':
sen' o,t
+ 2a, z,(t)V2sen 0 2 t
(7.19)
nDLI
~
A
- Amplifia
cador ca
"b
sintonizado -
i
Sinal de
chaveamento
CIRCUITOS AMPLIFICADORES
v, = 2Ra1 v ( t ) + 4Ra2v(t)V2sen o, t
(7.21)
i , = a l v,
(7.22)
v,
= 2a, Rv,
(7.23)
cos 2wt,
(7.24)
De acordo com a Eq. (7.25), a tenso de sada uma rplica amplificada da entrada.
O amplificador passa-faixa tem o pico da curva de resposta convenientemente
situado em o,,a fim de minimizar os efeitos do rudo. Na realidade, entretanto, o
circuito de filtro na sada que determina a faixa de passagem efetiva, do mesmo
modo que no caso do amplificador conversor; e, assim, consegue-se um desempenho
de muito baixo rudo.
Em instrumentao, pode-se frequentemente produzir a modulao inicial associada, de alguma maneira, com a quantidade fsica a ser medida. Por exemplo, o feixe
de um espectrmetro infravermelho chaveado por meio de um obturador rotativo
antes de atingir o detector de infravermelho. O sinal amplificado do detector demodulado por um circuito semelhante ao da Fig. 7.36, usando-se uma tenso v, tirada do
eixo do obturador rotativo. O desempenho de baixo rudo do circuito permite que
sejam detectados sinais infravermelhos extremamente fracos. Desta forma, o circuito
usualmente denominado amplificador amarrado, pois o detector fica sincronizado com
o sinal de entrada. O sistema tambm chamado de detector sensvel a fase, porque o
circuito pode "reconhecer" a fase do sinal de entrada.
v.
Resp.: 60 n
7.7 Trace a caracterstica de transferncia composta do amplificador do Exerccio 7.6. Repita o
exerccio, considerando cada transistor polarizado com a corrente quiescente de base de 0,2 mA.
7.8 Desenhe o circuito equivalente do amplificador sintonizado da Fig. 7.20. Calcule o ganho de
pico (mximo), supondo que as reatncias do circuito sintonizado sejam infinitas na ressonncia.
Use os parmetros h dados no Exerccio 6.6.
Resp.: 3.7 x 105
7.9 Desenhe o circuito equivalente do amplificador sintonizado com MOSFET da Fig. 7.23.
Calcule o ganho de pico, supondo que a reatncia do circuito sintonizado seja infinita na ressonncia. Considereg, = 9.500 p S e r d = 5 x 105a.
R P S ~ .4,75
:
x 10,
7.10 Selecione as freqncias de teste de onda quadrada apropriadas para confirmar que um
amplificador tem faixa de passagem de 20 a 20.000 Hz. Esboce as formas de onda esperadas na
sada em ambas as frequncias.
Resp.: 314 Hz; 3 kHz
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
REALIMENTAO NEGATIVA
Realimentao de tenso
,--,
A
+ pv,
v, =vi
Considerando que v,
,--
av,,
v. = a v ,
+ apv,
assim.
pode ser maior ou menor que o do amplificador sozinho, dependendo do sinal algbrico de ,i3a.
A condio de maior interesse neste captulo a realimentao negativa, que
ocorre quando fia uma quantidade menor que zero. Neste caso, a Eq. (8.4) indica
que o ganho total fica reduzido, pois, na realidade, a tenso de realimentao cancela
uma parte do sinal de entrada. Se o ganho do amplificador for muito grande, de modo
que -@ S- 1 , aquela equao se reduz a
,--
"
<
v,
o
o
Amplificador
' 4 r-a
o-
>
i
uo
"t
a
OU,
Realimentao
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
221
Isto mostra que o ganho depende apenas das propriedades do circuito de realimentao.
Este circuito , na maioria das vezes, uma simples associao de resistores elou capacitares. O ganho , portanto, independente de variaes nos parmetros dos transistores. Alm dessa melhoria na estabilidade, o ganho pode ser calculado com os valores
do circuito de realimentao apenas, no sendo necessrio conhecer, por exemplo, os
parmetros h de todos os elementos ativos.
A realimentao negativa tambm eficaz na reduo da distoro na forma de
onda, resultante da caracterstica de transferncia no linear e que pode ser interpretada como ganho menor, onde a declividade da caracterstica menor, e ganho maior
onde a inclinao mais acentuada. De acordo com a Eq. (8.5), contudo, o ganho de
um amplificador realimentado essencialmente independente de variaes causadas
pelas no linearidades das caractersticas de transistores e vlvulas. Em conseqncia,
a caracterstica de transferncia mais linear e a distoro, reduzida.
Os benefcios da realimentao negativa so obtidos as expensas de ganho, o que,
afinal, no representa uma perda sria, pois possvel obter amplificaes elevadas,
com facilidade, nos amplificadores transistorizados. O ganho mximo, conforme ser
visto no Cap. 10, limitado, de qualquer modo, pelos efeitos do rudo aleatrio, e ,
assim, no difcil obter a mxima amplificao, que pode ser efetivamente usada
mesmo com realimentao.
Quando uma parte da tenso de sada retorna entrada, estamos em presena da
condio de realimentao de tenso. O amplificador da Fig. 8.2 emprega este tipo de
realimentao, obtido por meio da conexo do resistor RF entre os terminais de sada e
entrada do primeiro estgio. A tenso de realimentao introduzida no circuito do
primeiro estgio porque a tenso de sada de um amplificador de duplo estgio est em
fase com o sinal de entrada. O fator de realimentao o resultado do divisor de
Fig. 8.2 Amplificador realimentado de dois estgios. A realimentao determinada pela relao
RIIR,.
O capacitor C, isola as componentes cc dos dois estgios. Observe, tambm, que est
sendo utilizado acoplamento cc entre eles, o que independente das consideraes de
realimentao negativa. O resistor R, possibilita a polarizao do primeiro estgio e
realimentao cc, que ajuda a estabilizar o amplificador diretamente acoplado contra a
deriva, discutida no captulo precedente; no faz parte do circuito de realimentao ca.
O efeito da razo de realimentao na caracterstica de resposta em frequncia
est ilustrado na Fig. 8.3. Sem realimentao (retirado o resistor R,), o ganho na faixa
mdia de 1.000,' e a frequncia de corte superior 100 kHz. A medida que a realimentao aumentada com o uso de valores menores de R,, o ganho reduzido e a
faixa de passagem expandida nos dois sentidos. Com um resistor de 1.200 fL, o ganho
de 10 e, a frequncia de corte superior, estendida a 15 MHz. Sob esta condio, /3 =
120/1.200 = 0,l e a p = 100. De acordo com a Eq. (8.5), o ganho na faixa mdia 1/P,
em concordncia com as curvas de resposta experimentais. Assim, obtm-se um amplificador de faixa larga muito estvel com o uso de realimentao.
Observe que, na Fig. 8.3, o ganho aumenta no extremo da curva de resposta
quando se utiliza uma elevada razo de realimentao. Isto consequncia do desvio
de fase do amplificador nessas frequncias. Com efeito, a realimentao reduzida,
uma vez que a tenso na sada no est mais defasada de exatamente 180 em relao
ao sinal de entrada. A caracterstica de fase de amplificadores realimentados nas frequncias fora da faixa de passagem muito importante. Essas irregularidades na curva
realimentao
01
100 Hz
1 kHz
10 kHz
100 kHz
1 MHz
1 0 MHz
100 MHz;
Freqncia
'N.T. Observe que a escala vertical da Fig. 8.3 est em dB; assim, 20 log 1 .O00 = 60 dB.
-.
223
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
de resposta devem ser pequenas, sobretudo quando se empregam razes de realimentao elevadas. H possibilidade de que os desvios de fase se tornem suficientemente
grandes para causar realimentao positiva nas freqncias extremas, o que deve ser
evitado para que o amplificador permanea estvel. Este assunto ser objeto de maiores consideraes numa seo posterior.
Se o circuito de realimentao for seletivo em freqncia, possvel desenvolver
uma caracterstica de resposta especfica para o amplificador. Consideremos, por
exemplo, um que tenha um circuito de realimentao em ponte T em um estgio, como
na Fig. 8.4, onde esto sendo utilizados seguidores de fonte para a obteno de impedncia alta na entrada e baixa na sada, a fim de que o estgio seletivo em freqncia
seja isolado de influncias perturbadoras das cargas de entrada e de sada. Ainda est
sendo usado um amplificador diferencial nos dois estgios iniciais, para simplificar o
acoplamento interestgios na presena do circuito de realimentao.
Como o filtro em ponte T est conectado entre dreno e porta, a tenso de realimentao est defasada de 180 do sinal de entrada, o que necessrio para a realimentao negativa. De acordo com a curva de resposta do filtro, a tenso de realimentao mnima na sua freqncia caracterstica, e, concomitantemente, o ganho do
amplificador mximo; o resultado um amplificador sintonizado. A razo de realimentao 3, funo da frequncia, em virtude das caractersticas do filtro, e o efeito
da realimentao melhora consideravelmente a sua seletividade, como mostra a Fig.
8.5.
Amplificadores sintonizados realimentados so utilizados comumente na faixa de
audiofrequncias, onde difcil a construo de indutores com alto Q , por causa dos
elevados valores de indutncia necessrios. Alm do mais, simples sintonizar o amplificador por meio de resistores variveis. Este enfoque til tambm em circuitos
integrados, devido a dificuldade de produo de indutncias. Outros circuitos seletivos
-0
Sada.
Fig. 8.4 Amplificador sintonizado com circuito de realimentao seletivo em frequncia, consistindo de filtro em ponte T.
Freqncia, Hz
em freqncia, como a ponte de Wien ou o T geminado, so teis tambm para realimentar amplificadores sintonizados.
A realimentao negativa altera as impedncias de entrada e de sada do amplificador. Para a visualizao disso, vamos substitu-10 pelo seu equivalente Thvenin,
conforme a Fig. 8.6. A tenso de sada e o sinal de entrada so, assim,
A Eq. (8.9) a expresso de Thvenin para o amplificador realimentado negativamente. Observe que o coeficiente de v, o ganho, o que est de acordo com a Eq.
(8.3), e o de i, a impedncia de sada efetiva. De acordo com a Eq. (8.9), a impedncia de sada reduzida e pode se tornar muito pequena se -aB for grande. A impedncia efetiva de entrada encontrada substituindo-se v, por R , i , e v, por r, i, nas Eqs.
(8.7) e (8.8). O resultado da relao v,/i, a impedncia de entrada
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Fig. 8.6 Circuito para determinar as impedncias efetivas de entrada e de sada de amplificador
com realimentao de tenso.
de entrada so caractersticas favorveis nos amplificadores, como discutido nos captulos anteriores.
Realimentao de corrente
possvel obter um sinal de realimentao proporcional a corrente de sada, em vez
da tenso, acarretando realimentao de corrente. Tanto a realimentao de tenso
como a de corrente podem ser empregadas no mesmo amplificador (Fig. 8.7). O equacionamento da malha de sada nos d
v. = av,
- i,(r,
+ R,)
(8.11)
Se a Eq. (8.15) for satisfeita, o amplificador ter impedncia interna nula e, portanto,
poder fornecer a mxima potncia a qualquer carga. Observe que isto requer realimentao positiva de corrente, de acordo com a Eq. (8.15), o que permitido, neste
caso, por causa do efeito estabilizador da realimentao negativa de tenso, que tambm est presente.
Estabilidade
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Para ser possvel aplicar esse critrio, o amplificador deve ser estvel quando no
realimentado. Existem, tambm, certas situaes nas quais o amplificador realimentado pode ser condicionalmente estvel, isto , estvel sob certas condies de, digamos, carregamento, e no sob outras. Na maioria dos casos prticos, no entanto, a
condio estabelecida suficiente.
E conveniente uma considerao sobre as caractersticas a/3 de alguns tipos de
amplificador a luz desta condio de estabilidade. Como, na maioria dos casos, a razo
de realimentao independente da freqncia, basta um exame das caractersticas de
amplitude e fase do ganho, separadamente. No caso de um nico estgio com acoplamento R C (Fig. 8 . 9 ~ a) defasagem nunca excede 90. Isto significa que a fase de a/3
sempre menor que 90 + 180 = 270. Logo, como sempre menor que 360, um amplificador de estgio singelo realimentado negativamente no pode ser instvel.
Dois estgios idnticos em cascata, com acoplamento RC, tm a caracterstica
ideal esboada na Fig. 8.9b. O desvio de fase chega a 180 nas frequncias muito
baixas e muito altas, mas o ganho muito pequeno nesses extremos. Por conseguinte,
indiferente que a/3 possa ser unitrio nessas freqncias em que a defasagem total
180 + 180 = 360. Os amplificadores prticos sempre tm, entretanto, capacitncias
parasitas que podem introduzir desvios de fase adicionais em altas freqncias. E possvel que isto acarrete condies de instabilidade, se o ganho for elevado.
As caractersticas de trs estgios idnticos com coplamento RC (Fig. 8 . 9 ~ indi)
cam que, nos extremos, o deslocamento de fase se aproxima de 270. A defasagem de
180 encontrada, portanto, tanto em baixas como em altas frequncias. e, assim, um
amplificador de trs estgios ser, com certeza, instvel, se o ganho na faixa mdia for
suficientemente alto. Pode-se mostrar que o valor mximo permitido a a p nesta faixa
8 , embora este valor ainda situe o amplificador nos limites da oscilao.
Existem muitos meios de remover esta dificuldade, alm da minimizao do ganho. Por exemplo, pode-se fazer a largura da banda de dois dos estgios muito maior
que a do terceiro. Isto significa que as caractersticas de fase so determinadas basicamente por este estgio, que incondicionalmente estvel. E possvel, tambm, utilizar acoplamento cc entre doisestgios a fim de se eliminar a defasagem associada com
um circuito de acoplamento. E prtica comum alterar as caractersticas de ganho e de
realimentao, particularmente em altas freqncias, com a incluso de pequenas capacitncias, de modo a melhorar a estabilidade. Normalmente, essas alteraes devem
Fig. 8.9 Caractersticas de ganho e fase de amplificador de ( a ) estgio singelo, ( b ) duplo estgio e
(c) trs estgios.
ser feitas empiricamente nos amplificadores reais, por causa das inevitveis e desconhecidas capacitncias parasitas da fiao.
REALIMENTAAO OPERACIONAL
A terra virtual
Uma ligao para realimentao negativa particularmente verstil denominada realimentao operacional porque o circuito capaz de executar determinadas operaes
matemticas no sinal de entrada. Amplificadores de alto ganho com acoplamento cc
,-
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Substituindo-se v,
v,/a e reagrupando-se,
onde o valor utilizado para a corrente de entrada foi aquele dado pela Eq. (8.16). De
acordo com a Eq. (8.19), a impedncia entre S e a terra ser muito baixa se o ganho for
elevado. Valores tpicos de R, = 10j Cl e a = 104proporcionam uma impedncia de 10
0. A baixa impedncia consequncia da tenso de realimentao negativa, que cancela o sinal de entrada em S e tende a manter este n no potencial de terra. Por este
motivo, o ponto S denominado terra virtual e , embora seja mantido nesse potencial
por ao da realimentao, no h fluxo de corrente para a terra neste ponto.
Observa-se imediatamente, devido a terra virtual, que a impedncia vista dos terminais
de entrada igual a R.
Operaes matemticas
O circuito de realimentao operacional (Fig. 8.10) multiplica o sinal de entrada pela
constante -Rf/R. A simplificao do diagrama de circuito para a maneira apresentada
na Fig. 8.11, na qual os terminais de terra no so mostrados especificamente, convencional. O amplificador operacional indicado por um tringulo apontando para o
terminal de sada. Subentende-se que o diagrama simplificado da Fig. 8.1 1 representa
realmente o circuito completo da Fig. 8.10. Se R, = R no circuito multiplicador, o sinal
ser, simplesmente, multiplicado por - 1. Isto utilizado frequentemente para se obter
um sinal multiplicado por uma constante positiva, quando este amplificador operaciona1 precede o que determina o multiplicador. Fatores multiplicativos variando de -0,l
a 10 so possveis, e a exatido determinada principalmente pela preciso dos resistores.
O amplificador operacional pode ser usado tambm para somar vrios sinais,
quando se conectam resistores separados ao n S, conforme indicado na Fig. 8.12.
Neste circuito, a soma das correntes em R,, R , e R , igual a corrente em R,, pois no
existe corrente entre S e a terra. Alm do mais, este ponto est no potencial de terra,
de modo que [compare com a Eq. (8.16)],
Muitos sinais podem ser somados desta maneira. No existe interao das fontes de
sinal, uma vez que S uma terra virtual. Em virtude de a adio ser executada neste
ponto, ele comumente denominado de ponto de soma. Observe que cada sinal pode
ser multiplicado pelo mesmo fator (ou - I ) , se R , = R , = R , etc., ou por fatores
diferentes, como for conveniente.
Se o resistor de realimentao for substitudo por um capacitor (Fig. 8.13), o cir-
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
o,='C-
C!,
.'i d t =
1
RC
.'
1, c, d t
De acordo com a Eq. (8.22), a tenso de sada a integral do sinal de entrada. Note
que no h restries quanto aos componentes de frequncia, como no caso do integrador RC simples discutido no Cap. 2. E necessrio apenas que a faixa de passagem
do amplificador seja suficientemente larga para conter todas as freqncias do sinal. A
integral da soma de vrios sinais obtida adicionando-se diversos resistores de entrada, como na Fig. 8.12.
A inverso das posies de R e C (Fig. 8.14) resulta num circuito diferenciador
que deriva, em relao ao tempo, o sinal de entrada. Equacionando-se mais uma vez
as correntes no ponto de soma,
-
" -- ! ! =d c [.,= c d c ,
R
dt
dt
Li
Amplificador simples
-
O amplificador operacional eficaz e de alto ganho para emprego com pequenos sinais. Se, contudo, a impedncia de entrada R (Fig. 8.10) for 105 R e for desejado um
ganho de 103,o resistor de realimentao dever ser de 10s R. Resistores estveis com
este valor no so facilmente encontrados, de modo que se utiliza uma conexo alternativa (Fig. 8.15). O divisor de tenso formado por R , e R , retorna somente uma
frao do sinal de sada para a entrada e ainda mantm a conexo de realimentao
operacional. O circuito pode ser analisado equacionando-se as quedas de tenso e m
torno das malhas de realimentaao, lembrando-se que S est no potencial de terra
v, - ( R ,
+ R,)il + R, i, = O
R , e R,
R , , e , assim, a Eq. (8.27) se reduz a
Frequentemente, ocorre que R,
expresso, j obtida na Eq. (8.18), para o ganho do amplificador, multiplicada pela
relao R2/R,. Pode-se, ento, conseguir o ganho de 103 com a impedncia de entrada
de 105 R e o resistor de realimentao de R, = 106 a , fazendo-se, por exemplo, R, =
104 e R , = 102 R.
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Amplificadores prticos
O circuito do til, porm relativamente simples, amplificador operacional da Fig. 8.16
inclui um amplificador diferencial com FET no estgio de entrada, empregando-se um
transistor como fonte de corrente constante para melhorar o balanceamento, como j
foi discutido antes. O segundo estgio um amplificador com transistor n p n na configurao emissor comum, tendo um p n p como resistor de carga no coletor, e est diretamente acoplado ao estgio de sada, um seguidor de emissor. A tenso de realimentao negativa dada pelo resistor de 680 kfl, conectado entre a sada e o emissor do
segundo estgio. Alm disso, a realimentao positiva de corrente obtida ligando-se
O resistor de emissor da sada a uma parte do resistor de emissor do transistor de carga
do coletor.
Este circuito tem ganho elevado (105), bem como alta impedncia de entrada
(aproximadamente 5 Ma),em virtude do FET no estgio de entrada. Alm disso, a
233
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
impedncia de sada baixa, por causa do seguidor de emissor e do efeito da realimentao negativa. A realimentao positiva de corrente empregada para a obteno de
algum ganho no terceiro estgio e para aumentar a excurso mxima permitida tenso de sada sem distoro. Observe que os terminais de entrada do diferencial esto
com polaridades marcadas. O terminal negativo, normalmente denominado de entrada
inversora, determina um sinal de sada de polaridade oposta ao de entrada. O positivo,
chamado de entrada no inversora, produz um sinal de sada em fase com o deste
terminal. A entrada normal a inversora, uma vez que h necessidade da defasagem
de 180 para realimentao operacional.
Os amplificadores operacionais em circuito integrado so muito eficientes, devido
s suas teis propriedades e ao reduzido tamanho. O circuito de uma unidade tpica,
mostrado na Fig. 8.17a, integrado numa pastilha de silcio (Fig. 8.17b) e, a unidade
completa, montada num pequeno invlucro (como os das Figs. 8.17~ou 5.30). O circuito, de cinco estgios, contm um amplificador diferencial na configurao Darlington com um transistor no emissor para compensao de temperatura. Este estgio
seguido de um segundo amplificador diferencial acoplado a um seguidor de emissor
que utiliza outro transistor como resistor de emissor. Em seguida, um amplificador em
emissor comum alimenta o seguidor de emissor na sada. Este tambm emprega um
transistor como resistor de emissor. Observe que a compensao de temperatura
obtida, tanto no estgio inicial como no intermedirio e no final, por meio de diodos
nos circuitos de polarizao de base dos transistores que atuam como resistores de
emissor.
Conforme est indicado na Fig. 8.17, o circuito dotado de acessos aos coletores
dos transistores da entrada e do circuito de realimentao negativa interna no terceiro
estgio, alm dos terminais de entrada, de sada e da fonte de alimentao. Os terminais 7 , 8 , 9 e 10 permitem o acrscimo de circuitos externos de compensao de fase
--I
+12
para evitar realimentao positiva nas extremidades da faixa de passagem do amplificador. A compensao necessria depende, em parte, da aplicao particular do operacional e , por isso, no fabricada juntamente com o circuito integrado. Exemplos de
circuitos de compensao de fase sero dados posteriormente.
Mesmo com um projeto muito cuidadoso e o emprego de fontes de tenso bem
estabilizadas, difcil evitar flutuaes nos amplificadores cc. Quando isto acontece na
tenso do amplificador de sada, significa que a realimentao operacional no mantm
mais o n S na terra virtual. e o erro neste potencial chamado de ajastamento. As
tenses de afastamento so, tipicamente, da ordem de 1 mV, podendo representar um
problema srio nas aplicaes crticas. Consegue-se melhorar o desempenho com a
utilizao de um amplificador conversor para estabilizar a tenso da terra virtual,
como indicado na Fig. 8.18. Nesta, o amplificador conversor, que isento de flutuao, por causa do acoplamento ca, mede a tenso de afastamento em S e fornece um
sinal de erro amplificado a entrada positiva do operacional. Este sinal neutraliza as
flutuaes no operacional, e , na prtica, o afastamento pode ser reduzido para 10 p V .
Note que o capacitor est colocado entre S e o amplificador operacional, de modo
5
___O
Sads'
>
--
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Fig. 8.17 (b) Pastilha de silcio real e ( c ) embalagem plana. (Motorola Semiconductor Products,
Inc.)
que o afastamento controlado apenas pelo amplificador conversor. Isto evita que o
operacional responda, por si, aos sinais cc, porm o conversor o faz e, por alimentar o
operacional, torna-se parte do seu circuito de realimentao. Com efeito, este amplificador no diretamente acoplado e opera com sinais de alta-freqncia, enquanto o
conversor o faz com sinais cc e de frequncia muito baixa. O ganho cc muito grande,
pois o produto dos ganhos de cada amplificador, o que significa que a curva de
resposta global no uniforme e o ganho em baixa-freqncia maior que em alta. De
acordo com a Eq. (8.18), tal fato no importante, pois o ganho, devido realimentao, no aparece na expresso do sinal de sada, contanto que permanea elevado em
todas as freqncias de interesse.
A combinao de um operacional estabilizado por um conversor frequentemente
denominada apenas de amplificador operacional. Assim, a linha tracejada na Fig. 8.18
L--------------
circunda uma dessas combinaes. Existem amplificadores conversores para estabilizar operacionais tambm em unidades separadas. Um circuito tpico, mostrado na Fig.
8.19, um amplificador convencional com acoplamento ca, usando um conversor sncrono para recuperar o sinal cc. Observe que os resistores de emissor no desviados
possibilitam realimentao por corrente para melhorar as caractersticas de fase, de
modo que a sada sincronicamente alternada est em fase com o sinal de entrada. De
fato, utilizado acoplamento cc, por convenincia e pela mesma razo. Os capacitores
na entrada e na sada fazem com que o amplificador seja, na realidade, de acoplamento
ca. Amplificadores operacionais estabilizados desta forma so disponveis comercialmente em circuitos integrados, empregando vibradores com MOSFET similares ao da
Fig. 7.33.
As propriedades necessrias aos amplificadores operacionais dependem da aplicao particular que se tenha em vista. Certos parmetros, contudo, so caractersticos
de muitas aplicaes e servem de base para comparao entre as diferentes unidades.
/,
237
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Consideremos as caractersticas dos vrios tipos resumidas na Tabela 8.1, que confronta dois amplificadores transistorizados tpicos com componentes discretos (um de
entrada com FET, similar ao da Fig. 8.16), dois em circuito integrado, semelhantes ao
da Fig. 8.17, e um estabilizado com conversor. Muitas variaes desses tipos bsicos
so tambm disponveis para diferentes aplicaes, mas a faixa de parmetros apresentada na tabela bastante representativa.
A principal caracterstica de um amplificador operacional , naturalmente, o ganho. Este parmetro usualmente especificado como ganho de tenso de malha
aberta, significando o ganho do amplificador, sem qualquer conexo de realimentao
operacional. E desejvel um valor elevado, a fim de que a Eq. (8.18) se aplique com
exatido. De acordo com a segunda coluna da Tabela 8.1, so tpicos valores acima de
1000, atingindo at mais de 10 milhes.
A banda passante tambm significativa, pois especifica a faixa de frequncia na
qual o ganho disponvel aprecivel. Note que no h necessidade de a resposta em
frequncia ser uniforme, uma vez que o valor real do ganho no aparece na expresso
da realimentao operacional. Por este motivo, no apropriado dizer que a faixa de
passagem est limitada pelas freqncias de meia potncia, como no Cap. 7. Uma base
de comparao a largura da faixa de passagem de malha aberta com ganho unitrio,
que o intervalo compreendido entre a origem e a frequncia na qual o ganho cai a
um. Embora este parmetro seja de utilidade aos propsitos comparativos, o amplificador no utilizvel em toda esta faixa, pois o ganho prximo a frequncia extrema
no suficiente para um desempenho satisfatrio. A terceira coluna indica, no entanto, que podem ser utilizados sinais de freqncia bastante elevada.
