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Aula 01.

Universidade Federal de Campina Grande


Centro de Engenharia Elétrica e Informática
Departamento de Engenharia Elétrica

Introdução à Eletrônica de Potência

Prof. Montiê Alves Vitorino


vitorino@dee.ufcg.edu.br
Lição de Hoje

Apresentar a importância de se estudar a Eletrônica de Potência e


suas aplicações no nosso cotidiano

2
Roteiro da Aula

• Uma visão geral da Eletrônica de Potência


– Em nosso cotidiano;
– Na indústria.
• Classificação dos tipos de conversão e conversores de energia
– Conversão;
– Conversores.
• Eficiência no processamento de energia
• Aplicações de Eletrônica de Potência
• Sobre o curso

3
Uma Visão Geral da Eletrônica de Potência
Em Nosso Cotidiano

• A geladeira, ar-condicionado e máquinas de


lavar possuem um inversor de frequência para
acionar de modo mais eficiente seus motores
elétricos;
• O fogão elétrico mais moderno aquece uma
panela de material ferromagnético por meio de
indução magnética de alta frequência, gerada
pelo conversor nele existente;
• A lâmpada a LED deve ser alimentada com
tensões CC de baixa magnitude e seu brilho é
controlado por corrente. Assim, um retificador
deve ser utilizado para converter a energia CA
da rede em CC e gerar baixa distorção
harmônica nessa rede;
• O gerador solar fotovoltaico converte energia
luminosa em uma forma elétrica CC, que
necessita ser convertida em CA por um inversor
antes de ser conectada à rede de sua casa;
• TV, sistema de som, micro-ondas, cafeteira,
computador etc., utilizam de elementos de
Eletrônica de Potência em sua estrutura.

4
Uma Visão Geral da Eletrônica de Potência
Em Nosso Cotidiano – Ar-condicionado
Convencional Inversor
Temperatura Oscila Constante
Picos de Energia Possui Evita
Sistema de Liga/desliga Estável
Controle
Tempo para atingir Lento Rápido
temperatura
Jatos de ar Intenso Suave e contínuo
Consumo Alto Até 60% menor
Velocidade do Elevada Baixa rotação
compressor
Nível de Ruído Elevado Baixo

5
Uma Visão Geral da Eletrônica de Potência
Na Indústria – Notebook
• Conversores de carga: atendem aos
requisitos dinâmicos de energia das
cargas;
• Conversores de fonte: atendem às
normas da rede CA; melhoram a vida útil
da bateria;
• Conversores de distribuição de energia:
aumentam eficiência energética no pico
e na baixa potência; melhoram a
densidade de potência.

6
Classificação dos tipos de conversão e conversores de energia
Conversão
• CC-CC: Corrente contínua para corrente contínua com magnitudes do sinal de saída
maiores ou menores que os sinais de entrada;
• CA-CC: Corrente alternada para corrente contínua com valor médio de saída menor
ou maior que a amplitude da entrada;
• CC-CA: Corrente contínua para corrente alternada com sinais de saída com
frequência variável e amplitude menor que o valor médio da entrada;
• CA-CA: Corrente alternada para corrente alternada com frequência e amplitude do
sinal de saída variáveis com relação aos sinais de entrada.

7
Classificação dos tipos de conversão e conversores de energia
Conversores
• Conversores de frequência da rede (naturalmente comutado): a tensão
CA da rede presente na entrada facilita o desligamento do semicondutor. Da
mesma forma, o ligamento do semicondutor é sincronizado com a forma de
onda da tensão de CA. Assim, os dispositivos semicondutores chaveiam
(ligar e desligar) na frequência da rede (50 ou 60Hz);
• Conversores chaveados (comutação forçada): os semicondutores
controláveis existentes no conversor são ligados e desligados com
frequência muito maior comparado com a frequência da rede CA. Apesar da
alta frequência de chaveamento dentro do conversor, a sua saída pode ser
tanto CC ou em uma frequência baixa, similar à frequência da rede;
• Conversores ressonantes e quasi-ressonantes (comutação suave): os
semicondutores controláveis são ligados e/ou desligados com tensão e/ou
corrente nulas.

8
Eficiência no processamento de energia
Definição
• A Eletrônica de Potência busca processar a
energia elétrica de forma mais eficiente
possível;
• Perdas elétricas nesse processo são
inevitáveis:
– chaveamento e condução dos semicondutores;
– material magnético dos indutores e
transformadores;
– perdas ôhmicas nos condutores e parasitismos,
dentre outras.
• Técnicas de controle e chaveamento, novas
topologias, bem como a melhoria dos
Po
materiais semicondutores propiciam o Eficiência: ´
aumento da eficiência dos conversores. Pi

9
Aplicações de Eletrônica de Potência
Setor Aplicação

Residencial Refrigeração, geladeiras e freezers; Ar-condicionado; Aquecimento ambiental; Fogões; Iluminação;


Eletrodomésticos; Eletroeletrônicos (computadores pessoais, vídeo games etc)
Comercial Aquecimento, ventilação e ar-condicionado; Refrigeração central; Iluminação; Computadores e
equipamentos de escritório; Elevadores; Sistemas de energia ininterruptas (UPSs); Nobreaks
Industrial Motores elétricos; Motores-Bombas; Compressores; Exaustores e ventiladores; Robôs; fornos a arco,
fornos de indução; Iluminação; Lasers Industriais; Aquecimento indutivo; Solda elétrica
Transporte Controle de tração de veículos elétricos; Carregadores de baterias para veículos elétricos; Transferência
de energia sem fio; Locomotivas elétricas; Ônibus elétricos; Metrôs; Eletrônica automotiva, incluindo
controles do motor
Sistemas Elétricos Transmissão CC de alta tensão (HVDC); Compensadores estáticos de reativos (SVC); Fontes de energia
renováveis (solar, eólica), células a combustível; Sistemas de armazenamento de energia; Exaustores e
bombas de água de alimentação para caldeiras; redes elétricas inteligentes (smart-grids)
Aeroespacial Sistemas de alimentação de energia de foguetes; Sistemas de energia de satélites; Sistemas de energia e
aeronaves
Telecomunicações Carregadores de baterias; Fontes de alimentação (CC e UPS); Nobreaks

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Aplicações de Eletrônica de Potência
Transformador de Estado Sólido

11
Sobre o Curso
Topologias

12
Sobre o Curso
Topologias

13
Sobre o Curso
Topologias

14
Sobre o Curso
Outros Temas
• Dispositivos semicondutores;
• Modelagem matemática de
conversores;
• Controle de conversores;
• Modelagem térmica de
semicondutores.

