Apostila de Fisica EAD - Eletricidade, Magnetismo e Física Moderna PDF

Eletricidade, Magnetismo & Fsica Moderna
Contedo do curso
1. Captulo 1, A lei de Coulomb
2. Captulo 2, O campo Eltrico
3. Captulo 3, A lei de Gauss
4. Captulo 4, Potencial Eltrico
5. Captulo 5, Capacitncia e Capacitores
6. Captulo 6, Corrente & Resistncia
7. Captulo 7, Circuitos Eltricos
8. Captulo 8, O Campo Magntico
9. Captulo 9, A lei de Ampre
10. Captulo 10, A lei de Faraday
11. Captulo 11, Oscilaes Eletromagnticas
12. Captulo 12, Equaes de Maxwell
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Programa de Apoio Pesquisa em
Educao a Distncia
PAPED - Linha 2/2003
MEC - CAPES
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Eletricidade & Magnetismo
Contedo do curso
1. Captulo 1, A lei de Coulomb
2. Captulo 2, O campo Eltrico
3. Captulo 3, A lei de Gauss
4. Captulo 4, Potencial Eltrico
5. Captulo 5, Capacitncia e Capacitores
6. Captulo 6, Corrente & Resistncia
7. Captulo 7, Circuitos Eltricos
8. Captulo 8, O Campo Magntico
9. Captulo 9, A lei de Ampre
10. Captulo 10, A lei de Faraday
11. Captulo 11, Oscilaes Eletromagnticas
12. Captulo 12, Equaes de Maxwell
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Educao a Distncia
MEC - CAPES
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Captulo 1 - A LEI DE
Captulo COULOMB
1
Contedo do Captulo
Processos de Eletrizao
Condutores e Isolantes
Fora Eletrosttica
Exemplo
Exerccios

Educao a Distncia
MEC - CAPES

Capitulo 2 - O CAMPO
Captulo ELTRICO
2
Contedo do Captulo
Ao a distancia
Linhas de Fora
Campo de um Dipolo Eltrico
Exemplo
Exerccios

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Captulo 3 - A Lei de Gauss

Captulo Contedo do Captulo
3
Fluxo do Campo Eltrico
A lei de Gauss
A lei de Gauss e a Lei de Coulomb
Campo de uma Carga Puntiforme
Distribuio Esfericamente Simtrica
Esfera Condutora
Esfera Dieltrica
Distribuio Linear Infinita
Plano Infinito de Cargas
Exerccios

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MEC - CAPES

Capitulo 4 - POTENCIAL
Captulo ELTRICO
4
Contedo do Capitulo
Energia Potencial
Potencial
Potencial de uma carga puntiforme
Potencial de um dipolo
Potencial acelerador
Gradiente de potencial
Exerccios

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Captulo 5 -
Captulo CAPACITNCIA E
5
CAPACITORES
Contedo do Captulo
Componentes Eltricos & Eletrnicos
Definies
Capacitor de placas paralelas
Capacitor cilindrico
Capacitor esferico
Associao de capacitores
Capacitores com dieltricos
Armazenando energia num campo eltrico
Exemplo
Exerccios

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Captulo 6 - CORRENTE &

Captulo RESISTNCIA
6
Contedo do Captulo
Modelo Microscpico
Corrente Eltrica
Resistncia, Resistividade e Conductividade
Lei de Ohm
Energia e Potencia
Unidades no Sistema SI
Exemplo
Exerccios

Educao a Distncia
MEC - CAPES

Captulo 7 - CIRCUITOS
Captulo ELTRICOS
7
Contedo do Captulo
Lei dos Ns & Lei das Malhas
Lei das Malhas (Lei de Kirchhoff)
Lei dos Ns
Circuitos com mais de uma Malha
Exemplo
Circuito RC Srie
Exerccios

Educao a Distncia
MEC - CAPES

Captulo 8 - O CAMPO
Captulo MAGNTICO
8
Contedo do Captulo
A fora de Lorentz
A descoberta do Eletrn
O Efeito Hall
Movimento de uma carga num Campo Magntico
Fora sobre uma Corrente
Fora sobre uma Espira de Corrente
Unidades
Exemplo 8.1
Exemplo 8.2
Exerccios

Educao a Distncia
MEC - CAPES

Captulo AMPRE
9
Contedo do Captulo
A Descoberta de Oersted
Campo de um fio retilneo infinito
Cilindro Infinito
Interao entre fios infinitos paralelos
Campo de um Solenide
Exemplos
Exerccios

Educao a Distncia
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Captulo FARADAY
10
Contedo do Captulo
Induo Eletromagntica
Leis de Faraday e Lenz
Exerccios

Educao a Distncia
MEC - CAPES

Captulo 11 -OSCILAES
Captulo 11 ELETROMAGNTICAS
Contedo do Captulo
Indutncia
Indutncia de um Solenide
Auto-induo
Circuito RL
Densidade de Energia em Campos Eltricos e
Magnticos
Circuito LC
Circuito RLC
Freqncia Natural
Exerccios

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Captulo 12 - EQUAES
Captulo 12 DE MAXWELL
Contedo do Captulo
Equaes de Maxwell
Exerccios

Educao a Distncia
MEC - CAPES

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or FAQ sections for assistance.
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automatically, you may want to perform a manual
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System Requirements
Windows 98 (1st and 2nd edition) or
Windows ME or
Windows NT (service pack 6a) or
Windows 2000 (service pack 3) or
Windows XP Home or
Windows XP Professional (service pack 1)
You'll also need Pentium 166MHz or faster with

minimum 67MB free space a minimum of 32MB
of RAM.
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Sun Microsystems, Inc | Legal Notices | License | Developers
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CAPES / MEC
Sbado, 13 de maro de 2004
INFORMAES CAPES ALERTA

Pr-Coleta Professor Programa PICDT
Est disponvel o Pr-Coleta Informamos aos bolsistas do Programa PICDT,
Professor 2.5. que os pagamentos referentes aos meses de
Janeiro e Fevereiro/2004 j esto sendo
POSSE
regularizados.
Jorge Almeida Guimares toma Entrevista de Candidatos a Bolsa de
posse na presidncia da Capes Doutorado no Exterior
Programa de Qualificao CAPES realiza a ltima etapa da seleo dos
Institucional - PQI candidatos a bolsas de doutorado no exterior.
Acesse o formulrio referente ao Mestrados e Doutorados sem validade.
Relatrio de Atividades So consideradas ilegais, no Brasil, as
Cincias Agrrias atividades acadmicas das instituies de
Acesse os critrios de avaliao para a grande ensino estrangeiras que no tenham sido
rea (2001-2003)e os critrios especficos para reconhecidas pelo MEC. Leia a ntegra da
avaliao de cursos novos e programas de ps- notcia.
graduao entre Instituio de Ensino Superior Resoluo CNE/CES 001/2001 alterada
(IES) e Instituto de Pesquisa (IP). pela Resoluo CNE/CES 24/2002.
Coleta de Dados Novos prazos para solicitao de
A Diretoria de Avaliao informa que o prazo reconhecimento dos programas e necessidade
de entrega dos dados da Coleta relativos a de autorizao do MEC para instalao de
2003, assim como o re-envio dos dados de convnios entre IES brasileiras e estrangeiras
2001 e 2002 dia 31 de maro de 2004, no que ofertem mestrados/doutorados associados
havendo possibilidade de adiamento. Trata-se so as novidades. Confira o texto.
de um ano de Avaliao que atribuir conceitos
e o cronograma j estabelecido para a
realizao do processo deve ser seguido.
Aplicativo
A Coordenao de Acompanhamento
e Avaliao disponibiliza a carta-
consulta sobre proposta de cursos de
mestrado e doutorado.
Comisso Mista Capes/CNPq
Apresentao do Relatrio Final (Sumrio
Executivo)
http://www.capes.gov.br/ [13/03/2004 16:15:28]

Antes de Comenar
Informaes Gerais
Introduo
Exigncias de hardware e software
Introduo
O curso est formatado de acordo com a pedagogia

construtivista, a partir de uma abordagem baseada na soluo
de problemas. O contedo distribudo em 12 captulos. Para
acess-los, diriga-se ao sumrio
O contedo explorado atravs de uma variedade de objetos de

aprendizagem interativos. Ao final apresenta-se uma lista de
exerccios.
Alguns objetos de aprendizagem foram extraidos ou adaptados

dos seguintes autores, que permitiram seu uso nas condies
desta disciplina.
Wolfgang Christian, editor da pgina Physlets.
Michael W. Davidson, editor da pgina Molecular Expressions:

Electricity and Magnetism
Walter Fendt, editor da pgina Java Applets on Physics
Exigncias de hardware e software
Para maior eficincia, convm observar os seguintes aspectos:
1. Nestcape Navigator ou Microsoft Internet Explorer so os

navegadores mais apropriados. Eles podem ser obtidos
livremente na web.
2. Para as animaes, seu navegador tem que suportar Java.
Exigncias de Hardware
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod00/antes_de_comencar_01.html (1 de 2) [13/03/2004 16:15:31]
Antes de Comenar
PC com procesador de 90 MHz ou superior.

16 Mb RAM ou superior.
Monitor SVGA ou compatible.
Resoluo mnima de 800x600 (recomendado 1024x768)
pixels.
Modem de 28.8 kbps ou superior
Exigncias de software
Nestcape Navigator (Verso 4.0 ou superior). Use este

endereo http://www.nestcape.com para carreg-lo.
Microsoft Internet Explorer (Verso 4.0 ou superior). Use
este endereo http://www.microsoft.com/ie/ para carreg-
lo.
Plugin de Java - Applets
http://www.java.com/en/download/windows_automatic.jsp.
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Physlets Home Page
Welcome to the Physlets resource page. Physlets, Physics Applets, are small
flexible Java applets designed for science education. You do not need to
become a Java expert in order to use Physlets. The links on the right contain
tutorials, download instructions, and example problems to help you use
Physlets in your teaching.
Physlets run on the Mac using OS X Panther and the latest Safari browser.
For a CD containing over 800 ready to run Physlet-based Illustrations,

Exercises, and Problems see the Physlet Physics book.
For an introduction to scripting see thee Physlet book. This book will
soon be available in Spanish!
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see the JiTT book.
To learn more about Physlets you may want to:
Attend a Physlet workshop.

Preview Physlet Physics, a book of ready to run Physlet-based
Illustrations, Explorations, and Problems.
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The Physics Teacher recently contained a feature article describing the

Optics Bench Physlet. Examples from this article are available on the the
Physlet Resource site.
The applet on the right is a Physlet. It

simulates the relativistic and non-
relativistic Doppler effect.
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Wolfgang Christian.
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Molecular Expressions: Images from the Microscope
Welcome to the Molecular Expressions website featuring our acclaimed photo galleries that
explore the fascinating world of optical microscopy. We are going where no microscope has
gone before by offering one of the Web's largest collections of color photographs taken
through an optical microscope (commonly referred to as "photo-micro-graphs"). Visit our
Galleria Photo Gallery for an introductory selection of images covering just about everything from
beer and ice cream to integrated circuits and ceramic superconductors. These photographs
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are available for licensing to commercial, private, and non-profit institutions.
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Powers of Ten - Soar through space starting at 10 million light years away from the
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Milky Way down through to a single proton in Florida in decreasing powers of ten
(orders of magnitude). Explore the use of exponential notation to understand and
compare the size of things in our world and the universe.
The Galleries: Olympus FluoView Laser Scanning Confocal Microscopy - The new Olympus
FluoViewTM FV1000 is the latest in point-scanning, point-detection, confocal laser
Photo Gallery scanning microscopes designed for today's intensive and demanding biological
Silicon Zoo research investigations. Excellent resolution, bright and crisp optics, and high
efficiency of excitation, coupled to an intuitive user interface and affordability are key
Pharmaceuticals
characteristics of this state-of-the-art optical microscopy system.
Chip Shots
Phytochemicals Purchase Nikon's Small World 2004 Calendar - The Nikon Small World 2004
DNA Gallery Calendar is printed in full color on 8.5 x 11 semi-gloss paper and spiral bound for
mounting on the wall. Included in the calendar are the top 20 prize winners and
Microscapes
thumbnail images from all of the 17 honorable mentions. Winning entries included
Vitamins several images of rat and mouse brain cells, nematode worms, a computer chip,
Amino Acids muscle cells, a diatom, snowflakes, plant hair cells, thin films, and chemical crystals.
Birthstones This year's contest drew entrants from 46 countries, as well as from a diverse range
of academic and professional disciplines. Winners came from such fields as
Religion Collection
chemistry, biology, materials research, botany, and biotechnology.
Pesticides
BeerShots Microscope: Basics and Beyond (50 pages; 20.7 Mbytes) - Download the latest
Cocktail Collection PDF edition of Mortimer Abramowitz's renowned introduction to optical microscopy in
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full color. The volume covers all of the important basic concepts, ranging from simple
magnifiers to complex compound microscopes, including illumination, objectives,
Win Wallpaper eyepieces, condensers, aberration, Khler illumination, resolution, numerical
Mac Wallpaper aperture, and depth of field. Numerous appendices review focusing of the
Movie Gallery microscope and oil immersion, and contain useful numbers, formulas, and a short
bibliography.
The Olympus MIC-D Digital Microscope - Olympus has thrown the doors open to a
new era in optical microscopy education with the introduction of the MIC-D inverted
digital microscope. Designed specifically for a wide spectrum of applications ranging
http://micro.magnet.fsu.edu/index.html (1 de 11) [13/03/2004 16:16:54]

from basic classroom instruction to more advanced laboratory analysis, this versatile
microscope features a palette of contrast enhancing techniques that rival many
research-level instruments.
Nikon MicroscopyU - The MicroscopyU website is designed to provide an

educational forum for all aspects of optical microscopy, digital imaging, and
photomicrography. Together with the scientists and programmers at Molecular
Expressions, Nikon microscopists and engineers are providing the latest state-of-the-
art information in microscope optics and imaging technology including specialized
techniques such as fluorescence, differential interference contrast (DIC), phase
contrast, reflected light microscopy, and microscopy of living cells. We invite you to
explore MicroscopyU and discover more about the exciting world of optics and
microscopy.
Burgers 'n Fries - Join us for a microscopic examination of America's culinary

favorite: the ubiquitous hamburger and French fries. Discover how this delightful
classic is just as beautiful as it is tasty.
Chemical Crystals - Chemical compounds can exist in three basic phases,

gaseous, liquid, or solid. Gases consist of weakly bonded atoms and expand to fill
any available space. Solids are characterized by strong atomic bonding and have a
rigid shape. Most are crystalline, having a three-dimensional periodic atomic
arrangement. Some, such as glass, lack this periodic arrangement and are
noncrystalline, or amorphous. Liquids have characteristics that fall in between gases
and solids. This cinemicrographic collection presents time-lapse movies of various
chemical compounds as they change physical states.
Scanning Electron Microscopy - We have teamed up with award-winning electron

microscopist Dennis Kunkel to produce a virtual Scanning Electron Microscope
(vSEM). Visitors can adjust the focus, contrast, and magnification of microscopic
creatures viewed at thousands of times their actual size.
Laser Scanning Confocal Microscopy - (approximately a 30 second download

on 28.8K modems) Several methods have been developed to overcome the poor
contrast inherent with imaging thick specimens in a conventional microscope.
Specimens having a moderate degree of thickness (5 to 15 microns) will produce
dramatically improved images with either confocal or deconvolution techniques. The
thickest specimens (20 microns and above) will suffer from a tremendous amount of
extraneous light in out-of-focus regions, and are probably best-imaged using
confocal techniques. This tutorial explores imaging specimens through serial z-axis
optical sections utilizing a virtual confocal microscope.
Stereoscopic Zoom Microscopy - Many stereoscopic microscopes feature the

ability to perform a continuous magnification change by means of a zoom lens
system placed between the objective and the eyepieces. Explore zoom
magnification, focus, and illumination intensity in stereoscopic microscopes with this
interactive Flash tutorial.
Java-powered QX3 Computer Web Microscope - This virtual QX3 microscope is

broadcasting images over the Web at 20 frames/second, which can be viewed in a
specially designed Java client run through your Web browser at frame rates up to 18
frames/second. No additional software is needed, but don't try this unless you have a
fast connection (10 Mbits/sec Ethernet or higher). With this software, you can

capture single digital images, record movies, and perform time-lapse

cinematography experiments.
Museum of Microscopy - Featuring 3-D Studio Max drawings of ancient

microscopes, this unique gallery explores many of the historic microscopes made
during the last four centuries. Visit the gallery and download a copy of our Windows
screen saver containing selected images of these beautiful microscopes.
Silicon Zoo - This popular gallery features images of cartoon characters and other
doodling placed onto computer chips by their designers.
Featured Microscopist - Our featured microscopist for Spring 2002 is noted Dutch
photomicrographer Loes Modderman. Born in Amsterdam in 1944, Modderman
received her first microscope by age 13 and has never lost her sense of wonder at
the minute beauties available with this instrument. Many years ago, Loes initiated a
series of chemical crystallization experiments, which allowed her to meld longtime
interests in nature, art, science, and photography to form her abstract
photomicrographs into a colorful celebration of form and structure. A wide spectrum
of these photomicrographs are featured in this gallery.
Cell and Virus Structure - Although the human body contains over 75 trillion cells,
the majority of life forms exist as single cells that perform all the functions necessary
for independent existence. Most cells are far too small to be seen with the naked eye
and require the use of high-power optical and electron microscopes for careful
examination.
Fluorescence Microscopy Digital Image Gallery - Featuring specimens collected

from a wide spectrum of disciplines, the fluorescence gallery contains a variety of
examples using both specific fluorochrome stains and autofluorescence. Images
were captured utilizing either a Nikon DXM 1200 digital camera, an Optronics
MagnaFire Peltier-cooled camera, or classical photomicrography on film with
Fujichrome Provia 35 millimeter transparency film.
Pond Life - Freshwater ponds provide a home for a wide variety of aquatic and semi-
aquatic plants, insects, and animals. The vast majority of pond inhabitants, however,
are invisible until viewed under the microscope. Beneath the placid surface of any
pond is a microscopic metropolis bustling with activity as tiny bizarre organisms
pursue their lives; locomoting, eating, trying not to be eaten, excreting, and
reproducing. In this collection of digital movies, observe the activities of microscopic
organisms taken from a typical North Florida pond.
Concepts in Digital Imaging Technology - Explore the basic concepts in digital

imaging with our illustrated discussions and interactive tutorials. Topics covered
include CCD operation, image capture, digital manipulation of images and a wide
spectrum of other issues in this emerging field.
Science, Optics & You - Explore our science curriculum package being developed
for teachers, students, and parents. Activities are designed to promote the asking
and answering of questions related to light, color, and optics. The program begins
with basic information about lenses, shadows, prisms, and color, leading up to the
use of sophisticated instruments scientists use to help them understand the world.
Intel Play QX3 Computer Microscope - Take a moment to visit our in-depth

discussion of this incredible toy microscope. Included topics are the QX3 hardware
(microscope), interactive microscope software, suggested specialized
techniques, and digital image galleries from the QX3 microscope.
Creative Photomicrography - By employing multiple exposure photomicrography,

we have succeeded in generating a series of unusual micrographs which we have
termed microscapes. These micrographs are intended to resemble surrealistic/alien
landscapes.
10 Best Interactive Java Tutorials
Digital Image Processing Interactive Java Tutorials - Explore the basic concepts
of digital image processing applied to specimens captured in the microscope.
Techniques reviewed include contrast, color balance, spatial resolution, image
sampling frequency, geometric transformation, averaging, measurements,
histogram manipulation, convolution kernels, filtering digital images, compression,
noise reduction, and binary digital images.
Full-Frame CCD Operation - Having the simplest architecture and being the
easiest devices to build and operate, full-frame charged coupled devices (CCDs)
feature high-density pixel arrays capable of producing digital images with the
highest resolution currently available. Explore how images are captured and
transferred to serial output registers with this interactive Java tutorial.
Intel Play QX3 Computer Microscope Simulator - Discover how the hardware
and software of this amazing "toy" microscope work together to produce images that
you can digitally manipulate with a personal computer.
Geometrical Construction of Ray Diagrams - A popular method of representing a

train of propagating light waves involves the application of geometrical optics to
determine the size and location of images formed by a lens or multi-lens system.
This tutorial explores how two representative light rays can establish the parameters
of an imaging scenario.
Reflected Light Confocal Microscopy - Explore microscopy of integrated circuits

using real-time confocal observations at a resolution of 0.18 microns with this
interactive Java tutorial.
Building A Charged Coupled Device - Explore the steps utilized in the

construction of a charged coupled device (CCD) as a portion of an individual pixel
gate is fabricated on a silicon wafer simultaneously with thousands or even millions
of neighboring elements.
Astigmatism - Astigmatism aberrations are similar to comatic aberrations, however

