Técnicas de Nanocaracterização: Coleção Nanociência E Nanotecnologia: Princípios E Aplicações

COLEÇÃO NANOCIÊNCIA E NANOTECNOLOGIA:
PRINCÍPIOS E APLICAÇÕES
TÉCNICAS DE
NANOCARACTERIZAÇÃO
VOLUME 3
ORGANIZADORES
Alessandra Luzia Da Róz
Fabio de Lima Leite
Marystela Ferreira
Osvaldo Novais de Oliveira Jr.
© 2015, Elsevier Editora Ltda.
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Editoração Eletrônica: Estúdio Castellani
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ISBN 978-85-352-8091-3
ISBN (versão digital): 978-85-352-8094-4
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CIP-Brasil. Catalogação na Publicação

Sindicato Nacional dos Editores de Livros, RJ
T251 Técnicas de nanocaracterização / Aldo Félix Craievich ...

[et al.]; organização Alessandra Luzia da Róz ... [et al.]. – 1. ed.
– Rio de Janeiro: Elsevier, 2015.
24 cm. (Nanociência e nanotecnologia: princípios e

aplicações; 3)
ISBN 978-85-352-8091-3
1. Nanociência. 2. Nanotecnologia. 3. Inovações

tecnológicas. I. Craievich, Aldo Félix. II. Róz, Alessandra Luzia
da. III. Título. IV. Série.
14-17324 CDD: 620.5

CDU: 620.3
DEDICATÓRIAS
Os autores dedicam esta obra a todos os cientistas que pesquisam na área de nanociência,
nanotecnologia e áreas correlatas. Além disso, os organizadores têm dedicatórias indivi-
duais a fazer.
ALESSANDRA LUZIA DA RÓZ

Dedico esta obra ao meu pai José Maria Da Róz (in memoriam) e à minha mãe Luzia
Cirullo Da Róz pela dedicação, apoio e incentivo desde os primeiros anos de meus
estudos. À minha irmã Talita pelo otimismo, e ao meu esposo Fábio e à minha filha
Agatha por serem minha razão de viver.
FÁBIO DE LIMA LEITE

Dedico esta obra a minha esposa Alessandra (por seu otimismo inabalável), a mi-
nha filha Agatha (por existir), a meus irmãos Andréa e Gilberto (por acreditarem)
e a meus pais Maria Luzia e Wilson por todo o amor, amparo e sacrifício de longo
prazo. Dedico também esta obra aos meus “incansáveis” amigos Ismail e Ivo, pela
grande sabedoria e companheirismo ao longo dos anos.
MARYSTELA FERREIRA
Dedico esta obra, em especial, ao meu pai Walter Ferreira (in memoriam), que inves-
tiu na educação de suas cinco filhas e hoje todas atuam na área de pesquisa e ensino.
AGRADECIMENTOS
Gostaríamos de expressar nossa profunda gratidão a todos os alunos, pesquisadores

e professores que contribuíram de forma dedicada, paciente e minuciosa para a re-
alização desta obra. Reconhecemos a importância dos órgãos de fomento do Brasil
que proporcionaram, em muitos casos, apoio financeiro para o desenvolvimento das
pesquisas relatadas neste livro. Manifestamos, imensamente, a guarida da Universi-
dade Federal de São Carlos e da Universidade de São Paulo por fornecerem condi-
ções essenciais para o desenvolvimento desta obra. Agradecemos à equipe da Editora
Elsevier do Brasil, em especial André Gerhard Wolff e Vanessa Huguenin, pela
confiança depositada e pela dedicação à edição desta obra.
Além disso, os organizadores têm reconhecimentos individuais a fazer.
ALESSANDRA LUZIA DA RÓZ

Agradeço a todos os meus professores, desde o ensino pré-escolar, por me incentiva-
rem a olhar o mundo com outros olhos. Meus reconhecimentos ao meu orientador
de mestrado e doutorado Professor Doutor Antônio Aprígio da Silva Curvelo por
me dar a chance de ingressar no mundo acadêmico e por seus ensinamentos singu-
lares. Aos meus supervisores de pós-doutorado, Professor Doutor Osvaldo Novais
de Oliveira Júnior e Professor Doutor Fábio Minoru Yamaji, por sua confiança em
minha capacidade. Presto meu reconhecimento ao Professor Doutor Fabio de Lima
Leite e à Professora Doutora Marystela Ferreira pela confiança em meu trabalho na
organização deste livro. Ainda, e não menos importante, agradeço meu esposo e filha
pelo amor e apoio incondicionais.
VIII TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO

Agradeço cordialmente a todos os meus ex-professores universitários, em especial ao
Professor Doutor Ervino Carlos Ziemath por sua grande dedicação, incentivo, va-
liosas discussões e amizade prestados durante a minha graduação em Física na Unesp
em Rio Claro. Expresso também minha gratidão especial aos meus ex-orientadores
de mestrado (Doutor Paulo Sérgio de Paula Herrmann Júnior), doutorado (Doutor
Luiz Henrique Capparelli Mattoso) e pós-doutorado (Professor Doutor Osvaldo
Novais de Oliveira Júnior), por suas lideranças e ensinamentos valiosos para a minha
carreira profissional, além de conseguirem reacender o meu entusiasmo pela ciência,
diante de tantas dificuldades durante esse período. Sou particularmente grato a todos
os alunos do Grupo de Pesquisa em Nanoneurobiofísica pelo empenho, entusiasmo
e inestimável engajamento em nossa pesquisa. Sou muito grato pelo reconhecimento
e por acreditarem que poderíamos transpor novas fronteiras na ciência. Agradeço
também à rede de nanobiotecnologia nBioNet, à FAPESP, ao CNPq e à CAPES
pelo apoio financeiro em diversos projetos de pesquisa relacionados com os temas
abordados neste livro. Finalmente, meu especial agradecimento à minha família por
todo apoio, amor e suporte permanentes e por entender os vários momentos em que
estive ausente.
MARYSTELA FERREIRA
Agradeço a todas as pessoas que contribuíram e contribuem para a minha formação
profissional e a todos os integrantes do grupo de pesquisa em Nanociência e Nano-
tecnologia Aplicada a Sensores. Muitos são os nossos desafios e aos poucos vamos
superando cada um deles. Agradeço também à minha família e em especial à minha
pequena Laura, amor da minha vida.
OSVALDO NOVAIS DE OLIVEIRA JÚNIOR

Meus agradecimentos especiais vão para os colegas do Grupo de Polímeros Bernhard
Gross, do Instituto de Física de São Carlos, USP, e colaboradores de diversas insti-
tuições no Brasil e no exterior. Em particular, devo agradecer aos colaboradores do
Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica (INEO) e da rede de nanobiotecnologia
nBioNet.
OS ORGANIZADORES
ALESSANDRA DA RÓZ
Possui graduação em Licenciatura em Ciências Exatas com
Habilitação em Química pela Universidade de São Paulo
(1997), mestrado e doutorado em Ciências e Engenharia de
Materiais pela Universidade de São Paulo (2000 e 2004) e pós-
-doutorado DTI (Desenvolvimento Tecnológico Industrial-
-CNPq) junto ao Instituto de Física de São Carlos da Univer-
sidade de São Paulo (2009). Atualmente realiza pós-doutorado
PNPD (Programa Nacional de Pós-Doutorado-CAPES) na Universidade Federal
de São Carlos. Tem experiência na área de Engenharia de Materiais, com ênfase em
polímeros e suas aplicações, atuando principalmente nos seguintes temas: modifica-
ção química e processamento de polímeros, biomassa lignocelulósica e biocombustí-
veis sólidos. Publicou 13 artigos em periódicos especializados, um capítulo de livro,
e possui duas patentes de invenção registradas no Instituto Nacional de Propriedade
Industrial (INPI). É revisora para diversos periódicos nacionais e internacionais.

Possui graduação em Física (bacharelado e licenciatura) pela
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (2000)
e mestrado (2002) e doutorado (2006) em Ciência e Engenha-
ria de Materiais pela Universidade de São Paulo (2006). No
período de 2006 a 2008, realizou um pós-doutorado no Insti-
tuto de Física de São Carlos (IFSC-USP) e em 2008 e 2009
realizou seu pós-doutorado em colaboração com a Embrapa
X TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
Instrumentação Agropecuária. Foi Bolsista Jovem Pesquisador da FAPESP (2009-

2012). No doutorado trabalhou em parceria com o Professor Doutor Alan Graham
MacDiarmid, laureado com o Prêmio Nobel em Química de 2000, com o qual pu-
blicou um artigo no Journal of Nanoscience and Nanotechnology, em 2009. Atualmente
é Bolsista de Produtividade em Pesquisa, Nível 2, do CNPq, Professor Adjunto III
na Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) – Campus Sorocaba, Coordenador
do Grupo de Pesquisa em Nanoneurobiofísica (GNN) (www.nanoneurobiophysics.
net) e do Programa Futuro Cientista (www.futurocientista.net), desenvolvido junto
às escolas públicas com o apoio dos setores público e privado. Tem experiência nas
áreas de nanociência e nanotecnologia, com ênfase em nanoscopia, nanoneurociência
e nanobiofísica médica. É credenciado junto ao Programa de Pós-Graduação em
Biotecnologia e Monitoramento Ambiental da UFSCar (PPGBMA), Programa de
Pós-Graduação em Física (IFSC-USP) e Programa de Pós-Graduação em Medicina
Tropical da Universidade de São Paulo (IMT-USP). Publicou cerca de 50 artigos
em periódicos especializados, 10 capítulos de livros, um livro, e possui duas marcas
registradas no Instituto Nacional de Propriedade Industrial (INPI). É membro do
corpo editorial da revista Chemical Sensors e revisor para diversos periódicos. Atual-
mente é membro colaborador do Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de
Sistemas Micro e Nanoeletrônicos e membro efetivo da Rede nBioNet (CAPES),
Rede Agronano (Embrapa) e da American Nano Society.
MARYSTELA FERREIRA
Professora adjunta IV na Universidade Federal de São Carlos
(UFSCar), campus Sorocaba-SP. Bacharel em Química pela
Universidade de São Paulo, USP, Instituto de Química de
São Carlos (IQSC) em 1993 e licenciada em Química (1995)
também pelo IQSC. Mestre em 1996 (IQSC) e obteve o tí-
tulo de doutor em 2000 na área de Físico-Química (IQSC).
Fez vários estágios de pós-doutorado entre os anos de 2000 e
2004 no Instituto de Física de São Carlos (IFSC) na USP e coordenou um projeto
Jovem Pesquisador financiado pela FAPESP de 2004 a 2007 na Unesp em Presi-
dente Prudente (SP). Sua área de atuação é em desenvolvimento de materiais utili-
zando filmes fines nanoestruturados com técnicas Langmuir Blodgett (LB) e Layer
by-Layer (LbL) visando a interação de modelos de membranas e o desenvolvimento
de sensores eletroquímicos ambientais e biossensores. Foi responsável pela criação
do curso de Licenciatura em Química, UFSCar o qual coordenou desde o início
em 2009 até a formação da primeira turma em 2013. Faz parte de dois programas
OS ORGANIZADORES XI
de pós-graduação, sendo um em Ciência dos Materiais na UFSCar e o outro em

Ciência e Tecnologia de Materiais (Posmat), Unesp, Bauru. Atualmente, tem mais
de 50 artigos publicados em periódicos com revisão. Revisora de diversos periódicos
nacionais e internacionais.
OSVALDO N. OLIVEIRA JR.

Físico por formação, doutor pela Bangor University, Rei-
no Unido. É professor do Instituto de Física de São Carlos
(IFSC), Universidade de São Paulo, membro da Academia de
Ciências do Estado de São Paulo. É membro fundador do Nú-
cleo Interinstitucional de Linguística Computacional (NILC),
que desenvolveu o revisor gramatical ReGra, agraciado com
dois prêmios de inovação tecnológica. Suas principais áreas
de atuação são em filmes orgânicos nanoestruturados, tópico de física da matéria
condensada, e processamento de línguas naturais. Recebeu o Prêmio Scopus 2006,
outorgado pela Elsevier do Brasil e a CAPES, como um dos 16 pesquisadores brasi-
leiros com maior produção científica, com base no número de publicações, citações
e orientações.
OS AUTORES
ALDO FÉLIX CRAIEVICH

Graduado (1964) e doutorado (1969) em Física pelo Instituto
Balseiro, Universidad Nacional de Cuyo, Bariloche, Argen-
tina. Livre-Docente (1974) do Instituto de Física e Química
de São Carlos da Universidade de São Paulo. Realizou está-
gios de pós-doutorado no Laboratoire de Physique des Solides
(1976) e no laboratório de luz síncrotron LURE (1981-1982),
da Université Paris-Sud, Orsay, France. Foi Pesquisador Titu-
lar do Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas (1982-1986), Coordenador do Comi-
tê Executivo do Projeto Radiação Síncrotron – PRS/CNPq (1982-1985) e Diretor
Adjunto e Chefe do Departamento Científico do Laboratório Nacional de Luz Sín-
crotron – LNLS (1987-1997). Atuou como Professor Titular (1987-2009), Chefe
do Departamento de Física Aplicada (2002-2006) e Presidente da Comissão de Pes-
quisa do Instituto de Física da USP (2007-2008). Desenvolve pesquisas na área de
física da matéria condensada, com ênfase em estudos de mecanismos de formação
de materiais nanoestruturados, transições de fase de nanomateriais e caracterização
estrutural de materiais nanocristalinos. Participou num total de aproximadamente
250 publicações, das quais 210 em revistas periódicas, 26 em anais de congressos
e seis capítulos de livros. Os artigos publicados receberam até hoje acima de 3.400
citações na literatura (webofscience). Desde 1980 é Membro Titular da Academia
de Ciências do Estado de São Paulo. Recebeu homenagens e distinções outorga-
das pela comunidade de usuários e a equipe do LNLS (1997 e 2010), a Socieda-
de Brasileira de Cristalografia (2000) e o Instituto Balseiro, Bariloche, Argentina
(2011). Formou parte das equipes que receberam o Prêmio Mercosul de Ciência e
Tecnologia outorgado por UNESCO/MCT/MinCyT em 2004 e 2010. Atualmente
XIV TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
desempenha atividades como Professor Sênior do IF/USP, Bolsista de Produtivida-

de Científica do CNPq em Nível 1A e Co-Editor do Journal of Synchrotron Radia-
tion (IUCr-Chester/UK).
ANA PAULA RAMOS

Possui bacharelado e licenciatura em Química pela USP(2005).
Fez doutorado em Química (Físico-Química) pela USP traba-
lhando em projeto envolvendo o crescimento de carbonato de
cálcio sobre matrizes biomiméticas formadas por filmes finos
Langmuir-Blodgett de fosfolipídeos e filmes LbL de poliele-
trólitos. Durante o doutorado (abril a agosto 2008) realizou
estágio na Universidade de Bristol-UK sob a supervisão da
Dra. Fiona Meldrum. Desenvolveu projeto de pós-doutorado na USP a respeito da
influência de diferentes matrizes (sol-gel, filmes LB, filmes LbL) nas propriedades
luminescentes de moléculas orgânicas e complexos contendo lantanídeos, deposita-
dos sobre guias-onda, visando a obtenção de sensores ópticos. Atualmente é contra-
tada como Professora Doutora no Departamento de Química da FFCLRP-USP,
subárea Físico-Química.
ÁLVARO ALIAGA CERÓN

Graduado em Química Ambiental pela Universidade do Chile
(2006) e possui doutorado em Química pela Universidade do
Chile (2011). Estagiou o pós-doutoral na Universidade Es-
tadual Paulista, Departamento de Física, Biologia e Química
(2012). Atualmente cursa pós-doutorado no Departamento da
Química, Faculdade de Ciências, e é docente do Programa de
Bacharelato, Universidade do Chile. Seus interesses de pesqui-
sa incluem técnicas de espectroscopia e microscopia (infravermelho, espalhamento
Raman, espalhamento Raman intensificado em superfície, análise visual das seções
estratigráficas e tecidos) para a identificação e caracterização de materiais químicos
e biológicos (peptídeos, proteínas, anfifílicos, poluentes, drogas, eletrodos modifica-
dos, aglutinantes, corantes, pigmentos e fibras). Atua principalmente nos seguintes
temas: corantes em patrimônio cultural e oxidantes em biomembranas.
OS AUTORES XV
CARLOS JOSÉ LEOPOLDO CONSTANTINO

Possui graduação em Licenciatura em Física pelo Institu-
to de Física de São Carlos-USP (1993) e em Engenharia
de Produção-Materiais pela Universidade Federal de São
Carlos (1997), mestrado em Física Aplicada pelo Instituto
de Física de São Carlos-USP (1995) e doutorado em Ciên-
cia e Engenharia de Materiais pelo Instituto de Física de
São Carlos-USP (1999). Fez três anos de pós-doutorado
financiado pela FAPESP, sendo dois anos na Universidade de Windsor no Ca-
nadá (1999-2001) e um no CNPDIA-EMBRAPA em São Carlos, SP (2001-
2002). Foi bolsista FAPESP no programa Jovem Pesquisador junto a UNESP de
Presidente Prudente (2002-2006). Atualmente é professor adjunto (Livre Do-
cente) na UNESP de Presidente Prudente, é credenciado no programa de Pós-
-graduação Institucional da UNESP em Ciência e Tecnologia de Materiais
(POSMAT-conceito 5) e pesquisador PQ nível 1d do CNPq. Em 2009 desen-
volveu pós-doutoramento junto a Universidade de Valladolid na Espanha como
bolsista CAPES. Desenvolve pesquisa na área de ciência dos materiais e física
do estado sólido com ênfase em espectroscopia molecular (Raman e FTIR) e fa-
bricação de filmes orgânicos nanoestruturados aplicados a sensores e dispositivos
ópticos. Paraninfo e professor homenageado da V Turma de Química da FCT/
UNESP. Paraninfo da VIII Turma de Física da FCT/UNESP.
DAIANA KOTRA DEDA

Bacharel e Licenciada em Química pela Universidade Es-
tadual do Centro-Oeste (2006) e doutora em Ciências pela
Universidade de São Paulo (2011). Atualmente é pós-dou-
toranda na Universidade de São Paulo. Tem experiência
nas áreas de nanociência e nanotecnologia, com ênfase no
desenvolvimento de nanobiomateriais. Atua principalmen-
te nas seguintes áreas: desenvolvimento e caracterização de
nanomateriais; desenvolvimento de fotossensibilizadores para Terapia Fotodinâ-
mica; encapsulamento de fármacos e desenvolvimento de nanosistemas de libera-
ção controlada; estudos de interação de nanoestruturas com sistemas biológicos;
toxicidade de nanomateriais in vitro e in vivo.
XVI TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
DIEGO GERMÁN LAMAS

Graduado (1992) e doutorado (1999) em Física pela Facul-
tad de Ciencias Exactas y Naturales da Universidad de Buenos
Aires, Argentina. Em 1993 ingressou ao Centro de Investi-
gaciones en Sólidos (CINSO), CONICET-CITEDEF, Ar-
gentina, onde realizou as pesquisas de sua tese de doutorado
e desenvolveu a maior parte de sua carreira, havendo sido res-
ponsável pelo Grupo de Nanomateriais para Células a Com-
bustível (2001-2010). Atualmente é Pesquisador Independente do Consejo Nacional
de Investigaciones Científicas y Técnicas da Argentina (CONICET) e Professor
Associado da Facultad de Ingeniería da Universidad Nacional del Comahue, Neu-
quén, Argentina. Participou na criação da Asociación Argentina de Cristalografía
em 2004, da qual é Presidente desde 2011. Atualmente é também Vice-Presidente
pro-tempore da Associação Latino-Americana de Cristalografia, fundada em 2013.
Sua área de pesquisa se concentra na síntese e caracterização de materiais cerâmicos,
focando especialmente suas propriedades cristalográficas e elétricas.

Possui graduação em Física (bacharelado e licenciatura) pela
Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (2000)
e mestrado (2002) e doutorado (2006) em Ciência e Engenha-
ria de Materiais pela Universidade de São Paulo (2006). No
período de 2006 a 2008, realizou um pós-doutorado no Insti-
tuto de Física de São Carlos (IFSC-USP) e em 2008 e 2009
realizou seu pós-doutorado em colaboração com a Embrapa
Instrumentação Agropecuária. Foi Bolsista Jovem Pesquisador da FAPESP (2009-
2012). No doutorado trabalhou em parceria com o Professor Doutor Alan Graham
MacDiarmid, laureado com o Prêmio Nobel em Química de 2000, com o qual pu-
blicou um artigo no Journal of Nanoscience and Nanotechnology, em 2009. Atualmente
é Bolsista de Produtividade em Pesquisa, Nível 2, do CNPq, Professor Adjunto III
na Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) – Campus Sorocaba, Coordenador
do Grupo de Pesquisa em Nanoneurobiofísica (GNN) (www.nanoneurobiophysics.
net) e do Programa Futuro Cientista (www.futurocientista.net), desenvolvido junto
às escolas públicas com o apoio dos setores público e privado. Tem experiência nas
áreas de nanociência e nanotecnologia, com ênfase em nanoscopia, nanoneurociência
e nanobiofísica médica. É credenciado junto ao Programa de Pós-Graduação em
Biotecnologia e Monitoramento Ambiental da UFSCar (PPGBMA), Programa de
OS AUTORES XVII
Pós-Graduação em Física (IFSC-USP) e Programa de Pós-Graduação em Medicina

Tropical da Universidade de São Paulo (IMT-USP). Publicou cerca de 50 artigos
em periódicos especializados, 10 capítulos de livros, um livro, e possui duas marcas
registradas no Instituto Nacional de Propriedade Industrial (INPI). É membro do
corpo editorial da revista Chemical Sensors e revisor para diversos periódicos. Atual-
mente é membro colaborador do Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de
Sistemas Micro e Nanoeletrônicos e membro efetivo da Rede nBioNet (CAPES),
Rede Agronano (Embrapa) e da American Nano Society.
FABIO APARECIDO FERRI

Professor Adjunto do Departamento de Ciências Exatas da
Universidade Federal de Lavras. Possui Bacharelado em Física
(2004) e Licenciatura Plena em Física (2006) pela Universida-
de Federal de São Carlos. Possui também Mestrado (2007) e
Doutorado (2010) em Física Aplicada pelo Instituto de Física
de São Carlos/USP, onde foi Pesquisador Pós-Doutor (2010-
2014). Realizou ainda estágio de Pós-Doutoramento (2013)
no Institute for Nanoscience and Engineering da University of Arkansas, Estados
Unidos. Atua como revisor em diferentes periódicos internacionais. Tem experiência
na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando princi-
palmente nos seguintes temas: ciência e tecnologia de filmes finos, semiconduto-
res amorfos, semicondutores magnéticos, técnicas espectroscópicas, espalhamento
Raman, microscopia, litografia por feixe de íons focalizados e epitaxia por feixes
moleculares, dentre outros.
GUINTHER KELLERMANN
Graduado em Física pela Universidade Federal de Santa Ca-
tarina (1992), possui mestrado em Física pela Universidade
de São Paulo (1996) e doutorado em Física pela Universidade
Estadual de Campinas (2003). Entre 1997 e 2010 atuou como
físico no Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS).
Atualmente é professor no Departamento de Física da Univer-
sidade Federal do Paraná. Tem experiência na área de Física,
com ênfase em Cristalografia, atuando principalmente nos seguintes temas: espalha-
mento de raios X a baixo ângulo, estudo de materiais nanocompósitos e instrumen-
tação de raios X.
XVIII TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
JOSÉ ARANA VARELA

Graduado em Física pela Universidade de São Paulo (USP),
com mestrado em Física pelo Instituto Tecnológico de Ae-
ronáutica (ITA) e doutorado em Ciência de Materiais pela
University of Washington. Professor titular do Instituto de
Química da Universidade Estadual Paulista (Unesp), campus
de Araraquara, é pesquisador 1 A do CNPq e presidente da
Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais (SBPMat).
É membro do Conselho Superior de Inovação e Competitividade da Federação
das Indústrias do Estado de São Paulo (Fiesp), membro da Sociedade Brasileira
de Física, da World Academy of Ceramics, da American Ceramic Society e da
Materials Research Society, membro da Academia de Ciências do Estado de São
Paulo e membro da Academia Brasileira de Ciências. Atualmente, é Diretor Pre-
sidente do Conselho Técnico Administrativo da Fundação de Amparo à Pesquisa
do Estado de São Paulo – FAPESP. Recebeu vários prêmios e honrarias, entre os
quais o Prêmio Epsilon de Ouro, da Sociedade Espanhola de Cerâmica e Vidro,
o Prêmio Scopus Elsevier, pela sua contribuição para a ciência no Brasil, o Global
Star Award (2013) e Bridge Building Bridge Award (2014) ambos da American
Ceramic Society.
LEONARDO NEGRI FURINI

Graduado em Física pela Universidade Federal de Mato Gros-
so do Sul (2010) e mestre pelo Programa de Pós-graduação em
Ciência e Tecnologia de Materiais da Universidade Estadual
Paulista de Presidente Prudente (2012). Atualmente é aluno
de doutorado pelo mesmo programa e professor bolsista do
Departamento de Física, Química e Biologia da Faculdade
de Ciências e Tecnologia da Universidade Estadual Paulista.
Possui experiência na área de filmes finos do tipo Layer-by-Layer, Langmuir e Lang-
muir-Blodgett além de técnicas como microscopia de força atômica, espectroscopias
Raman, infravermelho, UV-Vis e de impedância.
OS AUTORES XIX
MARCELO DE ASSUMPÇÃO PEREIRA DA SILVA

Iniciou sua atividade profissional na Companhia Interconti-
nental de Compressores SICOM/TECUMSEH(1976-1977)
e foi professor no Curso e Colégio CAASO (1980-1983).
Graduado em Engenharia Mecânica pela Escola de Enge-
nharia de São Carlos (EESC) da Universidade de São Pau-
lo (1983). Atuou na área de Projeto do Ferramental e Pro-
jeto do Produto na EMBRAER (1984-1991). Foi bolsista
RHAE-CNPQ no Instituto de Física de São Carlos (IFSC) da USP (1991-1993).
Possui experiência em Microscopia eletrônica de varredura e litografia com feixe
de elétrons, e com este tema obteve o título de mestre em ciência e engenharia de
materiais pelo IFSC-USP (1996). Atuou na área de microscopia de força atômica e
morfologia de filmes finos poliméricos tendo obtido o título de Doutor em Ciência e
Engenharia de Materiais pelo IFSC-USP (2001). Trabalhou em estudos de morfo-
logia de escovas moleculares em seu pós-doutorado na University of North Carolina
at Chapel Hill, Estados Unidos (2001-02). É autor de mais de 70 publicações em
periódicos internacionais com seletiva política editorial e mais de 100 trabalhos em
congressos. É engenheiro no Instituto de Física de São Carlos IFSC da Universidade
de São Paulo USP desde 1993 e professor no Centro Universitário Central Paulista
UNICEP desde 2003.
MARIO DE OLIVEIRA NETO

Bacharel e licenciado em Física pela Universidade Estadual
Paulista Julio de Mesquita Filho, Rio Claro (2002), possui
doutorado em Física Aplicada pela USP, São Carlos (2008),
pós-doutorado em Física Aplicada pela USP (2010) e pós-
-doutorado com projeto em colaboração entre USP, São Car-
los e Max Planck, Potsdam (2012). Atualmente é Professor
Doutor no Departamento de Física e Biofísica da Universi-
dade Estadual Paulista Julio de Mesquita Filho, Botucatu – SP. Realiza pesquisas
na área de física aplicada, com ênfase em espalhamento de raios X abaixo ângulo
aplicado principalmente ao estudo de enzimas com potencial para degradação de
biomassas.
XX TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
PÂMELA SOTO GARCIA

Graduada em Tecnologia em Saúde (Modalidade: Projetos,
Operação e Manutenção de Aparelhos Médicos e Hospita-
lares) pela Faculdade de Tecnologia de Sorocaba (2008);
possui Aprimoramento em Microbiologia em Saúde Pública
pelo Instituto Adolfo Lutz – Sorocaba (2009). Mestre em
Biotecnologia e Monitoramento Ambiental pela Universidade
Federal de São Carlos, campus Sorocaba – UFSCar (2014).
Atualmente é graduanda em Ciências Biológicas e pesquisadora no Grupo de Nano-
neurobiofísica da Universidade Federal de São Carlos, campus Sorocaba – UFSCar,
onde dará continuidade nos estudos de doutorado, desenvolvendo nanobiossensores
de pontas de AFM para o estudo de doenças autoimune e neurodegenerativas. Ex-
periências: nanoscopia, microscopia de força atômica, nanotecnologia, desenvolvi-
mento de nanobiossensores.
PEDRO HENRIQUE BENITES AOKI

Possui graduação e licenciatura em Física pela Universidade Es-
tadual Paulista Júlio de Mesquita Filho – UNESP (2008) e mes-
trado em Ciência e Tecnologia de Materiais pela UNESP (2011).
Atualmente (2012-2015) desenvolve seu doutorado pelo progra-
ma de pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais/
POSMAT. Tem experiência na área de Ciência de Materiais,
com ênfase em moléculas orgânicas e suas aplicações, atuando
principalmente nos seguintes temas: fabricação de filmes nanoestruturados ultrafinos, fil-
mes de Langmuir e LB, filmes LbL, caracterização por espectroscopia vibracional e ele-
trônica, espalhamento Raman amplificado em superfície e espectroscopia de impedância.
PRISCILA ALESSIO
Possui graduação em Licenciatura em Física pela Universidade
Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho – UNESP (2005).
Possui Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais pela
UNESP (2008) e doutorado em regime de cotutela com a Uni-
versidad de Valladolid (UVa) obtendo os títulos de doutora em
Ciência e Tecnologia de Materiais pela UNESP e doctora en
Ciéncias Físicas pela UVa (2012). Atualmente é pós-douto-
randa na Faculdade de Ciências e Tecnologia de Presidente Prudente (UNESP).
Tem experiência na área de Ciência de Materiais, com ênfase em moléculas orgânicas
OS AUTORES XXI
e suas aplicações, atuando principalmente nos seguintes temas: fabricação de filmes

nanoestruturados ultrafinos, filmes de Langmuir e LB, filmes LbL, caracterização
por espectroscopia vibracional e eletrônica, espalhamento Raman amplificado em
superfície e espectroscopia de impedância.
RONALD TARARAM
Bacharel em Química pela Universidade Estadual Paulista
(Unesp), campus de Araraquara. Possui Mestrado (2006) e Dou-
torado em Química (2010) com concentração em físico-química
pelo Instituto de Química de Araraquara – Unesp. Realizou pós-
-doutorado no CMDMC/Unesp, de 2010 a 2012, com ênfase
em cerâmica eletrônica e nanotecnologia. Atualmente é analista
de P&D no Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avança-
da, CEITEC S.A., onde desenvolve projetos e metodologias de caracterização de dis-
positivos microeletrônicos. Tem atuação em Ciência e Tecnologia de Materiais, com
experiência em semicondutores, técnicas espectroscópicas de caracterização e nas micros-
copias de varredura eletrônica, tunelamento e de força atômica.
APRESENTAÇÃO
O tema abordado nesta obra está diretamente ligado à revolução industrial e tecno-
lógica que o mundo está vivenciando. O impacto na economia e em nosso cotidiano
já é significativo, com a produção de novos fármacos a partir de nanopartículas, no-
vas terapias e nanodispositivos para sensoriamento ambiental. Como se pode intuir,
referimo-nos a nanociência e nanotecnologia. A nanociência e suas derivações com-
põem um campo de fronteira transdisciplinar que permite realizar a miniaturização
de materiais e dispositivos, trabalhando na nanoescala para criar estruturas com or-
ganização molecular. Os benefícios dessas novas estruturas nanométricas podem ser
constatados pela rápida disseminação de resultados em áreas como aeronáutica, bio-
tecnologia, materiais, nanoeletrônica, medicina, meio ambiente, saúde e segurança
nacional. A ciência que descrevemos aqui é capaz de construir e manipular moléculas
e átomos a ponto de desenvolver novos materiais com propriedades convenientes
e que normalmente não são observadas na macroescala. De fato, o mundo clássico
em que vivemos apresenta propriedades que podem ser drasticamente alteradas se a
matéria for manipulada em nível nanoscópico. Por exemplo, um material condutor
elétrico nas escalas macroscópica e microscópica pode se tornar isolante na nanoesca-
la. Essas peculiaridades do nanomundo, que permitem criar materiais com incríveis
e inusitadas propriedades, poderão ser exploradas pelo leitor por intermédio dos ca-
pítulos desta obra. Nossa ideia é criar inquietação, instigar transformações na forma
de pensar e ver o mundo a partir do controle das propriedades da matéria na escala
atômica e molecular.
Nanociência e Nanotecnologia: Princípios e Aplicações é uma coletânea de três vo-
lumes dedicada a estudantes de graduação e pós-graduação de diversos cursos,
além de técnicos e profissionais de várias indústrias. Os livros contêm capítulos di-
recionados a temas de vanguarda em novas áreas de pesquisa, além de capítulos de
XXIV TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
caráter técnico-científico, em que são descritas estruturas e ferramentas para a ciência

e tecnologia em escala nanométrica. A coleção tem o objetivo principal de orientar o
leitor com relação aos conceitos e fundamentos teóricos da nanociência, para permi-
tir o entendimento dos fenômenos e das propriedades da matéria em nível atômico-
-molecular. Propriedades de nanoestruturas, síntese, processamento, caracterização,
manipulação e modelamento computacional foram temas abordados nos diversos
capítulos. Pretende-se com esta obra ensinar a alunos de diversas áreas os tópicos
essenciais para iniciar pesquisas em nanociência e nanotecnologia. O texto é intrin-
secamente interdisciplinar, já que os autores possuem formação acadêmica diversi-
ficada. Em alguns capítulos utilizamos um formalismo matemático mais detalhado,
importante para fornecer fundamentos. Os capítulos são didáticos tanto na descrição
dos modelos quanto nas suas possíveis utilizações. O aprofundamento em cada tema
pode ser adquirido por intermédio da extensa lista de referências disponibilizadas
pelos autores em seus capítulos.
Os potenciais leitores desta coleção podem vir de diversas áreas, o que tornou
esta obra um grande desafio aos organizadores e autores. Estaremos recompensados
se cada leitor obtiver algum conhecimento que lhe possa ser útil em sua vida profis-
sional. Esperamos, também, que a obra possa servir para estimular pesquisadores a
explorar as potencialidades do nanomundo, produzindo novos materiais e desenvol-
vendo métodos e processos para a nanotecnologia.
PREFÁCIO
O terceiro volume da coleção Nanociência e Nanotecnologia: Princípios e Aplicações

aborda as principais técnicas de caracterização de nanomateriais e nanoestruturas.
Os temas apresentados neste volume ocupam um espaço apreciável nos programas
de pós-graduação do Brasil. Portanto, acreditamos que o volume possa ser útil a
docentes (orientadores) e alunos (orientados) de áreas básicas da ciência, além da-
queles que não estudam diretamente nanociência e nanotecnologia. Os capítulos
também servirão para consulta tanto para os iniciantes em pesquisa científica quanto
para um público não especializado. Os textos foram dedicados aos aspectos básicos
das técnicas de caracterização nas suas distintas abordagens, facilitando o acesso às
noções gerais e específicas de tais instrumentos. Os avanços significativos e os fun-
damentos matemáticos necessários para entendimento das técnicas também foram
explorados.
Os Capítulos 1 e 2 tratam de técnicas microscópicas muito utilizadas na caracteri-
zação de nanomateriais: o Microscópio Eletrônico de Varredura (MEV) e o Micros-
cópio de Força Atômica (MFA). No Capítulo 1, a técnica de MEV é apresentada de
forma simples, com ênfase nos princípios de funcionamento e na aplicação em nano-
fabricação e nanomanipulação. O Capítulo 2 aborda princípios básicos da técnica de
MFA, bem como aspectos relacionados à caracterização elétrica, utilizando técnicas
específicas como a microscopia de força eletrostática e a microscopia de varredura por
potencial de superfície.
O Capítulo 3 apresenta diversas técnicas de caracterização espectroscópicas de
nanomateriais, principalmente na forma de nanopartículas e filmes finos com es-
pessura da ordem de nanômetros. O capítulo foca na aplicação das espectroscopias
de absorção no ultravioleta-visível (UV-Vis) e no infravermelho (IV), espalhamento
Raman e espalhamento Raman amplificado em superfície (SERS).
XXVI TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
Os Capítulos 4 e 5 tratam especificamente da aplicação do espalhamento de luz e

de raios X no estudo de nanomateriais, respectivamente. A técnica de Espalhamento
de Luz Dinâmico (ELD) é utilizada na determinação do diâmetro de materiais for-
mados por diferentes tipos de partículas dispersas em meio líquido. Estas partículas
podem ser orgânicas, compostas por polímeros, carboidratos, proteínas e tensoativos,
ou inorgânicas, compostas por metais, como as nanopartículas de ouro ou prata, além
daquelas formadas por óxidos de metais de transição. O capítulo contém a descrição
dos aspectos teóricos da técnica de ELD, relacionando-os com as aplicações para
determinação do diâmetro de nanopartículas. As técnicas de difração de raios X a
alto ângulo e de espalhamento de raios X a baixo ângulo também são utilizadas para
caracterizar tamanho de nanopartículas. O Capítulo 5 aborda os conceitos básicos
dessas duas técnicas e suas aplicações em nanomateriais inorgânicos e biológicos. O
método de difração é comumente aplicado em estudos estruturais de pós cristalinos.
O método de espalhamento de raios X a baixo ângulo pode ser aplicado no estudo de
materiais biológicos (proteínas) em solução.
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
[Oxi] Atividade da Espécie Oxidada

[Red] Atividade da Espécie Reduzida
1D Unidimensional.
2D Bidimensional
a.C. Antes de Cristo
A431 Linhagem de células epidermoide humano
A549 Linhagem de células adenocarcinoma humano
AAP Alumina anódica porosa
Abs Absolutas
ABS Acrilonitrila-butadieno-estireno
AC Alternating current (corrente alternada)
ACCase Acetil coenzima A carboxilase
ACGT Advancing Clinico Genomic Trials on Cancer (Ensaios clínico-genômicos avançados
em Câncer)
AFAM Atomic Force Acoustic Microscopy (Microscopia Acústica de Força Atômica)
AFM- Atomic Force Microscopy ou Atomic Force Microscope (Microscopia de Força
Atômica)
AFS- Atomic Force Spectroscopy (Espectroscopia de Força Atômica)
ALP Aberturas Limitadoras de Pressão
Alq3 Hidroxiquinolina de alumínio
ALS Acetolactatosintase
Am Amperímetro
APTES Amino propil trietoxisilano
ASAXS Anomalous Small-Angle X-ray Scattering (espalhamento anômalo – ou ressonante –
de raios X a baixo ângulo).
ATPases Adenyl pyrophosphatase (adenilpirolfosfatase)
BAM Brewster Angle Microscopy (microscopia de ângulo de Brewster)
BAMS Brain Architecture Knowledge Management System (Sistema de Gestão do
Conhecimento da Arquitetura do Cérebro)
BBL Poly(benzobisimidazobenzophenanthroline)
BC Banda de condução
BCB Diviniltetrametilsiloxana-bis(benzociclobuteno)
BCCI Business Communications Company Inc.
BHE- Barreira hemato-encefálica
XXXII TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
BioMEMS Biological Microelectro Mechanical Systems (Sistemas Bio Microeletrônicos)

BioNEMS Biological Nanoelectro Mechanical Systems (Sistemas Biológicos
Nanoeletromecânicos)
BLAST Basic Local Alignment Search Tool
BRENDA Braun shweig Enzyme Database.
BSA Bovine Serum Albumin (Albumina do soro bovino)
butil-PBD 2-(4-bifenil)-5-(4-tert-butifenil)1,3,4-oxidiazol
BV Banda de valência
C-60 Fulereno com 60 carbonos
C8-BTBT 2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene
caBIG Câncer Biomedical Informatics Grid
c-AFM Conductive Atomic Force Microscopy (Microscopia de Força Atômica Condutiva)
CCD Charge Coupled Device.
CD Compact Disc
CE Célula eletroquímica
CFM Chemical Force Microscopy (Microscopia de Força Química)
CIE Commission Internationale de l’Éclairage (Comissão Internacional de Iluminação)
CMC Concentração micelar crítica
CMDMC Centro Multidisciplinar de Desenvolvimento de Materiais Cerâmicos
CMOS Metal oxide semiconductor (Óxido metálico semicondutor)
COVs Orgânicos voláteis
CSO Células Solares Orgânicas
CSSC Células Solares Sensibilizadas por Corantes
CTAB Brometo de cetiltrimetil amônio
CTC Capacidade de troca de cátions
D Drain (eletrodo de dreno do transistor FET)
DAM Dummy Atom Model (modelo de átomos fictícios)
DBPC De Baixo Para Cima
DC Direct current (corrente contínua)
DCPB De Cima Para Baixo
DDFTTF 5,5-bis-(7-dodecyl-9H-fluoren-2-yl)-2,2-bithiophene
DDG Dispositivo Detector Gasoso
DEMA Departamento de Engenharia de Materiais
DERE Difração de Elétrons Retroespalhados
DF Demchak e Fort
DFT Teoria do Funcional de Densidade
DL Dilaureil
DM Dimiristoil
DMFC DirectMethanolFuelCell (Célula combustível de metanol direto)
DMol Dinâmica Molecular
DMPA Dimiristoilfosfatidico
DMT Derjaguin-Muller-Toporov
DNA Deoxyribonucleicacid (Ácido desoxirribonucleico)
DNTT Dinaphtho-[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]-thiophene
DO Dioleil
DOS Density of states (densidade de estados)
DP Dipalmitoil
DPPC Dipalmitoil fosfatidil colina
DPV Voltametria de Pulso Diferencial
DRX Difração de raios X
DTBTE trans-1,2-di[thieno[3,2-b][1]benzothiophenic-2-]ethylene
DTS Deciltriclorosilano
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS XXXIII
E. coli Escherichia coli

Ecr Energia Crítica
ECS Eletrodo de Calomelano Saturado
EDCOX Espectroscopia por Dispersão de Comprimentos de Onda de Raios X
EDEX Espectroscopia por Dispersão de Energia de Raios X
EF Energia de Fermi
EFM Electrostatic Force Microscopy (Microscopia de Força Eletrostática)
EFP Elétrons do Feixe Primário
EIL ElectronInjectionLayer (Camada Injetora de Elétrons)
EIS Espectroscopia de Impedância Eletroquímica
EL Emitting Layer (Camadas Emissoras)
ELD Espalhamento de luz dinâmico
ENH Eletrodo normal de hidrogênio
ENH ou EPH Eletrodo Normal (ou Padrão) de Hidrogênio
EQE Eficiência quântica externa
ES Elétrons Secundários Emitidos pela Amostra
ES1 Elétrons secundários gerados pelos elétrons do feixe incidente
ES2 Elétrons secundários gerados pelos elétrons espalhados através da amostra
ES3 Elétrons secundários gerados pelos elétrons espalhados através de outras partes da
câmara de amostras
ESA Electrostatic Self-Assembly (automontagem por atração eletrostática)
ETL Electron Transport Layer (camada transportadora de elétrons em OLEDs)
EXAFS Espectroscopia de absorção de raios X
ExPaSy Expert Protein Analysis System (Sistema de Análise Especializado em Proteínas)
Fadh Força de adesão
Fe2O3 Magnetita
FEG Fiels Emission Gun (Microscopia Eletrônica por Emissão de Campo)
FET Field-Effect Transistor (transistor de efeito de campo)
FID Free Induction Decay (Decaimento de Indução Livre)
FINEP Financiadora de Estudos e Projetos
FM Fluido magnético
fM fento-molar
FMM Force Modulation Microscopy (Microscopia de Modulação de Força)
FNE Feixe não espalhado
FPPF Full Pattern Profile Fitting (ajuste de padrão total)
FPPM Full Pattern Profile Modelling (modelamento de padrão total)
FT Fonte de tensão
FTIR Fourier transform infrared spectroscopy (Espectroscopia de Infravermelho por
Transformada de Fourier)
FTO Fluorine-doped tin oxide (óxido de estanho dopado com flúor)
FWHM Full Width Height Maximum (Largura à meia altura)
G Gate (eletrodo de porta do transistor FET)
GC Gas chromatography (cromatografia gasosa)
GEE Gases de Efeito Estufa
GISAXS Grazing-IncidenceSmall-Angle X-rayScattering (espalhamento de raios X a baixo
ângulo na geometria de incidência rasante)
GMR Giant Magneto resistance (Magneto resistência Gigante)
GPS Global Positioning System (Sistema de Posicionamento Global)
HAuCl4 Ácido cloroáurico
HC Coercividade
HCl Ácido Clorídrico
HDPE Polietileno de alta densidade
XXXIV TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
HDPE-g-MA Polietileno de alta densidade enxertado com anidrido maleico

HDT Temperatura de deflexão térmica
HEK Linhagem de células embrionárias do rim
HH Head-to-head (regioregularidade cabeça-cabeça de semicondutor polimérico)
HIV/AIDS Human immuno deficiency vírus (vírus da imunodeficiência humana)
HMDS Hexametildissilazana
HOMO Highest occupied molecular orbital (orbital molecular ocupado mais alto)
HP n-heteropentaceno
HPLC High-performance liquid chromatography (cromatografia liquida de alta performance)
HRTEM High resolution transmission electron microscopy (Microscopia eletrônica de alta
resolução)
HT Head-to-tail (regiorregularidade cabeça-cauda de semicondutor polimérico)
HTL Hole Transporting Layer (camadas transportadoras de buracos)
ixE Corrente versus Potencial
IBM International Busines Machines
IERE Imagem de Elétrons Retro Espalhados
IES Imagem de Elétrons Secundários
Im Z Impedância Imaginária
IP Íons Positivos
IPd Índice de polidispersão
IPH Plano interno de Helmholtz
ISO-TC International Organization for Standardization – Technical Committee Organização
Internacional para Padronização – Comitê Técnico
ITO Indium-doped tin oxide (óxido de estanho dopado com índio)
JKR Johnson-Kendall-Roberts
Junção D-A Junção doador-aceitador
K2PtCl4 Tetracloro platinato de potássio
LB Langmuir-Blodgett
LbL Layer-by-Layer (camada por camada)
LCAO Linear Combination of Athomic Orbitals (Combinação Linear De Orbitais Atômicos
LCD Liberação controlada de drogas
LCD Liquid Crystal Display (Tela de Cristal Líquido)
LE Lentes eletrostáticas
LFE Litografia com Feixe de Elétrons
LFM Lateral Force Microscopy (Microscopia de Força Lateral)
LLDPE Polietileno linear de baixa densidade
LS Langmuir-Schaefer
LUMO Lowest unoccupied molecular orbital (orbital molecular desocupado mais baixo)
M Magneto lipossomos
MAQ Microanálise Química
MCT Ministério da Ciência e Tecnologia
MECQ Microbalança Eletroquímica de Cristal de Quartzo
MET Microscopia eletrônica de transmissão
MEV Microscopia Eletrônica de Varredura
MEV-A Microscopia Eletrônica de Varredura Ambiental
MEV-BV Microscopia Eletrônica de Varredura de Baixa Voltagem
MEV-EC Microscopia Eletrônica de Varredura com Filamento de Emissão de Campo
MHT Magneto hipertermia
MIS Estrutura de camadas Metal-Isolante-Semicondutor
ml Número quântico magnético
MLV Multilamellar vesicle (vesícula multilamelar)
MM Massa molar
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS XXXV
MOSFET Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (transistor de efeito de campo

metal-óxido-semicondutor)
MRI Magnetic ressonance image (imagens de ressonância magnética)
ms Número quântico de spin
MTJ Magnetic Tunnel Junction (Junção Túnel Magnético)
MWNT Multi-walled Nanotube (Nanotubo de parede múltipla)
N&N Nanociência & Nanotecnologia
NA Número de Avogadro
NASA National Aeronauticsand Space Administration (Administração Nacional da
Aeronáutica e Espaço)
Ne Densidade eletrônica
NEMS Nanoelectro Mechanical Systems (Sistemas Nanoeletromecânicos)
NF Nanofluido
NIH-3T3 Linhagem de células fibroblastos
NIM Nanoimpedance Microscopy (Microscopia de Nanoimpedância)
NIOSH National Institute for Occupational Safety and Health’s (Instituto Nacional de
Segurança Ocupacional e Saúde)
n-MAG Nanopartículas de maguemita com cargas superfíciais negativas
NNI The National Nanotechnology Initiative (Iniciativa Nacional de Nanotecnologia)
NP Nanopartículas
NPO Nano Particle Ontology (Ontologia de Nanopartículas)
NR-g-PAAm Polyacrylamide grafted Natural Rubber (Borracha natural enxertada em
poli(acrilamida))
OLED Organic light-emitting diode (Diodo orgânico emissor de luz)
OMMT Argila montmorilonita modificada organicamente
ONAMI Oregon Nanoscience and Microtechnologies Institute’s (Instituto Oregon para a
Nanociência e Microtecnologias)
OPH Plano externo de Helmholtz
OSC Organic Solar Cell (Célula solar orgânica)
OTFT Organic Thin Film Transistor (Transistor de filmes finos orgânicos)
OTS Octadeciltriclorosilano
P&D Pesquisa e Desenvolvimento
P(NDI2OD-T2) [N,N-9-bis(2-octyldodecyl)
naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,59-(2,29-bithiophene)
P3AT Poli(3-alquiltiofeno)
P3HT Poli(3-hexiltiofeno)
P4VP Poli(4-vinilfenol)
PA Ácido fosfatidico,
PA6 Poliamida 6
PAA Poliácido acrílico
PAMAM Poli(amidoamina)
PAni Polianilina
PAP Hidrocloreto de Fenazopiridina
pBTTT Poly(2,5-bis(3-hexadecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene
PC Fosfatidil colina
PC Policarbonato
PCz Policarbazol
PDB Book haven Protein Data Bank (Banco de dados de proteínas)
PDF Pair Distribution Function (Função de distribuição de pares)
PDIR-CN2 N,N''-bis(n-alkyl)-(1,7 and 1,6)-dicyanoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide)
PDP Programa de Desenvolvimento Produtivo
PDPP-TBT Diketopyrrolopyrrole–benzothiadiazolecopolymer
XXXVI TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
PDT Photodynamic therapy (terapia fotodinâmica)

PE Polietileno
PEBBLE Probes Encapsulated by Biologically Localised Embedding
PECVD Plasma-enhanced chemical vapor deposition (deposição química na fase vapor
assistida por plasma)
PEDOT:PSS Poli(3,4-etilenodioxitiofeno) dopado com poli(ácido estireno-sulfônico)
PEF Fosfatidil etanolamina
PEG Polietileno glicol
PEMFC Proton Exchange Membrane Fuel Cell (Célula combustível de membrana de troca
protônica)
PEO Plasma Electrolytic Oxidation
PF Polifluoreno
PFM Piezoresponse Force Microscopy (Microscopia de Força Piezoelétrica)
Pfu Polifurano
PG Fosfatidil glicerol
pH potencial hidrogeniônico
PI Poliimida
PIBMA Poli(isobutilmetacrilato)
PLA Ácido polilático
PLGA Ácido poli(lático-co-glicólico)
p-MAG Nanopartículas de maguemita com cargas superficiais positivas
PM-IRRAS Polarization-modulated infrared reflection-adsorption spectroscopy (espectroscopia de
infravermelho reflexão-absorção com polarização-modulada)
PMMA Poli(metil metacrilato)
PO2 Permeabilidade ao oxigênio
PP Polipropileno
PPP Poli(p-fenileno)
PPV Poli(p-fenilenovinileno)
PPy Polipirrol
PQT-12 Poly[5,5-bis(3-dodecyl-2-thienyl)-2,2-bithiophene]
PS Poliestireno
PSD Fosfatidil serina
PSS Poli(estireno sulfonato de sódio)
PT Politiofeno
PTAA Politriarilamina
PTC Positive Temperature Coefficient (Coeficiente de temperatura positivo)
PVA Poli(vinil álcool)
PVK Polivinil carbazol
PVP Polivinil piridina
PVP Poli(vinil pirrolidona)
PVS Poli(vinil sulfônico)
PZT Titanato zirconato de chumbo
QM/MM Quantum Mechanics/Molecular Mechanics
QSAR Quantitative Structure-Activity Relationship (Relação Quantitativa
Estrutura-Atividade)
rBMEC Células endoteliais primárias de cérebros de rato
RC Resistência em Paralelo com um Capacitor
RCSB Research Collaboratory for Structural Bioinformatics (Pesquisa Colaboratória para
Bioinformática Estrutural)
Re Z Impedância Real
Rede NANOBIOTEC Rede Nacional de Nanobiotecnologia
redox Redução/Oxidação
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS XXXVII
RENAMI Rede de Nanotecnologia Molecular e de Interfaces

