Curso de Especialização Tecnológica:

Automação, Robótica e Controlo Industrial

UFCD 5126 Electrónica Industrial

(Semicondutores)

Formador: Jorge Oliveira

Novembro de 2018

CFPIC – Academia do Design e Calçado

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 1. INTRODUÇÃO AOS SEMICONDUTORES ................................................................. 3
1.1 INTRODUÇÃO ....................................................................................................................... 3
1.2 TEORIA DAS BANDAS DE ENERGIA....................................................................................... 3
1.3 CONDUÇÃO NOS SEMICONDUTORES................................................................................... 4
1.4 LIGAÇÃO COVALENTE .......................................................................................................... 4
1.5 SEMICONDUTORES TIPO P E TIPO N ................................................................................... 5
1.5.1 SEMICONDUTORES EXTRÍNSECO DO TIPO N ................................................................... 5
1.5.2 SEMICONDUTORES EXTRÍNSECO DO TIPO P ................................................................... 6
1.6 JUNÇÃO PN ......................................................................................................................... 6
1.7 CAMADA DE DEPLEÇÃO OU BARREIRA DE POTENCIAL ........................................................ 7
2. DÍODOS DE JUNÇÃO PN............................................................................................... 8
2.1 JUNÇÃO PN ......................................................................................................................... 8
2.2 POLARIZAÇÃO DIRETA E POLARIZAÇÃO INVERSA DE UM DÍODO ......................................... 8
2.3 CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DÍODO .............................................................................. 9
2.4 CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DÍODO IDEAL .................................................................. 10
2.5 OUTRAS CARACTERÍSTICAS DOS DÍODOS ......................................................................... 10
2.6 ANÁLISE DA FOLHA DE DADOS DE UMA DÍODO [1N4001-1N4007].................................. 11
3. ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DÍODOS ................................................................. 15
3.1 DÍODO IDEAL...................................................................................................................... 15
3.2 ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DÍODOS – 2.ª APROXIMAÇÃO .............................................. 16
3.3 ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DÍODOS – 3.ª APROXIMAÇÃO .............................................. 17
4. DÍODOS ZENER ............................................................................................................ 18
4.1 GENERALIDADES ............................................................................................................... 18
4.2 CARACTERÍSTICA U- I DE UM DÍODO DE ZENER ................................................................ 18
4.3 RESISTÊNCIA ZENER ......................................................................................................... 19
4.4 REGULADOR DE TENSÃO COM DÍODO DE ZENER .............................................................. 19
4.5 REGULADOR DE TENSÃO EM CARGA ................................................................................. 20
5. DÍODOS EMISSORES DE LUZ ................................................................................... 21
5.1 DÍODOS EMISSORES DE LUZ - LED .................................................................................... 21
5.2 RESISTÊNCIA LIMITADORA................................................................................................. 22
5.3 VISUALIZADOR DE SETE SEGMENTOS ............................................................................... 22
5.4 FOTODÍODO ....................................................................................................................... 23
6. CIRCUITOS RETIFICAÇÃO/FILTRAGEM E ESTABILIZAÇÃO ............................. 23
6.1 INTRODUÇÃO ..................................................................................................................... 23
6.2 CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO ............................................................................................. 24
6.3 RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA - PONTE DE GRAETZ ............................................ 26
6.4 CIRCUITOS DE FILTRAGEM COM CONDENSADOR .............................................................. 28
6.5 CIRCUITOS DE ESTABILIZAÇÃO.......................................................................................... 30

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1. INTRODUÇÃO AOS SEMICONDUTORES

1.1 INTRODUÇÃO
O termo semicondutor é usado para descrever materiais que têm características entre isolantes e os condutores. Os
mais utilizados são o germânio ( Ge ) e o silício ( Si ). O germânio é um elemento frágil de cor branco - acinzentada. O
silício é um elemento não metálico, abundante na Natureza (areia, quartzo ou cristais), de cor branca e algumas vezes
como dióxido de silício, também designado por sílica.
Os semicondutores servem essencialmente como materiais básicos à construção de alguns dos mais importantes
componentes eletrónicos. Os três dispositivos semicondutores mais comuns são os díodos, transístores e circuitos
integrados.
Os dispositivos semicondutores são extremamente pequenos, bastantes leves, com consumos de potência muito baixos
e com alta eficiência e segurança.
Com a evolução tecnológica obtém-se uma maior capacidade de integração, conseguindo-se colocar num único circuito
integrado centenas de componentes, que podem ser díodos, transístores, resistências ou condensadores.
Os componentes semicondutores, que hoje em dia ocupam o lugar antes reservado às válvulas eletrónicas, apresentam
como vantagem a ausência de filamento, conseguindo-se deste modo um funcionamento imediato.
São também vantagens o funcionamento a tensões reduzidas ( 1 a 25 Volts ), a sua reduzida dimensão, robustez bem
como o menor custo, devido à possibilidade de produção em série. A principal desvantagem é a sua alterabilidade com
a temperatura, deteriorando-se se for ultrapassado o limite da sua potência.

1.2 TEORIA DAS BANDAS DE ENERGIA

Consideremos um cristal imaginário composto de vários átomos e onde é possível variar o espaço entre os átomos sem
modificar a sua estrutura cristalina.
Quando se aproximam os átomos do nosso modelo imaginário, cada átomo exercerá forças elétricas sobre os vizinhos.
Devido a este acoplamento, e se a distância interatómica crescesse suficientemente, poderão existir vários eletrões-volt
de diferença entre o mínimo e o máximo nível de energia que cada eletrão pode assumir, ao movimentar-se na sua
órbita. A esse grande número de níveis de energia dá-se o nome de banda de energia.
De entre as bandas de energia destacam-se a banda de valência e a banda de condução, que em algumas situações
são separadas por uma banda proibida, que traduz a inexistência de eletrões com esses níveis de energia.
Conforme esta zona proibida é maior, menor ou nula, assim teremos isolantes, semicondutores e condutores. Vejamos
com mais pormenor.

Isolantes:
A estrutura é semelhante à indicada na figura 1.1. Para um cristal de diamante (carbono) a zona proibida é de cerca de
6 eV. Esta larga zona separa as regiões de valência e de condução.
A energia que pode ser aplicada exteriormente não é suficiente para arrancar um eletrão da sua órbita e colocá-lo numa
banda vaga. Deste modo, o eletrão não pode adquirir energia suficiente para se tornar livre, sendo impossível a
condução.

Semicondutor:
São as substâncias para as quais a zona proibida é relativamente pequena, cerca de 1 eV. O germânio e o silício têm,
respetivamente, 0,785 e 1,21 eV à temperatura de 0º K. Estes materiais às temperaturas ambientes são isolantes,
contudo, a continuidade aumenta com a temperatura, razão pela qual estas substâncias são designadas por
semicondutores intrínsecos.

Condutores:
A estrutura não contém banda proibida, pelo que as bandas de valência e de condução misturam-se. Sob influência
dum campo elétrico exterior, os eletrões podem adquirir a energia adicional para se moverem para níveis energéticos
superiores. Esta mobilidade dos eletrões forma a corrente neste tipo de substâncias – os condutores.

Figura 1.1 - Bandas de condução e de valência

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1.3 CONDUÇÃO NOS SEMICONDUTORES
A condutividade é proporcional à concentração de eletrões livres, que varia de 1028 eletrões / m3 para bons condutores
a cerca de 107 eletrões / m3 para isolantes.
O silício tem 14 eletrões na sua estrutura atómica. Cada átomo tem, pois, na sua última camada, 4 eletrões de valência,
que no entanto formam pares de eletrões com átomos vizinhos, como se representa de forma simplificada na figura 1.2.

Figura 1.2 - Ligações covalentes no silício

1.4 LIGAÇÃO COVALENTE

Com esta partilha dos eletrões entre átomos vizinhos, cada um deles parece ter oito eletrões e não quatro eletrões de
valência. A movimentação destes eletrões de valência faz com que cada eletrão esteja fortemente ligado ao núcleo,
com o que se produzem forças atrativas que ligam os átomos numa estrutura cristalina específica como se representa
na figura acima. Esta forças atrativas representam uma ligação uma ligação covalente.

