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Apostila Tiristor SCR PDF
Apostila Tiristor SCR PDF
Tiristor SCR
Retificador Controlado de Silcio
Campinas - 2005
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 2
NOTA DO AUTOR
Esta apostila um material de apoio didtico utilizado pelo autor nas suas aulas de Eletrnica Industrial para
Os Cursos de nvel tcnico e Superior. [COTUCA e UNIP].
Este material no tem a pretenso de esgotar, tampouco inovar o tratamento do contedo por ele abordado
mas, simplesmente, facilitar a dinmica de aula, com expressivos ganhos de tempo e de compreenso do
assunto por parte dos alunos.
Este trabalho foi construdo com base nas referncias, devidamente citadas ao longo do texto, nas notas de
aula e na experincia do autor na abordagem do assunto com os alunos.
Em se tratando de um material didtico elaborado em uma Instituio Pblica de Ensino, permitida a
reproduo do texto, desde que devidamente citada a fonte.
Quaisquer contribuies e crticas construtivas a este trabalho sero bem-vindas pelo autor.
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ndice:
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Tiristor SCR
(Silicon Controlled Rectifier)
Retificador Controlado de Silcio
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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 5
nodo A nodo A
P
J1
N
Gatilho J2
G
P
Gatilho J3
N
G
Ctodo K Ctodo K
Figura 1.1 SCR: Simbologia, Camadas e Junes
nodo Ctodo
P N
A N P K
Gatilho G
Figura 1.2 Um tipo de estrutura interna das camadas de um SCR
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Figura 1.4 SCR com encapsulamentos tipo rosca e tipo disco para altas potncias [ref. 3]
2. SCR IDEAL:
Um SCR ideal se comportaria com uma chave ideal, ou seja, enquanto no recebesse um
sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tenses de valor infinito, tanto com
polarizao direta como reversa. Bloqueado, o SCR ideal no conduziria qualquer valor de
corrente. Tal caracterstica representada pelas retas 1 e 2 na Figura 2.1.
Quando disparado, ou seja, quando comandado por uma corrente de gatilho IGK, o SCR
ideal se comportaria como um diodo ideal, como podemos observar nas retas 1 e 3. Nesta
condio, o SCR ideal seria capaz de bloquear tenses reversas infinitas e conduzir, quando
diretamente polarizado, correntes infinitas sem queda de tenso e perdas de energia por Efeito
Joule.
Assim como para os diodos, tais caractersticas seriam ideais e no se obtm na prtica.
Os SCR reais tm, portanto, limitaes de bloqueio de tenso direta e reversa e apresentam
fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tm limitaes de conduo de
corrente, pois apresentam uma pequena resistncia circulao de corrente e queda de tenso
na barreira de potencial das junes que provocam perdas de energia por Efeito Joule e
conseqente aquecimento do componente.
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(a)
IA
A K
+ VAK -
IA
(b)
3
1 2
VAK
Figura 2.1 - (a) polarizao direta (b) caractersticas estticas de um SCR ideal. [ref. 1]
3. POLARIZAO DIRETA:
A figura 3.1 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar:
Tenso do nodo positiva em relao ao Ctodo
J1 e J3 polarizadas diretamente
J2 polarizada reversamente: apresenta maior barreira de potencial
Flui pequena Corrente de Fuga Direta de nodo para Ctodo, IF (Forward Current).
Bloqueio Direto DESLIGADO
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b) +A
a) +
+ A
G
K
-K
nodo A
c)
(+)
P
J1
+++++++++++
N
+++++++++++
+++++++++++
Gatilho
J2
G P
J3
+++++++++++
Ctodo K
()
Figura 3.1 a) SCR bloqueado em polarizao direta; b) analogia com diodos
b) efeito da polarizao direta nas junes;
4. POLARIZAO REVERSA:
A figura 4.1 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar:
Tenso de Ctodo positiva em relao ao nodo
J2 diretamente polarizada
J1 e J3 reversamente polarizadas: apresentam maiores barreiras de potencial
Flui pequena Corrente de Fuga Reversa de Ctodo para nodo, IR (Reverse Current).
