Teoria Dos Semicondutor

NP202 : Eletrônica Analógica I - 1º Semestre de 2013
Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto

2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
A Evolução dos Modelos Atômicos
2 – FÍSICA DOS SEMICONDUTORES
Leucipo (480 a 420 a.C.) , filósofo grego, dizia que a matéria podia
ser dividida em partículas cada vez menores, até chegar-se a um
limite.
Demócrito (460 a 370 a.C.), discípulo de Leucipo, afirmava que a
matéria era descontínua, isto é, a matéria era formada por
minúsculas partículas indivisíveis, as quais foram denominadas de
átomo (que em grego significa "indivisível").
O modelo da matéria descontínua foi rejeitada por um dos grandes

filósofos da época, Aristóteles (484 a 322 a.C.), o qual afirmava que
a matéria era contínua, isto é, a matéria vista como um "todo inteiro"
(contrastando com a idéia de que a matéria era constituída por
minúsculas partículas indivisíveis).
2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
O químico inglês John Dalton, que viveu entre 1.766 a 1.825,
afirmava que o átomo era a partícula elementar, a menor partícula que

constituía a matéria.
Em 1.808, Dalton apresentou seu modelo atômico: o átomo como uma
minúscula esfera maciça, indivisível, impenetrável e indestrutível.
Para ele, todos os átomos de um mesmo elemento químico são
iguais, até mesmo as suas massas.
Hoje, nota-se um equívoco pelo fato da existência dos isótopos, os
quais são átomos de um mesmo elemento químico que possuem
entre si massas diferentes.
Seu modelo atômico também é conhecido como "modelo da bola de
bilhar".
Modelo Atômico de Dalton: "bola de bilhar".

O átomo seria uma esfera (partícula) maciça e indivisível.
2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
Em 1897, pesquisando os raios catódicos, o inglês J. J. Thomson
demonstrou que os mesmos podiam ser interpretados como sendo um

feixe de partículas carregadas de energia elétrica negativa, as quais
foram chamadas de elétrons.
Utilizando campos magnéticos e elétricos, Thomson conseguiu
determinar a relação entre a carga e a massa do elétron. Ele conclui
que os elétrons (raios catódicos) deveriam ser constituintes de todo
tipo de matéria pois observou que a relação carga/massa do elétron
era a mesma para qualquer gás que fosse utilizado.
Com base em suas conclusões, Thomson colocou por terra o modelo
do átomo indivisível e apresentou seu modelo, conhecido também
como o "modelo de pudim com passas":
Modelo de Thomsom: "pudim com passas".

O pudim é toda a esfera positiva (em azul) e as passas são os elétrons (em amarelo), de carga negativa.
2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
Em 1911, Rutherford e seus colaboradores realizaram a seguinte
experiência: bombardeamento de uma lâmina muito fina (delgada) de

ouro (Au) com partículas alfa (que eram positivas).
Rutherford e seus colaboradores verificaram que, para

aproximadamente cada 10.000 partículas alfa que incidiam na lâmina
de ouro, apenas uma era desviada ou refletida. Com isso, concluíram
que o raio do átomo era 10.000 vezes maior que o raio do núcleo.
2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
Comparando, se o núcleo de um átomo tivesse o tamanho de uma
azeitona, o átomo teria o tamanho do estádio do Morumbi. Surgiu

então em 1911, o modelo do átomo nucleado, conhecido como o
modelo planetário do átomo: o átomo é constituído por um núcleo
central positivo, muito pequeno em relação ao tamanho total do
átomo, porém com grande massa, e ao seu redor localizam-se os
elétrons com carga negativa (compondo a "enorme" eletrosfera) e
com pequena massa, que neutraliza o átomo.
2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
Modelo Atômico Rutherford-Bohr
Bohr (1913), baseando-se nos estudos feitos em relação ao

espectro do átomo de hidrogênio e na teoria proposta em 1900 por
Planck (Teoria Quântica), segundo a qual a energia não é emitida
em forma contínua, mas em ”blocos”, denominados quanta de
energia, propôs os seguintes postulados:
1. Os elétrons nos átomos descrevem sempre órbitas circulares ao

redor do núcleo, chamadas de camadas ou níveis de energia.
2. Cada um desses níveis possui um valor determinado de energia