RES Sistema retículo endotelial
RFID Radio Frequency Identification Device (dispositivo de identificação por radio
frequência)
RGO Reduced Graphene Oxide (óxido de grafeno reduzido)
RI Resistência ao impacto Izod
RMN Ressonância magnética nuclear
RNA Ribonucleic acid (ácido ribonucleico)
ROS Reactive oxygen species (espécies reativas de oxigênio)
RPM Rotações por minuto
Rupy Complexo de Rutênio
S Source (eletrodo de fonte do transistor FET)
SAXS Small-Angle X-rayScattering (espalhamento de raios X a baixo ângulo)
SCI Scientific Electronic Library (Biblioteca Eletrônica Científica)
SCLC Space Charge Limited Current (corrente limitada por carga espacial)
SCM Scanning Capacitance Microscopy (Microscopia de Varredura de Capacitância)
SDS Dodecil sulfato de sódio
SEM-FEG Scanning Electron Microscope-Field Emission Gun (Microscópio Eletrônico de
Varredura de Efeito de Campo)
SERS Surface Enhanced Raman Scattering (espalhamento Raman intensificado pela
superfície)
SIM Scanning Impedance Microscopy (Microscopia de Varredura por Impedância)
SMEM Sistemas Micro Eletro Mecânicos
SNC Sistema Nervoso Central
SNOM Scanning Near-Field Optica lMicroscopy (Microscopia de Varredura de Campo
Próximo)
SOFC Solid Oxide Fuel Cell (célula de combustível de óxido sólido)
SPIO Super paramagnetic iron oxides (óxidos de ferro superparamagnéticos)
SPM Scanning ProbeMicroscopy (Microscopia de Varredura por Sonda)
SSPM Scanning Surface Potential Microscopy (Microscopia de Varredura por Potencial de
Superfície)
SSRM Scanning Spreading Resistance Microscopy
STM Scanning Tunneling Microscopy (Microscopia de Varredura por Tunelamento)
SU Stanford University
SUV Vesículas unilamelares (SUVs)
SWCNT Single-walled carbon nanotubes (nanotubos de carbono de parede simples)
SWNTs Single Wall nanotubes (Nanotubos de parede simples)
SWV Voltametria de Onda Quadrada
TB Tight Binding (ligações fortes)
TCH Thompson-Cox-Hastings
TCL Trapped-Charge Limitedcurrent (limitação de corrente por portadores de cargas
aprisionadas)
TCNQ Tetracyano quinodi methane
TEM Transmission Electron Microscope (Microscopia Eletrônica de Transmissão)
TEOS Tetraetilortosilicato
THF Tetrahidrofurano
THF Tetrahidrofurano
THPC Cloretotetra kis hidroximetilfosfônico
TiO2 Dióxido de titânio
TIPS 6,13-bis[triisopropylsilylethynyl]
TLC Thin-layer chromatography (cromatografia de camada delgada)
TR Transfer Ratio (taxa de transferência)
XXXVIII TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
TT Tail-to-tail (regioregularidade cauda-cauda de semicondutor polimérico)

UF Unidades formadoras de colônia
UFPE Universidade Federal de Pernambuco
UFRGS Universidade Federal do Rio Grande do Sul
UFSCar Universidade Federal de São Carlos
UNESP Universidade Estadual Paulista
UNICAMP Universidade de Campinas
unid. Unidades
UniProt Universal Protein Resource
UR Umidade relativa
UV-vis Ultravioleta visível
VC Voltametria Cíclica
VMD Visual Molecular Dynamics
WoS Web of Science (Site para pesquisas de artigos científicos)
XPD X-Ray Powder Diffraction (Difração de raios X de pó)
XPS X-ray photo electron spectroscopy (Espectroscopia Fotoeletrônica de Raios X)
XRD X-Ray Diffraction (Difração de raios X)
Z. de B. Zona de Brillouin
ZFC-FC Zero-field-cooled-field-cooled (Resfriamento sem campo aplicado - resfriamento com
campo aplicado)
γ Fe2O3 Maguemita
1
MICROSCOPIA ELETRÔNICA
DE VARREDURA
MARCELO DE ASSUMPÇÃO PEREIRA-DA-SILVA

Instituto de Física de São Carlos – IFSC-USP – São Carlos
Centro Universitário Central Paulista – Unicep – São Carlos
FABIO APARECIDO FERRI

Instituto de Física de São Carlos – IFSC-USP – São Carlos
Universidade Federal de Lavras – Departamento de Ciências Exatas, Lavras
Universidade Federal de São Carlos – Departamento de Física – DF-UFSCar, São Carlos
MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA 3
PALAVRAS-CHAVE: difração; dispersão; espectroscopia; litografia; micro-

análise; microscopia; nanofabricação; nanomanipulação; nanomáquina;
nanomontagem.
RESUMO: Este capítulo apresenta a técnica de microscopia eletrônica de var-

redura (MEV), técnica utilizada para visualização e caracterização de superfí-
cies. A parte inicial mostra a configuração geral de um equipamento de MEV
enfatizando o tipo de fonte de elétrons e os principais sinais resultantes da
interação do feixe de elétrons com a amostra. A segunda parte discute os prin-
cípios da técnica de MEV e as soluções apresentadas pelas novas tecnologias
disponíveis no mercado de equipamentos de MEV para caracterização mor-
fológica e estrutural, inclusive para amostras úmidas. Finalmente são apresen-
tados os desafios que já estão sendo rompidos com a utilização da MEV em
escala nanométrica para a nanofabricação e nanomanipulação.
1. Introdução
A microscopia é a técnica de visualização de estruturas que não podem ser vistas a
olho nu. Sua finalidade primeira é a formação de uma imagem da região que se deseja
observar.
As técnicas de microscopia possibilitam a visualização de estruturas presentes no
interior das amostras ou em sua superfície, dependendo da técnica utilizada e das ca-
racterísticas da amostra. Para visualizar uma amostra são utilizadas técnicas capazes
de melhorar a capacidade de resolução do olho humano, que é da ordem de 0,2 mm.
Até o primeiro quarto do século XX as amostras eram acessadas utilizando a
luz visível, com os chamados microscópios ópticos, e dependiam da evolução das
técnicas de confecção de lentes com qualidades ópticas adequadas, até um limite de
metade do menor comprimento de onda da luz visível.
Dentre as diversas formas para classificar as técnicas de microscopia, uma delas se
refere à fonte de excitação da amostra. As três técnicas de microscopia mais utilizadas
4 TÉCNICAS DE NANOCARACTERIZAÇÃO
nos dias de hoje – a microscopia óptica, a microscopia eletrônica e a microscopia por

ponta de prova – utilizam como fonte de excitação respectivamente luz, elétrons e
uma ponta de prova (Figura 1.1).
Quando a fonte de excitação atinge a amostra, ocorrem diversos tipos de inte-
rações que resultam na emissão de sinais diversos. Em alguns casos esses sinais são
emitidos do mesmo lado da amostra onde está a fonte de excitação e denominados
sinais espalhados. Em outros casos os sinais são emitidos do lado oposto ao da fonte
de excitação em relação à amostra e denominados sinais transmitidos. Considerando
uma fonte de excitação por elétrons, a técnica dedicada à captura de sinais transmi-
tidos é denominada Microscopia Eletrônica de Transmissão, e a técnica que captura
sinais espalhados é denominada Microscopia Eletrônica de Varredura, objeto deste
capítulo (Figura 1.2).
Figura 1.1. Tipos mais usados de fontes de excitação da técnica de microscopia.
Figura 1.2. A posição do sinal capturado define os dois

tipos de microscopia eletrônica.
2. O Microscópio Eletrônico de Varredura (MEV)

O Microscópio Eletrônico de Varredura (MEV) é composto por duas partes maiores:
a coluna e o gabinete (Figura 1.3). A coluna é o local por onde os elétrons caminham
desde a sua emissão até atingirem a amostra e onde estão os detectores que irão cap-
turar os sinais espalhados resultantes da interação entre os elétrons e a amostra. Os
detectores são transdutores de energia, que transformam um tipo de sinal em sinal
elétrico, o qual será enviado ao gabinete de comando. O gabinete de comando possui
sistemas eletrônicos capazes de quantificar os sinais elétricos enviados pelos detecto-
res e transformá-los em informações analisáveis, tais como imagens e gráficos.
Figura 1.3. Na coluna eletrônica estão todos os elementos que

envolvem os sinais desde a sua emissão até a sua captura.
No gabinete os sinais são processados para fácil visualização.
2.1. Vácuo
Em um microscópio eletrônico de varredura é necessário vácuo, na coluna eletrônica
e na câmara de amostras, pois os elétrons conseguem atravessar apenas uma pequena
distância quando no ar. O vácuo é produzido em uma bomba turbomolecular apoia-
da por uma bomba mecânica rotativa. A bomba turbomolecular começa a operar
somente após o vácuo ter sido criado pela bomba mecânica, que é usada para pré-
-evacuar ou fazer um bombeamento grosseiro na câmara de amostra. Estabelecido
um pré-vácuo, uma válvula é acionada para permitir que a bomba turbomolecular
evacue a câmara de amostras.
2.2. Canhão de elétrons

O canhão de elétrons, no alto da coluna, é a fonte de elétrons (Figura 1.4). Elétrons
são emitidos a partir de um filamento aquecido e acelerados para baixo, na coluna.
Existem três partes eletricamente separadas no canhão:26 a) O filamento que emite
elétrons. O filamento (cátodo) emissor forma ao seu redor uma nuvem de elétrons;
b) Envolvendo o emissor está um cilindro metálico (Wehnelt) com uma abertura.
Este cilindro controla o número de elétrons que deixam o canhão. Neste cilindro é
aplicado um potencial negativo, e ao redor de sua abertura são formadas linhas de
campo que irão diminuir o diâmetro da nuvem eletrônica ao longo do canhão; c) Um
disco com uma abertura (ânodo) que acelera os elétrons a uma voltagem entre 0,5 kV
e 30 kV. O disco com abertura está colocado de modo a formar com o cilindro um
campo elétrico capaz de acelerar os elétrons ao longo do canhão.
Figura 1.4. Esquema da fonte de elétrons ou canhão de elétrons.

Adaptado de Goldstein (2007).
2.2.1. Tipos de filamento

Existem dois tipos de canhões de elétrons: os canhões com filamento de emissão
termiônica, com filamento de tungstênio ou de hexaboreto de lantânio (LaB6) e os
canhões de filamento de emissão de campo, o térmico e o frio (Figura 1.5).
O filamento mais usado é o filamento de tungstênio, que é aquecido a uma tem-
peratura de 2800 K durante a operação. A temperatura elevada fornece energia ci-
nética para que os elétrons ultrapassem a barreira de energia superficial e deixem o
filamento (Tabela 1.1).
O filamento de hexaboreto de lantânio (LaB6) requer menos energia para deixar
o filamento pois possui função trabalho superficial de 2 eV contra 4,5 eV do tun-
gstênio. O filamento de LaB6 fornece maior intensidade do feixe, no entanto deve
operar em um nível de vácuo maior. Nos filamentos de emissão de campo os elétrons
são arrancados da superfície do filamento por efeito túnel, em vez de efeito termiô-
nico, através da aplicação de um campo elétrico muito elevado que faz os elétrons do
filamento ultrapassarem a barreira de energia da superfície.
Figura 1.5. Ilustração dos principais tipos de filamento.

Adaptado de www.ammrf.org.au.
O filamento de emissão de campo, feito de um cristal de tungstênio com ponta

muito fina, da ordem de 100 nm, fornece intensidade eletrônica 10.000 vezes maior
que o filamento de tungstênio comum e pelo menos 100 vezes maior que o filamento
de LaB6. O filamento de emissão de campo térmico opera em temperaturas na faixa
de 1600 K – 1800 K e fornece corrente de emissão com pouco ruído. O filamento de
emissão de campo frio opera na temperatura ambiente e oferece uma distribuição de
energia muito pequena (0,3 a 0,5 eV), sendo muito sensível aos íons residuais que co-
lidem com o filamento e causam instabilidade na emissão. Esse filamento opera com
vácuo de 10-10- torr e necessita de manutenção frequente para retirar da superfície do
filamento resíduo depositado por íons.48
Tabela 1.1. Comparação entre as fontes de elétrons

(adaptado de www.tedpella.com)
Emissão de campo
Filamento Tungstênio LaB6 Térmico Frio
Temperatura de operação (K) 2800 1900 1800 300
Brilho (A/cm sr kV) 104 105 107 2 × 107
Vácuo necessário (torr) 10–4 10–6 10–9 10–10
Distribuição de energia (eV) 2,5 1,5 1,0 0,25
Vida útil (h) 100 1000 5000 2000
Regeneração do filamento não não não cada 6h a 8h
Corrente de emissão/área (A/cm2) 3 30 5.300 17.000
2.3. Coluna eletrônica

Logo abaixo do disco com abertura está a coluna eletrônica. Na coluna eletrônica estão
as lentes condensadoras, lentes objetivas e lentes de varredura. As lentes mais próximas
do canhão de elétrons são chamadas lentes condensadoras, enquanto as mais próximas
da amostra são chamadas lentes objetivas. As lentes condensadoras, lentes magnéticas
localizadas abaixo do canhão de elétrons, são usadas para diminuir o feixe de elétrons até
uma pequena secção transversal de 5 nm a 50 nm de diâmetro a partir de um diâmetro
transversal mais de mil vezes maior. O feixe eletrônico entra com um formato cilíndrico
com diâmetro de alguns milímetros e é condensado formando um cone cujo vértice,
chega a alguns nanômetros. A seguir, as lentes objetivas alteram a posição vertical deste
vértice possibilitando a focalização através das diferentes posições verticais da amostra. A
função das lentes objetivas é mover a menor seção transversal do feixe para cima e para
baixo até encontrar a superfície da amostra, o que corresponde a focalizar a imagem. As
lentes de varredura defletem o feixe eletrônico nos dois sentidos ao longo da superfície da
amostra, provocando a incidência do feixe eletrônico e a sua interação com uma matriz
de pontos da amostra.
A abertura final é um disco de platina com um pequeno furo (±100 μm de diâ-
metro) localizado logo antes da câmara de amostras, e sua função é limitar a largura
angular (ângulo sólido) do feixe de elétrons para reduzir os efeitos de aberração esfé-
rica e para melhorar a profundidade de campo na imagem.
Outro sistema de lentes é responsável pela varredura do feixe, e suas bobinas de
varredura são usadas para defletirem o feixe através da amostra em sincronismo com
o monitor de vídeo que apresenta a imagem.
2.4. Câmara de amostras

Logo abaixo das lentes objetivas está a câmara de amostra, que é conectada à linha de
vácuo. Na câmara estão o carro de amostras com seus movimentos, os detectores de
sinal de elétrons e os detectores de raios X.
Para inserir uma amostra na câmara o feixe de elétrons deve estar desligado.
Quebra-se o vácuo da câmara de amostras, ventilando-a com nitrogênio seco, e
assim uma nova amostra pode ser inserida dentro do carro de amostras e a câma-
ra é novamente evacuada. Um bom vácuo é muito importante, e qualquer lugar
na área evacuada, incluindo a amostra, deve ser manipulado somente com luvas
livres de poeira.
Na câmara estão o carro e os detectores. O carro é onde são colocadas as amos-
tras a serem analisadas. Os detectores são responsáveis por capturar os sinais que
foram espalhados pela amostra e funcionam como transdutores destes sinais em sinal
elétrico.
O sinal elétrico será enviado ao gabinete que possui sistemas eletrônicos capazes
de quantificar os sinais elétricos enviados pelos detectores e transformá-los em infor-
mações analisáveis tais como imagens e gráficos.
3. Utilização do MEV
O MEV é utilizado para observação e modificação da superfície da amostra. No caso
da observação o MEV é utilizado para capturar e interpretar alguns sinais emitidos
durante a interação do feixe de elétrons com a amostra (Figura 1.6). Entre esses si-
nais estão elétrons (elétrons Auger, elétrons secundários e elétrons retroespalhados),
raios X (raios X característicos e radiação freada de raios X), luz (ultravioleta, visível
e infravermelho), calor, elétrons conduzidos através da amostra e elétrons absorvidos
pela amostra. Com alguns desses sinais é possível observar e caracterizar a amostra
da seguinte forma: a) morfologia superficial; b) organização estrutural; c) composição
química.
A modificação da superfície se dá devido ao fato de que o feixe de elétrons, quan-
do com energia suficiente, é capaz de alterar localmente o material da superfície da
amostra, podendo assim gerar estruturas da ordem de alguns nanômetros. A técnica
mais comumente utilizada para modificação da superfície da amostra utilizando o
feixe de elétrons como uma ferramenta de escrita e desenho com resolução de alguns
nanômetros é conhecida como litografia por feixe de elétrons (LFE).
Figura 1.6. Principais sinais emitidos como resultado da interação entre o feixe de
elétrons e a amostra. Adaptado de www4.nau.edu e Goldstein et al. (2007).
4. Avanços da microscopia eletrônica de varredura

Os avanços na microscopia eletrônica de varredura trouxeram importantes modi-
ficações para a observação da morfologia superficial, entre os quais a utilização dos
microscópios em baixa voltagem (MEV-BV), dos microscópios de pressão variável
ou ambiental (MEV-A), o uso de fontes capazes de prover maior brilho como os
MEV com filamentos de emissão de campo (MEV-EC) e os detectores de elétrons
internos às lentes.
4.1. Acúmulo de carga elétrica na amostra

Em geral, as amostras examinadas em um MEV precisam ser eletricamente con-
dutivas a fim de minimizar o acúmulo de carga sobre a amostra causada pelo feixe
de elétrons. O acúmulo de carga pode degradar a amostra e deformar os dados da
imagem.65 Durante a obtenção de imagens, os elétrons estão continuamente bom-
bardeando a amostra, e poderia ser formado um carregamento negativo nas áreas
da amostra sob o feixe. Esta carga negativa, quando suficientemente grande, pode
defletir os elétrons incidentes e os elétrons emitidos, arruinando a imagem. Para
evitar esse efeito, toda amostra deve ser eletricamente condutora para que a corrente
depositada pelo feixe de elétrons sobre a amostra tenha uma passagem através do
carro de amostras, até um aterramento elétrico. Algumas amostras, como os me-
tais, já são condutoras; no entanto, outras amostras como cerâmicas, polímeros e
materiais biológicos não são condutoras. Assim, a superfície da amostra é recoberta
com uma fina camada de substância condutora de material inerte, tais como ouro ou
carbono, usando-se dispositivos de recobrimento por evaporação ou plasma. Além
disso, para assegurar um contato elétrico entre essa camada condutora e o porta-
-amostra metálico, é utilizada tinta condutora de prata ou de carbono, garantindo um
bom aterramento da amostra. Além do recobrimento condutor, outras abordagens
podem ser empregadas para minimizar o carregamento. Uma delas é aumentar a
pressão na câmara para assim balancear o carregamento elétrico com as moléculas de
gás utilizando um microscópio eletrônico ambiental (MEV-A). Outra abordagem
é diminuir a voltagem do feixe de elétrons utilizando um microscópio eletrônico de
varredura de baixa voltagem (MEV-BV).
4.2. Nanomontagem
De outra forma, o acúmulo de carga é usado como uma técnica auxiliar na mon-
tagem de nanopartículas sobre um substrato isolante (Figuras 1.7a e 1.7b). Faz-se
o carregamento elétrico da superfície com o feixe bem focalizado em um desenho
predeterminado e, em seguida, depositam-se as nanopartículas que irão se fixar ao

substrato por atração eletrostática apenas nas regiões carregadas pelo feixe de elé-
trons. O processo pode ser subdividido nas seguintes etapas: 1 – criação de um pa-
drão de carga em um substrato isolante usando um feixe de elétrons finamente fo-
cado; 2 – deposição de nanopartículas carregadas provenientes da fase gasosa de um
MEV-A sobre o padrão; e 3 – inspeção do depósito usando um MEV-A. A Figura
1.7a mostra o esquema do processo, enquanto a Figura 1.7b apresenta o resultado do
depósito de nanopartículas de paládio sobre substrato de Si3N4.102
Figura 1.7. (a) Nanomonagem, processo: criação de um padrão de carga e

deposição de nanopartículas carregadas. Adaptado de Zonnevylle et al. (2009);
e (b) Nanomontagem, resultado: nanopartículas de paládio sobre substrato de
Si3N4. Adaptado de Zonnevylle et al. (2009).
4.3. Detectores de elétrons

Os detectores de elétrons fornecem dois tipos de contraste: o contraste topográfico
e o contraste composicional (contraste de número atômico). O detector de elétrons
secundários, que forma a imagem de elétrons secundários (IES), conhecido como
detector Everhar-Thornley, é o tipo mais comum de detector de sinal de elétrons e
fornece o contraste topográfico. O detector é sensível a elétrons retroespalhados e se-
cundários. Os elétrons retroespalhados são energéticos o suficiente para excitar o de-
tector. Os elétrons secundários de baixa energia são impulsionados na direção do de-
tector pelo potencial de um coletor do tipo malha de fios eletrificados positivamente.
Os elétrons são acelerados até atingirem o detector/cintilador, produzindo luz, que,

amplificada num tubo fotomultiplicador, produz sinal elétrico, o qual irá modular a
intensidade de brilho no monitor que produz a imagem.
O detector de elétrons retroespalhados forma a imagem de elétrons retroespalha-
dos (IERE) que fornece o contrate de número atômico (Figura 1.8). Regiões com
número atômico médio elevado aparecem mais brilhantes em relação às regiões com
número atômico menor. Assim, as regiões com número atômico médio maior irão
fornecer um brilho mais intenso, enquanto regiões separadas por elementos com di-
ferença de apenas uma unidade de número atômico irão produzir um baixo contraste.
Combinando as IERE com técnicas de espectroscopia por energia dispersiva de raios
X (EDEX), variação de voltagem entre 1k eV e 10k eV em um MEV-EC, é possí-
vel analisar filmes finos com espessuras nanométricas. A IERE auxilia na resolução
lateral para identificação de partículas nanométricas através do contraste do número
atômico.42
Figura 1.8. Imagem de elétrons retroespalhados mostrando a diferença de

contraste em função do número atômico. (a) Material observado e (b) imagem de
elétrons retroespalhados. Adaptado de Kim (2010).
Para mapear a verdadeira superfície da amostra, se possível, apenas os elétrons

secundários gerados pelo feixe incidente (ES1) devem ser detectados, pois são os
únicos gerados diretamente nas proximidades do ponto de impacto do feixe. Estes
elétrons podem ser detectados com muita eficiência usando detectores internos às
lentes,27 cuja detecção resulta da sua posição geométrica no caminho do feixe e da
combinação com lentes eletrostática e eletromagnética montadas junto às lentes ob-
jetivas. A Figura 1.9 apresenta uma configuração destes tipos de detectores.
O detector é colocado acima das lentes objetivas, no caminho do feixe. Algumas
configurações utilizam um filtro para atrair ou repelir elétrons dentro ou ao redor das
lentes, o que permite selecionar contraste topográfico ou composicional. Lentes ele-
trostáticas (LE) colocadas dentro das lentes objetivas são utilizadas para desacelerar
o feixe primário e escolher a energia de impacto ideal do feixe com a amostra. Os
elétrons secundários gerados no ponto de impacto com a amostra são reacelerados
até elevadas energias pelas LE e refocalizados por lentes eletromagnéticas, ambas

colocadas dentro das lentes objetivas. Outro recurso utilizado consiste em controlar
uma voltagem aplicada na amostra para retardar a energia original proveniente do
feixe e diminuir a energia de aterrissagem numa tentativa de reduzir o carregamento
sobre a amostra.5
Figura 1.9. Configuração de um MEV com detectores internos às lentes.

Adaptado de Asahina (2011).
Uma rede de nanoporos é visível em uma estrutura de sílica mesoporosa (Figuras

1.10a e 1.10b).77 Poros com detalhes da ordem de alguns nanômetros são nitidamen-
te visualizados (Figura 1.10c), e a imagem de elétron secundário fornece também a
ideia de profundidade, uma vez que nestas regiões, devido à dificuldade de captura,
os mesmos se apresentam com uma intensidade menor.18
5. Microscopia eletrônica de varredura de baixa voltagem

(MEV-BV)
Quando realizamos microscopia de alta resolução49 com altas energias do feixe é
necessário distinguir entre os elétrons secundários gerados pelo feixe incidente (ES1)
e os elétrons secundários produzidos pelos elétrons espalhados através da amostra
(ES2)11 (Figura 1.11), uma vez que estes dois componentes possuem distribuição
espacial diferente.36; 37
Figura 1.10. (a) Co3O4-100 (adaptado de Tuysuz et al., 2008); (b) Co3O4-135
(adaptado de Tuysuz et.al., 2008); e (c) Imagem de elétrons secundários de uma
nanocratera da ordem de 600nm. Adaptado de Delobelle et al. (2010).
Figura 1.11. Origem do sinal ES1, ES2 e ES3.26; 36
O sinal de ES1 é emitido em uma região a alguns nanômetros da posição de

impacto do feixe, mas o sinal ES2 vem de uma região distante algumas centenas de
nanômetros do ponto de impacto do feixe de elétrons (Figura 1.12).38 A intensidade
do sinal ES2 é maior do que a intensidade do sinal ES1, assim, a informação de alta
resolução fornecida pelos elétrons ES1 é apenas uma pequena fração da informação
fornecida pelos elétrons de baixa resolução ES2 e, desta forma, a razão sinal/ruído
dos elétrons de alta resolução ES1 é pobre.36
Figura 1.12. Distribuição espacial dos elétrons espalhados do tipo ES1 e ES2.
Adaptado de Joy (1991).
Quando utilizamos o MEV-BV nas faixas de voltagem entre 0,5k eV e 5k eV

é possível obter uma combinação adequada entre o número de elétrons incidentes
(nei) e a soma do número de elétrons secundários (nes) mais o número de elétrons
retroespalhados (ner). Considerando o rendimento de elétrons emitidos como sendo
a soma (σ=η+δ) dos rendimentos dos elétrons secundários (η=nes/nei) e dos elétrons
retroespalhados (δ=ner/nei) dentro de uma faixa de energia crítica (Ecr) do feixe de
elétrons, entre Ecr1 e Ecr2, é possível obter coeficientes σ>1, evitando o carrega-
mento elétrico da amostra, uma vez que o número de elétrons emitidos é superior ao
número de elétrons incidentes (Figura 1.13).
Quando σ>1, a superfície da amostra tende a ficar carregada positivamente,
criando uma situação estável em que a amostra passa a atrair o feixe de elétrons in-
cidente. Se usarmos energias superiores a Ecr2 ou inferiores a Ecr1, elétrons ficarão
acumulados na amostra, o que poderá, em alguns casos, destruir a amostra por meio
de rachaduras ou transformar a amostra em um espelho, uma vez que os elétrons in-
cidentes serão repelidos pelo carregamento negativo da amostra.26; 43; 68 Como as ima-
gens são uma combinação do diâmetro do feixe, da corrente do feixe, do alcance das
interações do feixe na amostra e da eficiência do sistema de detecção, em voltagens
pequenas, existe a vantagem de se obter imagens em muitas amostras eletricamente
isolantes sem a necessidade de aplicar recobrimento condutivo.9; 22
Por essas considerações, um diâmetro de feixe pequeno, como critério de desempe-
nho para obtenção de imagens de alta resolução, embora seja válido, deve estar combina-
do com voltagens menores, para maximizar o contraste em imagens de elétrons secun-
dários.66 A técnica de baixa voltagem não estava disponível nos equipamentos há alguns
anos. A microscopia eletrônica de varredura de baixa voltagem (MEV-BV) se tornou
possível devido ao desenvolvimento na instrumentação de MEV que permitiu a fácil
operação utilizando energias de feixe de baixa voltagem, abaixo de 5k eV. Os modernos
microscópios de varredura podem operar com baixa voltagem entre 0,2k eV e 5k eV, uma
vez que a obtenção de imagens nesta faixa de energia do feixe se tornou possível.53
A Figura 1.14 mostra uma imagem de MEV-BV das marcas de indentação em áreas
irradiadas e não irradiadas onde são vistos detalhes de fissura da ordem de 20 nm.58
Figura 1.13. Rendimento eletrônico em função da energia do feixe.

Adaptado de Komoda et al. (2006).
Figura 1.14. Imagens MEV-BV das marcas de indentação em: (a) área
não irradiada e (b) área irradiada mostrando fissuras da ordem de 20 nm.
Adaptado de Oono et al. (2011).
6. Microscopia eletrônica de varredura ambiental (MEV-A)

O microscópio eletrônico de varredura ambiental (MEV-A) é definido como um
MEV que pode operar em uma câmara com amostras e gás, além de vácuo, com um
nível de pressão que possa manter amostras úmidas (609 Pa), água em estado líquido
e amostras vivas.3; 4; 39
Além disso, a pressão do gás oferece a vantagem de atuar como um meio de dissi-
pação de cargas, podendo ser usada como meio de detecção e para a microfabricação,
com a escolha correta de uma composição gasosa, o que amplia as possibilidades de
utilização do MEV que eram limitadas pela utilização em vácuo.8
A tecnologia do MEV-A utiliza aberturas limitadoras de pressão (ALP) (Figura
1.15) que restringem o fluxo de gás entre a região da câmara com amostras, pressão
de até 1 ATM e a região evacuada do canhão de elétrons e da coluna eletrônica.
Entre as ALP é utilizado um sistema de bombeamento de vácuo diferencial que
permite que sejam criadas diferenças de pressão de várias ordens de grandeza, pro-
porcionando que a pressão na câmara seja superior à pressão no canhão. Podem ser
adicionados estágios sucessivos para obtenção de alto vácuo no canhão de elétrons,
pressão P3, o que permite a utilização de canhões LaB6 ou de emissão de campo. O

reabastecimento de gás, pressão P0, é feito por uma válvula de controle de entrada de
gás externo (Vcontr), e, como o fluxo de gás através da ALP1 é muito pequeno, a ve-
locidade do gás na câmara de amostra também é muito pequena, assim, não existem
grandes gradientes de pressão dentro da câmara de amostras, região de pressão P1.
Existe uma perda significativa de elétrons que começa na região entre a ALP1
e a ALP2, pressão P2; no entanto, a maior perda de elétrons se dá na câmara de
amostras, pressão P1. O feixe de elétrons deveria atingir a amostra com um mínimo
de perdas. O processo de espalhamento dos elétrons através do gás obedece a uma
distribuição, o que significa que para cada elétron existe uma probabilidade de não
ocorrer nenhum espalhamento, ou de ocorrerem um ou mais espalhamentos. Assim,
existe uma fração de elétrons que são transferidos até a superfície da amostra sem
sofrer qualquer colisão. A densidade destes elétrons depende das propriedades físicas
do gás (tipo de gás, pressão, temperatura e velocidade), da distância de trabalho, da
geometria da abertura, da distância da abertura em relação à amostra e da distribui-
ção dos elétrons ao longo do diâmetro do feixe.
Figura 1.15. Diagrama de um MEV-A, de pressão variável ou ambiental. Adaptado de

Danilatos, http://www.danilatos.com/public_images.htm (1981, 1983, 1985, 1990).
Como uma parte do feixe atinge a amostra sem sofrer espalhamento, é com essa
parte do feixe que será formada a imagem. Os elétrons que sofreram algum espalha-
mento atingem a amostra longe do ponto de impacto do feixe não espalhado (FNE),
em distâncias que são algumas ordens de magnitude maiores que o diâmetro do FNE.
Dessa forma, o contraste irá depender mais da eficiência do sistema de detecção do
que da presença do gás, embora um decréscimo da intensidade do FNE implique em
sai perda de contraste. Por essa razão o MEV-A necessita empregar a melhor tecno-
logia em óptica de elétrons, para obter vantagens desta técnica de microscopia. Em
geral, uma perda de contraste pode ser compensada na prática por outros benefícios,
como o aumento de contraste oferecido pela exposição natural da superfície da amos-
tra, que no caso do MEV-A não necessita de recobrimento condutivo.
O dispositivo detector gasoso (DDG) utiliza um eletrodo (anodo) polarizado po-
sitivamente (+30 a +600 V) localizado logo acima da amostra que coleta os elétrons
emitidos pela amostra e pelo ambiente gasoso entre a amostra e o detector (Figura
1.16). Os elétrons secundários emitidos pela amostra (ES) são acelerados e multi-
plicados através do gás (em geral vapor de água) na direção do anodo. Uma vez que
os ES adquirem energia cinética suficiente, eles ionizam as moléculas do gás, pro-
duzindo íons positivos (IP). Os IP afastam-se do anodo na direção do “carro porta-
-amostra”, onde eles podem neutralizar os efeitos de carregamento do feixe primário
de elétrons. A proporção de elétrons coletados pelo DDG provenientes da superfície
da amostra ou do ambiente depende da distância de trabalho, da pressão do gás na
câmara, pressão P1, da voltagem de aceleração do feixe de elétrons e da voltagem do
coletor (Vc) do detector.
Figura 1.16. Diagrama de funcionamento da coleta de elétrons em um MEV-A.

Adaptado de Morgan (2008).
A utilização do vapor de água como gás do ambiente da câmara possibilita esta-

bilizar a água líquida em pressões iguais à pressão de vapor da água. Em uma deter-
minada pressão de vapor, a temperatura da amostra deve ser ajustada para manter,
evaporar ou condensar a água. Amostras úmidas devem ser analisadas em pressões de
vapor estáveis. Se o sinal for obtido em certa pressão, a temperatura da amostra pode
ser usada para estabilizar a água.
A possibilidade que o MEV-A oferece de obtenção de imagens de amostras sem
preparação e em pressões de gás elevadas permite a obtenção de imagens de proces-
sos dinâmicos em condições ambientais. A cristalização em solução aquosa pode ser
feita usando estágio frio para regular a condensação da água ou a partir de fase sólida
usando um estágio quente para fusão. É possível, assim, acompanhar a alteração
de fase in situ usando faixas de temperaturas muito elevadas, da ordem de 1000 oC
(Figura 1.17),103 investigando a morfologia de plantas em atmosfera úmida e com
pressão variável (Figura 1.18).76 Apresenta-se como uma ferramenta com grandes
possibilidades de utilização em ciência médica.75
Algumas técnicas podem ser expandidas usando o MEV-A, tais como: disposi-
tivos de extensão, controle de fadiga, abrasão e outros testes nanomecânicos,32 con-
trole de nanocrescimento e nanonucleação em condições ambientais;6 observação de
nanogrãos biológicos;7 estudos usando microinjetores de líquidos para deposição ou
reação química;50; 84 experimentos dinâmicos em condições ambientais diferentes.85
7. Difração de elétrons retroespalhados (DERE)

A Difração de Elétrons Retroespalhados (DERE) é uma técnica usada para obten-
ção de organização estrutural (informação cristalográfica) do material. A imagem de
DERE está baseada nos padrões de difração de Kikuchi obtidos em um microscópio
eletrônico de transmissão19; 35; 56; 57; 82 e na introdução da transformada de Hough para
interpretação das imagens obtidas.45; 47; 67
Para realização do experimento de DERE a amostra deve possuir uma superfície
altamente plana e muito bem polida, além se o feixe de elétrons incidir na amostra
com um ângulo rasante, em geral 20 o, assim o carro porta-amostra deve estar incli-
nado em 70 o (Figura 1.19). Usando uma voltagem de aceleração de 10 a 30 kV e uma
corrente incidente de 1 a 50 nA, a difração ocorre a partir do ponto de incidência do
feixe de elétrons sobre a amostra. Com o feixe estacionário, o padrão de DERE ema-
na esfericamente a partir deste ponto. Quando o feixe primário interage com a rede
cristalina, os elétrons que foram retroespalhados com pequena perda de energia são
canalizados e sujeitos a atravessar caminhos diferentes que provocam interferências
construtivas e destrutivas. Com uma tela de fósforo colocada a pequena distância da
Figura 1.17. Imagem in situ feitas em um MEV-A do estudo de alteração

morfológica de emanel durante aquecimento usando temperaturas entre 57 °C e
900 °C. Adaptado de Zucchelli et al. (2012).
Figura 1.18. Tricomas nos pedúnculos de gerânio em MEV-A

com ambiente úmido (d) e em baixo vácuo (4-6 torr) (f).
Adaptado de Stabentheiner, Zankel e Poelt (2010).
Figura 1.19. Configuração do esquema de detecção para difração de elétrons

retroespalhados. Adaptado de Oxford Instruments Analytical.
amostra inclinada, no caminho dos elétrons difratados, podemos observar um padrão

de difração.86 A tela de fósforo converte os elétrons difratados em luz, que é detec-
tada por uma câmera do tipo CCD (Charge Coupled Device). A imagem de DERE
detectada pela câmera CCD pode ser gravada e analisada. A imagem de DERE é
definida de forma única pela orientação espacial do cristal na amostra, pelo compri-
mento de onda do feixe de elétrons incidente (que depende da aceleração do feixe) e
pela distância que a tela de fósforo fica da amostra.
Esta técnica permite a obtenção de características estruturais das amostras. A
localização das bandas de Kikuchi (Figura 1.20) mais intensas pode ser claramente
identificada no espaço de Hough (Figura 1.20) pelos picos mais brilhantes, enquanto
outros picos são mais tênues e quase imperceptíveis. É função do algoritmo de de-
tecção dos picos fazer a segmentação dos picos mais intensos (Figura 1.20) e descon-
siderar os possíveis picos falsos. Para analisar o resultado, uma linha correspondente
a cada pico da imagem anterior é sobreposta com a imagem original do padrão de
difração de Kikuchi. As linhas e os picos são codificados para ilustrar sua relação de
cada ponto ou de um conjunto de pontos (Figura 1.20).59
Figura 1.20. Difração de elétrons retroespalhados, sequência de obtenção das

características estruturais, padrão de difração original, padrão da transformada
de Hough, picos detectados na transformada de Hough, bandas de Kikuchi
correspondentes encontradas no padrão de difração e padrões de difração
indexados. Adaptado de Oxford Instrumentes Analytical – Electron Backscattered
Diffraction Explained – Technical Briefing.
Quando obtemos as características estruturais de um conjunto de pontos dentro

de uma imagem é possível fazer um mapa da característica estrutural da imagem
como um todo identificando pontos com a mesma característica estrutural.
8. Espectroscopia por dispersão de raios X no MEV

Depois de incidir na amostra, os elétrons do feixe primário (EFP) fazem um per-
curso através da amostra (Figura 1.21). Durante este percurso, o elétron pode sofrer
interações que geram raios X, sem colidir diretamente com outro elétron. Este tipo
de interação dá origem ao que chamamos radiação freada de raios X; neste caso o
elétron é espalhado com pequena perda de energia. De outra forma, os EFP podem
colidir diretamente com outro elétron e, se houver energia suficiente, arrancar o elé-
tron de sua órbita. Esta expulsão resulta no aparecimento de uma vacância eletrônica
que é preenchida por um elétron de uma camada eletrônica mais externa e de maior
energia. Durante essa transição para a camada mais interna, de menor energia, o
elétron perde energia através da emissão de um raio X, o que chamamos radiação
característica de raio X. O valor da energia do raio X emitido durante esta transição
eletrônica é característico para cada elemento químico, camada eletrônica (K, L, M)
e transição eletrônica (a,b, c, d ) (Figura 1.22).26
Figura 1.21. Diagrama mostrando o principio de formação da radiação freada de

raios X e da radiação característica de raios X. Adaptado de http://www2.rgu.ac.uk.
A análise desta energia característica possibilita a caracterização química da

amostra. A energia deste raio X característico é capturada por um detector de energia
dispersiva de raios X.
A técnica de espectroscopia por dispersão vem sendo utilizada para a caracteri-
zação e microanálise química (MAQ) em conjunto com a observação da morfologia
superficial das amostras analisadas no MEV. Esta técnica de análise é conhecida
como microanálise por realizar a análise química em uma pequena porção da amostra
(alguns mícrons), fornecendo dados de composição química local. A resolução lateral
desta análise está diretamente relacionada ao volume de interação do feixe com a
amostra, uma vez que os raios X dispersados são gerados ao longo de uma vizinhança
em volume do ponto de impacto do feixe na amostra. O alcance em profundidade
da MAQ depende da energia do feixe que atinge a amostra. Assim, amostras ho-
mogêneas ao longo da profundidade podem ser analisadas sem a preocupação com
a energia do feixe. No caso da MAQ de filmes finos, a variação da energia do feixe
altera sobremaneira o resultado da MAQ.10
Figura 1.22. Famílias K, L e M de raios X característicos.

Adaptado de http://www.mcswiggenassoc.com.
Duas configurações são usadas para qualificar e quantificar os raios X caracte-

rísticos emitidos na amostra. A Espectroscopia por Dispersão de Energia de Raios
X (EDEX) classifica os raios X de acordo com sua energia e mede simultanea-
mente todo o espectro de energias, enquanto a Espectroscopia por Dispersão de
Comprimentos de Onda de Raios X (EDCOX) classifica os raios X de acordo com

seu comprimento de onda. A EDCOX usa um sistema de difração como meio para
separar os raios X com comprimentos de onda diferentes. Apenas raios X com um
determinado comprimento de onda atingirão o detector para cada cristal e inclinação
predeterminada (Figura 1.23).
A principal diferença entre as duas técnicas é a resolução em energia. Uma linha
de raio X MnKa do sistema EDEX possui largura de 135 a 150 eV, enquanto no
sistema EDCOX é de cerca de 10 eV. A Figura 1.24 mostra a resolução em energia
para uma liga AuPtNb tanto para o EDEX como para o EDCOX.
Figura 1.23. Configuração do esquema de detecção para a espectroscopia

dispersiva de raios X usando energia (a) e comprimento de onda (b).
Adaptado de Goldstein (2007).
A MAQ de elementos leves, O, N, C, é dificultada pela janela de Be presente na

maioria dos detectores do tipo EDEX e que absorvem os raios X de baixa energia
emitidos por estes elementos, impedindo que sejam quantificados. Alguns tipos de
detectores possuem janela ultrafina e outros não possuem a janela, o que facilita a
MAQ destes elementos de baixo número atômico.60; 61 A EDEX consegue identifi-
car elementos presentes na amostra a partir de uma porcentagem em peso de cerca
de 0,1%, sendo este o limite de detecção da técnica.44
Algumas configurações novas são propostas para análise em nível nanométrico,
em que o MEV possui um nanomanipulador e um feixe de íons para limpeza da
superfície, evitando contaminação com hidrocarbonetos presentes na superfície da
amostra.21
Figura 1.24. Ilustração mostrando a diferença de resolução em energia

de um espectro de EDEX comparado com um de EDCOX tomados para
uma amostra de AuPtNb. Adaptado de http://www.mcswiggenassoc.com/
TechNotes/WDSvsEDS.htm.
9. Litografia com feixe de elétrons (LFE)

Basicamente, a tecnologia de litografia por feixe de elétrons consiste em um fei-
xe de elétrons focado que pode ser defletido e interrompido através de comandos
programáveis e usado para desenhar uma dada estrutura. A exposição do resiste ao
feixe de elétrons modifica suas características químicas de tal forma que se pode,
posteriormente, realizar uma remoção seletiva do material exposto, criando assim o
padrão desejado. A Figura 1.25 ilustra a técnica de litografia por feixe de elétrons.
A transferência para o resiste, ao qual denominamos padrão, está em contato direto
com o substrato e pode ser usada como máscara para qualquer processo de fabricação
subsequente.
A resolução da LFE está relacionada com a interação e o espalhamento dos elé-
trons dentro da camada de resiste e do substrato adjacente. Assim, a energia do feixe,
o diâmetro do feixe, o alcance eletrônico, a dosagem eletrônica, o tipo de resiste, a es-
pessura do resiste, o tipo de substrato, entre outros fatores, devem ser otimizados para
uma resolução adequada da LFE. Além disso, deve-se entender conceitos relaciona-
dos com os efeitos de exposição que dependem do tipo de padrão, conhecidos como
efeitos de proximidade interno e externo. Algumas propriedades do resiste, como
sensibilidade, resolução, contraste e resistência ao ataque, devem ser consideradas.73
Figura 1.25. Diagrama de processamento usando a técnica de litografia por feixe

de elétrons e os processos subsequentes.73
Otimizando estes parâmetros é possível a fabricação de padrões em escala nano-

métrica sobre subtratos de arseneto de gálio (GaAs)70;71 e de vidro,70;71 alcançando
resoluções da ordem de 30 nm.73 Dessa maneira, é possível desenhar qualquer tipo de
estrutura bidimensional para realização de ensaios diversos em escala nanométrica.
Nos modernos microscópios eletrônicos podem ser fabricados transistores de um
elétron em silício (Si).55
Os resistes para LFE mais utilizados são os polímeros, particularmente o polime-
tacrilato de metila (PMMA); no entanto; alguns resistes podem ser preparados por
processo sol gel, SiO2,72 TiO2 , apresentando resolução abaixo de 10 nm,64 enquanto
o resiste de silsesquioxana de hidrogênio atinge dimensões abaixo de 5 nm
(Figura 1.26).97
Figura 1.26. Imagem de MEV mostrando resolução alcançada por processo de

litografia por feixe de elétrons.97
10. Nanomanipulação
Existe uma crescente e variada gama de produtos e dispositivos em áreas estratégicas,
como nanoeletrônica, nanotecnologia e biotecnologia, que exigem novas ferramentas
para manipulação tridimensional, montagem, caracterização e teste com blocos de
construção fundamentais, tais como nanotubos e nanofios.23; 62; 78
O MEV é uma técnica que permite a visualização em escala nanométrica, assim,
alguns ensaios envolvendo nanomanipulação podem ser realizados usando o MEV
como ferramenta auxiliar para orientar o pesquisador durante o ensaio.23; 62; 99
O principal desafio da nanomanipulação é a integração entre processos de baixo
para cima (DBPC) que usam técnicas físicas e químicas para obter estruturas em
escala molecular e até atômica e processos de cima para baixo (DCPB), como a mi-
crofabricação que busca fabricar estruturas funcionais cada vez menores. A Figura
1.27 mostra a escala objeto da nanomanipulação.25
Figura 1.27. Localização da escala objeto da nanomanipulação.

Adaptado de Fukuda et al. (2009).
A nanomanipulação se tornou possivel em função da evolução das tecnologias de

nanoposicionamento envolvendo sensores visuais e de força (microscopia eletrônica
de varredura e microscopia de força atômica), que possibilitaram a execução de mo-
vimentos com precisão na escala nanométrica.80
A técnica de nanomanipulação permite empurrar, puxar e cortar materiais usan-
do pontas de prova ou micropinças guiadas por atuadores de tubo piezoelétricos,
filmes finos ferroelétricos ou sistemas microeletromecânicos (SMEM) atuados por
princípio elétrico, térmico ou capacitivo. O projeto desses atuadores considera a acu-
rácia, o alcance do movimento, o grau de liberdade, o tempo de resposta e a lineari-
dade.74; 79; 88; 100
Os nanomanipuladores permitem manipular de forma controlada, por exem-
plo, arrastando ao longo de uma superfície ou agarrando e movimentando até uma
nova posição. O controle da nanomanipulação pode usar o modo de teleoperação e
o modo automático. Na teleoperação o operador manipula os objetos diretamente
usando uma interface homem-máquina, na qual o operador participa da retroalimen-
tação (visual e força) do experimento (Figura 1.28a). Na nanomanipulação automáti-
ca, o operador controla nanorrobôs enviando comandos para que efetuem a operação
(Figura 1.28b).28; 33; 62; 100
Graças aos avanços das técnicas de nanomanipulação será possível a integração
de diversos tipos de materiais em escalas nanométricas dando origem a dispositivos
novos e muito sensíveis.
Figura 1.28a. Esquema da nanomanipulação usando teleoperação.

Adaptado de Iwata et al. (2011).
Figura 1.28b. Esquema da nanomanipulação usando modo automático.

