Universidade Federal de Santa Maria – UFSM

Departamento de Eletrônica e Computação – DELC

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos II – Engenharia Elétrica – ELC1116 – Laboratório 2
Relatório da Aula Prática: Estabilidade da Polarização DC e Estágio Emissor Comum
Igor Rodrigues, Renato Negri, Thiago Schlemmer

INTRODUÇÃO

Para a realização das atividades propostas nesta segunda aula prática, foi utilizado o
transistor de junção bipolar (BC547B) que pode ser observado na Figura 1.

Figura 1 - TJB utilizado para a aula prática

Os demais componentes e equipamentos utilizados para a realização das atividades

são apresentados ao longo do desenvolvimento deste documento.

2.1– ESTABILIDADE DA POLARIZAÇÃO DO TJB

Projeto

Três transistores BC547B; resistor de 1 kΩ, 1 MΩ, 10 kΩ, 56 kΩ e 12 kΩ; e três

capacitores de 47 μF. 𝑉𝐶𝐶 = 15 V, 𝑅𝐶 = 10 kΩ.

Medidas e Análises

Polarização Direta: Utilizando a polarização da Figura 2 com 𝑅𝐵 = 1 kΩ.

Figura 2 - Polarização do Amplificador

a) Ajuste 𝑉𝐵 para 𝑉𝑂 igual a 5 V. Encontre 𝐼𝐶.

O valor de 𝑉𝐵 ajustado no Offset do gerador de funções que proporcionou um 𝑉𝑂

igual a 5 V foi 638,9 mV, como pode ser observado na Figura 3. A Figura 4 mostra o valor de
𝑉𝑂 obtido com o multímetro.

Figura 3 - 𝑉𝐵 ajustado para Vo = 5 V Figura 4 - Vo obtido com o multímetro

Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 4,97
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 001003 𝐴 = 1, 003 𝑚𝐴
10 . 10

b) Aqueça o transistor e anote os novos valores de 𝑉𝑂 e 𝐼𝐶. Explique.

Em uma primeira tentativa de aquecimento do transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de

3,117 V, como mostra a Figura 5.

Figura 5 - Vo obtido na primeira tentativa de aquecimento

Com o valor obtido foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 3,117
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 0011883 𝐴 = 1, 1883 𝑚𝐴
10 . 10

Em uma segunda tentativa de aquecimento do transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂

bem menor, cerca de 163,2 mV, como mostra a Figura 6.

Figura 6 - Vo obtido na segunda tentativa de aquecimento

 Com o valor obtido foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 0,1632
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 0014837 𝐴 = 1, 4837 𝑚𝐴
10 . 10

As variações de 𝑉𝑂 obtidas podem ser explicadas pelo tipo de polarização que

utilizamos. Ao realizarmos a polarização conforme a Figura 2 e com os parâmetros já
mencionados, ficamos dependentes da transcondutância (gm) do transistor. Em um TJB NPN
esse parâmetro varia conforme a temperatura.

c) Troque o transistor por outros transistores. Anote os valores de 𝑉𝑂 e 𝐼𝐶. Explique.

Ao utilizarmos um segundo transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de 4,77 V, como

mostra a Figura 7.

Figura 7 - Vo para o segundo transistor

Com o valor obtido foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 4,77
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 001023 𝐴 = 1, 023 𝑚𝐴
10 . 10

Ao utilizarmos um terceiro transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de 4,86 V, como

mostra a Figura 8.

Figura 8 - Vo para o terceiro transistor

Com o valor obtido foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 4,86
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 001014 𝐴 = 1, 014 𝑚𝐴
10 . 10
 É possível observar nas Figuras 7 e 8 que os valores de 𝑉𝑂 obtidos são bem próximos
do valor obtido para o primeiro transistor. Poderíamos explicar isso pelo fato de dependermos
mais de gm do que de β neste tipo de polarização. Ainda assim, é válido comentar que os
TJBs disponíveis em laboratório, e utilizados no experimento, apresentaram valores de β
muito próximos.

Polarização por Corrente: Utilizando a polarização da Figura 2 com 𝑅𝐵 = 1 MΩ

a) Ajuste 𝑉𝐵 para 𝑉𝑂 igual a 5 V. Encontre 𝐼𝐶.

O valor de 𝑉𝐵 ajustado no Offset do gerador de funções que proporcionou um 𝑉𝑂

igual a 5 V foi 4,554 V, como pode ser observado na Figura 9. A Figura 10 mostra o valor de
𝑉𝑂 obtido com o multímetro.

