2.

5 - Transistores como chaves

Ainda que os transistores sejam a espinha dorsal da eletrnica moderna, com dezenas de tipos e centenas de utilizaes, vamos nos limitar a analisar apenas uma funo destes componentes: a de chave liga-desliga. Pode parecer uma viso muito limitada de um componente to verstil, mas a verdade que no o objetivo deste trabalho um estudo terico de eletrnica, e difcil encontrar uma outra funo para este componente que no seja melhor executada por um circuito integrado com preo acessvel. Ainda dentro do universo dos transistores, apresentaremos aqui apenas trs tipos: o bipolar tipo NPN, o bipolar tipo PNP e MOSFET de potncia canal N (tipo de enriquecimento ou enhanced). Em todos eles, a corrente flui entre dois dos trs terminais do transstor, controlada pelo sinal eltrico existente no terceiro, como indica a figura 2.5.1. Transistores bipolares Estes transistores deixam passar a corrente entre dois terminais chamados coletor e emissor quando se faz passar uma corrente muito menor por um terminal chamado base. Os transistores bipolares se dividem em dois tipos, NPN e PNP (fig.2.5.2). Essa diferena, na prtica, se reflete na polaridade das ligaes, e resulta em que o NPN "ligado" por um sinal positivo e o PNP "ligado" por um sinal negativo (aterramento). Na verdade, na ausncia de um sinal, ou seja, como o pino de base desconectado do circuito, os dois tipos ficam "desligados", sem conduzir corrente. A figura 2.5.3 apresenta as analogias hidrulicas simplificadas de transistores bipolares. Para analisar as figuras, deve-se ter em mente que a vlvula de base controla a vlvula maior, e no o contrrio. O transistor, em muitos aspectos, se comporta como dois diodos justapostos, e uma conseqncia disso que existe dentro deles a mesma barreira de tenso dos diodos. Ou seja: a diferena de tenso entre o emissor e o coletor deve ser maior que 0,6V ou o transstor no conduzira mesmo com uma grande tenso na base. E ainda, a tenso na base tem que ter uma diferena de pelo menos 0,6V em relao ao emissor (+0,6V nos NPN e -0,6V nos PNP) para que se inicie a conduo. Uma vez que a corrente comece a fluir pela base, uma corrente vrias vezes maior conseguir fluir entre o emissor e o coletor. Quantas vezes maior? Este nmero dado pelo fabricante e tem
base

+
controle

Figura 2.5.1

NPN
Figura 2.5.2

PNP

coletor base

coletor

emissor

emissor

NPN
Figura 2.5.3

PNP

o nome de hFE. um nmero bastante instvel e varia individualmente entre peas de um mesmo tipo. Felizmente, para usar o transstor como chave liga e desliga, este valor no crtico. Basta garantir que, quando o sinal aplicado base, uma corrente prxima ao mximo admissvel flua por este terminal. O valor desta corrente determinado por um resistor. Este resistor no pode ter uma resistncia muito pequena para no ultrapassar o valor limite de corrente na base, dado pelo fabricante. Lembre que a base ligada ao emissor como que atravs de um diodo, podendo haver um verdadeiro curtocircuito em caso de uma ligao direta alimentao (NPN) ou ao terra (PNP). Este resistor tambm no pode ser muito grande, pois fundamental ao funcionamento do transistor como chave que a corrente de base provoque o mximo de conduo entre o emissor e o coletor. Isto porque neste ponto, a queda de tenso no transistor (entre o emissor e o coletor) ser penas os 0,6V devidos barreira de tenso (diodo) e a potncia dissipada ser:

Potncia dissipada =0,6 Corrente

C B E

Figura 2.5.4 - Transistor Darlington.

Caso o transistor no esteja conduzindo completamente, a queda de tenso ser maior que 0,6V e a potncia dissipada pode subir perigosamente. A tabela 2.3 apresenta valores de resistores que permitem a passagem pela base de 1/15 da corrente mxima de coletor (corrente mxima do transistor). Este valor quase sempre garante a saturao dos transistores de baixa e mdia potncia. Transistores Darlington Os transistores de potncia geralmente tm ganhos menores e precisam correntes altas na base para a plena conduo. Por exemplo, um transistor 2N3055 pode exigir 3A para controlar uma corrente de 15A. Para solucionar este problema, existe um tipo de transistor bipolar que se chama Darlington, e nada mais do que dois transstores em um nico encapsulamento, conforme mostra a figura 2.5.4. Neste caso, o valor de hFE muito grande, e uma corrente bem pequena na base j leva o transstor ao estado de plena conduo. O preo pago por esta sensibilidade corrente o fato de que aqui a barreira de tenso o dobro (dois diodos), e preciso que a tenso na base tenha uma diferena de 1,2V em relao ao emissor para que comece a ocorrer a conduo. Mosfet de potncia canal N Este outro tipo de transstor funciona de forma diferente dos anteriores. Aqui a resistncia entre dois terminais, o dreno (drain) e a fonte (source), determinada pela tenso aplicada a um terceiro teminal, a porta (gate). O dreno ligado alimentao positiva atravs da carga e a fonte ligado ao terra. A fonte as vezes chamada de "supridouro". Inicialmente a resistncia entre o dreno e a fonte um valor muito alto, praticamente um circuito aberto, mas medida que a tenso na porta aumenta, esta resistncia cai, chegando a um valor que praticamente um circuito fechado. Geralmente esta

D (dreno) G (porta) S (fonte ou supridouro)

Figura 2.5.5 - Mosfet canal N.