Bloqueio Reverso DESLIGADO
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-A
b)
a)
A
G +
+ K
+K
nodo A
c)
()
P
J1
+++++++++++
+++++++++++
N
+++++++++++
Gatilho
J2
P
G
+++++++++++
J3
+++++++++++
Ctodo K
(+)
Figura 4.1 a) SCR bloqueado em polarizao reversa; b) analogia com diodos
c) efeito da polarizao reversa nas junes
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nodo A
(+)
P
J1
+++++++++++
N
+++++++++++
+++++++++++
J2
IGK
G P
(+) J3
+++++++++++
Ctodo K
()
Figura 5.1 Disparo de um SCR
Como entre o gatilho e o ctodo h uma juno PN, temos uma tenso de aproximadamente
0,7V. Desta forma, analisando o circuito da figura 5.2. podemos determinar os requisitos para o
circuito de disparo do SCR.
VDISPARO IG
V DISPARO = I G RG + 0,7
Um SCR pode disparar por rudo de corrente no gatilho. Para evitar estes disparos
indesejveis devemos utilizar um resistor RGK entre o gatilho e o ctodo que desviar parte do
rudo, como indica a figura 5.3. Em alguns tipos de SCR, a resistncia RGK j vem internamente no
componente para diminuir sua sensibilidade.
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Para entrar em conduo o SCR deve conduzir uma corrente suficiente, cujo valor mnimo
recebe o nome de Corrente de Reteno IL (Latching Current). O SCR no entrar em conduo
se a Corrente de Gatilho IGK for suprimida antes que a Corrente de nodo IA atinja o valor da
Corrente de Reteno IL.
Uma vez retirada a corrente de gatilho, a mnima Corrente de nodo IA para manter o SCR
em conduo chamada Corrente de Manuteno IH (Holding Current). Se a Corrente de nodo
for menor que a Corrente de Manuteno, as barreiras de potencial formam-se novamente e o
SCR entrar em Bloqueio.
A Corrente de Reteno maior que a Corrente de Manuteno (IL > IH). O valor de IL em
geral de duas a trs vezes a corrente de manuteno IH. Ambas diminuem com o aumento da
temperatura e vice-versa.
por este motivo que dizemos que o SCR uma Chave de Reteno (ou Travamento)
porque uma vez em conduo, permanece neste estado enquanto a Corrente de nodo IA for
maior que a Corrente de Manuteno (IA > IH), mesmo sem corrente no gatilho (IGK).
5.2. Sobretemperatura:
5.3. Sobretenso:
Se a tenso direta nodo-ctodo VAK for maior que o valor da tenso de ruptura direta
mxima VDRM (VBO), fluir uma corrente de fuga suficiente para levar o SCR ao estado de
conduo.
Isto acontece porque o aumento da tenso VAK em polarizao direta acelera os portadores
de carga na juno J2 que est reversamente polarizada, podendo atingir energia suficiente para
provocar a avalanche e disparar o SCR. Este fenmeno faz com que muitos eltrons choquem-se
e saiam das rbitas dos tomos do semicondutor ficando disponveis para conduo e permitindo
o aumento da corrente de fuga no SCR e levando-o ao estado de conduo.
O disparo por sobretenso direta diminui a vida til do componente e, portanto, deve ser
evitado.
A aplicao de uma sobretenso reversa, ou seja, uma tenso nodo-ctodo maior que o
valor da tenso de ruptura reversa mxima (VRRM ou VBR) danificar o componente.
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V/
5.4. Degrau de Tenso dv/dt ( t):
Se a taxa de crescimento da tenso nodo-ctodo VAK no tempo for alta (subida muito
rpida da tenso VAK) pode levar o SCR ao estado de conduo. Em polarizao direta a Juno
J2 est reversamente polarizada e se comporta como um capacitor carregado, como podemos
observar na figura 5.1.
nodo A
(+)
P
J1
+++++++++++
iC
N
+++++++++++
+++++++++++
J2
G P
J3
+++++++++++
Ctodo K
()
Figura 5.1 Disparo por degrau de tenso
dv
iC = C
dt
Assim, quando for aplicada uma tenso VAK a capacitncia da Juno J2 far circular uma
corrente no gatilho tanto maior quanto maior for a variao da tenso no tempo (v/t). Esta
corrente no gatilho pode ser suficiente para disparar o SCR.
