ELETRÔNICA ANALÓGICA

PARTE 1

Luciano Resende Dias

Cabo Frio / 2019
Agradeço a Deus por me dar a oportunidade
de trabalhar neste Instituto e pela inspiração
necessária para desenvolver este material.
 NOTA DO AUTOR

Esta apostila foi desenvolvida com o objetivo de facilitar e agilizar a consulta

durante o aprendizado do discente na disciplina de Eletrônica Analógica,
servindo como material de apoio as aulas ministradas em sala. Este material não
possui o propósito de esgotar o assunto nem de ser a única ferramenta de
pesquisa que deve ser utilizada durante o curso.
 SUMÁRIO

INTRODUÇÃO ........................................................................................................................................ 6

CAPÍTULO 1 – DIODO SEMICONDUTOR .................................................................................................. 7

1.1 MATERIAIS SEMICONDUTORES ...................................................................................................... 7

1.2 MATERIAIS INTRÍNSECOS ............................................................................................................... 9
1.3 DOPAGEM E MATERIAIS EXTRÍNSECOS .......................................................................................... 9
1.3.1 PORTADORES MINORITÁRIOS ............................................................................................. 11
1.4 DIODO DE JUNÇÃO OU DIODO SEMICONDUTOR ......................................................................... 11
1.4.1 DIODO SEM POLARIZAÇÃO (𝑽𝑨𝑲 = 𝟎𝑽) ................................................................................ 12
1.4.2 DIODO COM POLARIZAÇÃO DIRETA (𝑽𝑨𝑲 > 𝟎)...................................................................... 12
1.4.3 DIODO COM POLARIZAÇÃO REVERSA (𝑽𝑨𝑲 < 𝟎𝑽) ................................................................ 13
1.4.4 CURVA V – I DO DIODO ............................................................................................................ 14
1.4.5 MODELOS DE APROXIMAÇÃO DO DIODO ................................................................................ 15
1.4.5.1 MODELO 1........................................................................................................................... 15
1.4.5.2 MODELO 2........................................................................................................................... 16
1.4.5.3 MODELO 3........................................................................................................................... 16
1.5 EXEMPLO DE DATASHEET DE UM DIODO ..................................................................................... 17
1.6 APLICAÇÕES DO DIODO ................................................................................................................ 20
1.6.1 CIRCUITO COM O DIODO COMO CHAVE .................................................................................. 21
1.6.2 CIRCUITO COM DIODO NA PROTEÇÃO DE INVERSÃO DE POLARIDADE ................................... 22
1.6.3 CIRCUITOS RETIFICADORES ..................................................................................................... 22
1.6.3.1 SINAIS SENOIDAIS ............................................................................................................... 23
1.6.3.2 TRANSFORMADOR .............................................................................................................. 24
1.6.3.3 RETIFICADOR DE MEIA ONDA (RMO) .................................................................................. 26
1.6.3.4 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA (ROC) .......................................................................... 28
1.6.3.5 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE (ROCP) ...................................................... 30
1.6.4 CIRCUITOS CEIFADORES........................................................................................................... 31
1.6.5 CIRCUITOS GRAMPEADORES ................................................................................................... 33
1.6.6 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE TENSÃO ............................................................................. 34
EXERCÍCIOS................................................................................................................................................ 35

CAPÍTULO 2 – DIODOS ESPECIAIS ......................................................................................................... 39

2.1 DIODO EMISSOR DE LUZ (LED).......................................................................................................... 39

2.1.1 EXEMPLO DE DATASHEET DE UM LED ........................................................................................... 41
2.2 DIODO ZENER ................................................................................................................................... 44
2.2.1 REGULADOR DE TENSÃO COM DIODO ZENER ............................................................................... 45
2.2.2 EXEMPLO DE UM DATASHEET DE UM DIODO ZENER .................................................................... 47
EXERCÍCIOS ............................................................................................................................................ 50
REFERÊNCIAS ......................................................................................................................................... 52
INTRODUÇÃO

Os avanços tecnológicos que vivemos atualmente tiveram origem na década de

40, com a invenção dos primeiros componentes semicondutores. A partir desse
período, a cada ano novas tecnologias e técnicas de fabricação estão
disponíveis para nós. Um exemplo deste avanço são os processadores
presentes em PCs, microcontroladores e telefones celulares, tais componentes
são fabricados com uma tecnologia de miniaturização muito grande, onde em
um único encapsulamento1 (figura 1) temos milhões de componentes internos.

Nesta disciplina iremos estudar as características construtivas dos componentes

fabricados com materiais semicondutores; os principais circuitos de aplicação
destes componentes; interpretar as informações existentes nos datasheets2 e ter
noções iniciais sobre o projeto de circuitos eletrônicos lineares.

A metodologia usada nesta apostila foi estruturada para seguir a sequência:

 Apresentação as características construtivas dos componentes;
 Estudo do comportamento elétrico do componente;
 Análise dos datasheets;
 Verificação dos circuitos básicos que utilizam os componentes;
 Apresentação de exercícios de fixação.

Figura 1: Exemplos de encapsulamentos encontrados na indústria eletrônica.

Fonte: (MASTER WALKER ELECTRONIC SHOP, [s.d.]).

1 É o invólucro de plástico usado para proteção da pastilha semicondutora de silício. Tem a

função de dar rigidez mecânica ao componente e também ajudar na dissipação do calor gerado.
2 Folha de dados do componente onde estão registrados todos os dados necessários para sua

utilização.

6
CAPÍTULO 1 – DIODO SEMICONDUTOR

1.1 MATERIAIS SEMICONDUTORES

Os materiais utilizados em eletricidade podem ser divididos em três categorias:

condutores, isolantes e semicondutores.
 Os condutores são aqueles que têm facilidade para permitir a passagem
da corrente elétrica através de sua estrutura. Geralmente em eletricidade
são encontrados no estado sólido.
 Os isolantes, por outro lado, apresentam grande oposição à passagem da
corrente elétrica através de sua estrutura. Em eletricidade podem
encontrado nos três estados físicos: sólido, líquido e gasoso.