Figura 9 - VB ajustado para Vo = 5 V Figura 10 - Vo obtido após o aquecimento

Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 5
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 001 𝐴 = 1 𝑚𝐴
10 . 10

b) Aqueça o transistor e anote os novos valores de 𝑉𝑂 e 𝐼𝐶. Explique.

Ao aquecermos o transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de 2,667 V, como mostra a

Figura 11.

Figura 11 - Vo obtido após o aquecimento

Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 2,667
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 0012333 𝐴 = 1, 2333 𝑚𝐴
10 . 10
 As variações de 𝑉𝑂 obtidas podem ser explicadas pelo tipo de polarização que
utilizamos. Ao realizarmos a polarização do transistor conforme a Figura 2 e com um novo
parâmetro (𝑅𝐵 = 1 MΩ), ficamos menos dependentes da transcondutância (gm). Isso significa
que ficamos menos dependentes de variações de temperatura. Logo, mesmo que a queda no
valor da tensão (𝑉𝑂) tenha sido significativa ao aquecermos o transistor, foi bem menor do
que aquela obtida no método de polarização visto anteriormente.

c) Troque o transistor por outros transistores. Anote os valores de 𝑉𝑂 e 𝐼𝐶. Explique.

Ao utilizarmos um segundo transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de 4,74 V, como

mostra a Figura 12.

Figura 12 - Vo para o segundo transistor

Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 4,74
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 001026 𝐴 = 1, 026 𝑚𝐴
10 . 10

Ao utilizarmos um terceiro transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de 5,2 V, como

mostra a Figura 13.

Figura 13 - Vo para o terceiro transistor

Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 5,2
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 00098 𝐴 = 0, 98 𝑚𝐴
10 . 10

É possível observar nas Figuras 12 e 13 que os valores de 𝑉𝑂 obtidos, ainda que

relativamente próximos do valor obtido para o primeiro transistor, são diferentes. As
diferenças encontradas são justificadas pelo fato de que neste tipo de polarização,
dependemos bastante do valor do β do transistor. Este parâmetro costuma mudar bastante de
um transistor para outro, mesmo que sejam de um mesmo modelo.
 É válido salientar que os TJBs disponíveis em laboratório, e utilizados no
experimento, apresentaram valores de β muito próximos. Se a diferença entre os valores de β
fosse maior, as diferenças entre os valores de 𝐼𝐶 e 𝑉𝑂 obtidos para cada transistor também
seriam maiores. A análise dos valores de β foi realizada junto ao professor em laboratório.

Polarização com 𝑅𝐸: Utilizando a polarização da Figura 14 com 𝑅1 = 56 kΩ e 𝑅2 = 12 kΩ e

𝑅𝐸 = 2 kΩ

Figura 14 - Polarização por divisão de tensão

a) Encontre 𝐼𝐶 e 𝑉𝑂

A Figura 15 mostra o valor de 𝑉𝑂 obtido com o multímetro, cerca de 6,03 V.

Figura 15 - Vo encontrado

Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 6,03
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 000897 𝐴 = 0, 897 𝑚𝐴
10 . 10

b) Aqueça o transistor e anote os novos valores de Vo e 𝐼𝐶. Explique.

Ao aquecermos o transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de 5,77 V, como mostra a

Figura 16.
 Figura 16 - Vo obtido após o aquecimento

Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 5,77
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 000923 𝐴 = 0, 923 𝑚𝐴
10 . 10

Mais uma vez, obtivemos uma variação muito pequena em 𝑉𝑂, que pode ser explicada
pelo tipo de polarização que utilizamos. Ao realizarmos a polarização do transistor conforme
a Figura 14, ficamos pouco dependentes da transcondutância (gm). Isso significa que ficamos
pouco dependentes de variações de temperatura.

c) Troque o transistor por outros transistores. Anote os valores de 𝑉𝑂 e 𝐼𝐶. Explique.

Ao utilizarmos um segundo transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de 6 V, como mostra

a Figura 17.

Figura 17 - Vo para o segundo transistor

Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 6
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 0009 𝐴 = 0, 9 𝑚𝐴
10 . 10

Ao utilizarmos um terceiro transistor obtivemos uma tensão 𝑉𝑂 de 6,01 V, como

mostra a Figura 18.

