Universidade Federal de Pernambuco

Departamento de Engenharia Biomédica

Eletrônica 1
Relatório de Práticas do Capítulo – Transistor BJT
Aluno: José Matheus Vilela Fonseca Turma: B1
Lab: Laboratório de Instrumentação Biomédica Data: 22/08/2023

Objetivos Gerais
O objetivo deste roteiro de prática é compreender, de forma mais aprofundada, os conceitos
de polarização e análise de pequenos sinais em circuitos com transistores bipolares de junção
(TBJ) configurados como emissor comum. Através da combinação de cálculos teóricos,
simulações computacionais e medições experimentais, é possível explorar e verificar as relações
entre os parâmetros do circuito e as características do TBJ.

● POLARIZAÇÃO - TEÓRICA
1) Considere o circuito da Figura 1 com 𝐶𝑐 = 1µ𝐹. Calcule o valor teórico de 𝑅𝐵1, 𝐼𝐵 𝑒 𝐼𝐶 para

se obter 𝑉𝐶 = 8𝑉. Considere β = 110.

● ANÁLISE DE PEQUENOS SINAIS - TEÓRICA

2) Calcule 𝑅𝑖𝑛, a transcondutância 𝑔𝑚 e o ganho (𝑉𝑐/𝑉𝑖𝑛) deste amplificador. A partir dos

valores calculados, o TBJ está operando no modo ativo? Justifique.

● SIMULAÇÃO
3) Simule o circuito da Figura 1. Escolha para 𝑅𝐵1 o valor de resistor comercial mais próximo

do calculado anteriormente. Lembre-se de colocar β = 110 nas configurações. Aplique um

sinal de 10𝑚𝑉 e frequência de 10 kHz na entrada Vin. Meça o ganho de tensão e a
transcondutância experimental e compare com a teoria.
4) Introduza um resistor de emissor (𝑅𝐸) no circuito (Figura X) e recalcule 𝑅𝐵1, 𝐼𝐵 𝑒 𝐼𝐶, de

forma a manter 𝑉𝐶≅ 8𝑉.

5) Calcule novamente o valor teórico esperado para a transcondutância 𝑔𝑚 e o ganho (𝑉𝑐/𝑉𝑖𝑛)

6) Na simulação, insira 𝑅𝐸 utilizando um valor de resistência comercial mais próxima do

calculado em (4). Meça o ganho de tensão e a transcondutância experimental e compare com a

teoria.
 O circuito proposto para a prática, como mostrado na Figura 1, foi utilizado para calcular-se
os valores teóricos de 𝑅𝐵1, 𝐼𝐵 𝑒 𝐼𝐶. De início, como o circuito está em polarização DC, foi

necessário redesenhar o circuito, de modo a eliminar a fonte AC (𝑉𝑖𝑛) e deixar o capacitor 𝐶𝑐 em

aberto, assim como demonstrado na Figura 2. Com o circuito redesenhado, é fácil perceber que a
corrente 𝐼𝐶 é a corrente que passa no resistor 𝑅𝐶 na diferença de potencial entre 𝑉𝐶𝐶+ e 𝑉𝐶. Logo,

como foi dito que 𝑉𝐶 = 8𝑉, o valor de 𝐼𝐶 é de 5, 83 𝑚𝐴, como pode ser visto na Equação 1.

𝑉𝐶𝐶+ − 𝑉𝐶 = 𝑅𝐶⋅𝐼𝐶 ∴ 15 − 8 = 1, 2𝑘⋅𝐼𝐶 (1)

Figura 1 - Circuito TBJ inicial da prática

Figura 2 - Circuito redesenhado em polarização DC

Com o valor da corrente 𝐼𝐶, foi possível encontrar o valor da corrente 𝐼𝐵, visto que nos foi

fornecido o β, que representa o ganho de corrente de um transistor bipolar de junção. Logo,

sabendo que o valor de 𝐼𝐶 é de 5, 83 𝑚𝐴 e que β = 110, a partir da Equação 2, encontrou-se que

o valor de 𝐼𝐵 é de 53 μ𝐴.
 𝐼𝐶
𝐼𝐵 = β
(2)

O valor de 𝑅𝐵1 pode ser encontrado após a realização de uma pequena análise do circuito. A

estrutura básica de um TBJ está ilustrada na Figura 3. É comum utilizar-se a tensão 𝑉𝐵𝐸, a tensão

entre a base (B) e o emissor (E), como um valor fixo de 0, 7 𝑉. Como o terminal emissor do TBJ
no circuito da Figura 1 está aterrado, ou seja, 𝑉𝐸 = 0 𝑉, é possível concluir que 𝑉𝐵 = 0, 7 𝑉.

