CENTRO UNIVERSITÁRIO INTERNACIONAL UNINTER

ESCOLA SUPERIOR POLITÉCNICA

BACHARELADO EM ENGENHARIA ELÉTRICA
DISCIPLINA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

ATIVIDADE PRÁTICA COM TIRISTORES

CHRISTIAN DE OLIVEIRA CAVALHEIRO

PROFA. MA. ELIANE SILVA CUSTÓDIO

ROSÁRIO DO SUL - RS
2023
 SUMÁRIO

RESUMO ................................................................................................................................................................. I
1 INTRODUCAO ............................................................................................................................................... 1
1.1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA ................................................................................................................ 1
2 METODOLOGIA ........................................................................................................................................... 3
2.1 EQUAÇÕES ..................................................................................................................................................... 3

3 RESULTADOS E DISCUSSÃO .................................................................................................................... 3

4 CONCLUSÕES ............................................................................................................................................... 7
5 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS .......................................................................................................... 7
 RESUMO

Tiristores são dispositivos semicondutores de potência utilizados na eletrônica de po-

tência para controlar o fluxo de corrente elétrica em circuitos de alta potência. Existem vários
tipos de tiristores, como SCR, BJT e GTO, cada um com suas próprias aplicações. Eles desem-
penham um papel fundamental na conversão eficiente de energia, sendo usados em retificado-
res, acionamentos de motores, fontes de alimentação, sistemas de soldagem e aplicações de
energia renovável. Seu princípio de funcionamento envolve a comutação entre estados de blo-
queio e condução controlados por corrente ou tensão de disparo.

Palavras-chave: Tiristores, Portão, Condução, Corrente, Tenção.

Abstract: Tiristors are power semiconductor devices used in power electronics to control the
flow of electric current in high-power circuits. There are various types of tiristors, such as SCR,
BJT, and GTO, each with their own applications. They play a fundamental role in the efficient
conversion of energy, being used in rectifiers, motor drives, power supplies, welding systems,
and renewable energy applications. Their operating principle involves switching between blo-
cking and conducting states controlled by trigger current or voltage.

Keywords: Thyristors, Gate, Conduction, Current, Tension.

i
1 INTRODUCAO

Os tiristores desempenham um papel fundamental na eletrônica de potência, um campo

da engenharia elétrica que se concentra no controle e conversão eficiente de energia elétrica.
Os tiristores são dispositivos semicondutores de potência que têm a capacidade de controlar o
fluxo de corrente elétrica em circuitos de alta potência. Neste experimento, exploraremos os
princípios de funcionamento dos tiristores, seus tipos mais comuns e suas aplicações na eletrô-
nica de potência.

1.1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

Os tiristores são dispositivos de quatro camadas de junção p-n (pelo menos três camadas
p-n). Os dois tiristores mais comuns são o tiristor de junção bipolar (BJT) e o tiristor de gate
controlado (GTO). A operação dos tiristores baseia-se na capacidade de comutação entre os
estados de bloqueio e condução, controlada por uma corrente ou tensão de disparo. Quando o
tiristor está no estado de bloqueio, a corrente entre o ânodo e o cátodo é mínima. No entanto,
quando o tiristor é disparado, ele permite a passagem de corrente, mantendo-se nesse estado até
que a corrente principal caia abaixo de um certo valor (corrente de retenção) ou até que uma
inversão de tensão ocorra.
Tipos comuns de tiristores:
a) Tiristor de Junção Bipolar (BJT):
Os BJT tiristores são controlados por uma corrente de base que permite a pas-
sagem de corrente entre o ânodo e o cátodo. São amplamente utilizados em aplicações
de baixa potência devido às suas características de comutação lentas.
b) Tiristor de Gate Controlado (GTO):
Os GTO tiristores são controlados por um sinal de gate e oferecem uma
comutação mais rápida em comparação com os BJT tiristores. São amplamente utiliza-
dos em aplicações de média potência.
c) Tiristor de Silício Controlado por Tensão (SCR):
Os SCR tiristores são os mais comuns e são usados em aplicações de alta
potência. Eles são controlados por uma tensão no gate e são ideais para aplicações que
exigem alta confiabilidade e capacidade de manusear correntes elevadas.

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 O DIAC é um componente semicondutor bidirecional que tem a capacidade de conduzir
corrente em ambas as direções quando submetido a uma tensão suficientemente alta. É classi-
ficado como um dispositivo de disparo simétrico, o que significa que pode ser ativado tanto em
metades positivas quanto negativas do ciclo de tensão alternada. Essa característica o torna útil
em diversas aplicações de controle de disparo, como em circuitos de controle de fase, ativação
de tiristores e em sistemas de corte por zero.
O DIAC é geralmente composto por dois terminais principais, anodo (A1) e catodo
(A2), e exibe características de comutação que dependem da tensão aplicada em seus termi-
nais. Quando a tensão é baixa, o DIAC permanece não condutor, agindo como uma junção PN
não polarizada. No entanto, à medida que a tensão de disparo é alcançada, a condutividade do
DIAC aumenta abruptamente, permitindo a passagem de corrente.
O DIAC é especialmente útil na geração de pulsos de disparo para tiristores, como o SCR e o
TRIAC (Triodo para Alternância de Corrente). Quando utilizado em combinação com outros
componentes, como resistores e capacitores, o DIAC pode controlar o ângulo de disparo de
tiristores, regulando a potência fornecida a cargas controladas.
O TRIAC, abreviação de "triode for alternating current," é um componente eletrônico
de potência amplamente utilizado na eletrônica de potência para controlar a potência em car-
gas de corrente alternada (CA). Ele é um dispositivo semicondutor bidirecional, capaz de con-
duzir a corrente em ambas as direções, e é comumente utilizado em aplicações de controle de
fase, como reguladores de intensidade de lâmpadas e motores de corrente alternada, bem
como em comutação de CA.
Um TRIAC é construído a partir de materiais semicondutores, geralmente silício, e
possui três camadas semicondutoras, sendo um dispositivo de quatro camadas. Estas camadas
são designadas como "gate," "MT1" (Main Terminal 1), "MT2" (Main Terminal 2) e "MT2*"
(Main Terminal 2*). A estrutura de camadas do TRIAC é semelhante à de dois tiristores co-
nectados em paralelo em direções opostas. A estrutura simétrica do TRIAC permite que ele
conduza corrente em ambas as direções quando ativado.
O controle do TRIAC é feito aplicando um pulso de tensão na porta (gate), o que permite a
passagem de corrente entre os terminais MT1 e MT2. A corrente de porta é geralmente muito
baixa e é usada para disparar o TRIAC em um determinado ângulo de fase da tensão alternada
aplicada aos terminais principais. A condução começa quando a tensão aplicada aos terminais
MT1 e MT2 é suficientemente alta e a corrente de porta é aplicada.