A impedncia de entrada do amplificador operacional deve ser suficientemente
grande para que a corrente de entrada seja desprezvel, de acordo com a anlise que
nos conduziu a Eq. (8.18). Isto pode ser conseguido facilmente por meio de um estgio
com FET, sendo frequentemente empregada a configurao Darlington pela mesma
Tipo
Ganho
de tenso
de malha
aberta
Faixa de
passagem,
ganho
unitrio,
MHz
Impedncia de
entrada,
Tenso
de afastamento de
entrada,
mV
Flutuao
do afastamento,
/.LV/"C
--
Componente
discreto
(transistor)
Componente
discreto (FET)
3 x 1o4
2 x 105
Ajustvel
25
Ajustvel
106
10
1012
Circuito
integrado
(MC 1431)
3500
20
6 x 105
Circuito
integrado
(wA702A)
3600
30
4 x 104
0,s
2,s
3 x 10'
15
5 x 105
0,01
02
Estabilizado
por conversor
1O
.-
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
c4
Entrada
Sada
Fig. 8.21 ( a ) Onda quadrada de entrada (b) integrada e ( c ) diferenciada pelo amplificador operacional da Fig. 8.20.
Amplificador logartmico
Usam-se tambm componentes no lineares de realimentao, nos circuitos operacionais, que possibilitam a obteno de caractersticas entrada-sada especiais. Consideremos, por exemplo, o circuito da Fig. 8.22, que utiliza um transistor em base comum
como elemento de realimentao, resultando num amplificador no qual a tenso de
sada o logaritmo do sinal de entrada. Esta configurao opera com sinais bastante
elevados, sem saturar.
A caracterstica logartmica surge da maneira descrita a seguir. A corrente de
coletor no transistor a de emissor vezes o ganho, de acordo com a Fig. 5.10, e esta
dada pela equao do retificador. Desprezando-se a unidade na Eq. (5.4) em presena
do termo exponencial dominante,
As caractersticas experimentais da Fig. 8.23 ilustram as propriedades logartmicas estabelecidas pela Eq. (8.30) e a faixa extremamente grande de sinais de entrada
com os quais o amplificador opera. Nos circuitos prticos, normalmente necessrio
suplementar o circuito elementar da Fig. 8.22, com a incluso de uma fonte de
polarizao de coletor, e compens-lo contra tenses de afastamento, usando-se a entrada no inversora a fim de que seja obtida a caracterstica logartmica em toda a faixa
de tenso.
A par de sua capacidade em operar com sinais simples, este amplificador pode ser
usado para multiplicar dois sinais arbitrrios. As sadas de dois amplificadores logartmicos so somadas e o resultado passado num amplificador logartmico inverso. A
sada deste proporcional ao produto dos dois sinais.
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
10-~
10-~
1o-Z
Io-'
1
Sinal de entrada, V
10
100
Filtro ativo
Consideremos o circuito da Fig. 8.24, no qual tanto a entrada inversora quanto a no
inversora esto com realimentao operacional. Devido a elevada impedncia de entrada, a corrente que entra nos terminais do amplificador desprezvel, de modo que
que significa
,-
A impedncia de entrada
onde se fez uso das Eqs. (8.32) e (8.34). A Eq. (8.36) mostra que o circuito possui a
interessante propriedade de a impedncia de entrada aparente ser o negativo daquela
conectada aos terminais de sada; ou seja: o circuito um convrrsor negativo de i m p dncia. Se, por exemplo, a impedncia de sada for capacitiva, a de entrada ser indutiva. Alm disso. sua amplitude depender do fator de escalar,/r,.
Uma aplicao simples deste circuito o Jlltro utii~o(Fig. 8.26), no qual o capacitor C, na sada refletido como uma indutncia, de modo a formar com C, um circuito
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
CJL?
CNZ
ui
A relao Z,/Z,
Esta expresso deve ser comparada com a Eq. (8.49) do circuito RLC. Quando
R , = R , e C , = C,, a caracterstica
Observe quk o Q equivalente do circuito exatamente r,/r,, e isto significa ser possvel
ajust-lo independentemente da freqncia de ressonncia. Por outro lado, possvel
Sada
Comparador
Os amplificadores operacionais so utilizados tambm para comparao das amplitudes de dois sinais. Se um sinal for aplicado a entrada inversora e o outro a no inversora, a sada ser nula apenas quando os dois sinais forem iguais.
O c,omparador prtico da Fig. 8.27, que emprega u m operacional e m circuito integrado, d tenso zero na sada sempre que o sinal instantneo na entrada igual a V . A
elevada razo de rejeio de modo comum e a excelente caracterstica de equilbrio do
estgio de entrada so importantes nesta aplicao.
COMPUTADORES ANALGICOS
Simulao
Os circuitos de realimentao operacional podem ser reunidos e m computadores analgicos, em que os sinais so anlogos a variveis nos sistemas fsicos, muitos dos
quais podem ser descritos por equaes matemticas baseadas nas leis da natureza. Os
computadores analgicos so utilizados para resolver tais equaes e , e m consequncia, mostrar o comportamento do sistema.
As tenses e outros parmetros do circuito de u m computador desse tipo correspondem a variveis e propriedades do sistema real. Os parmetros do computador so,
entretanto, facilmente alterados e ajustados, de modo que o comportamento do sistema pode ser examinado numa ampla faixa de condies. O computador , de fato,
encarado como simulador do sistema fsico, e sua resposta aos estmulos externos
corresponde ao sistema real at onde a descrio matemtica mostrar-se precisa.
1
I
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Reagrupando
d2x
dt2 -
--
bdx
mdt
k
x
m
-----
+ m1 F ( t )
-
Observe que a Eq. (8.43) tem a mesma forma da Eq. (3.20) da corrente num
circuito RLC, e isto significa ser possvel utilizar o computador analgico da Fig. 8.28
tambm para investigar, digamos, os efeitos da ressonncia neste circuito simples.
Embora o computador seja muito mais complexo que o circuito que simula, o estudo
deste fica amenizado pela facilidade com que podem ser alterados os parmetros.
Alm do mais, o computador pode ter suas conexes mudadas para simular outros
circuitos, na medida das necessidades.
SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR
8.1 Desenhe o circuito equivalente do amplificador realimentado em ponte T da Fig. 8.4. Trace
somente a curva caracterstica do filtro, isto , a variao em frequncia de p, e determine a
S para todos os FET.
curva de resposta do amplificador realimentado. Suponhag, = 5 x
8.2 Analise o seguidor de fonte da Fig. 6.8 como um amplificador realimentado e desenvolva
expresses para o ganho e para as impedncias de entrada e de sada.
Resp.: a / ( l+ a ) ; (R,+R,) (I + a ) ;R , / ( ]+ a )
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
247
8.3 Calcule as impedncias de entrada e de sada do amplificador transistorizado com realimentaodaFig.8.2. Osparmetroshsoh,,=3.600R,hf,= 150,h,,=3 X 10-3,h,,= 1,4X 10-4S.
Resp.: 1,61 x 106R, 12R
8.4 Analise o circuito da Fig. 6.18 como um amplificador com realimentao de corrente, se o
capacitor de desvio for omitido. Calcule B e o ganho.
R e s p . : 1; 3,3
8.5 Deduza uma exvresso vara imvedncia de entrada de um amplificador realimentado simultaneamente por tenso e corrente. Use essa expresso para mostrar que tanto a realimentao
negativa de corrente como a de tenso aumentam aquela impedncia. Utilizando a Eq. (8.15),
encontre a expresso da impedncia de entrada quando a de sada zero.
8.6 Calcule as razes de realimentao de corrente e tenso B, e P, nos estgios de sada do
amplificador com realimentao operacional da Fig. 8.16.
Resp.: 10P, 1
8.7 Empregue
- a Eq. 8.23 para desenvolver uma expresso numrica correspondente a Eq. (8.30).
Qual o valor aproximado de I, para o transisto'utilizado no circuito da- Fig. 8.22? Cnsidere
elkt = 38 V - ' .
Resp.: 3,8 x 10-13A
8.8Utilizando os princpios empregados na Fig. 8.22, desenhe um circuito para o qual a sada seja
o quadrado ou o cubo do sinal de entrada.
8.9 Projete um computador analgico para resolver o problema de um corpo em queda, cuja
equao
/--.
/
'
k?
OSCILADORES
2 00%.
3 r-j
,-:
220
2 0 bk.'
I-"
i
L&
-f
2
<!O. Fctanr'.
fZV
5:.
.:
G
\
h'
Os circuitos eletrnicos podem gerar variadas formas de sinais ca numa extensa faixa
de freqncias. Os osciladores valvulares ou transistorizados so, de fato, o nico e
conveniente modo de ge~aode tenses de alta-freqncia. So amplamente utilizados e m transmissores e receptores de rdio e TV, para aquecimento dieltrico e por
induo e , nos instrumentos eletrnicos, objetivando teste e regulao. U m oscilador,
efetivamente, converte a potncia fornecida pelas fontes de alimentao cc em potncia ca com as caractersticas desejadas. Alm da freqncia e da forma de onda das
oscilaes, a eficincia na converso e a estabilidade da freqncia tambm so importantes no projeto dos circuitos osciladores.
OSCILADORES
REALIMENTAAO POSITIVA
A oscilao obtida atravs de realimentao positiva, o que produz um sinal de sada
sem qualquer sinal de entrada. De acordo com a Eq. (8.4), o ganho de um amplificador
realimentado, fornecido por
a Eq. (9.1) indica que o ganho tornar-se- infinito. A interpretao fsica deste fato
que sempre existir um sinal de sada, mesmo quando o de entrada for nulo. No caso
de oscilaes senoidais, a estrutura de realimentao projetada de modo que a Eq.
(9.2), denominada critkrio Barkhausen, seja satisfeita, apenas, numa nica freqncia,
na qual o circuito oscilar. Este critrio requer que a defasagem total do sinal realimentado seja de 360, e este o fator primordial na determinao da frequncia de
oscilao. Alm disso, o ganho do amplificador deve ser suficientemente elevado para
assegurar um produto a@unitrio, afim de que a oscilao se mantenha.
A amplitude da oscilao determinada indiretamente pela Eq. (9.2). O ganho de
qualquer amplificador degradado quando as amplitudes do sinal se tornam grandes,
por causa do comeo das condies de corte ou saturao. Da mesma forma, a amplitude quiescente tal que o valor absoluto do ganho I/@.Em virtude de a estrutura de
realimentao ser, na maioria das vezes, um circuito passivo, a amplitude depende
basicamente das caractersticas do amplificador.
No h necessidade de alimentao de sinal na entrada para que as oscilaes se
iniciem. As tenses de rudo aleatrio ou os transistrios devidos a aplicao das tenses de alimentao so suficientes para dar incio ao processo. Como a amplitude do
sinal de realimentao depende do ganho do amplificador, a rapidez com que a oscilao atinge seu valor no estado estacionrio aumenta quando o ganho elevado. E
conveniente, de maneira geral, que o ganho de pequenos sinais seja bem maior que o
imposto pelo critrio de Barkhausen. Isto produz oscilaes estveis, independentes
das variaes secundrias que possam ocorrer no circuito. Por outro lado, se o
ganho for muito grande, pode provocar oscilaes no-senoidais, resultantes das nolinearidades associadas as amplitudes dos grandes sinais.
OSCILADORES RC
Osciiador de deslocamento de fase
Um circuito oscilador simples, porm bastante til, e que emprega um estgio amplificador convencional e uma estrutura de realimentao RC o oscilador de deslocamento de fase mostrado na Fig. 9.1. O estgio em emissor-comum tem uma defasagem
prpria de 180, e os trs circuitos RC em cascata introduzem um desvio adicional de
180, a fim de que o critrio de Barkhausen seja satisfeito. Em alguma frequncia
especfica, a defasagem em cada seo RC de 60, de modo que o deslocamento de
fase total na estrutura de realimentao de 1800; o circuito oscilar nessa frequncia,
se o ganho for suficientemente grande. Observe que a defasagem mxima numa seo
RC est limitada em 90. Isto significa que no h possibilidade de empregar uma
estrutura de duas sees, em virtude da conseqente necessidade de haver ganho infi-
/-
nito para se contrapor a atenuao da estrutura quando a defasagem de 180. Reciprocamente, no h vantagem em ter mais de trs sees, embora isto seja possvel.
A anlise do oscilador de deslocamento de fase pode ser realizada ignorando-se
inicialmente o efeito d o carregamento d o amplificador sobre a estrutura.
Considerando-se que a tenso v, esteja aplicada ao circuito de realimentao, pode-se
calcular o sinal v, aplicado ao transistor atravs de anlise de circuito precisa. O resultado
,A fim de que a defasagem da estrutura de realimentao seja de 180, a parte imaginria da Eq. (9.3) deve-se anular, ou
1
6
(o,
RC)3- o, RC
(9.4)
,"i,
1
1 -0:;
,---- ZZ,/~RC -
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(9.5)
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i
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-\
1/(1 - 5 x 6 )
= -
>
/r4 i
--+?-"
.9
,.
1/29, o que
--
r-
,-
OSCILADORES
251
a fim de satisfazer o critrio Barkhausen. De acordo com este resultado, a amplificao deve ser, no mnimo, 29, ou o circuito no oscilar.
Na realidade, o ganho do amplificador deve ser algo maior) que 29, para assegurar
oscilaes estveis em face das perdas no circuito e dos efeitos de envelhecimento dos
componentes. A amplitude das oscilaes aumenta at ser limitada ao valor 29 pelas
no-linearidades do transistor. Geralmente, o incio do corte no pico da onda o fator
limitador, e, por isso, a amplitude de pico do sinal dever ser aproximadamente igual
ao potencial quiescente de coletor.
A simplicidade do oscilador de deslocamento de fase torna-o atraente em aplicaes no-crticas, especialmente em mdias e baixas freqncias, at cerca de 1 Hz. A
estabilidade de frequncia, no entanto, no to boa quanto a obtida em outros tipos
de osciladores RC. Alm do mais, para mudar a frequncia necessrio variar todos
os trs capacitadores (ou os trs resistores), o que inconveniente.
tan 0 E
9 - 3(1
+ RZIR,)
Se, por exemplo, R, = 1,9 R,, o coeficiente do termo relativo as freqncias ser
igual a 9,7. Por comparao, a expresso correspondente para o oscilador de deslocamento de fase ser, aps racionalizao da Eq. (9.3),
tendo sido utilizada a Eq. (9.5) para introduzir o,. O fator numrico na Eq. (9.10)
apenas 0,49, menor, portanto, por um fator de 20 do que no caso da ponte de Wien.
Esta comparao ilustrada mais claramente na Fig. 9.3, onde o ngulo de fase do
sinal de realimentao est traado em funo de olmo para os dois osciladores. O
ngulo de fase varia muito mais rapidamente com a frequncia no circuito de realimentao da ponte de Wien, significando que a frequncia de oscilao bastante estvel,
pois apenas sinais de realimentao com ngulo de fase prximo de zero so eficazes.
A excelente estabilidade em frequncia, juntamente com a relativa facilidade com
que pode ser mudada (apenas os dois capacitares necessitam ser variveis), faz a popularidade do oscilador em ponte de Wien. Na maioria dos circuitos prticos, os capacitores variveis possibilitam uma faixa de frequncia de 10 para 1. Alm disso, valores
de resistores mltiplos de 10 (em dcadas) so selecionados por chave de maneira a
poder ser coberta uma ampla faixa de frequncias por um nico instrumento. Um oscilador comercial tpico pode ter uma gama de freqncias se estendendo de 5 Hz
a 1 MHz, em passos miltiplos de 10.
OSCILADORES
1-20
Oscilador de
deslocamento de fase
circuitos ressonantes L C so usados frequentemente nas estruturas de realimentao dos osciladores para a seleo da freqncia de oscilao. Consideremos o conhecido oscilador Hartley, mostrado na Fig. 9.4, no qual um circuito ressonante paralelo
conectado entre porta e d r e n o k ~indutncia possui uma derivao, de modo que,
efetivamente, a parcela L, compe a carga do dreno, enquanto a L , restante est no
circuito da porta. A frequncia de ressonncia envolve a indutncia de L, e L , em
srie, tal que, como no Cap. 3,
--
+ Lz) = l/woC,
Observe que a razo negativa, indicando que a defasagem adicional de 180 introduzida pelo amplificador produz a realimentao positiva necessria. A Eq. (9.14) e O
critrio de Barkhausen especificam o ganho necessrio para manter as oscilaes.
#-As condies de polanzao no oscilador Hartley so dignas de nota. A polarizao necessria fornecida pela combinao R,C, ?o circuito da porta. Ao se iniciarem
as oscilaes, a porta est com polanzao zero. A medida que as oscilaes crescem,
o diodo formado pela juno porta-fonte retifica o sinal de realimentao, carregando
C, at um valor prximo ao de pico do sinal de entrada. A constante de tempo R,C,
muito maior que o perodo de oscilao, de modo que a tenso sobre C , constante e
representa a polarizao cc necessria na porta. Com efeito, esta grampeada no
potencial de terra (compare as Figs. 4.27 e 4.28). A polanzao de porta, em conseqncia, ajusta-se automaticamente a amplitude do sinal de realimentao, e esta ao
estabiliza a amplitude da oscilao.)i
Esta forma de polarizao mantm o transistor cortado durante a maior parte do
ciclo, acarretando a denominada operao em classe C. A tenso de porta produz
corrente de dreno no pico do ciclo da tenso de realimentao. A elevada impedncia
do circuito ressonante permite, entretanto, que apenas a componente fundamental do
sinal de sada tenha amplitude aprecivel, de maneira que a forma de onda neste ponto
senoidal. Outro modo de explicar a ao do circuito ressonante dizer que ele
excitado por pulsos peridicos do amplificador classe C e que a onda contnua produzida pelo repique no seu circuito. Estas duas explicaes so equivalentes.
O oscilador Colpitts da Fig. 9.5 similar ao yartley, exceto por ser a razo de
realimentao determinada pelos valores relativos de C, e C,. A polarizao de base
1 cm dim.
. . z
neste circuito tal que o transistor opera em clasuse A, embora seja possvel a operao em classe C , equivalente do oscilador Hartley. A carga de sada acoplada ao
-" circuito ressonante por meio do enrolamento secundrio L,, que de particular utilidade na alimentao de cargas de baixa impedncia.
'
Uma outra maneira de desenvolver tenso de realimentao incluir um enrola-,, mento secundrio, tambm denominado enrolamento de realimentao, acoplado a
indutncia. Consideremos, por exemplo, o oscilador em base-comum da Fig. 9.Q. A
indutncia mtua entre L e o enrolamento induz um sinal de realimentao de ampli7;
tude e fase apropriadas para manter as oscilaes. Da definio de indutncia mtua
vista no Cap. 3, a tenso de realimentao justamente a razo da indutncia mtua M
entre os enrolamentos para a indutncia total L, vezes a tenso sobre esta. Em conseqncia,
-,
-,
-
M
L
rl
v, = - v,
ou
t$l
'h
256
.
\:I
i
'1
*-
2,
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2-
e ,
-
,
a
hrb = -M
L
(9.18)
-.
(,
A " .
S
,-.
ELETR~NICABASICA
:
L
.L
F-li d
,
,,
cJ. -
(5
" , .-
%&<,
Num transistor de boa qualidade, hrb da ordem de 10-4,o que significa que a indu- n
tncia mtua pode ser bem pequena. Da mesma forma, um enrolamento de realimenr
tao de apenas poucas espiras suficiente.
'5.
A maior vantagem do circuito de realimentao com este enrolamento que a
' 7
amplitude da tenso de realimentao pode &r facilmente ajustada, escolhendo-se o .
-5
P
c< nmero de espiras no circuito.
L
r
,'
\
c
/--
,'-
fl
Fig. 9.6 (a) Oscilador em base comum com enrolamento de realimentao e ( b ) circuito equivalente.
;
A fase apropriada obtida invertendo-se os terminais
do
enrolamento. se
- - necessrio.
--------para ~ o s s i b i i t a ra realimentao positiva.
a Fig. 9.6 seja um c i ~ m t 6
- - -" =embora
e n i - G - c o m u m , as configUraes emissor-comum e coletor-comum vodem ser empregadas com resultados semelhantes. Alm disso, pode-se utilizar o-circuito ressonante nas malhas da base ou do emissor. A configurao especfica ilustrada na Fig. ,9.6 particularmente adequada a uma boa estabilidade de freqncia, como veremos c
abaixo.
A operao de osciladores a transistor em classe C usada frequentemente em
7
/-
OSCILADORES
257
Osciladores a cristal
-.
Yp,
+28v
,--
Sada
-.
,
-
dade. De acordo com a discusso efetuada no Cap. 6, a impedncia de sada do amplificador em base-comum maior que a de qualquer outra configurao. Este o motivo
pelo qual esta, com a associao ressonante no circuito do coletor, a mais satisfatria
h
para um oscilador transistorizado. Correspondentemente, os osciladores com FET
tm, na maioria das vezes, o circuito ressonante na porta. E m qualquer caso, podemse obter valores prticos de Q de 100 a 500, resultando em oscilaes bastante estveis.
Muitas aplicaes requerem estabilidade de frequncias muito maiores que as
" possveis de obter com circuitos LC; neste caso, os osciladores a cristal so larga- mente usados para preencher essa necessidade. Certos materiais cristalinos, principalmente o quartzo, exibem propriedades piezoeltricas, isto , deformam-se mecani- camente quando sujeitos a um campo eltrico. A piezoeletricidade tambm implica em
- ser o inverso verdadeiro: quando o cristal energicamente deformado, um potencial
eltrico desenvolvido entre suas faces opostas. Como resultado desta propriedade,
- uma fina lmina de quartzo, provida de eletrodos condutores, vibra mecanicamente
quando a estes eletrodos ligada uma fonte de tenso alternada. As vibraes, por sua
- vez, produzem sinais eltricos que interagem com a fonte de tenso. As vibraes e os
Comparando as Eqs. (9.19) e (9.20), pode-se ver que a massa oscilatna anloga indutncia, as perdas mecnicas so equivalentes a resistncia e a elasticidade corresponde ao inverso da capacitncia. Em virtude da forma idntica das duas equaes,
pode-se esperar a ocorrncia de ressonncia mecnica; , pois, conveniente definir um
-,
fator Q mecnico, por analogia com a Eq. (3.47).
Acontece que as perdas internas nos cristais de quartzo so muito pequenas, podendo-se conseguir valores de Q bastante elevados, da ordem de 100.000. Alm disto, as
constantes elsticas so tais que possvel obter freqncias abrangendo uma faixa
desde 10 kHz at vrias dezenas de megahertz, dependendo do tamanho e da forma do
cristal.
As propriedades piezoeltricas do quartzo produzem potenciais nos eletrodos,
cok-espondentes s oscilaes mecnicas. Isto sugere que as caracten'sticas eltricas
podem ser representadas por um circuito equivalente. A comparao das Eqs. (9.19) e
(9.20) nos mostra que o circuito apropriado a associao em srie de uma resistncia,
uma indutncia e uma capacitncia. A isto se deve acrescentar a capacitncia eltrica
resultante das placas paralelas dos eletrodos, tendo o cnstal como dieltrico. O circuito equivalente completo de um cristal de quartzo , portanto, a associao srieparalela mostrada na Fig. 9 . 8 ~ .Neie, L , C e R esto relacionadas s propriedades do
cristal e C' a capacitncia eletrosttica dos eletrodos. Os valores adequados para
um cristal de 90 kHz so L = 137 H, C = 0,0235 pF, R = 15.000 Cl e C' = 3,5 pF. O
smbolo de circuito convencional um capacitor de placas paralelas com o cristal entre
elas, como na Fig. 9.8b.
O circuito equivalente do cristal de quartzo mostra que haver uma freqncia de
ressonncia srie (impedncia zero) e uma paralela (impedncia infinita). A freqncia
de ressonncia srie o, = l / v Z . A ressonncia paralela ocorre quando a reatncia de C' se iguala a reaincia indutiva lquida da combinao de L e C, e o, =
~ I / L ( I / c+ 1/Cr).Em conseqncia, a freqncia de ressonncia paralela sempre
maior que a srie, embora por ser C' C, as duas estejam muito prximas. A reatncia
capacitiva tanto abaixo como acima das freqncias de ressonncia, como mostra a
Fig. 9.9.
Um ressonador de quartzo possibilita circuitos osciladores extremamente estveis
e com alto Q, podendo ser projetada uma variedade deles. Tanto a freqncia de res-
-I
--
-'
'
--
--.
Fig. 9.8 (a) Circuito equivalente do cristal de quartzo e (b) smbolo de circuito.
sonncia srie quanto a paralela podem ser usadas, embora esta ltima seja mais comum. Consideremos, por exemplo, o oscilador Pierce da Fig. 9.10, no qual o cristal
conectado entre a base e o coletor. Este circuito idntico ao oscilador Colpitts da
Fig. 9.5, com o cristal substituindo o circuito ressonante. A razo de realimentao
determinada pelos valores relativos de C, e C 2 . A indutncia RFC (do ingl. vadio frequency choke, significando reator de radiofrequncia) no terminal do coletor uma
maneira conveniente de polariz-lo sem que ele esteja curto-circuitado a terra para os
sinais. Ele pode ser substitudo por um resistor de 10.000 R, introduzindo, no entanto,
alguma perda no desempenho do circuito. Uma associao ressonante LC'paralela
pode tambm ser usada com ganho no seu desempenho. Neste ltimo caso, o circuito
ressonante apenas uma impedncia de carga conveniente, no determinando a fre-
9,1kQ
RFC
100 pF
Itd
2N1491
Sada
680
c1
7q20
pF
T
qncia de oscilao.
O quartzo quase universalmente utilizado em osciladores a cristal porque nstico, de razovel resistncia, e possui um pequeno coeficiente de expanso com a
temperatura. A orientao adequada das faces planas com respeito a estrutura cristalina torna a freqncia de ressonncia independente da temperatura numa faixa razovel. Em conseqncia, consegue-se estabilidade de freqncia da ordem de 100 ppm.
Obtm-se maior preciso, ainda, colocando-se o cristal numa cmara trmica controlada e fazendo-se vcuo no seu encapsulamento, a fim de reduzir as foras de amortecimento do ar na vibrao do cristal. E prtica comum, tambm, estabilizar a temperatura do restante do circuito e empregar uma fonte de alimentao regulada para o
oscilador. Utilizam-se estgios amplificadores para isolar o oscilador de variaes na
carga. Esses osciladores a cristal, to cuidadosamente projetados, produzem padres
de tempo extremamente precisos (preciso at uma parte em 100 milhes).
Anlise da estabilidade
As caractersticas tenso-corrente de diversos dispositivos, sobretudo o diodo tnel e
o transistor unijuno, exibem propriedades de resistncia negativa, isto , numa parte
da caracterstica a corrente diminui a medida que a tenso aplicada aumenta. Os mecanismos fsicos que levam a essas propriedades, j discutidas no Cap. 5, mostram-se
bastante teis numa variedade de circuitos osciladores.
A anlise da oscilao sobre resistncia negativa mais bem feita por meio da
impedncia complexa do circuito incremental, linear, do oscilador. Consideremos, por
exemplo, o circuito ressonante srie da Fig. 9.11, onde r representa a resistncia negativa de um diodo tnel no ponto de operao. A impedncia do circuito
e-
OSCILADORES
A Eq. (9.23) prediz corrente infinita nas condies para as quais a impedncia se
anula. Esta situao anloga a da Eq. (9.2) e implica na oscilao do circuito. A
anlise desta situao efetuada, em conseqncia, simplesmente pesquisando-se os
zeros da funo impedncia.