Adaptado de Iwata et al. (2011).
A Figura 1.29 mostra o posicionamento de um nanofio sobre a estrutura de um

SMEM usando duas pontas de prova para arrastar o nanofio sobre a superfície até a
posição em que se deseja fixá-lo. Essa fixação na estrutura do SMEM é feita por na-
nossoldagem usando processo de deposição induzida por feixe de elétrons (DIFE).25; 98
Figura 1.29. Arrastamento de um nanofio até uma posição desejada usando pontas
de prova. Adaptado de Ye (2012).
As micropinças acionadas eletrotermicamente podem alcançar forças elevadas em

tamanhos pequenos, possibilitando escolher a posição de uma nanoestrutura que se
queira agarrar, arrancar do substrato em que esteja fixada e depois posicionar esta na-
noestrutura em um local escolhido. Isso possibilita a nanomontagem de dispositivos
nanoestruturados, sendo um desafio para a criação de protótipos e sensores em escala
nanométrica.13; 30; 83; 87 A Figura 1.30 mostra uma micropinça se posicionando para
encostar, empurrar, fechar, abrir e agarrar um nanofio crescido sobre uma superfície.51
Uma das áreas em que a nanomanipulação poderá atuar será na investigação de
propriedades de materiais biológicos, utilizando as condições oferecidas pelo micros-
cópio de varredura ambiental. A utilização de flambagem de uma nanobarra como
sensor de força para caracterização da rigidez de células individuais poderá ser usada
no futuro. Este método de detecção de variações de rigidez de células individuais
poderá no futuro ser aplicado para o diagnóstico de doenças com base na análise da
rigidez de uma única célula.2
Figura 1.30. Posicionamento de uma pinça para nanomanipulação

de um nanofio. Adaptado de Molhave et al. (2006).
Figura 1.31. A grande deformação dos nanotubos na fase de pós-flambagem é

mostrada na imagem. Adaptado de Kaplan-Ashiri e Tenne (2007).
A Figura 1.32 mostra um ensaio mecânico de tração de nanobarras sendo realiza-

do com auxílio de um MEV para visualização.
Figura 1.32. MEV de ensaio de tração de um nanotubo de WS2: (a) O nanotubo é

fixado a duas pontas de cantiléver; (b) uma força é aplicada para afastar um dos
cantiléveres; e (c) o nanotubo se rompe. Adaptado de Kaplan-Ashiri e Tenne (2007).
Na Figura 1.33 é mostrado um experimento em que o MEV é usado para guiar

um experimento envolvendo a captura, transporte, liberação e arrasto de uma nano-
partícula de Fe2O3, auxiliado por um nanomanipulador composto por uma ponta de
tungstênio na qual está aderido um nanotubo de carbono.78
Embora um grande progresso tenha sido feito, os desafios ainda estão presentes.
Para entender as complexas interações nanométricas, os cientistas estarão sempre
trabalhando para melhorar as tecnologias para manipular, transportar, classificar e
integrar amostras em diferentes ambientes.24; 62; 63; 101
Como exposto, os sistemas de nanomanipulação podem ser usados para alterar,
interagir e controlar fenômenos de forma precisa em escala nanométrica. Existem
áreas nas quais a nanomanipulação terá aplicações importantes. A nanomanipulação
precisa e localizada de objetos biológicos, como ácido desoxirribonucleico (ADN ou
Figura 1.33. Ensaio de nanomanipulação auxiliado por MEV mostrando

a sequência do processo de captura, transporte, liberação e arrasto
de uma nanopartícula de Fe2O3. Adaptado de Suga et al. (2009).
DNA), ribossomo, proteínas, enzimas poderá trazer novos métodos de testes ainda
não alcançados pelos métodos tradicionais.69 As tecnologias de armazenamento de
dados computacionais poderão desenvolver novos tipos de testes. As tecnologias de
montagem de objetos em escala nanométrica possibilitarão o desenvolvimento de
máquinas complexas que poderão ser construídas e analisadas, sendo compostas por
partes precisamente posicionadas e montadas envolvendo moléculas, nanotubos, na-
nobarras e nanopartículas.12; 34 De outra forma, estas nanomáquinas precisarão ser
testadas e caracterizadas envolvendo as medidas de suas propriedades em escala na-
nométrica como o atrito, a adesão, propriedades elétricas e mecânicas que nortearão
os seus aspectos de funcionamento.1
Por se tratar de uma área recente, a nanomanipulação apresenta alguns desa-
fios a serem vencidos no presente e certamente outros surgirão ao longo do cami-
nho. Alguns deles seriam: a fabricação de nanoestruturas montadas com precisão
e repetibilidade; o modelamento de nanoforças, no ar e em líquidos, principal-
mente forças eletrostáticas e nanotribologia; a montagem tridimensional usando
nanopinças e envolvendo modelamento físico e químico da nanoestrutura tridi-
mensional (SITTI, 2001). A preparação de amostras nanomanipuladas requer
experiência com adesão, química, nanotribologia e ciência dos materiais para se
obter padrões de procedimentos de nanomanipulação. Os sistemas de nanomani-
pulação precisam ser desenvolvidos para se obter uma retroalimentação confiável
capaz de realizar um experimento preciso e estável e que forneça uma interpreta-
ção das forças na nanoescala.74
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LISTA DE SÍMBOLOS
nei = número de elétrons incidentes
nes = número de elétrons secundários
ner = número de elétrons retroespalhados
P0 = pressão na entrada de gás do MEV-A
P1 = pressão na câmara de amostras do MEV-A
P2 = pressão no primeiro estágio da coluna do MEV-A
P3 = pressão no segundo estágio da coluna (canhão de elétrons) do MEV-A
Vc = voltagem do coletor do detector
σ = rendimento de elétrons emitidos
η = rendimentos dos elétrons secundários
δ = rendimento dos elétrons retroespalhados
2
MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA:
UMA PODEROSA FERRAMENTA PARA
CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA
RONALD TARARAM
Centro Multidisciplinar para o Desenvolvimento de Materiais Cerâmicos, Universidade
Estadual Paulista Julio de Mesquita Filho – Unesp
PÂMELA SOTO GARCIA

Grupo de Pesquisa em Nanoneurobiofísica, Universidade Federal de São Carlos, Campus
Sorocaba, Departamento de Física, Química e Matemática
DAIANA KOTRA DEDA

JOSÉ ARANA VARELA

Centro Multidisciplinar para o Desenvolvimento de Materiais Cerâmicos, Universidade
Estadual Paulista Julio de Mesquita Filho – Unesp

MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA: UMA PODEROSA FERRAMENTA PARA CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA 45
PALAVRAS-CHAVE: microscopia de força atômica; varredura por sonda SPM;

imagem topográfica; contato intermitente; resolução espacial; nanocaracteri-
zação; propriedades elétricas locais; força eletrostática EFM; potencial de su-
perfície SSPM; liftmode AFM.
RESUMO: O princípio fundamental da Microscopia de Força Atômica (AFM)

é obter imagens de uma superfície através das medidas de deflexão de uma
sonda de dimensões nanométricas. Nos seus mais de 25 anos de história, a
AFM vem expandindo rapidamente seu campo de aplicação para diversas áre-
as da ciência. Diversas técnicas derivadas dessa microscopia surgiram nos últi-
mos anos, fornecendo informações adicionais às imagens topográficas e possi-
bilitando a investigação de propriedades químicas e físicas dos materiais. Este
capítulo irá abordar os conceitos e princípios envolvidos na técnica de AFM,
bem como vários aspectos relacionados à nanocaracterização elétrica, utilizan-
do técnicas específicas como a microscopia de força eletrostática (EFM) e a
microscopia de varredura por potencial de superfície (SSPM).
1. Introdução
No início dos anos 1980, a análise microestrutural de materiais experimentou um
grande avanço associado ao desenvolvimento da Microscopia de Varredura por Son-
da (SPM – Scanning Probe Microscopy).1;2;3;4 Trata-se de um grupo de técnicas analí-
ticas inteiramente original, envolvendo conhecimento e tecnologia multidisciplinar,
de ampla aplicação, devido à possibilidade de resolução espacial em escala nanomé-
trica e facilidade de operação em condições ambientais, em meio líquido ou vácuo,
produzindo imagens tridimensionais da superfície.3 Técnicas de SPM abrangem ins-
trumentos compostos basicamente por uma sonda sensora que interage com a super-
fície, cerâmicas piezelétricas para posicionar a amostra e fazer varreduras, circuitos de
realimentação (feedback) para controlar a posição vertical da sonda, e um computador

para mover os escâneres de varredura, armazenar dados e os converter em imagens
por meio de softwares específicos para esse fim.5
O componente essencial em SPM é a sonda, que pode assumir diferentes arqui-
teturas, como, por exemplo, uma sonda metálica em forma de agulha para tunela-
mento, originando a Microscopia de Varredura por Tunelamento (STM – Scanning
Tunneling Microscopy),2;6 ou uma sonda apoiada em uma haste flexível para detecção
de força, que caracteriza a Microscopia de Força Atômica (AFM – Atomic Force
Microscopy).4;5 Pode-se ter, ainda, uma sonda em formato de fibra óptica com aber-
tura muito estreita, caracterizando a Microscopia de Varredura de Campo Próximo
(SNOM – Scanning Near-Field Optical Microscopy).1;7
STM foi a primeira técnica de SPM a ser criada. Ela surgiu em 1981 nos Labora-
tórios da IBM, em Zurique, como resultado do trabalho de Gerd Binnig e Heinrich
Rohrer.8 Foi o primeiro instrumento capaz de gerar imagens reais com resolução atô-
mica de superfícies com boa condutividade. A partir de uma modificação do micros-
cópio de tunelamento, combinado com um perfilômetro (aparelho para medir rugosi-
dade em escala microscópica), Binnig, Quate e Gerber desenvolveram o microscópio
AFM em 1986, possibilitando a medição de forças em diferentes tipos de materiais,
tanto para análise em metais e semicondutores quanto para superfícies isolantes.9
Sem dúvida, a técnica de AFM contribuiu para o surgimento de diversas outras
técnicas da família SPM. Algumas modificações do princípio básico originaram di-
versos outros métodos para obter imagens, como, por exemplo, a Microscopia de
Força Lateral ou Lateral Force Microscopy (LFM),3;10;11 a Microscopia de Contras-
te de Fase (Phase Imaging),3;12;13 a Microscopia de Modulação de Força ou Force
Modulation Microscopy (FMM),1;3 entre outras, gerando assim uma ampla gama de
informações provenientes de técnicas intimamente relacionadas com o AFM.
Na realidade, o rápido desenvolvimento de técnicas derivadas do AFM já envolve
diversas propriedades de superfície, como interações químicas, em sondas ou superfí-
cies funcionalizadas, propriedades mecânicas de fricção ou dureza, propriedades elétricas,
como potencial de superfície, polarização e cargas espaciais, e ainda propriedades mag-
néticas e térmicas.3;4;14 Além disso, combinações de propriedades podem ser exploradas,
como, por exemplo, no estudo de interações bioquímicas, com análise de material bio-
lógico in vivo;15;16 propriedades eletroquímicas, com caracterização in situ de fenômenos
de corrosão;17;18 propriedades eletromecânicas, para estudo da piezeletricidade dos mate-
riais;19;20 e, ainda, propriedades fotoelétricas, com aplicações em células solares.21;22 Com
isso, a AFM tem passado por vários estágios de desenvolvimento e, por ser uma técnica
relativamente simples, é fundamentalmente versátil, ficando difícil imaginar os limites de
sua evolução e aplicação em diversas áreas do conhecimento.
2. Princípios de funcionamento
A compreensão do funcionamento de um microscópio de força atômica torna-se
simples fazendo uma analogia com uma antiga vitrola. A vitrola utiliza uma agulha
que, passando pelos sulcos do disco de vinil, reproduz um som. No caso do AFM,
existe uma pequena sonda (tip), que pode ser comparada à agulha da vitrola. Esta
sonda, passando sobre a superfície da amostra, tem seus movimentos enviados a um
detector, e estes sinais são transformados em informações por um software.23
É fundamental conhecer o funcionamento desse tipo de microscópio, seus com-
ponentes básicos e conhecer as forças de interação presentes entre a sonda e a superfí-
cie, pois a enorme variedade de técnicas derivadas do AFM depende do tipo de força
envolvida na interação e como é aferida.
A estrutura do equipamento AFM, destacando seus componentes básicos, pode
ser observada na Figura 2.1. O AFM mede as forças entre a sonda e a amostra por
meio de um sistema de deflexão da sonda com feixe de laser incidindo sobre uma haste
flexível chamada de haste (ou cantiléver). Na extremidade do cantiléver está localizada
a sonda que interage com a superfície da amostra durante a varredura.24;25 O método é
muito sensível às irregularidades na superfície quando o cantiléver se move desviando
a luz do laser para o fotodetector devido a alterações na topografia da amostra. As mu-
danças na saída do fotodetector são utilizadas para ajustar o deslocamento da cerâmica
piezelétrica (escâner) na direção z, cujo valor é registrado em função das coordenadas
(x, y) da varredura para construção da imagem tridimensional.5;23
Figura 2.1. Componentes básicos do sistema AFM.

Os hardwares principais de um AFM incluem o componente piezelétrico de var-

redura ou escâner e a sonda; afinal, as imagens derivam da combinação destes por
meio de uma eletrônica sofisticada de controle.26 Os sistemas de varredura – escâ-
neres – permitem o controle de movimentos em distâncias muito pequenas, e isso
só é possível graças ao uso de cerâmicas piezelétricas, normalmente utilizado o PZT
(titanato de zircônio e chumbo)23 com diversos dopantes para criar propriedades
específicas no material. Esses materiais deformam-se fisicamente sob ação de um
campo elétrico. Assim, um mecanismo de posicionamento de alta precisão pode ser
obtido por meio de um circuito eletrônico de realimentação (feedback) acoplado às
cerâmicas.5
Os microscópios comerciais podem ter vários tipos de escâneres, dependendo do
alcance máximo na varredura x-y variando de 0,5 a 200 μm e alcance máximo vertical
de 0,5 a 20 μm. Quanto ao formato, o tipo tubular23 é o mais comum, mostrado na
Figura 2.2. Essa configuração origina um movimento tipo rasteira, com pares de
traço e retraço na varredura rápida. Já a varredura lenta ocorre pelo deslocamento na
direção perpendicular da varredura rápida. A varredura x-y de uma determinada área
geralmente se realiza em baixas frequências (1 Hz), resultando em um processo lento
de obtenção de imagens.27
Figura 2.2. Esquema do movimento tipo rasteira realizado por um escâner tubular
típico. Tensão aplicada nos eixos x e y produz o padrão de varredura.
Outro componente importante é a sonda em conjunto com o cantiléver. Existe

uma enorme diversidade de sondas disponíveis comercialmente, variando em geo-
metria e composição, com cantiléveres de diversos comprimentos e constantes de
mola. As sondas mais comuns são feitas de nitreto de silício (Si3N4) com formato
piramidal, apoiadas em cantiléveres triangulares, e também sondas de silício (Si) cô-
nicas em cantiléveres retangulares,28 como mostra Figura 2.3. Sondas de silício apre-
sentam menor dureza comparada com aquelas fabricadas com nitreto de silício; no
entanto, podem ser dopadas para se tornarem condutoras, revestidas com materiais
variados para determinadas aplicações, e ainda serem afiadas, proporcionando maior
riqueza de detalhes topográficos das imagens obtidas.
As características da sonda são fundamentais para a obtenção de uma boa
imagem, pois sua forma cônica ou piramidal influencia diretamente no contato
com a superfície da amostra.24 Esse contato está relacionado com a razão de as-
pecto, ou seja, a relação entre a altura e o diâmetro da base da sonda, e também
com o raio da extremidade da sonda, responsável pela resolução.29 Quanto maior
a razão de aspecto, mais fina será a sonda, o que permitirá definir melhor as ir-
regularidades da superfície.
Figura 2.3. Imagens de Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV):

(a) sonda de nitreto de sílício em cantiléver triangular e (b) sonda de
silício em cantiléver retangular.
O funcionamento do microscópio de força atômica está relacionado também com

as forças de interação entre a sonda e a amostra. As forças de interação entre os
átomos da sonda e os da superfície da amostra são mensuradas, e esses resultados
são transformados em imagens através de recursos computacionais. Essas forças de-
pendem de diversos fatores, como a distância entre a sonda e, a amostra, da geome-
tria da sonda, se há alguma contaminação que causará interferência na formação da
imagem, e até mesmo a composição dos materiais que formam a sonda e a amostra.30
Ao se aproximar da amostra, a sonda será atraída por diversas forças atrativas exis-
tentes na região, como as forças de Van der Waals.31 Essa atração aumenta até que a
sonda se aproxima demais da superfície da amostra e orbitais eletrônicos dos átomos
começam a se repelir, diminuindo, assim, as forças atrativas e predominando forças
repulsivas. A dependência dessas forças com a distância entre a sonda e a superfície

da amostra é mostrada na Figura 2.4.1
Duas regiões distintas são destacadas: 1) região de contato; 2) região de não con-
tato. Na região de contato, a sonda é mantida a poucos angstroms da superfície da
amostra e a força interatômica é repulsiva. Na região de não contato, a sonda é man-
tida a uma distância que varia entre dezenas a centenas de angstroms da superfície
da amostra e a força é atrativa. A técnica de AFM explora esses efeitos para originar
diferentes modos de operação na aquisição de imagem topográfica.32;33
Figura 2.4. Curva esquemática mostrando a dependência da força de interação

sonda-amostra em função da distância interatômica.
3. Modos de operação
Os diferentes modos operacionais de obtenção de imagens de AFM referem-se fun-
damentalmente à distância mantida entre a sonda e a superfície da amostra no mo-
mento da varredura. Esses modos de varredura podem ser classificados de acordo
com o regime de forças, como: contato, não contato e contato intermitente. No modo
contato, o cantiléver é flexionado e experimenta forças repulsivas, nas quais a sonda
faz um leve “contato físico” com a superfície da amostra. O modo não contato opera
em uma região muito instável de forças atrativas e não tem encontrado aplicabilidade
geral, devido às forças adesivas da superfície. Essa limitação foi contornada com a
utilização do modo contato intermitente, cujo cantiléver é forçado a oscilar sobre a
superfície da amostra de tal forma que a sonda, periodicamente, toca a superfície, ou

seja, a força que age neste modo de operação é às vezes atrativa e às vezes repulsiva
(Figura 2.4).23;34 Os principais modos de operação, contato e contato intermitente,
serão discutidos nos itens 3.1 e 3.2.
3.1. Modo contato

Modo mais utilizado para obter imagens de AFM,32; 35com maior velocidade de var-
redura e boa resolução.36 Nesse modo de varredura, o cantiléver exerce força cons-
tante sobre a superfície37 e frequentemente usam-se sondas mais resistentes (nitreto
de silício) suportadas em cantiléveres triangulares (Figura 2.3a) para evitar forças
torcionais, apesar de algumas técnicas usarem essa informação (Torsional Resonance
Mode1). No entanto, há a possibilidade de ocorrerem deformações na própria sonda,
dependendo da rigidez da amostra, o que pode ser minimizado com o uso de canti-
léveres de baixa constante de mola.26 Além disso, forças de arraste geradas durante a
varredura podem causar danos à superfície da amostra, o que é especialmente preju-
dicial para amostras biológicas sensíveis e materiais fracamente aderidos ao substrato.
O contato entre sonda e superfície ocorre quando a força de Van der Waals se
torna positiva (força de interação repulsiva); o cantiléver se dobra devido a uma de-
formação elástica, que pode ser descrita pela Lei de Hooke, utilizando a fórmula F=
-k.x, em que k é a constante de mola e x é o deslocamento vertical do cantiléver.32
As propriedades mecânicas do cantiléver são determinadas pela constante de mola,
k, e pela frequência de ressonância, w, que será mais bem discutida no próximo item
(modo contato interminente).24 Para atingir alta sensibilidade são necessárias grandes
deflexões, sendo mais apropriado um cantiléver com baixa constante de mola.
Quando realizada em ar, a medida pode ser afetada por forças de capilaridade,
que ocorrem devido à tensão superficial de uma fina camada de água presente entre
a ponta e a superfície da amostra (Figura 2.5).2; 24; 26; 38Essa força é atrativa e ocorre
devido à tensão superficial da água.
Conforme a sonda varre a superfície da amostra, passa por diferentes pontos,
causando a deflexão do cantiléver. Essa deflexão é medida através de um feixe de
laser refletido na extremidade do cantiléver, chegando até o fotodiodo. Um circuito
de realimentação mantém constante a deflexão do cantiléver e o move verticalmente
a cada ponto.30
A posição vertical do cantiléver, juntamente com a posição (x,y) correspondente,
é armazenada em computador, formando a imagem topográfica da amostra. Esse
sistema de medida proporciona alta sensibilidade no eixo z, detectando frações de
angstroms de deslocamento vertical.1; 5
Figura 2.5. Esquema representando o modo contato

e a força capilar de adesão.
3.2. Modo contato intermitente

Este modo foi desenvolvido para superar determinadas limitações encontradas
no modo contato. A varredura realizada em contato intermitente introduz pou-
cas modificações superficiais devida às baixas forças de arraste aplicadas na amos-
tra.39;40 Sendo assim, diversos autores utilizam esta técnica para realizar imagea-
mento em alta resolução de amostras sensíveis,41;42;43;44; 45 podendo ser referido
em alguns trabalhos como “Microscopia de Força Dinâmica” ou como “modo
acústico”.46
Enquanto no modo contato a força de interação é controlada pela deflexão no
cantiléver, no modo contato intermitente a força é controlada pela oscilação do can-
tiléver próximo à superfície da amostra.47; 48 A posição z do escâner é ajustada para
manter a amplitude de oscilação constante durante a varredura, que geralmente é
feita em baixa velocidade pelo mecanismo de feedback.40 Essa baixa velocidade de
varredura é uma desvantagem na coleta de dados, mas permite maior definição topo-
gráfica e qualidade de imagem.
O procedimento utiliza frequentemente sondas de silício suportadas em cantilé-
veres retangulares ressonantes (Figura 2.3b), que são mais rígidos para atingir altas
frequências de ressonância. Além disso, a amplitude de oscilação é fixada a valores
suficientemente altos (10-100 nm) para evitar que a sonda fique presa na camada de
contaminação (força capilar).2
No entanto, a vantagem desse modo de operação é que não há forças laterais
aplicadas à amostra durante varredura, sendo a técnica de maior preferência para
estudar macromoléculas e dinâmica de sistemas.33 A oscilação do cantiléver ocorre
em sua frequência de ressonância ou em um valor muito próximo, e sua amplitude é
monitorada conforme se aproxima da superfície da amostra.46; 48
Ao aproximar a sonda oscilante da superfície da amostra, até uma distância na

qual a força atrativa de Van der Waals passe a atuar, tem-se uma contribuição dessa
força no movimento oscilatório, ou seja, uma diminuição na amplitude de oscilação
(Figura 2.6). Durante a varredura ocorrem variações na amplitude de oscilação, de-
pendendo da topografia da amostra.
Figura 2.6. Esquema representando o modo contato intermitente e a variação na

amplitude de oscilação do cantiléver quando toca a superfície.
4. Processamento e análise de imagens

As imagens de AFM não são restritas apenas a inspeção visual, mas podem estar
sujeitas a várias etapas de processamento, o que inclui algoritmos e softwares especí-
ficos para uma caracterização mais objetiva, quantitativa e automatizada da amostra.2
As imagens que são capturadas pelo sistema são armazenadas como arquivos bi-
nários, contendo um cabeçalho com vários parâmetros de configuração e os dados da
imagem.2; 40 O cabeçalho é fundamental para a interpretação dos dados, fornecendo
informações sobre as escalas x, y e z da imagem.29 Portanto, os dados de AFM po-
dem passar inicialmente por um processamento e, posteriormente, pela análise da
imagem. O processamento envolve a transformação de uma imagem em outra, a fim
de reduzir o ruído ou distorções incorporadas no processo de captação da imagem.40
Os softwares desenvolvidos pelos fabricantes usualmente possuem algum algoritmo
para calibração e correção de distorções provenientes da não linearidade do escâner
ou interações da sonda com a topografia. No entanto, ainda podem ser usados outros
algoritmos e recursos digitais de processamento, como filtros para eliminar riscos ou
ruídos durante aquisição da imagem.49 A análise das imagens envolve a obtenção de
medidas das propriedades dos elementos contidos na imagem. Destacam-se análises
que envolvem medidas de identificação, contagem e determinação da área de objetos

(técnicas de segmentação), medidas de rugosidade (diversos parâmetros), medidas
de distribuição estatística (histogramas) e outras propriedades que caracterizam a
topografia da amostra.49;50;51; 52
Alguns sistemas de AFM comerciais geralmente acompanham um software de-
senvolvido pelo próprio fabricante tanto para aquisição de dados quanto para pro-
cessamento e análise de imagens. No entanto, nem sempre esses softwares trazem
os recursos necessários para determinadas aplicações e medidas, ou então suas fun-
ções são limitadas. Assim, diversos softwares vêm sendo desenvolvidos para realizar
funções mais complexas de processamento e análise de imagens, porém a maioria
é distribuída comercialmente, significando que o usuário necessita de uma licença
de uso. Além disso, é necessário verificar a compatibilidade dos diversos formatos
de imagem disponíveis no mercado. Como exemplo, um dos softwares comerciais
mais completos existentes atualmente é o SPIP (Scanning Probe Image Processor), que
integra diversas funções e recursos elaborados de geração tridimensional da imagem.
A versão de demonstração está disponível na referência.53
Quanto aos softwares não comerciais (freewares) destacam-se o Gwyddion54 e o
WSxM55 disponibilizados para download. Esses programas apresentam recursos muito
úteis no processamento de imagens, com diversos filtros para melhoramento das imagens
e redução de ruído, transformada de Fourier,49 morfologia matemática (reconhecimento
e análise de formas) aplicada na identificação e detecção de bordas, técnicas de segmen-
tação de objetos, análise de parâmetros superficiais e rugosidade, entre outros. Porém, as
funções de visualização tridimensional são limitadas e pouco científicas.
5. Nanocaracterização elétrica
Uma variedade de métodos para fabricação de microdispositivos funcionais vem cres-
cendo enormemente, em parte devido a técnicas de nanolitografia. Porém, o sucesso
da utilização desses dispositivos também depende do desenvolvimento de técnicas de
caracterização e análise em escala nanométrica, ou seja, a nanocaracterização. Uma vez
que esses dispositivos são baseados em fenômenos eletrônicos de comunicação, medidas
de transporte em nanoescala são possíveis usando microscopia de varredura por sonda.
De fato, depois do desenvolvimento da microscopia de força atômica, baseada em forças
repulsivas ou atrativas de curto alcance (Van der Waals), percebeu-se que era possível
detectar mapas de forças de naturezas diferentes, como forças magnéticas e eletrostáticas
de longo alcance. Desde então, o número de modos operacionais utilizando o hardware
básico do AFM aumentou rapidamente, originando diversas técnicas de nanocaracteri-
zação que exploram fenômenos elétricos superficiais.
A enorme adaptabilidade dos microscópios de AFM comerciais permitiu o de-

senvolvimento de acessórios e softwares dedicados para determinada aplicação elétri-
ca. Técnicas como Electrostatic Force Microscopy (EFM) e Scanning Surface Potential
Microscopy (SSPM)56;57;58;59;60; 61 são exemplos de modalidades disponíveis no micros-
cópio de AFM, baseadas na interação de forças eletrostáticas. Pode-se citar, ainda, o
desenvolvimento de poderosas ferramentas destinadas a prover informações adicio-
nais de alguns parâmetros elétricos da superfície, como Scanning Spreading Resistance
Microscopy (SSRM)62;63; 64 e Conductive Atomic Force Microscopy (c-AFM),65;66; 67 que
fornecem medidas de resistência e condutividade local em alta resolução, auxiliando,
por exemplo, na detecção de defeitos em circuitos integrados.68; 69 Em Scanning Ca-
pacitance Microscopy (SCM), a capacitância entre a sonda e a superfície da amostra é
medida para verificar as propriedades dielétricas em filmes e níveis de dopagem em
semicondutores.70;71; 72 Já a técnica Piezoresponse Force Microscopy (PFM)73 baseia-
-se na detecção da resposta eletromecânica da superfície, possibilitando observar
domínios ferroelétricos e realizar medidas de loops de histerese locais.74;75;76; 77 Scan-
ning Impedance Microscopy (SIM) é ideal para observar fenômenos de transporte em
corrente alternada, permitindo imagens do comportamento resistivo e capaciti-
vo.78;79;80; 81 Um grande número de estudos é possível no campo da microscopia de
varredura por sonda, devido à grande flexibilidade do equipamento que permite va-
riar significativamente o grau de sofisticação das técnicas.
Portanto, é interessante classificar os diversos esquemas de funcionalidade do
AFM nas caracterizações elétricas, para compreender os mecanismos de obtenção de
imagens. Essa classificação dos regimes de operação das inúmeras técnicas elétricas
possíveis está relacionada à interação da sonda com a superfície nos diferentes modos
de varredura (contato, contato intermitente e não contato), e também à possibilidade de
utilizar diferentes formas de modulação aplicadas na sonda ou amostra (modulação
mecânica, elétrica ou magnética). Além disso, os regimes de operação podem ser im-
plementados em diferentes configurações dependendo da propriedade a ser medida
(1-terminal, 2-terminais e 3-terminais). Com isso, a enorme variedade de combina-
ções habilita o surgimento de novas técnicas.
5.1. Classificação dos regimes de operação

5.1.1. Modos de varredura
As interações da sonda com a superfície da amostra durante aquisição da informa-
ção topográfica envolvem forças de Van der Waals em regiões atrativas e repulsivas,
originando, assim, três modos diferentes de varreduras já discutidos anteriormente
(contato, contato intermitente e não contato).3; 4; 5 Porém, algumas técnicas surgiram

para explorar outros tipos de forças, como interações eletromagnéticas. Para separa-
ções sonda-superfície típicas da ordem de 10-300 nm podem ser detectadas forças de
longo alcance produzidas por campos eletrostáticos ou magnéticos da amostra.5 Para
isso, utiliza-se um mecanismo chamado LiftMode,23; 58 de propriedade da Bruker
Corporation. Diferentemente do modo de varredura em não contato discutido an-
teriormente, o modo liftmode atua em uma região fora do alcance de forças atrativas
de Van der Waals acima de 10 nm (Figura 2.7). O termo liftmode também pode ser
interpretado como um modo de varredura em não contato, no qual a sonda deve
varrer a superfície da amostra a uma determinada altura predefinida para detectar as
forças atrativas ou repulsivas de longo alcance (Figura 2.8).
Imagens topográficas podem ser obtidas simultaneamente com as imagens de pro-
priedade eletromagnética local utilizando o modo liftmode com recurso interleave23
habilitado (Figura 2.9). No controle interleave, inicialmente o escâner realiza uma var-
redura traço-retraço padrão (1o passo) para aquisição de informação topográfica, mas
avançando apenas metade do tamanho de pixel na direção perpendicular da varredura
lenta. Nessa etapa, realiza um deslocamento em z (liftmode) para em seguida varrer
traço-retraço (2o passo) a uma altura constante da superfície, obtendo assim informa-
ções de forças eletromagnéticas. Durante o 1o passo a varredura pode ser em contato
ou contato intermitente, e no 2o passo a varredura é em liftmode, obtendo assim duas
imagens da mesma região da amostra, mas com informações diferentes.58
Figura 2.7. Dependência da força de Van der Waals e força eletromagnética

com a distância de separação sonda-superfície.
Figura 2.8. Perfis da varredura em liftmode.
Figura 2.9. Descrição do padrão de varredura x-y com interleave

habilitado para operação em liftmode.
5.1.2. Esquemas de modulação

As interações elétricas entre sonda e superfície dependerão do modo de varredura
utilizado na análise e quase sempre envolverão algum tipo de modulação mecânica
ou elétrica aplicada no cantiléver ou na amostra. A modulação magnética não será
discutida, mas pode ser aplicada na amostra ou na oscilação de um cantiléver mag-
nético.82;83 Nas técnicas com varredura em liftmode, as medidas de potencial local e
campo eletrostático são baseadas na utilização da sonda como sensor de forças de
longo alcance. Nesse caso, medidas estáticas seriam dificultadas pela baixa deflexão
do cantiléver, a necessidade de resposta dinâmica da sonda por meio da oscilação
mecânica ou elétrica do cantiléver.
Considerando inicialmente a modulação mecânica, um atuador (piezo, Figura
2.1) faz o cantiléver vibrar em sua frequência de ressonância (ω), na qual se mantém
a máxima amplitude de oscilação (Figura 2.10). Ambas as informações de amplitude
e fase da oscilação do cantiléver podem ser obtidas em função da frequência utilizan-
do amplificadores lock-in.59 A oscilação mecânica do cantiléver próximo da superfície
resulta no modo contato intermitente, mas para o modo liftmode a presença de um
gradiente de forças eletrostáticas perto da superfície irá alterar a frequência de resso-

nância do cantiléver. Para maior sensibilidade de sinal emprega-se a detecção dessas
variações na frequência de ressonância (Δω) durante a varredura. O próprio micros-
cópio possui um sistema para encontrar a frequência de ressonância de diferentes
cantiléveres, que deve ser determinada antes do início da varredura.
O número de técnicas baseadas em fenômenos mecânicos não se limita apenas
a oscilações do cantiléver, mas também podem ser aplicadas oscilações na própria
amostra, como na técnica Atomic Force Acoustic Microscopy (AFAM),56 que utiliza um
transdutor ultrassônico sob a amostra. Propriedades elásticas da superfície podem ser
quantificadas com essa técnica.84
Figura 2.10. Gráfico típico apresentado pelo microscópio para determinar a

frequência de ressonância do cantiléver.
Uma aproximação alternativa da oscilação mecânica do cantiléver envolve a uti-

lização de modulação elétrica aplicada na sonda e cantiléver, que devem ser condu-
tores. Nesse mecanismo, o atuador (piezo) é desativado e a sonda é submetida a uma
tensão alternada (AC). Para o modo de varredura em liftmode, as cargas elétricas
superficiais da amostra irão oscilar em conjunto com o cantiléver devido ao campo
elétrico alternado. A microscopia SSPM utiliza esse princípio para detectar o po-
tencial local na superfície. Outras técnicas empregando modulação elétrica na sonda
costumam operar no modo de varredura em contato para explorar, por exemplo, efei-
tos eletromecânicos de uma amostra piezoelétrica. A microscopia de piezorresposta
ou Piezoresponse Force Microscopy (PFM)73 utiliza essa configuração.
Oscilação elétrica também pode ser induzida lateralmente na amostra para es-
tudos de fenômenos de transporte em corrente alternada, como a técnica Scanning
Impedance Microscopy (SIM),56 que explora propriedades de impedância dos mate-

riais. Novas técnicas podem ser desenvolvidas, mas é sempre conveniente classificá-
-las em termos da separação sonda-amostra, fonte de oscilação e detecção,56 como
mostra a Figura 2.11.
Figura 2.11. Regimes de operação envolvendo algumas técnicas elétricas.
5.1.3. Tipos de configuração

Muitas das técnicas elétricas envolvendo AFM baseiam-se na detecção de cargas por
meio das forças eletrostáticas superficiais, onde a sonda atua principalmente como
um sensor.56 Mas existem, também, técnicas que envolvem transferência de cargas
entre a sonda e a amostra como, por exemplo, em medidas de corrente elétrica atra-
vés da amostra usando a técnica de AFM condutivo (c-AFM).57 Portanto, é interes-
sante classificar a funcionalidade das técnicas considerando o tipo de configuração
utilizado nas medidas, que podem ser de três maneiras: 1-terminal, 2-terminais e
3-terminais.56; 57
Na configuração de 1-terminal a sonda funciona apenas como um sensor, de-
tectando forças de curto alcance tipo Van der Waals ou forças eletromagnéticas de
longo alcance. A amostra pode estar aterrada ou submetida a um campo elétrico
externo. Alguns exemplos de técnicas usando essa configuração são mostrados na
Figura 2.12a.
Em medidas usando 2-terminais (Figura 2.12b), a sonda funciona como eletrodo,
ou seja, ocorrem interações elétricas de transferência de cargas com um segundo
eletrodo posicionado no porta-amostra. Nesse caso, a varredura principal ocorre em
regime de contato direto com a superfície da amostra, explorando propriedades em
corrente contínua como em c-AFM, ou em corrente alternada como Nanoimpedance
Microscopy (NIM),80 e ainda detectando deslocamentos eletromecânicos (PFM).
Já na configuração de 3-terminais (Figura 2.12c), dois eletrodos macroscópicos

são dispostos lateralmente sobre a amostra, em que tensão e corrente podem ser
aplicadas. Nesse caso, o terceiro terminal será a sonda, que poderá atuar como um
sensor de forças (em liftmode) ou como um eletrodo (em contato com a superfície da
amostra). Essa situação é conveniente para observar e medir o transporte lateral de
corrente na amostra, em regime de corrente alternada ou contínua. A técnica SSPM
no modo de varredura em liftmode e Scanning Potenciometry85 no modo de varredura
em contato são exemplos de utilização. Essas técnicas são interessantes no estudo in
situ de fenômenos de transporte em escala nanométrica.
Figura 2.12. Tipos de configurações usados no AFM para medidas elétricas.

(a) 1-terminal; (b) 2-terminais; e (c) 3-terminais.
Assim, a diversidade de técnicas para medidas elétricas usando o microscópio de

força atômica é imensa, variando na aplicabilidade, sensibilidade e resolução espacial.
Contudo, as principais limitações dessas técnicas resultam da complicada geometria
do sistema sonda-superfície. Em técnicas de não contato ou liftmode a força capaci-
tiva atuante no cantiléver varia com a topografia e limita a resolução espacial. Para
técnicas em modo contato a resolução é limitada pela área de efetiva interação do
tip com a superfície. Enfim, as várias possibilidades de utilização do AFM para a
nanocaracterização elétrica de superfícies resultam em vantagens não proporcionadas
pelas demais técnicas microscópicas convencionais (eletrônica e óptica).
5.2. Alguns exemplos de utilização

5.2.1. Microscopia de força eletrostática (EFM)
A técnica de microscopia de força eletrostática ou EFM5; 56; 57; 59; 60 é a mais utilizada
para a detecção de gradiente de campo elétrico entre sonda e amostra, estando
portanto disponível em grande parte dos instrumentos comerciais. O princípio é
simples: uma sonda condutora interage com a amostra através de forças eletrostáticas
de longo alcance. Frequentemente, as cargas estáticas na superfície apresentam cam-
pos elétricos baixos, sendo conveniente a aplicação de tensão elétrica entre a sonda e a
amostra para induzir um campo elétrico. Com isso, tem-se uma melhora no contraste
da imagem de EFM, possibilitando a observação da distribuição de cargas, além da
estimativa da condutividade da superfície. Em EFM pode-se distinguir entre cargas
acumuladas em regiões condutoras e cargas confinadas em regiões isolantes.
EFM utiliza o recurso interleave, na varredura liftmode (Figuras 2.8 e 2.9), isto é,
as medidas são obtidas em dois passos para a mesma linha de varredura. O primeiro
passo consiste na varredura em contato intermitente para obter informações topo-
gráficas. No segundo passo, a sonda é então elevada a certa altura da superfície e a
varredura é realizada com o cantiléver mantendo uma distância fixa da superfície. O
sistema do microscópio utiliza o perfil da varredura anterior para manter constante a
separação sonda-superfície.58 A Figura 2.13 ilustra o processo em que, inicialmente,
a sonda mede a topografia (1) e, em seguida, desloca-se a certa altura (2) e, na segun-
da varredura (3), coleta dados do campo elétrico na superfície da amostra.
Figura 2.13. Modo de varredura liftmode usado em EFM para

detecção do gradiente de campo elétrico.
A Figura 2.14 mostra que o princípio de detecção de forças eletrostáticas em EFM

baseia-se na modulação mecânica do cantiléver durante o 2o passo de varredura.56 O
fato é que a presença de um gradiente de força eletrostática perto da superfície resulta
em uma perturbação na oscilação do cantiléver, descrito pela física do oscilador har-

mônico forçado amortecido.2 Isso pode ser entendido pela modificação da constante
elástica efetiva (kef) do oscilador dependendo do regime de forças. Em forças atrativas
tem-se uma constante de mola menor que a original kef < k, como se o cantiléver fi-
casse mais “mole”, diminuindo sua frequência de ressonância (Figura 2.15a).23 Em
forças repulsivas, a constante de mola efetiva será maior que a original kef > k, ou seja, o
cantiléver fica mais “duro”, o que aumenta a frequência de ressonância (Figura 2.15b).
Assim, a sonda oscila próximo à superfície, mas sem tocá-la, detectando mudanças na
frequência de ressonância do cantiléver (Δω). Esse sinal é registrado com as coordena-
das do plano de varredura, gerando uma imagem de EFM 3-D.
Figura 2.14. Regime de operação em EFM utilizando modulação

mecânica do cantiléver.
Figura 2.15. Comparação entre (a) forças atrativas e (b) forças repulsivas atuando
na constante de mola (kef) e frequência (ω) do cantiléver.
Os efeitos apresentados na Figura 2.15 geram contrastes escuros e claros na imagem

de EFM relacionados com o deslocamento na frequência de ressonância do cantiléver.
Em razão do campo elétrico frequentemente aplicado na sonda, as cargas induzidas
serão predominantes na superfície e criam um campo de forças atrativas abaixo da linha
base (regiões escuras na imagem), independentemente de o potencial apresentar-se
positivo ou negativo, enquanto as cargas estáticas de menor campo contribuem fraca-
mente. Isso torna a técnica de EFM muito suscetível à topografia da amostra.
Por outro lado, é possível estimar a condutividade da amostra, na qual são detec-
tadas regiões de cargas induzidas em condutores e cargas confinadas em materiais
isolantes. As características físicas do cantiléver irão influenciar na intensidade do
sinal detectado, e geralmente frequências de ressonâncias em torno de 75 kHz são
mais indicadas. A sensibilidade dependerá, também, do revestimento condutor da
sonda, geralmente Pt/Ir ou Co, contudo sondas de Si altamente dopadas possuem
bom funcionamento. É conveniente que a região superior do cantiléver, onde incide
o laser, possua revestimentos metálicos de Au ou Al para aumentar a reflexão até o
detector e melhorar o sinal de resposta.
Como a EFM detecta gradiente de campo elétrico, duas variáveis são impor-
tantes: a intensidade do campo elétrico aplicado na sonda e a altura de varredura
executada em liftmode. A Figura 2.16 ilustra a influência dessas variáveis na aqui-
sição da imagem para uma amostra composta por uma fina camada condutora de
Figura 2.16. (a) Imagem topográfica da camada de ouro sobre SiO2 e (b) esquema
de aplicação de tensão elétrica na sonda. Imagens de EFM mostrando a influência
da (c) tensão aplicada na sonda e (d) a altura de varredura.
ouro depositada sobre um substrato isolante de SiO2 (Figura 2.16a). O tipo de

configuração (1-terminal) usado para operação em EFM envolve aplicação de
tensão elétrica entre a sonda e a amostra (Figura 2.16b), em que a sonda irá atuar
apenas como um sensor de forças. A imagem de EFM mostrada na Figura 2.16c
foi coletada alterando a tensão aplicada na sonda durante varredura em liftmode
com altura fixada em 100 nm. Observa-se maior contraste na imagem entre as
regiões condutoras e isolantes conforme a tensão aplicada na sonda aumenta. Na
região condutora (área escura), as cargas elétricas induzidas contribuem com for-
ças atrativas sobre cantiléver oscilante, reduzindo sua frequência de ressonância.
Influência semelhante ocorre quando a altura de varredura é variada, fixando-se
uma determinada tensão aplicada na sonda. Na Figura 2.16d o contraste na ima-
gem aumenta quando a sonda oscila mais próxima da superfície da amostra, onde
as forças eletrostáticas são mais intensas. Verifica-se que o gradiente de campo
elétrico acima da superfície da amostra segue uma relação exponencial depen-
dente da tensão aplicada na sonda e altura de varredura, o que torna a técnica de
EFM trabalhosa para estudos quantitativos.57
A microscopia de força eletrostática foi a primeira técnica desenvolvida para pes-
quisar as propriedades elétricas da superfície de materiais e, também, uma das mais
simples. Experiências de detecção de cargas começaram com Martin et al.,5; 86no final
de 1987, e depois com Stern et al.5 em 1988 e por Terris et al.87 em 1989. Tornou-se,
desde então, uma ferramenta poderosa para pesquisa em ciência dos materiais.
A EFM encontra aplicação, por exemplo, em triboeletrificação, fenômeno asso-
ciado à transferência de cargas no contato de diferentes materiais. O contato metal-
-metal é o único que se conhece muito bem, pelo equilíbrio dos níveis de Fermi.
Porém, os contatos metal-isolante ou isolante-isolante são pouco conhecidos e há
muitas divergências na literatura.5 Schonenberger e Alvarado88 depositaram cargas
sobre filmes isolantes de Si3N4 para observar o decaimento do sinal de força eletros-
tática em função do tempo. O decaimento das cargas nesse estudo nanoscópico é
muito mais rápido que o das experiências macroscópicas feitas nos mesmos materiais.
Isso é mais uma evidência de que os mecanismos em nível nanoscópico são, em prin-
cípio, bem diferentes daqueles em nível macroscópico.5
Outro importante campo de aplicação da EFM é a investigação da distribuição
espacial de cargas de polarização e campos elétricos de superfícies ferroelétricas. Sau-
renbach e Terris89 mostraram alterações na distribuição de cargas elétricas na inter-
face de domínios ferroelétricos do Gd2(MoO4)3.
Propriedades elétricas de transporte também podem ser verificadas. F. Ehrbur-
ger-Dolle e Tence90 verificaram em um compósito a presença de ilhas de carbono
condutivo (região escura) dispersas em uma matriz isolante de polietileno de alta
densidade (região clara). Algumas ilhas estavam isoladas, mas muitas estavam conec-
tadas, formando uma rede pela qual a corrente podia fluir.
Recentemente, a EFM vem sendo utilizada para caracterização e visualização
de barreiras de potenciais em sistemas policristalinos não lineares. Marques et al.91
demonstraram a possibilidade de usar a EFM para detectar barreiras de potencial
ativas em amostras cerâmicas varistoras à base de SnO2 para verificar a influência do
tratamento térmico em atmosfera rica ou pobre em oxigênio. A influência de do-
pantes que alterem as barreiras de potencial em varistores também pode ser avaliada
com a EFM.92 Vasconcelos et al.93 utilizaram a técnica para identificar e estimar a
quantidade de barreiras ativas no varistor à base de SnO2, comparando-o ao varistor
comercial de ZnO. Gheno et al.94 caracterizaram o titanato de bário dopado com
ítrio atribuindo o efeito PTC (Positive Temperature Coefficient) para a formação
de barreiras de potencial nos contornos de grão, que foram diretamente observadas
empregando a EFM.
5.2.2. Microscopia de varredura por potencial de superfície (SSPM)

As primeiras medidas de potencial de superfície usando um microscópio de força
atômica foram executadas por Nonnenmacher et al.,95; 96que desenvolveram a micros-
copia Kelvin (KPFM – Kelvin Probe Force Microscopy) para medir o potencial de su-
perfície entre diferentes metais. Desde então, várias melhorias no método básico têm
sido feitas, e hoje a SSPM23; 56; 57; 58; 59; 61 está disponível na maioria dos microscópios
comerciais. Desvantagens na detecção de gradiente de força em EFM, com resposta
em frequência, conduziram ao desenvolvimento da técnica de SSPM, permitindo
uma varredura a certa altura da superfície com alta resolução de potencial (~mV).57
Assim, a compreensão de fenômenos elétricos locais usando SSPM pode proporcio-
nar melhor descrição das propriedades macroscópicas.
A SSPM é semelhante à EFM quanto ao procedimento de varredura em liftmode,
mas difere quanto à forma de excitação do cantiléver. Em SSPM é aplicada uma ten-
são AC na sonda (tip), utilizando-se modulação elétrica do cantiléver para detecção
das forças eletrostáticas.57
O mecanismo de obtenção de imagens de SSPM pode ser descrito utilizando o
esquema apresentado na Figura 2.17. O processo consiste nas seguintes operações:
na primeira passagem da varredura principal em contato intermitente, o cantiléver
é vibrado mecanicamente para coleta de dados topográficos; na segunda passagem
em varredura liftmode, a vibração do cantiléver é desabilitada e uma tensão elétrica
alternada (VAC) é aplicada diretamente no cantiléver e sondas condutoras. Se há uma
diferença de potencial elétrico (ΔV) entre a sonda e a superfície da amostra, então
haverá uma força elétrica motriz no cantiléver, fazendo-o vibrar. Isso permite que
o sistema detecte a frequência (ω) e a amplitude da oscilação do cantiléver. Quanto
maior for a diferença de potencial entre a sonda e a superfície, maior será a força
sobre o cantiléver, aumentando a amplitude de oscilação.
Se a sonda e a amostra estiverem no mesmo potencial (ΔV=0), então não haverá
nenhuma força elétrica atuante no cantiléver e sua amplitude de oscilação será nula.
Por isso, o potencial de superfície local é determinado ajustando uma tensão DC na
sonda (VDC) para igualar com o potencial elétrico na superfície (Vsup), situação na qual
a amplitude de oscilação do cantiléver torna-se nula. A tensão DC aplicada à sonda
é registrada pelo sistema para construir um mapa de potencial da superfície, em que
contrastes na imagem entre claro e escuro estão associados aos potenciais positivos e
negativos, respectivamente.
Portanto, durante a varredura em SSPM, duas componentes elétricas agem sobre
a sonda e o cantiléver, uma DC e outra AC. A componente DC envolve a tensão
ajustável determinada pelo sistema de realimentação (feedback) de acordo com o po-
tencial na superfície. A componente AC é responsável pela oscilação elétrica do can-
tiléver de acordo com a seguinte relação: Vtip = VDC + VAC.sen(ωt).56; 58; 59
Figura 2.17. Esquema de modulação elétrica em liftmode usado por SSPM.
Os tipos de configurações operacionais possíveis usados em SSPM podem en-

volver o aterramento da amostra ou a aplicação de tensão elétrica lateral sobre a
amostra,23 como se vê na Figura 2.18. No primeiro caso, a sonda atua apenas como
um sensor do potencial na superfície, em configuração de 1-terminal (Figura 2.12a).