Na eletrônica a categoria de interesse é a dos semicondutores. Estes materiais

começaram a ser utilizados na década de 40, dando origem a componentes
eletrônicos com grandes vantagens em relação as válvulas, que eram os
dispositivos utilizados até aquela época. Estas vantagens estão relacionadas ao
tamanho reduzido, não existir necessidade de aquecimento ou perda de calor,
não precisar de tempo de aquecimento e tinham construção mais robusta
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).

Os semicondutores são utilizados porque apresentam uma forma peculiar de

divisão eletrônica nos seus átomos e de ligação entre os elétrons existentes na
camada de valência. Não importa a quantidade de elétrons que o átomo possui,
nos semicondutores, sua última camada terá 4 elétrons, estes são
compartilhados com os átomos vizinhos através de ligações covalentes. Estas
características podem fazer do semicondutor, através de sua manipulação, um
ótimo condutor ou ótimo isolante.

Os materiais semicondutores podem estar em duas classes: cristal3 singular e

cristal composto. Na classe de cristal singular temos o silício (Si) e o germânio

3Um cristal é uma estrutura onde seus elementos estão organizados num padrão tridimensional
que se repete periodicamente no espaço, dando-lhe uma definição geométrica especifica.

7
(Ge), enquanto os de cristal composto são formados por dois ou mais materiais
diferentes, como por exemplo: arseneto de gálio (GaAs), sulfeto de cádmio
(CdS), dentre outros. Os materiais mais utilizados na fabricação de componentes
eletrônicos são: silício, germânio e arseneto de gálio. A figura 2 mostra a
distribuição eletrônica de um cristal singular e um composto.

Figura 2: Estrutura cristalina dos materiais semicondutores:

(a) Ligações covalentes de um cristal singular. (b) Ligações covalentes de um cristal composto.
Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013)

No início do desenvolvimento dos primeiros componentes o germânio era o

material preferido, pois era encontrado em grandes quantidades na natureza e
seu processo de refino, que é o procedimento necessário para obter altos índices
de pureza, já era dominado pela indústria. Com o tempo o silício começou a ser
utilizado, formando a grande base para fabricação de componentes. Pois é
encontrado em abundância, sofre menos com a influência da temperatura e seu
processo de refino já é dominado pela indústria. Mesmo com as vantagens
apresentadas pelo silício, o germânio ainda é utilizado em aplicações que
necessitam de velocidades de comutação maiores que a do silício e em circuitos
fotossensíveis. Não menos importante que os outros dois materiais, o arseneto
de gálio tem seu espaço devido à sua capacidade de atingir grandes velocidades
de operação, o problema para a difusão de seu uso é o custo elevado no
processo de refino se comparado ao silício.

8
1.2 MATERIAIS INTRÍNSECOS

As ligações covalentes formadas no cristal semicondutor fornecem uma ligação

estável entre os elétrons da camada de valência e o átomo do material
semicondutor. Mas esta ligação pode ser quebrada se esses elétrons receberem
energia externa (energia térmica na forma de calor e energia luminosa) grande
o suficiente para assumirem a condição de livres, tornando-se sensíveis a
qualquer campo elétrico aplicado. Por exemplo, em 1 cm³ de silício puro existem
aproximadamente 15 bilhões de elétrons livres.

Os materiais semicondutores submetidos a um processo cuidadoso de redução

de suas impurezas são chamados de materiais semicondutores intrínsecos.
O nível de pureza é aquele possível pela tecnologia disponível, e nos últimos
anos tem a tendência de aumentar cada vez mais. Atualmente, é possível obter
níveis elevadíssimos de pureza em materiais semicondutores, algo em torno de
uma parte para cada 10 bilhões (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).

Vale ressaltar que não é possível eliminar totalmente átomos de impurezas dos
semicondutores. Isto faz com que algumas ligações covalentes sejam
quebradas, dando origem a portadores de carga dentro da estrutura cristalina.

1.3 DOPAGEM E MATERIAIS EXTRÍNSECOS

Após a obtenção de materiais puros, os semicondutores passam pelo processo

de inserção de impurezas específicas que alteram suas características
condutivas. Este processo controlado industrialmente é chamado de
dopagem e as impurezas utilizadas podem ser de dois tipos:
 Impurezas pentavalentes: Os átomos utilizados possuem cinco elétrons
na camada de valência como o arsênio (As), antimônio (Sb) e o fósforo
(P). Estes elementos estabelecem ligações covalentes com os
semicondutores, mas um dos elétrons de sua camada de valência fica
“sobrando” na ligação, ficando fracamente atraído ao átomo de origem,
tornando-se um elétron livre para se mover dentro da estrutura cristalina.
O material formado pela adição de átomos pentavalentes é chamado de

9
 material extrínseco tipo N ou simplesmente material tipo N, pois o
portador principal de carga na estrutura é o elétron (portador
majoritário). A figura 3 mostra um exemplo de ligação feita entre uma
impureza pentavalente e um semicondutor.

Figura 3: Exemplo de ligação covalente entre um átomo de antimônio e átomos de silício.

Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).

 Impurezas trivalentes: Os átomos utilizados possuem 3 elétrons na

camada de valência como boro (B), índio (In) e gálio (Ga). Estes
elementos também estabelecem ligações covalentes com os
semicondutores, mas desta vez um dos elétrons de sua camada de
valência fica “faltando”, gerando uma lacuna (buraco) na ligação. O
material formado pela adição de átomos trivalentes é chamado de
material extrínseco tipo P ou simplesmente material tipo P, pois o
portador principal de carga na estrutura é a lacuna (portador
majoritário). A figura 4 mostra um exemplo de ligação feita entre uma
impureza trivalente e um semicondutor.

Figura 4: Exemplo de ligação entre uma impureza trivalente e átomos de silício.

Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013)

10
1.3.1 PORTADORES MINORITÁRIOS

Nos materiais semicondutores, podem surgir portadores de carga (elétrons livres

e lacunas) gerados pelas impurezas que não foram totalmente extraídas no
refino, assim como pela agitação molecular dos elementos de sua estrutura. Nos
materiais tipo N as lacunas são consideradas portadores minoritários e nos
tipo P, os elétrons livres.

