DISCIPLINA:

ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA
3º ANO
LICENCIATURA EM ENGENHARIA ELÉCTRICA

AULA 1 INTRODUÇÃO – 2021

INTRODUÇÃO
 METODOLOGIA DE ENSINO
• DISCIPLINA ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA É UMA DISCIPLINA DE FORMAÇÃO DE
ESPECIALIDADE, QUE TEM UM CARÁCTER TEÓRICO-PRÁCTICO PARA HABILITAR OS ESTUDANTES A
REALIZAREM OS CÁLCULOS ELECTROTÉCNICOS E ENSAIOS EXPERIMENTAIS.

• NAS AULAS TEÓRICAS: DAR-SE-ÃO AOS ESTUDANTES OS CONCEITOS E LEIS PRINCIPAIS, OS

MÉTODOS, REGRAS, ALGORITMOS DE CÁLCULO DOS CIRCUITOS DE ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA, TAIS
COMO CONVERSORES, INVERSORES, CONTROLADORES QUE NO FIM VÃO FACILITAR A APLICAÇÃO
PRÁTICA DESTES CIRCUITOS NO ACCIONAMENTO DE MOTORES, FONTES DE ALIMENTAÇÃO E
PROTECÇÃO DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS.

• NAS AULAS PRÁCTICAS E NAS AULAS LABORATORIAIS: DESENVOLVER-SE-ÃO AS

APTIDÕES DOS ESTUDANTES NA SOLUÇÃO DOS PROBLEMAS CONCRECTOS A FIM DE ADQUIRIREM AS
HABILIDADES DE OPERAR, USAR E INTERLIGAR OS CONHECIMENTOS OBTIDOS NAS AULAS TEÓRICAS. AS
AULAS PRÁTICAS SÃO OBRIGATÓRIAS.

• SEMINARIOS: DESENVOLVER-SE-ÃO AS APTIDÕES DOS ESTUDANTES NA BUSCA E EXPOSIÇÃO DE

TEMAS
 CRITÉRIOS DE AVALIAÇÃO
• AVALIAÇÃO DE FREQUÊNCIA
• O NIVEL DE APRENDIZAGEM DAS AULAS TEÓRICAS E PRÁCTICAS
AVALIA-SE MEDIANTE
• 3 TESTES POR ESCRITO CUJA MÉDIA CONTRIBUIRÁ PARA A NOTA DE
FREQUÊNCIA COM 80%;
• 2 TRABALHOS DE CASA (TPC), CUJA MÉDIA CONTRIBUIRÁ PARA A
NOTA DE FREQUÊNCIA COM 5%;
• 3 TRABALHOS LABORATÓRIO (LAB), CUJA MÉDIA CONTRIBUIRÁ PARA
A NOTA DE FREQUÊNCIA COM 5%; E
• 2 TRABALHOS DE SEMINÁRIOS (S), CUJA MÉDIA CONTRIBUIRÁ PARA A
NOTA DE FREQUÊNCIA COM 10%.
• 𝐍𝐦𝐞𝐝𝐅𝐫𝐞𝐪 = 𝟎. 𝟖𝐍𝐦𝐞𝐝𝐓 + 𝟎. 𝟎𝟓𝐍𝐦𝐞𝐝𝑻𝑷𝑪 +𝟎. 𝟎𝟓𝐍𝐦𝐞𝐝𝑳𝑨𝑩 +𝟎. 𝟏𝐍𝐦𝐞𝐝𝑺
 BIBLIOGRAFIA
LIVROS:
1. ASHFAQ AHMED, ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA, EDITORA AFILIADA, 2000, SÃO PAULO.
2. MUHAMMAD H. RASHID, ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA, EDITORA AFILIADA, SEGUNDA
EDIÇÃO1999.
3. CYRIL W. LANDER, ELECTRÓNICA INDUSTRIAL (TEORIA E APLICAÇÕES), MCGRAW-HILL, 1988.
4. W. SHEPHERD & L.N. HULLEY, POWER ELECTRONICS AND MOTOR CONTROL, CAMBRIDGE
UNIVERSITY PRESS, 1987
5. J. SEYMOUR, SEMICONDUCTOR DEVICES IN POWER ENGINEERING, 1ST EDITION, 1968.
6. RAYMOND RAMSHAW, POWER ELECTRONICS, THYRISTOR CONTROLLED POWER FOR
ELECTRIC MOTORS,1STEDITION, 1987.
7. B. W. WILLIAMS, DEVICES, DRIVES, APPLICATIONS AND PASSIVE COMPONENTS, Mac
WILLIAMS, 2ND EDITION, 1995.
 BIBLIOGRAFIA
PERIÓDICOS E CONFERÊNCIAS PROFISSIONAIS DE REPUTAÇÃO
INTERNACIONAL NOS QUAIS OS NOVOS DESENVOLVIMENTOS
SÃO PUBLICADOS:
1. IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS.
2. IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS.
3. IEEE TRANSACTIONS ON POWER DELIVERY.
4. IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS.
5. IEE PROCEEDINGS ON ELECTRIC POWER.
6. EUROPEAN POWER ELECTRONICS CONFERENCE (EPEC).
7. INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC).
1. INTRODUÇÃO