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Aula 01.2

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Departamento de Engenharia Elétrica

Revisão de Conceitos Básicos de Circuitos Elétricos

Prof. Montiê Alves Vitorino


vitorino@dee.ufcg.edu.br
Lição de Hoje

Apresentar os principais conceitos elétricos mais utilizados no


estudo de Eletrônica de Potência

2
Roteiro da Aula

• Padronização das variáveis elétricas e Leis de Kirchhoff;


• Definição de regime permanente;
• Potência média e corrente RMS;
• Regime permanente de formas de onda senoidais;
– Representação fasorial
• Regime permanente de formas de onda não senoidais;
– Análise de Fourier;
– Taxa de distorção harmônica total da corrente – THD
• Transformada de Laplace;
• Sistema trifásico;
• Indutor e capacitor
– Resposta ao degrau;
– Valores Médios em Regime Permanente
3
Padronização das Variáveis Elétricas
Leis de Kirchhoff
• As letras minúsculas são usadas para representar valores de quantidades que podem variar em
função do tempo. As letras maiúsculas são usadas para representar tanto valores médios quanto
valores eficazes (RMS).
• Lei de Kirchhoff:
• Usando a Lei de Kirchhoff das
Correntes (LKC) para os nós a e b:

iRp  ii  is  0
is  io  0
• Usando a Lei de Kirchhoff das Tensões
(LKT) para as malhas I1 e I2:
vRp  V i  0
V i  vab  vo  0

4
Regime Permanente
Definição

• Uma condição de regime permanente é alcançada quando as


formas de onda do circuito se repetem com um período de tempo
T, onde a variável:

f (t  T )  f (t)

iL (t1  T )  iL (t1 )

5
Potência Média e Corrente RMS
Definições
• Potência instantânea:
p ( t )  v ( t )i( t )
– Se as formas de onda de v e i se repetirem com um período de tempo T no regime
permanente:
1 T 1 T
Pmed 
T 
0
p (t)dt 
T  0
vi dt

• Se o subcircuito 2 for uma carga resistiva:


v  Ri Pmed  RI rms
2

– O valor RMS da corrente será:

1 T
I rms 
T 
0
i 2 dt
6
Regime Permanente de Formas de Onda Senoidais
Representação Fasorial
• Considere o circuito CA com uma v (t)  2V rms cos( !t)
carga indutiva sobre operação em
regime permanente, onde: i(t)  2I rms cos( !t  Á )

• A representação na forma fasorial


das variáveis senoidais é:

V  V rmse j 0
I  I rmse  jÁ

Por convenção, esses fasores giram na direção anti-horária com uma frequência angular
!, e seus valores RMS são usados para representar suas magnitudes
7
Regime Permanente de Formas de Onda Não Senoidais

• No regime permanente, tal forma de onda se repete com um período de


tempo T e frequência f  ! (2¼ )  1 T

8
Regime Permanente de Formas de Onda Não Senoidais
Análise de Fourier
• Em geral, uma forma de onda não senoidal f(t) se repetindo com uma
frequência angular ! pode ser expressa como:
 
1
f (t)  F0   fh (t)  a0   ah cos(h!t)  bh sen(h!t)
h 1 2 h 1

1
onde F0  a0 é o valor médio e
2
1 2¼
ah   f (t) cos(h!t)dt, h  0,1, , 
¼ 0
1 2¼
bh   f (t)sen(h!t)dt, h  0,1, , 
¼ 0

9
Regime Permanente de Formas de Onda Não Senoidais
Taxa de distorção harmônica total da corrente – THD
• O total de distorção na forma de onda da tensão ou da corrente é quantificado por meio do
índice chamado THD
– Considere uma tensão de entrada puramente senoidal com frequência fundamental !1 :

v (t)  2V rmssen( !1t)


– Uma carga gera uma corrente de entrada no regime permanente:

i(t)  i1 (t)  idis (t)  i1 (t)   ih (t) onde i1 é a componente fundamental e ih é


h 1 a componente na h-ésima frequência
i(t)  2I1rms sen( !1t  Á1 )   2Ihrms sen(!h t  Áh ) harmônica fh = hf1
h 1

– A THD na corrente é definida como:

2
I disrms
2
I rms  I12rms  Ih 
THD i (%)  100   100   100    rms 
I1rms I1rms 
h 1  I1rms

THD, do inglês total harmonic distortion 10


Transformada de Laplace
Definição
• A transformação da função f(t) para o
espaço de Laplace:

ℒ{f (t)}  F (s)  0 e f (t)dt
 st

• A transformada inversa de Laplace é a


integral de Bromwich:
1 °  j st
2¼j °  j
1
ℒ {F (s)}  f (t)  e F (s)ds

• Propriedade
– Equação diferencial

ℒ {f (t)}  sF (s)  f (0),


'

ℒ {f (t)}  s F (s)  sf (0)  f (0),


'' 2 '

ℒ {f ( n ) (t)}  sn F (s)  sn 1f (0)   f ( n 1) (0)


11
Sistema Trifásico

• Em um sistema trifásico equilibrado:


va  V m sen( !t),
Amplitude das tensões de linha-para-linha
vb  V m sen(!t  2 ¼ 3),
VLL  3V m
vc  V m sen(!t  2 ¼ 3)

12
Indutor e do Capacitor
Resposta ao Degrau
• Em um indutor vL (t)  L diL dt • Em um capacitor iC (t)  C dvC dt

1 t 1 t
iL (t)  iL (t1 ) 
L t1
vL (» )d», t  t1 vC (t)  vC (t1 ) 
C 
t1
iC (» )d» , t  t1

VL IC
iL (t)   t  t1   iL (t1 ) vC (t)   t  t1   vC (t1 )
L C
t1  t  t2 t1  t  t2

13
Indutor e do Capacitor
Valores Médios em Regime Permanente
• Em um indutor, fazendo t  t1  T • Em um capacitor, fazendo t  t1  T
1 t 1 t
iL (t1  T )  iL (t1 ) iL (t)  iL (t1 ) 
L t1
vL (» )d» vC (t1  T )  vC (t1 ) vC (t)  vC (t1 ) 
C 
t1
iC (» )d»
1 t1  T 1 t1  T

T 
t1
vL d»  0
T 
t1
iC d»  0

As áreas A = B

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Aula 02

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Centro de Engenharia Elétrica e Informática
Departamento de Engenharia Elétrica

Dispositivos Semicondutores de Eletrônica de Potência

Prof. Montiê Alves Vitorino


vitorino@dee.ufcg.edu.br
Lição de Hoje

Apresentar os principais dispositivos semicondutores utilizados em


aplicações de Eletrônica de Potência e suas novas tecnologias

2
Roteiro da Aula

• Introdução;
• Diodo de potência;
• Tiristor ou SCR;
• Transistor bipolar de junção (TBJ) de potência;
• MOSFET de potência;
• IGBT;
• GTO;
• Potência dissipada na chave;
– Chave ideal e não ideal;
– Cálculo de perdas.
• Dispositivos com banda larga de energia – WBG

3
Introdução

• Os dispositivos semicondutores de eletrônica de potência operam como


interruptores (ou chaves) e podem se encontrar em estado de condução
(impedância muito baixa) ou de bloqueio (impedância elevada).
• Os dispositivos semicondutores de potência podem ser classificados em
três grupos de acordo com seus graus de controlabilidade:
– Diodos: Estados de condução e bloqueios controlados pelo circuito de
potência – disparo e bloqueio não controlados;
– Tiristores: Disparados pelo sinal de controle, mas bloqueados pelo circuito de
potência, também conhecidos como dispositivos de comutação natural –
disparo controlado e bloqueio não controlado;
– Chaves controláveis: Condução e bloqueio comandados pelo sinal de
controle – disparo e bloqueio controlados.