these artifacts are not as sensitive to aperture size and depend more strongly on the
oblique angle of the light beam. The aberration is manifested by the off-axis image
of a specimen point appearing as a line or ellipse instead of a point.
Video Signal Generation - A video signal is a recoverable train of electrical

impulses generated by scanning a two-dimensional image produced by the optical
train of a microscope. The image is sequentially scanned in narrow strips and

combined to produce the final signal. This interactive tutorial explores the
relationship between the microscope image, scan lines, and the video signal.
Airy Pattern Formation - When an image is formed in the focused image plane of
an optical microscope, every point in the specimen is represented by an Airy
diffraction pattern having a finite spread. This occurs because light waves emitted
from a point source are not focused into an infinitely small point by the objective, but
converge together and interfere near the intermediate image plane to produce a
three-dimensional Fraunhofer diffraction pattern.
Fluorescence Microscope Light Pathways - This interactive tutorial explores

illumination pathways in the Olympus BX51 research-level upright microscope. The
microscope drawing presented in the tutorial illustrates a cut-away diagram of the
Olympus BX51 microscope equipped with a vertical illuminator and lamphouses for
both diascopic (tungsten-halogen) and epi-fluorescence (mercury arc) light sources.
Sliders control illumination intensity and enable the visitor to select from a library of
five fluorescence interference filter combinations that have excitation values ranging
from the near ultraviolet to long-wavelength visible light.
Condenser Alignment - This tutorial demonstrates how the condenser is centered

in the optical path and the size of the field diaphragm opening is determined when
adjusting a microscope for proper Khler illumination.
New Microscopy Primer Entries
If you need information about optical microscopy, how to set up a microscope, or how to take
photographs with a microscope, then visit our Microscopy Primer for a detailed discussion.
Basic Concepts in Digital Image Processing - Digital image processing enables

the reversible, virtually noise-free modification of an image in the form of a matrix of
integers instead of the classical darkroom manipulations or filtration of time-
dependent voltages necessary for analog images and video signals. Even though
many image processing algorithms are extremely powerful, the average user often
applies operations to digital images without concern for the underlying principles
behind these manipulations. The images that result from careless manipulation are
often severely degraded or otherwise compromised with respect to those that could
be produced if the power and versatility of the digital processing software were
correctly utilized.
Introduction to CMOS Image Sensors - CMOS image sensors are designed with
the ability to integrate a number of processing and control functions, which lie
beyond the primary task of photon collection, directly onto the sensor integrated
circuit. These features generally include timing logic, exposure control, analog-to-
digital conversion, shuttering, white balance, gain adjustment, and initial image
processing algorithms. Inexpensive CMOS image sensors are entering the field of
optical microscopy in educational instruments that combine acceptable optical
quality with user-friendly control and imaging software packages.
Introduction to Prisms and Beamsplitters - Prisms and beamsplitters are

essential components that bend, split, reflect, and fold light through the pathways of
both simple and sophisticated optical systems. Cut and ground to specific
tolerances and exact angles, prisms are polished blocks of glass or other

transparent materials that can be employed to deflect or deviate a light beam, rotate
or invert an image, separate polarization states, or disperse light into its component
wavelengths. Many prism designs can perform more than one function, which often
includes changing the line of sight and simultaneously shortening the optical path,
thus reducing the size of optical instruments.
Stereomicroscopy - Stereomicroscopes have characteristics that are valuable in

situations where three-dimensional observation and perception of depth and
contrast is critical to the interpretation of specimen structure. These instruments are
also essential when micromanipulation of the specimen is required in a large and
comfortable working space. The wide field of view and variable magnification
displayed by stereomicroscopes is also useful for construction of miniature industrial
assemblies, or for biological research that requires careful manipulation of delicate
and sensitive living organisms.
Basic Microscope Ergonomics - In order to view specimens and record data,

microscope operators must assume an unusual but exacting position, with little
possibility to move the head or the body. They are often forced to assume an
awkward work posture such as the head bent over the eye tubes, the upper part of
the body bent forward, the hand reaching high up for a focusing control, or with the
wrists bent in an unnatural position.
Image Formation - In the optical microscope, image formation occurs at the

intermediate image plane through interference between direct light that has passed
through the specimen unaltered and light diffracted by minute features present in
the specimen. The image produced by an objective lens is conjugate with the
specimen, meaning that each image point at the intermediate plane is geometrically
related to a corresponding point in the specimen.
Basic Properties of Digital Images - Continuous-tone images are produced by

analog optical and electronic devices, which accurately record image data by
several methods, such as a sequence of electrical signal fluctuations or changes in
the chemical nature of a film emulsion that vary continuously over all dimensions of
the image. In order for a continuous-tone or analog image to be processed or
displayed by a computer, it must first be converted into a computer-readable form or
digital format. This process applies to all images, regardless the origin and
complexity, and whether they exist as black and white (grayscale) or full color. A
digital image is composed of a rectangular (or square) pixel array representing a
series of intensity values and ordered through an organized (x,y) coordinate
system.
Introduction to Confocal Microscopy - Confocal microscopy offers several

advantages over conventional optical microscopy, including controllable depth of
field, the elimination of image degrading out-of-focus information, and the ability to
collect serial optical sections from thick specimens. The key to the confocal
approach is the use of spatial filtering to eliminate out-of-focus light or flare in
specimens that are thicker than the plane of focus. There has been a tremendous
explosion in the popularity of confocal microscopy in recent years, due in part to the
relative ease with which extremely high-quality images can be obtained from
specimens prepared for conventional optical microscopy, and in its great number of
applications in many areas of current research interest.
Electronic Imaging Detectors - The range of light detection methods and the wide

variety of imaging devices currently available to the microscopist make the selection
process difficult and often confusing. This discussion is intended to aid in
understanding the basics of light detection and to provide a guide for selecting a
suitable detector for specific applications in optical microscopy.
Troubleshooting Classical and Digital Photomicrography - Photography

through the microscope is undergoing a transition from film to digital imaging. New
digital technologies are producing higher resolution micrographs, but the quality still
falls short of that obtainable with film. Microscope configuration errors represent the
greatest obstacle to quality photomicrographs, followed by errors in filter selection,
film choice, aberration, dirt and debris, and processing mistakes.
Oblique or Anaxial Illumination - Achieving conditions necessary for oblique

illumination, which has been employed to enhance specimen visibility since the
dawn of microscopy, can be accomplished by a variety of techniques with a simple
transmitted optical microscope. Perhaps the easiest methods are to offset a partially
closed condenser iris diaphragm or the image of the light source. In former years,
some microscopes were equipped with a condenser having a decenterable aperture
iris diaphragm. The device was engineered to allow the entire iris to move off-center
in a horizontal plane so that closing the circular diaphragm opening would result in
moving the zeroth order to the periphery of the objective rear focal plane. In
advanced models, the entire diaphragm was rotatable around the axis of the
microscope so that oblique light could be directed toward the specimen from any
azimuth to achieve the best desired effect for a given specimen.
Multiphoton Excitation Microscopy - Multiphoton fluorescence microscopy is a

powerful research tool that combines the advanced optical techniques of laser
scanning microscopy with long wavelength multiphoton fluorescence excitation to
capture high-resolution, three-dimensional images of specimens tagged with highly
specific fluorophores.
Best of the Silicon Zoo
Flying Osprey - A Hewlett-Packard design team headed by Howard Hilton in Lake

Stevens, Washington was responsible for placing what is perhaps the World's
smallest rendition of an osprey on a decimation filter integrated circuit utilized in
signal analyzer instruments.
Snoopy - The silicon version of Snoopy illustrated in this section was discovered by
Richard Piotter of New Ulm, Minnesota, who also loaned the 4-inch wafer (made by
a 1980s-era semiconductor company named Trilogy) from which the image is
derived.
The Con Artist - We found this guy in a trench coat trying to hock some fake Rolex
watches (that are probably "hot") on a Hewlett-Packard PA-RISC microprocessor.
Housed near the clock circuitry on the chip, the silicon artwork signifies a pun on
higher-end microprocessor clock systems that utilize a more complex feature set.
Pac-Man - A silicon version of the famous game character was photographed

gobbling the initials GAAS (gallium arsenide) on a TEMIC Semiconductors silicon-
germanium radio frequency integrated circuit.

Milhouse Van Houten - Simpson's cartoon character Milhouse was spotted on a

Silicon Image Sil154CT64 digital transmitter integrated circuit.
Godzilla - This mythical Japanese creature was discovered lurking on a pad within
the Silicon Graphics MIPS R10000 microprocessor (this chip is sure crowded with
silicon creatures).
Tux, the Linux Penguin - Tux is nesting within the pad ring on an integrated circuit
of unknown function (perhaps the latest new microprocessor designed to run the
Linux operating system).
Starship USS Enterprise - This famous Star Trek icon was discovered on a Texas
Instruments bipolar logic integrated circuit.
The Pepsi Generation - Perhaps the smallest soft drink advertisement ever
created, this 750 micron Pepsi commercial was discovered on a Hewlett-Packard
CPU-support chip.
The Rolex - An intricate bitmap-like pattern of vias (interconnect shafts) was used
to construct this incredible likeness of a Rolex wristwatch.
The Stay Puft Marshmallow Man - Coming to you from "GhostBusters", the Stay
Puft Marshmallow Man was cooked in a frying pan within the circuitry of a Weitek
math coprocessor designed in 1988.
Thor: God of Thunder - Probably the best silicon artwork we have yet seen, this
image was discovered on a Hewlett-Packard graphics chip.
The Chip Smurf - An orange silicon Smurf is pulling a wagon containing the
copyright symbol around the pad ring on a Siemens integrated circuit of unknown
function.
New Photo Gallery Entries
Observing Mitosis with Fluorescence Microscopy - Mitosis, a phenomenon

observed in all higher eukaryotes, is the mechanism that allows the nuclei of cells to
split and provide each daughter cell with a complete set of chromosomes during
cellular division. This, coupled with cytokinesis (division of the cytoplasm), occurs
in all multicellular plants and animals to permit growth of the organism. Digital
imaging with fluorescence microscopy is becoming a powerful tool to assist
scientists in understanding the complex process of mitosis on both a structural and
functional level.
Brightfield Microscopy Digital Image Gallery - Brightfield illumination has been

one of the most widely used observation modes in optical microscopy for the past
300 years. The technique is best suited for utilization with fixed, stained specimens
or other kinds of samples that naturally absorb significant amounts of visible light.
Images produced with brightfield illumination appear dark and/or highly colored
against a bright, often light gray or white, background. This digital image gallery
explores a variety of stained specimens captured with an Olympus BX51
microscope coupled to a 12-bit QImaging Retiga camera system.

Polarized Light Microscopy Digital Image Gallery - As a contrast-enhancing

optical technique, polarized light microscopy is unsurpassed in the magnificent array
of colors and beautiful textures generated through interference between orthogonal
wavefronts at the analyzer. Useful for observation of mineral thin sections, hairs,
fibers, particles, bones, chemical crystals, polymers, and a wide variety of other
specimens, polarized light can be employed for both quantitative as well as
qualitative investigations. Visit this gallery to observe how polarized light can be of
advantage in the observation of specimens that would otherwise exhibit poor
contrast and be difficult to distinguish from the background.
Differential Interference Contrast Digital Image Gallery - Thin unstained,

transparent specimens are excellent candidates for imaging with classical
differential interference (DIC) microscopy techniques over a relatively narrow range
(plus or minus one-quarter wavelength) of bias retardation. The digital images
presented in this gallery represent a wide spectrum of specimens, which vary from
unstained cells, tissues, and whole organisms to both lightly and heavily stained thin
and thick sections. In addition, several specimens exhibiting birefringent character
are included to demonstrate the kaleidoscopic display of color that arises when
anisotropic substances are imaged with this technique.
Confocal Microscopy Digital Image Gallery - Scroll through serial optical sections
from a wide variety of specimens, including tissue culture cells, thin and thick
sections, and entire organisms, in this Java-powered image gallery.
The DNA Gallery - DNA undergoes a number of liquid crystalline phase transitions
both in vitro and in vivo. This gallery explores the microscopic textures exhibited
by various liquid crystalline DNA phases and their transition states.
The Phytochemical Collection - Acclaimed by Newsweek as being "better than

Vitamins", phytochemicals are blazing a new frontier in the arena of cancer-
prevention research. Explore the beautiful crystalline patterns displayed by
phytochemicals captured in polarized light.
Intel Play QX3 Microscope Galleries - Check out digital images captured with this
incredible microscope using contrast enhancing techniques such as polarized light,
darkfield, brightfield, and Rheinberg illumination.
Phase Contrast Gallery - By "converting" phase objects such as living material into
amplitude specimens, phase contrast illumination allows scientists to see details in
unstained and/or living objects with great clarity and resolution. Explore the wide
spectrum of biological specimens presented in this gallery of digital images.
Hoffman Modulation Contrast Gallery - The modulation contrast technique takes

advantage of optical phase gradients to yield a pseudo three-dimensional effect on
images seen in the microscope.
Darkfield Microscopy Gallery - Darkfield illumination provides good contrast for

specimens that are often lacking in sufficient detail using other illumination
techniques.
Dinosaur Bones - Photographs of thin sections made from bones left behind by
dinosaurs that have been extinct for over 70 million years.

Electricity & Magnetism Interactive Java Tutorials
Electricity & Magnetism Interactive Java Tutorials - Visit our interactive tutorials
on electricity and magnetism to explore how these two forces of nature operate in
our everyday lives.
Building A Transistor - Explore how an individual Field Effect (FET) transistor is

fabricated on a silicon wafer simultaneously with millions of its neighbors.
Pulsed Magnets - Pulsed magnets are among the strongest magnets in the world,
and come in two forms: destructive and non-destructive. Of these two, non-
destructive magnets are more suited towards scientific research, as they can reach
some of the highest magnetic fields experimentally possible. This applet
demonstrates how a non-destructive short pulse magnet works, and shows the
relative field strengths generated.
How a Compact Disc Works - This tutorial explores how a laser beam is focused
onto the surface of a spinning compact disc, and how variations between pits and
lands on the disc surface affect how light is either scattered by the disc surface or
reflected back into a detector.
Electrophoresis - Explore how electrical potential can cause migration and

separation of macromolecules according to size in a cross-linked gel.
In the upcoming weeks and months, we will be adding more galleries, interactive Java tutorials,
Silicon Zoo artwork, Chip Shots and new entries for the image collections on our website so please
come back from time to time and check out our new additions.
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Java Applets on Physics (Java 1.4)
Java Applets on Physics

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Equilibrium of Three Forces 03/11/2000 - 01/18/2003
Resultant of Forces (Addition of Vectors) 11/02/1998 - 01/18/2003
Resolution of a Force into Components 05/30/2003 - 07/01/2003
Pulley System 03/24/1998 - 01/18/2003
Lever Principle 11/02/1997 - 01/18/2003
Inclined Plane 02/24/1999 - 01/18/2003
Newton's Second Law Experiment 12/23/1997 - 01/18/2003
Projectile Motion 09/13/2000 - 01/18/2003
Elastic and Inelastic Collision 11/07/1998 - 01/18/2003
Newton's Cradle 11/04/1997 - 01/18/2003
Carousel (Centripetal Force) 03/10/1999 - 01/18/2003
Kepler's First Law 03/25/2000 - 01/18/2003
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Kepler's Second Law 04/04/2000 - 01/18/2003

Hydrostatic Pressure in Liquids 02/03/1999 - 01/18/2003
Buoyant Force in Liquids 04/19/1998 - 01/18/2003
Oscillations and Waves

Simple Pendulum 05/21/1998 - 01/18/2003
Spring Pendulum 05/24/1998 - 01/18/2003
Coupled Pendula 07/05/1998 - 01/18/2003
Forced Oscillations (Resonance) 09/11/1998 - 01/18/2003
Beats 10/21/2001 - 01/18/2003
Standing Wave (Explanation by Superposition with the Reflected
New! (11/02/2003)
Wave)
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Doppler Effect 02/25/1998 - 01/18/2003
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Optics
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Reflection and Refraction of Light Waves (Explanation by
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Huygens' Principle)
Refracting Astronomical Telescope 03/08/2000 - 01/18/2003
Interference of Light at a Double Slit 10/07/2003 - 11/01/2003

Diffraction of Light by a Single Slit 10/11/2003 - 11/01/2003
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Photoelectric Effect 02/20/2000 - 01/18/2003
Bohr's Theory of the Hydrogen Atom 05/30/1999 - 01/18/2003
Nuclear Physics
Radioactive Decay Series 07/20/1998 - 01/18/2003
Law of Radioactive Decay 07/16/1998 - 01/18/2003
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1.2 PROCESSOS DE ELETRIZAO
COULOMB
PROCESSOS DE ELETRIZAO
Essencialmente, existem dois tipos de
portadores de carga eltrica: prtons (+) e
eltrons(-). Em condies de equilbrio,
qualquer material eletricamente neutro,
contendo igual nmero de prtons e eltrons.
Um material eletricamente positivo quando
tem excesso de prtons, ou falta de eltrons.
Da mesma forma, ele ser negativamente
carregado se tiver um excesso de eltrons.
Um material pode ser eletrizado atravs de

dois processos:
Eletrizao por atrito

Eletrizao por induo
Eletrizao por atrito ocorre quando materiais

no condutores so atritados uns contra
outros. Nesse processo, um dos materiais
perde eltrons e outro ganha, de modo que
um tipo de material fica positivo e outro fica
negativo. Uma experincia simples consiste
em carregar um pente passando-o vrias
vezes no cabelo. A comprovao de que ele
ficou carregado obtida atraindo-se
pequenas partculas, por exemplo, de p de
giz.
A figura ilustra as etapas essenciais do

processo de eletrizao por induo. Na
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod01/m_s01.html (1 de 2) [13/03/2004 16:18:14]

ilustrao, tem-se inicialmente um corpo

carregado e outro descarregado ( para que o
processo seja factvel, este corpo deve ser
condutor). A aproximao do corpo
positivamente carregado atrai as cargas
negativas do corpo eletricamente neutro. A
extremidade prxima ao corpo carregado fica
negativa, enquanto a extremidade oposta fica
positiva.
Mantendo-se o corpo carregado prximo, liga-

se o corpo eletricamente neutro terra.
Eltrons subiro da terra para neutralizar o
excesso de carga positiva. Cortando-se a
ligao terra, obtm-se um corpo
negativamente carregado.

1.3 A LEI DE COULOMB
Capitulo 1- A LEI DE
COULOMB
Condutores e Isolantes
No contexto do eletromagnetismo, podemos classificar os
materiais em:
Condutores
Isolantes (ou dieltricos)
Semicondutores
Supercondutores.
Para o momento, vamos nos deter apenas nos condutores e

nos dieltricos. Como os nomes sugerem, um material
condutor tem facilidade para conduzir a eletricidade,
enquanto um dieltrico no conduz a eletricidade. Na
verdade, seria melhor dizer que um dieltrico quase no
conduz a eletricidade. H circunstncias (veremos mais
tarde) em que ele tambm conduz.
Podemos dizer, numa linguagem bastante simples, que um

dieltrico diferente de um condutor porque este tem
eltrons livres, que se encarregam de conduzir a
eletricidade. Assim, quando uma certa quantidade de carga
eltrica colocada num material dieltrico, ela permanece
no local em que foi colocada. Ao contrrio, quando esta
carga colocada num condutor, ela tender a se distribuir
at que o campo no interior do material seja nulo.
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod01/m_s02.html [13/03/2004 16:18:17]

1.4 LEI DE GAUSS & LEI DE COULOMB
Capitulo 1 - A LEI DE
COULOMB
FORA ELETROSTTICA
Numa abordagem bastante geral, podemos dizer que dois
corpos eletrizados interagem atravs da atrao
gravitacional e da interao eletromagntica. Esta
abordagem pode ser simplificada desprezando-se a atrao
gravitacional frente interao eletromagntica. Na maioria
dos casos tratados aqui essa uma boa aproximao.
Podemos fazer outra simplificao, considerando apenas as
cargas estacionrias. Eletrosttica esta rea do
eletromagnetismo que aborda interaes entre cargas
estacionrias ou quase estacionrias.
Coulomb descobriu, experimentalmente, que a fora entre

cargas q1 e q2 dada por:
(1.1)
onde =8.99x109 Nm2/C2 uma constante que tem
essa forma para atender necessidades de ajustes

dimensionais e para simplificar as equaes de Maxwell.
0=8.85x10-12 C2/Nm2, uma constante muito importante

no eletromagnetismo, denominada permissividade eltrica
no vcuo.
+e+ +e- -e-
No aplicativo acima, v-se duas cargas eltricas.