1.1 OBJECTO DA ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA

A ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA TRATA DA APLICAÇÃO DE
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA NA
CONVERSÃO E/OU REGULAÇÃO DE ENERGIA ELÉCTRICA
ENTRE DOIS CIRCUITOS A QUE DESIGNAREMOS POR
FONTE/GERADOR E CARGA/RECEPTOR (FIGURA 1.1).
FIGURA 1.1 OBJECTO DE ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA
CIRCUITO DE POTÊNCIA, É COMPOSTO POR UMA MALHA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
DE POTÊNCIA, QUE INTERLIGA A FONTE PRIMÁRIA DE ALIMENTAÇÃO COM A CARGA,
UM CIRCUITO DE CONTROLE, QUE ELABORA A INFORMAÇÃO PROPORCIONADA PELO CIRCUITO DE POTÊNCIA E
UM CIRCUITO DE DISPARO, QUE GERA SINAIS DE COMANDO QUE DETERMINAM A LIGAÇÃO OU DESLIGAÇÃO
DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA.

ENERGIA ELÉCTRICA ENERGIA ELÉCTRICA

DE ENTRADA DA DE SAÍDA PARA
FONTE/GERADOR CIRCUITO DE CARGA/RECEPTOR
POTÊNCIA

SINAIS DE COMANDO INFORMAÇÃO

CIRCUITO CIRCUITO DE
DE DISPARO CONTROLE

CIRCUITO DE COMANDO

FIGURA 1.2 DIAGRAMA DE BLOCOS DE UM SISTEMA DE ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA

EXEMPLOS DE APLICAÇÕES DE ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA:

• CONTROLE DE ILUMINAÇÃO E DE AQUECIMENTO

• FONTES DE ENERGIA (REGULADAS OU NÃO) E UPSS
• ACCIONAMENTOS ELÉCTRICOS DC (CORRENTE CONTÍNUA) OU
AC (CORRENTE ALTERNADA)
• COMPENSADORES ESTÁTICOS VAR (VOLT-AMPERE REACTIVO )
• SISTEMAS DE TRANSMISSÃO DC EM ALTA TENSÃO HVDC
• SISTEMAS DE PROPULSÃO DE VEÍCULOS
APLICAÇÕES A BAIXA POTÊNCIA (<10 kW) APLICAÇÕES DE MEIA POTÊNCIA (10-1000kW
BAIXA TENSÃO)

DOMÉSTICAS INDUSTRIAIS

EQUIPAMENTOS TELECOMUNICAÇÕES
DE ESCRITÓRIO

EQUIPAMENTOS ACCIONAMENTOS
INDUSTRIAIS E ELÉCTRICOS
COMERCIAIS

APLICAÇÕES DE ALTA POTÊNCIA (>1000 kW ALTA VOLTAGEM)

TRANSMISSÃO TRACÇÃO
CONTROLE/REGULAÇÃO DO FLUXO DE POTÊNCIA ELÉCTRICA

O FLUXO DE POTÊNCIA ELÉCTRICA DE UMA FONTE PARA UMA

CARGA PODE SER CONTROLADA/REGULADA QUER PELA
VARIAÇÃO DA TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO (POR EXEMPLO COM
RECURSO A UM TRANSFORMADOR VARIÁVEL) OU PELA
INSERÇÃO DE UM REGULADOR. AS DUAS FORMAS COMUNS DO
REGULADOR EM SÉRIE SÃO UMA IMPEDÂNCIA VARIÁVEL OU UM
INTERRUPTOR.
1.2 IMPEDÂNCIA VARIÁVEL COMO DISPOSITIVO DE
CONTROLE/REGULAÇÃO