O valor mximo de dv/dt dado pelo fabricante em catlogos. O disparo por degrau de
tenso deve ser evitado pois pode provocar queima do componente ou disparo intempestivo. O
circuito de proteo chamado de Snubber e ser estudado adiante.
Se for permitida a penetrao de energia luminosa (luz) ou radiante (ftons, raios gama,
nutrons, prtons, eltrons ou raios X) nas junes do semicondutor, haver maior combinao de
pares eltrons-lacunas, provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de
conduo. o caso do SCR ativado por luz, chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated
Silicon Controlled Rectifier).
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nodo IA=IT
IA
Q1 P IB1=IC2
J1
N N
Gatilho J2 J2
IGK
P P IC1
J3 IB2
Q2 N
IGK
Ctodo IK
Figura 6.1 Modelo de um SCR com dois transistores complementares
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esteja totalmente carregado e que a chave pode ser um outro semicondutor (um outro SCR ou um
transistor, por exemplo).
IA (A)
IAmx Tenses VAK para
3 diferentes correntes de
Gatilho IGK
IL
VRRM IH 2
1/r0
VBR
E0 VBO VAK (V)
IF
IR VTO VDRM
1
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Observao: A maioria dos SCR apresentam IGT entre 0,1 a 50mA. IGT e VGT variam
inversamente com a temperatura. O caso mais crtico, portanto, ocorre em altas temperaturas.
Como exemplo, temos os dados de catlogo fornecidos pelo fabricante para o tiristor:
SCR Aegis A1N:16.06J [ref.3]
SCR encapsulamento tipo rosca
Tenso de ruptura reversa mxima (VRRM) 600V
Corrente de nodo mdia admissvel (IAKmed) 16A
Corrente de nodo eficaz admissvel (IAkef) 35A
Tenso direta em conduo (E0) 1,0V
Resistncia em conduo (r0) 18m
Corrente de disparo mnima (IGT) 150mA
Tenso Mnima de Gatilho (VGT) 2,0V
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A Figura 9.1 mostra o circuito para o estudo do disparo do SCR, onde VCC a fonte que
alimentar a resistncia de carga atravs do SCR. A fonte VG fornecer a corrente de gatilho IGK
atravs da resistncia limitadora RG.
Considere que no instante inicial t0 a chave Ch1 fechada e a fonte VG fornece a corrente
IGK ao gatilho.
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VG
IG
VAK
90%
10%
t
to td tr
t on
Para o estudo da dinmica de bloqueio utilizamos o circuito da Figura 9.3, que acrescenta
uma fonte de tenso reversa Vr e a chave Ch2 ao circuito da Figura X. O indutor Lp representa
uma indutncia parasita que influencia no decaimento da corrente do SCR.
Enquanto o SCR conduz a corrente de carga, a chave Ch2 encontra-se aberta. Quando, em
t = t0 , a chave Ch2 fechada, inicia-se o processo de bloqueio do SCR. No instante t = t1, a
chave Ch2 novamente aberta e o SCR encontra-se bloqueado.
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Podemos observar o processo dinmico de bloqueio do SCR pela Figura 9.4. Aps o tempo
de recuperao do SCR trr, para que o SCR possa bloquear efetivamente necessrio manter a
tenso reversa por um tempo igual ou maior do que tq. Isto necessrio para que o SCR possa
alcanar o equilbrio trmico e permanecer bloqueado at ser aplicada corrente em seu gatilho. A
corrente reversa mxima (IRM) tem valor limitado e que depende das caractersticas do SCR e do
circuito.
O tempo tq varia desde 5 s para os SCR rpidos (SCR Inversores) at 50 a 400 s para os
SCR lentos (SCR Controladores de Fase).