1.4 DIODO DE JUNÇÃO OU DIODO SEMICONDUTOR

Até agora estudamos os materiais isoladamente, mas o grande interesse

industrial na utilização dos semicondutores está na união dos dois tipos. A partir
da junção entre tipo P e tipo N, temos o primeiro dispositivo semicondutor, o
diodo semicondutor ou simplesmente diodo. Com a criação deste componente
foi possível todo o avanço tecnológico de nossos dias, pois todos os outros
dispositivos de estado sólido4 possuem, pelo menos, uma junção PN em sua
estrutura interna. A figura 5 mostra a estrutura interna de um diodo, sua
simbologia e um exemplo de diodo comercial.

Figura 5: a) Estrutura física de um diodo. b) Simbologia utilizada em circuitos elétricos. c) Exemplo de um

diodo comercial.
Fonte: O autor.

4 Termo utilizado em eletrônica para os componentes eletrônicos semicondutores. Estes

componentes não possuem partes móveis, somente cargas elétricas se movimentando em sua
estrutura.

11
1.4.1 DIODO SEM POLARIZAÇÃO (𝑽𝑨𝑲 = 𝟎𝑽)

Quando o diodo não está polarizado5, ocorre uma difusão dos elétrons existentes
na região próxima à junção PN. Este fenômeno ocorre devido à fraca atração
que os elétrons do material N têm em relação aos seus átomos de origem
(impurezas pentavalentes). Esta movimentação de elétrons provoca a criação de
dois íons: um carregado positivamente (cátion) no lado N e outro carregado
negativamente (ânion) no lado P, provocando uma depleção (ausência) de
portadores na região da junção (ver figura 6).
À medida que os elétrons difundem a junção, a diferença de potencial entre os
átomos carregados aumenta até um ponto de equilíbrio, onde o fenômeno de
difusão cessa. Este ponto ocorre quando a tensão é de, aproximadamente, 0,7V
para o silício e 0,3V para o germânio. Na prática, esta situação corresponde ao
diodo não conectado ao circuito ou conectado e não recebendo alimentação da
fonte de tensão.

Figura 6: Surgimento de íons na região da junção devido ao fenômeno de difusão de elétrons.

Fonte: (CRUZ; JUNIOR; MARQUES, 1998).

1.4.2 DIODO COM POLARIZAÇÃO DIRETA (𝑽𝑨𝑲 > 𝟎)

Quando colocamos um potencial positivo no anodo (A) e um negativo no catodo

(K) é feita uma polarização direta (figura 7). Nesta situação o diodo entra em
modo “ligado” e pode permitir a passagem da corrente elétrica através de sua

5Polarizar significa definir um ponto de operação em corrente contínua para um determinado

componente ou circuito.

12
estrutura. Esta polarização provoca um estreitamento da camada de depleção,
pois os portadores de carga de cada material são forçados a se recombinarem6.
Tal estreitamento é função do fluxo de portadores minoritários, que recombinam
com os íons existentes na região próxima da junção.

É importante observar que enquanto 𝑉𝐴𝐾 < 0,7𝑉, a corrente elétrica existente é
devida ao deslocamento dos portadores minoritários. Quando 𝑉𝐴𝐾 atinge o valor
de 0,7V, o diodo começa conduzir e partir deste ponto qualquer acréscimo no
valor de tensão, provoca um aumento intenso da corrente.

Figura 7: Circuito de polarização direta de um diodo.

Fonte: (SCHULER, 2013).

1.4.3 DIODO COM POLARIZAÇÃO REVERSA (𝑽𝑨𝑲 < 𝟎𝑽)

Nesta polarização aplicamos um potencial positivo no catodo (K) e um negativo

no anodo (A) do componente. A atração dos elétrons livres pelo terminal positivo
da fonte faz surgir novos íons na região da junção. Na prática, isto provoca o
aumento da região de depleção, impossibilitando o fluxo de portadores
majoritários.

De forma semelhante à polarização direta, sob a condição de 𝑉𝐴𝐾 < 0,7𝑉, a

corrente existente é em função apenas dos portadores minoritários e é chamada

6 A recombinação ocorre quando um elétron livre preenche uma lacuna.

13
de corrente de saturação reversa (𝑰𝑺 ). A figura 8 mostra um exemplo de
polarização reversa.

Figura 8: Polarização reversa de um diodo.

Fonte: (SCHULER, 2013).

Como todo equipamento eletrônico, o diodo também tem limites operacionais.

Isto significa que se a tensão 𝑉𝐴𝐾 continuar aumentando, os portadores podem
atingir energia cinética o suficiente e provocar a quebra das ligações covalentes.
Esta situação deve ser evitada, pois entraríamos na região de ruptura e a
corrente resultante desta situação seria intensa e em sentido oposto ao que
deveria ser causando a destruição do componente (efeito avalanche). A tensão
𝑉𝐴𝐾 que provoca tal fenômeno é chamada de tensão de ruptura (𝑽𝑩𝑽 ou 𝑽𝑩𝑹 ).

1.4.4 CURVA V – I DO DIODO

Todas as situações descritas anteriormente podem ser visualizadas na curva v-

i característica do componente (figura 9).

Figura 9: Curva v-i do diodo.

Fonte: (WIKIPEDIA, 2019).

14
Através da análise da curva é possível observar que, a partir da tensão limite
para a polarização reversa, o diodo passa conduzir uma corrente intensa em
sentido que não deveria existir. No lado da polarização direta, vemos que quando
o diodo atinge o valor de tensão de joelho, ele conduz intensamente
comportando-se como um curto.

1.4.5 MODELOS DE APROXIMAÇÃO DO DIODO

Estes modelos são uteis quando necessitamos realizar alguma análise de

circuitos com diodos. Cada modelo deve ser escolhido de acordo com a
necessidade, pois oferecem níveis de detalhes diferentes sobre o componente.
Por exemplo: quando queremos apenas verificar se o diodo está aberto, em curto
ou normal, não precisamos de um modelo que ofereça muitos detalhes. Mas se
precisamos verificar além da condição de polarização a queda de tensão em
algum ponto do circuito, precisamos de um modelo um pouco mais preciso que
satisfaça nossa necessidade.

1.4.5.1 MODELO 1

Neste modelo apenas analisamos o diodo como uma chave estática ideal, ou
seja, ele estará ligado (funcionando como um curto) ou desligado (funcionando
como um circuito aberto). É importante lembrar que uma chave ideal apresenta
as seguintes características:
 Quando fechada: possui queda de tensão 0V e corrente tendendo ao
infinito;
 Quando aberta: possui corrente 0A e tensão tendendo ao infinito.