A FIGURA 1.3 MOSTRA UMA IMPEDÂNCIA VARIÁVEL

CONTROLANDO/REGULANDO A TRANSFERÊNCIA DE
POTÊNCIA ELÉCTRICA DA FONTE PARA A CARGA.
QUANDO Z FOR IGUAL A ZERO OHMS, A CARGA RECEBE TODA
POTÊNCIA. QUANDO O VALOR DE Z FOR INFINITAMENTE
GRANDE, A POTÊNCIA ENTREGUE A CARGA É PRATICAMENTE
IGUAL A ZERO.
 Z Se Z = 0
A carga recebe potência MÁXIMA
Quando o valor de Z for infinitamente
grande A potência transferida para a
Fonte Carga carga é Virtualmente zero

FIGURA 1.3 IMPEDÂNCIA VARIÁVEL COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE

 ESTE MÉTODO RESULTA NO DESPERDÍCIO DE ENERGIA E
CONSEQUENTE PERDA DE EFICIÊNCIA DO SISTEMA.
 NAS APLICAÇÕES EM QUE A POTÊNCIA A SER
CONTROLADA É GRANDE, A EFECIÊNCIA DA CONVERSÃO
É MUITO IMPORTANTE.
 UMA EFICIÊNCIA BAIXA SIGNIFICA GRANDES PERDAS, UMA
PREOCUPAÇÃO DE CARÁCTER ECONÓMICO, PARA ALÉM
DE GERAR CALOR, QUE DEVERÁ SER REMOVIDO DO
SISTEMA PARA EVITAR O SEU AQUECIMENTO EXCESSIVO.
Por esta razão, no lugar de impedância variável
continuamente, o controle do fluxo de potência
em circuitos de grande potência é
invariavelmente feito com recurso a dispositivos
semiconductores de potência, operando como
Interruptores (Chaves/Válvulas).
1.3 INTERRUPTOR COMO DISPOSITIVO DE
CONTROLE/REGULAÇÃO

• A FIGURA 1.4 MOSTRA UM INTERRUPTOR USADO COMO DISPOSITIVO DE

CONTROLE/REGULAÇÃO DA CARGA. ABERTO

• O INTERRUPTOR ALTERNA ENTRE DOIS ESTADOS DE FUNCIONAMENTO, I (Interuptor)

NOMEADAMENTE COMPLETAMENTE LIGADO (FULLY ON), QUE É A
CONDIÇÃO DE IMPEDÂNCIA ZERO E QUEDA DE TENSÃO ZERO, E FECHADO
COMPLETAMENTE DESLIGADO (FULLY OFF), QUE É CONDIÇÃO DE Fonte
IMPADÂNCIA INFINITA E CORRENTE ZERO
Carga
• NO ESTADO DE CONDUÇÃO (LIGADO), UM MÁXIMO DE POTÊNCIA Ê
TRANSFERIDO PARA A CARGA. E A PERDA DE POTÊNCIA SOBRE O
INTERRUPTOR Ê NULA, UMA VEZ QUE A IMPEDÂNCIA É ZERO.

• NO ESTADO DE BLOQUEIO (DESLIGADO) NÃO EXISTE FLUXO DE

POTÊNCIA PARA A CARGA E TAMBÉM NÃO HÁ PERDA DE POTÊNCIA NO
INTERRUPTOR, UMA VEZ QUE NÃO PASSA NENHUMA CORRENTE.
Figura 1.4 Interruptor como dispositivo Regulador
• A EFICIÊNCIA É DE 100%, PORQUE NO INTERRUPTOR NÃO OCORRE
PERDA DE ENERGIA EM QUALQUER UM DOS DOIS ESTADOS.
 PROBLEMA COM INTERRUPTOR
 O PROBLEMA EXISTENTE NESSE MÉTODO É QUE, AO CONTRÁRIO DA
IMPEDÂNCIA VARIÁVEL, O INTERRUPTOR NÃO PODE SER COLOCADO EM
POSIÇÕES INTERMEDIÁRIAS, DE MODO A PROPORCIONAR UMA VARIAÇÃO
GRADUAL DO FLUXO DE POTÊNCIA.
 O TEMPO DE COMUTAÇÃO DE UM ESTADO PARA OUTRO ESTÁ SOB CONTROLE
DO OPERADOR.