Portanto, a freqncia de operao, ou velocidade de chaveamento requerida num circuito
definir o tipo de SCR a ser utilizado. Os fabricantes fornecem os valores nominais associados
velocidade atravs da freqncia mxima fmax bem como os tempos de ligao ton e de
desligamento tq ou toff.
iA
IL
IF
t
I RM IR
vAK
E1
EO
to t1 t
E2
ts
tf
t rr
tq
t inv
Figura 9.4 - Caracterstica dinmica de bloqueio do SCR, mostrando o tempo mnimo de aplicao
de tenso inversa tq. [ref. 1]
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IA
A K
EO rO
O SCR conduzindo dissipa uma potncia eltrica (em Watts) na forma de calor que pode ser
calculada por:
PSCR = E0 I med + r0 I ef
2
onde:
PSCR perda de potncia no SCR durante a conduo (W)
E0 tenso nodo-ctodo durante a conduo (V)
r0 resistncia em conduo (m)
Imed valor mdio da corrente de nodo (A)
Ief valor eficaz da corrente de nodo (A)
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ALTA BOM
BAIXA CURTO
BAIXA BOM
ALTA ABERTO
BAIXA BOM
ALTA DUVIDOSO
ALTA BOM
BAIXA CURTO
ALTA BOM
BAIXA CURTO
Se em polarizao direta e sem a conexo do gatilho, a leitura do ohmmetro for baixa, isso
indicar um curto-circuito entre nodo e ctodo. Se ao conectar o gatilho a leitura do ohmmetro
no diminuir, o SCR estar aberto. Se estiver conduzindo e voltar ao bloqueio quando do gatilho
for desconectado, sua condio de operao ser duvidosa pois talvez a corrrente fornecida pela
bateria do instrumento no seja suficiente para atingir a corrente de manuteno (IH).
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Em polarizao reversa a leitura do ohmmetro deve ser sempre muito alta, mesmo com a
conexo do gatilho.
Observao Importante:
Este mtodo deve ser usado com cautela pois a tenso do ohmmetro aplicada ao gatilho
pode ser alta o suficiente para danificar o componente. O teste mais adequado deve ser feito com
um instrumento traador de curvas.
I/
12.1. Proteo contra Degrau de Corrente di/dt ( t):
Quando o SCR comea a conduzir, a corrente de nodo fica concentrada em uma rea
relativamente pequena prxima ao gatilho. necessrio um certo tempo para que a conduo se
espalhe por igual em toda a pastilha semicondutora.
Entretanto, se ocorrer um Degrau de Corrente, rpido crescimento da corrente de nodo IA,
podero formar-se pontos quentes (hot spots) no semicondutor e queimar o componente por
sobre-temperatura. Este Degrau de Corrente dado pela taxa com que a corrente varia no tempo,
ou di/dt (I/t) e expresso em Ampres por microssegundos (A/s).
Limita-se o di/dt com uma pequena indutncia em srie com o SCR, pois esta se ope s
variaes bruscas de corrente, amortecendo a subida da corrente no nodo. A Indutncia
requerida pode ser determinada pela equao:
VP
L
(di / dt )max
Onde:
L indutncia (H0
(di/dt)max degrau de corrente mximo admissvel (A/s)
VP tenso de pico (V)
V/
12.2. Proteo contra Degrau de Tenso dv/dt ( t):
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Quando o SCR for acionado, o capacitor descarregar e sua corrente se somar ao di/dt
apresentado pelo circuito original. Portanto, uma resistncia RS deve ser colocada em srie com o
capacitor para amortecer a descarga e limitar a corrente transitria no disparo.
Para um determinado degrau de tenso, os componentes do circuito Snubber podem ser
calculados pela equao:
V DRM
CS
Rc arg a ( dt )
dv
max
VDRM
RS =
( )
di
dt max
Para aumentar a eficincia do Snubber, um diodo DS pode ser ligado em paralelo com RS.
Quando o dv/dt for grande, o diodo curto-circuitar RS, mas quando o di/dt for grande, o diodo
estar desligado.
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Ao fecharmos a chave Ch1 o SCR entra em conduo pois uma corrente CC aplicada no
gatilho, que est diretamente polarizado pela fonte VCC. Uma vez conduzindo, o sinal de gatilho
pode ser removido pela abertura da chave Ch1. O resistor Rg limita a corrente no gatilho e o diodo
D limita a amplitude de um possvel sinal negativo no gatilho em aproximadamente 1V. Em alguns
casos, o diodo D pode ser substitudo por um resistor RGK com a funo de proteo do gatilho,
como estudado no item sobre proteo do SCR.
