Avaliação Regular 2º bimestre/2021:

EEE001-P011 - Microeletrônica
O nome, a foto e o nome de usuário associados à sua Conta do Google serão registrados
quando você fizer upload de arquivos e enviar este formulário.

Não é 1824401@aluno.univesp.br? Trocar de conta

QUESTÕES

1.1. Em uma barra de material semicondutor intrínseco, se a concentração de

elétrons livres for de 2x10¹⁰ elétrons-livres/cm³, a concentração e lacunas nessa
barra intrínseca será de:

2x10¹⁰ lacunas/cm³

1x10¹⁰ lacunas/cm³

4x10¹⁰ lacunas/cm³

zero lacunas/cm³

5x10²² lacunas/cm³

Limpar seleção
1.2. Assinale a alternativa correta:

A vantagem do silício em relação ao germânio é sua estabilidade até 200° C

(germânio 85° C) e principalmente a facilidade de oxidação.

A vantagem do arseneto de gálio em relação ao silício é sua estabilidade até 200° C

(silício 85° C) e principalmente o melhor desempenho elétrico.

A vantagem do fosfeto de índio em relação ao silício é sua estabilidade até 200° C

(silício 85° C) e principalmente o melhor desempenho elétrico.

A vantagem do arseneto de gálio em relação ao silício é sua facilidade de produção

em massa.

A vantagem do silício em relação ao germânio é sua estabilidade até 85° C (germânio

200° C) e principalmente a facilidade de oxidação.

Limpar seleção
1.3. A implantação iônica é um processo muito importante. A partir do gráfico
abaixo podemos concluir que:

Quanto maior a energia do feixe de íons, maior a concentração alcançada.

É possível obter-se regiões implantadas extremamente rasas, menores que 100nm.

O pico de concentração é mais profundo quanto menor a energia do feixe de íons.

Para se obter o perfil final homogêneo, deve-se manter a dose de implantação

constante para todas as energias utilizadas.

A concentração implantada na superfície aumenta com o aumento da energia do

feixe de íons.

Limpar seleção
1.4. Pode-se destacar como características do processo de corrosão úmida:

Alto custo dos reagentes, alta produtividade e excelente seletividade para máscara e
substrato.

Baixo custo, baixa produtividade por variações nas condições dos reagentes ao longo
do tempo e excelente seletividade para máscara e substrato.

Baixo custo, alta produtividade e menor seletividade para máscara e substrato do que
o processo de corrosão seca.

Baixo custo, alta produtividade e excelente seletividade para máscara e substrato.

Baixo custo, alta produtividade, excelente seletividade para máscara e baixa

seletividade para o substrato.

Limpar seleção
2. A tabela abaixo apresenta diversas características de resistes empregados na
fabricação de circuito integrados. Indique qual o resiste óptico que possui
melhor sensibilidade e o resiste negativo para feixe de elétrons que possui a
melhor resolução.

AZ-1350J é o resiste óptico que possui melhor sensibilidade 90mJ/cm²

SAL-606 é o resiste negativo para feixe de elétrons que possui a melhor resolução com
100nm

Página 2 de 4

Voltar Próxima
 Voltar Próxima

Nunca envie senhas pelo Formulários Google.

Este formulário foi criado em Universidade Virtual do Estado de São Paulo. Denunciar abuso

 Formulários