An 1001 A1611enpt

Traduzido do Inglês para o Português - www.onlinedoctranslator.
com
Licenciado para - Marcos fernandes - 60044594968 - Protegido por Eduzz.com
AN-1001
Entendendo os parâmetros do MOSFET de potência
www.taiwansemi.com
Semicondutor de Taiwan
Contente
1.Classificações máximas absolutas.................................................. .................................................. ..............................3
1.1 Tensão da Fonte de Dreno (VDS) ................................................. .................................................. ..............................3
1.2 Tensão da Fonte de Porta (VGS) ................................................. .................................................. .......................... 3
1.3 Corrente de Drenagem Contínua (ID)................................................. .................................................. .......................3
1.4 Corrente de Drenagem Pulsada (IMestre) ................................................. .................................................. .......................... 4
1.5 Corrente de Avalanche de Pulso Único (ICOMO) ................................................. .................................................. ........... 4
1.6 Energia de Avalanche de Pulso Único (ECOMO) ................................................. .................................................. ........... 4
1.7 Dissipação Total de Potência (PD) ................................................. .................................................. ....................... 5
1.8 Junção Operacional e Faixa de Temperatura de Armazenamento (TJ,TSTG) ................................................. ....................... 5
2. Desempenho térmico.................................................. .................................................. .......................................6
2.1 Junção para Resistência Térmica da Caixa (RθJC) ................................................. ......................................... 6
2.2 Junção para resistência térmica ambiente (RθJA)................................................. .................................................. 6
3. Especificações Elétricas.................................................. .................................................. .......................................7
3.1 Tensão de Ruptura da Fonte de Dreno (BVDSS) ................................................. .................................................. ...7
3.2Tensão Limite da Porta (VGS(TH)) ................................................. .................................................. ........7
3.3Corrente de fuga da fonte do portão (IGSS)................................................. .................................................. ....8
3.4Corrente de Fuga da Fonte de Dreno (IDSS) ................................................. .................................................. ...8
3,5Resistência no estado da fonte de drenagem (RDS(ON))................................................. .......................................... 8
3.6Transcondutância direta (gfs) ................................................. .................................................. ........9

4. Dinâmico.................................................. .................................................. .................................................. ...........10
4.1 Cobrança Total do Portão (Qg)................................................. .................................................. ..............................10
4.2 Capacitação (Ciss, Coss, Crss) ................................................. .................................................. ......................... 10
4.3 Resistência do Portão (Rg)................................................. .................................................. ................................... 10
5. Tempo de comutação.................................................. .................................................. ..................................................11
5.1 Tempo de comutação (Tvestir),Tr,Td(desligado),Tf) ................................................. .................................................. ............11
6. Características do diodo fonte-dreno.................................................. .................................................. .........................12
6.1 Tensão direta (VSD)................................................. .................................................. ......................... 12

6.2 Recuperação Reversa do Diodo Corporal (trr,Qrr)................................................. .................................................. ....... 12
7. Curvas de Características.................................................. .................................................. .......................................13
Características de saída ........................................................ .................................................. ......................... 13
Características de transferência ................................................. .................................................. .......................... 13
Tensão da Fonte da Porta vs. Carga da Porta ............................................. .................................................. .............. 14
On-Resistência vs. Temperatura de Junção ............................................. .................................................. ........ 15
1 Versão: A1611
Corrente direta do diodo fonte-dreno vs. Tensão ........................................ ........................................ 16
BVDSSvs. Temperatura da Junção ............................................. .................................................. .................. 16
Capacitância vs. Tensão da Fonte de Dreno ............................................. .................................................. ............ 17
SOA .................................................... .................................................. .................................................. ..... 18
Impedância Transitória Térmica Normalizada, Junção para Caixa ........................................ .............................. 19
2 Versão: A1611
Introdução aos parâmetros da folha de dados MOSFET
Introdução
Ao escolher um MOSFET, os parâmetros que são focados pela maioria dos engenheiros intuitivamente são VDS,
RDS (ligado), EUD. No entanto, em sistemas de energia, é importante escolher um MOSFET adequado para
diferentes aplicações. Nesta nota de aplicação, a Taiwan Semiconductor (TSC) apresenta a definição de cada
parâmetro de um MOSFET e, a partir do capítulo 3, a TSC também explica como cada parâmetro é realizado,
esperando que isso ajude os projetistas nos projetos de energia.
1. Classificações Máximas Absolutas
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS(TUMA= 25°C salvo indicação em contrário)