(estados estacionários).
3. Os elétrons só podem ocupar os níveis que tenham uma

determinada quantidade de energia.
2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
4. Os elétrons podem saltar de um nível

para outro mais externo, desde que
absorvam uma quantidade bem
definida de energia (quantum de
energia).
5. Ao voltar ao nível mais interno, o

elétron emite um quantum de
energia, na forma de luz de cor bem
definida ou outra radiação
eletromagnética (fóton).
2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
6. Cada órbita é denominada de estado estacionário e pode ser
designada por letras K, L, M, N, O, P, Q. As camadas podem

apresentar um número máximo de elétrons.
7. Cada nível de energia é caracterizado por um número quântico (n),

que pode assumir valores inteiros: 1, 2, 3, etc.
2.1
2.1– –Modelo
Modeloatômico
atômicode
deBohr
Bohr
MASSA
PARTÍCULAS CARGA
RELATIVA
NÊUTRON 1 0
PRÓTON 1 + e = 1,6x10-19C
ELÉTRON 1/1836 - e = 1,6x10-19C
Modelo atômico de Rutherford-Bohr

2.2 – Rede cristalina de material semicondutor
Níveis de Energia
.
Em uma estrutura atômica isolada
existem níveis discretos de energia,
associados à órbita do elétron.
Os gaps correspondem aos
intervalos existentes entre os níveis
discretos de energia.
A energia associada a cada elétron é

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
medida em elétron-volts.
1eV  1,6x10 19 J

Classificação quanto a condutibilidade elétrica

A 0 K, todos os elétrons de valência dos semicondutores estão presos à

camada mais externa do átomo.
À temperatura ambiente, os elétrons livres formam uma banda de
condução.
Classificação quanto a condutibilidade elétrica
ex.: Mica ex.: Silício ex.: Cobre

r  1012 cm r  50103 cm r  10-6 cm
Elementos base dos semicondutores
Estrutura Atômica do Si e do Ge
Átomos Tetravalentes (4 elétrons na banda de valência)
Ligação covalente: ligação de átomos
estabelecida pelo compartilhamento de
elétrons
Si
Banda de Valência
Si Si Si
Si Núcleo + elétrons das bandas internas
Rede cristalina do Si intrínseco

Si
Si Si Si
Si Energia
Geração do par elétron - lacuna

Elétron livre
Si
Lacuna
Si Si Si
Si
Geração do par Elétron - Lacuna

Estado Livre
Elétrons da banda de valência absorvem energia de fontes

externas e quebram a ligação covalente, assumindo um
estado livre (portadores intrínsecos) e se tornam sensíveis a
campos elétricos.
A uma mesma temperatura, a relação entre os portadores
intrínsecos do Ge e do Si é superior a 103.
Portadores intrínsecos por cm3, à temperatura ambiente:

Si: 1 elétron livre para cada 1012 átomos
1,5 x 1010 portadores intrínsecos (elétrons livres)
Ge: 1 elétron livre para cada 109 átomos
2,5 x 1013 portadores intrínsecos (elétrons livres)
Ionização
Ionização: Processo pelo qual um átomo perde ou ganha

elétrons
A ionização térmica resulta na geração de pares elétrons-

lacuna livres. Os elétrons e lacunas livres se movem
aleatoriamente através da estrutura do cristal e, nesse
processo, alguns elétrons podem preencher algumas
lacunas, o que denominamos recombinação. Da
recombinação resulta o desaparecimento de pares
elétrons-lacuna livres.
No equilíbrio térmico, a taxa de recombinação é igual à
taxa de ionização.
2.3 – Condução no semicondutor
Difusão e Deriva
São mecanismos através dos quais elétrons e lacunas se

movimentam através de um cristal
Difusão: Corresponde a uma fluxo de portadores de

cargas (elétrons ou lacunas) de uma região de maior
para uma de menor concentração de cargas, gerando um
fluxo líquido de cargas, ou seja, corrente elétrica.
Deriva: Corresponde a um movimento de cargas

originado a partir da aplicação de um campo elétrico
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
I -
+
Corrente no semicondutor intrínseco
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
I -
+
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si

Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
I -
+
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
I -
+
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
I -
+
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
I -
+
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
I -
+
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si