Apesar de ter quatro eletrões de valência, o cristal é fraco condutor em condições normais, por não possuir eletrões que
se possam facilmente tornar livres. Para se romperem estas ligações covalentes e surgirem eletrões livres será
necessário aplicar elevadas temperaturas ou campos elétricos intensos.
Lacunas:
A 0º K não existem, na estrutura do semicondutor, portadores livres. À temperatura ambiente algumas ligações
covalentes rompem-se e é possível a condução elétrica. A energia necessária para se romper a ligação covalente é de
1,1 eV para o Si e, 0,72 eV para o Ge à temperatura ambiente. O eletrão livre deixa um espaço aberto denominado
buraco ou lacuna, que mais não é que a ausência do eletrão. A importância das lacunas deve-se ao facto de servirem
de portadores de eletricidade com eficiência comparável à dos eletrões.

Quando uma órbita está incompleta é relativamente fácil a um eletrão de valência dum átomo vizinho ocupar o lugar
livre, ou seja, a lacuna. Ao ocupar essa 1ª lacuna, o eletrão deixa atrás de si uma nova lacuna, ou seja, a lacuna existe
agora no local anteriormente ocupado pelo eletrão. O processo pode repetir-se agora com eletrões e átomos vizinhos.
Verifica-se que o movimento de eletrões é num sentido e o de lacunas no sentido contrário.
No semicondutor puro (intrínseco) o número de lacunas é igual ao número de eletrões livres. A agitação térmica
continua a produzir pares de eletrão – lacuna, enquanto outros pares eletrão - lacuna desaparecem como resultado das
recombinações. O número de lacunas p é igual ao número de eletrões livres n.

Figura 1.3 - Movimento dos eletrões e lacunas - condução intrínseca

O material semicondutor puro é submetido a uma diferença de potencial; os eletrões livres são atraídos para o terminal
positivo (+) da fonte, sendo as lacunas atraídas pelo terminal negativo ( - ). Logo que os eletrões entram no terminal
positivo, um número igual deixa o terminal negativo.
Estes eletrões são injetados no lado esquerdo do semicondutor indo muitos deles combinar-se com as lacunas, que
deixam de existir. As lacunas como deslocam-se para a esquerda, dirigindo-se para o terminal negativo do gerador.
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 Figura 1.4 - Condução intrínseca nos semicondutores

Alguns dos eletrões que se dirigem para o terminal positivo são eletrões de valência que romperam as suas ligações,
produzindo assim lacunas, estas como que entram pelo lado direito, vindas do terminal positivo.
A corrente no semicondutor consiste no movimento de eletrões e lacunas, embora no exterior só haja movimento de
eletrões. Note-se que a corrente é de fraca intensidade.

Se ao germânio ou silício intrínsecos for adicionada uma pequena percentagem de átomos trivalentes (com 3 eletrões
de« valência) ou pentavalentes ( com 5 eletrões de valência ), teremos um semicondutor dopado, ou com impurezas
extrínsecas.
As impurezas utilizadas são:
 Trivalentes : Boro ( B ); Alumínio ( Al ); Gálio ( Ga ); Índio ( In)
 Pentavalentes : Fósforo ( P ); Arsénio ( As ); Antimónio ( Sb )

A impureza introduzida é da ordem de um átomo por cada 1016 átomos de semicondutor. Após a introdução da impureza
a condutibilidade é essencialmente devida à sua presença – diz-se que a condutividade é extrínseca.

1.5 SEMICONDUTORES TIPO P E TIPO N

1.5.1 SEMICONDUTORES EXTRÍNSECO DO TIPO N

Se ao Ge, por exemplo, juntarmos uma pequena porção de um elemento pentavalente, como o fósforo ( P ) ou arsénio
( As ), os átomos desta impureza substituirão, na rede cristalina, alguns átomos do semicondutor. Quatro dos cinco
eletrões de valência irão constituirão quatro ligações covalentes com os eletrões periféricos dos átomos vizinhos do
semicondutor.

O quinto eletrão, não podendo participar em qualquer ligação covalente, pode, à temperatura ambiente, libertar-se
facilmente do átomo a que pertence e tornar-se num eletrão livre.

Figura 1.5 - Constituição do semicondutor tipo N

As substâncias pentavalentes são conhecidas são conhecidas como impurezas dadoras e o material assim formado
designasse por semicondutor tipo N.
É o que se representa na figura, onde ao silício foram introduzidas impurezas de arsénio ( As ). Note-se que ao
abandonar o átomo da impureza, o eletrão excedente vai criar um ião positivo que constituirá uma carga fixa.
A condutibilidade extrínseca é devida aos eletrões livres, que são os portadores em maioria.

Num semicondutor tipo N ( iões dadores ) teremos:

 Eletrões – portadores maioritários, provenientes da impureza;

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  Lacunas – portadores minoritários
O ião dador é representado por um sinal ( + ), porque depois deste átomo de impureza ter “ fornecido ” um eletrão torna-
se um ião positivo. Cada sinal ( + ) dentro de uma circunferência indica um átomo pentavalente e cada sinal ( - ) exprime
o eletrão livre com que esse átomo contribui para o semicondutor.

Figura 1.6 - Representação esquemática de um semicondutor tipo N

1.5.2 SEMICONDUTORES EXTRÍNSECO DO TIPO P

Se agora se efetuar a dopagem do Ge ou do Si por um elemento trivalente, como os átomos de alumínio ou índio, os
três eletrões de valência dos átomos das impurezas apenas conseguem constituir três ligações covalentes. Uma ligação
fica por formar por falta de um eletrão, ou seja, originou-se uma lacuna.
Estas substâncias, trivalentes, são conhecidas por impurezas aceitadoras e o material semicondutor assim formado por
semicondutor tipo P.

Figura 1.7 - Constituição do semicondutor tipo P

Num semicondutor tipo P ( iões aceitadores ) teremos:

 Lacunas – portadores maioritários
 Eletrões – portadores minoritários,

Os iões aceitadores são indicados por ( - ), porque depois do átomo aceitar um eletrão torna-se um ião negativo.
Neste tipo de semicondutor, a condução é efetuada, fundamentalmente, por intermédio das lacunas. Cada sinal ( - )
envolvido por uma circunferência representa um átomo trivalente e cada sinal ( + ) simboliza um buraco na sua orbita
de valência.

Figura 1.8 - Representação esquemática de um semicondutor tipo P

1.6 JUNÇÃO PN
Por si só, um pedaço de semicondutor tipo N é quase tão útil como uma resistência de carvão; idêntica afirmação pode
ser proferida acerca de um semicondutor tipo P. Mas, quando se dopa um cristal de tal forma que uma metade seja tipo
P e a outra metade do tipo N, resulta algo de novo e interessante.

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A fronteira entre os materiais do tipo P e tipo N chama-se junção PN. Esta junção levou a diversas espécies de
invenções, como díodos, transístores e circuitos integrados
Como se analisou atrás, cada átomo trivalente num cristal de silício dopado origina um buraco. Por isso, visualiza-se
um pedaço de semicondutor tipo P pelo desenho da figura 1.9. Analogamente, os átomos pentavalentes e os eletrões
livres num semicondutor tipo N são visualizados no lado direito da figura 1.9.

Note-se que cada pedaço de material semicondutor é eletricamente neutro, porque o número de sinais mais iguala os
sinais menos.

Figura 1.9 - Semicondutor tipo P ( á esquerda ) e semicondutor do tipo N ( à direita )

Um fabricante pode produzir um único cristal com material tipo P num lado e tipo N no outro, como ilustra a figura 1.10.
A junção é a fronteira onde se encontram as regiões tipo P e tipo N.

Figura 1.10 - Junção PN

1.7 CAMADA DE DEPLEÇÃO OU BARREIRA DE POTENCIAL

Devido à repulsão exercida entre si, os eletrões livres no lado n da tendem a difundir-se ( espalhar-se ) em todas as
direções. Alguns eletrões livres difundem-se através da junção. Quando um eletrão livre entra na região P torna-se um
portador minoritário. Com tantos buracos á sua volta, este portador minoritário possui uma curta duração de vida. Pouco
depois de entrar na região P, o eletrão ocupa um buraco. Logo que isto acontece, o buraco desaparece e o eletrão livre
torna-se num eletrão de valência.
Cada vez que um eletrão se difunde através da junção cria um par de iões. O eletrão ao sair do lado N deixa atrás de si
um átomo pentavalente que se tornará num ião positivo. Depois do eletrão migrante ter caído num buraco no lado P
resulta um ião negativo do átomo trivalente que o captou.