PARÂMETRO SÍMBOLO LIMITE UNIDADE Notas
Tensão da Fonte de Dreno VDS 30 V 1.1
Tensão da Fonte da Porta VGS ±20 V 1.2
TC= 25°C 39
Corrente de drenagem contínua(Nota 1) EUD UMA 1.3
TUMA= 25°C 11
Corrente de drenagem pulsada EUMestre 156 UMA 1,4
Corrente de Avalanche de Pulso Único(Nota 2) EUCOMO 15,6 UMA 1,5
Energia de Avalanche de Pulso Único(Nota 2) ECOMO 36,5 mJ 1,6
TC= 25°C 33
Dissipação total de energia PD C
TC= 125°C 6.6
1,7
TUMA= 25°C 2.6
Dissipação total de energia PD C
TUMA= 125°C 0,5
Junção de operação e faixa de temperatura de armazenamento TJ, TSTG - 55 a +150 °C 1,8
1.1 Tensão da Fonte de Dreno (VDS)

VDSrepresenta a tensão máxima absoluta MOSFET entre Dreno e Fonte. Nas operações, a tensão da
fonte de drenagem não deve exceder o valor nominal máximo.
1.2 Tensão Gate-Source (VGS)

VGSrepresenta a tensão do driver operacional entre Gate e Source. Nas operações, o estresse de tensão do Gate-
Source não deve exceder o valor nominal máximo.
1.3 Corrente de Drenagem Contínua (ID)

EUDrepresenta a corrente de condução contínua do MOSFET e pode ser calculada pela equação abaixo.
TJ-TC
EUD-
TJ= Temperatura de junção TC= R-JC-RDS(SOBRE)-K
Temperatura da Caixa
RDS(ON)= Resistência no estado da fonte de drenagem RθJC
= Resistência Térmica de Junção para Caixa K =
Resistência em Resistência vs. Temperatura de Junção
3 Versão: A1611
1.4 Corrente de Drenagem Pulsada (IMestre)
EUMestrerepresenta a corrente limite máxima em MOSFET SOA (Safe Operating Area). Um MOSFET pode ser bem
operado dentro de SOA para garantir a estabilidade e segurança de um sistema de energia.
1.5 Corrente de Avalanche de Pulso Único (ICOMO)
Quando o MOSFET de potência entra no modo de avalanche, a corrente transformada na forma de tensão através do
dreno e fonte de um MOSFET é chamada de corrente de avalanche ( ICOMO).
1.6 Energia de Avalanche de Pulso Único (ECOMO)

Os testes de UIL (carga indutiva unclamped) ou UIS (comutação indutiva unclamped) são importantes para verificar o grau
de robustez de um MOSFET de potência. ECOMOrepresenta a energia máxima permitida em qualquer um dos pulsos que
está acima de V nominalDS. Quando a tensão de operação excede o V especificadoDSno estado desligado de um MOSFET,
ele entrará no modo avalanche e causará alta dissipação de energia. O parâmetro é frequentemente levado em
consideração quando a carga indutiva ou carga transitória é operada.
eu
V DS
EU
D
Trocar
BV DS
D E COMO
+ EU
COMO
DUT V DDV
-
+ G V DD
S
V GS EU
D
-
V GS tAV
1 2 BVDS
Circuito de teste UIS ECOMO - - eu-EU COMO -( )
2 BVDS-VDD
O circuito de teste UIS: Ao aplicar um VGSsinal para um DUT e o DUT está ligado, a corrente começará a carregar o
Indutor (L), fenômeno do IDa taxa crescente atual se comporta linearmente como na imagem acima. Quando o
necessário euDé alcançado para euCOMO, o DUT é então desligado, fazendo com que o indutor dissipe toda a sua
energia armazenada e forçando o DUT a atingir sua classificação de tensão de ruptura. O DUT permanecerá em
desagregação (BVDS) até que toda a energia seja dissipada. A área azul é ECOMO
(Energy Avalanche Single).
4 Versão: A1611
1.7 Dissipação Total de Potência (PD)

PDrepresenta a capacidade de dissipação de potência máxima que um MOSFET pode manipular. Além disso, a capacidade
de dissipação de energia varia de acordo com diferentes condições de temperatura.
Quando a temperatura da caixa (TC) é considerado, a equação seria:
TJ-TC
PD-
R-JC
Quanto à temperatura ambiente (TUMA), a equação se transforma em:
TJ-TUMA
PD-
R-JA
TJ= Temperatura de junção TC=