A amostra deve ser eletricamente conectada ao suporte metálico do porta-amostra
usando condutor epóxi ou tinta de prata. Essa configuração é mais frequentemente
utilizada na EFM. No segundo caso, mais adequado para SSPM, pontas de prova
de uma fonte de tensão externa são presas em contatos apropriados sobre a amostra,
de forma que uma tensão DC aplicada nos eletrodos pode modificar o potencial na
superfície. Para operação normal, deve-se assegurar cuidadosamente que não existirá
qualquer conexão elétrica da amostra com o porta-amostra. Desta forma, medidas
in situ podem ser realizadas pela variação da tensão lateral externa aplicada durante
varredura em configuração típica de 3-terminais (Figura 2.12c).
Figura 2.18. Configuração de SSPM usando (a) amostra aterrada ou

(b) aplicando tensão elétrica lateral.
Considerando as principais aplicações da técnica de SSPM em nanocaracteriza-

ção, pode-se destacar, por exemplo, a possibilidade de detectar e quantificar a diferen-
ça de potencial de contato (Contact Potential Differences) entre diferentes materiais,
relacionado com a função de trabalho. O’Boyle et al.97 demonstraram que a técnica é
capaz de distinguir componentes de uma liga metálica pelas diferenças na função de
trabalho, verificadas pelo forte contraste atribuído ao Al/Cu intermetálico. Enorme
campo de aplicação envolve também a caracterização da distribuição do potencial
de superfície em circuitos integrados funcionais. É possível observar a estrutura da
seção transversal de semicondutores com junções retificadoras tipo p-n e barreiras
Schottky, para identificar a camada de depleção e variações nas áreas dopadas.98;99; 100
A detecção de contaminantes ou defeitos na manufatura de substratos pode ser

realizada por microscopia SSPM. Jiang et al.101 reportaram uma medida direta de
cargas aprisionadas em defeitos cristalinos no Si(111) usando STM e SSPM. O apri-
sionamento de elétrons em degraus de planos atômicos e domínios desordenados
contribuía para o aumento da função de trabalho local.
Barreiras de potenciais nos contornos de grão em materiais policristalinos são im-
portantes nas propriedades eletrônicas de dispositivos como células solares, sensores
de gás e varistores. A variação espacial das barreiras de potenciais pode ser quanti-
ficada usando SSPM, como descrito por Huey e Bonnell.102 Os autores estudaram
a resistência in situ dos contornos de grãos eletricamente ativos do ZnO, simulando
o varistor em operação. Hirose et al.103 estudaram a influência da distribuição de
aditivos em chips varistores à base de ZnO, submetendo as amostras à tensão DC
lateral para observar as variações na altura da barreira de potencial ao longo dos grãos,
devido à não linearidade corrente-tensão do contorno de grão.
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LISTA DE SÍMBOLOS
F – força
k – constante de mola
x – deslocamento vertical do cantiléver
ω – frequência de ressonância
Δω – variações na frequência de ressonância
kef – constante elástica efetiva
ΔV– diferença de potencial elétrico
Vsup – potencial elétrico superficial
VAC – tensão elétrica alternada
VDC – tensão elétrica contínua
3
TÉCNICAS ESPECTROSCÓPICAS DE
CARACTERIZAÇÃO DE NANOMATERIAIS
PRISCILA ALESSIO
Faculdade de Ciências e Tecnologia, Universidade Estadual Paulista – Unesp
PEDRO HENRIQUE BENITES AOKI

LEONARDO NEGRI FURINI

ALVARO ESTEBAN ALIAGA

CARLOS JOSÉ LEOPOLDO CONSTANTINO

TÉCNICAS ESPECTROSCÓPICAS DE CARACTERIZAÇÃO DE NANOMATERIAIS 77
PALAVRAS-CHAVE: espectroscopia; UV-Vis; infravermelho; espalhamento Ra-

man; espalhamento Raman amplificado em superfície; SERS; filmes finos;
organização molecular; nanopartículas; nanoestruturas.
RESUMO: Este capítulo aborda a caracterização de nanomateriais, principal-

mente na forma de nanopartículas e filmes finos com espessura da ordem de
nanômetros. O enfoque está na aplicação das espectroscopias de absorção no
ultravioleta-visível (UV-Vis) e no infravermelho (IR), espalhamento Raman e
espalhamento Raman amplificado em superfície (SERS – Surface-Enhanced
Raman Scattering). De modo geral são apresentados trabalhos da literatura
cuja aplicação das técnicas espectroscópicas possa ser estendida pelo leitor para
investigar os seuspróprios sistemas nanoestruturados. Assim sendo, os artigos
escolhidos são discutidos como estudos de caso, cuja mensagem está nas in-
formações que as técnicas espectroscópicas podem aportar. Os fundamentos
teóricos relacionados com cada técnica, bem como a discussão dos respectivos
sistemas de medida (aparelhos), não foram contemplados.
1. Absorção no ultravioleta visível (UV-Vis)

A espectroscopia de absorção no ultravioleta-visível (UV-Vis) é uma ferramenta
versátil que pode ser aplicada tanto na caracterização quanto na quantificação de
diferentes tipos de materiais orgânicos, inorgânicos, biológicos etc. Uma abordagem
conceitual sobre a técnica deabsorção no UV-Vis pode ser encontrada em literatura
específica como Skoog et al. (2007) e Petrozzi et al. (2013). Em especial, no campo
da nanotecnologia a técnica de absorção no UV-Vis é bastante aplicada em estudos
de sínteses de novos materiais e nanopartículas, com a utilização de tais materiais
como sensores colorimétricos através de estudos de catálise. Além disso, a técni-
ca também é bastante utilizada no monitoramento do crescimento de filmes finos
nanoestruturados crescidos por diferentes técnicas como Langmuir-Blodgett (LB),21

Layer-by-Layer (LbL),24 Langmuir-Schaefer (LS)36 spray-LbL,7 evaporação térmica
a vácuo (PVD – Physical Vapor Deposition),78 entre outras.
1.1. Caracterização de materiais e nanopartículas

A síntese de novos materiais, principalmente baseados em carbono, se tornou um
campo de pesquisa de muito interesse, visando novas propriedades e aplicações.
Podem-se citar os nanotubos de carbono e o grafeno como dois dos materiais mais
investigados nos últimos anos por suas propriedades mecânicas, térmicas e elétri-
cas.48; 69 Na Figura 3.1 pode ser visto o espectro de absorção no UV-Vis de nano-
tubos de carbono multicamadas (MWCNTs – Multi-Walled Carbon Nanotubes)
dispersos em água,20 cujos máximos das bandas de absorção estão em 240-260 nm
(Figura 3.1a) para MWCNTs com diferentes comprimentos (l – grande, m – mé-
dio, s – pequeno). A Figura 3.1b mostra a variação nos espectros de absorção no
UV-Vis de MWCNTs grandes, de acordo com a nomenclatura entre parênteses, em
função de diferentes graus de oxidação. Na Figura 3.1c pode ser vista uma análise
de deconvolução dos espectros de absorção no UV-Vis, o que resolve o espectro
em três principais bandas, sendo a banda 2 a principal, tanto em intensidade como
em largura. Analisando a posição e intensidade desta banda para todas as amostras
de MWCNTs analisadas, os autores puderam concluir que a sua intensidade está
relacionada à variação do grau de oxidação dos MWCNTs e a sua posição com o
comprimento dos MWCNTs. Ou seja, a partir dos espectros resolvidos, é possível
identificar e comparar as amostras MWCNTs de diferentes fontes.20
Figura 3.1. Espectros de absorção no UV-Vis de MWCNTs (a) com

diferentes comprimentos e (b) com diferentes graus de oxidação;
(c) um dos espectros de absorção no UV-Vis de MWCNTs resolvido em três bandas.
Adaptado de Cheng et al. (2011).
Outra área muito investigada em nanotecnologia é a síntese, caracterização e

aplicação de nanopartículas coloidais, tanto de materiais orgânicos, inclusive polí-
meros,84 como de cerâmicas com características magnéticas77 e, principalmente, na-
nopartículas metálicas.55 A técnica de absorção no UV-Vis é a principal ferramenta
espectroscópica utilizada para estudar esses materiais. Uma rota de síntese fotoquí-
mica que pode ser utilizada para controlar o crescimento de nanoprismas de Ag foi
apresentada por Xue e Mirkin (2007). A metodologia consiste simplesmente em
ajustar o pH da solução e excitar com um comprimento de onda específico, o que
permite sintetizar nanoprismas com bandas uniformes e controláveis, abrangendo a
faixa de absorção desde o visível até o infravermelho próximo. A Figura 3.2 mostra
uma foto dos nanoprismas resultantes e os espectros de extinção correspondentes
para o nanoprisma obtido utilizando pH 11,2 e comprimento de onda de excitação
variando entre 488 e 633 nm.
Figura 3.2. Fotos das soluções de nanoprismas de Ag com diferentes

comprimentos de aresta e os correspondentes espectros de absorção no UV-Vis.
Os números dos rótulos dos frascos e dos espectros correspondem ao
comprimento de onda da irradiação utilizada para preparar as
nanoestruturas. Adaptado de Xue e Mirkin (2007).
As propriedades das ressonâncias de plasma de superfície localizadas (LSPR –

Localized Surface Plasmon Resonances) de nanopartículas metálicas influenciam
sua aplicação, como, por exemplo, em estudos de catálise, Raman amplificado em

superfície (SERS – Surface-Enhanced Raman Scattering), e em dispositivos como
biossensores e conversores de energia.40; 54 Os LSPR são característicos de cada me-
tal, uma vez que dependem da relação de ressonância com a radiação incidente. Uma
ilustração desse efeito pode ser vista, por exemplo, nos espectros de absorção no
UV-Vis de nanoestruturas esféricas de Au, Ag e Cu mostrados na Figura 3.3a.54
O espectro dos LSPR é ainda fortemente dependente do tamanho e do formato da
nanoestrutura, além da constante dielétrica do meio. As Figuras 3.3b e 3.3c ilustram
essa dependência da absorção no UV-Vis das nanoestruturas metálicas com o forma-
to e com o tamanho.
Figura 3.3. (a) Espectros de extinção normalizados de nanopartículas esféricas

de Ag (38 ± 12 nm de diâmetro), Au (25 ± 5 nm) e Cu (133 ± 23 nm); (b) espectros
de extinção normalizados para nanopartículas de Ag em formato de cubo, fio e
esfera; (c) espectros de extinção normalizados para nanocubos de Ag em função
do tamanho. O detalhe mostra uma fotografia das três amostras de nanocubos
suspensos em etanol. Adaptado de Linic et al. (2011).
1.2. Catálise
Os materiais nanoestruturados muitas vezes são aplicados como catalisadores em re-
ações químicas. Algumas alterações no formato e no tamanho dos materiais são rea-
lizadas e a influência desses parâmetros na atividade catalítica dos materiais nanoes-
truturados pode ser medida através de análises de absorção no UV-Vis. No trabalho
de Zhang et al. (2010) foi estudada a síntese de microcristais de Cu2O em formatos
de cubo, octaedro e poliedros perfeitos de 26 e 18 faces. A fotodegradação do alaran-
jado de metila foi estudada via absorção no UV-Vis em função dos formatos das es-
truturas obtidas. Os resultados mostram que os poliedros de 26 e 18 faces apresentam
maior adsorção e atividade fotocatalítica do que os octaedros e cubos (Figura 3.4). Os
autores concluíram que esse resultado implica ainda que o desempenho dos catalisa-
dores pode ser aumentado controlando o formato das estruturas, uma vez que o for-
mato determina o número de átomos localizados nas bordas, cantos ou superfícies.90
Figura 3.4. Espectros de absorção no UV-Vis da solução do alaranjado de

metila na presença de Cu2O no formato de (a) octaedros; (b) poliedros de 26
e 18 faces; e (c) curvas da fotodegradação baseadas na intensidade da
absorção no UV-Vis do alaranjado de metila na presença do Cu2O
formando poliedros, octaedros e cubos. Adptado de Zhang et al. (2010).
As nanopartículas de ligas bimetálicas também têm sido utilizadas, uma vez que
apresentam propriedades ópticas e catalíticas que são dependentes da composição e
da sua morfologia.35 Os autores ressaltam que as nanopartículas de ligas bimetálicas,
por características como baixo custo, composição e estrutura ajustáveis, além da alta
estabilidade, podem ser utilizadas como enzimas miméticas em imunoensaios, bio-
catálise e monitoramento ambiental. A Figura 3.5 mostra a influência da composição
das nanopartículas bimetálicas de Pd e Ag na catálise de o-fenilenodiamina (OPD),
tetrametil-benzidina di-hidroclorada (TMB) e 2, 2’-azino-bis-(3-etilbenzo-triazoli-
na-6-ácido sulfônico) sal diamônio (ABTS).35
Figura 3.5. (a) EvoluçÃo dos tons na oxidação de OPD, TMB e ABST catalisadas
por nanocristais de Pd (PdNC) ouAgPd (AgPdNC); e (b) absorbância em 425 nm
como função do tempo após a adição das mesmas alíquotas de PdNCs (curva b) e
AgPdNCs com proporções de Ag/Pd de 1/3 (curva c), 1/1 (curva d), 3/1 (curva e) e de
5/1 (curva f). A curva “a” representa uma experiência de controle sem catalisador.
O detalhe em (b) mostra a dependência da taxa de oxidação de OPD com a razão
de Ag/Pd (linha tracejada), sendo que a linha sólida marca o valor do experimento
controle. Condições de reação: 0,3 MH2O2; 0,3 mM OPD e 26 μM de PdNCs ou
AgPdNCs em 40ºC. Adaptado de He et al. (2010).
1.3. Sensores
As nanoestruturas funcionalizadas têm sido utilizadas como sensores colorimétri-
cos utilizando medidas de absorção no UV-Vis. Por exemplo, nanopartículas de Au
funcionalizadas com glutationa foram utilizadas no desenvolvimento de um sensor
portátil de Pb2+.18 O método permite uma rápida detecção em tempo real de Pb2+, e
os resultados experimentais mostraram que o Pb2+ pode ser detectado com elevada
sensibilidade (100 nM) e seletividade em relação a outros íons de metais pesados
(Hg2+, Mg2+, Zn2+, Ni2+, Cu2+, Co2+, Ca2+, Mn2+, Fe2+, Cd2+, Ba2+ e Cr3+).18
Outra aplicação da técnica de absorção no UV-Vis associada a nanoestruturas

para a utilização como sensor foi apresentada por Li et al. (2010) na detecção de po-
limorfismos de nucleotídeo. Para isso, uma técnica de replicação de DNA chamada
amplificação isotérmica em círculo rolante (RCA) utilizada na detecção altamente
sensível de ácidos nucleicos e proteínas foi combinada com o método colorimétrico
baseado em nanopartículas de Au, tendo atingido limites de detecção da ordem de
femtomol (fM).52
Nanopartículas de Au também foram utilizadas na detecção colorimétrica de me-
lamina em leite.52 O mecanismo para a detecção é baseado na capacidade da melami-
na em induzir a agregação das nanopartículas de Au, resultando em um deslocamen-
to da banda de absorção (LSPR) do azul para o vermelho, como ilustrado na Figura
3.6a. Os limites de detecção encontrados foram de 0,4 mg/L.
Figura 3.6. (a) Representação do mecanismo colorimétrico para a detecção da

melamina. O detalhe mostra as fotos para as soluções (1) 400 mL de nanopartículas
de Au + 20 mL H2O, (2) 400 μL de nanopartículas de Au + 20 μL melamina
(5x10–3g/L), e (3) 400 μL de nanopartículas de Au + 20 μL melamina (20x10–3g/L).
Condições experimentais: 1,4 μM de nanopartículas de Au; tempo de incubação
de 1 min e temperatura ambiente (~20 ºC); e (b) espectros de absorção no UV-Vis
dasnanopartículas de Au na ausência (linha a cheio) e na presença de melamina
(linha tracejada). Adaptado de Li et al. (2010).
1.4. Monitoramento do crescimento de filmes nanoestruturados

O crescimento de filmes finos nanoestruturados pode ser monitorado através da téc-
nica de absorção no UV-Vis a partir de uma aproximação da Lei de Beer-Lambert,
segundo a qual a absorbância é diretamente proporcional à concentração de uma
substância em um meio, seguindo a relação: A = α.l, sendo A a absorbância, a o coe-
ficiente de absorção característico de cada molécula, l a distância que a luz atravessa
(caminho óptico) e c a concentração da substância analisada.72 Assim, para moni-

torar o crescimento dos filmes finos nanoestruturados, um espectro de absorção no
UV-Vis é obtido a cada camada (filmes LB), bicamada (filmes LbL), ou, ainda, para
determinada massa (filmes evaporados, por exemplo) depositada. A relação entre
a absorbância e o número de camadas (ou bicamadas ou massa) pode ser linear ou
não. Uma relação linear indica que a mesma quantidade de material é depositada
no substrato sólido durante a deposição de cada camada ou bicamada. Um exemplo
de crescimento linear pode ser visto nas Figuras 3.7a e 3.7b78 para um filme PVD
e para um filme LB, respectivamente, ambos de ftalocianina de ferro (FePc). Uma
peculiaridade que pode ser observada comparando os perfis dos espectros de absorção
no UV-Vis da FePc é que os espectros são diferentes, o que resulta das diferentes
nanoestruturações (organizações supramoleculares) obtidas através dos diferentes
processamentos característicos de cada técnica de preparação dos filmes finos.
Figura 3.7. Espectros de absorção no UV-Vis para (a) filmes PVD de FePc
para diferentes espessuras em massa; e (b) filmes LB de FePc para diferentes
números de camadas. Os detalhes mostram (a) absorbância em 630 nm
versus espessura em massa para o filme PVD de FePc e (b) absorbância
em 755 nm versus o número de camadas do filme LB de FePc.
Adaptado de Volpati et al. (2008).
Uma relação não linear entre absorbância e número de camadas (ou bicamadas
ou massa) indica a presença de diferentes processos de adsorção controlando o
crescimento do filme. Por exemplo, a Figura 3.8a24 mostra a análise do crescimento
de um filme LbL composto por duas enzimas (glicose oxidase – GOx e invertase
– INV) e um polieletrólito (polialilamina hidroclorada – PAH) em estrutura de
tetracamadas (PAH/GOx/PAH/INV). O crescimento desse filme apresenta um
comportamento de soma de duas funções exponenciais, o que sugere que dois pro-
cessos com distintos tempos característicos estão envolvidos na adsorção do filme.
Os autores compararam o crescimento desse filme bienzimático ao crescimento
dos filmes monoenzimáticos (PAH/GOx) e (PAH/INV), e ambos apresentam
crescimento linear. Dessa forma, o crescimento exponencial do filme em tetraca-
mada deve estar associado à presença simultânea de ambas as enzimas no filme. No
caso do filme bienzimático em estrutura de tricamadas (PAH/GOx/INV) mos-
trado na Figura 3.8b, a relação absorbância e número de tricamadas apresentou
comportamento sigmoidal de Boltzmann, o que não é típico de filmes LbL. Isso
pode ter sido causado pelo rearranjo das biomoléculas em camadas depois que um
determinado número de camadas foi depositado.24
Figura 3.8. (a) Absorbância em 280 nm para o filme LbL em tetracamadas

de PAH/GOx/PAH/INV versus o número de camadas depositadas; e (b) absorbância
em 280 nm para o filme LbL em tricamadas de PAH/GOx/INV versus o número de
camadas depositadas. Adaptado de De Oliveira e De Moraes et al. (2011).
2. Absorção no infravermelho com transformada de

Fourier (FTIR)
2.1. Interações moleculares
Nas últimas décadas, um dos campos mais promissores da ciência dos materiais tem
sido fortemente desenvolvido: a tecnologia de manipulação de materiais em escala
nanométrica. Essa tecnologia tornou possível revisitar materiais cujas características
macroscópicas se mostraram interessantes no passado, exibindo agora propriedades
distintas quando processados em escala nanométrica.17 Na área de filmes finos, a
manipulação em escala nanométrica pode ser obtida pela imobilização de diferentes
materiais por meio de diferentes técnicas.10; 26; 49; 78 Nesse contexto, a espectroscopia
FTIR é uma ferramenta amplamente utilizada na identificação dos materiais que

compõem os filmes, além de fornecer informações como mecanismos de interações
com analitos de interesse e organização molecular.7; 62; 78
Por exemplo, a utilização de fosfolipídios como sistemas miméticos simples
para estudos envolvendo membrana celular é uma abordagem conhecida.6 Filmes
de Langmuir e LB estão entre as principais técnicas para a produção de camadas
ordenadas de fosfolipídios estruturados em mono ou bicamadas em subfase aquosa
e em substratos sólidos. No entanto, as dificuldades encontradas na produção de
filmes LB contendo multicamadas de fosfolipídios limita a aplicação dessa técnicas
dependendo da sensibilidade da análise experimental a ser realizada. Dessa forma,
o desenvolvimento de metodologias que permitam a deposição de multicamadas de
fosfolipídios é desejado. No trabalho de Aoki et al. (2009) foi demonstrada a possi-
bilidade de deposição de multicamadas LB do fosfolipídio dipalmitoilfosfatidilglice-
rol (DPPG) pela adição do polieletrólito poli(hidrocloreto de alilamina) (PAH) em
subfase aquosa. As isotermas de pressão de superfície versus área molecular média
demonstram que o polieletrólito tende a interagir com a monocamada fosfolipídica.
Em seguida, espectros FTIR foram obtidos para os filmes LB contendo multica-
madas de (DPPG+PAH) e comparadas com os espectros FTIR dos filmes cast de
DPPG e PAH, como exibido na Figura 3.9. As principais diferenças encontradas
nos espectros do filme LB foram os deslocamentos das bandas atribuídas ao grupo
PO4–(1221, 1094 e 1048 cm–1) do DPPG e NH3+ (1551 e 1607 cm–1) do PAH, quan-
do comparadas com os filmes cast. Essas diferenças indicam fortemente a existência
de interações eletrostáticas entre DPPG (PO4–) e PAH (NH3+) responsáveis pelo
crescimento de multicamadas LB de (DPPG+PAH), como exibido no detalhe da
Figura 3.9.
Centurion et al. (2012) relataram a fabricação de filmes finos com elementos ati-
vos para o desenvolvimento de sensores de umidade. Para isso, filmes nanoestrutura-
dos de ftalocianina tetrassulfonada de cobalto (CoTsPc) depositada em camadas al-
ternadas dos polieletrólitos poli(amidoamina) dendrímero (PAMAM) e PAH foram
fabricados utilizando a técnica LbL.26 As medidas de FTIR revelaram a existência
de interações eletrostáticas entre os grupos sulfônicos da CoTsPc e aminas dos po-
lieletrólitos, fundamentais no crescimento dos filmes. Interações mais fortes, como
ligações covalente, também podem ser responsáveis pelo crescimento de filmes LbL.
Nesses casos, as alterações nos espectros FTIR são mais intensas, incluindo, além dos
deslocamentos e variação da intensidade relativa de bandas, o desaparecimento e/ou
surgimento de novas bandas. No trabalho de Hu et al. (2011), filmes LbL contendo
multicamadas são depositados por meio de ligações covalentes alternadas, visando
aplicação na liberação controlada de agentes terapêuticos.
Figura 3.9. Espectro FTIR para 17 camadas LB de (DPPG+PAH) depositadas

sobre ZnSe. Os espectros FTIR dos filmes cast de PAH e de DPPG são dados como
referência. O detalhe ilustra a arquitetura molecular proposta para os filmes LB
contendo (DPPG+PAH). Adaptado de Aoki et al. (2009).
Crespilho et al. (2009) descreveram a síntese de materiais híbridos biológicos em

que nanoestruturas 3D foram obtidas utilizando nanopartículas de Au (AuNPs) e
metionina (Met). A Met é um aminoácido essencial em proteínas e responsável pela
biossíntese molecular. O tipo de nanoestrutura formada pode ser controlado por
meio das interações intermoleculares entre Met e AuNPs, as quais dependem forte-
mente do pH utilizado durante a síntese. A compreensão dos mecanismos envolvidos
na formação dessas nanoestruturas híbridas não é simples, uma vez que podem ocor-
rer interações não específicas (eletrostáticas), específicas (ligação de H) e até mes-
mo processos de reconhecimento molecular. Dessa forma, a espectroscopia FTIR
e simulações computacionais foram utilizadas para a determinação das interações
AuNPs-Met que permitem a formação das nanoestruturas híbridas. O objetivo foi
comparar os espectros FTIR da Met com os espectros da nanoestrutura AuNPs-Met
buscando por alterações espectrais que pudessem indicar possíveis interações. Os
resultados mostram que em um primeiro estágio AuNPs e Met interagem via grupos
sulfônicos, como ilustrado na Figura 3.10. Em um segundo estágio as nanoestruturas
3D são formadas mediante reorientação das moléculas de Met, de modo que os seus
grupos amina interagem através de ligações de H.
Figura 3.10. Representação esquemática dos mecanismos de interação

entre AuNPs e Met. Adaptado de Crespilho et al. (2009).
2.2. Orientação molecular

Semicondutores orgânicos vêm sendo aplicados com sucesso em optoeletrônica e
em dispositivos eletrônicos, tais como células solares, transistores de efeito de cam-
po (FET) e diodos emissores de luz (LED).4; 22; 87 A aplicação desses materiais em
dispositivos eletrônicos pode ser feita na forma de filmes finos. Assim, a organização
molecular dos filmes desempenha um papel importante nas propriedades elétricas,
ópticas, e, consequentemente, no desempenho do dispositivo. Assim, a espectrosco-
pia vibracional, envolvendo FTIR e espalhamento Raman, é uma ferramenta impor-
tante para a caracterização estrutural dos filmes finos.27; 43
A organização molecular pode ser determinada a partir de espectros FTIR obti-
dos no modo reflexão e transmissão, combinados com as regras de seleção de super-
fície12; 13; 25 descritas brevemente a seguir: i) no modo transmissão o campo elétrico
da radiação incidente é paralelo à superfície do substrato (E//) uma vez que a direção
de propagação do feixe de radiação é perpendicular à superfície do substrato; ii) no
modo reflexão, considerando o metal utilizado (Ag ou Au) e o ângulo de incidência
da radiação (~80 °), o campo elétrico é polarizado preferencialmente perpendicular

à superfície do substrato (E⊥). Os modos de transmissão e reflexão são exibidos nas
Figuras 3.11a e 3.11b, respectivamente, adaptadas de Volpati et al. (2008); iii) a
intensidade (I) da radiação absorvida é dada pelo produto escalar entre o campo elé-
trico (E) e a variação do momento de dipolo molecular (μ), ou seja, I = E ⋅ μ. Uma
vez que a direção do campo elétrico da radiação incidente é conhecida nos modos de
transmissão e reflexão, a organização molecular pode ser determinada usando bandas
de FTIR cujas componentes de μ são bem estabelecidas. Assim, a componente de μ
paralela à superfície do substrato é mais forte no modo transmissão (E// é paralelo a
μ) e a componente de μ perpendicular à superfície do substrato é mais forte no modo
reflexão (E⊥ é paralelo a μ); (iv) o espectro do material em pó (pastilha de KBr) é
fornecido como um sistema de referência para orientação molecular aleatória.
Figura 3.11. (a) Modo transmissão: campo elétrico (E//) da luz paralela
à superfície do substrato; e (b) modo reflexão: o ângulo de incidência da luz (~80 °)
maximiza a componente do campo elétrico (E^) perpendicular à superfície
do substrato. Adaptado de Volpati et al. (2008).
O trabalho de Volpati et al. (2008) traz um exemplo de determinação de orienta-

ção molecular para filmes finos do semicondutor orgânico bis-benzimidazoperileno
(AzoPTCD) depositado por evaporação térmica a vácuo (PVD). A Figura 3.12a
exibe os espectros obtidos nos modos transmissão e reflexão para o filme PVD de
AzoPTCD com 40 nm de espessura. O espectro FTIR coletado no modo trans-
missão para o pó de AzoPTCD disperso em pastilha de KBr é exibido como re-
ferência. As diferenças entre as intensidades relativas dos espectros do filme PVD
(nos modos transmissão e reflexão) sugerem uma forte anisotropia nesses filmes
em termos de organização molecular. Por exemplo, a componente μ das bandas em
748 cm–1 e 1682 cm–1 (vibração C-H wagging e estiramento antissimétrico C=O,
respectivamente) é exibida na Figura 3.12b. Considerando que a intensidade relativa
da banda em 748 cm–1 é mais forte no modo de transmissão (Figura 3.12a), pode-se
concluir que a molécula de AzoPTCD é encontrada preferencialmente com o plano
do cromóforo perpendicular à superfície do substrato. Além disso, a banda em 1682
cm–1 tem uma intensidade relativa muito maior no modo transmissão do que refle-
xão, onde é apenas um ombro (Figura 3.12a). Isso não só confirma que o AzoPTCD
se organiza preferencialmente perpendicular ao substrato, mas também que a molé-
cula está apoiada pelo seu eixo maior, como ilustrado na Figura 3.12b.
Figura 3.12. (a) Espectros FTIR obtidos no modo transmissão para o pó de

AzoPTCD disperso em pastilha de KBr e para um filme PVD com 40 nm de
espessura depositado sobre ZnSe. Espectro FTIR no modo reflexão obtido
para um filme PVD com 40 nm de espessura depositado sobre espelho de Au;
e (b) componente μ das vibrações C-H wagging (fora do plano) e estiramento
C = O (no plano), além da organização molecular determinada para
os filmes PVD de AzoPTCD. Adaptado de Volpati et al. (2008).
A organização molecular não é regida apenas pelas forças atrativas e repulsivas

entre as moléculas relacionadas com as suas estruturas químicas. Fatores experimen-
tais, tais como a taxa de deposição dos filmes, temperatura do substrato e nível de
vácuo, podem ser ajustados para induzir diferentes organizações moleculares. Fatores
externos em que os filmes são expostos também podem influenciar a organização
molecular. Zanfolim et al. (2010) demonstraram os efeitos na organização molecular
de filmes PVD de ftalocianina de zinco (ZnPc) com o aquecimento dos filmes a uma
temperatura de 200 °C em atmosfera ambiente durante 2 horas. Antes do aqueci-
mento dos filmes foi determinado que as moléculas de ZnPc estão preferencialmente
organizadas com o anel do macrociclo perpendicular à superfície do substrato, como
ilustrado na Figura 3.13a. Após o aquecimento, foi observada uma alteração drástica
na organização molecular do filme. As moléculas de ZnPc assumiram uma organiza-
ção com o macrociclo praticamente paralelo à superfície do substrato, como exibido
na Figura 3.13b.
Figura 3.13. Organização molecular de filmes PVD de ZnPC (a) antes e

(b) depois do aquecimento a 200oC por 2 horas.
As técnicas de fabricação de filmes finos também são um fator importante na

organização molecular. Diferentes técnicas podem induzir diferentes organizações
moleculares. Esse é o caso do trabalho relatado por Volpati et al. (2008) em que
filmes finos da ftalocianina de ferro (FePc) foram fabricados pelas técnicas PVD,
LB e LbL. Apesar de os filmes serem compostos pelo mesmo material, a organiza-
ção molecular em cada filme apresentou-se diferente. Os filmes LbL mostraram-se
isotrópicos, ou seja, não apresentaram organização molecular. Nos filmes PVD as
moléculas de FePc estão organizadas preferencialmente entre 45 o e 90 o com relação
ao substrato. Já nos filmes LB as moléculas de FePc encontram-se preferencialmente
entre 0 e 45 o também em relação ao substrato.
Essa abordagem é utilizada para determinar a organização molecular em filmes
finos de diferentes classes de materiais, incluindo não só moléculas pequenas, como
ftalocianinas3; 88 e perilenos,28 mas também macromoléculas, como ligninas61; 63 e po-
límeros luminescentes.31
3. Espalhamento Raman
3.1. Nanomateriais à base de carbono
A espectroscopia Raman, determinada pelo espalhamento inelástico da luz que in-
cide em um material qualquer, é muito utilizada na caracterização de materiais em
diversas áreas por ser uma técnica não destrutiva, rápida, eficiente e de fácil manipu-
lação. Com o desenvolvimento de materiais em escala nanométrica, a espectroscopia
Raman tem sido amplamente aplicada na caracterização dessas nanoestruturas. Ma-
teriais à base de carbono, por exemplo, podem ser caracterizados por espectroscopia
Raman para indicar a formação de nanoestruturas. Nanopoliedros de carbono oco,
sintetizados a baixa temperatura,91 são caracterizados pela presença da banda D em
1328 cm–1 atribuída à presença de defeitos e desordem em materiais carbonáceos e

pela banda G em 1579 cm–1 atribuída ao estiramento C-C. Um parâmetro utiliza-
do para avaliar o grau de desordem é a razão ID/IG (ID e IG são as intensidades das
bandas D e G, respectivamente).91 No caso dos nanopoliedros, a razão ID/IG é de
1,15, indicando a ausência de ordem de longo alcance, comprovando a formação de
nanoestruturas.91
Grafites com propriedades ferromagnéticas foram estudados por espectroscopia
Raman no trabalho de Pardo et al. (2012). Os autores propuseram um método
para modificar o grafite e obter grafite ferromagnético estável a temperatura am-
biente. Os grafites são modificados através de uma oxidação controlada com óxido
de cobre (CuO). A caracterização por Raman, com fonte de laser em 514,5 nm,
é feita com dois tipos de grafite (modificado e não modificado). No espectro do
grafite modificado surge uma banda em 3480 cm–1 atribuída à propriedade ferro-
magnética. O caráter ferromagnético é obtido com a introdução de defeitos como
poros e surgimentos de quinas que também são reveladas pelo espectro Raman. O
aumento da intensidade da banda D sugere o aumento de desordem e diminuição
no tamanho dos grãos, corroborado pela comparação da razão ID/IG entre grafite
modificado e não modificado.
Ainda em relação a materiais carbonáceos, a espectroscopia Raman pode ser apli-
cada para avaliar as características elétricas de uma dupla camada.19 O dispositivo
(capacitor) é estruturado com uma folha de carbono em que é depositada nanoes-
trutura de carbono (CNW – Carbon Nanowall) seguida por deposição de filme de
Ni.19 O dispositivo é aquecido até 750 ºC para formação de nanopartículas de óxido
de níquel (NiO). A Figura 3.14a-c apresenta imagens de microscopia eletrônica de
varredura (SEM – Scanning Electron Microscopy) da folha de carbono antes e após
a imobilização de nanoestruturas de carbono (CNW/folha de carbono), seguida da
síntese de NiO sobre CNW (NiO/CNW/folha de carbono), enquanto os destaques
mostram um zoom da região. A Figura 3.14d apresenta espectros Raman da CNW/
folha de carbono (espectro I) e NiO/CNW/folha carbono (espectro II). Os resulta-
dos mostram duas bandas principais, banda G em 1586 cm–1 atribuída, nesse caso,
à presença de grafite com ligações sp2-C, e a banda D em 1352 cm–1, atribuída à
desordem do sistema. CNW/folha de carbono apresenta a banda em 1352 cm–1, mais
intensa que em 1586 cm–1. Após a fixação de Ni e formação das nanopartículas de
NiO a banda em 1352 cm–1 torna-se menos intensa que a banda em 1586 cm–1. A
presença da banda em 570 cm–1, em destaque na Figura 3.14d, é atribuída à presença
das nanopartículas de NiO.
Figura 3.14. Imagens de SEM de (a) folha de carbono; (b) CNW/folha de carbono;
(c) NiO/CNWs/folha carbono. Espectros Raman; e (d) CNW/folha
de carbono (espectro I) e NiO/CNWs/folha carbono (espectro II).
Adaptado de Chang et al. (2012).
Um dos materiais mais divulgados no ramo da nonociência e que chama a atenção

pelas propriedades elétricas e mecânicas, além da estabilidade química, são os nanotu-
bos de carbono. Através da espectroscopia Raman, é possível determinar parâmetros
como diâmetro dos nanotubos,33 interações entre nanotubo-nanotubo65 e condutivida-
de térmica. As análises são feitas, geralmente, considerando a posição, a intensidade e a
largura a meia altura dos picos. Os nanotubos de carbono podem ser de paredes simples
(SWCNTs) ou paredes múltiplas (MWCNTs). A determinação da condutividade tér-
mica é feita analisando-se o deslocamento da posição da banda G, atribuída à expansão
térmica e ao enfraquecimento da ligação C-C.45 A Figura 3.15 mostra a dependência
da banda G em relação à temperatura. Os resultados indicam que a banda G se desloca
para menores comprimentos de onda com o aumento da temperatura. SWCNTs pro-
duzidos por descarga de arco foram os que apresentaram os maiores valores de condu-
tividade térmica, 65,9 W/mK.45 De modo geral, SWCNTs em pó caracterizados por
espectroscopia Raman apresentam algumas bandas específicas localizadas em torno de
160 e 1590 cm–1 quando irradiados com laser em 1064 nm.65 Bandas localizadas em
baixas frequências são fortemente dependentes do diâmetro do nanotubo.
Figura 3.15. Espectro Raman monitorando a banda G em função da variação

da temperatura (esquerda); gráfico da posição da banda G em função da
temperatura (direita). O destaque mostra uma imagem de microscopia eletrônica
de transmissão (TEM – Transmission Electron Microscopy) de um nanotubo de
carbono utilizado (SWCNT). Adaptado de Kim et al. (2011).
Também é possível a caracterização de nanotubos de carbono formando estru-

turas ou compósitos com características híbridas, sendo a espectroscopia Raman
útil para avaliar as possíveis interações químicas ou físicas entre os materiais. Por
exemplo, Bokobza e Zhang (2012) caracterizaram MWCNTs puros e compósitos
de MWCNTs/borracha. Efeitos da irradiação do laser sobre a amostra também são
investigados. MWCNTs foram adquiridos comercialmente e imobilizados em uma
matriz de um elastômero (borracha de estireno-butadieno). Os espectros Raman fo-
ram coletados com laser 514,5 nm. Como já discutido, em nanotubos de carbono
existem duas bandas principais localizadas em 1580 cm–1 (banda G), atribuída à vi-
bração no plano da ligação C-C com um ombro em 1604 cm–1 (banda D’), e a banda
em 1342 cm–1 (banda D), atribuída à desordem da estrutura. Também há a banda
G’ atribuída ao overtone da banda D. Quando avaliado o efeito da interação entre
os MWCNTs, comparando espectros dos MWCNTs dispersos aos não dispersos,
estes últimos são deslocados para maiores comprimentos de onda, indicando menor
interação entre eles. O espectro Raman do compósito MWCNTs/borracha é do-
minado basicamente pelo MWCNTs. As bandas referentes à matriz são deslocadas
também para maiores comprimentos de onda devido às limitações físicas das cadeias
do polímero introduzidas pelos MWCNTs. Uma característica é a dependência li-
near da energia da fonte de excitação em relação ao número de onda das bandas D
e G’. Variando a fonte de excitação de 785 para 514,5 e 457,9, o número de onda
da banda D aumenta, porém a relação ID/IG diminui, indicando um comportamento
dispersivo de energia. O efeito da temperatura também foi avaliado mantendo laser
com comprimento de onda de 514,5 nm e irradiando os MWCNTs com 1, 10, 25,
50 e 100 % da potência máxima (10 mW). Os autores notaram que a intensidade da
banda depende da potência, sendo mais intensa com o aumento da potência, e que
para maiores potências (maior temperatura) ocorre um deslocamento para menores
comprimentos de onda de ambas as bandas (G e D). Esse processo é reversível, não
causando danos aos MWCNTs.
Quanto às interações físicas, a espectroscopia Raman é sensível a SWCNTs ligados a
nanopilares ordenados de Si ou SiO2 sobre substratos de Si.47 Os sinais Raman são mais
intensos quando os SWCNTs estão ligados aos pilares, além de aparecerem novas ban-
das em regiões de baixa frequência, indicando a ligação aos pilares.47 A funcionalização de
nanotubos através de dopagem também pode ser detectada por espectroscopia Raman.
SWCNTs são semicondutores de tipo p ou n, dependendo da funcionalização. Suzuki
et al. (2011) reportaram a caracterização de SWCNTs dopados com boro, tornando um
semicondutor tipo p e nitrogênio tipo n. A funcionalização através de tratamento áci-
do dos MWCNTs também pode ser medida57 pelo aumento da razão ID/IG de 1,36
(MWCNTs puros) para 1,7 (MWCNTs funcionalizado).
3.2. Nanomateriais a partir de metais

A espectroscopia Raman também pode ser utilizada para caracterizar diferentes na-
noestruturas feitas a partir de um mesmo composto, por exemplo, sulfeto de zin-
co (ZnS).46 Diferentes nanoestruturas de ZnS, como nanofios, nanopentes e na-
nocintos, foram estudadas e caracterizadas por espectroscopia Raman. As imagens
de SEM das nanoestruturas são apresentadas nas Figuras 3.16a-c. Os nanofios são
mostrados na Figura 3.16a, os nanopentes na Figura 3.16b e os nanocintos na Fi-
gura 3.16c. Os espectros Raman das nanoestruturas são mostrados na Figura 3.16d
para nanofios, Figura 3.16e para nanopentes e Figura 3.16f para nanocintos. As três
estruturas (nanofios, nanopentes e nanocintos) foram irradiadas com duas energias
da fonte de excitação (1,96 e 2,71 eV, que se referem a 632,8 e 457,9 nm, respectiva-
mente). A análise da espectroscopia Raman indicou que a razão sinal/ruído para os
nanofios é menor quando irradiado com 2,71 eV, além de mostrar mais bandas entre
200-300 cm–1. O pico em 521 cm–1 deve-se ao substrato de Si, e o desaparecimento
desse pico nos outros espectros deve-se ao denso crescimento de nanopentes e nano-
cintos. A mudança do número de onda de 350,2 para 349,2 cm–1 durante a formação
de nanocintos indica a geração de tensão elástica.
Figura 3.16. Imagens de SEM dos a) nanofios, b) nanopentes e c) nanocintos.

Espectros Raman de d) nanofios, e) nanopentes e f) nanocintos excitados
com 1,96 eV e 2,71 eV. Adaptado de Kim et al. (2012).
A presença de defeitos nas superfícies de nanomaterias torna-os capazes de ad-

sorver O2, e através da espectroscopia Raman é possível monitorar a presença desse
gás. Wu et al. (2010) caracterizaram nanocristais de CeO2 com diferentes formas:
nanohastes, nanocubos e nano-octaedros. As imagens de TEM (com alta resolução)
das nano-hastes são mostradas nas Figuras 3.17a-b, nanocubos nas Figuras 3.17c-d
e nano-octaedros nas Figuras 3.17e-f. Na caracterização por espectroscopia Raman
foram utilizadas duas fontes de excitação, 532 e 325 nm. Os resultados foram me-
lhores com fonte de excitação em 325 nm devido ao efeito Raman ressonante. CeO2
apresenta uma banda principal em 462 cm–1 e três menos intensas em 258, 595 e
1179 cm–1. Nas nano-hastes ocorre um alargamento da banda em 462 cm–1 devido à
distribuição de tamanhos das nanoestruturas. A caracterização dos defeitos presentes
na superfície foi feita pela presença de O2 adsorvido. Os resultados indicam que nas
amostras calcinadas (aquecidas) não foram observadas bandas Raman devido à pre-
sença de O2 adsorvido. Isso indica que em amostras oxidadas não ocorre adsorção de
O2 e amostras que foram submetidas à redução adsorvem O2. A Figura 3.17g mostra
espectros Raman das nano-hastes reduzidas e aquecidas em 673, 773 e 873 K. O es-
pectro Raman da amostra submetida a redução após aquecimento a 673 K apresenta
três bandas 1139, 862 (ombro) e 830 cm–1 atribuídas a O2 adsorvido na superfície. No
espectro Raman da amostra reduzida após aquecimento de 773 K a banda em 1139
cm–1 mal é observada, e o ombro em 862 cm–1 é mais intenso quando comparado
com a banda principal em 830 cm–1. Não foram observadas bandas de O2 adsorvido
em amostras tratadas a 873 K. Quando é utilizado 18O2 em vez de 16O2, as bandas em
830 e 862 cm–1 deslocam-se para 782 e 813 cm–1, conforme a Figura 3.17g. Portanto,
a espectroscopia Raman mostra-se uma técnica útil para a caracterização de defeitos
presentes na superfície de nanomateriais. Roro et al. (2012) reportaram MWCNTs
quimicamente funcionalizados e misturados com solução de NiO. Espectros Raman
foram obtidos dos MWCNTs puros, funcionalizados (f-MWCNTS) e dos nano-
compósitos com NiO (f-MWCNTs/NiO). Os resultados revelaram que os picos das
bandas D e G se tornam mais largos, e a razão ID/IG torna-se maior para os nano-
compósitos quando comparado aos f-MWCNTs, indicando que aumenta o número
de defeitos nos nanocompósitos.
Figura 3.17. Imagens de TEM das nano-hastes (a-b), nanocubos (c-d) e

nano-octaedros (e-f). Espectros Raman das nano-hastes reduzidas com
tratamento térmico, seguido de adsorção de O2. Os asteriscos indicam
a presença de nitrato/fosfato. Adaptado de Wu et al. (2010).
A espectroscopia Raman pode ser aplicada para a determinação das transições de

fase de nanotubos de carbono56 e na investigação da cristalinidade de nano-materiais e
materiais nanoestruturados. No caso de nanomateriais, nanohastes de óxido de zinco
(ZnO) e hematita (α – Fe2O3), Najjar et al. (2011) apresentam uma banda larga e vi-
sível entre 300 e 600 cm–1 quando comparadas a ZnO sem nanopartículas. Isso sugere
a quebra de simetria do cristal causada por defeitos ou impurezas. Com o acoplamento
de um AFM ao espectrógrafo Raman foi possível determinar a orientação, a cristali-
nidade e a composição de uma única nano-haste de α–Fe2O3. Ainda na caracterização
dos nanomateriais a espectroscopia Raman foi utilizada para caracterizar fases crista-
linas: hexagonal e cúbica de nano-hastes de óxido de gadolínio dopadas com európio
(Gd2O3:Eu3+).29 Enquanto a fase cúbica apresenta várias bandas localizadas em torno
de 137, 308, 389 e 489 cm–1, a fase hexagonal apresenta apenas a banda em 359 cm–1.
Em relação a materiais nanoestruturados, Zanfolim et al. (2010) aplicaram a es-
pectroscopia Raman para caracterizar filmes de ftalocianina de zinco (ZnPc) cresci-
dos pela técnica PVD. Os espectros Raman da ZnPc em pó apresentam duas bandas
(420 e 717 cm–1) que não estão presentes nos filmes com 40 e 400 nm e outras bandas
têm suas intensidades afetadas. Além disso, a similaridade entre os espectros dos
dois filmes indica que estes possuem a mesma estrutura cristalina sendo diferente da
presente no pó. A espectroscopia Raman também foi aplicada para estudar o efeito
da temperatura na cristalinidade dos filmes. Foram coletados espectros Raman dos
filmes de 40 e 400 nm de espessura antes e depois do aquecimento. Os resultados
indicam que a cristalinidade dos filmes de 400 nm é afetada pelo aquecimento, en-
quanto a do filme de 40 nm não. Os resultados de espectroscopia Raman mostraram
ainda que vapor de gasolina interage quimicamente com ftalocianina, sendo possível
a aplicação desse filme como transdutor em sensores de gás.
Outras propriedades dos nanomateriais também podem ser estudadas por es-
pectroscopia Raman, como propriedades mecânicas de nanofios de silício (SiNWs
– silicon nanowires)44 e distribuição de tamanho de nanocristais. Georgescu et al.
(2012) trabalharam com aerogel de óxido de titânio (TiO2). Os cálculos são realiza-
dos tomando-se a posição do pico e a largura da banda a meia altura de três bandas
principais em 144, 398 e 638 cm–1. A banda em 144 cm–1 é mais suscetível a mu-
danças na estrutura cristalina da amostra, e a banda em 398 cm–1 é mais sensível à
variação no tamanho dos nanocristais, sendo deslocada para menores comprimentos
de onda com o aumento no tamanho dos nanocristais. Em relação à largura a meia
altura, a banda mais sensível foi a de 638 cm–1, em que a largura tende a diminuir
com o aumento no tamanho do nanocristal.
A espectroscopia Raman pode ser aplicada para avaliar a dopagem em polímeros
condutores. Zucolotto et al. (2006) investigaram filmes finos de polianilina (PANI)
com três ftalocianinas: ferro (FeTsPc), níquel (NiTsPc) e cobre (CuTsPc) crescidos
pela técnica LbL. Os espectros Raman foram capazes de mostrar a dopagem primá-
ria, devido à protonação, e a secundária, devido a mudanças estruturais e conforma-
cionais na cadeia da PANI. A interação que permite o crescimento dos filmes LbL
é a interação entre os grupos SO3– das ftalocianinas e NH da PANI. A semelhança
entre os espectros indica que não foi a ftalocianina que induziu a dopagem secundá-
ria. Já no trabalho de Silva et al. (2012) sobre filmes finos híbridos de óxido semicon-
dutor (nanoespirais de hexaniobato) e PANI, os espectros Raman indicaram que o
óxido semicondutor é capaz de induzir a dopagem secundária na PANI, melhorando
ainda mais sua propriedade condutora.
A fotodegradação de vermelho do congo (CR) também pode ser estudada por
espectroscopia Raman. CR foi adsorvido sobre a última camada de filmes finos com
nanopartículas de dióxido de titânio (TiO2) com polieletrólitos como a polialilami-
na hidroclorada (PAH) e poliestireno sulfonatado de sódio (PSS) com arquitetura
PAH/PSS/TiO2(PSS/TiO2)5.68 O filme foi irradiado com luz ultravioleta durante
24 horas e então obtidos espectros Raman, revelando o surgimento de novas bandas
atribuídas ao processo de oxidação do CR. As bandas características do CR em 1595
(anel fenil), 1457 (estiramento N=N) e 1155 cm–1 aparecem com muito baixa inten-
sidade após a irradiação, indicando fotodegradação e fotoisomerização. Em adição,
espectros Raman foram obtidos de TiO2 na fase anatase comprado comercialmente
e do filme LbL PAH/PSS/TiO2(PSS/TiO2)5. Os resultados indicam que as bandas
presentes no filme são mais largas e deslocadas para o vermelho em relação à TiO2
pura. Esse fenômeno é atribuído à quebra da regra de seleção dinâmica dos fônons,
atribuídas a sistemas ordenados.
4. Espalhamento Raman amplificado em superfície (SERS)

Os materiais nanoestruturados mostram vantagens comparativas quanto a eficiência
e estabilidade quando comparados em termos de determinadas propriedades rela-
cionadas com o volume (bulk) do material. Nas seções anteriores foram mostradas
aplicações das técnicas espectroscópicas de absorção no UV-Vis e IR, além de espa-
lhamento Raman, para obter informação molecular dos materiais nanoestruturados,
com ênfase em transições eletrônicas, interações, orientação molecular e identifica-
ção estrutural de analitos específicos. Em particular, o espalhamento Raman não é
destrutivo, mas tem uma seção de choque relativamente baixa em relação a processos
de absorção e emissão, dificultando a caracterização de sistemas como soluções di-
luídas ou estruturas de tamanho nanométrico como os filmes ultrafinos. Porém, es-
ses sistemas podem ser misturados com nanoestruturas metálicas, isto é, as soluções
diluídas em coloides metálicos e os filmes finos depositados sobre superfícies me-

tálicas rugosas, obtendo assim a intensificação do sinal Raman em um fator de até
107. Esta técnica espectroscópica é conhecida como SERS (espalhamento Raman
amplificado em superfície). Os fundamentos e as regras de seleção da espectroscopia
SERS, além da preparação de nanopartículas metálicas, se encontram amplamente
descritos.9; 67 Jensen et al. (2008) publicaram uma revisão em que mencionam quatro
mecanismos de intensificação (CHEM, resonance, CT, EM) baseados em processos
ressonantes e não ressonantes.
O desenvolvimento de uma ampla variedade de materiais nanoestruturados re-
quer estratégias de controle da química da superfície e síntese de nanopartículas na
busca de propriedades específicas (adsorção, transferência eletrônica, estabilidade
etc.), compatíveis com o que se deseja. Desse modo, uma ampla gama de mate-
riais nanoestruturados pode ser caracterizada por espectroscopia SERS quando: i) se
misturam com nanopartículas metálicas, ii) se depositam sobre superfícies metálicas
rugosas, iii) se recobrem com filmes evaporados de metal e iv) mergulham em solu-
ção de íon metálico para induzir a redução química com o laser de excitação. Nesta
seção será abordada a caracterização SERS, enfocando a identificação molecular de
analitos sobre nanoestruturas metálicas ou incorporados em materiais nanoestrutu-
rados em unidades sensoriais, circuito eletrônico, material biológico e patrimônio
histórico.
4.1. Unidades sensoriais e nanoestruturas metálicas

Diversos sistemas nanoestruturados são fabricados como sistemas multicomponentes
misturando materiais orgânicos e inorgânicos, por exemplo, borracha natural/na-
nopartículas de Au,16 nanotubos de carbono de parede simples (SWNTs)/nano-
partículas de Ag ou Au/polietilenoglicol (PEG),81 nanopartículas de Au/óxido de
grafeno (Au-GO).39 A imobilização de compostos específicos permite melhorar as
propriedades de adsorção do analito na superfície. Nessa perspectiva, a técnica SERS
permite identificar os nanomateriais da unidade sensorial e/ou analitos detectados
em baixa concentração, possibilitando ainda inferir a orientação molecular sobre a
estrutura metálica.
Para detectar o fármaco azul de metileno (MB) e evidenciar a interação com
estruturas fosfolipídicas tipo modelo simples de membrana biológica, Aoki et al.
(2010) elaboraram uma unidade sensorial depositando camadas de fosfolipídios so-
bre eletrodos interdigitados de Pt mediante a técnica LbL. Medidas de FTIR das
camadas LbL mostram deslocamentos nos sinais (comparadas com depósito por cast)
para os grupos fosfato de cardiolipina CLP (νass PO2: 1235 a 1215 cm–1) e os grupos
amino do cloridrato de polialilamina PAH (δNH3: 1514 Æ1536 cm–1 e 1613 a 1638
cm–1). Medidas de impedância possibilitam a detecção do MB em baixa concentra-
ção (10–7, 10–9 e 10–11 M). Estes resultados permitem inferir que a adsorção de MB
na superfície do fosfolipídio CLP é favorecida pela interação eletrostática dos grupos
fosfato. Para obter informação estrutural com a técnica SERS, CLP foi misturada
a nanopartículas de Ag (AgNPs), as quais alteram a resposta elétrica nas medidas
de impedância do sensor a partir da mudança no balanço de carga na superfície. Na
Figura 3.18 se apresentam os espectros Raman ressonante (RRS) e SERRS (RRS +
SERS) de MB adsorvido na unidade sensorial com e sem AgNPs, respectivamente.
MB apresenta absorção de luz na faixa visível, processo em ressonância com o laser de
excitação 633 nm. As bandas SERRS de maior intensidade se mostram a 1623 cm–1
(ν C=C), 1500 e 1302 cm–1 (δring. C-C), 1393 cm–1 (ν C-N=C), além de 1156 cm–1 (δ
CH). Pode-se inferir o nível de agregação de MB a partir da intensidade relativa das
bandas entre 450 e 500 cm–l (monômeros) e 480 cm–1 (estruturas agregadas). Espé-
cies monoméricas adsorvidas na unidade sensorial somente são detectadas mediante
SERRS (RRS não é possível), podendo obter fator de intensificação do sinal Raman
em um valor de 2x103 (banda 1627 cm–1).
Figura 3.18. Espectros RRS e SERRS das unidades sensoriais com camadas
de fosfolipídio depositadas por LbL, com arquitetura (PAH/CLP)5 e [PAH/
(CLP AgNP)]5, respectivamente. Os espectros foram coletados com diferentes
intensidades de laser (P) de 633 nm. RRS refere-se a uma região contendo
domínios MB, enquanto SERRS refere-se a uma região sem esses domínios
(micrômetros de tamanho). O detalhe mostra o espectro de absorção no
UV-Vis da solução aquosa MB (5mM). Adaptado de Aoki et al. (2010).
Nanoestruturas metálicas foram usadas para obter informação SERS em eletro-

dos,30 monocamadas autodepositadas59 e detecção de glucosa.86 Um exemplo são as
nanoestruturas de tipo MFON (Metal Film Over Nanosphere), as quais constituem
nanoesferas recobertas com metal evaporado. No trabalho realizado por Zhang et al.
(2006) foram utilizadas as AgFON recobertas com uma camada de sílica para a detec-
ção de antraz (CaDP Adipicolinato de cálcio) em esporos de bactérias (Bacillus subtilis).
As nanoesferas de vidro (diâmetro de 18 mm) são depositadas sobre uma superfície e
recobertas por dois filmes, um filme de Ag evaporada em vácuo (pressão de 10–6 Torr) e
um filme de alumina (1 nm) depositada mediante camadas atômicas em fase gás ALD
(Atomic Layer Deposition). Na Figura 3.19 se mostram espectros SERS de CaDPA
com nanoestruturas AgFON e AgFON-sílica, além da intensidade SERS em função
do recobrimento da sílica. Os resultados obtidos indicam que as bandas SERS mais
relevantes do CaDPA se encontram em 1020 (ν anel) e 812 cm–1. Neste caso a técnica
SERS é utilizada para a identificação analítica do CaDPA, avaliando a adsorção sobre
a nanoestrutura de AgFON-sílica. A intensidade da banda 1020 cm–1 é usada para
determinar a presença do CaDPA em concentrações de 10–14-10–12 M, obtendo uma
constante de adsorção com valor de Kesporo = 9,0x1013 M–1.
Figura 3.19. Espectros SERS de CaDPA a uma concentração de 2x10–5