4
Diodos de Potência

• O diodo está diretamente polarizado quando a


tensão do anodo é positiva com relação à
tensão do catodo, caso contrário, o diodo está
reversamente polarizado.
• Dependendo da aplicação, vários tipos de
diodo são disponíveis:
– Diodos Schottky: Esse diodo é usado onde uma
baixa queda de tensão direta é necessária,
geralmente 0,3V;
– Diodos de recuperação rápida: Estes são
dimensionados para serem usados em circuitos
de alta frequência, combinados com chaves
controláveis onde um pequeno tempo de
recuperação reversa trr é necessária;
– Diodos de frequência da linha: A tensão de
condução desses diodos é dimensionada para ser
a mais baixa possível e como consequência,
possui um grande trr, o qual é aceitável em
aplicações de frequência da linha, geralmente
60Hz.
5
Tiristor ou SCR

• O disparo do tiristor é obtido aplicando-se um pulso de corrente no gatilho, o qual é obtido a


partir de uma tensão entre o gatilho e o catodo do dispositivo.
• Deve-se aplicar o pulso no gatilho somente com o tiristor diretamente polarizado.
• O tiristor pode ser trazido de volta para o estado de bloqueio somente pela redução da
corrente iA para um nível menor que a corrente de retenção, ou zero, no caso ideal.

Circuito equivalente 6
Transistor Bipolar de Junção (TBJ) de Potência

• Com o TBJ em condução, observam-se três regiões de operação:


1. Região ativa, onde a corrente iC=¯ iB. O TBJ não é utilizado nessa região
em aplicações de eletrônica de potência;
2. Região de quasi-saturação, que é a região de preferência em eletrônica de
potência. Nessa região, a corrente iC=¯s iB, onde ¯s é chamado de ganho
forçado;
3. Região de saturação, a qual deve ser evitada, pois o tempo de comutação
do estado de condução para o estado de bloqueio é alto.

npn pnp Configuração Darlington


7
MOSFET de Potência
Curva Característica
• O MOSFET* é considerado uma chave rápida;
• São identificadas três regiões na sua curva características:
– corte;
– ativa;
– ôhmica.

• A tensão VGSth é chamada de tensão de threshold, que é a mínima tensão aplicada entre a porta e a fonte
necessária para criar um canal de condução entre os terminais do dreno e fonte.
8
* do inglês metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
MOSFET de Potência
Modelo
• MOSFET de Enriquecimento: faz-se necessário enriquecer as pastilhas com portadoras
para poder ser gerado o canal de condução, assim, o mesmo encontra-se normalmente
aberto.
• MOSFET de Depleção: o canal já encontra-se formado, ou seja, normalmente fechado,
sendo necessário imprimir uma tensão vGS negativa para criar um campo elétrico que irá
gerar uma barreira de depleção que restringirá/bloqueará o fluxo de corrente pelo canal.

Estrutura do MOSFET de enriquecimento Modelo Elétrico

Região ativa e de corte Região Ôhmica


9
IGBT
Insulated-Gate Bipolar Transistor

• O dispositivo de eletrônica de potência conhecido como IGBT*,


reúne a facilidade de disparo dos MOSFETs com as pequenas
perdas em condução dos TBJs.

Circuito equivalente

10
* do inglês insulated-gate bipolar transistor
GTO
Gate Turn-Off Thyristor
• Como ocorre com o tiristor, o GTO pode ser disparado por um pulso de corrente de
curta duração no gatilho, e, uma vez acionado, o GTO permanece acionado sem que
haja corrente no gatilho.
• Contudo, o GTO pode ser bloqueado aplicando-se uma tensão negativa entre o
gatilho e catodo, causando uma corrente negativa do gatilho suficientemente grande.
• Essa corrente deve fluir por poucos microssegundos, mas deve possuir uma
magnitude relativamente grande, tipicamente um terço da corrente do anodo.

11
Potência Dissipada na Chave
Chave Ideal e Não Ideal
• Espera-se que uma chave tenha como características ideais:
a) Tensões direta e reversa elevadas e fluxo de corrente nulo quando em bloqueio;
b) Corrente arbitrariamente elevada com queda de tensão nula entre seus terminais de
potência quando em condução;
c) Passagem instantânea do estado de bloqueio para o estado de condução, ou vice-
versa, quando disparado/bloqueado;
d) Utilização de potência desprezível no disparo e bloqueio.
• As perdas nas chaves podem ser divididas em três componentes:
i. perdas no chaveamento (disparo e bloqueio);
ii. perdas de condução; e
iii. perdas de condução reversa (devido à corrente de dispersão).

12
Potência Dissipada na Chave
Perfil de Perdas
Circuito de teste

• À medida que a frequência aumenta,


as perdas de chaveamento também
aumentam porque a quantidade fixa de
potência dissipada é repetida mais
frequentemente.
• Já as perdas de condução
permanecem com um valor
relativamente constante e são função
da carga do conversor e da queda de
tensão na chave durante seu intervalo
de condução. 13
Potência Dissipada na Chave
Cálculo de Perdas
• 1
A energia dissipada durante o intervalo de transição Wson  V i I o (tri  tfv )
para o estado ligado: 2
• A energia dissipada na chave durante esse intervalo Wc  V on I o ton
de condução:
• 1
A energia dissipada durante o intervalo de transição Wsoff  V i I o (trv  tfi )
para desligado: 2
• Ts P
Existem fs transições para ligado e desligado por Ws  Wson  Wsoff   Ps dt  Ps Ts  s
segundo. Energia total dissipada no chaveamento: 0 fs
• A perda por chaveamento média Ps durante os
intervalos de transição:
 
1
Ps  Wson  Wsoff fs  V i I o fs (trv  tri  tfv  tfi )
2
Ts
• A energia dissipada durante a período de condução: Wc   Pc dt  Pc Ts
0
• A potência média dissipada durante a período de W t
condução: Pc  c  V on I o on  V on I o D
Ts Ts

• A perda média total dissipada em uma chave Pt  Ps  Pc


controlável é:
14
Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG*
Novos Materiais Semicondutores
• Carbeto de Silício (SiC);
• Nitreto de Gálio (GaN);
• Arseneto de Gálio (GaAs)

15
* do inglês wide band-gap
Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG
Principais Características dos WBGs

Características Benefícios corresondentes


Baixa resistência no estado de condução Maior eficiência do sistema e dimensões reduzidas do
sistema de refrigeração
Resistência de condução insuperável acima de 200 oC Mais estabilidade de desempenho em altas temperaturas
comparados a outros
Maior frequência de chaveamento Aplicações mais eficientes

Requisitos de sistema de arrefecimento reduzidos Fator de forma de PCB mais compacto

Tensão de ruptura mais elevada Capacidade de alta tensão

Aplicações de temperatura mais altas (até 200 oC) Mais versátil

Menor perda de chaveamento Mais economia de energia


Pequenos componentes passivos Sistemas mais compactos e menos pesados
Diodo intrínseco muito rápido e robusto (SiC) Não há necessidade de diodos externos independentes

Mais baixos valores de carga porta-fonte Comando mais eficiente

16
Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG
Estrutura Física do MOSFET

GaN SiC

17
* 2DEG = camada bidimensional de gás
Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG
Comparativo entre Si, SiC e GaN

• Tensão de operação;
• Temperatura de operação;
• Frequência de chaveamento.

18
Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG
Resistência Dinâmica no MOSFET e Recuperação Reversa do Diodo

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Aula 03

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Introdução ao Estudo de Conversores de ELEPOT

Prof. Montiê Alves Vitorino


vitorino@dee.ufcg.edu.br
Lição de Hoje

Apresentar os conceitos e princípios dos conversores de Eletrônica


de Potência

2
Roteiro da Aula

• Introdução;
• Fontes e cargas;
– Fontes de tensão e de corrente;
– Cargas tipo fonte de tensão e tipo fonte de corrente.
• Interconexão de fontes e cargas: conversores elementares;
– Regras;
– Interconexão de chaves a fontes e cargas;
– Interconexão de fontes a cargas.
• Circuitos com diodos;
– Diodo e carga RC;
– Diodo e carga RL;
– Diodo e carga LC;
– Diodo e carga RLC.