Temperatura da Caixa
RθJC= Junção para Resistência Térmica da Caixa RθJA
= Junção para resistência térmica ambiente
1.8 Junção Operacional e Faixa de Temperatura de Armazenamento ( TJ, TSTG)

TJrepresenta a temperatura máxima de operação de um MOSFET. Um MOSFET deve ser evitado para operar
acima do limite de temperatura nominal.
TSTGrepresenta a faixa de temperatura para armazenamento ou transporte de um MOSFET. Deve ser armazenado
em valores de temperatura especificados.
5 Versão: A1611
2. Desempenho térmico
PERFORMANCE TÉRMICA
PARÂMETRO SÍMBOLO LIMITE UNIDADE Notas
Junção para Resistência Térmica da Caixa RӨJC 3.8 °C/W 2.1
Junção para resistência térmica ambiente R‫ר‬JA 48 °C/W 2.2
2.1 Junção para Resistência Térmica da Caixa ( RӨJC)

RӨJCé a soma das resistências térmicas da junção à caixa. A referência térmica da caixa é definida na superfície de
montagem da solda dos pinos de drenagem.
2.2 Junção para resistência térmica ambiente ( R‫ר‬JA)

R‫ר‬JAé a soma das resistências térmicas de junção para caixa e caixa para ambiente. A referência térmica da caixa é
definida na superfície de montagem da solda dos pinos de drenagem. R‫ר‬JAé garantido pelo projeto enquanto RåCAé
determinado pelo design da placa do usuário.
6 Versão: A1611
3. Especificações Elétricas
ESPECIFICAÇÕES ELETRICAS(TUMA= 25°C salvo indicação em contrário)
PARÂMETRO CONDIÇÕES SÍMBOLO MIN TIPO MÁX. UNIDADE Notas
Estático
Tensão de ruptura da fonte de dreno VGS= 0V, euD= 250µA BVDSS 30 -- -- V 3.1
Tensão Limite do Portão VGS= VDS, EUD= 250µA VGS(TH) 1.2 1,9 2,5 V 3.2
Corrente de fuga da fonte do portão VGS= ±20V, VDS= 0V EUGSS -- -- ± 100 n/D 3.3
VGS= 0V, VDS= 30V -- -- 1
Corrente de Fuga da Fonte de Dreno VGS= 0V, VDS= 30VT EUDSS µA 3.4
-- -- 100
J= 125°C
Resistência no estado da fonte de drenagem VGS= 10V, euD= 11A -- 8.3 11,7
RDS (ligado) mΩ 3,5
(Nota 3)
VGS= 4,5 V, ID= 11A -- 11,9 14,9
Transcondutância direta(Nota 3) VDS= 5V, euD= 11A gfs -- 35 -- S 3.6
3.1 Tensão de Ruptura da Fonte de Dreno (BVDSS)

Para medir a tensão de ruptura de um MOSFET, primeiro, curto o pino Gate e o pino Source e, em seguida,
alimente o ID=250μA, e monitore a leitura de VDS.
D
+
V DS V EU
D
G -
S
BVDSSé determinado quando euDatinge 250μA. O pino Gate está em curto com o pino Source.
3.2 Tensão de Limite de Porta ( VGS(TH))

Para medir a tensão limiar do portão de um MOSFET, primeiro, curto o pino Gate e o pino Drain e, em
seguida, com um dado ID=250μA e monitore a diferença de tensão entre Gate-Source. Uma característica
importante de VGS(TH)é o seu coeficiente de temperatura negativo. Se o sistema de energia tiver que ser
operado em um certo grau negativo, para evitar ser ligado imprevisto, VGS(TH)precisa ser levado em
consideração.
G EU
D
+ S
V GS(TH) V
-
VGS(TH)é determinado quando euDatinge 250μA. O pino do portão está em curto com o pino de drenagem.
7 Versão: A1611
3.3 Corrente de Fuga da Fonte da Porta (IGSS)

Para medir a corrente de fuga Gate-Source de um MOSFET, primeiro, curta o pino Drain e o pino Source
e, em seguida, aplique a tensão máxima permitida no Gate-Source e monitore a corrente de fuga do
Gate-Source. EUGSSdepende da estrutura e design do óxido de porta.
D
EU
GSS
G
UMA
S
EUGSSé determinado quando V máximoGStensão é aplicada. O pino de drenagem está em curto com o pino de origem
3.4 Corrente de Fuga da Fonte de Dreno (IDSS)

