Fundamentos de Eletronica e Eletronica A

CENTRO DE FORMAÇÃO PROFISSIONAL
“BEBE MARTINS”
Fundamentos da
Eletrônica e Eletronica
Analógica I
Presidente da FIEMG
Olavo Machado Junior
Gestor do SENAI
Petrônio Machado Zica
Diretor Regional do SENAI e

Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Lúcio José de Figueiredo Sampaio
Gerente de Educação e Tecnologia

Edmar Fernando de Alcântara
Elaboração
Equipe Técnica / Pedagógica
Unidade Operacional
CENTRO DE FORMAÇÃO PROFISSIONAL “BEBÉ MARTINS”

Sumário
APRESENTAÇÃO ..............................................................................................................................2
INTRODUÇÃO ....................................................................................................................................3
FÍSICA DOS SEMICONDUTORES ....................................................................................................4
ESTRUTURA ATÔMICA ........................................................................................................................4

CRISTAIS ..........................................................................................................................................5
DOPAGEM .........................................................................................................................................6
DIODOS ..............................................................................................................................................9
POLARIZAÇÕES DO DIODO..................................................................................................................9
COMPONENTES LINEARES ................................................................................................................10
CARACTERÍSTICAS DOS DIODOS .......................................................................................................10
LINHAS DE CARGA ...........................................................................................................................12
APROXIMAÇÕES DO DIODO...............................................................................................................12
TESTE ESTÁTICO DO DIODO..............................................................................................................13
CIRCUITOS COM DIODOS..............................................................................................................14
LIMITADOR ......................................................................................................................................14
ASSOCIAÇÃO DE IIMITADORES ..........................................................................................................15
GRAMPEADOR DE CC......................................................................................................................15
DETETOR DE PICO A PICO ................................................................................................................15
OUTROS TIPOS DE DIODOS..........................................................................................................16
DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) ........................................................................................................16

INDICADOR DE SETE SEGMENTOS .....................................................................................................17
FOTODIODO ....................................................................................................................................17
OPTOACOPLADOR COM FOTODIODO .................................................................................................18
DIODO SCHOTTKY ...........................................................................................................................18
VARISTORES..................................................................................................................................20
LDR - LIGHT DEPENDENT RESISTOR (RESISTOR DEPENDENTE DE LUZ).............................................20
TERMISTORES................................................................................................................................21
CIRCUITOS RETIFICADORES ........................................................................................................22
RETIFICADOR DE MEIA ONDA (RMO) ................................................................................................22

RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA(CONVENCIONAL ROC).....................................................24
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE(RCOP) ......................................................................26
FILTROS EM FONTES DE ALIMENTAÇÃO .............................................................................................26
RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO .........................................................................................27
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM FILTRO A CAPACITOR. ...........................................................28
RETIFICADOR EM PONTE COM FILTRO A CAPACITOR ...........................................................................28
O DIODO ZENER .............................................................................................................................30
REGULAÇÃO DE TENSÃO ..................................................................................................................31

O REGULADOR ZENER .....................................................................................................................32
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) .................................................................................35
ESTRUTURA FÍSICA ..........................................................................................................................35

SÍMBOLOS DOS TRANSISTORES NPN E PNP ....................................................................................39
CONEXÕES DO TRANSISTOR BIPOLAR ...............................................................................................40
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DO TRANSISTOR .................................................................................43
ESPECIFICAÇÕES DE UM TBJ...........................................................................................................45
O MODO DE OPERAÇÃO COMO CHAVE...............................................................................................46
RETA DE CARGA CC PARA CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS ................................................................47
OUTROS TRANSISTORES ESPECIAIS..................................................................................................52
POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR BIPOLAR ...........................................................................................54
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS.................................................................................................64
Eletrônica analógica
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Apresentação
“Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

conhecimento. “
Peter Drucker
O ingresso na sociedade da informação exige mudanças profundas em todos os

perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produção,
coleta, disseminação e uso da informação.
O SENAI, maior rede privada de educação profissional do país,sabe disso , e

,consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a égide do conceito
da competência:” formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resolução de problemas, com conhecimentos
técnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
consciência da necessidade de educação continuada.”
Vivemos numa sociedade da informação. O conhecimento , na sua área

tecnológica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualização se
faz necessária. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliográfico, da sua infovia,
da conexão de suas escolas à rede mundial de informações – internet- é tão
importante quanto zelar pela produção de material didático.
Isto porque, nos embates diários,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

laboratórios do SENAI, fazem com que as informações, contidas nos materiais
didáticos, tomem sentido e se concretizem em múltiplos conhecimentos.
O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didáticos, aguçar a sua
curiosidade, responder às suas demandas de informações e construir links entre
os diversos conhecimentos, tão importantes para sua formação continuada !
Gerência de Educação e Tecnologia
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Curso Técnico 2
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Introdução
Este estudo tem como objetivo diferenciar alguns dos mais variados
tipos de componentes eletrônicos, concebidos a partir de semicondutores,
apontando características físicas e construtivas dos mesmos. Analisaremos
também o funcionamento eletroeletrônico destes, a fim de que possamos
entender com mais clareza e objetividade o funcionamento de diversos circuitos
que empregam tais componentes.
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Curso Técnico 3
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Física dos semicondutores
Estrutura atômica
Sob o ponto de vista da física, sabemos que os corpos, constituídos de
diversos tipos de matéria, podem ser divididos em partes menores. A menor
porção da matéria é a molécula, que, por sua vez, pode ser dividida em partes
ainda menores, denominados átomos. A estrutura atômica de diversos tipos de
materiais pode ser estudada detalhadamente pela química, não constituindo,
entretanto, papel relevante em nosso estudo. Contudo, é de fundamental
importância entendermos a estrutura do átomo, que é mostrada abaixo pelo
modelo planificado de Bohr. Nela, podemos perceber claramente que o átomo é
formado por um núcleo, contendo prótons com carga positiva e nêutrons com
carga nula, e, girando em órbitas elípticas em torno desse núcleo, os elétrons com
carga negativa. (Fig. 1.1)
Níveis de energia
Cada camada ou órbita pode ser representada, em um gráfico, como
sendo níveis de energia, onde os elétrons distam do núcleo raios proporcionais á
força de interação mútua entre eles e o núcleo. A figura 1.2 ilustra o que foi
descrito.
Bandas de energia
As bandas de energia são órbitas controladas por cargas de átomos
adjacentes. A banda de energia mais externa do átomo é denominada banda de
valência, local onde ocorrem as reações químicas. Os átomos que têm quatro
(04) elétrons na última camada (de valência) são denominados semicondutores.
Podemos citar como exemplos os átomos de silício e germânio, que têm número
atômico igual a 14 e 32, respectivamente.
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Curso Técnico 4
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Cristais
Os cristais são combinações de átomos iguais, por exemplo de silício,
unidos através de ligações covalentes, conforme a figura 1.4.
Lacuna
Denomina-se lacuna o “buraco” que fica quando um elétron de valência
é levado, por meio de uma energia externa, a um nível mais alto. Considerando
este fato, podemos afirmar que a lacuna age como uma carga positiva, pois
significa “ausência de elétron”.
Condução em cristais
Em uma rede cristalina, à temperatura zero absoluto (-2730C), não há
fluxo de corrente elétrica, pois os elétrons estão fortemente presos às ligações
covalentes. A figura 1.5 ilustra o que foi descrito.
Acima do zero absoluto, a rede cristalina recebe energia térmica,

ocorrendo quebras de ligações covalentes. Elétrons da banda de valência passam
para a banda de condução, gerando pares elétrons - lacunas. Com o aumento da
temperatura tem-se mais elétrons na banda de condução. (Fig. 1 .6)
O silício não é isolante nem condutor; é, portanto, um semicondutor.

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Curso Técnico 5
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Silício x Germânio
Na temperatura ambiente, o silício praticamente não tem elétrons livres,
comparado com o germânio. Esta é a principal razão para que o silício tenha
maior aplicação na fabricação de dispositivos eletrônicos.
Corrente de lacunas
Um semicondutor oferece dois trajetos para a corrente: um, através da
banda de condução (elétrons); e outro, através da banda de valência (lacunas).
Nos condutores temos apenas corrente de elétrons, o que os diferencia dos
semicondutores. (Fig. 1.7)
Observação
Um elétron na banda de condução gera uma lacuna na banda de
valência. Aumentando-se o número de elétrons na banda de condução, garante-
se o aumento do número de lacunas na banda de valência (pares elétrons -
lacunas).
Recombinação
A recombinação ocorre quando elétrons da banda de condução se
dirigem para a banda de valência, preenchendo uma lacuna, caso a banda de
condução intercepte a banda de valência de outro átomo. Assim a lacuna
desaparece. O tempo médio entre a criação e o desaparecimento de uma lacuna
é de nano segundos (ns) e microssegundos (µs).
Dopagem
Uma rede formada por apenas um tipo de átomo semicondutor origina
uma estrutura cristalina denominada semicondutor intrínseco ou cristal puro. O
processo pelo qual introduzimos átomos de impurezas num cristal, de modo a
aumentar tanto o número de elétrons livres quanto o de lacunas, denomina-se
dopagem.
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Curso Técnico 6
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Dopagem tipo N
Significa aumentar o número de elétrons na banda de condução,
acrescentando átomos pentavalentes (cinco elétrons na última camada).
Percebemos pela figura 1.9 que, com a dopagem N, obtém-se aumento

no número de elétrons na banda de condução, enquanto na banda de valência
temos apenas o surgimento de algumas lacunas, originadas pela energia térmica.
Assim, denominamos os elétrons como portadores majoritários, e as lacunas,
portadores minoritários. Podemos dizer, então, que temos um semicondutor do
tipo N. Exemplo de impurezas doadoras: fósforo, antimônio, arsênio.
Dopagem tipo P
Significa aumentar o número de lacunas na banda de valência,
acrescentando átomos trivalentes (três elétrons na última camada).
Percebemos pela figura 1.10 que, com a dopagem P, obtém-se um

aumento no número de lacunas na banda de valência em relação ao número de
elétrons na banda de condução. Assim, denominamos os elétrons portadores
minoritários, e as lacunas, portadores majoritários. Podemos dizer, então, que
temos um semicondutor do tipo R Exemplos de impurezas aceitadoras: alumínio,
boro, gálio.
Resistência de corpo
Resistência de corpo é a característica intrínseca do semicondutor
dopado. Um semicondutor levemente dopado tem resistência de corpo alta.
Aumentando-se a dopagem a resistência diminui.
Diodo não polarizado (junção PN)
Podemos observar a junção de dois semicondutores, um dopado ‘R’ e
outro dopado “N”, na figura 1.11. Próximo à região da junção ocorre o fenômeno
da recombinação, ou seja, elétrons da região “N” atravessam a junção,
preenchendo as lacunas próximas desta, originando um campo elétrico que
diminui esse efeito à medida que isso ocorre. Com isso, origina-se uma camada
nas proximidades da junção, que se comporta como uma barreira de potencial
entre as duas regiões, denominada zona ou camada de depleção, valendo
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Curso Técnico 7
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aproximadamente 0,7V para o silício e 0,3V para o germânio, à temperatura

ambiente.
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Curso Técnico 8
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DIODOS
Polarizações do diodo
Existem duas formas de se polarizar um diodo:
• Polarização direta;
• Polarização reversa.
Polarização direta
A partir do momento em que o valor da fonte supera a barreira de
potencial, a corrente se torna alta, tendo seu valor vinculado ao valor da fonte.
Polarização reversa
A camada de depleção se alarga à medida que aumenta a diferença de
potencial da fonte. Existe apenas uma pequena corrente de portadores
minoritários.
Corrente de saturação (Is) - Corrente de saturação é a corrente reversa

produzida por portadores minoritários. Esta tem seu valor dobrado para cada
1000 de aumento de temperatura.
Corrente de fuga superficial (IFs) - Origina-se devido a impurezas da

superfície criarem um caminho ôhmico para corrente.
Corrente reversa (IR) - Geralmente dada para uma determinada

tensão reversa (VR) e uma temperatura ambiente (Ta)•
I r = I FS + I s
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Curso Técnico 9
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Exemplo
O diodo 1N914 tem uma corrente reversa (IR) igual a 25nA, para uma
tensão reversa de 20V, a uma temperatura ambiente de 250ºc.
Tensão de ruptura (VR) - Nível de tensão reversa para a qual o diodo
conduz. Para retificadores, V R >50V.
Avalanche - Ocorre quando, na camada de depleção, um elétron
deslocado ganha velocidade, podendo desalojar um elétron de valência. O par de
elétrons deslocados continua ganhando velocidade, e quanto maior for a
polarização reversa, maior será a velocidade, desalojando mais elétrons de
valência. Devido ao elevado número de elétrons livres, o diodo conduzirá
intensamente e será danificado pelo excesso de potência dissipada.
Terminologias
A seguir temos algumas terminologias empregadas na determinação de
características elétricas de diodos, com seus respectivos significados.
VBR: Tensão de ruptura VRWM:Tensão reversa máxima de trabalho
PIV: Tensão de pico inversa PRV: Tensão reversa de pico
BV: Tensão de ruptura VRM: Tensão reversa máxima
Componentes lineares
Os componentes cujo gráfico tensão x corrente origina uma reta são
denominados componentes lineares. O gráfico 1 ilustra, com detalhes, o que foi
descrito.
Características dos diodos