A figura 10 mostra os dois casos listados acima, com a respectiva curva.

15
Figura 10: a) Modelo elétrico equivalente do diodo. b) Comparação entre a curva do modelo e a curva v-i
do componente.
Fonte: (CRUZ; JUNIOR; MARQUES, 1998).

1.4.5.2 MODELO 2

Neste modelo inserimos a queda de tensão 𝑉𝐴𝐾 = 0,7𝑉 em série com a chave
(figura 11). Este modelo equivalente diz que toda vez que o diodo estiver
conduzindo (chave fechada), haverá uma queda de tensão de,
aproximadamente, 0,7V entre seus terminais.

Figura 11: a) Modelo elétrico equivalente do diodo. b) Comparação entre a curva do modelo e a curva v-i
do componente.
Fonte: (CRUZ; JUNIOR; MARQUES, 1998).

1.4.5.3 MODELO 3

Este modelo é o mais completo, pois consideramos a queda de tensão entre

anodo e catodo e sua resistência interna. Esta resistência é encontrada
analisando a inclinação da curva v-i do componente (𝑟𝑑 = ∆𝑉/∆𝐴). A figura 12
mostra o circuito equivalente e a curva para o modelo 3.

16
Figura 12: a) Modelo elétrico equivalente do diodo. b) Comparação entre a curva do modelo e a curva v-i
do componente.
Fonte: (CRUZ; JUNIOR; MARQUES, 1998).

1.5 EXEMPLO DE DATASHEET DE UM DIODO

Os datasheets são importantes para a correta utilização dos componentes

eletrônicos. Infelizmente, muitos não têm o cuidado de verificar nas folhas de
dados os limites elétricos, características, exemplos de ligação etc. a seguir, é
apresentado um exemplo de um datasheet do diodo retificador 1N4007, um
modelo de diodo muito utilizado em circuitos conversores de tensão CA para CC.

17
18
19
1.6 APLICAÇÕES DO DIODO

Determinar todas as possíveis aplicações que um diodo pode ter é uma tarefa
praticamente impossível. Pois este componente pode ser utilizado desde
circuitos de proteção até em usinas geradoras de energia elétrica. A seguir, são
listados alguns exemplos de aplicações desde componente tão importante para
a eletrônica.
 Circuito de proteção contra inversão de polaridade;
 Circuitos retificadores (conversores de tensão alternada para contínua);
 Sensores de temperatura;
 Sensores ópticos;
 Fibra óptica;
 Limitadores de sinal;
 Células fotovoltaicas;
 Circuitos internos de circuitos integrados como: portas lógicas,
amplificadores operacionais, etc.

Não importando o contexto de utilização do diodo, o comportamento do

componente será sempre o seguinte:
 Polarizado diretamente: Conduz corrente como uma chave fechada e
sua queda de tensão é de, aproximadamente, 0,7V (Si) e 0,3V (Ge);
 Polarizado reversamente: Não conduz corrente elétrica (somente
corrente de fuga) e a tensão entre seus terminais será igual à da fonte
conectada ao diodo.

Nesta disciplina são abordados os circuitos básicos utilizando diodos. Apesar de

considerados básicos, estes circuitos são a base para várias aplicações
complexas com o componente.

20
1.6.1 CIRCUITO COM O DIODO COMO CHAVE

Polarização direta Polarização Reversa

No circuito de polarização reversa mostrado acima, o diodo tem o

comportamento de uma chave aberta com corrente Id = 0A e nos seus terminais,
toda a tensão da fonte V1 estará presente. Portanto, qualquer carga conectada
neste circuito não irá funcionar.

No circuito de polarização direta, o diodo passa a funcionar de forma semelhante

à uma chave fechada com corrente Id > 0A. esta corrente será limitada apenas
pela resistência R1 conectada em série com o diodo. Nesta situação a tensão
em D1 será 0,7V. como o resistor R1 tem a função de limitar a corrente Id, ele
deve ser escolhido de forma conveniente para que o circuito funcione. Através
da Lei de Kirchhoff das Tensões (LKT), podemos encontrar seu valor conforme
abaixo:
𝑉1 − 𝑉𝑅𝐷 − 𝑉𝐷1 = 0
𝑉1 − (𝐼𝑅𝐷 ∗ 𝑅𝐷 ) − 𝑉𝐷1 = 0
Como o único valor desconhecido é o do resistor Rd, podemos resolver a
equação fazendo:
𝑉1 − 𝑉𝐷1 = 𝐼𝑅𝐷 ∗ 𝑅𝐷

𝑹𝑫 = (𝑽𝟏 − 𝑽𝑫𝟏 )/𝑰𝑹𝑫 eq. (1)

21
Uma observação importante a respeito do cálculo de Rd. Como o resistor deve
dissipar o calor necessário no circuito, devemos escolher adequadamente o
resistor com uma capacidade de dissipação de potência correta. Para tal,
2
utilizamos a fórmula de potência 𝑃𝑅𝐷 = 𝐼𝑅𝐷 ∗ 𝑅𝑑 .

1.6.2 CIRCUITO COM DIODO NA PROTEÇÃO DE INVERSÃO DE

POLARIDADE

Uma outra aplicação simples para o diodo é o uso como dispositivo de proteção
contra a ligação errada de um circuito. Para exemplificar, imagine a seguinte
situação:

Um determinado equipamento é sensível à mudança de polaridade, ou seja, ele

irá queimar caso seus terminais sejam ligados de forma invertida na fonte. Para
proteger o equipamento, podemos ligar um diodo em série que irá “desconectar”
o equipamento da fonte caso ocorra uma inversão de polaridade (figura 13).

Figura 13: Diodo como dispositivo de proteção contra inversão da polaridade.

Fonte: O autor.

1.6.3 CIRCUITOS RETIFICADORES

Os retificadores são circuitos conversores de energia CA em CC. São

empregados em situações onde necessitamos de uma tensão CC, mas a fonte
disponível é CA apenas. A etapa de retificação é de extrema importância em
fontes de alimentação, pois nela a mudança de polaridade é eliminada.

