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Apostila de Eletronica Basica PDF
Apostila de Eletronica Basica PDF
ELETRNICA
ELETRNICA
NDICE
1
1.1
4
4
4
1.2
DIODO
POLARIZAO DO DIODO
CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO
RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE
7
8
8
10
1.3
11
1.4
APROXIMAES DO DIODO
12
1.5
14
16
17
19
1.6
CAPACITOR
20
1.7
24
1.8
DIODO ZENER
CORRENTE MXIMA NO ZENER
REGULADOR DE TENSO COM ZENER
CLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS.
26
27
28
28
1.9
29
29
30
32
1.10 EXERCCIOS
32
TRANSISTOR BIPOLAR
39
2.1
39
40
42
42
43
POLARIZAO DE TRANSISTORES
47
3.1
RETA DE CARGA
47
3.2
49
3.3
50
3.4
51
51
51
52
3.5
EXERCCIOS
53
AMPLIFICADORES DE SINAL
55
ELETRNICA
4.1
55
57
57
58
60
4.2
60
4.3
REALIMENTAO
63
4.4
63
65
66
4.5
68
4.6
70
71
4.7
EXERCCIOS
73
AMPLIFICADORES DE POTNCIA
76
5.1
CLASSE A
76
5.2
CLASSE B
78
5.3
CLASSE AB
80
81
6.1
82
TRANSISTORES ESPECIAIS
83
7.1
JFET
POLARIZAO DE UM JFET
TRANSCONDUTNCIA
AMPLIFICADOR FONTE COMUM
AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL
AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE
83
83
87
88
89
89
7.2
MOSFET
MOSFET DE MODO DEPLEO
MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO
90
90
91
7.3
92
7.4
EXERCCIOS
93
REFERNCIA BIBLIOGRFICA
96
ELETRNICA
1.1
A ESTRUTURA DO TOMO
O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares: Eltrons, prtons
e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons
giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete
camadas. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente
ela que participa das reaes qumicas
Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de
tomos, diferenciados entre si pelo seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada
material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica o
comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos principais:
MATERIAIS ISOLANTES
So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da
corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seu tomos,
sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se
transformarem em eltrons livres.
Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas (borracha,
mica, baquelita, etc.).
MATERIAL SEMICONDUTOR
Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo temos
o germnio e silcio
ESTUDO DO SEMICONDUTORES
Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4 eltrons. Quando os
tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura cristalina, ou
seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura
ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio
de ligaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo
compartilhado com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes
compartilham os dois eltrons, ver Figura 1-1.
ELETRNICA
Figura 1-1
Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper a ligaes
covalentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com o aumento da temperatura
algumas ligaes covalentes recebem energia suficiente para se romperem, fazendo com
que os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no interior do
cristal, tornando-se eltrons livres.
Figura 1-2
Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia,
passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um
eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm
conhecida como buraco. As lacunas no tem existncia real, pois so apenas espaos
vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas.
Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem, simultaneamente um eltron e
uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma
lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao). Como tanto os
eltrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar
que o nmero de lacunas sempre igual a de eltrons livres.
Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os
eltrons livres se movem no sentido do maior potencial eltrico e as lacunas por
conseqncia se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltrons.
IMPUREZAS
Os cristais de silcio (ou germnio. Mas no vamos considera-lo, por simplicidade e
tambm porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so encontrados na
natureza misturados com outros elementos. Dado a dificuldade de se controlar as
ELETRNICA
IMPUREZA DOADORA
So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia. Ex.:
Fsforo e Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro
do cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um eltron fracamente
ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena energia suficiente para se tornar livre).
Figura 1-3
IMPUREZA ACEITADORA
So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro,
alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do
cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa que existe uma
lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.
Figura 1-4
Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou excesso de
lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:
SEMICONDUTOR TIPO N
O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo n, onde n
est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas
ELETRNICA
SEMICONDUTOR TIPO P
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo p, onde p
est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres
num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons
livres, portadores minoritrios.
1.2
DIODO
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um
dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.
Figura 1-5
Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas direes,
alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a
lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente. (um on
negativo)
Figura 1-6
Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions esto fixo
na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ions
aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta
regio de camada de depleo.
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a
continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo
aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A
diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de
potencial. A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.
O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:
Anodo
material tipo p
Catodo
material tipo n
ELETRNICA
POLARIZAO DO DIODO
Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades.
Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo
positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo em
contato com o material tipo n.
POLARIZAO DIRETA
No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para a
juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a
penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de
eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo.
POLARIZAO REVERSA
Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo no
material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada inversamente.
No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da
juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a
bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o
deslocamento de eltrons de uma camada para outra.
POLARIZAO DIRETA
Figura 1-7
Figura 1-8
Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no um
componente linear. A tenso no diodo uma funo do tipo:
U = RFI +
kT I
ln + 1
q IS
Eq. 1- 1
TENSO DE JOELHO
Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se
ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da
barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes
quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente
chamada de tenso de joelho. ( No Si aprox. 0,7V).
ELETRNICA
Figura 1-9
Figura 1-10
Figura 1-11
P = UI
Eq. 1- 2
ELETRNICA
10
RETA DE CARGA
UR US UD
=
RS
RS
Eq. 1- 3
I=
2 UD
= 0,01* U D + 20mA
100
Eq. 1- 4
11
ELETRNICA
Figura 1-13
(I=0A,U=2V) - Ponto de corte !Corrente mnima do circuito
(I=20mA,U=0V) - Ponto de saturao !Corrente mxima do circuito
(I=12mA,U=0,78V) - Ponto de operao ou quiescente!Representa a
corrente atravs do diodo e do resistor. Sobre o diodo existe uma
tenso de 0,78V.
1.3
Figura 1-14
ID =
VS VD
R
Eq. 1- 5
Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5 a
2,5V para correntes entre 10 e 50mA.
FOTODIODO
um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que sensvel a
luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente reversa
Num diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios. Esses
portadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns
eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas,
contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa
juno pn, ela injeta mais energia ao eltrons de valncia e com isto gera mais eltrons
livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente reversa num diodo.
1.4
12
ELETRNICA
APROXIMAES DO DIODO
ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva do diodo,
mas dependendo da aplicao pode-se fazer aproximaes para facilitar os clculos.
sentido direto
sentido reverso
U
Figura 1-15
2 APROXIMAO
Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0,7V para iniciar a conduzir.
I
0 7V
rb
sentido direto
sentido reverso
0,7V
rb
Figura 1-16
Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V.
3 APROXIMAO
Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.
13
ELETRNICA
I
0,7V
rb
sentido direto
sentido reverso
0,7V
rb
Figura 1-17
Obs.:. Ao longo do curso ser usada a 2 aproximao.
Exemplo 1-1 Utilizar a 2 aproximao para determinar a corrente
do diodo no circuito da Figura 1-18:
SOL.: O diodo est polarizado diretamente, portanto age como uma
chave fechada em srie com uma bateria.
ID = IRS =
URS U S UD 10 0,7
=
=
= 186
, mA
RS
RS
5k
RESISTNCIA CC DE UM DIODO
Figura 1-18
a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo. Pode-se considerar
dois casos:
RD - Resistncia cc no sentido direto
RR - Resistncia cc no sentido reverso
RESISTNCIA DIRETA
a resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o diodo. varivel,
pelo fato do diodo ter uma resistncia no linear.
Por exemplo, no diodo 1N914 se for aplicada uma tenso de 0,65V entre seus terminais
existir uma corrente I=10mA. Caso a tenso aplicada seja de 0,75V a corrente
correspondente ser de 30mA. Por ltimo se a tenso for de 0,85V a corrente ser de
50mA. Com isto pode-se calcular a resistncia direta para cada tenso aplicada:
RD1 = 0,65/10mA = 65
RD2 = 0,75/30mA = 25
RD3 = 0,85/50mA = 17
Nota-se que a resistncia cc diminu com o aumento da tenso
RESISTNCIA REVERSA
Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar uma tenso de -20V a corrente ser
de 25nA, enquanto uma tenso de -75V implica numa corrente de 5A. A resistncia
reversa ser de:
RS1 = 20/25nA = 800M
ELETRNICA
14
1.5
ONDA SENOIDAL
A onda senoidal um sinal eltrico bsico. Sinais mais complexos podem ser
representados por uma soma de sinais senoidais.
Figura 1-19
A equao que representa a curva da Figura 1-19 a seguinte:
U = UP sen
Eq. 1-6
onde:
U ! tenso instantnea
Up ! tenso de pico
Algumas maneiras de se referir aos valores da onda:
Valor de pico UP ! Valor mximo que a onda atinge
Valor de pico a pico ( UPP ) ! Diferena entre o mximo e mnimo que a onda
atinge Upp = Up - (- Up ) = 2 Up
Valor eficaz ( URMS) ( Root Mean Square)
O valor rms valor indicado pelo voltmetro quando na escala ca. O valor rms de
uma onda senoidal, definido como a tenso cc que produz a mesma
quantidade de calor que a onda senoidal. Pode-se mostrar que:
VRMS = 0,707 Up
Eq. 1-7
Valor mdio
O valor mdio quantidade indicada em um voltmetro quando na escala cc. O
valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque cada
valor da primeira metade do ciclo, tem um valor igual mas de sinal contrrio na
segunda metade do ciclo.