SOLUÇÃO
PODE-SE CRIAR O MESMO EFEITO ABRINDO E
FECHANDO O INTERRUPTOR REPETIDAMENTE.
 MÉTODOS DE AMOSTRAGEM (SAMPLING)
.

 SE O INÍCIO DO PERÍODO DE CONDUÇÃO (ON) OCORRE

PERIODICAMENTE COM UM INTERVALO DE TEMPO CONSTANTE
ENTRE AS SUCESSIVAS COMUTAÇÕES, O FUNCIONAMENTO É
DESIGNADO DE AMOSTRAGEM UNIFORME.
 SE O INÍCIO DO PERÍODO DE CONDUÇÃO (ON) OCORRE
IRREGULARMENTE, DEVIDO (DIGAMOS) AOS REQUISITOS DA
CARGA, O FUNCIONAMENTO CHAMA-SE AMOSTRAGEM
NATURAL.
1.4 CONSIDERAÇÕES GERAIS SOBRE DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA
 O PROBLEMA PRINCIPAL DA IMPEDÂNCIA VARIÁVEL É O DESPERDÍCIO DE
ENERGIA E CONSEQUENTE PERDA DE EFICIÊNCIA DO SISTEMA.
 ENQUANTO QUE, A MAIOR LIMITAÇÃO DO INTERRUPTOR (NORMAL) RESULTA
DO FACTO DE O TEMPO DE COMUTAÇÃO DE UM ESTADO PARA OUTRO ESTAR
SOB CONTROLE DO OPERADOR.
POR ESTAS RAZÕES, O CONTROLE DO FLUXO DE POTÊNCIA EM CIRCUITOS DE
GRANDE POTÊNCIA É INVARIAVELMENTE FEITO COM RECURSO A DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA, OPERANDO NO MODO DE
INTERRUPTOR/CHAVE/VÁLVULA. EFECTIVAMENTE, ESTES CONSTITUEM OS
ELEMENTOS MAIS IMPORTANTES EM CIRCUITOS DE ELETRÓNICA DE POTÊNCIA.
1.4.1 REQUISITOS DE UM INTERRUPTOR IDEAL
UM INTERRUPTOR IDEAL DEVE SATISFAZER AS SEGUINTES CONDIÇÕES:
 QUANDO ESTÁ NO ESTADO CONDUÇÃO, A SUA IMPEDÂNCIA DEVE SER NULA E,
CONSEQUENTEMENTE, A QUEDA DE TENSÃO SOBRE O DISPOSITIVO É ZERO.
 QUANDO ESTÁ NO ESTADO DE BLOQUEIO, A SUA IMPADÂNCIA DEVE SER INFINITA E, POR
CONSEGUINTE, O FLUXO DE CORRENTE É NULO.
 O PROCESSO DE COMUTAÇÃO (LIGAÇÃO E DESLIGAÇÃO) DEVE OCORRER
INSTANTANEAMENTE. ISTO É, A MUDANÇA DE UM ESTADO PARA OUTRO OCORRE
INSTANTANEAMENTE E, DESTE MODO, NÃO SE REGISTA NENHUMA PERDA DE ENERGIA
NO PROCESSO DE COMUTAÇÃO.

PORTANTO, O INTERRUPTOR IDEAL NÃO DISSIPA ENERGIA QUER NO ESTADO

DE CONDUÇÃO OU DE BLOQUEIO COMO NO PROCESSO DE COMUTAÇÃO.
1.4.2 CARACTERÍSTICAS ESSENCIAIS DE DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA
AS CARACTERÍSTICAS ESSENCIAIS (DESEJÁVEIS) DOS DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA SÃO SEGUINTES:
 NO ESTADO DE CONDUÇÃO DEVEM SER CAPAZES DE SUPORTAR O FLUXO DE
GRANDES CORRENTES (ION).
 NO ESTADO DE BLOQUEIO DEVEM SER CAPAZES DE BLOQUEAR TENSÕES
ELEVADAS (VOFF).
 O “RATIO” DO GANHO DA POTÊNCIA DE CONTROLE DEVE SER ACEITAVELMENTE
ELEVADO, OU SEJA DEVEM NECESSITAR POUCA POTÊNCIA PARA O CONTROLE DA
OPERAÇÃO. UM DISPOSITIVO QUE REQUER NO ELÉCTRODO DE CONTROLE UMA
POTÊNCIA EQUIPARÁVEL A DO CANAL PRINCIPAL SERIA DE POUCA UTILIDADE.
1.4.2 CARACTERÍSTICAS ESSENCIAIS DE DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA

 DEVEM SER ALTAMENTE CONFIÁVEIS.