Gráfico do diodo
Podemos distinguir duas regiões distintas no gráfico 2. No primeiro
quadrante, inicialmente não há corrente fluindo pelo diodo. Aumentando-se
gradativamente a polarização direta, atinge-se um ponto no qual o diodo inicia a
condução. Para diodos de silício, esta tensão de limiar é de aproximadamente
0,7V, denominada tensão de joelho. A partir daí, aumentos sucessivos na tensão
de polarização implicam grandes variações na corrente direta. No terceiro
quadrante, aumentando-se gradativamente a polarização reversa, obtém-se
apenas o fluxo de uma corrente inicialmente desprezível (corrente de fuga, da
ordem de nano ampères). Caso esta tensão atinja o valor de ruptura (dado pelo
fabricante - BV), o diodo conduzirá intensamente e será destruído por causa da
dissipação excessiva de potência.
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Curso Técnico 10
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Símbolo do diodo
A figura 2.3 ilustra o símbolo esquemático de um diodo retificador. O
lado N é chamado de cátodo e o lado P é o ânodo. A figura 2.4 ilustra o circuito
com diodo.
Resistência de carregamento
Abaixo de 0,7V predomina a resistência não-linear da camada de
depleção e, em função disso, o aumento da tensão de polarização não provoca
aumento na corrente. Acima de 0,7V, a única oposição à corrente é a resistência
linear das regiões P e N.
Especificação de potência e de corrente
As folhas de dados dos fabricantes de diodos trazem, entre outras,
informações dos limites máximos de dissipação de calor (potência) e de condução
de corrente, sendo que, uma vez desrespeitados tais limites, pode-se danificar
irreparavelmente os mesmos. A seguir apresentamos dois exemplos de
especificação de potência e corrente de diodos:
• Diodo 1N914, potência máxima igual a 250mW;
• Diodo 1N4002, corrente máxima igual a 1A.
Classes de diodos
Os diodos são classificados, de acordo com sua potência máxima, em
diodos de sinais, cuja potência é menor que meio Watt (1/2W), e retificadores,
cuja potência é maior que meio Watt (1/2W).
• Exemplos
• Diodo 1N914, pequeno sinal (0,25W).
• Diodo 1N4003, retificador (1W).
Resistor limitador de corrente (Rs)
Conforme visto anteriormente, elevando-se a tensão de polarização direta do
diodo acima da tensão de joelho ele conduz, e a única oposição à elevação desta
corrente é a resistência de corpo, ou seja, a resistência linear das regiões P e N.
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Curso Técnico 11
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Isso originaria um valor alto de corrente, que destruiria o diodo. A fim de evitar
que isto ocorra, e inserido um resistor (Rs) em série com o diodo, que tem como
função limitar a máxima corrente direta do mesmo.
Linhas de carga
Uma forma de determinar com exatidão os valores de tensão e corrente
do diodo é através da linha (reta) de carga. Dois pontos determinam a reta de
carga, sendo eles a saturação e o corte. Para a saturação consideramos o diodo
como uma chave fechada, isto é, com uma tensão direta (VD) igual a zero; e para
o corte, como uma chave aberta, ou seja, sem fluxo de corrente (1=0). A corrente
de trabalho (quiescente) é determinada levando-se em conta a queda de tensão
da barreira de potencial do diodo e a relação entre a fonte e o resistor limitador
(R5) (Fig. 2.5). A interseção entre a curva do diodo e a reta de carga determina o
ponto de trabalho do circuito ou ponto quiescente (ponto Q). As coordenadas
deste ponto são os valores de tensão de trabalho (V0) e corrente de trabalho (IQ).
(Gráf3).
Aproximações do diodo
Para análise de circuitos eletrônicos, devemos lembrar que respostas
matematicamente exatas não têm muito sentido, do ponto de vista prático, se
considerarmos que dispositivos tais como resistores, diodos etc.., possuem
tolerância de valores. É necessário, portanto conhecer tais variáveis, a fim de que
se possam aproximar ao máximo os valores teóricos dos práticos. A seguir
apresentaremos as aproximações, considerando diodos de silício.
Primeira aproximação - diodo ideal
Considera-se como diodo ideal, ou primeira aproximação, o fato do
mesmo agir como um condutor perfeito, isto é, queda de tensão zero quando
polarizado diretamente; e isolante perfeito, corrente zero, quando polarizado
reversamente.
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Curso Técnico 12
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Segunda aproximação
Para que o diodo comece a conduzir, é necessário que a tensão de
polarização ultrapasse o valor da barreira de potencial. Em se tratando de diodos
de silício, o limiar da condução situa-se próximo de 0,7V. A idéia é comparar o
diodo a uma chave ideal ligada em série com uma bateria de 0,7V, que se fecha
assim que a tensão de polarização direta ultrapassa este valor, e que se abre
toda vez que ela se torna menor que 0,7V ou reversa (negativa). A figura 2.7
ilustra com detalhes o que foi descrito.
Terceira aproximação
Como terceira aproximação do diodo, inclui-se ao circuito da segunda
aproximação uma resistência ligada em série com a bateria, que representa a
resistência linear das regiões P e N (resistência de corpo - RD).
A corrente direta, fluindo através desta resistência, origina uma queda
de tensão, que varia proporcionalmente ao aumento da corrente; isto é, quanto
maior a corrente, maior será a queda de tensão através de RD. A tensão total,
através do diodo (VF), é igual à soma da tensão de limiar (0,7V) com a queda de
tensão através da resistência de corpo ( R D )’ A figura 2.8 ilustra o que foi descrito.
V F = 0,7V + ( I F .R D )
Observação
Geralmente, utiliza-se a segunda aproximação para resolução de
circuitos envolvendo diodos.
Resistência de corrente contínua (CC) de um diodo
Na polarização direta, a resistência CC do diodo diminui à medida que
a corrente aumenta; e na polarização reversa o mesmo acontece, à medida que a
tensão de polarização reversa se aproxima do valor da ruptura.
Teste estático do diodo
Utilizando o ohmímetro, podemos detectar se um diodo encontra-se em
curto ou aberto. Isto é possível através da relação entre as medidas de resistência
direta e reversa do mesmo. Um diodo será considerado em bom estado, pelo
teste estático se a relação entre as medidas de resistência direta pela reversa for
igual ou maior que 1/1000.
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Curso Técnico 13
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Circuitos com Diodos
Limitador
Sua função é limitar sinais de tensão abaixo ou acima de um
determinado nível, variando assim a forma dos mesmos. Os imitadores podem ser
positivos, negativos e polarizados.
Limitador positivo
Também chamado ceifador, o circuito retira partes positivas do sinal.
No primeiro semiciclo do sinal de entrada (Ve), o diodo está polarizado
diretamente e conduz. Assim, a tensão de saída Vo) fica limitada ao valor de
condução do diodo (0,7V). Quando inverte o sinal de entrada, o diodo fica
polarizado reversamente, indo para o corte (chave aberta). Assim teremos,
idealmente, todo o sinal de entrada sobre a carga (na saída, V0). Fazendo uma
relação entre a carga (RL) e o resistor imitador (R) maior ou igual a 100, obtém-se
sobre a carga praticamente todo o sinal de entrada.
Limitador negativo
Invertendo-se a polaridade do diodo, obtém-se um imitador negativo.
Limitador polarizado
Consiste em ligar em série um gerador CC com o diodo, a fim de
conseguir ceifar o sinal em V + 0,7V para limitadores positivos e -v - 0,7V para
limitadores negativos, conforme as figuras 3.3 e 3.4.
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Curso Técnico 14
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Associação de Iimitadores
Podemos, em algumas situações, necessitar de limitação do sinal de
entrada em ambos os semiciclos, ou seja, positivo e negativo. Para tal, utilizamos
os circuitos limitadores associados, de forma que possamos obter o efeito
desejado, de acordo com a figura 3.5.
Grampeador de CC
Sua função é somar uma tensão contínua ao sinal de entrada.
Grampeador positivo
No primeiro semiciclo negativo da tensão de entrada, o diodo está
polarizado diretamente e conduz, levando o capacitor a carregar até
aproximadamente V P
Pouco depois do pico negativo, o diodo corta. Fazendo a constante

RLC muito maior que o período (T) do sinal de entrada, o capacitor permanece
carregado completamente durante todo o tempo em que o diodo estiver cortado.
Invertendo-se a polaridade do diodo, obtém-se um grampeador

negativo.
Detetor de pico a pico
Consiste em associar em cascata um grampeador de CC e um
retificador de pico (D2). Devemos fazer a constante RLC muito maior que o
período do sinal de entrada, a fim de obtermos uma tensão contínua de
aproximadamente 2V P e uma ondulação de saída pequena.
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Curso Técnico 15
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Outros tipos de Diodos
Diodo emissor de luz (LED)

o LED difere dos diodos comuns pelo fato de que, quando polarizado
diretamente, irradia energia em forma de luz, enquanto nos diodos comuns ela é
irradiada em forma de calor.
Consiste em um cristal com junção PN. Quando ocorre polarização
direta, movem-se os elétrons da região N em direção às lacunas da região P.
Desta maneira há uma recombinação (elétrons livres + lacunas), ocasionando
liberação de energia, a qual se propaga em forma de luz. A figura 4.1 ilustra o
funcionamento do LED.
Vantagens - Baixo consumo de potência, vida longa e chaveamento rápido

(liga/desliga).
Detalhes construtivos - São utilizados elementos tais como gálio, arsênio e o
fósforo, podendo irradiar-se no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou
infravermelho. A figura 4.2 ilustra a forma física de um LED.
Tensão e corrente no LED - A tensão do LED (V LED ) varia de aproximadamente

1,35 a 3V, e a corrente ( I LED ) máxima 1 3OmA, sendo considerados como
valores usuais V LED = 2V e I LED = 20mA
Símbolo do LED
A figura 4.3 ilustra o símbolo esquemático do LED
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Curso Técnico 16
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Orientação para projeto - Utilizar fonte ( V S ) e resistor ( R S ) altos para obter brilho
aproximadamente constante com LED’s.
• Exemplo
Para o TIL 222 (verde)
V LED = 1,8a3V
I LED = 25mA
Utilizando uma fonte ( V S ) igual a 20V e um resistor ( R S ) de 750W, I LED igual
V − V LED 20V − 2V
a: I LED = S = = 24mA
RS 750 R
Indicador de sete segmentos
Consiste de um arranjo com sete LED’s, cada um constituindo um
segmento de base numérica, cujo formato se assemelha ao número oito. Tal
arranjo tem um terminal comum, podendo ser tanto o cátodo quanto o ânodo. O
indicador apresentado na figura 4.5 é de ânodo comum, podendo ser também de
cátodo comum.
Fotodiodo
O fotodiodo é um dispositivo semicondutor que converte intensidade
luminosa em quantidade elétrica. Sua operação está limitada à região reversa. A
figura 4.6 mostra um arranjo básico de sua construção.
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Curso Técnico 17
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Símbolo do fotodiodo
Circuito
À medida que a luz se torna mais brilhante, a corrente reversa
aumenta, diminuindo a queda de tensão no diodo e aumentando a queda no
resistor imitador de corrente Rs.
Optoacoplador com fotodiodo