Para medir a corrente de fuga da fonte de dreno de um MOSFET, primeiro, curta o pino Gate e o pino de fonte e,
em seguida, aplique a tensão máxima permitida na fonte de dreno e monitore a corrente de fuga da fonte de
dreno.
EU
DSS
UMA
G
S
EUDSSé determinado quando V máximoDStensão é aplicada. O pino do portão está em curto com o pino de origem
3.5 Resistência no estado da fonte de drenagem ( RDS (ligado))
Para medir a fonte de drenagem na resistência, RDS (ligado), em primeiro lugar, aplique uma tensão através do Gate-
Source, que é especificada para ser maior que VGS(TH). Com uma dada fonte de corrente, euD, meça a queda de
tensão através da Fonte de Dreno, VDS. E depois disso, pela equação, RDS (ligado)= VDS/ EUD, RDS (ligado)é observado. Na
folha de dados TSC MOSFET, duas figuras adicionais também são introduzidas. Um é RDS (ligado)vs VGSgráfico desde R
DS (ligado)varia por diferentes amplitudes de VGS. O outro é RDS (ligado)vs TJ. Características de RDS (ligado)é o coeficiente de
temperatura positivo. É importante considerar a temperatura ambiente ao selecionar um MOSFET em um sistema
de energia.
D
+
V EU
D
G -V
DS
Aplicar V especificadoGS, e dado que euD.V medidoDSde um MOSFET, então RDS (ligado)é obtido
8 Versão: A1611
3.6 Transcondutância direta (gfs)

Transcondutância direta, gfs, representa o ganho do sinal (corrente de dreno dividida pela tensão da porta) de um
MOSFET. G mais altofsindica a alta corrente (IDS) a capacidade de manuseio pode ser obtida a partir da baixa tensão da
porta (VGS). Também é expresso como a equação abaixo.
EUDS
VGS(TH) VGS
9 Versão: A1611
4. Dinâmico
Dinâmico(Nota 4)
VGS= 10V, VDS= 1 =5V, euD
Cobrança Total do Portão Qg -- 9.2 --
11A
Cobrança Total do Portão Qg -- 4,5 -- nC 4.1
VGS= 4,5 V, VDS= 15V, euD
Taxa de origem do portão Qgs -- 1,9 --
= 11A
Carga de drenagem do portão Qgd -- 1,7 --
Capacitância de entrada Ciss -- 562 --
VGS= 0V, VDS= 15Vf
Capacitância de saída Coss -- 144 -- pF 4.2
= 1,0MHz
Capacitância de transferência reversa Crss -- 50 --
Resistência do portão f = 1,0 MHz, dreno aberto Rg 0,5 1,7 3.4 Ω 4.3
4.1 Cobrança Total do Portão (Qg)
A carga do portão desempenha um papel proeminente em aplicações de comutação de alta frequência. Carga total do portão Qg
incluir Qgse Qgd. Qgsrepresenta o acúmulo de capacitância Gate-Source enquanto Qgdé o acúmulo de
capacitância Gate-Drain, também chamado de capacitor Miller. Em operações de alta frequência, Qg
deve ser selecionado o menor possível. Outra dica de carga do Gate para pegar um MOSFET no projeto
do sistema de energia Hbridge é a proporção de Qgd/Qgsser inferior a 1 para evitar que o circuito passe.
4.2 Capacitâncias (Ciss, Coss, Crss)

Ciss, Coss, e Crss, como a carga do portão, também influenciam no desempenho da comutação. Na folha de dados
TSC MOSFET, qualquer um seria testado em várias tensões de fonte de dreno e sob condições de frequência de 1
MHz. As relações das capacitâncias MOSFET estão listadas abaixo.
Ciss= Cgs+Cgd
Coss= Cds+Cgd
Crss= Cgd.
4.3 Resistência do Portão (Rg)