. Esta funo se anula quando tanto a parte real quanto a imaginria da Eq. (9.22)
so iguais a zero,
Irl
>R
/oscilao
2-
'
\r
1 --
VDDO,2
Fig. 9.12 Retas de carga para oscilador a diodo tnel e circuito de comutao.
intercepes. Neste caso, tanto o ponto 1 quanto o 2 representam condies de circuito estvel (no-oscilatrio). O ponto 3 uma condio de equilbrio instvel de tal
forma que, se o circuito for levado a este ponto, a corrente imediatamente comear a
variar, indo fixar-se no ponto 1 ou no 2. O circuito tem, efetivamente, dois estados
estveis, podendo ser comutado de um para outro pela aplicao temporria de tenses. Suponhamos, por exemplo, que o circuito esteja no ponto 1 e que um aumento
temporlio na tenso leve a corrente ao valor de pico. Quando a tenso temporariamente maior for removida, o circuito atravessar a caracterstica VI e terminar no
ponto 2. Analogamente, o circuito poder ser chaveado do ponto 2 para o 1 pela remoo temporria da tenso aplicada. Quando esta for reaplicada, a corrente aumentar,
a partir da origem, e parar no ponto 1. Estas propriedades de comutao ou chaveamento mostram-se bastante teis, por exemplo, em computadores digitais.
A variedade de condies de operao no esgotada por esses dois casos, especificados pela reta de carga cc. A condio oscilatria, Ir1 > R, tem, na realidade,
vrios diferentes modos de operao que dependem da reta de carga ca. Se, por exem-
OSCILADORES
263
,-
plo, a indutncia L for elevada, a freqncia calculada pela Eq. (9.24) ser imaginria,
ainda que o valor da resistncia negativa do diodo seja apropriada para oscilao. Esta
condio leva a oscilaes de relaxao no-senoidais, que sero tratadas posteriorA
mente neste captulo. Por outro lado, se a capacitncia C for grande, a freqncia ser
nula, de acordo, ainda, com a Eq. (9.24), significando que as oscilaes do circuito
sero completamente amortecidas.
T
A relao entre as condies do circuito para oscilao senoidal, de relaxao e
amortecimento podem ser apreciadas analisando-se a caracterstica tenso-corrente da
,-, Fig. 9.13 e as retas de carga ca. De acordo com esta anlise, as oscilaes senoidais na
frequncia natural do circuito so obtidas quando o valor da resistncia negativa, no
ponto de operao, est adequadamente casado com os parmetros do circuito, conforme a Eq. (9.37). Um valor grande de indutncia e um pequeno de capacitncia
ri.
--
Fig. 9.13 A combinao das retas de carga cc e ca determina o modo de oscilao do oscilador a
diodo tnel.
completo. Esta ltima condio apresenta utilidade no traado experimental da caracterstica tenso-corrente completa, a qual, obviamente, no pode ser executada com o
circuito oscilando.
ELETR~NICABSICA
270
.---o
1,s V ?
r"
tenso resistivo polariza o diodo num ponto de operao situado na parte de resistncia negativa da caracterstica tenso-corrente.
A condio dada pela Eq. (9.27) pode parecer to restritiva a ponto de as oscilaes senoidais serem de difcil obteno. Este no o caso, no entanto, pois r a
inclinao da caracterstica VI no ponto de operao e , e m consequncia, varia consideravelmente com a localizao deste ponto, desde o pico at o vale. Alm do mais, o
circuito tende a ajustar-se a um valor prprio, uma vez que a amplitude da oscilao
varia para admitir um valor mdio de r num ciclo completo, e m concordncia com a
Eq. (9.27).
O diodo tnel u m excelente dispositivo de alta freqncia, podendo-se obter
oscilaes at 1011 Hz. Na realidade, esta virtude traz alguns problemas em circunstncias experimentais, pos mesmo as menores capacitncias e indutncias parasitas
so suficientes para provocar oscilaes e m freqncias muito altas.
De acordo com as caractersticas tenso-corrente tpicas das Figs. 9.12 e 9.13, os
diodos tneis podem operar e m nveis de potncia muito baixos. Correspondentemente, entretanto, a amplitude mxima de sinal e a potncia de sada ca so limitadas.
OSCILADORES DE RELAXAO
Geradores dente-de-serra
Consideremos o circuito oscilador de relaxao a unijuno da Fig. 9.15. Pode-se entender o seu funcionamento aps u m exame da caracterstica tenso-corrente do transistor unijuno, apresentada na Fig. 9.16. Ela exibe uma regio de resistncia nega'
tiva entre a tenso de pico V , e o ponto de vale V,, como j visto no Cap. 5.
O oscilador a unijuno funciona da seguinte maneira: o capacitor C se carrega,
atravs do resistor R, e a tenso no capacitor aumenta exponencialmente at que o
potencial V , seja atingido. Neste ponto, a juno do emissor se torna diretamente
polarizada, e o capacitor se descarrega rapidamente atravs dela. Quando o potencial
no capacitor cai um valor baixo (essencialmente igual a V,), a juno do emissor fica
OSCILADORES
265
,-.
outra vez reversamente polarizada, e o capacitor reinicia o seu carregamento. A forma
do sinal no terminal 1 , mostrada na Fig. 9.17, uma srie de curvas de carregamento
- RC com amplitude pico-a-pico igual a V , - V,. Note que, em seguida a cada penodo
de carga, o circuito "relaxa", retornando ao ponto de partida. Esta a origem da
i terminologia para este tipo de oscilador. A forma de onda do sinal no terminal 2 uma
- srie de pulsos positivos agudos, e tambm est mostrada na Fig. 9.17.
p
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.::-
e,
z t ~ z ~ ~
A tenso atinge V , no instante t,,
' J if <E 2
(9.29)
t, =
-RC ln ( 1 - % / V )
t,, .ou
(9.30)
5 ,v
Fig. 9.16 Caracterstica tenso-corrente do transistor unijuno.
Fig. 9.17 Formas de onda do oscilador a unijuno (a) no terrninai de sada 1 e (b) no terminal de
sada 2.
OSCILADORES
267
__
"
/Pulsos de sincronisrno
,
.
relao terra, de modo que a porta est reversamente polarizada. A medida que a
tenso no capacitor aumenta, o retificador permanece aberto at que o catodo se torne
ligeiramente menos positivo que a porta. Neste ponto, o S C R dispara, o capacitor
descarregado e o ciclo se repete. A finalidade do resistor de 5 0 em srie com o catodo
limitar a corrente de descarga em um valor .seguro para o retificador. Isto necessrio porque a resistncia interna do S C R no estado de conduo muito pequena,
podendo o pico de corrente ser destrutivo.
Uma onda dente-de-serra linear produzida pelo transistor que atua como fonte
de corrente constante. Como a corrente de carga constante, a tenso no capacitor
aumenta linearmente com o tempo, de acordo com
r-
fl
Multivibradores
Os circuitos realimentados com dois transistores, denominados rnultivibradores, so
osciladores de relaxao importantes. Adicionalmente, verses modificadas adequa'
damente possuem outras propriedades, alm da oscilao, tornando-se bastante versteis. ,
E mais fcil iniciar o estudo pelo chamado multivibrador astvel, mostrado na Fig.
r
9.20; essa terminologia tornar-se- clara mais tarde. Este circuito pode ser reconhecido
como um amplificador de duplo estgio com a sada acoplada capacitivamente de volta
entrada. A razo de realimentao unitria e positiva, devido a defasagem de 180'
em cada estgio;por isto,
--
I
-
i?
Coletor de
Base de
Coletor de
v,
Pig. 9.21 Formas de onda da tenso no coletor e na base dos transistores do multivibrador.
(a)
S.->.
&
-
(b)
Fig. 9.22 Circuitos equivalentes~arciaisde V,, referentes a Fig. 9.20, mostrando a origem da
sobrecrista.
T.
,r,
I-
OSCILADORES
271
sobrecrista no multivibrador na Fig. 9.20 10(200/10.200) = 0,2 V. Este pequeno valor, mais a relativamente pequena constante de tempo, indicam que a sobrecrisfa introduz apenas uma pequena diferena na forma da onda quadrada de coletor.
A largura do pulso do multivibrador depende da constante de tempo de C , (ou C,)
carregando-se atravs de R , (ou R,). O valor de t , pode ser deduzido imediatamente da
expresso do perodo de relaxao do oscilador, dado pela Eq. (9.32). Comparando-se
as formas de onda das Figs. 9.21 e 9.17,
t,
= R,C,
In 2
(9.34)
/-.
ELETRONICA BSICA
Sada
Disparo
Este valor de polarizao inversa na juno do emissor muito maior do que o necessrio para manter V , cortado, como era de se supor.
A fim de se mostrar que V , est polarizado na saturao, deve-se atentar para a
parte do circuito mostrada na Fig. 9.24b. Pode-se desprezar R, em presena da resistncia d a juno do emissor, bem como a corrente em V , , porque est no corte. E m
conseqncia,
lb
+ RI
2,2
+ 42
= 460 pA
Esta corrente muito maior do que os 125 pA necessrios para manter V , na saturao. Assim, verifica-se que V , est cortado e V , saturado. Em virtude da simetria do
circuito, bvio que o outro estado estvel aquele no qual V, est saturado e V ,
Fig. 9.24 Circuitos equivalentes do binrio transistorizado, usados para mostrar que o flip-j7op
OSCILADORES
273
circuitaria adicional mais complicada, possvel obter binrios com tempos de resoluo da ordem de 0,01 ps.
A versatilidade de umflip-jlop melhorada pela variedade de entradas que podem
provocar mudana de estado. Um arranjo particularmente flexvel e popular est mostrado na Fig. 9.25 e emprega trs entradas separadas (R, S e TI1 e quatro diodos para
levar os pulsos de entrada ao transistor desejado. Suponhamos, por exemplo, que a
entrada S esteja no potencial de terra, a entrada R em + 5V e que o pulso positivo seja
aplicado ao terminal T. As bordas anterior e posterior do pulso so diferenciadas pelos
capacitores de 47 pF. A borda anterior, positiva, bloqueada por D , e D,,e desviada
r,
"
para a terra por D,; assim, nada acontece. A borda posterior, negativa, passa por D, e
corta o transistor V,. O pulso negativo no transmitido por D , por causa do potencial
positivo em R . O resultado que V , est cortado e V , conduzindo, e diz-se que o
binrio est armado.
Se as entradas R e S forem invertidas, de modo que R esteja no potencial de terra
e S em + 5V, um pulso positivo aplicado ao terminal T resultar num estado no qual
V, estar cortado e V , conduzindo. Diz-se, ento, que o binrio est desarmado, zerado ou limpo. Q b m e que um potencial positivo em S acarreta que um pulso na
entrada arma oflip-flop, e n q u g t o um potencial positivo em R faz com que o p u l ~ o ~ o
.%
eEsses pofZ3sde controle levam os pulsos de entrada em T ao transistor
correspondente e cortam-no. As transies entre os estados so comandadas, no
1.N.T.
Abreviatura das palavras inglesas reset, ser e toggle.
OSCILADORES
,-
tempo, pelo sinal em T. Por isso, tal entrada algumas vezes chamada relgio; a
configurao da Fig. 9.25 conhecida comojlip-flop RSIT.
Em muitas aplicaes, conveniente que o binrio mude de estado nos sucessivos
pulsos de entrada no terminal T. Consegue-se isto facilmente com a ligao de S
sada Q e R a sada Q na Fig. 9.25. Suponhamos, por exemplo, que V , esteja conduzindo e V , cortado; assim, S est essencialmente no potencial de terra, enquanto R em
+ 5V. De acordo com a discusso precedente, a borda posterior negativa de um pulso
positivo aplicado em T ser dirigida para V,, cortando-o, e, assim, o binrio muda de
estado. Agora, S est em + 5V e R aterrado, de modo que o pulso seguinte guiado
para V , e , o estado original, restaurado. Esta situao muito parecida com a de uma
chave mecnica inversora, e , por esta razo, T tambm denominado entrada inversora ou complementadora.
Pode-se construir um circuito binrio de bastante utilidade, denominado disparador Schmitt (em homenagem a seu inventor), suprimindo-se um acoplamento coletorbase e substituindo-o pela realimentao atravs de um resistor de emissor, como na
Fig. 9.26. Este circuito tem dois estados estveis, determinados pela amplitude da
tenso de entrada. Suponhamos que esta tenso seja zero e que V , esteja cortado, ao
passo que V, se encontra conduzindo, mas no saturado. Em virtude de V , estar cortado, a tenso quiescente de V , obtida determinando-se o ponto de operao. No
circuito da Fig. 9.26, por exemplo, a polarizao de emissor de 6,6 V.
Suponhamos agora que a tenso de entrada desta figura seja aumentada. Nada
acontecer at que a tenso na base exceda os 6,6 V, quando ento V , comea a
conduzir. A polarizao em V , reduzida e a tenso de emissor decresce; isto, por sua
vez, aumenta a corrente em V,. A ao regenerativa continua, at que V , esteja conduzindo e V ?cortado. Tal estado ser mantido enquanto a tenso de entrada for maior
que 6,6 V. A medida que a entrzda diminui, o circuito s recobrar o estado original
quando a tenso for consideravelmente menor que 6,6 V. A razo que a polarizao
Entrada
Fig. 9.27 Formas de onda no disparador Schmitt usado como circuito quadrador.
OSCILADORES
qO*
Disparo
lv
Pig. 9.28 O multivibrador rnonoestvel utiliza tanto acoplamento ca quanto cc entre os estgios.
mentao da no-inversora. Esta diferena positiva de sinal obriga a sada a ser negativa, e, novamente, o sinal de realimentao leva o amplificador a saturao. O capacitor comea, ento, a carregar-se negativamente at que o sinal da sada inversora seja
mais negativo que o da no-inversora. Assim, a diferena no sinal de entrada, negativa, acarreta uma sada positiva, e o ciclo se repete. O resultado uma onda quadrada
cuja freqncia determinada pela constante de tempo RC.
Colocando-se um diodo em paralelo com o capacitor, como na Fig. 9.29b, obtmse um monoestvel. Quando a sada saturada positivamente, o capacitor no pode se
carregar a um potencial maior que o da queda de tenso direta no diodo (digamos, 0,6
V). O circuito permanece estvel nesta condio, at que um sinal negativo aplicado a
entrada no-inversora ocasione uma sada negativa. A realimentao leva o amplificador a saturao, e o capacitor se carrega negativamente atravs de R. Como o diodo
est reversamente polarizado, a tenso no terminal inversor ultrapassa, eventualmente, o sinal de realimentao, e a diferena torna a sada novamente positiva. O
circuito permanece, ento, na saturao positiva at ser comandado negativamente por
um sinal na entrada. A durao do estado negativo determinada pela constante de
tempo RC.
A realimentao da entrada no-inversora do multivibrador biestvel, como indica
a Fig. 9.29c, mantm o circuito tanto saturado positiva como negativamente. Suponhamos que a sada seja positiva. Um pulso positivo aplicado entrada no-inversora
torna, neste caso, a sada negativa e a satura. S um pulso negativo subseqente pode
fazer o circuito retornar a condio original. Assim, o circuito possui dois estados
estveis, determinados pela polaridade do sinal de entrada.
GERADORES DE SINAIS
Formas de onda no-senoidais podem ser geradas pelos osciladores de relaxao e
pelos multivibradores. Os sinais de sada desses geradores ainda podem ser modificados atravs da utilizao de grampeadores e ceifadores a diodo para selecionar uma
Pig. 9.29 Multivibradores com amplificadores operacionais: (a) astvel, (b) monoestvel e (c)
biestvel.
T--
OSCILADORES
Bomba a diodo
Consideremos a resposta a pulsos negativos do circuito denominado bomba a diodo,
mostrado na Fig. 9.30. Em cada um desses pulsos, o diodo D , conduz e C , se carrkga
ao valor de pico do pulso de entrada. Como este polariza D , reversamente, C , no se
carrega. A carga em C , , ento,
Em cada ciclo subseqente, um incremento de tenso, dado pela Eq. (9.37), aparece
sobre C,, enquanto a tenso total permanece pequena comparada com a amplitude do
pulso de entrada. O resultado a onda em forma em escada da Fig. 9.31. Na maioria
das aplicaes, a capacitncia C , descarregada rapidamente por um circuito auxiliar,
aps um nmero finito de degraus, repetindo-se, em seguida, a escada.
Rampas
Uma tenso denominada rampa e que aumenta linearmente com o tempo largamente
utilizada para a varredura horizontal nos osciloscpios. Rampas peridicas, como as
produzidas pelos osciladores de relaxao, so chamadas ondas dente-de-serra. Outros
geradores so projetados para produzir uma nica rampa quando disparados por um
Entrada
Sada
Fig. 9.31 Forma de onda em escada produzida pela bomba a diodo quando a entrada uma onda
quadrada negativa.
sinal externo.
A Fig. 9.32 o diagrama de circuito de um gerador de rampa, denominado gerador de varredura Miller, que produz uma rampa linear cuja amplitude de pico aproximadamente igual ao potencial da fonte de alimentao cc. Na condio quiescente, o
transistor de disparo Q , est saturado e, o transistor Q , de varredura Miller, cortado,
de modo que a tenso de sada igual a V,, e o capacitor C encontra-se carregado.
Um pulso negativo na entrada cdrta Q,, permitindo que Q , opere como amplifica-
i-.
---
,--h
alnal de
-1trada
CRT
a d~odo
i^-
Controle d e
amplitdde de
disparo
Estabil~dade
de
varredura
Velocidade
da
varredura
Fig. 9.33 Diagrama em bloco e formas de onda tpicas do circuito de varredura sincronizada
utilizado em osciloscpio.
--,
Pulsos
--
Uma variedade infinita de formas de pulso pode ser gerada com a combinao de
circuitos multivibradores. Consideremos os dois monoestveis em cascata da Fig.
9.34. Um pulso de disparo negativo provoca um positivo, na sada, com durao TI. A
transio negativa deste dispara o segundo monoestvel, cuja sada um pulso quadrado de durao T,. Assim, esta associao gera um pulso d e sada de forma padroni-
4yHyF
Monoestvel U 1 Monoestvel
ul'
+T,+T,~
John Markus: "Electronic Circuits Manual," McGraw-H111Book Company, New York, 1971.
Joseph A. Walston and John R. Miller (eds.): "Transistor Circuit Design," McGraw-H111 Book
Company, New York, 1963
"The Radio Amateur's Handbook" (published annually by the American Radio Relay League, West
Hartford, Conn.).
EXERCICIOS
9.1 Deduza a Eq. (9.3) para o circuito de realimentao do oscilador d e deslocamento de fase.
Sugesto: empregue a tcnica das correntes de malha e resolva em relao corrente no ltimo
resistor, usando determinantes.
9.2 Desenhe o circuito equivalente com parmetros h do oscilador de deslocamento de fase da
Fig. 9.1 e deduza uma expresso para a razo de realimentao em termos dos parmetros h e da
impedncia de entrada Z, do circuito de realimentao.
Resp.: P = h , - [(Z, hiJ I hfe](h,, + PIRL+ 1/23
9.3 Usando os resultados do exerccio anterior, mostre que o circuito da Fig. 9.1 oscila. Os
parmetros h do 2N1414 so h , = 1260 Cl, h , = 3 x lOW4, hs = 60 e h,, = 2,7 x 10-5S. Qual a
freqncia de oscilao?
Resp.: 1,28 x 104 Hz
OSCILADORES
283
'C, ,
. a
e7\ .*.
%
-
% 5,
-5 3
kr*
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**
?-
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b-
L
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<
>?>$
'
..I
r.
\
f
r,
9.10 Desenhe a forma de onda na sada do circuito da Fig. 9.36 com o potencimetro de 50 no
centro. Repita para o potencimetro a um quarto do curso, a partir do terminal 20 V. Suponha
+20 v
Sada
Fig. 9.36
CIRCUITOS DE CONTROLE
Reguladores de tenso
Circuitos especiais so amplamente usados para estabilizar a tenso de sada dos retificadores das fontes de alimentao mais do que possvel com o circuito simples a
diodo zener, descrito no Cap. 4. Um dispositivo com essa finalidade denominado
regulador de tenso, constituindo um exemplo importante e til de medida e controle
com circuitos eletrnicos. O circuito mede a tenso de sada, compara-a com o valor
desejado e ajusta as condies de modo que a diferena entre os dois seja zero. Desta
maneira, mantido o controle sobre a tenso cc de sada em face das variaes na
carga e , tambm, na tenso ca da rede.
A sada de uma fonte de alimentao controlada adequadamente com a introduo de um,transistor de potncia em srie com o filtro retificador e a carga, como na
Fig. 10.1. E conveniente analisar este circuito como um amplificador realimentado, no
qual a tenso de referncia V a entrada e V , a sada. Como a razo de realimentao
-R,/(R, f R J , a tenso de sada controlada pelo transistor de potncia e amplificador, e , de acordo com a Eq. (8.3),
Com efeito, o regulador compara uma parte da tenso de sada com a de referncia e
ajusta o transistor de controle, a fim de manter a diferena igual a zero; portanto, V ,
constante.
O efeito estabilizador do regulador mais bem determinado analisando-se o transistor de controle separadamente do amplificador cc. As variaes na fonte de alimentao so supostas originadas num gerador ca v,, como na Fig. 10.1, resultando numa
variao v, na tenso de sada. O elemento de controle essencialmente um amplificador seguidor de emissor, e o circuito equivalente adequado encontra-se na Fig. 10.2. A
anlise comea escrevendo-se a expresso da corrente de sada. Considerando-se as
correntes no n e e desprezando-se o dreno mnimo de corrente no divisor de realimentao R ,R,,
MEDIDAS ANALGICAS
sendo a tenso de, entrada voe igual a v, menos a de realimentao amplificada -a/3vo,
como pode ser visto melhor na Fig. 10.1. Finalmente, v,, determinada aplicando-se a
lei de Kirchhoff a malha de sada,
v,, - v,
+ vi = 0
(10.3)
'
que suficientemente precisa para todos os efeitos prticos. De acordo com esta
equao, as variaes na tenso de entrada so reduzidas de um elevado fator, atravs
da ao realimentadora do regulador. Os valores tpicos para os parmetros do transis-
tor de potncia na Eq. (10.5) so h,, = 1.000 a,r, = 10.000 a,a = 50 e P = 0,3, de
modo que as variaes na tenso de entrada so reduzidas de um fator de 160 nos
terminais de sada.
E mais, a impedncia interna efetiva da fonte regulada, que o coeficiente de i, na
Eq. (10.5), muito pequena. Supondo-se 1 - a = 0,05, a resistncia interna apenas
3,l a.Significa isto que variaes na corrente de carga acarretam apenas mudanas
mnimas na tenso regulada. E bvio que este regulador simples eficaz tanto contra
variaes na tenso de entrada quanto na corrente de carga.
Note que o fator de reduo das variaes na tenso de sada e m relao a entrada
se aplica tambm as tenses de ondulao ou outras mudanas quaisquer. A ondulao
na sada , portanto, muito pequena numa fonte de alimentao regulada. Tanto o fator
de reduo quanto a resistncia interna efetiva podem ser melhorados aumentando-se
o ganho do amplificador cc, de acordo com a Eq. (10.5). Em muitas aplicaes crticas,
este ganho feito suficientemente elevado para que as variaes residuais na tenso
regulada reflitam a estabilidade do potencial de referncia.
O transistor de controle em srie deve ser capaz de dissipar o calor gerado pela
corrente de carga total, sem superaquecimento. Utilizam-se, para isso, transistores de
potncia, sendo praticvel o emprego de duas ou mais unidades idnticas em paralelo,
se for necessrio drenar a mxima corrente de carga.
Embora o regulador srie seja mais popular, possvel, tambm, a conexo do
transistor de controle e m paralelo com a carga, como no caso do regulador zener
simples, conforme indica a Fig. 10.3. A corrente atravs do transistor controlada de
modo que a queda de tenso no resistor em srie independente de variaes na
corrente de carga. Efetiva estabilizao da tenso conseguida com esse regulador
paralelo, mas o circuito perde potncia adicional no resistor em srie. Por outro lado,
o transistor de controle necessita operar apenas com parte da corrente de carga total, o
que uma vantagem considervel nas fontes de elevada corrente.
Uma fonte de alimentao regulada completa est ilustrada na Fig. 10.4. O amplificador cc um nico estgio com transistor em emissor-comum, e a tenso de referncia fornecida pelo zener de 18 V . Este diodo est colocado no circuito do emissor, em vez de situado e m srie com o sinal de realimentao; assim, um de seus
terminais pode ser aterrado. O resistor de 33 k 0 possibilita a polarizao reversa do
zener. Note que a razo de realimentao ajustvel, permitindo que a tenso de sada
seja ajustada no valor desejado, dentro dos limites ditados pelas condies de operao dos transistores. Neste circuito, a sada pode ser ajustada dentro da faixa de 40 a
50 V , mantendo boa regulao. O capacitor de 1.500 pF entre os terminais de sada
oferece uma impedncia interna efetiva muito baixa para os sinais ca.
Podem ser obtidas tenses reguladas com maior preciso, empregando-se verses
mais elaboradas deste circuito. O ganho pode ser aumentado com o uso de um amplificador cc multiestgio. Em particular, os amplificadores operacionais mostram-se con-
MEDIDAS ANALGICAS
Servos
E frequentemente til o controle de posio ou movimento mecnico em conformidade
com um sinal eltrico. Para garantir que o movimento desejado se efetue, produzida
uma tenso de realimentao, correspondente ao deslocamento, que comparada com
o sinal de entrada. Quando os dois so iguais, o movimento cessa, pois o mecanismo
respondeu ao sinal estimulador. Os sistemas realimentados, que incorporam um elo
mecnico na estrutura de realimentao, so denominados servomecanismos ou servos, termos originrios do latim e significando "escravos", em virtude do movimento
mecnico ser escravo do sinal de entrada. Os servos so largamente usados em controle, desde registradores de laboratrio a sistemas de navegao automtica.
Consideremos o sistema de servo esboado na forma de diagrama em blocos da
Fig. 10.6. O amplificador alimenta um excitador mecnico, como, por exemplo, um
motor cc. Suponhamos que este movimente um brao mecnico para a posio x e que
150 mA max
5 A max
5-15V
24 V
-\
Fig. 10.5 (a) Regulador de tenso em circuito integrado e (b) com transistor de potncia para
aumentar a capacidade de corrente.
Sinal de erro
entrada
I
onexo
mecnica
Sensor de
Sinal de realimentao
v,. kx
MEDIDAS ANALGICAS
291
a tenso de realimentao seja proporcional posio deste brao e igual a kx. Enquanto o sinal d e erro - que a diferena entre a tenso de entrada e a de realimentao - no for igual a zero, ser amplificado e continuar a comandar o motor. Quando
o sinal de realimentao se iguala ao de excitao, o erro nulo e o movimento cessa.
Assim,
de modo que
11
Superamortecido
Um instrumento de laboratrio comum, baseado nos princpios do servomecanismo, o registrador grfico, que um potencimetro cc autobalanceado, no qual a
posio de equilbrio marcada numa tira de papel ou carta mvel, produzindo um
registro contnuo da tenso de entrada. O corao do sistema (Fig. 10.8) o potencimetro R,, no qual circula uma corrente calibrada, fornecida pela bateria V,, atravs do
I
Conexo 4
mecnica
I
I
I
I
resistor varivel R,. A corrente aferida por comparao com uma bateria-padro,
como descrito no Cap. 1. Se for satisfatna uma preciso menor, V, poder ser uma
bateria de mercrio, que fornece corrente relativamente constante.
