SERVIÇO PÚBLICO FEDERAL

MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO
CENTRO FEDERAL DE EDUCAÇÃO TECNOLÓGICA DE MINAS GERAIS
DIRETORIA DE PESQUISA E PÓS-GRADUAÇÃO
COORDENAÇÃO DO CURSO DE MESTRADO EM ENGENHARIA DE MATERIAIS

SEGUNDA PROVA
CARACTERIZAÇÃO E DETERIORAÇÃO DOS MATERIAIS - DATA: 21/11/2023

Mestrando(a):

01) a) Assinale a opção correta e justifique a sua resposta. (3 pontos)

( ) Na MEV, o ideal é que as amostras sejam condutoras, pois, de outra forma, os elétrons
podem se acumular na amostra e interagir com o próprio feixe de elétrons, resultando na
perda de definição da imagem.
( ) A vantagem primária da MET sobre a MEV é que ela pode formar imagens de
amostras opacas aos elétrons, sem a necessidade de realizar difíceis preparações de
amostra.
( ) A melhor resolução possível da MET depende de quanto colimado é o feixe incidente
focado sobre a amostra, de como ele é movido sobre ela e do quanto o feixe se espalha
sobre a amostra antes de refletir no detector.
( ) Ao contrário da MEV, na MET, o feixe de elétrons provoca a produção de raios X
com energias características da composição elementar dos materiais analisados.
( ) Nenhuma das alternativas são corretas.

b) Coloque (V) para verdadeiro e (F) para falso. (3 pontos)

( ) Por meio da análise dos raios X característicos emitidos pela amostra, é possível
obter informações qualitativas e quantitativas da composição da amostra na região
submicrométrica de incidência do feixe de elétrons.
( ) Os sinais de maior interesse para a formação da imagem da amostra são os elétrons
primários e os retroespalhados.
( ) Os elétrons retroespalhados fornecem imagem da topografia da superfície da amostra
e são os responsáveis pela obtenção das imagens de alta resolução.
( ) Os elétrons secundários fornecem imagem característica da variação de composição
da amostra.
( ) O aumento máximo obtido pela MEV é superior ao da MET.
( ) O poder de resolução de um sistema óptico é expresso pelo limite de resolução.
( ) o poder de resolução é a menor distância que deve existir entre dois pontos para que
eles apareçam individualizados.
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02) Um conceito importante para o entendimento do funcionamento do microscópio de

força atômica é a curva de força que serve para quantificar a interação entre a ponta e a
amostra. A figura abaixo mostra uma curva de força onde é apresentado o comportamento
do cantilever durante o processo de aproximação e afastamento em relação à amostra.
Explique este comportamento. (3 pontos)

03) Explique os modos de operação do AFM: a) AFM de contato; b) AFM de contato

intermitente (ou TappingMode); c) AFM de não-contato. (3 pontos)

04) a) A transmissão de um material transparente com 20 mm de espessura à luz com

incidência normal é de 0,85. Se o índice de refração desse material é de 1,6, calcule a
espessura de material que produzirá uma transmissividade de 0,75. (3 pontos)
b) Explique a diferença entre microscopia de campo escuro e camplo claro. (3 pontos)

05) Explique a técnica espectrometria de absorção atômica e espectroscopia de raios X

por fotoelétrons. (4 pontos)

6) a) Por que a FRX não é recomendada para determinar a composição de elementos com
número atômico menor que 4? (2 pontos)
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b) A figura abaixo mostra duas imagens (A e B) obtidas por microscopia eletrônica de

varredura. Qual foi obtida por emissão de elétrons secundários e elétrons retroespalhados?
Além disso, explique a diferença entre estes tipos de emissões. (2 pontos)

c) Por que em tecnologia mineral, as imagens mais importantes são as de elétrons

retroespalhados? (2 pontos)
d) Indique qual imagem a baixo foi obtida no MO, MEV e MET. (2 pontos)