3
Introdução

• A interconexão dos dispositivos de chaveamento com os elementos


indutivos e capacitivos dos filtros, bem como entre a fonte e a carga,
forma a topologia do circuito do conversor.
• A operação de um conversor de potência pode ser observada como uma
sequência de diferentes estados topológicos (definidos pela condução
ou bloqueio das chaves), ou modos de operação, que se repetem
periodicamente.
• A seleção da topologia de um conversor deve considerar os seguintes
fatores:
– função básica requerida;
– propriedades dos dispositivos de chaveamento disponíveis;
– número, tamanho e custo dos elementos dos filtros e outros acessórios;
– perdas e estresses nas chaves; e
– facilidade de controle e de proteção.
4
Fontes e Cargas
Fontes de Tensão e de Corrente
• Uma fonte é dita de tensão quando ela é capaz de impor uma tensão, sem sofrer
nenhuma descontinuidade, qualquer que seja a corrente de carga.
• Uma fonte é dita de corrente quando ela é capaz de impor uma corrente, sem sofrer
nenhuma descontinuidade, qualquer que seja a carga, e também pode ser contínua
constante, senoidal alternada, um trem de pulsos, etc.

Fontes de tensão 

Fontes de corrente 

5
Fontes e Cargas
Cargas Tipo Fonte de Tensão e Tipo Fonte de Corrente
• A carga conectada a um conversor pode ser resistiva, indutiva, capacitiva,
contendo ou não uma força eletromotriz (f.e.m.) (alternada ou contínua), ou
uma carga ressonante.
• A adição de indutâncias em série ou de capacitâncias em paralelo com os
três primeiros tipos de cargas permite que elas possam ser consideradas
como fontes de corrente ou de tensão temporárias.

Cargas tipo fontes de tensão 

Cargas tipo fontes de corrente 


6
Interconexão de Fontes e Cargas: Conversores Elementares
Regras
• Para que a conexão entre uma fonte e uma carga seja efetuada, certo
número de regras deve ser respeitada:
– uma fonte de tensão não deve jamais ser curto-circuitada, exceto quando a tensão for
nula;
– o circuito de uma fonte de corrente não deve jamais ser aberto enquanto houver
corrente, exceto quando a corrente for nula;
– não se deve jamais conectar, diretamente, duas fontes de mesma natureza. Isto é,
fontes de tensão não devem ser conectadas diretamente em paralelo, e fontes de
corrente não devem ser conectadas diretamente em série;
– pode-se conectar diretamente uma fonte de tensão a uma fonte de corrente (ou vice-
versa).

7
A conexão entre uma fonte e uma carga deve obedecer sempre a sequência tensão-corrente-tensão-corrente
Interconexão de Fontes e Cargas: Conversores Elementares
Interconexão de Chaves a Fontes e Cargas

• Uma chave é, sempre, conectada em série com uma fonte de


tensão ou com uma carga tipo fonte de tensão, e uma chave é,
sempre, conectada em paralelo com uma fonte de corrente ou
uma carga tipo fonte de corrente.

Fontes com chaves Cargas com chaves

8
Interconexão de Fontes e Cargas: Conversores Elementares
Interconexão de Fontes a Cargas
• Considerando-se o caso de uma única chave
conectando uma fonte de tensão a uma carga.

• Se a carga é do tipo fonte de corrente, há a


necessidade de uma segunda chave, para curto-
circuitar a fonte de corrente quando a chave de
conexão com a fonte de tensão for aberta

• Duas chaves são necessárias, também, quando


se conecta uma fonte de corrente a uma carga
tipo tensão.

OBS.: Essas chaves atuam de forma complementar entre si, ou seja, quando s estiver ligada, 9
necessariamente ss estará desligada, e vice-versa.
Circuitos Com Diodos
Diodo e Carga RC

• Quando a chave s é disparada em t=0, a corrente de carga io


que flui através do capacitor pode ser determinada por:

1 t
V i  vR  vC  Rio 
C 
0
io d»  vC (0) (1)

• Considerando a condição inicial vC(0) = 0, a solução da Eq.


(1) retorna a corrente io como sendo:
V i  t ( RC )
io (t)  e (2)
R

• A tensão vC no capacitor, usando a Eq (2), será:

1
 
t
vC (t) 
C 
0
io d»  vC (0)  V i 1  e  t ( RC )

10
Circuitos Com Diodos
Diodo e Carga RL

• Quando a chave s é disparada em t=0, a corrente de carga io


que flui através do indutor aumenta e pode ser expressada
por:
di
V i  vR  vL  Rio  L o (3)
dt

• Considerando a condição inicial io(0) = 0, a solução da Eq. (3)


para a corrente será:
V

io (t)  iL (t)  i 1  e  tR L
R
(4)

• Já a tensão no indutor, usando a Eq. (4), será:

dio
vL (t)  L  V ie  tR L
dt

11
Circuitos Com Diodos
Diodo e Carga LC
• Quando a chave s é disparada em t=0, tem-se:
dio 1 t
dt C 0
V i  vL  vC  L  io d»  vC (0) (5)
• Derivando a Eq. (5) no tempo, tem-se:
d 2 io i
2
 o  0,
dt LC
cuja solução é dada por:
io (t)  A1 cos(!0 t)  A2sen( !0 t) (6)
• Supondo as condições iniciais de io(0) = 0 e vC(0) = 0, a
solução da equação diferencial Eq. (6) para a corrente io(t)
Dobrador de tensão será:
C 1
io (t)  V i sen( !0 t), onde !0 
L LC
• Já a tensão vC sobre o capacitor é obtida como sendo:
1
io d»  vC (0)  V i 1  cos(!0 t) 
t
vC (t) 
C 
0 12
Circuitos Com Diodos
Diodo e Carga RLC
• Quando a chave s é disparada em t=0, tem-se:
di 1 t
vL  vR  vC  L o  Rio   io d»  vC (0)  V i (7)
dt C 0
• Derivando a Eq. (7) no tempo, tem-se:
d 2 io R dio io
  0 (8)
dt 2 L dt LC
• Levando a Eq. (8) para o espaço de Laplace s, tem-se:
R 1
s2  s  0
L LC
onde as raízes para essa equação quadrática serão:
A solução da equação diferencial
2
para a corrente, que dependerá dos R R  1
valores de ® e !0, seguirá um dos s1,2        ®  ® 2  !02
2L  2L  LC
próximos três possíveis casos...
R
fator de amortecimento: ® 
2L
1
frequência de ressonância: !0  13
LC
Circuitos Com Diodos
Diodo e Carga RLC
• Criticamente amortecido: Se ® = !0, as raízes são
iguais (s1=s2). A solução será da forma:

io (t)   A1  A2 t  e s1t

• Sobreamortecido: Se ® > !0, as raízes são reais. A


solução da equação será:
io (t)  A1es1t  A2es2 t

• Subamortecido: Se ® < !0, as raízes são complexas,


onde são descritas como:
s1,2  ®  j!r
em que !r é a frequência de ressonância amortecida dada
por !r  !02  ® 2 . A solução da equação terá a seguinte
forma:
io (t)  e  ®t  A1 cos(!r t)  A2sen( !r t) 
14
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Centro de Engenharia Elétrica e Informática

Obrigado pela atenção!


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Questões / Comentários / Sugestões ?


