F 329 – Turma B – Experimento realizado em 28/08 e 04/09/2019

Grupo - RA:
Aline Martins de Andrade – 160280
Luiz Henrique Freire Araújo - 156479
Lucas Marques da Rocha - 202003

Relatório Experimento 2: Condutividade de dispositivos

No experimento em questão foram analisados os comportamentos de uma

resistência e de um diodo. No estudo foram adotados diferentes intervalos de potenciais,
tanto positivos quanto negativos. Dessa forma, assim que os comportamentos dos
elementos foram observados, verificou-se a possibilidade de serem regidos pela Lei de
Ohm. Para isso foi necessário obter as resistências internas dos multímetros e resistor.
Assim, mediu-se a resistência do amperímetro com o segundo multímetro e vice-versa.
As resistências do voltímetro e amperímetro, calculadas com as equações 9 e 10, foram
(11,03 ± 0,09) MΩ e (6,6 ± 0,2) Ω, respectivamente. Por cautela, também foram
calculadas corrente e tensão máximas dos circuitos adotados, tomando-se uma potência
máxima de 1,5 W, obtendo-se ao final 0,123 A e 12,17 V, respectivamente.
O primeiro arranjo foi montado com o resistor conforme o esquema da Figura
1(a). Antes de iniciar o experimento e montar a curva característica a resistência do
resistor foi medida, tendo-se (99,1 ± 0,6) Ω. A corrente total foi medida em mA para
quatorze tensões diferentes. Os intervalos entre uma medição e outra foram de 2V, tanto
para polarização direta quanto para inversa (conforme descrito no planejamento). Como
previsto, o resistor dispõe de um comportamento linear, quando se trata do gráfico tensão
vs corrente (Figuras 6 (a,b)), como esperado de um resistor ôhmico. Além disso, ao
observar o gráfico resistência vs tensão (Figura 7), têm-se mais uma evidência de que o
resistor é um dispositivo ôhmico, no qual a resistência não é função da tensão, pelo menos
dentro do domínio de validade da Lei de Ohm.
Para calcular a resistência do resistor a partir do gráfico corrente vs tensão,
escolheu-se arbitrariamente o da Figura 6a. Após realizar o método dos mínimos
quadrados (MMQ) e regressão linear, têm-se a condutividade S = (10,16 ± 0,03) KS (a
unidade é quilo Siemens, já que a corrente está em mA). Para obter a resistência, calculou-
se o recíproco da condutividade e propagou-se a incerteza da operação conforme a
equação 11, tendo-se R = (0,0984 ± 0,0003) KΩ ou R = (98,4 ± 0,3) Ω. Ao comparar o
valor obtido através do MMQ com o medido no ohmímetro, têm-se que as faixas se
sobrepõem, o que indica consistência nas medidas realizadas. O coeficiente linear da
regressão demonstra a presença dos erros experimentais (aleatórios) e do ajuste do
modelo, uma vez que idealmente, se a voltagem é zero o mesmo deveria ser para a
corrente.
Para o diodo é possível registrar a corrente na polarização direta. Isso ocorre pois,
à nível molecular, a repulsão entre as cargas dos terminais e as cargas do semicondutor p
e n (terminal positivo liga do à p e negativo à n) (Figura 2a) faz com que haja diminuição
da camada de depleção. Já quando os terminais são ligados na polarização inversa
(terminal positivo em n e negativo em p) (Figura 2b) ocorre a atração dos elétrons pelo
terminal positivo e dos buracos pelo negativo, fazendo com que haja aumento da camada
de depleção impedindo a passagem da corrente. Neste experimento de observação foi
possível verificar através dos circuitos montados as afirmações colocadas acima. Para a
polarização direta foi usado o circuito mostrado na Figura 1a e para polarização inversa
circuito Figura 1b (as colocações pertinentes dessa escolha estão no Planejamento do
Experimento 2). É necessário utilizar dois circuitos diferentes para as medidas do diodo
pois, na polarização direta a corrente no sistema passa praticamente toda pelo diodo
enquanto o voltímetro mede a queda de tensão do diodo, a montagem escolhida favorece
medidas de corrente. No entanto, na polarização inversa a resistência é muito alta, sendo
necessário o amperímetro ser colocado em seguida do diodo para medir de fato a corrente
que passa por ele, do contrário mediríamos a corrente que passa pelo voltímetro.
Os resultados obtidos nos dois gráficos (Figura 3 e 4) mostraram o esperado para
o caso do diodo. No gráfico de corrente vs. tensão é possível notar o momento que a
voltagem consegue superar a barreira ou camada de depleção gerando a corrente
observada no experimento. Quando se analisa o gráfico de resistência vs. tensão, observa-
se que a resistência diminui com o aumento da tensão, que é o contrário do que ocorre
com a corrente. A lei de Ohm afirma que a corrente é sempre diretamente proporcional à
diferença de potencial, sendo a razão entre a voltagem e a corrente constante. Observando
os gráficos obtidos, nota-se que não há uma relação linear entre i e V, além disso no
gráfico de resistência esta não apresenta comportamento linear. Logo, o diodo não é um
resistor ôhmico. O comportamento linear na Figura 5 (logaritmo neperiano da corrente
vs tensão no diodo) demonstra como a corrente e a tensão no diodo se relacionam através
de uma exponencial, conforme é descrito na equação 8.
Nos dois arranjos há a presença de um fusível e da resistência de proteção, cuja
função é minimizar a corrente que chega ao diodo de modo que a potência dissipada por
ele seja inferior à 1,5 W. Acima deste valor provavelmente ocorrem reações de
degradação dos materiais que compõem o diodo, o que afetaria as medidas realizadas. As
curvas características para os arranjos com resistor e diodo apresentaram formatos
diferenciados. No caso do resistor há independência da polarização, tendo-se uma relação
diretamente proporcional entre tensão e corrente. No caso do diodo há influência da
polarização, com condução de corrente favorecida no sentido direto, uma vez alcançada
uma tensão mínima. Quanto às resistências em função da tensão (Figuras 4 e 7), no diodo
há uma queda com o aumento da tensão (não-ôhmico) e no resistor ela permanece
constante (ôhmico).
Ao fim do experimento foram montados rapidamente arranjos contendo um diodo
emissor de luz (LED – Light-emitting Diode) e um fotorresistor (LDR – Light Dependent
Resistor). Por também ser um diodo, o LED apresentou o mesmo comportamento, com o
diferencial de emitir uma luz azul em polarização direta a partir de tensão aplicada igual
à 2,5 V. No caso do LDR, ao aproximar a luz da lanterna do celular à superfície do
dispositivo há um aumento na corrente elétrica desenvolvida, o que é devido à incidência
de um número de fótons suficiente para excitar os elétrons da banda de valência à de
condução do material semicondutor. Assim, o número de fótons incidentes é diretamente
proporcional à corrente produzida e, consequentemente, inversamente proporcional à
resistência do LDR.
Anexos:
Anexo I - Resultados
Tabela 1- Resultados de corrente, voltagem e resistência para o caso do resistor tanto na
polarização direta quanto na inversa.