 DEVEM SER PEQUENOS NO TAMANHO E LEVES NO PESO;
 DEVEM SER DE BAIXO CUSTO.
 DEVEM NÃO REQUERER MANUTENÇÃO
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS

OS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA EXISTENTES

NA PRÁTICA NÃO SÃO PERFEITOS (IDEAIS), SENDO DE DESTACAR
SEGUINTES IMPERFEIÇÕES:
 NO ESTADO DE CONDUÇÃO (COMPLETAMENTE LIGADO)
POSSUEM UMA IMPEDÂNCIA MUITO PEQUENA, MAS DE VALOR
FINITO, RESULTANDO EM QUEDA DE TENSÃO NO ESTADO DE
CONDUÇÃO E, POR CONSEGUINTE, NO AQUECIMENTO DO
DISPOSITIVO.
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS

 NO ESTADO DE BLOQUEIO (COMPLETAMENTE DESLIGADO)

POSSUEM UMA IMPEDÂNCIA MUITO ELEVADA, MAS TAMBÉM DE
VALOR FINITO, RESULTANDO NO FLUXO DE CORRENTES DE FUGA
QUER NO SENTIDO DIRECTO COMO INVERSO, DEPENDENDO DA
POLARIDADE DA TENSÃO APLICADA.
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS
 AS ACÇÕES DE LIGAÇÃO E DE DESLIGAÇÃO (ISTO É COMUTAÇÃO DE
UM ESTADO PARA OUTRO) NÃO OCORRE INSTANTANEAMENTE.
 CADA COMUTAÇÃO OCORRE DURANTE UM ESPAÇO DE TEMPO
SIGNIFICATIVO.
 AMBOS PROCESSOS DE LIGAÇÃO E DE DESLIGAÇÃO (INTERRUPÇÃO)
SÃO ACOMPANHADOS POR DISSIPAÇÃO, A QUAL APARECE (SURGE)
COMO CALOR E CAUSA O AUMENTO DA TEMPERATURA DO
DISPOSITIVO.
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS
 EM APLICAÇÕES ONDE O DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR É
SUBMETIDO A COMUTAÇÕES FREQUENTES, AS PERDAS DE LIGAÇÃO
E DE DESLIGAÇÃO PODEM SE ADICIONAR ÀS PERDAS NO ESTADO
ESTACIONÁRIO DE CONDUÇÃO PARA CONSTITUIR PERDAS
“INCIDENTAIS”.
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS
 AS CARACTERÍSTICAS DE SAÍDA DOS DISPOSITIVOS LINEARES
PODEM SER REPRESENTADAS DE FORMA GRÁFICA POR ION
VERSUS A TENSÃO VON SOBRE O DISPOSITIVO DURANTE A
CONDUÇÃO.
 O PRODUTO VONION REPRESENTA A DISSIPAÇÃO DO DISPOSITIVO
– LARGAMENTE EM CALOR DE PERDAS – E CORRESPONDE A
INEFICIÊNCIA DE CONTROLE.
 O DISPOSITIVO SÓ PODE SUPORTAR/AGUENTAR UMA CERTA
QUANTIDADE FIXA DE CALOR PMAX, A QUAL CORRESPONDE AOS
LUGARES NA PARABÓLA ION VERSUS VON DA CARACTERÍSTICA DE
SAÍDA.
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS
 EXISTEM TAMBÉM LIMITES MÁXIMO E MÍNIMO DE CORRENTE.
 ESTAS FRONTEIRAS DELIMITAM UMA ÁREA DESIGNADA POR
ÁREA DE OPERAÇÃO (FUNCIONAMENTO) SEGURO – SAFE
OPERATING AREA (SOA).
 O SEU TAMANHO INDICA A CAPACIDADE DE MANUSEAMENTO
DE POTÊNCIA DO DISPOSITIVO; QUANTO MAIOR FOR MAIS
ROBUSTO E ÚTIL É O DISPOSITIVO.
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS
 O FACTO DE QUE OS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA SÃO
APROXIMADAMENTE – MAS NÃO EXCTAMENTE – INTERRUPTORES IDEAIS
CRIA PROBLEMAS EM RELAÇÃO À CONCEPÇÃO (DESENHO) DE CIRCUITOS
SEMICONDUCTORES E DIMENSIONAMENTO DOS SEUS COMPONENTES.
 A CAPACIDADE MÁXIMA DE MANUSEAMENTO DE POTÊNCIA DO
DISPOSITIVO PODE SER CONSIDERADA COMO O PRODUTO
𝑽𝒐𝒇𝒇𝒎𝒂𝒙 . 𝑰𝒐𝒏𝒎𝒂𝒙 .