Os potencimetros em paralelo formam um circuito em ponte, que est balanceado quando, de acordo com a Eq. (1.46), R,,/R,, = Rsl/Rs,. Com esta condio, a
tenso de realimentao vf zero. Na ausncia de sinal de entrada, o contato ajustvel
(cursor) do potencimetro movido pelo servomotor at que o equilbrio seja atingido.
A pena registradora, mecanicamente acoplada ao cursor, grava a posio de balanceamento na carta. Isto significa que a posio do zero (v, = 0) pode ser localizada em
qualquer ponto da carta, ajustando-se R,.
Quando a tenso de entrada aplicada, um sinal v, - vf introduzido no amplificador. O servomotor leva o cursor para nova posio de equilbrio, onde a tenso da
ponte, desbalanceada, se iguala a de entrada, e v, - vf = 0. O deslocamento deste
contato deslizante funo linear da tenso de entrada, o que pode ser mostrado da
maneira a seguir. Usando-se a Eq. (1.54), a tenso de desequilbrio da ponte
0)
MEDIDAS ANALGICAS
293
v f = v(2-1 -
Rs/2 - mx
v mx
-R,/2 - mx Rs/2 + mx) - Rs
TRANSDUTORES
Os dispositivos que produzem sinais eltricos de acordo com as variaes em algum
efeito fsico so chamados de transdutores. Um exemplo tpico o microfone que gera
uma tenso de sinal correspondente s variaes da presso exercida pelo som num
diafragma. Outros dispositivos, como os extensmetros, operam mudando algum parmetro de circuito (p. ex., resistncia), em vez de gerarem uma tenso. Grande variedade de transdutores tem sido desenvolvida, de modo que frequentemente possvel a
gerao de um sinal de mais de uma maneira. O fator decisivo em qualquer situao
a preciso com que a sada do transdutor representa o parmetro fsico que est sendo
medido.
Transdutores mecnicos
-
O transdutor conveniente para sentir posio ou movimento mecnico o transformador diferencial da Fig. 10.9. Este dispositivo um transformador com dois secundrios
e um ncleo magntico mvel. A corrente senoidal no primrio produz uma tenso
igual em cada secundrio quando o ncleo est posicionado exatamente no meio, entre
eles. Em virtude dos enrolamentos estarem ligados em srie e em oposio, a tenso
de sada nula. O deslocamento do ncleo para a esquerda acarreta um maior fluxo
magntico enlaando o secundrio esquerdo, e a tenso de sada aumenta. Semelhantemente, um deslocamento para a direita produz sada com fase oposta, pois a tenso
do secundrio da direita excede a do esquerdo.
Atravs de projeto mecnico adequado, a tenso de sada pode ser funo linear
do deslocamento numa distncia razovel, digamos, 0,25 cm (1110 de polegada). Um
detector sensvel fase usado comumente para captar o sentido do deslocamento,
pmddnz~zshi,4d&~aaB~~m8a&
s/&t~~zssM'z74
.SW apmzs
dcawdf2&
um sentido, pode-se usar um simples voltmetro ca.
Sada
Desl
Ncleo
mvel
Secundrio-
+-Secundrio
Diafragma
Som
Presso
Um outro transdutor, sensvel a posio, mede a separao entre uma placa fixa e
uma mvel, atravs da capacitncia entre elas, cuja variao, que acompanha a mudana da separao das placas, detectada com uma ponte de capacitncia. Alternativamente, o capacitor pode fazer parte do circuito ressonante de um oscilador, fazendo
com que os deslocamentos de uma em relao a outra se reflitam como variaes em
sua freqncia. Se for necessrio detectar apenas afastamentos de uma posio de
equilbrio, a simples conexo do capacitor em srie com um resistor e uma tenso cc
suficiente, como no caso do microfone capacitivo da Fig. 10.10. As variaes na presso do som fazem o diafragma deflexionar-se, mudando, assim, a capacitncia C e
gerando uma corrente no circuito externo dada por
MEDIDAS ANALGICAS
O sinal de sada
dC
dt
v, = RV-
O transdutor de capacitncia pode ser adaptado para medir fora mecnica, como
na Fig. 10.11, na qual a posio de um brao em que a fora aplicada detectada
pela capacitncia entre este e a face (plo) de um eletrom. Qualquer fora aplicada
desloca o brao, fazendo com que a variao na capacitncia seja detectada pela
ponte, que, desbalanceada, d uma tenso de sinal para o amplificador que alimenta os
enrolamentos do eletrom. A fora magntica empurra o brao de volta a posio de
equilbrio, atuando contra a fora externa. Assim a corrente do m uma medida
direta da fora aplicada.
capacitncia
de
'Onte
+( v
Amplificador
de pot6ncia
Fig. 10.11 Transdutor de capacitncia, usado em sistema realimentado para medir fora mecnica.
,-
A
Esforo
por meio de um extensmetro resistivo, sendo comum um tipo feito com um fio metlico de 0,0254 mm de dimetro1 dobrado e ligado a uma fina proteo de papel, como
na Fig. 10.12. Este conjunto cimentado diretamente a superfcie da parte estrutural
em teste, de modo que as variaes no comprimento so detectadas pelas variaes na
resistncia do medidor. A intensidade dessas variaes pode ser determinada por
sendo u a razo de Poisson para o material do fio. De acordo com a Eq. (10.14), a
variao na resistncia devida as variaes nas dimenses'do fio, ocasionadas pelo
esforo mecnico, mais a possibilidade de variao na resistividade.
No caso de medidores de fio metlico, o terceiro termo da Eq. (10.14) desprez2. A resistncia do instrumento pode ser aproximadamente 100 R e , os
vel e K
esforos de interesse, da ordem de 10-3, de modo que a variao total da resistncia
de cerca de 0,2 R. Extensmetros de silcio tm fatores muito maiores (da ordem de
150). A razo disto que a quantidade de portadores num semicondutor sensvel a
tenses mecnicas. A condutividade, portanto, muda significativamente em resposta
deformao elstica. Em virtude desta maior sensibilidade, os extensmetros de silcio
esto se tornando cada vez mais populares.
Este tipo , no entanto, sensvel a mudanas de temperatura, por causa da caracterstica exponencial da variao da resistividade com a temperatura, prpria dos semicondutores. Na realidade, os efeitos da temperatura so tambm importantes nos
metlicos. Embora a variao na resistividade de um metal com a temperatura seja
bastante pequena, as alteraes causadas pelas tenses mecnicas tambm o so. Circuitos em ponte so universalmente usados para medir a variao na resistncia dos
extensmetros porque as pequenas variaes~podemser detectadas e , a compensao
de tem~eratura.facilmente efetuada. Com maior freauncia, usam-se dois extensmetros idnticos na ponte, como indicado na Fig. 10.13. Um est sujeito a esforo, enquanto o outro est isento deste, mas posicionado de modo que as condies ambientais sejam as mesmas que as do extensmetro detector. Assim, as mudanas de temperatura influenciam cada um deles igualmente, 5 a ponte permanece balanceada.
Para mxima sensibilidade da ponte, R , = R, = R; a sada nula e a tenso na
resistncia R , V / 2 na condio sem esforo. A resistncia do medidor torna-se, sob
deformao, R + A R, e o sinal de sada resultante, neste caso,
v,
"
.
-
-*
,.
V(R + AR) - V AR
2R+AR
2 - 4 ~ + 2 ~ ~ '
-
'N.T. Em ingls, este valor de dimetro indicado como 1 mil, que equivale a um milsimo da polegada.
MEDIDAS ANALGICAS
Amplificador
registrador
Fig. 10.13 O circuito extensmetro em ponte utiliza um segundo medidor para compensao de
temperatura.
KVAL
4 L
=--O
o que mostra que o sinal de sada uma medida direta da tenso mecnica.
10-3, este sinal da ordem de 10 mV ou menos, de modo que,
Como ALIL
normalmente, necessrio amplific-lo. A ponte pode ser excitada por um oscilador,
sendo possvel, portanto, usar amplificador ca, a fim de que sejam evitados os problemas de flutuao do amplificador cc. A deteco sncrona possibilita operao em
baixo nvel de rudo e, tambm, identificar esforos positivos e negativos.
Vibraes mecnicas em estruturas e mquinas so determinadas com transdutores denominados acelerrnetros. Um tipo de acelermetro mede as foras numa pequena massa, provocadas pelas aceleraes do objeto ao qual ele se encontra ligado. A
fora de inrcia F = ma contrabalanada pela de restaurao d a mola que suporta a
massa, e as deflexes so detectadas por meio da tenso gerada num material cristalino piezoeltrico, como os sais de rochelle ou o titanato de brio. Como j vimos no
Cap. 9, os materiais piezoeltricos geram uma tenso proporcional a tenso mecnica
no cristal. O elemento piezoeltrico , na realidade, formado por duas lminas paralelas (Fig. 10.14), de modo que, por exemplo, uma deflexo vertical da massa coloca a
lmina superior sob compresso e , a inferior, sob tenso. Os terminais de sada nas
duas faces planas so conectados em paralelo. O resultado desta construo bimorfa
o mais sensvel transdutor que se pode obter com apenas um elemento.
A faixa de frequncia til de um acelermetro vai at a frequncia de ressonncia
da associao massa-mola suporte. Um limite superior tpico 2 kHz. Pode-se obter
desempenho melhor, custa de sensibilidade, com a eliminao conjunta da massa e
da mola. Neste caso, so usadas apenas a massa e a constante de elasticidade do
elemento piezoeltrico bimorfo, sendo o limite superior dado pela ressonncia mecnica da geometria da viga engastada do prprio elemento.
A tenso de sada do acelermetro pode ser eletronicamente integrada para produzir um sinal proporcional a velocidade. Uma segunda integrao d o deslocamento.
Esses instrumentos constituem parte importante da orientao por inrcia dos sistemas
Elemento bimorfo
piezoeltrico
Mola,
de navegao dos avies. So dispostos trs acelermetros, mutuamente perpendiculares, para a medida do afastamento da aeronave de um ponto inicial conhecido.
O medidor de pM
A acidez ou alcalinidade de uma soluo determinada medindo-se a concentrao de
ons de hidrognio no lquido, com auxlio do medidor de pH.' Este instrumento
baseado no potencial desenvolvido pela soluo em relao a um eletrodo-padro, que
dado por
MEDIDAS ANALGICAS
Eletrodo
"de vidro"
Fig. 10.15 Sistema eletrdico de um medidor de pH. O potencial V medida direta da concentrao de ons de hidrognio no lquido examinado.
Em termos de tenso produzida por esta disposio-padro, o pH da soluo desconhecida, das Eqs. (10.17) e (10.18),
Fotoclulas
A energia luminosa proveniente de ondas de comprimento desde o infravermelho at o
ultravioleta detectada e medida com vrios tipos de fotoclulas. Uma fotoclula simples, porm extensivamente usada, constituda de um pequeno pedao de semicondutor provido de dois contatos eltricos. A resistncia deste pedao, entre os contatos,
depende da intensidade da energia da luz que incide sobre a superfcie. Os ftons
absorvidos produzem eltrons e buracos que atuam como portadores de corrente. A
resposta de uma fotoclula semicondutora nula para energias de ftons menores que
a largura do intervalo de energia proibida, pois, neste caso, a energia insuficiente
Comprimento d e onda, A
Fig. 10.16 Resposta espectral das fotoclulas de CdS, CdSe e CdTe. A resposta mxima
obtida para energias de ftons iguais a largura do intervalo de energia proibida.
De acordo com a Eq. (10.20), alta sensibilidade implica em resposta lenta, isto ,
obtm-se ganho elevado aumentando-se a constante de tempo T, a qual tambm deter-
MEDIDAS ANALGICAS
301
mina a velocidade da resposta a variaes sbitas na intensidade da luz. Os fotocondutores simples so largamente utilizados quando a velocidade de importncia secundria, porque so bastante sensveis. Mais frequentemente, a variao na resistncia da
fotoclula, que acompanha a iluminao incidente, medida conectando-se a fotoclula em srie com uma fonte de tenso cc e um resistor de carga. A queda no resistor
corresponde as variaes na resistncia do semicondutor, resultantes da absoro de
ftons.
0,1 P F
Sada
Uma alta sensibilidade, juntamente com rpido tempo de resposta, obtida numa
fotoclula valvular a vcuo, denominadafotomultiplicador, que consiste em um catodo
fotossensvel e alguns eletrodos adicionais denominados dinodos (Fig. 10.17). Os dinodos ficam com tenses sucessivamente mais elevadas, de modo que os eltrons emitidos pelo fotocatodo, ou pelo dinodo anterior, so atrados pelo dinodo seguinte com
energia suficiente para desalojarem eltrons da superfcie. As superfcies dos dinodos
so especialmente processadas, de forma que mais de um eltron emitido para cada
um incidente, e, assim, a quantidade vai sendo multiplicada medida que prosseguem
de dinodo em dinodo. Eles so, finalmente, coletados pelo anodo, constituindo a corrente de sada. Ganhos da ordem de 106 so conseguidos com fotomultiplicadores, de
modo que possvel detectar a emisso de apenas um nico eltron pelo fotocatodo.
Alm do mais, o tempo de resposta depende do tempo de trnsito dos eltrons, que
correspondentemente mais rpido. Com essas fotoclulas, pode-se obter resposta til
em freqncias da ordem de centenas de megahertz.
Tanto os fotocondutores quanto os fotomultiplicadores tm a desvantagem da resposta espectral no uniforme, pois as energias dos ftons devem ser suficientes para
gerar pares eltron-buraco em um caso e provocar emisso fotoeltrica no outro. Isto
significa, em particular, que a resposta radiao afastada do infravermelho, onde a
energia do fton pequena, desprezvel. O bolmetro a termistor, detector que mede
a variao de temperatura produzida pela radiao incidente, tem resposta uniforme,
embora comparativamente pequena,
em todos os comwimentos de onda. Os termistores convencionais (o nome vem d a com~osicode "resistores termicamente sensveis") so compostos de materiais semicondutores xidos e possuem rpida variao
exponencial da resistncia com a temperatura, caracterstica dos semicondutores. O
detector consiste em um termistor isolado termicamente das circunvizinhanas, de
modo que a radiao incidente aumenta a temperatura apenas no elemento sensvel.
Como este aumento funo apenas da quantidade de energia absorvida, independentemente da energia individual do fton, a resposta obtida em todos os comprimentos
de onda. Realmente, os bolmetros a termistor so usados at nas freqncias de
microondas.
A variao da resistncia deste instrumento mais frequentemente medida com
uma ponte cc, semeIhante quela do extensmetro, ilustrada na Fig. 10.13. E prtica
comum a incluso de um segundo termistor para compensar mudanas na temperatura
ambiente, ainda como no caso do extensmetro. Este elemento de compensao
usualmente montado no mesmo alojamento que o detector, mas blindado contra a
radiao incidente. Embora no seja to sensvel quanto as outras fotoclulas estudadas anteriormente, o bolmetro a termistor pode detectar uma mudana na radiao
infravermelha de um objeto, correspondente a uma variao, em sua temperatura, to
pequena quanto um grau centgrado. Alm disso, os termistores so usados frequentemente como termmetros eltricos, sendo capazes de medir diferenas de temperatura pequenas, como 1OP6OC.
Muitas fotoclulas semicondutoras, que possuem resposta rpida e boa sensibilidade, so baseadas na juno pn reversarnente polarizada. Os ftons absorvidos na
regio da juno criam eltrons e buracos, que so varridos para o lado oposto, como
na Fig. 10.18. Os portadores coletados so observados como um aumento na corrente
reversa. Como a juno pn muito estreita, o tempo de trnsito T da Eq. (10.20)
muito pequeno, podendo ser obtido um razovel valor para G, mesmo para tempos de
resposta rpidos. A estrutura da juno tem a vantagem adicional de a corrente inversa
no escuro ser muito pequena, comparada com a de um simples pedao de semicondutor com a mesma tenso aplicada. Isto significa que os portadores adicionais produzidos pela absoro de ftons podem ser detectados com maior sensibilidade. Por esta
razo, os detectores de infravermelho com InSb so universalmente do tipo juno
A
MEDIDAS ANAL6GlCAS
-.
pn. E mais, prtica comum resfri-los a fim de que seja reduzida a corrente inversa
no escuro e obtida a mxima sensibilidade.
Note que os eltrons e os buracos gerados na regio da juno so coletados
mesmo na ausncia de tenso aplicada, por causa da elevao do potencial interno na
juno, como mostra a Fig. 10.18. Isto significa que uma juno pn iluminada pode
agir como bateria, aparecendo uma tenso de circuito-aberto, igual barreira de potencial interna, entre os terminais ligados as regies tipo n e tipo p. A corrente de
curto-circuito da bateria depende da intensidade luminosa na juno. Este o princpio
da bateria solar usada como fonte de energia nos satlites espaciais. As de silcio so
mais utilizadas porque a largura do intervalo de energia proibida neste material tem
correspondncia favorvel com a distribuio espectral da energia irradiada pelo sol.
Fotoclulas similares so tambm usadas em mquinas fotogrficas de ris automtica
e em medidores de exposio.
As radiaes altamente ionizantes, do tipo raios B e raios a , so detectadas pela
junopn. Se uma partcula a atinge a juno, sua energia consumida na gerao de
eltrons e buracos que so, em seguida, coletados pelo campo naquela regio. O pulso
de corrente de sada correspondente a este evento uma medida da energia da partcula incidente. Portanto, um detector de radiao de juno no apenas assinala a
presena de radiao nuclear, como tambm mede a energia das partculas isoladamente. Deseja-se, com mais freqncia, empregar detectores que tenham juno larga,
para se ter certeza de que a partcula ser absorvida nesta regio. Alm do mais, a
juno deve estar bem prxima da superfcie do semicondutor, de modo que seja perdida pouca energia na gerao de portadores longe da juno, onde no podem ser
coletados. Estes requisitos conduziram a processos especiais de fabricao de detectores de radiao de juno, diferentes daqueles normalmente usados na produo de
transistores.
INSTRUMENTOS ANALGICOS
Osciloscpios
Vrias vezes j tocamos em circuitos e aplicaes do mais verstil instrumento: o
osciloscpio de raios catdicos. O diagrama em blocos completo de uma unidade tpica
est mostrado na Fig. 10.19 e inclui os amplificadores horizontal e vertical acoplados
Entrada,
vertical
Amplificador
vertical
Sincronismo
externo
Entrada
horizontal
Sensibilidade do
sincronismo e
velocidade de
'
Varredura
sincronizada
Amplificador
horizontal
Ganho
horizontal
305
MEDIDAS ANAL~GICAS
"
fL l f l f l f l
dt,
t3
1234
Analisadores de ondas
Sinais de forma complexa podem ser vistos como combinaes de ondas senoidais
harmonicamente relacionadas, de acordo com o mtodo de anlise de Fourier discutido no Cap. 2. Os instrumentos capazes de determinar a amplitude das componentes
de frequncia do sinal, denominados analisadores de ondas, executam a anlise experimentalmente. Como tal, eles so instrumentos de medio de freqncia.
MEDIDAS ANALGICAS
307
Gravador magntico
Um dos mais teis sistemas de gravao de sinais baseado no principio do gravador
magntico, no qual um sinal eltrico registrado sob a forma de magnetizao numa
fita magntica. Depois da gravao, a fita repassada pelo instrumento, obtendo-se
uma tenso correspondente entrada original. Isto possibilita a observao repetida
do sinal, se preciso, para anlise da forma de onda por um nmero de tcnicas diferentes to grande quanto necessrio.
A fita magntica, frequentemente sob a forma de uma camada de xido ferromagntico povilhado sobre uma fita plstica, magnetizada, de acordo com o sinal, pelo
campo magntico da cabea gravadora (Fig. 10.23~).A corrente de sinal produz um
campo numa abertura (entreferro) bem definida no ncleo da cabea gravadora, que
magnetiza permanentemente a fita medida que passa pela abertura. Um sinal de
polarizao ca de alta-freqncia tambm aplicado cabea para melhorar a linearidade do processo de gravao. Na reproduo (Fig. 10.236), a fita movimentada,
passando novamente pela cabea, e seu campo magntico induz uma tenso nos enrolamentos desta. Como a magnetizao da fita corresponde s variaes do sinal original, as tenses induzidas na cabea reproduzem a onda de entrada. A reproduo no
altera a magnetizao da fita, de modo que este processo pode ser repetido quantas
vezes se. desejar.
A ao da freqncia de polarizao ca pode ser compreendida considerando-se
as propriedades no lineares tpicas da fita magntica, conforme est ilustrado pelo
lao de histerese na Fig. 10.24. Na ausncia dessa polarizao, a magnetizao gravada no funo linear do campo gerado pelo sinal, e a reproduo fica fortemente
distorcida. A polarizao obriga a magnetizao do material a atravessar laos de histerese menores, como indicado. A medida que um elemento de fita se move para fora
do entreferro de gravao, o tamanho dos laos decrescem a zero. Assim, sem sinal, a
magnetizao resultante nula. O campo gerado pelo sinal desloca o lao menor, de
modo que a magnetizao remanente tem valor finito. Em virtude dos lados retos do
lao de histerese maior, a relao entre a magnetizao remanente e o campo do sinal
linear. A freqncia do sinal de polarizao ca da ordem de cinco vezes a do sinal
mximo e , a amplitude de pico, aproximadamente igual fora coercitiva da fita.
A freqncia mais elevada que se pode gravar depende da velocidade da fita e da
largura do entreferro na cabea gravadora-reprodutora. A tenso eficaz de reproduo
V, resultante da freqncia senoidal de gravao w,
V=MNo
sen (w1/2u)
wl/2v
Salda
Entrada
Amplificador
Amplificador
Cabea magntica
Fig. 10.23 (a) Gravao e (b) reproduo de sinais eltricos usando-se as tcnicas do gravador
magntico.
Polarizao
+ sinal
Polarizao somente
Fig. 10.24 O efeito da polarizao ca obrigar o material da fita magntica a atravessar menores
laos de histerese a medida que passa sob a cabea gravadora. A magnetizao remanente ,
neste caso, funo linear do campo gerado pelo sinal.
Como f
O significado da Eq. (10.24) que o comprimento de onda mnimo passvel de reproduo igual extenso do entreferro. Isto , a frequncia mxima depende da velocidade da fita, de acordo com a Eq. (10.23). Os resultados experimentais, mostrados
na Fig. 10.25, concordam, em geral, com a Eq. (10.22).
A diminuio do sinal reproduzido em baixas frequncias resultante da pequena
taxa de variao do fluxo para grandes comprimentos de onda na fita. Obtm-se resposta de frequncia uniforme com um amplificador reprodutor compensado, cujo ganho, que elevado em baixas frequncias, diminui nas altas. A resposta em altafrequncia depende da extenso da abertura da cabea gravadora e da velocidade d a
fita. Por meio da escolha adequada dos parmetros, podem-se registrar frequncias at
10 MHz.
Embora o maior emprego dos gravadores magnticos seja na reproduo fiel das
caractersticas de frequncia e amplitude, existem muitas outras aplicaes tambm
possveis. Por exemplo, conforme indica a Eq. (10.23), as frequncias reproduzidas
MEDIDAS ANAL~GICAS
Freqncia, Hz
Fig. 10.25 Resposta em freqncia experimental caracterstica da cabea reprodutora do gravador magntico. A queda em altas freqncias determinada pelo tamanho da abertura na cabea.
dependem d a velocidade da fita. Em conseqncia, pode-se reproduzir, em alta velocidade, uma gravao de baixa-freqncia e durao muito longa. O sinal resultante,
de alta-frequncia, pode ser analisado num espao de tempo muito menor do que o
requerido para a gravao original. Ao contrrio, uma gravao de alta-frequncia
pode ser reproduzida em baixa velocidade, com a correspondente reduo nas componentes de frequncia do sinal. Deste modo, possvel analis-lo com instrumentos que
possuam capacidade de resposta apenas em baixa-freqncia. Podem-se obter razes
de expanso ou compresso maiores que 1.000.
Eletrmetro
O eletrmetro de lmina vibrtil utiliza um capacitor vibrtil, comandado eletromagneticamente, para medir correntes eltricas de pequena intensidade. O capacitor desenvolve um sinal ca que amplificado, retificado e realimentado ao circuito de entrada. O sistema exatamente anlogo ao amplificador amarrado discutido no Cap. 7,
possuindo as vantagens da sensibilidade e estabilidade deste circuito. Frequentemente,
o capacitor vibrtil C, (Fig. 10.26) uma pequena palheta metlica vibrada eletromagneticamente por ema tenso senoidal obtida de um oscilador, o qual tambm prpduz
Oscilador
R.
- 1
Entrada
c,
I/
Amplificador
--L.
I
b<ce
Capacitor
de lmina
vibrtil
,.
Detectar
sncrono
v0
O sinal ca do capacitor vibrtil amplificado e retificado, aparecendo como uma tenso v, na sada, sobre o resistor de realimentao Rf Esta tenso tambm acarreta uma
carga em C,,
O ganho envolve a variao efetiva na capacitncia da palheta, dada pela Eq. (10.25),
juntamente com o ganho do amplificador e a eficincia do retificador. Substituindo-se
Q,, dado pela Eq. (10.29), na Eq. (10.28) e resolvendo-se em relao a tenso de sada,
tem-se para resultado
31 1
nhecida de grande valor. Podem ser detectadas correntes da ordem de 10-"A, umas
poucas centenas de eltrons por segundo.
O resistor de entrada R, existe para isolar o instrumento da capacitncia da fonte.
Isto necessrio porque qualquer capacitncia fixa, em paralelo com C,, efetivamente
reduz o sinal ca produzido pela lmina, uma vez que a variao lquida na capacitncia
fica reduzida. A constante de tempo R,C, feita maior do que o perodo de oscilao
da lmina, para que seja conseguido este isolamento. Observe tambm que a tenso de
realimentao essencialmente igual a de entrada, e, portanto, o terminal de proteo
(Fig. 10.26) pode ser usado para reduo das correntes de fuga, indesejveis, entre o
terminal superior de entrada e os outros pontos do circuito. Quando tais pontos so
conectados ao terminal de proteo, a diferena de potencial torna-se desprezvel, eliminando as correntes parasitrias de fuga.
Rudo trmico
Quando estgios amplificadores so conectados em cascata, aparece nos terminais
de sada uma tenso de rudo aleatria, mesmo sem sinal de entrada, que causada por
uma tenso, tambm aleatria, gerada no resistor de entrada. Esse rudo que aparece
nos terminais de qualquer resistor atribudo ao movimento errante dos eltrons livres
no material da resistncia. Os eltrons de um condutor esto livres para vagar erraticamente em virtude da energia trmica que possuem, e, num dado instante, podem
estar se dirigindo mais eltrons para um terminal do resistor do que para o outro. O
resultado uma pequena diferena de potencial instantnea entre os terminais. A intensidade do potencial flutua rapidamente, medida que a quantidade de eltrons
numa determinada direo varia de instante a instante.
Como a tenso de mdo no resistor flutua aleatoriamenfe, possui componentes,
segundo Fourier, cobrindo uma vasta gama de freqncias. E conveniente, portanto,
especific-la em termos de valor mdio quadrtico por unidade de banda passante.