M em (A) substrato AgFON-sílica (2 ciclos de depósito de alumina) e (B)
nanopartículasAgFON. (C) Intensidade SERS em 1020 cm–1 en função da espessura
de alumina sobre AgFON. Adaptado de Zhang et al. (2006).
Outra possibilidade para obter intensificação SERS é a utilização dos metais de

transição como Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd e Pt. Tian et al. (2002) calcularam os fatores de
amplificação de piridina sobre superfície rugosa de sete metais de transição (Fe, Co, Ni,
Ru, Rh, Pd, Pt), com variações de 101 a 104, dependendo do metal e do pré-tratamento
da superfície. Os fatores de amplificação SERS foram calculados com a razão entre a
intensidade SERS e o número de moléculas de piridina, tanto adsorvidas na superfície
como em solução: FA = (Isup/ Nsup) / (Isolucão/ Nsolução); as intensidades correspondem ao

modo vibracional ν1 (respiração do anel, 1010 cm–1). Abdelsalam et al. (2007) traba-
lharam com substratos de Pt e P deletrodepositados (0,25 V e 0,05 V) sobre esferas de
poliestireno (automontagem) e compararam com superfícies evaporadas desses metais.
Foi possível obter intensificação SERS com o laser 633 nm para o benzenotiol (bandas
características a 2600, 1571, 1071, 1021 e 996 cm–1), cuja ausência da banda de esti-
ramento S-H a 2600 cm–1 indica a ligação química com o metal (Pd-S). Os cálculos
da intensificação SERS (em 1571 cm–1) de benzenotiol em presença de Pt e Pd foram
obtidos usando o modelo de Tian et al. (2002) para esfera de 600 nm, assumindo um
recobrimento de benzenotiol de 0,45 nmol*cm–2 na superfície do metal (rugosidade de
3,0), obtendo valores de intensificação de 1800 (Pt) e 550 (Pd). Esses resultados foram
comparados com benzenotiol adsorvido sobre Au1 com concordância no perfil espec-
tral e sem mostrar fatores de amplificação do benzenotiol, porém evidenciando-se que
a amplificação é maior quando se utiliza Au como metal.
4.2. Circuitos eletrônicos

O silício deformado apresenta diferente orientação cristalina e menor resistência à
transferência de elétrons que o silício, por isso é utilizado com semicondutores de
óxidos metálicos para melhorar a velocidade dos circuitos integrados. A região em
que o dispositivo alterna o fluxo de corrente no circuito integrado tem tamanho na-
nométrico (~50 nm).51 No estudo realizado por Hayazawa et al. (2005) se reporta o
espectro SERS de uma camada de silício deformado sobre um substrato semicondu-
tor a partir do recobrimento com filme de Ag evaporada. Na Figura 3.20 é mostrado
um esquema do sistema experimental em que a camada do silício deformado (30
nm espessura) é depositada sobre um substrato de Ge-dopado e depois se evapora
Ag sobre ela (10 nm espessura e vácuo 10−6 torr). Foram obtidos os sinais SERS do
material em 504,9 e 515,3 cm–1, atribuídos aos modos vibracionais Si-Si do silício
e silício deformado, respectivamente. Nesse caso, a sensibilidade da detecção SERS
permite a análise precisa para discriminar entre as duas espécies de silício.
Com microscopia SERS é difícil obter seletividade dos semicondutores na região
em que o dispositivo eletrônico alterna o fluxo de corrente (~ nm). Para realizar
uma análise seletiva da topografia da superfície se poderia usar a microscopia AFM
(Atomic Force Microscopy) com pontas de metal ou revestidas de metal, a fim de
conseguir uma intensificação altamente localizada do sinal SERS do silício deforma-
do. Tal técnica é denominada TERS (Tip-Enhanced Raman Scattering). Tarun et
al. (2009) publicaram uma revisão para avaliação da técnica TERS na caracterização
de semicondutores usados em circuitos integrados.
Figura 3.20. Esquema da microscopia SERS para identificação da camada

de silício deformado e a imagem topográfica AFM (Atomic Force Microscopy)
do filme de Ag evaporada. Adaptado de Hayazawa et al. (2005).
4.3. Material biológico

O material biológico está composto por variadas estruturas que o tornam um sistema
altamente heterogêneo. Por exemplo, os biofilmes constituem uma matriz altamen-
te heterogênea formada por polissacarídeos, proteínas e outros biopolímeros.14 Em
biologia, os biofilmes são definidos como bactérias fixadas sobre uma superfície a
partir de propriedades de aderência. Schmid et al. (2008) trabalharam com fibras de
alginato que em água constituem um hidrogel que protege o biofilme, fechando os
poros à passagem de água em bactérias. As fibras de alginato foram depositadas sobre
vidro e mergulhadas por uma noite em solução de nitrato de Ag 2 %. As medições
SERS são obtidas mediante a técnica de ablação a laser, em que o laser usado para as
medições Raman provoca a redução química de Ag+1 aAg0 diretamente na amostra.
As bandas Raman em 1413 (Na alginato) e 1433 cm–1 (Ca alginato) foram atribuídas
a modos de estiramento do COO–, e o deslocamento de frequência pode ser relacio-
nado a união monodentada (Na) e bidentada (Ca) ao grupo carbonila do alginato.
Na Figura 3.21 são mostrados os espectros Raman e SERS das fibras de alginato
depositadas sobre a superfície. Neste caso não é necessário o efeito de amplificação
SERS para identificar o alginato, porém poderia servir para obter informação se
sobre as diferenças conformacionais dos polissacarídeos (Na e Ca alginato) quanto à
orientação do esqueleto C–C (~ 810 cm–1) e grupos carbonila (ν C-O em 810 cm–1, δ
C-C-O em 888 cm–1) orientados na estrutura metálica. Para melhorar a seletividade
foi utilizada a técnica TERS, obtendo-se informação da superfície das fibras de al-
ginato. Na perspectiva de materiais biológicos, também foram realizados estudos
TERS em fibras amiloides37 e citocromo c.85
Figura 21. Fibras de alginato de Na e Ca. Espectros Raman de Na

alginato (1) e Ca alginato (2). Espectros SERS de Na alginato (3) e Ca (4).
Adaptado de Schmid et al. (2008).
A preparação de nanoestruturas reprodutíveis e organizadas é fundamental para

se obter materiais com propriedades de espalhamento de luz. Alguns materiais ob-
tidos naturalmente apresentam impressionantes efeitos ópticos. Borboletas usam
várias camadas da cutícula e ar para produzir a cor azul nas asas, e alguns insetos
usam matrizes de elementos para reduzir a refletividade dos compostos em seus
olhos.80 Tan et al. (2012) utilizaram as asas de Lepidoptera (borboletas e mariposas)
como substrato altamente organizado e fizeram o recobrimento eletrolítico com
Cu (10 min), obtendo uma estrutura altamente organizada e apta para amplificação
do sinal Raman (SERS). Os substratos recobertos com Cu foram provados com
rodamina 6G, obtendo espectros SERS reprodutíveis a uma concentração de 10–5
M. A intensidade da banda em 1650 cm–1 foi usada para comparar as distintas
nanoestruturas.
4.4. Pinturas e têxteis com valor histórico

Uma alternativa para caracterizar pinturas e têxteis com valor histórico consiste em
fazer uma identificação dos corantes presentes na amostra em que as nanopartículas
metálicas geram a amplificação do espalhamento Raman (SERS) e supressão da flu-
orescência do pigmento. Tem sido realizada a identificação via SERS de flavonoides
em têxteis42 e de diversos corantes como alizarina, purpurina, ácido carmínico, he-
matoxilina, fisetina, quercitrina, quercetina, rutina e morina.50 Brosseau et al. (2009)
realizaram um estudo SERS comparativo entre uma pintura da artista Mary Cassatt
(estudo em pastel: “Sketch of Margaret Sloane, Looking Right”) e os pastéis (“lápis”)
usados por ela (Boston Museum of Fine Arts). Na Figura 3.22 se pode observar a
pintura da artista Mary Cassatt e os espectros SERS para as amostras de pastel No
7 e pigmento vermelho obtido do rosto da menina. Os sinais SERS dos corantes
branco de chumbo (LW) e amarelo-laranja de cromo (C Y-O) foram marcados nos
espectros, mas o pigmento vermelho não foi identificado, podendo estar relacionado
a um corante do tipo monoazo. Em geral, foram identificados diversos corantes nos
pastéis. A identificação via SERS dos corantes na obra e nos pastéis é um elemento
importante para avaliação da autenticidade da obra.
Figura 3.22. Esquerda: pastel da artista Mary Cassatt (“Sketch of Margaret

Sloane, Looking Right”). Direita: espectros SERS das amostras (a) pastel No 7
e (b) do rosto da obra. Os sinais dos corantes branco de chumbo (LW)
e amarelo-laranja de cromo (C YO) foram marcados no espectro.
Adaptado de Brosseau et al. (2009).
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LISTA DE SÍMBOLOS
α = coeficiente de absorção
A = absorbância
l = caminho óptico
c = concentração
E = campo elétrico
E// = campo elétrico paralelo
E⊥= campo elétrico perpendicular
I = intensidade
μ = momento de dipolo molecular
4
ESPALHAMENTO DE LUZ DINÂMICO APLICADO
À CARACTERIZAÇÃO DE NANOPARTÍCULAS
ANA PAULA RAMOS

Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto
ESPALHAMENTO DE LUZ DINÂMICO APLICADO À CARACTERIZAÇÃO DE NANOPARTÍCULAS 115
PALAVRAS-CHAVE: espalhamento de luz; espalhamento Rayleigh; tamanho de

partículas; raio hidrodinâmico; movimento browniano; coeficiente de difusão
translacional; equação de Stokes-Einstein; função de autocorrelação; espectros
de tempo de relaxação; modificações superficiais.
RESUMO: Uma das propriedades mais importantes na caracterização de siste-

mas nanoparticulados é o diâmetro das partículas que os constituem. O tama-
nho pode influenciar características importantes em materiais, como: reativi-
dade, velocidade de dissolução, estabilidade de dispersões coloidais, eficácia
de entrega em sistemas carregadores de fármacos, entre outros. A técnica de
Espalhamento de Luz Dinâmico (Dynamic Light Scattering) é utilizada na
determinação do diâmetro de materiais formados por diferentes tipos de par-
tículas dispersas em meio líquido. Estas partículas podem ser orgânicas, com-
postas por polímeros, carboidratos, proteínas e tensoativos; ou inorgânicas,
compostas por metais, como as nanopartículas de ouro ou prata, ou as forma-
das por óxidos de metais de transição. Ainda, partículas híbridas formadas por
um núcleo inorgânico, recobertas por moléculas orgânicas, podem ser caracte-
rizadas. Este capítulo contém a descrição dos aspectos teóricos envolvidos nes-
ta técnica, relacionando-os com as aplicações para determinação do diâmetro
de partículas compostas por diferentes tipos de materiais.
1. Teoria
1.1. Espalhamento Rayleigh
Quando radiação eletromagnética incide sobre uma amostra, diferentes fenômenos
podem ser observados, dependendo da energia da radiação e da natureza da maté-
ria. Por exemplo, na região de comprimento de onda correspondente às micro-on-
das, transições entre níveis rotacionais poderão ser observadas, enquanto absorção
de energia na região do ultravioleta resultará em transições entre níveis eletrônicos.
Dessa forma, a radiação eletromagnética constitui uma das mais importantes sondas
estruturais da matéria. Durante a incidência de fótons, energia poderá ser transferi-

da para (ou absorvida pelos) diferentes graus de liberdade: translacional, rotacional,
vibracional ou eletrônico das moléculas. Portanto, o espectro de frequências da
radiação espalhada irá exibir ressonância em frequências correspondentes a essas
transições.
Quando uma partícula é irradiada por uma fonte de luz com comprimento de
onda visível, parte da luz será transmitida através da amostra, parte poderá ser ab-
sorvida pela amostra, e, ainda, se a partícula tiver tamanho suficientemente pequeno
comparado ao comprimento de onda (λ) da radiação incidente (aproximadamente
< λ/20), esta será espalhada em várias direções sem modificação na energia, ou com-
primento de onda da luz incidente, fenômeno este conhecido como espalhamento
Rayleigh. O espalhamento Rayleigh, ou espalhamento elástico da luz, está relaciona-
do apenas a graus de liberdade translacionais e rotacionais.
O campo elétrico da radiação eletromagnética induz polarização oscilante nos
elétrons das moléculas. O surgimento de dipolo oscilante faz com que as partículas se
tornem fontes secundárias de emissão de radiação com mesmo comprimento de onda
da radiação incidente.2 Nesta situação, a intensidade da luz não polarizada espalhada
devido ao espalhamento Rayleigh para uma partícula individual é dada por:
1 + cos2 θ ⎛ 2 π ⎞ ⎛ n 2 − 1 ⎞ ⎛ d ⎞ 6
4
I = I0 = ⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟
2r 2 ⎝ λ ⎠ ⎝ n 2 + 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠ (1)
em que I0 e λ se referem à intensidade e comprimento de onda da radiação incidente,

respectivamente, r à distância até o centro espalhador, θ o ângulo no qual a luz é es-
palhada, n o índice de refração e d o diâmetro da partícula. O termo unitário em (1+
cos2θ) refere-se à componente da luz espalhada polarizada verticalmente, e o termo
cos2θ, à componente polarizada horizontalmente.16 Se os centros espalhadores forem
independentes e estiverem aleatoriamente distribuídos no meio, a probabilidade de
interferência construtiva e destrutiva entre as ondas espalhadas será a mesma.
A Figura 4.1 mostra esquematicamente o espalhamento de radiação com com-
primento de onda de mesma ordem de grandeza das partículas em um experimento
típico de espalhamento de luz.
Note que os vetores Ki e Kf apontam na direção de propagação da luz incidente
e na direção de propagação da radiação com o mesmo comprimento de onda que
atinge o detector, respectivamente. O ângulo de espalhamento (θ) é definido pela
posição do detector. O vetor de espalhamento (q) é definido geometricamente em
função de q, do índice de refração do meio (n) e do comprimento de onda (λ) da
fonte de radiação.
Figura 4.1. Esquema do espalhamento de luz por uma partícula de tamanho

equivalente ao comprimento de onda da radiação incidente.
Se a fonte de radiação for, por exemplo, um laser que é intrinsecamente mono-

cromático e coerente, poderá ser observada dependência nas variações de intensidade
de luz espalhada em função do tempo. A técnica ELD apresentou seu maior cresci-
mento em conjunto com o avanço na fabricação de lasers. Quanto maior a potência
do laser utilizado, variações cada vez menores nas flutuações de intensidade da luz
incidente podem ser medidas. Como a luz é espalhada em todas as direções, o vetor
de espalhamento “q” é definido a partir da posição do detector. Valores típicos de
“q” variam entre 0,0042-0,031 nm–1 (para dispersões aquosas e λ = 514,5 nm).13 A
intensidade de espalhamento Rayleigh (Equação 1) também é dependente do ângulo
de espalhamento. Portanto, podemos comparar apenas dados obtidos em um mesmo
ângulo. Nos equipamentos comerciais de ELD, este detector está geralmente posi-
cionado a 90 ° ou 175 ° em relação à fonte de luz laser. Isso facilita a comparação entre
dados obtidos em diferentes equipamentos. Além disso, devido à sua dependência de
senθ o vetor de espalhamento tem dimensão máxima próxima a estes ângulos.
1.2. O movimento browniano e a técnica ELD

Por meio da técnica de ELD, também conhecida como espectroscopia de correlação
de fótons, é possível calcular o coeficiente de difusão relacionado com o movimen-
to browniano de partículas dispersas em um meio líquido. Este cálculo é realizado
irradiando-se a amostra com um laser e analisando-se as flutuações de intensidade
da luz espalhada pelas partículas. O movimento browniano é o movimento das par-
tículas devido às colisões randômicas com as moléculas do líquido na vizinhança
das partículas. Uma característica importante do movimento browniano para a
técnica ELD é que partículas pequenas se movem mais rapidamente do que partícu-
las maiores.
Ou seja, o coeficiente de difusão translacional (D) das partículas é inversamente
proporcional ao seu tamanho, como mostra a equação de Stokes-Einstein:
kT
D= (2)
6 πηR H
em que, k é a constante de Boltzmann, T, a temperatura em kelvin, η, a viscosidade

do meio dispersante, e RH, o raio hidrodinâmico da partícula. Essa equação é válida
para partículas esféricas que não interagem entre si.14
Devido ao movimento browniano, a distância entre as partículas (centros espalha-
dores) varia em função do tempo, provocando interferências construtivas e destrutivas
na intensidade de luz espalhada. Portanto, os dados de flutuações na intensidade de luz
espalhada em função do tempo trazem consigo informações a respeito da velocidade
com a qual estes centros espalhadores se movimentam, ou seja, o seu coeficiente de
difusão translacional. Partículas maiores causarão menores taxas de flutuação na inten-
sidade da luz espalhada, enquanto partículas menores, que se movimentam mais rapi-
damente, darão origem a taxas de flutuações maiores, como esquematizado na Figura
4.2. Como estes dados de flutuação temporal de intensidade de luz espalhada serão
convertidos em valores de coeficiente de difusão e, finalmente, em raio da partícula?
Figura 4.2. Flutuações na intensidade de luz espalhada em função do tempo e suas

respectivas funções de autocorrelação [G(t)].
O correlator utilizado nos equipamentos de ELD correlacionará as variações de

intensidade em função do tempo, gerando uma função de autocorrelação G(t), de-
finida por:2
G (t ) ≡ < I (t0 ) I (t0 + t ) > (3)
em que I(t0) é o número de fótons que chega ao detector no tempo (t0) e I(t0+t), o
número de fótons após o intervalo de tempo (t). A taxa de fotocontagem é direta-
mente proporcional à intensidade da luz que chega ao detector. Se a intensidade
decair como uma exponencial simples, a função de autocorrelação pela análise cumu-
lativa14 na configuração homodina,2 que leva em consideração apenas a luz espalhada
que chega ao detector discriminando ruídos, é dada por uma função de decaimento
exponencial com um tempo de relaxação (τ) característico:
−2 t
G (t ) = A + Be τ (4)
em que o fator 2 indica o método homodino e A e B, parâmetros obtidos a partir do

ajuste dos pontos experimentais na função de autocorrelação. Uma vez que o valor de
τ caracteriza toda a função de autocorrelação, seu valor deve variar durante o interva-
lo de coleta de dados Δt.14 Em tempos suficientemente longos o sistema evolui para
um estado que não deve possuir correlação alguma com seu estado inicial.
A Figura 4.2 mostra esquematicamente o perfil exponencial da curva gerada para
a função de autocorrelação em função do tempo, após conversão dos dados de inten-
sidade obtidos pelo correlator utilizando-se método homodino.2 Observe que a curva
de autocorrelação parte de um valor máximo, geralmente 1, em que a correlação entre
fótons é máxima, até atingir um valor igual a zero. Neste ponto a correlação é total-
mente perdida. Nota-se que as exponenciais obtidas a partir de amostras contendo
partículas menores atingem valor zero em tempo mais curto do que as partículas
maiores, ou seja, perde-se correlação mais rapidamente devido ao maior coeficiente
de difusão dessas partículas.
O coeficiente de difusão translacional (D) pode ser calculado a partir da função de
correlação. Para amostras suficientemente diluídas contendo mais do que uma classe
de tamanho de partículas, a função de autocorrelação será a somatória do tempo de
decaimento gerado por cada modo de difusão:14
−t 2
⎡ −t ⎤
G (t ) = A + ⎢B1 e τ1 + B 2 e τ 2 ⎥ (5)
⎣ ⎦
Cada tempo de decaimento, ou tempo de relaxação (ti) no espectro, corresponde-

rá a um modo de difusão:15
⎛ 1⎞
D = ⎜ ⎟ q−2 (6)
⎝ τi ⎠
A Figura 4.3 mostra um exemplo de função de autocorrelação e seu respectivo

espectro de tempos de relaxação (τi).
Figura 4.3. A) função de autocorrelação [G(t)] e B) espectro de tempo

de relaxação (τi) versus tempo obtido para dispersões de celulose
em tampão fosfato (pH=7,5).
Observa-se na Figura 4.3 que a função de autocorrelação apresenta decaimento

acentuado nos primeiros instantes de medida devido ao movimento rápido de par-
tículas pequenas que faz com que correlação seja perdida rapidamente. O ajuste da
função exibida na Figura 4.3 resultou em um decaimento multiexponencial, no qual
foram identificados três tempos de decaimento (τ1, τ2 e τ3). Um modo de difusão está
relacionado a cada um desses tempos de relaxação, resultantes dos tamanhos distin-
tos das fibras de celulose. O coeficiente de difusão relacionado a cada modo pode ser
calculado utilizando-se a Equação 6. Os equipamentos fazem uso de algoritmos ca-
pazes de ajustar as curvas de decaimento como mono ou multiexponenciais e estimar
a largura da distribuição (índice de polidispersão). Um dos algoritmos mais utilizados
na análise de partículas polidispersas é o Contin.12 A maior parte dos equipamen-
tos faz isso diretamente, e, a partir dos valores de coeficiente de difusão, aplicam a
equação de Stokes-Einstein (Equação 2) para calcular o raio hidrodinâmico das par-
tículas. As análises são facilitadas quando as interações e colisões interpartículas são
mínimas. As colisões são diminuídas utilizando-se amostras com altas diluições e os
efeitos de carga são reduzidos através da adição de um eletrólito ao meio.
Como os dados registrados pelo equipamento são valores de intensidade de luz
espalhada em função do tempo, as distribuições de tamanho obtidas a partir da téc-
nica ELD são apresentadas como intensidade relativa versus diâmetro (ou raio) das
partículas. Porém, quando esta distribuição contiver mais do que um pico, a contri-
buição relativa de cada pico dado por intensidade pode não ser realista em relação à
quantidade de partículas que constituem as diferentes classes de tamanho.
1.3. Análise das distribuições

A técnica ELD nos apresenta resultados de intensidade de luz espalhada em função da
distribuição de tamanhos das partículas. Contudo, utilizando-se algoritmos adequados,
estas distribuições podem ser convertidas em contribuições por volume ou número. A
conversão das distribuições relativas de intensidade para volume pode ser realizada uti-
lizando-se a teoria de Mie.3 Para isso, o índice de refração das partículas deve ser forne-
cido como dado ao programa do equipamento. Esta conversão gerará uma distribuição
mais realista com relação à contribuição de cada pico presente. Para melhor entendi-
mento das distribuições por intensidade, volume e número, podemos citar o exemplo
de uma amostra que contém a mesma quantidade de partículas com diâmetros de 5 nm
e 50 nm. A distribuição por número gerará dois picos de mesma porcentagem relativa
(razão 1:1) centrados nestes valores de tamanho. Se estes dados forem convertidos por
volume será gerada uma distribuição cujo pico correspondente às partículas de 50 nm
terá uma contribuição 1000 vezes maior razão 1:1000 do que as partículas de 5 nm,
pois o volume da esfera é proporcional ao (diâmetro)3. Já a distribuição por intensidade,
obtida pela técnica ELD, mostraria uma contribuição pelo menos 106 vezes maior para
o pico de 50 nm, pois, pela teoria de Rayleigh mostrada na Equação 1, a intensidade de
luz espalhada é proporcional ao diâmetro6. 11
Quando o sistema for monodisperso, ou seja, a faixa de distribuição de tamanhos
na amostra for estreita, o diâmetro médio das partículas pode ser determinado. Para
sistemas com mais de uma distribuição de tamanhos de partículas o uso de algorit-
mos, como Contin, presentes nos softwares dos equipamentos, deverá, auxiliar na
análise de tamanho. Devemos lembrar que a análise de sistemas com partículas de
diferentes tamanhos utilizando-se distribuições por intensidades pode não corres-
ponder efetivamente ao número de partículas presentes em cada distribuição.
Utilizando-se a largura da distribuição de tamanhos, o índice de polidispersão
(IPd), ou a polidispersidade, da amostra, que é um parâmetro importante na medida
de ELD, pode ser obtido. Se a distribuição do tamanho de partículas for ajustada
a uma distribuição gaussiana, o índice de polidispersão estará relacionado com o
desvio-padrão (s) e com o raio hidrodinâmico médio (RH), na forma:10
σ2
IPd = (7)
RH 2
Portanto, o IPd nada mais é do que a variância relativa, enquanto a polidispersi-

dade corresponde ao desvio-padrão (σ). Quanto mais larga for a distribuição, mais
polidispersa será a amostra.
2. Aplicações
O coeficiente de difusão translacional dependerá de como a partícula se move no
meio, portanto o diâmetro obtido por ELD inclui outras moléculas, até mesmo mo-
léculas do solvente, que estejam ao redor do núcleo e se movem junto com a partícula,
ou seja, o chamado diâmetro/raio hidrodinâmico. A adição de eletrólitos, por exem-
plo, pode causar variação no raio hidrodinâmico devido às modificações na atmosfera
iônica que circunda a partícula, por meio da redução do comprimento de Debye. Isto
permite diferenciação de tamanhos entre partículas com mesmo tamanho de núcleo,
porém superficialmente distintas como mostrado na Figura 4.4. O estudo da modi-
ficação superficial de nanopartículas por meio de medidas de raio hidrodinâmico é
uma das aplicações mais importantes do ELD.
As Figuras 4.4a e 4.4b representam esquematicamente o diâmetro de diferen-
tes esferas que circunscrevem partículas com mesmo núcleo, porém superficialmente
distintas. O tamanho calculado por ELD para a partícula mostrada na Figura 4.4a
será menor do que para a partícula mostrada na Figura 4.4b. A conformação do po-
límero ligado à superfície das partículas, como em 4b, causará variação no tamanho
aparente medido por ELD, podendo também ser estudado.
Figura 4.4. Partículas com mesmo tamanho de núcleo, porém superficialmente

distintas, são circunscritas por esferas de diâmetros distintos.
Desta forma, camadas de recobrimentos poliméricos sobre núcleos metálicos, que

dificilmente poderiam ser observadas por técnicas de microscopia, como microsco-
pia eletrônica de transmissão (MET), devido ao baixo contraste gerado pela parte
polimérica, certamente resultariam em variações de diâmetros que podem ser medidas

por ELD. O recobrimento de partículas metálicas de Au e Ag por uma camada de sí-
lica não pode ser observado mesmo utilizando-se MET com alta resolução.9 Portanto,
os tamanhos observados por esta técnica correspondem apenas ao núcleo metálico,
enquanto os resultados obtidos por ELD correspondem ao conjunto núcleo metálico +
recobrimento. Na Tabela 4.1 é apresentada uma comparação dos resultados de tama-
nho obtidos para partículas de Au e Ag, utilizando-se MET e ELD. Observa-se que,
considerando os desvios experimentais, os resultados dos tamanhos obtidos por meio
das duas técnicas são semelhantes para as partículas metálicas antes da modificação
superficial. Porém, após modificação, apenas o diâmetro obtido por ELD é capaz de
detectar a espessura da camada que recobre as partículas tipo casca/caroço formadas.
Tabela 4.1. Comparação entre os diâmetros de nanopartículas de Au e Ag obtidos

utilizando-se MET e ELD, antes e após recobrimento com camada de sílica.
Tamanho MET (nm) Tamanho ELD (nm)

Au antes do recobrimento 6±1 8±2
Au após recobrimento 7±1 15 ± 2
Ag antes do recobrimento 5±2 7±2
Ag após recobrimento 6±2 15 ± 4
Fonte: Adaptado de Jana (2009).
A estabilidade de partículas também pode ser estudada por ELD. O efeito da

concentração mínima de um agente estabilizante, necessária para que não se observe
agregação de nanopartículas, é uma das aplicações da técnica.8 A análise periódica
de amostras pode mostrar a ocorrência de agregação, coagulação ou até mesmo
sinterização após tratamento térmico, o que resultaria em um aumento do diâmetro
médio medido em função de fatores como o tempo de preparo e a concentração de
reagentes nas amostras.8 A formação de complexos em escala nanométrica, envolven-
do diferentes tipos de moléculas e partículas em solução, também pode ser estudada,
como mostrado no estudo realizado por Borissevitch et al. (2011). Neste estudo, a
formação de complexos entre porfirinas e pontos quânticos, caracterizados por ELD,
foi essencial para explicação da supressão de fluorescência observada nestes sistemas.
Ainda, levando-se em conta os aumentos de diâmetros médios, estudos de transições
vítreas e transições sol-gel em dispersões coloidais podem ser realizados. A eficiência
da incorporação de fármacos por micelas18 e lipossomos,19 para fabricação de sistemas
de entrega controlada, é estudada por ELD por meio da observação de aumentos do
diâmetro médio dos carregadores após exposição ao fármaco.
A análise do diâmetro de partículas não esféricas por ELD deve ser sempre re-
alizada com cautela. Uma vez que o diâmetro determinado depende do coeficiente
de difusão translacional descrito para objetos esféricos, que por sua vez é converti-
do em raio hidrodinâmico a partir da equação de Stokes-Einstein (2), o valor de D
calculado pelo equipamento será sempre aproximado ao de uma esfera que difunde
no meio com a mesma velocidade da partícula que está sendo analisada. Altera-
ções no formato das partículas que alterem seu coeficiente de difusão translacional
resultarão em variação do diâmetro calculado. Por exemplo, imagine um objeto
cilíndrico com comprimento (L) de 5000 nm e diâmetro (d) de 200 nm. A esfera
com volume e, portanto, coeficiente de difusão translacional equivalente ao desta
partícula deve possuir diâmetro de aproximadamente 670 nm, o que não seria uma
descrição fiel das dimensões reais desse objeto. Modificações em L e d, ou seja,
evoluções de tamanho deste cilindro, irão afetar seu coeficiente difusão e poderão
ser estudadas por ELD, porém os resultados de raio hidrodinâmico obtidos não
podem ser levados em consideração no estudo da geometria desta partícula. A
análise das dimensões de partículas anisotrópicas pode ser realizada utilizando-
-se ELD com fonte de radiação laser despolarizada,1 possibilitando a separação
das componentes que interagem paralela e transversalmente ao eixo principal das
partículas e o cálculo do coeficiente de difusão rotacional relacionado com as di-
mensões L e d. Esta análise não é possível diretamente com aparelhos comerciais,
sendo necessário o uso de diferentes valores de vetor de espalhamento (q), ou seja,
análise em múltiplos ângulos.
Levando-se em consideração as limitações quanto à geometria das partículas,
variações conformacionais em polímeros e desnaturação ou agregação de proteínas
são facilmente estudadas por ELD.5 Para estes sistemas é conveniente a análise das
funções de autocorrelação e espectro de tempos de relaxação, preferencialmente às
análises das distribuições de tamanho.6 A Figura 4.5 mostra a curva gerada pela fun-
ção de autocorrelação e o espectro de tempos de relaxação correspondentes, obtidos
por ELD, de uma solução aquosa do polieletrólito poli(estireno sulfonato) de sódio
em presença de NaCl 3,7 mol.L–1.15 Dois modos de difusão podem ser observados,
um em tempo curto, correspondente aos íons Na+ e Cl–, e, um segundo, mais lento,
correspondente ao poli-íon, mostrando ser possível separar diferentes processos di-
fusivos em um mesmo sistema, por meio desta técnica.
A Figura 4.6 mostra que o coeficiente de difusão do polímero carregado negativa-
mente é dependente da concentração de eletrólito de baixa massa molar adicionado
à solução, devido à blindagem das repulsões entre os grupos carregados presentes na
cadeia deste poli-íon. Este efeito promove enovelamento das cadeias do polímero,
refletindo na diminuição do coeficiente de difusão em solução.
Figura 4.5. Função de autocorrelação e respectivo espectro de tempo

de relaxação para poli(estireno sulfonato de sódio) em NaCl 3,7 mol.L–1.
Extraída de Sedlák (1999).
Figura 4.6. Dependência do coeficiente de difusão do poli(estireno sulfonato)

de sódio em função da concentração de NaCl adicionado em solução
aquosa. Extraída de Sedlák (1999).
O diâmetro/raio determinado utilizando a técnica ELD refere-se ao diâmetro

de uma esfera que se move com a mesma velocidade do centro espalhador. Como
o tamanho obtido é o diâmetro de uma esfera que possui o mesmo coeficiente de
difusão translacional da partícula, quando o polímero estiver disperso em solvente q
(conformação esfera rígida) as medidas de ELD mostrarão tamanho menor do que
quando estiver disperso em um bom solvente. Se o centro espalhador for um políme-
ro na conformação novelo ao acaso, o tamanho determinado não será o mesmo do raio
de giro determinado no espalhamento de luz estático, e sim o de uma esfera que se
move com a mesma velocidade da cadeia polimérica naquele determinado solvente.
Nos dias atuais, a maior parte dos equipamentos de ELD permite variações de tem-
peratura in situ, possibilitando estudo de transições conformacionais e agregação em
diferentes sistemas em função da temperatura.5 Levando-se em conta suas limitações
relacionadas especialmente à geometria das partículas, a técnica ELD fornece um
dos meios mais práticos e rápidos para o estudo de distribuições de tamanhos em
sistemas mono e polidispersos, assim como cinéticas de evolução de tamanho em di-
ferentes tipos de materiais.
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LISTA DE SÍMBOLOS
λ = comprimento de onda
I0 = intensidade da radiação incidente
r = distância da fonte ao centro espalhador
q = ângulo de espalhamento
n = índice de refração
d = diâmetro da partícula
Ki = vetor de espalhamento inicial
Kf = vetor de espalhamento final
q = vetor de espalhamento resultante
D = coeficiente de difusão translacional
k = constante de Boltzmann
T = temperatura em kelvin
η = viscosidade do meio
RH = raio hidrodinâmico
G(t) = função de autocorrelação
I(t0) = número de fótons que chega ao detector no tempo t0
I(t0+t) = número de fótons após o intervalo de tempo t
τ = tempo de relaxação
σ = desvio-padrão
L = comprimento
5
DIFRAÇÃO E ESPALHAMENTO DE
RAIOS X POR NANOMATERIAIS
DIEGO G. LAMAS
Professor Associado, Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional del Comahue
e Pesquisador Independente do Conicet, Neuquén, Argentina
MARIO DE OLIVEIRA NETO

Professor Assistente Doutor, Departamento de Física e Biofísica, Instituto
de Biociências de Botucatu, Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho
– Unesp – Botucatu
GUINTHER KELLERMANN
Professor Adjunto, Departamento de Física, Universidade Federal do Paraná,
Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq
ALDO F. CRAIEVICH
Professor Sênior, Instituto de Física, Universidade de São Paulo, Bolsista de
Produtividade em Pesquisa do CNPq
DIFRAÇÃO E ESPALHAMENTO DE RAIOS X POR NANOMATERIAIS 131
PALAVRAS-CHAVE: caracterização de nanoestruturas; XPD; método de

Rietveld; fases metaestáveis; SAXS; proteínas em solução; GISAXS; ASAXS;
difração de raios X, espalhamento de raios X a baixo ângulo.
RESUMO: Este capítulo descreve os métodos experimentais de difração e de

espalhamento de raios X e suas aplicações em estudos de materiais nanoes-
truturados. A primeira parte contém os aspectos básicos da difração de raios
X de pó cristalino (XPD) e suas aplicações para determinações de parâmetros
estruturais relevantes de nanopós cristalinos, tais como tamanho médio e mi-
crodeformações dos cristalitos. Na segunda parte são apresentadas as equações
básicas do espalhamento de raios X a baixo ângulo (SAXS), método comu-
mente utilizado em pesquisas estruturais de baixa resolução de nanopartículas
inorgânicas e macromoléculas biológicas, e são descritos exemplos de estudos
de proteínas em solução. Finalmente, a terceira parte trata sobre a teoria básica
e as aplicações de duas variantes da técnica SAXS: SAXS com incidência ra-
sante (GISAXS), para pesquisas de nanoestruturas em filmes finos suportados
ou em partes superficiais de materiais, e SAXS anômalo (ASAXS), aplicada
em estudos de nanoestruturas de maior complexidade.
1. Difração de raios X aplicada ao estudo de pós nanocristalinos

1.1. Difração de raios X
1.1.1. Introdução
A técnica de difração de raios X (DRX) foi proposta pela primeira vez em 1912
pelo físico alemão Max von Laue.86 Naquele tempo não se sabia qual era a natureza
dos raios X, descobertos por Wilhelm Röntgen no final de 1895, e também não se
tinha conhecimento avançado acerca da estrutura da matéria. Assim, a experiência
de Von Laue foi revolucionária. O experimento, realizado com o auxílio de Walter
Friedrich e Paul Knipping, consistiu em expor cristais de sulfato de cobre à referida

radiação, tal como mostrado esquematicamente na Figura 5.1. Ao analisar o padrão
de difração observado, eles mostraram simultaneamente que os raios X são ondas
eletromagnéticas de comprimento de onda muito pequeno em comparação com o da
luz visível e que os cristais consistem em conjuntos ordenados de átomos distribuídos
periodicamente no espaço, com distâncias características da mesma ordem. Devido a
essas importantes descobertas, Von Laue recebeu o Prêmio Nobel de Física em 1914.
Figura 5.1. Esquema do experimento realizado por Max Von Laue em 1912, que
resultou no nascimento da difração de raios X e da cristalografia moderna.
Em 1913, William Henry Bragg e William Lawrence Bragg (pai e filho), que
receberam o Prêmio Nobel de Física em 1915, determinaram as primeiras estruturas
cristalinas mediante a utilização de raios X. Estudaram o cloreto de sódio e outros
compostos simples, caracterizando assim o ordenamento atômico dos mesmos. Pou-
cos anos mais tarde, a técnica começou a ser aplicada para determinar as estruturas
cristalinas de compostos inorgânicos mais complexos, dando assim origem à área
científica hoje conhecida como “Cristalografia”.
A importância da difração de raios X foi notada de imediato, abrindo portas para
a determinação de estruturas atômicas ou moleculares de todos os tipos de mate-
riais, o que é um pré-requisito para a compreensão das propriedades dos mesmos.
Atualmente, esta técnica abrange uma vasta gama de aplicações, desde estudos re-
lativamente simples, mas muito importantes para a ciência dos materiais, até deter-
minações estruturais de macromoléculas biológicas complexas, incluindo proteínas,
ácidos nucleicos e ribossomos.
1.1.2. Teoria cinemática

O fenômeno da difração de raios X pode ser entendido de forma relativamente fácil
a partir dos conceitos da teoria cinemática.28 A seguir serão discutidos brevemente os
aspectos mais importantes desta teoria.
A origem da difração dos raios X é a interação de fótons com os elétrons do mate-
rial mediante um processo de espalhamento de natureza elástica (sem perda de ener-
gia) e coerente (com relação de fase bem-definida entre a onda incidente e a espalha-
da). O resultado da interação de um feixe não polarizado de ondas eletromagnéticas
com um elétron é conhecido em eletromagnetismo com o nome de “espalhamento
de Thompson”. A intensidade da onda espalhada, medida por um detector que está
a uma distância r do elétron, é obtida a partir da expressão:17
e 4 ⎛ 1 + cos2 (2θ ) ⎞
I (2 θ) = I 0 ⎜ ⎟ (1)
r 2m 2 c 4 ⎝ 2 ⎠
em que 2θ é o ângulo entre a direção do feixe incidente e a do feixe espalhado (ângulo

de espalhamento), m e e são a massa e a carga do elétron, respectivamente, c é a
velocidade da luz e I0 é a intensidade do feixe de raios X incidente. O termo dentro
dos parênteses é conhecido como “fator de polarização”.
No caso de um átomo com número atômico Z (sendo Z o número de elétrons do
átomo), poderia ser pensado que os fótons fossem espalhados independentemente Z
vezes e a intensidade produzida pelo átomo Iat(2θ) fosse, assim, Z vezes o valor de
I(2θ) da Equação 1. No entanto, isto não é correto, uma vez que se deve levar em
consideração que a densidade eletrônica é distribuída em uma região finita em torno
do núcleo. Isto produz efeitos de interferência que afetam a amplitude da onda espa-
lhada. Lembremos que a amplitude da onda espalhada A(2θ) está relacionada com a
intensidade I(2θ) pela expressão I(2θ) = |A(2θ)|2. A razão entre a amplitude da onda
espalhada por um átomo e a amplitude espalhada por um elétron, f (2θ), é o chamado
“fator de forma atômico” (também conhecido como “fator de espalhamento atômi-
co”). Na Figura 5.2 está representado o fator de espalhamento atômico do cobre em
função de senθ/λ. Percebe-se que, neste caso, o valor f(0)=ZCu=29. Em geral, somen-
te para o ângulo de espalhamento 2θ=0°, a amplitude total da onda espalhada é igual
a Z vezes a amplitude espalhada por um elétron.
Figura 5.2. Fator de espalhamento atômico do cobre.
No caso de um agregado de átomos, a radiação é espalhada em todas as direções,

mas, para determinar a intensidade total do espalhamento produzido pelo agregado,
devem-se considerar as diferenças das fases devidas às diferentes posições ocupadas
pelos diversos átomos. À medida que se aumenta a ordem no sistema, observam-se
efeitos de interferência construtiva e destrutiva, que, no caso da difração por um cris-
tal, acabam por gerar picos em direções bem-definidas. Por exemplo, na Figura 5.3
são comparados os padrões de difração de um sólido amorfo (cuja estrutura atômica
é semelhante à de um líquido) e de um sólido cristalino. Este último padrão revela a
presença de picos bem-definidos em ângulos de espalhamento particulares, enquan-
to, para o caso do sólido amorfo em questão, aparece um máximo de intensidade que
se estende por vários graus ao longo de 2θ.
Figura 5.3. Gráficos qualitativos das intensidades de espalhamento de raios X,

em função do ângulo de espalhamento, produzidas (a) por um sólido
amorfo ou um líquido; e (b) por um sólido cristalino.
No caso particular de um cristal perfeito – ou seja, um material com seus áto-

mos periodicamente espaçados –, pode ser demonstrado que a intensidade de espa-
lhamento é significativa somente segundo algumas direções bem-definidas, para as
quais a Lei de Bragg é satisfeita:
nλ = 2dhklsenθhkl (2)
em que λ é o comprimento de onda dos raios X, d é a distância entre sucessivos planos

cristalográficos de uma dada família de planos paralelos (definidos pelos índices de
Miller hkl), n = 1, 2, 3, ... é a ordem de difração e θ é o ângulo entre a direção do feixe
incidente e o plano cristalográfico, que é igual à metade do ângulo de espalhamento
2θ. A Lei de Bragg pode ser deduzida a partir do esquema da Figura 5.4 conside-
rando-se que um cristal com átomos ou moléculas dispostos regularmente em três
dimensões se comporta como uma rede de difração para os raios X, e, por isso, ocorre
interferência construtiva quando a diferença de percurso óptico dos diferentes raios é
igual a um número inteiro o comprimento de onda λ, ou seja, nλ.
Figura 5.4. Esquema para deduzir a Lei de Bragg. Para a familia de planos
cristalográficos desenhada, o pico estreito de difração dos raios X ocorre somente
segundo a direção tal que a diferença de percurso óptico é igual a um número
inteiro o comprimento de onda dos raios X (nλ).
O quociente entre a amplitude da onda espalhada por um conjunto de n átomos

da cela unitária da estrutura cristalina e a amplitude espalhada por um elétron livre
é uma magnitude complexa denominada fator de estrutura Fhkl. Esse fator é a soma
dos fatores de espalhamento de cada átomo da célula unitária, fj, multiplicados pelos
seus respectivos fatores de fase:28
n
Fhkl = ∑fe
j =1
j
2 πi (hxj + kyj + lzj )
(3)
Na Equação 3 a somatória inclui todos os n átomos da célula unitária com coor-

denadas fracionárias (xj, yj, zj). O conjunto de números inteiros h, k e l são os índices
de Miller associados aos planos cristalográficos (h k l) correspondentes aos diferentes
picos de difração. Esta expressão leva em conta as interferências construtivas e des-
trutivas que ocorrem devido aos diferentes percursos ópticos dos raios associados às
ondas espalhadas por cada um dos átomos da célula unitária.
Por outro lado, pode ser facilmente demonstrado que, nas condições tais que a
Lei de Bragg é satisfeita, a amplitude total da onda de raios X espalhada por N célu-
las unitárias de um cristal é N vezes a amplitude da onda espalhada pelo conjunto de
n átomos da célula unitária (ou seja, todas as ondas parciais estão “em fase”). Nessas
condições, a intensidade total de espalhamento resulta proporcional ao produto do
fator de estrutura pelo seu complexo conjugado, ou ao quadrado do módulo do fator
de estrutura.28 O fator de estrutura pode ser definido em termos mais precisos in-
cluindo também os efeitos das vibrações dos átomos. Por outro lado, no cálculo das
intensidades integradas dos picos de Bragg referente ao método de difração por pós
cristalinos, outros fatores que serão descritos com mais detalhe nas próximas seções
devem ser também considerados.
Até agora foi discutido apenas o caso de um cristal único, ou monocristal, cujas ca-
racterísticas cristalográficas podem ser analisadas a partir das medidas das intensidades
do espalhamento de raios X em direções específicas e para orientações adequadas da
amostra, como ilustrado na Figura 5.1. No entanto, deve-se notar que não é possível
medir os fatores de fase das amplitudes de espalhamento ou do fator de estrutura. A
partir das intensidades dos picos de Bragg, Ihkl, apenas os módulos dos fatores de es-
trutura podem ser calculados, |Fhkl| ∝ (Ihkl)1/2. Assim, uma informação cristalográfica
valiosa como é o conjunto dos fatores de fase de Fhkl não é acessível experimentalmente.
Isto é conhecido em Cristalografia como o “problema das fases”.28
Existe uma teoria da difração de raios X mais completa e precisa do que a descrita
aqui, a qual é denominada teoria dinâmica.28 Esta teoria foi desenvolvida primeira-
mente por Paul P. Ewald. No entanto, para o caso da difração de raios X por pós cris-
talinos, que será apresentado a seguir, não é necessário considerar a teoria dinâmica,
sendo suficientes os conceitos da teoria cinemática.
1.2. Método da difração de pó

1.2.1. Fundamentos
O método de difração de raios X aplicado a pós cristalinos (XPD – X-Ray Powder
Diffraction) é uma variante da técnica de difração de raios X por monocristais, na
qual a amostra é um material policristalino com um grande número de pequenos
cristais orientados aleatoriamente.45 Este método também é aplicado a pós formados

por cristalitos com orientações preferenciais. Tipicamente, são estudados pós de ma-
teriais policristalinos com tamanhos de cristalito da ordem de alguns micrômetros.
Neste caso, supõe-se que para planos cristalográficos com qualquer distância inter-
planar dhkl exista sempre uma fração significativa de cristais orientados adequada-
mente para satisfazer a Lei de Bragg e, portanto, todas as reflexões que cumprirem a
relação | Fhkl | ≠ 0 serão observáveis experimentalmente.
Note-se que, em experiências de XPD, não se produzem feixes difratados se-
guindo direções únicas bem-definidas. Ao invés disso, existem feixes difratados para
um conjunto de direções que formam os chamados “cones de difração de Bragg”,
como mostrado na Figura 5.5. Isso acontece porque, para um pó ideal formado por
um grande número de cristalitos orientados aleatoriamente, há sempre um conjunto
de muitos cristalitos com planos cristalográficos formando um ângulo θ em relação
ao feixe incidente, que difratam o feixe de raios X ao longo das diferentes direções
possíveis em torno do feixe incidente. Portanto, para cada distância interplanar dhkl
de um dado pó cristalino, tem-se um cone de difração de abertura 4θ e, assim,
a intensidade de difração correspondente a todos esses cones pode ser registrada
simultaneamente.
Figura 5.5. Diagrama que mostra a origem dos cones de difração observados
mediante o método XPD.
Os difratômetros convencionais de laboratório possuem geralmente um detec-

tor com janela de entrada quase pontual, que somente permite medir as intensida-
des associadas a frações muito pequenas dos cones de difração, perdendo-se assim a
maior parte do feixe difratado. No entanto, os detectores bidimensionais permitem
coletar simultaneamente as intensidades de difração correspondentes a cones de di-
fração completos. Detectores sensíveis à posição bidimensionais planos são utiliza-
dos geralmente quando o feixe de raios X incidente é proveniente de fontes de luz
síncrotron e os fótons possuem alta energia E, ou seja, curto comprimento de onda

λ (λ(Å)=12,39/E(keV)). Nesse caso, os ângulos de Bragg são todos menores do que
para baixas energias, possibilitando assim a medição de intensidades associadas a um
número maior de cones. Esta forma de medição é mais rápida e geralmente exibe uma
estatística de contagem de fótons de melhor qualidade, de modo que ela é frequente-
mente utilizada para estudar transições de fase em materiais in situ e em tempo real.
A teoria cinemática de raios X aplicada ao caso do método XPD permite determi-
nar a intensidade dos picos de Bragg Ihkl(2θ), com índices de Miller (h k l), em função
da metade do ângulo de espalhamento θ, mediante a equação a seguir:28
Ihkl(2θ) = A |Fhkl|2 mhkl L(θ) P(θ) (4)
em que A é uma constante independente do ângulo de espalhamento 2θ, Fhkl é o fator

de estrutura incluindo os efeitos das vibrações atômicas (fator de Debye-Waller), mhkl
é a multiplicidade de planos cristalográficos associada aos picos de Bragg com índi-
ce hkl, L(θ) é chamado fator de Lorentz e P(θ) é o fator de polarização. O fator de
Lorentz depende da configuração experimental utilizada, cuja expressão para o caso
de um pó orientado aleatoriamente e utilizando varredura simétrica (geralmente uti-
lizada para o caso de difratômetros convencionais, como será discutido a seguir) é
L(θ) = cos(θ)/sen2(2θ). Em experiências com feixe incidente não polarizado o fator
de polarização corresponde ao espalhamento Thomson (Equação 1), o que ocorre
quando é utilizado um tubo de raios X convencional, sem o uso de cristais mono-
cromadores. Quando a radiação síncrotron é utilizada como fonte dos raios X, a ra-
diação é linearmente polarizada no plano da órbita eletrônica, e, neste caso, pode-se
demonstrar que P(θ) vale aproximadamente 1.
Aplicações importantes do método de XPD são (i) a análise qualitativa das fases
cristalinas presentes num dado material polifásico – ou seja, a identificação das mesmas
comparando os difratogramas experimentais com os padrões existentes em bases de
dados cristalográficos de compostos conhecidos – e (ii) a determinação quantitativa
das frações de volume ou em peso das diversas fases. Outra aplicação frequente está
relacionada ao procedimento de “refinamento” da estrutura atômica das fases presentes
pelo método de Rietveld.92 Mediante este método são obtidos valores precisos dos
parâmetros cristalográficos, mas o refinamento deve ser sempre iniciado a partir de va-
lores aproximados dos mesmos. Atualmente, é possível também resolver uma estrutura
cristalina desconhecida exclusivamente a partir de dados de XPD, seguindo estratégias
de análise similares às utilizadas no caso de difração de monocristais. Este procedi-
mento de análise é complexo e geralmente requer dados de alta qualidade, tipicamente
obtidos mediante o uso de feixes de raios X produzidos por fontes de luz síncrotron.
1.2.2. Configurações experimentais