15
ELETRNICA
O TRANSFORMADOR
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores que 30VCC
enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de 127VRMS ou 220VRMS.
Logo preciso um componente para abaixar o valor desta tenso alternada. O
componente utilizado o transformador. O transformador a grosso modo constitudo
por duas bobinas (chamadas de enrolamentos). A energia passa de uma bobina para
outra atravs do fluxo magntico. Abaixo um exemplo de transformador:
Figura 1-20
A tenso de entrada U1 est conectada ao que se chama de enrolamento primrio e a
tenso de sada ao enrolamento secundrio.
No transformador ideal:
N2
U2
=
N1
U1
Eq. 1-8
Onde:
U1 tenso no primrio
U2 tenso no secundrio
N1 nmero de espiras no enrolamento primrio
N2 nmero de espiras no enrolamento secundrio
A corrente eltrica no transformados ideal :
I1 N2
=
I 2 N1
Eq. 1-9
Exemplo 1-2 Se a tenso de entrada for 115 VRMS, a corrente de sada de 1,5ARMS e a
relao de espiras 9:1. Qual a tenso no secundrio em valores de pico a pico? E a
corrente eltrica no primrio?
SOL.
N2
U2
U
1
=
! 2 =
! U2 = 12,8 VRMS
N1
U1
115
9
U2PP=12,8/0,707=18VPP
I1 N2
I
1
! 1 = !I1 = 0,167ARMS
=
I 2 N1
1,5 9
obs.: a potncia eltrica de entrada e de sada num transformador ideal so iguais.
P=U*I=115*0,167=12,8*1,5=19,2W
ELETRNICA
16
Figura 1-21
Considerando o diodo como ideal, as curvas so as mostrada na Figura 1-22. A sada do
secundrio tem dois ciclos de tenso: Um semiciclo positivo e um negativo. Durante o
semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e
pela lei das malhas toda a tenso do secundrio incide no resistor R. Durante o semiciclo
negativo o diodo est polarizado reversamente e no h corrente circulando no circuito.
Sem corrente eltrica circulando implica em no ter tenso sob o resistor e toda a tenso
do secundrio fica no diodo. Este circuito conhecido como retificador de meio ciclo
porque s o semiciclo positivo aproveitado na retificao.
Figura 1-22
O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao retificador,
podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e normalmente ele
chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga.
ELETRNICA
17
Eq. 1-10
Eq. 1-11
Figura 1-23
As duas tenses denominadas de U2/2 na Figura 1-23 so idnticas em amplitude e fase.
O transformador ideal pode ser, portanto, substitudo por duas fontes de tenso idnticas,
como mostra a Figura 1-23 direita, sem alterao no funcionamento eltrico da rede.
Quando U2/2 positiva, D1 est diretamente polarizado e conduz mas D2 est
reversamente polarizado e cortado. Analogamente, quando U2/2 negativa, D2 conduz e
D1 cortado.
Considerando os dois diodos ideais, temos a curva de tenso sobre o resistor de carga
mostrada na Figura 1-24.
Eq. 1-12
Eq. 1-13
FREQNCIA DE SADA
A freqncia de sada de onda completa o dobro da freqncia de entrada, pois a
definio de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo quando ela
ELETRNICA
18
comea a repeti-lo. Na Figura 1-24, a forma de onda retificada comea a repetio aps
um semiciclo da tenso do secundrio. Supondo que a tenso de entrada tenha uma
freqncia de 60Hz, a onda retificada ter uma freqncia de 120Hz e um perodo de
8,33ms.
Figura 1-24
19
ELETRNICA
Figura 1-25
A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Portanto a tenso
UR sempre positiva. Na Figura 1-26 mostrado as formas de ondas sobre o resistor de
carga e os diodos, considerando os diodos ideais.
Na Tabela 1-1 feito uma comparao entre os trs tipos de retificadores. Para diodos
ideais.
Tabela 1-1
MEIA ONDA
ONDA COMPLETA
PONTE
N. de Diodos
UP
0,5UP
UP
0,318 UP
0,318 UP
0,636 UP
UP
UP
UP
Freqncia de Sada
fent
2 fent
2 fent
0,45 UP
0,45 UP
0,9 UP
Tenso cc de Sada
ELETRNICA
20
Figura 1-26
1.6
CAPACITOR
Componente eletrnico, constitudo por duas placas condutoras, separadas
material isolante.
por um
Ao ligar uma bateria com um capacitor descarregado, haver uma distribuio de cargas
e aps um certo tempo as tenses na bateria e no capacitor sero as mesmas. E deixa
de circular corrente eltrica.
21
ELETRNICA
C=
.S
d
Eq. 1-15
onde:
= constante dieltrica (F/m)
S = rea de uma das placas (so iguais) (m2)
d = Espessura do dieltrico em metro (m)
C = Capacitncia em Farads (F)
em geral se usa submultiplos do Farad: F, nF, pF
cermica
mica
eletroltico
tntalo
ELETRNICA
22
Eq. 1-16
VR=U*e-t/
Eq. 1-17
ELETRNICA
23
1.7
ELETRNICA
24
Figura 1-27
Figura 1-28
Logo aps o pico positivo, o diodo pra de conduzir, o que significa uma chave aberta.
Isto devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico UP. Como a tenso no
secundrio ligeiramente menor que UP, o diodo fica reversamente polarizado e no
conduz. Com o diodo aberto, o capacitor se descarrega por meio do resistor de carga. A
idia do filtro a de que o tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o
perodo do sinal de entrada. Com isso, o capacitor perder somente uma pequena parte
de sua carga durante o tempo que o diodo estiver em corte.
O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio iniciar a subir
e seja igual a tenso no capacitor. Ele conduzir deste ponto at a tenso no secundrio
atingir o valor de pico UP. O intervalo de conduo do diodo chamado de ngulo de
conduo do diodo. Durante o ngulo de conduo do diodo, o capacitor carregado
novamente at UP . Nos retificadores sem filtro cada diodo tem um ngulo de conduo
de 180.
ELETRNICA
25
Na Figura 1-28 mostrada na tenso sob a carga. A tenso na carga agora uma
tenso cc mais estvel. A diferena para uma tenso cc pura uma pequena ondulao
(Ripple) causada pela carga e descarga do capacitor. Naturalmente, quanto menor a
ondulao, melhor. Uma forma de reduzir a ondulao aumentar a constante de tempo
de descarga (R.C). Na prtica aumentar o valor do capacitor. Outra forma de reduzir a
ondulao optar pelo uso de um retificador de onda completa, no qual a freqncia de
ondulao o dobro do meia onda. Neste caso carregado duas vezes a cada ciclo da
tenso de entrada e descarrega-se s durante a metade do tempo de um meia onda.
Pode-se relacionar a tenso de ondulao na seguinte frmula:
U OND =
I
fC
Eq. 1-18
onde:
UOND = tenso de ondulao pico a pico
I = corrente cc na carga
f = freqncia de ondulao
C = capacitncia
A escolha de um capacitor de filtro, depende, ento, do valor da tenso de ondulao.
Quanto menor, melhor. Mas no vivel que a tenso de ondulao seja zero. Como
regra de projeto, o habitual escolher a tenso de ondulao como sendo 10% da tenso
de pico do sinal a ser retificado.
I SURTO =
UP
R ENROLAMENTO + R DIODO
Eq. 1-19
1.8
ELETRNICA
26
DIODO ZENER
O diodo zener um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de ruptura.
Abaixo mostrado a curva caracterstica do diodo zener e sua simbologia.
O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente. Mas
ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a tenso
de ruptura.
A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel (tenso de ruptura).
Normalmente ele est polarizado reversamente e em srie com um resistor limitador de
corrente. Graficamente possvel obter a corrente eltrica sob o zener com o uso de reta
de carga.
ELETRNICA
27
SEGUNDA APROXIMAO
Uma Segunda aproximao considera-lo como ideal mas que a partir da tenso de
ruptura exista uma resistncia interna.