Sabendo que o nó do terminal da base é o mesmo que o nó inferior ao resistor 𝑅𝐵1, que o nó

superior ao resistor está ao potencial de 𝑉𝐶𝐶+ e que a corrente que passa pelo resistor é a corrente

𝐼𝐵, torna-se fácil encontrar que 𝑅𝐵1 = 269, 81 𝑘Ω, como demonstrado na Equação 3.
𝑉𝐶𝐶+−𝑉𝐵
𝑅𝐵1 = 𝐼𝐵
(3)

Figura 3 - Representação esquemática do TBJ NPN

Para a análise dos pequenos sinais, é preciso identificar que o circuito da Figura 1 se
enquadra na estrutura de emissor comum, visto que o terminal emissor do TBJ encontra-se
aterrado. A análise se torna mais fácil de ser realizada ao se adotar o modelo híbrido-pi, uma
simplificação útil para a análise de circuitos com transistores em configuração emissor comum.
Ele é conhecido como o modelo de parâmetros de pequenos sinais do TBJ. O modelo híbrido-pi
considera a relação entre variações de corrente (𝐼𝐶) e tensão (𝑉𝐵𝐸) em torno do ponto de operação

do transistor. O valor da transcondutância 𝑔𝑚 encontrado para o circuito em questão foi de

233, 2 𝑚𝐴/𝑉, obtido através da Equação 4 abaixo, onde 𝑉𝑇 é a tensão térmica, que, à temperatura

ambiente, vale aproximadamente 25 𝑚𝑉.

𝐼𝐶
𝑔𝑚 = 𝑉𝑇
(4)

Nesse contexto, é possível concluir que 𝑅𝑖𝑛 equivale à resistência de entrada do modelo

híbrido-pi do TBJ, 𝑟π.Logo, através da Equação 5, foi possível encontrar 𝑅𝑖𝑛 = 471, 7 Ω.
β
𝑅𝑖𝑛 = 𝑟π = 𝑔𝑚
(5)
 O ganho de tensão deste circuito pode ser obtido através da Equação 6, que utiliza o
parâmetro da transcondutância obtido a partir do modelo híbrido-pi para TBJ como emissor comum
para o cálculo do valor. Foi obtido um ganho teórico 𝐴𝑣0 =− 279, 84 𝑉/𝑉.

𝐴𝑣0 = − 𝑔𝑚𝑅𝐶 (6)

NÃO ESQUECER DE EXPLICAR SE O TBJ ESTÁ OU NÃO NO MODO ATIVO!!

O circuito proposto para a prática foi, agora, montado virtualmente com o auxílio do
Multisim Live. Com isso, foi possível obter valores simulados para os parâmetros de ganho de
tensão e transcondutância, a fim de realizar uma posterior comparação com os valores teóricos
obtidos, assegurando a veracidade dos valores obtidos. As Figuras 4 e 5 mostram,
respectivamente, o circuito produzido no Multisim Live e o gráfico gerado com os valores
simulados de tensão (𝑉𝐶) e corrente (𝐼𝐶) de saída.

Figura 4 - Circuito projetado no Multisim Live

Figura 5 - Gráfico contendo tensão (𝑉𝐶) e corrente (𝐼𝐶) de saída simulados

 A partir do gráfico da Figura 5, extraiu-se os valores de pico e de vale de cada onda, os
quais foram utilizados para a obtenção dos valores de ganho de tensão e transcondutância. A
transcondutância, que relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada, pode ter seu valor
simulado obtido através da Equação 7, na qual ∆𝐼𝐶 se refere à variação dos valores de pico e de vale

obtidos na curva em azul da Figura 5 e ∆𝑉𝑖𝑛 o valor da amplitude da tensão da fonte, que é de

20𝑚𝑉𝑝𝑝. O valor encontrado para a transcondutância simulada foi de 222, 48 𝑚𝐴/𝑉.