RESISTOR
Voltagem Aplicada i ± Δi (mA) V ± ΔV (V) R ± ΔR (Ω)
Polarização Inversa
0 0,560 ± 0,002 -0,056 ± 0,001 100 ± 2
2 19,84 ± 0,07 -1,960 ± 0,002 98,8 ± 0,4
4 38,2 ± 0,1 -3,773 ± 0,005 98,7 ± 0,4
6 57,4 ± 0,2 -5,650 ± 0,009 98,4 ± 0,3
8 77,1 ± 0,5 -7,55 ± 0,01 97,9 ± 0,7
10 96,4 ± 0,6 -9,37 ± 0,02 97,2 ± 0,6
12 116,3 ± 0,7 -11,28 ± 0,02 97,0 ± 0,6
Polarização Direta
0 0,270 ± 0,001 0,027 ± 0,001 100 ± 5
2,1 20,6 ± 0,3 2,034 ± 0,005 99 ± 1
4 38,5 ± 0,4 3,792 ± 0,008 98,6 ± 0,9
6 58,1 ± 0,4 5,68 ± 0,01 97,8 ± 0,8
8 76,6 ± 0,5 7,49 ± 0,01 97,8 ± 0,7
10 97,0 ± 0,6 9,42 ± 0,02 97,1 ± 0,6
12 116,7 ± 0,7 11,28 ± 0,02 96,7 ± 0,6

Tabela 2- Resultados de corrente, voltagem e resistência para o caso do diodo tanto na

polarização direta quanto na inversa.