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS
 SOB CONDIÇÕES DE CARGA NOMINAL A DISSIPAÇÃO INCIDENTAL DO
DISPOSITIVO É APENAS UMA FRACÇÃO MUITO PEQUENA DESTE PRODUTO
DE TAL MODO QUE OS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA
SOMENTE NECESSITAM DE SEREM FABRICADOS FISICAMENTE PEQUENOS.
 PORQUE SÃO FABRICADOS FISICAMENTE PEQUENOS, OS DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA SÃO TERMICAMENTE FRÁGEIS.
 MESMO UM PEQUENO ABUSO ELÉCTRICO PODE CAUSAR QUE AS
ESPECIFICAÇÕES TÉRMICAS SEJAM LARGAMENTE EXCEDIDAS.
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS
 POR EXEMPLO, UMA TENSÃO COMPARATIVAMENTE PEQUENA MAS QUE
EXCEDE O VALOR NORMAL NO ESTADO DE CONDUÇÃO QUANDO ESTÁ A
FLUIR UMA CORRENTE DE CARGA SIGNIFICATIVA PODE CAUSAR A
DESTRUIÇÃO DO DISPOSITIVO.
 TAMBÉM, UM PEQUENO EXCESSO DA CORRENTE DE FUGA DURANTE O
ESTADO DE BLOQUEIO PODE RESULTAR NUMA RÁPIDA DESTRUIÇÃO,
ESPECIALMENTE QUANDO A TENSÃO (DIRECTA OU INVERSA) FOR
ELEVADA.
1.4.3 LIMITAÇÕES DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA PRÁTRICOS
 TEMPOS EXCESSIVOS DE COMUTAÇÃO QUANDO TENSÕES E CORRENTES
CONDIDERÁVEIS OCORREM SIMULTANEAMENTE PODE CAUSAR QUE AS
ESPECIFICAÇÕES DO DISPOSITIVO SEJAM EXCEDIDAS POR MARGENS
LARGAS.
 O RESULTADO É UM RÁPIDO SOBREAQUECIMENTO LOCALIZADO NA
FORMA DE PONTOS SOBREAQUECIDOS NA JUNÇÃO DO SILÍCIO DO
DISPOSITIVO SEGUIDO PELA SUA DESTRUIÇÃO.
 A FORMA USUAL DA FALHA (EXCEPTO FETS) É O DISPOSITIVO ENTRAR EM
CURTO-CIRCUITO ANTES DE DERRETER TOTALMENTE, COM OS
CONSEQUENTES EFEITOS NEGATIVOS NOS CIRCUITOS
AUXILIARES/CIRCUNDANTES.
1.4.4 PERDAS DE POTÊNCIA EM DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA
AS PERDAS DE POTÊNCIA NOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA SÃO O PRODUTO DA CORRENTE ATRAVÉS DO
DISPOSITIVO COM A TENSÃO ENTRE OS SEUS TERMINAIS.
• NUM INTERRUPTOR IDEAL:
 NO ESTADO DE BLOQUEIO NENHUMA CORRENTE PASSA E PORTANTO NÃO HÁ
DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA.
 NO ESTADO DE CONDUÇÃO PASSA PELO DISPOSITIVO UMA CORRENTE ION MAS NÃO
HAVERÁ QUEDA DE TENSÃO (PORQUANTO A IMPEDÂNCIA É NULA) E PORTANTO, TAMBÉM
NESTE CASO, NÃO HÁ DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA.
 OS PROCESSOS DE LIGAÇÃO E DE DESLIGAÇÃO OCORREM INSTANTANEAMENTE. ISTO É, A
MUDANÇA DE UM ESTADO PARA OUTRO OCORRE INSTANTANEAMENTE E, DESTE MODO,
NÃO SE REGISTA NENHUMA PERDA DE ENERGIA NO PROCESSO DE COMUTAÇÃO.
1.4.4 PERDAS DE POTÊNCIA EM DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTÊNCIA
AO CONTRÁRIO DO QUE OCORRE EM INTERRUPTOR IDEAL, OS
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA EXISTENTES
NA PRÁTICA TÊM LIMITAÇÕES CONFORME ACIMA
ENUMERADAS, POR CAUSA DAS QUAIS RESULTAM TRÊS
FONTES DE PERDA DE POTÊNCIA, NOMEADAMENTE:
PERDAS NO ESTADO DE BLOQUEIO;
PERDAS NO ESTADO DE CONDUÇÃO;
PERDAS NOS PROCESSOS DE COMUTAÇÃO.
1.4.4.1 PERDAS NO ESTADO DE BLOQUEIO

