Capacitor MOS

Estrutura MOS com Φm ≠ Φs

Curvatura das bandas e o efeito de polarização
Surface Space-Charge Region
 No bulk:

Na interface SiO2/Si:
ϕ(x) = - [Ei(x) – Ei(∞)]/q

ϕs = ϕ(x=0)
VG = Vox + ϕs Vox = │Qs│/Cox

Cox = εrox. ε0/tox Qs = Qd +Qn Qs = - Qm

Componentes de campo elétrico entre duas fases

εr1 εr2
SiO2

Si

Para componente perpendicular:

εr´. E´ = εr´´. E´´

SiO2 Si
εrSiO2 = 3,9 εrSi = 11,8
Depletion Region Thickness and Charge Density
ρ(x) = -qNA

Qd = -qNAW

Início da inversão forte (ϕs = 2ϕF) :

Carga na camada
de depleção:

Qd = -qNAW

Carga na camada
de inversão:
Threshold Voltage for VFB = 0
 Cox Cs
Curvas C-V
V(t) = VG + V1sen(ωt)

Acumulação

VG = Vox + ϕs
Depleção
Qm = - Qs = - (Qd +Qn)

Cox = dQm/dVG Inversão

Curvas C-V
Flatband voltage
Work-Function Difference
 Cargas no Óxido

Qm – mobile charge
Qf – fixed charge
Qit – interface traps
Qi = Qm + Qf + Qit + Qot
Qot – oxide traps
 Threshold Voltage for VFB ≠ 0

VFB = Φms - sem carga no óxido

Si tipo p (NMOS) Φms = Φm - (χs + Eg/2q + ϕF)

Si tipo n (PMOS) Φms = Φm - (χs + Eg/2q - ϕF)

Si tipo p (NMOS) VT = VFB + │ Qdm │/ Cox + 2 │ ϕF │

Si tipo n (PMOS) VT = VFB - │ Qdm │/ Cox - 2 │ ϕF │

Para VG > VT: VG-VT=Qn/Cox

 Cálculos das medidas C-V

1. Cmax = εox.A/tox → tox

2. 1/Cmin = 1/Cmax + 1/Cs → Cs

3. Cs = εSi.A/Wm → Wm

4. → NA and ϕF

O próximo passo é calcular Capacitância de banda plana - CFB

 Capacitância de banda plana - CFB

5. CD = εSi.A/LD → CD

6. 1/CFB = 1/Cmax + 1/CD → CBP

7. VFB = Φms - sem carga no óxido

8. ΔV = Qi/Cox → Qi
Si tipo p (NMOS)

Si tipo n (PMOS)
 Medidas C-V LµE

22.0p

04 SET 1998
20.0p

18.0p

16.0p
Implantação de As+
14.0p Sem implantação
Implantação de B +
12.0p
C [F]

10.0p

8.0p

6.0p

4.0p

2.0p
Amost ra A1
0.0
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Dit : 2 h, 470oC, 1 0% H + 9 0% N
2 2 Vg [V]
 Problema 2 LµE

22.0p
15 JAN 1999
20.0p
Implantação de B+
18.0p Sem implantação
Implan tação de As +
16.0p Sem implantação

14.0p
Capacitância [F]

12.0p

10.0p

8.0p 30 m in/500oC + 60 m in/465 oC

6.0p

4.0p Amostra A2

2.0p

-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ar qu ivo : c :\dado s\nmos1\A2 _1.op j
Vg [V]
 20,0p

15,0p
Cp [F]

10,0p

5,0p

0,0
-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4

Vg [V]
Carrier Transport in Insulating Films
Charge-Coupled Device (CCD)
Basic CCD Structure