NP202 : Eletrônica Analógica I
Instituto Superior para Tecnologias da Informação e Comunicação - ISUTIC
- 1º Semestre de 2013
Si Si Si Si
FLUXO DE ELÉTRONS
Si Si Si Si
FLUXO DE LACUNAS
Si Si Si Si
I -
+
2.4 – Dopagem do semicondutor
Material Extrínseco
O material semicondutor livre de impurezas é denominado

material intrínseco.
O material semicondutor submetido ao processo de
dopagem é denominado material extrínseco.
O material extrínseco tipo N é obtido a partir de impurezas
pentavalentes (5 elétrons na banda de valência), tais como
antimônio, arsênio e fósforo.
O material extrínseco tipo P é obtido a partir de impurezas
trivalentes (3 elétrons na banda de valência), tais como
boro,gálio e índio.
Não realiza ligação covalente
Si
Si P Si
Si Átomo Pentavalente (doador)

fósforo-P
arsênio-As
antimônio-Sb
bismuto-Bi
CRISTAL TIPO N
Dopagem com Átomos Pentavalentes
NP202 : Eletrônica Analógica I
Instituto Superior para Tecnologias da Informação e Comunicação - ISUTIC
- 1º Semestre de 2013
Prof. Pedro
Material tipoSergio
N ( 2º sem/2011)
O 5º elétron do átomo de impureza não estabelece uma ligação

covalente, ficando situado na banda proibida e tenuemente ligado ao
átomo de origem. Portanto, irá requerer menor energia para saltar à
banda de condução, (Eg=0,05 eV para o Si e Eg= 0,01 eV para o Ge).
À temperatura ambiente, para um nível

de dopagem de 1 átomo de impureza
para cada 10 milhões de átomos de Si
(1:107), teremos um aumento na
concentração de portadores livres de
100.000:1 (1012/107=105).
Para o Ge esta relação será de 100:1

Elétron livre
(portador majoritário)
Si
Si P Si
Si
Átomo Pentavalente (doador)
fósforo-P
arsênio-As
antimônio-Sb
bismuto-Bi
CRISTAL TIPO N
Dopagem com Átomos Pentavalentes
Lacuna
(portador majoritário)
Si
Si B Si
Si
Átomo Trivalente (receptor)
boro-B
gálio-Ga
alumínio-Al
índio-In
CRISTAL TIPO P
Dopagem com Átomos Trivalentes
Prof. Pedro
Material tipoSergio
P ( 2º sem/2011)
Com impurezas trivalentes haverá insuficiência de elétrons para

completar as ligações covalentes, resultando em lacunas que
aceitarão elétrons.
A condução pelo efeito lacuna

se dará quando um elétron
adquire energia suficiente para
quebrar a sua ligação
covalente, passando a ocupar
uma lacuna existente e, assim,
criando uma nova lacuna na
ligação covalente que liberou
o elétron.
O efeito lacuna

O elétron que se desloca para preencher uma lacuna existente não é

livre. O efeito elétrico corresponde ao deslocamento de uma lacuna e,
portanto, a condução se dá pelo deslocamento de lacunas livres.
Portadores Majoritários
No estado intrínseco, apenas os elétrons que receberam

energia suficiente para quebrar a ligação covalente se
encontram na banda de condução.
Em um material tipo N, o número de lacunas é
praticamente o mesmo em relação ao estado intrínseco do
semicondutor, mas o número de elétrons livres excede,
em muito, o número de lacunas, sendo denominados
Portadores Majoritários.
Já para um material tipo P, as lacunas livres são
majoritárias.
Cristal tipo N e Cristal tipo P

Para um átomo pentavalente, quando o 5º elétron

abandona o átomo de origem, este adquire uma carga
positiva (íons doadores).
O átomo trivalente, ao receber um elétron, adquire uma
carga negativa (íons receptores).
Simulador de Dopagem
Si = 0,05 eV
Ge = 0,01 eV BANDA DE BANDA DE
CONDUÇÃO CONDUÇÃO Si = 0,05 eV
Ge = 0,01 eV
BANDA PROIBIDA
BANDA PROIBIDA
BANDA DE VALÊNCIA BANDA DE VALÊNCIA
NÍVEL DE ENERGIA DOS ELÉTRONS NÍVEL DE ENERGIA DAS LACUNAS

