Eletrônica de Potência II

Eng. Eletrônica e de Telecomunicação

Prof. Francisco Garcia
Unidade 5 – Conversores CC / CA - Inversores
Aula 6 – Inversor monofásico SPWM 3 níveis

rev. B – 04/03/23
SPWM
• No SPWM apresentado anteriormente, em
T1 D1 T3 D3
um semiciclo da portadora (onda triangular Carga
iO
de frequência alta), as chaves T1 e T4 são E
ligadas e T2 e T3 desligadas para gerar uma T2
vO
T4
D2 D4
tensão positiva na carga, enquanto no
semiciclo seguinte acontece o inverso: T2 e
T3 são ligadas e T1 e T4 desligadas para gerar Referência
vR
uma tensão negativa na carga.
t
Controle
vR para T1 e T4
vP Controle
vP para T2 e T3
t
Portadora
SPWM a três níveis
• No SPWM a três níveis, são usadas, como
referência (controle), duas senoides T1 D1 T3 D3
defasadas de 180, uma para controlar a iO Carga
condução de T1 e T2 e outra para controlar E
vO
a condução de T3 e T4. T2 D2 T4 D4
• Durante o semiciclo positivo da referência
(senoide vR1), a saída pulsa entre uma vR1 Controle
tensão positiva e 0V, e durante o semiciclo vR1 para T1
t
negativo, a saída pulsa entre uma tensão Controle
negativa e 0V. Referências para T2
• Para um ciclo da portadora (onda vR2 Controle
triangular), cada chave (transistor) é ligada t
vR2 para T3
uma vez, mas na saída são gerados dois Controle
pulsos, ou seja, a frequência dos pulsos na vP para T4
vP
saída é o dobro da frequência da portadora.
t Portadora
 SPWM a três níveis
Quando vR1 > 0:
T1 D1 T3 D3 vP
iO Carga
E vR1
vO t
T2 D2 T4 D4 vR2
vG1
vR1 Controle on
vR1 para T1 1 2 1 2 1
t off t
Controle vG3
Referências para T2 on
4 3 4 3 4
vR2 Controle off t
vR2 para T3 vO
t E
Controle
vP para T4 0
vP t

t Portadora
 SPWM a três níveis
Quando vR1 < 0:
T1 D1 T3 D3 vP
iO Carga
E vR2
vO t
T2 D2 T4 D4 vR1
vG1
vR1 Controle on
vR1 para T1 2 1 2 1 2
t off t
Controle vG3
Referências para T2 on
3 4 3 4 3
vR2 Controle off t
vR2 para T3 vO
t
Controle
vP para T4 0
vP t

t Portadora -E
SPWM a três níveis
Características:

• A implementação desta técnica é mais complexa do que a anterior;

• Há necessidade de geração de duas senoides de referência (controle) defasadas de 180 entre si;
• Cada senoide gera sinais complementares para cada braço;
• A portadora triangular é única para as duas senoides;
• As primeiras componentes harmônicas (além da fundamental) aparecem em torno do dobro da
frequência de chaveamento;
• O filtro de saída requerido é menor;
• Para a mesma frequência de chaveamento utilizada no SPWM a dois níveis, o número de pulsos na
saída aparece dobrado;
• Possibilidade de construção de filtros menores sem aumento das perdas de comutação nos
transistores.
• Um critério normalmente usado para o filtro é fazer a frequência de corte igual a média geométrica
entre a frequência da fundamental e duas vezes a frequência da portadora.
SPWM a três níveis
Exemplo 2.6.1
VRpico  M VPpico VRpico  0,8V
Sabendo que o valor de pico da portadora é
igual a 1V, calcular o valor de pico do sinal
de referência para M = 0,8. fo  fR  2 fP fo  424 Hz
Calcular um filtro para R = 5 ,  = 0,707,
fR = 60 Hz e fP = 1,5 kHz, usando o critério da o  2 fO o  2666 rad s
média geométrica entre as frequências.
1
C C  53,1F
2O R

1
L L  2,65mH
O2 C
Ex. 2.6.1 – Circuito para simulação
Ex. 2.6.1 – Resultado da simulação: tensões de referência, portadora e de saída
Ex. 2.6.1 – Resultado da simulação: tensões de saída, antes e depois do filtro
Ex. 2.6.1 – Resultado da simulação: FFT da tensão de saída, antes do filtro
Ex. 2.6.1 – Resultado da simulação: FFT da tensão de saída, depois do filtro
Ex. 2.6.2 – Comparação entre SPWM e SPWM 3 níveis, E = 100 V, R = 5 , fP = 1,5 kHz, fR = 60 Hz, M = 0,99
fO = 300 Hz (L = 3,75mH, C = 75 F) fO = 424 Hz (L = 2,65mH, C = 53,1 F)
Ex. 2.6.2 – Comparação entre SPWM e SPWM 3 níveis, E = 100 V, R = 5 , fP = 1,5 kHz, fR = 60 Hz, M = 0,8
fO = 300 Hz (L = 3,75mH, C = 75 F) fO = 424 Hz (L = 2,65mH, C = 53,1 F)
Ex. 2.6.2 – Comparação entre SPWM e SPWM 3 níveis, E = 100 V, R = 5 , fP = 1,5 kHz, fR = 60 Hz, M = 0,6
fO = 300 Hz (L = 3,75mH, C = 75 F) fO = 424 Hz (L = 2,65mH, C = 53,1 F)
Ex. 2.6.2 – Comparação entre SPWM e SPWM 3 níveis, E = 100 V, R = 5 , fP = 1,5 kHz, fR = 60 Hz, M = 0,4
fO = 300 Hz (L = 3,75mH, C = 75 F) fO = 424 Hz (L = 2,65mH, C = 53,1 F)
Ex. 2.6.2 – Comparação entre SPWM e SPWM 3 níveis, E = 100 V, R = 5 , fP = 1,5 kHz, fR = 60 Hz, M = 0,2
fO = 300 Hz (L = 3,75mH, C = 75 F) fO = 424 Hz (L = 2,65mH, C = 53,1 F)
Fim