Na figura 1.11 ( a ) mostra estes iões em cada lado da junção. Os sinais + dentro da circunferência representam iões
positivos e os sinais - envolvidos por circunferências simbolizam iões negativos. Os iões estão fixos à estrutura cristalina
devido a ligações covalentes, não se podendo mover à volta como acontece com os eletrões livres e buracos.

Cada par de iões positivo e negativo na junção chama-se dípolo. A criação de um dípolo significa que um eletrão livre e
um buraco deixaram de circular. Como a formação Oe dípolo aumenta, a região vizinha da junção é esvaziada de
portadores.

Esta região sem carga elétrica denomina-se de camada de depleção ou barreira de potencial - figura 1.11 ( b ).

Cada dípolo possui um campo elétrico entre os iões positivo e negativo. Por conseguinte, se entram novos eletrões
livres na camada de depleção, o campo elétrico tende a repeli-los de novo para a região N. A intensidade do campo
elétrico aumenta com a passagem de eletrões até se atingir um equilíbrio. Numa primeira aproximação significa que o
campo elétrico acaba por parar a difusão de eletrões através da junção. Na figura 1.11 ( a ) o campo elétrico entre os
iões equivale à diferença de potencial designada potencial de barreira ou potencial da barreira de potencial.

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À temperatura de 25ºC, o potencial de barreira é aproximadamente igual a 0,3 V nos semicondutores de germânio e
0,7V nos semicondutores de silício.

Figura 1.11 - Criação de iões na junção ( á esquerda ). Camada de depleção ( à direita )

EXERCÍCIO DE APLICAÇÃO – ASSOCIAÇÃO DE GERADORES

1. Descreva, sucintamente, a diferença entre semicondutor intrínseco e um semicondutor extrínseco.

2. Explique a processo de dopagem na formação de um semicondutor do tipo P e do tipo N.

3. Explique como se forma a camada de depleção ou barreira de potencial através da junção dos semicondutores tipo
P e tipo N.

2. DÍODOS DE JUNÇÃO PN

2.1 JUNÇÃO PN
A junção PN formada anteriormente designa-se por díodo de junção. É constituindo, como vimos, por um material do
tipo N e outro do tipo P. A figura 2.1 esquematiza o símbolo gráfico de um díodo. O lado P chama-se ânodo e o lado n
designa-se por cátodo. O símbolo do díodo parece uma seta apontar do lado P para o lado N, ou seja, do ânodo para o
cátodo. Esta seta indica o sentido convencional da corrente elétrica quando o díodo está polarizado diretamente.

Figura 2.1 - Símbolo do díodo e sua constituição interna

2.2 POLARIZAÇÃO DIRETA E POLARIZAÇÃO INVERSA DE UM DÍODO

Polarização direta:
Se o terminal positivo do gerador for ligado ao lado do semicondutor tipo P e o terminal negativo ao semicondutor do
tipo N, os eletrões do material tipo P, próximo do pólo positivo, rompem as suas ligações, criam novas lacunas, entrando
os eletrões no gerador. Por outro lado, os eletrões do pólo negativo são lançados no material tipo N e difundem-se
através da junção.

A região de carga espacial torna-se mais estreita, porque alguns destes portadores maioritários se combinam com iões
e a barreira de potencial diminui de valor. Os eletrões da zona tipo N, portadores maioritários, podem facilmente
atravessar a junção e movimentar-se através do material tipo P até ao pólo positivo do gerador. O processo inverso dá-
se com lacunas do material tipo P. Ao contrário, o movimento dos portadores minoritário, lacunas da região N e eletrões
da região P, é dificultado. O fluxo dos maioritários, eletrões e lacunas é assim elevado enquanto tivermos aplicada uma
tensão externa de polarização direta.

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 Figura 2.2 - Díodo polarizado diretamente

Polarização inversa:
Ligando o terminal positivo do gerador ao lado N e o terminal negativo ao lado P teremos a junção inversamente
polarizada. O fluxo de corrente é bastante diminuto.
Nesta situação os eletrões livres, portadores maioritários do material tipo N, são atraídos em direção ao pólo positivo do
gerador e, portanto, afastam-se da junção. Simultaneamente, as lacunas, portadores maioritários do lado P, são atraídas
pelo pólo negativo do gerador e afastam-se da junção.

Resulta que a região de carga espacial da junção torna-se mais larga, aumentando consequentemente a barreira de
potencial, aproximando-se da do gerador. Intensidade de corrente é então muito pequena e devida unicamente aos
portadores minoritários, ou seja, os eletrões da zona P, que são atraídos pelo pólo positivo do gerador, e as lacunas da
zona N, que são atraídas pelo pólo negativo do gerador. Os valores típicos desta corrente são da ordem dos μA para o
Ge e da ordem dos nA para o Si.

Figura 2.3 - Díodo polarizado inversamente

2.3 CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DÍODO

Podemos verificar o comportamento do díodo de junção obtendo a sua característica tensão - corrente.

Figura 2.4 - Curvas características do díodo de germânio e do díodo de silício

Pela sua analise verificamos que:

 Quando inversamente polarizado, a intensidade de corrente varia muito pouco com a tensão aplicada, sendo
designada por I0 – corrente inversa de saturação. Esta assume valores da ordem dos μA para díodos de
germânio e da ordem dos µA para díodos de silício.

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 Aumentando a tensão inversa, a intensidade de corrente sofre um brusco aumento que só é limitado pelo
circuito externo, diz-se que o díodo está na região de rutura. Nesta situação poderá surgir a destruição do
díodo.

 Quando polarizado diretamente, verificamos que a corrente direta do díodo começa a assumir valores
razoáveis a partir de determinado valor tensão – chamada tensão de arranque Uγ .Esta tensão marca o valor
a partir do qual a corrente cresce rapidamente, e que é de cerca de 0,2 / 0,3 V para os díodos de germânio
e de 0,6 V / 0,7 V para os díodos de silício.

Verifica-se que são semelhantes as curvas características dos dois díodos na zona inversa. Na região direta, diferem
na tensão de arranque UƳ.

2.4 CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DÍODO IDEAL

A figura 2.5 mostra a curva característica tensão - corrente de um díodo ideal. Esta representação exprime-se por:

 Tensão de arranque igual a 0 volts. Resistência nula quando em polarização direta. ∀ u = 0 ; i > 0.
 Corrente na região inversa igual a 0 amperes. Resistência infinita em polarização inversa. ∀ u < 0 ; i = 0.

Figura 2.5 - Curvas características do díodo ideal ( a ). Comportamento do díodo ideal ( b ).

Como se verifica pelo gráfico o díodo comporta-se como um interruptor. É impossível construir tal dispositivo, mas isto
seria o que um fabricante produziria se o conseguisse.

2.5 OUTRAS CARACTERÍSTICAS DOS DÍODOS

As características de um díodo, como dos restantes semicondutores, encontram-se descritas numa folha de dados –
data sheet - fornecida pelo fabricante onde se especifica determinadas propriedades, comportamentos, gráficos e todas
as informações relevantes ao funcionamento do componente eletrónico.

Corrente contínua direta máxima

Se a corrente num díodo for demasiado grande, o calor excessivo pode queimar o díodo. A corrente contínua máxima
é um dos valores estipulados numa folha de dados. Esta corrente refere-se por ID,max ( do inglês Imax, IF(max), etc,
conforme o fabricante ).
Por exemplo, um díodo 1N456 tem um valor estipulado da corrente direta máxima igual a 135 mA. Isto significa
que o díodo 1N456 pode conduzir permanentemente em segurança uma corrente direta de 135 mA.

Potência de dissipação
A potência de dissipação num díodo calcula-se da mesma maneira que numa resistência. Ou seja, é igual ao produto
da tensão pela corrente que o percorre. Assim, teremos:
PD = UD . ID

A potência estipulada, indicada na folha de dados, é a potência máxima que o díodo pode dissipar em segurança, sem
encurtar a sua duração, nem degradar as suas propriedades. Assim, esta definição exprime-se por:

PD,max = UD, max . ID, max

Em que UD,max é a tensão do díodo correspondente a ID,max.