Rgé projetado e implementado dentro da área do portão. E com a ajuda do MOSFET Rg embutido, o circuito de
acionamento do portão externo pode ser simplificado.
10 Versão: A1611
5. Tempo de comutação
Trocando(Nota 4)
Tempo de atraso de ativação tvestir) -- 8.4 --
VGS= 10V, VDS= 15V, eu
Tempo de subida de ativação tr -- 4.3 --
D= 7A, RG= 10Ω, ns 5.1
Tempo de Atraso de Desligamento td(desligado) -- 22,4 --
Tempo de queda de desligamento tf -- 3.1 --
5.1 Tempo de comutação ( tvestir), tr, td(desligado), tf)
O tempo de comutação inclui tvestir), tr, td(desligado), e Tfquatro parâmetros principais e também representam impacto
importante na perda de comutação do MOSFET. Cada um é descrito a seguir.
tvestir)- Tempo de atraso de ativação
O tempo de retardo de ativação é definido como o intervalo de tempo medido entre 10% de VGSsubindo de
zero e 90% de VDScaindo da tensão nominal.
tr- Tempo de subida
trrepresenta o intervalo de tempo entre VDScaindo de 90% para 10% da tensão nominal. EUDcomeça a subir e
é considerada a maior perda de ativação durante este período.
td(desligado)- Tempo de atraso de desligamento
O tempo de retardo de desligamento é definido como o intervalo de tempo medido entre 10% de VDSsubindo
de zero e 90% de VGScaindo da tensão nominal.
tf- Tempo de outono -
tfrepresenta o intervalo de tempo entre VDSsubindo de 10% para 90% da tensão nominal. EUDcomeça a cair e é
considerada a maior perda de desligamento durante este período.
VDS
90%
VGS 10%
td(on) tr td(desligado) tf
11 Versão: A1611
6. Características do diodo fonte-dreno

Diodo fonte-dreno
Voltagem direta(Nota 3) VGS= 0V, euS= 11A VSD -- -- 1.2 V 6.1
Tempo de recuperação reversa
EUS= 11A, trr -- 14,7 -- ns
6.2
Taxa de recuperação reversa dI/dt = 100A/μs Qrr -- 7.3 -- nC
6.1 Tensão direta ( VSD)
Para medir a tensão Source-Drain, VSD, primeiro, pino Gate curto e pino Source. Aplique uma corrente
reversa especificada, IS, e VSDé medido.
D -
V SDV EU
S
S
+
O VSDé medido aplicando ISatual. O pino Gate está em curto com o pino Source.
6.2 Recuperação Reversa do Diodo Corporal ( trr, Qrr)
Para medir o tempo de recuperação reversa, trre taxa de recuperação reversa, Qrr, a princípio, pino Gate curto e pino Source do
DUT MOSFET. Além disso, um circuito de acionamento de porta, uma determinada fonte de tensão, Vdd, e um indutor são
necessários para formar um circuito de teste de recuperação de diodo. Quando o MOSFET do circuito de acionamento do portão
está ligado, L é carregado; quando desligado, a energia do indutor será descarregada através do diodo de corpo intrínseco do
DUT MOSFET. Quando o MOSFET do circuito de acionamento do portão é ligado novamente, o diodo do corpo do DUT será
polarizado inversamente e a recuperação reversa começará a se comportar. trre Qrrsão medidos.
D
DUT
G Sinal de portão
S
EU
SD
di/dt
+
Condutor
V DS - DUT tr
+
Portão Qrr
Sinal
-
DUT V DS
trre Qrrsão medidos através do circuito de teste acima. Pino Short Gate e pino Source do DUT MOSFET
Em aplicações, quando euSDvolta a zero, o pico de tensão acontece na Fonte de Dreno devido à energia
do indutor liberada para Cossdo MOSFET. Q superiorrrcausaria um pico de tensão grave e vice-versa.
12 Versão: A1611
7. Curvas de Características
(TUMA= 25°C salvo indicação em contrário)
Características de saída
VDS=VGS-VGS(TH)
Região linear
Região ôhmica
Região de corte
Nas características de saída, três regiões principais são introduzidas, região ôhmica, região linear e região de
corte. A figura também mostra a curva definida por IDvs VDSem várias condições de tensão da porta para a
fonte. Quando o MOSFET está ligado com VGS<VGS(TH), é operado na região de corte , quando VDS>VGS-VGS(TH), é
operado na região linear. Finalmente, quando V.DS<VGS-VGS(TH), é operado na região ôhmica. A linha tracejada
azul é definida por VDS= VGS– VGS(TH).
Características de transferência
ZTC Temperatura Positiva
Temperatura negativa
Coeficiente Coeficiente
A curva de características de transferência representa tanto VGSe euDrelação. De cima, há um ponto ZTC
(Coeficiente de Temperatura Zero). Se VGSestá abaixo do ponto ZTC, VGStorna-se um coeficiente de
temperatura negativo e vice-versa.
13 Versão: A1611
Tensão da Fonte do Portão vs. Carga do Portão