22
1.6.3.1 SINAIS SENOIDAIS

A polarização dos circuitos eletrônicos ocorre em níveis de tensão CC,

fornecidos por uma fonte que possui polos positivo e negativo fixos e a
magnitude de tensão também fixa num valor. No entanto, quando este tipo de
fonte não está disponível, os circuitos eletrônicos também podem ser
alimentados por tensões alternadas (mudam de polaridade periodicamente),
mas neste caso, tais tensões devem ser retificadas para um nível CC.

Um sinal alternado muito importante é o sinal senoidal7. Este tipo é tão

importante em eletricidade, que outros sinais periódicos podem ser
representados por somas infinitas de sinais senoidais. Uma tensão AC troca de
polaridade periodicamente, resultando numa corrente que muda de sentido
também periodicamente (figura 14).

Figura 14: Forma de onda senoidal de uma tensão alternada representada no domínio do tempo.
Fonte: (ROBBINS; MILLER, 2003).

O sinal mostrado na figura acima pode ser representado matematicamente pela

expressão:

𝒗(𝒕) = 𝑽𝒑𝒊𝒄𝒐 ∗ 𝒔𝒆𝒏 𝝎𝒕 eq. (2)

7 Este termo está associado à forma de onda de um sinal elétrico que obedece uma função seno.

23
Onde:
 𝒗(𝒕): Valor instantâneo do sinal para um determinado tempo em
segundos;
 𝑽𝒑𝒊𝒄𝒐 : Valor máximo que pode ser obtido para um determinado sinal;
 𝝎: Velocidade angular definida por 𝜔 = 2𝜋𝑓. Em que 𝑓 é a frequência em
Hz (Hertz);
 𝒕: O instante em segundos que desejamos saber o valor do sinal.

Observando a onda da figura 14, algumas definições importantes sobre o sinal

senoidal podem ser feitas.
1. Possui um período (T), em segundos, que representa o tempo necessário
para a onda completar um ciclo;
2. Possui uma frequência (f), em Hertz, que representa a quantidade de
ciclos completos executados em um segundo;
3. Possui um ângulo de fase (𝜽), em graus ou radianos, que representa o
deslocamento da onda à direita ou à esquerda em relação à origem;
4. Possui um valor de pico (𝑽𝒑𝒊𝒄𝒐 𝒐𝒖 𝑰𝒑𝒊𝒄𝒐 ), em Volts ou Amperes, que
corresponde ao valor máximo positivo ou negativo para aquele sinal;
5. Possui um valor RMS - Root Mean Square (𝑽𝑹𝑴𝑺 𝒐𝒖 𝑰𝑹𝑴𝑺 ), em Volts ou
Amperes, corresponde a um valor de tensão ou corrente contínuas, que
se aplicados a uma resistência, produziriam a mesma dissipação de
potência média que o sinal alternado analisado.

Algumas relações matemáticas importantes podem ser extraídas das definições

acima:

𝑻 = 𝟏/𝒇 eq. (3)

𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝒑𝒊𝒄𝒐 /√𝟐 eq. (4)

1.6.3.2 TRANSFORMADOR

Os transformadores são máquinas elétricas extremamente importantes na

eletricidade. Estão presentes em várias situações como: distribuição de energia,

24
isolamento e adequação de níveis de potência elétrica. Nesta seção
apresentaremos apenas o necessário a respeito desta máquina elétrica.

Os circuitos eletrônicos, em muitos casos, são alimentados pela rede elétrica

disponibilizada pela concessionária de energia. Mas os circuitos eletrônicos são
projetados, em sua maioria, para operar em tensões contínuas de valor baixo.
Para adequar o sinal de forma correta, o primeiro componente encontrado é o
transformador. Sua função é reduzir a tensão da rede elétrica para um valor
compatível com os circuitos.

Nesta seção serão apresentados apenas os dois tipos de transformadores que

interessam no estudo de retificadores.

 Transformador Abaixador: Esta máquina é composta por um núcleo (de

ar, ferrite8 ou ferro), uma bobina que recebe a tensão de entrada (primário)
e outra que fornece uma tensão de saída (secundário). Ver figura 15.

Figura 15: Partes construtivas de um transformador.

Fonte: (ELETRÔNICA-PT, 2019).

Nos transformadores a tensão em cada bobina (enrolamento) é

proporcional à sua quantidade de espiras. Com esta informação, podemos
definir a relação entre as tensões de entrada e saída da máquina.
𝑉𝑝 𝑁𝑝 𝐼𝑠 𝑁𝑝
= 𝑒 = eq. (5)
𝑉𝑆 𝑁𝑆 𝐼𝑝 𝑁𝑠

8 Estrutura policristalina largamente utilizada em eletricidade devido as suas propriedades

magnéticas. É composto por ferro e outros metais como níquel, alumínio, cobalto, bário, entre
outros.

25
Esta relação entre as grandezas é conhecida com relação de transformação
(𝜶).

Num transformador ideal não há perdas de potência, isto é, toda energia

fornecida no primário é entregue no secundário da máquina. Esta relação pode
ser determinada pela expressão a seguir:
𝑃𝑒𝑛𝑡 = 𝑃𝑠𝑎í𝑑𝑎
𝑉𝑝 ∗ 𝐼𝑝 = 𝑉𝑠 ∗ 𝐼𝑠 eq. (6)

Da equação 6 podemos concluir que se o transformador reduz a tensão n vezes,

a corrente é elevada n vezes para manter a potência de saída igual a de entrada.
Se o transformador eleva a tensão o raciocínio é o mesmo.

 Transformador com Derivação Central (Center TAP): Este tipo de

transformador tem seu funcionamento idêntico ao transformador básico.
O único detalhe que deve ser observado é a divisão (TAP) de seu
enrolamento secundário em duas partes. Com isso, a tensão de saída é
dividida por 2. As duas tensões de saída possuem defasagem9 de 180º
entre si.

1.6.3.3 RETIFICADOR DE MEIA ONDA (RMO)

Este é o tipo mais simples de circuito retificador. Consiste num diodo ligado em
série com uma carga 𝑅𝐿 (figura 16).

Figura 16: Retificador de Meia Onda.

Fonte: O Autor.

9 É a diferença entre os deslocamentos de fase de duas ondas de mesma frequência.