D G S
Figura 2.5.6 - Analogia hidrulica de um Mosfet de canal N.

conduo comea quando a tenso na porta chega a cerca de trs volts e atinge a menor resistncia possvel quando a tenso na porta atinge cerca de 10 volts. Aqui tambm importante que o transstor seja levado plena conduo para que a potncia dissipada seja a menor possvel. O valor da resistncia do MOSFET quando ele est no estado "ligado" fornecida pelo fabricante nos datasheets. Como a potncia dissipada o produto desta resistncia pelo quadrado da corrente, aconselhvel escolher sempre o MOSFET que tiver a menor resistncia de estado "ligado".

C G E carga

NO!

carga

Figura 2.5.7 - A carga no deve ser ligada nem ao emissor, nem fonte (s).

Notas sobre bipolares e mosfets

+V
E B

+V
carga

No servem para controlar correntes alternadas. Os MOSFETS so mais caros que os transstores bipolares, mas funcionam melhor como chaves. O terminal de controle (base ou gate) tem sua tenso comparada com a tenso no emissor ou na fonte, portanto, no uma boa idia colocar a carga em srie com estes terminais (figura 2.5.7). Lembre tambm que, entre o emissor e a base, o transstor se comporta como um diodo e, portanto, no boa idia acionar os transistores bipolares ligando sua base diretamente tenso de alimentao ou ao terra. Isto equivale a um curtocircuito (figura 2.5.8). Podemos considerar que os MOSFETS possuem uma resistncia de entrada (impedncia) infinita. Isto significa que no consomem corrente em sua porta, apenas aquela necessria para "encher" o terminal, devido a uma pequena capacitncia que deve ser levada em considerao nas altas freqncias. Isto pode ser comprovado pela experincia mostrada na figura 2.5.9. O MOSFET, uma vez "carregado" com uma tenso positiva em sua porta, permanece conduzindo mesmo depois da tenso ser desconectada. preciso "descarregar" a porta no terra para parar a conduo. Sempre se deve colocar um diodo em paralelo com uma carga indutiva, como mostra a figura 2.5.10. Quando a corrente flui normalmente, o diodo no conduz, mas quando o fluxo de corrente cortado, o indutor gera uma tenso inversa muito alta, que seria capaz de destruir o transistor se no fosse dissipada pelo diodo.

C carga

NO!

Figura 2.5.8 - O acionamento no deve ser feito por ligao direta sem resistor.
+12V +12V

corrente zero

D S

D S

+9 volts

Figura 2.5.9 - O MOSFET retm a carga na porta.

Diodo

Carga indutiva (indutor, rel, transformador etc.) Chave eletrnica (transistor bipolar, MOSFET, SCR etc.)

Figura 2.5.10 - Sempre se deve colocar um diodo em paralelo com cargas indutivas.

+12V

QUENTE ! corrente zero D S

luz fraca

+3 volts

Figura 2.5.11

Quando utilizados como chave, com uma corrente ou tenso que garanta a plena conduo, tanto os transistores bipolares como os MOSFETS dissipam pouca potncia, pois a queda de tenso entre seus terminais pequena. Ainda assim, para correntes muito altas, pode ser necessrio o uso de um dissipador para garantir o bom funcionamento do componente. Entretanto, quando no so levados ao estado de plena conduo, dissipam muito mais energia, com o conseqente aquecimento (fig. 2.5.11).

+0,6V* a +30V

+6V BC548
B carga C
mximo de 100 mA

+6V

+6V
B lmpada pequena de 6V C B C

E B C

cada mA que entra na base provoca um aumento de 100 a 800mA no emissor (hfe= ganho = 100 a 800)

E Emissor ligado ao terra (-)

desligado

ligado

Figura 2.5.12 - Funcionamento de um transistor NPN de pequena potncia atuando como chave.

+0,6V* a +30V

+6V +6V
Emissor ligado ao +V B E B E

+6V

BC558
mximo de 100 mA

B cada mA que sai da base provoca um aumento de 75 a 475mA no emissor (hfe= ganho = 100 a 800)

B C

C carga

E B C

desligado

ligado

Figura 2.5.13 - Funcionamento de um transistor PNP de pequena potncia atuando como chave.

max. 200V

+12V
lmpada de farol resistncia que pode ser desde muito baixa (curto) at muito alta (megaohms)

+12V

IRF640

carga D G S Comea a conduzir com uma tenso de 2 a 4V no Gate. Conduz 100% com 10V ou mais.
mximo de 18 A

D S

re sistncia que pode ser desde muito baixa (curto) at muito alta (megaohms)

D S

D G S

desligado

ligado

Figura 2.5.14 - Funcionamento de um MOSFET canal N de potncia atuando como chave.