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Por exemplo, se um díodo apresentar a tensão máxima de 1 V e a corrente máxima de 2 A, a sua potência
estipulada será de 2 W.

EXERCICIO RESOLVIDO

1. O díodo da figura representada abaixo está polarizado diretamente ou inversamente. Explique, sucintamente, a sua
afirmação

O díodo encontra-se diretamente polarizado uma vez que, o terminal positivo da fonte de alimentação está ligado ao
ânodo enquanto o terminal negativo se encontra ligado ao cátodo. Desta forma o potencial do ânodo é superior ao do
cátodo.

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – DÍODOS DE JUNÇÃO

1. Os díodos da figura seguinte estão polarizados diretamente ou inversamente. Fundamente, convenientemente, a

sua resposta.

2. Um díodo apresenta uma potência estipulada de 5 W. Se a tensão do díodo é de 1,2 V e a corrente do díodo de
1,75 A, determine a correspondente potência de dissipação. O díodo será danificado com os valores apresentados?
Justifique a sua resposta.

2.6 ANÁLISE DA FOLHA DE DADOS DE UMA DÍODO [1N4001-1N4007]

O objetivo principal numa análise de uma folha de dados será:
 Verificar as características apresentadas referentes ao componente em questão.
 Analise e interpretação dos parâmetros e gráficos nelas existentes.

As folhas de dados poderão ser encontradas através da Internet num qualquer motor de busca. O componente em
estudo será o díodo retificador da série 1N4001 a 1N4007 que poderá ser encontrado através dos seguintes sites:
 http://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4004.pdf
 http://e-www.motorola.com

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  www-us.semiconductors.philips.com/ acrobat/datasheets/1N4001G_1.pdf
 http://www.microsemi.com/datasheets/MSC0138.pd

Figura 2.6 - Formato do díodo retificador ( encapsulamento DO-41 )

Características mecânicas ( Mechanical characteristics )

Invólucro: Epóxido, moldado. – Case: Epoxy, molded
Peso: 0,4 g ( aproximadamente ). – Weight: 0,4 gram ( approximately )

Acabamento: Superfícies externas resistentes à corrosão e pontas terminais soldadas fixamente. – Finish: all external
surfaces corrosion resistant and terminal leads are reaadily solderable.

Temperatura das pontas terminais e da superfície de montagem para fins de soldadura: 220 ºC max. Em 10 s, 1/40 cm
da cápsula. – Lead and mounting surface temperature for soldering purposes: 220 ºC max for 10 seconds, 1/16’’
from case.

Polaridade: Cátodo indicado por uma fita de polaridade. - Polarity: Cathode indicated by polarity bande.

Marcação: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007. – Marking: 1N4001, 1N4002, 1N4003,
1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007.

Estipulações máximas ( Maximum ratings )

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Características elétricas ( Electrical characteristics )

Interpretação da folha de dados

Tensão inversa de disrupção:
A folha de dados do díodo apresentado refere-se um díodo retificador usado nas fontes de alimentação ( circuitos que
convertem tensão alternada em tensão contínua ). Podemos visualizar a série do 1N4001 ao 1N4007 da qual
passaremos a analisar o 1N4001:

Tabela I - Tensão inversa de disrupção num díodo 1N4001

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Estes três diferentes símbolos de disrupção especificam a destruição do díodo sob determinadas condições de
operação. O importante será saber que a tensão de disrupção deste díodo é de 50 V, independentemente de como se
utiliza. Esta disrupção ocorre porque no díodo surge uma avalanche quando repentinamente aparece uma grande
quantidade de portadores na camada de depleção. Com um díodo retificador como o 1N4001, geralmente a disrupção
provoca danos irreparáveis.
No 1N4001 a tensão inversa de 50 V representa um nível destruidor para as características do díodo, que os projetistas
evitam atingir em todas as condições de operação. Por isso, um projetista considera um certo fator de segurança. Não
existe, contudo, uma regra absoluta para se definir este fator de segurança, porque o seu valor depende de muitos
fatores do projeto. Num projeto conservador, onde se impõe o lado segurança, usa-se um fator de segurança de “ nível
” 2, ou seja, nunca se permite atingir mais de 25 V na tensão inversa de um 1N4001. Num projeto menos conservador
pode-se chegar a 40 V nos terminais do díodo.

Corrente direta máxima

Analisemos agora a corrente direta retificada média. Em qualquer díodo da série teremos

Tabela II - Corrente direta máxima dos díodos em análise

Este valor indica que os díodos podem suportar até 1 A no sentido direto quando usado como retificador.

Um projetista considera 1 A como o valor estipulado máximo absoluto do díodo, um nível de corrente direta não pode
sequer ser aproximado. Possivelmente, o projetista atende a um fator de segurança de “ nível ”2. Por outras palavras,
um projeto fiável garantirá que a corrente direta seja inferior a 0,5 A em todas as condições de operação. Estudos das
falhas de dispositivos mostram que a duração de vida de um dispositivo diminui à medida que se aproxima do valor
máximo estipulado.
É por isso que alguns projetistas usam um fator de segurança de 10:1 ou seja mantêm a corrente direta máxima dos
díodos apresentados em 0,1 A ou menos.

Queda de tensão direta

A primeira coluna das características elétricas refere-se á queda de tensão direta num díodo instantânea máxima. Estas
medições são efetuadas com um sinal alternado, pelo que aprece a palavra instantânea na especificação.

Tabela III - Queda de tensão direta dos díodos em análise

Um díodo 1N4001, por exemplo, tem uma queda de tensão direta igual a 0,93 V quando a corrente é de 1A e a
temperatura de junção igual a 25 ºC. Se forem testados milhares de díodos 1N4001 verifica-se que alguns apresentam
1,1 V aos terminais para a corrente de 1 A.

Corrente inversa máxima

Outra característica importante que merece realce é a corrente inversa máxima, que se define como a corrente
inversa com a máxima tensão inversa estipulada em corrente contínua ( 50 V no caso do díodo 1N4001 ).

_______________________________________________________________________________

14
 Tabela iV - Corrente inversa máxima dos díodos em análise

À temperatura de 25 ºC, o 1N4001 possui a corrente inversa típica de 0,05 μA ou seja, 50 nA. Mas note-se que este
valor aumenta para 1μA quando a temperatura aumenta para 100 ºC.
Da análise dos valores anteriores verifica-se como a temperatura é importante nos semicondutores. Um projeto que
exija uma tensão inversa inferior a 0,05 μA trabalhará corretamente com um díodo 1N4001 á temperatura de 25 ºC, mas
falhará se a temperatura atingir os 100ºC.

3. ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DÍODOS

3.1 DÍODO IDEAL

Na maioria das vezes não se exige uma solução exata de um circuito com díodos, por isso usam-se aproximações
simples, referentes ao díodo ideal. Um díodo ideal poderá ser equiparada a um comutador ( interruptor ), pois este
possui uma resistência nula quando polarizado diretamente, à semelhança do comutador quando se encontra fechado
e, uma resistência infinita quando polarizado inversamente, analogamente ao comutador quando este se encontra na
posição aberta. Verifiquemos esta característica no exercício seguinte.

EXERCICIO RESOLVIDO

1. O Considere o circuito básico constituído por um díodo ideal e uma resistência de 1 KΩ. Determine a tensão na
resistência e a corrente que a percorre.

Como o díodo é ideal e está polarizado diretamente, ânodo com potencial positivo, a sua tensão de arranque é nula,
teremos:
URL = 10 V
a corrente que percorre o circuito é calculada por:

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – CIRCUITOS COM DÍODOS

1. Calcule a tensão nos terminais da resistência de carga RL bem como a corrente que a percorre. Utilize o teorema
de Thévenin à esquerda dos pontos A e B.
NOTA: Considere o díodo ideal

_______________________________________________________________________________

15
3.2 ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DÍODOS – 2.ª APROXIMAÇÃO
A aproximação ideal é aplicável na maioria das reparações de avarias nos circuitos eletrónicos, contudo, por vezes,
exige-se maior exatidão dos valores da corrente de carga e tensão de carga. Nestas situações utiliza-se a segunda
aproximação.
A figura 3.1 representa a característica corrente - tensão quando se aplica a segunda aproximação. A característica
mostra-nos que não existe corrente abaixo da tensão de arranque, ou seja, no caso do silício Uγ = 0,7 V. O díodo
começa a conduzir a partir da sua tensão de arranque, mantendo essa tensão aos seus terminais qualquer que seja a
corrente.