A maioria dos difratômetros utilizados para a caracterização de pós de laboratórios de
raios X convencionais se baseia na “geometria Bragg-Brentano”, também conhecida
como geometria de feixe focalizado.45 Como ilustrado na Figura 5.6, a amostra pos-
sui uma superfície plana perpendicular ao plano do desenho e o feixe incidente tem
uma divergência definida por uma fenda situada entre a fonte F1 e a amostra. A
amostra mantém sempre uma orientação simétrica com respeito aos feixes incidente
e difratado (mediante uma rotação θ), e, assim, os feixes difratados durante a varre-
dura θ-2θ convergem nas posições da abertura de resolução do detector, F2. No caso
ilustrado na Figura 5.6, é opcionalmente utilizado um monocromador secundário
(de grafite ou outro material monocristalino) para remover componentes da radiação
de comprimentos de onda indesejados (como a radiação Kβ e a parte contínua do
espectro de emissão).
Figura 5.6. Esquema mostrando a geometria básica Bragg-Brentano

utilizada em difratômetros de pós convencionais de laboratório.
A convergência do feixe difratado que ocorre na geometria Bragg-Brentano seria

perfeita se a amostra tivesse uma superfície curva seguindo a chamada circunferência
de Rowland ou de focalização, que contém os pontos F1, F2 e o ponto definido pelo
eixo de rotação da amostra. Essa condição é difícil de conseguir na prática, espe-
cialmente porque a circunferência de Rowland muda seu raio durante a varredura
θ-2θ. Nos aparelhos de difração de raios X clássicos, a geometria Bragg-Brentano
é realizada mediante um feixe incidente fixo e rotações simultâneas da amostra, θ,
e do detector, 2θ; ou com a amostra fixa (geralmente horizontal) e com o tubo de

raios X (feixe incidente) e o detector (feixe difratado) com rotações θ-θ em sentidos
opostos. Nas duas montagens a amostra permanece sempre tangente à circunferência
de Rowland, conseguindo-se assim, de forma simples, a convergência dos feixes di-
fratados. A geometria não ideal desta configuração (por ser a amostra plana) produz
uma pequena contribuição instrumental à largura dos picos de Bragg.
A principal dificuldade experimental da configuração Bragg-Brentano é a ocor-
rência de um deslocamento dos picos de Bragg quando a superfície da amostra não
coincide exatamente com o eixo de rotação do difratômetro e também quando a
amostra possui uma elevada transparência.45 Uma configuração que conduz a re-
sultados mais precisos é a de “feixe incidente paralelo”, com a qual não se produz
nenhuma mudança nas posições dos picos de Bragg devido à excentricidade da
amostra. Embora existam equipamentos de laboratório com tal configuração, esta
é mais frequentemente utilizada em estações de XPD associadas a fontes de luz
síncrotron.
A descrição das características detalhadas das estações de XPD associadas a fon-
tes de luz síncrotron foge do escopo deste capítulo, mas serão a seguir mencionadas
algumas propriedades interessantes e importantes das mesmas:
y Alta intensidade do feixe de raios X incidente em comparação com a dos feixes

produzidos por fontes convencionais.
y Possibilidade de utilização de feixe incidente com seção muito pequena, per-
mitindo assim selecionar de forma precisa áreas específicas da amostra a ser
estudada.
y Possibilidade de alta resolução angular em experiências de difração ou espa-
lhamento.
y Emissão de radiação branca, o que permite selecionar de forma arbitrária o
comprimento de onda do feixe incidente e assim diferenciar elementos de
números atômicos próximos, utilizando a variação do fator de espalhamen-
to nas proximidades da borda de absorção de algum dos elementos químicos
presentes na amostra, fenômeno conhecido como espalhamento anômalo ou
ressonante. Mais adiante, na seção 3.2 deste capítulo, será descrita uma das
aplicações do espalhamento anômalo em experiências de espalhamento de
raios X a baixo ângulo (SAXS).
y Possibilidade de utilização de feixe de raios X incidente altamente monocro-
mático (mediante o uso de monocromadores de monocristais de alta resolu-
ção), ao contrário dos aparelhos convencionais de laboratório em cujos diagra-
mas de difração geralmente está presente o dupleto Kα1-Kα2. Note-se que,
atualmente, se empregam monocromadores também em aparelhos conven-

cionais de difração de raios X que permitem selecionar apenas a radiação Kα1;
y Possibilidade de uso de configurações experimentais com geometria de feixe
incidente paralelo.
1.3. A difração de raios X de pós cristalinos aplicada a nanomateriais

A técnica XPD pode ser utilizada em estudos de nanomateriais sem nenhuma dife-
rença significativa do caso de um material microcristalino. No entanto, deve-se notar
que existe um alargamento considerável dos picos de Bragg, que está relacionado ao
fato de que, para o caso dos nanocristais, já não é satisfeita a hipótese de um cristal
ideal, perfeito e infinito. Isto será discutido em detalhe na secão seguinte, onde se
verá que existe uma relação inversa entre o tamanho médio do cristalito e a largura
dos picos.
Portanto, a técnica XPD aplicada a nanomateriais oferece informação importante
relacionada com a morfologia externa dos cristalitos da amostra, enquanto no caso
dos materiais microcristalinos é obtida apenas a informação cristalográfica interna.
Em outras aplicações, tais como na análise qualitativa e quantitativa de fases cristali-
nas, refinamento de estrutura atômica etc., os procedimentos são utilizados de modo
similar ao caso de pós microcristalinos.
1.3.1 Identificação de fases por XPD em nanomateriais

A identificação de fases é uma das aplicações mais comuns da técnica XPD, tan-
to no caso dos materiais microestruturados como em nanomateriais. No entanto, o
alargamento dos picos de Bragg que se produz nos sistemas nanocristalinos, com a
consequente redução na sua altura, pode dificultar a observação de picos muito pró-
ximos entre si ou de baixa intensidade. Nesses casos, é necessário coletar dados com
contagens de fótons de boa qualidade estatística e recorrer a ferramentas matemáti-
cas que permitam separar as contribuições de cada pico ou modelar o difratograma
completo, como, por exemplo, mediante o método de Rietveld. A partir dessa análise
é possível a obtenção de informação cristalográfica de modo similar ao caso dos ma-
teriais convencionais.
É importante tomar algumas precauções básicas quando se pretende identificar
as fases presentes em nanomateriais. Alguns autores têm preferido crescer os cristais
mediante tratamentos térmicos a temperaturas relativamente altas para reduzir a
largura dos picos e assim poder separar mais os picos próximos. Esse procedimento
é incorreto, já que ele supõe que os cristais de maior tamanho apresentam as mesmas
fases que os nanocristais originais, o que em geral não acontece. No caso dos na-
nomateriais, a energia livre de superfície e a energia devida às interfaces provocam
modificações importantes nas propriedades termodinâmicas.3; 5; 6; 22; 23; 27; 48; 49; 50 Por
esse motivo, os diagramas de fases de sistemas nanoestruturados podem ser muito
diferentes dos diagramas de fases catalogados, construídos considerando-se somente
a contribuição volumétrica da energia livre de Gibbs. Por exemplo, a temperatura de
fusão, os limites de solubilidade e a estabilidade relativa das fases podem se modificar
consideravelmente. No entanto, a nova variável a se levar em conta nos diagramas de
fases, o tamanho de cristalito, tem sido pouco considerada na literatura e muito pou-
co explorada do ponto de vista tecnológico. Além dessas considerações, é importante
sempre lembrar que os nanomateriais de interesse devem ser analisados sem aplicar
nenhum tratamento que possa modificá-los.
Um exemplo clássico conhecido desde há muito tempo, de retenção de fases me-
taestáveis em nanomateriais, é o caso da fase tetragonal em nanocerâmicas à base de
ZrO2 (zircônia). A zircônia pura apresenta três fases, dependendo da temperatura,
com estruturas baseadas em redes de Bravais monoclínica, tetragonal e cúbica.38 Na
temperatura ambiente a fase estável é a monoclínica, que exibe pouco interesse tec-
nológico. Aumentando a temperatura até 1170 °C, se observa uma transformação
martensítica para a fase tetragonal, enquanto a 2370 °C se produz outra transfor-
mação martensítica para a fase cúbica. A fase cúbica possui a estrutura da fluori-
ta (CaF2), enquanto as fases de rede tetragonal e monoclínica apresentam células
unitárias similares, apenas distorcidas em relação à célula cúbica. As fases de alta
temperatura têm excelentes propriedades elétricas e mecânicas, ao passo que a fase
monoclínica não apresenta interesse tecnológico.
Enquanto na ausência de dopantes a fase monoclínica é a estável a temperatura
ambiente, em pós nanocristalinos é retida a fase tetragonal quando o tamanho mé-
dio dos cristalitos é muito pequeno, inferior a certo tamanho crítico da ordem de
20 nm. Em vários trabalhos anteriores são reportados tamanhos críticos entre 20
e 30 nm.3; 23; 27 Alguns autores afirmam que também é possível reter a fase cúbica a
temperatura ambiente sem introduzir dopantes se os cristalitos forem extremamente
pequenos, menores que 10 nm.13; 11; 58; 69; 76 Contudo, nesses estudos a fase cúbica não
foi claramente distinguida da fase tetragonal, já que a análise das fases foi realizada
por difração de raios X em condições relativamente desfavoráveis, com difratômetros
de laboratório, razão pela qual a retenção da fase cúbica não pode ser confirmada.50
Outro exemplo interessante é o de soluções sólidas nanocristalinas de ZrO2-
-Sc2O3. Este sistema tem grande importância tecnológica pela sua possível aplicação
como célula de combustível de óxido sólido (SOFC), devido à sua elevada condutivi-
dade iônica a temperaturas elevadas em comparação a outros materiais baseados em
ZrO2. No entanto, a temperaturas inferiores a 550-600 °C, as fases de equilíbrio β,

γ e δ, de estrutura romboédrica, apresentam baixa condutividade iônica. O mesmo
se aplica no caso da fase monoclínica, mencionada anteriormente, que também exibe
propriedades tecnologicamente indesejáveis. A temperatura elevada, a fase romboé-
drica se transforma na fase cúbica, que possui excelentes propriedades elétricas.3
Mediante experiências de XPD com radiação síncrotron realizadas a temperatura
ambiente e a alta temperatura no LNLS, foi determinado o diagrama de fases tem-
peratura versus a composição de soluções sólidas nanocristalinas com tamanho de
cristalito de aproximadamente 25 nm.1 Verificou-se que o mesmo difere claramente
do diagrama de fases de equilíbrio conhecido – que foi determinado para um tama-
nho de grão micrométrico ou maior – já que, reduzindo o tamanho do cristalito, se
evitam as fases romboédricas de baixa condutividade iônica.1; 3
A Figura 5.7 ilustra uma comparação entre dois diagramas de fases. O diagrama
de fases associado a cristais nanométricos é qualitativamente semelhante ao de outros
sistemas baseados em ZrO2, os quais apresentam as formas tetragonais t' e t" e fase
cúbica, mas sem fases romboédricas. Para uma melhor compreensão da influência do
tamanho de cristalito na retenção das fases metaestáveis foi feito também um estudo
cristalográfico detalhado de materiais contendo entre 10 e 14 % por molar de Sc2O3
e tamanhos de cristalito entre 10 e 100 nm. Esses estudos revelaram a existência de
um tamanho de cristalito crítico, de cerca de 35 nm, acima do qual aparecem as fases
romboédricas de equilíbrio com baixa condutividade iônica.2; 4
Figura 5.7. Diagramas de fases do sistema ZrO2-Sc2O3. (a) Diagrama de equilíbrio

de material microcristalino (baseado no artigo de Ruh et al., 1977); e
(b) diagrama de fases de um material formado por nanocristais de 25 nm.1
Recentemente, se verificou que é possível evitar as fases romboédricas também

em grãos submicrométricos de cerâmicas densas. Isso se deve ao efeito combinado
do pequeno tamanho de grão e do estresse intergranular.3 Esse resultado é de grande
importância para as aplicações tecnológicas dessas cerâmicas. Através de estudos de
espectroscopia de impedância se comprovou que, evitando as fases romboédricas, es-
tas cerâmicas densas, de pequeno tamanho de grão, apresentam condutividade iônica
excelente em todo o intervalo de temperatura de interesse.
1.3.2. Métodos para o estudo do tamanho de cristalito e microdeformações

através da análise dos perfis dos picos de difração de raios X
A análise dos perfis dos picos de difração de raios X para o estudo das propriedades
microestruturais dos materiais é quase tão antiga quanto a difração de raios X. Há 90
anos, P. Scherrer descobriu que a largura dos picos de difração varia inversamente com
o tamanho médio, D, dos cristalitos presentes na amostra e encontrou a relação:53
Kλ
βS = (5)
D cosθ
em que λ é o comprimento de onda da radiação incidente, θ é o ângulo de Bragg, β

é alguma medida da largura do pico e K é uma constante próxima de 1, conhecida
como constante de Scherrer, que depende da forma do cristalito e das definições
utilizadas para βS e D. Como medida da largura pode ser escolhida a largura integral
(β), a variância (W) ou a largura a meia altura (Γ) do pico de difração. A Equação 5 é
conhecida como “equação de Scherrer”. Nesta equação, βS (o subíndice S é associado
à palavra inglesa size) não depende da ordem da reflexão.
A.R. Stokes e A.J.C. Wilson descobriram que, para o caso da largura integral do
pico de Bragg definida como a razão entre a área do pico e a sua altura (ou seja, a
largura que teria um retângulo com igual altura e a mesma área do pico considerado),
o tamanho médio D derivado da equação de Scherrer é o valor médio, ponderado
pelo volume, da dimensão T dos cristalitos na direção perpendicular aos planos de
difração considerados:
1
< D >v =
V ∫
T dV (6)
Neste caso a constante de Scherrer é igual à unidade, ou seja:
λ
βS = (7)
< D > v cosθ
Por outro lado, no método de Warren-Averbach, D é escolhido como o valor

médio da superfície projetada na direção perpendicular aos planos de difração, que
é aqui representada por <D>a. É importante notar que <D>v pode ser facilmente
100 % maior do que <D>a.19 Uma excelente revisão desses conceitos foi realizada por
Langford e Wilson.53
O alargamento dos picos devido a microdeformações foi relatado em 1925 por
Van Arkel, mas tem sido a causa de debates desde então. De um modo geral, fo-
ram utilizados dois procedimentos com pontos de vista diferentes associados a este
problema:54
(a) Define-se a microdeformação ~e considerando variações locais do espaçamento

interplanar d como ~e = Δd / d e se calcula a largura integral no intervalo an-
gular correspondente a (d + Δd) e (d – Δd), supondo que a Lei de Bragg vale
em todo o intervalo. Isso implica que partes da amostra com espaçamento (d +
Δd) e (d – Δd) difratam independentemente. Desse modo é obtida a seguinte
expressão (o subscrito D indica “deformação”)
βD = 4 ~e tanθ (8)
(b) A componente da deformação ε(n) é definida como a deformação média entre

duas células unitárias separadas por n células em uma coluna perpendicular
aos planos de difração. Para uma distribuição gaussiana de ε(n), independen-
temente da separação das n células, ou seja, <ε2(n)> = <ε2>, obtém-se um perfil
de deformação gaussiano. Considera-se, nesse caso, que a região que contém
a variação na distância interplanar difrata coerentemente e, assim, é obtida na
equação:
βD = 2(2π)1/2 <ε2>1/2 tanθ (9)
Vemos nas Equações 8 e 9 que ambos os pontos de vista levam à mesma depen-
dência angular, de modo que os parâmetros ~e e <ε2>1/2 se relacionam mediante a
expressão seguinte:
~e = 1 (2 π) 1/ 2 < ε 2 > 1/ 2 (10)
2
A igualdade na Equação 10 só é válida se ε(n) tem uma distribuição gaussiana, ou

seja, se o perfil dos picos de raios X, causado pelas deformações, é gaussiano. Embo-
ra frequentemente utilizada, essa distribuição não é sempre aplicável. É importante
notar também que, diferentemente do alargamento pelo tamanho, o alargamento por
deformação depende da ordem de difração.
Vários métodos podem ser utilizados no estudo por difração de raios X do efeito
combinado do tamanho de cristalito e das microdeformações. Detalhes destes méto-
dos serão descritos a seguir.
Gráficos de Williamson-Hall e casos simples

Em 1949, W.H. Hall propôs um método gráfico para separar os efeitos de tamanho
e de deformação, que foi logo aperfeiçoado pelo mesmo autor em conjunto com G.K.
Williamson em 1953.89 Esses autores notaram que se o perfil do pico é lorentziano
o gráfico βcosθ vs. senθ é linear. Os parâmetros <D>v e ~e (Equação 10) são obtidos
a partir da ordenada na origem e da inclinação da reta, respectivamente. Os autores
também observaram que se existe uma componente gaussiana considerável, o gráfico
anterior apresenta desvios significativos com relação à dependência linear. Porém, no
caso de um perfil totalmente gaussiano, o gráfico β2 cos2θ vs. sen2θ é linear. Embora
esses casos simples não sejam observados na prática, os gráficos de βcosθ vs. senθ e β2
cos2θ vs. sen2θ permitem uma primeira apreciação qualitativa do comportamento dos
perfis que se deseja analisar. No entanto, eles não permitem a obtenção de valores
quantitativos de <D>v e ~e . Valores quantitativos precisos são obtidos somente se uma
das duas componentes, a gaussiana ou a lorentziana, é desprezível.
Método de Fourier de Warren-Averbach

A teoria mais geral que considera o efeito simultâneo do tamanho de cristalito e das
microdeformações no perfil dos picos de difração foi proposta por B.E. Warren e
B.L. Averbach nos anos 1950-52.45; 87 O perfil do pico de raios X analisado h(x) – em
que x se refere à variável angular utilizada – pode ser considerado como a convolu-
ção de distintos efeitos, alguns originados pela amostra que se deseja estudar, que
resultam num perfil f(x), e outros instrumentais, que produzem um perfil g(x). Desse
modo, o perfil observado h(x) é calculado mediante a operação matemática chamada
“produto de convolução” das funções f(x) e g(x), ou seja:
h(x) = f(x) * g(x) (11)
Por outro lado, sabe-se que a transformada de Fourier H(t) da função h(x) está
relacionada a F(t) e G(t) – as transformadas de f(x) e g(x), respectivamente – através
do produto direto:
H(t) = F(t) G(t) (12)
Assim, conhecendo-se, a priori, o perfil instrumental g(x), (medido com uma amos-
tra com cristalitos relativamente grandes e sem microdeformações), e medindo-se o
perfil total h(x), calcula-se a transformada de Fourier do perfil associado à amostra,

F(t), que é o quociente H(t)/G(t). Finalmente, a partir da transformada inversa de
F(t), obtém-se o perfil f(x) associado exclusivamente à amostra.
A seguir será considerado o caso em que o perfil f(x) é a convolução dos efeitos
devidos ao tamanho de cristalito fS(x) e às microdeformações fD(x). Como os coefi-
cientes de Fourier do perfil total são o produto dos coeficientes de cada um desses
perfis, resulta que:
A(n,l) = AS(n) AD (n.l) (13)
em que A indica os coeficientes de Fourier cosseno normalizados com a condição

A(0,l)=1, n, o número do harmônico considerado, e l, a ordem da reflexão.
Como foi mencionado anteriormente, o coeficiente do perfil devido ao tamanho
S(n) é independente da ordem da reflexão. Como exemplo, pode-se tomar o caso
A
simples de uma rede ortorrômbica de parâmetros de rede a1, a2 e a3 e planos de di-
fração da forma {00l}. Se considerarmos que o domínio responsável pela difração, ou
cristalito, é formado por colunas de células unitárias perpendiculares aos planos de
difração, então pode-se demonstrar que:45; 87
AS(n) = N(n) / N3 (14)

AD(n,l) = <cos 2πlZ(n)> (15)
em que N(n) é o número de células unitárias em toda a amostra que têm uma célula
vizinha a uma distância de n células na mesma coluna, N3 é o tamanho do domínio
de difração, em unidades de células unitárias, perpendiculares aos planos (00l), e
Z(n) é a diferença entre os espaçamentos das células unitárias separadas em n células.
O símbolo < > na Equação 15 indica a média sobre todos os pares de células unitárias
a uma distância de n células, na mesma coluna, em toda a amostra. Definindo ε(n)
= Z(n)/n, resulta:
N (n)
A(n,l) = < cos 2 πnl ε(n) > (16)
N3
e como AD(n,l) depende de l, diferentemente de AS(n), os efeitos de tamanho e defor-

mação podem ser separados tomando o logaritmo da Equação 16, obtendo-se assim:
lnA(n,l) = ln(N(n) / N3) + ln = <cos 2πnlε(n)> (17)
Se o argumento do cosseno na Equação 17 é pequeno, lnA(n,l) pode ser expan-

dido em série de potências mantendo-se somente os primeiros termos da mesma, de
modo que:
lnA(n,l) ≅ ln(N(n) / N3) – 2π2 n2 l2 <ε2 (n)> (18)

Essa equação é exata se ε(n) possui uma distribuição gaussiana. A partir do gráfico
linear lnA(n,l) versus l2 calculam-se os valores da ordenada na origem e da inclinação
da reta, dos quais se derivam as quantidades AS(n)=N(n)/N3 e <ε2>, respectivamente.
Para calcular o tamanho de cristalito como descrito anteriormente, utiliza-se o
procedimento seguinte:45; 87 a partir de um gráfico AS(n) vs. n se determina a interse-
ção com o eixo das abscissas da reta associada à inclinação inicial, que corresponderá
ao valor de N3. Uma vez determinado esse valor, obtém-se um tamanho de cristalito
mediante a expressão <D>a = N3 a3, que é um valor médio na direção perpendicular
aos planos de difração pesado pela superfície projetada nessa mesma direção. Final-
mente, é importante mencionar que a partir da derivada segunda de AS(n) é possível
determinar a distribuição de tamanhos de cristalito.45; 87
Método da largura integral

Nesse caso, diferentemente do método de Warren-Averbach, são feitas hipóteses so-
bre o perfil da amostra f(x) = fS(x)*fD(x), que é aproximado por uma função Voigt, ou
seja, o produto de convolução de uma função de Lorentz com uma gaussiana. Como
demonstrado por Langford e Wilson,53 esta representação é válida se:
2/π ≤ Γ/β ≤ 2 (ln2/π)1/2 (19)

(lorentziana pura) (gaussiana pura)
em que Γ é a largura a meia altura e β é a largura integral.

Na versão mais simples deste método, desenvolvido por De Keijser et al.18, supõe-
-se que o perfil devido ao tamanho fS(x) é lorentziano e o devido às microdeforma-
ções fD(x) é gaussiano. Assim, é possível analisar o tamanho de cristalito e as micro-
deformações com um único pico de difração, aproximando a forma do pico por uma
função Voigt e encontrando suas componentes lorentziana fL(x) e gaussiana fG(x),
ou seja:
f(x) = fL(x) * fG(x) (20)
Então, supondo
fS(x) = fL(x) (21a)
fD(x) = fG(x) (21b)
e aplicando as Equações 7 e 8 resulta:
~e = βG (22a)
4 tan θ
~e = βG (22b)
4 tan θ
em que βL e βG são as larguras integrais das componentes lorentziana e gaussiana,

respectivamente. De Keijser et al.18 calcularam também expressões aproximadas para
βL e βG em função de φ = Γ/β:
βL (23a)
= 2,0207 - 0,4803φ - 1,7756φ 2
β
βG 2 (23b)
= 0,6420 + 1,4187 ( φ - π ) 1/2 - 2,2043φ + 1,8706 φ 2
β
Para eliminar a contribuição à largura do pico dos efeitos instrumentais neste

método, no caso de as funções f(x), g(x) e h(x) da Equação 11 serem todas Voigt,
considera-se que:
hL(x) = fL(x) * gL(x) (24a)
hG(x) = fG(x) * gG(x) (24b)
e resulta:
βfL = βhL – βgL (25a)
(βfG)2 = (βhG)2 – (βgG)2 (25b)
No caso mais geral, com perfis de picos de difração com componentes lorentzia-
nas e gaussianas, tanto para fS(x) quanto para fD(x), o procedimento para a determi-
nação de <D> e ~e requer a análise dos picos correspondentes a duas ou mais ordens
de uma mesma reflexão. Este método foi proposto por Langford et al.54. Neste caso,
o processo de deconvolução (eliminação dos efeitos instrumentais) dado pelas Equa-
ções 24 e 25 continua sendo válido. Assumindo que f(x), fs(x) e fD(x) são funções
Voigt, resulta que:
βfL cosθ = βSL + βDL senθ (26a)
(βfG)2 cos2θ = (βSG)2 + (βDG)2 sen2θ (26b)
e, portanto, formando o gráfico a partir de βfL cosθ vs. senθ pode-se obter βSL e βDL,
enquanto do gráfico de (βfG)2 cos2θ vs. sen2θ se determinam (βSG)2 e (βDG)2. A partir
das larguras integrais das componentes lorentzianas e gaussianas de fS(x) e fD(x) se

determinam βS e βD utilizando a expressão:
β = βG exp(–k2) / [1 – erf(k)] (27)
sendo k = βL / π1/2βG e erf(x) a função erro. Em lugar da Equação 27 pode-se utilizar

a aproximação:18
βG 1 1
= − k π1/ 2 + (k π 2 + 4 )1/2 − 0 ,234 k exp(−2 ,176k ). (28)
β 2 2
É importante notar que os valores βS e βD obtidos dessa maneira são as constan-

tes que multiplicam 1/cosθ e tanθ nas Equações 7 e 8 e não devem ser confundidos
com as larguras integrais do modelo anterior de um único pico (nesse caso S e D são
indicados como subscritos e, agora, estão como sobrescritos para distinção). Compa-
rando com as Equações 7 e 8, encontra-se que, para obter <D>v e ~e a partir de βS e
βD, simplesmente devem ser utilizadas as seguintes igualdades:
<D>v = λ / βS (29a)
~e = βD / 4 (29b)
Finalmente, é importante observar que vários programas de análise e de ajuste
dos perfis dos picos de difração de raios X não são capazes de trabalhar com a função
de Voigt. Este é o caso, por exemplo, dos programas de Rietveld mais conhecidos.
Em contraste, são tipicamente aplicadas funções pseudo-Voigt (soma de uma função
gaussiana com uma lorentziana) e Pearson VII. Nesse caso, é feito um ajuste com
a função escolhida e depois se calculam as larguras das componentes lorentziana e
gaussiana equivalentes. De Keijser et al.19 calcularam expressões aproximadas para
βL e βG de acordo com os parâmetros característicos destas funções. Para descrever
este procedimento será agora considerado o caso da função pseudo-Voigt:
pV(2θ) = Io [ηL(2θ) + (1-η)G(2θ)] (30)
em que L(2θ) = [1+(2θ – 2θo)2/Γ2]–1 e G(2θ) = exp[-ln2(2θ – 2θo)2/Γ2] são as funções

de Lorentz e de Gauss, respectivamente, 2θo a posição angular do pico considerado,
η o parâmetro de mistura e Γ a largura a meia altura do pico. A largura integral de
uma função pseudo-Voigt é:
β = (Γ/2) [πη + (1-η) (π/ln2)1/2] (31)
Para calcular as larguras βL e βG equivalentes se utilizam as seguintes expressões

aproximadas:
βL (32a)
= 0,017475 + 1,50048 η - 0,534156 η2
β
βG (32b)
= 0,184446 + 0,812692 (1- 0,998497 η ) 1/2 - 0,659603 η + 0 ,44542 η2
β
1.4. Método de Rietveld e sua aplicação ao estudo de tamanho de

cristalito e de microdeformações
O método de Rietveld permite simular um padrão de difração de raios X experimen-
tal a partir de um modelo que inclui duas contribuições principais: (i) da estrutura
atômica baseada nas posições médias dos átomos em todas as células unitárias e (ii)
de várias contribuições aos perfis dos picos de difração, representadas em termos de
funções analíticas. Ambas as contribuições são importantes para se conseguir alcan-
çar um bom acordo entre os padrões de difração simulados e observados. A inten-
sidade integral das reflexões de Bragg e suas posições angulares dependem, em pri-
meira aproximação, da estrutura cristalográfica média. Contudo, os perfis dos picos
estão relacionados, por um lado, com a geometria do equipamento e, por outro, com
a microestrutura e outras propriedades da amostra. Dessa forma, analisando os perfis
dos picos de difração, é possível obter informações relevantes sobre imperfeições es-
truturais da amostra estudada, incluindo não somente o tamanho de cristalito, mas,
também, as variações nas distâncias interplanares devidas a tensões internas ou à não
estequiometria, maclas, falhas de empilhamento, discordâncias etc.
Nesta seção são brevemente descritos os procedimentos seguidos quando o mé-
todo de Rietveld é aplicado para estudar as imperfeições de materiais. O objetivo
principal deste tipo de análise é encontrar uma explicação física tentativa dos alarga-
mentos dos picos de Bragg. Porém, deve ser lembrado que a aplicação mais frequente
do método de Rietveld é o refinamento do modelo estrutural cristalográfico e não a
análise dos perfis dos picos de difração.
Uma característica importante do método de Rietveld é que ele não somente leva
em conta os efeitos mencionados mas, também, inclui parâmetros referentes a aspec-
tos instrumentais para corrigir as consequências da descentragem e da transparência
da amostra, deslocamento do zero de 2θ etc.
Para a determinação do tamanho de cristalito e das deformações aplicando o mé-
todo de Rietveld é empregado um procedimento similar ao descrito para o proce-
dimento da largura integral. O procedimento é iniciado ajustando os padrões de
difração da amostra a ser estudada e o de uma amostra de referência que produz um
alargamento desprezível devido a imperfeições, utilizando uma função analítica para
os diferentes perfis de picos. Geralmente os melhores ajustes são obtidos (i) usando
as funções pseudo-Voigt ou Pearson VII para determinar as larguras integradas das
componentes lorentziana e gaussiana mediante as Equações 23a e 23b a partir de φ
= Γ/β ou (ii) mediante as aproximações de De Keijser et al. (Equações 32a e 32b) no
caso em que o ajuste é realizado com uma função pseudo-Voigt partindo dos parâ-
metros característicos dessa função. Uma vez determinadas as larguras integrais βhL,
βhG, βgL e βgG são obtidos os parâmetros βfL e βfG usando o procedimento de decon-
volução descrito pelas Equações 24a e 24b.
Finalmente são determinados o tamanho médio de cristalito <D>v e o parâmetro
de microdeformação ~e (i) mediante a análise de somente um pico de difração supon-
do que βfL representa corretamente os efeitos de tamanho e βfG os das deformações
ou (ii) pelo método mais geral que considera as várias ordens de uma reflexão de
Bragg, calculando os parâmetros βSL, βDL, βSG e βDG com as Equações 26a e 26b e
aplicando depois as Equações 27 ou 28 para obter βS e βD.
Muitos programas de refinamento de estruturas mediante o método de Rietveld
utilizam a função pseudo-Voigt (gaussiana + lorentziana) e ajustam o parâmetro de
mistura das funções η e a largura a meia altura Γ a partir de parâmetros que modelam
suas respectivas dependências com 2θ.92 Para η se usa geralmente a relação linear:
η = NA + NB 2θ (33a)
enquanto para determinar Γ se utiliza a dependência:92
Γ2 =U tan2θ + V tanθ + W + Z /cos2θ (33b)
Desta forma são determinados, mediante ajuste, os seis parâmetros seguintes: NA,
NB, U, V, W e Z.
Outra possibilidade incorporada em vários programas é o uso da função pseudo-
-Voigt Thompson-Cox-Hastings modificada.82 Neste caso se usa uma função pseu-
do-Voigt; mas, em lugar de ajustar η e Γ, se realizam ajustes diretos das larguras a
meia altura das componentes lorentziana e gaussiana ΓL e ΓG, respectivamente, a
partir dos quais se calculam η e Γ mediante as equações:
η = 1,36609 q – 0,47719 q2 + 0,1116 q3 (34a)
Γ = (ΓG5 + A ΓG4 ΓL + B ΓG3 ΓL2 + C ΓG2 ΓL3 + D ΓG ΓL4 + ΓL5)0,2 (34b)
em que
q = ΓL / Γ, A = 2,69269, B = 2,42843, C = 4,47163 e D = 0,07842.

As larguras ΓL e ΓG são ajustadas utilizando as seguintes expressões:
ΓL = X tanθ + Y/cosθ (35a)
ΓG = (U tan2θ + V tanθ + W + Z /cos2θ)1/2 (35b)
Tanto neste caso quanto no descrito anteriormente são ajustados seis parâmetros.
É importante interpretar o significado dos parâmetros mencionados. Sendo βL =
(π/2) ΓL e βG = 1/2 (π/ln2)1/2 ΓG e comparando com as Equações 26a e 26b resulta:
βSL = (π/2)Y (36a)
βDL = (π/2)X (36b)
βSG = 1/2 (π/ln2)1/2Z1/2 (36c)
βDG = 1/2 (π/ln2)1/2U1/2 (36d)
Antes da aplicação destas equações devem ser feitas as correções dos perfis de-
vidos aos efeitos instrumentais. Se o perfil de difração instrumental e o da amostra
podem ser representados pela mesma função, as Equações 25a e 25b indicam que a
correção dos efeitos instrumentais pode ser feita mediante uma simples subtração de
coeficientes ajustados. Por exemplo, no caso de experiências de difração de nêutrons,
o perfil instrumental é, em geral, aproximadamente gaussiano e pode ser descrito
utilizando somente os parâmetros U, V e W da Equação 35b, de modo que, para
determinar βDG, se deve simplesmente calcular a diferença (U-Uins). Note-se que
estes parâmetros não dependem dos índices de Miller, hkl, da reflexão considerada,
de modo que as expressões anteriores são válidas nos casos nos quais os efeitos de
tamanho e de deformação são isotrópicos. Alguns programas começam sua aplicação
utilizando modelos isotrópicos para depois introduzir correções que levam em conta
a existência de alguma anisotropia.
1.5. Um caso de estudo: pós nanocristalinos de ZrO2 dopados com Y2O3

Como exemplo dos métodos apresentados, é aqui descrito o caso de um pó nano-
cristalino de ZrO2 dopado com Y2O3 sintetizado mediante o método de gelificação-
-combustão utilizando ácido cítrico como combustível.39; 48 Foi selecionada, em par-
ticular, a composição ZrO2-2,8 % molar Y2O3. As cinzas obtidas após a reação de
combustão foram calcinadas a 600 °C durante 2 horas para a eliminação lenta dos
resíduos carbonosos. Dessa forma foi obtido um pó branco muito leve e de aspecto
espumoso formado por cristalitos nanométricos ligeiramente aglomerados. Para a

análise mediante XPD foi utilizado um difratômetro de raios X convencional de
laboratório Philips PW 3710 (do Centro de Investigaciones en Sólidos, Conicet-
-Citedef, Villa Martelli, Argentina) utilizando a radiação Kα do cobre.
A Figura 5.8 mostra o padrão de difração do pó calcinado. Identificou-se nele
a presença de uma fase de rede tetragonal única caracterizada pelo desdobramento
típico dos picos de Bragg (400)t e (004)t. A indexação dos picos do difratograma
da Figura 5.8 foi feita considerando uma célula unidade tetragonal de tipo pseudo-
fluorita.38; 48 Deve-se destacar que não foi observado nenhum vestígio de picos da fase
estável monoclínica (que é observada em materiais com tamanho grande de cristali-
to). Conclui-se que a presença de fase tetragonal e a completa ausência da fase mo-
noclínica de equilíbrio na solução sólida estudada (ZrO2-2,8 %molar Y2O3) ocorrem,
a temperatura ambiente, somente em amostras nanocristalinas.
Para um primeiro cálculo do tamanho médio de cristalito, o perfil do pico (111)t
foi ajustado com uma função Pearson VII simétrica. A partir deste ajuste foi de-
terminada a largura integral e calculado o tamanho médio de cristalito utilizando a
equação de Scherrer (5) ou (7), desprezando o efeito das microdeformações e o alar-
gamento instrumental. Desta forma obteve-se um valor estimado <D>v = 92 (2) Å.
Figura 5.8. Difratograma de um pó de ZrO2 dopado com Y2O3 sintetizado por

gelificação-combustão com detalhe do desdobramento dos picos (400)t e (004)t.48
Esta estimativa é neste caso um valor quantitativo de certa precisão porque o

alargamento devido às deformações é pouco importante para ângulos baixos, já que
o alargamento dos picos de Bragg devido a este efeito é proporcional a tanθ. Além
disso, como o difratograma da Figura 5.8 apresenta picos muito largos, se espera que
o alargamento instrumental – tipicamente da ordem de alguns centésimos de grau,
atingindo um valor máximo da ordem de 0,1° – não modifique apreciavelmente o
perfil intrínseco. Os erros foram avaliados a partir das diferenças encontradas na lar-
gura integral dos picos determinadas com vários ajustes sem levar em conta os erros
sistemáticos mencionados.
Na Tabela 5.1 são reportados os resultados obtidos mediante a aplicação do mé-
todo de Rietveld utilizando uma função pseudo-Voigt convencional dada pela Equa-
ção 30 e ajustando os parâmetros a serem otimizados. Através desta primeira análise
obteve-se um valor estimado <D>v = 120 (5) Å. Foi também possível obter uma
estimativa do parâmetro ~e . Os valores dos parâmetros estruturais obtidos mediante
este ajuste estão listados na Tabela 5.2, os quais concordam com os reportados na
literatura.
Tabela 5.1. Valores estimados do tamanho médio de cristalito <D>v

e do parâmetro de microdeformação e~ correspondentes a nanopó de ZrO2
dopado com Y2O3 de fase tetragonal da Figura 5.8
βSL(°) βSG(°) βDL(°) βDG(°) βS(°) βD(°) <D>v(Å) ~e (x 10–3)
0,33 0,50 1,12 --- 0,73 1,12 120 (5) 4,9 (2)
Tabela 5.2. Parâmetros de rede e coordenadas da posição do íon O2– determinados

mediante o método de Rietveld utilizando a função pseudo-Voigt convencional
a (Å) c (Å) z(O2–)

5,1052 (4) 5,806 (4) 0,039 (5)
Para conseguir uma primeira visão qualitativa foram calculadas as larguras integrais
dos picos de difração a partir dos parâmetros ajustados com a função pseudo-Voigt
convencional utilizando a Equação (31) e foi construído o gráfico de Williamson-
-Hall, βcosθ vs. senθ, que é apresentado na Figura 5.9. Novamente, para determinar
o parâmetro β não foram feitas correções instrumentais, mas sim foram eliminados
os efeitos da radiação Kα2. Na Figura 5.9 percebe-se que, apesar de ser observada
uma pequena curvatura, os pontos se encontram aproximadamente alinhados sobre
uma reta, de modo que neste caso domina a componente lorentziana do perfil. Além
disso, observa-se uma alta inclinação da reta, o que indica um forte efeito das defor-
mações. Em caso contrário dever-se-ia obter uma reta horizontal, como previsto pela
equação de Scherrer. Este resultado concorda com o obtido anteriormente utilizando
as reflexões (111)t e (222)t, mas no procedimento aplicado agora são considerados

todos os picos do difratograma. A partir dos valores da ordenada na origem b e da
inclinação da reta m determinaram-se outras estimativas de <D>v e ~e . Nestes cálculos
considerou-se que as larguras de pico dadas pelas Equações 7 e 8 são aditivas, o que
seria exatamente válido se ambos os efeitos gerassem perfis lorentzianos. Dessa for-
ma, resultam <D>v = λ/b e ~e = m/4. Os valores obtidos são reportados na Tabela 5.3.
Figura 5.9. Gráfico de Williamson-Hall, βcosθ vs. senθ, obtido a partir do

difratograma da Figura 5.8.48
Depois destas observações qualitativas e estimativas de <D>v e ~e , são agora ex-

postos os resultados obtidos utilizando a função pseudo-Voigt Thompson-Cox-
-Hastings (TCH) modificada, sem considerar efeitos de anisotropia. Neste caso são
descontados os efeitos instrumentais determinados mediante o uso de um pó padrão
de Al2O3. Os valores dos parâmetros estruturais reportados na Tabela 5.4 são consis-
tentes com os obtidos mediante o uso da função pseudo-Voigt convencional (Tabela
5.2). No referente aos resultados do ajuste dos perfis dos picos de difração, novamen-
te foi verificado que βDG pode ser desprezado e que a componente lorentziana domi-
na sobre a gaussiana. Os valores βSL, βDL e βSG calculados mediante a Equação 36 e
os resultados de βS, βD, <D>v e ~e obtidos a partir deles são reportados na Tabela 5.5.
Tabela 5.3. Valores de <D>v e e~ determinados a partir do gráfico de Williamson-Hall
<D>v (Å) ~e (x 10-3)
98 (1) 2,95 (5)

Tabela 5.4. Valores dos parâmetros de rede e da posição do íon

oxigênio determinados mediante o método de Rietveld utilizando
a função pseudo-Voigt TCH modificada
a (Å) c (Å) z(O2-)

5,1049 (4) 5,1802 (4) 0,2041 (5)
Tabela 5.5. Valores de <D>v e de e~ determinados mediante o método

de Rietveld utilizando a função pseudo-Voigt TCH modificada
βSL(°) βSG(°) βDL(°) βDG(°) βS(°) βD(°) <D>v ~e

(Å) (x 10–3)
0,51 (1) 0,44 (1) 0,74 (2) --- 0,70 (3) 0,74 (2) 108 (3) 3,2 (1)
Os resultados de <D>v e de ~e reportados na Tabela 5.5 são mais precisos que os

anteriores, já que para seus cálculos foram descontadas previamente as contribui-
ções dos efeitos instrumentais. Outros métodos menos complexos, tal como o de
Williamson-Hall, permitem obter valores aproximados dos mesmos parâmetros de
forma mais simples.
1.6. Métodos modernos para a análise de dados de XPD de nanomateriais

Até aqui foram apresentados e discutidos os métodos clássicos para a análise dos
perfis dos picos de Bragg, os quais permitem, de forma relativamente simples, obter
informações sobre o tamanho médio de cristalito e sobre a microdeformação. Essas
informações são muito úteis para melhorar processos de síntese e para permitir a
compreensão das propriedades físico-químicas de materiais nanoestruturados.
Atualmente existem novas estratégias para determinar parâmetros estruturais a
partir de padrões de difração de pós completos, em lugar de analisar os diferentes
perfis dos picos de difração individualmente. Em particular o método de Rietveld
permite caracterizar, mediante uma única análise, os aspectos cristalográficos e tam-
bém os microestruturais mediante sub-rotinas que determinam a forma de cristalito,
as direções de deformação etc.
Os métodos convencionais expostos nas seções anteriores derivaram, a partir da
aparição dos computadores, em procedimentos mais completos conhecidos como
Full Pattern Profile Fitting (FPPF) ou Full Pattern Profile Modelling (FPPM), ba-
seados na análise simultânea de todo o difratograma, resolvendo-se assim o problema
associado com as superposições de picos de difração. No caso do FPPM, o padrão
de difração total da amostra é modelado mediante a convolução de diferentes efeitos

com significado físico bem-definido, tais como os devidos à distribuição de tama-
nhos de cristalito, densidade de discordâncias, maclado, etc. Para mais informações
sobre estes métodos, sugere-se consultar os artigos de P. Scardi e M. Leoni, da Uni-
versidade de Trento, Itália.59; 71
Um procedimento mais moderno e diferente para o estudo de materiais nano-
cristalinos a partir de padrões de XPD – que utiliza radiação X de alta energia, ou
seja, baixo comprimento de onda – é baseado na Pair Distribution Function (PDF).
A PDF contém informação sobre as distâncias relativas entre átomos e permite de-
terminar o grau de ordem local do material, as distâncias entre átomos vizinhos, os
números de coordenação, etc. Diferentemente do que ocorre com os procedimentos
de tratamento de dados de difração convencionais, o método PDF permite deter-
minar o ordenamento atômico local dos materiais. Seus resultados podem, assim,
ser relacionados com os obtidos mediante espectroscopia de absorção de raios X
(EXAFS), que é a técnica mais frequentemente utilizada para a análise estrutural da
ordem atômica local de materiais. Uma descrição detalhada do método PDF pode
ser consultada em artigos de V. Petkov, da University of Michigan Central.65
A técnica XPD fornece informações bastante completas e valiosas para a caracte-
rização estrutural de nanomateriais, inclusive algumas não estritamente cristalográfi-
cas como as relacionadas com a morfologia dos cristalitos e o ordenamento atômico
local. O desenvolvimento recente de novas estratégias de análise como as já mencio-
nadas demonstra que a técnica experimental XPD está ainda hoje em clara evolução.
2. Espalhamento de raios X a baixo ângulo

2.1. Aspectos básicos
O conteúdo teórico apresentado nas seções 2.1 a 2.3 e suas respectivas subseções é
uma síntese dos livros utilizados como base da teoria de espalhamento de raios X a
baixo ângulo.29; 30
2.1.1. Espalhamento de raios X por elétrons livres

A intensidade do espalhamento elástico de raios X produzida por um elétron livre foi
determinada por Thomson, como especificado na seção 1.1.2. Para pequenos valores
do ângulo 2θ, na faixa angular usualmente utilizada em experimentos de SAXS (ti-
picamente 2θ ≤ 6°), a intensidade espalhada por um elétron por unidade de ângulo
sólido pode ser aproximada por um valor constante (independente do ângulo) igual
a Ie(2θ) = I0.r2e, sendo I0 a intensidade do feixe de raios X incidente (unidades de po-

tência/área) e re o raio clássico do elétron.
Em adição ao espalhamento coerente dos raios X (seção 1.1.2), os elétrons tam-
bém produzem espalhamento Compton de natureza inelástica. Sendo a amplitude
do espalhamento Compton incoerente (isto é, não existe relação de fase entre as
ondas incidente e espalhada), a intensidade de espalhamento não é modulada por
efeitos de correlação estrutural. Porém, uma vez que o espalhamento Compton é
desprezível para os baixos ângulos, na análise dos resultados de experimentos de
SAXS sua contribuição é ignorada.
2.1.2. Espalhamento de raios X por nanomateriais de estrutura arbitrária

Na Figura 5.10a mostra-se o esquema de um objeto de dimensões nanométricas e
com densidade eletrônica arbitrária definida por ρ( ), no qual incide um feixe mono-
cromático de comprimento de onda λ, segundo a direção definida pelo versor (vetor
de módulo unitário), 0. Para determinar a amplitude de espalhamento segundo uma
direção arbitrária definida pelo versor 1 deve-se calcular primeiramente a diferença
de fase da onda associada ao feixe espalhado por um elemento de volume d no cen-
tro de massa e outro em posição definida pelo vetor .
Figura 5.10. (a) Esquema do processo do espalhamento de raios X por

dois elementos de volume localizados um deles na origem O e o outro na
posição B definida pelo vetor . As direções do feixe incidente e dos espalhados
são definidas pelos vetores de módulo unitário B0 e B1, respectivamente;
e (b) definição do vetor de espalhamento em função dos versores 0 e 1
e do comprimento de onda, λ, do feixe de raios X.
Como ilustra a Figura 5.10a, a diferença de caminho óptico Δs entre os raios 1 e

2 produz uma diferença de fase dada por
2 πΔ s (1)
Δϕ =
λ
Sendo a diferença de percurso óptico Δs = AB + BC, a diferença de fase resulta
2 π (AB + BC ) (2)
Δϕ =
λ
Pode-se verificar na Figura 5.10a, que a diferença de percurso óptico pode ser
escrita em função dos versores 0 e 1 do vetor posição da seguinte forma:
AB = ⋅ 0 e BC = – ⋅ 1 (3)
Consequentemente, a diferença de fase pode ser reescrita como
- 2π ⋅ r (B1 - B0 ) (4)
Δϕ =
λ
O vetor de espalhamento será, portanto, igual a
- 2π (B1 - B0 ) (5)
q=
λ
e a diferença de fase resulta

Δϕ = – ⋅ (6)
2 πB1 2 πB0
A Figura 5.10b ilustra as relações entre , , e . Pode-se verificar que
λ λ
é perpendicular à bissetriz do ângulo entre 1 e 0, e seu módulo é dado por:
4 π senθ (7)
q=
λ
Note-se que, para pequenos ângulos, resulta q ≈ (2π/λ) ⋅ (2θ), ou seja, o módulo
do vetor de espalhamento, q, é aproximadamente proporcional ao ângulo de espa-
lhamento 2θ.
A amplitude da onda espalhada pelos elétrons contidos no elemento de volume
3 é igual ao número de elétrons nesse elemento de volume ρ( )d multiplicado pela
d
amplitude de espalhamento por um único elétron Ae e pelo fator de fase eiΔϕ:
dA ( ) = Ae ρ( ) eiΔϕ d (8)
A amplitude de espalhamento total é obtida integrando a Equação 8 em todo o

volume V do objeto, ou seja,
(9)
∫
A ( q ) = ρ ( r )e iΔϕ d r
Na Equação 9 e nas posteriores, a amplitude Ae é omitida (ou seja, supõe-se Ae=1)

por simplicidade.
Substituindo a Equação 6 na Equação 9, temos
(10)
∫
A (q ) = ρ(r ) e -iq⋅r dr
ou seja, a amplitude de espalhamento A( ) – uma função complexa – é a transformada

de Fourier da função densidade eletrônica ρ( ).
A densidade eletrônica pode ser escrita como ρ( ) = ρ + Δρ( ) , em que ρ é a
densidade eletrônica média e Δρ( ) é a variação da densidade eletrônica em torno da
média. Assim, a amplitude de espalhamento resulta
∫ ∫
A ( q ) = ρ e -iq ⋅r dr + Δρ(r )e-iq ⋅r dr (11)
em que o primeiro termo da soma é a transformada de Fourier de uma função cons-

tante (ρ) num volume macroscópico (volume total V da amostra). Isso implica que
sua transformada de Fourier seja nula em todo o espaço dos vetores (espaço recí-
proco) exceto para valores extremamente pequenos de , que não são acessíveis em
experimentos de SAXS. Por essa razão, pode-se reescrever a Equação 11 como
(12)
∫
A ( q ) = Δρ(r )e-iq ⋅r dr
A Equação 12 indica que a amplitude de espalhamento de raios X pode ser calcu-

lada mediante uma simples transformação de Fourier da função Δρ( ).
Por outro lado, a intensidade de espalhamento I( ), acessível em experimentos de
SAXS, está relacionada com a amplitude complexa A( ) por
I( ) = A( ) ⋅ A( )* = | A( )|2 (13)
em que A( )* é o complexo conjugado de A( ).