I ZMXIMA =
400mW
= 33,33mA
12V
ELETRNICA
28
Tenso na carga
enquanto o diodo cortado
RL
* VS
RS + RL
VRL =
Eq. 1-20
Eq. 1- 21
IS =
VS VZ
RS
Eq. 1- 22
sob RL
IL=VZ/RL
Eq. 1- 23
Eq. 1- 24
sob o zener
IS=IZ+IL
IZ=IS - IL
VL =
RZ
* VS
RS
Eq. 1- 25
VS - variao de entrada
RZ - resistncia do zener
RS - resistncia da entrada
VSMIN VZ
I LMAX + I ZMIN
Eq. 1- 25
RS >
29
ELETRNICA
VSMAX VZ
I LMIN + I ZMAX
Eq. 1- 26
garante que sob o zener no circule uma corrente maior que IZMAX
Exemplo 1-4: Um regulador zener tem uma tenso de entrada de 15V a 20V e a corrente
de carga de 5 a 20mA. Se o zener tem VZ=6,8V e IZMAX=40mA, qual o valor de RS?
SOL.:
RS <(15-6,8)/(20m+4m)=342 e RS> (20-6,8)/(5m+40m)=293 293<RS <342
1.9
ELETRNICA
LIMITADORES
30
ELETRNICA
31
LIMITADOR POLARIZADO
ASSOCIAO DE LIMITADORES
Este circuito chamado grampo de diodo, porque ele mantm o sinal num nvel fixo.
ELETRNICA
32
GRAMPEADOR CC
O grampeador cc soma uma tenso cc ao sinal (no confundir com grampo de diodo).
Por exemplo, se o sinal que chega oscila de -10V a +10V, um grampeador cc positivo
produziria uma sada que idealmente oscila de 0 a +20V (um grampeador negativo
produziria uma sada entre 0 e -20V).
1.10
EXERCCIOS
Ex. 1-1)Num dado circuito, quando um diodo est polarizado diretamente, sua corrente
de 50mA. Quando polarizado reversamente, a corrente cai para 20nA. Qual a razo entre
a corrente direta e a reversa?
Ex. 1-2)Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta se a tenso
de diodo for de 0,7V e a corrente de 100mA?
Ex. 1-3)Faa o grfico I*V de um resistor de 2k. marque o ponto
onde a corrente de 4mA.
Ex. 1-4)Suponha VS=5V e que a tenso atravs do diodo seja 5V.
O diodo est aberto ou em curto?
Ex. 1-5)Alguma faz com que R fique em curto no circuito ao lado.
Qual ser a tenso do diodo? O que acontecer ao diodo?
Ex. 1-6)Voc mede 0V atravs do diodo do circuito ao lado. A seguir voc testa a tenso
da fonte, e ela indica uma leitura de +5V com relao ao terra (-). O que h de errado
com o circuito?
33
ELETRNICA
I
(mA)
100
50
.5
1.5
2.5
3,5 V
Ex. 1-7)Uma fonte de tenso de 2,5V leva o diodo a Ter um resistor limitador de corrente
de 25. Se o diodo tiver a caracterstica I*V abaixo, qual a corrente na extremidade
superior da linha de carga: a tenso na extremidade mais baixa da linha de carga? Quais
os valores aproximados da tenso e da corrente no ponto Q?
Ex. 1-8)Repita o exerccio anterior para uma resistncia de 50. Descreva o que
acontece com a linha de carga.
Ex. 1-9)Repita o Ex. 1-7 para uma fonte de tenso de 1,5V. o que acontece com a linha
de carga?
Ex. 1-10)Um diodo de silcio tem uma corrente direta de 50mA em 1V. Utilize a terceira
aproximao para calcular sua resistncia de corpo.
Ex. 1-11)A tenso da fonte de 9V e da resistncia da fonte de 1k. Calcule a corrente
atravs do diodo
Vruptura
IMX
34
ELETRNICA
1N914
75V
200mA
1N4001
50V
1A
1N1185
120V
35A
15v fonte
carga
12V
mica=5xar
Vidro=7,5xar
cermica=7500xar
ELETRNICA
35
Ex. 1-24)Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada, tem uma
tenso de pico na sada de 25V. Se a resistncia de carga for de 220 e a capacitncia
de 500F, qual a ondulao de pico a pico (Ripple)?
Ex. 1-25)A figura abaixo mostra uma fonte de alimentao dividida. Devido derivao
central aterrada, as tenses de sada so iguais e com polaridade oposta. Quais as
tenses de sada para uma tenso do secundrio de 17,7Vac e C=500F? Qual a
ondulao de pico a pico? Quais as especificaes mnima de ID e VZ ? qual a
polaridade de C1 e C2?
Ex. 1-26)Voc mede 24Vac atravs dos secundrio da figura abaixo. Em seguida voc
mede 21,6Vac atravs do resistor de carga. Sugira alguns problemas possveis.
Ex. 1-27)Voc est construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor de
entrada. As especificaes so uma tenso de carga de 15V e uma ondulao de 1V
para uma resistncia de carga de 680. Qual a tenso em rms no enrolamento do
secundrio? Qual deve ser o valor do capacitor de filtro?
Ex. 1-28)A fonte de alimentao dividida da figura 1 tem uma tenso do secundrio de
25Vac. Escolha os capacitores de filtro, utilizando a regra dos 10 por cento para a
ondulao.
ELETRNICA
36
Ex. 1-29)A tenso do secundrio na figura abaixo de 25Vac. Com a chave na posio
mostrada, qual a tenso de sada ideal? Com a chave na posio mais alta, qual a tenso
de sada ideal?
Ex. 1-30)O ampermetro da figura abaixo tem uma resistncia de medidor de 2k e uma
corrente para fundo de escala de 50A. Qual a tenso atravs desse ampermetro
quando ele indicar fundo de escala? Os diodos s vezes so ligados em derivao
(Shunted) atravs do ampermetro, como mostra a figura 4. Se o ampermetro estiver
ligado em srie com um circuito, os diodos podem ser de grande utilidade. Para que voc
acha que eles podem servir?
Ex. 1-31)Dois reguladores zener esto ligados em cascata. O primeiro tem um Rs=680
e um Rz=10. O segundo tem um Rs=1,2k e Rz=6. Se o Ripple da fonte for de 9V de
pico a pico, qual Ripple na sada?
Ex. 1-32)Na figura abaixo, o 1N1594 tem uma tenso de zener de 12V e uma resistncia
zener de 1,4. Se voc medir aproximadamente 20V para a tenso de carga, que
componente voc sugere que est com defeito? Explique por qu?
ELETRNICA
37
Ex. 1-35)No exerccio anterior qual a tenso na carga para cada uma das condies
abaixo:
diodo zener em curto
diodo zener aberto
resistor em srie aberto
resistor de carga em curto
O que ocorre com VL e com o diodo zener se o resistor em srie estiver em curto?
Ex. 1-36)Qual o sinal de sada?
Ex. 1-38)Um regulador zener tem Vz = 15V e Izmax=100mA. VS pode variar de 22 a 40V. RL
pode variar de 1k a 50k. Qual o maior valor que a resistncia srie pode assumir?
Ex. 1-39)Um diodo zener tem uma resistncia interna de 5. Se a corrente variar de 10 a
20mA, qual a variao de tenso atravs do zener?
Ex. 1-40)Uma variao de corrente de 2mA atravs do diodo zener produz uma variao
de tenso de 15mV. Qual o valor da resistncia?
Ex. 1-41)Qual o valor mnimo de RS para o diodo no queimar (VZ=15V e PZMAX=0,5W)?
ELETRNICA
38
Ex. 1-42)no exerccio anterior, se RS= 2k, qual a corrente sobre o zener, e qual a
potncia dissipada no zener?
Ex. 1-43)Qual o valor de Iz para RL= 100k, 10k e 1k?
Ex. 1-44)No exerccio anterior suponha que a fonte tenha um Ripple de 4V. Se a
resistncia zener for de 10, qual o Ripple de sada?
Ex. 1-45)Dois reguladores zener esto ligados em cascata. O primeiro tem uma
resistncia em srie de 680 e um Rz=6. O segundo tem uma resistncia srie de 1k2
e Rz=6. Se a ondulao da fonte for 9V de pico a pico, qual a ondulao na sada?
ELETRNICA
39
TRANSISTOR BIPOLAR
Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muitos fracos, como
por exemplo, as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o sinal de sada de
uma cabea de gravao, etc., e para transforma-los em sinais teis torna-se necessrio
amplifica-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nesta tarefa. Em
1951, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no
diodo de juno, como uma alternativa em relao as vlvulas, para realizar as funes
de amplificao, deteco, oscilao, comutao, etc. A partir da o desenvolvimento da
eletrnica foi imenso.
Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com semelhanas ao diodo
estudado anteriormente, com a diferena de o transistor ser formado por duas junes
pn, enquanto o diodo por apenas uma juno.
2.1
Figura 2-1
Cada um dos trs cristais que compe o transistor bipolar recebe o nome relativo a sua
funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outros dois
cristais, levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade recebe o nome de
emissor por emitir portadores de carga, fortemente dopado e finalmente o ltimo cristal
tem o nome de coletor por receber os portadores de carga, tem uma dopagem mdia.