Figura 3.1 - Curvas características do díodo na segunda aproximação ( a ). Esquema equivalente ( b )

O equivalente de um díodo, segundo a segunda aproximação, será um comutador ( interruptor ) em série com uma fonte
de tensão de valor igual à tensão de arranque do díodo. Quando a tensão for superior à tensão de arranque do díodo o
comutador encontra-se fechado, caso contrário, se a tensão aplicada for inferior à tensão de arranque, o comutador
está aberto.
De salientar, mais uma vez, a tensão aos terminais do díodo será sempre 0,7 V, no caso do material semicondutor ser
silício, para qualquer corrente direta.

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – CIRCUITOS COM DÍODOS

1. Considere o circuito básico constituído por um díodo e uma resistência de 1 KΩ. Calcule, utilizando a segunda
aproximação, a tensão na resistência de carga, a corrente que a percorre e a potência no díodo.

_______________________________________________________________________________

16
2. Aplicando o teorema de Thévenin determine a tensão nos terminais da resistência de carga R L, a corrente que a
percorre e a potência no díodo. Utilize a segunda aproximação na análise do díodo.

3.3 ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DÍODOS – 3.ª APROXIMAÇÃO

Na terceira aproximação de um díodo inclui-se a resistência que o díodo apresenta. Esta resistência do díodo define- -
se como resistência de volume RV.
A resistência de volume depende das dimensões das regiões P e N, e da respetiva dopagem ser maior ou menor.
Após a tensão de arranque a corrente do díodo aumenta rapidamente. Isto significa que pequenos aumentos de tensão
do díodo causam grandes subidas na corrente do díodo. Depois de ter ultrapassado o potencial da barreira de potencial,
o que se opõe à corrente é a resistência óhmica das regiões P e N. Por outras palavras, se as regiões P e N fossem
dois pedaços de semicondutor, cada um teria uma resistência que se poderia medir com um ohmímetro, tal como uma
resistência.
A soma dessas resistências óhmicas diz-se resistência de volume do díodo. Define-se:
RV = RP + RN

Frequentemente, a resistência de volume é inferior a 1 Ω.

A figura do exercício anterior mostra o efeito da resistência de volume na característica do díodo. Depois de um díodo
de silício entrar em condução, a tensão cresce proporcionalmente ao aumento da corrente. Quanto maior for a corrente
mais elevada será a tensão do díodo, devido à queda de tensão na resistência de volume.
O esquema equivalente da terceira aproximação é um comutador em série com uma fonte de tensão de valor igual á
tensão de arranque do díodo e uma resistência RV. Se a tensão do díodo for maior que 0,7 V o díodo conduz. Durante
a condução, a tensão total do díodo será dada por:
UD = 0,7 + RV.ID

Quando a resistência de volume for inferior a 1 Ω, poderá desprezar-se nos cálculos.

Figura 3.2 - Curvas características do díodo na terceira aproximação ( a ). Esquema equivalente ( b )

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – CIRCUITOS COM DÍODOS

1. Analise o circuito da figura seguinte utilizando a terceira aproximação. A resistência de volume R V é de 30 Ω. Defina
o valor da tensão na resistência, a corrente no circuito e a potência no díodo.

_______________________________________________________________________________

17
2. Utilizando a terceira aproximação e, considerando a resistência do díodo igual a 30 Ω. Analise o circuito eletrónico
apresentado a seguir e indique qual o valor da tensão de saída UO, nas condições indicadas.

Condição 1: U1 = 10 V ; U2 = 0 V.
Condição 2 : U1 = 10 V ; U2 = 5 V
Condição 2 : U1 = 0 V ; U2 = 0 V

4. DÍODOS ZENER

4.1 GENERALIDADES
Os díodos para pequenos sinais e os díodos de retificação nunca operam intencionalmente na zona de disrupção,
porque isso poderia danifica-los. Um díodo zener é diferente, trata-se de um díodo de silício que o fabricante otimizou
para operar na zona de disrupção. O díodo zener é o componente essencial dos reguladores de tensão eletrónicos,
circuitos estes que mantêm a tensão da carga quase constante apesar de haver grandes variações na tensão da rede
elétrica de alimentação e na resistência de carga.

Figura 5.1 - Símbolos do díodo de Zener ( de notar a forma de Z do traço que indica o cátodo )

4.2 CARACTERÍSTICA U- I DE UM DÍODO DE ZENER

A figura 5.2 representa a curva característica da corrente – tensão num díodo Zener. Na zona direta o díodo começa a
conduzir á volta dos 0,7 V, tal como um díodo vulgar de silício. Entre o zero e a zona de disrupção o díodo apenas tem
uma pequena corrente inversa. Num díodo zener a disrupção ou designada também como tensão zener, apresenta uma
grande curvatura, seguida de um aumento de corrente quase na vertical. Note-se que a tensão é quase constante,
aproximadamente igual a UZ na maior parte da disrupção.
Variando o nível de dopagem dos díodos de silício, os fabricantes produzem díodos zener com tensões de disrupção
ou tensões zener entre cerca de 2 V até 1000 V.
As folhas de dados ( data sheet ) especificam normalmente o valor de UZ e uma corrente IZ por vezes referida como IZT-
corrente de teste.

_______________________________________________________________________________

18
 Figura 5.2 - Característica U - I de um díodo de Zener

4.3 RESISTÊNCIA ZENER

Na terceira aproximação de um díodo de silício, a tensão direta do díodo é igual à tensão de arranque mais a tensão
adicional retida nos terminais da resistência de volume.
Analogamente, na zona de disrupção a tensão inversa do díodo iguala a tensão de disrupção ou tensão de zener mais
a tensão adicional retida nos terminais da resistência de volume. Na zona inversa a resistência de volume designa-se
por resistência zener. Nas análises que se seguem iremos desprezar esta resistência, considerando assim o díodo de
zener ideal.

4.4 REGULADOR DE TENSÃO COM DÍODO DE ZENER

O díodo de zener é por vezes denominado por díodo regulador de tensão, uma vez que, mantêm a tensão de saída
constante mesmo que varie a corrente que o percorre.
Para se verificar esta estabilização de tensão o díodo deverá ser polarizado inversamente, já que polarizado diretamente
comporta-se como um díodo de silício vulgar. Além desta condição a tensão da fonte de alimentação deverá ser superior
que a tensão de zener ou tensão de disrupção do díodo.
Utiliza-se ainda uma resistência em série com o díodo zener para limitar a corrente através do zener abaixo da sua
corrente estipulada máxima, caso contrário, o díodo destruía-se como qualquer dispositivo com excessiva dissipação
de potência. Analisemos o que foi dito anteriormente através do circuito representado na figura 5.3.

Figura 5.3 - Analise do circuito regulador de tensão

Suponhamos que pretendemos calcular o valor da corrente elétrica que percorre o díodo zener. Para tal, basta calcular
a corrente no circuito uma vez que se trata de um circuito série. Portanto a corrente que circula no circuito será dada
por:

De salientar que esta corrente deverá ser inferior à corrente máxima estipulada.
Se pelo contrário, pela análise da folha de dados obtivermos o valor da corrente zener de teste - IZ - e pretendermos
definir o valor da resistência a colocar em série com o díodo procedemos da seguinte forma:

_______________________________________________________________________________

19
 EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – DÍODOS ZENER

1. Considere o circuito apresentado na figura seguinte que define um regulador de tensão. Considere o díodo de zener
ideal e a sua tensão de zener de 10 V. Defina quais os valores mínimo e máximo da corrente de zener no circuito.

4.5 REGULADOR DE TENSÃO EM CARGA

Iremos agora analisar um circuito regulador de tensão em carga, ou seja, quando está ligado a algum dispositivo. O
díodo zener está a funcionar na zona inversa e mantêm constante a tensão na carga R C. Mesmo que a tensão da fonte
de alimentação varie ou a resistência de carga se altere, a tensão nos terminais da carga permanece fixa e igual à
tensão de zener.