∆𝐼𝐶 (8,3068−3,8573)𝑚
𝑔𝑚 = ∆𝑉𝑖𝑛
= 20𝑚
(7)

O ganho de tensão simulado (𝑉𝑐/𝑉𝑖𝑛) foi obtido pela Equação 8, na qual ∆𝑉𝐶 se refere à

variação dos valores de pico e de vale obtidos na curva em verde da Figura 5. O valor encontrado
para o ganho de tensão simulado foi de − 267, 26 𝑉/𝑉.
∆𝑉𝐶 (10,377−5,0318)
𝐴𝑣0 =− ∆𝑉𝑖𝑛
=− 20𝑚
(8)

Para fins de comparação, foi elaborada uma tabela (Tabela 1) contendo os valores teóricos e
simulados de ganho de tensão e de transcondutância, em adição aos respectivos erros relativos de
cada um dos parâmetros.

Valor teórico Valor simulado Erro relativo

𝑔𝑚 233, 2 𝑚𝐴/𝑉 222, 48 𝑚𝐴/𝑉 − 4, 6%

𝐴𝑣0 − 279, 84 𝑉/𝑉 − 267, 26 𝑉/𝑉 − 4, 5%

Tabela 1 - Comparação dos valores obtidos para a transcondutância e o ganho de tensão

Dando prosseguimento na simulação, foi adicionado um resistor de 470 Ω no terminal

emissor do TBJ, como mostra a Figura 6. Na configuração emissor comum de um TBJ, a adição de
uma resistência de emissor (𝑅𝐸) inserida em série com o emissor do transistor caracteriza um caso

particular: emissor comum com resistência de emissor.

 Figura 6 - Circuito TBJ com adição do resistor no terminal emissor

A fim de manter 𝑉𝐶≅ 8𝑉, os valores de 𝑅𝐵1, 𝐼𝐵 𝑒 𝐼𝐶 precisam ser recalculados. Logo, o

mesmo procedimento realizado anteriormente de redesenhar o circuito, de modo a eliminar a fonte

AC (𝑉𝑖𝑛) e deixar o capacitor 𝐶𝑐 em aberto precisa ser refeito, agora com a adição da resistência de

emissor. A Figura 7 mostra como o circuito se mostra redesenhado, em polarização DC. Com o
circuito redesenhado, é fácil perceber que as correntes 𝐼𝐶 e 𝐼𝐵 são as mesmas encontradas

inicialmente visto que o meio utilizado para encontrar ambas as correntes se manteve. Em síntese,
𝐼𝐶 = 5, 83 𝑚𝐴 e 𝐼𝐵 = 53 μ𝐴.

Figura 7 - Circuito redesenhado com resistência de emissor em polarização DC

Como houve a adição do resistor de emissor ao circuito, não se pode mais utilizar a
convenção de que 𝑉𝐸 = 0 𝑉. Logo, o valor de 𝑉𝐵 se altera, sendo necessário calcular o 𝑉𝐸 a fim de

obter no novo valor de 𝑉𝐵, para enfim ser possível encontrar o novo valor de 𝑅𝐵1. 𝑉𝐸 pode ser

calculado a partir da Lei de Ohm, na qual se utilizam os valores de corrente de emissor e resistência
de emissor para encontrar o valor da tensão de emissor. Mas, antes disso, é necessário encontrar o
valor da corrente de emissor 𝐼𝐸, facilmente obtida a partir da Equação 9. A partir dela, conclui-se

que 𝐼𝐸 =5, 883 𝑚𝐴.

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 (9)

Com o valor de 𝐼𝐸 em mãos, basta aplicar a Lei de Ohm para o emissor que encontra-se

𝑉𝐸 = 2, 7636 𝑉. Sabendo-se que 𝑉𝐵𝐸 permanece sendo um valor fixo de 0, 7 𝑉 e que 𝑉𝐵𝐸 é a

diferença entre as tensões de base e de emissor, conclui-se que 𝑉𝐵 = 3, 4636 𝑉. Com todos os

valores necessários já obtidos, basta aplicar novamente a Equação 3 com os novos valores, que
permite encontrar 𝑅𝐵1 = 217, 67 𝑘Ω.

Para repetir a análise dos pequenos sinais, agora com os novos valores encontrados para o
caso de emissor comum com resistência de emissor, serão novamente obtidos os valores de
transcondutância e de ganho de tensão. No entanto, devido à especificidade do caso em questão,
adotar-se-á o modelo T para a realização da análise ao invés do modelo híbrido-pi, como foi feito
anteriormente.O Modelo T é mais simples que o Modelo híbrido-pi. Ele usa apenas três parâmetros
principais: transcondutância (𝑔𝑚), resistência de emissor (𝑅𝐸) e resistência de coletor (𝑅𝐶). Para o

caso em questão, a transcondutância é calculada exatamente da mesma forma que para o caso sem a
resistência de emissor. Utilizando novamente a Equação 4, o valor da transcondutância 𝑔𝑚

encontrado para o circuito em questão foi de 233, 2 𝑚𝐴/𝑉, o mesmo valor obtido anteriormente,
uma vez que a corrente 𝐼𝐶 é a mesma nos dois casos.