No recomendado o uso de sinal de gatilho CC para disparar SCR em aplicaes CA
porque um sinal positivo durante o semiciclo negativo aumenta a corrente de fuga reversa IR e
pode danificar o componente.
Aplicando a Lei das Tenses de Kirchhoff podemos determinar o valor da resistncia Rg
para limitar a corrente de gatilho, em funo da fonte Vg e da tenso mxima de gatilho admitida
pelo componente:
VG RG I G VGK
(VG VGK )
RG =
IG
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Exemplo 15.1:
O SCR da Figura 15.1(a) apresenta uma corrente mxima de gatilho de 100mA e mxima tenso
VGK de 2V. Sendo a tenso VG de 15V, determine a resistncia RG que fornecer corrente
suficiente para o disparo.
VG I G RG VGK = 0
I G RG = VG VGK
(VG VGK ) (15 2)
RG = = = 130
IG 100 10 3
A figura 16.1 mostra um circuito bastante simples para o controle de fase a partir do sinal CA
e de uma rede resistiva no gatilho. Durante o semiciclo positivo o SCR est em bloqueio direto.
Num dado instante a tenso VCA proporciona uma tenso e, conseqentemente, uma corrente no
gatilho suficiente para disparar o SCR. Esse instante pode ser controlado pelo potencimetro R1.
Exemplo 16.1.1:
Para o circuito de disparo CA com rede resistiva da figura 16.1, determinar o valor da
resistncia R1 e do potencimetro P1 tal que proporcionem uma corrente no gatilho suficiente para
disparar o SCR em 2o, 15o, 30o, 60o e 90.
Dados:
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v( t ) = 2 127 sen (t ) V
f = 60Hz
Rcarga = 100
RGK = 1k
SCR TIC106
IGK=200A
VGTK=0,6V
Soluo:
O objetivo determinar as resistncias que fazem com que a tenso em RGK seja suficiente
para provocar a corrente mnima para disparo do SCR, IGK.
Usando a tcnica do Equivalente Thvenin para os ramos do circuito de controle, temos o
circuito equivalente da figura 16.2.
R GK v(t )
Vth =
R GK + R x
R Rx
R th = GK
R GK + R x
Como queremos determinar o valor de Rx que suprem a corrente necessria IGK para o
disparo do SCR, analisando a malha do Equivalente Thvenin, determinamos a corrente que ele
fornece ao gatilho:
Vth VGK
IG =
R th
Substituindo nesta equao as equaes para o clculo de Vth e de Rth e isolando Rx,
encontramos:
R GK v(t ) VGK R GK
Rx =
VGK + R GK I GK
Substituindo os valores conhecidos de RGK , IGK e VGK, encontramos;
1000 v(t ) 0,6 1000
Rx =
0,6 + 1000 200
R x = 1250 v(t ) 750
Concluimos, ento, que a resistncia necessria funo da tenso instantnea v(t). Como
queremos disparar o SCR em diversos ngulos, basta determinarmos qual o valor da tenso
instantnea nestes ngulos e finalmente a resistncia Rx que proporciona a corrente de disparo
nestes mesmos ngulos:
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(o ) v(t) (V) )
Rx (
2 6,3 7,13
15 46,5 57,38
30 89,8 111,5
60 155,5 193,62
90 179,6 223,75
Desta tabela, podemos deduzir os valores mnimos e mximos para a resistncia Rx:
Rx mnimo = 7,13
Rx mximo = 223,75
O valor mnimo dado pelo resistor R1 e o valor mximo pela soma das resistncias R1+R2,
ou seja, R2 ser o valor de Rx R1:
Dentre os valores comerciais disponveis, podemos determinar finalmente o valor dos
componentes:
R1 = 6,8k
R2 = 220k
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Durante o semiciclo negativo o SCR se mantm em bloqueio reverso. O diodo em srie com
o gatilho garante a unidirecionalidade do sinal de disparo evitando assim, sinais no gatilho no
semiciclo negativo.
A tenso de disparo, sobre o capacitor, est atrasada em relao tenso da rede, por um
ngulo . O valor dessa defasagem depende da constante de tempo de carga do capacitor: =
R.C = (R1 + R2).C1.