Figura 5.4 - Analise do circuito regulador de tensão em carga

Pretendemos calcular qual a corrente no díodo de zener, não será de analise direta como á pouco uma vez que a
corrente no díodo zener será dada por:
IZ = IF - IC
Onde se verifica que a corrente que fluí para o díodo de zener será a corrente vinda da fonte de alimentação menos a
corrente que irá para a carga.

Após uma análise prévia de verificação se o díodo se apresenta inversamente polarizado ou diretamente polarizado,
iremos calcular então a corrente que percorre a resistência série RS:

Trata-se da lei de ohm aplicada á resistência de limitação de corrente. È o mesmo valor quer exista resistência de carga
ou não. Por outras palavras, se se desconectar a resistência de carga a corrente através da resistência limitadora será
igual à calculada com a resistência conectada.

O segundo passo será, calcular a corrente que fluirá pela carga R C. A tensão na carga será igual á tensão no díodo
zener e, por sua vez igual à sua tensão zener. Daqui, e aplicando a lei de ohm, obtemos:

Finalmente, aplicando a leis dos nós ao circuito verificamos que:

IF = IZ - IC
Ou de outra forma:
IZ = IF - IC
Verifica-se que a corrente zener não é igual à corrente na resistência limitadora como era no regulador de tensão sem
carga ou em vazio.

_______________________________________________________________________________

20
 EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – DÍODOS ZENER

1. Calcule a corrente que percorre o díodo de zener no circuito ilustrado na figura seguinte.

2. Determine as tensões UA, UB, UC e UD no circuito da figura seguinte. Defina qual a função da resistência R S no
circuito.

3. A figura seguinte esquematiza um circuito com dispositivos semicondutores. A tensão entrada Vin é um sinal
sinusoidal com valor máximo de 12 V e frequência de 1 kHz como esboçado no gráfico.
NOTA: Considere a segunda aproximação no estudo dos díodos e despreze o efeito da resistência R.

3.1. Indique que tipo de semicondutores são utilizados no dispositivo da figura acima.
3.2. Analise o circuito e esboce a onda de saída do circuito apresentado.

5. DÍODOS EMISSORES DE LUZ

5.1 DÍODOS EMISSORES DE LUZ - LED

Num LED, do inglês light emitting diode, polarizado diretamente os eletrões livres atravessam a junção e caem em
buracos.
Como tais eletrões descem de um nível energético superior para um nível energético inferior, irradiam energia. Nos
díodos vulgares esta energia é irradiada sob a forma de calor. Mas num LED a energia é irradiada como luz. Os LED´s
substituíram as lâmpadas incandescentes em muitas aplicações, dada a sua reduzida tensão, longa vida e rápida
comutação de ligar-desligar.

Figura 6.1 - Símbolo do díodo emissor de luz ( as setas indicam a luz irradiada )

Usando elementos como o gálio, arsénio e fósforo, os fabricantes produzem LED´s que irradiam luz vermelha, verde,
amarela, azul, laranja ou infravermelha ( invisível ).
_______________________________________________________________________________

21
Os LED´s que geram radiação visível são úteis em instrumentos, calculadoras e outros equipamentos. O LED que gera
radiações

5.2 RESISTÊNCIA LIMITADORA

A resistência limitadora a colocar em série com o díodo emissor de luz evita que a corrente exceda o valor da corrente
estipulada máxima. Analisemos um caso concreto, onde se pretende determinar o valor da resistência limitadora.

Figura 6.2 - Determinação da resistência limitadora

O cálculo da resistência limitadora é realizado utilizando a corrente de 20 mA, uma vez que 50 mA é o valor máximo
estipulado para este díodo. Assim fica:

Para a maioria dos LED´s disponíveis no mercado, a queda de tensão típica varia entre os 1,5 V e os 2,5 V para correntes
entre 10 mA e 50 mA. O valor exato desta queda de tensão depende da corrente do LED, cor, tolerância, etc.
De salientar ainda que, os LED´s apresentam tensões de disrupção muito reduzidas, tipicamente entre 3 e 5 V. Por este
facto, são facilmente danificados quando polarizados inversamente com tensão excessiva.

5.3 VISUALIZADOR DE SETE SEGMENTOS

A figura seguinte descreve graficamente um visualizador de sete segmentos. Este dispositivo contém sete LED´s
retangulares de A a G. Cada LED chama-se um segmento, porque forma parte de um caracter a ser visualizado. A figura
6.3 esquematiza o visualizador de sete segmentos. As resistências colocadas em série deverão ser inseridas
externamente para limitar as correntes a níveis de segurança

Figura 6.3 - Visualizador de sete segmentos

Repare-se que a ligação ao potencial zero ou massa de uma ou mais resistências permite formar qualquer algarismo
de 0 a 9.

Por exemplo: A ligação á massa de A, B e C forma o algarismo 7.

Figura 6.4 - Visualização do algarismo 7 e modo de procedimento

_______________________________________________________________________________

22
Um visualizador de sete segmentos também pode indicar as letras maiúsculas A, C, E ou F e as letras minúsculas b ou
d.
O indicador de sete segmentos das figuras acima é um visualizador de ânodo comum, porque todos os ânodos estão
ligados entre si. Também existe visualizadores de cátodo comum, no qual os cátodos se interligam entre si.

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – DÍODOS EMISSORES DE LUZ - LED

1. Dimensione o valor da resistência limitadora do circuito da figura seguinte de tal forma que, o LED esteja dentro
dos limites especificados pelo fabricante.

5.4 FOTODÍODO
Uma componente da corrente inversa de um díodo corresponde à fluência de portadores minoritários. Estes portadores
porque a energia térmica se mantém a desalojar eletrões de valência das suas orbitas, originando eletrões livres e
lacunas no processo. Os portadores minoritários têm curta duração de vida, mas enquanto existirem contribuem para a
corrente inversa.
Sempre que a energia da luz atacar uma junção PN vai desalojar eletrões de valência. Quanto mais luz embater na
junção maior será a corrente inversa do díodo. Um fotodíodo é otimizado pela sensibilidade à luz. Neste díodo, uma
janela deixa passar a luz através do invólucro para a junção. A luz incidente produz eletrões livres e lacunas. Quanto
mais intensa esta for maior será a quantidade de portadores minoritários e maior a corrente inversa.

Figura 6.5 - Símbolo do fotodíodo ( as setas indicam a luz incidente )

O circuito da figura seguinte mostra como deverá ser ligado um fotodíodo. A resistência limitadora limita a corrente
dentro de valores normais ao bom funcionamento do fotodíodo. De realçar que o fotodíodo se encontra polarizado
inversamente uma vez que este funciona na região inversa.

A medida que a luz aumenta a corrente inversa no díodo também aumenta. Esta corrente inversa é, tipicamente, da
ordem das dezenas de microamperes.

Figura 6.6 - Circuito básico com fotodíodo

6. CIRCUITOS RETIFICAÇÃO/FILTRAGEM E ESTABILIZAÇÃO

6.1 INTRODUÇÃO
A maioria dos aparelhos eletrónicos, como TV´s, equipamentos de alta fidelidade e computadores, necessitam de tensão
contínua para funcionarem convenientemente. Como a tensão da rede elétrica nacional é alternada, ter-se-á que
converter a tensão alternada em tensão contínua. A parte do aparelho eletrónico que origina esta tensão contínua
_______________________________________________________________________________

23
chama-se fonte de alimentação. No interior deste dispositivo existem circuitos que fazem com que a corrente elétrica
tenha um único sentido. A estes circuitos dá-se o nome de retificadores. Após esta etapa por aplicação de um processo
denominado por filtragem iremos obter uma onda praticamente contínua. Finalmente, recorrendo a circuitos e
componentes que tem como função estabilizar a tensão teremos à saída uma tensão perfeitamente continua.