 CONFORME ACIMA SUBLINHADO, OS DISPOSITIVOS

SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA NO ESTADO DE BLOQUEIO
POSSUEM UMA IMPEDÂNCIA MUITO ELEVADA, MAS DE VALOR FINITO,
RESULTANDO NO FLUXO DE CORRENTES DE FUGA QUER NO
SENTIDO DIRECTO COMO INVERSO, DEPENDENDO DA POLARIDADE
DA TENSÃO APLICADA.
 UMA VEZ QUE ESSA CORRENTE DE FUGA É MUITO PEQUENA E NÃO
VARIA DE FORMA SIGNIFICATIVA COM A TENSÃO, A PERDA DE
POTÊNCIA ASSOCIADA A CORRENTE DE FUGA COSTUMA SER
DESPREZADA.
1.4.4.2 PERDAS NO ESTADO DE CONDUÇÃO

NO ESTADO DE CONDUÇÃO OS DISPOSITIVOS

SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA POSSUEM UMA
RESISTÊNCIA MUITO PEQUENA, MAS DE VALOR FINITO,
RESULTANDO EM QUEDA DE TENSÃO NO ESTADO DE
CONDUÇÃO E, POR CONSEGUINTE, PERDAS NO ESTADO DE
CONDUÇÃO.
PARA A DETERMINAÇÃO DO VALOR MÉDIO DAS PERDAS DE
POTÊNCIA DEVE-SE CONSIDERAR O CICLO DE TRABALHO DO
DISPOSITIVO.
1.4.4.3 PERDAS DE COMUTAÇÃO

 AS ACÇÕES DE COMUTAÇÃO DE UM ESTADO PARA OUTRO

NÃO OCORREM INSTANTANEAMENTE.
 CADA UM OCORRE DURANTE UM ESPAÇO DE TEMPO
SIGNIFICATIVO.
 O PROCESSO DE LIGAÇÃO LEVA CERTO TEMPO FINITO PARA
LIGAR E O DE DESLIGAÇÃO TAMBÉM LEVA CERTO TEMPO
FINITO PARA DESLIGAR.
 ESSES PERÍODOS NÃO APENAS INTRODUZEM DISSIPAÇÃO DE
POTÊNCIA, COMO TAMBÉM LIMITAM A MÁXIMA FREQÜÊNCIA
DE COMUTAÇÃO POSSÍVEL.
1.4.4.3 PERDAS DE COMUTAÇÃO

 A FIGURA 1.5 MOSTRA OS GRÁFICOS DE TENSÃO, CORRENTE E

POTÊNCIA DISSIPADA DURANTE OS PROCESSOS DE COMUTAÇÃO
E NOS ESTADOS DE CONDUÇÃO E DE BLOQUEIO.
 QUANDO O DISPOSITIVO ESTIVER DESLIGADO, A TENSÃO SOBRE
SI SERÁ IGUAL À DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO.
 DURANTE A LIGAÇÃO, QUE LEVA UM TEMPO FINITO, A TENSÃO
NO DISPOSITIVO CAI PARA ZERO.
 DURANTE O MESMO PERÍODO, A CORRENTE QUE FLUI ATRAVÉS
DO DISPOSITIVO AUMENTA DE ZERO PARA O VALOR NOMINAL I.
1.4.4.3 PERDAS DE COMUTAÇÃO