1) Altere os sinais das cargas e observe os sentidos das

foras de interao eletrosttica.
2) Clique sobre uma carga e veja, na barra amarela que fica
na parte de baixo da moldura, o valor das coordenadas e da
fora.
3) Fixe uma das cargas, e movimente a outra ao longo do
eixo dos x's. Faa o grfico de F versus a distncia entre as
cargas. Use pelo menos 10 pontos para fazer grfico.
4) Voc consegue explicar porqu foi sugerido que a carga
se movimentasse ao longo dos eixo dos x's?

3.4 EXEMPLO 1.1
COULOMB
EXEMPLO 1.1
Duas cargas positivas puntiformes, Q1 e Q2, so colocadas
no eixo dos y, nos pontos y=+a e y=-a. Calcule a fora
dessas duas cargas sobre uma terceira carga, q, colocada no
eixo dos x.
Vamos tomar a primeira providncia, vlida em quase
todos os problemas de fsica: fazer um desenho que
represente o enunciado. A figura 1.2 a expresso grfica
do enunciado acima.
Pelo princpio da superposio, .
Tendo em conta as posies das cargas, conforme figura

acima, e que Q1=Q2=Q=q, tem-se
F1=F2=kq2/r2.
Por simetria chega-se concluso que a fora resultante

sobre a terceira carga tem a direo do eixo x. Portanto, o

3.4 EXEMPLO 1.1
mdulo da fora resultante ser
Mostre que a fora resultante mxima no ponto .
Substituindo o valor negativo de x na expresso , obtm-

se um resultado positivo, em aparente contradio com os
apontamentos ao lado. Tente descobrir onde est o
equvoco.

1.6 Exercicios
COULOMB
Exercicios.
Pergunta 1
1.1 Duas partculas igualmente carregadas, com um

afastamento de 3x10-3 m entre elas, so largadas a
partir do repouso. As partculas tm massas iguais a
7,0x10-7 kg e 5,4x10-7 kg, e a acelerao inicial da
primeira partcula de 700 m/s2. Quais so: (a) a
acelerao da segunda partcula? (b) O mdulo da carga
comum?
R.: 900 m/s2; 7x10-10 C.
Pergunta 2
1.2 Considerando, na figura 1.3, q=2x10-6 C e a=10

cm, determine as componentes horizontais e verticais
da fora resultante que atua na carga q (canto
superior direito). As cargas esto em repouso absoluto.
R.: 1,94kq2/a2; 0,06kq2/a2.
Figura 1.3
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod01/m_ex.html (1 de 3) [13/03/2004 16:18:30]

1.6 Exercicios
Pergunta 3
1.3 Duas cargas pontuais livres, +q e +9q, esto

afastadas por uma distncia d. Uma terceira carga
colocada de tal modo que todo o sistema fica em
equilbrio. (a) Determine a posio, o mdulo e o sinal
da terceira carga. (b) Mostre que o equilbrio instvel.
R.: Carga 9q/16, colocada entre as cargas +q e +9q, a
uma distncia d/4 a partir da carga +q.
Pergunta 4
1.4 Cargas iguais a +Q so colocadas nos vrtices de

um tringulo equiltero de lado L. Determine a posio,
o mdulo e o sinal de uma carga colocada no interior do
tringulo, de modo que o sistema fique em equilbrio.
R.: Carga
colocada na bissetriz, a uma distncia
a partir do vrtice.
Pergunta 5
1.5 Uma carga Q igual a 2x10-19 C dividida em duas,

(Q-q) e q, de modo que a repulso coulombiana seja
mxima. Calcule a distncia que uma deve ficar da
outra, para que esta fora seja igual 9x10-9 N.
R.: 1

1.6 Exercicios
Pergunta 6
1.6 Duas cargas pontuais idnticas, de massa m e carga

q, esto suspensas por fios no condutores de
comprimento L, conforme ilustra a figura 1.4.
Considerando o ngulo to pequeno de modo que seja
vlida a aproximao , mostre que
Figura 1.4
Pergunta 7
1.7 (a) Quantos eltrons devero ser removidos de uma

pequena esfera, para deix-la com carga igual a
+1,6x10-9 C? (b) Supondo que a esfera seja de cobre, e
tenha massa igual a 3,11 g, calcule a frao dos
eltrons totais da esfera que corresponde ao valor
encontrado em (a).
R.: 1010 eltrons; 1/1014.

2.2 Ao a Distancia
ELTRICO
Ao a Distancia
A fora coulombiana, assim como a fora gravitacional, so
interaes distncia, um conceito mal compreendido,
desde Newton at meados do sculo passado, quando
Faraday introduziu a idia de campo. De acordo com o
conceito de campo, a interao entre duas cargas, Q1 e Q2,
ocorre atravs da ao do campo de uma delas sobre a
outra. Operacionalmente, o campo assim definido
(2.1)
onde a carga de prova, q0, to pequena quanto possvel.
Isto , para se conhecer o valor do campo eltrico em
determinado ponto, basta colocar uma carga de prova
naquele ponto e dividir a fora medida pelo valor da carga.
Apresenta-se nesta simulao, a configurao de campo

eltrico criado por uma certa distribuio de carga. Uma
carga de prova (vermelha) pode ser usada para se
determinar o valor de E em qualquer ponto no interior da
moldura. Coloque o cursor sobre a carga e veja o valor de E.
O valor positivo, logo, a carga lquida na distribuio
positiva. Tente colocar a carga de prova em vrios pontos
com y=0 (aproximadamente igual a zero) e diferentes
valores de x. Use uma dessas medidas e determine o valor
da carga lquida da distribuio. Faa um grfico de E versus
x. Compare este grfico "experimental" com um terico,
obtido com o uso da eq.2.1.

1.2 LINHAS DE FORA
Capitulo 2- O CAMPO
ELTRICO
LINHAS DE FORA
Com a introduo do conceito de campo, logo surgiu a
dvida sobre como ele se apresentava no espao. Faraday
props o conceito de linhas de fora.
Existe uma bem definida relao entre campo e linhas de

fora, de modo que conhecendo-se um, determina-se o
outro.
Em cada ponto do espao, a direo do campo

determinada pela tangente linha de fora.
Em cada ponto do espao, o valor do campo
determinado pelo nmero de linhas por unidade de rea
transversal. Quanto maior a densidade de linhas de
campo, maior a intensidade do campo.
Uma forma bastante simples para visualizar linhas de

campo, no caso do campo magntico: (1) colocar um m
sob uma cartolina; (2) espalhar limalha de ferro sobre a
cartolina.
No aplicativo ao lado, so visualizadas as linhas de campo

de quatro esferas carregadas. As esferas podem ser
colocadas em qualquer ponto do espao definido pela
moldura; basta colocar o apontador do mouse sobre a
carga e arrast-la para o ponto desejado. Coloque as
esferas em diferentes posies, e determine o sinal da
carga de cada uma. Ordene as esferas de acordo com o
mdulo das suas cargas.
Se tiver dvida, entre no teleduc e tente tir-la com o

professor ou com algum colega.
1.2 LINHAS DE FORA
No aplicativo ao lado, v-se duas cargas, e as linhas de

campo (outra denominao tambm usada para linhas de
fora) da configurao. A carga esquerda positiva e tem
valor fixo. A carga direita pode ser positiva ou negativa, e
tem seu valor ajustado atravs da barra de controle.
Quando o cursor da barra de controle est na extremidade
direita, a carga mxima, e quando est na extremidade
esquerda a carga prxima de zero.
Movimente o cursor, de uma extremidade outra, e tente
descrever o que acontece com as linhas de campo. Para se
introduzir o conceito de campo eltrico no incio deste
captulo, utilizamos uma carga de prova, "to pequena
quanto possvel". Use o experimento que voc acabou de
fazer, e tente justificar por qu a carga de prova tem que
ser "to pequena quanto possvel". DICA: a carga de prova
serve para a medida do campo eltrico da outra carga. Isto
significa que ela serve para se avaliar as linhas de campo
da outra carga.

2.4 CAMPO DE UM DIPOLO ELTRICO
ELTRICO
CAMPO DE UM DIPOLO ELTRICO
Dada uma carga puntiforme, q, e uma carga de prova, q0, a
uma distncia r da primeira, tem-se
(2.2)
Portanto, pela definio de campo, eq. (2.1), tem-se o

campo de uma carga puntiforme
(2.3)
Dipolo eltrico uma configurao muito importante para o

tema que estamos tratando. Consiste de um par de cargas
de mesmo valor e sinais contrrios, separadas por uma
distncia d.
Figura 2.1

Pelo princpio da superposio,
Use a eq. (2.3) e mostre que o campo do dipolo, num ponto

da sua mediatriz, xd, dado por
(2.4),
onde p=qd o momento de dipolo eltrico do dipolo.
Teta = 0 Ey = +1 E(- =
abaixo, +=acima)
Iniciar Pausa Reset
Q (verde = "+" vermelho = "-") =
< <1 passo 1 passo > >
1 C
Atualizar valores
Esta simulao permite analisar o efeito de um campo

eltrico uniforme, representado pelas linhas de fora
verticais (verdes), sobre um dipolo eltrico. Os vetores azuis
sobre cada carga representam as foras sobre elas. Vrios
parmetros podem ser alterados pelo usurio. O campo
eltrico sempre na direo y, mas pode ter o sentido + ou -
, alm disso, seu mdulo pode assumir qualquer valor. Teta
o ngulo entre a mediatriz do dipolo e a direo do campo
eltrico. A carga verde positiva, e a vermelha, negativa.
Ambas tm o mesmo valor, como deve ser no caso de um
dipolo. A carga pode assumir qualquer valor.
Inicialmente, coloque teta=0, E=+1 e Q=1 C. Tecle no boto

"iniciar" e observe o movimento do dipolo. Tente explicar o
movimento. Para facilitar a tarefa, faa o seguinte: Clique no
boto "pausa" quando o dipolo estiver em diferentes
posies; analise as foras sobre as cargas, e leve em conta

a energia cintica adquirida por cada carga. Examine o

movimento do dipolo, passo a passo, clicando nos botes "1
passo>>" e "<<1 passo". Depois, analise o movimento para
diferentes valores de teta, E e Q.
Faa uma descrio o mais detalhada possvel do movimento

e coloque no seu "portflio".

2.4 EXEMPLO 2.1
Capitulo 2- O CAMPO
ELTRICO
EXEMPLO 2.1
Um eltron lanado horizontalmente com uma velocidade
V0, em um campo uniforme entre as placas paralelas da
figura 2.2. A direo do campo vertical, e seu sentido
para cima. Supondo que o eltron penetra no campo em um
ponto eqidistante das placas, e tangencia a borda da placa
inferior ao sair, determine o valor do campo eltrico.
Figura 2.2
O movimento do eltron semelhante ao de um projtil

lanado no campo gravitacional. Ao invs do peso, tem-se
sobre o eltron a fora Coulombiana F=eE. Ao invs da
acelerao da gravidade, g, tem-se a acelerao a=eE/m.
Do que sabemos sobre lanamento de projtil (ver clculo ao
lado), conclui-se que

1.6 Exercicios
Capitulo 2 - O CAMPO ELTRICO

Exercicios.
Pergunta 1
2.1 Um eltron solto a partir do repouso, num campo eltrico

uniforme de mdulo igual a 5x103 N/C. Ignorando o efeito da
gravidade, calcule a acelerao do eltron.
R.: 8,78x1014 m/s2
Pergunta 2
2.2 Quais so o mdulo e a direo do campo eltrico que

equilibrar o peso de uma partcula (2 prtons e 2 nutrons)?
R.: 2,1x10-7 N/C; de baixo para cima.
Pergunta 3
2.3 Na figura 2.3 as cargas esto fixas nos vrtices de um

tringulo equiltero. Determine o mdulo e o sinal da carga Q,
para os quais o campo eltrico total no ponto P (encontro das
bissetrizes) ser nulo.
R.: 2,0 C.

1.6 Exercicios
Figura 2.3
Pergunta 4
2.4 Duas cargas, 3q e +q, so fixas e separadas por uma

distncia d. Localize o(s) ponto(s) onde o campo eltrico nulo.
R.: 1,36d, direita da carga +q.
Pergunta 5
2.5 Considere um dipolo eltrico com momento igual a 2x10-29

C.m. Faa um desenho representando este dipolo e calcule sua
fora (mdulo, direo e sentido) sobre um eltron colocado no
eixo do dipolo, a uma distncia de 300 do seu centro,
considerando que 300 >>d.
R.: 1,06x10-15 N.
Pergunta 6
2.6 Considere positivas as cargas na figura 2.4. Mostre que o

campo eltrico num ponto situado ao longo do eixo que une as
cargas, distando x (x>>d), do ponto mdio entre elas, vale

1.6 Exercicios
Figura 2.1
Pergunta 7
2.7 Um prton projetado na direo indicada na figura 2.5,

com velocidade 5x105 m/s. Considerando =30o, E=3x104 N/C,
d=2 cm e L=15 cm, determine a trajetria do prton at que ele
atinja uma das placas, ou saia da regio sem atingi-las.
Despreze o efeito da gravidade.
R.: 4,6x10-8 s depois de lanado, o prton atinge a placa
superior. O ponto do choque dista 1,99 cm do incio da placa.
Figura 2.5
Pergunta 8
2.8 Na figura 2.6 um eltron projetado ao longo do eixo que

passa no meio entre as placas de um tubo de raios catdicos,
com velocidade inicial de 2 x 1017 m/s. O campo eltrico
uniforme existente entre as placas tem uma intensidade de
1.6 Exercicios
20000 N/C e est orientado para cima. (a) De quanto o eltron

se afastar do eixo quando ele chegar ao fim das placas? (b) A
que ngulo, em relao ao eixo, o eltron se move no instante
em que est saindo das placas? (c) A que distncia, abaixo do
eixo, o eltron atingir a tela fluorescente S?
R.:(a) 7x10-23 m; (b) aprox. igual a zero!; (c)4,9x10-22
Figura 2.6

Capitulo 3 - A LEI DE GAUSS

FLUXO DO CAMPO ELTRICO
Vamos iniciar por uma idia simples e intuitiva. Quem ouve
rdio no vero em Porto Alegre est a todo momento sendo
informado que passam tantos carros por minuto no posto da
Polcia Federal da auto-estrada. Quanto maior o nmero de
carros por minuto, maior o fluxo. Pronto, j introduzimos o
conceito de fluxo. Da mesma forma, o proprietrio de uma
loja mede a sua clientela pela quantidade de gente que
passa pela porta de entrada, em determinado intervalo de
tempo.
Qualquer que seja o caso, veremos facilmente que o fluxo

depende da quantidade daquilo que flui e da rea atravs da
qual passa o "fluido". Portanto, quanto maior o nmero de
clientes ou quanto maior a porta de entrada, maior ser o
fluxo de clientes para o interior da loja.
Essa noo intuitiva est na origem daquilo que podemos

denominar fluxo do campo eltrico (E). Numa primeira
abordagem, podemos dizer que
Fluxo de campo eltrico = intensidade de campo eltrico X

rea perpendicular ao campo
Logo veremos que essa definio muito simplificada, e tem

pouco valor operacional, porque em geral o valor de E varia
ao longo da superfcie, e nem sempre esta perpendicular
ao campo. Podemos melhorar a definio, dividindo a
superfcie em elementos to pequenos quanto possvel, de
modo que E seja constante nessa rea infinitesimal. A esta
rea associamos um vetor , cuja direo perpendicular
rea e cujo mdulo igual rea. Podemos manter a idia
intuitiva definindo fluxo infinitesimal,

(3.1)
Assim, o fluxo atravs de determinada rea S dado pela

integral de superfcie
(3.2)
No caso de uma superfcie fechada, o vetor rea

convencionalmente dirigido de dentro para fora. O fluxo
atravs de uma superfcie fechada assim representado
(3.3)

3.3 A LEI DE GAUSS

A Lei de Gauss
Seja uma carga Q. Imagine uma superfcie qualquer,
fechada, envolvendo esta carga. A lei de Gauss estabelece
que
(3.4)
A lei de Gauss vlida para qualquer situao, com campo

uniforme, ou no, e para qualquer tipo de superfcie fechada,
tambm denominada superfcie Gaussiana. Todavia, para ser
operacionalmente til ela deve ser usada apenas em
determinadas circunstncias. Uma circunstncia favorvel
ocorre quando a superfcie Gaussiana tal que o produto
escalar entre o campo e o vetor superfcie facilmente
obtido
Isso sempre possvel quando a distribuio de cargas

apresenta alta simetria. Existem trs tipos de simetrias que
facilitam o uso da lei de Gauss
Simetria planar;
Simetria cilndrica ou axial;
Simetria esfrica
A simetria planar aplica-se no caso de uma distribuio de

cargas num plano infinito, ou no caso em que se possa fazer
a aproximao de plano infinito. Por exemplo, um plano
finito pode ser considerado infinito, se o campo eltrico for
calculado num ponto muito prximo do plano. Isto , se a
distncia do plano ao ponto for muito menor do que as
dimenses do plano

3.3 A LEI DE GAUSS
A simetria cilndrica, ou axial, aplica-se no caso de uma

distribuio linear infinita. Existem dois casos clssicos:
Linha infinita de cargas;

Cargas distribudas num cilindro infinito.
De modo anlogo ao caso anterior, um cilindro finito pode

ser considerado infinito em determinadas circunstncias.
Existem dois casos tpicos de simetria esfrica:
Carga puntiforme;
Distribuio esfrica de cargas.
Veremos mais adiante como usar a lei de Gauss para

calcular o campo devido a cada uma dessas distribuies.
Detector Detector Detector Detector

1 2 3 4
Nesta animao, o espao definido pela moldura dividido

em duas regies: dentro e fora do crculo cinza. Uma certa
quantidade de carga eltrica distribuda dentro da moldura.
Dispomos de quatro tipos de detetores de fluxo eltrico,
cujos valores medidos so apresentados na barra esquerda
da moldura. Observe que a lei de Gauss, expressa na eq.
3.4, significa que o fluxo atravs de uma superfcie fechada
proporcional carga englobada por esta superfcie. Ento,
quando usamos um desses detetores, para medir fluxo
eltrico, estamos englobando uma certa quantidade de carga
eltrica, o valor medido proporcional carga englobada.
Se o fluxo for positivo (negativo), porque a carga
positiva (negativa). Qual a diferena essencial entre um
detetor e outro? o tamanho. Quanto maior o detetor, mais
carga ele vai englobar. Ento, se numa regio tivermos
cargas positivas e negativas, prximas umas das outras,
precisamos escolher um detetor com tamanho apropriado
para distinguir os tipos de carga.

3.3 A LEI DE GAUSS
Use os diferentes detetores e descreva como a carga

distribuda no espao definido pela moldura.


LEI DE GAUSS & LEI DE COULOMB.
A lei de Gauss e a lei de Coulomb so formas diferentes de
abordar o mesmo problema. Portanto, o clculo do campo
eltrico para determinada distribuio de carga fornece o
mesmo resultado, quer seja realizado atravs de uma ou
outra lei.
Ento, quando e por que usar uma ou outra lei? Como regra,
o uso de uma ou outra lei determinado pelas seguintes
circunstncias:
Distribuio de cargas com alta simetria ... Lei de Gauss

Distribuio de cargas com baixa simetria ...Lei de
Coulomb.

3.4 CAMPO DE UMA CARGA PUNTIFORME

CAMPO DE UMA CARGA PUNTIFORME
Por argumentos de simetria, fcil chegar concluso de
que o campo de uma carga puntiforme deve ter simetria
esfrica. Isto , o valor do campo o mesmo para qualquer
ponto sobre uma esfera. Mais do que isso, o campo deve ser
normal a esta esfera.
Portanto, a melhor Gaussiana para calcular o campo a uma

distncia r de uma carga puntiforme uma esfera de raio r.
Em qualquer ponto sobre a Gaussiana, o produto escalar

ser simplesmente EdS. Ento, tendo em conta que E
constante, teremos
A integral fechada sobre a superfcie corresponde rea da

esfera, 4r2. Portanto, o campo de uma carga puntiforme, q,
a uma distncia r, dado por
(3.5)
Como era de se esperar, a expresso (3.5) igual

expresso (2.3), obtida com o uso da lei de Coulomb.

3.5 DISTRIBUIO ESFERICAMENTE SIMTRICA

DISTRIBUIO ESFERICAMENTE
SIMTRICA
No caso de uma distribuio de cargas com simetria esfrica,
convm distinguir algumas situaes. Em primeiro lugar,
dependendo do material o tratamento ser bem diferente.
Material condutor - J sabemos que quando

uma certa quantidade de carga eltrica
colocada num material condutor, ela se
distribuir de modo a manter o campo nulo no
interior do material. Numa esfera a carga
ficar uniformemente distribuda na sua
superfcie. Portanto, para um material
condutor no h diferena entre uma esfera e
uma casca esfrica. Em ambos os casos, a
carga eltrica se distribuir uniformemente na
superfcie externa.
Material dieltrico - Quando o material no-
condutor, a situao bem diferente. A carga
no se distribui como no caso do condutor;
grosso modo, ela fica onde a colocamos. Para
esse tipo de material no suficiente
conhecermos a quantidade de carga, h que
se saber a forma como ela est sendo
distribuda. Isto , necessitamos conhecer a
densidade de carga no interior do material.
Portanto, em termos de clculo de campo
eltrico e uso da lei de Gauss, uma esfera
dieltrica pode ser bastante diferente de uma
casca esfrica.