Figura 7.1 - Diagrama de blocos de uma fonte de alimentação

6.2 CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

Retificadores de meia onda:
A figura seguinte esquematiza um circuito retificador de meia onda, pois o díodo só irá conduzir durante uma alternância.
A fonte de tensão alternada fornece uma tensão sinusoidal. Trata-se de uma onda sinusoidal pura, com valor máximo
VS. Relembrando, uma onda sinusoidal pura apresenta um valor médio nulo ao longo de cada ciclo ou período, uma vez
que cada tensão instantânea positiva tem sempre um valor igual e simétrico passado meio ciclo. Se medirmos esta
tensão com um voltímetro com o comutador em DC ( tensão contínua ) obtemos uma leitura igual a zero, pois o
voltímetro estará a indicar o valor médio da tensão.

Figura 7.2 - Circuito retificador de meia onda e onda de entrada

Admitindo um díodo ideal, a alternância positiva da tensão da fonte polariza diretamente o díodo. Como este equivale a
um comutador fechado ( díodo ideal ), a alternância positiva surge nos terminais da resistência de carga RC. Na
alternância negativa o díodo fica polarizado inversamente, comportando-se como um comutador aberto e, não haverá
tensão entre os terminais da resistência de carga.

Em consequência com o que foi exposto, o circuito retificador de meia onda corta as alternâncias negativas. A tensão
de meia onda origina uma corrente de carga unidirecional, ou por outras palavras, a corrente passa apenas num sentido.

A forma de onda de saída, considerando o díodo ideal, está representada na figura seguinte. Este sinal constitui uma
tensão contínua pulsante, a qual cresce para um máximo, decresce para zero e permanece nula durante a alternância
negativa.

Figura 7.3 - Onda de saída de um circuito retificador de meia onda

_______________________________________________________________________________

24
Como referimos atrás, a onda de saída é uma onda pulsante, sendo o seu valor médio diferente de zero. Esta onda é
composta pela sobreposição de uma componente contínua pura constante no tempo, com uma componente alternada,
relativa á ondulação da tensão unidirecional.
Se medirmos este sinal com o voltímetro em DC iremos obter o valor da componente contínua ou seja o valor médio,
cujo cálculo poderá ser realizado recorrendo á expressão matemática seguinte:

Por sua vez, se medirmos o sinal obtido com o multímetro em AC, este indicar-nos-á o valor eficaz que pode ser definido
matematicamente pela seguinte expressão:

A frequência do sinal de saída é a mesma do sinal de entrada, uma vez que o tempo necessário á realização de um
período mantêm-se.
CARACTERÌSTICAS DA ONDA DE SAÌDA:
 Valor máximo de saída - VS,out = Valor máximo de entrada - VS,in
 Frequência de saída - fout = Frequência de entrada - fin
 Apresenta uma componente contínua ( DC ) e uma componente alternada ( AC )

Se considerarmos a segunda aproximação, nos terminais da resistência de carga não se obtém uma tensão de meia
onda perfeita, já que o díodo só começará a conduzir quando a tensão alternada da fonte atingir aproximadamente 0,7
V. Se a tensão máxima da fonte for de 100 V, a tensão na carga será muito próxima de uma meia onda perfeita contudo,
se a tensão alternada da fonte for de 5 V, obteremos na carga uma tensão que atingirá um máxima de 4,3 V, assim:
 Valor máximo de saída - VS,out = VS,in - 0,7

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

1. Considere o circuito representado na figura seguinte, o qual é composto por um transformador, um díodo retificador
1N4007 e uma resistência de carga de 1KΩ.

1.1. Identifique qual a função do circuito esquematizado.

1.2. Calcule o valor da tensão máxima de saída considerando o díodo ideal.
1.3. Calcule o valor da tensão máxima de saída tendo em consideração a segunda aproximação.
1.4. Determine o valor da tensão contínua na resistência de carga considerando o díodo ideal.
1.5. Determine o valor da tensão contínua na resistência de carga utilizando a segunda aproximação.

_______________________________________________________________________________

25
6.3 RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA - PONTE DE GRAETZ
A retificação de onda completa com ponte de díodos utiliza 4 díodos retificadores interligados da seguinte forma:

Figura 7.4 - Ponte de Graetz

Na figura seguinte está esquematizado um circuito retificador em ponte. Analisando o circuito, verifica-se que em cada
alternância conduzem apenas dois díodos. Os díodos D1 e D2 irão conduzir nas alternâncias positivas e os díodos D3 e
D4 conduzirão nas negativas. Neste tipo de retificação a corrente elétrica passará na carga durante as duas alternâncias,
ao contrário da retificação de meia onda onde a corrente só passava na carga numa das alternâncias.

Figura 7.5 - Circuito retificador em ponte e onda de entrada

Numa alternância positiva, como foi dito conduzem os díodos D1 e D2. Isto produz uma tensão positiva na carga,
conforme indicam as polaridades mais e menos na resistência de carga. Durante esta alternância os díodos D 3 e D4
encontram-se inversamente polarizados.

Figura 7.6 - Circuito retificador em ponte - análise da alternância positiva

Numa alternância negativa, por sua vez, os díodos D3 e D4 encontram-se diretamente polarizados. O sentido da corrente
elétrica na carga é idêntico ao da alternância positiva. Os díodos D 1 e D2 estão agora inversamente polarizados.

Figura 7.7 - Circuito retificador em ponte - análise da alternância negativa

Durante as duas alternâncias, a tensão na carga tem a mesma polaridade e a corrente mantêm o mesmo sentido. O
circuito transforma a tensão alternada de entrada numa tensão pulsante de saída que está representa da figura seguinte
A grande vantagem relativamente á retificação de meia onda deve-se ao facto de ser utilizar na integra a tensão de
entrada

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26
 Figura 7.8 - Onda de saída de um circuito retificador em ponte

À semelhança da retificação de meia onda, o sinal de saída é uma onda pulsante, sendo o seu valor médio diferente de
zero. Analogamente, este sinal é composto pela sobreposição de uma componente DC, com uma componente
alternada, AC.

Se medirmos este sinal com o voltímetro em DC iremos obter o valor da componente contínua, a qual é definida pela
expressão algébrica seguinte:

Por sua vez, se medirmos o sinal obtido com o multímetro em AC, este indicar-nos-á o valor eficaz que pode ser definido
matematicamente pela seguinte expressão:

A frequência do sinal de saída é o dobro da frequência do sinal de entrada, uma vez que o tempo necessário á realização
de um período passará na saída para metade duplicando por conseguinte a frequência.

CARACTERÌSTICAS DA ONDA DE SAÌDA:

 Valor máximo de saída - VS,out = Valor máximo de entrada - VS,in
 Frequência de saída - fout = 2. fin
 Apresenta uma componente contínua ( DC ) e uma componente alternada ( AC )

Considerando a segunda aproximação para o retificador em ponte teremos que considerar em cada alternância dois
díodos em condução, assim teremos:

 Valor máximo de saída - VS,out = VS,in - 1,4

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – CIRCUITOS DE RETIFICAÇÃO

1. O circuito da figura seguinte representa um retificador em ponte de Gratez e a respetiva onda de entrada (onda nos
terminais do secundário do transformador)

1.1. Considere o díodo ideal. Desenhe a forma de onda que se pode visualizar no canal 1 do osciloscópio.
1.2. Desenhe a forma de onda que se pode visualizar no canal 2 do osciloscópio.
1.3. Determine o valor indicado no voltímetro quando este está comutado em DC.
_______________________________________________________________________________

27
 1.4. Considere a segunda aproximação. Desenhe a forma de onda que se pode visualizar no canal 1 do
osciloscópio.
1.5. Desenhe a forma de onda que se pode visualizar no canal 2 do osciloscópio.
1.6. Determine o valor indicado no voltímetro quando este está comutado em DC.

6.4 CIRCUITOS DE FILTRAGEM COM CONDENSADOR

A tensão obtida após os circuitos de retificação não é a tensão contínua necessária para os equipamentos eletrónicos
convencionais. O que será necessário é uma tensão constante, tal como se obtém de uma bateria. Para se conseguir
essa tensão torna-se necessário filtrar a onda obtida na retificação.

Filtragem com condensador em retificação de meia onda:

O circuito da figura seguinte representa um circuito retificador de meia onda com um condensador a realizar a filtragem.

Figura 7.9 - Filtragem com condensador na retificação de meia onda

Analisemos o circuito em questão. Vamos supor que a tensão alternada sinusoidal VS aplicada no instante t0 tem um
valor nulo e que começa a alternância positiva. Começando o díodo a conduzir e estando o condensador descarregado,
este começa a carregar aumentando assim a tensão na resistência.