 PORTANTO, NESTE PROCESSO DE COMUTAÇÃO, PASSA PELO

DISPOSITIVO UMA CORRENTE AO MESMO TEMPO QUE NOS SEUS
TERMINAIS HÁ UMA TENSÃO.
 A EXISTÊNCIA SIMULTÂNEA DE CORRENTE E TENSÃO RESULTA EM
PERDA DE POTÊNCIA.
 PERDAS
• SEMPRE QUE NO DISPOSITIVO EXISTAM SIMULTANEAMENTE CORRENTE E
TENSÃO DISSIPA-SE ENERGIA EM FORMA DE CALOR

Perdas de Condução

Perdas Comutação

Ligação Desligação

Figura 1.5 Formas de ondas no processo de comutação e estados

de condução e de bloqueio para a tensão, corrente e
potência dissipada

PTOTAIS = PBloqueio + Pligação + Pdesligação + PCondução + PDisparo

1.4.4.3 PERDAS DE COMUTAÇÃO

 PARA DETERMINAR A POTÊNCIA DISSIPADA EM UM DISPOSITIVO

SEMICONDUCTOR DE POTÊNCIA DURANTE O INTERVALO DE
COMUTAÇÃO, MULTIPLICA-SE O VALOR INSTANTÂNEO DA
CORRENTE PELO VALOR CORRESPONDENTE DE TENSÃO.
 A CURVA DE POTÊNCIA INSTANTÂNEA É ILUSTRADA NA MESMA
FIGURA 1.5.
 A ENERGIA DISSSIPADA NO DISPOSITIVO É IGUAL À ÁREA SOB A
CURVA DA FORMA DE ONDA DE POTÊNCIA..
1.4.4.3 PERDAS DE COMUTAÇÃO

 OBSERVE-SE QUE A POTÊNCIA MÁXIMA É DISSIPADA QUANDO

TANTO A TENSÃO COMO A CORRENTE ESTÃO PASSANDO POR
SEUS PONTOS MÉDIOS NA CURVA.
 É INTERESSANTE OBSERVAR QUE A CURVA DE POTÊNCIA É
PARECIDA COM A DE UMA ONDA SENOIDAL RETIFICADA.
2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA
 OS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA SÃO OS
ELEMENTOS MAIS IMPORTANTES EM CIRCUITOS DE
ELETRÓNICA DE POTÊNCIA.
 DESDE O PRIMEIRO TIRISTOR, O RETIFICADOR CONTROLADO
DE SILÍCIO (SCR) DESENVOLVIDO NO FINAL DE 1957, HOUVE
TREMENDOS AVANÇOS NOS DISPOSITIVOS
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA.
 A PARTIR DE 1970, VÁRIOS TIPOS DE DISPOSITIVOS
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA FORAM DESENVOLVIDOS E
TORNARAM-SE COMERCIALMENTE DISPONÍVEIS
2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA
OS PRINCIPAIS TIPOS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES USADOS COMO INTERRUPTORES
(CHAVE/VÁLVULA) EM CIRCUITOS DE ELETRÓNICA DE POTÊNCIA SÃO:
 DIODOS;
 TIRÍSTORES - RETIFICADORES CONTROLADOS DE SILÍCIO (SCRS);
 TRIACS;
 TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (BJTS);
 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR (MOSFETS);
 TRANSISTORES BIPOLARES DE PORTA ISOLADA (IGBTS);
 TIRISTORES DE DESLIGAMENTO POR PORTA (GTO);
 TIRISTORES CONTROLADOS MOS (MCT).
 OS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTÊNCIA
PODEM SER CLASSIFICADOS COM BASE EM:
Disparo e desligamento não-controlados DIODOS
Disparo controlado e desligamento SCR
não-controlado
BJT, GTO
Características de disparo e desligamento MOSFET
controlados IGBT, MCT
BJT, IGBT
Necessidade de sinal contínuo na porta
MOSFET

Necessidade de pulso de gatilho SCR, GTO

MCT
 MODO DE OPERAÇÃO? Interruptores

INTERESSA CONHECER
 Características de condução
 Características de comutação
 Métodos de disparo/controle