Variando R2 varia o ngulo e portanto varia tambm o ngulo de disparo do SCR.
D1 garante que s haver corrente no gatilho no semiciclo positivo, preservando o SCR.
D2 conduz no semiciclo negativo, carregando C1 com tenso negativa. Isso garante que no
incio de cada semiciclo positivo, o capacitor sempre esteja carregado com uma tenso fixa
(negativa), mantendo a regularidade do disparo.
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A figura 16.6 apresenta um circuito de disparo com sinal CA usando um diodo Schokley.
Enquanto a tenso no capacitor for menor que a tenso Schokley, o diodo estar cortado e o SCR
no entrar em conduo.
MT1 MT2
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Para o controle de fase adequado, os circuitos de disparo com sinais pulsados devem ser
sincronizados com o sinal senoidal, ou seja, devem oscilar em relao ao zero da senide.
B2
B2
E P
E
N
B1 B1 B1
Figura 17.1 Simbologia, diagrama equivalente e estrutura interna do TUJ
O transistor unijuno atua como uma chave controlada por tenso. Quando a tenso de
emissor atingir a tenso de pico do transistor unijuno, este dispara conduzindo entre emissor e
base 1, na regio de resistncia negativa. Quando a tenso de emissor decair ao ponto de vale, o
transistor unijuno corta. Entre B1 e B2 o transistor unijuno apresenta uma resistncia na faixa
de 4,7 a 9,1k. A figura 17.2 apresenta a curva caracterstica para um transistor unijuno..
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+VCC
Rf
R2
P1
Q1
UJT
TP
+ G
C1
-VCC K
VC = VE
Vp
Vv t
VB2 = Vsada
Vp
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+VCC TP
Rf G
D1
R2 K
P1
Q1
UJT
C1 Q2
NPN
R1
-VCC
A figura 17.6 apresenta uma etapa de sincronismo a ser conectada como fonte de
alimentao para o oscilador. O diodo D1 retifica em meia onda o sinal do secundrio do
transformador e o diodo Zener DZ mantm a tenso a ser aplicada ao oscilador que ser
praticamente uma onda quadrada, sincronizada com a senide do secundrio. O resistor RZ limita
a corrente no Zener. O circuito oscilar somente enquanto houver tenso aplicada e o disparo do
tiristor ser no primeiro pulso gerado no instante determinado pelo tempo de carga controlado
pelo potencimetro do oscilador. A figura 17.7 mostra o oscilador gerando os pulsos sincronizados
com o sinal senoidal aplicado.
Ao oscilador
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Quando carregado com a tenso de disparo do Schokley (ou do Diac), se descarrega atravs
deste injetando uma corrente de disparo no SCR. Rapidamente o capacitor se descarrega e faz o
Schokley (ou o Diac) cortar, repetindo o processo. As formas de onda so semelhantes s da
figura 17.4.
Este circuito requer baixa potncia da fonte Vcc para carregar o capacitor e fornece uma
potncia alta em um curto intervalo de tempo, garantindo assim, o disparo do SCR.
R DIAC
SCR
+
Vcc C
Existem muitos outros circuitos pulsados para o disparo de tiristores, como por exemplo:
Oscilador com o circuito integrado 555;
Circuito Integrado dedicado a disparos de tiristores TCA-785 da Siemens;
Via programao (software) em circuitos microcontrolados e microprocessados;
outros
Para obter mais informaes sobre este assunto ou esclarecer alguma dvida, fale com o
professor ou consulte:
http://www.corradi.junior.nom.br
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Optoacoplador
Optoacoplador
Os circuitos de disparo e os acopladores devem ser conectados aos gatilhos dos SCR
atravs de um ou mais componentes de proteo, cada qual com sua funo, como indica a figura
18.4.
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P.2. Determine o valor mximo da resistncia de carga que vai assegurar a conduo do SCR
no circuito abaixo. O SCR tem uma corrente de manuteno de 200mA. Explique.
Resp.: 1040.
P.3. Uma fonte de tenso de 220Vef aciona uma resistncia de carga de 10 atravs de um
SCR. Determine o valor de uma indutncia L a ser includa no circuito para limitar o degrau
de corrente em 20A/s. Resp.: 15,6H
P.5. Um SCR tem VDRM de 600V, degrau de tenso mximo de 25V/s, degrau de corrente
mximo de 30A/s e usado para acionar uma carga resistiva de 100. Dimensione os
valores mnimos para o circuito snubber para que no ocorra acionamento intempestivo.