O optoacoplador associa um LED e um fotodiodo em um só invólucro.
Este dispositivo é muito utilizado para interfaceamento de circuitos eletrônicos
com isolação, pois a conexão é através da luz.
Diodo Schottky
Para melhor compreendermos o funcionamento do diodo Schottky,
devemos esclarecer dois pontos de fundamental importância, que são o
armazenamento de cargas e o tempo de recuperação reversa.
Armazenamento de cargas
Denomina-se armazenamento de cargas o efeito causado pelo fato de
elétrons livres e lacunas perdurarem, por um breve espaço de tempo, em
diferentes bandas de energia próximas da junção, em um diodo diretamente
polarizado. Quanto maior a corrente direta, maior o armazenamento de cargas.
Tempo de recuperação reversa ( t RR )
O tempo de recuperação reversa (tRR) é o tempo que a corrente
reversa, originada pelo armazenamento de cargas, leva para desligar um diodo
diretamente polarizado. Tal efeito é mais acentuado em altas freqüências (MHz).
Efeito na retificação - O efeito causado pelo tempo de recuperação reversa em
circuitos retificadores de alta freqüência é ilustrado na figura 4.10, onde podemos
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Curso Técnico 18
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ver claramente que, no momento em que a tensão do sinal que está sendo
retificado se torna negativa, polarizando reversamente o diodo, não acontece o
corte do mesmo, ou seja, ele continua conduzindo durante um pequeno espaço
de tempo ( t RR ). O diodo Schottky é a solução para esse problema.
Características físicas
Sabe-se que os metais não têm lacunas e os elétrons livres do lado N
ocupam órbitas menores. Quando o Schottky é polarizado diretamente, estes
ganham energia suficiente para ocupar órbitas maiores, atravessando a junção e
penetrando no metal, produzindo uma grande corrente direta. Como não há
lacunas nos metais, não há armazenamento de cargas nem tempo de
recuperação reversa ( t RR ).
Símbolo do diodo Schottky
Queda de tensão típica = 0,25V
Aplicação: Fontes de alimentação de baixa tensão; circuitos de alta

freqüência.
Circuito retificador com Schottky
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Curso Técnico 19
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Varistores (VDR)
Também chamados supressores de transitório, têm por função filtrar a
linha de alimentação, eliminando os problemas causados pelos transitórios
(descargas, falha na linha de alimentação, chaveamento de carga reativa etc...).
São fabricados para diversos valores de tensão de ruptura e corrente de pico.
Varistores são resistências dependentes da tensão com uma curva
característica V x I simétrica, conforme o gráfico 7.
No exemplo dado, a especificação SIOV - S10K 150, fornecida pelo manual

da lcotron, significa:
• SIOV - varistor de óxido metálico
• S1OK - diâmetro nominal do disco (lOmm);
• 150-tensão eficaz nominal 150 Vef ou aproximadamente 2l2 Vmáx
Símbolos dos Varistores
LDR - Light Dependent Resistor (resistor

dependente de luz)
Constituído de material semicondutor,
caracteriza-se por possuir resistência que varia em
função da incidência de luz.
No escuro, a resistência do LDR é alta,
e, à medida que aumenta a incidência de luz, esta
resistência sofre reduções que não são lineares,
conforme o gráfico 8.
Os LDR’s podem ser do tipo sulfeto de cádmio, cuja curva espectral
abrange parte das radiações visíveis, ou sulfeto de chumbo, cuja curva espectral
está fora do alcance da visão humana (infravermelho).
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Curso Técnico 20
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Símbolos dos LDR
Aplicações
Utilizados principalmente em dispositivos sensores, como contagem de
objetos, controle automático de brilho, detecção de dispositivos pela cor, em
fotômetros para otimização de processos fotográficos etc.
Termistores
Os termistores são componentes semicondutores cuja resistência varia
com a temperatura. São utilizados como transdutores de temperatura em sinal
elétrico. Dependendo da forma como a resistência se altera em função da
temperatura, os termistores se classificam em PTC (Positive Temperature
Coeficient) e NTC (Negative Temperature Coeficient). Assim, temos que o PTC
aumenta sua resistência quando a temperatura aumenta, e o NTC diminui sua
resistência quando a temperatura aumenta. A seguir, são ilustradas as curvas
características de resistência versus temperatura de cada um deles. (Gráf. 9)
Símbolos dos termistores
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Curso Técnico 21
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Circuitos retificadores
Os retificadores são circuitos cuja função é converter uma tensão

alternada em contínua, visto que a maioria dos dispositivos eletrônicos precisam
de tensão contínua para seu funcionamento adequado. Os retificadores podem
ser de meia onda ou de onda completa.
Retificador de meia onda (RMO)
Funcionamento
Durante o semiciclo positivo, na entrada, o diodo está polarizado
diretamente e conduz. Então, o semiciclo positivo aparece na saída. Durante o
semiciclo negativo, na entrada, o diodo está polarizado reversamente e não
conduz. Assim, o semiciclo negativo não aparece na saída, ficando sobre o diodo.
Forma de onda de tensão na saída (V0)
O valor médio da tensão de saída ( VCC ) vale aproximadamente 31,8%

VP
do valor de pico ou máximo ( V P ), dado por = 0,381V P ou seja,
P
aproximadamente 45% da tensão eficaz de entrada (0,45Vef ).
V med = Vcc = 0,45Vef
A equação mais aproximada do valor da tensão contínua de saída e:
Vmed = Vcc =
(VP − VF)
π
Devido ao fato da tensão contínua na saída ser pulsante, isto é, ainda
conter variações da componente alternada de entrada, é possível determinar o
valor da tensão eficaz na saída (Vac). Este valor, nos retificadores de meia onda,
corresponde à metade do valor de pico ou máximo (Vp), expresso
matematicamente por:
Vp
V ac =
2
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Curso Técnico 22
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A intensidade da corrente média no diodo ( I med ) é igual à corrente de

V
carga ( I L ) e vale: I méd = I L = CC
RL
A freqüência de saída do circuito (f0) é igual à freqüência de entrada
(fe), visto que os períodos das formas de onda de tensão de entrada ( Vent ) e
tensão de saída (V0) são iguais.
FO = FE
O diodo deve ser especificado, respeitando-se o valor de corrente
direta ( I F ) e tensão reversa ( V R ).
I F = I méd = I L
V R = PIV = Vmáx
Observação: PIV significa tensão de pico inversa.
Formas de onda de tensão de entrada (Ve) saída (Vo) e sobre o diodo (VD)
Fator de ripple ( η )
Fator de ripple é a relação, na saída de um retificador, entre a tensão
alternada e a tensão contínua, dada em percentual.
V
η = AC .100%
Vcc
Transformador
O transformador, dispositivo sem partes necessariamente em
movimento, utilizado para abaixar ou elevar a tensão alternada da rede elétrica. É
constituído basicamente por dois enrolamentos, sendo um primário e o outro
secundário.
Relação de transformação ( Rt ou n ) - E a relação entre a tensão no
primário (Vp ou V1) e no secundário (Vs ou V2) ou entre o número de espiras do
primário (Np) e o número de espiras de secundário (Ns), expresso por:
VP N P
=
VS N S
Princípio de funcionamento - Baseia-se na indução mútua, ou seja, uma
corrente variável ao circular pelo enrolamento primário produz um campo
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Curso Técnico 23
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magnético variável.
As linhas de forças deste campo magnético variável cortam o
enrolamento secundário, induzindo no mesmo uma tensão. Quando
NS<Np,Vs<Vp e quando Ns>Np, Vs>Vp. O transformador não funciona com CC
pura. Normalmente, utiliza-se uma derivação central (center-tape) no enrolamento
secundário, a fim de se conseguir duas tensões iguais e opostas (simétricas). O
enrolamento primário também pode ser constituído de forma que possa
proporcionar uma ligação bivolt, isto é 110/220V.
As tensões V ac e Vbc estão defasadas de 180° entre si.

As correntes elétricas no transformador - A relação entre a corrente do
primário (Ip) e a do secundário (Is) é igual à relação entre o número de espiras do
enrolamento secundário (Ns) e do enrolamento primário (Np), expresso por:
IS NP
=
IP NS
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA (convencional ROC)
A tensão (Vcc) na carga é igual a:

2 (V P − V F)
Vcc = Vo = Vméd =
π
A tensão eficaz (vac) na saída é igual a:
V
V ac = máx
2
Funcionamento
Sempre teremos um diodo conduzindo e outro cortado. Quando A for
positivo, B é negativo e teremos D1 conduzindo e D2 cortado. Quando A for
negativo, B é positivo e teremos D1 cortado e D2 conduzindo. Considerando a
freqüência de entrada igual a 60Hz, teremos cada diodo conduzindo 60 vezes por
segundo, e na saída, portanto, 120 pulsos por segundo. Conclui-se assim que a
freqüência na saída dobra, ou seja, é igual a 120Hz.
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Curso Técnico 24
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A corrente média na carga (IL) vale:

V
I L = cc
RL
A corrente média em cada diodo (Id) vale:
I
I D! = I D 2 = L
2
A freqüência de saída (f0), conforme visto anteriormente, é igual ao
dobro da freqüência de entrada (fe)
O PIV nos diodos é igual ao dobro da tensão máxima de cada
enrolamento secundário, ou seja, 2 2Vac ou PIV = V ab 2
Fator de ripple ( η ):
V
η = AC .100%
Vcc
Assim sendo, o rendimento é da ordem de: η = 48%
Formas de onda de corrente nos diodos ( I d 1 e I d 2 ),corrente na carga ( I L ),
tensão na carga ( Vo ) e tensão nos diodos ( V d 1 e V d 2 )
Observação
O valor da tensão máxima na saída é igual ao valor máximo de cada
enrolamento , desprezando-se a queda de tensão no diodo em condução.
V
V ac = máx
2
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Curso Técnico 25
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Retificador de onda completa em ponte(RCOP)
A tensão Vcc na carga è igual a:

2 ( V P − 2V F )
Vcc = Vo = Vméd =
π
Funcionamento
O princípio de funcionamento è idêntico ao de onda completa
convencional. Diferi apenas no fato de ter dois diodos conduzindo e dois cortados
por vez.
Filtros em fontes de alimentação
A tensão na saída dos retificadores apresenta uma ondulação
(variação) muito grande, o que a torna inadequada para alimentação de circuitos
eletrônicos. O filtro tem a função de tornar a forma de onda da saída (tensão de
saída) próxima de uma corrente contínua pura. Podemos dizer que o filtro reduz a
ondulação na saída.
O filtro mais utilizado é constituído de um capacitor (C) de alta

capacitância ligado em paralelo com a carga (RL).
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Curso Técnico 26
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Retificador de meia onda com filtro
Funcionamento
Quando a tensão de entrada é positiva, o diodo conduz e o capacitor se
carrega com o valor da tensão máxima ( V máx ). Ao inverter a polaridade da entrada
o diodo está cortado e o capacitor se descarrega lentamente sobre a carga. O
capacitor será recarregado com uma freqüência igual à da rede de entrada. O
ângulo de condução de diodo diminui e é representado, no gráfico 14, pela área
hachurada. A tensão de saída não volta mais a zero.
Vond
Vmáx = Vcc +
2
V
Vcc = Vmáx − ond
2
Cálculo da tensão de ondulação (Vond)
I V
Vond = sendo que Vcc = Vmáx − ond
f .c 2
Vmáx
Vcc =
1
1+
2 RL. f .c
Cálculo de Vcc em função de Icc(quando RL não è dado)
I I cc
V cc = v máx − cc e C=
2 f .c 2 f (v máx − v cc )
Pode-se tomar como regra prática o dimensionamento do capacitor de

filtro na proporção de 1uF/mA.
A tensão de pico reversa sobre o diodo é igual ao dobro da tensão
máxima, ou: PIV=2vmáx
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Curso Técnico 27
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Retificador de onda completa com filtro a capacitor.
Vond
V cc = V máx −
2
Pelo gráfico 15 podemos verificar que a freqüência de saída do filtro é
igual ao dobro da freqüência da rede de entrada, visto que cada diodo conduz um
semiciclo.
O capacitor será recarregado o dobro de vezes em relação ao circuito
de meia onda. Com isso, conclui-se que a tensão de ondulação (Vond) diminui.
Se retirarmos a carga (RL) obteremos, na saída, um sinal contínuo no
valor de Vmáx, conforme o gráfico 16.
Retificador em ponte com filtro a capacitor
Considerações finais - Em se tratando de sinais de entrada pequenos,

considera-se a queda de tensão no diodo (0,7V) para RMO e ROC convencional e
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Curso Técnico 28
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1,4V para ROC em ponte na determinação da tensão máxima de saída, ou seja:

V o ( máx) = Ve ( máx) − 0,7 ou V o ( máx ) = Ve ( máx ) − 1,4
Como regra prática adota-se - Desprezar a queda de tensão no diodo para
RMO e ROC convencional quando o sinal de entrada for maior ou igual a 10V.
Desprezar a queda de tensão nos diodos para ROC em ponte quando
o sinal de entrada for maior ou igual a 20V.
Corrente de surto (‘a)
Considerando um retificador com filtro capacitivo de entrada, temos
uma condição crítica no momento em que o circuito é ligado. O capacitor está
inicialmente descarregado, daí a saída do retificador ser colocada
temporariamente em curto, visto que a alta corrente de carga inicial do capacitor
flui através do retificador e do secundário do transformador. Sabendo-se que as
únicas resistências que limitam esta corrente são as resistências de corpo do(s)
diodo(s) e do secundário do transformador, podemos obtê-la por:
Vp
Is =
(n.rb ) + Rsec
Onde:
Is -corrente de surto, em ampère n - n2 de diodos em condução

N – n° de diodos em condução
rb - resistência de corpo do diodo
Rsec - resistência do secundário do transformador
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Curso Técnico 29
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O diodo zener
O diodo zener é otimizado para trabalhar na região de ruptura. Ao

contrário dos diodos retificadores, os diodos zener trabalham melhor na região de
ruptura. O diodo zener tem um nível de dopagem superior ao do diodo retificador.
Variando o nível de dopagem, o fabricante pode produzir diodos com tensões de
ruptura de 2 até 200V. Quando polarizado diretamente, o diodo zener se
comporta como um diodo retificador, conduzindo a aproximadamente 0,7V. Na
região de polarização reversa (entre o zero e a ruptura) ele apresenta apenas
uma pequena fuga ou corrente reversa. Quando o polarizamos reversamente e é
atingida a ruptura, o diodo zener conduz, mantendo a tensão reversa entre seus
terminais praticamente constante (Vz), com valores que podem variar de acordo
com especificações do fabricante, O diodo zener é a parte importante dos
reguladores de tensão, circuitos que mantêm a tensão na carga praticamente
constante mesmo que ocorram variações da linha ou da resistência de carga.
Símbolo do diodo zener
Curva característica I x V
Especificações
Vz- tensão zener