Para um resistor R , esta quantidade
Rudo de corrente
Existem tenses de rudo, alm do trmico, observadas experimentalmente em certas
resistncias, quando por elas circula corrente. Embora as origens fsicas ainda no
estejam explicadas, muitos experimentos mostraram que este rudo maior em baixas
freqncias e que aumenta com o quadrado da corrente. Uma expresso emprica para
este efeito
onde K uma constante que envolve a geometria do resistor, o tipo de material resistivo e outros fatores, I a corrente cc e f a freqncia. De acordo com a Eq. (10.32), o
valor mdio quadrtico da tenso de rudo por unidade de banda passante depende
inversamente da frequncia, e, por isso, o fenmeno denominado rudo IE. Como ele
depende tambm deI, chamado, ainda, derudo de corrente.
A sua intensidade varia acentuadamente com o material e com a forma fsica
do condutor. Encontra-se ausente por completo dos materiais inteirios, de modo que
apenas o rudo trmico observado nos resistores de fio. Os de composio, por outro
lado, geram um elevado nvel de rudo llf (Fig. 10.27), que est associado com os
contatos intergranulares. Embora os contatos sejam reconhecidamente importantes,
este rudo tambm observado nos semicondutores de um nico cristal, nos quais os
efeitos dos contatos so desprezveis.
Para minimizar o nvel de rudo em baixa-freqncia, escolhem-se resistores nos
quais o rudo llf seja pequeno, COTO os de fio. Felizmente, nas altas frequncias, onde
eles so inadequados em virtude de suas indutncias, o rudo de corrente nos resistores de composio usualmente desprezvel, comparado ao trmico. Em outras situaes, a corrente contnua nos componentes ruidosos minimizada, a fim de reduzir o
rudo gerado por ela. O rudo de corrente total em qualquer circuito determinado
MEDIDAS ANALGICAS
I 0-141
1
10
1 O0
1 .O00
10.000
Freqncia, Hz
Fig. 10.27 Tenso de rudo experimental do resistor de composio de 2,2 M a. Note que o
espectro llf, quando existe corrente cc, e rudo branco de Nyquist, quando no h corrente.
Rudo em transistores
Existem outros rudos, tambm, nos transistores. O rudo shot resultante da emisso aleatria de eltrons atravs de uma juno pn. Como cada eltron representa um
incremento de corrente, a corrente de coletor flutua ligeiramente em torno do valor cc.
Este efeito se assemelha ao rudo de pingos de chuva sobre um telhado de zinco. O
motivo fundamental desse rudo que o eltron uma unidade discreta de carga eltrica.
As flutuaes de corrente devidas ao rudo shot so
A quantidade (Ai2) anloga (Av2) na expresso do rudo trmico dada pela Eq.
(10.31), exceto que, aqui, ele vem expresso em termos de flutuaes de corrente. Note
que este tambm um rudo branco, pois o lado direito na Eq. (10.33) independente
da freqncia.
As tenses de rudo so representadas por geradores de rudo nos circuitos equivalentes. O efeito da faixa de passagem do amplificador, que pode ser determinada
pela capacitncia parasita de desvio ou por circuitos sintonizados, includo na obteno das amplitudes dessas tenses. O rudo resultante de cada gerador pode ser tratado separadamente, uma vez que so independentes. O rudo total na sada , portanto, simplesmente a soma de todos os efeitos.
O sinal de entrada de qualquer circuito tem, associado a si, uma dada relao
sinal/mdo, pois ao menos o rudo trmico correspondente a resistncia da fonte est
presente. Um amplificador ideal eleva igualmente os nveis, tanto do sinal como do
Freqncia
Fig. 10.28 Nvel de rudo interno experimental de um transistor tipo 2N929, com resistncia de
fonte de 10.000 R.
r,
Rs
2Rs
N F = 1 + - + +
(R,
+ rb.+ r,)'
2hfereRs
,.
MEDIDAS ANALGICAS
315
4
1
,-
-parasitrias
Capacitncias
7-
r-
Fig. 10.29 (a) O acoplamento pelas capacitncias parasitrias introduz captao de rudo nos
circuitos sensveis.(b) O condutor aterrado blinda o circuito contra os efeitos circunvizinhos.
Blindagem e aterramento
O rudo frequentemente introduzido nos circuitos prticos pelos sinais estranhos
circunvizinhos acoplados a estes circuitos. As fontes mais comuns desses rudos so
os campos eltricos e magnticos produzidos pela rede eltrica. O sinal de 60 Hz
induzido por esses campos denominado zumbido, por ser audvel como um tom de
baixa-frequncia nos amplificadores conectados a alto-falantes. Outras captaes espreas podem surgir devido aos campos eltricos gerados por equipamentos eletrnicos, motores eltricos, descargas de lmpadas etc., nas proximidades.
blindar
E
conveniente
-- .partes do circuito onde o nvel-de sinal seja pequeno e,
-- as
--- consequentemente, mais--problemtico o'rudo. Os campos eltrico; induzem as tenses de rudo capacitivamente, de modo que apenas necessrio envolver o circuito
com uma blindagem condutora aterrada, a fim de reduzir as captaes. Isto est ilustrado esquematicamente na Fig. 10.29, sendo que, na Fig. 10.29b, o acoplamento capacitivo para as fontes externas, existente na Fig. 10.29a, est interrompido pela interposio de um condutor aterrado. Essa blindagem eficiente tambm na reduo da
diafonia entre' diferentes estgios de um mesmo circuito, como, por exemplo, entre a
entrada e o estgio de potncia na sada de um amplificador completo.
Alm de tudo, conveniente blindar o circuito para minimizar as correntes induzidas pelos campos magnticos espreos, o que conseguido com invlucros ferroL
magnticos de alta permeabilidade, que reduzem a intensidade do campo em seu interior. Essa blindagem nunca perfeita por causa das propriedades de tais materiais. E
sempre vantajosa a minimizao da rea do circuito com o uso de ligaes as mais
curtas possvel, pois a tenso induzida pelos campos magnticos variveis diminui se a
rea fechada do circuito for reduzida. Os transformadores so particularmente susceptveis de problemas de captao indutiva devido as inmeras espiras. Devem ser mantidos bem afastados dos transformadores de fora por causa dos fortes campos gerados
por estes.
Em geral, boa prtica manter todos os circuitos fisicamente concentrados, a fim
de que sejam minimizadas a captao esprea, a diafonia e a capacitncia parasita.
Todos os componentes aterrados - como os capacitores de desvio - pertencentes a
um determinado estgio devem ser retornados a um nico ponto. Isto reduz os laos
de terra, que so caminhos de corrente atravs da armao metlica na qual os circuitos eletrnicos so frequentemente montados. Se todos os componentes de um estgio
no estiverem aterrados no mesmo ponto, as correntes podero provocar acoplamento
indesejvel de sinal entre os estgios.
Quando unidades eletrnicas distintas so conectadas entre si, usa-se cabo blindado para todas as ligaes entre elas. A blindagem utilizada como ligao de terra,
conforme est ilustrado na Fig. 10.30. E importante que todo o sistema seja aterrado
num nico ponto, usualmente o terminal de entrada. Se cada unidade for aterrada
separadamente, como indicam as linhas tracgadas da Fig. 10.30, podero ser induzidas intensas correntes de 60 Hz, em virtude da grande rea circundada. A corrente
induzida no lao A pelos campos magnticos espreos de 60 Hz introduz um grande
sinal parasita no amplificador.
-0
Entrada
-----
!!
r----.
! !
---
*-
Sada
Fig. 10.30 Quando diversos dispositivos eletrnicos so interligados, o sistema deve ser aterrado
num nico ponto, de preferncia na entrada. Aterramentos mltiplos podem levar a grandes correntes de lao de terra.
LINHAS DE TRANSMISSAO
Em geral, os componentes de um sistema de medida apresentam-se fisicamente separados uns dos outros. Por exemplo, vrios instrumentos eletrnicos distintos podem
ser conectados em cascata para a tomada de uma medida. O sinal deve, ento, ser
transportado da sada de uma unidade para a entrada d a seguinte. Isto feito
conectando-se os diversos circuitos por meio de linhas de transmisso. No caso mais
MEDIDAS ANALGICAS
317
simples, apenas dois fios constituem a linha, como foi implicitamente suposto nos captulos anteriores. Uma linha de transmisso deve, contudo, transmitir fielmente o sinal
entre os instrumentos com um mnimo de distoro na amplitude ou na forma de onda;
caso contrrio, a sada final do sistema pode estar errada.
Em sistemas cc e de baixa-freqncia, basta considerar a resistividade dos condutores na linha de transmisso, bem como, talvez, a resistncia paralela entre eles.
Estes efeitos podem ser examinados atravs de uma anlise de circuito correta, como
no Cap. 1 . Mesmo um pedao reto de fio tem, associado a si, uma pequena indutncia;
tambm existe uma pequena capacitncia entre os dois condutores. Em frequncias
elevadas, as reatncias dessas inevitveis indutncias e capacitncias tornam-se significativas e influenciam a propagao do sinal ao longo da linha. Isto particularmente
importante em circuitos de pulsos, devido s altas freqncias associadas s formas
destes. Em muitos circuitos prticos nessas freqncias, linhas de transmisso de apenas poucos centmetros de comprimento introduzem distores indesejveis na forma
de onda, se usadas inadequadamente.
Fig. 10.31 Representao de uma linha de transmisso em termos de impedncias por comprimento incremental, em srie e em paralelo.
Impedncia caracterstica
E til a representao das impedncias incrementais de uma curta seo de linha de
transmisso por uma resistncia r, e uma indutncia 1 por unidade d e comprimento em
srie, juntamente com uma resistncia r, e uma capacitncia c por unidade de comprimento em paralelo, como na Fig. 10.31. Assim, as impedncias complexas srie e
paralela de uma pequena seo Ax d a linha so
z, Ax = (r,
+ jwl) Ax
= Ae-iX
+ BeYX
(10.45)
como pode-se verificar substituindo-se as.Eqs. (10.45) e (10.46) na d a linha de transmisso [Eq. (10.43)l.
Como, parai, a equao diferencial (10.44) , em forma, idntica da tenso [Eq.
(10.43)], a soluo tambm tem a mesma forma. Podem-se calcular as constantes arbi-
onde
Z c = G
a denominada irnpedncia caracterstica da linha. As Eqs. (10.45) e (10.47) do a
variao da tenso e d a corrente com a distncia ao longo da linha. Adiaremos o
exame de seus significados para considerarmos o d a impedncia caracterstica.
Suponhamos uma linha de transmisso com d metros de comprimento terminada
em sua impedncia caracterstica, como na Fig. 10.32. Usando-se as Eqs. (10.45) e
(10.47), a tenso de sada v, pode ser escrita
onde D a separao entre os fios e a o raio de cada condutor. Uma linha comumente
usada na ligao entre as antenas e os receptores de televiso tem D/a = 10, de modo
que Z, = 276 R. Na realidade, essa ''linha geminada" tem impedncia mais prxima de
300 R. A diferena atribuda constante dieltrica do material isolante que separa os
condutores. A Eq. (10.53) aplica-se ao caso da linha aberta (o dieltrico o ar, cuja
constante unitria).
As linhas coaxiais so tambm comumente empregadas, possuindo impedncias
caractersticas dadas por
onde b o raio do condutor externo e a do central. Um valor comum para a impedncia caracterstica do cabo coaxial 72 R, embora outros valores sejam tambm comercialmente disponveis.
Tempo de retardo
De acordo com a Eq. (10.50), a tenso ao longo de uma linha de transmisso terminada
em sua impedncia caracterstica dada por
MEDIDAS ANAL~GICAS
v=
321
(10.56)
--
- - d= - =d- T d
td v
nf
Reflexes e ressonncia
No h necessidade de uma linha de transmisso terminar numa impedncia igual
sua impedncia caracterstica. Como ilustrao til, consideremos o caso em que a
extremidade de sada est curto-circuitada, de modo que v, = O. Assim, em x = d,
sendo d o comprimento da linha,
Comparando as Eqs. (10.62) e (10.63) com a (10.50), podemos interpretar o segundo termo das duas primeiras como uma onda que se propaga do terminal de recepo para o de entrada, isto , a onda incidente refletida na sada da linha por causa
da terminao inadequada na extremidade de recepo. As reflexes devem ser evitadas, sobretudo no caso de pulsos, pois estes, quando refletidos repetidamente entre
entrada e sada, mascaram completamente o verdadeiro sinal. Este o segundo maior
motivo pelo qual a linha normalmente terminada em sua impedncia caracterstica.
Uma linha de transmisso curto-circuitada possui, contudo, propriedades teis,
como pode ser ilustrado determinando-se a impedncia de entrada. Usando-se as Eqs.
(10.62) e (10.63), a impedncia complexa de entrada
'
MEDIDAS ANAL~GICAS
- e-jpd
z i =Vi- -
323
(10.64)
= jZc
d
tan pd = jZc tan 27t -
(10.65)
Guias de onda
Em frequncias muito altas, em que o comprimento de onda do sinal da mesma
ordem de grandeza do espaamento entre os condutores, as linhas de transmisso paralelas e coaxiais no so eficientes. Por isso so usados, para a transmisso de sinais
nessas freqncias, condutores ocos denominados guias de onda. A anlise das propriedades dos guias pode ser efetuada atentando-se para os campos eletromagnticos
existentes em seu interior, e no para as correntes no condutor em si. Efetivamente, o
sinal transmitido pelas ondas dos campos eletromagnticos, sendo a funo do condutor oco gui-las do terminal de transmisso para o de recepo.
Consegue-se avaliar a configurao do campo eltrico num guia circular
considerando-se a situao do cabo coaxial em que o condutor central diminudo at
desaparecer, como na Fig. 10.34. Quando o condutor central grosso, o campo entre
os condutores essencialmente radial (Fig. 10.34~)e existe corrente em ambos. Um
condutor central fino acarreta uma configurao de campo eltrico que se origina e
termina no mesmo condutor (Fig. 10.34b). Isto sugere que o fio central pode ser totalmente eliminado; a configurao resultante est mostrada na Fig. 10.34~.Uma razo
para o aumento da eficincia do guia em relao a da linha de dois condutores o fato
de serem eliminadas as perdas na resistncia do fio central.
Os guias de onda de seo retangular so mais comumente empregados do que os
circulares, pois as configuraes de campo eltrico so um pouco menos complicadas.
Isto significa que as terminaes da entrada e da sada so mais simples. Em ambos os
tipos, a configurao de campo eltrico tal que apenas sinais de freqncia superior a
uma certa freqncia de corte podem propagar-se; isto , o guia se comporta como um
filtro passa-altas. Por exemplo, o maior comprimento de onda que pode ser transmitido atravs de um guia retangular, cuja maior dimenso da seo reta seja a , dado
por X, = 2a. Conseguem-se perdas mnimas se as dimenses da seo reta forem exatamente as necessrias para deixar passar a menor freqncia de interesse. Por este
motivo, o tamanho do guia uma boa indicao da freqncia para a qual foi projetado.
Se o lado de recepo for curto-circuitado, observar-se- um efeito ressonante
idntico, em princpio, ao da linha de transmisso em curto. Com maior freqncia,
ambas as extremidades do guia de onda so fechadas, produzindo-se uma cavidade
ressonante til como circuito ressonante nas freqncias de microondas.
Fig. 10.34 Configuraes de campo eltrico nos cabos coaxiais (a e b) e no guia de onda circular
(c).
adelphia. 1972.
Franklin Offner: '.Electronics for Biologists," McGraw-Hill Book Company. New York, 1967.
A. van der Ziel: " Noise." Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J.. 1954.
325
10.3 Determine a vanao percentual na tenso de sada do regulador de tenso da Fig. 10.35, de
vazio para com corrente, a plena carga, de 10 A. Repita para uma variao na tenso de entrada
de 40 para 50 V, com a corrente de carga de 5 A. Calcule a faixa de tenses de entrada na qual o
regulador eficaz. Tome os parmetros de pequenos sinais do 2N1613 como sendo os mesmos do
2N1415 da Fig. 7.12 e o valor de P do 2N1479 como 50. As caractersticas do 2N1489 so similares s do 2N2016 da Fig. 7.13.
Resp.: 0,46%, 0,35%,18 a36 V
Sada
25 V
10 A
Entrada
50 V
10.4 Dado que um termistor tpico tem 6 por cento de variao na resistncia por grau centgrado
temperatura ambiente, qual a menor vanao de temperatura detectvel por um termistor de
1.000 R, se o fator de limitao o rudo trmico em sua resistncia? Suponha que sejam aplicados 10 V ao termistor e que a banda passante seja de 10 Hz.
Resp.: 2,2 x 10-s O C
10.5 Qual a menor velocidade de fita necessria, se um gravador magntico usado para gravao de sinais at 1 MHz? Suponha que o entreferro de gravao tenha a extenso de 1 pm.
Resp.: 1 m/s
10.6 Suponha que um amplificador com faixa de passagem de 10 Hz a 100 kHz e ganho de 105
emprega um resistor de entrada de 1 MR. Qual a tenso eficaz de rudo na sada?
Resp.: 4,l V
10.7 Repita o exerccio anterior no caso de o resistor de entrada ser o de carvo da Fig. 10.27 e
existir a corrente contnua indicada.
Resp. 7,3 V
10.8 Qual a menor tenso de sinal de entrada detectvel no amplificador conversor da Fig.
7.32, supondo-se que o rudo de converso seja desprezvel?
Resp.: 1,6 x 10-7 V
uma linha de 10 m de
tais, que nela o com-
."
/C
se a extremidade de sada
paralela com aquela correspondente
Resp.:
-jZ,cot
(2rdlh);h/2
--
Dgitos numricos podem ser representados por sinais eltricos que possuam somente
dois valores possveis, digamos zero e algum valorfinito. Neste caso, apenas a existncia de um ou outro estado do sinal significativa, no tendo relativamente importncia a amplitude real. Portanto, os circuitos digitais necessitam ter apenas duas
condies estveis, representadas por um transistor em conduo plena ou cortado.
Esses circuitos so inerentemente mais confiaveis que os circuitos analgicos convencionais, que devem operar numa faixa contnua de nveis de sinal. Qualquer nmero
pode ser representado por um sinal digital, e a preciso no limitada pela estabilidade dos parmetros do circuito. Os sinais digitais so manipulados pelos circuitos de
acordo com proposies lgicas especijricas, que tornam possvel um processamento
de informao poderoso e muitssimo flexvel.
LGICA DIGITAL
Nmeros binrios
Sinais de tenso so utilizados para representar os dgitos dos nmeros, a fim de que
operaes lgicas matemticas, tais como a adio e a subtrao, possam ser efetuadas
pelos circuitos eletrnicos. As vantagens da estabilidade dos circuitos digitais so obtidas com maior facilidade se os sinais tiverem somente duas amplitudes, denominadas
estado O e estado 1, ou no operado e operado. Isto acontece porque um transistor,
por exemplo, necessita ento apenas estar completamente cortado ou conduzindo.
Como esto disponveis apenas dois dgitos, o sistema numrico usado o binrio, e
no o decimal, mais familiar, baseado no uso de 10 algarismos. E natural que seja
surpreendente o fato de o sistema que possumos, baseado na quantidade de dedos das
mos, no ser o mais eficiente para os circuitos eletrnicos. Embora o sistema binrio
seja menos familiar, no h diferena, em princpio, entre os dois.
Consideremos, por exemplo, o significado do nmero decimal 528. Este conjunto
de dgitos uma notao taquigrfica posicional para as potncias crescentes de 10 do
nmero. Assim,
isto , ele representa a mesma quantidade que o decimal 22. A Tabela 11.1 mostra a
equivalncia entre os nmeros binrios e decimais de O a 16.
As manipulaes aritmticas com nmeros binrios envolvem a lgica matemtica, bastante familiar, dos decimais. As operaes de adio e subtrao compreendem dgitos que so transportados e emprestados de modo anlogo. E conveniente
formular a lgica matemtica contida na soma de dois binrios A e B por intermdio da
tabela-verdade (Tabela 11.2) que explica todas as combinaes possveis de A e B.
Transporta-se um dgito, como na quarta entrada na Tabela 11.2, deslocando-o para a
posio seguinte mais alta, isto , para a esquerda. Por exemplo, a soma de 0110 e
0101 efetuada assim:
ELETRNICA DIGITAL
?
'
Nmero
decimal
Nmero
binrio
0000
1
2
3
4
0001
0010
0011
o100
5
6
7
8
9
0101
0110
o111
1000
1001
10
11
12
13
14
1010
1011
1100
1101
1110
15
16
1111
10000
Soma
Transporte
-Portas lgicas
As vrias operaes executadas nos sinais digitais so obtidas por meio de circuitos
denominados portas lgicas, que possuem duas ou mais entradas e uma sada. A
forma de onda na sada depende das formas de onda de entrada e da caracterstica
entrada-sada do circuito descrita em termos de lgica matemtica.
Consideremos a formulao lgica "se A existe e B existe, ento T existe", que
escrita simbolicamente como
Fig. 11.1 Formas de onda dos nmeros binrios 1011 e 001 1 e de sua soma, 1 110.
Tabela 11.3
Tabela-verdade
para E
A
ELETRNICA DIGITAL
onde o smbolo + indica o conceito OU. A tabela-verdade correspondente a Tabela11.4; ela mostra que obtida uma sada sempre que existir qualquer entrada.
Uma porta OU com diodo e seu smbolo de circuito esto mostrados na Fig. 1 1 . 3 ~
e b , respectivamente. Note que um sinal positivo em qualquer entrada polariza o diodo
correspondente no sentido direto, e aparece na sada. Ao mesmo tempo, os outros
diodos esto polarizados inversamente, de modo que os sinais que retornam para as
outras entradas so desprezveis. Efetivamente, a porta OU um simples circuito
misturador que leva diversos sinais de entrada a uma sada comum com o mnimo de
interao entre as fontes de sinal.
Em lgica binria, a operao NO inverte a polaridade de um sinal de entrada,
como est indicado esquematicamente na Fig. 11.4. Como o sinal digital possui apenas
Tabela 11.4
Tabela-verdade
para OU
A
--
ELETR(~NICADIGITAL
Tabela 11.5
Tabela-vecdade
para N A 0
A.B
Fig. 11.6 ( a ) A simples porta NOU realiza a operao combinada NO-OU; (b) smbolo de
circuito.
ELETRONICA BSICA
Fig. 11.8 combinao de unia porta E com uma NOU para produzir o circuito de anticoincidncia.
que pode ser implementada pelo conjunto de portas lgicas da Fig. 11.9. Mais uma vez
conveniente o exame da tabela-verdade (Tabela 11.7), construda com a ajuda das
Tabelas 11.3, 11.4 e 11.5. De acordo com sua ltima coluna, h sada no circuito
OU-exclusivo somente quandoA ou B est presente, mas no ambos, como esperado.
lgebra booleana
A anlise das estruturas lgicas grandemente auxiliada pela lgebra desenvolvida no
ltimo sculo por George Boole, matemtico ingls. Os teoremas da lgebra booleana
Tabela 11.7 Tabela-verdadepara O U-exclusivo
/-
A*B+B~A
R
335
ELETRONICA DIGITAL
Funo E
Funo N AO
Comutatividade
Associatividade
Distributividade
ent
~
Absoro
nte
Teoremas de
De Morgan
A+B
1
1
1
1
(A)
A.B
1
1
1
0
'1
o
o
o
o
rema 19. A dualidade bsica da lgebra booleana expressa por esses teoremas, podendo tambm ser observada em pares de outras expresses na Tabela 11.8. Compare,
por exemplo, os dois teoremas da associatividade e, tambm, o Teorema 1 com o 6 .
Em cada um dos casos, as funes O U e E esto relacionadas pela dualidade.
Um exemplo elementar do uso da lgebra de Boole na simplificao dos circuitos
lgicos dado pela Fig. 1 1 . 0 , e v-se que contm trs portas NOU. As sadas das
duas portas de entrada so A e B, respectivamente, de modo que a sada do circuito
total pode ser escrita e seguidamente simplificada por meio do teorema de De Morgan
(o de nmero 18)
O Teorema 9 foi tambm usado na deduo da Eq. ( 1 1.5). De acordo com este resultado, a combinao de trs NOU pode ser simplificada para apenas um E.
Um segundo exemplo de minimizao o circuito OU-exclusivo ilustrado na Fig.
11.9 e repetido na Fig. 1 1 .l l u . Observe que a lgica da sada pode ser escrita sob a
forma
tendo sido usados os Teoremas 9 e 18. A ltima formulao lgica pode ser obtidazom
asubstituio da porta OU de sada por uma NE, se as entradas forem ( A . B) e
(B . A). Estas funes so facilmente produzidas se dois NE substiturem os dois E . O
resultado o circuito da Fig. 11.1 l b , que pode ser ainda simplificado para o d a Fig.
1 1 . I l c , se for notado que um NE substitui os dois inversores. Isto provado
determinando-se a sada da porta NE superior,
Teoremas 8 e 18
Teorema 6
-
Uma anlise semelhante mostra que a sada da porta inferior NE (B . A). Em conseqncia, o circuito da Fig. 1 1 . 1 1 ~ exatamente equivalente, em lgica, ao OUexclusivo da Fig. 1 1 .l l u .
Os resultados dos dois pargrafos anteriores ilustram uma importante caracterstica dos circuitos booleanos. E que qualquer funo lgica pode ser realizada apenas
Fig.
ELETRONICA DIGITAL
com portas NOU ou somente com NE. Embora possa parecer desperdcio o emprego
de trs NOU para obteno da Igica E, como na Fig. 11.10, da maior convenincia
poder agrupar estruturas grandes, de centenas de portas do mesmo tipo. Isto simplifica
enormemente o projeto, a produo e a manuteno. Alm do mais, resulta em que,
como discutido numa seo posterior, as caractersticas de operao das portas NE e
NOU de um projeto especfico so mais favorveis que as de outros tipos. Conseguese, portanto, considervel vantagem empregando-se somente a forma mais favorvel.
Escolher qual utilizar apenas uma questo de convenincia, sendo que as formulaes lgicas podem ser convertidas de uma forma para outra por meio dos teoremas da
lgebra booleana da Tabela 11.8.
CIRCUITOS LGICOS
Sinais lgicos
Nas sees anteriores foi suposto que as formas de onda dos sinais correspondentes ao
estado 1 esto num pequeno potencial positivo, enquanto o estado O representado
pelo potencial de terra. Isto mantido na prtica, onde a tenso do bit 1 aproximadamente + 5 V e , a do bit 0, quase OV. Esta escolha completamente arbitrria,
naturalmente, pois a lgebra booleana no depende da escolha especfica dos sinais
usados, mas apenas da presena de dois estados distintos.
E interessante notar o efeito da inverso da designao dos nveis lgicos nos
circuitos reais, isto , suponhamos que o estado 1 seja representado por OV, e, o
estado 0, por + 5V. Estaremos ento operando com lgica negativa, porque o estado
1 mais negativo que o O. Consideremos a ao da porta E com diodos da Fig. 11.21
em lgica negativa. Os diodos esto polarizados no sentido direto, de modo que a
sada ser 1 quando qualquer uma das entradas estiver no potencial de terra ou estado
1. A sada ser positiva (estado 0) somente quando todas as entradas estiverem no
estado O (positivo). A tabela-verdade para esta lgica est na Tabela 11.10 para o caso
A, B
. B
+B
-A
A .B
Isto ilustra como a combinao de lgica positiva com negativa pode ser analisada por
meio dos teoremas bsicos da lgebra de Boole.