3.6 ESFERA CONDUTORA

ESFERA CONDUTORA
J vimos acima que no caso de material condutor, pouco
importa se temos uma esfera macia, oca ou se temos uma
simples casca esfrica; qualquer que seja o objeto, o campo
interno sempre ser nulo.
De modo anlogo ao caso da carga puntiforme, argumentos

de simetria nos levam concluso de que o campo de uma
esfera condutora tem simetria esfrica, de modo que a
melhor Gaussiana ser uma esfera concntrica com a
distribuio de cargas. O campo igual ao de uma carga
puntiforme, dado na eq. (3.5).
Portanto, uma esfera condutora de raio R comporta-se, para

pontos externos,r>R, como se toda sua carga estivesse
concentrada no seu centro.

3.7 ESFERA DIELTRICA

ESFERA DIELTRICA
Vamos considerar o caso em que a distribuio de cargas
uniforme. Isto , a densidade , dada em C/m3, constante.
Poderamos ter uma distribuio mais complexa, na qual a
densidade variasse com a distncia ao centro.
Regio I - r > Raio da distribuio (R)
O clculo anlogo ao do campo de uma carga puntiforme.

O resultado tem a mesma forma apresentada na eq. (3.5).
Se a carga total, Q, for conhecida, basta coloc-la no lugar
de q. Se ao invs disso, conhecermos a densidade, , ento
a carga ser dada pelo produto da densidade pelo volume da
esfera, Q=4R3/3, resultando
(3.6)

Regio II - r < R
A carga que aparece na lei de Gauss;
aquela envolvida pela superfcie Gaussiana, isto , a carga

no interior do volume 4r3/3. Se conhecemos a densidade de
carga, teremos Q=4r3/3. O campo no interior da esfera
ser dado por

3.7 ESFERA DIELTRICA
(3.7)
O variao do campo, em funo do raio, representada na

figura abaixo.

3.8 DISTRIBUIO LINEAR INFINITA

DISTRIBUIO LINEAR INFINITA
Vamos considerar o caso em que a
distribuio de cargas uniforme. Isto
, a densidade , dada em C/m3,
constante. Poderamos ter uma
distribuio mais complexa, na qual a
densidade variasse com a distncia ao
centro.
Argumentos de simetria permitem

concluir que o campo apresenta
simetria cilndrica. Isto , a intensidade
a mesma em qualquer ponto da
superfcie lateral de um cilindro, cujo
eixo coincide com o eixo da distribuio
da cargas, e a direo perpendicular
a esta superfcie lateral.
bvio que a superfcie Gaussiana

mais apropriada o cilindro indicado na
figura ao lado. A integral fechada da lei
de Gauss pode ser desdobrada,
transformando-se numa soma de
integrais de superfcie, ao longo das
bases do cilindro e ao longo da
superfcie lateral.
Em qualquer ponto das bases, os vetores E e dS so

perpendiculares entre si, de modo que as duas primeiras
integrais so nulas. Na superfcie lateral, o campo

3.8 DISTRIBUIO LINEAR INFINITA
constante e tem a mesma direo do vetor dS. Portanto,

A carga no interior da Gaussiana q=h. Portanto, o campo

criado por uma distribuio linear infinita, a uma distncia r
do eixo da distribuio, dado por

3.9 PLANO INFINITO DE CARGAS

PLANO INFINITO DE CARGAS
Vamos considerar uma distribuio infinita de cargas, com
densidade uniforme +, conforme figura abaixo
Por simetria conclui-

se que o campo
perpendicular ao
plano de cargas, e
que sua intensidade
constante ao longo
de qualquer plano
paralelo ao plano de
cargas. Portanto, o
cilindro da figura
acima uma boa
escolha como
superfcie Gaussiana.
De modo anlogo ao
procedimento
adotado no caso da
simetria cilndrica, a
integral fechada
pode ser desdobrada
em integrais abertas,
ao longo das bases e
da superfcie lateral
da Gaussiana
Em qualquer ponto da superfcie lateral, os vetores E e dS

so mutuamente perpendiculares, de modo que o produto
3.9 PLANO INFINITO DE CARGAS
escalar nulo. Por outro lado, tanto na base1, quanto na

base2, E constante e paralelo a dS, de modo que
A carga no interior da superfcie Gaussiana q=A,

resultando
(3.9)

3.11 Exercicios

Exercicios.
Pergunta 1
3.1 Uma rede de caar borboleta est numa regio onde

existe um campo eltrico uniforme, como ilustra a
figura 3.1. A extremidade aberta limitada por um aro
de rea A, perpendicular ao campo. Calcule o fluxo de E
atravs da rede.
Pergunta 2
3.2 Uma linha infinita de cargas produz um campo de

3x104 N/C a uma distncia de 3 m. Calcule a densidade
linear de carga. R.: 5x10-6 C/m
Pergunta 3
3.3 A figura 3.2 mostra parte de dois longos e finos

cilindros concntricos de raios a e b. Os cilindros
possuem cargas iguais e opostas, com densidade linear
3.11 Exercicios
. Use a lei de Gauss para mostrar que: (a) E=0 para
r<a e (b) entre os cilindros
Figura 3.2
Pergunta 4
3.4 A figura 3.3 mostra um cilindro condutor muito

longo, de comprimento L, contendo uma carga +q e
envolvido por uma fina casca cilndrica, tambm
condutora e de comprimento L, contendo uma carga
2q. Use a lei de Gauss para calcular: (a) o campo
eltrico na regio externa casca cilndrica; (b) A
distribuio de cargas na parte interna e na parte
externa da casca cilndrica; (c) o campo eltrico na
regio entre os cilindros.
R:(a)E=(1/20)(q/Lr), apontando de fora para o centro
do cilindro; (b)-q em cada superfcie; (c)idem ao tem
(a), apontando do centro do cilindro para fora.

3.11 Exercicios
Figura 3.3
Pergunta 5
3.5 Um cilindro infinitamente longo, de raio R, contm

uma carga uniformemente distribuda, com densidade .
Mostre que a uma distncia r do eixo do cilindro (r<R),
Pergunta 6
3.6 A figura 3.4 mostra uma esfera com massa m e

carga q, suspensa no campo gravitacional da terra por
um fio de seda que faz um ngulo com uma placa no
condutora infinita e uniformemente carregada. Calcule a
densidade superficial de carga da placa, .
R: =2mg0tg/q

3.11 Exercicios
Figura 3.4
Pergunta 7
3.7 A figura 3.5 mostra duas placas infinitas com suas

superfcies internas carregadas com densidades
superficiais de carga + e -. Determine o campo
eltrico: (a) na regio esquerda das placas; (b) na
regio entre as placas; (c) na regio direita das
placas.
R: E=0 fora do capacitor; E=/0 no interior do
capacitor.
Figura 3.5

3.11 Exercicios
Pergunta 8
3.8 Uma fina casca esfrica metlica de raio ra possui

uma carga qa. Concntrica com esta casca, existe outra
fina casca metlica de raio rb (rb>ra) e carga qb. Calcule
o campo eltrico nas regies onde: (a) r<ra; (b)
ra<r<rb; (c) r>rb.
R: (a)E=0; (b)E=(1/40r2)(qa);
(c)E=(1/40r2)(qa+qb)
Pergunta 9
3.9 A figura 3.6 mostra uma esfera condutora de raio

ra, com carga +q, concntrica com uma casca esfrica
condutora de raios rb e rc e carga -2q. Calcule o campo
eltrico nas regies em que: (a) r<ra; (b) ra<r<rb; (c)
rb<r<rc; (d) r>rc. (e) Use a lei de Gauss para mostrar
como as cargas se distribuiro na parte interna e na
parte externa da casca esfrica. R: (a)E=0;
(b)E=q/(40r2), apontando para fora; (c)E=0;
(d)E=q/(40r2), apontando para o centro da esfera.

3.11 Exercicios
Figura 3.6

4.2 ENERGIA POTENCIAL
ELTRICO
ENERGIA POTENCIAL
J vimos que a fora eletrosttica tem a mesma forma da
fora gravitacional. Mais importante do que isso, esse tipo de
fora, conhecida como fora central, leva ao teorema da
conservao da energia cintica mais energia potencial. Por
isso so tambm conhecidas como foras conservativas.
Assim, tudo o que j aprendemos com o potencial
gravitacional, pode ser inteiramente transposto para o caso
do potencial eltrico. J sabemos que dada uma fora
central, possvel definir uma funo dependente da posio
denominada simplesmente potencial, com propriedades
muito interessantes referente ao princpio da conservao da
energia
Vamos relembrar algumas noes fundamentais. Tomando

como exemplo o clssico problema de uma mola e uma
massa, em movimento oscilatrio, vimos que a conservao
de energia manifesta-se pela transformao de energia
potencial em energia cintica, e vice-versa. Vimos que o
trabalho realizado sobre a massa era dado pela variao da
energia cintica
W = K
Da conservao da energia, U+K=0, conclui-se que
W = - U (4.1)
Sabemos que o trabalho para levar um objeto de uma

posio i at uma posio f, dado pela integral de linha

(4.2)
onde F a fora que atua sobre o objeto. dl um elemento

de integrao tangente ao percurso entre i e f, e sempre
aponta de i para f. Um dado importante que o trabalho
calculado em (4.2) no depende do caminho, depende
apenas dos pontos iniciais e finais. Para ilustrar, vejamos o
caso de uma fora uniforme, cuja direo no plano dada na
figura abaixo.
Figura 4.1
Vamos escrever a eq. (4.1) de outra forma:
Uf - Ui = -Wif (4.3)
Este resultado absolutamente geral, sempre tem-se

diferena de energia potencial, jamais energia potencial
absoluta. Isso implica na possibilidade de se definir,
arbitrariamente, uma "origem".
Por exemplo, no caso do potencial gravitacional, costuma-se

arbitrar
Uterra=0
No caso eletrosttico, a menos que se diga o contrrio, usa-

se

Ui = U? = 0
Uf = U = -W?
Assim, dada uma configurao de cargas, criadora de um

campo, a energia potencial desse sistema e uma carga de
prova situada em determinado ponto, o negativo do
trabalho realizado pelo campo para trazer a carga de prova
do infinito at o ponto considerado.

4.3 POTENCIAL
ELTRICO
POTENCIAL
Ao invs de trabalhar com energia
potencial, mais conveniente trabalhar
No sistema de com o potencial, assim definido
unidades SI, a
unidade de
potencial o (4.4)
Volt (V).
por isso que na Do que foi discutido acima, pode-se
linguagem mostrar que a diferena de potencial
popular, potencial entre dois pontos "i" e "f", dado pela
eltrico mais relao
conhecido como
voltagem.
(4.5)

4.4 POTENCIAL DE UMA CARGA PUNTIFORME
ELTRICO
POTENCIAL DE UMA CARGA
PUNTIFORME
O potencial no ponto P, a uma distncia r da carga q, de
acordo com (4.5),
Como dl=-dr', V?=0, e E dado pela expresso (3.5),

mostra-se facilmente que
(4.6)
Figura 4.2
Agregar carga: Positivo Negativa Testar Reiniciar
Linhas de campo:

4.5 POTENCIAL DE UM DIPOLO
ELTRICO
POTENCIAL DE UM DIPOLO
No captulo 2 calculamos o valor do campo eltrico de um
dipolo num ponto da sua mediatriz [eq. (2.4)]. Atravs de
um clculo similar, possvel calcular o campo num ponto da
linha que une as duas cargas.
J o clculo num ponto qualquer, fora dessas duas direes

privilegiadas, bastante complicado. Qualquer que seja o
caso, o que interessa calcular o campo em pontos muito
distantes, isto , em pontos cuja distncia ao centro do
dipolo seja muito maior do que a distncia entre as cargas.
Veremos agora que no existe dificuldade para se calcular o
potencial num ponto qualquer, tambm muito distante.
Se r d, seguem-se as seguintes aproximaes
Com a lei de Gauss podemos obter o campo entre os

cilindros, cujo resultado
Pelo princpio da superposio,
Usando esta expresso para o caso do dipolo, tem-se

4.5 POTENCIAL DE UM DIPOLO
Com as aproximaes acima, obtm-se
(4.7)
Figura 4.3

4.6 POTENCIAL ACELERADOR
ELTRICO
POTENCIAL ACELERADOR
A expresso (4.4) estabelece uma relao entre potencial e
energia potencial:
U = qV
Isto significa que se uma carga q for submetida a um

potencial V, ela adquirir uma energia potencial U. Se a
carga tiver liberdade para se movimentar, a energia
potencial vai transformar-se, pelo princpio da conservao
de energia, em energia cintica.
Um eltron (q=1.6x10-19 C) acelerado por um potencial de 1

V, adquire energia igual 1.6x10-19 J. Essa energia
conhecida como o eltron volt.
1 eV = 1.6x10-19 J
Quando uma partcula qualquer, com carga mltipla da carga

do eltron, q=Ne, acelerada por um potencial de V volt, ela
adquire uma energia igual a NV eV. Por exemplo, se uma
partcula alfa for acelerada por um potencial de 1000 V, ela
adquire a energia de 2000 eV.
Nas simulaes a seguir, vamos explorar o conceito de

potencial acelerador. A primeira simulao mostra um campo
uniforme, por exemplo gerado por um plano infinito de
cargas. Vamos aproveitar esta simulao para introduzir o
conceito de superfcie eqipotencal. Trata-se de uma
superfcie, ao longo da qual o potencial tem o mesmo valor.

Iniciar Pausa <<Passo Passo>> Re-Iniciar
Mostrar o campo eletrico.
Nesta primeira simulao v-se uma carga de

provas. Coloque o cursor sobre ela e mantenha o boto do
mouse pressionado; na barra amarela, embaixo, esquerda,
l-se a posio (x,y) da carga, e a sua velocidade. Para
iniciar o aplicativo a carga deve ser colocada em algum
ponto da regio onde existe campo eltrico. Arraste-a com o
mouse. Ela inicia com V=0. Clique no boto "iniciar" e veja
que a velocidade cresce com o passar do tempo (marcado
em cima, esquerda). O movimento pode ser interrompido,
clicando em "pausa". Pode avanar ou retroceder, passo a
passo, com intervalo de tempo igual a 0,02. Com os dados
obtidos nesta simulao, possvel obter a relao entre a
carga e a massa da carga de prova. Use as equaes 4.3 e
4.4 e demonstre que isso verdade.
x= 0 y= 0
Iniciar Pausa ReIniciar
A simulao mostra um dipolo eltrico com as linhas de fora

do seu campo eltrico. Uma carga de prova pode ser
colocada em ponto (x,y) no interior da moldura. Ao clicar no
boto iniciar, esta carga ser submetida ao campo do dipolo.
Inicialmente, coloque x=0 e y=2. Observe o movimento da

carga. Deixe passar um tempo superior a 1 minuto, e
observe o movimento de ida e volta da carga. Explique,
qualitativamente, este movimento.
Costuma-se dizer que uma carga de prova segue as linhas

de campo. Isso acontece nesta simulao? Por que?


4.7 GRADIENTE DE POTENCIAL
ELTRICO
GRADIENTE DE POTENCIAL
Da relao (4.5), mostra-se que as coordenadas cartesianas
do campo eltrico so obtidas a partir das seguintes
relaes
(4.8)
Portanto, o campo eltrico dado pelo gradiente do

potencial. Como exemplo, vejamos o clculo do campo de
uma carga puntiforme, a partir do potencial.
Como o potencial s tem uma varivel, segue-se que

5.7 EXERCCIOS
ELTRICO
EXERCCIOS.
Pergunta 1
4.1 No movimento de A para B (figura 4.4) ao longo de

uma linha de campo eltrico, o campo realiza 3,94 x 10-
19 J de trabalho sobre um eltron. Quais so as
diferenas de potencial eltrico: (a) VB - VA; (b) VC
VA; (c) VC VB?
R.: 2,46 Volts; 2,46 Volts; zero
Figura 4.4
Pergunta 2
4.2 A densidade de carga de um plano infinito =

5.7 EXERCCIOS
0,10 C/m2. Qual a distncia entre as superfcies

eqipotenciais cuja diferena de potencial de 50 V?
R.: 8,85 mm
Pergunta 3
4.3 Duas grandes placas condutoras, paralelas entre si

e afastadas por uma distncia de 12 cm, tm cargas
iguais e sinais opostos nos faces que se confrontam. Um
eltron colocado no meio da distncia entre as duas
placas experimenta uma fora de 3,9 x 10-15 N. (a)
Determine o campo eltrico na posio do eltron; (b)
qual a diferena de potencial entre as placas?
R.: 2,44 x 104 N/C; 2928 Volts
Pergunta 4
4.4 (a) Mostre que 1 N/C = 1 V/m. (b) Estabelece-se

uma diferena de potencial de 2000 V entre duas placas
paralelas no ar. Supondo que o ar se torna
eletricamente condutor quando a intensidade do campo
eltrico ultrapassa 3 x 106 N/C, qual a menor separao
possvel entre as placas?
Pergunta 5
4.5 Um anel de raio R, carregado positiva e

uniformemente, colocado no plano yz, com seu centro
na origem do sistema de coordenadas. (a) Construa um
grfico do potencial V em pontos do eixo x, em funo
de x. (b) Construa, no mesmo diagrama, um grfico da
intensidade do campo eltrico E.

5.7 EXERCCIOS
Pergunta 6
4.6 Uma esfera metlica de raio Ra apia-se sobre um

pedestal isolante, no centro de uma esfera metlica oca
de raio interno Rb. Existe uma carga +q sobre a esfera
interna e uma carga q sobre a externa. (a) Mostre
que a ddp entre as esferas
(b) Mostre que a intensidade do campo eltrico em

qualquer ponto entre as esferas

5.2 COMPONENTES ELTRICOS & ELETRNICOS
Captulo 5 - CAPACITNCIA E
CAPACITORES
COMPONENTES ELTRICOS &
ELETRNICOS
Aps a introduo dos conceitos bsicos de fora
eletrosttica, campo eltrico e potencial eltrico, vamos
agora prepararmo-nos para estudar as aplicaes eltricas e
eletrnicas, iniciando pelas aplicaes mais simples.
Qualquer circuito eltrico ou eletrnico, necessita de pelo

menos um dos seguintes componentes:
Resistor (R);
Capacitor (C);
Indutor (L).
Mais adiante estudaremos em detalhe o resistor e o indutor,

mas interessante, j neste captulo, fazer uma discusso
geral da utilidade de cada um desses componentes. J vimos
que uma forma de produzir campo eltrico numa regio,
carregar duas placas paralelas com cargas iguais e de sinais
contrrios. Quando colocado num circuito, um capacitor tem
a propriedade de acumular cargas, ou, dito de outra forma,
tem a capacidade de acumular energia eltrica. Veremos,
mais adiante, que o indutor exerce um papel semelhante
relativamente ao campo magntico. Podemos dizer, de
forma simples, mas sem erro, que um indutor
simplesmente um fio condutor enrolado na forma de uma
bobina. Quando uma corrente passa por essa bobina, cria-se
no seu interior um campo magntico. Portanto, o indutor
serve como um acumulador de energia magntica. O resistor
serve para conduzir a corrente eltrica. Nesse processo, uma
parte da energia perdida por efeito Joule (veremos isso

5.2 COMPONENTES ELTRICOS & ELETRNICOS
mais tarde). Portanto, num circuito contendo esses trs

componentes, dois deles conservam energia, enquanto o
terceiro desperdia.
Nos captulos seguintes estudaremos circuitos RC, RL, LC e

RLC, nos quais os processos de acumulao e transferncia
de energia sero discutidos detalhadamente.

5.3 DEFINIES
CAPACITORES
DEFINIES
Quando as placas do capacitor esto carregadas com cargas
iguais e de sinais diferentes, estabelece-se entre as placas
uma diferena de potencial V que proporcional carga.
Q = CV (5.1)
A constante de proporcionalidade, C, denominada

capacitncia e depende to somente da geometria das
placas, conforme veremos a seguir.
No sistema SI, a unidade de capacitncia o Farad, 1 F = 1

Coulomb/Volt.