Apesar de na Figura 2-1 no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem entre si
no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor a base, e
outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois
diodos. O diodo da esquerda comumente designado diodo emissor - base (ou s
emissor) e o da direita de coletor - base (ou s coletor).
Ser analisado o funcionamento do transistor npn. A anlise do transistor pnp similar ao
do npn, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so lacunas
em vez dos eltrons livres. Na prtica isto significa tenses e correntes invertidas se
comparadas com o npn.
ELETRNICA
40
TRANSISTOR NO POLARIZADO
Figura 2-2
A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. Cada
camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25C.
Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tem
larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco
na regio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor. A
Figura 2-3
ELETRNICA
41
Figura 2-4
Figura 2-5
No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltrons do
emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (VBE)
for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. Estes
eltrons na base podem retornar ao plo negativo da bateria B1, ou atravessar a juno
do coletor passando a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a
bateria B1 so chamados de corrente de recombinao. Ela pequena porque a base
pouco dopada.
Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno basecoletor. Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores
majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres.
Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo penetram na regio de coletor.
L os eltrons livres so atrados para o plo positivo da bateria B2.
Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetado uma alta corrente em
direo a base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao
plo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo
positivo da bateria B2. Ver Figura 2-6.
Obs. Considerar a tenso coletor - base (VCB) bem maior que a tenso emissor - base
(VBE).
ELETRNICA
42
Figura 2-6
TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso significa
que as lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres.
O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte
dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual
a do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes.
Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp.
Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e
capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo npn.
Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados so sempre os com
transistores npn.
AS CORRENTES NO TRANSISTOR
Figura 2-7
A Figura 2-7
Figura 2-7 mostra o smbolo esquemtico para um transistor pnp e npn. A diferenciao a
nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo da seta
mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido das
correntes convencionais IB , IC e IE .
A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num n igual a
soma das que saem. Ento:
IE = IC + IB
Eq. 2- 1
ELETRNICA
CC =
IC
IB
43
Eq. 2- 2
Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de
emissor praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro cc de um transistor
indica a relao entre a corrente de emissor e coletor:
CC =
IC
IE
Eq. 2- 3
Eq. 2- 4
VS = R S I B + VBE
Eq. 2- 5
VCC = I C R C + VCE
Eq. 2- 6
ELETRNICA
44
Figura 2-8
Figura 2-9
Figura 2-10
ELETRNICA
45
A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem
e o joelho. A parte plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do VCE
no influencia no valor de IC. IC mantm-se constante e igual a IB CC. A parte final a
regio de ruptura e deve ser evitada.
Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se o
funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia
hmica entre o coletor e emissor. Na saturao no possvel manter a relao IC=IB CC.
Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa, necessrio uma polarizao
reversa do diodo coletor. Como VBE na regio ativa em torno de 0,7V, isto requer um
VCE maior que 1V.
A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quando IB =0 (eqivale ao
terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada
por ICEO (corrente de coletor para emissor com base aberta). Esta corrente muito
pequena, quase zero. Em geral se considera: Se IB=0 !IC =0.
O grfico da Figura 2-10, mostra a curva IC x VCE para um dado IB. Habitualmente o
grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs. Um exemplo est na
Figura 2-11.
Notar no grfico que para um dado valor de VCE existem diversas possibilidades de
valores para IC. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de IB. Ento para cada IB
h uma curva relacionando IC e VCE.
No grfico de exemplo, a tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio ativa para
um IB=40A tem-se que o CC=IC/IB = 8mA/40A=200. Mesmo para outros valores de IB, o
CC se mantm constante na regio ativa.
Na realidade o CC no constante na regio ativa, ele varia com a temperatura ambiente
e mesmo com IC. A variao de CC pode ser da ordem de 3:1 ao longo da regio ativa do
transistor. Na Figura 2-12 mostrado um exemplo de variao de CC.
Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores. Sendo
a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), designa-se os
circuitos com transistores na regio ativa de circuitos lineares. As regies de corte e
saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de base, so amplamente
usados em circuitos digitais.
Figura 2-11
ELETRNICA
46
Figura 2-12
O MODELO DE EBERS-MOLL
Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se dificuldade em trabalhar com
o transistor a nvel de malhas. Uma opo a de se criar um circuito equivalente para o
transistor usando componentes mais simples como fonte ou resistor.
O modelo de Ebers-Moll um circuito equivalente do transistor levando em considerao
que ele esteja trabalhando na regio ativa, ou seja: o diodo emissor deve estar polarizado
diretamente; o diodo coletor deve estar polarizado reversamente e a tenso do diodo
coletor deve ser menor do que a tenso de ruptura. Veja Figura 2-13.
O modelo faz algumas simplificaes:
1. VBE =0,7V
2. IC=IE
!IB=IE/ !CC
47
ELETRNICA
POLARIZAO DE TRANSISTORES
Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funes e os transistores para
cada funo tem um ponto de funcionamento correto. Este captulo estuda como
estabelecer o ponto de operao ou quiescente de um transistor. Isto , como polariza-lo.
3.1
RETA DE CARGA
A Figura 3-1 mostra um circuito com polarizao de base. O problema consiste em saber
os valores de correntes e tenses nos diversos componentes. Uma opo o uso da reta
de carga.
Figura 3-1
a conceito de reta de carga estudado no captulo sobre diodos, tambm se aplica a
transistores. usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE
considerando a existncia de um RC. A anlise da malha esquerda fornece a corrente IC:
IC = (VCC - VCE )/ RC
Eq. 3- 1
Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE. A soluo deste impasse utilizar o
grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta Calcular os extremos da reta de carga:
VCE = 0 !IC = VCC / RC ponto superior
Eq. 3- 2
Eq. 3- 3
A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE.
Exemplo 3-1 No circuito da Figura 3-1 suponha RB= 500 Construa a linha de carga no
grfico da Figura 3-2 e mea IC e VCE de operao.
SOL.: Os dois pontos da reta de carga so:
VCE = 0 !IC = VCC / RC (15 )/1k5 = 10mA ponto superior
IC = 0 !VCE = VCC = 15V ponto inferior
O corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB:
ELETRNICA
IB =
48
15 0,7
= 29A
500K
Figura 3-2
Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e
VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q- ponto quiescente).
O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a
regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. Ver Figura
3-3
O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido como corte. Nesse
ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (ICEO ).
A interseo da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) chamada saturao. Nesse ponto a
corrente de coletor mxima.
Figura 3-3
3.2
ELETRNICA
49
CORRENTE DE BASE
A corrente de base controla a posio da chave. Se IB for zero, a corrente de coletor
prxima de zero e o transistor est em corte. Se IB for IB(SAT) ou maior, a corrente de
coletor mxima e o transistor satura.
Saturao fraca significa que o transistor est levemente saturado, isto , a corrente de
base apenas suficiente para operar o transistor na extremidade superior da reta de
carga. No aconselhvel a produo em massa de saturao fraca devido variao
de CC e em IB(SAT).
Saturao forte significa dispor de corrente da base suficiente para saturar o transistor
para todas as variaes de valores de CC. No pior caso de temperatura e corrente, a
maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal tem um CC maior do que 10.
Portanto, uma boa orientao de projeto para a saturao forte de considerar um
CC(SAT)=10, ou seja, dispor de uma corrente de base que seja de aproximadamente um
dcimo do valor saturado da corrente de coletor.
Exemplo 3-2 A Figura 3-4 mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado
por uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada?
SOL.: Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste caso, ele se
comporta como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de coletor, a tenso de
sada iguala-se a +5V.
Figura 3-4
Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de base ser:
IB =
5 0,7
= 1,43mA
3K
ELETRNICA
I C (SAT ) =
50
5
= 15,2mA
330
3.3
Figura 3-5
A soma das tenses da malha de entrada da :
VBE + IE RE - VS = 0
logo, IE
IE =
VS VBE
RE
51
ELETRNICA
3.4
Figura 3-6
VR 2 =
R2
VCC
R1 + R 2
Eq. 3- 4
Figura 3-7
VR 2 = VBE + VE
Eq. 3- 5
VR 2 VBE
RE
Eq. 3- 6
como VE = IE RE
IE =
Anlise da malha de sada:
VCC = R C I C + VCE + R E I E
considerando IE = IC
52
ELETRNICA
VCC = I C (R C + R E ) + VCE
IC =
Eq. 3- 7
VCC VCE
R C + RE
Eq. 3- 8
Notar que CC no aparece na frmula para a corrente de coletor. Isto quer dizer que o
circuito imune a variaes em CC, o que implica um ponto de operao estvel. Por
isso a polarizao por divisor de tenso amplamente utilizada.
Exemplo 3-4 Encontre o VB, VE, VCE e IE para o circuito da Figura 3-8.