Izt - corrente zener de teste
Izm - corrente zener máxima especificada
Pzm - potência especificada
A potência dissipada num diodo zener é igual ao produto da sua tensão

pela corrente. Ou seja:
Pz = Vz x Iz
Um diodo zener de 10V, com potência especificada de 500mW, tem
uma corrente máxima especificada de:
500mW
I ZM = 50mA
10V
No exemplo dado, o diodo zener funcionará sem se danificar se a
corrente que fluir por ele não ultrapassar o valor de 50mA.
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Curso Técnico 30
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Resistência zener
Quando um diodo zener trabalha na região de ruptura, se variamos a
corrente zener notamos uma ligeira variação na tensão zener (Vz). Isto indica que
o diodo zener tem uma pequena resistência de corpo. Os fabricantes especificam
a resistência zener para a mesma corrente de teste utilizada para medir Vz. A
resistência zener para esta corrente de teste é simbolizada por RzT (ou Zzt).
Regulação de tensão
O diodo zener é, as vezes, chamado de diodo regulador de tensão
porque mantém uma tensão de saída praticamente constante. Em funcionamento
normal, o diodo zener deve ser polarizado reversamente, e, para produzir a
ruptura, a tensão da fonte deve ser maior que a tensão zener Vz. Ao ligarmos o
diodo zener, sempre utilizamos um resistor conectado em série com a fonte a fim
de limitar a corrente máxima a um nível dentro da especificação do fabricante,
pois, se a potência dissipada no componente for superior à especificada, o diodo
provavelmente se danificará. A figura 7.2 mostra a forma de ligar o diodo zener
para trabalhar como regulador de tensão.
No circuito da figura 7.2, se fizermos Vz = 10V, Vs= 20V e Rs=1kohm,
podemos determinar o ponto de interseção vertical (ponto de saturação) fazendo
Vz igual a zero, e calculando o valor de Iz obteremos 2OmA. Da mesma maneira
podemos obter o ponto de interseção horizontal (ruptura) fazendo Iz igual a zero
(diodo zener aberto) e determinando o valor de Vz, que será de 20V. Para uma
fonte Vs = 30V, os valores de Iz e Vz serão respectivamente 30mA e 30V. A
seguir, veremos duas retas de carga cujos extremos foram obtidos acima.
Podemos observar, no gráfico 19, que tivemos dois pontos de interseção na curva
do diodo (Q1 e Q2) para Vz = 20V e Vs = 30V. Comparando os pontos Q1 e Q2
notamos que a corrente sobre o diodo zener variou em 10mA, porém a tensão Vz
manteve-se praticamente inalterada (10V). Esta é a idéia básica de regulação de
tensão. A tensão de saída manteve-se praticamente inalterada, mesmo que a
tensão de entrada sofresse variações.
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Curso Técnico 31
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O diodo zener ideal

Para algumas análises de defeito podemos considerar a região de
ruptura como um valor constante de tensão, mesmo que a corrente varie, o que
equivale a desconsiderar a resistência zener. Um diodo zener na região de
ruptura se comporta como uma bateria. Para análises podemos substituir o diodo
zener por fonte de tensão Vz. A figura 7.3 mostra a aproximação ideal para um
diodo zener.
Em uma segunda aproximação, considerando agora a resistência

zener, devemos analisar o diodo zener como uma fonte de tensão Vz em série
com uma resistência Rz. A figura 7.4 mostra-nos o diodo zener em uma segunda
aproximação.
A resistência zener é relativamente pequena e provoca uma queda de

tensão maior a cada aumento da tensão Vs. Isto quer dizer que, se a tensão Vs
variar, a corrente Iz irá variar também, fazendo com que a tensão zener Vz varie
ligeiramente. Este fato pode ser descrito em uma equação, que veremos a seguir.
O regulador zener
A figura 7.5 mostra o diodo zener utilizado para regular a tensão na
resistência de carga. Neste caso teremos duas malhas, sendo que a corrente Irs
será igual à soma da corrente no zener com a corrente na carga.
A corrente Iz jamais deve ultrapassar o valor de Izmáx determinado a

partir da
potência máxima especificada pelo fabricante. Para que o diodo zener
mantenha constante a tensão entre seus terminais, é necessário que haja uma
corrente mínima que garanta a ruptura. Esta corrente mínima é determinada com
10% de Izmáx.
Para verificarmos se teremos tensão suficiente para colocar o zener em
ruptura, devemos tirar o zener do circuito e calcular o divisor de tensão formado
entre Rs e a carga RL, como na figura 7.6.
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Curso Técnico 32
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O valor da tensão VRL deverá se maior que a tensão Vz, pois, caso
contrário, o zener não entrará em condução, não havendo assim regulação de
tensão.
Ondulação no resistor de carga
Um regulador, normalmente, é alimentado por um retificador com um

filtro capacitivo. A tensão de carga é mantida praticamente constante, apesar da
ondulação do retificador. O regulador zener reduz consideravelmente a
ondulação, mas não totalmente. Determinaremos agora o valor de ondulação
residual no regulador, considerando a segunda aproximação para o diodo zener.
Vimos, anteriormente, que a variação na tensão zener é determinada

pelo produto da variação da corrente zener pela resistência zener.
∆V Z = ∆I Z .R Z
Da mesma forma, poderemos determinar a variação da tensão na fonte

Vs como sendo o produto da corrente pelo valor do resistor Rs.
∆V S = ∆I S .R S
Considerando a relação entre as variações de entrada e de saída,
teremos:
∆V Z ∆I Z .R Z
=
∆V S ∆I S .R S
Para uma resistência de carga constante, a variação na corrente zener
é igual à variação na corrente da fonte.
Com a primeira condição satisfeita, garantimos que o regulador zener
tenha variações menores que a variação da fonte(pelo menos de100 vezes). No
caso da segunda condição, o regulador zener comporta-se como fonte de tensão
estabilizada.
Coeficiente de temperatura
Da mesma forma que em todos os dispositivos semicondutores,
variações térmicas no ambiente causam variações na tensão zener. O efeito da
temperatura é apresentado nos manuais de fabricante como coeficiente de
temperatura. É importante saber que, para diodos zener com tensões de ruptura
menores que 5V, o coeficiente de temperatura é negativo. Para os diodos zener
com tensões de ruptura maiores que 6V,o coeficiente de temperatura é positivo.
Portanto, os diodos Zener com tensões de ruptura entre 5 e 6V têm seu
coeficiente de temperatura variando do negativo para o positivo, permitindo-nos
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Curso Técnico 33
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determinar um ponto no qual o diodo zener tenha um coeficiente de temperatura

nulo.
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Curso Técnico 34
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Transistor bipolar de junção (TBJ)
Após o estudo do diodo de junção, que é o componente essencial de

dois terminais, vamos agora começar a abordar dispositivos semicondutores de
três terminais. Eles são muito mais utilizados e de funções mais complexas, que
vão desde amplificação de sinais até a lógica digital. O nome transistor bipolar
reflete o fato de o fluxo de corrente nestes elementos ser bidirecional, ou seja,
uma parte é formada por elétrons e outra por lacunas.
Outro fato curioso está no nome: o prefixo TRANS vem da palavra
inglesa TRANSFER e o sufixo ISTOR de RESISTOR. Combinando ambas, temos
algo semelhante a resistor de transferência. A medida que nos aprofundarmos no
estudo do dispositivo mostraremos esta característica fundamental.
Enfim, o transistor de junção (que fora desenvolvido no início da
década de 50) revolucionou a tecnologia até alcançar o estágio atual. Para se ter
uma idéia do significado da invenção do transistor, historiadores da ciência
referem-se à nossa época como a Era do Transistor!
Estrutura física
A figura 8.1, a seguir, mostra duas estruturas cristalinas: uma NPN e
outra PNP. Visualmente percebem-se três regiões: emissor, base e coletor. O
emissor é dopado fortemente, pois dele partem os elétrons para a outra região, a
base. Na base, que é fina e fracamente dopada, a maioria dos elétrons injetados
pelo emissor passa para o coletor. O coletor é a maior das três regiões, pois nele
é gerada uma quantidade de calor maior, e é assim designado pelo fato dos
elétrons da base convergirem para lá (diz-se que o coletor junta os elétrons da
base). O nível de dopagem do coletor é intermediário, está entre o da base e o do
emissor.
Modo de acomodação de cargas

Vimos, no estudo do diodo semicondutor, o que ocorre quando unimos
um material tipo P com outro tipo N. Quando a junção é feita, a repulsão interna
entre os elétrons livres no material N provoca a difusão desses através da junção,
originando o fenômeno da recombinação no lado P. Dessa maneira são formadas
duas camadas de depleção, uma em cada diodo. Veja que a camada situada no
diodo emissor é mais estreita que a do diodo coletor. O nível de dopagem é o
responsável direto destas dimensões, pois quanto mais portadores majoritários
uma região possuir (o emissor é densamente dopado), maior será a quantidade
de íons formados em uma região fronteiriça de menor dimensão. Isso justifica as
dimensões mostradas, mas os desenhos não são via de regra e, sim, uma
representação esquemática.
Faremos a abordagem dos transistores de silício pelos mesmos
motivos que nos levaram a fazer tal escolha para o diodo, objeto de nossos
estudos anteriores. Tais motivos eram as especificações de tensão/corrente mais
altas e a menor sensibilidade à temperatura. Lembre-se, também, que a 250C a
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Curso Técnico 35
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barreira de potencial era aproximadamente 0,7V. Na figura 8.2 temos a ilustração

da estrutura cristalina NPN com as regiões sombreadas. Estudaremos a estrutura
PNP mais adiante.
Modos de operação - polarização

Observe, nas figuras anteriores, que existem duas junções nas
estruturas cristalinas: uma entre base-coletor e outra entre base-emissor. O diodo
situado entre base-emissor é denominado diodo emissor e o outro, entre base-
coletor, diodo coletor. Como são dois diodos, temos quatro hipóteses para
polarização simultânea de todos eles. Veja o quadro a seguir:
Denominação do modo de Diodo Diodo

polarização emissor coletor
Corte Reverso Reverso
Não se aplica Reverso Direto
Ativo Direto Reverso
Saturação Direto direto
Os modos de corte e saturação são aqueles em que o transistor é

usado para operar como chave eletrônica em circuitos lógicos (por exemplo, em
computadores). No modo ativo, o transistor opera como fonte de corrente e é
capaz de amplificar sinais. Vejamos, adiante, a descrição da operação em cada
um dos modos.
Modo ativo do transistor NPN - polarização direta-reversa - Esta situação está
ilustrada na figura 8.3. Duas fontes de tensão externas são usadas para
estabelecer as condições de operação. A tensão VBE faz com que a base tipo P
esteja em um potencial mais alto do que o emissor tipo N; portanto, se a d.d.p.
entre as duas regiões for aproximadamente 0,7V, este diodo está diretamente
polarizado. A tensão na junção base-coletor VCB faz com que o coletor tipo n
esteja em um potencial mais alto do que a base tipo P; portanto, este diodo está
reversamente polarizado.
O fluxo de corrente no TBJ NPN na polarização direta - reversa - Na

descrição que faremos do fluxo de corrente, no circuito da figura 8.3, serão
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Curso Técnico 36
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considerados os componentes da corrente de difusão. A corrente de deriva,

devido aos portadores minoritários gerados termicamente, é muito pequena e
pode ser desprezada.
Se a fonte VBB for suficiente para garantir 0,7V em VBE, os elétrons
livres do emissor invadem a base em grande quantidade, devido à repulsão
causada pelo pólo negativo de VBB. Na região da base tipo P, poucos elétrons
provenientes do emissor recombinam-se com as lacunas (a base é fracamente
dopada!) e os que encontram lacuna são solvidos pelo positivo de VBB, descendo
pelo terminal da base. Contudo, a maior parte dos elétrons livres não encontra
lacuna para se recombinar e passa através da larga camada de depleção do
coletor. Ao vencer a barreira de íons negativos dentro da região-base, mas na
fronteira do coletor, os elétrons sofrem grande repulsão e entram, definitivamente,
na região do coletor, sendo atraídos para fora do transistor pelo potencial positivo
de Vcc.
A base fina e fracamente dopada, essencialmente, determina a
quantidade de elétrons que formam a corrente de coletor. Observe que a corrente
do coletor é a maior parcela da corrente de emissor, visto que, pela base, a
recombinação é propositadamente pequena. A pequena corrente que escoa pelo
terminal da base, freqüentemente, é denominada corrente de recombinação,
sendo constituída pelos elétrons que encontraram lacuna nessa região. Por isso,
alguns autores de livros textos dizem que “a espessura da base dá a quase todos
os elétrons livres injetados pelo emissor vida média para se difundirem através da
região do coletor”.
Aqui, cabe frisar alguns aspectos do funcionamento do transistor. Para
vencer a camada de depleção do coletor, grande parte da energia dos elétrons é
dissipada em forma de calor, e o transistor deve ser capaz de trocá-la com o meio
ambiente o mais depressa possível. A primeira tentativa é dos fabricantes, que
fazem a região do coletor a maior de todas (quanto maior a área de um corpo,
mais calor ele troca com o meio circundante). Outra solução é o uso externo de
irradiadores para aumentar a transferência de calor, normalmente feito pelo
usuário.
Acompanhe passo a passo, na figura 8.4, a seqüência descrita através
das ilustrações:
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Curso Técnico 37
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Relação entre as correntes Ib, Ic e Ie - Você já tem conhecimento sobre