5.4 CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS
>-->
CAPACITORES
CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS
Um capacitor de placas paralelas esquematizado na figura
5.1. Para todos os efeitos prticos, e para simplificar os
clculos, vamos supor que as placas sejam planos infinitos.
Mesmo que elas sejam finitas, como so na realidade, a
aproximao de plano infinito pode ser usada se a distncia
entre as placas for muito menor do que as suas dimenses.
Podemos resumir essa situao, dizendo simplesmente que
efeitos de borda esto sendo desprezados. Na figura 5.2, as
linhas de campo so traadas para ilustrar o que significa
desprezar efeitos de borda. A figura 5.2(a) representa a
situao real, enquanto na figura 5.2(b) a idealizao do
plano infinito ilustrada. Veja que as linhas de campo so
idnticas em toda a extenso do capacitor, porque estamos
desprezando os efeitos de borda.
Figura 5.2a Figura 5.2b

Figura 5.1
Vejamos como calcular a capacitncia, para o caso do

capacitor de placas paralelas. J vimos que a diferena de
potencial entre as placas relaciona-se com o campo de
acordo com a relao V=Ed.
Por outro lado, usando a lei de Gauss determinamos que o

5.4 CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS
campo de uma placa infinita dado por E = /20. Portanto,

no caso de um par de placas com cargas iguais e de sinais
contrrios, o campo entre as placas ser E = /0.
A densidade de carga, , dada por q/A, onde A a rea da

placa (no h inconsistncia, a placa infinita apenas para
efeito de clculo, como uma aproximao). Portanto,
E=q/A0, de onde se obtm q = EA0.
Da relao (5.1), Q = CV, obtm-se EA0 = CEd, ou,
C = 0A/d (5.2)
A relao (5.2) mostra que a capacitncia s depende de

uma constante universal, a constante dieltrica no vcuo, 0,
e das dimenses do capacitor. Esse tipo de resultado geral.
Para qualquer capacitor, a capacitncia s depende da
constante dieltrica do meio entre entre as placas, e de
propriedades geomtricas. Vejamos mais dois exemplos.

5.5 CAPACITOR CILINDRICO
CAPACITORES
CAPACITOR CILINDRICO
Vamos considerar um par de cilindros de comprimento L, e
raios a e b. O cilindro interno est carregado com carga +q,
enquanto o externo est carregado com carga q. Para
calcular a capacitncia, necessitamos estabelecer a relao
entre potencial e carga.
Da relao (4.5), temos que:
(5.3)
Com a lei de Gauss podemos obter o campo entre os

cilindros, cujo resultado
(5.4)
Substituindo (5.4) em (5.3), obtm-se
Portanto, a capacitncia de um capacitor cilndrico ser:

5.5 CAPACITOR CILINDRICO
(5.5)
Figura 5.3

5.6 CAPACITOR ESFRICO
CAPACITORES
CAPACITOR ESFRICO
Use um procedimento anlogo ao anterior, e mostre que a
capacitncia de um capacitor esfrico dado por
(5.6)

5.7 ASSOCIAO DE CAPACITORES
CAPACITORES
ASSOCIAO DE CAPACITORES
Em geral, os circuitos eltricos e eletrnicos so constitudos
de vrios componentes, associados de diferentes maneiras.
Uma forma simples de abordar esse tipo de problema
considerar a associao dos componentes de um mesmo
tipo. Veremos agora como tratar a associao de
capacitores.
A associao em paralelo ilustrada na

Figura 5.4, para o caso de dois
capacitores. O que caracteriza esse tipo
de associao a igualdade de
potencial entre as placas dos
Figura 5.4 capacitores. Na ilustrao, as placas
Capacitncia superiores esto com o mesmo
equivalente de uma potencial, dado pelo plo positivo da
associao em baterial. Da mesma forma, as placas
paralelo inferiores esto com o mesmo potencial
negativo. Portanto, as diferenas de
potencial so iguais, i.e., V1=V2=V.
Pela equao (5.1), obtm-se
Q1 = C1V (5.7a)
Q2 = C2V (5.7b)
A carga, Q, fornecida pela bateria, distribuda entre os

capacitores, na proporo de suas capacidades. Assim,
Q=Q1+Q2. Substituindo (5.7a) e (5.7b), tem-se:

5.7 ASSOCIAO DE CAPACITORES
Q = (C1+C2)V
Portanto,
Ceq = C1+C2
No caso mais geral, com n capacitores,
(5.8)
No caso da associao em srie (Figura

5.5), fcil concluir que so iguais as
cargas acumuladas nas placas de todos
os capacitores. Ento, se as cargas so
Figura 5.5 iguais, mas as capacitncias so
Capacitncia diferentes, ento os potenciais tambm
equivalente de sero diferentes. Portanto,
uma associao
em srie Q1 = Q2 = Q = C1V1 = C2V2
Portanto,
(5.9)

5.8 CAPACITORES COM DIELTRICOS
CAPACITORES
CAPACITORES COM DIELTRICOS
A rigor, o ttulo desta seo pode causar alguma confuso,
porque sendo o ar, em condies normais, dieltrico ,
qualquer capacitor ter um dieltrico entre suas placas. O que
se quer enfocar aqui o que acontece quando, ao invs do ar,
coloca-se outro dieltrico entre as placas do capacitor. Esse
problema foi abordado pela primeira vez por Faraday, por
volta de 1837. Vamos discutir duas das suas experincias
para investigar o efeito de diferentes dieltricos sobre o
comportamento de um capacitor.
Na Figura 5.6(a) temos um capacitor

carregado com carga Q. O dieltrico
entre as placas o ar. Um voltmetro
est sendo usado para medir a diferena
de potencial entre as placas. Como o
voltmetro um dispositivo com grande
resistncia interna, segue-se que o
capacitor est isolado, pelo menos para
Figura 5.6a efeitos prticos. Portanto, a carga
acumulada permanecer constante.

Suponha que um dieltrico seja colocado

entre as placas. Pelo que sabemos,
fcil concluir que a polarizao resultar
num excesso de cargas negativas na
parte superior do dieltrico, e igual
quantidade de cargas positivas na parte
inferior, como ilustrado na Figura 5.6(b).
O campo efetivo entre as placas
Figura 5.6b diminuir, provocando a diminuio do
potencial.
A eq. (5.1), Q=CV, implica que a capacitncia deve aumentar,

em relao capacitncia do capacitor com ar. Ento,
C = kCar
onde k a constante dieltrica do material colocado entre as
placas.
Para o vcuo, k=1, e para o ar, k=1,00054. Nesta

experincia, o capacitor est sendo carregado por uma
bateria, de modo que a diferena de potencial entre as placas,
dada pela ddp da bateria, constante.
A introduo de um dieltrico entre as placas [Figura 5.7(b)]

resulta na reduo da diferena de potencial. Como a baterial
fornece uma ddp constante, isso implica no aumento de Q. Da
eq. (5.1), conclui-se que C deve aumentar, como no caso da
experincia anterior.
Figura 5.7a Figura 5.7b Figura 5.7c


5.9 ARMAZENANDO ENERGIA NUM CAMPO ELTRICO
CAPACITORES
ARMAZENANDO ENERGIA NUM
CAMPO ELTRICO
Como o capacitor produz um campo eltrico entre suas
placas, ter acumulao de energia num capacitor
equivalente a ter acumulao de energia num campo
eltrico.
Suponha que um capacitor, com capacitncia C, contenha

uma certa carga q, e suas placas estejam a uma diferena
de potencial V. Para transferir uma carga dq de uma placa
para outra, necessrio realizar um trabalho.
Como j vimos,
(5.10)
EXERCCIO INTERATIVO: Neste aplicativo temos um

capacitor de placas paralelas. Temos quatro dieltricos
diferentes, quatro possibilidades de reas das placas, e
quatro distncias entre elas. Use a frmula da capacitncia
de um capacitor de placas paralelas com diferentes
dieltricos, e cheque o resultado.

5.10 EXEMPLOS
CAPACITORES
EXEMPLOS
Os capacitores da Figura 5.8(a),
inicialmente descarregados, so
carregados com a chave S aberta.
Capacitncias em F. (a) Qual a
diferena de potencial Vab?
(b) Qual o potencial do ponto b, aps a
chave S ter sido fechada?
(c) Quanta carga fluir atravs da chave,
Figura 5.8a enquanto ela estiver fechada?
Quando os capacitores so carregados de

acordo com a configurao da Figura
5.8(a), os capacitores 6 F e 3 F,
esquerda esto ligados em srie, da
mesma forma que os capacitores 3 F e 6
F, direita.
Mostre que o circuito da Figura

5.8(a) transforma-se no circuito da
Figura 5.8(b).
Mostre que a carga acumulada em
cada capacitor da Figura 5.8(b) ser
400 C.
Figura 5.8b
Mostre que, enquanto a chave S
estiver aberta, o potencial no ponto
b ser Vb=66,7 volts, e o potencial
no ponto a ser Va=133,3 volts.
Portanto Vab=66,7 volts (resposta do
tem a).

5.10 EXEMPLOS
Fechando-se a chave S, o circuito ficar

como o representado na Figura 5.8(c).
Mostre que a Figura 5.8(c)

transforma-se na Figura 5.8(d).
Mostre a carga fornecida pela
bateria ser 900 C.
Mostre que V1=100 volt (resposta
do tem b).
Mostre que a carga no capacitor de
6 F [Figura 5.8(c)] 600 C,
Figura 5.8c enquanto no capacitor de 3 F 300
C. Portanto, mostre que a carga
que flui atravs da chave S 300
C.
Figura 5.8d

5.11 EXERCCIOS
CAPACITORES
EXERCCIOS.
Pergunta 1
5.1 Um capacitor a ar, consistindo de duas placas

paralelas bastante prximas, tem uma capacitncia de
1000 pF. A carga em cada placa de 1 C. (a) Qual a
ddp entre as placas? (b) Se a carga for mantida
constante, qual a ddp entre as placas se a separao
for duplicada?
R: (a)1000 Volts; (b)2000 Volts.
Pergunta 2
5.2 Na figura 5.9 C1=3 F e C2=2 F. (a) Calcule a

capacitncia equivalente da rede entre os pontos a e
b. (b) Calcule a carga em cada um dos capacitores C1
mais prximos de a e b quando Vab=900 V. (c) Com
Vab=900 V, calcule Vcd.
R:(a)1 F; (b)900 C; (c)300 Volts.
Figura 5.9

5.11 EXERCCIOS
Pergunta 3
5.3 Um capacitor de 1 F e outro de 2 F so ligados

em srie a uma fonte de tenso de 1200 V. (a)
Determine a carga de cada um deles e a diferena de
potencial atravs de cada um. (b) Os capacitores
carregados so desligados da fonte e um do outro e
religados com os terminais de mesmo sinal juntos.
Determine a carga final em cada capacitor e a diferena
de potencial atravs de cada um.
R:(a)800 C, 800 V, 400 V; (b)533,33 C, 1066,67 ,
533,33 V.
Pergunta 4
5.4 Quer-se construir um capacitor de placas paralelas,

usando borracha como dieltrico, tendo esta uma
constante dieltrica igual a 3 e rigidez dieltrica de 2 x
105 V/cm. A capacitncia do capacitor deve ser 0,51 F
e ele deve ser capaz de suportar uma diferena de
potencial mxima de 6000 V. Qual a rea mnima que
as placas do capacitor podem ter?
R:5,76 m2
Pergunta 5
5.5 Um capacitor esfrico consiste de uma esfera

metlica interna, de raio Ra, apoiada num pedestal
isolante situado no centro de uma esfera metlica oca
de raio interno Rb. H uma carga +Q na esfera interna e
outra Q na externa. (a) Qual a ddp Vab entre as

5.11 EXERCCIOS
esferas? (b) Prove que a capacitncia
R:(a)Va-Vb=(q/40) (Ra+Rb)/RaRb.
Pergunta 6
5.6 Um cabo coaxial consiste de um cilindro condutor,

slido, interno, de raio Ra, suportado por discos
isolantes, ao longo do eixo de um tubo condutor de raio
interno Rb. Os dois cilindros so carregados com cargas
opostas, com densidade linear . (a) Qual a ddp entre
os dois cilindros? (b) Prove que a capacitncia de um
comprimento L do cabo
R:Veja a resposta na apostila, antes da eq. (5.5).

6.2 MODELO MICROSCPICO

RESISTNCIA
MODELO MICROSCPICO
At agora, abordamos situaes em que cargas eltricas so
consideradas estticas, ou quase estticas. Mesmo as
situaes em que levamos em conta movimento de cargas,
como no caso dos capacitores, isso foi feito para facilitar o
raciocnio, pois a situao analisada era a do equilbrio
eletrosttico. Neste captulo vamos iniciar o estudo de
situaes em que cargas eltricas esto em movimento. O
estudo geral da eletrodinmica bastante complexo,
havendo necessidade do uso da teoria da relatividade
restrita.
Cargas eltricas podem movimentar-se sob a ao de

campos eltricos e magnticos, e em diversos ambientes.
Vamos cuidar de distinguir bem cada um desses casos.
Inicialmente vamos tratar de eltrons movendo-se em
resistores, em regime estacionrio, sob a ao de um campo
eltrico provido por uma bateria.
Microscopicamente, a corrente eltrica

consiste num fluido de eltrons
movendo-se ao longo de uma estrutura
cristalina. A rede cristalina forma
obstculos, de modo que o movimento
dos eltrons, quando visto
microscopicamente, parece catico.
Cada vez que um eltron aproxima-se
de um desses obstculos da rede
cristalina, seu movimento desviado,
algumas vezes retroativamente. Esse
movimento tipo zig-zag ilustrado na
Figura 6.1, onde so indicados o
sentido do campo eltrico, o

movimento de um eltron e a
velocidade de deriva. Esta velocidade
define o movimento efetivo do eltron.
A relao entre o movimento efetivo e
o movimento em zig-zag, semelhante
ao de uma pessoa que d dois passos
para a frente e um para trs; no final
das contas ela vai andar para a frente.
Figura 6.1
Entre os vrios fatores que afetam o
movimento eletrnico num condutor, a
temperatura um dos mais
importantes. Teremos oportunidade de
discutir isso mais adiante, mas
conveniente adiantar uma abordagem
qualitativa a esse problema. O primeiro
efeito da temperatura fazer vibrar a
rede cristalina, de modo que os
obstculos ilustrados na Figura 6.1
esto constantemente mudando de
lugar. Na Figura 6.1 eles esto fixos;
isso representa uma situao irreal,
onde a temperatura absolutamente
nula. Neste caso, poderiam haver
alguns canais de trnsito livre para o
eltron, como o indicado pela Figura 6.2
seta , na Figura 6.1. medida que

a temperatura aumenta vibraes so
introduzidas, de modo que desordens
localizadas impedem mais efetivamente
o movimento eletrnico. Veja que o
canal que existia na Figura 6.1 deixa de
existir na Figura 6.2, que ilustra uma
situao desordenada.
Este aplicativo simula a situao descrita acima. As esferas

amarelas representam os tomos na rede cristalina, e os

pontos vermelhos representam os eltrons livres. Aumente o
valor da corrente, deslocando para a direita, o cursor da
barra abaixo da modura. Para observar com mais preciso,
use uma corrente baixa.

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod06/m_s02.html

RESISTNCIA
CORRENTE ELTRICA
Define-se intensidade de corrente eltrica como a
quantidade de cargas que atravessa a seo reta de um
condutor, por unidade de tempo. Isto ,
(6.1)
A corrente eltrica por unidade de rea transversal define o

mdulo do vetor densidade de corrente J.
(6.2)
Podemos relacionar essas grandezas de outra forma,
Do ponto de vista microscpico, h uma relao muito

importante entre a densidade de corrente e a velocidade de
deriva. Vamos deduzi-la.
Seja um segmento de condutor, L, como ilustrado na Figura

6.3. Suponha que existam n eltrons por unidade de
volume; esta a densidade de portadores do material.
Portanto, a densidade de cargas no condutor ser ne, e a
carga total no segmento de condutor ser
q = neAL
Um eltron percorrer este segmento no intervalo de tempo

t = L/Vd
onde Vd a velocidade de deriva. Da definio de corrente,

obtm-se
i = q/t = neAVd
Da definio de densidade de corrente, obtm-se
J = neVd (6.3)
A corrente o fluxo da densidade de corrente!
Figura 6.3.

6.4 RESISTNCIA, RESISTIVIDADE & CONDUTIVIDADE

RESISTNCIA
RESISTNCIA, RESISTIVIDADE &
CONDUTIVIDADE
Os obstculos impostos ao movimento eletrnico, conforme
discusso qualitativa acima, so todos representados por
uma propriedade mensurvel, denominada resistncia, e
definida pela relao
R = V/i (6.4)
Essa definio significa que, quando se aplica uma diferena

de potencial (ddp), V, entre os extremos de um resistor, R,
uma corrente, i, circular, de tal modo que a relao (6.4)
ser satisfeita. A forma mais conhecida de (6.4)
V = Ri (6.5)
As grandezas relacionadas em (6.4) so todas

macroscpicas e facilmente mensurveis com um ohmmetro
(para medir R), com um voltmetro (para medir V) ou com
um ampermetro (para medir i). Cada uma tem uma
contrapartida microscpica,
V E; i J; R
A contrapartida microscpica da resistncia denominada

resistividade, , e a relao microscpica correspondente a
(6.5)
E = J (6.6)
No regime estacionrio, E e J so uniformes, de modo que,

para o segmento L da Figura 6.3,
V = LE = LJ
e
i = JA
Substituindo V e i na relao (6.4), obtm-se
(6.7)
A relao (6.7) mostra que a resistncia de um condutor

diretamente proporcional ao seu comprimento, e
inversamente proporcional sua seo reta. A constante de
proporcionalidade, , varia com a temperatura conforme a
relao emprica
- 0 = 0(T-T0) (6.8)
onde 0 a resistividade medida na temperatura T0, e o

coeficiente de temperatura da resistividade.
possvel deduzir a relao entre a resistividade e algumas

propriedades microscpicas do material. O movimento
eletrnico estacionrio, com velocidade de deriva,
proporcionado pelo campo eltrico, E, de tal modo que em
mdia, cada eltron possui acelerao
a = eE/m
onde e e m so, respectivamente, a carga e a massa do

eltron. Supondo que o tempo mdio entre duas colises do
eltron com a rede cristalina seja , e admitindo que a
velocidade de deriva aproximadamente igual velocidade
mdia entre colises, tem-se que
Vd = a = eE/m
Usando a relao (6.3), obtm-se

E = mJ/ne2
Finalmente, com o uso de (6.6) chega-se relao
(6.9)

6.5 LEI DE OHM

RESISTNCIA
LEI DE OHM
Costuma-se afirmar, equivocadamente, que a lei de Ohm
expressa pela eq. (6.5). Na verdade, esta equao
representa simplesmente a definio de resistncia. O que a
lei de Ohm diz que para alguns materiais, ditos materiais
hmicos, a razo entre V e i constante.
V = Ri (6.5)
Este aplicativo serve para explorar conceitos bsicos de um

circuito simples. Tem-se um resistor (com resistncia
varivel) ligado a uma bateria (fora eletromotriz, ou
voltagem, varivel). Em srie com o resistor, tem-se um
ampermetro, equipamento usado para medir corrente
eltrica (por que ele ligado em srie com o resistor?).
Em paralelo com o resistor, tem-se um voltmetro,
equipamento usado para medir diferenas de potencial (por
que ele ligado em paralelo?). Na parte de cima do
painel verde, h uma escala para o voltmetro (1 - 1000 V) e
outra para o ampermetro (1 mA - 10 A). Essas escalas
definem os valores mximos que os equipamentos podem
medir. Se o valor superar, eles podem "queimar".
Fixe um determinado valor da voltagem, e tente colocar a

"voltagem mx" menor do que esse valor. Explique o que
acontece. Coloque U=10, Vmax>10 V e Imax= 1A. Diminua
o valor da resistncia at ela atingir 9 Ohms. Explique o que
acontece.
Tente explicar qual a finalidade das escalas nos aparelhos de

6.5 LEI DE OHM
medida.

6.6 ENERGIA, & POTNCIA

RESISTNCIA
ENERGIA, & POTNCIA
Para se produzir uma corrente eltrica, h que se produzir
um fluxo de cargas eltricas; no caso mais geral de metais
condutores, isto significa produzir fluxo de eltrons. Isso
feito s custas da energia de uma fonte; no caso mais
simples, uma bateria. Se uma carga dq transportada de A
para B, no condutor da Figura 6.4, a bateria ter que
fornecer uma energia
dU = dqVAB = idtVAB
Por definio, a potncia dada por
(6.10)
Fazendo uso da relao (6.5), chega-se a

uma relao bastante conhecida
Figura 6.4
P= Ri2 (6.11)
A expresso (6.11), que d a potncia dissipada num

resistor, R, quando ele atravessado por uma corrente, i,
tambm conhecida como potncia Joule. A energia assim
transferida, manifesta-se sob a forma de calor no resistor.
Na seguinte demostrao, podemos mudar o valor de V e R.