Qg
Qgd
Qgs
A carga do portão inclui 3 valores especificados, Qgs, Qgd e Qg. Qgs denota a carga Gate to Source. Qgd
denota a carga Gate to Drain, que também é chamada de carga de efeito miller. Qg denota a carga total da
porta.
VGS
VP
VGS(TH)
VDS
EUD
T0 T1 T2 T3 T4
As operações do Gate Charge são apresentadas abaixo no diagrama acima. 1.
T0 ~ T1
Quando VGSsobe e atinge VGS(TH), CGSé o capacitor a ser carregado. Na época, tanto euD
e VDSpresente inalterado.
2. T1 ~ T2
Neste intervalo de tempo, o MOSFET está trabalhando na região linear. VGScontinua aumentando até a tensão de
platô, VP. CGSestá completamente carregado e euDé elevado até a corrente de plena carga.
3. T2 ~ T3
Neste intervalo de tempo, o MOSFET ainda está funcionando na região linear. E, V.DStensão começa a diminuir
e finalmente cai para zero. Então o CGD* (dVDS/dt) torna-se grande e, assim, cria corrente fluindo através de CGD,
que bloqueia VGScontinua subindo e se mantém constante. Durante este tempo, R.DS (ligado)
muda de alta impedância para baixa impedância, entrando na região ôhmica.
4. T3 ~ T4
Neste momento, V.GSé elevado até o valor nominal e o MOSFET é operado na região ôhmica.
14 Versão: A1611
Em Resistência vs. Temperatura de Junção
1,85
Da curva de RDS (ligado)contra TJ, é visto o R normalizadoDS (ligado)é 1 em TJ=25°C e 1,85 a TJ=150°C. Isso
indica se o RDS(on) é 12mohm em TJ=25°C, espera-se que seja 22,2 mohm em TJ=150°C.
K =(K- 150°C/K- 25°C) = 1,85 / 1 => 1,85
∵RDS (ligado)= 12mohm ∴RDS(ligado) - 150 °C= (RDS(0n) - 25°Cx K ) = 12mohm * 1,85 => 22,2mohm
15 Versão: A1611
Corrente direta do diodo fonte-dreno vs. tensão
0,5 0,72 0,85
Da curva acima, vê-se facilmente VSDtem coeficiente de temperatura negativo. Assim, espera-se obter
menor VSDtensão em temperaturas mais altas. Da curva observada, VSDé 0,5 V em TJ=150°C; VSD
é 0,72 V em TJ=25°C; VSDé 0,85 V em TJ=-55°C.
BVDSSvs. Temperatura da Junção
1,09
Acima da curva é BVDSScontra TJ. BVDSSé o coeficiente de temperatura positivo. Com base na curva
acima, vê-se o BV normalizadoDSSé 1 em TJ=25°C e 1,09 a TJ=150°C. Ou seja, se o BVDSSé 30V em TJ=25°C,
é esperado BVDSSé 32,7 V em TJ=150°C.
K =(K- 150°C/K- 25°C) = 1,09 / 1 => 1,09 ∴BVDSS - 150°C =
∵BVDSS= 30V (BVDSS - 25°CxK) = 30V * 1,09 => 32,7V
16 Versão: A1611
Capacitância vs. Tensão da Fonte de Dreno
MOSFET tem três tipos de capacitâncias, Ciss, Coss e Crss. Com relação à relação dessas capacitâncias, V
DStensão e frequência, é introduzido a partir de cima da curva com uma frequência fixa para observar as
variações de Ciss, Coss, e Crss. Essas três capacitâncias afetarão a perda de comutação do sistema de
energia. Abaixo mostra definidos três tipos de capacitâncias.
Dreno (D)
Cgd
CDs
Portão (G)
Cgs
Fontes)
Circuito Equivalente MOSFET
17 Versão: A1611
SOA
Linha 2
Linha 1 Linha 3
Linha 4
SOA é definido como o valor máximo de VDS, EUDe envelope de tempo de operação que garante uma operação segura
quando o MOSFET funciona ativamente polarizado. Quatro linhas são usadas para determinar os limites máximos de
operação.
Linha 1
RDS (ligado)limites. Por exemplo, tome TSC 30V MOSFET como exemplo, cujo R máximoDS (ligado)é 11,7 mohms. De
acordo com a lei de ohm, quando VDSé 1,0V e RDS (ligado)é 11,7 mohms. EUD= 1,0V / 11,7mohm = 85,47A.
Linha 2
O euMestreé definido pela corrente de drenagem pulsada da folha de dados. É baseado no euD@TCvalor de 25°C e de
um modo geral, euMestre= 4 × euD(@TC25°C)
TJ-TC
EU
D- @25°C
R-JC-K-Rds(sobre)
Linha 3
Esta linha é limitada pela tensão de ruptura.
Linha 4
Esta linha é limitada por muitos parâmetros, incluindo TJ, TC, PD, RθJC, ZθJC, e fator K (RDS (ligado)contra TJ). A
impedância térmica transiente efetiva normalizada (ZθJC) depende de diferentes durações de pulso de onda
quadrada (t) então obteve ambos PDe euDda equação abaixo. Por exemplo, tome TSC 30V MOSFET como
exemplo:
VDS= 30 V, RθJCé 3,8°C/W, ZθJCé0,31@1mS
18 Versão: A1611
TJ-TC PD
PD- EU
D-
R-JC-Z-JC VDS
PD= (150°C - 25°C)/(3,8°C/W x 0,31) = 106,11WID= 106,11W/30V = 3,54A