Tabela 2.3: Caratersticas de transistores comuns:

BC337 BC338 BC546 BC547 BC548 BC549 BC327 BC557 BC558 Imax (A) 0,5 0,5 0,1 0,1 0,1 0,1
E B C

Baixa potncia e uso geral - srie BC

Vmax (V) 45 25 65 45 30 30 45 45 30 hFE 100-800 100-800 110-450 110-800 110-800 200-800 100-800 75-475 75-475

NPN

Pot max(W) Obs. 0,8 0,8 Transistores de baixa potncia e uso 0,5 geral. O mais popular o BC548. 0,5 0,5 0,5 Igual ao 548, mas com menos rudo. 0,8 0,5 0,5 Complementar do BC337. Complementar do BC547. Complementar do BC548.

Resistncia em srie com a base para uma tenso de acionamento de:** 5V 9V 12V 470 680 1000 1200 1200 1800

PNP

0,5 0,1 0,1

470 680

1000 1200

1200 1800

Imax (A) 2N2222 NPN 2N2222A

C B E E B C

Baixa potncia - diversos

Vmax (V) 30 hFE

Pot max(W)

Obs. Transistor NPN de uso geral, com capacidade de corrente um pouco maior. Encontrado em encapsulamento metlico (2N2222) ou plstico (2N2222A). Particularmente popular nos Estados Unidos.

Resistncia em srie com a base para uma tenso de acionamento de:** 5V 9V 12V

0,8 40

40-300

0,5

100

150

220

BF494

NPN
B E C

0,03

20

65-220

0,3

Para freqncias at 100MHz.

1000

1800

2400

BD135 BD137 BD139 BD136 BD138 BD140

Imax (A) NPN

metal atrs

Mdia potncia e uso geral - srie BD

1,5 Vmax (V) 45 60 80 45 60 80 hFE 25-250

Pot max(W)

Obs.

Resistncia em srie com a base para uma tenso de acionamento de:** 5V 9V 12V

1,25 a 12,5* Transistores de mdia potncia e uso geral. 1,25 a 12,5* Complementar ao BD135 Complementar ao BD137 Complementar ao BD139

47

82

120

PNP

EC B

1,5

25-250

Imax (A) TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 TIP3055 TIP2955 NPN PNP NPN PNP NPN-Darlington PNP-Darlington NPN-Darlington PNP-Darlington NPN PNP 3

Alta potncia - srie TIP

Vmax (V) 100 hFE

Pot max(W) 2 a 40*

Obs. Pares complementares de transistores de uso geral e alta potncia. A letra C no final indica que a voltagem mxima entre emissor e coletor de 100V. A indicaria 60V e B 80V.

Resistncia em srie com a base para uma tenso de acionamento de:** 5V 9V 12V 22 47 56

10-50

100

15-75

2 a 65*

10

18

24

100

1000 (min.)

2 a 65*

470 Pares complementares de transistores Darlington de uso geral e alta potncia. 220 Par complementar clssico de alta potncia em ecapsulamento TO-220.

1000

1200

10

100

1000 (min.)

max. 125*

470

560

15

100

5 70

max. 90*

1,5***

2,7***

3,9***

Imax (A) 2N3055 2N2955 NPN

Alta potncia - diversos.

Vmax (V) hFE

Pot max(W)

Obs.

Resistncia em srie com a base para uma tenso de acionamento de: 5V 9V 12V 3,9***

Par complementar clssico de alta 1,5*** 2,7*** potncia em ecapsulamento metlico. PNP 15 100 5 70 max. 90* * Depende da temperatura em que mantido o coletor. Dissipadores e refrigerao aumentam a potncia mxima. ** Valores de resistores comerciais que deixam passar uma corrente na base de aproximadamente 1/15 da corrente mxima do transistor (Imax).

*** Valores calculados considerando o ganho (hFE) mnimo do transistor. Para manter a corrente de base em um valor pequeno que garanta a plena conduo, este valor deve ser calculado de acordo com as caractersticas do circuito, pois possvel que correntes menores garantam a saturao (plena conduo). Considere tambm a possibilidade de substituir o transistor por outro do tipo darlington, como o TIP142 ou TIP147.

MOSFETs de potncia - canal N

Imax (A) 30 50 49 50 53 18 8 6,2 Vmax (V) 60 60 55 50 55 200 500 600 Resistncia Tenso para quando est comear a Pot max (W) ligado () conduzir (V) 88* 0,050 150* 0,028 94* 0,018 150* 0,024 2a4 107* 0,017 125* 0,18 125* 0,85 62,5* 1,5 Tenso para deixar ligado(V)

IRFZ34 IRFZ44 IRFZ44N IRFZ46 IRFZ46N IRF640 IRF840 6N60

CANAL N (enhanced)

10

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