No instante t1 a tensão do condensador é igual à tensão máxima aplicada V S,max , e a partir deste instante a tensão no
ânodo do díodo começa a decrescer enquanto o cátodo vai ficando com uma tensão superior mantida pelo condensador.
O díodo fica assim bloqueado e o condensador vai descarregando pela resistência RC e não através da fonte de tensão.
Para que o condensador não descarregue apreciavelmente é necessário que o valor da sua capacidade seja elevado
ou que a constante de tempo R x C do circuito o seja.

No instante t1 a corrente do díodo é nula e assim se mantém até ao instante t 2 em que a tensão no ânodo do díodo
começa a ser superior à do respetivo cátodo, altura em que o díodo se torna novamente condutor.
Entretanto no intervalo de tempo entre t1 e t2 a tensão na resistência de carga decresce porque o condensador vai-se
descarregando.

Os impulsos de corrente entre os instantes t2 e t3 e seguintes são de valor inferior ao primeiro, uma vez que no instante
inicial o condensador estava descarregado, e no instante t2, a tensão não é muito inferior ao valor máximo V S,max. O
impulso de corrente destina-se simplesmente a compensar o condensador da carga perdida.

Quanto maior for a constante de tempo, menor será a duração do impulso de carga do condensador já que este pouca
carga perdeu. Se a resistência RC for de valor muito elevado, podemos considerar que a tensão na resistência é
praticamente constante.
À ondulação que se verifica na saída dá-se o nome de tensão de ripple – Urpp.

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28
 Figura 7.10 - Filtragem com condensador na retificação de meia onda. Formas de onda de entrada e de saída

Filtragem com condensador em retificação de onda completa (Ponte de Graetz)

Na retificação de onda completa, por haver as duas alternâncias a tensão de ondulação é inferior à retificação de meia
onda, uma vez que o condensador descarrega durante, aproximadamente, metade do tempo. As figuras seguintes
ilustram o circuito de filtragem com retificação em ponte e as ondas correspondentes.

Figura 7.11 - Filtragem com condensador na retificação de onda completa (Ponte de Graetz)

Figura 7.12 - Filtragem com condensador na retificação de onda completa. Formas de onda de entrada e de saída

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29
Para se obter um valor aproximado da ondulação pico a pico de saída de um filtro com condensador utiliza-se a seguinte
expressão matemática:

onde:
Urpp - Tensão de ripple ou ondulação
I - Corrente contínua na carga
f - Frequência de ondulação
C - Capacidade do condensador
De salientar que a tensão de ripple ou de ondulação é uma tensão pico a pico, normalmente medida com o osciloscópio.

6.5 CIRCUITOS DE ESTABILIZAÇÃO

Verificamos que apesar da tensão obtida na saída do condensador de filtragem já ser razoavelmente estabilizada, ainda
está afetada de uma pequena ondulação. Esta ondulação pode ser em circuitos críticos, como os amplificadores, uma
fonte de perturbações.
Nesta última etapa vamos então estabilizar a tensão de saída ou de outra forma, retirar a pequena ondulação que esta
apresenta à saída do condensador. O circuito final denomina-se por fonte de alimentação.

Estabilização de tensão com díodo de zener:

Como vimos anteriormente, o díodo de zener se polarizado inversamente mantém nos seus terminais uma tensão
estável. Assim se após o condensador se adicionar um díodo de zener como mostra a figura 7.13 a tensão na carga
terá um valor estável.De salientar que a resistência colocada antes do díodo limita a intensidade de corrente dentro de
valores admissíveis ao funcionamento normal do díodo de Zener – resistência limitadora.

Figura 7.13 - Estabilização de tensão com díodo de zener

A saída será, como dito atrás, uma tensão contínua estabilizada ao valor da tensão zener -UZ - do díodo. O
funcionamento do circuito está ilustrado na figura seguinte.

Figura 7.14 - Tensão de entrada e tensão de saída num circuito estabilizador com díodo de zener

CONDIÇÕES DE FUNCIONAMENTO:
 A tensão do condensador tem de ser maior que a tensão zener.
 A corrente no zener quando sem carga nunca pode ser demasiado excessiva que possa destruir o zener por
excesso de dissipação de potência.
 Quando aplicada á carga a corrente distribui-se pelo díodo e pela resistência de carga. A corrente na
resistência de carga nunca pode ser tal que leve a corrente no díodo a zener, caso contrário este deixaria de
estabilizar.

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Este circuito apresenta alguns inconvenientes tais como:
 Quando o circuito está sem carga o díodo zener aquece demasiado uma vez que, a energia destinada á
carga dissipa-se sobre ele também.
 A corrente máxima de saída é apenas da ordem das centenas de miliamperes.

Estabilização de tensão com circuito integrado

Existem vários circuitos integrados denominados por reguladores de tensão sendo o seu principal objetivo estabilizar
uma tensão independentemente das condições de entrada e da corrente de saída. A figura 7.15 ilustrar um circuito
integrado da série 78**. Os números 78 indicam o tipo de regulador, no caso positivo e, os dois números seguintes
indicam o valor da tensão para que o circuito integrado foi projetado. Por exemplo: 7805 - Regulador de tensão positivo
a 5 V.

Figura 7.15 - Aspeto de um regulador de tensão da série 78** e identificação dos terminais
Existem outros tipos de reguladores, os 79** são reguladores negativos os LM 317, L200, L123, L723 são reguladores
variáveis positivos, os LM 337 são reguladores variáveis negativos.
De realçar que, a configuração dos terminais varia, especialmente dos reguladores positivos para os reguladores
negativos.

Pela análise da folha de dados do fabricante, este indica que se deverá colocar dois condensadores imediatamente
antes e depois do regulador, para garantir que o circuito integrado é estável, mesmo quando perturbado com
interferências de alta frequência, ou alimentando cargas geradoras de perturbações.

Figura 7.16 - Condensadores antes e depois do circuito integrado

Pela análise da folha de dados poderemos observar o diagrama de blocos ou seja, os circuitos que constituem o
regulador de tensão. De salientar 4 blocos funcionais fundamentais:

 Tensão de referência – Neste bloco, obtêm-se, a partir da tensão de entrada não estabilizada, uma tensão
estabilizada. Este bloco não pode fornecer muita corrente. Esta tensão é independente da tensão de entrada
e da temperatura.

 Comparador – Este bloco compara a tensão de referência com a tensão de saída, ou uma amostra desta. O
resultado desta comparação é aplicado ao bloco controlador de corrente.

 Controlador de corrente – Neste bloco é controlada a corrente que irá passar da entrada para a carga.
Normalmente é um transístor de potência ou mais. Atualmente também se usam transístores MOSFET de
potência.

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  Limitadores de corrente – Este bloco tem como missão limitar a corrente de saída a um valor previamente
definido, assumindo assim o papel de proteção da carga contra correntes excessivas. Para o conseguir,
compara-se a queda de tensão que a corrente de saída irá provocar numa resistência de muito baixo valor, da
ordem de 0,1 a 10 Ω, com uma tensão de referência. O resultado desta comparação é aplicado também ao
bloco controlador de corrente, dando ou não indicações para este limitar a corrente de saída.

PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO:
O comparador compara a tensão de referência com uma amostra a tensão de saída, e aplica o sinal resultante ao
controlador de corrente. Se a tensão de saída baixar, o sinal de saída do comparador fica positivo, obrigando o
controlador a permitir maior passagem de corrente, levando assim a tensão de saída a repor o valor inicial. Este
fenómeno tem o nome de compensação.

O bloco limitador garante que a corrente de saída não exceda determinado valor de modo a proteger a carga e o próprio
regulador.

Existem também os blocos SOA ( Safe Operating Area ) e Thermal Shutdown, que em caso de sobrecarga garantem a
não destruição do circuito integrado.

O circuito da figura que se segue mostra um circuito estabilizado com um circuito integrado da série 78**.

Figura 7.17 - Estabilização de tensão com circuito integrado da série 78**

As tensões de entrada no regulador de tensão e de saída encontram-se nos gráficos seguintes

Figura 7.18 - Tensão de entrada e tensão de saída num circuito estabilizador com circuito integrado da série 78**

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