• s

16
• s

1 t 1 t Io
vC (t) 
C 
0
iC d»  vC (0) 
C 
0
I o d»  V C 
C
t  V C  4 106 t  V C

17
Aula 04

Universidade Federal de Campina Grande


Centro de Engenharia Elétrica e Informática
Departamento de Engenharia Elétrica

Conversores CA/CC - Retificadores monofásicos não


controlados

Prof. Montiê Alves Vitorino


vitorino@dee.ufcg.edu.br
Lição de Hoje

Apresentar os princípios de operação dos Retificadores


Monofásicos Não Controlados

2
Roteiro da Aula

• Introdução;
• Retificadores Não Controlados de Meia Onda
– Com Carga Resistiva – R
– Com Carga Resistiva-Indutiva – RL
– Com Carga Resistiva-Indutiva-Fonte – RLE
• Potência
– Com Diodo de Roda Livre
• Retificadores Não Controlados de Onda Completa
– Com Carga Resistiva – R
– Com Carga Altamente Indutiva
– Com Carga Resistiva-Indutiva-Fonte – RLE
• Retificador Dobrador de Tensão
3
Introdução

• O propósito de um retificador pode ser para produzir uma saída


que seja puramente CC, ou pode ser para produzir uma forma de
onda de tensão ou corrente que possua uma componente CC
específica.

4
Retificadores Não Controlados de Meia Onda
Introdução
• Os circuitos dos retificadores de meia onda permitem a passagem de um
dos semiciclos do sinal CA, enquanto que o outro semiciclo é bloqueado
pela polarização reversa do diodo que se encontra em série com a fonte CA.
• A tensão de saída possuirá uma componente CC, o que caracterizará esses
circuitos como retificadores.
• O indesejável desses circuitos é a componente CC existente na corrente CA
de entrada.

5
Retificadores Não Controlados de Meia Onda
Com Carga Resistiva – R
• A componente CC Vo da tensão de saída é o
valor médio da senoide de meia onda
retificada, dada por:
1 2¼ 1 ¼ Vm
2¼ 0 2¼ 0
Vo  vo ( !t )d ( !t )  V m sen( !t )d ( !t ) 
¼

• Quando a tensão é senoidal de meia onda


retificada, seu valor RMS será:

1 2¼ 2
2¼ 0
V orms  vo (!t)d (!t)

2
1 ¼ Vm
 
2¼ 0
V orms  V m sen( !t ) d ( !t ) 
2

OBS.: Note que as formas de onda são em função do ângulo !t. Essa representação é útil pois os valores
são independentes da frequência do sinal. 6
Retificadores Não Controlados de Meia Onda
Com Carga Resistiva-Indutiva – RL
• Como a tensão da fonte cruza o zero no
semiciclo positivo, o diodo fica diretamente
polarizado devido à corrente positiva que fica
acumulada no campo magnético do indutor.
di (t)
V m sen( !t)  Rio (t)  L o
dt
• A solução, considerando a condição inicial
io(0)=0, será:
 Vm

io (!t)   Z
 
sen( !t  Á )  sen(Á )e  !t ( !¿ ) , para 0  !t  ¯
(1)
0, para ¯  !t  2¼
 !L  L
onde: Z  R  (!L ) , Á  arctan  , ¿ 
2 2

 R  R

• O primeiro valor positivo de !t na Eq. (1) que


resulta em corrente zero é chamado de ângulo 7
de extinção ¯.
Retificadores Não Controlados de Meia Onda
Com Carga Resistiva-Indutiva – RL
• Substituindo !t = ¯ na Eq.(1) e fazendo io(¯) = 0, Ábaco com a solução numérica para a Eq. (2)
para a determinação de ¯
a equação que deve ser resolvida é:

io (¯ ) 
Vm
Z
 
sen( ¯  Á )  sen(Á )e  ¯ ( !¿ )  0

sen( ¯  Á )  sen(Á )e  ¯ tan( Á )  0 (2)

• A Eq. (2) é transcendental, o que significa que


não há uma solução analítica para ¯,
necessitando, assim, de algum método numérico
para se encontrar o valor de ¯.

• A tensão média sobre a carga para esse tipo de


circuito é descrita como sendo:
1 2¼ 1 ¯ Vm
1  cos(¯ ) 
2¼ 0 2¼ 0
Vo  vo ( !t )d ( !t )  V m sen( !t )d ( !t ) 

8
Retificadores Não Controlados de Meia Onda
Com Carga Resistiva-Indutiva-Fonte – RLE
• Assumindo que ® é o valor de !t em que a
tensão de vs é igual a Ed, então:
E 
V m sen(®)  Ed  ®  arcsen  d 
 Vm 
• Usando a LKT para o circuito, tem-se:
dio (t)
V m sen( !t)  Rio (t)  L  Ed
dt

• A solução, considerando io(®)=0, será:


 Vm  !t ( !¿ ) E
 sen( !t  Á )  Ae  d , para ®  !t  ¯
io (!t)   Z R
0, para ¯  !t  2¼  ®
 V E 
onde: A    m sen(®  Á )  d  e ® ( !¿ )
 Z R 
• A tensão média sobre a carga:
1  ®
Ed d( !t ) 
¯ 2¼
Vo 

2¼  0
E d d ( !t )  ®
vs ( !t ) d( !t )  ¯ 
1
Vm  cos(®)  cos( ¯ )   Ed  ®  ¯  2¼  
9
Vo 
2¼ 
Retificadores Não Controlados de Meia Onda
Com Carga Resistiva-Indutiva-Fonte – RLE: Potência
• Potência média na carga:
1 2¼
vo (!t)io (!t)d (!t)
2¼ 0
Po  vo  vR  Ed  vL

1 2¼ di (!t)
  vR (!t)  Rio (!t) vL (!t)  L o
2¼ 0 
Po   v ( !t )  E  v ( !t ) i ( !t ) 
 d ( !t )
R d L o d (!t)


1 2¼
2¼ 0   v R ( !t ) io ( !t ) d ( !t )  0

 E d io ( !t ) d ( !t )  
0 vL (!t)io (!t) d (!t)

1 2¼ 2 1 2¼ 1 2 ¼  dio (!t) 
Po  R
2¼ 0 io ( !t )d ( !t )  E d
2¼ 0  io ( !t )d ( !t )  L  
2¼ 0  d (!t)
io (!t ) d (!t )

 I o2rms  Io  PL  0
PR  RI o2rms PCC  Ed I o

Potência média dissipada pelo resistor Potência média absorvida pela fonte CC Potência média no indutor

1 ¯ 2 1 ¯
2¼ ® 2¼ ®
onde: I orms  io (!t)d (!t), Io  io (!t)d (!t) 10
Retificadores Não Controlados de Meia Onda
Com Diodo de Roda Livre
• Para vs(t)>0:
– O diodo D1 conduzirá e D2 estará bloqueado;
– A tensão sobre a carga é a mesma da fonte
CA.

• Para vs(t)<0 :
– O diodo D1 estará bloqueado e D2 conduzirá;
– A tensão sobre a carga é zero.

Vm
Vo   Caso com carga R 11
¼
Retificadores Não Controlados de Onda Completa
Introdução
• Enquanto que o propósito do retificador de onda completa é basicamente o
mesmo visto para o retificador de meia onda, retificadores de onda completa
têm algumas vantagens fundamentais:
– A corrente média na fonte CA é zero em retificadores de onda completa;
– A saída do retificador de onda completa possui, inerentemente, menos oscilação (ripple)
do que o retificador de meia onda.

