1.

OBJETIVOS

O objetivo principal desta prática é projetar e analisar o funcionamento de um TBJ operando

como chave mediante simulação e experimentação.

2. RESULTADOS DE PRÉ-LABORATÓRIO

2.1. Projeto do Circuito

Figura 2.1.1 -Projeto do circuito sob estudo.

Fonte: Guia de práticas.

2.2. Questões do Pré-laboratório

(a) Usando os dados do Item 4, dimensionar os resistores Rb e Rc. Significa que devem ser
encontrados os valores de resistência e as potências dissipadas.

𝑉𝑏𝑏−𝑉𝑏𝑒 5.0 [𝑉]−0.7 [𝑉]

● 𝑅𝑏 = 𝐼𝑏
= 400 [µ𝐴]
= 10. 75[𝑘Ω]
𝑉𝑏𝑏−𝑉𝑐𝑒𝑆𝐴𝑇 12.0 [𝑉]−0.3 [𝑉]
● 𝑅𝑐 = β·𝐼𝑏
= 40 [𝑚𝐴]
= 292. 5[Ω]
2 2
● 𝑃𝑅𝑏 = 𝑅𝑏 · 𝐼𝑏 = 10. 75 [𝑘Ω] · 400 [µ𝐴] = 1. 72[𝑚𝑊]
2 2
● 𝑃𝑅𝑐 = 𝑅𝑐 · 𝐼𝑐 = 292. 5 [Ω] · 40 [𝑚𝐴] = 0. 468[𝑊]
(b) Verificar o ponto de operação “Q” usando as curvas Ic=f(Vce) obtidas via o simulador. Se
tiver discrepâncias fazer comentários para explicar os motivos.
Aqui o eixo x está mostrando a tensão vcc e não Vce e nesse caso causa muita discrepância.

(c) Usando os valores indicados e os componentes encontrados, simulando em qualquer

programa o circuito da Figura 2, e mostrar as formas de onda na sequência, Vbb, Vce, e VRc.
Sincronizar todas as formas de onda usando a mesma escala e mostrar somente 3 períodos.
(d) Observando as formas de onda da tensão Vbb e VRc, determinar os tempos ton e toff
conforme explicado no livro Boylestad.

Ton é o período necessário para o transistor passar do estado inoperante para o estado
operante e o Toff é o período necessário para que o transistor passe do estado operante para o
inoperante.

𝑡𝑜𝑛 = 𝑡𝑟 + 𝑡𝑑 = 256 [𝑛𝑠]

𝑡𝑜𝑓𝑓 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑑 = 376 [𝑛𝑠]

(e) No simulador, verificar o valor da tensão de saturação VceSAT e comparar com o valor
teórico considerado no Item 4.
𝑉𝑐𝑒𝑆𝐴𝑇 = 𝑅𝑐 · 𝐼𝑐 = 292. 5 [Ω] · 283 [µ𝐴] = 82. 78[𝑚𝑉]