Sensores de Temperatura
LQMEC – Laboratory for Quantum Matter under Extreme Conditions
Ítalo Silva de Oliveira Sousa – ítalo.sousa@usp.br
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Sensores de Carbono
Filmes finos
Entende-se por um filme fino o
material que, metálico ou não, tem uma de
suas dimensões muito menor que as demais:
de fato, é conveniente defini-lo como um
material cuja camada − de espessura entre
nanômetros e micrômetros − é depositada
sobre outro material denominado substrato [1].
Secção transversal de um filme fino de TiN
SERRA, E.
A utilização desse material se justifica
pela gama de propriedades que apresenta e
pela facilidade com a qual se pode alterá-las.
As propriedades dum filme fino dependem da
[1,2]
sua microestrutura . A microestrutura é o
conjunto de características – químicas e
físicas − que tornam determinado tipo de
filme fino particular, e são determinadas
quase que exclusivamente pelo seu processo
de deposição. Dessa forma, a deposição dum
filme fino deve-se adequar às características
finais que lhe são desejadas [2].
Dá-se a formação dum filme fino
sempre sobre um substrato e envolve dois
principais processos: nucleação e crescimento
[3]
.
Esquematização dos processos de formação de um
filme fino
AGUZZOLI, C.
Extraem-se os átomos duma fonte sólida, cuja
composição química é a desejada ao filme
fino, os quais são guiados a um substrato que,
uma vez atingido, fará com que percam a sua
energia; então, os átomos contidos na
superfície do substrato passam a se aglomerar
– formando aglomerados denominados
clusters – e, conforme se continua a
deposição, aumentam em volume e formam
ilhas; como as ilhas também crescem, acabam
por se coalescerem, juntando-se

gradativamente às demais, até que existam
ilhas maiores permeadas por pequenos canais
desprovidos de átomos que, ao fim da
deposição, desaparecerão e haverá, por fim,
um filme fino contínuo [3,4].
Métodos de Deposição
Há vários processos que lidam à
deposição de filmes finos, mas as deposições
por sputtering e magnéton sputtering são as
mais comuns.
Deposição por Sputtering
Este método de deposição
baseado na retirada de átomos dum alvo, o
material cuja composição química é de
interesse, e a sua deposição num substrato.
Tem-se, então, o alvo e o substrato em pólos
opostos duma câmara de vácuo à baixa
pressão: a câmara é preenchida com algum
gás, comumente usa-se o gás argônio (Ar) e,
valendo-se duma corrente continua, cria-se
uma diferença de potencial entre os pólos da
estrutura − o alvo é o negativo e o substrato, o
Esquematização do processo de Deposição Sputtering
[3]
positivo . Criada a tensão, há uma descarga
elétrica entre os pólos, região até então neutra
e preenchida com íons e elétrons do gás
argônio – gerando o plasma −, e devido ao
surgimento do campo elétrico, os íons
provenientes do gás são direcionados ao alvo
enquanto os elétrons livres seguem na direção
do substrato, ionizando átomos de argônio
durante o percurso. Como resultado, as
colisões entre os íons do gás e o alvo acabam
por ejetar seus átomos, alguns dos quais
chegarão ao substrato, em várias posições [3,5].
está
Ademais ao processo, pode-se calcular
o seu rendimento S, chamado sputtering yield,
pela razão entre do número de átomos
arrancado N pelo número de íons incidentes I
[5]
:
𝑁
𝑆= ,
𝐼
que variará com o tipo de material empregado
como alvo. Uma vez que o rendimento da
deposição depende do número de átomos
arrancados, pode-se relacioná-lo a energia
OHRING, M.
disposta durante o processo e, novamente, o
comportamento dessa relação dependerá do
tipo de material destinado ao alvo, como
demonstra o gráfico a seguir [5]:
Rendimento para alguns materiais em função da
energia do íon
Fonte
Nota-se que o maior rendimento está
encerrado numa região específica de energias,
a qual corresponde à auto-sustentabilidade do
plasma, isto é, o equilíbrio entre a ejeção dos
átomos e a formação de elétrons secundários
que auxiliam na continuação do plasma
através da sua colisão com partículas neutras
do sistema [3].
Deposição por Magnéton Sputtering
Na técnica de deposição sputtering
simples, há uma inconveniência: os elétrons
secundários, responsáveis pela colisão com
partículas neutras e geração de íons do gás,
não necessariamente o fazem, espalhando-se
para outras regiões distantes do alvo e,
conseqüentemente, diminuindo a taxa de
ejeção de átomos, além de gerar radiação
quando em choque nos limites da câmara [6,7].
Dada a questão, resolve-sa impondo
um campo magnético na região do alvo
perpendicular à direção do campo elétrico
gerado pela corrente empregada na
disposição. Dessa forma, ambos os campos
conterão os elétrons secundários em regiões
próximas ao alvo, acumulando-os e, então,
aumentando a sua ocorrência de colisão com
as partículas neutras, o que acarretará numa
maior quantidade íons e, por fim, num
rendimento maior de ejeção [7].
Esquematização da Deposição Magnéton Sputtering
Fonte
Deposição por Sputtering Reativo
Quando se procura produzir um filme
fino cuja composição química é diferente,
mais diversa, que a do alvo, aplica-se a
deposição por sputtering reativo: aqui, há as
mesmas condições que as técnicas anteriores,
mas adiciona-se um gás alheio ao destinado à
formação do plasma; assim, durante o
caminho dos átomos ejetados ao substrato, há
a sua colisão com os átomos desse outro gás,
o que gera um filme fino de composição 91f. Dissertação (Mestrado) - Universidade
variada na forma de carbetos, óxidos, nitretos, Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre.
[7]
entre outros . Contudo, há de se atentar às [7] SESHAN, K (editor); Handbook of
particularidades dessa técnica: (a) o gás thin film deposition processes and
reativo pode reagir com o alvo; (b) esse techniques; William Andrew Publishing,
mesmo gás pode reagir com o filme fino já Norwich, EUA, 2002.
depositado no substrato; e (c) as propriedades [8] CHAVES, Michel. Efeito da pressão
finais do filme fino dependerão de vários em filmes finos de ZnO:Al por RF Magnetron
parâmetros como o tipo de átomo que sputtering reativo, 2014;
comporá o gás, a sua pressão parcial e a [9]
temperatura do sistema [8]. [10]
Filmes finos como sensores de [11]
temperatura [12]
[13]
Filmes finos comerciais
[14]
Referências [15]
[1] SMITH, L; Thin film deposition:
[16]
principles and practice, 1995;
[2] CHINAGLIA, E; Caracterização
Nanoestrutural de Filmes Finos do Grupo
IV-B Depositados por Sputtering
Magnetron, 2002;
[3] CARVALHO, R. Deposição e
caracterização de filmes finos de NbAIN por
Magnetron Sputtering Reativo, 2016.
[4] AGUZZOLI, C; Transporte atômico e
reações químicas em nanoestruturas TiN e
TiN/Ti em aço nitretado a plasma, 2008. 68f.
Dissertação (Mestrado) – Universidade de
Caxias do Sul, Caxias do Sul.
[5] OHRING, M; The Materials Science
of Thin Films, Academic Press Inc., San
Diego, 1992;
[6] BOM, N. M. Propriedades físico-
químicas de filmes finos de Al2O3
depositados por sputtering sobre Ge, 2001.