SOL.: Clculo de VR2 a partir da Eq. 3-4
VB = VR 2 =
1K
30 = 3,85V
6K8 + 1K
IE =
3,85 0,7
= 4,2mA
750
clculo de VE
VE = IE RE = 4,2m*750= 3,15V
clculo de VCE a partir da Eq. 3-7
VCE = 30- 4,2m*(3k+750)=14,3V
REGRAS DE PROJETO
Sempre ao polarizar um transistor, deseja-se manter o ponto Q de
operao fixo independente de outros parmetros externos. ou seja,
espera-se um divisor de tenso estabilizado. Para minimizar o efeito
do CC, considerar:
R 2 0,01 CC R E
Eq. 3- 9
R 2 0,1 CC R E
Eq. 3- 10
Eq. 3- 11
ELETRNICA
53
RC =
10 5
100 = 400
10m
VR 2 =
R2
1000
VCC = 1,0 + 0,7 =
* 10
R1 + R 2
1000 + R 1
R1 = 4888=4k7
3.5
EXERCCIOS
Ex. 3-1) No circuito da figura abaixo, encontre as tenses VE e VCE de cada estgio.
Ex. 3-2) Projete um circuito de polarizao por divisor de tenso com as seguintes
especificaes: VCC = 20V, IC = 5mA, 80< CC < 400.
Considere VE = 0,1 VCC e VCE = VCC /2
Ex. 3-3) O transistor da figura abaixo tem um CC =80.
Qual a tenso entre o coletor e o terra?
Desenhe a linha de carga.
Para CC = 125, calcule a tenso na base, a tenso no emissor e a tenso de
coletor.
54
ELETRNICA
Ex. 3-4) Qual a tenso do emissor e do coletor (os dois em relao ao terra) para cada
estgio do circuito abaixo, sendo VCC = 10V.
Ex. 3-5) No exerccio anterior, suponha VCC = 20V e calcule de cada estgio: VB, VE, VC e
IC .
Ex. 3-6) Ainda em relao ao exerccio 4. Considere VCC =20V.
Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera) se:
1k8 aberto
coletor emissor do Q1 em curto
240 aberto
240 em curto
300 em curto
1k aberto
910 aberto
Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera) se:
1k aberto
180 aberto
620 aberto
coletor emissor de Q3 em curto
150 aberto
1k em curto
180 em curto
620 em curto
coletor emissor de Q3 aberto
150 em curto
ELETRNICA
AMPLIFICADORES DE SINAL
4.1
55
No captulo anterior foi estudado a polarizao dos transistores. Neste captulo considerase os transistores devidamente polarizados com seus pontos de operao prximos a
meio da reta de carga para uma mxima excurso do sinal de entrada sem distoro.
Ao injetar um pequeno sinal ca base do transistor, ele se somara a tenses cc de
polarizao e induzir flutuaes na corrente de coletor de mesma forma e freqncia.
Ele ser chamado de amplificador linear
(ou de alta-fidelidade - Hi-Fi) se no
mudar a forma do sinal na sada. Desde
que a amplitude do sinal de entrada seja
pequena, o transistor usar somente
uma pequena parte da reta de carga e a
operao ser linear. Por outro lado se o
sinal de entrada for muito grande, as
flutuaes ao longo da reta de carga
levaro o transistor saturao e ao
corte
Um circuito amplificador mostrado na
Figura 4-2. A polarizao por divisor de
Figura 4-1
tenso. A entrada do sinal acoplada
base do transistor via o capacitor C1 e a
sada do sinal acoplada carga RL atravs do capacitor C2. O capacitor funciona como
uma chave aberta para corrente cc e como chave fechada para a corrente alternada. Esta
ao permite obter um sinal ca de uma estgio para outro sem perturbar a polarizao cc
de cada estgio.
Figura 4-2
56
ELETRNICA
CAPACITOR DE ACOPLAMENTO
O capacitor de acoplamento faz a passagem de um
sinal ca de um ponto a outro, sem perda
significativa do sinal. Por exemplo na Figura 4-3 a
tenso ca no ponto A transmitida ao ponto B.
Para no haver atenuao aprecivel do sinal, a
capacitncia reativa XC, comparada com a
resistncia em srie (RTH e RL ), precisa ser bem
menor.
Quanto menor a reatncia capacitiva, melhor ser
o acoplamento, naturalmente no possvel uma
reatncia nula. Se a reatncia for no mximo 10%
da resistncia total tem-se um acoplamento
estabilizado. A frmula da reatncia capacitiva :
XC =
1
2fC
Figura 4-3
Eq. 4- 1
1
0,2f MENOR R
Eq. 4- 2
1
= 79,9F ! A capacitncia deve ser igual ou maior que 79,9F
0,2 * * 20 * 1000
CAPACITOR DE DESVIO
Um capacitor de desvio semelhante a um capacitor
de acoplamento, exceto que ele acopla um ponto
qualquer a um ponto aterrado, como mostra a Figura 44. O capacitor funciona idealmente como um curto para
um sinal ca. O ponto A est em curto com o terra no
que se refere ao sinal ca. O ponto A designado de terra
ca. Um capacitor de desvio no perturba a tenso cc no
ponto A porque ele fica aberto para corrente cc.
O capacitor C3 da Figura 4-2 um exemplo de
capacitor de desvio. A sua funo no circuito a de
aterrar o emissor para sinais ca e no interferir na
polarizao cc.
Figura 4-4
ELETRNICA
57
EQUIVALENTE CC
Anlise do circuito considerando a fonte VCC e desprezando a fonte VS. Somente
correntes cc atuam neste caso e, portanto, os capacitores so desprezados. Seqncia:
Reduzir a fonte ca a zero (considerar a fonte VS em curto).
Abrir todos os capacitores.
A Figura 4-5 mostra o circuito equivalente cc.
Figura 4-5
EQUIVALENTE CA
Anlise do circuito considerando a fonte VS e desprezando a fonte VCC. Somente
correntes ca atuam neste caso e, portanto, os capacitores so considerados em curto.
Seqncia:
Reduzir a fonte cc a zero (considerar a fonte VCC em curto).
Todos os capacitores em curto.
A Figura 4-6 mostra o circuito equivalente ca.
ELETRNICA
58
Figura 4-6
A corrente total em qualquer ramo a soma das correntes cc e ca. Igualmente a tenso
total em qualquer ponto soma das tenses cc e ca.
NOTAO
A partir daqui, conveniente distinguir os sinais contnuos dos alternados. Para isto as
variveis com suas letras e ndices passam a ter a seguinte conveno:
letra e ndices maisculos para as quantidades cc.! IC, VE, VCC.
Letras e ndices minsculos para as quantidades ca.! ic, ve, vs.
Sinal negativo para indicar tenses ou correntes senoidais 180 fora de fase. Figura 4-7
Figura 4-7
ELETRNICA
59
Figura 4-8
Um sinal considerado pequeno quando a oscilao de pico a pico na corrente do
emissor (ie) for menor do que 10% do valor da corrente quiescente do emissor (IE ).
Se o sinal for pequeno, os picos A e B sero prximos de Q, e o funcionamento
aproximadamente linear. O arco A e B quase uma linha reta. Logo, o diodo emissor
para pequenos sinais ca se apresenta como uma resistncia, chamada de resistncia ca
do emissor e pela lei de Ohm:
re' =
VBE
I E
Eq. 4- 3
onde:
re = resistncia ca do emissor
VBE pequena variao na tenso de base-emissor
IE variao correspondente na corrente do emissor.
VBE e IE, na verdade so, respectivamente, uma tenso e uma corrente alternada.
Rescrevendo:
re' =
v be
ie
Eq. 4- 4
60
ELETRNICA
Figura 4-9
Uma outra maneira de se conseguir o valore de re atravs da seguinte frmula:
re =
25mV
IE
Eq. 4- 5
I C i c
=
I B i b
Eq. 4- 6
4.2
ELETRNICA
Figura 4-10
Figura 4-11
61
ELETRNICA
62
Figura 4-12
GANHO D E TENSO
O ganho de tenso :
AV =
v sada
v entrada
Eq. 4- 7
Figura 4-13
A Figura 4-13 mostra o circuito equivalente ca para amplificador da Figura 4-11, o resistor
do coletor RC e R1 tem um dos lados aterrado, porque a fonte de tenso VCC aparece
como um curto em ca. Por causa do circuito paralelo na entrada, a tenso vs aparece
diretamente sobre diodo emissor. Na Figura 4-14 o mesmo circuito ao considerar o
modelo Ebers-Moll.