Tabela 11.10
Tabela-verdade
para a porta E
de lgica negativa
A
J-I-
Fonte
( a ) Seauencial
( b ) Paralela
ELETRNICA DIGITAL
339
H dois modos fundamentalmente diferentes de transmisso de sinais que representam os diversos bits de um nmero binrio completo. O primeiro, j encontrado em
conexo com a Fig. 1 1 . l , emprega um sequenciamento no tempo dos pulsos correspondentes s potncias crescentes de 2 do nmero. Esta a chamada representao
sequencial e aparece esquematicamente na Fig. 11.12~~.
O mtodo alternativo, igualmente possvel, ilustrado na Fig. 1 1.12b, a representao paralela. Na transmisso
por este mtodo, os pulsos representativos das potncias crescentes de 2 do nmero
aparecem, todos, simultaneamente.
Tanto a representao sequencial como a paralela so comumente usadas na
mesma circuitaria digital, como ser visto nas sees subseqentes. Naturalmente, a
transmisso sequencial tem algumas vantagens, pois necessita de apenas um caminho
de sinal, enquanto necessrio um para cada bit no caso da paralela. Por outro lado,
com esta ltima representao, preciso um intervalo de tempo de apenas um bit para
a transmisso de todo o nmero, ao passo que, na sequencial, o intervalo de tempo,
que depende da quantidade de dgitos do nmero, muito maior. O mtodo selecionado em qualquer instante depende de qual deles seja mais vantajoso.
-5
lgicas idnticas que podem ser conectadas a sada sem comprometer seriamente o
funcionamento do circuito. Naturalmente, um elevado feixe-de-sada vantajoso, pois
pode-se ter estruturas lgicas complexas. Portas RTL possuem, caracteristicamente,
feixes-de-sada d e 5, aproximadamente, mas conseguem-se outros melhores, bem
como operao um pouco mais rpida, desviando-se os resistores de soma por meio de
capacitores, semelhantemente aos capacitores de acelerao no binrio. Esta nova
configurao denominada RCTL: lgica resistor-capacitor-transistor.
A combinao de um E a diodo com um inversor, como na Fig. 11.13, produz
uma porta NE muito til. Os diodos D,, D , e D , realizam a funo lgica e o transistor
inverte e amplifica o sinal. Este circuito capaz de operar em velocidades maiores que
as da porta RTL e tem interao entrada-sada ainda mais reduzida, em virtude do
diodo de acoplamentc D , (que, entretanto, pode ser omitido com alguma degradao
no desempenho). Portas DTL (lgica diodo-transistor) podem ter feixes-de-sada da
ordem de 10. Embora nesta lgica seja possvel o emprego de porta NOU, normalmente se utiliza apenas NE.
Todas as portas lgicas seguintes so disponveis em circuitos integrados, mas,
bvio, componentes discretos podem tambm ser usados. A versatilidade de fabricao de C1 permite a lgica transistor-transistor (TTL), na qual um transistor de emissor mltiplo o elemento lgico (Fig. 11.14). O funcionamento do circuito pode ser
encarado como o de uma porta DTL com os anodos dos diodos em comum. Quando
qualquer um dos emissores est no potencial de terra (estado O), o coletor est essencialmente aterrado e, o transistor de sada, cortado, uma vez que no flui corrente na
sua juno base-emissor. Com este transistor cortado, a sada est no estado 1. Se
todos os trs emissores estiverem neste estado, os dois transistores conduziro e a
sada ir para 0. Isto logicamente equivalente a uma porta NE.
A lgica TTL possui feixes-de-sada da ordem de 15, no sendo incomuns oito ou
mais emissores de entrada. Alm disso, a velocidade de operao maior que nos
outros tipos de porta e as propriedades de imunidade ao rudo so melhores. A velocidade lgica usualmente estabelecida em termos de retardo de propagao da porta,
isto , o tempo entre a introduo de uma mudana de estado na entrada e a obteno
da mudana na sada. Este retardo de cerca de 10 x 10-9s = 10 ns (nanossegundos)
nas portas TTL, em comparao com valores de 50 ns nas portas DTL e RTL.
A imunidade ao rudo um parmetro importante, que especifica quo bem uma
porta permanece num determinado estado, em face de sinais esprios devidos, por
exemplo, a variaes na fonte de alimentao etc. Esta imunidade a diferena entre o
+
Fig. 11.14 Porta NE TTL em circuito integrado.
<-
ELETRONICA DIGITAL
Retardo de propagao
nslporta
DL
FET
DTL
TTL
ECL
500
200
50
1O
1
Dissipao de potncia
mWlporta
Circuitos de porta usando F E T so particularmente apropriados para arranjos 1gicos em circuitos integrados. como ser visto em sees subseqentes. Na realidade,
os circuitos digitais prticos baseados inteiramente em portas lgicas fiam-se na tecnologia de CI, para obteno de caractersticas operacionais teis em unidades de tamanho razovel. Em relao a isto, de convenincia que sejam observados o retardo de
propagao e a dissipao de potncia das diversas portas, porque o tempo de retardo
total, bem como a dissipao total, mostram-se fatores de limitao nas configuraes
extensas. De acordo com a Tabela 11.11, pequenos retardos de propagao implicam
em elevada dissipao de potncia, de modo que as portas ECL so teis quando a
velocidade no importante, sendo as portas com F E T mais apropriadas quando a
dissipao tiver de ser minimizada.
Somadores
E pertinente o exame da soma de nmeros binrios, j que a adio uma operao
aritmtica bsica a computao numrica. A multiplicao, por exemplo, pode ser
obtida por simples adio repetitiva. Analogamente, a diviso pode ser executada pelo
inverso da soma, ou seja, pela subtrao. As portas lgicas so utilizadas para a consecuo da adio binria em dois passos, descritos a seguir. Inicialmente os dgitos de
cada coluna so somados, e, ento, os dgitos de transporte so acrescentados 2s colunas representativas da mais alta potncia de 2 seguinte. Este procedimento idntico a
adio convencional, ilustrada na seo anterior.
A tabela-verdade para a adio de bits (Tabela 11.2) mostra que a soma S de dois
deles exatamente a lgica OU-exclusivo da Tabela 11.7, enquanto o transporte C a
lgica E da Tabela 11.3. Em consequncia, a soma do bit A com o B estabelecida
pela seguinte lgica:
S = ( A + B ) i- ( A . B ) = ( A + B ) . ( A . B )
=
(A
+ B ) . ( A+ B )
Teorema 18
Teoremas 9
e 19
Teorema 8
a qual estabelece a Eq. (1 1.9).
O meio-somador executa o primeiro passo d a adio, isto , a soma dos bits. Dois
deles combinados formam um somador-inteiro (Fig. 11.17), a fim de adicionar os bits
de transporte ao bit soma. E necessria a porta O U para incluir a possibilidade de a
adio do bit de transporte soma gerar um novo transporte.
O modo pelo qual este somador usado para adicionar nmeros binrios depende
de estarem estes disponveis na representao seqencial ou paralela. Na primeira
(Fig. 11.I&), as formas de onda dos dois nmeros so introduzidas no somador e cada
bit adicionado em seqncia. Qualquer bit de transporte produzido retorna entrada
ELETRNICA DIGITAL
c i-0i-
sornador
0s
inteiro
J
4
ia)
Somadorinteiro
I
,
8
(b)
transporte, retardado de um intervalo de tempo igual ao existente entre bits sucessivos. Este retardo tem o efeito de somar o bit de transporte ao da coluna seguinte. Um
retardo conveniente de 1 bit pode ser dado pela associao de dois binrios em cascata, discutida no Cap. 9.
Na representao paralela a adio semelhante, mas necessrio um somadorinteiro para cada bit, como indica a Fig. 1 1 .I%. Neste caso o transporte de adio do
bit menos significativo introduzido no somador do bit mais significativo seguinte etc.
Embora possa parecer que a adio paralela requer circuitaria muito elaborada, uma
vez que so necessrias 28 portas lgicas para somar os nmeros de quatro dgitos da
Fig. 11.18b, bom lembrar que os processos de fabricao em circuito integrado so
capazes de produzir facilmente estruturas elaboradas. Assim, um somador-inteiro
completo e& C1 no fisicamente maior do que o encapsulamento necessrio para
prov-lo de terminais.
REGISTRADORES DE INFORMAAO
Flip-flops
Se duas portas inversoras forem conectadas cruzadamente, como no caso das duas NE
da Fig. 11.19, a combinao ter dois estados estveis. Suponhamos, por exemplo,
que a entrada S (do ingls "set": armar) esteja no estado nm como a R (do ingls
"reset" ou "clear": desarmar, zerar ou limpar). Se a porta superior estiver com a
outra entrada tambm em 1, a sada Q estar em O. Com este estado e o 1 na entrada
da portajnferior, a sada Q ' 1 , como foi suposto anteriormente na porta superior, isto
, Q e Q s e m p i tm estados opostos. Note que, se S estiver em 1 e R em O , Q
tornar-se- O e Q o seu complemento. Na realidade, esta porta de acoplamento cmzado, ou entrelao, equivalente ao binrio discutido no Cap. 9 , como pode ser verificado atravs da comparao do diagrama lgico da Fig. 11.19 com o circuito da Fig.
9.23, no caso da lgica RTL (Fig. 11.6b).
345
ELETRNICA DIGITAL
razo disto que, quando ela est em 0, ambas 9 portas de entrada devem estar com
sadas 1 (independentemente dos sinais em R e S ) . De acordo com a Tabela 11.12, o
binrio, nestas condies, fica em seu estado original. Quando T est em 1, os sinais
em R e S po&m provocar transies no circuito, c o m ~ e s c r i t opela Tabela 11.13.
Note que esta lgica est invertida, em comparao com a do flip-flop NE simples, por
causa da inverso nas portas de entrada. Efetivamente, este circuito controlado, ou
comandado, pelos sinais em T, j que sinais em R e S somente so eficazes quando a
entrada T est em 1. Observe a semelhana desta configurao com o flip-flop RSIT
discutido no Cap. 9. O presente binrio comandado tem, contudo, acoplamento 'cc
respondendo a sinais lgicos, mesmo que no sejam pulsos.
A conexo dos terminais de sada de um flip-flop com porta de controle aos terminais de entrada, como no RSIT, a fim de torn-lo um circuito complementador (toggle), no possvel. A razo disto que a sada no pode mudar de estado enquanto
estiver com sinais de entrada. Podem ser utilizados, no entanto, dois flip-flops em
cascata, a fim de se obter complementao enquanto se mantm as vantagens do acoplamento cc. A estrutura lgica do flip-flop R S mestre-escravo da Fig. 11.21 ilustra
esta tcnica.
Note que o circuito tem dois flip-flops comandados, controlados pela mesma entrada de relgio. O flip-flop escravo , no entanto, comandado por um sinal de relgio
invertido e. devido ao resistor de 220 R na linha de relgio. ativado num instante
ligeiramente diferente do que o mFstre. Quando o relgio est no estado zero, os sinais
nas entradas R e S so inoperantes, como num flipzflp com'porta de controle normal.
Dsinal de relgio invertido , contudo, est em 1 no escravo, e este assume o mesmo
estado do mestre. Quando o sinal de relgio vai para 1, a'entrada de relgio do inversor chega a 0 antes que as portas de entrada do mestre cheguem a '1. Portanto, as
portas de entrada do escravo isolam-no do mestre, armazenando o ltimo estado deste.
Em seguida, as entradas do mestre recebem o pulso de relgio no estado 1, e os
u
Tabela 11.12
Tabela-verdade para
binrio NE
r-
O
1
0
1
Indeterminado
o
1
1
Fig.
comandado.
-*-L-
Tabela 11.13
Tabela-verdade para
Jip-flop N E comandado
o
o
1
1
Indeterminado
Armar
r - - - - - - - - --- - - - - I
1
I
I
8 :
Entradas 0
Entradas
R
I
L - - - - - - - - - Mestre
-------i
L-IiE0'5--
-------J
Limpar
347
ELETRONICA DIGITAL
DO@-EQ
-
Tabela 11.15
Tabela-verdade para
flip-flop tipo D
Contadores
Um flip-flop J K produz um pulso de sada para cada dois aplicados a entrada de relgio. Acontece isto porque os dois pulsos obrigam o circuito a se deslocar de um estado
estvel para o outro e, em Seguida, retornar novamente ao inicial, como no caso do
binrio complementador RSIT discutido no Cap. 9. Se a sada Q de um binrio estiver
conectada a entrada T de um segundo, um total de quatro pulsos de entrada produzir
um nico pulso de sada, isto , uma srie de binrios em cascata um contador
eletrnico que enumera continuamente os pulsos de entrada, sendo a quantidade deles,
em qualquer instante, dada pelos estados dos binrios.
Consideremos o contador de quatro binrios da Fig. 11.24 e suponhamos que,
inicialmente, todos eles estejam zerados, de modo que Q = O em cada estgio. As
formas de onda na sada de cada flip-flop, resultantes de uma srie normal de pulsos na
entrada, esto mostradas na Fig. 11.25. O primeiro pulso obriga o FFA a mudar de
estado, enquanto os outros permanecem em O.
No segundo pulso o FFA retorna ao estado 0, e seu sinal de sada comanda o FFB
para I . O resultado lquido dos dois pulsos que o FFB est no estado 1 enquanto os
outros trs esto em O. Este processo continua com os pulsos seguintes, como ilustrado na Fig. 11.25, at que, no 16.O, ocorre a transio negativa do nico pulso de
Entrada +
FFA
K C
I
Limpar o
-J
FFB
K C
Q
FFC
,K C Q
L~
Q
v Sada
FFD
C Q
I
Nmero do pulso
9 1 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6
Entrada
FFA
FFB
'p-I
T I
1
r 1
L
-
349
ELETRNICA DIGITAL
,-
FFB
FFA
Q T K
I
Fig. 11.26 Contador binrio sncrono.
o Entrada
FFD T
-
-8
J4Q
FFC T
Q
K
J J - Q
FFB T
J
FFA
FFD
FFC
FFB
FFA
Entrada
351
ELETR~NICADIGITAL
I
flip-flops 16. Note por exemplo que a associao do FFB com o FFC e o FFD do
contador BCD ser um contador mdulo 5 se a entrada for em T do FFB. Alternativamente, um contador binrio simples pode ser convertido em um de mdulo desejado
usando-se as entradas desarmar diretas e um circuito lgico para zerar todos os flipflops na contagem apropriada. Esta tcnica est ilustrada na Fig. 11.28 para o caso do
contador mdulo 7 zerado diretamente. O circuito conta como um binrio normal at o
stimo pulso, quando todas as sadas Q esto em 1 (reporte-se a Tabela 11.16) na
primeira vez. A sada da porta NE vai para 0, todos os flip-flops so limpos e o ciclo
de contagem se repete.
-8
-
T -
T -
J
FFA
o Entrada
,
i
FFB
-8
-Q
FFC
o Limpar
Q
T
D
Q
T
D
T D
Q
T D
o Transferncia
A
o Entrada
Contador BCD
o Limpar
frequentemente desejvel o armazenamento do total num registrador, com finalidades de visualizao, por exemplo, enquanto o contador procede a contagem de um
novo sinal. Uma maneira de conseguir isto por meio de um flip-flop tipo D conectado
a cada contador, como na Fig. 11.29. Um pulso 1 no terminal de transferncia de
memria obriga cada flip-flop D a assumir o estado de seu respectivo contador, de
acordo com a Tabela 11.15. Portanto, o nmero que estiver no contador BCD na
ocorrncia do pulso de transferncia armazenado no registrador de memria, enquanto o contador limpo para nova contagem. A sada do registrador pode ser usada
para a ativao de um mostrador visual que permanece constante at o pulso de transferncia seguinte. Observe que esta configurao tambm converte representao sequencial de nmero binrio em paralela.
Registradores
O conjunto de flip-flops combinados para armazenar sinais lgicos denominado de
registrador, cujo exemplo tpico so os quatro flip-flops tipo D, assim agrupados, da
Fig. 11.29. Na realidade, como bvio, um conjunto de binrios em cascata tambm
um registrador, pois armazena informao. E, com freqncia, conveniente mover a
informao armazenada ao longo da srie de flip-flops sem alterar a forma de onda
Relgio
ia)
Fig. 11.30 (a) Registrador de deslocamento de quatro bits e (6) formas de onda tpicas.
ELETRNICA DIGITAL
Relgio
o
-.
^
.
-
INDICADORES VISUAIS
Torna-se til, com freqncia, mostrar a informao armazenada num registrador por
meio de um indicador (mostrador) visual. Indicadores simples para o estado lgico de
cada flip-flop do registrador podem ser suficientes, porm mostradores mais elaborados, que apresentam a informao armazenada em termos de dgitos decimais so
usualmente mais convenientes.
Pulso
de entrada
FFD
FFC
FFB
FFA
Fig. 11.32 Circuito com lmpada incandescente que indica o estado lgico do flip-flop.
355
ELETRONICA DIGITAL
_
-
A
C
Entrada BCD
Fig. 11.33 Decodificador BCD-para-decimal e alimentador.
- - - -
A.B.C.D
Lmpada
Para se chegar a configurao deste decodificador, foram consideradas certas simplificaes na lgica BCD. Observe, por exemplo, que o e D somente distinguem '
os estados O e 1 dos estados 8 e 9 na Tabela 11.18, ou seja, D no necessita realmente
desc-ver os estados de 2 a 7. Correspondentemente, nenhuma ligao para as linhas
D e D feita para estes dgitos na matriz decodificadora. Tambm A e A podem ser
estabelecidas em conexo com os transistores alimentadores, em vez de o serem como
linhas lgicas verticais separadas, o que, embora igualmente possvel, poderia resultar .
em um circuito mais complicado.
Uma vez estabelecida a lgica do decodificador pelas formulaes lgicas, a ope- ,
.
rao de converso de binrio em decimal pode ser considerada da maneira descrita a
seguir. Cada palavra binria de 4 bits que descreve o estado do contador decodificada para um nmero decimal especfico que indicado por uma Impada a ele associada. Esta indicao , obviamente, mais conveniente e informativa do que aquela
que simplesmente indica o estado de cada flip-flop do contador.
Vrios modelos de indicadores foram desenvolvidos para mostrar o nmero real
correspondente a contagem num registrador em dcada. Um deles, chamado de vl- vula Nixie, basicamente uma vlvula a neon com 10 catodos de fio, cada um em
forma de um dos algarismos de O a 9, que so conectados ao decodificador-alimentador
de maneira similar a usada para as 10 lmpadas isoladas, de modo que apenas um
catodo acende de cada vez. A incandescncia caracteristicamente vermelha do neon
cobre por completo o fio do catodo, cujo nmero aparece na face da vlvula, como na
Fig. 11.35. Uma Nixie associada a cada registrador em dcada, e , quando as vlvulas correspondentes as dcadas em cascata so enfileiradas, a contagem total aparece
diretamente indicada como um nmero decimal.
,
fl
ELETRONICA DIGITAL
alimentador para o indicador de sete segmentos anlogo ao da Fig. 11.33 ser discutido
na seo seguinte.
Um segundo tipo de indicador de sete segmentos baseado na propriedade de
algumas junes pn emitirem luz visvel quando polarizadas diretamente. Nas junes
de certos semicondutores, mais notadamente nas de arsenieto de glio e fosfeto de
glio, os portadores minoritrios injetados se recombinam rapidamente na regio da
juno. Cada recombinao acompanhada de emisso de energia luminosa de comprimento correspondente a largura do intervalo de energia proibida, conforme a ilustrao do modelo de bandas de energia da Fig. 11.37. Este efeito justamente o inverso da fotocondutividade discutida em conjuno com o modelo das fotoclulas de
juno da Fig. 10.18.
Tais diodos enzissores de luz, ou LED, so, com mais freqncia, emissores de
luz vermelha, embora existam tambm L E D verdes e amarelos. Um indicador de sete
segmentos produzido com a fabricao de uma forma de juno linear para cada
segmento (Fig. 11.38), que pode ser bem compactada para aplicaes de dgitos mltiplos. Alm deste til atributo, o mostrador de LED caracterizado por um tempo de
vida excepcionalmente longo.
Outros indicadores de sete segmentos incluem as vlvulas fluorescentes e as Impadas incandescentes de filamento mltiplo. O primeiro tipo uma vlvula a vcuo
que contm sete alvos fluorescentes arranjados conforme a configurao da Fig. 11.36.
O bombardeamento eletrnico dos alvos segmentados torna-os positivos em relao ao
Formulao
lgica binria
visvel
O
Decodificador lgico
Cada um dos indicadores de sete segmentos requer um circuito lgico decodificador
para ativar os segmentos apropriados do mostrador correspondente palavra BCD de
entrada que descreve cada nmero decimal. Uma tabela-verdade especificando os
segmentos acesos para cada nmero facilmente estabelecida (Tabela 11.9). Isto signi-
ELETR~NICADIGITAL
Palavra
BCD
O
1
2
3
4
5
A B . C D
A.B.C.6
.B.C.6
A.B C . 6
A.B.C.6
A B . C . 6
2.B.C.D
A.B.C.6
.B.C.D
A.B.C.D
6
7
8
9
1
O
1
O
O
O
1
1
O
1
1
1
1
1
O
O
1
1
1
1
1
O
1
1
1
1
1
1
1
1
O
1
1
O
1
1
1
1
1
1
O
1
1
O
1
O
1
1
1
O
1
1
O
1
1
1
1
1
O
1
1
O
1
1
O
1
1
fica, por exemplo, que a lgica necessria para acender o segmento a, que ativado
nos nmeros 0 , 2 , 6 e 8,
Esta expresso pode ser simplificada usando-se o Teorema 14 da Tabela 11.8, de modo
que
Expresses lgicas semelhantes podem ser escritas para os outr9s seis segmentos.
Para alguns deles, tais como o d e o e, formulao lgica para N A 0 aceso menor,
pois estes segmentos so ativados em todos, exceto um ou dois, dos 10 algarismos. Em
cada caso, o resultado similar a Eq. (11.12) e pode ser implementada por matrizes
lgicas E e O U anlogas da Fig. 11.33. Neste ponto deve ser notado que a lgica
OU obtida, em tal matriz DL, simplesmente invertendo-se os diodos.
As matrizes decodificadoras so, com mais freqncia, mais bem implementadas
Registradores BCD
ELETRNICA DIGITAL
361
CIRCUITOS DE MEMRIA
--c
Bit 8
--o Bit 7
--a Bit 6
-0
Bit 5
--C
Bit 4
-43
Bit 3
-0
Bit 2
--c Bit 1
32 palavras
com os diodos usados na ROM do decodificador-alimentador da Fig. 11.33. Semelhantemente, uma ROM de MOSFET fabricada de maneira que a presena ou ausncia
de um eletrodo porta na interseo determinam a lgica. Todos os trs tipos de conexes lgicas so utilizados na prtica. Existem ROM capazes de armazenar at 214
(16384) bits.
A maior aplicao dessas memrias nos circuitos digitais como tabelas de consulta de funes matemticas, tais como a trigonomtrica, a exponencial, a da raiz
quadrada e a logartmica. No caso da tabela de senos, por exemplo, o sinal de entrada
corresponde a um determinado ngulo e a sada representa o seno deste ngulo. Uma
nica ROM de 1024 bits pode armazenar 128 incrementos angulares, o que corresponde a uma resoluo de 0,7 grau, e pode gerar um sinal de sada de 8 bits com erro
menor que 0,l por cento do valor dado pelas tabelas dos manuais. Obviamente, a
preciso melhorada com o aumento da capacidade de armazenamento de bits da
memria. Muitas vezes mais eficiente o emprego de tabelas de multiplicao de
ROM do que a execuo do clculo da operao propriamente dita, que envolve uma
ELETRNICA DIGITAL
363
seqncia de adies e deslocamentos de bits. Como no caso das outras funes matemticas, a capacidade de memria necessria para a tabela de multiplicao aumenta
exponencialmente com a preciso requerida. Enquanto, por exemplo, uma ROM de
2048 bits adequada para conter as tabelas multiplicativas para nmeros binrios de 4
bits, no caso de nmeros de 8 bits, a capacidade deve ultrapassar 106.
Este problema pode ser contornado representando-se cada um dos nmeros, que
devem ser multiplicados entre si, como a soma de dois binrios menores,
Cada termo da equao acima pode ser acomodado por uma ROM de menor capacidade que a requerida por MIM,. Se, por exemplo, M 1 e M 2 forem nmeros de 8 dgitos,
m , , n , e m , e n, sero todos de quatro algarismos, significando que cada termo da Eq.
( 1 1.14) requer uma ROM de 2048 bits. Assim, necessria uma capacidade de memria total de somente 4 x 2048 = 8,2 x 103 bits. Mesmo considerando-se os diversos
somadores-inteiros usados para a implementao d a equao, este resultado uma
reduo significativa na complexidade do circuito. Abordagem semelhante aplicvel
s tabelas das demais funes matemticas.
"dd
~ n t r a d a d
Sada
365
ELETRNICA DIGITAL
Entrada
Sada
Fig. 11.43 Dois inversores MOS comportam um bit de um registrador de deslocamento dinmico.
Registrador de
deslocamento de n bits
Portas
de sada,
registro
e leitura
Entrada
bit O
Portas de
deslocamento de n bits
:v,
e leitura
v2
Registrador de
deslocamento de n bits
Portas de
sada,
registro
e leitura
Entrada
bit b
1
Bit b
tRelgio
Controle
de modo
Entrada lgica
de controle
367
ELETR~NICADIGITAL
dade do circuito (compare a Fig. 11.43 com a 11.41 com base no flip-flop mestreescravo da Fig. 1 1.21) e o consumo mnimo de potncia.
A organizao de uma memria de registradores de deslocamento baseada nos
princpios do registrador circulador est mostrada na Fig. 11.44. Cada registrador armazena um bit de cada palavra digital e as palavras so deslocadas atravs dos registradores em sincronismo, pois estes so todos ativados pelos mesmos sinais de relgio.
As portas de leitura, registro e sada, anlogas quelas da Fig. 11.31, determinam se os
sinais de sada so circulados ou abandonados, lidos como sada e circulados ou substitudos por novos sinais de entrada. Estas portas so ativadas em unssono pela circuitaria de controle de modo, e, assim, todos os bits de uma palavras so registrados e
lidos sincronicamente. Com relao a isto, o controle de modo tambm executa a
lgica de endereamento, acompanhando a posio das palavras medida que elas
circulam pela memria.
A capacidade da memria pode ser aumentada com a colocao, em paralelo, de
registradores de deslocamento adicionais para aumentar o nmero de bits de cada palavra. Alternativamente, a quantidade de palavras pode ser aumentada com registradores de deslocamento adicionais em cascata. Isto apresenta a desvantagem de o tempo
Vdd
.J
\
S..
Q3
Endereo x
Q7
,-,
I
...
...
: Endereo y
--
- ---_
*-
---
Bit
Bit
Entrada p/
registro
Sada p/
leitura
-.