a ordem de grandeza entre as correntes que circulam no transístor polarizado
direta e reversamente. Esta relação depende do nível de dopagem entre as
regiões constituintes do transístor. Como foi mencionado, a base, o coletor e o
emissor são fraca, média e intensamente dopados, respectivamente. Na prática,
os transístores modernos de baixa potência têm corrente de coletor, que são
cerca de 99% da corrente de emissor. Portanto, resta à base 1 %.
Dados estes percentuais, é razoável admitir e relacioná-las por meio de
números adimensionais denominados α e β. A relação α mede quão próxima a
corrente de coletor Ic está de Ie ou seja, é o quociente entre elas. β é a razão
entre Ic e Ib, e basicamente nos permite dizer o quanto os portadores majoritários
do emissor (os elétrons) fluem pelo coletor e qual a taxa que se recombina na
I I
base. Matematicamente, temos: α = C e β = C
IE IB
Observação
É freqüente o uso de H FE
(índices maiúsculos) para representar o β
envolvendo Ic e Ib contínuos. Muitos se referem a ele como βcc. O βcc é
representado por h fe (índices minúsculos).
• Exemplo
Um transístor tem as seguintes correntes: Ie = 40,8mA, Ic= 4OmA Ib =
0,8mA. Assim, podemos calcular α e β usando as relações anteriores:
I I
α = C =0,98 β = C =50
IE IB
As bandas de energia no TBJ NPN
De maneira semelhante ao diodo, podemos analisar o funcionamento
do transistor bipolar usando diagramas de energia. Lembrando que usamos
apenas as bandas de valência e de condução - pois do ponto de vista da
eletrônica é onde ocorre a circulação de corrente - verificamos que existem duas
regiões de transição entre as bandas, uma devido ao diodo emissor e outra ao
diodo coletor. Observe-as:
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Curso Técnico 38
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Foram colocadas as polaridades das fontes VBB e Vcc no lado

esquerdo, direito e no meio da região da base. O negativo do lado esquerdo
refere-se às duas fontes, o positivo na base à fonte VBB e o símbolo de mais
positivo (++) à fonte Vcc. O negativo repele os elétrons livres na região do
emissor (se VBB> 0,7V) e esses atravessam a primeira camada de depleção; no
esquema é o primeiro desnível emissor-base. O diagrama mostra que a região da
base está a um nível de energia maior que o emissor; por isso os elétrons devem
receber, no mínimo, esse desnível para mudar de região. Na base, os elétrons
são portadores minoritários (a base é P), porém em maior quantidade. Alguns
elétrons interceptam as poucas órbitas vazias (lacunas) e se recombinam, sendo
atraídos pelo potencial positivo da base. A grande maioria segue o percurso da
região do coletor descendo pelo segundo desnível (base-coletor), que no
esquema é o mais acentuado, atraídos pelo potencial mais positivo de Vcc. A
razão do desnível mais acentuado é a maior dissipação de potência na região do
coletor (diodo reversamente polarizado), isso correspondendo claramente a uma
queda no nível de energia (observe que o emissor tem mais energia que o
coletor).
Em suma, a análise acima é similar à feita utilizando-se as estruturas
cristalinas. No entanto, pelo diagrama de energia podemos discriminar onde os
processos ocorrem, enquanto para a estrutura cristalina não há esse nível de
compreensão.
Símbolos dos transistores NPN e PNP
Apesar de estarmos estudando a estrutura transistora tipo NPN,
apresentamos a seguir os símbolos de ambos os tipos.
Preste bastante atenção às setas nos transistores. Elas representam a

região do emissor e indicam o sentido convencional da corrente. Até agora temos
trabalhado com o sentido real, corrente entrando pelo emissor e saindo pela base
e pelo coletor. Mas, como de costume, usamos o sentido convencional e, para o
TBJ NPN, elas entram pela base ( I B )e pelo coletor ( I C ), saindo pelo emissor ( I E )
Observe o símbolo do transistor PNP: ele está de cabeça para baixo. É
de praxe desenhá-lo assim e o motivo será explicado futuramente.
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Curso Técnico 39
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Conexões do transistor bipolar

Nossa avaliação do funcionamento do transistor tem sido realizada sob
o circuito montado com a estrutura cristalina NPN. Existem configurações típicas
elaboradas com o TBJ e é essencial aprender a reconhecê-las apenas com um
olhar lançado sobre um circuito transistorizado. São três as configurações com
terminal em comum: base, emissor e coletor. Observe-as:
Observação
Se você retornar à ilustração da estrutura cristalina NPN em
funcionamento, verá que se trata de uma configuração em base comum, pois este
terminal é comum a VBB e Vcc.
Análise na configuração Emissor-Comum (EC)

Entre as três configurações do TBJ, a mais utilizada, na prática, é a em
emissor comum, requerendo assim uma análise mais cuidadosa. Faremos o
emprego da estrutura cristalina do TBJ NPN pela última vez, pois daqui para
frente sempre empregaremos o símbolo em nossas análises.
Para analisar a ligação EC, primeiramente colocamos o transistor na
vertical, com o emissor em baixo. Cuidamos para que esse terminal seja real-
mente comum às duas fontes, ligando os negativos nele. Dois resistores Rb e Rc
limitam a corrente na base e no coletor, nessa ordem. Veja a ilustração da figura
8.8.
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Curso Técnico 40
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Achamos mais conveniente apresentar as três etapas de

funcionamento acompanhadas de ilustrações apropriadas. Vamos omitir as fontes
e os resistores para simplificar, mas admita que Vcc » VBB, com VBB > 0,7V, e
que utilizaremos o sentido real para as correntes.
1° Etapa - injeção de portadores no emissor - Nesta etapa, a polarização

correta do diodo emissor permite às fontes injetarem elétrons no interior do
emissor pela repulsão mútua entre elétrons das fontes e os livres e em excesso
pertencentes a essa região.
2° Etapa - entrada dos elétrons na base e recombinação com as lacunas -

Nesta etapa, os elétrons do emissor têm energia suficiente para vencer a barreira
de potencial do diodo emissor e penetrar na base. Lá, poucos elétrons livres
encontram lacuna em sua trajetória, mas os que conseguem se recombinam e
formam a corrente da base. A grande maioria mantém a trajetória em direção ao
coletor pela repulsão contínua provocada pelo campo elétrico das fontes.
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Curso Técnico 41
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3° Etapa - elétrons atravessando o diodo coletor e formando a corrente -

Aqui, os elétrons livres do emissor, que não conseguiram se recombinar na base,
atravessam a grande região de depleção do coletor (diodo reverso) deixando boa
parte da energia adquirida das fontes e sendo atraídos pelo forte potencial
positivo de Vcc.
Leis de Kirchhoff no TBJ na configuração EC - As leis de kirchhoff

aplicadas ao transistor na última das etapas anteriores fornece:
IE = IB +IC e VCE=VBE + VCB
Onde
IE - corrente do emissor
IB- corrente da base
IC- corrente do coletor
VCE - tensão de coletor relativa ao emissor
VBE - tensão de base relativa ao emissor
VCB - tensão de coletor relativa à base
• Exemplo
Um estudante testa um circuito transistorizado. Ele mede uma
IB=6OmA e um VCB =24,3V. Sabe, também, que o transistor que está analisando
tem um β =100. Se o transistor é de silício e está polarizado no modo ativo, qual o
valor de IC,IE e VCE ele deve ter obtido?
Resolução
Usando a definição de β e as leis de Kirchhoff, temos:
IC=β.IB • IC=6mA IE=IB+IC IE=6,06mA
Se o transistor está no modo ativo, o valor de VBE deve,

necessariamente, ser 0,7V. Então,
VCE= VCB + VBE:. VCE=25V
Resumo da operação no modo ativo - Vamos sintetizar o
funcionamento do transistor na região ativa, visto que os amplificadores
transistorizados operam nessa região. Resumindo, temos as seguintes condições
para operação ativa (linear):
• diodo emissor diretamente polarizado;
• diodo coletor reversamente polarizado;
• como sabemos do estudo dos diodos, tensões reversas
suficientemente grandes podem provocar a destruição da junção PN. Como o
diodo coletor deve ser polarizado reversamente, pode ocorrer avalanche térmica
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Curso Técnico 42
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se a tensão exceder a especificação do fabricante. Dessa maneira, devemos

estar certos de que a tensão sobre o diodo coletor seja menor que a de ruptura.
Modelo equivalente Ebers-MoIl

Definimos anteriormente a relação α, que exprimia quão próxima a
corrente IC estava de IE. Podemos dizer, também, que α aponta a porcentagem
dos elétrons injetados pelo emissor que seguem o caminho do coletor. Então, na
região ativa, é plausível assumir que o transistor em circuitos lineares é uma fonte
de corrente de valor α.IE em série com o diodo emissor. Esse é o modelo Ebers-
Moll e será muito útil na análise de amplificadores. Veja-o a seguir:
Segundo o grande didata e autor de livros Albert Paul Malvino, devemos:

1. Fazer VBE igual a 0,7V para os transístores de silício.
2. Tratar IC como igual a IE, porque a aproxima-se da unidade.
3. Aproximar IB a IE/β, porque IC é praticamente igual a IE.
Corrente controlando corrente - No modelo Ebers-Moll, o coletor é uma fonte

de corrente de valor α X IE. Se, ao invés de considerarmos que a fonte de
corrente de coletor é controlada pela corrente de emissor, admitirmos que a
relação IC=β .IB seja uma relação de controle, passaremos a assumir que um
transistor bipolar é um dispositivo eletrônico no qual corrente controla corrente. A
corrente de controle é a corrente da base, e a corrente controlada, a do coletor.
Concluindo o estudo quantitativo do transistor no modo ativo,
relembramos que, pela lei de Kirchhoff, IE=IC+IB e que ICIE. Portanto, a corrente
de base na maioria dos casos é uma corrente desprezível.
Características elétricas do transistor
O transistor bipolar tem muito mais correntes e tensões que um diodo.
Por isso temos muito mais curvas e parâmetros elétricos a analisar. Nosso circuito
teste será o seguinte:
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As curvas de base
Pelo fato da junção base-emissor ser um diodo é de se esperar que a
curva de base seja a curva de um diodo. De fato é o que obtemos quando
plotamos IB x VBE no transistor. Porém, como dissemos no início, o transistor tem
muito mais variáveis elétricas que o diodo. Assim, a curva de base no transistor
torna-se em: as curvas de base, uma para cada valor de VCE. A questão é a
seguinte: quanto maior a tensão reversa no diodo coletor, maior é a região de
depleção dentro da base, estreitando ainda mais a região, que de fábrica já é fina.
Com a região diminuída, a probabilidade de encontrar lacunas nesse espaço
diminui abruptamente e, como a corrente de base é formada pela recombinação
dos elétrons livres injetados pelo emissor com as lacunas da base, a corrente de
base tem que diminuir. Ocorre, entretanto, algo extraordinário com a tensão VBE:
ela aumenta! Isso significa deslocar a curva de base para a direita. A justificativa
técnica para esse fenômeno é complexa e preferimos omiti-la. Porém, o estudante
interessado pode consultar algumas das bibliografias citadas no final. O
fenômeno, conhecido como efeito Early, normalmente é desprezível na análise
casual dos circuitos transistorizados, exceto nas situações em que são requeridos
tratamentos minuciosos. Veja, a seguir, as curvas de base:
As curvas de coletor
O circuito precedente também serve como referencial para construção
das curvas de coletor. A idéia é fixar a corrente na base através de VBB e variar
Vcc, anotando os valores de IC e VCE. Se tentássemos desenhar gráficos
envolvendo as três grandezas variando simultaneamente, teríamos gráficos
tridimensionais, que são sempre difíceis de interpretar. Quando desenhamos IC x
VCE com IB fixo, o resultado é a curva mostrada a seguir:
Podem-se observar três regiões de particular interesse na curva: a que

se estende de O até VCESAT, a de Vce sat até BVCEO e a região além de BVCEO.
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Curso Técnico 44
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A região compreendida entre O e VCESAT é chamada região de

saturação, pois nela os transistores funcionam como chave eletrônica. O
funcionamento na região de saturação será feito um pouco mais à frente em
nosso estudo. Por ora dizemos que, nela, a relação IC=β.IB não mais é válida,
pois a corrente de coletor passa a depender muito mais da fonte Vcc e Rc do que
da própria corrente de base, O nome saturação tem o sentido de cheio, repleto,
farto e estagnado, e caracteriza a “perda de controle” da corrente da base na de
coletor. Essa perda é de proporcionalidade IC passa a não aumentar com
respectivos aumentos em IB. Aspecto interessante: a região saturação está
vinculada à polarização reversa do diodo coletor! Discutiremos mais acerca disso.
A região situada entre Vcesat e BVceo é a região ativa. Ela é
caracterizada pela polarização reversa do diodo coletor e por obtermos
praticamente os mesmos valores de IC para qualquer valor de Vce pertencente a
esta faixa.
A região acima de BVceo é a região de ruptura. Lá o transistor está
prestes ou na iminência de ser destruído. O diodo coletor polarizado
reversamente é o responsável por ela. Isso não chega a ser um infortúnio, pois a
faixa de Vce dos transistores comerciais é ampla e escolhida pelo usuário.
A seguir temos o resultado de várias correntes de base fixadas e de
medições sucessivas de Ic e de Vce: a família de curvas do coletor.
Especificações de um TBJ
Pretendemos, aqui, apresentar algumas especificações úteis do
transistor bipolar. Deixamos claro que o uso do manual do fabricante ou Databook
é de vital importância e que o aluno não deve se contentar em saber apenas as
especificações que apresentaremos. O quadro abaixo apresenta as principais
características de um TBJ com a descrição de cada uma.
Descrição (o fabricante pode fornecer valores mínimos, típicos