26
No primeiro semiciclo da senóide o diodo D1 estará polarizado diretamente,
comportando-se como uma chave fechada. Com isso, haverá corrente
circulando no circuito e a tensão de pico do secundário do transformador estará
disponível nos terminais da carga RL. No segundo semiciclo, o diodo D1 ficará
polarizado reversamente e será uma chave aberta para o circuito. Neste caso,
toda a tensão do secundário estará entre seus terminais e não haverá tensão
disponível para a carga. Este comportamento é ilustrado na figura 17.

Figura 17: Comportamento do retificador de meia onda.

Fonte: (BERTOLI, 2000).

A tensão média (ou tensão CC) que será mostrada em um voltímetro é dada pela
expressão:
𝑉𝐷𝐶 = 0,318(𝑉𝑝 − 𝑉𝐷 ) eq. (7)

Neste circuito a corrente média é dada por:

𝐼𝐷𝐶 = 𝑉𝐷𝐶 /𝑅𝐿 eq. (8)

Para efetuar a escolha correta do componente. Os seguintes dados elétricos

devem ser observados:
 O diodo deve ser capaz de conduzir a corrente média: 𝐼𝐷𝐼𝑂𝐷𝑂 ≥ 𝐼𝐷𝐶 ;

27
  Quando o diodo estiver polarizado reversamente deve suportar a
tensão de pico do secundário: 𝑉𝐵𝑅 ≥ 𝑉𝑃𝑆𝐸𝐶 .

Como pode ser observado na figura 17, que período e frequência da tensão
pulsante na carga serão os mesmos da tensão do secundário do transformador.

1.6.3.4 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA (ROC)

Neste tipo de retificador usamos um transformador com derivação central (figura

18). Com isso, a tensão do secundário é dividida por dois (Vsec / 2).

Figura 18: Circuito Retificador de Onda Completa.

Fonte: O Autor.

No primeiro semiciclo o diodo D1 fica polarizado diretamente e conduz,

enquanto o diodo D2 fica em corte porque está reversamente polarizado.

Quando a tensão de entrada passa para o segundo semiciclo, os diodos

invertem seu funcionamento. Logo, D1 fica polarizado reversamente
assumindo a situação de corte e D2 conduz pois está polarizado
diretamente (figura 19).

28
 Figura 19: Comportamento do retificador de onda completa.
Fonte: (BERTOLI, 2000).

Para este circuito a frequência de saída será o dobro da frequência da tensão

do secundário. Consequentemente, o período de saída será a metade do
período de entrada.

A tensão CC disponível para a carga RL será:

𝑉𝐷𝐶 = 0,318(𝑉𝑝 − 2𝑉𝐷 ) eq. (9)

A equação 8 pode ser utilizada neste circuito para definição do valor da corrente
média que circula na carga RL.

Para efetuar a escolha correta dos diodos podemos observar o seguinte:

 Corrente máxima de cada diodo: 𝐼𝐷𝐶 /2;
 Tensão reversa máxima em cada diodo: 𝑉𝐵𝑅 ≥ 𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 .

29
1.6.3.5 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE (ROCP)

Neste tipo de retificador, com a utilização de quatro diodos, eliminamos a

necessidade de um transformador com derivação central (figura 20).

Figura 20: Circuito retificador de onda completa em ponte.

Fonte: O Autor.

Durante o primeiro semiciclo, os diodos D1 e D3 conduzem e D2 e D4 estão

em corte. Com isso, a tensão de pico do secundário fica disponível para a carga.
Durante o segundo semiciclo, os diodos D2 e D4 estão conduzindo e D1 e
D3 estão em corte. Neste semiciclo a tensão de pico do secundário também
estará disponível para a carga. A figura 21 mostra as formas de onda para um
retificador em ponte.

Figura 21: Formas de onda de um Retificador de Onda Completa em Ponte.

Fonte: O Autor.

30
Para este circuito a frequência de saída será o dobro da frequência da tensão
do secundário. Consequentemente, o período de saída será a metade do
período de entrada.

A tensão CC disponível para a carga RL será:

𝑉𝐷𝐶 = 0,636(𝑉𝑝 − 2𝑉𝐷 ) eq. (10)

A equação 8 pode ser utilizada neste circuito para definição do valor da corrente
média que circula na carga RL.

Para efetuar a escolha correta dos diodos podemos observar o seguinte:

 Corrente máxima de cada diodo: 𝐼𝐷𝐶 /2;
 Tensão reversa máxima em cada diodo: 𝑉𝐵𝑅 ≥ 𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜 .

A seguir é apresentada uma tabela com o resumo das principais características

de cada tipo de retificador.

Tabela 1: Principais características dos retificadores.

Retificador de
Retificador de Retificador de
Característica Onda Completa
Meia Onda Onda Completa
em Ponte
Nº de diodos 1 2 4
Transformador utilizado Normal Com tap central Normal
Tensão CC de saída 0,318 * (Vp - Vd) 0,318 * (Vp - 2Vd) 0,636 * (Vp - 2Vd)
Corrente CC de saída Vcc / RL Vcc / RL Vcc / RL
Potência CC Icc * Vcc Icc * Vcc Icc * Vcc
Frequência de saída fe 2 * fe 2 * fe
Período de saída Te Te / 2 Te / 2
Corrente máx no diodo Icc Icc / 2 Icc / 2
Tensão reversa máx no Vpico do Vpico do Vpico do
diodo secundário secundário secundário
Fonte: O Autor.

1.6.4 CIRCUITOS CEIFADORES

Segundo (MALVINO, 2007), um ceifador é aquele retira partes negativas ou

positivas de um sinal. A principal aplicação destes tipos de circuitos é no
condicionamento de um sinal elétrico. Se o circuito retira somente as partes

31
positivas do sinal, ele é chamado de ceifador positivo. Caso as partes retiradas
sejam apenas as negativas, ele é chamado de ceifador negativo. A figura 22
mostra um exemplo de ceifador positivo.

Figura 22: a) Ceifador positivo. b) Forma de onda de saída do circuito.

Fonte: (MALVINO, 2007).

Quando o sinal de entrada estiver no primeiro semiciclo, o diodo estará

polarizado diretamente e limitará a tensão de saída em 0,7V, ceifando os valores
acima disso. No semiciclo negativo o diodo será uma chave aberta, permitindo
que toda tensão de entrada esteja disponível na saída. Para o ceifador negativo
o pensamento é análogo, só que a ligação do diodo é invertida e ele conduz no
semiciclo negativo.