ELETRNICA DIGITAL
_
-
369
transistores por bit, bem como de potncia, pois a corrente circula em um ou nos
outros transistores d o binrio. O consumo d e potncia pode ser reduzido,
comandando-se as portas dos transistores de carga (V,$ com os pulsos de relgio, de
modo que Qz e Q6 fiquem cortados, exceto quando a clula endereada. Isto faz com
que a corrente seja nula e a informao da memria retida pelas cargas das capacitncias parasitrias nas portas de Q , e Q5, de maneira muito parecida com a situao dos
inversores dinmicos da Fig. 11.43. Neste caso, necessrio restaurar as cargas daquelas capacitncias, fazendo-se com que Q , e Q6 conduzam periodicamente, de modo
que as inevitveis correntes de fuga no ocasionem perda de informao. As clulas de
memria dinmica podem tambm ser projetadas usando-se apenas trs transistores
por bit, o que aumenta consideravelmente a capacidade de memria da RAM.
Uma RAM de 16 bits mostrada na Fig. 11.46. Os decodificadores de endereo
selecionam as linhas x e y apropriadas, correspondentes entrada lgica de endereo,
e o estado do binrio na interseo selecionada aparece nos terminais de sada. A
informao em qualquer interseo dada pela introduo dos estados dos bits desejados na entrada de registro. Existem RAM que, na prtica, possuem capacidades de
memria at 212 (4096) bits e com tempos de acesso d a ordem de 10 ns.
SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR
Arpad Barna and Dan I. Porat: "Integrated Circuits in Digital Eler?ronics," John Wiley & Sons, Inc.,
New York, 1973.
H. V. Malmstadt and C. G. Enke: "Digital Electronics for Scientists," W. A. Benjamin, Inc., New
York, 1969.
Basil H. Vassos and Galen W. Ewing: "Analog and Digital Electronics for Scientists," John Wiley &
Sons, Inc., New York, 1972.
EXERCICIOS
11.1 Efetue as adies binrias de 20 + 14, 15 + 34 e 56 + 25. Verifique os resultados, formando
os nmeros binrios das somas em decimal. Desenhe as formas de onda de cada nmero e de
suas somas.
Resp.: 100010; 110001; 1010001
11.2 Efetue as subtraes binrias de 25 - 14, 35 - 16 e 12 - 3. Verifique os resultados, for-
mando os nmeros binrios das subtraes em decimal. Desenhe as formas de onda de cada
nmero e de suas diferenas.
Resp.: 1011; 10011; 1001
11.3 Desenhe as formas de onda dos nmeros binrios 1101 e 1001 e de sua soma. Compare a
forma do sinal de soma com a do sinal de sada de uma porta E que tenha tais nmeros como
sinais de entrada.
11.4 Usando o teorema de De Morgan, simplifique a expresso lgica do NO OU-exclusivo.
Por que este algumas~ezgchamado de comparador de igualdade ?
Resp.: A . B + A . B
11.5 Desenvolva a tabela-verdade do somador-inteiro da Fig. 11.17.
11.6 Desenhe as formas de onda da sada de cada porta de um somador-inteiro sequencial usando
as Figs. 11.18a, 1 1 .I6 e 11.17, se os sinais de entrada forem os nmeros binrios 1101 e 1001.
"
MEDIDAS DIGITAIS
Os instrumetztos digitais usam os circuitos e as tcnicas descritas nos captulos anteriores para a efetivao das medidas e o processamento dos dados. A vantagem significativa desses instrumentos sobre os analgicos que o dado digital decisivo. O bit
menos significativo deve ser 1 OU O , de modo que a preciso aumentada simplesnzente empregando-se dgitos adicionais. Alm disso, os sinais digitais podem ser amplificados indefinidamente e armazenados com preciso. E m virtude da caracterstica
sim-no dos circuitos digitais, os problemas de deriva e estabilidade so inerentemente desprezveis. Por outro lado, os instrumentos digitais tendem a ser mais complexos que seus correspondentes analgicos. A s vantagens da confiabilidade, preciso
e flexibilidade daqueles circuitos foram realizadas inicialnzente nos computadores digitais, mas atualmente so aplicgveis a uma vasta gama de circuitos de instrumentao e medida.
INSTRUMENTOS DIGITAIS
Medidores de intervalo de tempo
O intervalo de tempo entre dois eventos pode ser precisamente medido contando-se o
nmero de ciclos de um oscilador estvel entre a ocorrncia dos pulsos que assinalam
tais eventos. Isto realizado, conforme mostra a Fig. 12.1, disparando-se um binrio
com pulsos de entrada para a obteno de uma porta de durao igual ao intervalo
entre os pulsos. Se a frequncia do oscilador for de 1.O00 Hz, os contadores decimais
em cascata indicam o intervalo de tempo diretamente em milissegundos.
A preciso da medida funo d a estabilidade do oscilador e est sujeita incerteza de um ciclo, dependendo de quando a porta aberta em relao aos pulsos do
oscilador. Poder ser registrada uma contagem a mais se a porta for aberta durante um
pulso do oscilador, em comparao com a registrada se ela for aberta entre os pulsos,
como ilustrado na Fig. 12.2. Por causa desta incerteza de 1 bit, desejvel que a
frequncia do oscilador seja suficientemente alta para garantir uma contagem total elevada.
Medidor de frequncia
Tcnicas similares so usadas para a medio da frequncia de um oscilador. O nmero de ciclos do sinal desconhecido contado durante um intervalo de tempo conhecido com preciso. Com esta finalidade, o sinal de entrada primeiramente convertido
em uma srie de pulsos, um por ciclo, por meio de um disparador Shmitt seguido de
um diferenciador e limitador, como est indicado na Fig. 12.3. A quantidade de pulsos
de entrada contada durante um determinado intervalo de tempo. Se, por exemplo, o
interyalo for de ls, a frequncia medida ser indicada diretamente em hertz.
E conveniente a determinao do intervalo de tempo dividindo-se a sada de um
oscilador a cristal estvel e usando-se o pulso de sada do ltimo flip-flop do divisor
I
Entrada
Mostrador
Contadores
MEDIDAS DIGITAIS
Fig. 12.2
Mostrador
Memria
Entrada
Disparador
Schmitt
Diferenciao
e ceifamento
1
Chave de
\
\
Contadores BCD
(
Oscilador
E?'+
e pode, por exemplo, detectar e indicar variaes lentas que ocorram nela. Os circuitos de controle empregam as mesmas portas e estruturas lgicas usadas nas partes do
instrumento que manipulam os sinais.
A medio de freqncia est sujeita a mesma incerteza de 1 bit que a de intervalo
de tempo. O efeito minimizado com a escolha de um fator de escala para o contador
oscilador que maximize o nmero de pulsos de entrada durante a abertura da porta.
Alternativamente, sinais de baixa-freqnciapodem ser medidos, obtendo-se a porta a
partir de um perodo do sinal de entrada e contando-se o nmero de pulsos do oscilador durante este tempo, exatamente como no medidor de intervalo de tempo.
Voltmetro digital
A caracterstica bsica dos instrumentos digitais a converso dos sinais de entrada
em dados digitais. Os discutidos na seo anterior empregam circuitos de pulsos bastante simples para a realizao desta converso anloga-digital ou A-D. Uma quantidade de tcnicas diferentes tem sido idealizada para converter outros sinais analgicos
em digitais. U m exemplo tpico de interesse usado em um tipo de voltimetro digital,
instrumento que d indicao numrica, de leitura direta, da tenso medida.
Consideremos o diagrama em blocos simplificado do voltmetro esquematizado na
Fig. 12.4. A tenso cc desconhecida aplicada aos terminais de entrada comparada
com uma onda em escada produzida por um circuito bomba a diodo alimentado por um
oscilador de 10 kHz. Quando o sinal em escada igual a tenso de entrada, o comparador interrompe a transmisso de pulsos do oscilador. Os parmetros da bomba a
diodo so selecionados de modo que a altura de cada degrau seja de 1 mV. Em conseqncia, o nmero de degraus igual a tenso desconhecida em milivolts, e eles so
contados e mostrados pelo contador de trs dcadas, registro de memria e indicador
decimal.
Os circuitos de controle subseqentemente executam a transferncia da memria
para o mostrador e descarregam o capacitor da bomba a diodo de forma que o ciclo se
repita. Nova leitura obtida em menos de 1s. Na realidade, o circuito de controle dos
instrumentos prticos tem outras funes tambm. E possvel, por exemplo, a mudana dos resistores do multiplicador de entrada automaticamente, de modo que tenses de 100 mV a 999 V podem ser medidas com a mesma preciso de 1 dgito. E mais,
o circuito pode ajustar-se automaticamente a qualquer polaridade da tenso de entrada.
Entrada
Memria
Contadores BCD
Controle
Fig. 12.4 Diagrama em blocos simplificado do voltmetro digital. (Princeton Applied Reseurch
Corp .)
MEDIDAS DIGITAIS
,-
Sada
Palavras BCD
ABCDABCDABCD ABCD
Entrada
*
D
Lgica de
Registro BCD
I
Nvel
Conversor D-A
MEDIDAS DIGITAIS
19
-3
-8
Palavras BCD:
=
g
n o , , o
V
1011= 11
, l r i m e i r o dgito
--\
,...
O101 = 5
I
I
Segundo dgito
)I+-.
..
Fig. 12.7 Uso de aproximaes sucessivas para converter 11,55 V em seu equivalente BC D.
>
onde V a amplitude do estado 1 lgico para quaisquer dos bits de entrada ABCD.
Observe que esta estrutura est ponderada no cdigo BCD 8421 usual.
A Tabela 12.1 relaciona a sada analgica calculada pela Eq. (12.1) para as palavras BCD correspondentes aos dgitos decimais. Obviamente, a tenso de sada
anloga aos valores decimais.
Para boa exatido na converso, devem ser usados resistores de preciso na estrutura escalonada. Os valores de resistncia devem, tambm, abranger uma larga faixa,
sobretudo se forem convertidas palavras binrias acima de 4 bits. Estas duas dificuldades so superadas pela chamada estrutura escalonada binria da Fig. 12.9. Neste circuito so necessrios somente dois valores de resistncia, independentemente do nmero de bits das palavras binrias de entrada. Observe tambm que no preciso um
amplificador operacional para somar estes bits.
O sinal analgico de sada correspondente s palavras BC D de entrada pode ser
determinado, a partir da Fig. 12.9, por meio de anlise de circuito correta. Supe-se
que todos os bits de I lgico estejam no mesmo potencial e que todos os O estejam no
de terra. O resultado que as tenses analgicas de sada so exatamente um tero
daquelas relacionadas na Tabela 12.1.
Em qualquer estrutura escalonada, a preciso da sada analgica depende da amplitude da tenso de cada bit do sinal de entrada. Em virtude de esta quantidade no
ser, geralmente, muito controlada nos circuitos lgicos binrios, o conversor D-A pr-
Entrada de
palavras BCD
Sadaylya
va =-v
Palavra B C D
DCBA
-+-+-+-
( I
MEDIDAS DIGITAIS
2R
Sada analgica
Entrada de
palavras BCD
Bo---
Entrada de
palavras BCD
tico pode aplicar limitao a diodo em cada bit, a fim de fixar precisamente os nveis
de tenso, como na Fig. 12.10. Isto traz a vantagem adicional de o sinal total que entra
no amplificador de soma ter menor probabilidade de satur-lo. Com a limitao a
diodo, o nvel de tenso de cada bit 1 0,6 V, em vez de 4,O V ou mais, como no caso
normal. Note tambm que necessrio um circuito semelhante ao da Fig. 12.10 para a
palavra BCD de entrada correspondente a cada dgito decimal. Normalmente possvel a minimizao da complexidade do circuito por meio de multiplexao do conversor D-A de maneira semelhante discutida no captulo anterior em conjuno com os
decodificadores de indicador ROM.
PROCESSADORES DIGITAIS
Os circuitos lgicos digitais permitem o processamento de sinal de maneira inteiramente diferente da que possvel com o uso de instrumentos analgicos. Uma quantidade de instrumentos digitais, que so, com efeito, pequenos computadores, tem sido
projetada para a execuo de clculos altamente especializados. Embora os sinais de
entrada e sada usados em tais instrumentos sejam, com mais freqncia, de natureza
analgica, a superioridade e a flexibilidade dos circuitos lgicos digitais resultam em
desempenho extremamente verstil e flexvel.
Filtro digital
O denominadofiltro digital executa a mesma funo que, por exemplo, um filtro LC,
mas o faz de modo a impossibilitar a obteno de seus parmetros com os valores dos
componentes convencionais. O funcionamento de um filtro digital baseia-se na mesma
dualidade entre freqncia e tempo j observada na representao em srie de Fourier
de formas de onda complexas. Isto , o espectro de freqncias de um sinal uma
descrio to vlida quanto a sua variao no tempo, dada pela forma da onda. Correspondentemente, embora um filtro seja mais comumente descrito por meio de sua
caracterstica de resposta em freqncia, possvel uma descrio igualmente til
usando-se as propriedades transitrias do circuito. Note que a citada caracterstica
dada pela relao entre o sinal de sada v,(J) e o de entrada v,(f), numa determinada
freqncia,
Tanto Fj) quanto T(t, t') so descries satisfatrias das propriedades do filtro.
E possvel o desenvolvimento d e uma expresso para T(t, t'), no caso d a caracterstica de resposta em freqncia ser conhecida, parecida em muitos aspectos com a
maneira como as componentes de Fourier de um sinal complexo so encontradas. Os
detalhes desta transformao no apresentam interesse aqui. E importante observar,
contudo, que a representao no tempo permite o clculo direto do desempenho do
filtro por intermdio das tcnicas digitais do modo descrito a seguir. A sada do filtro
digital em qualquer instante, em termos do sinal de entrada em diversos instantes anteriores,
MEDIDAS DIGITAIS
381
onde os coeficientes a so a representao da caracterstica T(t, t') do filtro. Os clculos indicados na Eq. (12.4) so efetuados pelo circuito mostrado na Fig. 12.11. Inicialmente, o sinal de entrada amostrado em intervalos discretos e digitalizado. Cada
amostra atrasada de um intervalo de tempo adequado, multiplicada pela constante
caracterstica da ao de filtragem desejada, com os resultados sendo somados para
dar o sinal de sada, que pode ser convertido aforma analgica, se for o caso.
O filtro digital, com efeito, calcula continuamente a sada devida aos sinais de
entrada. Como a ao de filtragem descrita pelos coeficientes a , os quais so facilmente ajustveis, o mesmo filtro pode ser usado para sintetizao de uma variedade de
caracteristicas de resposta em freqncia. No h necessidade de indutncias, o que
geralmente vantajoso em baixa-freqncia e nas aplicaes em circuitos integrados.
Alm disso, em virtude da descontinuidade dos dados digitais, obtm-se desempenho
preciso, tal como atenuao muito grande em freqncias especficas.
A resposta em freqncia de um filtro digital passa-baixas simples, mostrada na
Fig. 12.12, indica que podem ser obtidas atenuao bastante acentuada e excelentes
propriedades de baixa-freqncia. Observe que os coeficientes a da Fig. 12.11 se referem Eq. (12.4) e que a taxa de amostragem 116 = 100 Hz. A simples mudana dos
coeficientes, conseguida alterando-se os ganhos dos amplificadores, produz caracterstica de resposta completamente diferente, com o mesmo circuito bsico. Este aspecto
ser explorado mais tarde, nos Exerccios.
Correlatores de sinais
Sinais peridicos, fortemente mascarados pelo rudo, podem, quase sempre, ser recuperados pela tcnica de obteno do valor mdio, que tira partido da diferena bsica
entre estes dois sinais, pois o valor mdio de um sinal de rudo aleatrio igual a zero.
Os instrumentos denominados processadores de mdia de sinal eliminam, por este
motivo, o rudo, de modo que apenas o sinal de interesse permanece.
De acordo com o diagrama em blocos de um processador de mdia de sinal (Fig.
12.13), o sinal de entrada com rudo amostrado sucessivamente por cada uma das 100
portas a FET, ativadas em seqncia por um contador em anel. A mdia do nvel de
tenso de cada amostra tirada e armazenada nos capacitores das memrias RC. Depois de muitos ciclos terem sido amostrados, o rudo eliminado, na mdia, e a tenso
em cada capacitor representa o sinal em um ponto especfico. A forma de onda completa pode ser apresentada nos terminais de sada, ativando-se sucessivamente as por-
.
Fig. 12.11 Diagrama em blocos do filtro digital.
L
Sinal de
entrada
ruidoso
sinal
.......
Sincronismoo
Relgio
I
I
Contador em anel
C"i
rampa
,Sada de
varredura
''
383
MEDIDAS DIGITAIS
Fig. 12.14 ( a ) Sinal mascarado por rudo e (b) forma de onda recuperada pelo processador de
mdia de sinal. (Princeton Applied Research Corp.)
_
-
de onda que est sendo amostrada so varridos lentamente ao longo dela. tirada a
mdia do sinal em cada posio e apresentada imediatamente, antes do movimento
para o ponto seguinte. Em virtude da circuitaria inerentemente mais simples, estes
integradores podem ser usados para sinais com duraes da ordem de 10-9s, ao passo
que os tipos multicanais so limitados a duraes maiores que l0Ws. Por outro lado, os
primeiros requerem 100 vezes mais tempo para recuperar completamente o sinal, devido ao uso de apenas um canal.
Uma tcnica de processamento de sinal mais sofisticada, relacionada com o processador de mdia de sinal, baseada na correlao entre dois sinais dependentes no
tempo. A denominada funo correlao cruzada entre dois sinais fA(t) e f d t ) definida como
Entrada
A
Conv.
A- D
Registrador de deslocamento
EntradaB
I
Sada
I
Varredor
I c
-
....
rampa
Salda de
varredura
Fig. 12.15 Diagrama em blocos simplificado do correlator de sinais. (Princeton Applied Research
Corp .j
r
Entrada C-
conv
A-D
1
Portas
de
= entrada
=
-
Registrador
deslocamento
dinmico
de 6 de
bits
e 128 palavras
A A
'Ortas
de
sada
=
,--
-0
Sinal de
sada
Sada de
varredura
Registrador de transitrios
O registrador de deslocamento dinmico um modo til e conveniente de armazenar
sinais analgicos transitrios para subseqente apresentao ou anlise. Uma unidade
tpica, baseada no registrador de deslocamento de 6 bits e 128 palavras e mostrada na
Fig. 12.16, capaz de armazenar transitrios to curtos quanto lOF s ou to longos
quanto Ss, e reproduzi-los a taxas apropriadas para serem mostrados em osciloscpios
ou em registradores grficos.
O conversor A-D entrada executa a amostragem em taxas ajustveis de lO+ a
5 X 1OP2s por palavra, enquanto o registrador dinmico opera a uma taxa constante de
10 MHz. As portas de entrada so acionadas pela lgica de controle, para que as
palavras digitais sejam introduzidas no registrador nos instantes adequados, e assim a
gravao completa das 128 palavras pode ser feita com sinais de longa ou curta durao. Os transitrios armazenados circulam pela memria at que sejam substitudos
por novos sinais ou intencionalmente apagados durante a leitura subseqente.
Durante a reproduo, os sinais de sada podem ser obtidos a mesma taxa que
durante a gravao. Mais frequentemente, contudo, a sada entregue a uma taxa
selecionada, para ser compatvel com a circuitaria de apresentao ou de anlise. Esta
385
MEDIDAS DIGITAIS
-,
-\
COMPUTADORES DIGITAIS
Organizao
O computador digital um conjunto complexo de portas lgicas e circuitaria associada, organizado para executar clculos lgicos pela manipulao de formas de onda
representativas de nmeros digitais. A grande fora do processamento digital eletrnico provm da variedade de fenmenos que podem ser representados e analisados
logicamente. Exemplos tpicos se estendem desde os clculos aritmticos simples as
computaes cientficas que obedecem a alguma lei fsica, e as atividades de escriturao mercantil que seguem os princpios da contabilidade. Em virtude de a velocidade
dos circuitos eletrnicos ser muito grande, os computadores podem completar clculos
extremamente complexos e extensos em intervalos de tempos realsticos.
Seus circuitos so projetados para efetuar operaes numricas de todas as espcies. Em conseqncia, a mquina provida de instrues especficas concernentes a
computao desejada, alm de todos os nmeros digitais envolvidos. Estas instrues
so representadas por pulsos similares aqueles que representam os nmeros. Ao conjunto completo de instrues, juntamente com os nmeros associados a um dado problema, d-se o nome deprograma.
Um computador digital compreende cinco partes principais: as unidades de entrada, sada, memria, controle e aritmtica, mostradas na Fig. 12.17. As unidades de
entrada e de sada apresentam o programa mquina e recuperam os resultados. A
memria armazena cada instruo e nmero do programa at que sejam requisitados
durante o curso da computao. As instrues do programa so armazenadas separadamente dos nmeros, pois os dois so empregados de modos fundamentalmente diferentes no clculo. A localizao de cada nmero especificada por um endereo,
usado para se dizer a mquina onde um nmero particular est armazenado na memria.
A unidade aritmtica contm circuitos lgicos, tais como SOMADORES, que
executam na realidade os clculos especificados pelo programa. Esta unidade tnmbm
inclui registros para armazenamento temporrio de nmeros digitais. A razo disto
que, normalmente, apenas um nmero de cada vez chamado da memria. Se h dois
nmeros a somar, o primeiro deve ser armazenado at que o segundo esteja dispon-
Entrada
Memria
I 4
I 4
thkl
Controle
Aritmtica
Sada
Microcomputadores
Os circuitos de um computador digital podem ser exemplificados pelo mais recente
desenvolvimento neste campo: a calculadora de bolso, ou rnicrocornputador, da Fig.
12.18. Os microcomputadores usam os princpios e os circuitos do computador digital
para a efetuao dos clculos aritmticos, desde simples adies e subtraes aos de
funes transcendentais. Esta gama de possibilidades exibida no teclado, visvel na
Fig. 12.18.
Na realidade, o teclado representa a unidade de entrada do microcomputador, ao
passo que o indicador numrico, que normalmente do tipo de sete segmentos com
LED, a unidade de sada. O teclado usado para a introduo dos nperos na
memria e para selecionar o programa interno adequado a execuo do clculo desejado. Os nmeros introduzidos via teclado so indicados pelo mostrador digital, bem
como os resultados das computaes.
O funcionamento de um microcomputador pode ser descrito com a ajuda do diagrama em blocos interno da Fig. 12.19. O teclado e o indicador so multiplexados pelo
387
MEDIDAS DIGITAIS
t
Registro A
-r-
Registra B
Regtstro C
+
g +
-t
Registro D
-C
Registro E
inietro
Matnz de
teclado
Venficador
de teclado
+$
Lglca de controle
ROM de
3520 bits
LGICA DE
ENTRADA
LGICA DE
CONTROLE
RAM de
182 bits
MEDIDAS DIGITAIS
389
digitais muito extensos com capacidade para uma ampla gama de aplicaes de medio e controle tm sido projetados, usando-se microprocessadores associados a ROM
especficas contendo programas e dados adequados as tarefas designadas. O projeto de
um microprocessador, algumas vezes chamado simplesmente de micro, pode realar
um ou outro aspecto particular para maximizar a eficincia. Por exemplo, um projeto
pode acentuar a facilidade das operaes aritmticas enquanto outro facilita a transferncia de dados de entrada e sada. Embora ambos os tipos tenham todos os componentes usuais de uma CPU, o primeiro usado para anlise numrica prolongada e, o
ltimo, para aplicaes de controle.
Linguagens de programao
Os computadores digitais tm, em geral, muito mais flexibilidade do que os microcomputadores, em virtude do programa no ser parte inerente da mquina. Ao contrrio,
para cada tarefa computacional inserido um programa diferente na memria, de
modo que podem ser empregados programas elaborados e bastante sofisticados.
Um computador operado introduzindo-se, inicialmente, o programa na memria
por meio, por exemplo, de um conjunto de cartes perfurados. Quando a mquina
acionada, a unidade de controle l a primeira instruo, prepara convenientemente os
circuitos e faz com que o nmero apropriado seja lido na memria, conforme especificado pelo endereo na instruo. Ao trmino da operao indicada, o resultado retorna memria no endereo tambm especificado no programa. A unidade de controle passa, ento, a instruo seguinte. A mquina prossegue sequencialmente pelas
instrues, colocando os resultados finais na unidade de sada, at chegar instruo
pare. Neste ponto a computao encerrada e , o resultado, localizado na unidade de
sada,
E conveniente ilustrar, por meio de um exemplo rudimentar, como a unidade de
controle prepara os circuitos da mquina de acordo com as instrues. Consideremos
o diagrama em blocos parcial da Fig. 12.21, no qual cada um dos dois nmeros pode
ser manipulado e reintroduzido na memria, dependendo da instruo. Suponhamos
que a instruo 10101, como est indicado, seja abstrada da memria e armazenada no
registro conectado as diversas portas E . Isto significa que o nmero A passa atravs
do circuito, emerge como NAO-A e retorna a memria. O B no usado, pois no
passa pela primeira porta E. Outras instrues acarretam a execuo de operaes
Nmeros
da,
memoria
Para a
memria
Instrues
da,
mernoria
1 ~ 0 ~ 1 ~ 0 ~ 1
Registrador
Fig. 12.21 Ilustrao de como uma instruo determina o trajeto do nmero atravs do computador digital.
r-
diferentes, como pode ser visto seguindo-se o trajeto, atravs do circuito, em cada
caso:
Instruo
Interpretao
10101
10010
O1101
O1010
Z
B
C
D
Linguagem
de mquina
O
O
O
O
110
100
100
111
001
001
001
O01
100
100
100
100
100
100
100
100
Declarao
Fortran
O01
O10
O11
100
D=Z+B+C
MEDIDAS DIGITAIS
391
12.1 Projete um circuito de controle adequado, na forma de diagrama em blocos, para o voltmetro digital da Fig. 12.4. Disponha o controle, de modo que um novo ciclo de medida seja iniciado
imediatamente aps a obteno de cada leitura.
12.2 Suponha que o sinal de entrada do voltmetro digital do exerccio anterior seja 0,5 V cc
juntamente com um dente-de-serra de 0,5 V pico-a-pico e perodo de 2s. Determine graficamente
as primeiras cinco leituras indicadas se acontecer de o voltmetro iniciar o ciclo de medida
quando o sinal de entrada 0,5 V.
Resp.: 0,67; 0,89; 0,52; 0,68; 0,92 V
12.3 O conversor A-D de integrao em dupla rampa da Fig. 12.5 gera 10 leituras de 4 dgitos por
segundo. Qual a freqncia do oscilador? Suponha que as tenses de entrada e de referncia
sejam iguais.
Resp.: 200 kHz
12.4 Determine o ganho mnimo necessrio ao comparador detector de nulo do integrador de
dupla rampa do Exerccio 12.3.
Resp.: 104
12.5 No denominado conversor A-D tenso-freqncia da Fig. 12.22, o gerador de pulsos descarrega completamente o capacitor de integrao a cada vez que o comparador sente a igualdade
entre o sinal de entrada e a tenso de referncia. Quais so as freqncias de sada para sinais de
10,s e 1 V?