Parâmetro
ou parâmetro máximos)
IB Corrente de base
IC Corrente de coletor
IE Corrente de emissor
PD Potência dissipada
Vceo Tensão de coletor ao emissor com a base aberta
Vcbo Tensão de coletor à base com emissor aberto
Vebo Tensão de emissor à base com o coletor aberto
∆P Fator de degradação
Rthj Resistência térmica da junção
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Curso Técnico 45
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As três primeiras especificações são óbvias. Especificar a potência PD

é importante para evitar o inconveniente de destruir o transistor por excessiva
dissipação de calor. Matematicamente, podemos encontrá-la por:
P=VCE.IC
Esta não é toda a potência que o transistor dissipa, mas está próxima
dela, pois as componentes da potência dissipada nos diodos emissor e coletor
são desprezíveis em comparação com ela.
As três tensões: Vceo, Vcbo e Vebo são importantes na escolha do
transistor. Vceo e Vebo são boas aproximações para as tensões de ruptura dos
diodos coletor e emissor, respectivamente.
Todas as especificações de componentes eletrônicos são feitas a
determinadas temperaturas. ∆P mede o fator de degradação da especificação de
potência à medida que nos distanciamos das temperaturas ideais de
funcionamento.
O último parâmetro é importante para a escolha do irradiador de calor,
visto que, em algumas circunstâncias, a quantidade de calor gerada na junção
não é trocada com o meio ambiente. Nestas circunstâncias, o irradiador de calor
bem dimensionado muitas vezes resolve o problema.
O modo de operação como chave
Outra aplicação fantástica do transistor é a capacidade de operar como
chave eletrônica. Isso é feito imprimindo-se duas polarizações iguais aos diodos,
emissor e coletor. Estamos falando, então, dos modos de polarização direto-direto
e reverso-reverso. A seguir temos a apresentação das duas polarizações da
estrutura cristalina NPN:
Na polarização direta-direta, ambos os diodos conduzem forçados pela

polarização das duas fontes. Vcc e VBB polarizam diretamente os diodos coletor e
emissor, respectivamente. As correntes ICe IE somam-se formando a corrente de
base (o sentido mostrado já é o convencional). O resultado mais expressivo pode
ser visualizado acima na analogia feita com diodos: a tensão VCE é 0V, o que
corresponde a uma chave fechada entre os dois terminais, coletor (C) e emissor
(E).
Na polarização reversa, a barreira de potencial dos dois diodos (coletor
e emissor) assume o valor de Vcc e VBB nessa ordem. A corrente circulante, em
qualquer um dos terminais, é 0 A e a tensão resultante entre coletor e emissor é a
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Curso Técnico 46
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diferença entre Vcc e VBB. Essa situação equivale a uma chave aberta entre (C) e
(E).
Convém dizer aqui que as definições de α e β não se aplicam na
configuração chave, pois perdemos o controle sobre as correntes de coletor e de
emissor, que passaram a depender mais das fontes Vcc / VBB e dos resistores
externos do que propriamente dessas relações.
Reta de carga CC para circuitos transistorizados
Durante o estudo do diodo, tivemos o primeiro contato com a reta de
carga. Ela consiste, basicamente, de um meio geométrico para localizar o ponto
de operação de um circuito contendo algum componente eletrônico.
A via de regra, aqui, é primeiro escrever a equação das tensões para
malha de coletor e, em seguida, usar a idéia da chave eletrônica entre coletor-
emissor, ou seja, fazer Vce = 0V (chave fechada) e encontrar a corrente IC que
circula. Esta será a corrente Icsat. Depois fazer IC=0 (chave aberta) e encontrar a
tensão Vce. Esta será a tensão de corte VceCORTE. Com VceCORTE e ICSAT somos
capazes de traçar uma semi-reta sobre as curvas de coletor, interceptando-as.
Em alguma curva do coletor está localizado o ponto de operação.
Para plotar o ponto de operação na reta de carga usamos a malha da
base. Lá, escrevemos a equação das tensões e a manipulamos para encontrar
alguma corrente de operação; ou a da base IB ou a do emissor IE (lembre-se que
IC=IE). Com a corrente de operação IC, calculamos a tensão Vce de operação.
Se no circuito genérico passado Vcc= 18V; VBB= 4,7V; Rb=100k; Rc=4k e

β = 50, vamos traçar a reta de carga .
A reta de carga permite tirar algumas conclusões imediatas. Em um circuito

transistorizado, qualquer corrente de operação normal sempre é menor que a
corrente de saturação. Assim, se você sabe que um circuito satura com uma IC =
10mA e ao tentar calcular a corrente de operação normal achar 15mA, descarte-a,
pois a maior corrente admissível neste circuito é 10mA. A corrente ICSAT é a maior
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Curso Técnico 47
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que pode circular no coletor do circuito a transistor em questão e não a máxima

corrente que o transistor pode suportar. A primeira, quem define é o usuário, e a
segunda, o fabricante.
Uso do terra em circuitos
Em esquemas eletrônicos é usual desenharmos circuitos com o
símbolo do terra para simplificá-los. A regra é aterrar o ponto em comum entre as
fontes e componentes, simbolizando o outro pólo que resta por um círculo ou
triângulo. O circuito anterior poderia ter sido apresentado como:
Observe que foram mostrados os pólos positivos de VBB e Vcc. Deve

ser assimilado que os pólos não mostrados no esquema encontram-se ligados ao
terra. Em termos elétricos, nada é alterado, pois o terra continua sendo mais
negativo que os pontos de aplicação das tensões VBB e Vcc. Então, as correntes
continuam tendo os mesmos sentidos e a magnitude do esquema tradicional.
Sempre que possível usaremos o recurso do terra, visto que é rotina analisarmos
esquemas comerciais e/ou industriais empregando-o.
O transistor como chave

O primeiro circuito que estudamos com o transistor é a configuração
típica de uma chave. Com um projeto consistente, o transistor opera apenas no
modo de saturação e corte. Esta aplicação é o cerne do funcionamento dos
computadores e circuitos digitais. Estude-a com atenção e perspicácia, pois
futuramente você entrará em contato direto com os circuitos digitais e a base da
operação destes será vista aqui.
Esquema do circuito - A chave eletrônica com o transistor é feita usando-se o
terminal da base como controle e a saída é retirada no coletor, ambos relativos ao
terra. Veja a figura 8.18:
O controle é, tipicamente, um sinal quadrado que varia de O a um nível

fixo, que é 5V para circuitos denominados TTL (Transistor - Transistor Lógico).
Quando o sinal de controle está em 0V, a malha da base está submetida a 0V de
d.d.p.; portanto, não há corrente na base e, por conseguinte, no coletor também
não. Como Ic=0A ,a queda de tensão em Rc é nula e, para que a lei de Kirchhoff
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Curso Técnico 48
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das tensões continue válida, VCE tem de assumir o valor da fonte Vcc, chave
aberta. No instante em que o pulso sobe para o nível alto - nível fixo de tensão -
há corrente na base e, se esta corrente for suficientemente alta, o transistor entra
na região de saturação tornando Vce próximo à 0V. A corrente circulante no
coletor é ICSAT e, de coletor para emissor, o transistor se assemelha a uma chave
fechada. Novamente para a lei de Kirchhoff permanecer inalterada, o resistor de
coletor Rc tem entre seus terminais a tensão da fonte Vcc.
Como pode ser notado na figura 8.18, o sinal quadrado de saída é
exatamente o oposto ao do controle. Isto é devido às condições em que ocorrem
os chaveamentos. Quando controle 0V, a saída = Vcc. Caso contrário, se controle
= VBB’ a saída = 0V. Por isso, os sinais são recíprocos.
Condição suficiente para o funcionamento da chave eletrônica - A condição
necessária e essencial é que a corrente IB seja grande o suficiente para levar IC à
saturação. Os profissionais que projetam chaves a transistor usam uma regra
super-dimensionada para escolha dos resistores RB e Rc. Eles adotam um β= 10.
Este β praticamente não se encontra, mesmo em transistores de potência que são
conhecidos por terem betas pequenos. Dessa maneira dividimos o projeto em três
etapas:
1° etapa - O resistor Rc normalmente é a carga que se deseja acionar.
É imprescindível conhecer sua resistência elétrica ou a corrente de
funcionamento. Esta corrente deverá ser tida como ICSAT.
2° etapa - Podemos calcular IB usando um beta crítico igual a 10.
Portanto,
IB=ICSAT/10
3° etapa - Encontramos o valor de RB usando a lei de Ohm, já que
sabemos que a tensão nos terminais dele deve ser VBB – 0,7V e IB acabamos de
encontrar:
RB=(VBB -0,7V) / IB.
Durante a montagem do circuito, na prática, o beta provavelmente será
maior que 10. Isto é um fator benéfico, porque IB é a mesma corrente
especificada no projeto, já que ela depende apenas de VBB e de RB (IB=[VBB-
0,7V] /RB).Se lB é a mesma e o beta aumentou, significa que teríamos no coletor
uma IC ainda maior (IC=β.IB). Sabemos que essa situação não existirá, já que o
circuito do coletor satura no mesmo valor de ICSAT que estipulamos.
Reta de carga no modo chave - Como desejamos que o transistor atue como
chave, a reta de carga para o circuito deve ter o ponto de operação Q oscilando
entre a saturação e o corte. Quaisquer outros pontos que não sejam as
extremidades da reta estão proibidos de ocorrer quando adotamos a regra de
projeto acima estudada.
Acionando cargas com o transistor - No estudo feito acima, buscamos
especificar um resistor de base para que o transistor saturasse
irremediavelmente. Na prática, a chave é muito usada para acionar relés, motores
CC de pequena capacidade, lâmpadas de baixa potência, LED’s indicadores etc.
Veja alguns exemplos destas aplicações:
Acionando LED e lâmpadas incandescentes de baixa potência.
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Usando relés para ligar (ou desligar) cargas CA
Observação 1
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas é necessário
acrescentar um diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto
porque quando a carga está sendo acionada (transistor saturado) a indutância da
carga recebe energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para o
corte) ocorre a inversão da tensão nos terminais da carga (lei de Lenz) para
manter a corrente circulando no mesmo sentido. Essa tensão pode ser
suficientemente alta e destruir o diodo coletor. O diodo D1 faz o retorno da
corrente e dissipa a energia armazenada na indutância da carga, protegendo o
transistor.
Observação 2
As especificações Vebo (tensão reversa no diodo emissor) são
relativamente pequenas, se comparadas com o diodo coletor Tipicamente,
situam-se na faixa de 4 a 10V O diodo D2 limita a tensão reversa no diodo emissor
em - 0,7V já que ele está em antiparalelo com a junção base emissor.
• Motor CC de baixa potência
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Curso Técnico 50
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Observação
O motor CC é uma carga RLE (resistência -indutância - tensão gerada).
O transistor como fonte de corrente
Fizemos o estudo do transistor como chave e constatamos que o ponto
de operação Q podia situar-se apenas nas extremidades da reta. A outra vasta
aplicação do transistor - fonte de corrente - requer o ponto Q em algum lugar
entre as extremidades, ou seja, no interior da reta. A forma de conseguir isso é
polarizar o transistor na região ativa, como fizemos durante o estudo das retas de
carga.
A razão de usar o transistor como fonte de corrente está no fato de
que, nesta configuração, o transistor é capaz de amplificar sinais CA! Veremos
um pouco a frente, em nossos estudos, como polarizar circuitos transistorizados
na região ativa e prepará-los para a amplificação. Por ora, vamos apenas
estabelecer os critérios de funcionalidade da fonte de corrente. Veja a
configuração típica do circuito:
Aplicando a lei de Kirchhoff nas malhas da base e do coletor (como já fizemos