Ponte Completa Com derivação central do transformador


12
Retificadores Não Controlados de Onda Completa
Com Carga Resistiva – R
• Tensão sobre a carga CC:
V sen( !t), para 0  !t  ¼
vo (!t)  vs (!t)   m
 V m sen( !t), para ¼  !t  2¼

• Corrente na conte CA:


i (!t), para vs  0
is (!t)   o
 io (!t), para vs  0

• Tensão média na carga:


1 ¼ 1 ¼ 2V m
¼ 0 ¼ 0
Vo  vo ( !t )d ( !t )  V m sen( !t )d ( !t ) 
¼

13
Retificadores Não Controlados de Onda Completa
Com Carga Altamente Indutiva
• É uma aproximação de uma situação na
qual um indutor muito grande pode ser
conectado em série com a saída CC do
retificador.
• Para vs(t)>0:
– Os diodos D1 e D2 conduzirão e D3 e D4
bloquearão, resultando:
vo  vs e is  I o
• Para vs(t)<0:
– Os diodos D3 e D4 conduzirão e D1 e D2
bloquearão, resultando:
vo  vs e is  I o
• Tensão média na carga:
2V m
Vo 
¼ 14
Retificadores Não Controlados de Onda Completa
Com Carga Resistiva-Indutiva-Fonte – RLE
• Modo de Condução Contínua
– A LKT, em termos dos valores médios das tensões,
diz que:
Vo  VL  VR  Ed
2Vm
onde: VL  0, VR  Io R , Vo 
¼
– A corrente média da carga, será:
Vo  Ed 2Vm  ¼Ed
Io 
R ¼R
• Modo de Condução Descontínua
– Tensão média na carga:
1 ®
Ed d( !t ) 
¯ ¼
Vo 
¼ 0
E d d ( !t )  ®
vs ( !t ) d( !t )  ¯ 
1
V o  V m  cos(®)  cos(¯ )   Ed  ®  ¯  ¼  
¼
– Corrente média da carga:
1 ¯ Vo  Ed
¼ ®
Io  io ( !t ) d( !t )  15
R
Retificador Dobrador de Tensão

• O retificador mostrado na Figura (a) serve


como um simples dobrador de tensão, tendo
a tensão de saída duas vezes o pico do valor
da tensão da fonte. No semiciclo positivo, o
capacitor C1 se carrega através de D1, e C2
se carrega através de D2 quando a fonte
estiver no semiciclo negativo. A tensão
através da carga é a soma das tensões dos (a)
capacitores (com C1=C2=C), ou seja, Vo=2Vm.
• O retificador de ponte completa pode ser
combinado com o retificador dobrador de
tensão, como mostra a Figura (b), onde a
tensão de saída pode ser Vo=Vm, para s=0, ou
Vo=2Vm, para s=1.

(b)
16
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Centro de Engenharia Elétrica e Informática

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Questões / Comentários / Sugestões ?


Aula 05

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Conversores CA/CC - Retificadores Monofásicos Controlados:


Meia Onda, Onda Completa e Uso do Ábaco do Puchlowski

Prof. Montiê Alves Vitorino


vitorino@dee.ufcg.edu.br
Lição de Hoje

Apresentar os princípios de operação dos Retificadores


Monofásicos Controlados

2
Roteiro da Aula

• Introdução;
• Retificadores Controlados de Meia Onda;
– Com Carga Resistiva – R;
– Com Carga Resistiva-Indutiva – RL;
– Com Carga Resistiva-Indutiva-Fonte – RLE;
– Com Diodo de Roda Livre.
• Uso do Ábaco de Puchlowski;
• Retificadores Controlados de Onda Completa em Ponte
– Com Carga Resistiva – R
– Com Carga Resistiva-Indutiva – RL
• Modo de Condução Descontínua
• Modo de Condução Contínua
– Com Diodo de Roda Livre
• Retificadores Controlados de Onda Completa Com Derivação Central do
Transformador
• Retificadores Semicontrolados em Ponte

3
Introdução

• Para projetar um retificador controlado é preciso substituir por tiristores


os diodos dos circuitos dos retificadores não controlados. Esse circuito
produz uma tensão de saída CC variável, cujo valor médio é obtido por
meio do controle de fase na qual o tiristor é disparado.
• Nos retificadores de meia onda apenas um dos semiciclos da tensão da
fonte CA é retificado.
• No retificador de onda completa é possível o controle de fase tanto do
semiciclo positivo quanto do negativo da fonte CA, o que significa um
aumento do valor médio da tensão de saída CC e a redução da
ondulação quando comparado ao retificador de meia onda.

4
Retificadores Controlados de Meia Onda
Com Carga Resistiva – R
• Durante o semiciclo positivo da tensão da fonte CA, o
tiristor T estará diretamente polarizado e conduzirá caso
um pulso de corrente for aplicado ao seu gatilho. Em !t =
®, uma corrente io fluirá através da carga. No instante !t =
¼, a corrente da carga cai a zero, bloqueando o tiristor.
• Durante o semiciclo negativo, o tiristor estará
reversamente polarizado, o que bloqueará o fluxo de
corrente.
• O valor médio da tensão na carga:
1 2¼ 1 ¼ Vm
1  cos(®) 
2¼ 0 2¼ ®
Vo  vo ( !t )d ( !t )  V m sen( !t )d ( !t ) 

• O valor RMS da corrente na carga:
2
1 2¼ 2 1 ¼
m  d (!t)
2¼ 0 2¼ ®
I orms  io (!t)d (!t)  I sen( !t )
• O período ® é chamado ângulo de disparo
Im ® sen(2®) Vm • O período µ é chamado ângulo de condução
I orms  1  onde: I m 
2 ¼ 2¼ R 5
Retificadores Controlados de Meia Onda
Com Carga Resistiva-Indutiva – RL
• Se o tiristor T for disparado com um ângulo de disparo
igual a ®, a tensão na carga vo será positiva e o indutor
armazenará energia em seu campo magnético.
• A corrente continuará a fluir até o instante !t = ¯,
chamado ângulo de extinção, devido à energia
acumulada no indutor.

• A tensão média na carga será:

1 ¯ Vm
 cos(®)  cos(¯ ) 
2¼ ®
Vo  V m sen( !t )d ( !t ) 

6
Retificadores Controlados de Meia Onda
Com Carga Resistiva-Indutiva-Fonte – RLE
• O tiristor se manterá reversamente polarizado
enquanto vs < Ed (até !t = '), sendo possível o seu
disparo apenas quando vs>Ed.
• O tiristor começa a conduzir em que !t = ®, para ® > '.
Usando a LKT para o circuito, tem-se:
dio (t)
V m sen( !t)  Rio (t)  L  Ed
dt
• A solução, considerando io(®)=0, será:
 Vm  !t tan( Á ) E
 sen( !t  Á )  Ae  d , para ®  !t  ¯
io (!t)   Z R (1)
0, para ¯  !t  2¼  ®

onde: A    m sen(®  Á )  d  e ® ( !¿ )
V E
 Z R 
!L
Z  R 2  (!L ) 2 , tan(Á ) 
R

7
Retificadores Controlados de Meia Onda
Com Diodo de Roda Livre
• Para cortar a porção negativa da tensão sobre uma Modo de condução descontínua
carga com característica indutiva e diminuir a
ondulação da corrente na carga, pode-se utilizar o
diodo de roda livre D.