De acordo com as propriedades da transformação de Fourier, a transformada in-
versa de A( ) dada por
1
∫ A ( q )e
iq ⋅r
ρ(r ) = dq (14)
( 2 π) 3
permitiria, a priori, o cálculo da função ρ( ), a qual é uma quantidade real e positiva

que define de forma completa a estrutura do material. Contudo, para determinar
ρ( ) a partir do cálculo da integral da Equação 14, dever-se-iam conhecer o módulo
e a fase da função complexa definida como
A( ) = | A( ) | eiΔϕ (15)
Sendo a intensidade de espalhamento I( ) a função acessível experimentalmente,

calcula-se a partir dela o módulo de A( ):
| A( ) | = [ I( )]1/2 (16)
Isso implica que, a partir da intensidade de espalhamento experimental, pode-se

calcular o módulo da amplitude de espalhamento,| A( ) |, mas não sua fase Δϕ. Este
problema já foi previamente discutido na seção 1.1.2, sendo conhecido em Cristalo-
grafia como o “problema das fases”.
2.1.3. Espalhamento de raios X por um átomo. Fator de espalhamento

atômico
O quociente entre a amplitude de espalhamento de raios X produzida por um átomo
e a amplitude de espalhamento por um elétron Ae é denominado fator de espalha-
mento atômico, o qual já foi previamente discutido na seção 1.1.2. Este fator pode
ser calculado mediante a equação:
∫
f (q ) = ρ(r )e-iq ⋅r dr (17)
em que ρ( ) é a função densidade eletrônica do átomo. Para átomos cuja densidade

eletrônica depende somente da distância r em relação ao centro do átomo, ρ(r), o
fator de espalhamento atômico, é função do módulo do vetor de espalhamento, f (q).
2.1.4. Espalhamento de raios X por um grupo de átomos

A amplitude de espalhamento por um conjunto, ou cluster, de átomos pode ser cal-
culada em função dos fatores de espalhamento atômicos e dos vetores posição ( )j
dos átomos individuais. Para isso devem-se somar os fatores de espalhamento dos
n átomos do objeto espalhador, fj, cada um deles multiplicado pelo correspondente
fator de fase e-iq ⋅r j . Assim, a amplitude do espalhamento de raios X total é dada por
n
A( q ) = ∑f j =1
je
-iq ⋅r j
(18)
A Equação 18 indica que a amplitude total do feixe de raios X espalhado por um

conjunto de átomos é a somatória dos fatores de espalhamento de cada átomo multi-
plicados pelos respectivos fatores de fase. Como verificado na seção 1.1.2, a amplitu-
de total de espalhamento é chamada “fator de estrutura”. Finalmente, a intensidade
de espalhamento de raios X produzida por um conjunto de n átomos é dada por
n n
I ( q ) = A ( q ) A ( q )* = ∑∑ f f e
j =1 k =1
j k
-iq ⋅r jk
(19)
em que jk é o vetor que vai do átomo j ao átomo k.
2.1.5. Função de correlação

Devido ao “problema das fases” já mencionado, não é possível realizar uma transfor-
mação de Fourier inversa a partir de I( ) para se obter a função densidade eletrônica
ρ( ). Isso ocorre porque, como foi dito, a partir da função experimental I( ), é de fato
possível determinar o módulo, mas não a fase de A( ). Com o propósito de estabele-
cer um procedimento de análise de dados viável, Patterson propôs utilizar a relação
existente entre a função I( ) e sua transformada de Fourier.63 A partir da Equação 13,
calcula-se a intensidade de espalhamento da seguinte forma:
∫ ∫ Δρ(r ) Δρ(r )e
− iq (r1 −r2 )
I ( q ) = A ( q ) A ( q )* = 1 2 dr1dr2 (20)
V 2 V1
Fazendo a mudança de variável = 1 – 2, a Equação 20 torna-se
∫ ∫
I ( q ) = [ Δρ(r ′ ) Δρ(r ′ + r )d r ′]e −iqr dr
'V'
(21)
ou
∫
I ( q ) = V γ (r )⋅ e −iqr dr (22)
em que γ( ) é denominada função de correlação, que é definida como:
1
γ(r ) =
VV ∫
Δρ(r ′ ) Δρ(r ′ + r )d r ′
(23)
Pode-se concluir, a partir das Equações 21 e 22, que a intensidade de espalha-

mento definida no espaço recíproco, I( ), depende da densidade eletrônica da nano-
partícula espalhadora através da sua função de correlação γ( ). Esta função é obtida
diretamente da intensidade de espalhamento I( ) através do cálculo da transformada
de Fourier inversa:
1
∫ I (q )e
iq ⋅r
γ(r ) = dq (24)
(2 π)3V
2.1.6. Espalhamento de raios X por um sistema diluído e isotrópico de

nanopartículas
As características da intensidade de espalhamento de raios X produzida por um con-
junto de nanopartículas diluído e isotrópico – por exemplo, formado por macromo-
léculas em solução – são as seguintes:
(i) Devido à ausência de correlação espacial entre as posições instantâneas das

N nanopartículas em solução diluída, a intensidade de espalhamento total é
simplesmente N vezes a intensidade produzida por uma nanopartícula.
(ii) Sendo o sistema estatisticamente isotrópico, devido à orientação randômi-

ca das nanopartículas em solução, deve-se calcular a média da intensidade
I ( ) para todas as orientações das mesmas, e, assim, a intensidade se torna
uma função que depende somente do módulo de , i. e., a intensidade I(q) é
independente da direção de .
De acordo com a característica (ii), o valor médio orientacional do termo expo-

nencial da Equação 24 é dado por20
sen qr
e − iq ⋅r = (25)
qr
Assim as Equações 19 e 22 reescrevem-se das seguintes formas:
n n
sen qrij
I(q) = ∑∑ f
i =1 j =1
i fj = qrij (26)
ou
sen qr
∫
I ( q ) = V 4 πr 2 γ (r)
qr
dr (27)
em que γ (r) é a média de γ( ) (Equação 23), para todas as orientações do vetor .
1
γ (r ) = ∫
V V′
Δρ( r ′ ) Δρ(r ′ + r ) d r ′ (28)
Ω
Como foi apontado, tanto a função γ(r) quanto I(q) dependem somente dos mó-
dulos das variáveis e , respectivamente. Isso reflete o caráter isotrópico da estrutura
analisada e da distribuição da intensidade no espaço recíproco da intensidade de
espalhamento associada.
2.2. Nanopartículas imersas em matrizes homogêneas

2.2.1. Redefinição da função de correlação
O modelo mais simples utilizado para analisar resultados de experimentos de SAXS
é o de “duas densidades eletrônicas” caracterizadas pelos valores ρ1 e ρ0. Este modelo
é comumente aplicado ao estudo de muitos tipos de materiais inorgânicos (por exem-
plo: materiais nanoporosos, ligas metálicas contendo nanoprecipitados e soluções
coloidais de nanopartículas) e também orgânicos, tais como polímeros nanoestrutu-
rados e proteínas em solução.
Para objetos de duas densidades eletrônicas, a função γ(r) da Equação 27 pode ser
escrita da seguinte forma:
γ (r) = (Δ ρ)2 γ0 (r) (29)
em que Δρ = (ρ1 – ρ0) e a função γ 0(r), denominada “função característica”, depen-

dem exclusivamente da geometria (forma e tamanho) da nanopartícula.
Pode ser demonstrado que a função característica γ 0(r) é uma função decrescente
com um valor máximo igual a 1 para r=0. No caso de sistemas bifásicos “particula-
dos”, ou seja, formados por uma matriz na qual se encontram imersas nanopartículas
isoladas de volume V, (i) o valor da integral γ 0(r) é igual ao volume da partícula V, e
(ii) γ 0(r) se torna igual a 0 para valores de r igual ou superiores ao diâmetro máximo
da nanopartícula, Dmax, ou seja, γ(r ≥ Dmax) = 0.
Utilizando de forma explícita a função característica γ 0(r) no caso específico de
uma solução diluída e monodispersa de nanopartículas de volume V e diâmetro má-
ximo Dmax, verificam-se as seguintes equações:
D máx
sen qr
I ( q ) = ( Δρ ) V ∫ 4 πr 2 γ 0 ( r ) qr dr
2
(30)
0
D máx
I ( 0 ) = ( Δρ ) V ∫ 4 πr γ 0 ( r )dr = ( Δρ ) 2V 2
2 2
(31)
0
∞
1 sen qr
γ 0( r ) = 3 ∫ 4 πr
2
I(q) dq (32)
8π ( Δρ ) 2V 0
qr
∞
1
γ 0(0) = 3 ∫ 4 πr
2
I (q )dq (33)
8π ( Δρ) 2V 0
A partir da Equação 33 e lembrando que γ0(0)=1, a integral no espaço recíproco,

Q, da intensidade de espalhamento isotrópica I(q) resulta
∫
Q = 4 πq 2 I ( q )dq = 8π 3 ( Δ ρ) 2V
0
(34)
2.2.2. Proteínas em solução

Nesta seção descrevem-se procedimentos para determinar a forma e o tamanho de
proteínas em solução diluída. Considera-se que: (i) se trata de um conjunto mo-
nodisperso, ou seja, todas as proteínas são idênticas; (ii) não há correlação espacial
entre as posições instantâneas; (iii) formam um conjunto isotrópico, isto é, adotam
todas as orientações possíveis; (iv) possuem uma densidade eletrônica espacialmente
constante; e (v) estão imersas num meio líquido (tampão) com densidade eletrôni-
ca também constante. Um dos procedimentos de análise a ser mencionado permite
também estudar proteínas com densidade eletrônica heterogênea.
No caso de soluções diluídas, a densidade eletrônica média da solução é pratica-
mente igual à densidade do solvente ρ0. A segunda densidade eletrônica do modelo
de duas densidades, ρ1, é a densidade média das proteínas. Assim, a quantidade
relevante relacionada com a densidade eletrônica das proteínas em solução é Δρ =
(ρ1 – ρ0).
A condição de sistema diluído garante que cada proteína contribua de forma in-
dependente (sem efeitos de interferência) para a intensidade total de espalhamen-
to. Dessa forma, como foi dito, a intensidade total produzida pelas N proteínas é
simplesmente N vezes a intensidade produzida por cada uma delas. Como todas as
proteínas são idênticas, somente uma delas, com todas as suas orientações, precisa
ser considerada.
Uma primeira análise para a determinação da geometria das proteínas é em
geral feita através da determinação, mediante uma transformação de Fourier da
intensidade experimental I(q), da “função de distribuição de distâncias” p(r), de-
finida como p(r) = 4πr2 γ0 (r). Em função da p(r), a Equação 30 pode ser reescrita
como:
D max
sen qr
I ( q ) = ( Δρ) 2V ∫0
p( r )
qr
dr (35)
Sendo a função de distribuição de distâncias p(r) determinada mediante:
1 sen qr
p( r ) =
8π ( Δ ρ) 2V
3 ∫ I (q) qr
dq (36)
A função p(r) é positiva, vale 0 para r=0, passa por um ou mais máximos e decai a
0 para um valor de r igual à dimensão máxima da proteína Dmax.
Características gerais sobre a forma e o tamanho das proteínas em solução podem
ser deduzidas a partir de uma análise visual da função p(r). A Figura 5.11 apresenta
os padrões de SAXS e as funções p(r) característicos de alguns objetos geométricos
com o mesmo Dmax. Objetos globulares possuem associada uma função p(r) com for-
ma gaussiana aproximadamente centrossimétrica com um máximo em r ≈ Dmax / 2.
Objetos alongados exibem uma função p(r) com um máximo em valores de r meno-
res, correspondendo aproximadamente ao raio da seção de corte Rc. As funções p(r)
de objetos achatados mostram um máximo mais alargado, também se deslocando
para distâncias menores que Dmax/2. Uma função p(r) com um máximo deslocado
para distâncias maiores que Dmax/2 é indicativa de formas de cascas esféricas. A fun-
ção p(r) associada a objetos compostos de subunidades separadas apresenta dois má-
ximos: o primeiro corresponde às distâncias intrassubunidades e outro, às distâncias
entre as subunidades.81
Figura 5.11. Intensidades de espalhamento e função de distribuição de distâncias

para diferentes objetos geométricos. Extraído de Svergun e Koch (2003).
2.3. Parâmetros e modelos estruturais

A possibilidade de obtenção de diversos parâmetros estruturais de nano-objetos ou
nanopartículas em solução homogênea (líquida ou sólida) a partir de dados de SAXS
faz com que esta técnica experimental seja utilizada por pesquisadores das mais di-
versas áreas, desde a ciência dos materiais até a biologia molecular. Nas próximas
seções são descritos procedimentos de análise de curvas de SAXS que permitem
calcular parâmetros estruturais de nano-objetos a partir das características das curvas
de espalhamento de raios X a baixos ângulos.
2.3.1. Região assintótica da curva de SAXS a baixos ângulos.

Determinação do raio de giro
Para uma solução diluída e isotrópica de nanopartículas idênticas e de forma ar-
bitrária (por exemplo, proteínas em solução), Guinier mostrou que, para q → 0,
a intensidade de espalhamento de raios X a baixos ângulos I(q) é uma função

gaussiana:30
− q 2 Rg2
(37)
I (q ) = I (0)e 3
em que Rg é o raio de giro com respeito ao centro de massa das nanopartículas defi-
nido por
1/ 2
⎛1 ⎞
Rg = ⎜⎜ ∫ r 2 ρ( r )dr ⎟⎟ (38)
⎝ ne V ⎠
em que ne é o número total de elétrons da partícula. No caso de um modelo de

duas densidades eletrônicas formado por N nanopartículas por unidade de volume,
homogêneas e de densidade eletrônica ρ1 imersas numa matriz de densidade ρ0, as
Equações 37 e 38 escrevem-se como
1/ 2
− q 2 Rg 2
⎛1 ⎞
I ( q ) = N (Δ ρ) 2 V 2 e 3
e Rg = ⎜⎜ ∫ r 2 dr ⎟⎟ (39)
⎝V V ⎠
em que Δρ é a diferença ρ1 – ρ0 (por exemplo, diferença entre a densidade média de

proteínas em solução e do tampão) e V, o volume da nanopartícula.
No caso particular de uma nanopartícula esférica homogênea de raio R resulta
R g = 3 / 5 R. De acordo com a Equação 37, num gráfico de Guinier, ln l(q) × q2,
deve-se observar, a baixos valores de q, uma linha reta com inclinação negativa. O
valor absoluto da inclinação desta reta é dado por α = – R2g/3. Uma vez determinada
a inclinação α, calcula-se Rg mediante a equação R g = –3α. Contudo, deve-se ter em
mente que a Lei de Guinier (Equações 37 ou 39) é válida para valores de q próximos
de 0. No caso de nanopartículas aproximadamente isodiamétricas, o limite superior
de validade da Lei de Guinier é aproximadamente igual a 1,3/ Rg.
2.3.2. Região assintótica da curva de SAXS a altos ângulos. Determinação

da razão superfície/volume de nanopartículas
Para conjuntos de nanopartículas que exibem interfaces com a matriz bem-definidas
(por exemplo, as proteínas em solução com o solvente), ou seja, para sistemas que
podem ser modelados mediante duas densidades eletrônicas, o comportamento as-
sintótico, a altos valores de q, da função I(q) é descrito pela Lei de Porod:29
2π( Δρ) 2S
I (q ) = ( q → ∞) (40)
q4
em que S é a área total da interface nanopartícula-matriz. A Equação 40 indica que o

valor assintótico de I(q)q4 para q → ∞ é proporcional à área total da interface, S. Por
outro lado, lembrando a relação entre a integral Q da função I(q) no espaço recíproco
e o volume da nanopartícula V (Equação 34), a razão superfície/volume das nanopar-
tículas, S/V, é determinada mediante
S 4π
2
= [lim q →∞ q 4 I ( q )] (41)
V Q
As flutuações de densidade eletrônica das nanopartículas espalhadoras e/ou da

matriz, sempre presentes, produzem uma contribuição constante à intensidade de
espalhamento. Para suprimir o efeito das flutuações de densidade eletrônica nas
curvas de intensidade de SAXS, são usualmente representados gráficos de q4 I(q)
versus q4 que exibem a altos valores de q uma dependência linear, q4 I(q) = A + Bq4.
A partir desses gráficos são determinados os coeficientes linear A e angular B.
Assim, a função diferença [I(q) – B], no limite q → ∞, satisfaz a Lei de Porod:
[I(q) – B] = A/q4. Desta forma o coeficiente A é utilizado para, por exemplo, calcu-
lar a área de interface S mediante a Equação 40 ou a razão S/V das nanopartículas
utilizando a Equação 41.
2.3.3. Razão I(0)/Q. Determinação do volume de nanopartículas

Considerando um modelo de duas densidades eletrônicas para um sistema diluído e
monodisperso de nanopartículas de forma arbitrária (proteínas ou outras), é possível
determinar o volume V das mesmas. Para isso é necessário calcular a intensidade
extrapolada a q=0, I(0), e a integral de I(q) no espaço recíproco, Q. A partir das
Equações 31 e 34 obtém-se
I (0 )
V = 8π 3 (42)
Q
É importante frisar que, para o cálculo do volume V das nanopartículas, a inten-

sidade I(q) deve ser extrapolada até q=0 utilizando a Lei de Guinier. Além disso,
percebe-se, a partir da Equação 34, que o valor de Q deve ser determinado me-
diante o cálculo da integral de 4πI(q)q2 sobre todo o espaço recíproco para o qual a
intensidade de espalhamento é diferente de 0. Em experimentos típicos de SAXS, o

valor máximo acessível de q, qmax, varia de 0.3 A–1 a 0.8 A–1. Para completar o cálculo
da integral de 4πq2I(q) para valores de q>qmax, a curva I(q) é usualmente extrapolada
utilizando a Lei de Porod, após a subtração da contribuição constante devida às flu-
tuações de densidade mencionada na seção anterior.
2.4. Programas para análises de curvas de SAXS de proteínas em solução

2.4.1. Funções de distribuição de distâncias e de tamanhos
Para a determinação da função de distribuição de distâncias p(r) calcula-se a trans-
formada de Fourier da intensidade de SAXS, I(q), como especificado na Equação
36. Esta operação matemática não é simples de ser realizada devido aos efeitos
indesejáveis produzidos pelos erros estatísticos da medida de I(q), que são impor-
tantes para altos q e pelo corte da função I(q) para q=qmax. Por isso a determinação
da função p(r) é geralmente realizada mediante o uso de programas que minimizam
esses efeitos.
Um dos programas mais utilizados para a determinação de p(r) é chamado
GNOM.77 A entrada desse programa é a curva de intensidade de SAXS – depois da
subtração da intensidade do espalhamento parasita – e os erros estatísticos das medi-
das (a inclusão dos erros estatísticos não é imprescindível). Mediante um método de
transformação indireta, o programa GNOM fornece como resultado uma curva p(r)
estável e sem oscilações espúrias. O programa GNOM também faz uma estimativa
da qualidade do resultado obtido.
Além da função p(r) correspondente a um conjunto diluído e isotrópico de na-
nopartículas idênticas (proteínas ou outras), o programa GNOM também pode ser
utilizado para determinar a distribuição de tamanhos de um conjunto diluído e po-
lidisperso de nanopartículas de forma idêntica. O programa determina essa distri-
buição para conjuntos de nano-objetos com formas geométricas simples, tais como
esferas, cilindros, prismas etc.
Finalmente, uma importante característica do programa GNOM que deve ser
destacada é a possibilidade de se ter em conta os efeitos de deformação das curvas
de SAXS (smearing) decorrentes: (i) do tamanho da secção linear do feixe de raios
X incidente; (ii) do tamanho da janela de medida do detector que registra os fótons
espalhados; e (iii) da largura espectral (em energia ou em comprimento de onda)
do feixe incidente. Este último efeito é desprezível em medições de SAXS típicas
e usualmente importante em experiências de SANS (espalhamento de nêutrons a
baixo ângulo).
2.4.2. Curvas de SAXS determinadas a partir da estrutura

de alta resolução
Comparações entre curvas experimentais de SAXS e curvas simuladas a partir de
estruturas com resolução atômica – obtidas por difração de raios X por monocristais
ou ressonância magnética e depositadas no Brookhaven Protein Data Bank (PDB –
www.rcsb.org) – têm sido frequentemente utilizadas para validar modelos teóricos,
verificar diferenças estruturais entre proteínas e ácidos nucleicos em estado cristalino
e em solução, e prever estruturas quaternárias de macromoléculas.
Figura 5.12. Representação esquemática de

uma proteína em solução.
Proteínas em solução podem ser esquematicamente representadas como ilustrado

na Figura 5.12. A proteína com densidade eletrônica ρa( ) é cercada por um solvente
de densidade eletrônica ρ0. A hidratação da proteína é representada por uma cama-
da de espessura Δ, de densidade eletrônica ρb, cobrindo todo o seu volume. Como
especificado anteriormente, a curva de SAXS de um conjunto de N proteínas por
unidade de volume imersas numa solução suficientemente diluída é proporcional ao
valor médio da intensidade de espalhamento de uma única proteína para todas as
orientações da mesma. Assim, a intensidade de espalhamento por unidade de volume
é escrita como
2
I ( q ) = N A a ( q ) − ρ s A s + δρAb ( q ) (43)
Ω
em que Aa(q) é a amplitude do feixe espalhado por cada proteína no vácuo, ρs As,
pelo volume de solvente excluído, e δρa Ab(q), pela camada de hidratação, em que
δρ = ρb – ρs.
As curvas de intensidade de SAXS produzidas por uma solução diluída de proteí-

nas, cujas estruturas de alta resolução foram estabelecidas mediante difração de raios
X por monocristais ou por ressonância magnética nuclear (RMN) e arquivadas no
PDB, podem ser determinadas mediante o método de expansão multipolar utilizan-
do o programa CRYSOL.78
A intensidade de espalhamento I(q) determinada pelo programa CRYSOL
a partir de uma estrutura de alta resolução extraída do PDB é a que minimiza a
discrepância
2
1
Np
⎡ I e(q ) − cI (q ,r , δρ) ⎤
χ 2 ( r0, δρ) =
N
∑ ⎢
⎢
i =1 ⎣
i
σ ( q
i 0
)
⎥
⎥⎦
(44)
i
em que Np é o número de pontos da curva experimental Ie(qi), σ(qi) são os erros esta-
tísticos das medidas das intensidades e c é um fator de escala. Os únicos parâmetros
da curva I(qi, r0, δρ) modelada (descrita pela Equação 43) que precisam ser ajustados
são: o fator de escala c, a diferença de densidade eletrônica entre a camada de hidra-
tação e o solvente, δρ, o raio r0 do átomo fictício utilizado pelo programa para definir
o volume excluído do solvente.
2.4.3. Determinação ab-initio da forma das proteínas a partir de curvas

de SAXS experimentais
O desafio dos estudos estruturais mediante a técnica de SAXS aplicada a proteínas
em solução é determinar a forma e o tamanho das mesmas utilizando um modelo tri-
dimensional a partir de uma função unidimensional, ou seja, a curva de espalhamen-
to I(q). Note-se porém que, exceto para casos triviais de partículas esféricas, não se
pode afirmar com segurança que a solução do problema seja única, já que as funções
I(q) determinadas para diferentes modelos podem em princípio exibir discrepâncias
similares em relação às curvas experimentais.85
No passado, as determinações da forma e tamanho das proteínas eram realizadas
calculando as curvas de intensidade de SAXS produzidas por modelos de objetos
tridimensionais com formas geométricas simples tais como esferas, cilindros, elip-
soides, prismas etc., em valor médio para todas as orientações, e comparando essas
curvas com as determinadas experimentalmente.
O primeiro método ab initio para a determinação da forma de proteínas foi pro-
posto por Sthurman (1970, 1970b). Neste método a proteína é representada por
uma função de envelope angular que descreve as partículas em coordenadas esféricas.
Contudo, a utilização da função de envelope angular se limitou a formas de proteína

relativamente simples.
Um modelo tridimensional bastante utilizado atualmente é o denominado mode-
lo de átomos fictícios (DAM – Dummy Atom Model), formado por um conjunto de
esferas (átomos fictícios), que pode ser aplicado em estudos de proteínas homogêneas
e também heterogêneas compostas de várias fases. Este método foi primeiramente
implementado no programa DALAI-GA.9; 10 O modelo inicial consiste em uma
esfera de diâmetro igual ao diâmetro máximo da proteína, Dmax, usualmente deter-
minado mediante o programa GNOM. A esfera inicial contendo várias fases de
densidades eletrônicas diferentes é preenchida com um empacotamento denso de
átomos fictícios menores de raio r0 (esferas). Assim, o número total de esferas é dado
por N=(R/r0)3.
Cada átomo fictício do DAM é identificado com um índice Xj, indicando a fase
à qual ele pertence. O índice Xj adota valores que vão desde zero para o solvente
até k para a máxima densidade eletrônica da proteína. As coordenadas das posições
de cada átomo fictício completam a caracterização de baixa resolução da proteína
estudada.
Cada átomo fictício da k-ésima fase exibe um contraste de densidade Δρk, e a
intensidade de espalhamento total para o DAM total é dada por
2
K
I (q) = ∑ Δ ρ A (q)
k =1
k k (45)
Ω
em que Ak(q) é a amplitude de espalhamento produzida pelo volume ocupado pela

k-ésima fase da proteína. A função amplitude é representada mediante harmônicos
esféricos Ylm(Ω)
∞ 1
Ak ( q) = ∑∑A
l =0 m =−1
(k)
lm
( q )Y lm( Ω) (46)
em que A (klm)(q) são as amplitudes parciais. As amplitudes parciais para o volume ocu-
pado pela k-ésima fase no DAM são dadas pela somatória sobre todos os Nk átomos
fictícios dessa fase
N
k
A (q) = i
( k)
lm
l
2 / π f (q) ∑ (qr )Y
j =1
j
*
lm
(ω j) (47)
em que rj e ωj são as coordenadas polares, J1(qrj), a função de Bessel de primeira ordem, e

f (q), o fator de espalhamento do átomo fictício. Assim, a intensidade total é dada por
∞ 1 ⎡K ⎤
I ( q ) = 2π2 ∑∑ ∑ ⎢ k=1
2 (k)
∑
⎢ [Δ ρk Alm ( q )] + 2 Δ ρk Alm (q)Δ ρn [ Alm ( q )] ⎥
(k) (k) *
(48)
l =0 m =−1 ⎣ n>k ⎦⎥
No programa DAMMIN79 supõe-se uma única densidade eletrônica em todo o

volume da proteína, o que em muitos casos é uma boa aproximação. A tarefa de obter
um modelo de baixa resolução a partir de uma curva de SAXS consiste em, a partir
do DAM inicial, encontrar uma configuração de átomos fictícios X que minimize a
função
f (X) = χ2 + αP(X) (49)
em que χ2 representa a discrepância entre a curva simulada I(q) e a curva experimen-

tal Iexp(q), P(X) é uma função de “penalidade” que visa rejeitar soluções com confi-
gurações inaceitáveis tais como aquelas que exibem perda de conectividade entre os
átomos fictícios, e α é um parâmetro positivo que define o efeito relativo da função
P(X).
O parâmetro de discrepância χ2 entre a curva de intensidade de espalhamento
experimental, Iexp(q), e a calculada para um DAM, I(q), é dado por
n
1
χ2 =
n
∑ [(I
j =1
exp
(q j ) − I (q j )) / σ( q j )] 2 (50)
em que n é o número de pontos da função experimental Iexp(q) e os σ(qj) denotam os

erros estatísticos nas respectivas medidas da intensidade Iexp(q).
A forma tridimensional da proteína é o resultado final do processo de minimi-
zação de f(X). Durante a minimização, surgem dificuldades para chegar ao míni-
mo absoluto da função f(X) pela presença de mínimos relativos. Para resolver este
problema, o programa DAMMIN utiliza o método denominado simulated thermal
annealing.43
Para encontrar um modelo estrutural de baixa resolução de proteínas em solução,
além do programa DAMMIN, é também utilizado o programa GASBOR.80 Note-
-se que as proteínas consistem tipicamente em cadeias polipeptídicas enoveladas –
compostas de resíduos de aminoácidos separados por aproximadamente 0,38 nm en-
tre os carbonos alfa adjacentes. O programa GASBOR modela a estrutura mediante
resíduos fictícios de cadeias polipeptídicas denominados DR (Dummy Residue).
A forma tridimensional da proteína é determinada descobrindo o arranjo dos DRs
compatível com a cadeia primária cuja curva de SAXS simulada se ajusta ao padrão
do espalhamento experimental.
2.4.4. Determinação da massa molecular de proteínas a partir de

curvas de SAXS experimentais em escala relativa
A massa molecular de proteínas Mm pode ser determinada a partir da intensidade ex-
trapolada I(0) em escala absoluta. Porém, a determinação de I(q) em escala absoluta
necessita do conhecimento da intensidade do feixe de raios X incidente cuja medição
é pouco precisa e geralmente feita mediante o uso de amostras-padrão calibradas.
Outro procedimento utilizado compara os valores de I(0) da solução diluída corres-
pondente à proteína a ser estudada com o valor de I(0) associado a uma solução de
uma proteína com Mm conhecida. Esse método requer o conhecimento das concen-
trações das duas soluções, as quais não são sempre possíveis de determinar de forma
precisa.
Um método alternativo que necessita somente de medidas de intensidade em es-
cala relativa e até um valor máximo de q, qmax, na faixa utilizada em experiências típi-
cas de SAXS foi proposto por Fisher et al.25. O método utiliza cálculos das curvas de
intensidade de SAXS – mediante o programa CRYSOL – correspondentes a 1148
proteínas de estruturas de alta resolução e de volume real Vreal conhecidos (extraídos
do PDB) e do volume aparente das mesmas mediante a equação Vap=8π3I(0)/Qp, em
que Qp se refere ao cálculo da integral parcial até diferentes valores máximos qmax.
Sendo os volumes reais dessas proteínas determinados de forma precisa a partir das
estruturas de alta resolução conhecidas, foram determinadas várias funções (lineares)
Vreal vs. Vap para diversos valores de qmax.
Os vários passos do procedimento proposto são os seguintes: (i) determina-se a
intensidade relativa I(0) mediante uma adequada extrapolação de I(q) utilizando a
Lei de Guinier; (ii) calcula-se a integral parcial Qap, também em escala relativa, até o
valor de qmax utilizado na experiência; (iii) calcula-se o volume aparente da proteína
Vap=I(0)/Qap; (iv) determina-se o valor do volume molecular Vreal da proteína estudada
mediante o uso da função conhecida (Vreal) vs. (Vap) para o valor qmax da experiência;
e (v) determina-se a massa molecular Mm=Vreal.ρp, utilizando para isto um valor de
densidade de proteínas ρp igual a 1,37 g/cm3.73
2.5. Exemplo de aplicação: Estudo da proteína leptospira

ferredoxina-NADP(H) redutase
A proteína leptospira ferredoxina-NADP(H) redutase (LepFNR) consistem em dois
domínios. O domínio C-terminal é muito conservado entre os membros das FNRs
e é formado por um sanduíche-α/β, com 5 folhas-β circundadas por 6 α-hélices,
enquanto o domínio N-terminal possui 6 folhas-β antiparalelas, ao qual o cofator
FAD se liga. As FNRs são conhecidas como proteínas monoméricas em plastídios,

bactérias, mitocôndrias e apicoplastos de parasitas intracelulares. Contudo, foi re-
centemente sugerido que duas isoformas de FNR de Arabidopsis thaliana são capazes
de dimerizar.57
A proteína LepFNR-complexada com o cofator FAD foi estudada em solução
diluída mediante SAXS para determinar sua forma e seu estado de oligomerização.61
Curvas experimentais de I(q) de LepFNR nas concentrações de 3 e 10 mg/mL foram
determinadas utilizando a linha de SAXS do Laboratório Nacional de Luz Síncro-
tron.40 O comprimento de onda dos raios X utilizados foi de 0,148 nm. Um detector
de raios X unidimensional sensível à posição foi utilizado para registrar a intensidade
de espalhamento em função do módulo q do vetor de espalhamento. O espalhamen-
to de raios X parasita, produzido pelas janelas da célula de medida e pelas fendas
de definição do feixe incidente, foi suprimido subtraindo da curva de intensidade
I(q) total a curva de intensidade de SAXS obtida com o tampão puro nas mesmas
condições geométricas. A distância amostra-detector foi de 1155,1 mm. Assim, a
intensidade de espalhamento de raios X foi registrada na faixa 0,1 nm–1<q< 3 nm–1.
As curvas de SAXS da proteína LepFNR com concentrações de 3 e 10 mg/mL
possuem o mesmo perfil de espalhamento. Isso significa que até uma concentração
de pelo menos 10 mg/mL a solução pode ser considerada diluída. Assim, a curva de
I(q) correspondente à proteína com c=10 mg/mL foi utilizada para a posterior análise
de dados.
Diversos procedimentos de análise foram aplicados à curva de intensidade de
SAXS obtida experimentalmente (Figura 5.13), correspondente à proteína LepFNR-
-complexada com o cofator FAD em solução diluída, cuja estrutura de alta resolução
é conhecida. Os parâmetros e características estruturais desta proteína em solução
que foram determinados são os seguintes:
(i) A partir da inclinação da reta do gráfico de Guinier mostrado na Figura 5.13

foi calculado o raio de giro cujo valor resultou Rg=2,16 nm.
(ii) Mediante o programa GNOM foi determinada a função de distribuição de
distâncias p(r) representada na Figura 5.14, a partir da qual foram determina-
dos o diâmetro máximo Dmax=6,5 nm e o raio de giro Rg= 2,13 nm.
(iii) Utilizando o procedimento de Fischer e colaboradores, foi determinada a
massa molecular Mm=35,4 kDa.
(iv) Mediante o programa GASBOR foi determinado o DAM ou estrutura de
baixa resolução, que é mostrada na Figura 5.15 superposta à estrutura de alta
resolução extraída do PDB. Os valores de Rg e Dmax correspondentes ao DAM
são 1,97 nm e 6,00 nm, respectivamente.
(v) Mediante o programa CRYSOL e a partir da estrutura de alta resolução ex-

traída do PDB foi calculada a intensidade de SAXS que está representada na
Figura 5.13 juntamente com a curva experimental.
Figura 5.13. Curva experimental de SAXS (círculos com barra de erros),

intensidade de espalhamento simulado a partir do DAM (linha tracejada),
intensidade de espalhamento simulado a partir do monômero de LepFNR de alta
resolução (PDB id: 2RC5) (linha contínua). Detalhe: gráfico de Guinier a partir do
qual foi calculado o Rg. Extraído de Nascimento et al. (2007).
Figura 5.14. Funções de distribuição de distâncias p(r) para a proteína

LepFNR, calculadas (i) mediante aplicação do programa GNOM a partir da
curva I(q) experimental (círculos), (ii) a partir do DAM (linha tracejada) e (iii)
a partir do monômero de LepFNR de alta resolução (PDB id: 2RC5) (linha contínua).
Extraído de Nascimento et al. (2007).
Figura 5.15. Representação estereográfica segundo três direções perpendiculares

entre si mostrando a superposição da estrutura do monômero da proteína LepFNR
de alta resolução (extraída do PDB) com o DAM obtido ab initio a partir da curva de
SAXS mediante o uso do programa GASBOR. Extraído de Nascimento et al. (2007).
Tabela 5.6. Parâmetros estruturais da proteína LepFNR obtidos

mediante a análise da curva de SAXS e a partir da estrutura de alta
resolução extraída do Brookhaven Protein Data Bank (PDB)
Modelo de
Parâmetros Guinier GNOM DAM Fischer et al. alta resolução
Dmax (nm) 6,50 6,00 6,14
Rg(nm) 2,16 2,13 1,97 1,93
Mm (KDa) 35,4 34,4
Os resultados apresentados na Tabela 5.6 permitem concluir que:
(i) há um bom acordo entre os valores de Rg, Mm e Dmax da proteína LepFNR

determinados por vários métodos;
(ii) existe uma clara semelhança entre a curva I(q) experimental e a determinada
pelo programa CRYSOL a partir da estrutura de alta resolução do monômero
da proteína; e
(iii) observa-se também uma clara semelhança entre o modelo determinado ab ini-
tio a partir da I(q) experimental mediante GASBOR e o monômero de alta
resolução (Figura 5.15).
O conjunto destes resultados permite afirmar que a proteína LepFNR em solu-

ção está certamente em estado monomérico e conserva em solução essencialmente a
mesma forma que exibe em estado cristalino.
3. GISAXS e ASAXS
3.1. Espalhamento de raios X em incidência rasante
Devido às características singulares que as nanoestruturas depositadas ou crescidas
sobre substratos podem apresentar, o estudo desses sistemas teve desenvolvimento
expressivo nas duas últimas décadas. Em grande parte o interesse nesses siste-
mas se deve à sua importância tecnológica na indústria de catálise,51 recobrimentos
protetores,84 lubrificantes,60 semicondutores,24; 26 entre outros. Assim, são de fun-
damental importância as pesquisas envolvendo o estudo das propriedades físicas
relacionadas com as superfícies e interfaces, além da correlação com a morfologia e
estrutura obtidas após um dado processo de preparação. Em particular, pode-se ci-
tar o crescimento epitaxial de pequenos cristais com dimensões nanométricas sobre
substratos monocristalinos, cuja forma e orientação dependem, entre outras carac-
terísticas, da estrutura e da face cristalográfica sobre a qual eles são depositados.64
Ou, ainda, a formação de estruturas ordenadas no interior de monocristais, após
a difusão de átomos metálicos contidos nos filmes finos que os recobrem, dando
origem a nanoestruturas ordenadas, com uniformidade de tamanho e forma.42 Tais
materiais apresentam propriedades com potencial de aplicação na construção de
dispositivos ópticos ou eletrônicos miniaturizados, de baixo consumo de energia
e chaveamento rápido, entre outras.44 Contudo, o entendimento de processos que
conduzam à obtenção de materiais contendo nanopartículas com determinadas
características, tais como tamanho, forma, ordenamento e dispersão em tamanho

preestabelecidos, com propriedades que sejam úteis, necessita de técnicas de ca-
racterização que permitam o monitoramento da formação e do crescimento dessas
nanoestruturas.
Para estudos por SAXS dessas estruturas, a geometria convencional por trans-
missão – na qual os raios X devem atravessar a amostra – não é adequada. Isso
ocorre porque frequentemente os substratos sobre os quais filmes finos são depo-
sitados absorvem fortemente os raios X, impedindo que eles possam atravessá-los.
Além disso, a intensidade de SAXS devida aos filmes finos nessa geometria é,
em geral, baixa, devido ao pequeno volume irradiado. Outro problema que pode
surgir é a contribuição do substrato para o espalhamento de raios X total. Visto
que na maioria dos casos a sua espessura é bastante maior que a do filme, o seu
espalhamento pode sobrepor-se de modo significativo ao espalhamento das nano-
estruturas presentes no filme. Por essas razões, no estudo de filmes finos, o arranjo
experimental mais adequado consiste em fazer o feixe primário incidir na superfície
da amostra num ângulo rasante. Nesse caso, as estruturas próximas à superfície irão
espalhar os raios X, que serão apenas parcialmente absorvidos pela camada de filme
acima delas, se houver. A técnica que faz uso dessa geometria é conhecida pela sigla
GISAXS (Grazing-Incidence Small-Angle X-Ray Scattering), que pode ser tra-
duzida como: espalhamento de raios X a baixo ângulo na geometria de incidência
rasante.21; 66
Diferentemente da geometria convencional de SAXS, que não permite dis-
tinguir entre as intensidades originadas (i) da superfície e (ii) de camadas mais
profundas do material, a técnica de GISAXS possibilita obter unicamente o sinal
vindo de estruturas depositadas sobre a superfície, ou enterradas numa fina camada
próxima a ela. A espessura da camada estudada pode ser ajustada através da escolha
adequada do ângulo de incidência e da energia dos fótons de raios X. Como será
descrito na seção a seguir, esses valores variam para diferentes materiais através da
dependência do índice de refração em relação à energia dos fótons e à composição
da amostra.
A análise da intensidade de GISAXS se dá de modo semelhante ao descrito na
parte anterior deste capítulo que contém a teoria geral de SAXS, exceto que no
caso da técnica de GISAXS a reflexão e a refração dos raios X nas interfaces devem
ser levadas em conta no cálculo da intensidade espalhada. O conteúdo a seguir
tem como objetivo uma breve apresentação da técnica, ressaltando os principais
aspectos que a distinguem da técnica convencional por transmissão, já descrita
anteriormente.
3.1.1. Índice de refração, comprimento de penetração e refletividade e

transmissão de Fresnel
Nesta seção serão revistos alguns conceitos básicos envolvendo os processos de refle-
xão e refração de raios X e como eles interferem na escolha do arranjo experimental
adequado para o estudo de diferentes tipos de filmes finos. Como será descrito nas
seções seguintes, a reflexão e a refração dos raios X nas diversas interfaces da amos-
tra também influenciam de forma decisiva o padrão de intensidade espalhada pela
amostra.
Índice de refração
O índice de refração é um número complexo dado por83
n = 1 – δ + iβ, (1)
em que:
λ2 N f
0
+ f j´ ( λ)
δ( r ) = r ρ( r )
2π e ∑j =l
j
Z
(2)
e
N f ( λ)
´´
λ2
β( r ) = re ρ( r )
2π
∑
j =l
j
Z
(3)
Nas Equações 2 e 3, λ é o comprimento de onda dos raios X, re é o raio clássico do

elétron, ρ( ), o número de elétrons por unidade de volume na posição do material,
f0(q), o fator de espalhamento atômico para energias de fótons longe das correspon-
dentes às bordas de absorção, e f ′(λ) e f ′(λ) são as partes real e imaginária, respec-
tivamente, das componentes “anômalas” ou ressonantes do fator de espalhamento
atômico. Tais termos de correção de f0(q) são particularmente importantes quando
a energia dos raios X tem valor próximo ao das bordas de absorção dos elementos
presentes na amostra. Para o caso dos raios X os valores de δ e β são tipicamente da
ordem de 10-6 e 10-7, respectivamente. Z = Σ Zj é o número total de elétrons, em que
Zj é o número de elétrons do elemento j.
Ao incidir sobre a superfície da amostra com ângulo αi maior ou igual ao ângulo
crítico de reflexão externa total αc, o feixe de raios X monocromático se divide num
feixe refletido e num feixe refratado.83 Essa situação está esquematizada na Figura
5.16. A relação entre αi e o ângulo de refração αt é dada pela conhecida Lei de Snell:
nicos αi = nt cos αt.7
Para os fótons de raios X, a parte real do índice de refração dos materiais é menor
do que o índice de refração do ar (nar ≈ 1) ou do vácuo (nvácuo = 1). Portanto, ao incidir
sobre uma superfície plana com αi < α c , o feixe de raios X vindo do ar (ou vácuo) sofre
reflexão externa total, ou seja, o feixe é quase que totalmente refletido, não havendo
uma fração significativa de fótons sendo transmitida através da superfície. O ângulo
crítico de reflexão externa total αc, abaixo do qual não há refração e praticamente
todo o feixe é refletido, pode ser calculado da Lei de Snell tomando αt = 0.
Figura 5.16. Esquema que representa os feixes de raios X incidente,

refletido e refratado.
Comprimento de penetração
Nos estudos por GISAXS, o feixe refratado atua como um feixe primário para o pro-
cesso de espalhamento. A interação desse feixe com as nanoestruturas depositadas
sobre a superfície, ou enterradas abaixo dela, dará origem a um sinal de espalhamento
proveniente de uma profundidade que depende do ângulo de incidência e da energia
dos fótons.
O parâmetro usualmente utilizado para quantificar a penetração dos raios X na
amostra é o comprimento de penetração Λ, dado por:83
( ) ( )
−1 / 2
λ ⎧ 2 2 2 ⎫
Λ= ⎨ α i − α c + 4β − α i − α c ⎬
2 2 2
(4)
2π ⎩ ⎭
A magnitude Λ representa a profundidade, na direção perpendicular à superfície,

para a qual a intensidade do feixe refratado It cai por um fator igual a 1/e do seu valor
imediatamente acima da superfície. A Figura 5.17a mostra como varia a razão It(d)/
It(0) em função da profundidade d para diferentes valores de Λ. As dependências de
Λ em relação a αi para alguns materiais e para diferentes valores de energia dos fótons
de raios X estão mostradas nas Figuras 5.17b e 5.17c, respectivamente.
Figura 5.17. (a) Razões It(d)/It(0) em função da profundidade d para diferentes

valores de comprimento de penetração Λ. It(d) representa a intensidade do feixe
refratado na profundidade d medida em relação à interface ar/amostra, e It(0) é a
intensidade do feixe refratado na interface; (b) funções Λ versus αi calculadas para
diferentes materiais usando fótons de 8 keV; e (c) funções Λ versus αi para o Si,
calculadas para diferentes valores de energia dos fótons.
Refletividade e transmissão de Fresnel

As razões It/Ii e Ir/Ii, em que Ir é a intensidade do feixe refletido e Ii é a intensidade
do feixe incidente, podem ser determinadas utilizando as fórmulas de Fresnel.83 Para
o vetor campo elétrico perpendicular ao plano de incidência1 (polarização s) a refleti-
vidade e a transmissão são dadas, respectivamente, por:
2
kiz − ktz (5)
Rs =
kiz + ktz
e
2
2 kiz
Ts = (6)
kiz + ktz
em que kiz e ktz são as componentes dos vetores de onda do feixe incidente e refratado,
respectivamente, na direção normal à superfície. Os valores de kiz e ktz são dados por:
kiz = ksen αi e ktz = n ksen αt = k (n2-cos2αi)1/2 (7)
em que k é o módulo do vetor de onda dado por k = 2π/λ.