DIODO
Voltagem Aplicada i ± Δi (µA) V ± ΔV (V) R ± ΔR (Ω)
Polarização Inversa
0 0,0 ± 0,2 -0,038 ± 0,001 > 10 MΩ
3 0,0 ± 0,2 -3,011 ± 0,004 > 10 MΩ
6 0,0 ± 0,2 -6,06 ± 0,01 > 10 MΩ
9 0,0 ± 0,2 -9,00 ± 0,01 > 10 MΩ
12 0,0 ± 0,2 -11,99 ± 0,02 > 10 MΩ
15 0,0 ± 0,2 -14,91 ± 0,02 > 10 MΩ
18 0,0 ± 0,2 -18,02 ± 0,03 > 10 MΩ
21 0,0 ± 0,2 -20,91 ± 0,04 > 10 MΩ
24 0,0 ± 0,2 -24,04 ± 0,04 > 10 MΩ
27 0,0 ± 0,2 -26,84 ± 0,05 > 10 MΩ
30 0,0 ± 0,2 -29,94 ± 0,05 > 10 MΩ

Voltagem Aplicada i ± Δi (mA) V ± ΔV (V) R ± ΔR (Ω)

Polarização Direta
0 0,00 ± 0,02 0,067 ± 0,001 > 10 MΩ
1 4,11 ± 0,03 0,659 ± 0,002 160 ± 1
2 13,30 ± 0,06 0,701 ± 0,002 52,7 ± 0,3
3 22,00 ± 0,08 0,720 ± 0,002 32,7 ± 0,2
4 31,4 ± 0,1 0,734 ± 0,002 23,4 ± 0,1
 5 40,9 ± 0,1 0,744 ± 0,002 18,2 ± 0,1
6 50,8 ± 0,2 0,752 ± 0,002 14,8 ± 0,1
7 60,2 ± 0,2 0,758 ± 0,002 12,6 ± 0,1
8 69,1 ± 0,2 0,763 ± 0,002 11,0 ± 0,1
9 79,5 ± 0,2 0,770 ± 0,003 9,69 ± 0,04
10 89,2 ± 0,3 0,774 ± 0,003 8,68 ± 0,04
11 108,5 ± 0,3 0,782 ± 0,003 7,21 ± 0,03
12 109,0 ± 0,3 0,781 ± 0,003 7,17 ± 0,03

Anexo II – Fórmulas
V
R=
i
Eq 1: Definição de resistência;

Eq 2: cálculo de incerteza para f.d.p. retangular, incerteza da leitura para

voltagem e corrente;

2 ∗ (0,3% + 2a)
u(V) =
2√3

Eq 3: cálculo da incerteza de calibração para voltagem, sendo a = 0,001;

2∗(0,5%+3a)
u(i) = (para 600 µA (a=0,1) e 60 mA (a=0,01))
2√3

Eq. 4: cálculo da incerteza de calibração para corrente;

2∗(0,8%+3a)
u(i) = (para 600 mA (a=0,1))
2√3

Eq. 5: cálculo da incerteza de calibração para corrente;

u(V 2 e i2 ) = √Incerteza Calibração2 + Incerteza leitura2

Eq 6: cálculo da incerteza combinada para voltagem e corrente;

R 2 R 2
uR2 (Ω) √
= ( ) . (uV ) + (− ) . (u2i )
2
V i

Eq. 7: propagação de incerteza da resistência.

 Eq. 8: relação entre corrente e tensão em um diodo ideal.

2∗(0,8%+3a)
u(R) = (para 600 Ω (a=0,1))
2√3

Eq. 9: cálculo da incerteza de calibração para resistência

2∗(1,2%+3a)
u(R) = (para 60 MΩ (a=0,001))
2√3

Eq. 10: cálculo da incerteza de calibração para resistência

𝑅
𝑢(𝑅) = (− ) . 𝑢(𝑆)
𝑆

Eq. 11: propagação de incertezas para cálculo da resistência do resistor a

partir do gráfico corrente vs tensão

Anexo III: Configurações do circuito

(a) (b)

Figura 1- Arranjo dos elementos usados para o experimento. Em (a) configuração para
polarização direta e resistor em (b) para polarização reversa.
Figura 2- Diodo quando colocado em situação de polarização direta (a) e inversa (b).

Anexo 4: Gráficos

Figura 3- Gráfico de corrente vs tensão para o diodo.

 Figura 4- Gráfico de resistência vs tensão para o diodo.

Figura 5- Gráfico logaritmo neperiano vs tensão no diodo.

Figura 6 - Gráficos corrente vs tensão do resistor (a – à esquerda, valores negativos de

tensão; b – à direita, valores positivos de tensão)
 Figura 7 - Gráfico de resistência vs tensão para o resistor.

Bibliografia:
[1] Halliday D; Resnick R; Walker J. Fundamentos de Física vol.3,
Eletromagnetismo, 9ª Edição, LTC, RJ, 2012.

[2] Smart, L.E.; Moore, E.A. Solid State Chemistry - Na Introduction, 3ª Edição,
T&F, NY, 2005.