• O valor médio para a tensão na carga será igual Modo de condução contínua L>>
àquele visto para o retificador com carga resistiva:
Vm
Vo  1  cos(®) 

• Para ambos os casos, o valor médio da corrente na


carga são iguais, pois a potência ativa entregue pela
fonte à carga é a mesma, o que significa que as
áreas A e B serão iguais. 8
Uso do Ábaco de Puchlowski

• Substituindo !t = ¯ na Eq.(1) e fazendo io(¯) = 0, a


equação que deve ser resolvida é:
Vm  V E  ( ¯ ® ) tan(Á ) Ed
io (¯ )  sen(¯  Á)    m sen(®  Á)  d e   0 (2)
Z  Z R  R
• A Eq. (2) é transcendental, o que significa que não
há uma solução analítica para ¯.
• Pode-se utilizar o Ábaco de Puchlowski para
facilitar a determinação de ¯. Reescre-se a Eq. (2):
 a  cos(Á)sen(¯  Á)    a  cos(Á)sen(®  Á)  e ( ¯ ® ) tan(Á )  0
onde: cos(Á) 
R Ed Solução
a
R  (!L )
2 2
Vm
• O ângulo de extinção crítica ¯c corresponde ao
valor limite entre a continuidade e descontinuidade
da corrente da carga, dado por:
 ®, para m  1 ou m  2
2¼ 
¯c   ®1 onde: ®1  ®  ¼ 6, para m  3
m ®  ¼ 3, para m  6 9

Uso do Ábaco de Puchlowski
Exemplo
• Considere o circuito ao lado, cujos parâmetros são: vs = 200sen(!t) V, fs = 50
Hz, ® = 60o, R = 0,1 W, L = 30 mH e Ed = 40 V. Determine: (a) Com ajuda do
Ábaco de Puchlowsky, o ângulo de extinção da corrente e o modo de operação
do circuito; (b) A tensão média sobre a carga; (c) Para se obter um ângulo de
extinção de 210o, qual deve ser o ângulo de disparo.
Solução:
• (a) Para usar o Ábaco de Puchlowski: • (b)
R 0,1
cos(Á )    0, 0106 0
R 2  (!L) 2 0,12  (2¼  50  0, 03) 2
Ed 40 1 2¼
2¼ 0
a   0, 2 Vo  vo (!t)d (!t)
V m 200
1  ®
Ed d (!t)   V m sen(!t)d( !t)   Ed d( !t) 
¯ 2¼
 
o
O ábaco retorna: ¯ 258  
2¼  0 ® ¯
Como ¯ < ¯c, onde ¯c = 2¼ + ®, a condução é 1
  Ed ®  V m  cos(®)  cos( ¯ )   Ed  2¼  ¯  
descontínua. 2¼ 

• (c) Nesse caso, os valores de a e cos(Á) não 


1 
2¼ 
   
40  ¼ 3  200  cos(60 o )  cos(258o )  40  2¼  258o  ¼ 180 o 
se alteraram. Logo, o ábaco retorna o ângulo  40,53V 10
de disparo ®  125o.
Retificadores Controlados de Onda Completa em Ponte
Com Carga Resistiva – R
• Nesses circuitos, pares de tiristores diagonalmente
opostos, ou seja, T1 e T4 ou T2 e T3, passam juntos
para o estado conduzindo ou para o estado
bloqueado.
• Durante o semiciclo positivo da tensão CA vs, os
tiristores T1 e T4 ficam diretamente polarizados. Se for
aplicado um pulso de corrente nos seus gatilhos em
!t = ®, eles passarão para o estado de conduzindo.
• Durante o semiciclo negativo de vs, os tiristores T2 e
T3 ficam diretamente polarizados e serão disparados
em !t= ¼ + ®.
• Tensão média na carga:
1 ¼ V
V o   V m sen(!t)d (!t)  m 1  cos(®) 
¼ ® ¼
• Corrente RMS na carga:
2
1 ¼ I ® sen(2®)
I orms    I m sen( !t )  d (!t)  m 1   11
¼ ® 2 ¼ 2¼
Retificadores Controlados de Onda Completa em Ponte
Com Carga Resistiva-Indutiva – RL: Modo de Condução Descontínua
• Quando a indutância do indutor for
pequena ou o ângulo de disparo ® for
mantido alto, a corrente de saída io atingirá
o valor zero a cada semiciclo em !t = ¯.
• A tensão média sobre a carga:

1 ¯ V
Vo   V m sen( !t)d ( !t)  m  cos(®)  cos( ¯ ) 
¼ ® ¼

12
Retificadores Controlados de Onda Completa em Ponte
Com Carga Resistiva-Indutiva – RL: Modo de Condução Contínua
• É suposta uma carga indutiva muito alta, de
forma que a corrente da carga não atingirá o
valor zero, assim, o retificador está operando no
modo de condução contínua.
• Assumindo !L>>R, o circuito da carga pode ser
simplificado por uma fonte de corrente constante
de valor Io.
• A tensão média sobre a carga:
Vo 
1
¼ 
0
® ¼

vs (!t) d (!t)   vs (!t) d (!t) 
®
2Vm
¼
cos(®)

terá o seu valor máximo quando ® =0o, será zero


quando ® = 90o e estará em seu valor máximo
negativo quando ® = 180o.

13
Retificadores Controlados de Onda Completa em Ponte
Com Diodo de Roda Livre
• O diodo de roda livre permitirá um caminho
alternativo para o fluxo de corrente indutiva
acumulada na carga.
• Existem três caminhos possíveis para a
corrente io:
1. através de T1 e T4, entre ®  !t  ¼;
2. através de T2 e T3, entre (¼ + ®)  !t  2¼;
3. e através de D durante a roda livre, que ocorre
nos intervalos 0  !t  ® e ¼  !t  (¼ + ®), em que,
durante esses intervalos, os quatro tiristores
estarão bloqueados.
• Tensão média na carga:
Vm
Vo  1  cos(®) 
¼

14
Retificadores Controlados de Onda Completa Com Derivação
Central do Transformador

Modo de condução contínua


• Possui a vantagem de existir uma isolação
galvânica entre o lado CA e CC do circuito,

Modo de condução descontínua


bem como a utilização de apenas dois
tiristores para o controle de fase tanto do
semiciclo negativo quanto do positivo da fonte
CA.
• Apenas um tiristor conduz por vez, ou seja:
– T1 fica polarizado diretamente quando vs1 >0 e é
disparado em !t = ®;
– já T2 ficará polarizado diretamente quando vs2 < 0
e será disparado em !t = (¼ + ®).
15
Retificadores Semicontrolados em Ponte

• A forma de onda da tensão de saída


para esses tipos de conversores é
similar ao caso em que se tem diodo
de roda livre em antiparalelo à carga.

Braços assimétrico 

Braços simétrico 
16
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Aula 06

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Departamento de Engenharia Elétrica

Conversores CA/CC - Retificadores Trifásicos

Prof. Montiê Alves Vitorino


vitorino@dee.ufcg.edu.br
Lição de Hoje

Apresentar os princípios de operação dos Retificadores Trifásicos


Não Controlados e Controlados

2
Roteiro da Aula

• Introdução;
• Retificadores Trifásicos Não Controlados
– De Meia Onda
– De Onda Completa
• Retificadores Trifásicos Controlados
– De Meia Onda
– De Onda Completa

3
Introdução

• Os retificadores trifásicos possuem as seguintes vantagens, quando


comparados aos monofásicos:
1. Tensão de saída mais alta para uma determinada tensão de entrada;
2. Amplitude mais baixa da oscilação da tensão de saída, isto é, uma tensão CC mais
pura;
3. Frequência da oscilação mais alta, o que simplifica a filtragem;
4. Eficiência total mais alta.

va  V m sen( !t),
vb  V m sen(!t  2¼ 3),
vc  V m sen(!t  2¼ 3)

4
Retificadores Trifásicos Não Controlados
De Meia Onda
• Nessa configuração de retificador, faz-se
necessária a utilização do neutro n do sistema
das fontes de alimentação ligadas em estrela.