antes), obtemos os seguintes resultados:
VCC
I CSAT =
RC + R E
VCECORTE = VCC
V − 0,7
I CQ = BB
RE
VCEQ = VCC − I CQ ( RC + R E )
Observe a equação da corrente ICQ e veja que ela depende apenas de
VBB e RE. Se garantirmos a estabilidade destas duas grandezas, temos que a
corrente ICQ será fixa e independente do beta. Independente porque o beta não
aparece explicitamente na equação da corrente, mas se fizermos IB= o é claro
que IC também o será.
Aqui temos uma situação diferente da encontrada quando estudamos o
transistor chave. Lá houve a necessidade de fixarmos um beta mínimo igual a 10
para assegurar o funcionamento do circuito. Agora, o beta apenas define corrente
de base que circula à medida que escolhemos diferentes valores de VBB e RE.
Lembre-se, porém, que a corrente de operação ICQ necessariamente, é menor
que ICSAT, Caso contrário, a fonte de corrente estará comprometida.
Volte a observar a equação para ICQ. Nela não aparece RC. É por isso
que o circuito é chamado fonte de corrente, pois para qualquer valor de RC no
coletor a corrente no resistor seria a mesma. E claro que isso não acontece na
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Curso Técnico 51
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prática, mas se a escolha de Rc for adequada - para garantir que o transistor não
sature - a corrente no coletor do transistor não dependerá do valor do resistor RC.
Reta de Carga e o Ponto Q - Uma fonte de corrente tem o ponto Q em algum
lugar da reta, diferente dos dois pontos extremos. Por razões que ficarão óbvias
no estudo dos amplificadores, a melhor localização do ponto O está no centro
geométrico da reta de carga. Veja o gráfico 26:
Condições suficientes para o funcionamento da fonte de corrente -

Vamos apresentar uma boa técnica para garantir que o ponto Q esteja localizado
no centro da reta de carga. Considerando o circuito da fonte de corrente visto, as
regras são as seguintes:
• 1° regra - faça VCEQ a metade da fonte Vcc. Matematicamente: VCEQ
= Vcc / 2.
• 2° regra - faça VRC = 0,4Vcc.
• 3° regra - faça VRE = 0,1Vcc.
• 4° regra - escolha a corrente de saturação ICSAT de modo que ela seja
o dobro do valor desejado para ICQ.
• 5°regra - calcule os resistores RC e RE para o funcionamento correto
da fonte de corrente.
Outros transistores especiais
Fototransistor - É um transistor otimizado para operar a partir da luz.
Existe urna janela transparente para incidência de luz (fótons). A luz converge
para a junção base-coletor reversa, diodo reverso, e quebra ligações covalentes
na banda de valência. Os elétrons são elevados à banda de condução e podem
circular lá como elétrons livres. A quantidade de elétrons na banda de condução é
proporcional à intensidade da luz adequada ao funcionamento do dispositivo,
aquela que possui o comprimento de onda certo e pode ser visível ou não.
Em um circuito com transistor, se abrimos o terminal do emissor (IE =
0A) e usarmos a relação IC=β .IB devemos achar IC=0A (com o diodo coletor
polarizado reversamente). Se, no entanto, montarmos o circuito na prática e
usarmos um instrumento sensível a correntes na faixa dos nA, iremos medir uma
Ic e, baseados na equação anterior, não teremos como explicar o surgimento
desta. A resposta para essa questão está nos portadores criados termicamente.
Essa corrente que circula recebe a designação de Icbo (corrente de coletor para
base com o emissor aberto).
Os fótons da radiação luminosa dão origem a uma corrente
denominada ICEO quando aplicados à janela, porque na maior parte das
aplicações o terminal da base permanece aberto. A relação desta com a ICBO é:
I CQ = β .I CBO
Como ICBO é a corrente reversa no diodo coletor e ela é a mesma que
circula no fotodiodo, concluímos que o fototransistor produz beta vezes mais
corrente que o precursor a diodo.
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Curso Técnico 52
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Veja na figura 8.23 o símbolo e as analogias funcionais para facilitar a

compreensão do componente. O terceiro esquema mostra uma forma de controle
de sensibilidade à luz do circuito, através do resistor variável RB. Todavia, a
maneira mais empregada na prática é com a base aberta.
Optoacoplador com fototransistor - Como o fototransistor é um receptor de luz

e atua somente na presença dela, os fabricantes oferecem um pequeno Cl que
incorpora o par emissor-receptor. Este par é bastante aplicado na isolação elétrica
entre circuitos eletrônicos. Veja a figura 8.24.
Transistor multiemissor e multicoletor - Este não é um novo transistor, apenas

uma conexão de vários TBJs, conforme o esquema a seguir:
Observação
No caso do transistor multiemissor, basta que um dos transistores
tenha o emissor colocado, por exemplo, no terra para que todas as bases estejam
em 0,7V De forma equivalente, se no símbolo um dos emissores vai ao terra, a
base assume 0,7V de potencial e circulam as correntes e IB correspondentes à
quantidade de emissores em condução. No caso do multicoletor é necessário que
pelo menos um dos transistores tenha o coletor em VCC através de RC, para
existir IB e IE.
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Curso Técnico 53
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Transistor Darlington
Consiste em uma conexão de dois transistores. O emissor do primeiro
vai à base do segundo; os coletores são ligados juntos e à base do primeiro. O
emissor do segundo e a conexão em comum dos coletores são: a base, o emissor
e o coletor do Darlington, respectivamente. A razão principal da conexão é a
obtenção de um transistor cujo beta é o produto de β1 e β
2•
Observação
Note que o VBE, para este transistor, vale 1,4V
Polarização do transistor bipolar
Esta seção apresenta algumas formas de polarizar um transistor para
que ele funcione linearmente (na região ativa), o que significa estabelecer o ponto
Q próximo ao meio da reta de carga. Os amplificadores de pequeno sinal e os da
classe A exigem o ponto O nesta localização. Vamos mostrar, por fim, algumas
formas de polarização que não fixam o ponto Q no centro da reta de carga, úteis
em amplificadores da classe B.
Todos os circuitos vistos anteriormente usavam duas ou mais fontes.
Agora iremos estudar condições de polarização para circuitos transistorizados a
partir de uma fonte de tensão e redes resistivas. Começaremos analisando o pior
deles, avaliando os aspectos que o tornam ruim, e evoluiremos até chegar a
excelentes circuitos polarizadores do TBJ.
As técnicas de análise de circuitos polarizadores são as leis de
Kirchhoff, de Ohm e a relação entre Ic e Ib (β) no transistor, quando necessária.
Poderíamos descrevêlas em etapas genéricas, assim:
1° etapa - aplique a lei de kirchhoff para tensões em uma malha que
tenha pontos em comum da base com o coletor e/ou emissor.
2° etapa - na relação obtida aparecerão IB, IC e IE (eventualmente)
como incógnitas. Faça Ic = IE quando necessário, e use Ic=β .IB para lidar com
apenas uma variável desconhecida. Escolha a que melhor lhe convém.
3° etapa - trace a reta de carga e marque o ponto Q para verificar a
localização do mesmo. Isto evita possíveis transtornos com o ponto indo à
saturação ou ao corte.
Polarização da base
Use a configuração transistor como chave, mas evite polarizar o
transistor no corte ou na saturação. A fonte VBB foi eliminada através da conexão
do resistor RB à fonte VCC. Desta maneira, a corrente iB provém da fonte VCC e
alimenta a base. A junção base-emissor é polarizada diretamente, com a base
0,7V acima do terra. Necessita-se, então, providenciar uma corrente Ic - e
conseqüentemente uma IB - que torne a tensão Vc maior 0,7V, visando reverter a
polarização do diodo coletor. Avalie a configuração ilustrada na figura 8.27.
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Curso Técnico 54
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Polarização por realimentação do coletor

Também chamada autopolarização, constitui avanço significativo em
relação à polarização da base. Esta forma é alternativa útil quando o requisito
economia prevalece. A estrutura contém um mínimo de componentes (dois
resistores apenas) e tem uma resposta não estável, mas satisfatória. Observe-a:
Ação da realimentação - Realimentar, em eletrônica, significa ter a saída, ou

parte dela (como é mais usual), conduzida de volta à entrada. È uma das idéias
mais profundas e notáveis da eletrônica. Aqui vamos apenas mostrar a ação da
realimentação para estabilizar a polarização do transistor. Os conceitos
fundamentais da realimentação serão desenvolvidos no futuro.
Admita que a temperatura se eleve, aumentando o valor da corrente Ic
do transistor. Tão logo a corrente aumente, a queda de tensão em Rc também
aumenta, tornando Vce menor. Como Vce é a tensão aplicada à malha da base,
temos que Ib também diminui. Se Ib diminui, Ic volta a diminuir, compensando o
aumento do beta.
Na prática, a compensação não é perfeita, pois a proporção em que Ic
aumenta não é a mesma em que Ib diminui. Isto explica a mudança no ponto Q
quando ocorrem variações no beta ou na corrente do coletor / base.
Polarização por divisor de tensão (ou polarização universal)
É a polarização com fonte simples mais usada em circuitos lineares. O
esquema a seguir ilustra a configuração. Observe que, basicamente, temos a
fonte de corrente anteriormente estudada, com a fonte VBB substituída por um
divisor de tensão.
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Curso Técnico 55
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Aplicando o teorema de Thevenin na base

Abra o terminal da base e aplique o teorema de Thevenin no divisor de
tensão. O resultado é o circuito vislumbrado na figura 8.30:
Sendo VTH e RTH dados por:
RTH= R1.R2 VTH= Vec.R2

R1+R2 R,+R2
Somando as tensões ao longo da malha da base da figura acima,
resulta:
VTH – IB x RTH – IE x RE - VBE =0
Como Ic≅Ie, então Ib≅Ie/βcc
Se RE for muito maior, por exemplo 100 vezes, do que RTH / βcc então
o segundo termo poderá ser abolido e a equação ficará simplificada:
V − 0,7
I E = I C = CC
RE
Um circuito de polarização por divisor de tensão estabilizado é aquele
que satisfaz a condição:
RTH < 0,01βcc .RE

O divisor de tensão firme é menos rígido e constitui-se em uma
segunda opção, pois às vezes um projeto estabilizado resulta em valores tão
pequenos de R1 e R2 que surgem outros problemas, como consumo excessivo.
Neste caso, muitos projetos são ajustados utilizando-se esta regra:
RTH < 0,1βcc .RE
Esta regra deve ser satisfeita para o βcc mínimo encontrado sob
quaisquer condições. Por exemplo, se um transistor tiver um βcc que varie de 80
até 400, use o valor menor.
Existe uma outra interpretação para a equação completa da corrente de
coletor
Tensões úteis do transistor na polarização universal - É conveniente medir
algumas tensões dos transistores com relação ao terra. As tensões Vc, Ve e Vb
são, respectivam ente:
Vc= Vcc – ICQ.Rc
Ve=ICQ.Re=Vth-Vbe
Vb=Vth
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Curso Técnico 56
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Polarização do emissor
Outra excelente maneira de polarizar um transistor é usar a polarização
do emissor. A diferença essencial é que o emissor é polarizado negativamente em
relação à base, que normalmente fica no terra através de um resistor. Esta é uma
excelente configuração de polarização quando se dispõe de uma fonte simétrica.
Observe o esquema da figura 8.31:
(V EE ) − V BE
I CQ = I E =
Re
Polarização por espelho de corrente
Suponha, no circuito a seguir, que Ib seja muito menor que Ir e Id de
forma que Ib=IR. Note que o diodo D está em paralelo com a junção base-
emissor. Se a curva do diodo D for idêntica à curva do diodo emissor, a corrente
do emissor será igual à corrente no diodo D. Como Ic≅Ie verifica-se que Ic é
praticamente a mesma corrente que circula no diodo D.
A noção de espelho vem do último comentário anterior; a corrente no

coletor é o “reflexo” da corrente do diodo D.
Esta idéia é bastante empregada em circuitos integrados lineares, pois
durante a integração é fácil casar a curva do diodo D com a do diodo emissor.
Abaixo temos uma ilustração sobre o que foi dito:
Se existe diferença na sobreposição das curvas, as correntes deixam

de ser iguais; e se o desvio for favorável à Ic (deslocamento da curva do diodo
emissor para a esquerda), pode ocorrer dissipação de potência excessiva no
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Curso Técnico 57
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transistor, o que faz a temperatura aumentar. A temperatura do transistor

aumentando acarreta novo aumento em Ic (pois a curva do diodo emissor
desloca-se mais à esquerda), que, por conseguinte, eleva mais ainda a
temperatura do transistor. Esse processo é conhecido como deriva térmica e, se
não for contido, pode ser destrutivo para o transistor. Atente ao gráfico a seguir:
Observação
As folhas de dados dos fabricantes especificam o quanto VBE varia
com a temperatura. Na falta do dado correto, uma boa aproximação é que VBE
diminui 2mV a cada grau Celsius de aumento na temperatura. Por exemplo: se
um diodo emissor tem uma queda de 0, 7V a 250C, a 1000C a tensão cai para
0,55V
Polarização do par diferencial