Para o ganho de tensão (𝑉𝑐/𝑉𝑖𝑛) é necessário adotar uma nova equação, visto que o circuito

agora possui uma resistência adicional a ele, além de possuir um novo valor de resistência 𝑅𝐵1 e,

consequentemente, um novo valor de resistência 𝑅𝑖𝑛. A Equação 10 possibilitou encontrar o valor

do novo ganho de tensão teórico, que foi de − 2, 53 𝑉/𝑉.

𝑔𝑚𝑅𝐶
𝐴𝑣0≅ − 1+𝑔𝑚𝑅𝐸
(10)

O novo circuito proposto para a prática foi, agora, montado virtualmente com o auxílio do
Multisim Live. Para isso, bastou adicionar a resistência de emissor abaixo do terminal de emissor e
corrigir o valor da resistência 𝑅𝐵1. Como foi instruído a se utilizar um valor de resistência

comercial mais próxima do calculado, utilizou-se que 𝑅𝐵1 = 220 𝑘Ω. Com isso, foi possível obter

os novos valores simulados para os parâmetros de ganho de tensão e transcondutância, a fim de

realizar uma posterior comparação com os valores teóricos obtidos, assegurando a veracidade dos
 valores obtidos. As Figuras 8 e 9 mostram, respectivamente, o circuito produzido no Multisim Live
e o gráfico gerado com os valores simulados de tensão (𝑉𝐶) e corrente (𝐼𝐶) de saída.

Figura 8 - Circuito com resistência de emissor projetado no Multisim Live

Figura 9 - Gráfico contendo novos valores de tensão (𝑉𝐶) e corrente (𝐼𝐶) de saída simulados

A partir do gráfico da Figura 9, extraiu-se os valores de pico e de vale da onda da tensão de saída 𝑉𝐶

e o valor médio da onda de corrente 𝐼𝐶 de saída, os quais foram utilizados para a obtenção dos

valores de ganho de tensão e transcondutância. A transcondutância teve seu novo valor simulado
obtido novamente através da Equação 4, na qual o valor de 𝐼𝐶 utilizado foi extraído da curva em

azul da Figura 9, que garantiu a 𝐼𝐶 um valor de 5, 7312 𝑚𝐴. O valor encontrado para a nova

transcondutância simulada foi de 229, 25 𝑚𝐴/𝑉.

 O novo ganho de tensão simulado (𝑉𝑐/𝑉𝑖𝑛) foi obtido novamente pela Equação 8, na qual

∆𝑉𝐶 se refere à variação dos valores de pico e de vale obtidos na curva em verde da Figura 9, sendo

∆𝑉𝐶 = 8, 1476 − 8, 0975 = 50, 1 𝑚𝑉. O valor encontrado para o ganho de tensão simulado foi

de − 2, 505 𝑉/𝑉.
Para fins de comparação, foi elaborada uma nova tabela (Tabela 2) contendo os novos
valores teóricos e simulados de ganho de tensão e de transcondutância, em adição aos respectivos
erros relativos de cada um dos parâmetros.

Valor teórico Valor simulado Erro relativo

𝑔𝑚 233, 2 𝑚𝐴/𝑉 229, 25 𝑚𝐴/𝑉 − 1, 69%

𝐴𝑣0 − 2, 53 𝑉/𝑉 − 2, 505 𝑉/𝑉 − 0, 99%

Tabela 2 - Comparação dos novos valores obtidos para a transcondutância e o ganho de

tensão
Em conclusão, a análise teórica aliada à simulação computacional com o Multisim Live
proporciona uma abordagem abrangente para a compreensão e validação de circuitos com
transistores bipolares de junção. A obtenção de baixos valores de erros relativos entre os resultados
teóricos e as medições provenientes das simulações é um indicativo sólido da integridade das
operações realizadas. A concordância entre os valores calculados e os valores experimentais não
apenas confirma a precisão dos modelos adotados, como também respalda a aplicabilidade dessas
ferramentas no projeto e análise de circuitos eletrônicos.