A tenso de entrada aparece com uma polaridade mais - menos para indicar o semiciclo
positivo. A lei de Ohm aplicada em re:
ie =
vs
re'
Eq. 4- 8
63
ELETRNICA
Figura 4-14
na Figura 4-14, a malha do lado direito tem dois resistores em paralelo RC e RL. O resistor
equivalente :
rC = RL // RC
na malha do lado direito a tenso de sada a tenso sobre o resistor equivalente rC.
v sada = i c rC
Eq. 4- 9
ento o ganho
AV =
v sada
i r
= c 'C
v entrada
i e re
Eq. 4- 10
AV =
4.3
rC
re'
Eq. 4- 11
REALIMENTAO
Quando uma parte do sinal de sada de um circuito aplicado de volta entrada do
mesmo, dizemos que houve uma realimentao no circuito. Quando o sinal aplicado
novamente entrada do circuito possui a mesma fase que o sinal existente na entrada,
este processo designado como realimentao positiva. Por outro lado, se o sinal
reaplicado na entrada tiver fase oposta ao sinal j existente na entrada, o nome dado
realimentao negativa.
A realimentao negativa mais aplicada nos amplificadores e, a realimentao positiva,
na maioria dos circuitos osciladores.
A realimentao negativa em amplificadores tem como desvantagem a diminuio do
ganho, dado que ela subtrai parcialmente a tenso de entrada. A sua grande vantagem
estabilizao do circuito. O prximo item analisa um circuito com realimentao negativa,
observando a questo do ganho e da estabilidade.
4.4
64
ELETRNICA
Figura 4-15
v s = v be + v R E1
re
ou
v be = v s v R E1
Quando a tenso de entrada aumenta, a tenso no
emissor aumenta. Isso implica que a tenso de
realimentao est em fase com a tenso ca de
entrada. Como resultado, a tenso ca no diodo
emissor menor que antes. A realimentao
negativa porque a tenso de realimentao diminui a
tenso ca no diodo emissor e portanto a corrente ie.
Figura 4-16
65
ELETRNICA
ie =
vs
r + R E1
'
e
v sada = i c rC
considerando ic=ie
AV =
v sada
i r
r
= c 'C = ' C
v entrada
i e re
re + R E1
Eq. 4- 12
Em geral o valor de RE1 bem maior que o de re e o ganho de tenso passa a no ser
influenciado pelas variaes de re. Em contrapartida, quanto maior o RE1 menor ser o
ganho de tenso. Em suma, existe um compromisso entre a estabilidade do ganho de
tenso e o valor do ganho.
IMPEDNCIA DE ENTRADA
No circuito da Figura 4-15 a tenso de entrada aplicada diretamente na base do
transistor. No entanto, na maioria das aplicaes a fonte vs tem uma resistncia em srie
como mostrado na Figura 4-17.
Figura 4-17
Para uma anlise mais detalhada do
comportamento ca, deve-se primeiro criar o
equivalente ca como mostrado na Figura 4-18.
No circuito equivalente, pode-se ver um divisor
de tenso do lado da entrada do transistor. Isso
significa que a tenso ca na base ser menor
que a tenso vs.
O divisor de tenso formado pelo resistor RS e
os resistores R1 //R2. Mas como na base do
transistor entra uma corrente ib, ela deve ser
considerada. A resistncia ca vista da base
conhecida como impedncia de entrada da
base. Abaixo de 100kHz basta considerar os
Figura 4-18
66
ELETRNICA
z base =
vb
ib
Eq. 4- 13
Figura 4-19
atravs do circuito possvel saber o valor vb em funo de re.
vb=iere
e a partir da Eq. 4-13:
z base =
v b i e re' i b re'
=
=
= re'
ib
ib
ib
Eq. 4- 14
Eq. 4- 15
vb =
z ent
vs
R S + z ent
Eq. 4- 16
z base = (re' + R E1 )
Eq. 4- 17
ESTGIOS EM CASCATA
Para obter um maior ganho de tenso na sada de um amplificador, usual conectar dois
ou mais estgios em srie, como mostra a Figura 4-20. Este circuito chamado de
estgios em cascata, porque conecta a sada do primeiro transistor base do seguinte.
Abaixo uma seqncia de valores a serem calculados para anlise de um amplificador de
dois estgios:
1. a impedncia de entrada do 2 estgio.
2. A resistncia ca do coletor do 1 estgio.
67
ELETRNICA
Figura 4-20
A polarizao cc analisada individualmente, os
capacitores de acoplamento isolam os dois estgios
entre si e tambm da entrada vs e sada RL (o
resistor de carga pode, por exemplo, estar
representando um terceiro estgio).
Os dois estgios so idnticos para polarizao cc.
VB= 1,8V VE= 1,1V IE= 1,1mA VC= 6,04V
Figura 4-21
ELETRNICA
68
AV=-783/22,7=-34,5
O primeiro e segundo estgios tem a mesma impedncia de entrada
vb =
1k
* 1m = 0,625mVpp
1k + 600
Figura 4-22
Por causa do capacitor de acoplamento entre os dois estgios, a tenso ca na base do
segundo igual a -21,6mVpp. O segundo estgio tem um ganho de tenso de
AV=-2,65k/22,7=-117
por fim, a tenso de sada
vsada=-117*-21,6=2,53Vpp.
4.5
Eq. 4- 18
IE =
VEE VBE
RE
Eq. 4- 19
69
ELETRNICA
z ent re'
Eq. 4- 20
v sada = i c R C
Eq. 4- 21
a tenso de sada
v ent = i e re'
O ganho de tenso
AV =
icR C
i e re'
Eq. 4- 22
z sada = R C
Eq. 4- 23
Uma das razes para o no uso do amplificador BC quanto o EC sua baixa impedncia
de entrada. A fonte ca que aciona o amplificador BC v como impedncia de entrada
z entrada = re'
Eq. 4- 24
Figura 4-23
A impedncia de entrada de um amplificador BC to baixa que ela sobrecarrega quase
todas as fontes de sinais. Por isso, um amplificador BC discreto no muito utilizado em
baixas freqncias. Seu uso vivel principalmente para freqncias acima de 10MHz,
onde as fontes de baixa impedncia so comuns.
Exemplo 4-2 Qual a tenso de sada ca da Figura 4-24. RE=20k e RC=10k.
ELETRNICA
70
Figura 4-24
SOL.: A corrente cc no emissor
IE =
10 0,7
= 0,465mA
20k
e a resistncia ca do emissor de
re = 25m/0,465m=53,8
a impedncia de entrada ZENT=53,8
o ganho de tenso levando a carga em considerao
AV =
10K // 5,1K
= 62,8
53,8
v ent =
53,8
1m = 0,518mV
50 + 53,8
4.6
VCC = VCE + I E R E
ELETRNICA
71
Figura 4-25
isolando a corrente de emissor
IE =
VCC VCE
RE
Eq. 4- 25
Figura 4-26
o ganho de tenso dado por
AV =
vsada
i e rE
r
=
= E '
'
v ent
i e (rE + re ) rE + re
Eq. 4- 26
AV 1
o uso da Eq. 4-26 ou da Eq. 4-27 depende da preciso desejada no circuito.
IMPEDNCIA DE ENTRADA
Eq. 4- 27
ELETRNICA
72
z ent ( base ) =
vb
ib
Eq. 4- 28
ie =
vb
re + re'
v b = i e re + re'
Eq. 4- 29
z ent ( base ) =
i e (re + re' )
ib
Eq. 4- 30
z ent = R 1 // R 2
Eq. 4- 31
com base na Eq. 4-27 a tenso de emissor segue a tenso na base, sem amplificar. Ou
seja a tenso de sada igual a de entrada.
A vantagem de montagem o fato de ter uma alta impedncia de entrada se comparada
com emissor comum.
TRANSISTOR DARLINGTON
Figura 4-27
ELETRNICA
73
Eq. 4- 32
Eq. 4- 33
4.7
EXERCCIOS
Ex. 4-1) A fonte ca da figura abaixo pode ter uma freqncia entre 100Hz e 200Hz. Para
ter um acoplamento estabilizado ao longo desta faixa, que valor deve ter o capacitor de
acoplamento?
Ex. 4-3) Desenhe o circuito cc equivalente para o amplificador da figura abaixo. Rotule as
trs correntes com a notao cc padronizada. A seguir, desenhe o circuito ca equivalente.
ELETRNICA
74
Ex. 4-5) Calcule o valor de re para cada uma destas correntes cc do emissor: 0,01mA,
0,05mA, 0,1mA, 0,5mA, 1mA e 10mA.
Ex. 4-6) Qual o valor de re no amplificador do exerccio 4-4?
Ex. 4-7) E no circuito abaixo?
ELETRNICA
75
Ex. 4-9) Os resistores do exerccio anterior, tem uma tolerncia de 5%. Qual o ganho
mnimo de tenso? Qual o ganho mximo de tenso?
ELETRNICA
76
AMPLIFICADORES DE POTNCIA
So usados quando se deseja amplificar sinais de grande amplitude, tanto de tenso
como de corrente. Assim os amplificadores de potncia so amplificadores que trabalham
com grandes sinais e o regime de operao destes severo em relao aos
amplificadores de pequenos sinais.