A figura 8.33 mostra a configuração básica do par diferencial com TBJ.
Ela consiste de dois “transistores casados”, Q1 e Q2 cujos emissores estão
conectados juntos e polarizados por uma fonte de corrente. Essa fonte é
usualmente implementada com transistor como fonte de corrente ou por meio de
um resistor RE usando a polarização de emissor. Embora cada coletor esteja
conectado ao positivo da fonte Vcc através de resistores Rc, essa conexão não é
essencial ao funcionamento do par e, em algumas aplicações, podem ser
conectados a outros transistores em vez de cargas resistivas. A saída do circuito
é tomada estrategicamente entre os coletores de Q1 e Q2 sendo denominada
equilibrada ou desequilibrada. As entradas são normalmente conectadas no modo
diferencial, ou seja, a diferença entre elas é que faz o ponto Q deslizar sobre a
reta de carga. Observe o circuito:
(V EE ) − V BE
I E = I CQ =
2 RE
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Curso Técnico 58
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Aplicando uma tensão diferencial na entrada

Para entender como o par diferencial funciona, considere primeiro o
caso em que as duas bases estão conectadas juntas e ligadas a uma tensão
VCM (VCM > 0V), chamada tensão em modo comum. Isto é, conforme indicado
na figura a seguir, VIN1 = VIN2 = VCM.
Como Q1 e Q2 estão casados, implica divisão da corrente do resistor

RE igualmente entre os dois transistores, como verificamos anteriormente. Assim,
a tensão no emissor é dada por:
VE = VCM – VBE
A tensão Vc será Vcc-ICQ. Rc em cada coletor e a diferença de

potencial entre V01 e V02 continua sendo 0V. Concluímos que o valor em modo
comum entre as entradas VIN1 e VIN2 é rejeitado. Essa é uma importante
característica do par diferencial quando ele é usado em CI’s para construção do
amplificador diferencial.
Façamos nova investigação do circuito. Ajustamos agora VIN2 para 0V

e VIN1 para +1V. Afigura 8.35 indica essa nova situação:
Com um pouco de análise pode ser observado que Q1 estará

conduzindo toda a corrente IE e que Q2 estará em corte. Devido à condução de
Q1, o emissor dos transistores terá 0,3V, que mantém à junção base-emissor de
Q2 reversamente polarizada. As tensões de coletor serão Vc1 = Vcc - ICQ.Rc e
Vc2 = Vcc. Portanto, VO=ICQ.RC.
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Curso Técnico 59
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Seja, agora, VIN2 para 0V e VIN1 para -1V, como ilustra a figura 8.36.
Outra vez pode ser observado que Q1 estará em corte e Q2 conduzirá

toda a corrente Ie• O emissor dos transistores terá - 0,7V, implicando polarização
reversa da junção base-emissor de Q1 em 0,3V. As tensões de coletor serão Vc1
= Vcc e Vc2 = vcc – ICQ.Rc. Portanto, Vo=ICQ.Rc
Pelos resultados obtidos, notamos que o par diferencial certamente
responde no modo de diferença ou modo diferencial. Realmente, com diferenças
de potenciais relativamente pequenas, somos capazes de controlar a corrente de
polarização total de um lado do par para o outro. Essa propriedade permite usá-lo
até em circuitos lógicos, embora quase todas as aplicações sejam circuitos
lineares integrados.
Para o par com saída desequilibrada, todos os valores das correntes

permanecem os mesmos e a análise matemática é inteiramente análoga. A
diferença essencial é que sempre a saída V0 é retirada do resistor RC de Q2•
Transistores PNP
Temos dado preferência gratuita ao transistor NPN sem nenhuma
justificativa plausível. A questão da utilização prática não influenciou nossa
decisão, pois ambos (NPN e PNP) são igualmente empregados. Até mesmo os
autores de livros fazem o estudo de um transistor e depois introduzem o outro
como extensão natural. Nosso caminho será o mesmo.
Polarização do transistor PNP

Lembre-se que nosso interesse primordial é operar o transistor na
região ativa ou linear, porque estamos prontos para introduzir os circuitos
amplificadores. Nessa região a junção base-coletor deve ser polarizada
diretamente, enquanto a junção baseemissor deve estar reversamente polarizada.
Como no transistor PNP mudam-se todas as polaridades em relação ao NPN, a
base deve estar 0,7V mais negativa que o emissor e positiva em relação ao
coletor, ou seja, o coletor deve estar mais negativo que a base para reverter a
polarização do diodo coletor. A seguir temos uma ilustração mostrando os dois
transistores. Sugerimos que você memorize uma polarização e, sempre que
precisar, inverta todas as polaridades
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Curso Técnico 60
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Observação
Não estranhe o desenho do transistor PNP de cabeça para baixo. Em
esquemas eletrônicos ele normalmente aparece assim. A razão da inversão do
transistor PNP será dada ainda nesta seção.
Outro detalhe que devemos avaliar é o sentido convencional das

correntes no transistor PNP. Obviamente, são todas ao revés das correntes do
transistor NPN. Observe as figuras mostrando todos os sentidos nos dois
transistores:
Diodo a partir do transistor
Para construir diodos a partir de transistores bipolares basta conectar a

base ao coletor e usar o diodo emissor como um diodo comum. Essa técnica é
bastante empregada em espelhos de corrente em CI’s, pois é mais fácil ajustar as
curvas do diodo emissor se os transistores forem idênticos. Veja as conexões:
Deslocando o terra
Não há misticismo envolvendo o símbolo de terra em esquemas de

circuitos eletrônicos. Ele é apenas um referencial no qual são ligadas muitas
conexões em comum, normalmente pólos de fontes (mais comumente o
negativo). Desde que um e apenas um dos pólos de uma fonte seja conectado ao
terra, podemos deslocá-lo de um lado para o outro sem comprometer o
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Curso Técnico 61
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funcionamento do circuito (se se conectam os dois pólos de uma mesma fonte ao

terra, fica caracterizado um curto-circuito). Vamos elucidar essa questão com
exemplos.
• Exemplo
Redesenhar a polarização universal com o positivo da fonte V00 ligado
ao terra, em vez do negativo.
Não fizemos absolutamente nada ao circuito original acima.

Inicialmente, o nó 1 estava Vcc volts mais positivo que o terra (onde criamos o nó
2). No circuito redesenhado, continuamos tendo o nó 1 Vcc volts mais positivo que
o nó 2, mas agora o terra está ligado nele. As correntes permanecem circulando
com os mesmos sentidos e valores originais. A única diferença significativa é que
o circuito redesenhado está em uma forma não muito convencional de desenhar e
parece estranho aos olhos da maioria dos profissionais da eletrônica. Alguém
poderia perguntar: “Mas já que a alteração não afeta em nada as correntes e
tensões, por que tivemos o trabalho de redesenhar o circuito?” Nossa resposta é:
“Pretendemos usar a idéia, não muito proveitosa aqui, para tornar as polarizações
de transistores PNP aprazíveis aos olhos”.
A seguir observa-se algo que jamais deve ser feito na prática: o uso de
dois terras em referenciais diferentes.
Observação
Na etapa 1, desenha-se o circuito mostrando a fonte e qual pólo está
ligado ao terra. Na etapa seguinte, desloca-se o terra para o outro pólo, deixando
sem referencial o pólo que possuía o terra. Por último, mostra-se o novo
referencial aterrado, omite-se o pólo onde está ligado o terra e troca-se o sinal da
fonte de tensão.
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Curso Técnico 62
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Circuitos polarizadores com transistor PNP
Abaixo temos exemplos de duas polarizações envolvendo transistor

PNP. Observe que apenas retiramos o transistor NPN e invertemos a fonte em
cada caso. Em seguida usamos o deslocamento do terra para redesenhar os
circuitos com o transistor de cabeça para baixo:
• polarização por divisor de tensão;
• polarização da base.
Da penúltima para a última etapas, faz-se uma rotação de maneira que

traga o positivo da fonte Vcc para cima e o terra para baixo, como é de costume.
Isto põe o transistor PNP com o emissor em cima ou de cabeça para baixo.
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Curso Técnico 63
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Referências Bibliográficas
BOYLESTAD, Robert; Nasheísky Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos, Prentice-HalI, Englewood Cliffs, N.J. 1984.
CUTLER, Phillip. Circuitos Eletrônicos Lineares, McGraw-HiII, São Paulo, 1977.
LURCH, E. Norman. Fundamentos de Eletrônica. Livros Técnicos e Científicos,

Rio de Janeiro, 1984.
MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. McGraw-Hill, São Paulo, 1987.
NATIONAL Semiconductor. General Purpose Linear Devices, Santa Clara,

Califórnia, 1989.
SEDRA, Adel 5.; SMITH, kenneth C. Microelectronics Circuits, CBS College

Publishing, New York, 1987.
TEXAS Instruments. Linear Circuits Data Book. Dallas - Texas, 1989.
FARIAS, Givanil Costa de. Eletrônica Analógica, SENAI, Cataguases, 2007.
____________________________________________________________
Curso Técnico 64

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CENTRO DE FORMAÇÃO PROFISSIONAL

Diretor Regional do SENAI e

Gerente de Educação e Tecnologia

CENTRO DE FORMAÇÃO PROFISSIONAL “BEBÉ MARTINS”

FÍSICA DOS SEMICONDUTORES ....................................................................................................4

ESTRUTURA ATÔMICA ........................................................................................................................4

CIRCUITOS COM DIODOS..............................................................................................................14

OUTROS TIPOS DE DIODOS..........................................................................................................16

DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) ........................................................................................................16

LDR - LIGHT DEPENDENT RESISTOR (RESISTOR DEPENDENTE DE LUZ).............................................20

RETIFICADOR DE MEIA ONDA (RMO) ................................................................................................22

O DIODO ZENER .............................................................................................................................30

REGULAÇÃO DE TENSÃO ..................................................................................................................31

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) .................................................................................35

ESTRUTURA FÍSICA ..........................................................................................................................35

“Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

O ingresso na sociedade da informação exige mudanças profundas em todos os

O SENAI, maior rede privada de educação profissional do país,sabe disso , e

Vivemos numa sociedade da informação. O conhecimento , na sua área

Isto porque, nos embates diários,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

Gerência de Educação e Tecnologia

Física dos semicondutores

Acima do zero absoluto, a rede cristalina recebe energia térmica,

O silício não é isolante nem condutor; é, portanto, um semicondutor.

Percebemos pela figura 1.9 que, com a dopagem N, obtém-se aumento

Percebemos pela figura 1.10 que, com a dopagem P, obtém-se um

aproximadamente 0,7V para o silício e 0,3V para o germânio, à temperatura

Existem duas formas de se polarizar um diodo:

Corrente de saturação (Is) - Corrente de saturação é a corrente reversa

Corrente de fuga superficial (IFs) - Origina-se devido a impurezas da

Corrente reversa (IR) - Geralmente dada para uma determinada

Características dos diodos

Circuitos com Diodos

Pouco depois do pico negativo, o diodo corta. Fazendo a constante

Invertendo-se a polaridade do diodo, obtém-se um grampeador

Outros tipos de Diodos

Diodo emissor de luz (LED)

Vantagens - Baixo consumo de potência, vida longa e chaveamento rápido

Tensão e corrente no LED - A tensão do LED (V LED ) varia de aproximadamente

Optoacoplador com fotodiodo

Símbolo do diodo Schottky

Queda de tensão típica = 0,25V

Aplicação: Fontes de alimentação de baixa tensão; circuitos de alta

No exemplo dado, a especificação SIOV - S10K 150, fornecida pelo manual

LDR - Light Dependent Resistor (resistor

Símbolos dos LDR

Símbolos dos termistores

Os retificadores são circuitos cuja função é converter uma tensão

O valor médio da tensão de saída ( VCC ) vale aproximadamente 31,8%

A intensidade da corrente média no diodo ( I med ) é igual à corrente de

As tensões V ac e Vbc estão defasadas de 180° entre si.

A tensão (Vcc) na carga é igual a:

A corrente média na carga (IL) vale:

Retificador de onda completa em ponte(RCOP)

A tensão Vcc na carga è igual a:

O filtro mais utilizado é constituído de um capacitor (C) de alta

Retificador de meia onda com filtro

Pode-se tomar como regra prática o dimensionamento do capacitor de

Retificador de onda completa com filtro a capacitor.

Retificador em ponte com filtro a capacitor

Considerações finais - Em se tratando de sinais de entrada pequenos,

1,4V para ROC em ponte na determinação da tensão máxima de saída, ou seja:

Is -corrente de surto, em ampère n - n2 de diodos em condução

O diodo zener é otimizado para trabalhar na região de ruptura. Ao