Portanto, pulso @1ms e condição de 30V, a corrente de operação sugerida não excederá 3,54A.
K é 1,85 @ 150°C - (Consulte a especificação) R

DS (ligado)é 11,7mohm
TJ-TC PD
EU
D - VDS-
R-JC-K-Rds(sobre)-Z-JC EUD
150-C-25-C
EUD- -70,02UMA@1EM
3.8-C/C-0,31-1,85-11,7mohm
VDS= 106,11 W / 70,02 A = 1,515 V (tensão de canto @ 1 ms condição )
Impedância transiente térmica normalizada, junção para caixa
0,31
A imagem acima fornece a impedância térmica transiente efetiva normalizada. Essas curvas podem ser Junction to
Ambient ou Case based. De cima, o MOSFET TSC 30V é baseado na condição de junção para caso. À medida que o
ciclo de trabalho e a duração do pulso aumentam, a impedância térmica transitória se aproxima de 1. Em outras
palavras, aproxima-se da resistência térmica em regime permanente.
TJ-TC-PMestre-Z-JC-R-JC
Por exemplo, o TSM120NA03CR funciona em condição de pulso único, o ZθJCcom base na curva é 0,31 a 1 ms.
O RθJCé 3,8°C/W e PMestreé 1,5W. Então a temperatura de junção de TSM120NA03CR em TC= 100°C pode ser
obtido conforme a lista abaixo.
TJ= 100°C + 1,5W x 0,31 x 3,8°C/W = 101,767°C
19 Versão: A1611
Referências
1. TSM120NA03CR-----------------------Folha de dados do MOSFET de alimentação de 30V
2. Potência FETse suas aplicações-----Edwin S. Oxner

3. Teoria e Aplicações de MOSFETS DE POTÊNCIA-----Duncan A. Grant / John Gowar
Autores
HL Lin : Gerente de Aplicação de Produto : hl_lin@mail.ts.com.tw
Childs Chung: Gerente de Marketing de Produto: Childs@mail.ts.com.tw
Jerry Chen: Vice-presidente de marketing técnico: Jerry_chen@mail.ts.com.tw
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Quartel general
Endereço: 11F. Nº 25 Seg. 3, Beishin Rd, Distrito Shindian, Nova Cidade de
Taipei, Taiwan ROC
Telefone: +886-2-8913-1588 E-mail:
marketing@mail.ts.com.tw Local na
rede Internet:www.taiwansemi.com
20 Versão: A1611

An 1001 A1611enpt

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

An 1001 A1611enpt

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Traduzido do Inglês para o Português - www.onlinedoctranslator.