Qual sero os valores certos para que a lampada funcione?

6.6 ENERGIA, & POTNCIA

6.7 UNIDADES NO SISTEMA SI

RESISTNCIA
UNIDADES NO SISTEMA SI
Grandeza Unidade
Corrente Ampere (A)
Resistncia Ohm ()
Resistividade Ohm.metro(.m)
Condutividade Ohm.metro recproca (.m)-1

6.8 EXEMPLO

RESISTNCIA
EXEMPLO 6.1
Quando se aplica uma ddp suficientemente alta entre dois
eletrodos em um gs, este se ioniza, os eltrons movendo-se
para o eletrodo positivo e os ons positivos para o eletrodo
negativo.
a) Qual a corrente num tubo de descarga de hidrognio se,
em cada segundo, 4x1018 eltrons e 1,5x1018 prtons
movem-se em sentidos opostos atravs de uma seo
transversal do tubo?
b) Qual o sentido da corrente?
Soluo:
Corrente de eltrons num sentido igual a corrente de ons
positivos no sentido contrrio. Portanto, a corrente ser
i = 5,5x1018x1,6x10-19 = 0,88 A.

5.11 EXERCCIOS

RESISTNCIA
EXERCCIOS.
Pergunta 1
6.1 Um fio de prata de 1 mm de dimetro conduz uma

carga de 90 C em 1h15min. A prata contm 5,8 x 1028
eltrons livres por m3. (a) Qual a corrente no fio? (b)
Qual a velocidade de arrastamento dos eltrons no
fio?
R:(a)20 mA; (b)2,7x10-6 m/s.
Pergunta 2
6.2 Quando se aplica uma ddp suficientemente alta

entre dois eletrodos em um gs, este se ioniza, os
eltrons movendo-se para o eletrodo positivo e os ons
positivos para o eletrodo negativo. (a) Qual a corrente
num tubo de descarga de hidrognio se, em cada
segundo, 4 x 1018 eltrons e 1,5 x 1018prtons movem-
se em sentidos opostos atravs de uma seo
transversal no tubo? (b) Qual o sentido da corrente?
R:(a)0,88 A; (b)O sentido do movimentos dos prtons.
Pergunta 3
6.3 A corrente em um fio varia com o tempo segundo a

5.11 EXERCCIOS
relao
i = 4 + 2t2,
onde i dada em ampres e t em segundos. (a)
Quantos coulombs passam atravs de uma seo
transversal do fio num intervalo de tempo entre t=5 s e
t=10 s? (b) Que corrente constante transportaria a
mesma carga no mesmo intervalo de tempo?
R:(a)603,34 C; (b)120,67 A.
Pergunta 4
6.4 Um fio de 100 m de comprimento e 2 mm de

dimetro tem uma resistividade de 4,8 x 10-8 m. (a)
Qual a sua resitncia? (b) Um segundo fio do mesmo
material tem o mesmo peso que o anterior, mas seu
dimetro o dobro. Qual a sua resitncia?
R:(a)1,53 ; (b)9,25x10-2
Pergunta 5
6.5 Enquanto a chave S estiver aberta, o voltmetro V,

ligado aos terminais da pilha seca da figura 6.5, marca
1,52 V. Quando se fecha a chave, a leitura do
voltmetro cai para 1,37 V e o ampermetro A l 1,5 A.
Determine a fem e a resistncia interna da pilha.
R:1,52 V; 0,1 .
Figura 6.5

5.11 EXERCCIOS
Pergunta 6
6.6 A ddp entre os terminais de uma bateria 8,5 V,

quando existe na mesma uma corrente de 3 A dirigida
do terminal negativo para o positivo. Quando a corrente
for de 2 A no sentido inverso, a ddp torna-se 11 V. (a)
Qual a resistncia interna da bateria? (b) Qual a fem
da bateria?
R:(a)0,5 ; (b)10 V.
Pergunta 7
6.7 A voltagem entre os terminais de uma fonte em

circuito aberto de 10 V e sua corrente em curto-
circuito 4,0 A. Qual ser a corrente quando a fonte for
ligada a um resistor linear de 2 ?
R:2,22 A.
Pergunta 8
6.8 (a) Exprima a taxa de dissipao de energia num

resistor em termos de (i) ddp e corrente; (ii) resistncia
e corrente; (iii) ddp e resistncia. (b) Energia
dissipada num resistor a uma taxa de 40 W, quando a
ddp entre os terminais de 60 V. Qual a sua
resistncia?
R:(a)P=Vi=Ri2=V2/R; (b) 90 .
Pergunta 9

5.11 EXERCCIOS
6.9 No circuito da figura 6.6, determine: (a) a taxa de

converso de energia interna em energia eltrica dentro
da bateria; (b) a taxa de dissipao de energia na
bateria; (c) a taxa de dissipao de energia no resistor
externo.
R:(a)24 W; (b)4 W; (c)20 W
Figura 6.6

7.2 LEI DOS NS & LEI DAS MALHAS
ELTRICOS
LEI DOS NS & LEI DAS MALHAS
O que conhecemos como lei dos ns e lei das malhas so, na
realidade, dois procedimentos para resolver circuitos
eltricos simples. Elas so baseadas em princpios de
conservao de energia e de carga, e suas aplicaes so
facilitadas se feitas a partir das regras apresentadas abaixo.
Entende-se por malha, um circuito fechado, incluindo vrios

componentes eltricos; fem e resistncias, no caso mais
simples, como ilustrado na Figura 7.1.
Entende-se por n, o ponto de encontro

de trs ou mais ramos de um circuito,
tendo cada ramo um ou mais
componentes eltricos. Na Figura 7.1, o
ponto A um n, unindo a malha da
esquerda malha da direita.
Chama-se queda de potencial, a

diferena de potencial entre dois pontos
de um circuito; por exemplo, entre A e B Figura 7.1
ou entre A e C, na Figura 7.1.

7.3 LEI DAS MALHAS (LEI DE KIRCHHOFF)
ELTRICOS
LEI DAS MALHAS (LEI DE KIRCHHOFF)
Quando se percorre um circuito fechado, o somatrio das
quedas de potencial deve ser nulo, pois os pontos inicial e o
final so os mesmos. Vejamos, nas regras seguintes, como
cada queda de potencial usada nesse somatrio.
A seta indica que o circuito est

sendo percorrido no sentido de a para
b, logo V= Vb Va. Se a corrente
convencional, indicada pela seta , vai
de a para b, porque os eltrons vo V = 0
de b para a. Logo, Vb<Va, e
V = - Ri
Quando se atravessa uma resistncia

no mesmo sentido da corrente
convencional, a queda de potencial
negativa (Figura 7.2a).
Neste caso, V= Va Vb = Ri > 0 Figura 7.2a
Quando se atravessa uma resistncia

no sentido contrrio ao da corrente
convencional, a queda de potencial
positiva (Figura 7.2b).
Figura7.2b

7.3 LEI DAS MALHAS (LEI DE KIRCHHOFF)
Quando se atravessa uma fem do plo

negativo para opositivo, a queda de
potencial positiva (Figura 7.2c).
Figura 7.2c
Quando se atravessa uma fem do plo

positivo para o negativo, a queda de
potencial negativa (Figura 7.2d).
Figura 7.2d

7.4 LEI DOS NS
ELTRICOS
LEI DOS NS
A segunda regra bsica refere-se ao somatrio das
correntes, e conhecida como lei dos ns: o somatrio das
correntes que entram num n, igual soma das correntes
que saem.
Ientram = Isaem

7.5 CIRCUITO COM MAIS DE UMA MALHA
ELTRICOS
CIRCUITO COM MAIS DE UMA MALHA
Quando um circuito possui n malhas, as regras acima so
aplicadas a (n-1) delas, arbitrariamente escolhidas. Da
mesma forma, a lei dos ns aplicada em (n-1) ns,
arbitrariamente escolhidos.
Nas aplicaes das regras acima, existem mais duas

arbitrariedades importantes:
Arbitra-se o sentido em que cada malha ser

percorrida.
Arbitra-se o sentido da corrente em cada trecho do
circuito. Se ao final determinada corrente tiver valor
negativo, porque o sentido correto o contrrio
daquele arbitrado.
O circuito apresentado neste aplicativo tem trs malhas e

dois ns. Os valores das fem's podem ser variados, entre 1 e
10 V, e as resistncias variam entre 1 e 10 ohm. Isso feito
simplesmente clicando nas extremidades de cada
componente. Quando uma fem atinge 1 V, o prximo clique
no terminal negativo (azul) inverte seu sentido. Em cada
ramo do circuito h um ampermetro, e um voltmetro
conectado em paralelo com cada resistor.
Use o aplicativo para treinar a soluo de circuitos com mais

de uma malha. Coloque arbitrariamente alguns valores nas
fem's e nos resistores e verifique se a soluo do circuito
coincide com os valores medidos nos ampermetros e nos
voltmetros. Lembre que um circuito com 3 malhas e 2 ns
implica num sistema de 3 equaes e 3 incgnitas. Como
temos 3 correntes e 2 voltagens, pelo menos um desses

7.5 CIRCUITO COM MAIS DE UMA MALHA
deve ser conhecido.

7.6 EXEMPLO 7.1
ELTRICOS
EXEMPLO 7.1
O circuito apresenta 2 ns e 3 malhas (ABEF, ACDF e BCDE).
Portanto, teremos 1 equao com a lei dos ns e duas
equaes com a lei de Kirchhoff.
Considerando o n B, v-se que a corrente I3 entra,

enquanto I1 e I2 saem do n. Assim,
I3=I1+I2 [7.1(a)]
Considerando as malhas ABEF e BCDE sendo percorridas nos

sentidos indicados, e as regras sobre as quedas de potencial,
teremos as seguintes equaes
R1I1-1-R2I2=0 [7.1(b)]
-R2I2-2-R3I3=0 [7.1(c)]
Suponha que R1=1 , R2=2 , R3=1/3 , 1=6 V e 2=10 V,

para mostrar que I1= -2 A, I2= -4 A e I3= -6 A.
Como se v, as intensidades das 3 correntes so

negativas, significando que os sentidos arbitrados devem ser
invertidos.

7.6 EXEMPLO 7.1
Na figura, as direes das correntes, bem como as direes

em que as malhas so percorridas, foram arbitrariamente
escolhidas

7.7 CIRCUITO RC SRIE
ELTRICOS
CIRCUITO RC SRIE
A figura 7.3 mostra um circuito RC srie,
que recebe esta denominao porque o
resistor e o capacitor esto em srie com
a fem.
Vamos usar o princpio da conservao

da energia para determinar a equao
diferencial que descreve o
comportamento deste circuito.
Inicialmente, quando a chave S Figura 7.3
conectada ao ponto a, o capacitor est
descarregado. A partir deste momento
ele comea a ser carregado pela bateria.
Para cada carga dq fornecida pela bateria, esta realiza um

trabalho
dW=dq
Este trabalho transforma-se em energia dissipada no

resistor,
Ri2dt
e em energia acumulada no capacitor,
onde V a diferena de potencial entre as placas do

capacitor.
Pela conservao de energia,
Levando em conta que , obtm-se
(7.2)
A eq. (7.2) tem como soluo
q(t) = C(1 e-t/RC) (7.3)
O crescimento da carga no capacitor

(figura 7.4) tem uma componente
exponencial, de modo que,
rigorosamente, ela s atingir seu
valor final, C, num tempo infinito.
Figura 7.4
Para cada circuito RC h um tempo caracterstico, =RC,

denominado constante de tempo capacitiva. Quando t=RC, a
carga no capacitor atinge 63% do seu valor mximo.
A partir de (7.3) obtm-se
(7.4)
Decorrido um longo intervalo de tempo (p.ex., t=10RC)), a

chave S desconectada de a e conectada em b. A partir

deste momento inicia-se o processo de descarga do
capacitor. Colocando-se =0 na eq. (7.2) obtm-se
(7.5)
Por integrao direta chega-se expresso que descreve a

variao da carga durante a descarga do capacitor,
q(t) = Ce-t/RC (7.6)
Figura 7.5 Figura 7.6
O aplicativo acima apresenta o comportamento de um

circuito RC. Concentre sua ateno no processo de carga e
descarga do capacitor. Para iniciar o processo clique sobre a
chave preta que conecta os diferentes ramos do circuito. As
barras azuis mostram o valor da ddp em cada um dos
componentes: bateria, capacitor e resistor. O grfico
apresentado o da ddp entre as placas do capacitor. Quando
o capacitor estiver mais de 99% carregado (Quando isto
acontece?) mude a posio da chave e passe a descarregar o
capacitor. O resitor tem resistncia de 100 k e o capacitor
uma capacitncia de 100 F. Analise os resultados obtidos e
descreva o que observou.


7.7 EXERCCIOS
ELTRICOS
EXERCCIOS.
Pergunta 1
7.1 Trs resistores iguais so ligados em srie. Quando

se aplica uma certa ddp a esta combinao, a potncia
total consumida de 10 W. Que potncia seria
consumida se os trs resistores fossem ligados em
paralelo mesma ddp?
R:90 W.
Pergunta 2
7.2 (a) Determine a resistncia entre os pontos a e b

da rede mostrada na figura 7.7. (b) Que ddp entre a e
b resultar em uma corrente de 1 A no resistor de 4 ?
R:(a)7 ; (b)14 V.
Figura 7.7
Pergunta 3

7.7 EXERCCIOS
7.3 Determine as fem 1 e 2 no circuito mostrado na

figura 7.8 e a ddp entre a e b.
R:1=18 V; 2=7 V; Vab=13 V
Figura 7.8
Pergunta 4
7.4 (a) Calcule a ddp entre os pontos a e b da figura

7.9. (b) Se a e b forem ligados, calcule a corrente na
bateria de 12 V.
R:(a)Vab=0,22 V; (b)0,466 A.
Figura 7.9
Pergunta 5
7.5 Considere, na figura 7.3, =100 V, R=10 M, C=2

F. O capacitor est inicialmente descarregado. A chave

7.7 EXERCCIOS
ligada na posio a durante 20 s e depois

rapidamente ligada na posio b. (a) Construa
grficos para i(t), q(t), ddp no resistor e ddp no
capacitor para um intervalo de tempo de 60 s depois da
chave ter sido ligada pela primeira vez. (b) Quanta
energia dissipada no resistor?
R:(b)0,0997 J.
Pergunta 6
7.6 Quantas constantes de tempo devem decorrer antes

que um capacitor em um circuito RC esteja carregado
com 99% de sua carga de equilbrio?
R: t = 4,605 RC

8.2 A FORA DE LORENTZ
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
A FORA DE LORENTZ
Geralmente os textos introdutrios sobre magnetismo
iniciam com um histrico da descoberta do fenmeno,
ocorrida na cidade de Magnsia, por volta do ano 121 DC.
Tanto o Halliday-Resnick quanto o Sears-Zemanski fazem
esse tipo de abordagem.
Do ponto de vista formal, devemos ter em mente que

impossvel tratar cargas eltricas em movimento sem levar
em considerao a existncia do campo magntico. Veremos
logo adiante que cargas em movimento criam um campo
magntico. Por outro lado, havendo um campo magntico
em determinada regio do espao, este exercer uma fora
sobre uma carga em movimento.
Existem duas formas bsicas de criao de um campo

magntico. A primeira tem a ver com a descoberta do
fenmeno; trata-se do campo de um m permanente. A
segunda forma tem a ver com o campo criado por uma carga
em movimento; trata-se do campo criado por uma corrente
eltrica.
No importa, para o momento, qual a fonte de criao, o

que importa que dado um campo magntico, B, este
exerce uma fora sobre uma carga, q, em movimento, dada
por
F = qvxB (8.1)
onde v a velocidade da carga. A fora magntica nula em

duas circunstncias:

8.2 A FORA DE LORENTZ
Carga estacionria (v=0);

Velocidade paralela ao vetor campo magntico.
No caso geral, em que temos um campo eltrico, E, e um

campo magntico, a fora sobre uma carga em movimento
dada por
(8.2)
A fora expressa em (8.2) conhecida como fora de

Lorentz.

8.3 A DESCOBERTA DO ELTRON
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
A DESCOBERTA DO ELTRON
A expresso (8.2) foi usada por Thomson quando este
realizava os trabalhos que resultaram na descoberta do
eltron. Thomson usou um campo eltrico perpendicular a
um campo magntico, para desviar o feixe de eltrons num
tubo de raios catdicos, conforme esquematizado na figura
8.1.
Joseph John
Thomson (1856-
1940), descobriu
o eltron em
1897. Ganhou o
Prmio Nobel de
Figura 8.1 fsica de 1906.
Pela eq. (8.2) v-se que a fora eltrica perpendicular

fora magntica. Controlando-se os parmetros externos, E,
B e v, possvel fazer
FE=FB eE=evB v=E/B.
A velocidade dos eltrons resulta da acelerao atravs de

um potencial V, tal que
Das expresses acima, obtm-se

8.3 A DESCOBERTA DO ELTRON
(8.3)
A razo entre a carga e a massa do eltron, ou de qualquer

partcula carregada que penetre no tubo de raios catdicos,
calculada atravs de parmetros controlados
experimentalmente. Estes so ajustados de tal forma que o
feixe permanea em linha reta, isto , de tal forma que a
fora eltrica equilibre a fora magntica.

8.4 O EFEITO HALL
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
O EFEITO HALL
A expresso (8.2) tambm permitiu a descoberta do efeito
Hall que, como veremos, extremamente til na indstria
microeletrnica.
A figura 8.2 esquematiza o arranjo experimental para o

estudo do efeito Hall. Tem-se uma fita condutora com seo
reta A (=Ld) atravs da qual circula um feixe de eltrons
com velocidade v.
Figura 8.2
Aplicando-se um campo magntico na direo horizontal,

conforme indicado na figura 8.2, resulta numa fora
magntica na direo perpendicular ao movimento
eletrnico, no sentido de cima para baixo. Esta fora far
com que o movimento dos eltrons seja desviado para baixo.
Com o tempo, cargas negativas acumulam-se na face
inferior, e cargas positivas na face superior.
O excesso de cargas positivas e negativas, funciona como

um capacitor de placas paralelas, com um campo eltrico
conhecido como campo Hall. Chegar um momento em que
a fora Hall equilibra a fora magntica,
qEH = qvB

8.4 O EFEITO HALL
Usando a eq. (6.3), J=nqv, e a definio da densidade de

corrente, J=i/A, obtm-se
Por outro lado, EH = VH/d. Resulta da que
Tendo em conta que a seo reta dada por A=Ld, obtm-

se
(8.4)
O efeito Hall permite a obteno de dois resultados

importantes. Em primeiro lugar, possvel determinar o
sinal da carga dos portadores, bastando medir a diferena de
potencial entre as superfcies superior e inferior. Em segundo
lugar, a eq. (8.4) fornece o valor da densidade de
portadores.
Esses dois resultados so de extrema importncia na

indstria eletrnica, pois permite a fabricao de dispositivos
que dependem do tipo (eltrons ou lacunas) e da quantidade
de portadores.

8.5 MOVIMENTO DE UMA CARGA NUM CAMPO MAGNTICO
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
MOVIMENTO DE UMA CARGA NUM
CAMPO MAGNTICO
A eq. (8.1) mostra que se a velocidade da partcula tiver a
mesma direo do campo magntico, a fora ser nula,
resultando num movimento retilneo uniforme. Por outro
lado, se o ngulo entre o vetor velocidade e o vetor campo
magntico for diferente de zero, podemos decompor o vetor
velocidade em duas direes: uma na direo de B, e outra
perpendicular. Isto ,
Portanto, o movimento de uma partcula,

de massa m e carga q, numa regio do
espao onde existe um campo magntico,
sempre composto de um movimento
retilneo uniforme e de um movimento
circular. Este tipo de movimento
esquematizado na figura 8.3. Como se v
a fora centrpeta, que proporciona o
movimento circular, igual fora Figura 8.3
magntica.
Assim, a partcula movimenta-se num crculo com raio
r = mv/qB (8.5a)
Da relao v=r, obtm-se a velocidade angular
= qB/m (8.5b)

8.5 MOVIMENTO DE UMA CARGA NUM CAMPO MAGNTICO
Da relao =2f, obtm-se a freqncia
F = qB/2m (8.5c)
e o perodo
T = 1/f = 2m/qB (8.5d)

FORA SOBRE UMA CORRENTE
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
Se um campo magntico exerce uma fora sobre uma carga
em movimento, bvio que ele exercer uma fora sobre
uma corrente eltrica. Vejamos como calcular esta fora.
A fora sobre um eltron dada por
F=evB
Supondo que existam N eltrons no segmento L do fio

(seo reta A), tem-se que a densidade eletrnica ser
n=N/LA
Sabemos que J=nev, logo,
A partir desses resultados, temos que a fora sobre um

eltron ser
Portanto, a fora sobre o segmento de fio ser
A expresso geral dada por

(8.6)
O sentido da fora obtido pela regra da mo direita para o

produto vetorial. No caso da Figura 8.4, a fora aponta para
baixo.
Figura 8.4
Neste aplicativo voc pode visualizar o efeito de um campo

magntico sobre uma corrente eltrica. A fora sobre o fio
conseqncia da fora de Lorentz sobre cada eltron que
compe a corrente. Use a equao 8.6 e verifique a fora
que age sobre o fio em diferentes situaes (invertendo o
sentido da corrente e a polaridade do m.

Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
FORA SOBRE UMA ESPIRA DE
CORRENTE
Na figura 8.5 mostra-se uma

espira retangular, de lados a
e b, percorrida por uma
corrente i, na direo
indicada. De acordo com a
eq. (8.6), as foras sobre os
lados a e b so dadas por
F1=iaB
F2=ibB
Figura 8.5
Foras F1 (F2) atuam em

lados opostos a (b). V-se
facilmente que as foras F2
equilibram-se, enquanto as
foras F1 produziro um
torque na espira. Para melhor
analisar esse torque, vejamos
a figura 8.5 sob outra
perspectiva, conforme ilustra
a figura 8.6.
Figura 8.6

O torque ser
Substituindo F1=iaB, A=ab e cos =sen, obtm-se
=iABsen
Para o caso de uma bobina com N espiras,
=NiABsen
Para uma espira, define-se seu momento de dipolo

magntico =iA. Da mesma forma, para uma bobina, com N
espiras, define-se =NiA. Portanto, o torque sobre uma
espira ou sobre uma bobina, ser
(8.7)

8.8 UNIDADES
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
UNIDADES
At aqui utilizamos o conceito genrico de campo magntico,
ao qual associamos o smbolo B. Esse tratamento torna-se
mais complicado quando temos de abordar uma situao
prtica, para a qual torna-se indispensvel o uso de um
sistema de unidade. Essa uma questo bastante
complicada no caso do eletromagnetismo em geral, e mais
ainda no caso especial do magnetismo.
Para avaliarmos esse nvel de

complexidade, vejamos o que est
escrito em Sears & Zemanski (Vol. 3,
1a edio, p. 534):
Para materiais
O campo magntico, tal como o paramagnticos e
campo eltrico, um campo vetorial e diamagnticos:
seu valor e orientao em qualquer B= H
ponto so especificados por um vetor = permeabilidade
B chamado induo magntica. magntica
Para materiais
O campo magntico chamado de ferromagnticos:
induo magntica? A confuso vem
do fato que, na prtica, campo B=f(H) depende
magntico no a mesma coisa que do material e do
induo magntica! Esta processo de
equivalncia geralmente usada para magnetizao.
simplificar, mas causa o mistrio
colocado na definio acima. No H est
captulo 41, ao discutir as relacionado com
propriedades magnticas da matria, a corrente que
Sears & Zemanski coloca a questo no o produz.
contexto correto. Portanto, mantm o

8.8 UNIDADES
leitor confuso ao longo de 4 captulos. B depende

tanto da
No sistema SI, a unidade de B o corrente quanto
Tesla (T), enquanto no sistema CGS, da
sua unidade o Gauss (G), onde 1 T magnetizao
= 104 G = 1 Weber/m2. Por outro do meio.
lado, a unidade de H A/m no sistema
SI e Oersted (Oe) no sistema CGS (1
A/m = 4x10-3 Oe).

8.9 EXEMPLO 8.1
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
EXEMPLO 8.1
Um exemplo clssico de fora
magntica sobre uma partcula em
movimento o espectrmetro de
massa. Como esquematizado na
Figura 8.7, uma partcula de massa
m e carga +q, acelerada atravs
de um potencial V antes de
penetrar numa regio onde existe
um campo magntico B,
perpendicularmente dirigido para
fora do papel. Sob a ao da fora
magntica a partcula percorrer o
semi-crculo indicado na figura, at Figura 8.7
tocar no anteparo, a uma distncia
x do ponto de entrada.
Antes de penetrar na regio do campo magntico, a partcula

ter adquirido energia pela acelerao atravs do potencial
V. Dito de outra forma, a partcula ter adquirido velocidade
v, satisfazendo as seguintes relaes:
E=qV=mv2
Ao penetrar na regio do campo magntico, a partcula

estar sujeita fora magntica, conforme a eq. (8.1). Esta
fora ser igualada fora centrpeta, de modo que
facilmente obtm-se

8.9 EXEMPLO 8.1
Portanto, medindo-se a distncia do impacto, x, pode-se

calcular a massa da partcula, a partir da sua carga e de
parmetros experimentais controlveis, B e V. Este o
princpio de funcionamento do espectrmetro de massa.
Este aplicativo simula um espectrmetro semelhante a este

que voc acabou de estudar no exemplo 8.1. Ao invs de m,
calcule o raio da rbita da partcula no interior do
espectrmetro (r=x/2). Use alguns valores de v e B e
cheque seu resultado.

8.10 EXEMPLO 8.2
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
EXEMPLO 8.2
A espira retangular da Figura 8.8 pivotada no eixo y e
conduz uma corrente de 10 A no sentido indicado. Supondo
que exista um campo magntico uniforme de 0,2 T paralelo
ao eixo x, calcule as foras e o torque sobre a espira, de
modo que ela seja mantida na posio indicada.
Sobre os lados de 6 cm, atuam foras iguais 0,12 N, sendo a
superior orientada na direo x, e a inferior orientada na
direo x. Elas anulam-se e no exercem qualquer torque
sobre a espira. Sobre os lados de 8 cm, atuam foras F=0,16
N, orientadas de acordo com a Figura 8.9. Portanto, a espira
permanecer na posio indicada, se uma fora igual a
0,16cos(30), com torque anti-horrio, for aplicada no lado
de 8 cm no-pivotado.
Figura 8.9
Figura 8.8

8.12 EXERCCIOS
Captulo 8 - O CAMPO
MAGNTICO.
EXERCCIOS.
Pergunta 1
8.1 Um eltron no ponto A da figura 8.10 tem uma

velocidade v0=107 m/s. Determine: (a) o mdulo e a
orientao da induo magntica que far o eltron
seguir a trajetria semicircular de A a B; (b) o tempo
necessrio para o eltron se mover de A para B.
R:(a) 1,14x10-3 T, perpendicular e entrando no plano
da folha; (b)15,68 ns.
Figura 8.10
Pergunta 2
8.2 Um eltron e uma partcula (tomo de hlio

duplamente ionizado) movem-se ambos em trajetrias
circulares em um campo magntico, com a mesma
velocidade tangencial. Compare o nmero de revolues
que eles fazem por segundo. A massa da partcula
6,68 x 10-27 kg.
R:fe/f=3,7x103.

8.12 EXERCCIOS
Pergunta 3
8.3 (a) Qual a velocidade de um feixe de eltrons,

quando a influncia simultnea de um campo eltrico de
intensidade 34 x 104 V/m e de um campo magntico de
intensidade 2 x 10-3 T, ambos normais entre si e ao
feixe, no produz deflexo alguma nos eltrons? (b)
Mostre em um diagrama as orientaes relativas dos
vetores V, E e B. (c) Qual o raio da rbita eletrnica,
quando o campo eltrico for removido?
R:(a) 1,7x108 m/s; (c)0,484 m.
Pergunta 4
8.4 Um on de Li7 com uma carga elementar tem uma

massa de 1,16 x 10-23 g. Ele acelerado atravs de
uma ddp de 500 V e depois penetra perpendicularmente
em um campo magntico B=0,4 T. Qual o raio de sua
trajetria no campo magntico.
R:21,29x10-3 m.
Pergunta 5
8.5 A figura 8.11 representa uma fita de cobre com as

seguintes dimenses: L=2 cm e d=1 mm. Quando B=5
T e i=100 A, verifica-se que o potencial Hall VH=45,4
V. Qual a concentrao de eltrons livres?
R: n = 3,44 x 1027 eltrons/m3.

8.12 EXERCCIOS
Figura 8.11
Pergunta 6
8.6 Qual o torque mximo sobre uma bobina de 600

espiras, com dimenso 5 cm x 12 cm, quando por ela
passa uma corrente de 10-5 A, em um campo uniforme
B=0,10 T.
R: = 3,6 x 10-6 Nm

9.2 A DESCOBERTA DE OERSTED
AMPRE.
A DESCOBERTA DE OERSTED
J conhecemos o efeito do campo
magntico sobre cargas em movimento e
sobre correntes em circuitos eltricos.
Vimos que uma das fontes de campo
magntico so os ms permanentes,
como a magnetita (Fe3O4). Em 1819,
Oersted descobriu que uma corrente
eltrica produz um campo magntico, e
que para o caso de um fio retilneo, as
linhas de campo so crculos em planos
perpendiculares ao fio, como ilustra a Fig.
9.1. O sentido do campo dado pela
regra da mo direita: com o polegar no Figura 9.1
sentido da corrente, os outros dedos do
o sentido de B.
Logo aps a apresentao do trabalho de Oersted, em 1820,

Ampre realizou outras experincias e formalizou a relao
entre corrente eltrica e campo magntico. Ele mostrou que
o campo produzido pela corrente, i, dado pela lei que
recebeu seu nome
(9.1)
onde 0=4x10-7 N/A2 a permeabilidade magntica do

vcuo.
Em (9.1), a integral realizada ao longo de uma linha

9.2 A DESCOBERTA DE OERSTED
fechada arbitrria, que alguns autores denominam linha

amperiana, pela sua correspondncia com a superfcie
gaussiana no caso da eletrosttica. Portanto, a lei de Ampre
est para o magnetismo, assim como a lei de Gauss est
para a eletrosttica. possvel agora estabelecer um quadro
conceitual relacionando esssas reas, onde as setas indicam
produo. Assim, cargas em movimento produzem campo
eltrico e campo magntico e podem produzir corrente
eltrica, no caso estacionrio.
Figura 9.2

AMPRE.
CAMPO DE UM FIO RETILNEO
INFINITO
Vamos usar a lei de Ampre para calcular o campo de um fio
retilneo infinito. Sabemos, das experincias de Oersted, que
as linhas de campo so crculos em planos perpendiculares
ao fio. Este resultado consistente com a simetria do
problema, que tambm permite-nos afirmar que o campo
tem o mesmo mdulo em qualquer ponto do crculo. Diz-se
que o campo tem simetria axial. Portanto, a amperiana
apropriada para se calcular o valor de B a uma distncia r do
fio o crculo de raio r.
Use (9.1) e mostre que o campo dado por
(9.2)

9.4 CILINDRO INFINITO
AMPRE.
CILINDRO INFINITO
Vejamos agora o caso de um cilindo

infinito, de raio R, transportando uma
corrente io, com densidade uniforme. Na
Figura 9.3 vemos uma seo reta do
cilindro, com duas amperianas, uma com
r<R, e outra com r>R. Vamos calcular o
valor de B nos dois casos.
Figura 9.3
Valor de B para pontos internos: r menor
ou igual a R
Pelo procedimento anterior, obtm-se uma expresso igual a
, onde i ser a corrente que atravessa a amperiana de

raio r. Como a densidade de corrente uniforme, tem-se
que
Substituindo i em (9.2), obtm-se
(9.3)
Valor de B para pontos externos: r maior ou igual a R
fcil mostrar que este resultado absolutamente igual a

(9.2). Portanto, para um cilindro com raio R, transportando

9.4 CILINDRO INFINITO
uma corrente i, o campo magntico varia com a distncia ao

eixo do cilindro conforme a figura 9.4.
Figura 9.4

9.5 INTERAO ENTRE FIOS INFINITOS PARALELOS
AMPRE.
INTERAO ENTRE FIOS INFINITOS
PARALELOS
Sejam dois fios infinitos e paralelos, transportando correntes
i1 e i2, como ilustra a Figura 9.5.
Figura 9.5
Sendo d a distncia entre eles, tem-se que o fio 1 cria um

campo
na posio do fio 2. Este campo exercer a fora
sobre o segmento L do fio 2. Da mesma forma, sobre o

9.5 INTERAO ENTRE FIOS INFINITOS PARALELOS
segmento L do fio 1 agir uma fora F21, com mdulo igual a

F12, mas com sentido contrrio. Portanto, quando as
corrente circulam no mesmo sentido, os fios atraem-se.
fcil mostrar que h repulso quando as correntes circulam
em sentidos opostos.

CAMPO DE UM SOLENIDE
AMPRE.
Obtm-se um solenide quando um
fio enrolado sob a forma de uma
bobina, como ilustra a Figura 9.6(a).
Na discusso que se segue
consideraremos o solenide infinito.
Na Figura 9.6(b) temos um corte
longitudinal do solenide. Usando
argumentos de simetria fcil
mostrar que so nulos os campos
entre os fios e na parte externa do
solenide. No interior do solenide o
campo tem o sentido indicado (da
Figura 9.6
esquerda para a direita).

Vamos usar a lei de Ampre para

calcular o mdulo de B no interior do
solenide. A corrente que atravessa o
retngulo abcd (a amperiana
selecionada) igual corrente, i,
multiplicada pelo nmero de espiras
que atravessa a amperiana. Como o O sentido do campo
solenide tem um nmero infinito de magntico no interior
espiras (na prtica, um nmero do solenide pode ser
muito grande de espiras), a corrente determinado pela
que entra na lei de Ampre regra da mo direita:
calculada em termos da densidade de o polegar dar o
espiras. Supondo que temos n sentido de B quando
espiras por unidade de comprimento, os outros dedos
a corrente que atravessa a indicarem o sentido
amperiana ser nLi. Assim, da corrente
A integral fechada pode ser desdobrada, resultando
Na regio externa ao solenide, B=0, de modo que
Na regio interna, o campo magntico perpendicular s

linhas ab e cd, de modo que
Portanto, a integral que resta resulta em

BL=0nLi
Finalmente, o campo no interior do solenide ser
B=0ni (9.4)
Esta simulao permite visualizar o efeito geomtrico de um

solenide, sobre as linhas de campo magntico. A equao
9.4 foi deduzida supondo-se um solenide infinito. bvio
que isso uma idealizao. Na prtica, usa-se um solenide
longo, isto , um solenide em que a razo entre o seu
comprimento e o dimetro da sua seo reta seja to grande
quanto possvel. Quanto maior esta relao, mais prximo
do caso ideal. No aplicativo podemos variar o raio do
solenide, entre 2,5 e 6,0. Para cada raio, clique em iniciar e
observe atentamente as linhas de campo. Qual a principal
diferena entre as linhas de campo do solenide com raio
2,5, e aquelas do solenide com raio 6,0?

Exemplos
AMPRE.
Exemplos
Instrues
Agora que voc viu a lei de Ampre, voc pode tentar isto.
Para utilizar os seguintes applets, voc tem que conhecer:
A tabela debaixo assume que voc tem um mouse de trs-

boto, como achado na maioria computadores Unix. Se
voc estiver usando um PC, e possvel que voc so tenha um
mouse de dois-boto. Para simular o boto do medio, voc
devera usar naquele caso o boto esquerdo, enquanto
oprime a tecla ALT. Em resumo:
Mouse Buttons
Unix Left Middle Right
PC Left Alt-Left Right
Indicadores de campo
A seta que acompanha o cursor indica o campo.

Para desenhar uma seta de campo, tecle shift-control-
alt e clique o boto do mouse. .
Para desenhar todas as setas de campo, tecle a letra A.
Linhas de campo
Para desenhar uma linha de campo, clique o boto

esquerdo do mouse. O arco-ris de cor ao longo da linha
indica a intensidade do campo; vermelho forte, e azul
fraco.

Exemplos
Amperianas
Desenhando uma amperiana: :

Para desenhar um retngulo, arraste o boto da
esquerda.
Para desenhar um crculo, arraste o boto da
esquerda teclando Ctrl.
O aplicativo calcula e imprime a integral de linha
do campo ao longo da amperiana traada.
Para apagar a amperiana e a integral, clique o boto
esquerdo novamente.
Apagando
Para apagar as linhas, tecle a letra E, a tecla backspace,

ou Del.
Thin Wires
Oh, the pain, the pain....

EXERCCIOS
AMPRE.
EXERCCIOS.
Pergunta 1
9.1 Dois longos fios retilneos e paralelos esto

separados por uma distncia 2a, conforme figura 9.7.
Se os fios conduzem correntes iguais em sentidos
opostos, qual o campo magntico no plano dos fios
em um ponto (a) a meia distncia entre eles e (b) a
uma distncia 'a' acima do fio superior?
R:(a)B=0i/a, perpendicular linha que une os fios e
apontando para a direita de quem olha; (b)B=0i/3a.
Figura 9.7
Pergunta 2

EXERCCIOS
9.2 Ainda em relao figura 9.7, calcule o campo

magntico resultante no ponto P.
R:B=0ia/ (a2+x2).
Pergunta 3
9.3 Suponha que na figura 9.7 exista um terceiro fio

longo e retilneo, paralelo aos outros dois, passando
pelo ponto P e que cada fio conduza uma corrente I=20
A. Considere a=30 cm e x=40 cm. Determine o mdulo
e a orientao da fora por unidade de comprimento
que atua sobre o terceiro fio, se a corrente nele entra
no plano da folha.
R:1,92x10-4 N/m, perpendicular ao fio, apontando para
baixo.
Pergunta 4
9.4 O fio longo e retilneo da figura 9.8 conduz uma

corrente de 20 A. Uma espira retangular, cujos lados
maiores so paralelos ao fio, conduz uma corrente de
10 A. Determine o mdulo, a direo e o sentido da
fora resultante exercida sobre a espira pelo campo
magntico do fio.
R:7,2x10-4 N, perpendicular ao fio, apontando para a
esquerda de quem olha.

EXERCCIOS
Figura 9.8
Pergunta 5
9.5 A figura 9.9 mostra um corte transversal de um

condutor longo de um tipo denominado cabo coaxial.
Seus raios (a, b, c) so mostrados na figura. Correntes
uniformes e opostas, de valor I, existem nos dois
condutores. Encontre expresses para B(r) nas regies
em que: (a) r<c; (b) c<r<b; (c) b<r<a; (d) r>a.
R:(a)B=0ir/2c2, anti-horrio, se a corrente interna
estiver saindo da folha; (b)B=0i/2r, anti-horrio;
(c)B=0i(a2-r2)/ 2r(a2-b2), anti-horrio; (d)B=0.

EXERCCIOS
Figura 9.9
Pergunta 6
9.6 Constri-se um solenide de 30 cm de comprimento

com duas camadas de enrolamento de fio. A camada
interna consiste de 300 espiras e a externa, de 250. A
corrente de 3 A no mesmo sentido em ambas as
camadas. Qual o valor do campo magntico em um
ponto prximo do centro do solenide?
R:0,07 T.

10.2 INDUO ELETROMAGNTICA
FARADAY.
INDUO ELETROMAGNTICA
Com a descoberta de Oersted e a lei de Ampre aprendemos
que uma corrente eltrica origina um campo magntico. Na
dcada de 1830, Faraday descobriu o inverso. Isto , um
campo magntico pode criar uma corrente eltrica. Isso
possvel atravs do surgimento de uma fora eletromotriz
(fem) induzida.
Vamos examinar essa questo a

partir do problema esquematizado na
figura 10.1. Nesta regio do espao
existe um campo magntico, B, com
o sentido indicado (para dentro da
folha). Uma placa metlica
deslocada, por um agente externo
qualquer (no importa qual), com
velocidade uniforme, v. Os eltrons
livres da placa estaro submetidos a
uma fora magntica dada por
F = evB
cujo sentido aponta para baixo. Logo

haver um excesso de carga
negativa na parte inferior da placa e Figura 10.1
uma quantidade igual de carga
positiva na parte superior,
produzindo uma fem. Diz-se que
essa fem foi induzida pelo
movimento das cargas. Vejamos
quanto vale essa fem.

W=Fh o trabalho necessrio para transportar uma carga

de uma extremidade outra da placa. Como a fem dada
por
=W/q
segue-se que
=vBh (10.1)
Analisemos o mesmo problema de

outra forma. Vamos imaginar que a
placa metlica desliza sobre um
trilho metlico, conforme ilustra a
figura 10.2. Quando a placa
deslocada, a rea hachuriada varia,
variando o fluxo de B, B=Bhx,
atravs dela.
Derivando o fluxo, em relao a t,

tem-se
Portanto, a variao temporal do

fluxo do campo magntico Figura 10.2
numericamente igual fora
eletromotriz induzida pelo
movimento, eq. (10.1). Isto ,
(10.2)
Como a carga positiva acumula-se na parte superior, a

corrente induzida tem o sentido indicado na fig. 10.2.