Os amplificadores de potncia de um modo geral, podem ser divididos em quatro classes:
Classe A
Classe B
Classe AB
Classe C
As classes dos amplificadores de potncia esto relacionadas diretamente com o ponto
quiescente ou ponto de operao dos transistores de sada dos amplificadores. Portanto,
as classes esto relacionadas tambm com o ngulo de conduo () dos transistores de
sada, quando estes estiverem funcionando em regime dinmico.
A Figura 5-1 tem um grfico que relaciona a corrente de coletor, com sua tenso baseemissor. Ele mostra as formas de onda dos quatro tipos bsicos de amplificadores de
potncia, classes A, B, AB e C, e seus pontos quiescentes.
No amplificador de potncia classe C o transistor de sada polarizado num ponto de
operao abaixo da regio de corte do transistor, isto , com VBEQ <0. Isto significa que o
sinal VBE aplicado a base do transistor, tem que vencer a tenso VBEQ para iniciar a sua
conduo. Portanto, a corrente de coletor circula somente durante um intervalo menor
que 180. Em geral, os amplificadores classe C so utilizados em circuitos de RF.
5.1
CLASSE A
No amplificador de potncia classe A, a polarizao do transistor de sada feita de tal
forma que a corrente de coletor circula durante todo o ciclo do sinal de entrada VBE. Isto
resulta num ngulo de conduo de =360 para transistor de sada. O ponto de
operao do transistor de sada est localizado no centro da regio ativa e neste caso a
polarizao do transistor de sada semelhante polarizao de transistores de baixo
sinal.
POTNCIA DE SADA
A Figura 5-2 mostra um exemplo de amplificador de potncia classe A. um emissor
comum j comentado antes.
ELETRNICA
77
Figura 5-1
Figura 5-2
A resistncia de carga RL, pode ser um alto-falante, um motor, etc. O resistor RC do
coletor, por outro lado, um resistor comum que faz parte da polarizao por diviso de
tenso. O interesse na potncia transferida resistncia de carga, porque ela realiza
78
ELETRNICA
um trabalho til. Gera ondas acsticas, gira o motor, etc. Em contra partida, qualquer
potncia no resistor RC, uma potncia perdida e transformada em calor.
Ento quando se fala em potncia de sada, uma referncia a potncia til da carga.
Ela dada por
PL=VLIL ou PL =
onde
VL2
RL
A potncia mxima na carga ocorre quando o amplificador est produzindo a tenso mxima de
pico a pico na sada sem ceifamento do sinal. Nesse caso, a potncia na carga
PL =
(MPP )2
8R L
MPP o valor (mximo de pico a pico) da tenso ca sem ceifamento. No denominador tem o
nmero 8 resultante da converso de rms para pico a pico.
P1 = I1VCC
2
VCC
VCC )
(
VCC =
=
R1 + R 2
R1 + R 2
EFICINCIA
a razo entre potncia ca na carga e a potncia da alimentao cc multiplicada por 100%
PL
100%
PS
Quanto maior a eficincia do amplificador, melhor. Os amplificadores classe A tem uma baixa
eficincia, tipicamente em torno de 25% (teoricamente). Isso ocorre por causa de perdas de
potncia nos resistores de polarizao, de coletor, de emissor e transistor.
5.2
CLASSE B
Geralmente os amplificadores de potncia classe B e classe AB utilizam dois transistores
de potncia num montagem denominada push-pull. A configurao push-pull significa que
quando um dos transistores est conduzindo, o outro est em corte e vice-versa.
No amplificador classe B, cada um dos transistores de sada polarizado num ponto de
operao situado na regio de corte do transistor, isto , VBEQ =0. Desta maneira, a
ELETRNICA
79
VCEQ =
VCC
2
Figura 5-3
RETA DE CARGA CC
como no h resistncia cc no circuito do coletor ou do emissor da Figura 5-3, a corrente
de saturao infinita, ou seja, a reta vertical, (Figura 5-4). muito difcil encontrar um
ponto de operao estvel na regio de corte num amplificador push-pull. Qualquer
diminuio significativa de VBE com a temperatura pode deslocar o ponto de operao
para cima da reta de carga cc a valores muito altos de correntes.
RETA DE CARGA CA
A Figura 5-4 mostra a reta de carga ca. Quando um dos transistores est conduzindo,
seu ponto de operao move-se para cima ao longo da reta de carga ca. O ponto do
outro transistor permanece no corte. A oscilao de tenso do transistor em conduo
pode seguir todo o percurso desde o corte saturao. No semiciclo oposto, o outro
transistor faz a mesma coisa. Isso significa que a tenso de pico a pico mxima (MPP)
no ceifada do sinal de sada igual a VCC. Isto o dobro de tenso que de um
amplificador classe A sob mesma tenso de alimentao. Em termos de eficincia
mxima terica ser de 78,5%.
ELETRNICA
80
Figura 5-4
A Figura 5-5 mostra o equivalente ca do transistor em conduo. Isso praticamente
idntico ao seguidor de emissor classe A. O ganho de tenso com carga
AV =
RL
R L + re'
Figura 5-5
5.3
CLASSE AB
Os amplificadores de potncia AB tambm utilizam dois transistores de potncia numa
configurao push-pull.
A diferena para a classe B, que cada um dos transistores de sada polarizado num
ponto de operao situado um pouco acima da regio de corte do transistor, (VBEQ>0).
Isto significa que cada um dos transistores est conduzindo um pequena corrente de
base e, consequentemente, uma corrente de coletor proporcional a ela. A corrente de
coletor de cada transistor, circula durante um ngulo de conduo de >180, porm,
menor que 360. A eficincia terica fica entre 50% e 78,5%. A grande vantagem a
eliminao da distoro por crossover.
ELETRNICA
81
Figura 6-1
A sada do amplificador de ganho A, realimenta a entrada do prprio amplificador, por
meio do circuito de realimentao que possui um ganho B, tambm chamado de rede de
realimentao. Esta forma, o sinal realimentado VR somado, ou seja, aplicado em fase
com o sinal de entrada VE. Este sinal VE no um sinal externo, mas um sinal qualquer
de referncia, que existe na entrada do amplificador. Portanto, com a aplicao do sinal
realimentador VR na entrada do amplificador, este torna-se instvel e comea a oscilar.
O circuito de realimentao deve, portanto, defasar ou no o sinal de amostragem VA, de
tal modo que o sinal VR fornecido entrada esteja sempre em fase com o sinal de
referncia VE. A defasagem a ser feita no sinal VA depende da defasagem imposta pelo
amplificador e, portanto, do sinal de sada VS.
Por exemplo, se um amplificador possuir uma montagem emissor comum, ento o sinal
de sada VS estar defasado de 180 em relao ao sinal de entrada VE e o circuito de
realimentao dever, neste caso, provocar uma defasagem de 180, para que o sinal VR
fique novamente em fase com o sinal VE. Se a montagem do amplificador for em base
comum VS estar em fase com VE e, nesse caso, o circuito ou rede de realimentao no
dever provocar defasagem e assim, o sinal VR j estar em fase com o sinal VE.
Um outro critrio muito importante para que haja oscilao que o ganho total do
oscilador, dado por A+B (A- ganho do amplificador, B- ganho da rede de realimentao),
deve ser maior que um.
6.1
ELETRNICA
82
Figura 6-2
O amplificador est na montagem emissor comum e portanto, sua tenso de sada VS
est defasada de 180 em relao a tenso de entrada VE. O sinal de sada aplicado no
circuito de realimentao, formado com resistores R e R3 e os capacitores C, que provoca
uma defasagem adicional de 180, de modo que uma parcela do sinal de sada
novamente aplicada na entrada, mas em fase com o sinal de entrada VE.
Ao ligar o circuito ser provocado uma instabilidade na base do transistor Q1. Isto o
suficiente para o circuito iniciar a sua oscilao, pois o transistor Q1 amplifica e
posteriormente reamplifica o sinal presente em sua base.
83
ELETRNICA
TRANSISTORES ESPECIAIS
At agora foi estudado os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas:
lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem
aplicaes nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedncia de entrada
so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor depende de um s tipo de carga, da o
nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (JFET
- Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido metlico
(MOSFET).
7.1
JFET
Na Figura 7-1, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito de campo de
juno ou simplesmente JFET.
Figura 7-1
a conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o
dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate).
O transistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons) ou com canal p
(conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao
com canal p com sinais opostos de tenso e corrente.
POLARIZAO DE UM JFET
A Figura 7-2 mostra a polarizao convencional
de um JFET com canal n. Uma alimentao
positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte,
estabelecendo um fluxo de corrente atravs do
canal. Esta corrente tambm depende da largura
do canal.
Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e
a fonte. Com isto a porta fica com uma
polarizao reversa, circulando apenas uma
corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia
entre a porta e a fonte. A polarizao reversa cria
camadas de depleo em volta da regies p e
Figura 7-2
ELETRNICA
84
isto estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito
torna-se o canal.
Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (D-S)
desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG que produz o
corte simbolizada por VGS(Off) .