• A forma de onda da tensão de saída vo


consiste de três segmentos ao longo da
frequência da rede CA. Cada segmento
pertence ao valor máximo entre as tensões de
fase.
vo  max van , vbn , vcn 
5
Retificadores Trifásicos Não Controlados
De Meia Onda: Valor Médio
• É suficiente considerar apenas um dos três
segmentos de vo e fazer seu valor médio em
um intervalo de 120o.
¼ 5¼
vo (t)  van (t)  Vmsen(!t), para  !t 
6 6
• O valor médio da tensão de saída:

1 2¼ 1 5¼ 6 3 3
2¼ 0 2¼ 3 ¼ 6
Vo  vo ( !t )d ( !t )  V m sen( !t )d ( !t )  Vm

• A oscilação na tensão se saída:


¼ ¼ V
vo  V m  van    V m  V m sen    m
6 6 2

6
Retificadores Trifásicos Não Controlados
De Onda Completa

• Os diodos são numerados na sequência em que


conduzem:
– cada diodo conduz durante um intervalo de 120o;
– existem sempre dois diodos conduzindo, um no grupo positivo
e outro no grupo negativo da ponte;
– ocorre uma comutação entre diodos a cada 60o;
– a tensão de saída vo possui uma oscilação com frequência
igual a seis vezes a frequência das tensões CA de
alimentação.
vo  vPn  vNn
Retificadores Trifásicos Não Controlados
De Onda Completa: Valor Médio
• É suficiente considerar apenas um dos seis
segmentos de vo e fazer seu valor médio em um
intervalo de 60o.
vo (t)  vab (t)  van (t)  vbn (t)  V msen(!t)  V msen( !t  2¼ 3)
¼ ¼
 3V m sen( !t  ¼ 6), para  !t 
6 2

• O valor médio da tensão de saída:


1 2¼ 1 ¼2
2¼ 0 ¼ 3 ¼ 6
Vo  vo ( !t )d ( !t )  3V m sen(!t  ¼ 6)d (!t)

3 3 3
 V m  VLL
¼ ¼
• A oscilação na tensão se saída será:

¼  ¼ ¼  2 3
vo  VLL  vab    VLL  VLL sen     VLL
6 6 6 2
8
Retificadores Trifásicos Controlados
De Meia Onda – Três Pulsos
• É também chamada de retificador de três
pulsos, pois a tensão de saída CC possui uma
ondulação com três vezes a frequência da fonte
de entrada CA.
• Cada tiristor é disparado com relação à tensão
de fase à qual ele está conectado.
• Os pulsos de gatilho dos tiristores são
defasados de 120o entre si.
• O ângulo de disparo ® é medido a partir dos
instantes de interseção das tensões de fase
correspondentes.
• O ângulo de disparo para o tiristor T1 é iniciado
em !t = ¼/6, para T2 a partir de !t = 5¼/6 e para
T3 em !t = 3¼/2.

para 0o  ®  30o
9
Retificadores Trifásicos Controlados
De Meia Onda – Tensão Média
1 2¼
2¼ 0

Carga R
Vo  vo (!t)d (!t)

• Carga Resistiva
 1 5¼ 6  ® 3 3

2 ¼ 3 ¼ 6®
van (!t)d (!t) 
2 ¼
V m cos(®), para 0 o  ®  30 o

 1 ¼

Carga RL – MCD
3  ¼ 
Vo   ¼ 6®
van (!t)d (!t)  V m 1  cos   ®   , para 30o  ®  180 o
 6 
 2¼ 3 2¼
0, para 180o  ®  360o


• Carga Resistiva-Indutiva
– Modo de Condução Descontínua
1 ¯ 3  ¼  
Vo   van (!t)d (!t)  V m  cos   ®   cos(¯ ) 

Carga RL – MCC
2¼ 3 ¼ 6  ® 2¼  6  
– Modo de Condução Contínua

1 ¼ 6  2 ¼ 3 ® 3 3
Vo   van (!t)d (!t)  V m cos  ® 
2¼ 3 ¼ 6  ® 2¼ 10
Retificadores Trifásicos Controlados
De Meia Onda – Carga Altamente Indutiva ®  0o

• No modo de condução contínua,


independentemente da região em que o ® é
disparado, os tiristores irão conduzir por 2¼/3 ®  30o
rad, havendo, assim, sempre um tiristor
conduzindo.
• Considerando a fase van e sabendo que ela
representa 1/3 da tensão de saída vo, usando ®  90
o

as áreas sombreadas das a tensão média de


saída no modo de condução contínua será:
3 3
Vo  V m cos  ® 
2¼ ®  150o

®  180o
11
Retificadores Trifásicos Controlados
De Onda Completa – Seis Pulsos

para 0o  ®  60o

vo  vPn  vNn

• É também chamada de retificador de seis pulsos, pois a


tensão de saída CC possui uma ondulação com seis vezes a
frequência da fonte de entrada CA.
• Os tiristores T1, T3 e T5 são disparados durante o semiciclo
positivo da tensão de fase aos quais estão conectados,
gerando a forma de onda da tensão vPn.
• Os tiristores T2, T4 e T6 são disparados durante os semiciclos
negativos das tensões de fase aos quais estão conectados,
o que gerará a forma de onda da tensão vNn. 12
Retificadores Trifásicos Controlados
De Onda Completa – Tensão Média

Carga R
1 2¼
2¼ 0
Vo  vo (!t)d (!t)

• Carga Resistiva
 1 ¼ 6  ¼ 3 ® 3 3

Carga RL – MCD
 vab (!t)d (!t)  V m cos(®), para 0o  ®  60 o
¼ 3 ¼ 6® ¼

 1 5¼ 3 3 3  ¼ 
Vo   ¼ 6®
vab (!t)d (!t)  V m 1  cos   ®   , para 60o  ®  120 o
 3 
¼ 3 ¼
0, para 120o  ®  360o



• Carga Resistiva-Indutiva
– Modo de Condução Descontínua

Carga RL – MCC
1 ¯ ¼ 6 3 3  ¼  
Vo 
¼3 ¼ 6  ®
vab (!t)d (!t) 
¼
V m  cos   ®   cos(¯ ) 
 3  
– Modo de Condução Contínua
1 ¼ 6  ¼ 3 ® 3 3
Vo   vab (!t)d (!t)  V m cos  ®  13
¼ 3 ¼ 6® ¼
Retificadores Trifásicos Controlados
De Onda Completa – Carga Altamente Indutiva ®  0
o

• É suposta uma carga indutiva muito alta, de forma ®  30o


que a corrente da carga não atingirá o valor zero.
• Assumindo !L >> R, o circuito da carga pode ser
simplificado por uma fonte de corrente constante de ®  60o
valor Io.
• Cada tiristor conduz durante 120o.
• Com o barramento CC sendo formado por uma fonte ®  90o
de corrente, para um ® > 90o, o retificador entra no
modo inversor, onde o fluxo de energia se dará do
lado CC para a fonte trifásica CA.
• Valor médio da tensão na carga:
®  120o
3 3
Vo  V m cos  ® 
¼
®  150o

®  180o 14
Universidade Federal de Campina Grande
Centro de Engenharia Elétrica e Informática

Obrigado pela atenção!


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