Resp.: 104Hz,5 x 103Hz, 103Hz
)
I
-
104
Para o medidor
ci~l;;qncia
Entrada
Tenso de
referncia
12.10 Repita o Exerccio 12.9 para o caso do sinal de entrada ser uma onda quadrada de 1 HZ e
2 V pico-a-pico. Devido forma de onda na sada, qual o nome deste filtro?
Resp.: Filtro diferenciador
Apndice A
O DIODO A VCUO
Emisso termoinica
O diodo a vcuo constitudo de um catodo aquecido. envolvido por um anodo metlico, no interior de um invlucro, usualmente de vidro, com vcuo, como esboado na
Fig. Al-1. Em temperaturas suficientemente elevadas, os eltrons so emitidos pelo
catodo e atrados pelo anodo positivo. O fluxo de eltrons do catodo para o anodo
constitui uma corrente e existe quando este est positivo em relao aquele. Quando o
anodo est negativo. os eltrons so repelidos por ele e a corrente reversa nula. No
espao intereletrdico existe vcuo, de modo que os eltrons podem se deslocar sem
problemas de coliso com molculas de gs.
Os catodos dos diodos a vcuo podem apresentar diversas formas. Os eltrons
livres em qualquer condutor, adquirindo suficiente energia por aquecimento. escapam
do slido. Alguns materiais so, contudo, muito mais satisfatrios a este respeito do
que outros. seja por causa da relativa facilidade com que os eltrons se libertam. seja
porque o material suporta seguramente temperaturas elevadas. O tungstnio. por
exemplo, til como material de catodo, pois mantm sua resistncia mecnica em
temperaturas extremas. Uma fina pelcula de trio sobre a superfcie do catodo filamentar de tungstnio aumenta a emisso eletrnica. obtendo-se corrente aprecivel a
temperaturas em torno de 1900K. Este' tipo de catodo diretamente aquecido por
corrente eltrica, semelhantemente ao fhamento das lmpadas incandescentes. E utilizado em diodos apropriados as aplicaes de alta tenso. O smbolo convencional
deste tipo de diodo a vcuo est mostrado na Fig. A 1 . h .
O moderno catodo revestido de xido, que consiste em uma luva metlica recoberta com uma mistura de xidos de brio e de estrncio, o mais eficaz emissor
eletrnico at hoje desenvolvido. Desta forma obtm-se emisso eletrnica abundante
em temperaturas prximas de 1000K, o que significa que a potncia necessria
muito menor que para o tungstnio. Usualmente, o catodo de xido indiretamente
aquecido por um filamento localizado dentro da luva metlica, como na Fig. A1 . l . Isto
isola eletricamente o filamento aquecedor do catodo, o que representa uma considervel vantagem nos circuitos eletrnicos. Pode, tambm, ser usada corrente ca de fila-
- Catodo
Anodo
Filamento
Fig. A1.2 Smbolos de circuito dos diodos a vcuo dos tipos de ( a ) catodo de aquecimento direto
e (b) catodo aquecido por filamento.
Lei de Child
Quando o anodo est negativo em relao ao catodo, a corrente eletrnica nula e , a
caracterstica reversa, essencialmente a mesma de um diodo ideal. A caracterstica
direta determinada pelo movimento dos eltrons no espao compreendido entre os
dois eletrodos, quando o catodo tem potencial positivo. O nmero de eltrons por ele
emitido , normalmente, to grande que os campos eltricos devidos as cargas eletrnicas alteram drasticamente aquele, entre os eletrodos, produzido pelo potencial do
anodo. Nestas condies, a corrente real dada pela lei de Child,
Fig. A1.3 As caractersticas diretas experimentais de dois diodos a vcuo prticos so muito
diferentes por causa da contruo geometricamente diferente.
A grade
A grade de um triodo consiste usualmente em um fio helicoidal que circunda o catodo.
como na Fig. A 1 . 4 ~ .Se o potencial da grade for sempre negativo: os eltrons sero
repelidos e a sua corrente ser desprezvel. Isto significa que a potncia despendida no
circuito da grade para controlar a corrente do anodo muito pequena. Deve-se minimizar a sua rea, a fim de que a quantidade de eltrons interceptados em seu percurso
para o anodo seja desprezvel. Por outro lado. se os fios forem muito espaados, a
capacidade da grade em controlar a corrente do anodo ser reduzida. Os triodos prticos so projetados de modo a haver um compromisso til entre estes requisitos conflitantes. O anodo geralmente chamado de placa, por causa de sua forma nas vlvulas
originais. O smbolo de circuito convencional do tnodo o mostrado na Fig. A1.4b.
O potencial da grade altera a configurao de campo eltrico no espao intereletrdico, em relao ao correspondente no diodo a vcuo. Como a grade est muito
mais prxima do catodo, seu potencial e relativamente mais eficiente no controle da
corrente do que o potencial de placa. Em conseqncia, usando-se a lei de Child, a
corrente na vlvula pode ser escrita:'
?Tem sido comumente aceito associar-se os ndices p e b ao circuito da placa, e g e c ao da grade, nas vlvulas
a vcuo. Do mesmo modo, o ndice k se refere ao catodo.
Catodo
Grade
Placa
De acordo com a Eq. (AI .4). o fator de amplificao aumenta quando a grade est
prxima do catodo, pois a capacitncia grade-catodo aumenta. A placa. mais afastada.
fica protegida do catodo pela grade, de modo que p sempre maior que a unidade. Na
realidade. existem. no comrcio, triodos com fatores de amplificao variando de 10 a
100.
Das vrias formas grficas de representao das caractersticas tenso-corrente do
triodo, a mais til o grfico da corrente de placa em funo da tenso de placa para
valores constantes da tenso de grade. As curvas. denominadas caractersticas de
pluc.u, so fornecidas em conjunto para alguns valores da tenso de grade pelo fabri-
Potencial de placa, V
Fig. A1.5 Caractersticas de placa do tnodo tipo 6SN7. A curva relativa a tenso de grade nula
concorda aproximadamente com a lei de Child.
cante da vlvula. como ilustrado na Fig. A1 .S. Observe que cada curva similar a
curva tenso-corrente d o diodo a vcuo. Alm disso, a corrente. para uma dada tenso
de placa, reduzida a medida que a grade se torna mais negativa. As curvas so
deslocadas para a direita. com pequena mudana de forma para cada incremento negativo no potencial da grade, de acordo com a Eq. (A1.2). A comparaco desta equao
com as curvas experimentais mostra por que necessrio o emprego de dados grficos: embora a lei de Child represente o comportamento geral das caractersticas d e
placa, ela no suficientemente precisa para oferecer resultados q~iantitativossatisfatrios.
De acordo com a Fig. A I S , a corrente de placa essencialmente nula para valores suficientemente negativos de potencial de grade. cujo valor necessrio para levar a
vlvula a o corte depende d a tenso de placa. A vlvula , com efeito, um circuito
aberto quando no corte. Estando a grade num potencial positivo, h corrente de grade
aprecivel; este eletrodo . ento. o anodo de um diodo polarizado diretamente e representa uma resistncia muito mais baixa d o que no caso de estar com potencial
negativo. Na maioria dos circuitos, este efeito impede que a grade se torne cada vez
mais positiva. E m conseqncia, diz-se que, com tenso de grade nula, a vlvula est
saturada, pois est com sua conduco mxima. A faixa entre o corte e a saturao a
faixa de tenso de grade normal.
Pentodos
A capacitncia entre grade e placa introduz srias dificuldades quando a vlvula
usada como amplificadora em altas freqncias. O sinal ca de placa introduzido no
399
Grade
supressora
Grade de
Grade de
controle
blindagem
Catodo
Potencial de grade, V = O
-0.5
Potencial de placa, V
Grades de
82, g4
Grade de
controle
Grade de controle g ,
(b)
Fig. A1.8 ( a ) Diagrama da base do duplo triodo 12AX7; (bj diagrama da base da conversora
- pentagrade 6BE6.
Fig. A1.9 Diagrama de circuito de um amplificador prtico com triodo, usando polarizao de
catodo.
est mostrado na Fig. A I . 10. Por definio, este ponto deve estar localizado em algum
lugar sobre a reta de carga. Como a polarizao de grade depende da corrente de
placa, uma segunda reta traada ligando os pontos I , = -V,./R, em cada curva das
caractersticas. A interseo desta linha com a reta de carga o ponto de operao. O
capacitor C , em paralelo com o resistor de polarizao de catodo R k na Fig. A1.9
impede que os sinais ca causados pela corrente ca de placa no resistor de catodo
apaream no circuito de grade.
E vantajoso obter o potencial de blindagem para o pentodo a partir da prpria
tenso de alimentao de placa. Isto pode ser conseguido por meio de-um divisor de
tenso resistivo. No entanto, um simples resistor de queda em srie, como na Fig.
A l . 11, ainda mais conveniente. O valor de R , selecionado de modo a dar a tenso
de blindagem desejada, com a corrente nesta grade e o potencial de alimentao da
placa determinados, sendo tpicos valores de 0,05 a 1,O M a . O resistor de blindagem
6C4
30
Ponto de operao
<
20
,Curva
de polarizao
a
u
a
a,
4-
10
S
o
100
200
300
400
Potencial de placa, V
500
403
desviado com o capacitor C, para manter a tenso na grade constante, independentemente de variaes causadas pelo sinal.
A determinao do ponto de operao nos pentodos com polarizao de catodo
ligeiramente mais complicada do que nos triodos, porque a tenso,de polarizao depende tanto da corrente de blindagem como da corrente de placa. E usualmente.satisfatno supor que a corrente de blindagem uma frao constante da de placa e proceder como no caso do triodo. A frao correta a ser escolhida depende um pouco do
tipo de vlvula em questo, podendo ser estimada a partir das caractersticas de corrente de blindagem. Para a maioria dos pentodos, a corrente total de catodo aproximadamente 1.31, no ponto de operao. Este valor d usualmente uma determinao
suficientemente precisa da condio quiescente.
Em muitos casos, mais simples recorrer ao seguinte mtodo de "tentativa e
erro" para a determinao do ponto de operao. Escolha um ponto sobre a reta de
carga correspondente a uma tenso de polarizao de grade e corrente de placa arbftrrias. A corrente de blindagem ento determinada das caractersticas de blindagem
para estes valores de V , e V,. O produto -(Io + I J R , comparado com o valor escolhido para V , . Se forem iguais, a escolha original estar satisfatria. Caso contrrio. o
processo repetido at que a preciso desejada seja obtida.
Alm da evidente economia con-guida ao se obterem os potenciais de grade. de
placa e de blindagem de uma nica fonte de tenso, estas tcnicas de polarizao
tambm proporcionam operao quiescente mais estvel do que a da polarizao fixa.
Suponhamos, por exemplo, que a corrente de placa tenda a aumentar devido ao envelhecimento da vlvula. Isto faz com que a polarizao de grade se torne mais negativa,
o que, por sua vez, tende a diminuir a corrente de placa. A variao lquida no ponto
de operao muito menor do que no caso da polarizao fixa. A mesma situao
existe em relao tenso de blindagem.
lei de Child, a mudana na corrente de placa causada por uma variao na tenso deste
eletrodo , fazendo-se uso da Eq. (A1.2).
AI,
3A
( p V , + &)'lip AV, =
A2/31613AV,
2
2
3e
= --
AIb=-Aq,+gm
AV,
Uma relao til entre r, e g , obtida notando-se que, quando a variao lquida na
corrente de placa nula. a Eq. ( A I . 10) torna-se
Esta relao til na obteno de um dos trs parmetros. quando os outros dois so
conhecidos.
De acordo com a Eq. ( A I . 10). pequenas variaes na corrente de placa em torno
do ponto de operao, ocasionadas por variaes nas tenses de grade e de placa,
podem ser calculadas se os valores convenientes dos parmetros de pequenos sinais,
p, r, e g,, apropriados ao ponto de operao, forem conhecidos. A resistncia de
placa justamente o inverso da inclinao da caracterstica de placa no ponto de ope-
CL
r,, 103 fl
g,,
10-3 S
Corrente de placa, mA
Fig. A1.12 Variao dos parmetros de pequenos sinais do triodo com a corrente de placa.
De acordo com (A1.13) e (A.1.14), a resistncia de placa decresce ligeiramente a medida que a corrente de placa aumenta, ao passo que a transcondutncia aumenta.
Como a lei de Child no til como descrio quantitativa do comportamento do
triodo, no se deve tambm esperar que as Eqs. (AI. 13) e ( A I . 14) representem exatamente a variao dos parmetros de pequenos sinais com a corrente da vlvula. No
obstante, os dados experimentais de um triodo prtico (Fig. A I . 12) esto surpreendetemente bem de acordo com os resultados analticos. Observe que o fator de amplificao sensivelmente constante, exceto para as correntes de placa menores, enquanto
g , e r, aumentam e diminuem, respectivamente, com o aumento da corrente de placa.
De acordo com a Fig. A1.12, possvel obter considervel variao nos parmetros
incrementais escolhendo-se pontos de operao diferentes.
O ganho do amplificador
Fig. A1.13 (a) Amplificador com tnodo e (b) seu circuito equivalente ca.
e o ganho
Na maioria dos casos, a resistncia de placa muito maior do que a de carga, de modo
que uma aproximao da Eq. (A1.21)
Os nmeros em negrito referem-se a locais onde o assunto e abordado mais extensamente Os nmeros
em ttalrco referem-se a local~zaesfora do texto (legendas, quadros, disticos, notas etc )
Ayrton, derivao, 34
Acelermetros, 297
- tenso de sada do, 297
Acoplamento
- direto, 209
- por transformador, 194
- sintonizado, 202
Afastamento, 234
Algebra booleana, 334
- teoremas da, 335
Amortecimento critico, 56
Ampre (A), 2
Ampenmetros, 26
Amplificador
- amarrado, 216
- CC,209
- com FET, 161
- com MOSFET, 164
- com transistor de juno,
165
- com tnodo, 401
- conversores, 213
- de dreno comum, 161
- de potncia, 194
- de pulso, 206
- de tenso, 187
- diferencial, 149, 177,178
- - propriedades, 177
- eficincia de um, 196
- especiais, 180
- faixa de passagem do, 191
- ganho do, 160
- logantmico, 240
- operacionais, 219-247, 229,
232
- - propriedades, 236,237
- oscilao nos, 226
- prticos, 232
- simtrico, 197,198
- sintonizados, 202
- - realimentados, 223
- transistorizados, 152-185
Amplitude, 36
- mxima ou de pico, 36
Analisadores de ondas, 305
Angulo de fase, 36
Anodo, 394
Aterramento, 315
Balanceamento, 83
Banda
- de conduo, 121
- de energia, 121,303
- de valncia, 121
Barkhausen, critrio, 249
Base comum, 175
Baterias, 5 , 8
- alcalinas, 8
- chumbo-cido, 7
- de acumuladores, 6
- de carvo-zinco, 6
- de mercrio, 7
- de nquel-cdmio, 8
- smbolo de circuito convencional para, 6
- solar, 303
Bel, 191
Bit, 329
Blindagem, 3 15,316
Bolmetro a termistor, 302
Boltzmann, lei de, 126
Bomba a diodo, 279
Buracos, 123
- de transferncia, 142
- tenso-corrente, 95
Carvo, resistividade do, 4-5
Cascata, 187
Catodo, 394
Cavidade ressonante, 323
Chave seletora mltipla, 10
Child, lei de, 395
Chokes, 42
Ciclo, 36
Circuitos
- amplificadores, 186-218
- anlise de, 13
- anticoincidncia, 333
- - tabela-verdade para o, 333
- CA, anlise de, 69-93
- ceifador, 112
- com diodos, 94-119
- com transistor de juno,
172
- com vlvula a vcuo, 393408
- de coincidncia, 331
- de controle, 286
- de controle por desvio de
fase, 110
- de corrente contnua, 1-34
- - conceitos introdutrios, 2
- de memria, 361
- de multiplexao para mostrador digital, 360
- de polarizao, 165
- de simetria complementar,
180
- detectores, 115
- de varredura Miller, 281
- diferenciadores, 49, 238
- digitais, 327
- em paralelo, 10
- em ponte, 80
- em ponte-T, 86
- em srie, 9
- em T-geminado, 86, 87
- equivalente do triodo, 406
- equivalente hbrido, 170
- equivalentes, 21
- equivalente T , 168
- especiais, 200
- estvel, 262
384
Correntes
- alternadas, 35-68
- de curto-circuito, 21
- de fuga, 40, 42
- de malha, 17
- de saturao, 127
- eltrica, 2
- senoidal, 36
- transitrias, 50
- variantes, 35
Cristal
- semicondutor. 96
- - comvensado. 124
Cursor de reosttol 292
Efeito
- Joule, 4
- tnel, 127
Elemento (ou clula seca), 6
- de circuito, 4
Eletrodo
- de calomelano, 298
- de vidro, 298,299
Eletrlito, 6
Eletrmetro de lmina vibrtil, 309
- funcionamento, 3 10
Eletrnica digital, 327-370
Eltron-volt (eV), 123
Emisso termoinica, 394
Emissor comum, 132, 172
Enrolarnento
- de realimentao, 255
- primrio, 88
- secundrio, 88
- superacoplados, 203
Entrada
- inversora, 233, 275
- no inversora, 233
Equaes
- da linha de transmisso, 318
- do movimento de um corpo
vibratrio, 258
- do retificador, 127
Estabilidade, 226
- anlise da, 260
- da varredura, 281
- dos circuitos digitais, 328
Estrutura escalonada
- binria, 378,379
- D-A, 377
- ponderada com resistor, 377
Extensmetro
- de silcio, 296
- resistivo, 295, 296
Farad, 39
Fase, 36
Fator
- de amplificao, 397
- de ondulao r, 102
- de potncia, 37
- do medidor, 296
- Q, 79
Ferrite, 44
Figura de rudo (NF), 3 14
Filtro, 101
- ativo, 241,243
- capacitivo, 102
- em L, 104
- em?, 105
- passa-altas, 45
- passa-baixas, 46
- RC, 46
- RL, 44
Flip-flop (v. Multivibrador)
- armado, 344
Flutuao, 238
Fonte, 139
- comum, 161
Fora eletromotriz, 5
Formas de onda complexas,
57
Fortran, declarao, 390, 391
Fotoclulas, 299
Fotomultiplicador, 302
Fourier, srie de, 57
Freqncia, 36
- de corte, 323
- de corte alfa, 191
- de corte inferior, 191
- de meia-potncia, 46
- de oscilao, 261
- de ressonncia, 75, 55
- fundamental, 57
Funo
- autocorrelao, 384
- correlao cruzada, 383
Impedncia, 70
- caractenstica, 3 17
- complexa, 70, 71
- do cristal de quartzo, 259
- infinita, 258
- zero, 258
Impurezas, 123
- aceitadoras, 124
- doadoras, 124
Indicadores
- de elemento nico, 354
- de sete segmentos, 356,359
- visuais, 353
Indutncia, 39
- mtua, 88
- RFC, 259
Indutores, 42
Instrumentos digitais, 372
Integrao em larga escala
(LSI), 150
Integrador de dupla rampa,
375
Intervalo de energia proibida,
121
- de semicondutores tpicos,
123
Ganho, 300
- de corrente a , 131
- de corrente cc, 167
- de tenso de malha aberta,
237
- em alta frequncia, 189
- em baixa frequncia, 188
- na faixa mdia, 188
Gerador
- dente-de-serra, 264, 268
- de rampa de varredura Miller, 280
- de sinais, 251, 277
Gigahertz, 36
Grade, 396
- de blindagem, 399
- supressora, 399
Gravador magntico, 307
- cabea reprodutora do, 309
Guias de onda, 323
JK mestre-escravo, 346
Joule
- lei de, 3
- por segundo, 4
Juno
- do coletor, 130
- - rea da, 138
- do emissor, 130
- pn, 124,125
Harmnicos, 57
Henry, 42
Hertz (Hz), 36
Heterodinagem, 117
Hiprbole de potncia mxima, 195 .
IGFET, 143
- emissor-acoplado, (ECL),
341
- negativa, 337
- resistor-capacitor-transistor,
(RCTL), 340
- resistor-transistor (RTL),
339
- transistor-transistor, (TTL),
340
Malha, 13
Maxwell, mtodo de, 17
Mxima transferncia de potncia, 24
Medidas
- digitais, 371-392
- eltricas, 25, 285-326
Medidores
- de frequncia, 372,373
- de intervalo de tempo, 372
- de pH, 298
Megahertz, 36
Megohm, 4
Memria
- apenas de leitura, 361
- de acesso aleatrio, 368
- de registradores de deslocamento MOS, 363
Mtodo voltmetro-ampenmetro, 28
Mho, 3
Microampre, 26
Microcomputador, 386,387
Microfarad, 39
Microfone capacitivo, 294
Microhenry, 42
Microprocessador, 388
Miliampre, 26
Milihenry , 42
Milivoltmetro balanceado
com FET, 212
Miller
- efeito, 190
- varredura, 280
Modelo de bandas de energia,
121,122
Montador simblico ("assembler"), 390
MOSFET, 143
- de depleo, 144
- de dupla-porta, 144
- de reforamento, 144
- em circuito integrado, 182
- smbolo de circuito para o,
144,146
Multmetros, 29
Multiplexao, 361
Multivibradores, 268
- biestvel, 277
- binrio (ou "flip-flop"), 271,
2 72
desarmado, zerado ou
limpo, 274
- com amplificadores operacionais, 278
- estvel, 268,269
- monoestvel ou monopulso,
276,277
- polarizao do, 281
--
Neutralizao, 204
Nveis de energia do tomo,
121
N, 13
Norton, teorema de, 23,24
Nmeros
- binrios, 328,329
- - manipulaes aritmticas
com, 328
- decimais, 329
- - cdigo binrio para, 357
Ohm, 3
- lei de, 3
- - para CA, 70
Ohmmetros, 29
Onda
- dente-de-serra, 59, 60
- - linear, 268
- em escada, 279,280
- quadrada, 59, 60
- - resposta a, 61
- - teste da, 209
-semi-senoidal, 61
Operaes matemticas, 230
Osciladores, 248-284
- a cristal, 257
- a diodo tnel, 263
- Colpitts, 254,255
.
- com circuitos ressonantes,
253
- de deslocamento de fase,
249,250
- de relaxao, 264,265
- - estabilidade de freqncia
dos, 267
- - sincronizao da freqncia do, 267
- de resistncia negativa, 260
- em ponte de Wien, 251
- harmnico amortecido, 244
- Hartley, 253, 257
- LC, 253
- Pierce, 259
- RC, 249
- valvulares ou transistorizados, 248
Osciloscpio, 303,304
- de amostragem, 305,306
- de raios catdicos, 64
Parmetros
- de pequenos sinais, 403,405
- hbridos, 169
- - notao dos ndices dos,
169
- incrementais, 157,159
- valores aproximados, 175
Pauli, piincpio de excluso
de, 121
Pentodos, 398
- caractersticas de placa tpicas de um, 399,400
- smbolo de circuito do, 399
Pequenos sinais, 158
Penodo T, 36
Picoampre, 26
Picofarad, 39
Placa, 396
Polarizao, 154
- de catodo, 401
Pontas de prova, 29
Pontes
- de capacitncia, 81
- de indutncia, 81
- RLC, 83
Ponto
- de operao, 154
Porta, 108, 139
- lgicas, 329
- - inversora, 332
- - dinmica, 366
- - caractersticas das, 341
- NO-E (ou NE) DTL, 148
- polarizada, 153
- retardo de propagao da,
340
Portadores
- majoritrios, 124
- minoritrios, 124
- - injeo de, 129
Processadores de mdia de
sinal, 381
Propriedades piezoeltricas
do quartzo, 258
Pulsos, 281
Potencimetro, 5, 19, 298
Quartzo, 260
Queda de tenso R I , 9
Quilohertz, 36
Quiloohms, 4
Rampa, 279
peridica, 279
Razo
- de rejeio d e modo comum, 180
- de retificao, 395
Realimentao, 202, 219
- de corrente, 225
- de tenso, 220
- negativa, 219, 220
- - beneficias da, 221
- operacional, 219, 228
- positiva, 226, 249
Reatncia
- capacitativa, 39
- indutiva. 42
Redes, 11
Reflexes. 322
Registradores, 349, 352
- circulador, 353
- de deslocamento, 353
- - dinmico, 365
- de informao, 344
- de transitrios, 384
- grfico, 291
Regulao da fonte de alimentao, 103
Regulador
- de tenso, 106, 286,325
- - efeito estabilizador do, 286
- paralelo, 288
- srie, 288
- zener, 288
Relao
- de transformao, 89
- entre o s parmetros d o s
transistores, 171
- sinal/rudo, 3 11
Relaxao, 263
Relgio, 275, 386
Reostato, $
Repique, 55
Representao
- paralela, 339
- sequencial, 339
Resistncia, 2
- de dreno, 157
- de placa, 404
- multiplicadoras, 27
- negativa, 260
- unidade de, 3
Resistividade, 2
- da prata, 2
- de ligas e metais, 2
Resistores, 4
- cdigo de cores de, 5
- de composio, 5
- de fio, 4
- de pelcula fina, 4
- interruptor, 289
- smbolo convencional, 4
- variveis, 5
Resposta em frequncia, 191
-
.
-
,
-
'
- lgicos, 337
- senoidais, 36
- - defasados, 36
- - propagao dos, 321
Sincronismo assimtrico, 282
Sintonia escalonada, 203
Sistema
- servo, 290
- superamortecido, 291
Ultrapassagem, 269
Somadores, 342
Tempo
- de acesso, 367-368
- de retardo, 320
- de subida, 206
Tenso
- base-emissor, 240
- de circuito-aberto, 21
- de pico, 99
Teorema
- da associatividade, 335
- da absoro, 335
- da comutatividade, 335
- da distributividade, 335
Terra, 157
- virtual, 228
- lao de, 316
S
Tetrodos, 399
Thvenin, teorema de, 21
Schmitt, disparador, 275, 276
Transcondutncia mtua, 157
- polarizao do, 281
Transdutores
Seguidor de emissor, 176
- - de capacitncia, 295
Semicondutores, 120, 121
- mecnicos, 293
Transformadores, 88
- extnnsecos, 123
- intrnseco, 123
- abaixador, 89
Servomecanismos ou servos, - de fora, 91
289
- diferencial, 293,294
Servopotencimetro, 292
- elevador, 89
Siemens, 3
- prticos, 90
Simulao, 244
Transistor, 120, 152, 268
Sinal
- aplicaes, 186
- de erro, 291
- de efeito de campo (FET),
- de sincronismo, 267
139
- digitais, 327
- de juno, 130
Valncia, 121
Valor
'-eficaz, 37, 59
- rms, 37
Vlvulas. 152
- a vcuo, 396
- de corte remoto, 400
- de potncia a feixe dirigido,
40 1
- fotomultiplicadora, 301
- multigrades, 400
- Nixie, 356
Varredura
- tenso de, 65
- velocidade da, 281
- sincronizada, 281
Vibrador, 213
Volt (V), 2
Voltimetros. 26
- a FET, 153
- a vlvula (VTVM).
,, 164
- CA, 114
- detector de pico, 115
- digital, 374
- eletrnico a FET, 163
Watt (W), 4
Weston, clula de, 19
Wheatstone, ponte de, 16, 18
- - balanceada, 19
Wien, ponte de, 83,84
Zumbido, 315