1.1 Tensão da Fonte de Dreno (VDS) ................................................. .................................................. ..............................3

1.2 Tensão da Fonte de Porta (VGS) ................................................. .................................................. .......................... 3

1.3 Corrente de Drenagem Contínua (ID)................................................. .................................................. .......................3

1.4 Corrente de Drenagem Pulsada (IMestre) ................................................. .................................................. .......................... 4

1.5 Corrente de Avalanche de Pulso Único (ICOMO) ................................................. .................................................. ........... 4

1.6 Energia de Avalanche de Pulso Único (ECOMO) ................................................. .................................................. ........... 4

1.7 Dissipação Total de Potência (PD) ................................................. .................................................. ....................... 5

1.8 Junção Operacional e Faixa de Temperatura de Armazenamento (TJ,TSTG) ................................................. ....................... 5

2. Desempenho térmico.................................................. .................................................. .......................................6

2.1 Junção para Resistência Térmica da Caixa (RθJC) ................................................. ......................................... 6

2.2 Junção para resistência térmica ambiente (RθJA)................................................. .................................................. 6

3. Especificações Elétricas.................................................. .................................................. .......................................7

3.1 Tensão de Ruptura da Fonte de Dreno (BVDSS) ................................................. .................................................. ...7

3.2Tensão Limite da Porta (VGS(TH)) ................................................. .................................................. ........7

3.3Corrente de fuga da fonte do portão (IGSS)................................................. .................................................. ....8

3.4Corrente de Fuga da Fonte de Dreno (IDSS) ................................................. .................................................. ...8

3,5Resistência no estado da fonte de drenagem (RDS(ON))................................................. .......................................... 8

3.6Transcondutância direta (gfs) ................................................. .................................................. ........9

4.1 Cobrança Total do Portão (Qg)................................................. .................................................. ..............................10

4.2 Capacitação (Ciss, Coss, Crss) ................................................. .................................................. ......................... 10

4.3 Resistência do Portão (Rg)................................................. .................................................. ................................... 10

5. Tempo de comutação.................................................. .................................................. ..................................................11

5.1 Tempo de comutação (Tvestir),Tr,Td(desligado),Tf) ................................................. .................................................. ............11

6. Características do diodo fonte-dreno.................................................. .................................................. .........................12

6.1 Tensão direta (VSD)................................................. .................................................. ......................... 12

7. Curvas de Características.................................................. .................................................. .......................................13

Características de saída ........................................................ .................................................. ......................... 13

Características de transferência ................................................. .................................................. .......................... 13

Tensão da Fonte da Porta vs. Carga da Porta ............................................. .................................................. .............. 14

On-Resistência vs. Temperatura de Junção ............................................. .................................................. ........ 15

Corrente direta do diodo fonte-dreno vs. Tensão ........................................ ........................................ 16

BVDSSvs. Temperatura da Junção ............................................. .................................................. .................. 16

Capacitância vs. Tensão da Fonte de Dreno ............................................. .................................................. ............ 17

SOA .................................................... .................................................. .................................................. ..... 18

Impedância Transitória Térmica Normalizada, Junção para Caixa ........................................ .............................. 19

Introdução aos parâmetros da folha de dados MOSFET

1. Classificações Máximas Absolutas

CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS(TUMA= 25°C salvo indicação em contrário)

1.1 Tensão da Fonte de Dreno (VDS)

1.2 Tensão Gate-Source (VGS)

1.3 Corrente de Drenagem Contínua (ID)

= Resistência Térmica de Junção para Caixa K =

Resistência em Resistência vs. Temperatura de Junção

1.4 Corrente de Drenagem Pulsada (IMestre)

1.5 Corrente de Avalanche de Pulso Único (ICOMO)

1.6 Energia de Avalanche de Pulso Único (ECOMO)

1.7 Dissipação Total de Potência (PD)

Quando a temperatura da caixa (TC) é considerado, a equação seria:

TJ= Temperatura de junção TC=

1.8 Junção Operacional e Faixa de Temperatura de Armazenamento ( TJ, TSTG)

2.1 Junção para Resistência Térmica da Caixa ( RӨJC)

2.2 Junção para resistência térmica ambiente ( R‫ר‬JA)

3.1 Tensão de Ruptura da Fonte de Dreno (BVDSS)

3.2 Tensão de Limite de Porta ( VGS(TH))

3.3 Corrente de Fuga da Fonte da Porta (IGSS)

3.4 Corrente de Fuga da Fonte de Dreno (IDSS)

3.5 Resistência no estado da fonte de drenagem ( RDS (ligado))

3.6 Transcondutância direta (gfs)

4.1 Cobrança Total do Portão (Qg)

4.2 Capacitâncias (Ciss, Coss, Crss)

4.3 Resistência do Portão (Rg)

5.1 Tempo de comutação ( tvestir), tr, td(desligado), tf)