Sendo a tenso aplicada de 311V, qual a resistncia mnima para limitar a descarga em
5A? Explique. Resp.: 0,24F; 4,5m; 62,2.
P.6. Obtenha os parmetros da tabela 8.1 para os seguintes SCR: TIC-106D, TIC-116E, Aegis
A1N60.10.H, Aegis A5F1000.20HY, Semikron SKT16/04C e BT151-500R.
P.14. Qual o valor mnimo da indutncia L para proteger um SCR contra dv/dt sendo seu valor de
10A/s e a tenso de 220V? Como deve ser conectado?
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Rcarga = 10
a) Explique sua conexo e funcionamento.
b) Desenhe os esquemas para conectar quatro SCR em srie e em paralelo. Quais as
vantagens?
P.19. Em um teste com multmetro, quais as condies que um SCR pode estar defeituoso?
Porque?
P.21. Considerando o circuito de fase com SCR da figura 16.1, onde RGK=1,5k, a carga uma
lmpada de 220V/100W e o SCR o TIC116D:
a) calcule R1 e R2 para os seguintes ngulos de disparo do SCR: 5; 20; 45; 60; 90 e 150
graus;
b) simule em computador para obter as formas de onda das tenses na lmpada para cada
ngulo de disparo do SCR;
c) calcule a tenso mdia e eficaz, bem como a potncia mdia na lmpada, para cada ngulo
de disparo do SCR (considere que a lmpada mantm a sua resistncia nominal)
Dados:
TIC 116 D
IGK = 5mA (min) e 20mA (mx)
VGK = 1,5V
Para obter mais problemas sobre este assunto ou esclarecer alguma dvida, fale com o
professor ou consulte:
http://www.corradi.junior.nom.br
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[2] RASHID, M.H.; Eletrnica de Potncia Circuitos, Dispositivos e Aplicaes, Makron Books,
So Paulo, 1999.
[6] ANDRADE, E.A.; Eletrnica Industrial Anlise de Dispositivos e suas Aplicaes, 1a edio,
Editora CEFET/BA, Salvador, 1996.
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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 42
ANEXOS:
A corrente de nodo mxima que um SCR pode suportar depende da temperatura mxima
da juno do semicondutor (TJ). Essa temperatura no pode ser excedida.
Medir TJ no fcil, mas podemos medir e controlar as tenses e correntes do SCR que
contribuem para o aumento de TJ. A maior contribuinte a corrente eficaz repetitiva IT(RMS).
A corrente eficaz (RMS, Root Mean Square) o valor usado para rotular o SCR pois diz
respeito dissipao de calor. J a corrente mdia IT(AVG) diz respeito ao acionamento da carga.
A corrente mdia igual corrente eficaz em circuitos de corrente contnua puros.
Entretanto, o valor mdio menor que o eficaz para outras formas de onda. Para senides puras
o valor eficaz dado pela relao:
I pico
I eficaz =
2
Determinar o valor eficaz de uma forma de onda no senoidal no tarefa fcil. Podemos
simplificar os clculos fazendo uma aproximao da forma de onda no senoidal a uma forma de
onda retangular cuja altura seja igual ao valor de pico e cuja largura seja igual durao do pico,
como mostra a figura 18.1. O valor eficaz resultante ser maior, mas proporcionar um bom fator
de segurana.
I I
Imx Imx
0
o
180o ngulo ( )
o
0
o
o
180
o
ngulo ( )
t t
t0 t0
T T
Figura 18.1 Aproximao da forma de onda real
Assim:
2
I pico t0
I eficaz =
T
I pico t 0
I mdio =
T
Podemos ento definir Fator de Forma (FF) como sendo a relao do valor eficaz pelo valor
mdio:
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I eficaz
FF =
I mdio
O ngulo de Conduo corresponde ao tempo em que o SCR fica ligado, como mostra a
figura 18.1. A tabela 18.1 apresenta o Fator de Forma em funo do ngulo de Conduo.
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