Para a componente do campo paralela ao plano de incidência (polarização p) a
refletividade e a transmissão escrevem-se da forma seguinte:
2
n 2 kiz − ktz (8)
Rp =
n 2 kiz + ktz
e
2
2 kiz
Tp = (9)
n 2 kiz + ktz
A Figura 5.18 mostra o gráfico das funções das Equações 5 e 6 para o SiO2 e para
a prata usando fótons de energia igual a 8 keV. Os valores de αc estão indicados pelas
flechas verticais. Note que para os valores αi < αc a transmissão de raios X através da
interface ar/amostra cai rapidamente. Portanto, essa condição é inadequada para o
estudo de nanoestruturas que estão enterradas no substrato. Para partículas enterra-
das é necessário utilizar αi > αc. Conhecida a profundidade em que estão as nano-
partículas, o ângulo de incidência que otimiza a intensidade de GISAXS é calculado
1 O plano de incidência é o plano que contém o feixe incidente e a reta normal à superfície.
usando a Equação 4. Pode-se mostrar que αc é proporcional à raiz quadrada da den-

sidade de elétrons83 e, portanto, depende da composição da amostra.
Figura 5.18. Curvas de refletividade (a) e transmissão (b) versus o ângulo de

incidência para o SiO2 e para a prata (Ag) calculadas usando as Equações 5 e 6 para
fótons com energia de 8 keV. As setas das flechas verticais indicam os valores de αc.
Já para o caso das partículas depositadas sobre a superfície é conveniente utilizar

αi < αc. Nesse caso, o feixe refratado se propaga paralelamente à superfície (αt = 0) e
as ondas eletromagnéticas associadas ao feixe refletido e refratado interferem cons-
trutivamente, levando a um aumento da intensidade espalhada. A onda resultante da
interferência entre os feixes refletido e refratado, também conhecida como onda eva-
nescente, possui penetração limitada a poucos nanômetros na direção perpendicular
à superfície (~ 5 nm para a maioria dos materiais), evitando, ou reduzindo fortemen-
te, a contribuição devida a nanoestruturas que possam estar enterradas no substrato.
Por fim, vale ressaltar que as funções refletividade e transmissão de Fresnel mos-
tradas anteriormente não levam em conta os efeitos de rugosidade na interface
ar/amostra que podem estar presentes em geral. Nesses casos é necessário usar fatores
de correção que dependem do modelo utilizado para descrever a rugosidade. Uma
descrição dessas correções pode ser encontrada em diversos livros sobre o assunto.83
3.1.2. Vetor de espalhamento

Como foi anteriormente visto neste capítulo, a análise da intensidade de SAXS requer
o conhecimento da intensidade espalhada como função do vetor de espalhamento . Em
um experimento de GISAXS, a intensidade de raios X espalhada é geralmente medida
utilizando-se algum tipo de detector sensível à posição, que permite obter a intensidade
do feixe espalhado como função da posição de incidência no detector. Será mostrado a
seguir que, conhecidas as posições em que os feixes espalhado e incidente interceptam o
plano de detecção e a distância entre a amostra e esse plano, o vetor de espalhamento
correspondente a essa posição pode ser facilmente determinado.
A Figura 5.19 mostra uma representação esquemática dos parâmetros utilizados
na determinação de . Nessa representação i e f são os vetores de onda dos feixes
incidente e espalhado, respectivamente, dados por:83
i = k (cos αi, 0, -senαi) (10)
f = k (cos 2θf cos αf, sen 2θf cos αf, sen αf) (11)
sendo αi e αf os ângulos que o feixe incidente e espalhado, respectivamente, fazem

com a superfície da amostra, 2θf o ângulo entre a projeção do feixe espalhado na su-
perfície da amostra e o eixo x, e k o módulo do vetor de onda. Consequentemente, o
vetor momento transferido será:
⎛cos 2θ cosα −cosα ⎞
⎜ f f i⎟
r r r 2π ⎜
q = k f - ki = ⎜ sen 2θf cosα f ⎟⎟ (12)
λ
⎜⎜ sen α f + senα i ⎟⎟
⎝ ⎠
Conhecendo-se o valor de αi e a posição de incidência do feixe direto no detector,

os ângulos αf e 2θf podem ser calculados usando as equações:
⎡d ⎤
αf = arctan ⎢ z ⎥ − αi (13)
⎣D⎦
⎡d y ⎤
2θf = arctan ⎢ ⎥ (14)
⎣D⎦
em que D é a distância entre a amostra e o detector, e dz e dy são as distâncias vertical

e horizontal, respectivamente, entre as posições no plano de detecção nas quais inci-
dem os feixes direto e espalhado.
A razão pela qual o vetor é escrito na Equação 12 em função dos ângulos αi e
αf ficará evidente nas seções a seguir, onde veremos que, devido aos efeitos da refle-
xão e refração pelas superfícies ou interfaces, que são importantes para ângulos de
incidência αi e de emergência αf pequenos (próximos ao ângulo crítico de reflexão
externa total αc), o vetor = f – i difere do vetor associado ao espalhamento pelas
nanopartículas. Por outro lado, em experiências de SAXS clássicas, por transmissão,
os ângulos de incidência, de refração e de emergência, com respeito às superfícies
externas do material analisado, são iguais ou próximos de 90º, razão pela qual nesses
casos os efeitos devidos à refração são desprezíveis.
Figura 5.19. Parâmetros usados na determinação do vetor de espalhamento .
3.1.3. Intensidade de espalhamento devida a nanopartículas depositadas

sobre a superfície de substratos
Na geometria convencional de SAXS, por transmissão, cada ponto sobre o plano de
detecção da intensidade espalhada se relaciona univocamente a um dado vetor de es-
palhamento. Para as medidas de GISAXS isso não é mais verdade, já que, como será
descrito, no caso mais geral, a presença de interfaces faz com que uma dada posição
no detector receba simultaneamente as intensidades associadas a diferentes vetores
de espalhamento.
Um exemplo é o que ocorre na situação ilustrada na Figura 5.20, em que são mos-
tradas nanopartículas depositadas sobre um substrato. Como se vê na figura, o detector
está posicionado de modo a medir a intensidade do feixe espalhado que passa através
de uma fenda, que define uma direção que forma um ângulo αf com a superfície da
amostra. Perceba que as quatro possibilidades desenhadas na figura resultam num
feixe espalhado que incide no mesmo ponto do detector.68
No caso ilustrado na Figura 5.20a, o feixe incidente é espalhado pela nanoestru-
tura sem que haja interação com o substrato. Nesse caso o vetor i tem a direção do
feixe incidente. A componente vertical do vetor de espalhamento pode ser escrita
simplesmente como qz = kfz + kiz, do mesmo modo que ocorre na geometria con-
vencional de SAXS por transmissão. No caso da Figura 5.20b ocorre uma reflexão
do feixe incidente no substrato invertendo o sinal da componente vertical do vetor
de onda incidente antes da sua interação com a partícula. A componente vertical do
vetor de espalhamento é qz = kfz + kiz. No caso 5.20c é o feixe espalhado pela amostra
que é refletido pelo substrato e assim resulta qz = –kfz – kiz. Na situação ilustrada na
Figura 5.20d tanto o feixe incidente quanto o feixe espalhado pela nanopartícula são
refletidos pelo substrato e assim qz = –kfz + kiz. Note que nas situações ilustradas na
Figura 5.20, e que envolvem a reflexão pelo substrato, somente a componente do
vetor de espalhamento perpendicular à superfície da amostra, qz, é afetada, as demais
componentes permanecendo inalteradas.68
A probabilidade com que os eventos ilustrados nas Figuras 5.20a, b, c e d ocor-
rem está relacionada às refletividades R(αi) e R(αf) da superfície. Veja que R(αi) e
R(αf), além de serem funções dos ângulos, αi e αf, dependem também da compo-
sição da superfície, do comprimento de onda da radiação utilizada e da rugosidade
do substrato.
Assim, a amplitude da onda espalhada pela partícula é dada pela soma das ondas
associadas a cada um dos diferentes processos descritos, ou seja:68
f ( q , kiz , k ) = F ( q , k - kiz ) + R ( αi ) F ( q|| , k + kiz) +
|| fz || fz F fz
RF ( αf ) F ( q ,−kfz - kiz ) + RF ( αi ) RF ( αf ) F ( q ,− k fz+ kiz)

|| ||
(15)
em que
~ ~ 2
RF = (kz − kz) /( kz + kz ) e k~ = − n 2 k 2 − k
z s 0 ||
F( ||, kiz, kfz) é a função que representa a amplitude de espalhamento da partícula sem
os efeitos de reflexão ou refração, || e k|| são as componentes do vetor de espalha-
mento e do módulo do vetor de onda do feixe incidente, respectivamente, no plano
xy, z é a componente escalar z do vetor de onda do feixe transmitido e n s, o índice
de refração do substrato.
Figura 5.20. Representação dos diferentes processos envolvidos

no espalhamento de raios X por uma nanopartícula depositada
sobre um substrato plano.
O exemplo anterior não é o único em que a reflexão por interfaces precisa ser
levada em conta no cálculo da intensidade de GISAXS. Outras possibilidades, que
não serão aqui detalhadas, são, por exemplo, nanopartículas embebidas em camadas
ou multicamadas com interfaces apresentando boa refletividade. Em muitos desses
casos, para que se obtenham resultados confiáveis, se faz necessário medir a refleti-
vidade em vez de obtê-la, simplesmente, como um parâmetro de modelagem. Casos
envolvendo geometrias mais complexas são discutidos por Lazzari.55
3.1.4. Nanopartículas enterradas abaixo da superfície do substrato

Como foi mencionado anteriormente, para o caso em que as nanopartículas estão
enterradas abaixo da superfície do substrato, o ângulo de incidência deve ser ajustado
de modo que o feixe de raios X penetre até a profundidade onde elas estão localiza-
das. Se essa profundidade e o índice de refração forem conhecidos, o valor adequado
do ângulo de incidência pode ser calculado usando a Equação 4. Caso esses valores
não sejam conhecidos, o valor de αi que otimiza a intensidade espalhada pode ser
obtido experimentalmente comparando-se as intensidades de GISAXS medidas em
diferentes valores de αi.
Devido à refração que os raios X sofrem ao atravessarem a interface ar/amostra, o

vetor de espalhamento , determinado a partir do feixe incidente e do feixe espalhado
fora da amostra, não corresponde ao vetor de espalhamento no interior da amostra.
Isso ocorre pelos seguintes motivos: (i) o feixe de raios X que incide nas nanopar-
tículas no interior da amostra é o feixe refratado, cujo vetor de onda i é diferente
de i em direção e módulo e (ii) ao atravessarem a superfície, os feixes espalhados,
provenientes das nanopartículas, também são refratados. Por outro lado, somente a
componente do vetor de espalhamento na direção perpendicular à superfície – eixo
z – é afetada. O valor dessa componente no interior da amostra é dado por:55
z = fz – iz (16)
em que
~ (17)
kiz = ns2 k02 − kix2
e
2
~
k = ns2 k02 − k
fz f || (18)
são as componentes dos vetores de onda dos feixes refratado e espalhado, respecti-
vamente, dentro da amostra; ns é o índice de refração do substrato, k = k 2 + k 2 ,
f || fx fy
a componente do vetor de onda do feixe espalhado paralela à superfície da amostra,
e, k0 o módulo do vetor de espalhamento fora da amostra. As direções dos vetores de
onda fora e dentro da amostra estão mostradas na Figura 5.21.
Além da mudança na direção, a refração na interface também modula a intensi-
dade dos feixes espalhados. Essa modulação é devida à dependência do coeficiente de
transmissão de Fresnel com os ângulos que os feixes incidente e espalhado formam
com a interface. Os coeficientes de transmissão de Fresnel dos feixes incidente e
espalhado são dados por:55
2 kiz
t (kiz) = ~ (19)
kiz + kiz
e
2 k fz
t (kfz) = ~ (20)
k fz + k fz
respectivamente.
Figura 5.21. (a) Refração do feixe incidente e dos feixes espalhados ao atravessarem
a interface ar/amostra. Por motivo de clareza, somente dois feixes espalhados estão
representados; (b) vetor de espalhamento 1 do feixe 1 fora da amostra; e (c) vetor de
espalhamento 1 correspondente ao feixe 1 no interior da amostra.
Assim, a amplitude da onda espalhada é dada por:55
f ( q , q~z , αi , αf ) = t ( kiz ) t (− kfz ) F ( q , q~z) (21)

|| ||
A função t(kfz) é responsável pelo aparecimento de um máximo na intensidade

para os feixes espalhados que formam ângulos com a superfície da amostra próximos
a αc. Esse máximo na intensidade espalhada é conhecido como pico de Yoneda.91
Outro fator que modula a intensidade é a atenuação do feixe durante seu trajeto
no interior da amostra. Como mostra a Figura 5.21a, o comprimento percorrido pe-
los feixes espalhados no interior da amostra diminui à medida que αf aumenta. Para
os ângulos de espalhamento tipicamente envolvidos nos experimentos de GISAXS,
a dependência da atenuação com αf é dada por Cullity (1969):
A = exp[μ d/(senαf)] (22)
em que μ é o coeficiente de absorção linear do meio percorrido pelo feixe, que de-
pende da composição da amostra e da energia dos fótons de raios X; αf é o ângulo
entre o feixe espalhado e a superfície da amostra e d é a profundidade em que as
nanopartículas estão enterradas.
3.1.5. Exemplos de aplicação em estudos por GISAXS

Estudos utilizando a técnica de GISAXS na caracterização estrutural de filmes finos
contendo nanopartículas têm sido vastamente publicados. Na seção seguinte serão
apresentados dois exemplos de estudos para os quais a técnica de GISAXS foi utili-
zada. O primeiro é o estudo de um filme fino dopado com átomos metálicos de Co,
e o segundo corresponde à caracterização de multicamadas formadas por nanocris-
tais semicondutores de telureto de chumbo (PbTe) embebidos em sílica amorfa. Os
exemplos correspondem a estudos realizados na linha XRD2 do Laboratório Nacio-
nal de Luz Síncrotron (LNLS), em Campinas, utilizando-se um arranjo experimen-
tal especialmente projetado para estudos com essa técnica.
Nanoplacas de siliceto de cobalto (CoSi2) enterradas em silício

monocristalino
Descreve-se aqui um estudo por microscopia eletrônica de transmissão (TEM) e GI-
SAXS de nanoestruturas observadas em um filme fino de sílica dopado com átomos
de Co, depositado sobre a face (100) de uma lâmina de Si monocristalina e depois
tratado isotermicamente a 750 °C. O estudo, utilizando essas duas técnicas, mostra
que o tratamento térmico induz a formação de nanopartículas esféricas de Co no
interior do filme de sílica e também a formação de nanoplacas de CoSi2 a algumas
camadas atômicas dentro do Si.42 Imagens de TEM mostraram que as nanoplacas
têm a forma de hexágonos quase regulares e que elas são bastante uniformes em
tamanho. A rede cristalina das nanoplacas de CoSi2 é coerente com a rede do Si e
é paralela a um dos quatro planos pertencentes à forma cristalográfica {111} do Si.
Uma representação esquemática é mostrada na Figura 5.22.
Para a obtenção de informações estruturais sobre uma área grande da superfí-
cie, a mesma amostra foi estudada, também, pela técnica de GISAXS. A Figura
5.23a mostra a intensidade de GISAXS obtida experimentalmente. Levando em
conta o efeito de refração dos raios X na superfície da amostra, a intensidade total de
GISAXS é dada por Kellermann et al. (2012):
2⎛ 2 2 ⎞
∑
2
I ∝ t ( αi ) t ( αf ) ⎜⎜C R
⎝ hkl
A
hex ( hkl ) ∫
( αi , φ, q x , q y , q~z , l , t ) + A sph ( q x , q y , q~z , R) N sph (R ) dR⎟⎟
⎠
(23)
em que as funções t(αi) e t(αf) são os coeficientes de transmissão de Fresnel para

os feixes incidente e espalhado, respectivamente, e cR é a razão entre o número de
partículas hexagonais e esféricas. Asph (qx, qy, z, R) é a amplitude de espalhamento
de uma partícula esférica com raio R, e Ahex (hkl) (α, φ, qx, qy, z , t) é a amplitude
Figura 5.22. Representação esquemática das nanoestruturas observadas

por microscopia eletrônica de transmissão. (a) Filme fino de SiO2, contendo
nanocristais esféricos de Co, depositado sobre a face (001) de uma lâmina de Si
monocristalino dentro da qual se formam nanoplacas hexagonais de CoSi2;
e (b) vista tridimensional dos nano-hexágonos de CoSi2, paralelos a cada
um dos quatro planos pertencentes à forma cristalográfica {111} do Si.
Figura 5.22b extraída de Applied Physics Letters, v. 100, p. 063116, 2012.
Reproduzido com permissão da AIP Publishing LLC.
de espalhamento de um hexágono com tamanho lateral e espessura t. Os índices

hkl nessa função servem para diferenciar entre as quatro diferentes orientações dos
hexágonos (ver Figura 5.22), cada uma delas sendo paralela a um dos quatro planos
da forma cristalográfica {111} do Si. Na mesma função, αi designa o ângulo entre o
feixe direto, e a superfície do Si e φ é o ângulo azimutal. A Figura 5.23c mostra os
perfis de intensidade I×qy para diferentes valores de qz. As curvas contínuas corres-
pondem ao melhor ajuste, assumindo que a intensidade total é dada pela soma das
intensidades devidas a: (i) um conjunto monodisperso de nano-hexágonos regulares
de CoSi2 enterrados no monocristal de Si e paralelos à forma cristalográfica {111} do
Si e (ii) nanoesferas de Co com distribuição de raios dada por uma função lognormal.
Para comparação com a intensidade experimental, a Figura 5.23b mostra a inten-
sidade I(qy, qz) calculada usando os parâmetros obtidos a partir do procedimento de
melhor ajuste usando a Equação 23.
Figura 5.23. (a) Intensidade experimental de GISAXS medida com detector

de raios X sensível à posição 2D; (b) intensidade calculada utilizando os
parâmetros de um procedimento de melhor ajuste; e (c) perfis de intensidade
experimental (círculos) e perfis calculados (linhas) correspondentes ao
melhor ajuste utilizando o modelo descrito no texto. Figuras extraídas
de Applied Physics Letters, v. 100, p. 063116, 2012. Reproduzido com
permissão da AIP Publishing LLC.
Multicamadas de nanocristais de PbTe imersas em SiO2

Multicamadas formadas por nanocristais de PbTe imersas em SiO2, sobre mo-
nocristal de Si, foram preparadas pela deposição alternada de PbTe por laser pul-
sado (PLD) e deposição de SiO2 amorfo por vapor químico assistido por plasma
(PECVD).41 Amostras com diferentes quantidades de PbTe por bicamada foram
preparadas variando-se o número de pulsos laser (50-200) usados na evaporação de
um alvo de PbTe. Todas as amostras estudadas tinham 20 bicamadas e quantidades
idênticas de SiO2 por bicamada.
A Figura 5.24a mostra a intensidade de GISAXS correspondente à amostra pre-
parada usando 100 pulsos de laser. Observam-se máximos de intensidade, alonga-
dos horizontalmente, periodicamente espaçados ao longo da direção qz normal à
superfície da amostra. Esses máximos de intensidade foram atribuídos a efeitos de
interferência construtiva associados à correlação espacial entre as posições dos na-
nocristais das diferentes camadas. Sobreposto a esses máximos verifica-se um espa-
lhamento isotrópico que se estende por um intervalo angular maior. Características
semelhantes são observadas nos padrões de GISAXS correspondentes às multica-

madas preparadas com 150 e 200 pulsos de laser. No entanto, o padrão corres-
pondente à amostra preparada com 50 pulsos de laser por bicamada apresentou
um espalhamento fraco e aproximadamente constante dentro do intervalo angular
medido, sugerindo que, para essa quantidade de PbTe depositada, os nanocristais
têm tamanho menor do que o tamanho mínimo detectável. A partir da análise dos
padrões experimentais de GISAXS, o raio médio, a dispersão nos valores de raio e o
grau de ordenamento no espaçamento entre as multicamadas foram determinados.
A Figura 5.24b mostra os perfis de intensidade I×q|| para diferentes valores de qz,
correspondentes à amostra preparada usando 100 pulsos de laser por bicamada. As
linhas contínuas foram calculadas a partir do melhor ajuste aos dados experimentais
assumindo que a distribuição de raios dos nanocristais pode ser descrita por uma
função gaussiana. Como resultado da análise das curvas de GISAXS se observa que,
à medida que aumenta a quantidade de PbTe depositado, (i) o raio médio dos na-
nocristais de PbTe também aumenta e (ii) o número total de nanocristais diminui.
Esse resultado sugere a ação de um mecanismo de crescimento denominado coarse-
ning56 e/ou de coalescência das nanopartículas durante o processo de deposição das
multicamadas.
Para a análise dos perfis de intensidade de GISAXS, ao longo da direção normal à
superfície da amostra, utilizou-se a função de interferência do modelo de paracristal,
derivada por Hosemann (1951). A partir dessa análise foi determinado o espaçamen-
to médio entre as camadas de nanocristais de PbTe, bem como a dispersão em torno
desse valor médio. Os perfis experimentais e calculados com base no modelo descrito
estão mostrados na Figura 5.24c.
3.2. Espalhamento anômalo ou ressonante de raios X a baixo ângulo

Nos experimentos de SAXS em geral, nos quais podem estar presentes diversas
fases nanoestruturadas de diferentes composições, não é possível distinguir entre
as contribuições de cada uma dessas fases para a intensidade total. Este é o caso,
por exemplo, de catalisadores que possuem nanopartículas metálicas dispersas em
substratos nanoporosos. Nesse caso, a intensidade total de SAXS é dada pela soma
das contribuições devidas aos poros e às partículas, não sendo possível, em prin-
cípio, distinguir entre as duas contribuições. Contudo, como será descrito mais
adiante, essa dificuldade pode ser contornada medindo-se a intensidade de SAXS
em diversas energias próximas à energia correspondente à borda de absorção de um
ou mais elementos químicos presentes na amostra. Ao variar a energia dos raios X
Figura 5.24. (a) Intensidade de GISAXS correspondente à amostra preparada com

100 pulsos de laser por camada; (b) perfis horizontais de intensidade juntamente
com as curvas ajustadas usando o modelo descrito no texto; e (c) perfis verticais
de intensidade das multicamadas e curvas correspondentes ao melhor ajuste
utilizando o modelo de paracristal de Hosemann. Extraído de Journal of Applied
Crystallography, v. 43, p.385–393, 2010. Reproduzido com permissão da IUCr.
incidentes em torno de valores próximos aos de uma dada borda de absorção de um

dos elementos presentes na amostra, a amplitude de espalhamento atômico, e con-
sequentemente a contribuição desse elemento para a intensidade total, é alterada.
É possível mostrar que a variação na intensidade espalhada permite obter informa-
ção que reflete a distribuição desse elemento nas diferentes fases que constituem a
amostra.8
A técnica usada em estudos por SAXS que fazem uso da dependência do fator
de espalhamento atômico em relação à energia dos fótons para a obtenção de in-
formação estrutural seletiva associada a um dado elemento químico é chamada de
ASAXS (Anomalous Small-Angle X-Ray Scattering). Essa técnica desempenha
um papel importante na caracterização estrutural de sistemas formados por fases de
diferentes composições.8; 16; 36; 88 Ela encontra aplicações importantes na ciência de
materiais em sistemas, tais como ligas metálicas,33; 35 catalisadores62; 67 e polímeros
contendo átomos pesados.37
3.2.1. Fator de espalhamento atômico

Fator de espalhamento atômico para energias de fótons afastadas das
correspondentes às bordas de absorção
Para energias de fótons muito superiores àquelas correspondentes às bordas de
absorção, o fator de espalhamento do átomo é dado pela transformada de Fourier
da função densidade eletrônica ρ( ). No caso de átomos com densidade eletrônica
isotrópica verifica-se que:8
∞
sen(qr)
0 ∫
f ( q ) = 4 πr 2ρ( r)
0
qr
dr (24)
Portanto, para q = 0 – ou seja, ângulo de espalhamento 2θ = 0 – f0, é igual ao

número de elétrons, ou seja, ao número atômico Z, do elemento químico. Na medida
em que o ângulo de espalhamento cresce, a diferença de fase entre as ondas espa-
lhadas por diferentes regiões do átomo leva a uma contínua diminuição de f0, com o
aumento de senθ/λ. As curvas de f0 versus senθ/λ para fótons de raios X com energias
longe das energias correspondentes às bordas de absorção dos átomos podem ser
4
calculadas a partir da equação f ( senθ / λ) =
0 ∑ α exp[ −b ( senθ/ λ) ] + c usando
i =1
i i
2
os coeficientes ai, bi, e c tabelados.15; 90 As curvas f0 versus senθ/λ para os átomos com
número atômico Z entre 1 e 92 estão representadas na Figura 5.25.
Figura 5.25. Curvas do fator de espalhamento atômico versus senθ /λ para

átomos neutros com número atômico Z entre 1 e 92, calculadas usando
a equação de 9 parâmetros de Cromer e Mann (1968).
Expressão geral do fator de espalhamento atômico

Para o caso mais geral, em que a energia dos fótons de raios X pode estar próxima à
energia da borda de absorção do átomo espalhador, a Equação 24 já não é mais válida
e o átomo espalha os fótons de raios X como se ele tivesse um número de elétrons
menor do que Z. Nesse caso, o fator de espalhamento atômico é corretamente des-
crito por um número complexo dado por:8
r r
fatm( q , E ) = f 0 ( q ) + f ′( q , E ) + i f ′′( q , E ) (25)
em que f ' e if " são os chamados termos de correção do fator de espalhamento do áto-
mo. Além de dependerem de , f ' e if " também dependem da energia E dos fótons.
O termo f ', correção da parte real de fatm, é um número negativo e está relacionado
à diminuição da capacidade que o átomo tem de espalhar os raios X. Já f " está rela-
cionado ao processo de absorção e fluorescência de raios X. Assim como para f0, f ' e
f " são dados em número de elétrons; f ' e f " estão relacionados a δ e β do índice de
refração através das Equações 2 e 3.
A Figura 5.26 mostra a dependência de f ' em relação à energia dos fótons para
o caso do átomo de Bi isolado.32 Como se vê nesse gráfico, somente para valores de
energia muito afastados das correspondentes às bordas de absorção é que f ' é apro-
ximadamente igual a zero e pode-se tomar o fator de espalhamento atômico como
sendo dado por f0. Para valores de energia próximos aos correspondentes às bordas de
absorção, é absolutamente necessário levar em conta a dependência de fatm em relação
a E para descrever corretamente o processo de espalhamento.
Figura 5.26. Parte real do termo de correção do fator de espalhamento

atômico f ' para o átomo de Bi isolado.32
Para os elementos pesados, as bordas de absorção K ou L ficam na região do es-

pectro eletromagnético correspondente aos raios X duros (10 keV < E < 100 keV).
Como a borda L possui 6 elétrons 2p comparados aos 2 elétrons s da borda K, a
correção no fator de espalhamento atômico para energias próximas às da borda L é
cerca de três vezes maior do que a da borda K. É importante mencionar ainda que as
funções de onda dos elétrons das camadas K e L estão localizadas próximas ao núcleo
atômico. Por conseguinte, a transformada de Fourier dessas funções resulta numa
contribuição para fatm que é essencialmente independente de q. Como os ângulos de
espalhamento nos experimentos de SAXS são tipicamente menores do que 5 graus,
f0 não difere significativamente de Z. Assim, para os experimentos de SAXS o fator
de espalhamento atômico pode ser escrito como:8
fatm (E) = Z + f ' (E) + i f " (E) (26)
O termo f " só difere significativamente de zero para energias dos fótons próxi-
mas e acima das correspondentes às bordas de absorção, onde ocorre um aumento
significativo da fluorescência irradiada. Para minimizar a fluorescência, que se sobre-

poria à intensidade espalhada, é conveniente que os experimentos de ASAXS sejam
realizados com fótons de energias ligeiramente menores às das bordas de absorção,
tipicamente de 5 eV a 10 eV.
3.2.2. Intensidade de SAXS para energias de fótons próximas às das bordas

de absorção
O efeito introduzido pela correção do fator de espalhamento atômico, quando se
utilizam fótons com energias próximas às das bordas de absorção, pode ser enten-
dido como uma redução na capacidade que o átomo tem de espalhar a radiação, ou,
ainda, como uma redução no número efetivo de elétrons que participa do processo
de espalhamento.
Como foi mostrado na parte anterior deste capítulo sobre baixos ângulos de es-
palhamento, a intensidade de SAXS pode ser calculada a partir de uma função que
descreve a densidade eletrônica média local. Desse modo, o fator de espalhamento
atômico por unidade de volume é dado por8
∑n α i
f
i atm(E)
ρ (r , E ) =
eff i (27)
δV ( r )
em que nai é o número de átomos do elemento i no elemento de volume δV ( )na

posição e f iatm (E) é o fator de espalhamento atômico do átomo i, que depende da
energia dos fótons. A somatória é feita sobre todos os átomos em δV ( ).
Nessas condições, a amplitude de espalhamento de um dado objeto, rotulado com
o índice j, pode ser escrita na sua forma usual:8
∫
F j ( q , E ) = [ ρeff ( r , E ) − ρ0eff ( E )] exp( −iq ⋅ r )d 3r (28)
em que a integral é calculada sobre o volume do objeto espalhador (nanopartícula) e ρ0ett

é o fator de espalhamento médio por unidade de volume da amostra como um todo.
A intensidade espalhada por um conjunto arbitrário de objetos nanométricos é
dada pelo módulo ao quadrado da soma das amplitudes espalhadas por cada um dos
objetos componentes, ou seja:
2
r r r r
I ( q, E ) = ∑ j
F ( q , E ) exp( −iq ⋅ Rllj )
j
(29)
em que RIIj é o vetor que descreve a posição do centro de massa da nanopartícula e F j

( , E) é a amplitude de espalhamento da partícula rotulada com o índice j.
3.2.3. Análise estrutural com seletividade em composição

A pergunta que pode ser feita é: como tirar vantagem da dependência do fator de
espalhamento atômico em relação à energia dos fótons em estudos por SAXS de sis-
temas formados por diferentes elementos químicos? Para responder a essa pergunta
examinaremos o exemplo hipotético descrito a seguir.
Seja um sistema formado por dois conjuntos de partículas esféricas, cada um deles
com uma dada composição. Consideraremos o caso simples no qual um desses con-
juntos está formado por partículas de raio RA contendo exclusivamente o elemento
químico denominado A, e o outro por partículas de raio RB que possuem unicamente
o elemento B. As partículas estão todas imersas em um meio que não contém nem
o elemento A nem o elemento B, e cuja densidade eletrônica ρ0 é menor do que a
densidade eletrônica das partículas A e B. Suponha agora que a intensidade de SAXS
desse conjunto de partículas seja medida com feixes de fótons de duas energias dife-
rentes próximas à correspondente a uma das bordas de absorção do elemento A: (i)
para uma energia dos fótons E2 ligeiramente inferior à correspondente à borda e (ii)
para uma energia E1 algumas centenas de elétron-volts abaixo da energia da borda.
As funções f '(E) associadas aos elementos A e B e à matriz estão mostradas no gráfi-
co da Figura 5.27. Percebe-se que, para energias próximas à correspondente à borda
do átomo A, o fator f ' desse elemento varia de forma significativa, enquanto para esse
mesmo intervalo em energia dos fótons as funções f ' correspondentes ao elemento B
e aos da matriz permanecem quase invariantes.
Figura 5.27. Representação esquematizada da função f ' (E) dos elementos A e

B juntamente com a função da matriz. As linhas verticais contínuas indicam as
energias E1 e E2 em que as medidas da intensidade de SAXS foram realizadas.
A linha vertical tracejada indica a energia da borda de absorção do elemento A.
Assumindo que se trata de um sistema diluído em que as partículas estão aleato-

riamente posicionadas, a intensidade de SAXS será dada pela soma das intensidades
espalhadas individualmente por cada uma delas:29
[ ][
2
] 2
[
I ( q, E ) = ρeffA (E ) − ρ0 V ( RA ) 2 F ( q, RA ) NA + ρeff
B
][
2
] 2
− ρ0 V ( RB ) 2 F ( q, RB ) NB
(30)
em que o primeiro termo à direita corresponde à contribuição das partículas com áto-
mos A, que denominaremos IA (q, E), e o segundo, à contribuição das partículas com
átomos B, que denominaremos IB (q). NA e NB são o números de partículas formadas
pelos elementos A e B, respectivamente, e ρAeff e ρBeff, os correspondentes fatores de
espalhamento atômico por unidade de volume (ou as “densidades eletrônicas efe-
tivas”). V(RA) e V(RB) são os volumes, e |F(q, RA)|2 e |F(q, RB)|2 são os fatores de
forma normalizados das partículas formadas pelos elementos A e B, respectivamente.
Note que nesse caso somente ρAeff varia com a energia dos fótons enquanto ρBeff e ρ0
permanecem essencialmente constantes dentro do intervalo em energia considerado.
Portanto, a diferença entre as intensidades de SAXS medidas em E1 e E2 será:
I(q, E1) – I(q, E2) = [IA(q, E1) + IB(q)] – [IA(q, E2) + IB(q)] (31)
Como a intensidade IB(q) é a mesma para as energias dos fótons E1 e E2, a dife-
rença da contribuição das partículas formadas pelo elemento B se cancela e, assim:
I(q, E1) – I(q, E2) = IA(q, E1) – IA(q, E2) (32)
Escrevendo explicitamente em termos do fator de forma, a Equação 32 fica:
I(q, E1) – I(q, E2) = NA[V(RA)]2 |F(q, RA)|2 {[ρA (E1) – ρ0]2 – [ρA (E2) – ρ0]2} (33)
Em outras palavras, isso significa que a diferença entre as intensidades de SAXS

medidas para duas energias de fótons, sendo pelo menos uma delas próxima à de
uma borda de absorção do elemento A, resulta numa função que é proporcional à
intensidade espalhada pelas partículas formadas unicamente pelo elemento A. Esse
mesmo procedimento poderia ser aplicado no caso em que o conjunto B, em vez de
partículas, fosse formado por poros.
3.2.4. Aspectos instrumentais

Embora os benefícios do uso da técnica de ASAXS para a caracterização de mate-
riais formados por nanoestruturas compostas de diferentes elementos químicos sejam
evidentes, vários cuidados envolvendo as medidas da intensidade de SAXS com essa

finalidade são necessários. É imprescindível para tanto que a instrumentação utili-
zada seja especialmente projetada para esse propósito. Nesse sentido, um impulso
importante para essa técnica foi dado com o aparecimento das fontes que geram
radiação síncrotron. A alta intensidade, baixa divergência angular e larga banda em
energia da radiação eletromagnética emitida por essas fontes fornecem vantagens
óbvias em relação aos instrumentos convencionais de geração de raios X.
Por outro lado, para elementos leves, tais como o H, C, N e O, as bordas de
absorção aparecem em energias de fótons muito baixas, na região do espectro ele-
tromagnético de “raios X moles” (com energias abaixo de ~1000 eV). Assim, por
razões práticas, tais como a alta absorção dos raios X de baixa energia pela matéria, a
técnica de ASAXS é aplicada mais comumente no estudo de materiais que possuem
elementos com número atômico relativamente elevado, em geral para Z > 20. Por
essa razão, o estudo mediante ASAXS utilizando fótons de energias próximas às de
elementos leves, tais como os que formam os materiais poliméricos e biológicos, é de
difícil ou impossível realização.
Escolha dos valores das energias dos fótons

Como no exemplo anterior, na maioria dos casos é desejável que a diferença entre as
intensidades de SAXS medidas em diferentes energias de fótons seja a maior possí-
vel. Olhando para a função f ' (E) representada na Figura 5.27 é fácil perceber que as
maiores variações são obtidas quando uma das energias dos fótons for escolhida, por
exemplo, bem abaixo da energia correspondente a uma borda de absorção (~100 eV
abaixo, ou mais) e a outra o mais próximo possível da mesma.
Vale lembrar nesse momento que, para evitar os aumentos excessivos da absorção
pela amostra e da emissão de radiação fluorescente, é importante que todas as medidas
de ASAXS sejam feitas com fótons de energias abaixo das correspondentes às bordas
de absorção. Para poder medir a intensidade de SAXS utilizando fótons de energias o
mais próximas possíveis da borda, e ao mesmo tempo evitar a fluorescência, é necessá-
rio que a radiação utilizada possua uma resolução em energia adequada. Para que seja
obtido um contraste adequado, a radiação policromática do feixe incidente deve ser
monocromatizada com instrumentos de alta resolução, de tal forma que a razão entre
a largura da banda passante e a energia média dos fótons utilizados nos experimentos,
ΔE/E, seja da ordem de 10–4, ou no máximo 10–3. Levando em conta o valor diferente
de zero da largura da banda passante, é conveniente que as medidas de ASAXS sejam
feitas utilizando fótons com energias entre 5 eV e 15 eV abaixo da correspondente à
borda, dependendo da resolução do monocromador utilizado.8
Quando vários elementos estão presentes na amostra, as medidas de SAXS po-

dem ser realizadas utilizando fótons com energias próximas às das diferentes bordas,
permitindo assim a obtenção de um número maior de informações e melhor precisão
nos resultados. Nesse caso, no entanto, a espessura da amostra deve ser adequada-
mente escolhida, de tal forma que os valores de atenuação sejam aceitáveis para todas
as energias de fótons utilizadas.
Correção dos dados

i) Normalização da intensidade de SAXS e subtração do espalhamento parasita
A Figura 5.28 mostra um esquema do arranjo típico utilizado nos experimentos
de SAXS. Na figura, dois detectores são utilizados para monitorar as intensidades
do feixe incidente I0 e do feixe transmitido IT. Dessa forma é possível levar em conta
a contínua redução na intensidade emitida pela fonte síncrotron e diferenças nos
tempos de exposição, bem como a dependência do fluxo de fótons e da atenuação da
amostra com a energia dos fótons de raios X.
Figura 5.28. Representação esquemática do arranjo utilizado nas medidas da

intensidade de SAXS e das intensidades dos feixes incidente e transmitido.
Também é necessário levar em conta a relação entre a eficiência de todos os de-

tectores utilizados e a energia dos fótons. A eficiência relativa dos detectores utili-
zados é geralmente determinada a partir de medidas de intensidades de SAXS por
uma amostra que não contém elementos correspondentes às bordas de absorção
pertinentes.
Finalmente, ao espalhamento de SAXS da amostra soma-se o espalhamento pa-
rasita, ou seja, o produzido por janelas, fendas de definição e espaços de ar atraves-
sados pelo feixe. O espalhamento parasita é também função da energia dos fótons
utilizados. Portanto, para cada medida de SAXS de uma certa amostra, para uma
dada energia de fótons, também é necessária a medida do espalhamento parasita –
sem a amostra – nessa mesma energia. Após a normalização das intensidades pela
atenuação da amostra, a contribuição devida ao espalhamento parasita deve ser sub-
traída da curva da intensidade total.
ii) Determinação experimental de f '

O conhecimento da função f ' (E) é de fundamental importância nos experimentos
de ASAXS que têm a finalidade de determinar a concentração do elemento de
interesse na estrutura. Por outro lado, os fatores de espalhamento atômico tabelados,
ou calculados, são determinados assumindo átomos isolados e em condições em
que a radiação utilizada é perfeitamente monocromática. Esse, porém, não é o caso
real no qual os átomos formam ligações químicas. Nessas condições, as energias de
ressonância, correspondentes às diversas bordas de absorção observadas, podem diferir
em até alguns elétron-volts do valor das energias das bordas de absorção do mesmo
átomo isolado. No caso real, a banda passante em energia do feixe incidente também
não é infinitamente estreita, estendendo-se desde um limite inferior até um limite su-
perior. Por esses motivos, a obtenção de valores precisos para a concentração requer
que a função f ' (E) seja determinada experimentalmente para cada composto e para
as condições experimentais específicas em que o experimento é realizado. A sequência
de etapas utilizadas para a determinação experimental de f ' (E) será descrita a seguir.
Na primeira etapa é medida a função transmissão dos raios X, ou seja, a razão
entre a intensidade transmitida e a intensidade incidente Tr = IT/I0, em função da
energia E dos fótons. Isso é feito num certo intervalo de energia em torno da região
correspondente à borda de absorção (tipicamente entre 500 eV abaixo da borda e
500 eV acima da borda). O coeficiente de absorção linear pode então ser calculado
usando a relação17
ln(Tr )
μ(E ) = − (34)
tα
em que ta é a espessura da amostra.

Por outro lado, μ(E) está relacionado a f " (E) – parte imaginária do fator de es-
palhamento atômico – através da equação:36
f " (E) = (2πε0/ρa)[Emc/(he2)] μ(E) (35)
em que m e e são a massa e a carga do elétron, respectivamente, c é a velocidade da

luz, h, a constante de Planck, ε0, a constante de permissividade elétrica no vácuo e ρa,
a densidade de átomos.
Na etapa seguinte substitui-se o intervalo de f " (E), determinado experimental-

mente, na função fT" (E) do átomo isolado.32
Finalmente, f ' (E) pode ser calculada a partir de f " (E) utilizando a relação de dis-
persão de Kramers-Kronig:46; 47
2 ∞ E´ f ´´(E´)
f ' (E ) =
π ∫
0 ( E´ 2 − E 2 )
dE´ (36)
3.2.5. Exemplo de aplicação

Descreve-se a seguir uma aplicação da técnica de ASAXS no estudo de um vidro
sódio-borato (72B2O3-28Na2O) contendo nanocristais esféricos e homogêneos de
Bi aleatoriamente dispersos na matriz vítrea. A matriz poderia a priori conter hetero-
geneidades de densidade eletrônica devido a flutuações estatísticas e, eventualmente,
também a presença de nanoporos e partículas formadas a partir da cristalização do
vidro. Nessas condições, a intensidade total de SAXS é dada por29
[ ]
2 Rmax
2⎛ 4π ⎞
∫ F (q, R)
2 (37)
I (q, E ) = ρBi (E) − ρ0 ⎜ ⎟ N ( R ) R 6 dR + I v (q )
⎝ 3 ⎠ Rmin
em que
2
2 ⎡ sen( qR ) − qR cos(qR) ⎤
F ( q, R ) = ⎢3 ⎥ (38)
⎣ ( qR )3 ⎦
|F(q,R)|2 é o fator de forma normalizado de uma partícula esférica homogênea com

raio R, N(R)dR, o número de nanopartículas com raio entre R e R+dR e ρ0, a den-
sidade eletrônica do vidro. Se a energia dos fótons for próxima à de uma das bordas
de absorção do Bi, o seu fator de espalhamento por unidade de volume (ou sua “den-
sidade eletrônica efetiva”) será uma função da energia, ρBi (E). Nessa mesma faixa
de energia, se a matriz vítrea não possuir átomos de Bi, a possível contribuição para
a intensidade total de SAXS devida a flutuações estatísticas de densidade do vidro,
poros e nanopartículas que possam se originar da cristalização do vidro, Iv (q), será
independente da energia dos fótons.
A Figura 5.29 mostra as curvas de intensidade de SAXS medidas para diferentes
energias dos fótons, abaixo da energia correspondente à borda de absorção L3 do Bi
(13419 eV). Como esperado, a intensidade diminui à medida que E se aproxima da
borda. Para altos valores de , para os quais a intensidade de espalhamento devida
aos nanocristais de Bi é menor, a intensidade é essencialmente constante porque os

fatores de espalhamento dos átomos do vidro são apenas levemente afetados pela
mudança de energia.
Figura 5.29. Curvas de intensidade de SAXS versus q do vidro 72B2O3-28Na2O

contendo nanocristais de Bi, medidas nas energias indicadas.
Se a matriz vítrea não contém átomos de Bi a contribuição do vidro para a

intensidade total se mantém a mesma, independentemente da energia. Assim, a
intensidade de SAXS devida unicamente à contribuição dos nanocristais de Bi
pode ser determinada a partir da diferença entre as intensidades de SAXS medidas
em duas energias diferentes próximas à borda do Bi, já que a intensidade devida ao
vidro se cancela. A curva correspondente à diferença entre as intensidades medidas
em 13183 eV e 13413 eV está representada na Figura 5.30. Na mesma figura apa-
rece também a função distribuição de raios correspondente à curva que melhor se
ajusta à curva experimental. No procedimento de ajuste foi utilizado o programa
GNOM.72
Os resultados deste exemplo de aplicação de ASAXS permitem caracterizar ex-
clusivamente as nanopartículas que contêm Bi, embebidas na matriz vítrea, ou seja,
eles independem da eventual presença de flutuações de densidade eletrônica do vidro,
nanoporos ou nanocristais de vidro que não contenham Bi. Exemplos semelhantes
de aplicação de ASAXS referem-se à determinação da distribuição de tamanhos de
nanopartículas metálicas embebidas numa matriz nanoporosa, que é um caso típico
dos materiais utilizados como catalisadores.31
Figura 5.30. Símbolos: diferença entre as intensidades de SAXS medidas

em 13183 eV e 13413 eV. Curva contínua: melhor ajuste utilizando o
programa GNOM. O gráfico no detalhe da figura representa a função
distribuição de raios obtida pelo procedimento de melhor ajuste.
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LISTA DE SÍMBOLOS
f iatm = fator de espalhamento atômico do átomo i como função da energia E dos fótons
= vetor de espalhamento no interior da amostra
e t = tamanho lateral e espessura de um hexágono
F j = amplitude de espalhamento do objeto de índice j
Ae = amplitude de espalhamento por um único elétron
χ2 = discrepância quadrática
Nsph (R) = distribuição de raios de nanopartículas esféricas como função do raio R
f (q) = fator de espalhamento atômico
γ0 (r) = função característica
γ (r) = função de correlação
Rg = raio de giro
φ = ângulo azimutal
μ (E) = coeficiente de absorção linear como função da energia
μ = coeficiente de absorção linear do meio percorrido pelo feixe
AD (n, l) = coeficientes de Fourier cosseno associados às microdeformações
ρ ( ) = densidade eletrônica arbitrária
ρ0 = densidade eletrônica do vidro

Δϕ = diferença de fase
d = elemento de volume
δV ( ) = elemento infinitesimal de volume na posição
N (R) = função distribuição de raios
nai = número de átomos do elemento i no elemento de volume δV ( )
ρ ( ) = número de elétrons por unidade de volume na posição
ρ0eff (E) = valor médio da densidade de elétrons que efetivamente contribuem para o espalhamento
como função da energia
i = vetor de onda associado ao feixe refratado
RIIj = vetor que descreve a posição do centro de massa da nanopartícula
V (R) = volume da nanopartícula com raio R
Rs e Ts e = refletividade e transmissão dos raios X, respectivamente, para o vetor campo elétrico
perpendicular ao plano de incidência
Rp e Tp e = refletividade e transmissão dos raios X, respectivamente, para o vetor campo elétrico
paralelo ao plano de incidência
i e f = vetores de onda dos feixes incidente e espalhado, respectivamente, fora da amostra
i e f = vetores de onda dos feixes incidente e espalhado, respectivamente, dentro da amostra

t(αi) e t(αf) = coeficientes de transmissão de Fresnel para os feixes incidente e espalhado
IA e IB = intensidades espalhadas pelas nanopartículas formadas pelos elementos A e B,
respectivamente
f ' e f " = partes real e imaginária da correção do fator de espalhamento atômico
Asph e Ahex = amplitudes de espalhamento da esfera e do hexágono, respectivamente
iz e fz = componentes z dos vetores de onda dos feixes refratado e espalhado, respectivamente,
no interior da amostra
0 e 1 = vetores de módulo unitário
θ = ângulo entre a direção do feixe incidente e o plano cristalográfico
λ = comprimento de onda dos raios X
Λ = comprimento de penetração Λ
ε0 = constante de permissividade elétrica no vácuo
αc = ângulo crítico de reflexão externa total
αf = ângulos entre o feixe espalhado e a superfície da amostra
(hkl) = índices de Miller
αi = ângulo de incidência
αr = ângulo de reflexão
αt = ângulo de refração
(xj, yj, zj) = coordenadas fracionárias dos átomos
qx, qy e qz, e = componentes do vetor de espalhamento ao longo dos eixos x, y e z
kfx, kfy, e kfz = componentes do vetor de onda do feixe espalhado fora da amostra
A(2θ) = amplitude do espalhamento
~e = microdeformação
ρeff ( , E) = densidade de elétrons que efetivamente contribuem para o espalhamento como função
da posição e energia
Ie (2θ) = intensidade do espalhamento elástico de raios X produzida por um elétron livre
RF (α) = coeficiente de reflexão de Fresnel como função do ângulo α

As (n) = coeficientes de Fourier cosseno associados ao tamanho dos cristalitos
|| = componente do vetor de espalhamento paralelo à superfície da amostra
kf||= componente do vetor de onda do feixe espalhado paralela à superfície fora da amostra
z = componente z do vetor de espalhamento dentro da amostra
Δρ = contraste de densidade eletrônica
fatm = fator de espalhamento atômico próximo à borda de absorção
f (2θ) = fator de forma atômico
n = índice de refração
ni = índice de refração do meio de incidência
nt = índice de refração do meio de transmissão
Iv (q) = intensidade total de SAXS do vidro
ΔE = largura da banda passante em energia dos fótons de raios X
q|| = módulo da componente do vetor de espalhamento paralelo à superfície da amostra
q = módulo do vetor de espalhamento
β = parte imaginária do índice refração
1 – δ = parte real do índice de refração
= vetor de espalhamento
= vetor posição
<D>a = valor médio da superfície projetada na direção perpendicular aos planos de difração
<D>V = valor médio do tamanho dos cristalitos, ponderado pelo volume, da dimensão T dos cris-
talitos na direção perpendicular aos planos de difração
2θ = ângulo de espalhamento
2θf = ângulo entre a projeção do feixe espalhado na superfície da amostra e o eixo cartesiano x
A = constante independente do ângulo de espalhamento (Equação 4)
c = velocidade da luz
CaF2 = fluorita
cR = razão entre o número de partículas hexagonais e esféricas
D = tamanho dos cristalitos
D = distância amostra-detector
d = distância entre sucessivos planos cristalográficos de uma família de planos paralelos
d = profundidade medida em relação à superfície
Dmáx = diâmetro máximo da partícula
dz e dy = distâncias vertical e horizontal, respectivamente, entre as posições no plano de detecção
no qual incidem os feixes direto e espalhado
e = carga do elétron
E = energia dos fótons
e = número de Neper, aproximadamente igual a 2,71828...
F(t) = transformada de Fourier de f(x)
f(x) = perfil associado à amostra
f0 = fator de espalhamento atômico para energias de fótons longe das correspondentes às bordas
de absorção do elemento
F1 e F2 = fendas em aparelho de XPD
fD(x) = perfil associado às microdeformações
fG(x) = componente gaussiana
Fhkl. = fator de estrutura

fL(x) = componente lorentziana
fS(x) = perfil associado ao tamanho dos cristalitos
G(t) = transformada de Fourier de g(x)
g(x) = perfil instrumental
h = constante de Planck
H(t) = transformada de Fourier de h(x)
h(x) = perfil experimental
hkl = índices de Miller
I(0) = intensidade de espalhamento no ângulo zero
I(2θ) = intensidade de espalhamento em função do ângulo de espalhamento
I(q) = intensidade espalhada como função do módulo do vetor de espalhamento q
I0 = intensidade incidente
Iat(2θ) = intensidade do espalhamento produzido por um átomo
Ihkl = intensidade do pico de Bragg hkl
Ir e Ii = intensidades dos feixes refletido e incidente, respectivamente
IT = intensidade transmitida na incidência normal à superfície
It(d) = intensidade do feixe de raios X em função da profundidade d
k = módulo do vetor de onda
K = constante de Scherrer (Equação 5)
k0 = módulo do vetor de onda do feixe incidente
keV = kilo elétron-volts
kiz e ktz = componentes dos vetores de onda do feixe incidente e refratado na direção do eixo z
Kα, Kβ = emissões de raios X características
L(θ) = fator de Lorentz
LepFNR = leptospira ferredoxina-NADP(H) redutase
m = massa do elétron
mhkl = multiplicidade de planos cristalográficos
Mm = massa molecular
n = número de átomos da célula unitária (Equação 3)
N = número de nanopartículas
N = número de células unitárias de um cristal
n = 1, 2, 3, ... = ordem de difração
N(n) = número de células unitárias em toda a amostra que têm uma célula vizinha a uma distância
de n células na mesma coluna
N3 = tamanho do domínio de difração, em unidades de células unitárias, perpendiculares aos
planos (00l)
NA e NB = números de partículas formadas pelos elementos A e B, respectivamente
NA, NB, U, V, W, Z = parâmetros de ajuste
nm = nanômetro
ns = índice de refração do substrato
P(θ) = fator de polarização
p(r) = função de distribuição de distâncias
P(X) = função penalidade
Q = invariante de Porod
q = módulo do vetor de espalhamento

R = raio da nanopartícula
r0 = raio dos átomos fictícios
re = raio clássico do elétron
S = área total da interface nanopartícula-matriz
Sc2O3 = scandia
t ′, t ″ = formas tetragonais
ta = espessura da amostra
Tr = razão entre a intensidade transmitida e a intensidade incidente
V = volume
Y2O3 = Itria
Z = número atômico
Z = número de elétrons de um átomo (número atômico)
Z(n) = diferença entre os espaçamentos das células unitárias separadas em n células
ZCu = número atômico do cobre
Zj = número atômico do elemento j
ZrO2 = zircônia
λ = comprimento de onda do feixe de raios X
ΓG = largura a meia altura da componente gaussiana
ΓL = largura a meia altura da componente lorentziana
β, γ e δ = fase de equilíbrio de estrutura romboédrica
βG = largura integral da componente gaussiana
βL = largura integral da componente lorentziana
βS = largura dos picos de Bragg
β, W, Γ: largura integral, variância e largura a meia altura, respectivamente
ε(n) = deformação média entre duas células unitárias separadas por n células em uma coluna per-
pendicular aos planos de difração
η = parâmetro de mistura
λ = comprimento de onda

Técnicas de Nanocaracterização: Coleção Nanociência E Nanotecnologia: Princípios E Aplicações

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T251 Técnicas de nanocaracterização / Aldo Félix Craievich ...

24 cm. (Nanociência e nanotecnologia: princípios e

1. Nanociência. 2. Nanotecnologia. 3. Inovações

14-17324 CDD: 620.5

ALESSANDRA LUZIA DA RÓZ

FÁBIO DE LIMA LEITE

Gostaríamos de expressar nossa profunda gratidão a todos os alunos, pesquisadores

ALESSANDRA LUZIA DA RÓZ

FÁBIO DE LIMA LEITE

OSVALDO NOVAIS DE OLIVEIRA JÚNIOR

FÁBIO DE LIMA LEITE

Instrumentação Agropecuária. Foi Bolsista Jovem Pesquisador da FAPESP (2009-

de pós-graduação, sendo um em Ciência dos Materiais na UFSCar e o outro em

OSVALDO N. OLIVEIRA JR.

ALDO FÉLIX CRAIEVICH

desempenha atividades como Professor Sênior do IF/USP, Bolsista de Produtivida-

ANA PAULA RAMOS

ÁLVARO ALIAGA CERÓN

CARLOS JOSÉ LEOPOLDO CONSTANTINO

DAIANA KOTRA DEDA

DIEGO GERMÁN LAMAS

FÁBIO DE LIMA LEITE

Pós-Graduação em Física (IFSC-USP) e Programa de Pós-Graduação em Medicina

FABIO APARECIDO FERRI

JOSÉ ARANA VARELA

LEONARDO NEGRI FURINI

MARCELO DE ASSUMPÇÃO PEREIRA DA SILVA

MARIO DE OLIVEIRA NETO

PÂMELA SOTO GARCIA

PEDRO HENRIQUE BENITES AOKI

e suas aplicações, atuando principalmente nos seguintes temas: fabricação de filmes

caráter técnico-científico, em que são descritas estruturas e ferramentas para a ciência

O terceiro volume da coleção Nanociência e Nanotecnologia: Princípios e Aplicações

Os Capítulos 4 e 5 tratam especificamente da aplicação do espalhamento de luz e

[Oxi] Atividade da Espécie Oxidada

BioMEMS Biological Microelectro Mechanical Systems (Sistemas Bio Microeletrônicos)

E. coli Escherichia coli

HDPE-g-MA Polietileno de alta densidade enxertado com anidrido maleico

MOSFET Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (transistor de efeito de campo

PDT Photodynamic therapy (terapia fotodinâmica)

RENAMI Rede de Nanotecnologia Molecular e de Interfaces

TT Tail-to-tail (regioregularidade cauda-cauda de semicondutor polimérico)

MARCELO DE ASSUMPÇÃO PEREIRA-DA-SILVA

FABIO APARECIDO FERRI

PALAVRAS-CHAVE: difração; dispersão; espectroscopia; litografia; micro-

RESUMO: Este capítulo apresenta a técnica de microscopia eletrônica de var-

nos dias de hoje – a microscopia óptica, a microscopia eletrônica e a microscopia por

Figura 1.1. Tipos mais usados de fontes de excitação da técnica de microscopia.

Figura 1.2. A posição do sinal capturado define os dois

2. O Microscópio Eletrônico de Varredura (MEV)

Figura 1.3. Na coluna eletrônica estão todos os elementos que

2.2. Canhão de elétrons

Figura 1.4. Esquema da fonte de elétrons ou canhão de elétrons.

2.2.1. Tipos de filamento

Figura 1.5. Ilustração dos principais tipos de filamento.

O filamento de emissão de campo, feito de um cristal de tungstênio com ponta