2
2 METODOLOGIA

Para realizarmos os experimentos propostos iremos simular os circuitos no software on-

line Multisim, essa ferramenta é capaz de nos proporcionar uma análise completa para a prática
proposta.

2.1 EQUAÇÕES

Para chegarmos nas formas de onda desejadas primeiramente devemos utilizar a Equa-
ção 1 para chegar no valor do resistor em cada ângulo de disparo do TRIAC.
𝑉𝑟𝑒𝑑𝑒 − 𝑅𝑥 ⋅ 𝐼𝐺𝑇 − 𝑉𝐺𝑇 = 0 (1)

É possível simplificarmos a Eq 1 ara agilizarmos os cálculos e assim chegaremos na

Equação 2 que será mais utilizada para obtermos os dados desejados para as simulações.
𝑉𝑟𝑒𝑑𝑒−𝑉𝐺𝑇
𝑅𝑥 = (2)
𝐼𝐺𝑇

3 RESULTADOS E DISCUSSÃO

Primeiramente vamos analisar o circuito da Figura 1:

Figura 1

Verificando no datasheet conseguimos os seguintes dados do TRIAC: IGT=10mA e

VGT=2,0V, então utilizando a EQ 2 para calcularmos os valores do resistor R1 nos graus de
disparo de 10º, 20º, 30º, 60º e 90º em relação a tenção da rede.
Os dados obtidos foram compilados na Tabela 1:

3
 Angulos de
R1(Ω)
Disparo (α)
10° 5203
20° 10441
30° 15356
60° 26744
90° 30913
Tabela 1

Com o valor de 5203Ω em 10º simulamos o circuito no Multisim e chegamos no resul-

tado mostrado na Figura 2:

Figura 2

Nesta simulação observamos o resultado de 513,7µs que é o equivalente a 10º, em se-

guida iremos simular novamente, mas alterando o valor de R1 para o ângulo de disparo em
20º que é de 10441Ω.

Figura 3

A figura 3 nos mostra o valor de 1095,9µs que representa 20º, mais uma vez alterando
o valor de R1 para 15356Ω é possível chegar no valor de 1301,4µs que equivale a 30º como
mostra a Figura 4:

4
 Figura 4

A Figura 5 mostra o valor equivalente a 60º em que o resistor R1 foi utilizado no valor
de 26744Ω e foi possível chegar em um valor de 2328,8µs.

Figura 5

A última simulação do circuito da figura 1 utilizamos o valor de 30913Ω para o resis-

tor R1 e assim chegamos no valor de 2842,5µs como mostrado na Figura 6:

Figura 6

Para conseguirmos disparos acima de 90º iremos utilizar um DIAC e um potenciôme-

tro no circuito da figura 7.

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 Figura 7

Para conseguirmos medições acima dos 90º iremos variar o potenciômetro e fazer três
medições:
1. Medição 1 representada na Figura 8:

Figura 8
Utilizando 57% do potenciômetro chegamos em um valor de 4520,4µs.

2. Medição 2 representada na Figura 9:

Figura 9

Utilizando 63% do potenciômetro chegamos em um valor de 4781,6µs.

3. Medição 3 representada na Figura 10:

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 Figura 10

Utilizando 68% do potenciômetro chegamos em um valor de 5047,1µs.

4 CONCLUSÕES

Os tiristores desempenham um papel crucial na eletrônica de potência, permitindo o con-

trole eficiente da energia elétrica em uma variedade de aplicações. Com uma compreensão dos
princípios de funcionamento e uma seleção apropriada dos tipos de tiristores, é possível projetar
sistemas de eletrônica de potência que sejam eficientes, confiáveis e adequados às demandas
de potência específicas de uma aplicação. À medida que a tecnologia avança, espera-se que os
tiristores continuem a desempenhar um papel fundamental na eletrônica de potência, contribu-
indo para a eficiência energética e o desenvolvimento sustentável.

5 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

RASHID, M. Eletrônica de potência, 4a ed. São Paulo: Pearson, 2014.

MOHAN, N. Eletrônica de potência, curso introdutório. Rio de Janeiro: LTC, 2014.

MALVINO, A. BATES, J. Eletrônica. 7ª ed. Porto Alegre: AMGH, 2011. 1 v. 2v.