É possível unir o ceifador positivo e o negativo para formar um ceifador duplo.

Neste caso, tanto os valores positivos quanto os negativos seriam ceifados.
Outra situação que podemos encontrar com os ceifadores é a adição de um nível
de polarização CC como mostrado na figura 23.

32
 Figura 23: a) Ceifador positivo polarizado. b) Ceifador negativo polarizado.
Fonte: (MALVINO, 2007).

1.6.5 CIRCUITOS GRAMPEADORES

Um grampeador desloca o sinal aplicado para um ponto CC diferente, mas não

altera sua aparência. Na prática, o valor da tensão de saída estará 0,7V acima
ou abaixo do 0V.

Figura 24: Exemplo de um grampeador positivo.

Fonte: (MALVINO, 2007).

No primeiro semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo conduz e carrega o

capacitor com o valor da tensão de pico. No semiciclo positivo o diodo estará em
corte e a tensão de saída será variável, com um nível CC adicionado pelo
capacitor.

O grampeador negativo funciona de forma semelhante. No primeiro semiciclo

positivo o diodo conduz e carrega o capacitor com o valor da tensão de pico. No
semiciclo negativo, o diodo entra em corte e a tensão de saída é variável com
um valor CC negativo adicionado.

33
 Figura 25: Grampeador negativo.
Fonte: (MALVINO, 2007).

Uma observação importante a respeito do circuito, é que a constante de tempo

dada por 𝑅𝐿 𝐶 é grande o suficiente para manter o capacitor carregado enquanto
o diodo está em corte.

1.6.6 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE TENSÃO

Estes circuitos são uteis quando desejamos criar tensões mais elevadas sem a
necessidade de um transformador. No entanto, a potência que podemos utilizar
é sempre pequena. A figura abaixo mostra um exemplo de circuito dobrador de
tensão.

Figura 26: Exemplo de um dobrador de tensão com diodos.

Fonte: (MALVINO, 2007).

34
 Exercícios

1) Em determinados sistemas utilizam uma bateria como fonte de energia

auxiliar, caso a alimentação principal faltar. Explique o funcionamento do
circuito abaixo:

2) Determine a corrente para cada uma das situações abaixo:

3) Para o circuito abaixo, analise seu comportamento e determine Pd, Id e

Vo.

35
4) Para o circuito abaixo, determine I, Va, Vr e Vo.

𝑁𝑃
5) Se = 4 e a tensão no primário é 120V. Qual a tensão no secundário?
𝑁𝑆

6) Um transformador tem relação de transformação de 2:1. Qual é a tensão

de pico do secundário se a tensão aplicada no primário é 115Vrms?
7) Qual é o valor de tensão CC e a corrente I para o circuito abaixo? Faça
um esboço da forma de onda de saída.

8) Determine a tensão CC, corrente I, frequência e período de saída do

circuito abaixo:

36
9) Faça um esboço da forma de onda da tensão na carga RL e diga qual a
frequência de saída do circuito.

10) Se o circuito da questão anterior tiver a tensão rms variando entre 120V
e 130V. Qual será o valor máximo e mínimo de tensão CC na carga RL?
11) Esboce a forma de onda de saída do circuito abaixo e diga qual a tensão
positiva máxima e a negativa máxima.

12) Determine o tipo de circuito da figura abaixo e explique seu

funcionamento.

13) Um determinado circuito eletrônico sensível a entradas de tensão

elevadas possui um arranjo de diodos para proteção (grampo de diodos),
como mostrado abaixo. Determine os níveis de proteção proporcionados
pelos diodos.

37
14) Mostre que o circuito abaixo pode funcionar como uma porta lógica AND.

15) Esboce a forma de onda do circuito abaixo e diga quais os níveis

máximos de tensão para V1 = 3V e V2 = 2,5V.

16) Qual o tipo de circuito da figura abaixo? Esboce a forma de onda em RL

e diga qual o valor de tensão máxima de saída.

17) Qual a tensão de saída do circuito abaixo?

38
Capítulo 2 – DIODOS ESPECIAIS

Em muitas situações práticas precisamos utilizar alguma indicação visual do

funcionamento do circuito, acionar remotamente dispositivos elétricos, fazer a
regulação de tensão em algum ponto do circuito ou ainda, comandar circuitos
que trabalham a velocidades elevadas. Para atender estas situações, alguns
diodos com características construtivas diferenciadas foram desenvolvidos.

2.1 DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)

A busca pela eficiência energética tem impulsionado a indústria nos últimos

anos. Na área da optoeletrônica, os LEDs têm papel importante e de destaque,
pois apresentam inúmeras vantagens como: baixo consumo energético, alta
capacidade de chaveamento, longa vida útil, possibilidade de fabricação em
tamanhos reduzidos, larga aplicação em displays, dentre outras.

Como o título da seção já diz, um LED é um diodo que emite luz visível ou
invisível (infravermelha) quando seus portadores de carga se recombinam. Na
fabricação dos LEDs, silício e germânio não são materiais indicados, pois são
opacos, isto é, geram quase que totalmente energia térmica quando os
portadores sofrem uma recombinação.

Nos LEDs o processo de recombinação dos portadores gera energia sob a forma
de fótons, proporcionando o efeito luminoso desejado. Na fabricação dos destes
dispositivos geralmente são utilizados gálio (Ga), arsênio (As) e fósforo (P) e
cada combinação de material produz uma cor característica. A tabela 2 mostra
os materiais mais empregados na fabricação de LEDs, assim como a queda de
tensão típica correspondente.

39
 Tabela 2: Tipos de materiais utilizados na fabricação de LEDs e as quedas de tensão típicas.

Queda de tensão
Cor Material
direta(V)

Âmbar AlInGaP 2,1

Azul GaN 5,0
Verde GaP 2,2
Laranja GaAsP 2,0
Vermelho GaAsP 1,8
Branco GaN 4,1
Amarelo AlInGaP 2,1
Fonte: O Autor.

Como podemos observar na tabela, os LEDs possuem uma queda de tensão

direta maior que 0,7V. Outro detalhe importante a respeito destes dispositivos, é
que seu brilho máximo pode ser controlador pela intensidade de corrente que
circula através dele. Quanto maior a corrente, maior será o brilho.