As equaes (10.1) e (10.2), apresentam resultados

idnticos queles obtidos com a lei de Faraday. Por causa
disso, costuma-se confundir a fem induzida pelo
movimento, com a fem induzida pela lei de Faraday. O que
discutimos acima foi a fem induzida pelo movimento.
Vejamos agora a fem induzida pela lei de Faraday.

10.3 LEIS DE FARADAY E LENZ
FARADAY.
LEIS DE FARADAY E LENZ
Na fig. 10.3, uma espira metlica
colocada (imvel) numa regio onde
existe um campo magntico varivel. Em
(a) o mdulo de B cresce com o tempo,
enquanto em (b) ele decresce. Em 1831,
Faraday mostrou que no primeiro caso, a
corrente induzida circula no sentido anti-
horrio, enquanto no segundo caso ela
circula no sentido horrio. A fem induzida
dada por
(10.3)
Outra forma de apresentar a equao

(10.3) a seguinte
Em 1834, Lenz estabeleceu a lei que

permite interpretar o significado do sinal
negativo em (10.3). Numa traduo livre,
a lei a seguinte:
O sentido da fem induzida aquele que

tende a se opor variao do fluxo
magntico atravs da espira.
Na fig. 10.3(a) o fluxo magntico est

10.3 LEIS DE FARADAY E LENZ
crescendo. A corrente induzida ter o

sentido anti-horrio para criar um campo
magntico contrrio ao campo B e opor-
se variao do fluxo magntico.
Na fig. 10.3(b) o fluxo magntico est

decrescendo, de modo que a corrente no
sentido horrio produzir um campo
magntico no mesmo sentido do campo
aplicado, de modo a opor-se diminuio
do seu fluxo.
Figura 10.3
Demonstrao
Tecle o boto iniciar e observe o movimento da barra. Voc

tambm pode arrastar a barra arrastando-a com o mouse.

EXERCCIOS
FARADAY.
EXERCCIOS.
Pergunta 1
10.1 Na figura 10.4, o fluxo magntico que atravessa a

espira cresce com o tempo de acordo com a expresso
B=6t2+7t,
onde B dado em miliwebers e t em segundos. (a)
calcule o mdulo da fem induzida na espira quando
t=2,0 s. (b) Determine o sentido da corrente atravs de
R.
R:(a)31 mV; (b)Horrio.
Figura 10.4
Pergunta 2

EXERCCIOS
10.2 Seja B(0) o fluxo magntico para t=0, na figura

10.4. Suponha que o campo magntico esteja variando
de forma contnua mas no especificada, tanto em
mdulo quanto em direo, de modo que num instante t
o fluxo seja dado por B(t). (a) Mostre que a carga total
q(t) que passou atravs do resistor R no tempo t
q(t) = 1/R [B(0) -B(t)],
independentemente do modo pelo qual B variou neste
mesmo intervalo.
Pergunta 3
10.3 A figura 10.5 representa uma espira quadrada

(lado igual a 2,0 m) perpendicularmente disposta em
relao um campo magntico B, sendo que metade da
espira est no interior da regio onde existe o campo. A
espira contm uma bateria de 20 V, cuja resistncia
interna desprezvel. O mdulo do campo magntico
varia de acordo com a relao B=0,042-0,87t, sendo B
dado em Tesla e t em segundos. (a) Qual o sentido da
corrente que passa atravs da bateria? (b) Qual a fem
total atravs do circuito?
R:(a)Anti-horrio; (b)21,74 V.
Figura 10.5

EXERCCIOS
Pergunta 4
10.4 Dois trilhos condutores retilneos formam um

ngulo reto no ponto de juno entre suas
extremidades. Uma barra condutora em contato com os
trilhos parte do vrtice no instante t=0 e se move com
velocidade constante v=5,2 m/s de cima para baixo,
como ilustra a figura 10.6. Um campo magntico
B=0,35 T aponta para fora da pgina. Calcule: (a) o
fluxo magntico atravs do tringulo issceles formado
pelos trilhos e a barra no instante t=3,0 s e (b) a fem
induzida no tringulo neste instante. (c) Como a fem
induzida no tringulo varia com o tempo?
R:(a) 85,2 Wb; (b) 56,8 V; (c) (t)=2Bv2t.
Figura 10.6
Pergunta 5
10.5 O campo B na figura 10.7 decresce taxa de 0,1

T/s. (a) Qual a fem induzida no anel condutor circular
de raio igual a 10 cm? (b) Quais so o mdulo e a
orientao do campo eltrico induzido em qualquer
ponto desse anel? (c) Qual a corrente induzida no
anel, se sua resistncia vale 2 ?
R:(a) 3 mV, anti-horrio; (b) 5 mV/m; (c) 1,5 mA.

EXERCCIOS
Figura 10.7
Pergunta 6
10.6 Na figura 10.8 a corrente I percorre o fio infinito

na direo indicada, e cresce constantemente razo
de 2 A/s. (a) Qual o fluxo total, em determinado
tempo t, atravs da espira cujas dimenses esto
indicadas na figura. (b) Qual a fem induzida na
espira?
R:(a) 2,30I/10; (b) 4,60/10, anti-horrio.
Figura 10.8

11.1 INDUTNCIA
Captulo 11 - OSCILAES
ELETROMAGNTICAS
INDUTNCIA
J vimos que o capacitor um dispositivo apropriado para
gerar um campo eltrico. No Cap. 9 vimos que uma corrente
eltrica cria um campo magntico. Em particular, calculamos
o campo magntico de um solenide. Este dispositivo est
para o magnetismo, assim como o capacitor est para a
eletricidade. H uma completa analogia entre os dois
dispositivos. Assim, correspondendo capacitncia, definida
na eq. (5.1), podemos definir a indutncia, L,
(11.1)
Onde N o nmero de espiras no solenide. Portanto, N

o fluxo magntico total atravs do indutor (denominao
tambm usada para um solenide), e i a corrente que o
atravessa. A unidade de indutncia no sistema SI o Henry.

11.2 INDUTNCIA DE UM SOLENIDE
ELETROMAGNTICAS.
INDUTNCIA DE UM SOLENIDE
Vamos usar um solenide infinito (ou muito maior do que a
rea da sua seo reta, A), assim como fizemos no Cap. 9. A
densidade linear de espiras n, de modo que
N=nl= nlBA
Usando o valor de B para um solenide infinito, eq. (9.4),

obtm-se a indutncia por unidade de comprimento, L/l,
L/l = 0An2 (11.2)
Convm comparar este resultado com aquele obtido para a

capacitncia de um capacitor de placas paralelas, eq. (5.2).
Em ambas as equaes temos o produto de uma constante
universal (0 ou 0) com parmetros geomtricos do
respectivo dispositivo.
Figura 11.1

11.3 AUTO-INDUO
ELETROMAGNTICAS.
AUTO-INDUO
Uma corrente eltrica percorrendo um solenide origina um
fluxo magntico. No momento em que se inicia a passagem
da corrente, esta, de acordo com a lei de Faraday, induz o
surgimento de uma fem. Como se trata de uma fem induzida
por uma corrente no prprio solenide, diz-se que esta fem
auto-induzida. Portanto, tem-se uma auto-induo, que deve
satisfazer seguinte relao
Como N=Li, segue-se que
(11.3)

11.4 CIRCUITO RL
ELETROMAGNTICAS.
CIRCUITO RL
Vamos usar o princpio da auto-induo para estudar o
circuito RL em srie. No momento em que a chave S, na
figura 11.2, for ligada na posio a, uma corrente surgir
no circuito. Imediatamente, o indutor reagir, produzindo
uma fem L, dada pela eq. (11.3). Aplicando a regra de
Kirchhoff na malha externa (chave ligada em a), tem-se
- Ri - L = 0
(11.4)
Figura 11.2 Figura 11.3
Observe que na equao acima, aparentemente o sinal

negativo da eq. (11.3) no foi levado em conta. Na verdade,
ele foi levado em conta quando se definiu o sentido de L na
fig. 11.2.

11.4 CIRCUITO RL
Figura 11.4
A eq. (11.4) formalmente idntica eq. (7.2), para o

circuito RC srie. Assim, a soluo para a eq. (11.4) ser
obtida a partir da eq. (7.2), substituindo-se os elementos
correspondentes, de acordo com a tabela abaixo.
Circuito RC Circuito RL
R L
1/C R
C /R
RC L/R
Portanto,
(11.5)
O comportamento da corrente, descrito pela eq. (11.5),

ilustrado na fig. (11.3). Este comportamento similar ao
comportamento da carga no capacitor do circuito RC. A
corrente de saturao, /R, ocorre quando o indutor entra
em curto.
Em t=0, i=0, o que significa circuito aberto. Portanto o

comportamento do indutor o contrrio do comportamento
do capacitor.

11.4 CIRCUITO RL
t=0 t0
Capacitor curto-circuito circuito aberto
Indutor circuito aberto curto-circuito
O fator L=L/R denominado constante de tempo indutiva.

Quando t=L, a corrente no circuito atinge 63% do valor de
saturao.
No caso do circuito RC, vimos que medida que a carga no

capacitor aumentava, aumentava a energia acumulada no
capacitor (UC=CV2=q2/2C). No caso do circuito RL,
tambm h acumulao de energia; neste caso, tem-se
acumulao de energia no campo magntico. Multiplicando-
se a eq. (11.4) por i, tem-se
Portanto,
Resulta da que a energia acumulada no indutor dada por
UL=Li2 (11.6)
Depois de um longo tempo (p. ex. t>10L) ligado em a, a

corrente atinge seu valor de saturao. Se nesse instante a
chave for ligada em b, a energia ser devolvida pelo indutor
e consumida no resistor. Fazendo =0 na eq. (11.4), fcil
mostrar que a corrente fluir de acordo com a relao
(11.7)

DENSIDADE DE ENERGIA EM CAMPOS ELTRICOS E MAGNTICOS
ELETROMAGNTICAS.
DENSIDADE DE ENERGIA EM CAMPOS
ELTRICOS E MAGNTICOS
A partir das energias acumuladas em campos eltricos e
magnticos, dadas pelas eqs. (5.10) e (11.6), podemos
calcular as respectivas densidades de energia, isto , energia
por unidade de volume.
Vejamos, inicialmente, o caso do campo eltrico.

Consideremos um capacitor de placas paralelas, com rea A
e distncia d entre elas. Usando a eq. (5.10), obtm-se
Tendo em conta que a capacitncia de um capacitor de

placas paralelas dada por C=0A/d, e que V=Ed (E o
campo entre as placas do capacitor), obtm-se
Embora tenha sido deduzida para o caso particular de um

capacitor de placas paralelas, a expresso acima
absolutamente geral; ela fornece a densidade de energia de
um campo eltrico em determinada regio do espao, no
importando como ele tenha sido produzido. Ento, ao invs
de desgin-la uC, convm usar a designao mais geral uE.
(11.8)
Para calcular a densidade de energia num campo magntico,

vamos usar um solenide infinito. Partindo das expresses

DENSIDADE DE ENERGIA EM CAMPOS ELTRICOS E MAGNTICOS
(9.4), (11.2) e (11.6), e da definio UB/Al, obtm-se
(11.9)

CIRCUITO LC
ELETROMAGNTICAS.
CIRCUITO LC
Vamos analisar um circuito LC, como ilustrado na fig. 11.5.
Suponhamos que inicialmente o capacitor encontra-se
carregado com um potencial V. No momento que o indutor
ligado, uma corrente surge no circuito, atravs da qual a
energia acumulada no capacitor, CV2, passa a se transferir
para o indutor.
O processo atinge um ponto mximo quando toda a energia

do capacitor tiver sido transferida para o indutor. A partir
desse momento, a energia acumulada no indutor passa a se
transferir para o capacitor, atravs do surgimento de uma
corrente contrria corrente inicial. Resulta da que a
corrente nula quando a carga no capacitor for mxima, e a
corrente ser mxima quando a carga no capacitor for nula.
Este circuito apresenta um comportamento, em termos de

variao de energia, anlogo ao apresentado pelo conjunto
massa-mola, na ausncia de qualquer tipo de atrito. Neste
caso, energia potencial acumulada na mola transformada
em energia cintica da massa, e vice-versa.
Um resistor no circuito da fig. 11.5 exerce o mesmo papel

que o atrito no sistema massa-mola. Atravs do efeito Joule,
parte da energia transferida do capacitor para o indutor (e
vice-versa) ser consumida no resistor.

CIRCUITO LC
Figura 11.5

CIRCUITO RLC
ELETROMAGNTICAS.
CIRCUITO RLC
A fig. 11.6 um exemplo sim-ples de

circuito RLC. Ele semelhante ao circuito
RL, onde a fem foi substituda por um
capacitor. Portanto, a equao que
descreve o comportamento do circuito
igual eq. (11.4), substituindo-se por
V.
Figura 11.6
(11.10)
Num instante qualquer,
Substituindo essas expresses na eq. (11.10), obtm-se a

equao diferencial que descreve o comportamento do
potencial nas placas do capacitor,
(11.11)
A soluo desta equao deve satisfazer duas propriedades:

CIRCUITO RLC
deve ser oscilatria;

deve ter um fator de amortecimento.
Uma soluo particular que satisfaz tais condies, a

seguinte:
V(t)=Ae-tcos(t) (11.12)
Da relao entre i e V, obtm-se
Substituindo (11.12) em (11.11), resulta que
=R/2L
(11.13)
Uma situao interessante aquela em que a oscilao

fracamente amortecida. Isso acontece quando a resistncia
tem um valor muito pequeno. Dito de outra forma,
/=0
ou
>>
Sob esta condio,
i(t)=AC e-tsen(t) (11.14)
Vamos analisar os valores de i(t) e V(t) em pontos especiais.

CIRCUITO RLC
t=0
V(0)=A [valor mximo de V(t)]
i(0)=0
t=/2=1/4f=T/4 (1/4 do perodo de oscilao)

V(/2)=0
i(/2)=AC [valor mximo de i(t)]
Portanto, V(t) e i(t) esto defasadas de /2. Quando V(t)

mximo, toda a energia est acumulada em C. Quando i(t)
mxima, toda a energia est acumulada em L. A cada de
perodo, a energia passa de um dispositivo para o outro.

FREQNCIA NATURAL
ELETROMAGNTICAS.
FREQNCIA NATURAL
O circuito RLC oscila com a freqncia dada pela eq. (11.13).
Quando R aproxima-se de zero, o circuito RLC apresenta um
comportamento similar ao de um circuito LC. No limite, R=0,
a freqncia ser
Esta freqncia conhecida como freqncia natural. Isto ,

a freqncia natural de um circuito RLC, a freqncia do
circuito LC correspondente.

EXERCCIOS
ELETROMAGNTICAS.
EXERCCIOS.
Pergunta 1
11.1 Um determinado comprimento de fio de cobre

transporta uma corrente de 10 A uniformemente
distribuda. Calcule: (a) a densidade de energia
magntica e (b) a densidade de energia eltrica na
superfcie do fio. O dimetro do fio 2,5 mm e sua
resistncia por unidade de comprimento de 3,3 /km.
R:(a) 1,02 J/m3; (b) 4,8x10-15 J/m3.
Pergunta 2
11.2 Considere o circuito RL da fig. 11.2. Em termos da

constante de tempo, para que instante aps a bateria
ser ligada, a energia armazenada no campo magntico
do indutor ter a metade do seu valor estacionrio?
R:1,23 L
Pergunta 3
11.3 Uma bobina com uma indutncia de 2,0 H e uma

resitncia de 10 subitamente conectada a uma
bateria de resistncia desprezvel, com =100 V. Para
0,10 s aps a conexo ter sido feita, qual ser a taxa

EXERCCIOS
com a qual: (a) a energia est sendo armazenada no

campo magntico? (b) a energia trmica aparece? (c) a
energia est sendo fornecida pela bateria?
R:(a) 238,5 W; (b) 154,5 W; (c) 393 W.
Pergunta 4
11.4 Uma bobina ligada em srie a um resistor de 10

k. Quando uma bateria de 50 V colocada no circuito,
a corrente atinge um valor de 2,0 mA aps 5,0 ms. (a)
Determine a indutncia da bobina. (b) Qual a energia
acumulada na bobina neste momento?
R:(a) 125 H; (b) 2,5x10-4 J.
Pergunta 5
11.5 Num circuito LC oscilante, L=1,1 mH e C=4,0 F. A

carga mxima em C 3,0 C. Calcule: (a) a energia
total mxima acumulada. (b) a corrente mxima que
pode circular.
R:(a) 1,125 J; (b)0,042 A.
Pergunta 6
11.6 Considere o circuito indicado na fig. 11.7. Quando

a chave S1 est fechada e as outras duas chaves
abertas, a constante de tempo vale C. Quando a chave
S2 est fechada e as outras duas abertas, o circuito
possui uma constante de tempo L. Mostre que quando
a chave S3 est fechada e a outras duas esto abertas,
o circuito oscila com um perodo .

EXERCCIOS
Figura 11.7

12.1 LEIS EXPERIMENTAIS
Captulo 11 - EQUAES DE
MAXWELL.
Leis Experimentais
Vimos e estudamos quatro leis experimentais sobre
fenmenos eltricos e magnticos, reproduzidas na tabela
abaixo.
Lei de Gauss para a

eletricidade
Lei de Gauss para o
magnetismo
Lei de Faraday-Lenz
Lei de Ampre
Maxwell explorou as propriedades matemticas dessas

equaes escritas na forma diferencial, para propor sua
teoria eletromagntica. Embora esse procedimento esteja
fora do nosso alcance, vamos fazer um exerccio analtico
atravs da explorao da simetria dessas equaes.
Por exemplo, se a variao do origina um campo eltrico

(lei de Faraday), por que no
E B?
Para manter a simetria, uma tentativa natural seria escrever
H dois erros nessa equao. O primeiro que a experincia

mostra que o sinal deve ser positivo. O segundo um erro

dimensional. fcil mostrar que o membro da esquerda tem
unidades de 0i, enquanto o da direita tem unidades de i/0.
Portanto, a lei correta dever ser
(12.1)
Observe que o fator multiplicativo, que surgiu devido aos

ajustes dimensionais, o produto 00. a primeira vez que
eles dois aparecem numa nica equao. Antes, 0
relacionava-se com fenmenos eltricos, e 0 relacionava-se
com fenmenos magnticos. A equao acima tem algo
diferente. Ela representa a incluso da tica na
fenomenologia do eletromagnetismo. Pode-se mostrar que a
velocidade da luz no vcuo dada por
Agora podemos escrever a lei de Ampre - Maxwell
(12.2)
interessante observar que iniciamos tentando escrever

uma lei de Faraday-Lenz para a induo magntica, mas
encontramos a eq. (12.1). Portanto, no existe uma lei de
Lenz para a induo magntica.
Vamos analisar melhor a eq. (12.1). Uma realizao

experimental possvel seria um capacitor com campo eltrico
varivel, como ilustrado na fig. 12.1. O campo E surge
quando h uma corrente i carregando o capacitor. Esta
corrente, que dar origem a um campo magntico (lei de
Ampre), de repente desaparece entre as placas do
capacitor, aparecendo depois da outra placa.

Figura 12.1
Esse mistrio resolvido com a eq. (12.2). A corrente

entre as placas, conhecida como corrente de deslocamento,
id, dada pelo termo .

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Captulo 12 - EQUAES DE
MAXWELL.
EXERCCIOS.
Pergunta 1
12.1 Mostre que tem dimenso de corrente
Pergunta 2
12.2 Mostre que i=id.
Pergunta 3
12.3 Mostre que a corrente de deslocamento num

capacitor de placas paralelas pode ser escrita assim
Pergunta 4
10.4 Na fig. 12.2, a fem dada por =msen(t). O

capacitor de placas circulares e paralelas, tem raio R.
(a) Sabendo que o valor mximo da corrente de

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod12/m_ex.html
deslocamento I, calcule o valor mximo de dE/dt. (b)

Mostre que a distncia entre as placas do capacitor
dada por R20m/I. (c) Mostre que o valor mximo do
mdulo de B entre as placas, a uma distncia r do eixo
de simetria do capacitor dado por 0I/2r.
Figura 12.2

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Captulo 3 - A Lei de Gauss

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INFORMAES CAPES ALERTA

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O curso est formatado de acordo com a pedagogia

O contedo explorado atravs de uma variedade de objetos de

Alguns objetos de aprendizagem foram extraidos ou adaptados

Wolfgang Christian, editor da pgina Physlets.

Michael W. Davidson, editor da pgina Molecular Expressions:

Walter Fendt, editor da pgina Java Applets on Physics

Exigncias de hardware e software

Para maior eficincia, convm observar os seguintes aspectos:

1. Nestcape Navigator ou Microsoft Internet Explorer so os

PC com procesador de 90 MHz ou superior.

Nestcape Navigator (Verso 4.0 ou superior). Use este

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