Figura 18 - Vo para o terceiro transistor

 Com os valores obtidos foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 5,77
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 000899 𝐴 = 0, 899 𝑚𝐴
10 . 10

É possível observar nas Figuras 17 e 18 que os valores de 𝑉𝑂 obtidos com as trocas do

TJB são próximos do valor que havíamos obtido para o primeiro transistor. Essa variação tão
pequena é resultado da presença de 𝑅𝐸 que diminui a dependência do circuito em relação a β.
Logo, são esperadas pequenas variações de 𝑉𝑂 ao trocarmos o transistor do circuito.

d) Teste a aproximação do cálculo de 𝐼𝐶 utilizando a equação da malha Vthev – (IC/β) Rthev

– VBE – (1+1/β)ICRE = 0, aproximando Vbe entre 0.6 V e 0.8V.

Sabendo que

𝑅2
𝑉𝑡ℎ𝑒𝑣 = 𝑉𝐶𝐶 . 𝑅1 + 𝑅2

Temos

3
12 . 10 3
𝑉𝑡ℎ𝑒𝑣 = 15 . 3 3 = 2, 6471 . 10 Ω = 2, 6471 𝑘Ω
56 . 10 + 12 . 10

Sabendo que

𝑅𝑡ℎ𝑒𝑣 = 𝑅1 // 𝑅2

Temos

3 3 3
𝑅𝑡ℎ𝑒𝑣 = 56 . 10 // 12 . 10 = 9, 8824 . 10 Ω = 9, 8824 𝑘Ω

Sabendo que

𝐼𝐶
𝑉𝑡ℎ𝑒𝑣 − β
. 𝑅𝑡ℎ𝑒𝑣 − 𝑉𝐵𝐸 − (1 +
1
β ). 𝐼
𝐶
. 𝑅𝐸

E isolando 𝐼𝐶

β . (𝑉𝑡ℎ𝑒𝑣 − 𝑉𝐵𝐸)
𝐼𝐶 = 𝑅𝑡ℎ𝑒𝑣 + β . 𝑅𝐸 + 𝑅𝐸
 Temos (para β = 240 e 𝑉𝐵𝐸 = 0, 7 𝑉):

240 . (2,6471 − 0.7)

𝐼𝐶 = 3 3 3 = 0, 00095 𝐴 = 0, 95 𝑚𝐴
9,8824 . 10 + 240 . 2 . 10 + 2 . 10

e) Discorra sobre o impacto do erro nos valores de 𝑅1, 𝑅2 e 𝑅𝐸 no valor de 𝐼𝐶.

Esta configuração de circuito não sofre grande impacto ao utilizarmos valores

resistências um pouco maiores ou menores do que os valores teóricos. Isso ajuda a explicar a
pequena a diferença entre o valor calculado para 𝐼𝐶 e o valor obtido em laboratório.

2.2 – ESTÁGIO EMISSOR COMUM

O circuito montado na protoboard em laboratório nesta etapa da aula prática pode ser
observado na Figura 19.

Figura 19 - Estágio Emissor Comum

Projeto

Utilizando 𝑉𝐶𝐶 = 15 V, 𝑅𝐶 = 10 kΩ. 𝑅1 = 56 kΩ e 𝑅2 = 12 kΩ, 𝑅𝐸 = 2 kΩ.

a) Calcule 𝐼𝐶, Vo|DC,

Como visto anteriormente:

β . (𝑉𝑡ℎ𝑒𝑣 − 𝑉𝐵𝐸)
𝐼𝐶 = 𝑅𝑡ℎ𝑒𝑣 + β . 𝑅𝐸 + 𝑅𝐸

Temos (para β = 240 e 𝑉𝐵𝐸 = 0, 7 𝑉):

240 . (2,6471 − 0.7)

𝐼𝐶 = 3 3 3 = 0, 00095 𝐴 = 0, 95 𝑚𝐴
9,8824 . 10 + 240 . 2 . 10 + 2 . 10
b) o ganho em malha aberta Avo = vo/vi,

Sabendo que
𝑣𝑂
𝐴𝑣𝑜 = 𝑣𝑖
= − 𝑔𝑚 . 𝑅𝐶

Realizamos o cálculo de 𝑔𝑚

𝐼𝐶 0,95 . 10
−3
𝑔𝑚 = 𝑉𝑇
= −3 = 0, 0365385 = 36, 5385 𝑚𝑆
26 . 10

3
Sabendo que 𝑅𝐶 = 10 . 10 Ω, temos:

−3 3
𝐴𝑣𝑜 = − 𝑔𝑚 . 𝑅𝐶 = − 36, 5385 . 10 . 10 . 10 = − 365, 385

c) a resistência de entrada e saída,

Sabendo que

β
𝑅𝑖𝑛 = 𝑅𝑡ℎ𝑒𝑣 // 𝑅π = 𝑅𝑡ℎ𝑒𝑣 // 𝑔𝑚

Temos

3 240 3 3
𝑅𝑖𝑛 = 9, 8824 . 10 // −3 = 9, 8824 . 10 // 6, 5684 . 10 = 3, 9458 𝑘Ω
36,5385 . 10

𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 = 10 𝑘Ω

d) o ganho Av = vo/vi com a carga 𝑅𝐿 = 10 kΩ,

Sabendo que

𝐴𝑣 = − 𝑔𝑚 . (𝑅𝐶 // 𝑅𝐿)

Temos

−3 3
𝐴𝑣 = − 36, 5385 . 10 . 5 . 10 = 182, 6925

e) o ganho geral Gv = vo/vsig (Rsig = 50 Ω do gerador de sinais),

 Sabendo que

𝑣𝑜 𝑅𝑖𝑛 𝑅𝐿
𝐺𝑣 = 𝑣𝑠𝑖𝑔
= 𝐴𝑣𝑜 . 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑠𝑖𝑔
. 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡

Temos

3 3
3,9458 . 10 10 . 10
𝐺𝑣 = − 365, 385 . 3 . 3 3 = − 180, 4064
3,9458 . 10 + 50 10 . 10 + 10 . 10

f) e o máximo e mínimo valor possível do sinal na saída e a resistência de entrada e saída do

amplificador (considere 𝑉𝐶𝐸,𝑚𝑖𝑛 = 0, 3 𝑉)

𝑣𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉

𝑣𝑜𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 0, 3 + 1, 9471 = 2, 2471 𝑉

𝑅𝑖𝑛 = 3, 9458 𝑘Ω

𝑅𝑜𝑢𝑡 = 10 𝑘Ω

Medidas e Análises

a) Encontre 𝐼𝐶 e Vo|DC

Figura 20 - Vo|DC encontrado

Com o valor obtido foi possível calcular a corrente 𝐼𝐶.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑂 15 − 6,03
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
= 3 = 0, 000897 𝐴 = 0, 897 𝑚𝐴
10 . 10

b) Com um sinal senoidal de 10 mV de amplitude, encontre Avo, Av com 𝑅𝐿 e Gv.

 Figura 21 - Vin e Vout para sem carga

Sabendo que
𝑣𝑂
𝐴𝑣𝑜 = 𝑣𝑖

Temos:

− 3,2
𝐴𝑣𝑜 = −3 = − 301, 8868
10,6 . 10

Figura 22 - Vin e Vout para com carga

Sabendo que
𝑣𝑂
𝐴𝑣 = 𝑣𝑖

Temos:

− 1,64
𝐴𝑣 = −3 = − 136, 6667
12 . 10
c) De acordo com os dados acima, qual a resistência de saída do amplificador?

Sabendo que
𝑅𝐿
𝐴𝑣 = 𝐴𝑣𝑜 . 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡

E isolando 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑣𝑜 . 𝑅𝐿
𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝐴𝑣
− 𝑅𝐿
Temos

3
−301,8868 . 10 . 10 3
𝑅𝑜𝑢𝑡 = − 136,6667
− 10 . 10 = 12. 0893 𝑘Ω

d) Aumente o valor da amplitude do sinal de entrada até começar a encontrar grandes

distorções no sinal de saída, que tipo de distorções são essas?

Como pode ser observado nas

Figuras 23 e 24, as primeiras distorções
surgem quando aplicamos um sinal de 45
mVpp na entrada do amplificador.

Figura 23 - Sinal de entrada para Figura 24 - Pequenas distorções no sinal

pequenas distorções de saída

Como pode ser observado nas

Figuras 25 e 26, grandes distorções surgem
quando aplicamos um sinal de 85 mVpp na
entrada do amplificador.

Figura 25 - Sinal de entrada para grandes Figura 26 - Grandes distorções no sinal de

distorções saída
 As distorções observadas ocorrem porque a excursão do canal é limitada na parte
inferior por 𝑉𝐶𝐸,𝑚𝑖𝑛. Como já mencionado, 𝑉𝐶𝐸,𝑚𝑖𝑛 = 0, 3 𝑉. O transistor passa a operar na
região de saturação a partir do momento em que a 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉𝐶𝐸,𝑚𝑖𝑛. Neste instante, surgem as
distorções observadas na forma de onda de saída do amplificador.