Ao utilizar estes componentes é necessário observar o valor de tensão reversa,

pois os LEDs são extremamente sensíveis a valores elevados de tensão inversa
e queimam com valores próximos dos 5V. A figura 27 mostra um exemplo de
LED e sua simbologia.

Figura 27: a) Estrutura de um LED. b) Simbologia do LED.

Fonte: (MALVINO, 2007).

40
2.1.1 EXEMPLO DE DATASHEET DE UM LED

41
42
43
2.2 DIODO ZENER

Os diodos convencionais não foram desenvolvidos para operar na tensão de

ruptura. Caso o dispositivo seja submetido à esta tensão podem ser danificados
de forma permanente.

Com o diodo Zener a situação é diferente, pois estes componentes foram

desenvolvidos para operar de forma segura na região de ruptura. Uma aplicação
muito importante do diodo Zener é na regulação de tensão. Esta característica
está relacionada à sua capacidade de manter a tensão, no valor de Vz (tensão
de ruptura), praticamente constante quando o diodo opera na região de ruptura
(figura 28).

Figura 28: Curva V-I característica do diodo Zener.

Fonte: (BERTOLI, 2000).

O valor da tensão Zener (Vz) pode ser alterado através de níveis de dopagem
diferentes. No mercado são encontrados diodos comerciais com valores típicos
entre 1,8V e 200V, com capacidade de dissipação de potência desde 0,5W até
50W. A figura 29 mostra a simbologia do diodo Zener.

44
 Figura 29: Simbologia do diodo Zener.
Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).

2.2.1 REGULADOR DE TENSÃO COM DIODO ZENER

Uma das aplicações mais utilizadas para o diodo Zener é a regulação de tensão.
O circuito abaixo mostra uma configuração típica de um regulador.

Algumas definições importantes podemos extrair do circuito acima:

𝑉𝑅𝐿 = 𝑉𝑍 eq.(11)

Aplicando a lei de Kirchhoff das Correntes (LKC) temos:

𝐼𝑆 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝑅𝐿 eq. (12)
A corrente em Rs será dada por:
𝑉𝑆 −𝑉𝑍
𝐼𝑆 = eq.(13)
𝑅𝑆
A corrente em RL será definida por:
𝐼𝑅𝐿 = 𝑉𝑍 /𝑅𝐿 eq.(14)

O projeto de um regulador com diodo Zener basicamente se resume em calcular

o valor de Rs que permita que o diodo entre na região de regulação e que não

45
ultrapasse seu valor máximo de dissipação de potência. A equação 15 pode ser
utilizada como referência para o cálculo de Rs.
𝑉𝑆𝑚𝑎𝑥 −𝑉𝑍 𝑉𝑆𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍
≤ 𝑅𝑆 ≤ eq.(15)
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 +𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 +𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥

46
2.2.2 EXEMPLO DE UM DATASHEET DE UM DIODO ZENER

47
48
49
 EXERCÍCIOS
1) Um regulador Zener tem uma fonte Vs = 24V, Rs = 470 Ohms e Vz = 15V.
Qual o valor da corrente Iz?
2) Se o regulador da questão anterior tiver a tesão de entrada variando entre
24V e 35V. Quais serão os valores mínimo e máximo de Iz?
3) Se o diodo Zener do circuito abaixo for desconectado do circuito qual será
a tensão em RL?

4) Um regulador Zener possui os seguintes dados de entrada: Vs = 30V com

10% de variação, Vz = 15V e Izmax = 0,7A. A carga varia entre 1KΩ e
2,5KΩ. Determine o valor de Rs que coloque o Zener para operar na
região correta.
5) Na figura abaixo o diodo Zener possui tensão de 12V. Se você medir
aproximadamente 20V no resistor de 500Ω, qual componente você
sugere que esteja com problema? Explique por quê?

6) Assumindo que o LED do circuito abaixo é de AlInGaP. Qual a corrente

que circula no circuito?

50
Utilizando a figura da questão 6, responda as questões 7 – 9.
7) Se a tensão de alimentação aumentar para 40V. Qual será o novo valor
de corrente?
8) Se o LED for ligado em polarização reversa. Qual será sua condição?
Explique por quê?
9) Sabendo que o LED em do circuito tem o datasheet informado na apostila.
Qual o valor mínimo de Rs para que o componente não seja danificado
por excesso de corrente?

51
 REFERÊNCIAS
BERTOLI, R. A. Eletrônica Básica, Unicamp, 2000.

BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos. 11a ed. [s.l.] : Pearson Education, 2013.

CRUZ, E. C. A.; JUNIOR, S. C.; MARQUES, A. E. B. Dispositivos

Semicondutores - Diodos e Transistores. 13a ed. [s.l.] : Érica, 1998.

ELETRÔNICA-PT, E.-P. Transformadores, 2019. Disponível em:

<https://www.electronica-pt.com/transformadores>. Acesso em: 8 set. 2019.

MALVINO, A. P. Eletrônica. São Paulo: Pearson Makron Books, 2007.

MASTER WALKER ELECTRONIC SHOP. Encapsulamentos, [s.d.]. Disponível

em: <http://blogmasterwalkershop.com.br/eletronica/componentes-ativos-
circuito-integrado/>. Acesso em: 27 ago. 2019.

ROBBINS, A.; MILLER, W. Circuit analysis: theory and practice. 3rd ed ed.
New York: Thomson/Delmar Learning, 2003.

SCHULER, C. Eletrônica I - Série Tekne. 7a ed. [s.l.] : McGraw-Hill, 2013.

WIKIPEDIA, W. Curva iv do ciodo, 2019. Disponível em:

<https://www.google.com/url?sa=i&source=images&cd=&cad=rja&uact=8&ved=
2ahUKEwjGmdHrrKfkAhWaKLkGHeObD9oQjhx6BAgBEAI&url=https%3A%2F
%2Fpt.wikipedia.org%2Fwiki%2FCurva_caracter%25C3%25ADstica_corrente-
tens%25C3%25A3o&psig=AOvVaw0tPBA0FztNPBYJo-
xNllJT&ust=1567142945786036>. Acesso em: 29 ago. 2019.

52