Figura 7-3
CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia de um JFET um grfico da corrente de sada versus a
tenso de entrada, ID em funo de VGS. A sua equao :
85
ELETRNICA
VGS
I D = I DSS 1
VGS( off )
Eq. 7- 1
Figura 7-4
AUTOPOLARIZAO
a polarizao de um transistor JFET se faz de maneira semelhante polarizao de
transistor bipolar comum. Em outras palavras, usa-se o transistor JFET como se fosse
um transistor bipolar.
Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que, primeiramente, o mesmo
deve estar reversamente polarizado entre porta e fonte. Na Figura 7-5 vemos um JFET
polarizado, ou seja, com resistores ligados ao terminais para limitar tenses e correntes
convenientemente, como visto na polarizao de transistores bipolares.
Figura 7-5
Esse o tipo de polarizao mais comum e se chama autopolarizao por derivao de
corrente, pois o VGS aparece devido corrente de dreno sobre RS, o que resulta em VRS.
ELETRNICA
86
Essa tenso, distribui-se entre RG e a juno reversa, que, como tal, possui uma alta
resistncia. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS.
VRG = VRS + VGS
Eq. 7- 2
VRG = I G R G 0
Eq. 7- 3
VRS = VGS = R S I S
Eq. 7- 4
I D IS
Eq. 7- 5
VDD = I D (R D + R S ) + VDS
Eq. 7- 6
RETA DE AUTOPOLARIZAO
Para a polarizao do JFET, uma alternativa o uso da curva de transcondutncia para
encontrar o ponto Q de operao. Seja a curva da Figura 7-4 a base para encontrar o
ponto Q. A corrente de dreno mxima de 13,5mA, e a tenso de corte da porta-fonte
de -4V. Isso significa que a tenso da porta tem de estar entre 0 e -4V. Para descobrir
este valor, pode-se fazer o grfico da Figura 7-4 e ver onde ela intercepta a curva de
transcondutncia.
Exemplo 7-1 Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarizao for de 300. Qual o
ponto Q. Usar o grfico da Figura 7-4.
ELETRNICA
87
SELEO DO RS
O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal escolher um RS em que o ponto Q
fique no na regio central, como o do Exemplo 7-1 .
O mtodo mais simples para escolher um valor para RS
RS =
VGS( off )
I DSS
Eq. 7- 7
TRANSCONDUTNCIA
Grandeza designada por gm e dada por:
gm =
i
I D
= d
VGS v gs
Eq. 7- 8
i d = g m v gs
Eq. 7- 9
Figura 7-6
A Eq. 7-10 mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente mxima de dreno e da
transcondutncia para VGS= 0V (gmo ).
v gs ( off ) =
2I DSS
g mo
Eq. 7- 10
v gs
g m = g mo 1
v gs ( off )
Eq. 7- 11
88
ELETRNICA
gm =
I C
i
= c
VBE v be
como re = vbe/ie
gm =
1
re'
Eq. 7- 12
Figura 7-7
Na Figura 7-8 o equivalente ca para a anlise do ganho.
Figura 7-8
o resistor de carga est em paralelo com a resistncia de dreno. Simplificando:
rd = R D // R L
Quando a corrente de sada gm vent flui atravs de rd ela produz uma tenso de sada
v sada = rd g m v ent
dividindo ambos os lados por vent
Eq. 7- 13
ELETRNICA
89
v sada
v
= rd g m ent
v ent
v ent
finalmente o ganho de tenso ca para fonte comum
A V = g m rd
Eq. 7- 14
AV =
rc
1
g m = ' A V = g m rc
'
re
re
Figura 7-9
o ganho por analogia com o transistor bipolar, considerando re = 1/ gm, :
Av =
rd
g r
= m d
rs1 + 1 / g m
1 + g m rs1
Figura 7-10
Eq. 7- 15
ELETRNICA
90
Av =
7.2
rs
g r
= ms
rs + 1 / g m 1 + g m rs
Eq. 7- 16
MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um
dreno. A diferena bsica para o JFET porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a
corrente de porta extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa.
Figura 7-11
A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a passagem de
corrente da porta para o material n.
Figura 7-12
ELETRNICA
91
A Figura 7-12 mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa.
A tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a tenso
de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente de
dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos
eltrons livres. Com VGS negativo o funcionamento similar ao JFET.
Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva
na porta (inverso de polaridade bateria VGG do circuito da Figura 7-12). A tenso positiva
na porta aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a
tenso, maior a corrente de dreno. Isto que a diferencia de um JFET.
Figura 7-13
A Figura 7-13 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo. O
substrato estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No existe mais um canal
n ligando a fonte e o dreno.
Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da
fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos
termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado
desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo
depleo.
Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres
recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso
suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so
preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo
que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa
camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo,
normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte
para o dreno.
O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar,
simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero. Mas
quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a
corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo
do MOSFET.
A Figura 7-14 mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao e
reta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando VGS
maior que VGS(th), a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste estgio o
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ELETRNICA
MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma fonte de
corrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O
incio da parbola est em VGS(th). Ela
I D = k (VGS VGS( th ) ) 2
Eq. 7- 17
I D = KI D ( on )
Eq. 7- 18
onde
VGS VGS( th )
K =
VGS( ON ) VGS( th )
Eq. 7- 19
Figura 7-14
7.3
ELETRNICA
93
Figura 7-15
Sempre que houver luz incidindo sobre a base, haver uma corrente de base e, portanto,
o transistor deixa ser aberto. Abaixo, a representao de um fototransistor:
Um fotodiodo uma alternativa ao fototransistor. A diferena que a luz
incidindo no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo, enquanto no
fototransistor, esta mesma luz produz uma corrente de base e por sua vez uma
corrente de coletor que vezes maior que no fotodiodo. A maior
sensibilidade do fototransistor traz como desvantagem uma reduo na velocidade de
chaveamento.
ACOPLADOR PTICO
A Figura 7-16 mostra um acoplador ptico. Consiste de um LED prximo a um
fototransistor, ambos encapsulados em um mesmo invlucro. Ele muito mais sensvel
que um LED e fotodiodo devido ao ganho . O funcionamento simples, qualquer
variao em VS produz uma variao na corrente do LED, que faz variar a emisso de luz
e, portanto, a corrente no fototransistor. Isso por sua vez, produz uma variao na tenso
dos terminais coletor-emissor. Em suma, um sinal de tenso acoplado do circuito de
entrada para o circuito de sada.
Figura 7-16
A grande vantagem de um acoplador ptico o isolamento eltrico entre os circuitos de
entrada e de sada. No existe nenhuma relao entre os terras de entrada e sada.
7.4
EXERCCIOS
Ex. 7-1) No circuito da Figura abaixo, calcule ID , RS e RD .
VDD=20V, VDS=8V e VGS=-1,2V.
Dados: RD+RS=12k,
94
ELETRNICA
Ex. 7-2) Dados: VDD = +12V, VGSQ=-0,5V (tenso de operao de VGS) e ID = 8mA (para
VDS= 0V). Calcule RD , RS e RG (suponha IG=5A), para o circuito de autopolarizao.
Utilize o mtodo da reta de carga e a curva a seguir.
ID(mA)
8m
VGS =0V
4m
-0,5V
2m
-1V
-1,5V
-2,0V
2 4 6 8 10 12 14 16
VDS (V)
Ex. 7-3) No circuito da figura abaixo calcule AV e ZENT . Dados: gm=3000mho, RG=2M2,
RS=1k, RD=4k7 e VDD=18V.
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95
Ex. 7-4) No circuito seguidor de fonte, com RG = 1M e RS= 3k, calcule o ganho de
tenso, sabendo que: VDD=+9V, VGSQ = -4V, IDQ =1,6mA, IDSS = 16mA e VGS(OFF)= -5V.
Ex. 7-5) Um 2N5457 tem IDSS=5mA e gmo=5.000mho. Qual ID para VGS=-1v? Qual o
valor de gm para essa corrente de dreno?
Ex. 7-6) Se gm=3.000!mho na figura 3. Qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=2mV,
Rent=100k, RG=10M, RS=270, RD=1k, RL=10k e VDD =+15V
Ex. 7-7) O amplificador JFET da figura abaixo, tem VGS(OFF)= -4V e IDSS =12mA. Nesse
caso qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=2mV, Rent = 100k, RG = 10M, RS=
270, RD = 1k, RL=10k e VDD = +15V.
Ex. 7-8) Se o seguidor de fonte da figura abaixo tem gm = 2.000mho, qual a tenso c.a.
de sada? Dados: vent=5mV, Rent =100k, RG=10M, RS=3900, RL=1k e VDD=+15V.
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REFERNCIA BIBLIOGRFICA
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Makron Books, 1994. (coleo Schaum)
" HONDA, Renato. 850 exerccios de eletrnica, 3 ed. So Paulo, rica, 1991.
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