DO ELEMENTO DOADOR NA DO ELEMENTO RECEPTOR NA
FORMAÇÃO DO SEMICONDUTOR FORMAÇÃO DO SEMICONDUTOR
TIPO “ N ” TIPO “ P ”
2.5 – Formação da junção PN
antes: P N
difusão
durante: P N
depois: P - + N
EBP
Formação da Junção PN
Barreira de Potencial
Os elétrons que se difundem para dentro da região P se recombinam

com lacunas majoritárias de P e as lacunas que se difundem para
dentro da região N se recombinam com elétrons majoritários de N, o
que resulta no desaparecimento lacunas livres do lado P e elétrons
livres do lado N.
Como a recombinação se dá próxima à região da junção, surgirão
cargas fixas (íons) negativas no lado P e positivas no lado N. Haverá
então uma região de depleção (redução) de portadores de carga de
ambos os lados da junção, chamada Região de Depleção.
A presença de cargas fixas dos dois lados da junção dará origem a um
campo elétrico que se oporá à difusão de lacunas na região N e de
elétrons na região P, agindo como uma barreira, denominada Barreira
de Potencial, a ser superada para que novos elétrons e lacunas se
difundam.
Corrente de Difusão e de Deriva
Corrente de Difusão: Existe uma maior

concentração de lacunas do lado P e
de elétrons do lado N (portadores
majoritários), logo, lacunas se
difundirão de P para N e elétrons de N
para P, formando a corrente de
difusão.
Corrente de Deriva: Os portadores

minoritários, elétrons do lado P e
lacunas do lado N se difundirão para a
borda da região de depleção, onde
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e serão acelerados pelo campo elétrico
lá existente, passando de P para N e
de N para P, formando a corrente de
deriva.
O Equilíbrio
A Corrente de Difusão (ID) é

fortemente dependente da largura da
barreira de potencial.
A Corrente de Deriva ou de Saturação
(IS), formada pelos portadores
minoritários, depende da temperatura.
Como não há corrente externa,
conclui-se que ID=IS.
A condição de equilíbrio é mantida
pela largura da barreira de potencial
que aumenta se ID exceder IS e reduz
se IS exceder ID.

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Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto

O modelo da matéria descontínua foi rejeitada por um dos grandes

afirmava que o átomo era a partícula elementar, a menor partícula que

Modelo Atômico de Dalton: "bola de bilhar".

demonstrou que os mesmos podiam ser interpretados como sendo um

Modelo de Thomsom: "pudim com passas".

experiência: bombardeamento de uma lâmina muito fina (delgada) de

Rutherford e seus colaboradores verificaram que, para

azeitona, o átomo teria o tamanho do estádio do Morumbi. Surgiu

Bohr (1913), baseando-se nos estudos feitos em relação ao

1. Os elétrons nos átomos descrevem sempre órbitas circulares ao

2. Cada um desses níveis possui um valor determinado de energia

3. Os elétrons só podem ocupar os níveis que tenham uma

4. Os elétrons podem saltar de um nível

5. Ao voltar ao nível mais interno, o

designada por letras K, L, M, N, O, P, Q. As camadas podem

7. Cada nível de energia é caracterizado por um número quântico (n),

ELÉTRON 1/1836 - e = 1,6x10-19C

Modelo atômico de Rutherford-Bohr

A energia associada a cada elétron é

1eV  1,6x10 19 J

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

A 0 K, todos os elétrons de valência dos semicondutores estão presos à

ex.: Mica ex.: Silício ex.: Cobre

Si Núcleo + elétrons das bandas internas

Rede cristalina do Si intrínseco

Geração do par elétron - lacuna

Geração do par Elétron - Lacuna

Elétrons da banda de valência absorvem energia de fontes

Portadores intrínsecos por cm3, à temperatura ambiente:

Ionização: Processo pelo qual um átomo perde ou ganha

A ionização térmica resulta na geração de pares elétrons-

São mecanismos através dos quais elétrons e lacunas se

Difusão: Corresponde a uma fluxo de portadores de

Deriva: Corresponde a um movimento de cargas

Corrente no semicondutor intrínseco

Corrente no semicondutor intrínseco

O material semicondutor livre de impurezas é denominado

Não realiza ligação covalente

Si Átomo Pentavalente (doador)

O 5º elétron do átomo de impureza não estabelece uma ligação

À temperatura ambiente, para um nível

Para o Ge esta relação será de 100:1

Com impurezas trivalentes haverá insuficiência de elétrons para

A condução pelo efeito lacuna

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

O elétron que se desloca para preencher uma lacuna existente não é

No estado intrínseco, apenas os elétrons que receberam

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Para um átomo pentavalente, quando o 5º elétron

BANDA DE VALÊNCIA BANDA DE VALÊNCIA

NÍVEL DE ENERGIA DOS ELÉTRONS NÍVEL DE ENERGIA DAS LACUNAS

Os elétrons que se difundem para dentro da região P se recombinam

Corrente de Difusão: Existe uma maior

Corrente de Deriva: Os portadores

A Corrente de Difusão (ID) é

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